JP2023163436A - 電子モジュール及び組合体 - Google Patents

Abstract

【課題】裏面露出部に対する電子素子の絶縁性を保ち、かつ、放熱効果の高い裏面露出部に電子素子を精度よく位置決めすることができる電子モジュール及び当該電子モジュールを用いた組合体を提供する。
【解決手段】電子モジュールは、おもて面側に設けられた電極１５を有する複数の電子素子１０と、複数の電子素子１０を封止する封止部９０と、複数の電子素子１０がおもて面に配置されるとともに、裏面が封止部９０から露出した裏面露出部４０と、を有している。電子素子１０は、非導電性の電子素子基板５１０を有している。裏面露出部４０のおもて面には、凹部４５０が設けられている。電子素子基板５１０の厚みが凹部４５０の深さ以上の厚さとなっている。
【選択図】図１

Description

本発明は、裏面露出部を有する電子モジュール及び組合体に関する。

従来から、自動車等の乗り物に用いられるインバータ回路やリレー回路に使用され、複数の半導体素子を用いた半導体モジュールが知られている。また近年ではＧａＮ基板、Ｇａ₂Ｏ₃基板やサファイア基板といった基板の利用も試みられている（例えば特許文献１参照）。半導体モジュールといった電子モジュールでは複数の電子素子を用いることから発熱が高くなる。またＧａＮ基板、Ｇａ₂Ｏ₃基板やサファイア基板といった基板では熱が逃げにくいことから、より高い放熱効果の実現が必要になる（特にＧａ₂Ｏ₃基板では放熱性が悪い。）。

また、電子モジュールの小型化に伴い、電子モジュールに含まれる電子素子の位置決めを精度よく行うことが求められている上、半導体素子といった電子素子を実装する際に用いるはんだ等の導電性接着剤の量を減らしたいという要望もある。

ＷＯ２０１９／１６３０７５

本発明は、裏面露出部に対する電子素子の絶縁性を保ち、かつ放熱効果の高い裏面露出部に電子素子を精度よく位置決めすることができる電子モジュールと、当該電子モジュールを用いた組合体を提供する。

［概念１］
本発明による電子モジュールは、
おもて面側に設けられた電極を有する複数の電子素子と、
複数の前記電子素子を封止する封止部と、
複数の前記電子素子がおもて面に配置されるとともに、裏面が前記封止部から露出した裏面露出部と、
を備え、
前記電子素子は非導電性の電子素子基板を有し、
前記裏面露出部のおもて面に凹部が設けられ、
前記電子素子基板の厚みが前記凹部の深さ以上の厚さとなってもよい。

［概念２］
概念１による電子モジュールにおいて、
前記電子素子基板はサファイア又はガリウムを主たる材料とする基板であり、
前記基板のおもて面に前記電極としてソース電極、ドレイン電極及びゲート電極が設けられる、又はアノード電極及びカソード電極が設けられてもよい。

［概念３］
概念１又は２による電子モジュールにおいて、
前記電子素子基板の厚みが前記凹部の深さよりも厚くなってもよい。

［概念４］
概念１乃至３のいずれか１つによる電子モジュールにおいて、
２個以上の電子素子が設けられ、
電子素子の各々に対応する凹部が設けられてもよい。

［概念５］
概念１乃至４のいずれか１つによる電子モジュールにおいて、
前記裏面露出部に屈曲部を介して裏面非露出部が設けられてもよい。

［概念６］
概念１乃至５のいずれか１つによる電子モジュールにおいて、
前記封止部の一方側から電源端子及びグランド端子が外部に突出し、
前記封止部の他方側から出力端子、第一ゲート端子及び第二ゲート端子が外部に突出し、
前記第一ゲート端子と前記第二ゲート端子との間で前記出力端子が前記封止部から外部に突出してもよい。

［概念７］
概念１乃至６のいずれか１つによる組合体は、
前述したいずれかの電子モジュールと、
前記封止部のおもて面に設けられた基板と、
前記裏面露出部の裏面に設けられたヒートシンクと、
を備え、
前記端子部は前記基板に設けられた導体層に接続されてもよい。

裏面露出部のおもて面に凹部が設けられ、非導電性の電子素子基板の厚みが凹部の深さ以上の厚さとなっている態様を採用することで、裏面露出部に対する電子素子の絶縁性を保ち、かつ放熱効果の高い裏面露出部に電子素子を精度よく位置決めすることができる。また、電子素子を固定するために必要な導電性接着剤の量を減らすことができ、製造コストを下げることも期待できる。

図１は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる電子モジュールの側方断面図であって、電子素子の側方及び底面に導電性接着剤が設けられている態様を示した側方断面図である。 図２は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる電子モジュールの側方断面図であって、電子素子の底面に導電性接着剤が設けられている態様を示した側方断面図である。 図３は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる電子モジュールの側方断面図であって、電子素子の裏面メタル及び電子素子基板の全てが凹部内に収容されている態様を示した側方断面図である。 図４は、本発明の第１の実施の形態において、電子素子が裏面露出部内に収容されている態様を示した平面図である。 図５は、本発明の第１の実施の形態において、電子素子の厚みと裏面露出部の凹部の深さとの関係を示した斜視図である。 図６は、本発明の第１の実施の形態における電極の一態様を示した側方断面図である。 図７は、本発明の第１の実施の形態における電極の別の態様を示した側方断面図である。 図８は、本発明の第１の実施の形態における電極のさらに別の態様を示した側方断面図である。 図９は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる電子モジュールを第一方向に沿って見た平面図であって、封止部の内部を示した図である（封止部は点線で示されている）。 図１０は、本発明の第１の実施の形態で用いられうる第一裏面露出部、屈曲部及び裏面非露出部を示した平面図である。 図１１Ａは、図１０で示した第一裏面露出部、屈曲部及び裏面非露出部を直線Ａ１－Ａ１で切断した側方断面図である。 図１１Ｂは、図１０で示した第二裏面露出部を直線Ａ２－Ａ２で切断した概略側方断面図である。 図１２は本発明の第１の実施の形態の電子モジュールの回路図である。 図１３は、本発明の第１の実施の形態の電子モジュールを用いた組合体を示した概略側方図である。 図１４は、本発明の第２の実施の形態で用いられうる電子モジュールの斜視図であって、封止部の内部を示した図である。 図１５は、本発明の第２の実施の形態で用いられうる電子モジュールを第一方向に沿って見た平面図であって、封止部の内部を示した図である。 図１６Ａは、本発明の第２の実施の形態で用いられうる封止部及び凹部を示した平面図である。 図１６Ｂは、図１６Ａの直線Ｂ－Ｂで切断した断面の概略図である。 図１６Ｃは、図１６Ａの直線Ｃ－Ｃで切断した断面の概略図である。 図１７は、本発明の第２の実施の形態で用いられうる電子モジュールを第一方向に沿って見た底面図であって、封止部の内部を示した図である。 図１８は本発明の実施の形態の周縁領域を示した概略側方断面図である。 図１９は本発明の実施の形態で用いられうる第二接続子を示した側方図である。 図２０Ａは本発明の実施の形態で用いられうる第一接続子を示した平面図である。 図２０Ｂは本発明の実施の形態で用いられうる第一接続子を示した側方図である。

第１の実施の形態
《構成》
本実施の形態において、「一方側」は図１乃至図３の上方側を意味し、「他方側」は図１乃至図３の下方側を意味する。図１乃至図３の上下方向を「第一方向」と呼び、左右方向を「第二方向」と呼び、紙面の表裏方向を「第三方向」と呼ぶ。第二方向及び第三方向を含む面内方向を「面内方向」という。なお、図面内で括弧を用いて示している符号は、当該符号の部材にも合致していることを意味している。例えば「１１（１０）」であれば、当該部材は「第一電子素子１１」であるとともに「電子素子１０」にも該当することを示している。

図１乃至図３に示すように、本実施の形態の電子モジュールは、おもて面側に設けられた電極１５を有する１又は複数の電子素子１０と、電子素子１０を封止する封止部９０と、電子素子１０がおもて面に配置されるとともに、裏面が封止部９０から露出した裏面露出部４０を含む導体部３０と、を有している。導体部３０は例えば銅からなっている。

電子素子１０の各々は非導電性の電子素子基板５１０を有してもよい。電子素子基板５１０のおもて面には電極（おもて面電極メタル）１５が設けられ、電子素子基板５１０の裏面には裏面メタル５３０が設けられてもよい。裏面露出部４０のおもて面には凹部４５０が設けられており、電子素子基板５１０の厚みが凹部４５０の深さ以上の厚さとなってもよい。なお、本実施の形態での「非導電性」とは抵抗率が１０⁸Ω・ｍ以上であることを意味している。

電子素子基板５１０の厚みは凹部４５０の深さよりも厚くなってもよく、一例としては、電子素子基板５１０の厚みは４５０μｍ以上となり、凹部４５０の深さは４３０μｍ以下となってもよく、例えば電子素子基板５１０の厚みは５００μｍ以上となり、凹部４５０の深さは４００μｍ以下となってもよい。凹部４５０の深さは３５０μｍ以上となってもよい。図５では電子素子１０の厚みをｈ₁とし、凹部４５０の深さをｈ₂として示しているが、電子素子基板５１０の厚みが凹部４５０の深さ以上の厚さとなる場合には、ｈ₁≧ｈ₂となる。なお、電子素子基板５１０はむき出しとなっており、凹部４５０の内側面と電子素子基板５１０の側面とは接触してもよいし（図２には凹部４５０の内側面と電子素子基板５１０の側面との間に間隙が設けられているが、当該間隙が無い態様となってもよいし）、凹部４５０の内側面と電子素子基板５１０の側面と間で電子素子基板５１０の側面は導電性接着剤１９０と接触してもよい（図１及び図３参照）。

裏面メタル５３０が設けられている場合には、裏面メタル５３０及び電子素子基板５１０を合計した厚みが凹部４５０の深さより大きくなってもよいし（図１及び図２参照）、裏面メタル５３０及び電子素子基板５１０を合計した厚みが凹部４５０の深さと等しくなってもよい（図３参照）。裏面メタル５３０ははんだや銀ペースト等の導電性接着剤との接合性を高めるものであり、電極としての機能を有していなくてもよい。

電子素子基板５１０と凹部４５０との間には導電性接着剤１９０が設けられてもよい（図１乃至図３参照）。導電性接着剤１９０は電子素子基板５１０の裏面側（裏面メタル５３０の裏面）と凹部４５０の底面との間だけに設けられてもよいし（図２参照）、電子素子基板５１０の裏面側（裏面メタル５３０の裏面）と凹部４５０の底面との間に加え、電子素子基板５１０の側面と凹部４５０の側面との間に設けられてもよい（図１及び図３参照）。電子素子基板５１０の側面と凹部４５０の側面とは接触する又は数μｍだけ離間してもよい（図２参照）。電子素子基板５１０がＧａ₂Ｏ₃、ＧａＮといったガリウム等やサファイアを主たる材料とし、電子素子基板５１０が非導電性となっている場合には、裏面露出部４０と電子素子基板５１０が直接接触したり導電性接着剤１９０を介して接触したりしても電気的な問題は生じない。電子素子１０は平面視した際に正方形や長方形となってもよい（図４参照）。なお、本実施の形態において主たる材料というのは質量％において５０％超過で含有することを意味し、ガリウムやサファイアが電子素子基板５１０の主たる材料となるということは、ガリウムやサファイアが５０質量％超過で電子素子基板５１０の材料として含まれることを意味している。

電子素子１０は例えばＭＯＳＦＥＴ等の半導体素子であり、電子モジュールは例えば半導体モジュールであってもよい。図６に示すように、電子素子基板５１０のおもて面に薄膜５１１を介して、ソース電極１０ｓ、ドレイン電極１０ｄ及びゲート電極１０ｇが設けられてもよい。また、別の例としては、基板のおもて面に電極としてアノード電極１０ａ及びカソード電極１０ｃが設けられてもよい（図７参照）。また、電子素子１０のおもて面にソース電極１０ｓ及びゲート電極１０ｇが設けられ、裏面にドレイン電極１０ｄが設けられてもよい（図８参照）。

電子素子１０と接続子２００又はワイヤ等からなる接続部材を介して接続されてもよい。電子素子１０と接続部材との間、及び端子部１１０と接続部材との間にも導電性接着剤１９０が設けられてもよい（図８参照）。以下では、接続部材として接続子２００が用いられる態様を用いて説明するが、これに限られることはなく、接続子２００の代わりにワイヤが用いられてもよい。なお、接続子２００としては例えば銅クリップを用いることができ、ワイヤとしては例えばアルミワイヤを用いることができる。なお、幅の太い接続子２００を用いることで流れる電流量を上げることができる。

図９乃至図１１Ｂに示すように、裏面露出部４０は、裏面非露出部４９と一体になった第一裏面露出部５１と、裏面非露出部４９とは一体になっていない第二裏面露出部５２とを有してもよい。第一裏面露出部５１と裏面非露出部４９との間には封止部９０の内方に屈曲した屈曲部４５が設けられてもよい。この場合、第一裏面露出部５１、屈曲部４５及び裏面非露出部４９は一体となり、一体部材を構成してもよい。図９及び図１０に示すように、この裏面非露出部４９に封止部９０の側面から外方に突出した出力端子１１０が設けられてもよく、この場合には、第一裏面露出部５１、屈曲部４５、裏面非露出部４９及び出力端子１１０が一体に構成されることになる。

電子素子１０は、第一裏面露出部５１のおもて面に設けられた第一電子素子１１と、第二裏面露出部５２のおもて面に設けられた第二電子素子１２を有してもよい。

第一裏面露出部５１及び第二裏面露出部５２の各々に凹部４５０が設けられてもよい（図１１Ａ及び図１１Ｂ参照）。図９に示す態様では６個の電子素子１０が設けられているが、３個の第一電子素子１１の各々は第一裏面露出部５１のおもて面に形成された凹部４５０内に設けられ、３個の第二電子素子１２の各々は第二裏面露出部５２のおもて面に形成された凹部４５０内に設けられてもよい。

図９に示すように、端子部１００は、出力端子１１０の他、電源端子１２０、グランド端子１３０、第一ゲート端子１４０及び第二ゲート端子１５０を有してもよい。一例として、封止部９０の一側方（図９の右側）から電源端子１２０及びグランド端子１３０が外部に突出し、封止部９０の他側方（図９の左側）から出力端子１１０、第一ゲート端子１４０及び第二ゲート端子１５０が外部に突出してもよい。第一ゲート端子１４０と第二ゲート端子１５０との間で出力端子１１０が封止部９０から外部に突出してもよい。

接続子２００は第一接続子２１０及び第二接続子２２０を有してもよい。本実施の形態の第一接続子２１０は出力端子１１０、電源端子１２０又はグランド端子１３０と電子素子１０とを電気的に接続し、第二接続子２２０は第一ゲート端子１４０又は第二ゲート端子１５０と電子素子１０とを電気的に接続してもよい。一例として、図９に示すように、第一接続子２１０は、第一電子素子１１のおもて面に設けられたソース電極１１ｓとグランド端子１３０とを導電性接着剤１９０（図８参照）を介して接続してもよい。また、第一接続子２１０は、第二電子素子１２のおもて面に設けられたソース電極１２ｓと出力端子１１０とを導電性接着剤１９０を介して接続してもよい。また第二接続子２２０は、第一電子素子１１のおもて面に設けられたゲート電極１１ｇと第二ゲート端子１５０とを導電性接着剤１９０を介して接続してもよい。また第二接続子２２０は、第二電子素子１２のおもて面に設けられたゲート電極１２ｇと第一ゲート端子１４０とを導電性接着剤１９０を介して接続してもよい。

図１３に示すように、封止部９０のおもて面（図１３では下側の面）に基板３１０が設けられてもよい。端子部１００は基板３１０に設けられた導体層３２０に接続されてもよい。裏面露出部４０の裏面（図１３では上側の面）にヒートシンク３００が設けられてもよい。本実施の形態では、本実施の形態による電子モジュールと、基板３１０と、ヒートシンク３００によって、組合体が構成される。なお、端子部１００と導体層３２０は導電性接着剤１９０を介して接続されてもよい。

図９に示す態様では、裏面露出部４０だけが封止部９０の裏面から露出し、裏面非露出部４９、出力端子１１０、電源端子１２０、グランド端子１３０、第一ゲート端子１４０及び第二ゲート端子１５０は封止部９０の裏面から露出していない。なお、出力端子１１０、電源端子１２０、グランド端子１３０、第一ゲート端子１４０及び第二ゲート端子１５０は封止部９０の側方から外部に突出している。

電子モジュールとしては、例えばパワー電子モジュールを用いてもよい。第一電子素子１１及び第二電子素子１２としては、例えばＧａＮ－ＨＥＭＴを用いてもよい。本実施の形態による電子モジュールの回路図は例えば図１２に示すようになっている。図９に示す態様では第一電子素子１１及び第二電子素子１２がＭＯＳＦＥＴであり、図９において、第一電子素子１１であるＭＯＳＦＥＴのドレイン電極１１ｄ（図８参照）が第一裏面露出部５１側に位置し、ソース電極１１ｓが第一裏面露出部５１と反対側（おもて面側）に位置し、また、第二電子素子１２であるＭＯＳＦＥＴのドレイン電極１２ｄ（図８参照）が第二裏面露出部５２側に位置し、ソース電極１２ｓが第二裏面露出部５２と反対側（おもて面側）に位置する。

本実施の形態の電子モジュールは３相ブリッジ回路となっていてもよい。３つある出力端子１１０のうちのいずれかがＵ相コイルに接続され、別の１つがＶ相コイルに接続され、残りの１つがＷ相コイルに接続されてもよい（図１２参照）。第一電子素子１１と第二電子素子１２との接続点は、モータのＵ相コイル、Ｖ相コイル又はＷ相コイルに接続されてもよい。

《効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による効果の一例について説明する。なお、「効果」で説明するあらゆる態様を、上記構成で採用することができる。

図１乃至図８に示すように、裏面露出部４０のおもて面に凹部４５０が設けられ、非導電性の電子素子基板５１０の厚みが凹部４５０の深さ以上の厚さとなっている態様を採用することで、裏面露出部４０に対する電子素子１０の絶縁性を保ち、かつ放熱効果の高い裏面露出部４０に電子素子１０を精度よく位置決めすることができる。また、電子素子１０を固定するために必要な導電性接着剤の量を減らすことができ、製造コストを下げることも期待できる。また、熱的な変形による応力を受けた場合には、ヘテロ構造素子（電子素子基板５１０を構成する下地基板とエピ膜の材料が異なるもの、例えば下地基板であるサファイア基板上にＧａＮ層が設けられている態様）では電気特性が劣化するが、本態様のような基板埋め込み方式を用いることで、モールド樹脂等からなる封止部９０による熱的な変形による応力を受けない態様とすることができる点でも優れている。また電素素子１０のおもて面側に電極１５が設けられている場合には、凹部４５０内に電子素子１０を嵌め込むことで、当該電極１５と裏面露出部４０との距離を近接させることができ、放熱効果を高めることができる。

電子素子基板５１０の厚さが大部分を示す横型デバイス（例えば電子素子基板５１０の厚みが４００μｍ～６００μｍからなり、電極１５の厚みが０．５～１．５μｍ程度からなるデバイス）、さらに電子素子基板５１０としてサファイアのような熱伝導の悪い材料を用いているデバイスでは、動作中に熱的影響で電気特性の悪化を生じる。対策として、電子素子基板５１０の薄片化を行って、放熱を行うことも考えられるが、サファイア基板を用いたデバイスにとって、電子素子基板５１０が絶縁性を有することを長所になっていることもあることから、電子素子基板５１０の薄片化を行うことはその長所をなくしてしまうことになり、好ましいことではない。また下地基板とエピ膜の材料が異なるヘテロ接合からなる電子素子基板５１０（例えば下地基板であるサファイア基板上にＧａＮ層又はＧａ₂Ｏ₃層が設けられて構成される電子素子基板５１０）の薄片化は電気特性に劣化させる場合もある。

また、電極１５を下方に位置させることで放熱効果を高めることも考えられるが（図８参照）、サファイア基板等を用い横型デバイスでは、一般的には実装時に基板の裏面にメタルを蒸着（メッキ）し、サファイア基板の上層部をフローティングさせることで利用されていることから、汎用性の高い横型デバイスを利用できるという観点からは、電子素子基板５１０のおもて面に電極１５が設けられ、裏面には電極１５が設けられていない態様でも適用できることが好ましい（図１乃至図４、図６及び図７参照）。このような態様としては、電子素子基板５１０のおもて面に電極１５としてソース電極１０ｓ、ドレイン電極１０ｄ及びゲート電極１０ｇが設けられる、又はアノード電極１０ａ及びカソード電極１０ｃが設けられる態様を挙げることができる。

熱の発生源は、デバイス動作時の電極メタル等からなる電極１５であることから、如何に電極１５を放熱させることが安定したデバイス動作を可能とする。
また、材料が有する熱抵抗値は、
裏面露出部４０＜電子素子基板５１０（サファイア、ＧａＮ、Ｇａ₂Ｏ₃）＜封止部９０
となることから、熱はより抵抗の少ない裏面露出部４０を介して伝わろうとする（なお、典型的には裏面露出部４０は金属からなり、封止部９０はモールド樹脂からなっている。）。

このため、本実施の形態のように銅等の金属からなる裏面露出部４０に電子素子１０を埋め込むことは、電極１５と裏面露出部４０を近づけることに繋がり、より放熱性を向上することに繋がる。電極１５と裏面露出部４０を近づける観点からは、電子素子基板５１０の厚みが凹部４５０と等しくなることが有益であるが（図３参照）、製造誤差も鑑みると、電子素子基板５１０の厚みが凹部４５０の深さよりも大きくなるように設計されていることが有益である。この際、凹部４５０の深さは電子素子基板５１０の厚みの０．９０～０．９９倍程度となってもよい（ちなみに４３０μｍ／４５０μｍ＝０．９６となる。）。また、電極１５の厚みが電子素子基板５１０の厚みよりもかなり小さく、電極１５の厚みが電子素子基板５１０の厚みの０．１～０．３％程度しかない場合には、凹部４５０の深さと電子素子基板５１０の厚みの差をより小さくしてもよく、凹部４５０の深さは電子素子基板５１０の厚みの０．９８～０．９９倍程度となってもよい。なお、裏面メタル５３０が設けられている場合には、凹部４５０の深さと裏面メタル５３０及び電子素子基板５１０を合計した厚みが比較されてもよく、例えば凹部４５０の深さは裏面メタル５３０及び電子素子基板５１０を合計した厚みの０．９０～０．９９倍程度となってもよい。また電極１５の厚みが電子素子基板５１０の厚みよりもかなり小さく電極１５の厚みが電子素子基板５１０の厚みの０．１～０．３％程度しかない場合には、凹部４５０の深さは裏面メタル５３０及び電子素子基板５１０を合計した厚みの０．９８～０．９９倍程度となってもよい。

２個以上、特に６個以上の電子素子１０が設けられ、電子素子１０の各々に対応する凹部４５０が設けられる態様では（図９参照）、電子素子１０の各々に対応する凹部４５０で前述した放熱効果や製造コストの削減を期待できる点で有益である。

裏面露出部４０と裏面非露出部４９とを屈曲部４５を介して一体とする態様を採用する場合には（図１０及び図１１Ａ参照）、裏面に露出する領域を抑えてバリ等が発生することを防止しつつ、裏面露出部４０を介して裏面からの放熱効果を実現できる。また、当該態様を採用することで樹脂内部剥離も起きにくくなるため、信頼性を向上させることができる。

図９で示すように、封止部９０の一側方から電源端子１２０及びグランド端子１３０が外部に突出し、封止部９０の他側方から出力端子１１０、第一ゲート端子１４０及び第二ゲート端子１５０が外部に突出し、第一ゲート端子１４０と第二ゲート端子１５０との間で出力端子１１０が封止部９０から外部に突出する態様を採用する場合には、長手方向（第三方向：図９の上下方向）における電子モジュールの大きさを小さくすることができ、また配線経路を短縮することもできる。

図１３に示されるように封止部９０のおもて面に設けられた基板３１０が設けられ、端子部１００が基板３１０に設けられた導体層３２０に接続されつつ、他方で裏面露出部４０の裏面にヒートシンク３００が設けられる態様を採用する場合には、端子部１００を介して熱を導体層３２０に逃がすとともに、裏面露出部４０を介して熱をヒートシンク３００に逃がすことができ、高い放熱効果を期待できる。

第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。

本実施の形態では、後述する周縁領域５１ｃ，５２ｃ、突出部５１ｂ，５２ｂ、封止凹部８０等が設けられた態様となっているが、その他の構成については、第１の実施の形態と同様であり、第１の実施の形態で説明したあらゆる態様を採用することができる。第１の実施の形態で説明した部材については同じ符号を用いて説明する。

図１４及び図１５に示すように、裏面露出部４０は、本体部５１ａ，５２ａと、本体部５１ａ，５２ａから側方に突出する突出部５１ｂ，５２ｂを有してもよい。より具体的には、第一裏面露出部５１は、第一本体部５１ａと、第一本体部５１ａから側方に突出する第一突出部５１ｂを有してもよい。第二裏面露出部５２は、第二本体部５２ａと、第二本体部５２ａから側方に突出する第二突出部５２ｂを有してもよい。

図１６Ａ乃至図１６Ｃに示すように、封止部９０のおもて面には、側面から内部に向かって延在する封止凹部８０が設けられており、図１６Ａで示す態様で言えば左右方向に延在する６個の封止凹部８０が封止部に設けられてもよい。図１６Ｂ及び図１６Ｃで示すように封止凹部８０は突出部５１ｂ，５２ｂのおもて面側に位置付けられてもよい。封止凹部８０は押圧部（図示せず）によって裏面露出部４０を押圧した結果として形成されるものであるが、封止部９０のおもて面に側面から内部に向かって延在する封止凹部８０が設けられることで、封止凹部８０内に水等がついても当該水等を排出できる構成とすることができる。

図１４及び図１５に示すように、裏面露出部４０の各々が突出部５１ｂ，５２ｂを有してもよい。そして、各突出部５１ｂ，５２ｂに対応して封止凹部８０が設けられてもよい。このような態様を採用することで、裏面露出部４０の各々を押圧部によって押圧することができ、樹脂が裏面に回り込んでしまってバリ等が発生することをより確実に防止できる。

図１８に示すように、裏面露出部４０の本体部５１ａ，５２ａは、封止部９０で裏面が覆われた周縁領域５１ｃ，５２ｃを有してもよい（図１７も参照）。このような周縁領域５１ｃ，５２ｃが設けられる態様を採用した場合には、裏面露出部４０における樹脂内部剥離を防止することができ、信頼性をさらに向上させることができる。周縁領域５１ｃ，５２ｃと裏面非露出部４９との高さ位置は対応してもよい。本実施の形態において高さ位置が「対応する」とは、電子モジュールの第一方向における厚みの５％以内の範囲で中心位置の高さ位置が合致することを意味している。このため、周縁領域５１ｃ，５２ｃと裏面非露出部４９との高さ位置が対応するとは、周縁領域５１ｃ，５２ｃの厚み方向（第一方向）における中心位置と裏面非露出部４９厚み方向（第一方向）における中心位置とが合致するか又は電子モジュール厚みの５％以内の範囲に収まっていることを意味している。

裏面露出部４０（第一裏面露出部５１及び第二裏面露出部５２）の各々のおもて面には凹部４５０が設けられているが（図１１Ａ及び図１１Ｂも参照）、このような凹部４５０に加え、図１４及び図１５に示すように、裏面露出部４０のおもて面には導電性接着剤１９０が外方に漏れ出すことを防止するためのストッパとして機能する堰き止め部４３が設けられてもよい。第一ゲート端子１４０及び第二ゲート端子１５０の各々にもストッパとして機能する堰き止め部（図示せず）が設けられてもよい。図示していないが電源端子１２０及びグランド端子１３０の各々にもストッパとして機能する堰き止め部が設けられてもよい。

図２０Ａ及び図２０Ｂに示すように、第一接続子２００は他方側に凹んだ第一接続凹部２１１と、当該第一接続凹部２１１に設けられ、他方側に突出した第一接続突出部２１２を有してもよい。この第一接続突出部２１２は第一接続凹部２１１の角部に設けられてもよく、本実施の形態では４つの第一接続突出部２１２が設けられている。図１９に示すように、第二接続子２２０は他方側に凹んだ第二接続凹部２２１を有し、この第二接続凹部２２１に対応して他方側に突出した第二接続突出部２２２を有してもよい。第一接続子２１０の厚みは第二接続子２２０の厚みよりも厚くなってもよい。一例として、第一接続子２１０の厚みは第二接続子２２０の厚みの１．２倍以上１．５倍以下となってもよい。

上述した各実施の形態の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した各実施の形態の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。

１０ 電子素子
１５ 電極
４０ 裏面露出部
４５ 屈曲部
４９ 裏面非露出部
９０ 封止部
１１０ 出力端子
１２０ 電源端子
１３０ グランド端子
１４０ 第一ゲート端子
１５０ 第二ゲート端子
３００ ヒートシンク
３１０ 基板
３２０ 導体層
４５０ 凹部
５１０ 電子素子基板

Claims (7)

1. おもて面側に設けられた電極を有する複数の電子素子と、
   複数の前記電子素子を封止する封止部と、
   複数の前記電子素子がおもて面に配置されるとともに、裏面が前記封止部から露出した裏面露出部と、
   を備え、
   前記電子素子は非導電性の電子素子基板を有し、
   前記裏面露出部のおもて面に凹部が設けられ、
   前記電子素子基板の厚みが前記凹部の深さ以上の厚さとなっている、電子モジュール。
2. 前記電子素子基板はサファイア又はガリウムを主たる材料とする基板であり、
   前記基板のおもて面に前記電極としてソース電極、ドレイン電極及びゲート電極が設けられる、又はアノード電極及びカソード電極が設けられる請求項１に記載の電子モジュール。
3. 前記電子素子基板の厚みが前記凹部の深さよりも厚くなっている、請求項１又は２に記載の電子モジュール。
4. ２個以上の電子素子が設けられ、
   電子素子の各々に対応する凹部が設けられる、請求項１又は２に記載の電子モジュール。
5. 前記裏面露出部に屈曲部を介して裏面非露出部が設けられる、請求項１又は２に記載の電子モジュール。
6. 前記封止部の一方側から電源端子及びグランド端子が外部に突出し、
   前記封止部の他方側から出力端子、第一ゲート端子及び第二ゲート端子が外部に突出し、
   前記第一ゲート端子と前記第二ゲート端子との間で前記出力端子が前記封止部から外部に突出する、請求項１又は２のいずれか１項に記載の電子モジュール。
7. 請求項１又は２に記載の電子モジュールと、
   前記封止部のおもて面に設けられた基板と、
   前記裏面露出部の裏面に設けられたヒートシンクと、
   を備え、
   前記端子部は前記基板に設けられた導体層に接続される組合体。