JP2023155145A - Light-emitting device, display, photoelectric conversion device, electronic apparatus, lighting unit, and movable body - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体に関する。 The present invention relates to a light emitting device, a display device, a photoelectric conversion device, an electronic device, a lighting device, and a moving object.
有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子などの自発光素子を用いた発光装置の画素の高精細化に伴って、画素に配される発光素子を動作させるためのトランジスタが小型化され、トランジスタのオフリーク電流が増加する。特許文献1には、駆動トランジスタのゲートに接続されるスイッチングトランジスタのリーク電流を起因とする駆動電流の変動を抑制するために、スイッチングトランジスタのLDD長を駆動トランジスタのLDD長よりも長くすることが示されている。 As the pixels of light-emitting devices using self-luminous elements such as organic electroluminescent (EL) elements become more precise, the transistors used to operate the light-emitting elements arranged in the pixels are becoming smaller, and off-leakage current of the transistors is becoming smaller. To increase. Patent Document 1 discloses that the LDD length of the switching transistor can be made longer than the LDD length of the drive transistor in order to suppress fluctuations in the drive current caused by leakage current of the switching transistor connected to the gate of the drive transistor. It is shown.
トランジスタの小型化に伴うオフリーク電流の増加要因の1つとして、ウェルとトランジスタのソース、ドレインとして機能する拡散領域(高濃度領域)との間のPN接合部における接合リークの増加が挙げられる。拡散領域が発光素子に接続されているトランジスタにおいてリーク電流が増加すると、リーク電流が発光素子に流れ込んでしまい、コントラストが低下するなど画質が低下してしまう。 One of the factors that increases off-leakage current as transistors become smaller is an increase in junction leakage at a PN junction between a well and a diffusion region (high concentration region) that functions as the source and drain of the transistor. When leakage current increases in a transistor whose diffusion region is connected to a light-emitting element, the leakage current flows into the light-emitting element, resulting in deterioration of image quality such as a decrease in contrast.
本発明は、画質の低下を抑制するのに有利な技術を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a technique that is advantageous in suppressing deterioration in image quality.
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る発光装置は、基板に、発光素子と、前記発光素子を動作させるための複数のトランジスタと、を含む画素が配された発光装置であって、前記複数のトランジスタは、前記発光素子に接続されたソース領域またはドレイン領域を有する第1トランジスタと、前記発光素子に接続されていないソース領域およびドレイン領域を有する第2トランジスタと、を含み、前記第1トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域として機能する第1拡散領域に、第1シリサイドが配され、前記第2トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域として機能する第2拡散領域に、第2シリサイドが配され、前記第1シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数が、前記第2シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数よりも小さいことを特徴とする。 In view of the above problems, a light emitting device according to an embodiment of the present invention is a light emitting device in which a pixel including a light emitting element and a plurality of transistors for operating the light emitting element is disposed on a substrate, the light emitting device comprising: The plurality of transistors include a first transistor having a source region or a drain region connected to the light emitting element, and a second transistor having a source region and a drain region not connected to the light emitting element. A first silicide is disposed in a first diffusion region functioning as the source region or the drain region of one transistor, and a second silicide is disposed in a second diffusion region functioning as the source region or the drain region of the second transistor. is arranged, and the diffusion coefficient of the metal contained in the first silicide into silicon is smaller than the diffusion coefficient into silicon of the metal contained in the second silicide.
本発明によれば、画質の低下を抑制するのに有利な技術を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a technique advantageous for suppressing deterioration in image quality.
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Note that the following embodiments do not limit the claimed invention. Although a plurality of features are described in the embodiments, not all of these features are essential to the invention, and the plurality of features may be arbitrarily combined. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar components are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
図1~図15を参照して、本開示の実施形態による発光装置について説明する。図1は、本実施形態における発光装置101の構成例を示す概略図である。発光装置101は、画素アレイ102と、画素アレイ102の周辺に配置された駆動部と、を含む。画素アレイ102には、行列状に2次元配置された複数の画素103が配されている。画素103は、詳細は後述するが、基板に形成された、発光素子と、発光素子を動作させるための複数のトランジスタと、を含む。
A light emitting device according to an embodiment of the present disclosure will be described with reference to FIGS. 1 to 15. FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration example of a
駆動部は、画素103を駆動するための回路である。例えば、駆動部は、垂直走査回路104、信号出力回路105を含む。画素アレイ102において、行方向に沿って、走査線106が、画素行ごとに配されている。また、列方向に沿って、信号線107が、画素列ごとに配されている。
The drive unit is a circuit for driving the
走査線106は、垂直走査回路104において、対応する行の出力端に接続されている。また、信号線107は、信号出力回路105の出力端に接続されている。垂直走査回路104は、画素アレイ102に配されたそれぞれの画素103への映像信号の書込み時において、走査線106に書込み制御信号を供給する。信号出力回路105は、外部から供給されるデジタルの表示データに応じた電圧を有する輝度信号を出力する。
The
図2は、発光装置101が備える画素103の構成例を示す回路図である。図2に示されるように、画素103は、発光素子200、発光素子を動作させるための複数のトランジスタと、を含む。発光素子200は、陽極と陰極との電極間に発光層を含む有機層を有する。発光素子200は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子であってもよい。有機層は、発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、電荷発生層のうち1つ以上を適宜、備えていてもよい。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of the
画素103には、発光素子を動作させるための複数のトランジスタとして、駆動トランジスタ201と書込みトランジスタ203とが配される。さらに、図2に示される構成において、複数のトランジスタとして、発光制御トランジスタ202とリセットトランジスタ204とが、配されている。また、画素103には、2つの静電容量205、206が配されている。画素103には、電源電位Vddおよび電源電位Vssが供給される。
A
画素103に配される4つのトランジスタは、それぞれMOSFETでありうる。それぞれのトランジスタを制御するための制御信号は、3つの走査線106a、106b、106cを介して、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204のゲート電極にそれぞれ入力される。信号線107は、書込みトランジスタ203のソース領域に接続され、書込みトランジスタ203がON状態(導通状態)になると、信号線107の電圧値が、駆動トランジスタ201のゲート電極に入力される。この信号電圧に依存して駆動トランジスタ201のソース領域とドレイン領域との間の電流値が決まり、発光素子200の発光輝度が制御される。
Each of the four transistors arranged in the
駆動トランジスタ201のドレイン領域は、発光素子200のアノードとリセットトランジスタ204のソース領域とに接続されている。リセットトランジスタ204がON状態である場合、発光素子200には電流が流れず、発光しない。また、発光素子200のカソードとリセットトランジスタ204のドレイン領域とは同電位(電源電位Vss)である。
The drain region of the
電源電位Vssは、例えば、グランド電位であってもよい。電源電位Vddは、電源電位Vssに対して、例えば、10Vの電位差があってもよい。しかしながら、電源電位Vddおよび電源電位Vssは、これに限られることはない。電源電位Vddおよび電源電位Vssの設定は、発光素子200の変換特性(発光特性)によって、適宜、決定されるものである。
The power supply potential Vss may be, for example, a ground potential. The power supply potential Vdd may have a potential difference of, for example, 10V with respect to the power supply potential Vss. However, the power supply potential Vdd and the power supply potential Vss are not limited to these. The settings of the power supply potential Vdd and the power supply potential Vss are determined as appropriate depending on the conversion characteristics (light emission characteristics) of the
図3に、本実施形態における発光素子200を動作させるために画素103に配されるトランジスタの上面図が示されている。駆動トランジスタ201には、ゲート電極311、ソース領域として機能する拡散領域310(拡散領域は、高濃度領域とも呼ばれうる。)、ドレイン領域として機能する拡散領域312を含む。発光制御トランジスタ202は、ゲート電極309、ソース領域として機能する拡散領域308を含む。拡散領域308は、電源電位Vddに接続される。図2に示される回路において、発光制御トランジスタ202のドレイン領域は、駆動トランジスタ201のソース領域と電気的に接続されており、駆動トランジスタ201のソース領域として機能する拡散領域310として配されている。リセットトランジスタ204は、ゲート電極313、ドレイン領域として機能する拡散領域314を含む。拡散領域314は、電源電位Vssに接続される。図2に示される回路において、駆動トランジスタ201のドレイン領域は、リセットトランジスタ204のソース領域と電気的に接続されており、駆動トランジスタ201のドレイン領域として機能する拡散領域312として配されている。書込みトランジスタ203は、ゲート電極316、ソース領域として機能する拡散領域317、ドレイン領域として機能する拡散領域315を含む。書込みトランジスタ203のドレイン領域として機能する拡散領域315と駆動トランジスタ201のゲート電極311とは、図2に示されるように電気的に接続されており、図3に示される構成では、導電パターン318によって導通される。
FIG. 3 shows a top view of a transistor arranged in the
図3は、半導体の基板の上面図であるため、図2の回路図に示される結線がすべて描かれていない。しかしながら、基板上に配された上述のそれぞれのトランジスタの上には、配線層が積層され、配線パターンおよびコンタクトプラグなどによって、図2に示されるような回路が実現される。 Since FIG. 3 is a top view of a semiconductor substrate, all connections shown in the circuit diagram of FIG. 2 are not drawn. However, a wiring layer is laminated on each of the above-mentioned transistors arranged on the substrate, and a circuit as shown in FIG. 2 is realized by the wiring pattern, contact plugs, and the like.
図4は、図3に示されるA―A’間の断面図である。本実施形態において、駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204は、それぞれPMOSトランジスタによって構成されているとして以下、説明を行う。しかしながら、これに限られることはなく、それぞれのトランジスタの導電型に応じて、以下の構成は、適宜、調整されればよい。
FIG. 4 is a sectional view taken along line A-A' shown in FIG. In the present embodiment, the following description will be given assuming that the
本実施形態において、単結晶のP型のシリコンの基板401の上面側に、N型のウェル層402が配される。ウェル層402には、上述の駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204が配される。ウェル層402は、電源電位Vddに電気的に接続される。ドレイン領域または拡散領域として機能する拡散領域を共有しないトランジスタ間は、絶縁分離構造403によって電気的に分離される。図4に示される構成において、絶縁分離構造403としてSTI構造が示されているが、これに限られることはなく、適当な構造によって電気的に分離されればよい。本実施形態において、絶縁分離構造403として用いられるSTI構造は、酸化シリコンによって形成され、N型のウェル層402の表面から深さ方向に例えば0.2μmから1.0μmの範囲で形成することができる。駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204は、ウェル層402の表面上に形成された薄い絶縁膜上にポリシリコンのゲート電極311、309、316、313をそれぞれ備える。駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204に配される拡散領域310、312、308、315、317、314は、P型の拡散領域であり、上述の配線層に配された配線パターンとはコンタクトプラグなどを用いて、適宜、電気的に接続されている。
In this embodiment, an N-
図4に示される構成において、駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204は、それぞれLDD構造(領域406)を備えている。換言すると、駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204は、ゲート電極のサイドウォール下部からソース領域またはドレイン領域の側に延在したいわゆるオフセット構造を有している。つまり、駆動トランジスタ201の拡散領域310、312は、領域410、412と、領域410、412と駆動トランジスタ201のチャネル領域との間に配された領域410、412よりも不純物濃度が低い領域406と、を含む。発光制御トランジスタ202の拡散領域308は、領域408と、領域408と発光制御トランジスタ202のチャネル領域との間に配された領域408よりも不純物濃度が低い領域406と、を含む。書込みトランジスタ203の拡散領域315、317は、領域415、417と、領域415、417と書込みトランジスタ203のチャネル領域との間に配された領域415、417よりも不純物濃度が低い領域406と、を含む。リセットトランジスタ204の拡散領域314は、領域414と、領域414とリセットトランジスタ204のチャネル領域との間に配された領域414よりも不純物濃度が低い領域406と、を含む。しかしながら、これに限られることはなく、駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204のうち一部のトランジスタがLDD構造を有していてもよい。また、駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204がLDD構造を有していなくてもよい。
In the configuration shown in FIG. 4, the
本実施形態における発光装置101は、以下のように駆動される。走査線106aを介した走査信号は、配線パターンを介して発光制御トランジスタ202のゲート電極309を制御する。発光制御トランジスタ202がON状態のとき、駆動トランジスタ201のソース領域として機能する拡散領域310に電源電位Vddが印加される。走査線106bを介した走査信号は、配線パターンを介して書込みトランジスタ203のゲート電極316を制御する。書込みトランジスタ203がON状態のとき、書込みトランジスタ203のドレイン領域として機能する拡散領域315と駆動トランジスタ201のゲート電極311に信号線107を介した信号電位が印加される。書込みトランジスタ203は、駆動トランジスタ201とはSTI構造で絶縁されているため、書込みトランジスタ203のドレイン領域として機能する拡散領域315と駆動トランジスタ201のゲート電極311とは、上述の導電パターン318を介して接続されている。駆動トランジスタ201のゲート電極311の電位によって駆動トランジスタ201のドレイン領域として機能する拡散領域312への電流、つまり、発光素子200のアノードに流れる電流が制御され、発光素子200の発光輝度が決まる。走査線106cを介した走査信号は、配線パターンを介してリセットトランジスタ204のゲート電極313を制御する。リセットトランジスタ204がON状態のとき、リセットトランジスタのソース領域として機能する拡散領域312に導通しているアノードが電源電圧Vssになる。発光素子200のカソードには、すべての画素103において同じ電源電位Vssが供給されている。したがって、リセットトランジスタ204がON状態のとき、発光素子200のアノードとカソードとの間の電位差が小さくなり、発光が停止する。
The
ここで、トランジスタの小型化などによって、駆動トランジスタ201のOFF状態(非導通状態)のとき、駆動トランジスタ201の拡散領域312の電位とN型のウェル層402の電位との電位差による電界に起因するオフリーク電流が増加してしまう可能性がある。また、駆動トランジスタ201の拡散領域310と拡散領域312との間のオフリーク電流が増加してしまう可能性がある。これらのような場合、駆動トランジスタ201がOFF状態であるにもかかわらず、発光素子200に電流が流れ、発光素子200が発光してしまいコントラストが低下してしまう可能性がある。
Here, due to miniaturization of transistors, when the
そこで、本実施形態において、図4に示されるように、画素103に配されるトランジスタによって、拡散領域に配されるシリサイドを構成する金属を異ならせている。より具体的には、画素103に配される複数のトランジスタは、発光素子200に接続されたソース領域またはドレイン領域を有する第1トランジスタと、発光素子200に接続されていないソース領域およびドレイン領域を有する第2トランジスタと、を含んでいる。本実施形態において、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204が、第1トランジスタに該当する。また、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203が、第2トランジスタに該当する。駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204のソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域310、312、314に、シリサイド404が配されている。発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203のソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域308、315、317に、シリサイド405が配されている。シリサイド405は、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203のソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域308、315、317のうち、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204と共有しない拡散領域に配されうる。また、駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204のそれぞれゲート電極311、309、313、316には、シリサイド405が配されている。シリサイド404、405は、シリサイドプロテクション407が存在しないゲート電極、ドレイン領域、および、ソース領域に形成されている。シリサイドプロテクション407として、例えば、シリコン酸化膜が用いられる。本実施形態において、発光制御トランジスタ202と発光素子200との間に駆動トランジスタ201が配されているが、例えば、駆動トランジスタ201と発光素子200との間に発光制御トランジスタ202が配される場合がある。その場合、発光制御トランジスタ202のソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域にシリサイド404が配される。また、駆動トランジスタ201のソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域のうち発光制御トランジスタ202と共有しない拡散領域にシリサイド405が配される。
Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 4, the metal constituting the silicide disposed in the diffusion region is made different depending on the transistor disposed in the
ここで、シリサイド404に含まれる金属のシリコンへの拡散係数が、シリサイド405に含まれる金属のシリコンへの拡散係数よりも小さくなるように、シリサイド404、405の材料が選択される。例えば、シリサイド404が、チタン(Ti)を含み、シリサイド405が、コバルト(Co)またはニッケル(Ni)を含んでいてもよい。したがって、シリサイド404が、チタンシリサイドであってもよく、シリサイド405が、コバルトシリサイドまたはニッケルシリサイドであってもよい。
Here, the materials of the
本実施形態において、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204のソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域310、312、314には、シリサイド404が配され、シリサイド405は配されていない。拡散領域310、312、314にシリサイド405が存在する場合、シリサイド405を構成する金属は拡散係数が、シリサイド404を構成する金属よりも大きいため、金属原子がN型のウェル層402とP型の拡散領域310、312、314の空乏層近傍にまでより容易に到達しうる。また、図示されていないが、拡散領域310、312、314と絶縁分離構造403との境界でも金属原子が拡散しシリサイドの成長が加速しうる。これらの要因によって、オフリーク電流が増加して発光素子200が発光してしまい、発光装置101のコントラストの低下を招く可能性がある。
In this embodiment, the
それに対して、本実施形態では、シリサイド404に拡散係数が小さい金属を用いることによって、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204の拡散領域310、312、314中へのシリサイド404からの金属の拡散が抑えられる。その結果、駆動トランジスタ201の拡散領域312とウェル層402との空乏層中へ混入する金属が減少し、金属の準位を介したオフリーク電流を抑えることができる。
In contrast, in this embodiment, by using a metal with a small diffusion coefficient for the
また、本実施形態において、拡散領域310、312、314を覆うようにシリサイドプロテクション407として絶縁膜が配され、シリサイドプロテクション407には、シリサイド404を露出させる開口部が設けられており、開口部に、シリサイド404に接する導電パターン420が配されている。この構造は、拡散領域310、312、314上にシリサイドプロテクション407を形成後、開口部を設け、接続配線パターンのバリアメタルとして用いられるTiをアニールすることでシリサイド404を形成できる。つまり、基板のうち画素103が配された面に対する正射影において、シリサイド404が、導電パターン420のうちシリサイドプロテクション407に設けられた開口部に配された部分に重なるように配される。換言すると、シリサイド404は、導電パターン420のほぼ底部にのみ形成される。そのため、シリサイド404とLDD構造を形成するための領域406とは、互いに接していない。一方、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203の拡散領域308、315、317には、シリサイド405を介して導電パターン420が接続されている。このシリサイド405は、図4に示されるように、導電パターン420の底部だけでなく、拡散領域308、315、317の広い範囲に形成されている。そのため、基板のうち画素103が配された面に対する正射影において、シリサイド404が配された面積を導電パターン420とシリサイド404とが接する部分の面積で除した値が、シリサイド405が配された面積を導電パターン420とシリサイド405とが接する部分の面積で除した値よりも小さくなっている。また、シリサイド405とLDD構造を形成するための領域406とは、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203においても、互いに接していなくてもよい。
Further, in this embodiment, an insulating film is disposed as a
このような構成によって、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204の拡散領域310、312、314において、導電パターン420の底部に配されたシリサイド404からのLDD構造の領域406への金属拡散が抑えられる。それによって、領域406近傍に形成される空乏層中へ混入する金属が減少し、ソース領域とドレイン領域との間のオフリーク電流も減少しうる。また、この効果によって、シリサイド404と領域406との距離を短くすることもできる。すなわち、コントラスト低下を抑制しつつ、より微細で高精細な画素103を得ることもできる。
With this configuration, in the
また、本実施形態の構成において、発光素子200へのオフリーク電流の流入に寄与しない発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203の拡散領域308、315、317にシリサイド405を配する。シリサイド405に用いられるコバルトシリサイドやニッケルシリサイドは、シリサイド404に用いられるチタンシリサイドと比較して、安定して低抵抗に形成することができる。また、上述のように、拡散領域308、315、317の広い領域にもシリサイド405を配することによって、電流が流れるソース領域、ドレイン領域の横方向の抵抗を抑えることができる。換言すると、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203の拡散領域308、315、317のシート抵抗値を抑制することができる。
Furthermore, in the configuration of this embodiment,
ここで、拡散領域308、315、317にシリサイド405が配される発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203において、図5に示されるように、シリサイドプロテクション407が配されていなくてもよい。例えば、図2に示されるような、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203が配される領域109において、シリサイドプロテクション407が設けられていなくてもよい。シリサイドプロテクション407は、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204の拡散領域310、312、314およびゲート電極311、313に対応する開口部よりも広い開口部を、領域109に対応するように備えていてもよい。図5に示される構成において、シリサイド405とLDD構造を形成するための領域406とは、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203において、互いに接していてもよい。
Here, in the light
また、垂直走査回路104、信号出力回路105を含む駆動部においても、図6に示されるように、シリサイドプロテクション407が配されず、ゲート電極453および拡散領域452の表面の全体にシリサイド405が配されていてもよい。例えば、図1に示されるような、垂直走査回路104および信号出力回路105が配される領域108において、シリサイドプロテクション407が設けられていなくてもよい。図6には、ゲート電極453および拡散領域452をそれぞれ備えるPMOSトランジスタ451が示されている。しかしながら、これに限られることはなく、垂直走査回路104、信号出力回路105には、NMOSトランジスタも同様に配され、例えば、PMOSトランジスタとCMOS回路を構成していてもよい。NMOSトランジスタに対しても、図6に示されるように、シリサイド405がゲート電極および拡散領域の露出する表面の全体を覆うように配されていてもよい。上述のように、シリサイド405に用いられるコバルトシリサイドやニッケルシリサイドは、安定して低抵抗に形成することができる。また、拡散領域452の広い領域にシリサイド405を配することによって、電流が流れるソース領域、ドレイン領域の横方向の抵抗を抑えることができる。それによって、垂直走査回路104、信号出力回路105を含む駆動部に配されたトランジスタ451のシート抵抗値などを抑制し、トランジスタ451の電流駆動能力を向上させることができる。
Furthermore, in the driving section including the
このように、シリサイド404、405に用いられる金属を変更することによって、ソース領域またはドレイン領域が発光素子200に接続される駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204のオフリーク電流を抑制しつつ、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203の駆動能力は高く保つ。これによって、画素103の応答速度を保ちつつコントラストの低下を抑制することができる。つまり、応答速度に優れ、かつ、画質の低下が抑制された発光装置101を得ることが可能になる。
In this way, by changing the metal used for the
次いで、図7を用いて、発光装置101の構成の変形例について説明する。図7は、図3に示されるA―A’間の断面図である。図4に示される断面図と比較して、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204の拡散領域310、312、314が、領域410、412、414と、領域412とシリサイド404との間に配された領域501と、を含む。P型の領域410、412、414の不純物濃度は、P型の領域501の不純物濃度よりも低い。これ以外の構成は、上述の図4に示される構成と同様であってもよいため、同様の構成については説明を省略する。
Next, a modification of the configuration of the
図7に示される構成において、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203の拡散領域308、315、317には、不純物濃度が領域408、415、417よりも高いP型の領域501は配されていない。しかしながら、これに限られることはなく、領域408、415、417とシリサイド405との間に、領域501が配されていてもよい。また、同様に、ゲート電極309、311、313、316においても、領域501に相当する領域が配されていてもよい。また、本実施形態では、上述のようにP型トランジスタを用いて説明しているが、駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204にN型トランジスタが用いられてもよい。その場合、領域501は、N型になる。
In the configuration shown in FIG. 7, the P-
本実施形態において、領域410、412、414の不純物濃度は、拡散領域308、315、317の領域408、415、417の不純物濃度よりも低くなるように形成される。これによって、拡散領域310、312、314において、領域410、412、414とN型のウェル層402との間に発生する空乏層中の電界強度が緩和され、オフリーク電流を抑制することができる。また、このとき、領域406の不純物濃度は、領域410、412、414の不純物濃度よりも低くてもよい。さらに、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204に配される領域406の不純物濃度が、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203に配される領域406の不純物濃度より低くしてもよい。それによって、さらに、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204におけるオフリーク電流を低減することができる。
In this embodiment, the impurity concentrations of the
駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204の拡散領域310、312、314の領域410、412、414の不純物濃度を低くした場合、シリサイド404とシリコンとの仕事関数差が大きくなる。結果として、シリサイド404と拡散領域310、312、314(領域410、412、414)との間の接触抵抗が大きくなってしまう。そこで、シリサイド404と接する領域501が、1×1018atoms/cm3以上の高濃度のP型の不純物層になるように、選択的に不純物の注入を行う。それによって、拡散領域310、312、314とシリサイド404との間の接触抵抗を抑制することができる。領域501は、シリサイド404と接する部分に選択的に形成される。そのため、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204のゲート電極311、313近傍の拡散領域310、312(領域410、412)の不純物濃度の上昇を抑えられる。それによって、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204のソース領域とドレイン領域との間のオフリーク電流を抑えることができる。
When the impurity concentration of the
図7に示される構成において、図4に示される構成よりも発光素子200のアノードへ流れるオフリーク電流をさらに減少させることができる。それによって、発光装置101のコントラスト低下を抑制しつつ、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204において、低いコンタクト抵抗を得ることができる。つまり、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204の駆動能力を向上させることができる。結果として、さらに応答速度に優れ、かつ、画質の低下が抑制された発光装置101を得ることが可能になる。
In the configuration shown in FIG. 7, the off-leakage current flowing to the anode of the
次に、図8、図9を用いて、図3、図4に示される発光装置101の変形例について説明する。図8は、発光装置101が備える画素103の構成例を示す回路図である。図9は、図8のB-B’間の断面図である。
Next, a modification of the
本実施形態において、駆動トランジスタ201と発光制御トランジスタ202とが、STI構造を用いた絶縁分離構造403によって分離されている。それによって、ドレイン領域を駆動トランジスタ201のソース領域と共有していた発光制御トランジスタ202に、ドレイン領域として機能する独立した拡散領域321が配される。ソース領域またはドレイン領域が発光素子200に接続されない発光制御トランジスタ202の拡散領域321には、シリサイド405が配されている。図8、図9に示されるように、電気的に接続されている駆動トランジスタ201の拡散領域310と発光制御トランジスタ202の拡散領域321との間に、絶縁分離構造403が配されている。そのため、図8に示されるように、駆動トランジスタ201の拡散領域310と発光制御トランジスタ202の拡散領域321とは、導電パターン319によって接続される。これ以外の構成は、上述の図3、図4に示される構成と同様であってもよいため、同様の構成については説明を省略する。
In this embodiment, the
図9の断面図に示されるように、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204と、発光制御トランジスタ202と、が絶縁分離構造403によって電気的に分離される。また、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204と、リセットトランジスタ204と、が絶縁分離構造403によって電気的に分離される。つまり、発光素子200を動作させる画素103に配された複数のトランジスタのうち、シリサイド404が配されるトランジスタと、シリサイド405が配されるトランジスタと、がSTI構造によって分離されている。それによって、シリサイド405に用いられる金属の駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204の拡散領域310、312、314への拡散がさらに抑制され、P型の拡散領域310、312、314とN型のウェル層402との間の空乏層中のシリサイド405を構成する金属の拡散が減少し、オフリーク電流を低減できる。図8、図9に示される構成によって、図3、図4に示される構成よりも、駆動トランジスタ201の拡散領域312から発光素子200のアノードへ流れるオフリーク電流を減少させることができる。結果として、発光装置101のコントラスト低下による画質の低下を抑制することができる。
As shown in the cross-sectional view of FIG. 9, the
次いで、図10を用いて、発光装置101の構成の変形例について説明する。図10は、図3に示されるA―A’間の断面図である。図4に示される構成では、駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204のゲート電極311、309、316、313に、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203の拡散領域310、312、314と同じシリサイド405が配されている。一方、図10に示される構成では、ゲート電極311、309、316、313に、拡散領域310、312、314に配されるシリサイド405とは含まれる金属が互いに異なるシリサイド801が配されている。これ以外の構成は、上述の図4に示される構成と同様であってもよいため、同様の構成については説明を省略する。
Next, a modification of the configuration of the
シリサイド404に含まれる金属のシリコンへの拡散係数は、シリサイド405およびシリサイド801に含まれる金属のシリコンへの拡散係数よりも小さい。上述のように、シリサイド404は、チタンを含んでいてもよい。一方、シリサイド405がコバルトを含み、シリサイド801がニッケルを含んでいてもよい。つまり、シリサイド404は、チタンシリサイドであってもよく、シリサイド405がコバルトシリサイドであってもよく、シリサイド801がニッケルシリサイドであってもよい。
The diffusion coefficient of metal contained in
ニッケルシリサイドは、コバルトシリサイドよりも安定して低抵抗な細線パターンを得ることができる。そのため、駆動トランジスタ201、発光制御トランジスタ202、書込みトランジスタ203、リセットトランジスタ204のゲート電極311、309、316、313に配されるシリサイド801としてニッケルシリサイドを用いる。それによって、ゲート電極311、309、316、313のシート抵抗値が減少し、それぞれのトランジスタの駆動能力が向上する。結果として、より高速で動作可能な発光装置101を実現することができる。また、図10に示される構成は、シリサイド404、405を用いることによって、図4に示される構成と同様に、オフリーク電流を低減することができる。結果として、応答速度に優れ、かつ、画質の低下が抑制された発光装置101を得ることが可能になる。
Nickel silicide can provide a fine line pattern with more stability and lower resistance than cobalt silicide. Therefore, nickel silicide is used as the
上述の各構成では、シリサイド404、405、801に用いられる金属としてチタン、コバルト、ニッケルを例に説明したが、これに限られることはない。例えば、上述のシリコンに対する拡散係数を考慮しつつ、白金やパラジウムなど他の金属が、シリサイド404、405、801に用いられてもよい。
In each of the above configurations, titanium, cobalt, and nickel are used as examples of the metals used for the
また、図7に示される構成、図8および図9に示される構成、図10に示される構成は、それぞれ、適宜、組み合わせて用いられてもよい。例えば、図8および図9に示される構成や、図10に示される構成に、領域501が追加されていてもよい。また、例えば、図7に示される構成や、図8および図9に示される構成において、ゲート電極311、309、316、313に、図10に示されるシリサイド801が配されていてもよい。
Further, the configuration shown in FIG. 7, the configuration shown in FIGS. 8 and 9, and the configuration shown in FIG. 10 may be used in appropriate combinations. For example, the
次いで、図11(a)~図14(b)を参照しながら、上述の発光装置101の製造方法を例示的に説明する。ここでは、ソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域に上述のシリサイド404が配されるトランジスタとして駆動トランジスタ201が例示されている。また、ソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域に上述のシリサイド405が配されるトランジスタとして発光制御トランジスタ202が例示されている。しかしながら、これに限られることはなく、上述の各トランジスタも同様に形成されうる。
Next, a method for manufacturing the above-mentioned
まず、基板401のウェル層402にSTI構造を用いた絶縁分離構造403が形成される。次いで、フォトレジストなどを用いて所定の領域を保護した状態で、例えば、多段階のイオン注入を行うことによって、拡散領域310、312の領域410、412、拡散領域308、321の領域408、421が形成される。その後、ゲート絶縁膜やゲート電極311、309を形成する。さらに、N型、P型のライドドープやHALOのイオン注入などを実施し、LDD構造を形成するための領域406が形成される。イオン注入の後にアニールを行って、それぞれの領域が活性化される。また、ゲート電極311、309の側壁にサイドウォール605が形成された状態が、図11(a)に示されている。
First, an insulating
次いで、図11(b)に示されるように、シリサイドプロテクション407が形成される。シリサイドプロテクション407の形成は、まず、酸化シリコンや窒化シリコンなどを用いた絶縁膜を、図11(a)に示される構造体の上に成膜する。酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁膜は、減圧CVD法などを用いて成膜されうる。次いで、シリサイド405を形成する領域が露出するように、フォトリソグラフィ工程を用いて所定の位置にフォトレジストを形成し、フォトレジストに覆われていない絶縁膜がエッチングされる。このとき、発光素子200に接続される駆動トランジスタ201のソース領域およびドレイン領域となる拡散領域310、312(領域410、412)は開口させないことで、拡散領域310、312(領域410、412)にシリサイド405が形成されることが防止される。
Next, as shown in FIG. 11(b),
次に、シリサイド405を構成する金属を、スパッタ法などを用いて成膜する。例えば、このとき、コバルトが成膜される。コバルトの成膜後、例えば、400℃~600℃程度の熱処理を行い、次いで、未反応のコバルトをエッチングする。その後、例えば、600℃~900℃の追加の熱処理を行うことで、コバルトシリサイドを用いたシリサイド405が形成される。このときの断面図が、図11(c)に示されている。
Next, a metal forming the
次いで、図12(a)に示されるように絶縁膜608が成膜される。絶縁膜608の成膜には、減圧CVD法やHDP-CVD法が用いられてもよい。シリサイドプロテクション407と絶縁膜608とには、同じ材料が用いられてもよいし、互いに、異なる材料が用いられてもよい。また、シリサイドプロテクション407と絶縁膜608とは、単層膜であってもよいし、互いに異なる材料を用いた絶縁層が積層された積層膜であってもよい。また、さらに、シリサイドプロテクション407と絶縁膜608との間に、追加の絶縁膜が配されていてもよい。例えば、図11(a)に示されるように、酸化シリコンを用いたシリサイドプロテクション407の形成後にシリサイド405を形成し、シリサイドプロテクション407およびシリサイド405の上に追加の絶縁膜409として窒化シリコンを成膜する。さらに、図11(b)に示されるように、絶縁膜409の上に、絶縁膜618として酸化シリコンが配されていてもよい。この場合、絶縁膜608は、窒化シリコンを用いた絶縁膜409と酸化シリコンを用いた絶縁膜618との積層膜であるともいえる。
Next, an insulating
絶縁膜608の形成後、図12(b)に示される様に、拡散領域310、312、308、321(領域410、412、408、421)と上述の配線層に配された配線パターンとを接続するためのコンタクトプラグ(導電パターン420)を配するためのホール609が形成される。ホール609は、フォトリソグラフィ工程を用いて所定の位置にフォトレジストを形成し、フォトレジストに覆われていない絶縁膜608を、例えば、ドライエッチングすることによって形成されうる。
After forming the insulating
ホール609の形成技、図12(c)に示されるように、バリアメタル610としてチタンを成膜する。バリアメタル610の成膜は、スパッタ法やCVD法を用いて行うことができる。バリアメタル610の成膜に続いて、熱処理が実施される。この熱処理によって、図14(a)に示されるように、拡散領域310、312(領域410、412)のホール609の底部にシリサイド404(チタンシリサイド)が形成される。一方、このとき、既にシリサイド405が形成されている拡散領域308、321(領域408、421)のホール609の底ではチタンシリサイドは形成されない。
The technique for forming the
次いで、図14(b)に示されるように、例えば、タングステンなどの導電部材612を用いてホール609が埋め込まれ、上述の導電パターン420が形成される。その後、例えば、多層の配線層などが形成され、発光装置101が形成される。
Next, as shown in FIG. 14(b), the
上述の工程では、シリサイド405がコバルトを用いて形成されることを説明したが、上述のようにニッケルが用いられてもよい。この場合、図11(c)を用いて説明した工程において、コバルトに代わってニッケルが成膜される。また、上述したように、シリサイド404、405に用いられる金属は、チタン、コバルト、ニッケルに限られることはなく、シリコンに対する拡散係数を考慮しつつ、他の金属が、シリサイド404、405、に用いられてもよい。
In the above process, it has been explained that the
以上の工程により製造された発光装置101では、発光素子200に接続されるトランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域に、発光素子200に接続されないトランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域と比較して、拡散係数の低いメタルを用いたシリサイド404が形成される。それによって、オフリーク電流が低減され、コントラストの低下が抑制される。結果として、より高画質な発光装置101を得ることができる。
In the
発光装置101は、上述の製造方法や工程順序で必ずしも形成する必要はなく、様々な工程の入替、変更などが可能である。上述の工程は、本発明を適用しうるいくつかの態様を例示したものに過ぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜修正や変形を行うことを妨げるものではない。
The
ここで、発光装置101の各構成要素の配置例について説明する。発光装置101は、複数の画素103が配された画素アレイ102と、垂直走査回路104や信号出力回路105など発光素子200を駆動するための駆動部と、が1つの基板に配されていてもよい。例えば、発光装置101は、1つの基板にすべての構成要素が配されていてもよい。しかしながら、発光装置101の構成は、これに限られることはない。例えば、発光装置101は、画素103のうち少なくとも発光素子200が配された基板と、垂直走査回路104や信号出力回路105など発光素子を駆動するための駆動部が配された基板と、が積層された構成を備えていてもよい。
Here, an example of arrangement of each component of the
図15には、発光装置101の画素103の回路構成例が示されている。図15は、発光装置101が、複数の基板511、521を含み構成されている場合の画素103の構成例である。基板511には、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204が配されている。基板521には、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203が配されている。垂直走査回路104や信号出力回路105などの駆動部は、例えば、基板521に配されていてもよい。また、例えば、垂直走査回路104や信号出力回路105などの駆動部は、基板511、521とはさらに別の基板に配されていてもよい。
FIG. 15 shows an example of the circuit configuration of the
基板511に配される駆動トランジスタ201と、基板521に配される書込みトランジスタ203と、の電流経路には、接合部518aが配されている。基板511に配される駆動トランジスタ201と、基板521に配される発光制御トランジスタ202と、の電流経路には、接合部518bが配されている。基板511に配された駆動トランジスタ201のゲート電極は、導電性経路(例えば、配線パターンやプラグなど)を介して接合パッド513aに電気的に接続されている。基板521に配された書込みトランジスタ203のドレイン領域として機能する拡散領域は、導電性経路(例えば、配線パターンやプラグなど)を介して接合パッド523aに電気的に接続されている。接合パッド513aと接合パッド523aとは、相互に接合され、接合部518aを構成する。基板511に配された駆動トランジスタ201のソース領域として機能する拡散領域は、導電性経路(例えば、配線パターンやプラグなど)を介して接合パッド513bに電気的に接続されている。基板521に配された発光制御トランジスタ202のドレイン領域として機能する拡散領域は、導電性経路(例えば、配線パターンやプラグなど)を介して接合パッド523bに電気的に接続されている。接合パッド513bと接合パッド523bとは、相互に接合され、接合部518bを構成する。
A
接合パッド513、523は、それぞれ銅(Cu)によって構成されていてもよい。その場合、接合部518は、Cu-Cu接合とすることができる。しかしながら、基板511と基板521との接合の方法は、Cu-Cu接合に限られることはない。基板511と基板521との間で信号などの授受が可能であれば、適当な方法で基板511と基板521との接合が行われればよい。
Bonding pads 513 and 523 may each be made of copper (Cu). In that case, the joint portion 518 can be a Cu--Cu joint. However, the method of bonding the
図15に示される構成において、基板511に配される駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204のソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域には、シリサイド404が配される。また、駆動トランジスタ201およびリセットトランジスタ204のゲート電極には、シリサイド405が配されうる。一方で、基板521に配される発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203を形成する際に、上述のシリサイドプロテクション407が形成されず、発光制御トランジスタ202および書込みトランジスタ203のゲート電極やソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域には、シリサイド405のみが配されていてもよい。また、基板521に上述のように、垂直走査回路104や信号出力回路105などの駆動部が配される場合、駆動部に配されるトランジスタのゲート電極やソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域には、シリサイド405のみが配されていてもよい。その場合、駆動部のトランジスタの形成に際して、シリサイドプロテクション407が形成されなくてもよい。
In the configuration shown in FIG. 15,
基板511では、トランジスタを形成する際に、2種類のシリサイド404、405を形成する必要が生じうる。一方で、基板521上に配されるトランジスタに対して、シリサイドは、1種類(例えば、シリサイド405)だけ形成すればよい。したがって、基板521に回路を形成する際のプロセスの生産性が向上しうる。また、例えば、基板511では、トランジスタを形成する際にゲート電極を含めシリサイド404を形成し、基板521では、トランジスタを形成する際にシリサイド405を形成してもよい。それによって、それぞれの基板511、521において、シリサイド形成プロセスが統一され、生産性を向上させることが可能になる。このように、発光装置101の各構成要素は、トランジスタに配されるシリサイド404、405の種類に応じて、互いに異なる基板511、521に配されていてもよい。これ以外の構成は、例えば、上述の図4に示される構成と同様であってもよいため、同様の構成については説明を省略する。
In the
また、上述において、発光素子200として有機EL素子を挙げたが、これに限られることはない。発光素子200は、無機EL素子、LED素子、半導体レーザ素子など、素子を流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子(発光素子)を用いた発光装置全般に対して適用することが可能である。
Further, in the above description, an organic EL element is used as the
ここで、本実施形態の発光装置101を表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、ウェアラブルデバイスに適用した応用例について図16~図22(a)、22(b)を用いて説明する。
Here, application examples in which the
図16は、本実施形態の発光装置101を用いた表示装置の一例を表す模式図である。表示装置1000は、上部カバー1001と、下部カバー1009と、の間に、タッチパネル1003、表示パネル1005、フレーム1006、回路基板1007、バッテリー1008を有していてもよい。タッチパネル1003および表示パネル1005は、フレキシブルプリント回路FPC1002、1004が接続されている。回路基板1007には、トランジスタなどの能動素子が配される。バッテリー1008は、表示装置1000が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、この位置に設ける必要はない。表示パネル1005に、本実施形態の発光装置101が適用できる。表示パネル1005として機能する発光装置101の表示領域は、回路基板1007に配されたトランジスタなどの能動素子と接続され動作する。
FIG. 16 is a schematic diagram showing an example of a display device using the
図16に示される表示装置1000は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光し電気信号に光電変換する撮像素子とを有する光電変換装置(撮像装置)の表示部に用いられてもよい。光電変換装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してもよい。また、表示部は、光電変換装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。光電変換装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってもよい。
A
図17は、本実施形態の発光装置101を用いた光電変換装置の一例を表す模式図である。光電変換装置1100は、ビューファインダ1101、背面ディスプレイ1102、操作部1103、筐体1104を有してよい。光電変換装置1100は、撮像装置とも呼ばれうる。表示部であるビューファインダ1101や背面ディスプレイ1102に、本実施形態の発光装置101が適用できる。この場合、発光装置101は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示などを表示してもよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性などであってよい。
FIG. 17 is a schematic diagram showing an example of a photoelectric conversion device using the
撮像に適するタイミングはわずかな時間である場合が多いため、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、有機EL素子などの有機発光材料を発光層に含む発光装置101がビューファインダ1101や背面ディスプレイ1102に用いられてもよい。有機発光材料は応答速度が速いためである。有機発光材料を用いた発光装置101は、表示速度が求められる、これらの装置に、液晶表示装置よりも適している。
Since the timing suitable for imaging is often only a short time, it is better to display information as early as possible. Therefore, the
光電変換装置1100は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、光学部を通過した光を受光する筐体1104内に収容されている光電変換素子(不図示)に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。
発光装置101は、電子機器の表示部に適用されてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。
The
図18は、本実施形態の発光装置101を用いた電子機器の一例を表す模式図である。電子機器1200は、表示部1201と、操作部1202と、筐体1203を有する。筐体1203には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部を有してよい。操作部1202は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部1202は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する携帯機器は通信機器ということもできる。表示部1201に、本実施形態の発光装置101が適用できる。
FIG. 18 is a schematic diagram showing an example of an electronic device using the
図19(a)、19(b)は、本実施形態の発光装置101を用いた表示装置の一例を表す模式図である。図19(a)は、テレビモニタやPCモニタなどの表示装置である。表示装置1300は、額縁1301を有し表示部1302を有する。表示部1302に、本実施形態の発光装置101が適用できる。表示装置1300は、額縁1301と表示部1302とを支える土台1303を有していてもよい。土台1303は、図19(a)の形態に限られない。例えば、額縁1301の下辺が土台1303を兼ねていてもよい。また、額縁1301および表示部1302は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、5000mm以上6000mm以下であってよい。
19(a) and 19(b) are schematic diagrams showing an example of a display device using the
図19(b)は、本実施形態の発光装置101を用いた表示装置の他の一例を表す模式図である。図19(b)の表示装置1310は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置1310は、第1表示部1311、第2表示部1312、筐体1313、屈曲点1314を有する。第1表示部1311と第2表示部1312とに、本実施形態の発光装置101が適用できる。第1表示部1311と第2表示部1312とは、つなぎ目のない1枚の表示装置であってよい。第1表示部1311と第2表示部1312とは、屈曲点で分けることができる。第1表示部1311と第2表示部1312とは、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第1表示部と第2表示部とで1つの画像を表示してもよい。
FIG. 19(b) is a schematic diagram showing another example of a display device using the
図20は、本実施形態の発光装置101を用いた照明装置の一例を表す模式図である。照明装置1400は、筐体1401と、光源1402と、回路基板1403と、光学フィルム1404と、光拡散部1405と、を有していてもよい。光源1402に、本実施形態の発光装置101が適用できる。光学フィルム1404は光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部1405は、ライトアップなど、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。照明装置1400は、光学フィルム1404と光拡散部1405との両方を有していてもよいし、何れか一方のみを有していてもよい。
FIG. 20 is a schematic diagram showing an example of a lighting device using the
照明装置1400は例えば室内を照明する装置である。照明装置1400は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置1400は、光源1402として機能する発光装置101に接続される電源回路を有していてもよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が4200Kで昼白色とは色温度が5000Kである。また、照明装置1400は、カラーフィルタを有してもよい。また、照明装置1400は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコンなどが挙げられる。
The
図21は、本実施形態の発光装置101を用いた車両用の灯具の一例であるテールランプを有する自動車の模式図である。自動車1500は、テールランプ1501を有し、ブレーキ操作などを行った際に、テールランプ1501を点灯する形態であってもよい。本実施形態の発光装置101は、車両用の灯具としてヘッドランプに用いられてもよい。自動車は移動体の一例であり、移動体は船舶やドローン、航空機、鉄道車両、産業用ロボットなどであってもよい。移動体は、機体とそれに設けられた灯具を有してよい。灯具は機体の現在位置を知らせるものであってもよい。
FIG. 21 is a schematic diagram of an automobile having a tail lamp, which is an example of a vehicular lamp using the
テールランプ1501に、本実施形態の発光装置101が適用できる。テールランプ1501は、テールランプ1501として機能する発光装置101を保護する保護部材を有してよい。保護部材は、ある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネートなどで構成されてもよい。また、保護部材は、ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体などを混ぜてよい。
The
自動車1500は、車体1503、それに取り付けられている窓1502を有してもよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓であってもよいし、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイに、本実施形態の発光装置101が用いられてもよい。この場合、発光装置101が有する電極などの構成材料は透明な部材で構成される。
The
図22(a)、22(b)を参照して、本実施形態の発光装置101のさらなる適用例について説明する。発光装置101は、例えば、スマートグラス、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な発光装置とを有する。
A further application example of the
図22(a)は、1つの適用例に係る眼鏡1600(スマートグラス)を説明する。眼鏡1600のレンズ1601の表面側に、CMOSセンサやSPADのような撮像装置1602が設けられている。また、レンズ1601の裏面側には、本実施形態の発光装置101が設けられている。
FIG. 22(a) illustrates glasses 1600 (smart glasses) according to one application example. An
眼鏡1600は、制御装置1603をさらに備える。制御装置1603は、撮像装置1602と各実施形態に係る発光装置101に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置1603は、撮像装置1602と発光装置101の動作を制御する。レンズ1601には、撮像装置1602に光を集光するための光学系が形成されている。
図22(b)は、1つの適用例に係る眼鏡1610(スマートグラス)を説明する。眼鏡1610は、制御装置1612を有しており、制御装置1612に、撮像装置1602に相当する撮像装置と、発光装置101が搭載される。レンズ1611には、制御装置1612内の撮像装置と、発光装置101からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ1611には画像が投影される。制御装置1612は、撮像装置および発光装置101に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および発光装置101の動作を制御する。制御装置1612は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。
FIG. 22(b) illustrates glasses 1610 (smart glasses) according to one application example. The
赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。 The user's line of sight with respect to the displayed image is detected from the captured image of the eyeball obtained by infrared light imaging. Any known method can be applied to line of sight detection using a captured image of the eyeball. As an example, a line of sight detection method based on a Purkinje image by reflection of irradiated light on the cornea can be used.
より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き(回転角度)を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。 More specifically, line of sight detection processing is performed based on the pupillary corneal reflex method. Using the pupillary corneal reflex method, the user's line of sight is detected by calculating a line of sight vector representing the direction (rotation angle) of the eyeball based on the pupil image and Purkinje image included in the captured image of the eyeball. Ru.
本発明の一実施形態に係る発光装置101は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザーの視線情報に基づいて表示画像を制御してよい。
The
具体的には、発光装置101は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第1視界領域と、第1視界領域以外の第2視界領域とを決定する。第1視界領域、第2視界領域は、発光装置101の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。発光装置101の表示領域において、第1視界領域の表示解像度を第2視界領域の表示解像度よりも高く制御してもよい。つまり、第2視界領域の解像度を第1視界領域よりも低くしてよい。
Specifically, the
また、表示領域は、第1表示領域、第1表示領域とは異なる第2表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第1表示領域および第2表示領域から優先度が高い領域が決定される。第1表示領域、第2表示領域は、発光装置101の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。
The display area has a first display area and a second display area different from the first display area, and an area with a higher priority is determined from the first display area and the second display area based on the line of sight information. be done. The first display area and the second display area may be determined by the control device of the
なお、第1視界領域や優先度が高い領域の決定には、AIを用いてもよい。AIは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。AIプログラムは、発光装置101が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、発光装置101に伝えられる。
Note that AI may be used to determine the first viewing area and the area with high priority. AI is a model configured to estimate the angle of line of sight and the distance to the object in front of the line of sight from the image of the eyeball, using the image of the eyeball and the direction in which the eyeball was actually looking in the image as training data. It's good. The AI program may be included in the
視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。 When display control is performed based on visual detection, it can be preferably applied to smart glasses that further include an imaging device that captures an image of the outside. Smart glasses can display captured external information in real time.
本明細書の開示は、以下の発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体を含む。 The disclosure of this specification includes the following light emitting device, display device, photoelectric conversion device, electronic device, lighting device, and moving object.
(項目1)
基板に、発光素子と、前記発光素子を動作させるための複数のトランジスタと、を含む画素が配された発光装置であって、
前記複数のトランジスタは、前記発光素子に接続されたソース領域またはドレイン領域を有する第1トランジスタと、前記発光素子に接続されていないソース領域およびドレイン領域を有する第2トランジスタと、を含み、
前記第1トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域として機能する第1拡散領域に、第1シリサイドが配され、
前記第2トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域として機能する第2拡散領域に、第2シリサイドが配され、
前記第1シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数が、前記第2シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数よりも小さいことを特徴とする発光装置。
(Item 1)
A light emitting device in which a pixel including a light emitting element and a plurality of transistors for operating the light emitting element is disposed on a substrate,
The plurality of transistors include a first transistor having a source region or a drain region connected to the light emitting element, and a second transistor having a source region and a drain region not connected to the light emitting element,
a first silicide is disposed in a first diffusion region functioning as the source region or the drain region of the first transistor;
a second silicide is disposed in a second diffusion region functioning as the source region or the drain region of the second transistor;
A light emitting device characterized in that a diffusion coefficient of metal contained in the first silicide into silicon is smaller than a diffusion coefficient into silicon of metal contained in the second silicide.
(項目2)
前記第1拡散領域を覆うように絶縁膜が配され、
前記絶縁膜には、前記第1シリサイドを露出させる開口部が設けられ、
前記開口部に、前記第1シリサイドに接する導電パターンが配され、
前記基板のうち前記画素が配された面に対する正射影において、前記第1シリサイドが、前記導電パターンのうち前記開口部に配された部分に重なるように配されることを特徴とする項目1に記載の発光装置。
(Item 2)
an insulating film is disposed to cover the first diffusion region,
The insulating film is provided with an opening that exposes the first silicide,
A conductive pattern in contact with the first silicide is arranged in the opening,
Item 1, wherein the first silicide is arranged so as to overlap a portion of the conductive pattern arranged in the opening in an orthogonal projection onto a surface of the substrate on which the pixel is arranged. The light emitting device described.
(項目3)
前記第2拡散領域は、前記第2シリサイドを介して第2導電パターンが接続され、
前記面に対する正射影において、前記第1シリサイドが配された面積を前記導電パターンと前記第1シリサイドとが接する部分の面積で除した値が、前記第2シリサイドが配された面積を前記第2導電パターンと前記第2シリサイドとが接する部分の面積で除した値よりも小さいことを特徴とする項目2に記載の発光装置。
(Item 3)
The second diffusion region is connected to a second conductive pattern via the second silicide,
In the orthogonal projection onto the surface, the area where the first silicide is arranged is divided by the area of the part where the conductive pattern and the first silicide are in contact, and the area where the second silicide is arranged is the area where the second silicide is arranged. The light emitting device according to item 2, wherein the light emitting device is smaller than the value divided by the area of the portion where the conductive pattern and the second silicide are in contact.
(項目4)
前記第1拡散領域は、第1領域と、前記第1領域と前記第1シリサイドとの間に配された第2領域と、を含み、
前記第1領域の不純物濃度が、前記第2領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする項目1乃至3の何れか1項目に記載の発光装置。
(Item 4)
The first diffusion region includes a first region and a second region disposed between the first region and the first silicide,
4. The light emitting device according to any one of items 1 to 3, wherein the impurity concentration in the first region is lower than the impurity concentration in the second region.
(項目5)
前記第1拡散領域が、前記第1領域と前記第1トランジスタのチャネル領域との間に配された、前記第1領域よりも不純物濃度が低い第3領域をさらに含むことを特徴とする項目4に記載の発光装置。
(Item 5)
Item 4, wherein the first diffusion region further includes a third region disposed between the first region and a channel region of the first transistor and having an impurity concentration lower than that of the first region. The light emitting device described in .
(項目6)
前記第1領域の不純物濃度が、前記第2拡散領域の不純物濃度よりも低いことを特徴する項目4または5に記載の発光装置。
(Item 6)
6. The light emitting device according to item 4 or 5, wherein the impurity concentration in the first region is lower than the impurity concentration in the second diffusion region.
(項目7)
前記第2拡散領域が、第4領域と、前記第4領域と前記第2トランジスタのチャネル領域との間に配された、前記第4領域よりも不純物濃度が低い第5領域と、を含み、
前記第1領域の不純物濃度が、前記第4領域の不純物濃度よりも低いことを特徴する項目4または5に記載の発光装置。
(Item 7)
The second diffusion region includes a fourth region and a fifth region disposed between the fourth region and a channel region of the second transistor and having an impurity concentration lower than that of the fourth region,
6. The light emitting device according to item 4 or 5, wherein the impurity concentration in the first region is lower than the impurity concentration in the fourth region.
(項目8)
前記第2シリサイドと前記第5領域とが、接していないことを特徴とする項目7に記載の発光装置。
(Item 8)
8. The light emitting device according to item 7, wherein the second silicide and the fifth region are not in contact with each other.
(項目9)
前記第2シリサイドと前記第5領域とが、接していることを特徴とする項目7に記載の発光装置。
(Item 9)
8. The light emitting device according to item 7, wherein the second silicide and the fifth region are in contact with each other.
(項目10)
前記第1拡散領域と前記第2拡散領域とが電気的に接続されており、
前記第1拡散領域と前記第2拡散領域との間に、絶縁分離構造が配されていることを特徴とする項目1乃至9の何れか1項目に記載の発光装置。
(Item 10)
the first diffusion region and the second diffusion region are electrically connected,
10. The light emitting device according to any one of items 1 to 9, wherein an insulation isolation structure is provided between the first diffusion region and the second diffusion region.
(項目11)
前記第1拡散領域に、前記第2シリサイドが配されていないことを特徴とする項目1乃至10の何れか1項に記載の発光装置。
(Item 11)
The light emitting device according to any one of items 1 to 10, wherein the second silicide is not arranged in the first diffusion region.
(項目12)
前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタのそれぞれゲート電極に、第3シリサイドが配され、
前記第1シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数が、前記第3シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数よりも小さいことを特徴とする項目1乃至11の何れか1項目に記載の発光装置。
(Item 12)
a third silicide is disposed on each gate electrode of the first transistor and the second transistor,
The method according to any one of items 1 to 11, wherein the diffusion coefficient of the metal contained in the first silicide into silicon is smaller than the diffusion coefficient into silicon of the metal contained in the third silicide. Light emitting device.
(項目13)
前記第2シリサイドに含まれる金属と前記第3シリサイドに含まれる金属とが、同じであることを特徴とする項目12に記載の発光装置。
(Item 13)
13. The light emitting device according to item 12, wherein the metal contained in the second silicide and the metal contained in the third silicide are the same.
(項目14)
前記第2シリサイドに含まれる金属と前記第3シリサイドに含まれる金属とが、互いに異なることを特徴とする項目12に記載の発光装置。
(Item 14)
13. The light emitting device according to item 12, wherein the metal contained in the second silicide and the metal contained in the third silicide are different from each other.
(項目15)
前記第1シリサイドが、チタンを含み、
前記第2シリサイドおよび前記第3シリサイドが、コバルトまたはニッケルを含むことを特徴とする項目12乃至14の何れか1項目に記載の発光装置。
(Item 15)
the first silicide contains titanium,
15. The light emitting device according to any one of items 12 to 14, wherein the second silicide and the third silicide contain cobalt or nickel.
(項目16)
前記第1シリサイドが、チタンを含み、
前記第2シリサイドが、コバルトまたはニッケルを含むことを特徴とする項目1乃至11の何れか1項目に記載の発光装置。
(Item 16)
the first silicide contains titanium,
12. The light emitting device according to any one of items 1 to 11, wherein the second silicide contains cobalt or nickel.
(項目17)
前記基板は、第1基板と第2基板とを含み、
前記第1基板には、前記発光素子および前記第1トランジスタが配され、
前記第2基板には、前記第2トランジスタが配されていることを特徴とする項目1乃至16の何れか1項目に記載の発光装置。
(Item 17)
The substrate includes a first substrate and a second substrate,
The light emitting element and the first transistor are arranged on the first substrate,
17. The light emitting device according to any one of items 1 to 16, wherein the second transistor is disposed on the second substrate.
(項目18)
前記画素を駆動するための駆動部をさらに含み、
前記駆動部に配されたトランジスタのソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域に、前記第2シリサイドが配されていることを特徴とする項目1乃至17の何れか1項目に記載の発光装置。
(Item 18)
further comprising a driving section for driving the pixel,
18. The light emitting device according to any one of items 1 to 17, wherein the second silicide is disposed in a diffusion region functioning as a source region or a drain region of a transistor disposed in the driving section.
(項目19)
項目1乃至18の何れか1項目に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。
(Item 19)
A display device comprising the light emitting device according to any one of items 1 to 18 and an active element connected to the light emitting device.
(項目20)
複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部であり、かつ、項目1乃至18の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。
(Item 20)
It has an optical section having a plurality of lenses, an image sensor that receives the light that has passed through the optical section, and a display section that displays an image,
A photoelectric conversion device, wherein the display unit is a display unit that displays an image captured by the image sensor, and includes a light emitting device according to any one of items 1 to 18.
(項目21)
表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
前記表示部は、項目1乃至18の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。
(Item 21)
comprising a casing provided with a display section, and a communication section provided in the casing and communicating with the outside;
19. An electronic device, wherein the display section includes the light emitting device according to any one of items 1 to 18.
(項目22)
光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
前記光源は、項目1乃至18の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。
(Item 22)
A lighting device comprising a light source and at least one of a light diffusion section and an optical film,
A lighting device characterized in that the light source has a light emitting device according to any one of items 1 to 18.
(項目23)
機体と、前記機体に設けられている灯具と、を有する移動体であって、
前記灯具は、項目1乃至18の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。
(Item 23)
A moving body having a body and a light provided on the body,
A mobile object, wherein the lamp includes the light emitting device according to any one of items 1 to 18.
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神および範囲から離脱することなく、様々な変更および変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the embodiments described above, and various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, the following claims are hereby appended to disclose the scope of the invention.
101:発光装置、103:画素、200:発光素子、308,310,312,314,315,317:拡散領域、404,405:シリサイド 101: Light emitting device, 103: Pixel, 200: Light emitting element, 308, 310, 312, 314, 315, 317: Diffusion region, 404, 405: Silicide
Claims (23)
前記複数のトランジスタは、前記発光素子に接続されたソース領域またはドレイン領域を有する第1トランジスタと、前記発光素子に接続されていないソース領域およびドレイン領域を有する第2トランジスタと、を含み、
前記第1トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域として機能する第1拡散領域に、第1シリサイドが配され、
前記第2トランジスタの前記ソース領域または前記ドレイン領域として機能する第2拡散領域に、第2シリサイドが配され、
前記第1シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数が、前記第2シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数よりも小さいことを特徴とする発光装置。 A light emitting device in which a pixel including a light emitting element and a plurality of transistors for operating the light emitting element is disposed on a substrate,
The plurality of transistors include a first transistor having a source region or a drain region connected to the light emitting element, and a second transistor having a source region and a drain region not connected to the light emitting element,
a first silicide is disposed in a first diffusion region functioning as the source region or the drain region of the first transistor;
a second silicide is disposed in a second diffusion region functioning as the source region or the drain region of the second transistor;
A light emitting device characterized in that a diffusion coefficient of metal contained in the first silicide into silicon is smaller than a diffusion coefficient into silicon of metal contained in the second silicide.
前記絶縁膜には、前記第1シリサイドを露出させる開口部が設けられ、
前記開口部に、前記第1シリサイドに接する導電パターンが配され、
前記基板のうち前記画素が配された面に対する正射影において、前記第1シリサイドが、前記導電パターンのうち前記開口部に配された部分に重なるように配されることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 an insulating film is disposed to cover the first diffusion region,
The insulating film is provided with an opening that exposes the first silicide,
A conductive pattern in contact with the first silicide is arranged in the opening,
2. The first silicide is arranged so as to overlap a portion of the conductive pattern arranged in the opening in orthogonal projection onto a surface of the substrate on which the pixel is arranged. The light emitting device described in .
前記面に対する正射影において、前記第1シリサイドが配された面積を前記導電パターンと前記第1シリサイドとが接する部分の面積で除した値が、前記第2シリサイドが配された面積を前記第2導電パターンと前記第2シリサイドとが接する部分の面積で除した値よりも小さいことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。 The second diffusion region is connected to a second conductive pattern via the second silicide,
In the orthogonal projection onto the surface, the area where the first silicide is arranged is divided by the area of the part where the conductive pattern and the first silicide are in contact, and the area where the second silicide is arranged is the area where the second silicide is arranged. 3. The light emitting device according to claim 2, wherein the value is smaller than the value divided by the area of the portion where the conductive pattern and the second silicide are in contact.
前記第1領域の不純物濃度が、前記第2領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 The first diffusion region includes a first region and a second region disposed between the first region and the first silicide,
2. The light emitting device according to claim 1, wherein the impurity concentration in the first region is lower than the impurity concentration in the second region.
前記第1領域の不純物濃度が、前記第4領域の不純物濃度よりも低いことを特徴する請求項4に記載の発光装置。 The second diffusion region includes a fourth region and a fifth region disposed between the fourth region and a channel region of the second transistor and having an impurity concentration lower than that of the fourth region,
5. The light emitting device according to claim 4, wherein the impurity concentration in the first region is lower than the impurity concentration in the fourth region.
前記第1拡散領域と前記第2拡散領域との間に、絶縁分離構造が配されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 the first diffusion region and the second diffusion region are electrically connected,
2. The light emitting device according to claim 1, further comprising an insulation isolation structure disposed between the first diffusion region and the second diffusion region.
前記第1シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数が、前記第3シリサイドに含まれる金属のシリコンへの拡散係数よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 a third silicide is disposed on each gate electrode of the first transistor and the second transistor,
2. The light emitting device according to claim 1, wherein the diffusion coefficient of the metal contained in the first silicide into silicon is smaller than the diffusion coefficient into silicon of the metal contained in the third silicide.
前記第2シリサイドおよび前記第3シリサイドが、コバルトまたはニッケルを含むことを特徴とする請求項12に記載の発光装置。 the first silicide contains titanium,
13. The light emitting device according to claim 12, wherein the second silicide and the third silicide contain cobalt or nickel.
前記第2シリサイドが、コバルトまたはニッケルを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 the first silicide contains titanium,
The light emitting device according to claim 1, wherein the second silicide contains cobalt or nickel.
前記第1基板には、前記発光素子および前記第1トランジスタが配され、
前記第2基板には、前記第2トランジスタが配されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 The substrate includes a first substrate and a second substrate,
The light emitting element and the first transistor are arranged on the first substrate,
The light emitting device according to claim 1, wherein the second transistor is disposed on the second substrate.
前記駆動部に配されたトランジスタのソース領域またはドレイン領域として機能する拡散領域に、前記第2シリサイドが配されていることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 further comprising a driving section for driving the pixel,
2. The light emitting device according to claim 1, wherein the second silicide is disposed in a diffusion region functioning as a source region or a drain region of a transistor disposed in the drive section.
前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部であり、かつ、請求項1乃至18の何れか1項に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。 It has an optical section having a plurality of lenses, an image sensor that receives the light that has passed through the optical section, and a display section that displays an image,
A photoelectric conversion device, wherein the display section is a display section that displays an image captured by the image sensor, and includes the light emitting device according to any one of claims 1 to 18.
前記表示部は、請求項1乃至18の何れか1項に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。 comprising a casing provided with a display section, and a communication section provided in the casing and communicating with the outside;
19. An electronic device, wherein the display section includes the light emitting device according to claim 1.
前記光源は、請求項1乃至18の何れか1項に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。 A lighting device comprising a light source and at least one of a light diffusion section and an optical film,
A lighting device, wherein the light source includes the light emitting device according to claim 1 .
前記灯具は、請求項1乃至18の何れか1項に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。 A moving body having a body and a light provided on the body,
A mobile object, wherein the lamp includes the light emitting device according to claim 1 .
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