JP2023149765A - Polyamide acid, polyimide, metal-clad laminate board, and circuit board - Google Patents

Polyamide acid, polyimide, metal-clad laminate board, and circuit board Download PDF

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Abstract

To provide a polyimide excellent in heat dissipation property (thermal conductivity), resilience and toughness, and heat resistance.SOLUTION: A polyamide acid and a polyimide include: an acid anhydride residue derived from an acid anhydride constituent of formula (1); and a diamine residue derived from a diamine constituent, where there are included 50 mol% or more of an acid anhydride residue derived from formula (1) to total acid anhydride residues, and 50 mol% or more of a diamine residue derived from a benzanilide derivative to total diamine residues.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、ポリアミド酸、該ポリアミド酸がイミド化されてなるポリイミド並びに該ポリイミドの層を用いた金属張積層板及び回路基板に関する。 The present invention relates to a polyamic acid, a polyimide obtained by imidizing the polyamic acid, and a metal-clad laminate and a circuit board using a layer of the polyimide.

近年、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、薄く軽量で、可撓性を有し、屈曲を繰り返しても優れた耐久性を持つフレキシブルプリント配線板(FPC;Flexible Printed Circuits)の需要が増大している。FPCは、限られたスペースでも立体的かつ高密度の実装が可能であるため、例えば、HDD、DVD、スマートフォン等の電子機器の可動部分の配線や、ケーブル、コネクター等の部品にその用途が拡大しつつある。FPCの多くは、金属箔などを用いた金属層と、絶縁性を持った樹脂基材(絶縁樹脂層)とを積層した金属張積層板の金属層に回路を形成することで製造される。 In recent years, as electronic devices have become smaller, lighter, and space-saving, flexible printed circuit boards (FPCs) have become thinner, lighter, more flexible, and have excellent durability even after repeated bending. Demand for circuits is increasing. FPC can be mounted three-dimensionally and with high density even in a limited space, so its use is expanding, for example, for wiring of movable parts of electronic devices such as HDDs, DVDs, and smartphones, and parts such as cables and connectors. It is being done. Most FPCs are manufactured by forming a circuit on the metal layer of a metal-clad laminate, which is made by laminating a metal layer using metal foil or the like and an insulating resin base material (insulating resin layer).

さらに、最近では、電子機器の小型化や情報処理量の増加などに伴って、回路の集積度が上がってきており、搭載部品から発生する熱の増加が見込まれ、さらには、情報処理の高速化や信頼性の向上を図ろうとするためには、機器内に生じる熱の放熱特性を高めることが要求されている。機器内の放熱性を高めるためには、従来から、熱伝導率が高いアルミニウムの厚板や冷却ファンなどを設置する方法が採用されてきたが、機器の小型化の要求から、そのような設備を設けることができない場合がある。 Furthermore, in recent years, with the miniaturization of electronic devices and the increase in the amount of information processing, the degree of integration of circuits has increased, and the heat generated from the mounted components is expected to increase. In order to improve efficiency and reliability, it is required to improve the heat dissipation characteristics of the heat generated within the equipment. In order to improve heat dissipation inside equipment, conventional methods have been used to install thick aluminum plates with high thermal conductivity, cooling fans, etc., but due to the demand for smaller equipment, such equipment may not be possible.

また、放熱性を高めるためには、電子機器それ自体の熱伝導性を高めることが有効と考えられる。例えば、配線基板を構成する絶縁樹脂層中に熱伝導性フィラーを含有させる技術が検討されている。より具体的には、絶縁樹脂層を形成する樹脂中に、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの熱伝導性の高い充填材を分散配合することが検討されており、例えば、耐熱性の高いポリイミドに対して熱伝導性フィラーを配合する技術が報告されている(例えば、特許文献1~7)。さらには、電子機器(絶縁樹脂層)それ自体を薄くするなどによって厚み方向の放熱性を高めることも考えられている。 Furthermore, in order to improve heat dissipation, it is considered effective to increase the thermal conductivity of the electronic device itself. For example, a technique is being considered in which a thermally conductive filler is contained in an insulating resin layer that constitutes a wiring board. More specifically, it is being considered to disperse and blend fillers with high thermal conductivity such as aluminum oxide, boron nitride, aluminum nitride, and silicon nitride into the resin that forms the insulating resin layer. Techniques have been reported in which a thermally conductive filler is blended into polyimide having high properties (for example, Patent Documents 1 to 7). Furthermore, it is also being considered to improve heat dissipation in the thickness direction by making the electronic device (insulating resin layer) itself thinner.

特許第5235211号公報Patent No. 5235211 特許第5442491号公報Patent No. 5442491 特許第5297740号公報Patent No. 5297740 特許第5665449号公報Patent No. 5665449 特許第5330396号公報Patent No. 5330396 特許第5665846号公報Patent No. 5665846 特許第5650084号公報Patent No. 5650084

ところが、樹脂中の熱伝導フィラーの充填率を高めると、相対的に樹脂成分の含有量が低下するために、樹脂硬化物の柔軟性や靭性が低下する傾向がみられ、FPC加工中に回路パターン形成後のフィルム単体部分が破れるおそれがある。また、絶縁樹脂層を薄くした場合はそれがより顕著になることが想定される。 However, when the filling rate of thermally conductive filler in the resin is increased, the content of the resin component is relatively reduced, which tends to reduce the flexibility and toughness of the cured resin, and the circuit during FPC processing tends to decrease. There is a risk that the single film portion after pattern formation may be torn. Moreover, it is assumed that this will become more noticeable when the insulating resin layer is made thinner.

他方、絶縁樹脂層における樹脂成分として、柔軟性や靭性が比較的良好である官能基を有するものを使用した場合、耐熱性が低下する傾向が見られる。 On the other hand, when a resin component having a functional group with relatively good flexibility and toughness is used as the resin component in the insulating resin layer, there is a tendency for the heat resistance to decrease.

このように、電子機器内の放熱性の向上の要求があるものの、従来技術においては配線基板を構成する絶縁樹脂層の放熱性(熱伝導性)と柔軟性・靭性と耐熱性とを全て満足させることについて、改善の余地があった。 As described above, although there is a demand for improved heat dissipation within electronic devices, conventional technology has not been able to satisfy all of the heat dissipation properties (thermal conductivity), flexibility/toughness, and heat resistance of the insulating resin layer that constitutes the wiring board. There was room for improvement.

そこで、本願の発明者らが鋭意検討した結果、配線基板を構成する絶縁樹脂層としてポリイミドの層を使用するにあたり、ポリイミドを構成する酸無水物成分及びジアミン成分としてそれぞれ特定の化合物を用いると共に、それらの含有量を所定の範囲に調整することが有効であることを知見して、本発明を完成させた。 Therefore, as a result of intensive study by the inventors of the present application, in using a polyimide layer as an insulating resin layer constituting a wiring board, in addition to using specific compounds as the acid anhydride component and diamine component that constitute the polyimide, The present invention was completed based on the finding that it is effective to adjust their content within a predetermined range.

したがって、本発明の目的は、放熱性(熱伝導性)と柔軟性・靭性と耐熱性とに優れたポリイミドの層を与えるポリアミド酸を提供することである。
また、本発明の他の目的は、該ポリイミドの層を有する絶縁樹脂層が積層されてなる金属張積層板及び回路基板を提供することである。
Therefore, an object of the present invention is to provide a polyamic acid that provides a polyimide layer with excellent heat dissipation (thermal conductivity), flexibility, toughness, and heat resistance.
Another object of the present invention is to provide a metal-clad laminate and a circuit board in which insulating resin layers having the polyimide layer are laminated.

すなわち、本発明は、以下のとおりである。
[1]下記一般式(1)で表される酸無水物成分から誘導される酸無水物残基と、
一般式(2)で表されるジアミン成分から誘導されるジアミン残基と
を含有し、
全酸無水物残基に対し、下記の一般式(1)で表される酸無水物成分から誘導される酸無水物残基を50モル%以上含有し、
全ジアミン残基に対し、下記の一般式(2)で表わされるジアミン成分から誘導されるジアミン残基を50モル%以上含有することを特徴とするポリアミド酸。

Figure 2023149765000001
Figure 2023149765000002
[式(2)中、Rは独立に、ハロゲン原子であるか、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1~6のアルキル基若しくはアルコキシ基であるか、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示す。m、nはそれぞれ独立して置換数を示し、mは0~4の整数、nは0~4の整数を示す。]
[2]下記一般式(3)で表されるジアミン成分から誘導されるジアミン残基を10モル%~50モル%を含有することを特徴とする[1]に記載のポリアミド酸。
Figure 2023149765000003
[式(3)中、Zは-O-を示す。Rは独立に、ハロゲン原子であるか、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1~6のアルキル基若しくはアルコキシ基であるか、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示す。nは置換数を示し、0~4の整数である。nは0~3の整数を示す。]
[3][1]又は[2]に記載のポリアミド酸がイミド化されてなる、ポリイミド。
[4]下記a)及びb);
a)20mm幅で測定した端裂抵抗が30N以上500N以下の範囲内であること、
b)厚み方向における熱伝導率(λz)が、0.20W/m・K以上の範囲内であること、
を満たす[3]に記載のポリイミド。
[5]更に、下記の条件c);
c)厚み方向における熱拡散率(α)が、0.100m2/s以上の範囲内であること、
を満たす[4]に記載のポリイミド。
[6]更に、下記の条件d);
d)ガラス転移温度が250℃以上であること、
を満たすことを特徴とする[4]又は[5]に記載のポリイミド。
[7]更に、下記の条件e);
e)引き裂き伝播抵抗が1.5kN/mであること、
を満たすことを特徴とする[4]~[6]のいずれかに記載のポリイミド。
[8]更に、下記の条件f);
f)熱膨張係数が50ppm/K以下であること、
を満たすことを特徴とする[4]~[7]のいずれかに記載のポリイミド。
[9]単層又は複数層からなる絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の片側又は両側に積層されている金属層と、を備えた金属張積層板であって、
前記絶縁樹脂層の少なくとも1層が、[3]~[8]のいずれか1項に記載のポリイミドの層によって構成されていることを特徴とする金属張積層板。
[10]単層又は複数層からなる絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の片側又は両側に積層されている導体回路層と、を備えた回路基板であって、
前記絶縁樹脂層の少なくとも1層が、[3]~[8]のいずれか1項に記載のポリイミドの層によって構成されている回路基板。 That is, the present invention is as follows.
[1] An acid anhydride residue derived from an acid anhydride component represented by the following general formula (1),
Contains a diamine residue derived from a diamine component represented by general formula (2),
Contains 50 mol% or more of acid anhydride residues derived from the acid anhydride component represented by the following general formula (1) based on the total acid anhydride residues,
A polyamic acid characterized by containing 50 mol% or more of diamine residues derived from a diamine component represented by the following general formula (2) based on all diamine residues.
Figure 2023149765000001
Figure 2023149765000002
[In formula (2), R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent group having 1 to 6 carbon atoms] represents a phenyl group or phenoxy group which may be substituted with a hydrocarbon group or an alkoxy group. m and n each independently represent the number of substitutions, m represents an integer of 0 to 4, and n represents an integer of 0 to 4. ]
[2] The polyamic acid according to [1], which contains 10 mol% to 50 mol% of a diamine residue derived from a diamine component represented by the following general formula (3).
Figure 2023149765000003
[In formula (3), Z represents -O-. R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group represents a phenyl group or phenoxy group which may be substituted with n 1 indicates the number of substitutions and is an integer from 0 to 4. n 2 represents an integer from 0 to 3. ]
[3] A polyimide obtained by imidizing the polyamic acid according to [1] or [2].
[4] Below a) and b);
a) The end tear resistance measured at a width of 20 mm is within the range of 30 N or more and 500 N or less,
b) The thermal conductivity (λz) in the thickness direction is within the range of 0.20 W/m K or more,
The polyimide according to [3], which satisfies the following.
[5] Furthermore, the following condition c);
c) The thermal diffusivity (α) in the thickness direction is within the range of 0.100 m 2 /s or more,
The polyimide according to [4], which satisfies the following.
[6] Furthermore, the following condition d);
d) The glass transition temperature is 250°C or higher,
The polyimide according to [4] or [5], which satisfies the following.
[7] Furthermore, the following condition e);
e) tear propagation resistance is 1.5 kN/m;
The polyimide according to any one of [4] to [6], which satisfies the following.
[8] Furthermore, the following condition f);
f) The coefficient of thermal expansion is 50 ppm/K or less;
The polyimide according to any one of [4] to [7], which satisfies the following.
[9] A metal-clad laminate comprising an insulating resin layer consisting of a single layer or multiple layers, and a metal layer laminated on one or both sides of the insulating resin layer,
A metal-clad laminate, wherein at least one of the insulating resin layers is composed of a polyimide layer according to any one of [3] to [8].
[10] A circuit board comprising an insulating resin layer consisting of a single layer or multiple layers, and a conductor circuit layer laminated on one side or both sides of the insulating resin layer,
A circuit board in which at least one layer of the insulating resin layer is constituted by a polyimide layer according to any one of [3] to [8].

本発明によれば、放熱性(熱伝導性)と柔軟性・靭性と耐熱性とに優れたポリイミドを得ることができる。 According to the present invention, a polyimide having excellent heat dissipation properties (thermal conductivity), flexibility/toughness, and heat resistance can be obtained.

以下、本発明の実施の形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.

<ポリアミド酸、ポリイミド>
本発明のポリアミド酸は、ポリイミドの前駆体であり、テトラカルボン酸二無水物(以下、単に「酸無水物」ということがある)成分から誘導される4価の基である酸無水物残基と、ジアミン化合物(以下、単に「ジアミン」ということがある)成分から誘導される2価の基であるジアミン残基とを有して構成され、これらの構成成分が連結したものを1つの繰り返し単位としてみた場合に、その繰り返し単位の重合物から構成される。酸無水物成分とジアミン成分との仕込み量(モル比)を調整することで構成を制御することが可能である。
<Polyamic acid, polyimide>
The polyamic acid of the present invention is a precursor of polyimide, and has an acid anhydride residue which is a tetravalent group derived from a tetracarboxylic dianhydride (hereinafter sometimes simply referred to as "acid anhydride") component. and a diamine residue, which is a divalent group derived from a diamine compound (hereinafter sometimes simply referred to as "diamine") component, and these components are linked together to form one repeat. When viewed as a unit, it is composed of a polymer of repeating units. The composition can be controlled by adjusting the amount (molar ratio) of the acid anhydride component and the diamine component.

例えば、通常ポリアミド酸は、所定の酸無水物成分とジアミン成分とをほぼ等モルで有機溶剤中に溶解させ、通常0~100℃の範囲の温度で30分から24時間攪拌して重合反応させることで得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5~30重量%の範囲内、好ましくは10~20重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAC)、N-メチル-2-ピロリドン、2-ブタノン、ジメチルスルホキシド、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、γ‐プチロラクトン等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。 For example, polyamic acid is usually produced by dissolving a predetermined acid anhydride component and a diamine component in approximately equal moles in an organic solvent, and stirring the mixture at a temperature usually in the range of 0 to 100°C for 30 minutes to 24 hours to cause a polymerization reaction. It can be obtained with In the reaction, the reaction components are dissolved in the organic solvent so that the amount of the precursor to be produced is within the range of 5 to 30% by weight, preferably within the range of 10 to 20% by weight. Examples of organic solvents used in the polymerization reaction include N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide (DMAC), N-methyl-2-pyrrolidone, 2-butanone, dimethylsulfoxide, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, Examples include tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, and γ-butyrolactone. Two or more of these solvents can be used in combination, and aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can also be used in combination.

ポリアミド酸及びポリイミドの合成において、酸無水物成分及びジアミン成分はそれぞれ、その1種のみを使用してもよく2種以上を併用して使用することもできる。酸無水物成分及びジアミン成分の種類や、2種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、例えば、熱伝導性、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度、引き裂き伝播抵抗、端裂抵抗、引張伸度等の物性を制御することができる。 In the synthesis of polyamic acid and polyimide, each of the acid anhydride component and the diamine component may be used alone or in combination of two or more thereof. By selecting the type of acid anhydride component and diamine component and the molar ratio of each when using two or more types of acid anhydride or diamine, for example, thermal conductivity, thermal expansion property, adhesiveness, glass transition, etc. Physical properties such as temperature, tear propagation resistance, end tear resistance, and tensile elongation can be controlled.

また、本発明のポリアミド酸及びポリイミドは、末端封止剤を用いてもよい。末端封止剤としてはモノアミン類あるいはジカルボン酸類が好ましい。導入される末端封止剤の仕込み量としては、酸無水物成分1モルに対して0.0001モル以上0.1モル以下の範囲内が好ましく、特に0.001モル以上0.05モル以下の範囲内が好ましい。モノアミン類末端封止剤としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ベンジルアミン、4-メチルベンジルアミン、4-エチルベンジルアミン、4-ドデシルベンジルアミン、3-メチルベンジルアミン、アニリン、4-メチルアニリン等が推奨される。これらのうち、ベンジルアミン、アニリンが好適に使用できる。ジカルボン酸類末端封止剤としては、ジカルボン酸類が好ましく、その一部を閉環していてもよい。例えば、フタル酸、無水フタル酸、4-クロロフタル酸、テトラフルオロフタル酸、シクロペンタン-1,2-ジカルボン酸、4-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸等が推奨される。これらのうち、フタル酸、無水フタル酸が好適に使用できる。 Furthermore, a terminal capping agent may be used for the polyamic acid and polyimide of the present invention. As the terminal capping agent, monoamines or dicarboxylic acids are preferable. The amount of the terminal capping agent to be introduced is preferably in the range of 0.0001 mol or more and 0.1 mol or less, particularly 0.001 mol or more and 0.05 mol or less, per 1 mol of the acid anhydride component. Preferably within this range. Examples of monoamine terminal capping agents include methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, benzylamine, 4-methylbenzylamine, 4-ethylbenzylamine, 4-dodecylbenzylamine, 3-methylbenzylamine, aniline, 4-Methylaniline etc. are recommended. Among these, benzylamine and aniline can be preferably used. As the dicarboxylic acid terminal capping agent, dicarboxylic acids are preferred, and a portion thereof may be ring-closed. For example, phthalic acid, phthalic anhydride, 4-chlorophthalic acid, tetrafluorophthalic acid, cyclopentane-1,2-dicarboxylic acid, 4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid, etc. are recommended. Among these, phthalic acid and phthalic anhydride can be preferably used.

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸をイミド化させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80℃以上400℃以下の範囲内の温度条件で1時間乃至24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。 It is usually advantageous to use the synthesized polyamic acid as a reaction solvent solution, but it can be concentrated, diluted, or replaced with another organic solvent if necessary. In addition, polyamic acids generally have excellent solvent solubility, so they are advantageously used. The method of imidizing the polyamic acid is not particularly limited, and for example, heat treatment such as heating in the above solvent at a temperature in the range of 80° C. or higher and 400° C. or lower for 1 hour to 24 hours is preferably employed. .

また、ポリアミド酸は、制限されないが、濃度や重量平均分子量Mwの調整により粘度が1,000~200,000cPの範囲とすることが好ましい。粘度が高い場合は、溶剤を加えて希釈すればよい。ポリアミド酸の重量平均分子量Mwは、例えば10,000以上500,000以下の範囲内が好ましく、50,000以上500,000以下の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、フィルムの強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が500,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際にフィルム厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 Furthermore, although the polyamic acid is not limited, it is preferable that the viscosity is in the range of 1,000 to 200,000 cP by adjusting the concentration and weight average molecular weight Mw. If the viscosity is high, it may be diluted by adding a solvent. The weight average molecular weight Mw of the polyamic acid is preferably in the range of 10,000 or more and 500,000 or less, and more preferably in the range of 50,000 or more and 500,000 or less. When the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the film decreases and tends to become brittle. On the other hand, if the weight average molecular weight exceeds 500,000, the viscosity increases excessively and defects such as uneven film thickness and streaks tend to occur during coating operations.

(酸無水物成分)
ここで、本発明のポリアミド酸及びポリイミドに用いられる酸無水物成分としては、以下の一般式(1)で表される酸無水物を必須とする。

Figure 2023149765000004
(Acid anhydride component)
Here, as the acid anhydride component used in the polyamic acid and polyimide of the present invention, an acid anhydride represented by the following general formula (1) is essential.
Figure 2023149765000004

この式(1)で表される酸無水物は、芳香環が直接結合(単結合)で結ばれた剛直な構造を有し、ビフェニル構造を有することから、高耐熱性と高熱伝導性を付与することが可能となる。この酸無水物成分としては、例えば、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物などを挙げることができるが、その限りではない。好ましくはBPDAである。 The acid anhydride represented by formula (1) has a rigid structure in which aromatic rings are connected by direct bonds (single bonds), and has a biphenyl structure, giving it high heat resistance and high thermal conductivity. It becomes possible to do so. Examples of the acid anhydride component include 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2 , 3,3',4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, but are not limited thereto. Preferably it is BPDA.

本発明のポリアミド酸及びポリイミドにおいては、当該式(1)で表される酸無水物を、全酸無水物成分の合計100モル%に対して、50モル%以上含有するようにする。すなわち、この酸無水物から誘導される酸無水物残基が、合成されるポリアミド酸及びポリイミドの全酸無水物残基100モル%に対して、50モル%以上となるようにする。この式(1)の酸無水物成分(酸無水物残基)が50モル%未満であると、これを用いて合成されるポリイミドにおいて十分な耐熱性と熱伝導性が得られないおそれがある。好ましくは、75モル%以上、より好ましくは90モル%以上、さらに好ましくは100モル%である。 In the polyamic acid and polyimide of the present invention, the acid anhydride represented by the formula (1) is contained in an amount of 50 mol% or more based on a total of 100 mol% of all acid anhydride components. That is, the acid anhydride residue derived from this acid anhydride is set to be 50 mol % or more with respect to 100 mol % of the total acid anhydride residue of the polyamic acid and polyimide to be synthesized. If the acid anhydride component (acid anhydride residue) of formula (1) is less than 50 mol%, there is a risk that sufficient heat resistance and thermal conductivity may not be obtained in the polyimide synthesized using the acid anhydride component (acid anhydride residue). . Preferably it is 75 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, and still more preferably 100 mol%.

また、上記以外の酸無水物成分としては、ポリアミド酸及びポリイミドの製造に使用される公知のものを制限なく用いることができるが、芳香族テトラカルボン酸二無水物が好ましい。また、脂肪族骨格を有するテトラカルボン酸の無水物を用いてもよく、例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物などの脂肪族鎖状テトラカルボン酸二無水物や、脂環式テトラカルボン酸の無水物を用いてもよく、例えば、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、フルオレニリデンビス無水フタル酸、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸ニ無水物、シクロペンタノンビススピロノルボルナンテトラカルボン酸二無水物などの脂環式テトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、3,3’、4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3’,3,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-(パラフェニレンジカルボニル)ジフタル酸無水物、4,4’-(メタフェニレンジカルボニル)ジフタル酸無水物、ピロメリット酸二無水物(PMDA)、p-フェニレンビス(トリメリテート無水物)、4,4’-オキシジフタル酸ニ無水物(ODPA)、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、5,5’-ビス(トリフルオロメチル)-3,3’,4,4’-テトラカルボキシジフェニルエーテル二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ジフェニルエーテル二無水物、ビス{3,5-ジ(トリフルオロメチル)フェノキシ}ピロメリット酸二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ベンゼン二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}、ビス(ジカルボキシフェノキシ)トリフルオロメチルベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼン二無水物、2,2-ビス{(4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビフェニル二無水物、ビス{(トリフルオロメチル)ジカルボキシフェノキシ}ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル二無水物、ビス(ジカルボキシフェノキシ)ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル二無水物、2,2’-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、ナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、3,3’’,4,4’’-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2’’,3,3’’-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’’,4’’-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物、ジ(トリフルオロメチル)ピロメリット酸二無水物、ジ(ヘプタフルオロプロピル)ピロメリット酸二無水物、ペンタフルオロエチルピロメリット酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物、5,5’-ビス(トリフルオロメチル)-3,3’,4,4’-テトラカルボキシビフェニル二無水物、2,2’,5,5’-テトラキス(トリフルオロメチル)-3,3’,4,4’-テトラカルボキシビフェニル二無水物、5,5’-ビス(トリフルオロメチル)-3,3’,4,4’-テトラカルボキシベンゾフェノン二無水物、トリフルオロメチルベンゼン二無水物等が挙げられる。 Further, as acid anhydride components other than those mentioned above, known ones used in the production of polyamic acid and polyimide can be used without limitation, but aromatic tetracarboxylic dianhydride is preferable. Furthermore, anhydrides of tetracarboxylic acids having an aliphatic skeleton may be used, for example, aliphatic chain anhydrides such as ethylenetetracarboxylic dianhydride and 1,2,3,4-butanetetracarboxylic dianhydride. Tetracarboxylic dianhydride or anhydride of alicyclic tetracarboxylic acid may be used, for example, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, fluorenylidene bisphthalic anhydride, 1 , 2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, alicyclic tetracarboxylic dianhydride such as cyclopentanone bisspironorbornane tetracarboxylic dianhydride, and the like. Examples of the aromatic tetracarboxylic dianhydride include 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3',3,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2 , 2',3,3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-(paraphenylene dicarbonyl) diphthalic anhydride, 4,4'-(metaphenylene dicarbonyl) diphthalic anhydride, pyro Mellitic dianhydride (PMDA), p-phenylene bis(trimellitate anhydride), 4,4'-oxydiphthalic dianhydride (ODPA), bis(2,3-dicarboxyphenyl)ether dianhydride, 5, 5'-bis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-tetracarboxydiphenyl ether dianhydride, bis{(trifluoromethyl)dicarboxyphenoxy}diphenyl ether dianhydride, bis{3,5-dianhydride (trifluoromethyl)phenoxy}pyromellitic dianhydride, bis{(trifluoromethyl)dicarboxyphenoxy}benzene dianhydride, bis{(trifluoromethyl)dicarboxyphenoxy}, bis(dicarboxyphenoxy)trifluoro Methylbenzene dianhydride, bis(dicarboxyphenoxy)bis(trifluoromethyl)benzene dianhydride, bis(dicarboxyphenoxy)tetrakis(trifluoromethyl)benzene dianhydride, 2,2-bis{(4-( 3,4-dicarboxyphenoxy)phenyl}hexafluoropropane dianhydride, bis{(trifluoromethyl)dicarboxyphenoxy}biphenyl dianhydride, bis{(trifluoromethyl)dicarboxyphenoxy}bis(trifluoromethyl) biphenyl dianhydride, bis(dicarboxyphenoxy)bis(trifluoromethyl)biphenyl dianhydride, 2,2'-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride, naphthalene-2,3, 6,7-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2 , 4,5-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride , 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-tetrachloronaphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, 3,3'',4,4''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2'',3,3''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3'',4''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2- Bis(2,3-dicarboxyphenyl)-propane dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)-propane dianhydride, bis(2,3-dicarboxyphenyl)methane dianhydride , bis(3,4-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, 1,1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,1-bis(3,4-dicarboxyphenyl)ethane Dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 2,2',3,3'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 2,3,3',4 '-Diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, perylene-2,3,8,9-tetracarboxylic dianhydride, perylene-3,4 , 9,10-tetracarboxylic dianhydride, perylene-4,5,10,11-tetracarboxylic dianhydride, perylene-5,6,11,12-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1, 2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,9,10-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2 , 3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, (trifluoromethyl)pyromellitic dianhydride, di(trifluoromethyl)pyro Mellitic dianhydride, di(heptafluoropropyl)pyromellitic dianhydride, pentafluoroethylpyromellitic dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane dianhydride, 5,5'-bis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-tetracarboxybiphenyl dianhydride, 2,2',5,5'-tetrakis(trifluoromethyl)-3,3' , 4,4'-tetracarboxybiphenyl dianhydride, 5,5'-bis(trifluoromethyl)-3,3',4,4'-tetracarboxybenzophenone dianhydride, trifluoromethylbenzene dianhydride, etc. can be mentioned.

(ジアミン成分)
本発明のポリアミド酸及びポリイミドに用いられるジアミン成分としては、以下の一般式(2)で表されるジアミンを必須とする。

Figure 2023149765000005
[式(2)中、Rは独立に、ハロゲン原子であるか、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1~6のアルキル基若しくはアルコキシ基であるか、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示す。m、nはそれぞれ独立して置換数を示し、mは0~4の整数、nは0~4の整数を示す。なお、m=0又はn=0は、それぞれRを有さない(無置換、側鎖を有さない)ことを意味する。] (Diamine component)
As the diamine component used in the polyamic acid and polyimide of the present invention, a diamine represented by the following general formula (2) is essential.
Figure 2023149765000005
[In formula (2), R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent group having 1 to 6 carbon atoms] represents a phenyl group or phenoxy group which may be substituted with a hydrocarbon group or an alkoxy group. m and n each independently represent the number of substitutions, m represents an integer of 0 to 4, and n represents an integer of 0 to 4. In addition, m=0 or n=0 means that each does not have R (no substitution, no side chain). ]

この式(2)で表されるジアミンは、芳香環がアミド結合で結ばれた剛直な構造を有し、酸素原子(O)と水素原子(H)とによる分子間の相互作用(水素結合など)をもたらすことから、高耐熱性と高熱伝導性を付与することが可能となる。このジアミン成分としては、例えば、4、4’-ジアミノベンズアニリド(DABA)、4、4’-ジアミノ-2’-メトキシベンズアニリド(MABA)、3,5-ジアミノ-3’-トリフルオロメチルベンズアニリド、3,5-ジアミノ-4’-トリフルオロメチルベンズアニリドなどを挙げることができる。高耐熱性と高熱伝導性のために、好ましくはDABAである。 The diamine represented by formula (2) has a rigid structure in which aromatic rings are connected by amide bonds, and intermolecular interactions (such as hydrogen bonds) between oxygen atoms (O) and hydrogen atoms (H). ), it is possible to impart high heat resistance and high thermal conductivity. Examples of the diamine component include 4,4'-diaminobenzanilide (DABA), 4,4'-diamino-2'-methoxybenzanilide (MABA), and 3,5-diamino-3'-trifluoromethylbenzanilide. Examples include anilide, 3,5-diamino-4'-trifluoromethylbenzanilide, and the like. DABA is preferred because of its high heat resistance and high thermal conductivity.

本発明のポリアミド酸及びポリイミドにおいては、当該式(2)で表されるジアミンを、全ジアミン成分の合計100モル%に対して、50モル%以上含有するようにする。すなわち、このジアミンから誘導されるジアミン残基が、合成されるポリアミド酸及びポリイミドの全ジアミン残基100モル%に対して、50モル%以上となるようにする。この式(2)のジアミン成分(ジアミン残基)が50モル%未満であると、これを用いて合成されるポリイミドにおいて十分な耐熱性と熱伝導性が得られないおそれがある。耐熱性及び熱伝導性のためには、好ましくは、75モル%以上、より好ましくは90モル%以上、さらに好ましくは100モル%である。 In the polyamic acid and polyimide of the present invention, the diamine represented by the formula (2) is contained in an amount of 50 mol% or more based on a total of 100 mol% of all diamine components. That is, the amount of diamine residues derived from this diamine is set to be 50 mol % or more based on 100 mol % of all diamine residues in the polyamic acid and polyimide to be synthesized. If the diamine component (diamine residue) of formula (2) is less than 50 mol%, there is a possibility that sufficient heat resistance and thermal conductivity may not be obtained in the polyimide synthesized using the diamine component (diamine residue). For heat resistance and thermal conductivity, the content is preferably 75 mol% or more, more preferably 90 mol% or more, and even more preferably 100 mol%.

また、本発明のポリアミド酸及びポリイミドにおいては、上記式(2)のジアミン成分(ジアミン残基)に加えて、下記一般式(3)で表されるジアミン成分を用いることが好ましい。

Figure 2023149765000006
[式(3)中、Zは-O-を示す。Rは独立に、ハロゲン原子であるか、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1~6のアルキル基若しくはアルコキシ基であるか、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示す。nは置換数を示し、0~4の整数である。nは0~3の整数を示す。なお、n=0又はn=0は、それぞれRを有さない(無置換、側鎖を有さない)ことを意味する。] Moreover, in the polyamic acid and polyimide of the present invention, in addition to the diamine component (diamine residue) of the above formula (2), it is preferable to use a diamine component represented by the following general formula (3).
Figure 2023149765000006
[In formula (3), Z represents -O-. R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group represents a phenyl group or phenoxy group which may be substituted with n 1 indicates the number of substitutions and is an integer from 0 to 4. n 2 represents an integer from 0 to 3. Note that n 1 =0 or n 2 =0 means that each does not have R (no substitution, no side chain). ]

上記式(3)で表される芳香族ジアミン化合物は2つ以上の芳香環を有し、2価の連結基Zであるエーテル結合があることで、これを用いて合成されるポリイミド分子鎖が有する自由度が増加して屈曲性を付与することができ、ポリイミド分子鎖の柔軟性の向上に寄与し、高靭性化を促すと考えられる。上記式(2)のジアミン成分(ジアミン残基)とともにこの式(3)のジアミン成分(ジアミン残基)を用いることにより、式(2)にかかる剛直な分子鎖と、式(3)にかかる柔軟な分子鎖との構造的な絡み合いの効果が生まれ、また、酸素原子(O)と水素原子(H)とによる分子間相互作用(水素結合など)の発生も強くなると推測されて、耐熱性・熱伝導性を比較的高く維持しながらも、靭性(引き裂き伝播抵抗、端裂抵抗)も向上することができ、これらの特性を両立できるようになるため好ましい。 The aromatic diamine compound represented by the above formula (3) has two or more aromatic rings, and has an ether bond, which is a divalent linking group Z, so that the polyimide molecular chain synthesized using this It is thought that this increases the degree of freedom and imparts flexibility, which contributes to improving the flexibility of polyimide molecular chains and promotes higher toughness. By using the diamine component (diamine residue) of formula (3) together with the diamine component (diamine residue) of formula (2) above, a rigid molecular chain according to formula (2) and a rigid molecular chain according to formula (3) can be formed. It is assumed that the effect of structural entanglement with flexible molecular chains is created, and that the occurrence of intermolecular interactions (hydrogen bonds, etc.) between oxygen atoms (O) and hydrogen atoms (H) becomes stronger, resulting in improved heat resistance. - While maintaining relatively high thermal conductivity, toughness (tear propagation resistance, end tear resistance) can also be improved, which is preferable because these properties can be achieved at the same time.

前記のような特性の両立の観点から、式(3)で表されるジアミン成分(ジアミン残基)は、全ジアミン成分(ジアミン残基)の合計100モル%に対して、10~50モル%で含有されることが好ましく、高靭性の付与のためには、より好ましくは30~50モル%、さらに好ましくは40~50モル%とすることがよい。耐熱性、熱伝導性、靭性などの特性のバランスを考慮して、上記式(2)のジアミン成分(ジアミン残基)とこの式(3)のジアミン成分(ジアミン残基)の含有量を適宜変更することができる。 From the viewpoint of achieving both the above-mentioned properties, the diamine component (diamine residue) represented by formula (3) is contained in an amount of 10 to 50 mol % with respect to the total 100 mol % of all diamine components (diamine residue). In order to impart high toughness, the content is preferably 30 to 50 mol%, and even more preferably 40 to 50 mol%. Considering the balance of properties such as heat resistance, thermal conductivity, and toughness, the contents of the diamine component (diamine residue) of the above formula (2) and the diamine component (diamine residue) of this formula (3) are adjusted as appropriate. Can be changed.

この式(3)で表されるジアミンとしては、例えば、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-R)、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン又は1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル等が挙げられるが、これらに限定されない。 Examples of the diamine represented by formula (3) include 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, bis(p-β-amino-t-butylphenyl) ether, 1,3- Bis(3-aminophenoxy)benzene (APB), 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene (TPE-R), 1,4-bis(3-aminophenoxy)benzene or 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene Examples include, but are not limited to, -aminophenoxy)benzene, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether, and the like.

上記以外のジアミン成分としては、ポリアミド酸及びポリイミドの製造に使用される公知のものを制限なく用いることができるが、ポリアミド酸及びポリイミドの製造に使用される公知のものを制限なく用いることができるが、芳香族ジアミン化合物が好ましい。また、脂肪族骨格を有するジアミン化合物を用いてもよい。例えば、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン、3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス(3,1-フェニレンオキシ)]ビスアニリン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン(BAPK)、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)、2,2'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノビフェニル(TFMB)、ビス[4-(アミノフェノキシ)フェニル]スルホン(BAPS)、4,6-ジメチル-m-フェニレンジアミン、2,5-ジメチル-p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノメシチレン、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,5,3',5'-テトラメチル-4,4'-ジアミノジフェニルメタン、2,4-トルエンジアミン、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルプロパン、3,3'-ジアミノジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノジフェニルエタン、3,3'-ジアミノジフェニルエタン、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジアミノジフェニルメタン、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、ベンジジン、3,3'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメトキシベンジジン、4,4"-ジアミノ-p-ターフェニル、3,3"-ジアミノ-p-ターフェニル、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、m-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、m-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン、4-(1H,1H,11H-エイコサフルオロウンデカノキシ)-1,3-ジアミノベンゼン、4-(1H,1H-パーフルオロ-1-ブタノキシ)-1,3-ジアミノベンゼン、4-(1H,1H-パーフルオロ-1-ヘプタノキシ)-1,3-ジアミノベンゼン、4-(1H,1H-パーフルオロ-1-オクタノキシ)-1,3-ジアミノベンゼン、4-ペンタフルオロフェノキシ-1,3-ジアミノベンゼン、4-(2,3,5,6-テトラフルオロフェノキシ)-1,3-ジアミノベンゼン、4-(4-フルオロフェノキシ)-1,3-ジアミノベンゼン、4-(1H,1H,2H,2H-パーフルオロ-1-ヘキサノキシ)-1,3-ジアミノベンゼン、4-(1H,1H,2H,2H-パーフルオロ-1-ドデカノキシ)-1,3-ジアミノベンゼン、(2,5)-ジアミノベンゾトリフルオライド、ジアミノテトラ(トリフルオロメチル)ベンゼン、ジアミノ(ペンタフルオロエチル)ベンゼン、2,5-ジアミノ(パーフルオロヘキシル)ベンゼン、2,5-ジアミノ(パーフルオロブチル)ベンゼン、2,2'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノビフェニル、オクタフルオロベンジジン、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、1,3-ビス(アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、1,4-ビス(アニリノ)オクタフルオロブタン、1,5-ビス(アニリノ)デカフルオロペンタン、1,7-ビス(アニリノ)テトラデカフルオロヘプタン、2,2'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3',5,5'-テトラキス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3'-ビス(トリフルオロメチル)-4,4'-ジアミノベンゾフェノン、4,4'-ジアミノ-p-テルフェニル、1,4-ビス(p-アミノフェニル)ベンゼン、p-(4-アミノ-2-トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)ビス(トリフルオロメチル)ベンゼン、ビス(アミノフェノキシ)テトラキス(トリフルオロメチル)ベンゼン、2,2-ビス{4-(4-アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス{4-(3-アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス{4-(2-アミノフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス{4-(4-アミノフェノキシ)-3,5-ジメチルフェニル}ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス{4-(4-アミノフェノキシ)-3.5-ジトリフルオロメチルフェニル}ヘキサフルオロプロパン、4,4'-ビス(4-アミノ-2-トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4'-ビス(4-アミノ-3-トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4'-ビス(4-アミノ-2-トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、4,4'-ビス(3-アミノ-5-トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、2,2-ビス{4-(4-アミノ-3-トリフルオロメチルフェノキシ)フェニル}ヘキサフルオロプロパン、ビス{(トリフルオロメチル)アミノフェノキシ}ビフェニル、ビス〔{(トリフルオロメチル)アミノフェノキシ}フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ビス{2-〔(アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロイソプロピル}ベンゼン、4,4'-ビス(4-アミノフェノキシ)オクタフルオロビフェニルから誘導される芳香族ジアミンなどが挙げられる。また、ダイマージアミン、ヘキサメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン等が挙げられる。 As the diamine component other than the above, any known diamine component used in the production of polyamic acid and polyimide can be used without restriction, but any known diamine component used in the production of polyamic acid and polyimide can be used without restriction. However, aromatic diamine compounds are preferred. Further, a diamine compound having an aliphatic skeleton may also be used. For example, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylpropane, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminobenzophenone, (3,3'-bisamino)diphenylamine, 3-[4 -(4-aminophenoxy)phenoxy]benzenamine, 3-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]benzenamine, 4,4'-[2-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, 4 ,4'-[4-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, 4,4'-[5-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, bis[4-(3-aminophenoxy) ) phenyl]methane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]propane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4 -(3-aminophenoxy)]benzophenone, bis[4,4'-(3-aminophenoxy)]benzanilide, 4-[3-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline, 4,4' -[oxybis(3,1-phenyleneoxy)]bisaniline, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone (BAPK), bis[4-(3-aminophenoxy)]biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone (BAPK) -aminophenoxy)]biphenyl, 2,2-bis(4-aminophenoxyphenyl)propane (BAPP), 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl (TFMB), bis[4 -(aminophenoxy)phenyl]sulfone (BAPS), 4,6-dimethyl-m-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, 2,4-diaminomesitylene, 3,3'-dimethyl-4, 4'-Diaminodiphenylmethane, 3,5,3',5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,4-toluenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-diamino Diphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 4,4'-diaminodiphenylethane, 3,3'-diaminodiphenylethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 2,2- Bis(4-aminophenoxyphenyl)propane, 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4' -diaminodiphenylsulfone, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy) ) Benzene, benzidine, 3,3'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxybenzidine, 4,4"-diamino-p-terphenyl, 3, 3"-diamino-p-terphenyl, bis(p-aminocyclohexyl)methane, bis(p-β-methyl-δ-aminopentyl)benzene, p-bis(2-methyl-4-aminopentyl)benzene, p -Bis(1,1-dimethyl-5-aminopentyl)benzene, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4-bis(β-amino-t-butyl)toluene, 2,4- Diaminotoluene, m-xylene-2,5-diamine, p-xylene-2,5-diamine, m-xylylene diamine, p-xylylene diamine, 2,6-diaminopyridine, 2,5-diaminopyridine, 2 ,5-diamino-1,3,4-oxadiazole, piperazine, 4-(1H,1H,11H-eicosafluoroundecanoxy)-1,3-diaminobenzene, 4-(1H,1H-perfluoro -1-butanoxy)-1,3-diaminobenzene, 4-(1H,1H-perfluoro-1-heptanoxy)-1,3-diaminobenzene, 4-(1H,1H-perfluoro-1-octanoxy)- 1,3-Diaminobenzene, 4-pentafluorophenoxy-1,3-diaminobenzene, 4-(2,3,5,6-tetrafluorophenoxy)-1,3-diaminobenzene, 4-(4-fluorophenoxy )-1,3-diaminobenzene, 4-(1H,1H,2H,2H-perfluoro-1-hexanoxy)-1,3-diaminobenzene, 4-(1H,1H,2H,2H-perfluoro-1 -dodecanoxy)-1,3-diaminobenzene, (2,5)-diaminobenzotrifluoride, diaminotetra(trifluoromethyl)benzene, diamino(pentafluoroethyl)benzene, 2,5-diamino(perfluorohexyl)benzene , 2,5-diamino(perfluorobutyl)benzene, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-bis(trifluoromethyl)-4,4'- Diaminobiphenyl, octafluorobenzidine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 1,3-bis(anilino)hexafluoropropane, 1,4-bis(anilino) Octafluorobutane, 1,5-bis(anilino)decafluoropentane, 1,7-bis(anilino)tetradecafluoroheptane, 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3 ,3'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3',5,5'-tetrakis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-bis (trifluoromethyl)-4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diamino-p-terphenyl, 1,4-bis(p-aminophenyl)benzene, p-(4-amino-2-trifluoro Methylphenoxy)benzene, bis(aminophenoxy)bis(trifluoromethyl)benzene, bis(aminophenoxy)tetrakis(trifluoromethyl)benzene, 2,2-bis{4-(4-aminophenoxy)phenyl}hexafluoropropane , 2,2-bis{4-(3-aminophenoxy)phenyl}hexafluoropropane, 2,2-bis{4-(2-aminophenoxy)phenyl}hexafluoropropane, 2,2-bis{4-( 4-aminophenoxy)-3,5-dimethylphenyl}hexafluoropropane, 2,2-bis{4-(4-aminophenoxy)-3,5-ditrifluoromethylphenyl}hexafluoropropane, 4,4'-bis( 4-Amino-2-trifluoromethylphenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(4-amino-3-trifluoromethylphenoxy)biphenyl, 4,4'-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy) ) diphenylsulfone, 4,4'-bis(3-amino-5-trifluoromethylphenoxy)diphenylsulfone, 2,2-bis{4-(4-amino-3-trifluoromethylphenoxy)phenyl}hexafluoropropane , bis{(trifluoromethyl)aminophenoxy}biphenyl, bis[{(trifluoromethyl)aminophenoxy}phenyl]hexafluoropropane, bis{2-[(aminophenoxy)phenyl]hexafluoroisopropyl}benzene, 4,4 Examples include aromatic diamines derived from '-bis(4-aminophenoxy)octafluorobiphenyl. Other examples include aliphatic diamines such as dimer diamine, hexamethylene diamine, and pentamethylene diamine.

(その他の成分)
本発明のポリアミド酸及びポリイミドは、本発明の目的を阻害しない限りにおいて、必要に応じて、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム、有機ホスフィン酸の金属塩などのフィラーやその他の成分を含有してもよい。これらの成分は、1種又は2種以上を混合して用いることができる。
(Other ingredients)
The polyamic acid and polyimide of the present invention may include silicon dioxide, aluminum oxide, boron nitride, magnesium oxide, beryllium oxide, aluminum nitride, silicon nitride, aluminum fluoride, fluoride, etc. It may also contain fillers such as calcium chloride, metal salts of organic phosphinic acids, and other components. These components can be used alone or in a mixture of two or more.

(ポリイミドの層の形成方法)
ポリイミドの層の形成方法としては、例えば、[1]支持基材(例えば、金属層)に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、イミド化して樹脂フィルムを製造する方法(以下、キャスト法)、[2]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥した後、ポリアミド酸のゲルフィルムを支持基材から剥がし、イミド化して樹脂フィルムを製造する方法などで形成されたものが挙げられる。また、複数のポリイミドの層からなる場合、その製造方法の態様としては、例えば、[3]支持基材に、ポリアミド酸の溶液を塗布・乾燥することを複数回繰り返した後、イミド化を行う方法(以下、逐次塗工法)、[4]支持基材に、多層押出により、同時にポリアミド酸の積層構造体を塗布・乾燥した後、イミド化を行う方法(以下、多層押出法)などにより形成されたものが挙げられる。
寸法安定性や、金属層との接着性などの制御の観点から、キャスト法・逐次塗工法によりポリイミドの層(ポリイミドフィルム、及びこれを用いた後述の絶縁樹脂層、金属張積層板)を形成することが好ましい。
(Method for forming polyimide layer)
As a method for forming a polyimide layer, for example, [1] a method in which a solution of polyamic acid is applied to a supporting base material (for example, a metal layer), dried, and then imidized to produce a resin film (hereinafter referred to as a casting method) ), [2] Those formed by applying a polyamic acid solution to a supporting base material and drying it, then peeling off the polyamic acid gel film from the supporting base material and imidizing it to produce a resin film. It will be done. In addition, in the case of a plurality of polyimide layers, the manufacturing method may include, for example, [3] Applying and drying a solution of polyamic acid to the supporting base material is repeated multiple times, and then imidization is performed. method (hereinafter referred to as sequential coating method), [4] A method in which a layered structure of polyamic acid is simultaneously coated and dried on a supporting base material by multilayer extrusion, and then imidized (hereinafter referred to as multilayer extrusion method). The following are examples of what has been done.
From the viewpoint of controlling dimensional stability and adhesion with the metal layer, we form a polyimide layer (polyimide film, insulating resin layer and metal-clad laminate described below) using the casting method and sequential coating method. It is preferable to do so.

ポリアミド酸溶液(又はポリイミド溶液)を基材上に塗布する方法としては特に制限されず、例えばコンマ、ダイ、ナイフ、リップ等のコーターにて塗布することが可能である。多層のポリイミド層の形成に際しては、ポリアミド酸溶液(又はポリイミド溶液)を基材に塗布、乾燥する操作を繰り返す方法が好ましい。本発明における絶縁樹脂層(後述)は、単層の上記ポリイミドの層のみから形成されてもよく、複数のポリイミドの層から形成されてもよい。 The method for applying the polyamic acid solution (or polyimide solution) onto the substrate is not particularly limited, and can be applied using, for example, a comma, die, knife, lip, or other coater. When forming a multilayer polyimide layer, a method of repeatedly applying a polyamic acid solution (or polyimide solution) to a base material and drying it is preferred. The insulating resin layer (described later) in the present invention may be formed from only a single layer of the above-mentioned polyimide, or may be formed from a plurality of polyimide layers.

本発明のポリイミド(の層)は、前述のとおり、放熱性(熱伝導性)と柔軟性・靭性と耐熱性とに優れる。とくに、a)端裂抵抗と、b)厚み方向における熱伝導率(λz)を同時に満足することが好ましい。さらには、c)厚み方向における熱拡散率(α)、d)ガラス転移温度(Tg)、e)引き裂き伝播抵抗、f)熱膨張係数のうちの1又は2以上の特性も所定の範囲であることが好ましい。 As described above, the polyimide (layer) of the present invention has excellent heat dissipation (thermal conductivity), flexibility/toughness, and heat resistance. In particular, it is preferable to simultaneously satisfy a) end tear resistance and b) thermal conductivity in the thickness direction (λz). Furthermore, one or more of c) thermal diffusivity in the thickness direction (α), d) glass transition temperature (Tg), e) tear propagation resistance, and f) coefficient of thermal expansion is also within a predetermined range. It is preferable.

本発明のポリイミド(の層)は、a)20mm幅(JIS規格に準拠)で測定された端裂抵抗が.30N以上500N以下の範囲内であることが好ましい。より好ましい下限値は60N以上であり、さらに好ましい下限値は75N以上であり、さらにより好ましい下限値は100N以上である。他方、好ましい上限値については特に制限されない。このような範囲であることで、加工時・使用時の破れなどの不具合を防止することができる。 The polyimide (layer) of the present invention has a) end tear resistance measured at a width of 20 mm (according to JIS standards). It is preferable that it is in the range of 30N or more and 500N or less. A more preferable lower limit is 60N or more, an even more preferable lower limit is 75N or more, and an even more preferable lower limit is 100N or more. On the other hand, there is no particular restriction on the preferable upper limit. Within this range, defects such as tearing during processing and use can be prevented.

本発明のポリイミド(の層)は、b)厚み方向における熱伝導率(λz)が、0.20W/m・K以上であることが好ましい。より好ましくは、0.22W/m・K以上であることがよい。熱伝導率λzが0.20W/m・Kに満たないと、樹脂単独で放熱用途への適用において、熱を十分に逃がせなく放熱効果が薄いため、目的を達することができないおそれがある。 The polyimide (layer) of the present invention preferably has b) a thermal conductivity (λz) in the thickness direction of 0.20 W/m·K or more. More preferably, it is 0.22 W/m·K or more. If the thermal conductivity λz is less than 0.20 W/m·K, when the resin alone is used for heat dissipation purposes, the purpose may not be achieved because heat cannot be sufficiently dissipated and the heat dissipation effect is weak.

また、本発明のポリイミド(の層)は、c)厚み方向における熱拡散率(α)が、0.100m/s以上であることが好ましい。より好ましくは、0.120以上であることがよい。熱拡散率(α)が0.100m/sに満たないと、樹脂単独で放熱用途への適用において、熱を十分に逃がせなく放熱効果は薄いため、目的を達することができないおそれがある。
なお、前記熱伝導率(λ)と熱拡散率(α)は、ポリイミドの層の厚みには依存しない特性であることから、測定装置などの制約・都合などによって、測定する厚み条件を適宜変更・設定することができる。
Furthermore, it is preferable that the (layer of) polyimide of the present invention has c) a thermal diffusivity (α) in the thickness direction of 0.100 m 2 /s or more. More preferably, it is 0.120 or more. If the thermal diffusivity (α) is less than 0.100 m 2 /s, when the resin alone is used for heat dissipation purposes, heat cannot be sufficiently released and the heat dissipation effect is weak, so the purpose may not be achieved.
Note that the thermal conductivity (λ z ) and thermal diffusivity (α) are characteristics that do not depend on the thickness of the polyimide layer, so the thickness conditions for measurement may be adjusted as appropriate depending on constraints and convenience of the measuring device. Can be changed/set.

また、本発明のポリイミド(の層)は、d)ガラス転移温度(Tg)は250℃以上の耐熱性を有することが好ましい。より好ましくは270℃以上、さらに好ましくは3000℃以上である。 Further, the polyimide (layer thereof) of the present invention preferably has d) a glass transition temperature (Tg) of 250° C. or higher and heat resistance. The temperature is more preferably 270°C or higher, and even more preferably 3000°C or higher.

また、本発明のポリイミド(の層)は、e)引き裂き伝播抵抗が1.5kN/m以上であることが好ましい。より好ましくは3.0kN/m以上、より好ましくは4.0kN/m以上がよい。上限値は特に限定されない。このような範囲であることで、加工時・使用時の破れなどの不具合を防止することができる。 Moreover, it is preferable that the (layer of) polyimide of the present invention has e) tear propagation resistance of 1.5 kN/m or more. More preferably 3.0 kN/m or more, more preferably 4.0 kN/m or more. The upper limit value is not particularly limited. Within this range, defects such as tearing during processing and use can be prevented.

また、本発明のポリイミド(の層)は、f)熱膨張係数(CTE)が好ましくは50ppm/K以下、より好ましくは1ppm/K以上45ppm/K以下の範囲内であることがよい。 Further, the polyimide (layer) of the present invention preferably has f) a coefficient of thermal expansion (CTE) of preferably 50 ppm/K or less, more preferably 1 ppm/K or more and 45 ppm/K or less.

また、本発明のポリイミド(の層)は、熱分解試験において、1%重量減少温度が(Td1)は450℃以上であることが好ましく、より好ましくは470℃以上、さらに好ましくは490℃以上が好ましい。このような範囲に制御することで、FPCの主要構成成分などに適用しても十分な耐熱性を有する。 In addition, the polyimide (layer) of the present invention preferably has a 1% weight loss temperature (Td1) of 450°C or higher in a thermal decomposition test, more preferably 470°C or higher, and still more preferably 490°C or higher. preferable. By controlling it within such a range, it has sufficient heat resistance even when applied to the main constituent components of FPC.

本発明のポリイミド(の層)は、絶縁樹脂層・樹脂フィルム全体としての厚さは、例えば2~100μmの範囲内であることが好ましく、4~50μmの範囲内がより好ましい。厚みが2μmに満たないと、金属張積層板の製造時の搬送工程で金属箔にシワが入るなどの不具合が生じやすくなる。反対に、厚みが100μmを超えると高い熱伝導性の発現や、靭性・柔軟性等の点で不利になる傾向となる。 The thickness of the polyimide (layer) of the present invention as a whole of the insulating resin layer/resin film is preferably within the range of 2 to 100 μm, and more preferably within the range of 4 to 50 μm. If the thickness is less than 2 μm, problems such as wrinkles in the metal foil are likely to occur during the transportation process during the production of the metal-clad laminate. On the other hand, if the thickness exceeds 100 μm, it tends to be disadvantageous in terms of high thermal conductivity, toughness, flexibility, etc.

<金属張積層板>
(金属層)
金属層の材質としては、特に限定されるものではないが、例えば銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。この中でも、銅、鉄又はニッケルの金属元素、または酸化インジウムスズ(ITO)が好ましく、銅(銅箔)であることがより好ましい。銅箔としては、電解銅箔及び圧延銅箔のいずれも使用することができる。なお、これら金属層の選定にあっては、金属層の導電性やポリイミド層の光透過性、ポリイミド層との接着性など使用目的で必要とされる特性を発現するように選択することになる。金属層の形状に特に制限はないが、用途に応じて適宜加工などが施されてよい。長尺状に形成されたロール状のものが好適に用いられる。
<Metal-clad laminate>
(metal layer)
The material of the metal layer is not particularly limited, but examples include copper, stainless steel, iron, nickel, beryllium, aluminum, zinc, indium, silver, gold, tin, zirconium, tantalum, titanium, lead, magnesium, and manganese. and alloys thereof. Among these, metal elements such as copper, iron, or nickel, or indium tin oxide (ITO) are preferable, and copper (copper foil) is more preferable. As the copper foil, both electrolytic copper foil and rolled copper foil can be used. In addition, when selecting these metal layers, they should be selected so as to exhibit the characteristics required for the purpose of use, such as the conductivity of the metal layer, the optical transparency of the polyimide layer, and the adhesion with the polyimide layer. . Although there is no particular restriction on the shape of the metal layer, it may be processed as appropriate depending on the application. A roll-shaped material formed in an elongated shape is preferably used.

金属層の厚みは特に限定されるものではないが、好ましくは100μm以下であり、より好ましくは0.1~70μmの範囲内、さらに好ましくは1~50μmの範囲内がよい。放熱用途では、車載関連など大電流を通すことが多いため、大電流に耐えられるために厚めの金属層(例えば、銅箔)が好ましい。一方、金属層が厚すぎると、積層基板としてのフレキシブル性と加工性が低下となる傾向があり、一方、重量が増えてしまう傾向となる。 The thickness of the metal layer is not particularly limited, but is preferably 100 μm or less, more preferably within the range of 0.1 to 70 μm, and even more preferably within the range of 1 to 50 μm. In heat dissipation applications, such as in automotive applications, large currents are often passed through, so a thick metal layer (for example, copper foil) is preferable in order to withstand large currents. On the other hand, if the metal layer is too thick, the flexibility and processability of the laminated substrate will tend to decrease, and on the other hand, the weight will tend to increase.

(絶縁樹脂層)
本発明の金属張積層板は、単層又は複数層からなる絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の片側(片面)又は両側(両面)に積層された金属層とを備えており、絶縁樹脂層の少なくとも1層が上記のポリイミドの層によって構成されている。
(insulating resin layer)
The metal-clad laminate of the present invention includes an insulating resin layer consisting of a single layer or multiple layers, and a metal layer laminated on one side (single side) or both sides (both sides) of this insulating resin layer, and the insulating resin layer At least one layer of the polyimide layer is comprised of the above-mentioned polyimide layer.

絶縁樹脂層が複数のポリイミドの層からなる場合は、金属層(後述)に直接積層するポリイミド層(P1)と金属層と直接積層しないポリイミド層(P2)との二層構造でもよい。下に例示する構成1~4のように特に制限はされないが、好ましくは三層であり、より好ましくは、第三のポリイミド層(P3)が(P1)/(P2)/(P3)の順に積層していることが好ましい。M1、M2は金属層を表し、M1とM2が同じであっても異なってもよい。金属層に直接積層するポリイミド層(P1)と第三のポリイミド層(P3)は同一組成であってもよい。例えば、複数のポリイミド層をキャスト法によって形成する場合では、キャスト面側から金属層に直接積層するポリイミド層(P1)及び導体層と直接積層しないポリイミド層(P2)がこの順序で積層された二層構造とすることでもよいし、キャスト面側から導体層に直接積層するポリイミド層(P1)及び導体層と直接積層しないポリイミド層(P2)、第三のポリイミド層(P3)がこの順序で積層された三層構造とすることでもよい。ここで言う「キャスト面」とはポリイミドの層を形成する際における、支持体側の面のことを示す。支持体は、本発明の金属張積層板の金属層(後述)であってもよいし、ガラス等でもよいし、ゲルフィルム等を形成する際の支持体であってもよい。なお、複数のポリイミド層においてキャスト面と反対側の面は「ラミネート面」と記述するが、特に記述が無い場合、ラミネート面に金属層が積層されていてもされていなくてもよい。 When the insulating resin layer is composed of a plurality of polyimide layers, it may have a two-layer structure of a polyimide layer (P1) that is directly laminated on a metal layer (described later) and a polyimide layer (P2) that is not directly laminated on the metal layer. Although not particularly limited, it is preferable that the third polyimide layer (P3) is formed in the order of (P1)/(P2)/(P3) as in Structures 1 to 4 illustrated below. It is preferable that they are laminated. M1 and M2 represent metal layers, and M1 and M2 may be the same or different. The polyimide layer (P1) and the third polyimide layer (P3) directly laminated on the metal layer may have the same composition. For example, when forming multiple polyimide layers by a casting method, a polyimide layer (P1) that is laminated directly on the metal layer from the cast surface side and a polyimide layer (P2) that is not laminated directly on the conductor layer are laminated in this order. It may be a layered structure, or a polyimide layer (P1) that is laminated directly on the conductor layer from the cast surface side, a polyimide layer (P2) that is not laminated directly with the conductor layer, and a third polyimide layer (P3) are laminated in this order. It is also possible to have a three-layer structure. The "cast surface" here refers to the surface on the support side when forming the polyimide layer. The support may be a metal layer (described later) of the metal-clad laminate of the present invention, glass, or the like, or a support used when forming a gel film or the like. Note that the surface of the plurality of polyimide layers opposite to the cast surface is described as a "laminate surface," but unless otherwise specified, a metal layer may or may not be laminated on the laminate surface.

構成1;M1/P1/P2
構成2;M1/P1/P2/P1(又はP3)
構成3;M1/P1/P2/P1(又はP3)/M2(又はM1)
構成4;M1/P1/P2/P1(又はP3)/P2/P1(又はP3)/M2(又はM1)
Configuration 1; M1/P1/P2
Configuration 2; M1/P1/P2/P1 (or P3)
Configuration 3; M1/P1/P2/P1 (or P3)/M2 (or M1)
Configuration 4; M1/P1/P2/P1 (or P3)/P2/P1 (or P3)/M2 (or M1)

ポリイミド層(P1)とポリイミド層(P3)を構成するポリイミドは熱可塑性ポリイミドとすることが好ましく、絶縁樹脂層としての接着性を向上させ、金属層との接着層としての適用が好適となる。 The polyimide constituting the polyimide layer (P1) and the polyimide layer (P3) is preferably thermoplastic polyimide, which improves adhesiveness as an insulating resin layer and is suitable for application as an adhesive layer with a metal layer.

絶縁樹脂層の好ましい実施形態は、熱可塑性のポリイミド層(P1)と、非熱可塑性ポリイミドから構成される非熱可塑性ポリイミド層(P2)とを有し、この非熱可塑性ポリイミド層(P2)の少なくとも一方に熱可塑性ポリイミド層となるポリイミド層(P1)を有するものがよい。すなわち、ポリイミド層(P1)は、非熱可塑性ポリイミド層の片面又は両面に設けるとよい。 A preferred embodiment of the insulating resin layer has a thermoplastic polyimide layer (P1) and a non-thermoplastic polyimide layer (P2) composed of non-thermoplastic polyimide, and the non-thermoplastic polyimide layer (P2) has a It is preferable to have a polyimide layer (P1) serving as a thermoplastic polyimide layer on at least one side. That is, the polyimide layer (P1) may be provided on one or both sides of the non-thermoplastic polyimide layer.

また非熱可塑性ポリイミド層は低熱膨張性のポリイミド層を構成し、熱可塑性ポリイミド層は高熱膨張性のポリイミド層を構成する。ここで、低熱膨張性のポリイミド層は、熱膨張係数(CTE)が好ましくは1ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内、より好ましくは3ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内のポリイミド層をいう。また、高熱膨張性のポリイミド層は、CTEが好ましくは35ppm/K以上、より好ましくは35ppm/K以上80ppm/K以下の範囲内、更に好ましくは35ppm/K以上70ppm/K以下の範囲内のポリイミド層をいう。ポリイミド層は、使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のCTEを有するポリイミド層とすることができる。 Further, the non-thermoplastic polyimide layer constitutes a low thermal expansion polyimide layer, and the thermoplastic polyimide layer constitutes a high thermal expansion polyimide layer. Here, the low thermal expansion polyimide layer is a polyimide layer having a coefficient of thermal expansion (CTE) preferably in the range of 1 ppm/K or more and 25 ppm/K or less, more preferably in the range of 3 ppm/K or more and 25 ppm/K or less. say. The high thermal expansion polyimide layer is made of polyimide having a CTE of preferably 35 ppm/K or more, more preferably 35 ppm/K or more and 80 ppm/K or less, and even more preferably 35 ppm/K or more and 70 ppm/K or less. It refers to a layer. The polyimide layer can be made into a polyimide layer having a desired CTE by appropriately changing the combination of raw materials used, the thickness, and drying/curing conditions.

絶縁樹脂層全体の熱膨張係数(CTE)としては、10~30ppm/Kの範囲内であることが好ましい。このような範囲に制御することで、カール等の変形を抑制でき、また高い寸法安定性を担保できる。ここで、CTEは、絶縁樹脂層のMD方向及びTD方向の熱膨張係数の平均値である。 The coefficient of thermal expansion (CTE) of the entire insulating resin layer is preferably within the range of 10 to 30 ppm/K. By controlling it within such a range, deformation such as curling can be suppressed and high dimensional stability can be ensured. Here, CTE is the average value of the coefficient of thermal expansion of the insulating resin layer in the MD direction and the TD direction.

ここで、非熱可塑性ポリイミドとは、一般に加熱しても軟化、接着性を示さないポリイミドのことであるが、本発明においては、動的粘弾性測定装置(DMA)を用いて測定した30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、350℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であるポリイミドをいう。また、熱可塑性ポリイミド(「TPI」ともいう。)とは、一般にガラス転移温度(Tg)が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本実施の形態では、DMAを用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、300℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa未満であるポリイミドをいう。 Here, non-thermoplastic polyimide generally refers to polyimide that does not soften or exhibit adhesive properties even when heated; A polyimide having a storage modulus of 1.0×10 9 Pa or more at 350° C. and a storage modulus of 1.0×10 9 Pa or more at 350° C. In addition, thermoplastic polyimide (also referred to as "TPI") generally refers to polyimide whose glass transition temperature (Tg) can be clearly confirmed. A polyimide having a storage modulus of 1.0×10 9 Pa or more at 300° C. and less than 1.0×10 8 Pa at 300° C.

絶縁樹脂層のうち、金属層に接するポリイミド層(P1)の厚みをT1、主たるポリイミド層の厚みをT2とした際に、T1の厚みは1μm以上4μm以下の範囲内が好ましく、T2の厚みは4μm以上30μm以下の範囲内が好ましい。別の観点から、T1の厚みは、絶縁樹脂層の厚みに対して20%以下とすることが好ましい。ここで、「主たる」とは、絶縁樹脂層を構成する複数のポリイミド層において最も大きな厚みを有することを意味し、好ましくは、絶縁樹脂層の厚みに対して60%以上、より好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上の厚みを有することをいう。主たるポリイミド層は、非熱可塑性ポリイミドで構成することが好ましい。 Among the insulating resin layers, when the thickness of the polyimide layer (P1) in contact with the metal layer is T1 and the thickness of the main polyimide layer is T2, the thickness of T1 is preferably within the range of 1 μm or more and 4 μm or less, and the thickness of T2 is It is preferably within the range of 4 μm or more and 30 μm or less. From another viewpoint, the thickness of T1 is preferably 20% or less of the thickness of the insulating resin layer. Here, "main" means having the largest thickness among the plurality of polyimide layers constituting the insulating resin layer, preferably 60% or more, more preferably 70% of the thickness of the insulating resin layer. The thickness is more preferably 80% or more. The main polyimide layer is preferably composed of a non-thermoplastic polyimide.

なお、絶縁樹脂層全体としても、前述のポリイミドの層の特性値を全て満足するものであることが好ましい。 The insulating resin layer as a whole preferably satisfies all the characteristic values of the polyimide layer described above.

<金属張積層板の製造方法>
本発明の金属張積層板は、前述のとおり、支持基材としての金属層に対して、キャスト法又は逐次塗工法で、単層又は複数層のポリイミドの層からなる絶縁樹脂層を形成することが、寸法安定性などの観点から好適であるが、特に限定されない。例えば、本発明のポリイミドの層を含んで構成される絶縁樹脂層(樹脂フィルム)を用意し、これに金属をスパッタリングしてシード層を形成した後、例えばメッキによって金属層を形成することによって調製してもよい。
<Method for manufacturing metal-clad laminates>
As mentioned above, in the metal-clad laminate of the present invention, an insulating resin layer consisting of a single layer or multiple layers of polyimide is formed on a metal layer as a supporting base material by a casting method or a sequential coating method. is preferable from the viewpoint of dimensional stability, but is not particularly limited. For example, an insulating resin layer (resin film) comprising a layer of the polyimide of the present invention is prepared, a seed layer is formed by sputtering metal onto this, and then a metal layer is formed by, for example, plating. You may.

また、本発明のポリイミドを含んで構成される絶縁樹脂層(樹脂フィルム)を用意し、これに金属箔を熱圧着などの方法でラミネートすることによって調製してもよい。 Alternatively, the insulating resin layer (resin film) containing the polyimide of the present invention may be prepared, and a metal foil may be laminated thereon by a method such as thermocompression bonding.

それらの場合、樹脂フィルムと金属層の接着性を高めるために、樹脂フィルムの表面を例えばプラズマ処理などの改質処理を施してもよい。 In those cases, the surface of the resin film may be subjected to a modification treatment such as plasma treatment in order to improve the adhesion between the resin film and the metal layer.

また、両面に金属層を有する金属張積層板を製造する場合は、例えば上記方法により得られた片面金属張積層板のポリイミドの層の上に、直接、あるいは必要に応じて絶縁樹脂層の透明性などの特性を阻害しない接着層を形成した後、金属層を加熱圧着等の手段で積層することにより得ることができる。金属層を加熱圧着の場合の熱プレス温度については、特に限定されるものではないが、使用される金属層に隣接するポリイミド層のガラス転移温度以上であることが望ましい。また、熱プレス圧力については、使用するプレス機器の種類にもよるが、1~500kg/mの範囲であることが望ましい。 In addition, when manufacturing a metal-clad laminate having metal layers on both sides, for example, a transparent insulating resin layer can be applied directly onto the polyimide layer of the single-sided metal-clad laminate obtained by the above method, or as needed. It can be obtained by forming an adhesive layer that does not impede properties such as properties, and then laminating a metal layer by heat-pressure bonding or the like. The hot pressing temperature when the metal layer is heat-pressed is not particularly limited, but it is preferably higher than the glass transition temperature of the polyimide layer adjacent to the metal layer used. Furthermore, the hot press pressure is preferably in the range of 1 to 500 kg/m 2 , although it depends on the type of press equipment used.

(ピール強度)
本発明の金属張積層板における絶縁樹脂層と金属層との180°ピール強度は0.3kN/m以上であることが好ましく、0.5kN/mであることがより好ましい。
なお、本明細書において、物性・特性値の評価は実施例に記載した条件で測定したものであり、特に記載がないものは、室温(23℃)での測定値である。
(Peel strength)
The 180° peel strength between the insulating resin layer and the metal layer in the metal-clad laminate of the present invention is preferably 0.3 kN/m or more, more preferably 0.5 kN/m.
In this specification, the evaluation of physical properties and characteristic values was measured under the conditions described in the examples, and unless otherwise specified, the values were measured at room temperature (23° C.).

<回路基板>
本発明の金属張積層板は、主にFPCなどの回路基板材料として有用である。金属張積層板の金属層を常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の回路基板を製造できる。すなわち、本発明の回路基板は、絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に設けられている配線層と、を備えており、絶縁樹脂層の一部分又は全部が、上記のポリイミドの層(ポリイミドフィルム)。また、絶縁樹脂層と配線層との接着性を高めるために、絶縁樹脂層における配線層に接する層は、熱可塑性ポリイミドの層であることがよい。
<Circuit board>
The metal-clad laminate of the present invention is mainly useful as a material for circuit boards such as FPC. The circuit board of the present invention can be manufactured by processing the metal layer of the metal-clad laminate into a pattern by a conventional method to form a wiring layer. That is, the circuit board of the present invention includes an insulating resin layer and a wiring layer provided on at least one surface of the insulating resin layer, and a part or all of the insulating resin layer is made of the above polyimide. layer (polyimide film). Furthermore, in order to improve the adhesion between the insulating resin layer and the wiring layer, the layer of the insulating resin layer that is in contact with the wiring layer is preferably a thermoplastic polyimide layer.

以下、実施例に基づいて本発明の内容を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例の範囲に限定されるものではない。 Hereinafter, the content of the present invention will be specifically explained based on Examples, but the present invention is not limited to the scope of these Examples.

本実施例に用いた略号は以下の化合物を示す。
BTDA:3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸ニ無水物
BPDA:3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
DAPE:4,4’-ジアミノジフェニルエーテル
BAPP:2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン
m-TB:2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル
TPE-R:1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン
DABA:4,4’-ジアミノベンズアニリド
MABA:4,4’-ジアミノ-2’-メトキシベンズアニリド
3,4’-DAPE:3,4’-ジアミノジフェニルエーテル
TPE-Q:1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン
DMAc:N,N-ジメチルアセトアミド
The abbreviations used in this example represent the following compounds.
BTDA: 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride PMDA: Pyromellitic dianhydride DAPE: 4, 4'-diaminodiphenyl ether BAPP: 2,2-bis(4-aminophenoxyphenyl)propane m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl TPE-R: 1,3-bis(4- aminophenoxy)benzene DABA: 4,4'-diaminobenzanilide MABA: 4,4'-diamino-2'-methoxybenzanilide 3,4'-DAPE: 3,4'-diaminodiphenyl ether TPE-Q: 1,4 -Bis(4-aminophenoxy)benzeneDMAc: N,N-dimethylacetamide

また、実施例において評価した各特性については、下記評価方法に従った。 Moreover, the following evaluation method was followed for each characteristic evaluated in the examples.

[粘度の測定]
ポリアミド酸溶液の粘度は、恒温水槽付のコーンプレート式粘度計(トキメック社製)
にて、25℃で測定した。
[Measurement of viscosity]
The viscosity of the polyamic acid solution was measured using a cone-plate viscometer (manufactured by Tokimec) with a constant temperature water bath.
Measurements were made at 25°C.

[重量平均分子量(Mw)]
ゲル浸透クロマトグラフィー(東ソー株式会社製、商品名;HLC-8220GPC)により測定した。標準物質としてポリスチレンを用い、展開溶媒にはN,N-ジメチルアセトアミドを用いた。
[Weight average molecular weight (Mw)]
It was measured by gel permeation chromatography (manufactured by Tosoh Corporation, trade name: HLC-8220GPC). Polystyrene was used as a standard substance, and N,N-dimethylacetamide was used as a developing solvent.

[厚み方向熱拡散率(α)、厚み方向熱伝導率(λz)]
ポリイミド樹脂フィルムを20mm×20mmのサイズに切り出し、レーザーフラッシュ法による厚み方向の熱拡散率α(NETZSCH社製、商品名;キセノンフラッシュアナライザーLFA447 Nanoflash装置)、示差走査熱量測定(DSC)による比熱、水中置換法による密度をそれぞれ測定し、これらの結果をもとに熱伝導率(W/m・K)を算出した。測定装置の都合上、この時の測定においては、80μm厚みのフィルムを使用した。
[Thickness direction thermal diffusivity (α), thickness direction thermal conductivity (λz)]
A polyimide resin film was cut into a size of 20 mm x 20 mm, and the thermal diffusivity α in the thickness direction was determined by the laser flash method (manufactured by NETZSCH, product name: Xenon Flash Analyzer LFA447 Nanoflash device), specific heat by differential scanning calorimetry (DSC), and the temperature in water. The density was measured by the substitution method, and the thermal conductivity (W/m·K) was calculated based on these results. Due to the convenience of the measuring device, a film with a thickness of 80 μm was used in this measurement.

[引き裂き伝播抵抗]
63.5mm×50mmのポリイミド樹脂フィルムを試験片とし、試験片に長さ12.7mmの切り込みを入れ、(株)東洋精機製の軽荷重引裂き試験機を用いて引裂き伝播抵抗を測定した。
[Tear propagation resistance]
A 63.5 mm x 50 mm polyimide resin film was used as a test piece, a cut with a length of 12.7 mm was made in the test piece, and the tear propagation resistance was measured using a light load tear tester manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd.

[端裂抵抗]
JIS C2151(2019)のB法に従い、幅20mm×長さ200mmのポリイミドフィルムを試験片として、東洋精機社製、商品名;ストログラフR1を用いて端裂抵抗を測定した。
[End tear resistance]
According to method B of JIS C2151 (2019), end tear resistance was measured using a polyimide film with a width of 20 mm and a length of 200 mm as a test piece using Strograph R1 manufactured by Toyo Seiki Co., Ltd., trade name.

[引張弾性率、引張強度、引張伸度]
ポリイミドフィルム(10mm×15mm)の試験片を準備し、テンシロン万能試験機(オリエンテック株式会社製、RTA-250)を用い、引張速度10mm/minでIPC-TM-650, 2.4.19に準じて引張試験を行い、引張弾性率、引張強度、引張伸度を算出した。
[Tensile modulus, tensile strength, tensile elongation]
Prepare a test piece of polyimide film (10 mm x 15 mm) and test it using a Tensilon universal testing machine (Orientech Co., Ltd., RTA-250) at a tensile speed of 10 mm/min in accordance with IPC-TM-650, 2.4.19. A tensile test was conducted, and the tensile modulus, tensile strength, and tensile elongation were calculated.

[熱膨張係数(CTE)]
ポリイミドフィルム(3mm×15mm)を、熱機械分析(TMA)装置にて5.0gの荷重を加えながら10℃/minの昇温速度で30℃から280℃まで昇温し、次いで、250℃から100℃までの降温し、降温時におけるポリイミドフィルムの伸び量(線膨張)から熱膨張係数を測定した。
[Coefficient of thermal expansion (CTE)]
A polyimide film (3 mm x 15 mm) was heated from 30°C to 280°C at a heating rate of 10°C/min while applying a load of 5.0g using a thermomechanical analysis (TMA) device, and then from 250°C to 280°C. The temperature was lowered to 100°C, and the coefficient of thermal expansion was measured from the amount of elongation (linear expansion) of the polyimide film at the time of cooling.

[熱分解温度(Td1)]
窒素雰囲気下で10~20mgの重さのポリイミドフィルムを、SEIKO社製の熱重量分析(TG)装置TG/DTA6200にて一定の速度で30℃から550℃まで昇温させたときの重量変化を測定し、200℃での重量をゼロとし、重量減少率が1%の時の温度を熱分解温度(Td1)とした。
[Thermal decomposition temperature (Td1)]
The weight change when a polyimide film weighing 10 to 20 mg was heated at a constant rate from 30°C to 550°C in a thermogravimetric analysis (TG) device TG/DTA6200 manufactured by SEIKO in a nitrogen atmosphere. The weight at 200°C was set to zero, and the temperature at which the weight loss rate was 1% was defined as the thermal decomposition temperature (Td1).

[ピール強度]
ピール強度を測定するために、得られた金属張積層板について金属層を25μmにメッキアップして積層体を調製後、1mmのパターンに回路加工した。テンションテスターを用い、積層体から得られた幅1mmの回路を有するサンプルのポリイミドフィルム側を両面テープによりアルミ板に固定し、銅箔を180°方向に50mm/minの速度で剥離して、ピール強度を求めた。
[Peel strength]
In order to measure the peel strength, the obtained metal-clad laminate was plated with a metal layer of 25 μm to prepare a laminate, and then circuit-processed into a 1 mm pattern. Using a tension tester, the polyimide film side of the sample having a circuit with a width of 1 mm obtained from the laminate was fixed to an aluminum plate with double-sided tape, and the copper foil was peeled off in a 180° direction at a speed of 50 mm/min. The strength was determined.

合成例1~13
ポリアミド酸溶液A~Nを合成するため、窒素気流下で、500mlのセパラブルフラスコの中に、表1で示した固形分濃度となるように溶剤のDMAcを加え、表1に示したジアミン成分及び酸無水物成分(モル部)を添加し、室温で36時間攪拌し、重合反応を行い、ポリアミド酸の粘稠な溶液A~Nを調製した。
Synthesis examples 1 to 13
To synthesize polyamic acid solutions A to N, DMAc as a solvent was added to a 500 ml separable flask under a nitrogen stream so that the solid content concentration shown in Table 1 was obtained, and the diamine components shown in Table 1 were added. and an acid anhydride component (molar parts) were added thereto and stirred at room temperature for 36 hours to carry out a polymerization reaction to prepare viscous solutions A to N of polyamic acid.

[実施例1]
銅箔1(電解銅箔、福田金属箔粉工業社製、商品名;CF-T4MDS-HD-12、厚み;12μm、Rz=1.4μm)上に、合成例1で得たポリアミド酸溶液Aを硬化後の厚みが21μmとなるように塗布し、90~140℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。その後、130~360℃の温度範囲で、段階的に30分かけて昇温加熱して、銅箔1上にポリイミド層からなる絶縁樹脂層を積層した金属張積層板(CCL)1Aを作製した。金属張積層板1Aにおけるポリイミド層の特性を評価するために銅箔1をエッチング除去してフィルム1aを作製し、引き裂き伝播抵抗、端裂抵抗、ガラス転移温度(Tg)、CTE、Td1、引張弾性率、引張強度、引張伸度、ピール強度をそれぞれ評価した。
なお、熱拡散率(α)と熱伝導率(λ)の測定サンプルは、上記の手順において、硬化後の樹脂厚みが80μmになるように作製した以外は、同様とした。
[Example 1]
Polyamic acid solution A obtained in Synthesis Example 1 was placed on copper foil 1 (electrolytic copper foil, manufactured by Fukuda Metal Foil and Powder Industry Co., Ltd., product name: CF-T4MDS-HD-12, thickness: 12 μm, Rz = 1.4 μm). was applied so that the thickness after curing was 21 μm, and the solvent was removed by heating and drying at 90 to 140°C. Thereafter, the temperature was raised stepwise over 30 minutes in a temperature range of 130 to 360°C to produce a metal clad laminate (CCL) 1A in which an insulating resin layer made of a polyimide layer was laminated on the copper foil 1. . In order to evaluate the characteristics of the polyimide layer in the metal-clad laminate 1A, the copper foil 1 was removed by etching to prepare the film 1a, and the tear propagation resistance, end tear resistance, glass transition temperature (Tg), CTE, Td1, and tensile elasticity were evaluated. The tensile strength, tensile elongation, and peel strength were evaluated.
Note that samples for measuring thermal diffusivity (α) and thermal conductivity (λ z ) were prepared in the same manner as described above except that the resin thickness after curing was made to be 80 μm.

(実施例2~9、比較例1~4)
使用するポリアミド酸溶液の種類と厚みを変更し、実施例1と同様にして、ポリアミド酸溶液B、C、D、E、K、L、M又はNを用いた実施例2~9にかかる金属張積層板2B~9N及びフィルム2b~9n、並びにポリアミド酸溶液G、H、I又はJを用いた比較例1~4にかかる金属張積層板1G~4J及びフィルム1g~4jを得て、同様に評価した。
評価結果を表2~4に示す。
(Examples 2 to 9, Comparative Examples 1 to 4)
Metals according to Examples 2 to 9 using polyamic acid solutions B, C, D, E, K, L, M or N in the same manner as in Example 1 by changing the type and thickness of the polyamic acid solution used. Stretched laminates 2B to 9N and films 2b to 9n, and metal clad laminates 1G to 4J and films 1g to 4j according to Comparative Examples 1 to 4 using polyamic acid solutions G, H, I or J were obtained, and the same procedure was carried out. It was evaluated as follows.
The evaluation results are shown in Tables 2 to 4.

Figure 2023149765000007
Figure 2023149765000007

Figure 2023149765000008
Figure 2023149765000008

Figure 2023149765000009
Figure 2023149765000009

Figure 2023149765000010
Figure 2023149765000010

Claims (10)

下記一般式(1)で表される酸無水物成分から誘導される酸無水物残基と、
一般式(2)で表されるジアミン成分から誘導されるジアミン残基と
を含有し、
全酸無水物残基に対し、下記の一般式(1)で表される酸無水物成分から誘導される酸無水物残基を50モル%以上含有し、
全ジアミン残基に対し、下記の一般式(2)で表わされるジアミン成分から誘導されるジアミン残基を50モル%以上含有することを特徴とするポリアミド酸。
Figure 2023149765000011
Figure 2023149765000012
[式(2)中、Rは独立に、ハロゲン原子であるか、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1~6のアルキル基若しくはアルコキシ基であるか、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示す。m、nはそれぞれ独立して置換数を示し、mは0~4の整数、nは0~4の整数を示す。]
An acid anhydride residue derived from an acid anhydride component represented by the following general formula (1),
Contains a diamine residue derived from a diamine component represented by general formula (2),
Contains 50 mol% or more of acid anhydride residues derived from the acid anhydride component represented by the following general formula (1) based on the total acid anhydride residues,
A polyamic acid characterized by containing 50 mol% or more of diamine residues derived from a diamine component represented by the following general formula (2) based on all diamine residues.
Figure 2023149765000011
Figure 2023149765000012
[In formula (2), R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent group having 1 to 6 carbon atoms] represents a phenyl group or phenoxy group which may be substituted with a hydrocarbon group or an alkoxy group. m and n each independently represent the number of substitutions, m represents an integer of 0 to 4, and n represents an integer of 0 to 4. ]
下記一般式(3)で表されるジアミン成分から誘導されるジアミン残基を10モル%~50モル%を含有することを特徴とする請求項1に記載のポリアミド酸。
Figure 2023149765000013
[式(3)中、Zは-O-を示す。Rは独立に、ハロゲン原子であるか、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1~6のアルキル基若しくはアルコキシ基であるか、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示す。nは置換数を示し、0~4の整数である。nは0~3の整数を示す。]
The polyamic acid according to claim 1, containing 10 mol% to 50 mol% of a diamine residue derived from a diamine component represented by the following general formula (3).
Figure 2023149765000013
[In formula (3), Z represents -O-. R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or an alkoxy group represents a phenyl group or phenoxy group which may be substituted with n 1 indicates the number of substitutions and is an integer from 0 to 4. n 2 represents an integer from 0 to 3. ]
請求項1又は2に記載のポリアミド酸がイミド化されてなる、ポリイミド。 A polyimide obtained by imidizing the polyamic acid according to claim 1 or 2. 下記a)及びb);
a)20mm幅で測定した端裂抵抗が30N以上500N以下の範囲内であること、
b)厚み方向における熱伝導率(λz)が、0.20W/m・K以上の範囲内であること、
を満たす請求項3に記載のポリイミド。
Below a) and b);
a) The end tear resistance measured at a width of 20 mm is within the range of 30 N or more and 500 N or less,
b) The thermal conductivity (λz) in the thickness direction is within the range of 0.20 W/m K or more,
The polyimide according to claim 3, which satisfies the following.
更に、下記の条件c);
c)厚み方向における熱拡散率(α)が、0.100m2/s以上の範囲内であること、
を満たす請求項4に記載のポリイミド。
Furthermore, the following condition c);
c) The thermal diffusivity (α) in the thickness direction is within the range of 0.100 m 2 /s or more,
The polyimide according to claim 4, which satisfies the following.
更に、下記の条件d);
d)ガラス転移温度が250℃以上であること、
を満たすことを特徴とする請求項4又は5に記載のポリイミド。
Furthermore, the following condition d);
d) The glass transition temperature is 250°C or higher,
The polyimide according to claim 4 or 5, which satisfies the following.
更に、下記の条件e);
e)引き裂き伝播抵抗が1.5kN/mであること、
を満たすことを特徴とする請求項4~6のいずれかに記載のポリイミド。
Furthermore, the following condition e);
e) tear propagation resistance is 1.5 kN/m;
The polyimide according to any one of claims 4 to 6, which satisfies the following.
更に、下記の条件f);
f)熱膨張係数が50ppm/K以下であること、
を満たすことを特徴とする請求項4~7のいずれかに記載のポリイミド。
Furthermore, the following condition f);
f) The coefficient of thermal expansion is 50 ppm/K or less;
The polyimide according to any one of claims 4 to 7, which satisfies the following.
単層又は複数層からなる絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の片側又は両側に積層されている金属層と、を備えた金属張積層板であって、
前記絶縁樹脂層の少なくとも1層が、請求項3~8のいずれか1項に記載のポリイミドの層によって構成されていることを特徴とする金属張積層板。
A metal-clad laminate comprising an insulating resin layer consisting of a single layer or multiple layers, and a metal layer laminated on one side or both sides of the insulating resin layer,
A metal-clad laminate, wherein at least one of the insulating resin layers is composed of a polyimide layer according to any one of claims 3 to 8.
単層又は複数層からなる絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層の片側又は両側に積層されている導体回路層と、を備えた回路基板であって、
前記絶縁樹脂層の少なくとも1層が、請求項3~8のいずれか1項に記載のポリイミドの層によって構成されている回路基板。
A circuit board comprising an insulating resin layer consisting of a single layer or multiple layers, and a conductor circuit layer laminated on one side or both sides of the insulating resin layer,
A circuit board, wherein at least one layer of the insulating resin layer is constituted by a layer of polyimide according to any one of claims 3 to 8.
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