JP2023123009A - ディスク装置用サスペンションのフレキシャ、およびディスク装置用サスペンション - Google Patents

Abstract

【課題】 薄型化が可能なディスク装置用サスペンションのフレキシャ、およびディスク装置用サスペンションを提供する。【解決手段】 一実施形態に係るディスク装置用サスペンションのフレキシャは、メタルベースと、前記メタルベースに沿って設けられ、ベース絶縁層と前記ベース絶縁層に重ねられた導体層と前記導体層に重ねられたカバー絶縁層とを有する配線部と、を備える。前記フレキシャは、電子部品が搭載される第１領域と、前記第１領域と並ぶ第２領域と、を有し、前記第１領域は、前記電子部品と重なるとともに、前記第２領域の厚さよりも厚さの小さい薄肉部を含んでいる。【選択図】 図５

Description

本発明は、ディスク装置用サスペンションのフレキシャ、およびディスク装置用サスペンションに関する。

パーソナルコンピュータなどの情報処理装置には、ハードディスク装置（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスク装置は、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクや、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジはアームを有し、ボイスコイルモータ等のポジショニング用モータによってピボット軸を中心にディスクのトラック幅方向に旋回する。

上記アームにディスク装置用サスペンション（これ以降、単にサスペンションと称す）が取り付けられている。サスペンションは、ロードビームや、ロードビームに重ねられたフレキシャなどを含んでいる。フレキシャの先端付近に形成されたジンバル部には、磁気ヘッドを構成するスライダが設けられている。

スライダには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子（トランスジューサ）が設けられている。これらのロードビーム、フレキシャ、およびスライダなどによって、ヘッドジンバルアセンブリが構成されている。例えば、特許文献１には、記録媒体として磁気ディスクの設置枚数を増大可能なディスク装置が開示されている。

特開２０２０－１２９４２３号公報

ディスクの高記録密度化に対応するためには、ヘッドジンバルアセンブリをさらに小形化し、かつディスクの記録面に対してスライダをさらに高精度に位置決めできるようにすることが必要である。

記録密度の向上に対するハードディスク装置の記録容量の向上への要求が強いため、ハードディスク装置が備える磁気ディスクの枚数を増やすこと（いわゆる多盤化）が進められている。

磁気ディスクの枚数を増やすためには、磁気ディスクを薄型化するだけでなく、磁気ディスク同士の間隔を小さくする必要がある。磁気ディスク同士の間隔を小さくすると、磁気ディスク同士の間で向かい合うサスペンション同士が接触するリスクが高まる。そのため、サスペンションの薄型化が要求されている。サスペンションの薄型化に関しては未だに種々の改善の余地がある。

そこで、本発明は、薄型化が可能なディスク装置用サスペンションのフレキシャ、およびディスク装置用サスペンションを提供することを目的の一つとする。

一実施形態に係るディスク装置用サスペンションのフレキシャは、メタルベースと、前記メタルベースに沿って設けられ、ベース絶縁層と前記ベース絶縁層に重ねられた導体層と前記導体層に重ねられたカバー絶縁層とを有する配線部と、を備える。前記フレキシャは、電子部品が搭載される第１領域と、前記第１領域と並ぶ第２領域と、を有し、前記第１領域は、前記電子部品と重なるとともに、前記第２領域の厚さよりも厚さの小さい薄肉部を含んでいる。

前記導体層は、前記第１領域および前記第２領域にそれぞれ設けられてもよい。前記薄肉部における前記導体層の厚さは、前記第２領域Ａ２における前記導体層の厚さよりも小さくてもよい。前記ベース絶縁層は、前記第１領域および前記第２領域にそれぞれ設けられ、前記薄肉部における前記ベース絶縁層の厚さは、前記第２領域における前記ベース絶縁層の厚さよりも小さくてもよい。

前記薄肉部は、前記メタルベースと、前記ベース絶縁層と、前記カバー絶縁層とを有し、前記薄肉部における前記ベース絶縁層は、前記カバー絶縁層と接してもよい。前記電子部品が配置される枕をさらに有し、前記薄肉部は、前記メタルベースと、前記ベース絶縁層を有し、前記薄肉部における前記ベース絶縁層は、前記枕と接してもよい。

前記電子部品が配置される枕をさらに有し、前記薄肉部は、前記メタルベースを有し、前記薄肉部における前記メタルベースは、前記枕と接してもよい。前記メタルベースは、前記第１領域および前記第２領域にそれぞれ設けられ、前記薄肉部における前記メタルベースの厚さは、前記第２領域における前記メタルベースの厚さよりも小さくてもよい。

前記電子部品は、スライダでもよく、前記第２領域における前記配線部は、前記スライダと電気的に接続される端子部を有してもよい。前記電子部品は、アクチュエータでもよい。

一実施形態に係るディスク装置用サスペンションは、前記ディスク装置用サスペンションのフレキシャと、前記フレキシャが重なるロードビームと、を備える。

本発明によれば、薄型化が可能なディスク装置用サスペンションのフレキシャ、およびディスク装置用サスペンションを提供することができる。

図１は、ディスク装置の一例を示す概略的な斜視図である。 図２は、ディスク装置の一部を示す概略的な断面図である。 図３は、ディスク装置用サスペンションの一例を示す概略的な斜視図である。 図４は、図３に示すサスペンションを先端部から見た概略的な斜視図である。 図５は、第１実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。 図６は、第１実施形態に係るサスペンションの比較例を示す図である。 図７は、第２実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。 図８は、第３実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。 図９は、第４実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。 図１０は、第５実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。 図１１は、第６実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。 図１２は、第７実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。 図１３は、第８実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。 図１４は、第９実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。 図１５は、第１０実施形態に係るサスペンションの概略的な部分断面図である。

以下に図面を参照しながら、本発明の各実施形態について説明する。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状などを実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合がある。

［第１実施形態］
図１は、ディスク装置（ＨＤＤ）１の一例を示す概略的な斜視図である。図１に示す例において、ディスク装置１は、ケース２と、スピンドル３を中心に回転する複数の磁気ディスク（これ以降、単にディスク４と称す）と、ピボット軸５を中心に旋回可能なキャリッジ６と、キャリッジ６を駆動するためのポジショニング用モータ（ボイスコイルモータ）７と、を備えている。ケース２は、図示しない蓋によって密閉される。

図２は、ディスク装置１の一部を示す概略的な断面図である。図１および図２に示すように、キャリッジ６には複数（例えば、３つ）のアーム８が設けられている。キャリッジ６に設けられるアーム８の数量は、上述の例に限定されない。

複数のアーム８の先端部には、サスペンション１０がそれぞれ取り付けられている。サスペンション１０の先端部には、磁気ヘッドを構成するスライダ１１がそれぞれ設けられている。

ディスク４が高速で回転すると、ディスク４とスライダ１１との間に空気が流入することによって、エアベアリングが形成される。ポジショニング用モータ７によってキャリッジ６が旋回すると、サスペンション１０がディスク４の径方向に移動することにより、スライダ１１がディスク４の所望トラックまで移動する。

図２に示すように、ディスク４は、第１ディスク４Ａと、第２ディスク４Ｂと、を有している。第１ディスク４Ａは、第２ディスク４Ｂに所定の間隔を置いて対向している。ディスク装置１が備える複数のサスペンション１０には、第１サスペンション１０Ａと、第２サスペンション１０Ｂとが含まれている。

第１サスペンション１０Ａおよび第２サスペンション１０Ｂは、複数のアーム８のうち、ケース２の厚さ方向の中央部に位置するアーム８に取り付けられている。第１サスペンション１０Ａおよび第２サスペンション１０Ｂは、第１ディスク４Ａと第２ディスク４Ｂとの間に位置している。

ケース２の厚さ方向において、第１サスペンション１０Ａは、第２サスペンション１０Ｂと向かい合っている。複数のディスク４は２枚に限られず、３枚以上でもよい。ディスク４の枚数に応じて、サスペンション１０の数量は適宜変更される。

図３は、ディスク装置用サスペンション１０の一例を示す概略的な斜視図である。図４は、図３に示すサスペンション１０を先端部から見た概略的な斜視図である。サスペンション１０は、ベースプレート２１と、ロードビーム２２と、ロードビーム２２に重ねられたフレキシャ３０と、を備えている。ロードビーム２２およびフレキシャ３０などによって、ヘッドジンバルアセンブリ（ｈｅａｄ ｇｉｍｂａｌ ａｓｓｅｍｂｌｙ）が構成されている。

ロードビーム２２およびフレキシャ３０は、いずれもサスペンション１０の長手方向に延びている。以下、サスペンション１０、ロードビーム２２、およびフレキシャ３０の長手方向を長手方向Ｘと定義し、長手方向Ｘと直交する方向をサスペンション１０、ロードビーム２２、およびフレキシャ３０などの短手方向Ｙと定義する。

長手方向Ｘおよび短手方向Ｙと交差（例えば、直交）する方向をサスペンション１０、ロードビーム２２、およびフレキシャ３０などの厚さ方向Ｚと定義する。ケース２の厚さ方向は、厚さ方向Ｚに相当する。以下、厚さ方向Ｚに沿う長さを厚さと呼ぶ場合がある。

ベースプレート２１は、例えばステンレス鋼等の金属材料によって形成されている。ベースプレート２１の厚さは、例えば１２０μｍであるが、この例に限られない。ベースプレート２１には、キャリッジ６が備えるアーム８（図１および図２に示す）にサスペンション１０を取り付けるためのボス部２３が設けられている。

ロードビーム２２は、ステンレス鋼等の金属材料によって形成されている。ロードビーム２２の厚さは、例えば３０～８０μｍである。ロードビーム２２は、先端に向けて先細る形状を有している。ロードビーム２２の先端付近には、ディンプル２４が形成されている。

ロードビーム２２は、長手方向Ｘの一端にばね部２５を有している。ロードビーム２２は、図示しない溶接部において、例えばレーザを用いたスポット溶接によりベースプレート２１に固定されている。ロードビーム２２は，ばね部２５を介してベースプレート２１に弾性的に支持されている。

フレキシャ３０は、ベースプレート２１およびロードビーム２２に沿って配置されている。フレキシャ３０は、図示しない溶接部において、例えばレーザを用いたスポット溶接によりベースプレート２１およびロードビーム２２に固定されている。

フレキシャ３０は、ロードビーム２２と重なる先端側の部分３１と、先端側の部分３１からベースプレート２１の後方に向けて延びるフレキシャテール３２と、を含んでいる。フレキシャ３０は、例えば薄いステンレス鋼の板からなるメタルベース４０と、メタルベース４０に沿って設けられた配線部５０と、を備えている。

メタルベース４０は、基材層、ステンレス層と呼ばれる場合がある。メタルベース４０の厚さは、ロードビーム２２の厚さよりも小さい。メタルベース４０の厚さは、例えば１５~２０μｍである。

先端側の部分３１において、フレキシャ３０は、タング部３３と、一対のアウトリガー３４と、をさらに有している。一対のアウトリガー３４は、短手方向Ｙにおけるタング部３３の両側にそれぞれ配置されている。

一対のアウトリガー３４は、短手方向Ｙにおけるタング部３３の両外側に張り出す形状である。一対のアウトリガー３４は、メタルベース４０の一部であり、例えばエッチングによってそれぞれの輪郭が形成される。

フレキシャ３０には、スライダ１１が搭載されている。スライダ１１は、電子部品の一例である。スライダ１１の先端部には、例えばＭＲ素子のように磁気信号と電気信号とを変換可能な素子１２が設けられている。これらの素子１２によって、ディスク４に対するデータの書込みあるいは読取り等のアクセスが行なわれる。

配線部５０は、スライダ１１用の端子部５１を介してスライダ１１の素子に電気的に接続されている。タング部３３、一対のアウトリガー３４、およびディンプル２４などによって、スライダ１１を揺動自在に支持するジンバル部３５が構成されている。

図５は、第１実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。図５は、タング部３３を含むサスペンション１０の一部の長手方向Ｘに沿う断面を示している。図５に示す例において、タング部３３には、開口３６が形成されている。

スライダ１１は、フレキシャ３０と対向する底面１３と、長手方向Ｘの一方側に位置する側面１４と、を有している。側面１４には、フレキシャ３０の端子部５１と接続するための端子部１５が設けられている。スライダ１１の側面１４を含む端部は、開口３６と重なっている。

上述の通り、フレキシャ３０は、メタルベース４０および配線部５０を備えている。メタルベース４０は、面４０１と、面４０１と反対側の面４０２と、を有している。面４０１は、ロードビーム２２と対向する面である。ディンプル２４は面４０１に向かって突出しており、ディンプル２４の先端は面４０１と接している。

配線部５０は、メタルベース４０の面４０２上に重ねられたベース絶縁層６０と、ベース絶縁層６０に重ねられた導体層７０と、導体層７０に重ねられたカバー絶縁層８０と、を有している。

ベース絶縁層６０およびカバー絶縁層８０は、例えばポリイミドなどの電気絶縁性の樹脂材料によって形成されている。ベース絶縁層６０の厚さは、例えば８～１０μｍである。カバー絶縁層８０の厚さは、例えば４～５μｍである。

導体層７０は、銅などの高導電率の金属材料によって形成されている。図示されていないが、導体層７０は、短手方向Ｙに並ぶ複数の配線を有している。複数の配線は、例えば読取り用の配線および書込み用の配線を含んでいる。導体層７０の厚さは、例えば６～１２μｍである。

導体層７０は、例えばベース絶縁層６０に沿って所定のパターンとなるようにエッチングによって形成されている。他の方法としては、例えば所定パターンでマスキングされたベース絶縁層６０の上にめっきなどの層形成プロセスによって導体層７０を形成してもよい。

図５に示すように、フレキシャ３０は、電子部品（例えば、スライダ１１）が搭載される第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１と並ぶ第２領域Ａ２と、を有している。図５に示す例において、長手方向Ｘに並ぶ第１領域Ａ１および第２領域Ａ２の一部を示している。例えば、厚さ方向Ｚの一方側から見た場合の第１領域Ａ１の大きさは、電子部品の大きさよりも大きい。

メタルベース４０、ベース絶縁層６０、導体層７０、およびカバー絶縁層８０は、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２にそれぞれ設けられている。第１領域Ａ１おいて、メタルベース４０とスライダ１１との間には、ベース絶縁層６０、導体層７０、およびカバー絶縁層８０が位置している。

第１領域Ａ１におけるメタルベース４０の厚さは、第２領域Ａ２におけるメタルベース４０の厚さと等しい。厚さ方向Ｚにおいて、第１領域Ａ１におけるメタルベース４０の面４０１は、第２領域Ａ２におけるメタルベース４０の面４０１と同一平面上に位置している。

第１領域Ａ１におけるカバー絶縁層８０の厚さは、第２領域Ａ２におけるカバー絶縁層８０の厚さと等しい。第１領域Ａ１におけるカバー絶縁層８０は、開口３６側の導体層７０の一端を覆う側部８１を有している。

ベース絶縁層６０は、第１領域Ａ１において第１ベース絶縁部６１を有し、第２領域Ａ２において第２ベース絶縁部６２を有している。図５において、第１ベース絶縁部６１の厚さを厚さＴ６１で示し、第２ベース絶縁部６２の厚さを厚さＴ６２で示す。第１ベース絶縁部６１の厚さＴ６１は、第２ベース絶縁部６２の厚さＴ６２よりも小さい（Ｔ６１＜Ｔ６２）。

例えば、第１ベース絶縁部６１の厚さＴ６１は、第２ベース絶縁部６２の厚さＴ６２の４分の３以下である。さらに他の例として、第１ベース絶縁部６１の厚さＴ６１は、第２ベース絶縁部６２の厚さＴ６２の半分以下である。一例として、第１ベース絶縁部６１の厚さＴ６１は４～５μｍであり、第２ベース絶縁部６２の厚さＴ６２は８～１０μｍである。

導体層７０は、第１領域Ａ１において第１導体部７１を有し、第２領域Ａ２において第２導体部７２を有している。導体層７０をめっきなどの層形成プロセスによって形成する場合、第１導体部７１は第２導体部７２よりも層形成プロセスを少なくすることで形成される。

図５において、第１導体部７１の厚さを厚さＴ７１で示し、第２導体部７２の厚さを厚さＴ７２で示す。第１導体部７１の厚さＴ７１は、第２導体部７２の厚さＴ７２よりも小さい（Ｔ７１＜Ｔ７２）。

例えば、第１導体部７１の厚さＴ７１は、第２導体部７２の厚さＴ７２の４分の３以下である。さらに他の例として、第１導体部７１の厚さＴ７１は、第２導体部７２の厚さＴ７２の半分以下である。一例として、第１導体部７１の厚さＴ７１は３～６μｍであり、第２導体部７２の厚さＴ７２は６～１２μｍである。

第２領域Ａ２における導体層７０の第２導体部７２は、端子部５１を有している。端子部５１には、導体層７０を構成する配線の一端が位置している。端子部５１は、カバー絶縁層８０に覆われていない。端子部５１は、はんだなどのボンディング部材３７を介してスライダ１１の端子部１５と電気的に接続されている。

図示されていないが、端子部５１の表面は、めっきされている。めっきには、例えばＮｉ／Ａｕなどの金属材料が用いられる。めっきの厚さは、例えば０．５～１．０μｍである。図５に示すように、第２ベース絶縁部６２および第２導体部７２は、開口３６に向けて延出する延出部６２ａ，７２ａをそれぞれ有している。

フレキシャ３０は、第１領域Ａ１において、スライダ１１とカバー絶縁層８０との間に複数の枕９０をさらに有している。枕９０は、厚さ方向Ｚにおけるスライダ１１の取り付け高さを一定にするとともに、フレキシャ３０とスライダ１１との間に接着剤が溜まるための空間を形成する。

枕９０は、例えばポリイミドなどの電気絶縁性の樹脂材料によって形成されている。図５に示す例において、枕９０はカバー絶縁層８０と一体で形成されているが、カバー絶縁層８０とは別部材から形成されてもよい。枕９０の厚さは、例えば５μｍである。

図５に示すように、枕９０は長手方向Ｘに並んでいる。複数の枕９０は、スライダ１１が配置される面９１をそれぞれ有している。スライダ１１は、複数の枕９０の面９１上に配置され、接着剤によってフレキシャ３０と接着される。枕９０の断面形状は、長方形状であるが、この例に限られない。

第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、メタルベース４０、第１ベース絶縁部６１、第１導体部７１、およびカバー絶縁層８０が厚さ方向Ｚに積層することで薄肉部３８が形成されている。他の観点からは、第１領域Ａ１には、薄肉部３８が含まれている。

薄肉部３８は、電子部品が搭載される領域におけるフレキシャ３０の厚さを小さくするために形成されている。他の観点からは、第１領域Ａ１において、薄肉部３８が電子部品と重なるため、電子部品をロードビーム２２の側に近づけてフレキシャ３０に搭載することができる。図５に示すように、薄肉部３８は、厚さ方向Ｚにおいてスライダ１１と重なっている。

第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１（図５に示す）は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２（図５に示す）よりも小さい（Ｔ３１＜Ｔ３２）。例えば、フレキシャ３０の厚さとは、メタルベース４０の面４０１からスライダ１１の底面１３と対向するカバー絶縁層８０の面までの長さである。

図５に示す例において、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、薄肉部３８の厚さに相当する。すわなち、薄肉部３８の厚さは、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。第１ベース絶縁部６１および第１導体部７１が含まれるため、第１領域Ａ１における配線部５０の厚さは、第２領域Ａ２における配線部５０の厚さよりも小さい。

導体層７０の観点から、厚さ方向Ｚにおいて、第１導体部７１は、第２導体部７２よりもメタルベース４０の面４０１の近くに位置している。カバー絶縁層８０の観点から、第１領域Ａ１におけるカバー絶縁層８０は、第２領域Ａ２におけるカバー絶縁層８０よりもメタルベース４０の面４０１の近くに位置している。

枕９０の観点からは、厚さ方向Ｚにおいて、枕９０の面９１は、第２領域Ａ２におけるカバー絶縁層８０よりもメタルベース４０の面４０１の近くに位置している。さらに、厚さ方向Ｚにおいて、枕９０の面９１は、端子部５１よりもメタルベース４０の面４０１の近くに位置している。

スライダ１１の観点からは、厚さ方向Ｚにおいて、スライダ１１の底面１３は、第２領域Ａ２におけるカバー絶縁層８０よりもメタルベース４０の面４０１の近くに位置している。さらに、厚さ方向Ｚにおいて、スライダ１１の底面１３は、端子部５１よりもメタルベース４０の面４０１の近くに位置している。

図６は、第１実施形態に係るサスペンション１０の比較例を示す図である。図６に示すように、比較例であるサスペンション１００のフレキシャ３００には、第１領域Ａ１において、薄肉部３８が形成されていない。他の観点からは、ベース絶縁層６０は第１領域Ａ１において第１ベース絶縁部６１を有しておらず、導体層７０は第１領域Ａ１において第１導体部７１を有していない。

そのため、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３００の厚さＴ３０１（図６に示す）は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３００の厚さＴ３０２（図６に示す）と等しい。第２領域Ａ２におけるフレキシャ３００の厚さＴ３０２は、図５を用いて説明した第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２と等しい。

厚さ方向Ｚにおけるスライダ１１の端子部１５から導体層７０の端子部５１までの長さは、本実施形態に係るサスペンション１０のほうが比較例に係るサスペンション１００よりも小さい。

すわなち、本実施形態に係るサスペンション１０は、比較例に係るサスペンション１００よりもスライダ１１の端子部１５の位置が導体層７０の端子部５１の位置に対して相対的に低くなっている。

本実施形態に係るサスペンション１０は、比較例に係るサスペンション１００よりもスライダ１１をディンプル２４の近くに設けることで、磁気ヘッドを構成するスライダ１１を含む部分のサスペンション１０の厚さを小さくすることができる。他の観点からは、本実施形態に係るサスペンション１０は、比較例に係るサスペンション１００よりもサスペンション１０の高さを低くすることができる。

以上のように構成されたサスペンション１０のフレキシャ３０は、スライダ１１が搭載された第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１と並ぶ第２領域Ａ２とを有し、第１領域Ａ１は、スライダ１１と重なるとともに、第２領域Ａ２の厚さＴ３２よりも厚さの小さい薄肉部３８を含んでいる。

第１領域Ａ１において、スライダ１１と重なるよう薄肉部３８が形成されているため、
スライダ１１と重なる領域におけるフレキシャ３０の厚さを小さくすることができる。これにより、スライダ１１を含む部分のサスペンション１０の厚さを小さくすることができる。

その結果、フレキシャ３０およびサスペンション１０の厚さを抑制し、フレキシャ３０およびサスペンション１０を薄型化することができる。本実施形態において、薄肉部３８には第１ベース絶縁部６１および第１導体部７１がそれぞれ含まれているため、フレキシャ３０の厚さをより小さくすることができる。

このようなフレキシャ３０を備えるサスペンション１０であれば、スライダ１１を含む部分のサスペンション１０の厚さが小さくなっているため、ディスク４同士の間隔を小さくすることができる。これにより、ディスク装置１の厚さを抑制し、ディスク装置１を薄型化することができる。他の観点からは、ディスク４同士の間隔を小さくすることができるため、同じ高さのケース２に対してより多くのディスク４を設けることができる。

本実施形態においては、フレキシャ３０の先端側の部分３１において、部分的に薄肉部３８が形成されている。他の観点からは、薄肉部３８の大きさは、フレキシャ３０の先端側の部分３１の全体に占める割合が小さい。そのため、薄肉部３８を形成した場合にフレキシャ３０の振動特性、電気特性などの特性への影響がほとんどないため、フレキシャ３０の特性への影響を抑制した上で、フレキシャ３０の厚さを小さくすることができる。

さらに、第１ベース絶縁部６１の大きさが小さいため、電気特性への影響がほとんどなく、ベース絶縁層６０における絶縁破壊のリスクを低く保つことができる。さらに、第１領域Ａ１の導体層７０に第１導体部７１を設けた場合であっても、ベース絶縁層６０における絶縁破壊のリスクはほとんど変化しない。本実施形態であれば、絶縁破壊のリスクを低く保つことができる。

本実施形態に係るサスペンション１０は、比較例に係るサスペンション１００よりもスライダ１１の端子部１５の位置が導体層７０の端子部５１の位置に対して相対的に低くなっている。これにより、スライダ１１の端子部１５と導体層７０の端子部５１との間隔が小さくなり、ボンディング部材３７による、端子部１５と端子部５１との接続が容易となり、接続不良が発生しにくくなる。

本実施形態によれば、薄型化が可能なフレキシャ３０、およびディスク装置用サスペンション１０を提供することができる。以上説明した他にも、本実施形態からは種々の好適な作用が得られる。

なお、本実施形態において、薄肉部３８は第１ベース絶縁部６１および第１導体部７１を有していたが、第１ベース絶縁部６１および第１導体部７１の少なくとも一方を有していればよい。このような場合であっても、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１を小さくすることができる。

次に、他の実施形態について説明する。なお、以下に述べる他の実施形態および変形例において、上述した第１実施形態と同様の構成要素には、第１実施形態と同一の参照符号を付して、その詳細な説明を省略あるいは簡略化する場合がある。以下の各実施形態のフレキシャ３０は、サスペンション１０にそれぞれ適用することができる。

［第２実施形態］
図７は、第２実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。第２実施形態においては、第１領域Ａ１におけるメタルベース４０の厚さが第２領域Ａ２におけるメタルベース４０の厚さよりも小さい点で第１実施形態と相違する。

図７に示すように、メタルベース４０は、第１領域Ａ１において第１メタルベース部４１を有し、第２領域Ａ２において第２メタルベース部４２を有している。例えば、第１メタルベース部４１は、エッチング工程において、メタルベース４０の第１メタルベース部４１に相当する部分をハーフエッチングすることで形成される。

図７において、第１メタルベース部４１の厚さを厚さＴ４１で示し、第２メタルベース部４２の厚さを厚さＴ４２で示す。第１メタルベース部４１の厚さＴ４１は、第２メタルベース部４２の厚さＴ４２よりも小さい（Ｔ４１＜Ｔ４２）。

例えば、第１メタルベース部４１の厚さＴ４１は、第２メタルベース部４２の厚さＴ４２の４分の３以下である。さらに他の例として、第１メタルベース部４１の厚さＴ４１は、第２メタルベース部４２の厚さＴ４２の半分以下である。一例として、第１メタルベース部４１の厚さＴ４１は７～１０μｍであり、第２メタルベース部４２の厚さＴ４２は１５～２０μｍである。

第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、第１メタルベース部４１、第１ベース絶縁部６１、第１導体部７１、およびカバー絶縁層８０が厚さ方向Ｚに積層することで薄肉部３８が形成されている。図７に示すように、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。

さらに、第１領域Ａ１において、第１メタルベース部４１を含む薄肉部３８が形成されているため、本実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第１実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１（図５に示す）よりも小さい。ベース絶縁層６０の観点から、厚さ方向Ｚにおいて、第１ベース絶縁部６１は、第２ベース絶縁部６２よりもメタルベース４０の面４０１の近くに位置している。

第２実施形態のフレキシャ３０の構成においても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。第２実施形態のフレキシャ３０は、第１領域Ａ１において、第１メタルベース部４１を含む薄肉部３８が形成されているため、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さをさらに小さくすることができる。

第１領域Ａ１のメタルベース４０に第１メタルベース部４１を設けた場合であっても、ベース絶縁層６０における絶縁破壊のリスクはほとんど変化しないため、本実施形態であれば、絶縁破壊のリスクを低く保つことができる。

さらに、フレキシャ３０の先端側の部分３１の全体に占める第１メタルベース部４１の割合が小さいため、メタルベース４０における変形、寸法のバラつきなどが生じにくく、安定した品質のフレキシャ３０を提供することができる。

［第３実施形態］
図８は、第３実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。第３実施形態においては、第１領域Ａ１において、タング部３３には、開口が形成されていない点で上述の各実施形態と相違する。

図８に示すように、メタルベース４０、ベース絶縁層６０、導体層７０、およびカバー絶縁層８０は、第１領域Ａ１から第２領域Ａ２にわたり連続的に形成されている。端子部５１は、第１領域Ａ１においてスライダ１１とメタルベース４０との間を通る導体層７０によって形成されている。第２領域Ａ２において、端子部５１は、カバー絶縁層８０に覆われていない。

長手方向Ｘにおける端子部５１とスライダ１１との間において、フレキシャ３０には、段差Ｓが形成されている。第２領域Ａ２において、カバー絶縁層８０は、スライダ１１の側面１４に対向する面８２を有している。図８に示す例においては、面８２は、スライダ１１の側面１４と平行な面である。なお、面８２は、スライダ１１の側面１４と平行な面でなくてもよい。

第１領域Ａ１におけるメタルベース４０の厚さは、第２領域Ａ２におけるメタルベース４０の厚さと等しい。第１領域Ａ１におけるカバー絶縁層８０の厚さは、第２領域Ａ２におけるカバー絶縁層８０の厚さと等しい。

ベース絶縁層６０は、第１領域Ａ１において第１ベース絶縁部６１を有し、第２領域Ａ２において第２ベース絶縁部６２を有している。導体層７０は、第１領域Ａ１において第１導体部７１を有し、第２領域Ａ２において第２導体部７２を有している。

第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、メタルベース４０、第１ベース絶縁部６１、第１導体部７１、およびカバー絶縁層８０が厚さ方向Ｚに積層することで薄肉部３８が形成されている。

図８に示すように、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。第３実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。

［第４実施形態］
図９は、第４実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。第４実施形態においては、第１領域Ａ１におけるメタルベース４０の厚さが第２領域Ａ２におけるメタルベース４０の厚さよりも小さい点で第３実施形態と相違する。

図９に示すように、メタルベース４０は、第１領域Ａ１において第１メタルベース部４１を有し、第２領域Ａ２において第２メタルベース部４２を有している。第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、第１メタルベース部４１、第１ベース絶縁部６１、第１導体部７１、およびカバー絶縁層８０が厚さ方向Ｚに積層することで薄肉部３８が形成されている。

図９に示すように、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。さらに、第１領域Ａ１において、第１メタルベース部４１を含む薄肉部３８が形成されているため、本実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第３実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１（図８に示す）よりも小さい。

第４実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第３実施形態および第４実施形態において、薄肉部３８は第１ベース絶縁部６１および第１導体部７１を有していたが、第１ベース絶縁部６１および第１導体部７１の少なくとも一方を有していればよい。このような場合であっても、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１を小さくすることができる。

［第５実施形態］
図１０は、第５実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。第５実施形態乃至第８実施形態において、フレキシャ３０は、第１領域Ａ１において、ベース絶縁層６０、導体層７０、およびカバー絶縁層８０の少なくとも１つを有していない点で上述の各実施形態と相違する。

図１０に示すように、メタルベース４０は、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２にそれぞれ設けられている。配線部５０は、第１領域Ａ１において、ベース絶縁層６０と、カバー絶縁層８０と、を有し、第２領域Ａ２において、ベース絶縁層６０と、導体層７０と、カバー絶縁層８０と、を有している。

より具体的には、配線部５０は、第１領域Ａ１において導体層７０を有していない。第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、メタルベース４０、ベース絶縁層６０、およびカバー絶縁層８０が厚さ方向Ｚに積層することで薄肉部３８が形成されている。薄肉部３８におけるベース絶縁層６０は、カバー絶縁層８０と接している。

第１領域Ａ１におけるメタルベース４０の厚さは、第２領域Ａ２におけるメタルベース４０の厚さと等しい。第１領域Ａ１におけるベース絶縁層６０の厚さは、第２領域Ａ２におけるベース絶縁層６０の厚さと等しい。第１領域Ａ１におけるカバー絶縁層８０の厚さは、第２領域Ａ２におけるカバー絶縁層８０の厚さと等しい。

例えば、メタルベース４０の厚さは上述の第２メタルベース部４２の厚さＴ４２と等しく、ベース絶縁層６０の厚さは第２ベース絶縁部６２の厚さＴ６２と等しい。カバー絶縁層の厚さは、上述の各実施形態のカバー絶縁層の厚さと等しい。

図１０に示すように、配線部５０が第１領域Ａ１において導体層７０を有していないため、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。

図１０に示す例において、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、薄肉部３８の厚さに相当する。すわなち、薄肉部３８の厚さは、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。導体層７０を有していないため、第１領域Ａ１における配線部５０の厚さは、第２領域Ａ２における配線部５０の厚さよりも小さい。

第５実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第５実施形態においては、配線部５０が第１領域Ａ１において導体層７０を有していないため、絶縁破壊のリスクを低くすることができる。

［第６実施形態］
図１１は、第６実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。第６実施形態においては、フレキシャ３０の配線部５０が第１領域Ａ１においてカバー絶縁層８０を有していない点で第５実施形態と相違する。

第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、メタルベース４０およびベース絶縁層６０が厚さ方向Ｚに積層することで薄肉部３８が形成されている。薄肉部３８におけるベース絶縁層６０は、複数の枕９０と接している。図１１に示すように、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。

さらに、配線部５０が第１領域Ａ１においてカバー絶縁層８０を有していないため、本実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第５実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１（図１０に示す）よりも小さい。

第６実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第５実施形態および第６実施形態において、第１実施形態で説明した第１ベース絶縁部６１を適用することで、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１をさらに小さくすることができる。

［第７実施形態］
図１２は、第７実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。第７実施形態においては、フレキシャ３０が第１領域Ａ１においてカバー絶縁層８０を有していない点で第６実施形態と相違する。すなわち、第７実施形態においては、フレキシャ３０が第１領域Ａ１において配線部５０を有していない。

第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、メタルベース４０によって薄肉部３８が形成されている。薄肉部３８におけるメタルベース４０は、複数の枕９０と接している。メタルベース４０の面４０２の一部は、スライダ１１の底面１３と対向している。

図１２に示すように、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。本実施形態において、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、メタルベース４０の厚さに相当する。

さらに、フレキシャ３０が第１領域Ａ１において配線部５０を有していないため、本実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第６実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１（図１１に示す）よりも小さい。第７実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。

［第８実施形態］
図１３は、第８実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。第７施形態においては、第１領域Ａ１におけるメタルベース４０の厚さが第２領域Ａ２におけるメタルベース４０の厚さよりも小さい点で第７実施形態と相違する。

図１３に示すように、第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、第１メタルベース部４１によって薄肉部３８が形成されている。第１メタルベース部４１は、複数の枕９０と接している。

図１３に示すように、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。本実施形態において、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第１メタルベース部４１の厚さＴ４１に相当する。

さらに、第１領域Ａ１において、第１メタルベース部４１によって薄肉部３８が形成されているため、本実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第７実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１（図１２に示す）よりも小さい。

第８実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第５実施形態乃至第８実施形態において説明した構成は、タング部３３に開口３６が形成されていない場合にも適用することができる。なお、第５実施形態乃至第７実施形態においても、第１領域Ａ１において第１メタルベース部４１をそれぞれ適用することができる。

［第９実施形態］
図１４は、第９実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。第９実施形態において、フレキシャ３０は、アクチュエータ１６が搭載された第１領域Ａ１を有している。

アクチュエータ１６は、電子部品の一例である。本実施形態においては、アクチュエータ１６は、例えばマイクロアクチュエータであり、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの圧電体から形成されている。

アクチュエータ１６は、例えばタング部３３（図３に示す）に搭載されている。アクチュエータは、タング部３３をスウェイ方向に回動させる機能を有している。例えば、アクチュエータは、短手方向Ｙにおけるスライダ１１の両側に配置されている。

図１４に示すように、フレキシャ３０は、アクチュエータ１６が搭載される第１領域Ａ１と、第１領域Ａ１と並ぶ第２領域Ａ２と、を有している。例えば、長手方向Ｘにおいて、第１領域Ａ１は、第２領域Ａ２の間に位置している。

メタルベース４０、ベース絶縁層６０、導体層７０、およびカバー絶縁層８０は、第１領域Ａ１および第２領域Ａ２にそれぞれ設けられている。第１領域Ａ１おいて、メタルベース４０とアクチュエータ１６との間には、ベース絶縁層６０、導体層７０、およびカバー絶縁層８０が位置している。図１４に示すように、メタルベース４０、ベース絶縁層６０、導体層７０、およびカバー絶縁層８０は、第１領域Ａ１から第２領域Ａ２にわたり連続的に形成されている。

第１領域Ａ１におけるメタルベース４０の厚さは、第２領域Ａ２におけるメタルベース４０の厚さと等しい。第１領域Ａ１におけるカバー絶縁層８０の厚さは、第２領域Ａ２におけるカバー絶縁層８０の厚さと等しい。

ベース絶縁層６０は、第１領域Ａ１において第１ベース絶縁部６１を有し、第２領域Ａ２において第２ベース絶縁部６２を有している。導体層７０は、第１領域Ａ１において第１導体部７１を有し、第２領域Ａ２において第２導体部７２を有している。図１４に示すように、第１領域Ａ１には、第１導体部７１が形成されていない部分がある。

第１領域Ａ１には、アクチュエータ１６と導体層７０とを電気的に接続するための接続部７３（例えば、２つ）が形成されている。接続部７３は、例えば、カバー絶縁層８０に形成された孔８３に設けられ、カバー絶縁層８０を厚さ方向Ｚに貫通している。接続部７３は、例えば、導電性接着剤などによって形成されている。

図１４に示すように、フレキシャ３０には、凹部３９が形成されている。例えば、凹部３９は、フレキシャ３０におけるアクチュエータ１６が搭載される部分がロードビーム２２側に向けて窪んでいる。凹部３９は、メタルベース４０、ベース絶縁層６０、導体層７０、およびカバー絶縁層８０によって形成されている。

第２領域Ａ２において、カバー絶縁層８０は、アクチュエータ１６の側面１７と対向する面８４をそれぞれ有している。図１４に示す例においては、面８４は、アクチュエータ１６の側面１７と平行な面である。なお、面８４は、アクチュエータ１６の側面１７と平行な面でなくてもよい。

第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、メタルベース４０、第１ベース絶縁部６１、第１導体部７１、およびカバー絶縁層８０が厚さ方向Ｚに積層することで薄肉部３８が形成されている。

さらに、薄肉部３８には、長手方向Ｘにおいて、接続部７３の間に位置する部分３８Ａも含まれる。部分３８Ａは、メタルベース４０、第１ベース絶縁部６１、およびカバー絶縁層８０が厚さ方向Ｚに積層することで形成されている。図１４に示すように、薄肉部３８は、厚さ方向Ｚにおいてアクチュエータ１６と重なっている。

図１４に示すように、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。図１４に示す例において、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、接続部７３が位置する部分における薄肉部３８の厚さに相当する。

第９実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。第９実施形態においては、第１領域Ａ１において、アクチュエータ１６と重なるよう薄肉部３８が形成されているため、アクチュエータ１６と重なる領域におけるフレキシャ３０の厚さを小さくすることができる。フレキシャ３０の厚さを小さくすることにより、アクチュエータ１６の厚さに対する設計自由度を向上させることができる。

［第１０実施形態］
図１５は、第１０実施形態に係るサスペンション１０の概略的な部分断面図である。第１０実施形態においては、第１領域Ａ１におけるメタルベース４０の厚さが第２領域Ａ２におけるメタルベース４０の厚さよりも小さい点で第９実施形態と相違する。

図１５に示すように、メタルベース４０は、第１領域Ａ１において第１メタルベース部４１を有し、第２領域Ａ２において第２メタルベース部４２を有している。第１領域Ａ１において、フレキシャ３０には、第１メタルベース部４１、第１ベース絶縁部６１、第１導体部７１、およびカバー絶縁層８０が厚さ方向Ｚに積層することで薄肉部３８が形成されている。

図１５に示すように、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第２領域Ａ２におけるフレキシャ３０の厚さＴ３２よりも小さい。さらに、第１領域Ａ１において、第１メタルベース部４１を含む薄肉部３８が形成されているため、本実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１は、第９実施形態の第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１（図１４に示す）よりも小さい。

第１０実施形態のフレキシャ３０の構成においても、上述の各実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、第９実施形態および第１０実施形態において、薄肉部３８は第１ベース絶縁部６１および第１導体部７１を有していたが、第１ベース絶縁部６１および第１導体部７１の少なくとも一方を有していればよい。このような場合であっても、第１領域Ａ１におけるフレキシャ３０の厚さＴ３１を小さくすることができる。

以上の実施形態にて開示した発明を実施するに当たっては、ベースプレート２１、ロードビーム２２やフレキシャ３０の形状などの具体的な態様をはじめとして、ディスク装置用サスペンション１０を構成する各要素の具体的な態様を種々に変更できる。

なお、上述の第１実施形態乃至第８実施形態において、フレキシャ３０は複数の枕９０を有していたが、複数の枕９０を有さなくてもよい。これにより、枕９０の厚さに相当する分だけスライダ１１をディンプル２４側に近づけることができる。

１…ディスク装置、１０…ディスク装置用サスペンション、１１…スライダ（電子部品）、１６…アクチュエータ（電子部品）、３０…フレキシャ、３８…薄肉部、４０…メタルベース、５０…配線部、６０…ベース絶縁層、７０…導体層、８０…カバー絶縁層、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域。

Claims (11)

1. メタルベースと、前記メタルベースに沿って設けられ、ベース絶縁層と前記ベース絶縁層に重ねられた導体層と前記導体層に重ねられたカバー絶縁層とを有する配線部と、を備えるディスク装置用サスペンションのフレキシャであって、
   電子部品が搭載される第１領域と、前記第１領域と並ぶ第２領域と、を有し、
   前記第１領域は、前記電子部品と重なるとともに、前記第２領域の厚さよりも厚さの小さい薄肉部を含んでいる、
   ディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
2. 前記導体層は、前記第１領域および前記第２領域にそれぞれ設けられている、
   請求項１に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
3. 前記薄肉部における前記導体層の厚さは、前記第２領域Ａ２における前記導体層の厚さよりも小さい、
   請求項２に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
4. 前記ベース絶縁層は、前記第１領域および前記第２領域にそれぞれ設けられ、
   前記薄肉部における前記ベース絶縁層の厚さは、前記第２領域における前記ベース絶縁層の厚さよりも小さい、
   請求項２または３に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
5. 前記薄肉部は、前記メタルベースと、前記ベース絶縁層と、前記カバー絶縁層と、を有し、
   前記薄肉部における前記ベース絶縁層は、前記カバー絶縁層と接している、
   請求項１に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
6. 前記電子部品が配置される枕をさらに有し、
   前記薄肉部は、前記メタルベースと、前記ベース絶縁層と、を有し、
   前記薄肉部における前記ベース絶縁層は、前記枕と接している、
   請求項１に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
7. 前記電子部品が配置される枕をさらに有し、
   前記薄肉部は、前記メタルベースを有し、
   前記薄肉部における前記メタルベースは、前記枕と接している、
   請求項１に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
8. 前記メタルベースは、前記第１領域および前記第２領域にそれぞれ設けられ、
   前記薄肉部における前記メタルベースの厚さは、前記第２領域における前記メタルベースの厚さよりも小さい、
   請求項１乃至７のいずれか１項に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
9. 前記電子部品は、スライダであり、
   前記第２領域における前記配線部は、前記スライダと電気的に接続される端子部を有している、
   請求項１乃至８のいずれか１項に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
10. 前記電子部品は、アクチュエータである、
    請求項１乃至８のいずれか１項に記載のディスク装置用サスペンションのフレキシャ。
11. 請求項１乃至１０のいずれか１項に記載されたディスク装置用サスペンションのフレキシャと、
    前記フレキシャが重なるロードビームと、を備える、
    ディスク装置用サスペンション。

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