JP2023127605A - 端子カバー付き半導体スイッチ装置および電源システム - Google Patents

Abstract

【課題】リード端子間に所定の沿面距離を確保できる端子カバー付き半導体スイッチ装置及びそれを用いた電源システムを提供する。【解決手段】端子カバー付き半導体スイッチ装置１は、パッケージ本体１１の側面１２から、第１リード端子～第３リード端子２０～４０が突出するパッケージ１０と、第２リード端子３０の根元付近に取り付けられる絶縁性の端子カバー５０と、を備える。端子カバー５０は、パッケージ本体１１の側面１２に接触する一端と、第２リード端子３０を導出する導出口を有する他端と、を有する。パッケージ本体１１の側面１２から延びる端子カバー５０の、途中の位置に相当する箇所で、第１リード端子２０および／または第３リード端子４０は、回路基板に向けて折り曲げられ、第２リード端子３０の前記導出口から導出された箇所と、第１リード端子２０または第３リード端子４０との間に、所定の沿面距離が確保されている。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、端子カバー付き半導体スイッチ装置、およびそれを用いた電源システムに関する。

特許文献１に開示されるＦＥＴ（電解効果トランジスタ）取付構造は、回路基板の表面に取り付けた樹脂プレートが、各ＦＥＴのリード端子を差し込むためのガイド穴を有する。

半導体スイッチ装置のパッケージ本体に近い、リード端子の根元部に応力がかかると、パッケージ本体のモールド樹脂による耐湿性が低下する。そのため、リード端子を折曲げ加工（フォーミング）する場合、リード端子の、パッケージ本体からある程度離れた箇所を折り曲げることが推奨されている。

特開２００１－３２６４４２

半導体スイッチ装置における、３本のリード端子の根元間の距離は、パッケージサイズに応じて決まっている。例えば、ＴＯ－２４７パッケージでは、ゲート端子の根元とドレイン端子の根元との間の距離、ドレイン端子の根元とソース端子の根元との間の距離がそれぞれ、３ミリメートル［ｍｍ］以下である

再生可能エネルギー用（例えば、太陽光発電用）パワーコンディショナなどの高電圧の電力を入出力する電源システムに用いる部品には、電気的絶縁性の確保のための所定の絶縁距離（空間距離、沿面距離）が法令で定められている。入出力する電圧が高いほど、長い沿面距離が求められる。

近年、半導体スイッチ装置（例えば、ＳｉＣ－ＦＥＴ）は、性能が著しく向上しており、高電圧の用途にも十分な耐久性を発揮する。しかし、上述のように３本のリード端子間の距離はパッケージサイズに応じて決まっているため、小型の半導体スイッチ装置は、電源システム用途で求められる沿面距離を確保できない場合がある。その結果、性能もコストも優れる半導体スイッチ装置を、電源システムに用いることができない。

本発明の一態様は、リード端子間に所定の沿面距離を確保できる端子カバー付き半導体スイッチ装置、およびそれを用いた電源システムを提供する。

本発明の一態様に係る端子カバー付き半導体スイッチ装置は、パッケージ本体の側面から、第１リード端子、第２リード端子、および第３リード端子が突出するパッケージと、第２リード端子の根元付近に取り付けられる絶縁性の端子カバーと、を備える。前記端子カバーは、前記パッケージ本体の側面に接触する一端と、前記第２リード端子を導出する導出口を有する他端と、を有する。前記パッケージ本体の側面から延びる端子カバーの、途中の位置に相当する箇所で、前記第１リード端子および／または前記第３リード端子は、回路基板に向けて折り曲げられる。前記第２リード端子の前記導出口から導出された箇所と、前記第１リード端子または前記第３リード端子との間に、所定の沿面距離が確保されている。

上記態様によれば、リード端子間に所定の沿面距離を確保できる半導体スイッチ装置を提供できる。

端子カバー付き半導体スイッチ装置の斜視図である。 端子カバーの斜視図である。 端子カバー付き半導体スイッチ装置における沿面距離と、端子カバーがない半導体スイッチ装置における沿面距離とを説明する図である。 パワーコンディショナの設置例を説明する図である。 パワーコンディショナに内蔵される回路基板およびヒートシンクを説明する図であり、（Ａ）は側面図、（Ｂ）は平面図である。

端子カバー付き半導体スイッチ装置は、パッケージ本体の側面から、第１リード端子、第２リード端子、および第３リード端子が突出するパッケージと、第２リード端子の根元付近に取り付けられる絶縁性の端子カバーと、を備える。前記端子カバーは、前記パッケージ本体の側面に接触する一端と、前記第２リード端子を導出する導出口を有する他端と、を有する。前記パッケージ本体の側面から延びる端子カバーの、途中の位置に相当する箇所で、前記第１リード端子および／または前記第３リード端子は、回路基板に向けて折り曲げられる。前記第２リード端子の前記導出口から導出された箇所と、前記第１リード端子または前記第３リード端子との間に、所定の沿面距離が確保されている。

半導体スイッチ装置は、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）－ＦＥＴであってもよいが、それに限定はされない。
沿面距離は、第２リード端子の端子カバーから導出された箇所と、第１リード端子とを最短で繋ぐ仮想直線上の距離（空間距離）であってもよいし、第２リード端子の端子カバーから導出された箇所と、第３リード端子とを最短でつなぐ仮想直線上の距離（空間距離）であってもよい。
端子カバーは、パッケージに後付けされてもよいが、それに限定はされない。

上記構成の端子カバー付き半導体スイッチ装置は、端子カバーの途中の位置に相当する箇所で第１リード端子および／または第３リード端子を折り曲げることによってリード端子間に所定の沿面距離を確保できる。そのため、端子カバー付き半導体スイッチ装置は、電源システムなどの高電圧用途に好適に用いることができる。端子カバーを後付けして沿面距離を確保することで、沿面距離を確保できずにこれまで適用できなかった既存のデバイスを、電源システムに適用できる。

前記端子カバーは、前面壁に設けられて前記端子カバーの一端から他端まで延びる、絶縁性の充填剤を入れるための開口を有してもよい。

充填剤は、流動性を持って端子カバーに導入されてその後固化する接着剤であってもよいが、それに限定はされず、その他の封止樹脂であってもよい。
上記構成によれば、第２リード端子に端子カバーを取り付ける作業を容易に行なえる。端子カバーの樹脂成形も容易に行なえる。第２リード端子の根元付近を覆う端子カバー内に充填剤を入れて、リード端子間のトラッキング（リード端子の間に水分を含んだ埃が付着して短絡する現象）が生じることを防止できる。

前記端子カバーは、前記第２リード端子の根元部と、前記根元部に接続された可変形部の一部とを覆い、前記可変形部の他の部分を前記端子カバーから外部に露出させてもよい。

上記構成によれば、端子カバーが、第２リード端子の根元部から可変形部の一部までを覆う（第２リード端子のある程度の範囲を覆う）ことで、リード端子間に所定の沿面距離を確保できる。
可変形部は、フォーミングを容易にするために、根元部より幅寸法や厚み寸法が小さくなっていてもよい

前記端子カバーは、側壁の外面が、前記第１リード端子の根元部および可変形部の一部、または、前記第３リード端子の根元部および可変形部の一部に対向していてもよい。

上記構成によれば、隣接する第１リード端子や第３リード端子は覆わず、第２リード端子のみを覆う端子カバーを用いて、第２リード端子の端子カバーから導出された箇所と、第１リード端子または第３リード端子との間を遮る。端子カバーは、第２リード端子のみを覆うため、取り付け作業は容易であるとともに、端子カバーを小型化でき、追加コストを低減できる。

前記第２リード端子の、前記端子カバーから露出した可変形部は、前記回路基板に向けて折り曲げられ、前記端子カバーは、その背面壁の外面が、前記回路基板に対向していてもよい。

上記構成によれば、回路基板上の導体と第２リード端子との間を、端子カバーの背面壁で遮ることができる。端子カバーの取り付け時に、第２リード端子の折り曲げ部の内側コーナー部分と端子カバーの背面壁との間に治具を挿入した状態で端子カバーに充填剤を入れることで、第２リード端子の根元付近を隙間なく絶縁できる。

前記第２リード端子は、前記第１リード端子および前記第３リード端子よりも高電圧になる端子（例えば、主回路端子）であってもよい。

上記構成によれば、最も高電圧となる端子を、弱電系の信号端子やグランド端子から遠ざけ、物理的な沿面距離を確保できて、信頼性を向上できる。

前記背面壁は、前記回路基板に引っ掛かる凸部を有してもよい。

上記構成によれば、端子カバーを回路基板に引っ掛けることで、意図しない端子カバーの落下を防ぐことができる。充填剤（接着剤）が経年劣化しても、端子カバーの落下を防止できる。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明するが、本発明は実施形態に限定されない。

図１に示すように、端子カバー付き半導体スイッチ装置１は、ＴＯ－２４７パッケージ１０と、絶縁性の端子カバー５０とを備える。パッケージ１０は、ＳｉＣ－ＦＥＴなどの半導体スイッチ装置であってもよい。

パッケージ１０は、平面視においてほぼ四角形状のパッケージ本体１１と、パッケージ本体１１の一つの側面１２から突出する、第１リード端子２０、第２リード端子３０、および第３リード端子４０とを有する。第１リード端子２０、第２リード端子３０、および第３リード端子４０は、平面視において側面１２から平行に突出して延びている。

第１リード端子２０、第２リード端子３０、および第３リード端子４０はそれぞれ、根元部と、根元部より幅寸法が小さい可変形部とを有する。

ＳｉＣ－ＦＥＴにおいては、第１リード端子２０はゲート端子（弱電系の信号端子）、第２リード端子３０はドレイン端子（高電圧になる主回路端子）、第３リード端子４０はソース端子（グランド端子）である。

端子カバー５０は、第２リード端子３０に取り付けられている。端子カバー５０は樹脂製で、パッケージ本体１１の側面１２に接触する一端と、第２リード端子３０を導出する導出口を有する他端と、接着剤６０を入れるために一端と他端との間に設けられた開口と、を有する。

図２に示すように、端子カバー５０は、その外観がほぼ直方体形状であり、第２リード端子３０（図１参照）を囲うように、前面壁５４と、側壁５１，５２と、背面壁５３とを有する。前面壁５４、側壁５１，５２、背面壁５３により、第２リード端子３０の根元付近を収容するための内部空間が画定されている。内部空間は、第２リード端子３０を導出するための導出口５６と連通している。

前面壁５４には、その一端（上端）から他端（下端）まで延びる開口５７が設けられている。本実施形態においては、開口５７は直線状のスリットであり、開口５７は導出口５６と連通している。開口５７は、端子カバー５０を樹脂成形する際に金型コアを抜くためにも用いられる。

側壁５１，５２は、図２における下側（パッケージ本体１１の反対側）において、内面が内部空間に向けて膨出した厚肉部５１ａ，５２ａを有している。この構成により、導出口５６からの第２リード端子の導出を許容しながら、開口５７から導入される接着剤６０（図１参照）が図２における下方に溢れることを抑制する。前面壁５４や背面壁５３が、このような厚肉部を有してもよい。

背面壁５３は、その内面の上側に段部５７が形成され（薄肉部が形成され）、内部空間が拡げられている。この構成により、開口５７から導入される接着剤６０（図１参照）が図２における上方に、パッケージ本体１１に向けて流動しやすくするとともに、接着剤６０が内部空間から溢れることを抑制する。側壁５１，５２や前面壁５４が、このような薄肉部を有してもよい。

背面壁５３は、その外面の一端（上端）に、後述する回路基板に引っ掛かる凸部５３ａを有している。

図１に示すように、端子カバー５０は、第２リード端子３０の根元部と、根元部に接続された可変形部の一部とを覆い、可変形部の残りの部分（先端に近い部分）を端子カバー５０から外部に露出させている。

第２リード端子３０は、端子カバー５０から外部に露出した可変形部が、図１に破線で示す回路基板１１０に向けて折り曲げられている。

端子カバー５０は、背面壁５３（図２参照）の外面が、回路基板１１０に対向する。

端子カバー５０は、一方の側壁５１の外面が、第１リード端子２０の根元部および可変形部の一部に対向する。端子カバー５０は、他方の側壁５２の外面が、第３リード端子４０の根元部および可変形部の一部に対向する。

図１においてパッケージ本体１１の側面１２から延びる端子カバー５０の、途中の位置に相当する箇所で、第１リード端子２０の可変形部は、回路基板１１０に向けて折り曲げられている。パッケージ本体１１の側面１２と平行な方向において、端子カバー５０の側壁５１の外面が、第１リード端子２０の折り曲げ部に対向している。同様に、第３リード端子４０の可変形部も、回路基板１１０に向けて折り曲げられている。端子カバー５０の側壁５２の外面が、第３リード端子４０の折り曲げ部に対向している。これにより、端子カバー５０の導出口５６（図２参照）から導出された第２リード端子３０の、側方（パッケージ本体１１の側面１２と平行な方向）には、第１リード端子２０および第３リード端子４０が存在しない。

もし第２リード端子３０の側方に、第１リード端子２０および第３リード端子４０が存在すると、端子カバーを備えない図３（Ｂ）の場合と同様に、沿面距離（空間距離）Ｄ２は、パッケージサイズに応じた短いものとなる。

それに対し、本実施形態においては、図３（Ａ）に模式的に示すように、第２リード端子３０に端子カバー５０を取り付けるとともに、図３（Ａ）の破線部で、第１リード端子２０、第２リード端子３０、および第３リード端子４０それぞれを、同じ方向に折り曲げる。これにより、沿面距離Ｄ１は、図３（Ｂ）のそれＤ２と比べて長くなる。ここで、図３（Ａ）では、接着剤の図示を省略している。

図１を参照して、更に詳しく説明する。平面視において、第２リード端子３０の、端子カバー５０の導出口５６（図２参照）付近の箇所と、第１リード端子２０の折り曲げ部との間に、端子カバー５０の下端（側壁５１の下端）が存在して、それらの間を遮っている。同様に、第２リード端子３０の、端子カバー５０の導出口５６付近の箇所と、第３リード端子４０の折り曲げ部との間に、端子カバー５０の下端（側壁５２の下端）が存在して、それらの間を遮っている。

これにより、図３（Ａ）に示したように、沿面距離Ｄ１（平面視において、端子カバー５０の下端と干渉しないように、第２リード端子３０と、第１リード端子２０または第３リード端子４０とを最短でつなぐ仮想直線）を長くしている。

図１に示すように回路基板１１０に向けて折り曲げられた、第１、第２、第３リード端子２０，３０，４０の先端が、回路基板１１０に形成された３個のスルーホールに挿入される（またはランドに接合される）。それらスルーホール（またはランド）の各中心を仮想直線でつなぐと、底辺が回路基板１１０の端部１１０ａにほぼ平行な逆三角形が形成される。その逆三角形の斜辺Ｓ１，Ｓ２を、端子カバー５０の側壁５１，５２が遮る。

こうして、第２リード端子３０の、導出口５６から導出された箇所と、第１リード端子２０または第３リード端子４０との間に、所定の沿面距離Ｄ１（例えば、７ｍｍ）が確保される。高圧（例えば１０００ボルト）の電力が入出力するパワーコンディショナに、小型の半導体スイッチ装置を用いることができるようになる。

第２リード端子３０に端子カバー５０を取り付ける方法を説明する。端子カバー５０は、以下の手順で、既存のパッケージ１０（半導体スイッチ装置）に対して後付けされる。

先ず、パッケージ１０の、第１リード端子２０、第２リード端子３０、および第３リード端子４０それぞれの可変形部を、図３（Ａ）の破線部で、同じ方向に折り曲げる。

次に、端子カバー５０を、図１に示すように接着剤６０導入のための開口が上を向く姿勢で、作業面に置く。

次に、第２リード端子３０の根元付近が開口５７（図２参照）を通じて端子カバー５０の内部空間に収容されるように、パッケージ１０を作業面に置く。第１リード端子２０、第２リード端子３０、および第３リード端子４０は、上述のように可変形部が予め折り曲げられている。

次に、端子カバー５０の開口５７（図２参照）を通じて、図１に示すように接着剤６０を端子カバー５０の内部空間に導入し、内部空間を接着剤６０でほぼ満たす。第２リード端子３０の折り曲げ部の内側コーナー部分と端子カバー５０との間に、図示しない治具を挿入した状態（端子カバー５０をパッケージ本体１１に押し付けた状態）で、端子カバー５０に接着剤６０を入れることで、第２リード端子３０の根元付近を接着剤６０で隙間なく絶縁できる。

これにより、パッケージ１０と端子カバー５０とが接着剤６０で固定されるとともに、第２リード端子３０の根元付近が接着剤６０で封止されてリード端子２０，３０，４０間の沿面距離が確保される。

図４は、パワーコンディショナ１００の設置例を説明する図である。図４に示すように、パワーコンディショナ１００は、例えば商業施設や公共施設に設置された、複数の支柱３１０を含む構造物に支持される。この構造物には、太陽電池パネルＡも支持されている。パワーコンディショナ１００は、太陽電池パネルＡと、構造物外に設置された蓄電装置Ｂおよび負荷Ｃと電気的に接続されている。

パワーコンディショナ１００は、太陽電池パネルＡまたは蓄電装置Ｂからの直流電力を交流電力に変換し、負荷Ｃに供給する。パワーコンディショナ１００は、図示しない商用電力系統にも電気的に接続されており、太陽電池パネルＡからの直流電力を変換して交流電力を商用電力系統に売電することもできる。電力変換のために、半導体スイッチ装置が用いられる。

パワーコンディショナ１００の筐体内には、図５（Ａ）および図５（Ｂ）に示す回路基板１１０が、ほぼ鉛直方向に延びる姿勢で保持されている。回路基板１１０には、複数個の（本実施形態では１２個の）端子カバー付き半導体スイッチ装置１が実装されるとともに、それらスイッチ装置１を駆動するドライブ回路１２０、複数個の電解コンデンサ１３０などが設けられている。高電圧が印加される（強電系の）、長い沿面距離が必要な電解コンデンサ１３０は、端子カバー付き半導体スイッチ装置１の近傍に配置されている。長い沿面距離が必要とされない弱電系のドライブ回路１２０は、端子カバー付き半導体スイッチ装置１との間に電解コンデンサ１３０を挟むように、端子カバー付き半導体スイッチ装置１から離れて配置されている。

図５（Ａ）および図５（Ｂ）では、図１～図３に示した端子カバー５０を省略しているが、図５（Ｂ）に示す回路基板１１０の上端（上辺）１１０ａに、図２に示した端子カバー５０の凸部５３ａが引っ掛かる。

図５（Ａ）に示すように、複数個の端子カバー付き半導体スイッチ装置１のパッケージ本体は、回路基板１１０の端部（上端）１１０ａから突出しており、回路基板１１０に代わってパッケージ本体の背面側に位置する単一のヒートシンク１５０により支持されている。ヒートシンク１５０は、回路基板１１０の背面側に位置し、回路基板１１０より突出してパッケージ本体を支持する部分（上部）が、回路基板１１０とほぼ面一になるような厚肉部を有している。つまり、ヒートシンク１５０の、回路基板１１０の端部（上端）から突出した部分が厚肉部を有している。図５（Ｂ）に示すように水平方向に延びる単一のヒートシンク１５０の厚肉部は、複数個のパッケージ本体を直接的に支持してもよいし、熱伝導シートなどの絶縁シートを介して支持してもよい。

ヒートシンク１５０は、その背面に図示しない放熱フィンを備えつつ、全体としては板形状を有している。ヒートシンク１５０は、パワーコンディショナ１００（図４参照）の筐体の一部（例えば、筐体の背面壁）を構成し、図示しない放熱フィンは外気にさらされる。

図５（Ａ）に示すように、回路基板１１０に向けて折り曲げられた、第１リード端子、第２リード端子、および第３リード端子の先端が、回路基板１１０に半田付けされる。回路基板１１０に形成された３個のスルーホールを仮想直線でつなぐと、逆三角形が形成される（図１参照）。第１リード端子と第３リード端子は、上側の２個のスルーホールに半田付けされ、第２リード端子は、下側の頂点の位置のスルーホールに半田付けされる。その逆三角形の斜辺Ｓ１，Ｓ２を端子カバー５０の側壁５１，５２が遮る。

上述した端子カバー付き半導体スイッチ装置１は、端子カバー５０によってリード端子２０，３０，４０間に所定の沿面距離を確保できるため、パワーコンディショナを含む電源システムに好適に用いることができる。

ほぼ鉛直姿勢で保持された回路基板１１０の上端付近に、第１、第２、第３リード端子の可変形部が回路基板１１０に向けて折り曲げられた端子カバー付き半導体スイッチ装置１を取り付けたパワーコンディショナ１００は、更に以下の効果を奏する。
（１）小型で高性能のＳｉＣ－ＦＥＴ（既存のデバイス、販売されているデバイス）を用いて、パワーコンディショナ１００の高効率を達成できる。
（２）端子カバー５０の凸部５３ａを回路基板１１０の上端１１０ａに引っ掛けることで、意図しない端子カバー５０の落下を防ぐことができる。
（３）パッケージ本体の背面が回路基板１１０とほぼ平行でかつ回路基板１１０の端部から突出するように、リード端子を折り曲げて回路基板１１０に半田付けすることで、パッケージ冷却用のヒートシンク１５０の構造がシンプルになる。発熱するパッケージ本体が回路基板１１０の上側に位置するため、回路基板１１０に実装されて下側に位置している他の部品への熱の影響を低減できる。
（４）図１に示すように、端子カバー５０の開口５７が回路基板１１０と反対側に位置してアクセス可能であるため、半導体スイッチ装置を半田付けした後に、端子カバー５０に接着剤６０を足すことができる。

本発明は、上述した実施形態に限定されず、適宜変更が可能である。
半導体スイッチ装置は、ＳｉＣ素子に限定されず、ＧａＮ素子やＳｉ素子であってもよい。パッケージは、ＴＯ２４７型以外のタイプ、すなわち、ＴＯ２２０型やＴＯ３Ｐ型でもよい。

第１リード端子２０、第２リード端子３０、および第３リード端子４０を同じ方向に折り曲げる例を説明したが、代替的に、それらは異なる方向に折り曲げられてもよい。

端子カバー５０を、パッケージ本体１１の側面１２に直接接触させて、接着剤６０により端子カバー５０とパッケージ本体１１とを固定する例を説明した。代替的に、接着テープなどの別部品を用いて端子カバー５０とパッケージ本体１１とを固定してもよい。

電源システムは、パワーコンディショナに代えて、無停電電源装置（ＵＰＳ）であってもよいし、コージェネレーションシステム向けインバータであってもよいし、整流器や直流電源装置であってもよい。パワーコンディショナは、太陽光発電用に限定されず、風力発電用であってもよい。

電源システムは、冷却構造をシンプルにしつつ、高い冷却効果を得るべく、以下の（１）～（６）の構成を備えてもよい。
（１）回路基板と、
パッケージ本体と、第１、第２、第３リード端子とを有する半導体スイッチ装置であって、前記パッケージ本体の背面が前記回路基板とほぼ平行でかつ前記回路基板の端部から突出するように、前記リード端子が折り曲げられて前記回路基板に半田付けされた半導体スイッチ装置と、
前記回路基板の背面側に配置された板形状のヒートシンクと、を備え、
前記ヒートシンクは、前記回路基板の端部から突出し、前記半導体スイッチ装置を背面側から支持する厚肉部を有する、電源システム。

（２）複数個の前記半導体スイッチ装置のリード端子が、それらのパッケージ本体が前記回路基板の上端から突出するように前記回路基板に半田付けされ、前記ヒートシンクの厚肉部が水平方向に延びて、それらパッケージ本体の背面を直接的または間接的に支持している、上記（１）に記載の電源システム。

（３）前記ヒートシンクが、前記電源システムの筐体の一部を構成する、上記（１）または（２）に記載の電源システム。

（４）前記回路基板には、前記第１、第２、第３リード端子が接合される３個のスルーホールまたはランドが、それらをつないで形成される逆三角形の底辺が前記回路基板の端部にほぼ平行になるよう形成されている、上記（１）～（３）のいずれかに記載の電源システム。

（５）前記第２リード端子の折り曲げ部とパッケージ本体との間に、リード端子間に所定の沿面距離を確保するための端子カバーが取り付けられている、上記（１）～（４）のいずれかに記載の電源システム。

（６）前記端子カバーは、前記半導体スイッチ装置に後付けされている、上記（５）に記載の電源システム。

（７）前記端子カバーは、充填剤を入れるための開口にアクセスできるように前記第２リード端子に取り付けられている、上記（５）または（６）に記載の電源システム。

１ 端子カバー付き半導体スイッチ装置
１０ パッケージ（半導体スイッチ装置）
１１ パッケージ本体
１２ 側面
２０ ゲート端子（第１リード端子）
３０ ドレイン端子（第２リード端子）
４０ ソース端子（第３リード端子）
５０ 端子カバー
６０ 接着剤（充填剤）
１００ パワーコンディショナ（電源システム）

Claims (8)

1. パッケージ本体の側面から、第１リード端子、第２リード端子、および第３リード端子が突出するパッケージと、
   第２リード端子の根元付近に取り付けられる絶縁性の端子カバーと、を備え、
   前記端子カバーは、前記パッケージ本体の側面に接触する一端と、前記第２リード端子を導出する導出口を有する他端と、を有し、
   前記パッケージ本体の側面から延びる端子カバーの、途中の位置に相当する箇所で、前記第１リード端子および／または前記第３リード端子は、回路基板に向けて折り曲げられ、
   前記第２リード端子の前記導出口から導出された箇所と、前記第１リード端子または前記第３リード端子との間に、所定の沿面距離が確保されている
   端子カバー付き半導体スイッチ装置。
2. 前記端子カバーは、前面壁に設けられて前記端子カバーの一端から他端まで延びる、絶縁性の充填剤を入れるための開口を有している、請求項１に記載の端子カバー付き半導体スイッチ装置。
3. 前記端子カバーは、前記第２リード端子の根元部と、前記根元部に接続された可変形部の一部とを覆い、前記可変形部の他の部分を前記端子カバーから外部に露出させている、請求項１または請求項２に記載の端子カバー付き半導体スイッチ装置。
4. 前記端子カバーは、側壁の外面が、前記第１リード端子の根元部および可変形部の一部、または、前記第３リード端子の根元部および可変形部の一部に対向している、請求項３に記載の端子カバー付き半導体スイッチ装置。
5. 前記第２リード端子の、前記端子カバーから露出した可変形部は、前記回路基板に向けて折り曲げられ、
   前記端子カバーは、その背面壁の外面が、前記回路基板に対向している、請求項３または請求項４に記載の端子カバー付き半導体スイッチ装置。
6. 前記第２リード端子は、前記第１リード端子および前記第３リード端子よりも高電圧になる、請求項１～請求項５のいずれかに記載の端子カバー付き半導体スイッチ装置
7. 前記背面壁は、前記回路基板に引っ掛かる凸部を有する、請求項１～請求項６のいずれかに記載の端子カバー付き半導体スイッチ装置。
8. 請求項１～請求項７のいずれかに記載の端子カバー付き半導体スイッチ装置と、
   回路基板と、
   前記回路基板の端部から突出した前記端子カバー付き半導体スイッチ装置のパッケージ本体を背面側から支持するヒートシンクと、を備える
   電源システム。
   

Images