CN116645983A - 磁盘装置用悬架的挠曲件、及磁盘装置用悬架 - Google Patents

Abstract

磁盘装置用悬架的挠曲件包括金属底座，和接线部，接线部沿金属底座设置，包括基底绝缘层，与基底绝缘层叠加的导体层，与导体层叠加的覆盖绝缘层。所述挠曲件包括安装电子元件的第1区域、与第1区域并列的第2区域，所述第1区域包括与电子元件重叠且厚度小于第2区域厚度的薄壁部。

Description

磁盘装置用悬架的挠曲件、及磁盘装置用悬架

交叉参考

本申请是根据2022年2月24日在日本提交的在先申请(特愿2022-026819)提出的申请，旨在享受与先前申请中描述的所有事项的优先权相关的利益。

技术领域

本发明涉及磁盘装置用悬架的挠曲件，以及磁盘装置用悬架。

背景技术

硬盘装置(HDD)用于诸如个人计算机等的信息处理装置中。硬盘装置包括围绕主轴旋转的磁盘、围绕枢轴旋转的托架等。托架具有臂，通过诸如音圈电机之类的定位电机围绕枢轴在磁盘的轨道宽度方向上旋转。

所述臂上设置有磁盘装置用悬架(以下简称为悬架)。悬架包括承载梁和叠加在承载梁上的挠曲件。形成于挠曲件的前端附近的万向节部上设置有构成磁头的滑块。

滑块具有例如用于进行读取或写入数据等访问的元件(转换器)。这些承载梁、挠曲件以及滑块等构成了磁头万向节组件。例如，特开2020-129423号公报公开了一种磁盘装置，可以增加记录媒介磁盘的安装数量。

为了提高磁盘的记录密度，需要进一步缩小磁头万向节组件的尺寸，并提高滑块在磁盘的记录面的定位精度。

为了增加磁盘的数量，不仅需要使磁盘变薄，还需要减小磁盘之间的距离。减小磁盘之间的距离会增加磁盘之间相对的悬架接触的风险。因此，需要更薄的悬架。悬架的薄型化仍有各种改进的余地。

发明内容

本发明旨在提供一种薄型化的磁盘装置用悬架的挠曲件，以及磁盘装置用悬架。

根据一个实施例，磁盘装置用悬架的挠曲件包括金属底座和挠曲件，所述挠曲件沿所述金属底座设置，具有基底绝缘层，与所述基底绝缘层重叠的导体层，与所述导体层重叠的覆盖绝缘层。所述挠曲件包括安装电子元件的第1区域、与所述第1区域对齐的第2区域，所述第1区域与所述电子元件重叠，同时包括厚度小于第2区域的薄壁部。

所述导体层可分别设置在所述第1区域和所述2区域。所述薄壁部中的导体层的厚度可小于所述第2区域A2中所述导体层的厚度。所述基底绝缘层分别设置于所述第1区域和所述第2区域，所述基底绝缘层的厚度在所述薄壁部中的厚度可小于所述第2区域中的所述基底绝缘层的厚度。

所述薄壁部包括所述金属底座、基所述底绝缘层和所述覆盖绝缘层，所述薄壁部的所述基底绝缘层可与所述覆盖绝缘层相接。还可以包括设置所述电子元件的枕头，所述薄壁部包括所述金属底座和所述基底绝缘层，所述薄壁部的所述基底绝缘层与所述枕头相接。

还可以包括设置所述电子元件的枕头，所述薄壁部具有所述金属底座，所述薄壁部的所述金属底座与所述枕头相接。所述金属底座分别设置在所述第1区域和所述第2区域中，所述薄壁部的所述金属底座的厚度可小于所述第2区域中的所述金属底座的厚度。

所述电子元件可以是滑块，所述第2区域中的所述接线部可具有与所述滑块电连接的端子部。所述电子元件可以是致动器。

根据一个实施例的磁盘装置用悬架包括所述磁盘装置用悬架的挠曲件和与所述挠曲件重叠的承载梁。

根据这种配置的磁盘装置用悬架的挠曲件和磁盘装置用悬架，可实现薄型化。

附图说明

构成本说明书一部分的附图，图示了本发明的当前优选实施例的同时，通过与上述简要描述和以以下优选实施例的详细描述相结合，旨在解释本发明的本质。

图1是示出了磁盘装置的一示例的简要透视图。

图2是示出了磁盘装置的一部分的简要剖视图。

图3是示出了磁盘装置用悬架的一示例的简要透视图。

图4是从前端部观察图3所示的悬架的简要透视图。

图5是根据第1实施例悬架的部分剖面示意图。

图6是根据第1实施例悬架的比较例。

图7是根据第2实施例悬架的部分剖面示意图。

图8是根据第3实施例悬架的部分剖面示意图。

图9是根据第4实施例悬架的部分剖面示意图。

图10是根据第5实施例悬架的部分剖面示意图。

图11是根据第6实施例悬架的部分剖面示意图。

图12是根据第7实施例悬架的部分剖面示意图。

图13是根据第8实施例悬架的部分剖面示意图。

图14是根据第9实施例悬架的部分剖面示意图。

图15是根据第10实施例悬架的部分剖面示意图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的各实施例进行说明。为了使描述更清楚，在附图中，示意性地示出了各部分的尺寸、形状，其等可以通过实际的实施例进行更改。

第1实施例

图1是示出了磁盘装置(HDD)1的一例的示意性透视图。在图1所示的示例中，磁盘装置1包括壳体2、围绕主轴3旋转的多个磁盘(此后称为磁盘4)、围绕枢轴5旋转的托架6、用于驱动托架6的定位电机(音圈电机)7。壳体2由盖子密封(未图示)。

图2是示出了磁盘装置1的一部分的简要剖视图。如图1和2所示，在托架6中设置了多个(例如，3个)臂8。托架6中设置的臂8的数量不限于上述示例。

多个臂8的前端部，分别安装悬架10。悬架10的前端部，分别设置构成磁头的滑块11。当磁盘4高速旋转时，空气流入磁盘4和滑块11之间，形成空气轴承。当托架6由定位电机7旋转时，悬架10沿磁盘4的径向移动，滑块11移动到磁盘4的期望轨道。

如图2所示，磁盘4包括第1磁盘4A和第2磁盘4B。第1磁盘4A以预定的间隔与第2磁盘4B相对。磁盘装置1所具有的多个悬架10包含第1悬架10A和第2悬架10B。

第1悬架10A和第2悬架10B安装在多个臂8的位于壳体2的厚度方向的中央部的臂8上。第1悬架10A和第2悬架10B位于第1磁盘4A和第2磁盘4B之间。

在壳体2的厚度方向上，第1悬架10A与第2悬架10B相对。多个磁盘4不限于2个，可以是3个或更多。根据磁盘4的数量，悬架10的数量会相应地更改。

图3是示出了磁盘装置用悬架10的一例的简要透视图。图4是从前端部观察图3所示的悬架10的示意性透视图。悬架10包括底板21、承载梁22和叠加在承载梁22上的挠曲件30。通过承载梁22和挠曲件30等，构成磁头万向节组件(head gimbal assembly)被配置。

承载梁22和挠曲件30均沿悬架10的纵向方向延伸。以下，将悬架10、承载梁22和挠曲件30的纵向方向定义为纵向X，垂直于纵向X的方向定义为悬架10、承载梁22和挠曲件30的横向方向Y。

与纵向X和横向方向Y相交(例如，正交)的方向定义为悬架10、承载梁22和挠曲件30的厚度方向Z。壳体2的厚度方向相当于厚度方向Z。以下，将沿厚度方向Z的长度称为厚度。

底板21例如由不锈钢等金属材料形成。底板21的厚度为120μm，但不限于此。底板21设置有凸台部23，所述凸台部23用于将悬架10安装到托架6所具有的臂8(如图1和图2所示)。

承载梁22由不锈钢等金属材料形成。承载梁22的厚度例如为30～80μm。承载梁22具有朝向前端的前端变细的锥形形状。在承载梁22的前端附近，形成凹坑24。

承载梁22在纵向X的一端具有弹簧部25。承载梁22，在未图示的焊接部中，通过例如激光点焊固定在底板21上。承载梁22通过弹簧部25弹性支撑在底板21上。

挠曲件30沿底板21和承载梁22设置。在未图示的焊接部中，挠曲件30通过激光点焊固定在底板21和承载梁22上。

挠曲件30包括与承载梁22重叠的前端侧部分31，以及从前端侧部分31向底板21的后部延伸的挠曲件尾部32。挠曲件30包括例如由薄不锈钢板制成的金属底座40，以及沿金属底座40设置的接线部50。

金属底座40，有时称为基材层、不锈钢层。金属底座40的厚度小于承载梁22的厚度。金属底座40的厚度例如为15～20μm。

在前端侧部分31中挠曲件30包括舌形件33和一对外伸支架34。一对外伸支架34分别在横向方向Y上设置在舌形件33的两侧。

一对外伸支架34在横向方向Y上向舌形件33的两外侧伸出。一对外伸支架34是金属底座40的一部分，分别通过例如蚀刻形成各自的轮廓。

挠曲件30配有滑块11。滑块11是电子元件的一例。滑块11的前端部，设置可转换磁信号和电信号的元件12，如MR元件。通过这些元件12，可访问磁盘4，如写入或读取数据等。

接线部50通过滑块11用端子部51与滑块11的元件电连接。舌形件33、一对外伸支架34和凹坑24等，构成可自由摇动支撑滑块11的万向节部35。

图5是根据第1实施例的悬架10的部分剖面的示意图。图5显示了沿悬架10的一部分的纵向X的横截面，包括舌形件33。在图5所示的示例中，舌形件33中形成开口36。

滑块11包括面向挠曲件30的底面13，以及位于纵向X一侧的侧面14。侧面14中设置端子部15，用于连接挠曲件30的端子部51。包含滑块11的侧面14的端部与开口36重叠。

如上所述，挠曲件30包括金属底座40和接线部50。金属底座40具有表面401和表面401的相反侧的表面402。表面401是面向承载梁22的表面。凹坑24向表面401突出，凹坑24的前端与表面401接触。

接线部50包括叠加在金属底座40的表面402上的基底绝缘层60、叠加在基底绝缘层60上的导体层70、叠加在导体层70上的覆盖绝缘层80。

基底绝缘层60和覆盖绝缘层80例如由电绝缘树脂材料(如聚酰亚胺)形成。基底绝缘层60的厚度例如为8～10μm。覆盖绝缘层80的厚度例如为4～5μm。

导体层70通过高电导率的金属材料(如铜)形成。虽然未图示，但导体层70具有多个沿横向方向Y排列的接线。多个接线包括用于例如读取和写入的接线。例如，导体层70的厚度例如为6～12μm。

导体层70例如通过蚀刻形成，沿基底绝缘层60形成预定图案。或者，导体层70也可以在以规定的图案掩蔽的基底绝缘层60上通过镀敷等成层工序形成。

如图5所示，挠曲件30包括安装电子元件(例如，滑块11)的第1区域A1和与第1区域A1并列的第2区域A2。在图5所示的示例中，它显示了沿纵向X排列的第1区域A1和第2区域A2的一部分。例如，从厚度方向Z的一侧查看时，第1区域A1的大小大于电子元件的大小。

金属底座40、基底绝缘层60、导体层70和覆盖绝缘层80分别设置在第1区域A1和第2区域A2中。在第1区域A1中，在金属底座40和滑块11之间，具有基底绝缘层60、导体层70和覆盖绝缘层80。

第1区域A1中的金属底座40的厚度等于第2区域A2中的金属底座40的厚度。在厚度方向Z上，第1区域A1中金属底座40的表面401位于与第2区域A2中的金属底座40的表面401相同的平面上。

第1区域A1中的覆盖绝缘层80的厚度等于第2区域A2中的覆盖绝缘层80的厚度。第1区域A1中的覆盖绝缘层80具有覆盖开口36侧的导体层70一端的侧部81。

基底绝缘层60在第1区域A1中具有第1基底绝缘部61，在第2区域A2中其具有第2基底绝缘部62。在图5中，第1基底绝缘部61的厚度由厚度T61表示，第2基底绝缘部62的厚度由厚度T62表示。第1基底绝缘部61的厚度T61小于第2基底绝缘部62的厚度T62(T61<T62)。

例如，第1基底绝缘部61的厚度T61小于第2基底绝缘部62厚度T62的四分之三。作为另一个示例，第1基底绝缘部61的厚度T61小于第2基底绝缘部62的厚度T62的一半。例如，第1基底绝缘部61的厚度T61为4～5μm，第2基底绝缘部62的厚度T62为8～10μm。

导体层70在第1区域A1中具有第1导体部71，在第2区域A2中具有第2导体部72。当通过层形成工艺(如电镀)形成导体层70时，第1导体部71通过比第2导体部72减小形成过程而形成。

在图5中，第1导体部71的厚度由厚度T71表示，第2导体部72的厚度由厚度T72表示。第1导体部71的厚度T71小于第2导体部72的厚度T72(T71<T72)。

例如，第1导体部71的厚度T71小于第2导体部72的厚度T72的四分之三。作为另一个示例，第1导体部71的厚度T71小于第2导体部72的厚度T72的一半。作为一例，第1导体部71的厚度T71为3～6μm，第2导体部72的厚度T72为6～12μm。

第2区域A2中导体层70的第2导体部72具有端子部51。构成导体层70的接线的一端位于端子部51。端子部51未被覆盖绝缘层80覆盖。端子部51通过焊接等粘合构件37与滑块11的端子部15电连接。

虽然未图示，但端子部51的表面电镀。镀层中使用金属材料，如Ni/Au。例如，镀层的厚度为0.5～1.0μm。如图5所示，第2基底绝缘部62和第2导体部72分别具有向开口36延伸的延伸部62a、72a。

挠曲件30，在第1区域A1中，在滑块11和覆盖绝缘层80之间还具有多个枕头90。枕头90在厚度方向Z上保持滑块11的安装高度，同时在挠曲件30和滑块11之间形成积累粘合剂的空间。

枕头90由电绝缘树脂材料形成，例如聚酰亚胺。在图5所示的示例中，枕头90与覆盖绝缘层80一体成型，但也可由与覆盖绝缘层80不同的构件形成。枕头90的厚度例如为5μm。

如图5所示，枕头90沿纵向X排列。多个枕头90分别具有设置滑块11的表面91。滑块11设置在多个枕头90的表面91上，通过粘合剂粘附在挠曲件30上。枕头90的横截面形状为矩形，但不限于此示例。

在第1区域A1中，金属底座40、第1基底绝缘部61、第1导体部71和覆盖绝缘层80通过层积在厚度方向Z上在挠曲件30中形成薄壁部38。从另一个角度看，第1区域A1包括薄部38。

形成薄壁部38用于在安装电子元件的区域中减少挠曲件30的厚度。从另一个角度看，在第1区域A1中，由于薄壁部38与电子元件重叠，因此可以将电子元件安装在靠近承载梁22侧的挠曲件30上。如图5所示，薄壁部38在厚度方向Z上与滑块11重叠。

第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31(如图5所示)小于第2区域A2中挠曲件30的厚度T32(如图5所示)(T31<T32)。例如，挠曲件30的厚度是从金属底座40的表面401到与滑块11的底面13相对的覆盖绝缘层80的表面的长度。

在图5所示的示例中，第1区域A1中挠曲件30的厚度T31对应于薄壁部38的厚度。即，薄壁部38的厚度小于第2区域A2中挠曲件30的厚度T32。由于包括第1基底绝缘部61和第1导体部71，第1区域A1中接线部50的厚度小于第2区域A2中的接线部50的厚度。

从导体层70的角度来看，在厚度方向Z上，第1导体部71比第2导体部72位于金属底座40的表面401附近。从覆盖绝缘层80的角度来看，第1区域A1中的覆盖绝缘层80比第2区域A2中的覆盖绝缘层80位于金属底座40的表面401附近。

从枕头90的角度来看，在厚度方向Z上，枕头90的表面91比第2区域A2中的覆盖绝缘层80位于金属底座40的表面401附近。此外，在厚度方向Z上，枕头90的表面91比端子部51位于金属底座40的表面401附近。

从滑块11的角度来看，在厚度方向Z上，滑块11的底面13比第2区域A2中的覆盖绝缘层80位于金属底座40的表面401附近。此外，在厚度方向Z上，滑块11的底面13比端子部51位于金属底座40的表面401附近。

图6是显示根据第1实施例的悬架10的比较例的示意图。如图6所示，比较例悬架100的挠曲件300中，在第1区域A1中，未形成薄壁部38。从另一个角度看，基底绝缘层60在第1区域A1中没有第1基底绝缘部61，导体层70在第1区域A1中没有第1导体部71。

因此，第1区域A1中的挠曲件300的厚度T301(如图6所示)等于第2区域A2中挠曲件300的厚度T302(如图6所示)。第2区域A2中的挠曲件300的厚度T302等于使用图5描述的第2区域A2中的挠曲件30的厚度T32。

根据本实施例的悬架10，在厚度方向Z上从滑块11的端子部15到导体层70的端子部51的长度小于根据比较例的悬架100。

换言之，根据本实施例的悬架10的滑块11的端子部15的位置比根据比较例的悬架100相对于导体层70的端子部51的位置低。

根据本实施例的悬架10，通过在凹坑24附近设置滑块11，比根据比较例的悬架100，可以减小包括构成磁头的滑块11部分的悬架10的厚度。从另一个角度看，根据本实施例的悬架10比根据比较例的悬架100，可以降低悬架10的高度。

以上结构的悬架10的挠曲件30具有安装滑块11的第1区域A1，和与第1区域A1并列的第2区域A2，第1区域A1与滑块11重叠的同时，包括厚度小于第2区域A2厚度T32的薄壁部38。

在第1区域A1中，由于以与滑块11重叠的方式形成薄壁部38，因此可以减小与滑块11重叠的区域的挠曲件30的厚度。由此，可以减小包括滑块11部分的悬架10的厚度。

其结果，可以抑制挠曲件30和悬架10的厚度，使挠曲件30和悬架10变薄。在本实施例中，由于薄壁部38分别包括第1基底绝缘部61和第1导体部71，因此可以减小挠曲件30的厚度。

具有这样的挠曲件30的悬架10，由于包含滑块11部分的悬架10的厚度减小，因此可以减小磁盘4之间的距离。由此，可以抑制磁盘装置1的厚度，使磁盘装置1薄型化。从另一个角度看，由于可以减小磁盘4之间的距离，因此可以对相同高度的壳体2设置更多的磁盘4。

在本实施例中，在挠曲件30的前端侧部分31中，形成部分薄壁部38。从另一个角度看，薄壁部38的大小，在全部挠曲件30的前端侧部分31中所占的比例较小。因此，在形成薄壁部38的情况下，由于对挠曲件30的振动特性，电气特性等特性的影响几乎没有，因此可以抑制对挠曲件30的特性的影响，减小挠曲件30的厚度。

此外，由于第1基底绝缘部61的尺寸较小，对电气性能的影响几乎没有，因此可以使基底绝缘层60中绝缘破坏的风险保持在较低水平。此外，即使将第1导体部71设置在第1区域A1的导体层70中，基底绝缘层60的绝缘破坏风险也几乎没有变化。因此在本实施例中，可以保持较低水平的绝缘破坏风险。

根据本实施例的悬架10，滑块11的端子部15的位置比根据比较例的悬架100相对于导体层70的端子部51的位置低。因此，滑块11的端子部15和导体层70的端子部51之间的距离减小，通过粘合构件37，端子部15和端子部51之间的连接变得容易，连接故障不太可能发生。

根据本实施例，可以提供薄型化的挠曲件30，以及磁盘装置用悬架10。除了上述情况外，从本实施例中可以获得各种合适的效果。

在本实施例中，薄壁部38具有第1基部绝缘部61和第1导体部71，但也可以具有第1基部绝缘部分61和第1导体部71中的至少一个。即使在这种情况下，也可以减小第1区域A1中挠曲件30的厚度T31。

接下来，将描述其他实施例。在以下描述的其他实施例和变形例中，与上述第1实施例相同的结构要素，用与第1实施例相同的参考符号表示，其详细说明可能省略或简化。以下各实施例的挠曲件30均可应用于悬架10。

第2实施例

图7是根据第2实施例的悬架10的部分横截面示意图。在第2实施例和第1实施例的不同之处在于，第1区域A1中的金属底座40的厚度小于第2区域A2中的金属底座40的厚度。

如图7所示，金属底座40在第1区域A1中具有第1金属底部41，在第2区域A2中具有第2金属底部42。例如，第1金属底部41，在蚀刻工艺中，通过半蚀刻与金属底座40的第1金属底部41相对应的部分形成。

在图7中，第1金属底部41的厚度由厚度T41表示，第2金属底部42的厚度由厚度T42表示。第1金属底部41的厚度T41小于第2金属底部42的厚度T42(T41<T42)。

例如，第1金属底部41的厚度T41小于或等于第2金属底部42厚度T42的四分之三。作为另一个示例，第1金属底部41的厚度T41小于或等于第2金属底部42的厚度T42的一半。作为一个示例，第1金属底部41的厚度T41为7～10μm，第2金属底部42的厚度T42为15～20μm。

在第1区域A1中，第1金属底部41、第1基底绝缘部61、第1导体部71和覆盖绝缘层80通过层积在厚度方向Z在挠曲件30中形成薄壁部38。如图7所示，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第2区域A2中的挠曲件30的厚度T32。

此外，在第1区域A1中，由于形成含有第1金属底部41的薄壁部38，本实施例的第1区域A1中挠曲件30的厚度T31小于第1实施例第1区域A1中挠曲件30的厚度T31(如图5所示)。从基底绝缘层60的角度来看，在厚度方向Z上，第1基底绝缘部61比第2基底绝缘部62位于金属基底40的表面401附近。

在第2实施例的挠曲件30的结构中，有可能获得与第1实施例相同的效果。第2实施例的挠曲件30，在第1区域A1中，由于形成含有第1金属底部41的薄壁部38，因此可以进一步减小第1区域A1中挠曲件30的厚度。

即使第1金属底部41设置在第1区域A1的金属底座40中，由于基底绝缘层60的绝缘破坏风险几乎没有变化，因此在本实施例中，也可以保持较低水平的绝缘击穿风险。

此外，由于第1金属底部41在挠曲件30前端侧部分31整体中所占的比例较小，因此金属底座40中的变形，如尺寸变化不太可能发生，能够提供稳定质量的挠曲件30。

第3实施例

图8是根据第3实施例的悬架10的部分横截面示意图。第3实施例和上述各实施例的不同之处在于，在第1区域A1中，舌形件33中未形成开口。

如图8所示，金属底座40、基底绝缘层60、导体层70和覆盖绝缘层80从第1区域A1到第2区域A2连续形成。端子部51由导体层70形成，该导体层通过滑块11和金属底座40之间的第1区域A1。在第2区域A2中，端子部51未被覆盖绝缘层80覆盖。

在纵向X处的端子部51和滑块11之间，挠曲件30中形成段差S。在第2区域A2中，覆盖绝缘层80具有面向滑块11的侧面14的表面82。在图8所示的示例中，表面82是与滑块11的侧面14平行的表面。此外，表面82也可以不是与滑块11的侧面14平行的表面。

第1区域A1中的金属底座40的厚度等于第2区域A2中的金属底座40的厚度。第1区域A1中的覆盖绝缘层80的厚度等于第2区域A2中的覆盖绝缘层80的厚度。

基底绝缘层60在第1区域A1中具有第1基底绝缘部61，在第2区域A2中具有第2基底绝缘部62。导体层70在第1区域A1中具有第1导体部71，在第2区域A2中具有第2导体部72。

在第1区域A1中，金属底座40、第1基底绝缘部61、第1导体部71和覆盖绝缘层80通过层积在厚度方向Z上在挠曲件30中形成薄壁部38。

如图8所示，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第2区域A2中的挠曲件30的厚度T32。在第3实施例的挠曲件30的结构中，能够获得与上述各实施例相同的效果。

第4实施例

图9是根据第4实施例的悬架10的部分横截面示意图。在第4实施例与第3实施例不同之处在于，第1区域A1中的金属底座40的厚度小于第2区域A2中的金属底座40的厚度。

如图9所示，金属底座40具有第1区域A1中的第1金属底部41，第2区域A2中的第2金属底部42。在第1区域A1中，第1金属底部41、第1基底绝缘部61、第1导体部71和覆盖绝缘层80通过层压在厚度方向Z上在挠曲件30中形成薄壁部38。

如图9所示，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第2区域A2中挠曲件30的厚度T32。此外，在第1区域A1中，由于形成含有第1金属底部41的薄壁部38，本实施例第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第3实施例第1区域A1中挠曲件30的厚度T31(如图8所示)。

在第4实施例的挠曲件30的结构中，能够获得与上述各实施例相同的效果。在第3实施例和第4实施例中，薄壁部38具有第1基底绝缘部61和第1导体部71，但也可以具有第1基底绝缘部61和第1导体部71中的至少一个。即使在这种情况下，也可以减小第1区域A1中挠曲件30的厚度T31。

第5实施例

图10是根据第5实施例的悬架10的部分横截面示意图。在第5实施例至第8实施例与上述实施例不同之处在于，挠曲件30，在第1区域A1中，不具有基绝缘层60、导体层70和覆盖绝缘层80的至少一个。

如图10所示，金属底座40分别设置于第1区域A1和第2区域A2中。接线部50，在第1区域A1中，具有基底绝缘层60和覆盖绝缘层80，在第2区域A2中，具有基底绝缘层60、导体层70和覆盖绝缘层80。

更具体地说，接线部50在第1区域A1中没有导体层70。在第1区域A1中，金属底座40、基底绝缘层60和覆盖绝缘层80通过层积在厚度方向Z上在挠曲件30中形成薄壁部38。薄壁部38中的基底绝缘层60与覆盖绝缘层80接触。

第1区域A1中的金属底座40的厚度等于第2区域A2中的金属底座40的厚度。第1区域A1中基底绝缘层60的厚度等于第2区域A2中基底绝缘层60的厚度。第1区域A1中的覆盖绝缘层80的厚度等于第2区域A2中的覆盖绝缘层80的厚度。

例如，金属底座40的厚度等于上述第2金属底部42的厚度T42，基底绝缘层60的厚度等于第2基底绝缘部62的厚度T62。覆盖绝缘层的厚度等于上述各实施例的覆盖绝缘层的厚度。

如图10所示，由于接线部50在第1区域A1中没有导体层70，因此第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第2区域A2中的挠曲件30的厚度T32。

在图10所示的示例中，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31相当于薄壁部38的厚度。换言之，薄壁部38的厚度小于第2区域A2中挠曲件30的厚度T32。由于没有导体层70，因此第1区域A1中接线部50的厚度小于第2区域A2中接线部50的厚度。

在第5实施例的挠曲件30的结构中，能够获得与上述各实施例相同的效果。在第5实施例中，由于接线部50在第1区域A1中没有导体层70，因此可以降低绝缘破坏的风险。

第6实施例

图11是根据第6实施例的悬架10的部分横截面示意图。在第6实施例与第5实施例的不同之处在于，挠曲件30的接线部50在第1区域A1中没有覆盖绝缘层80。

在第1区域A1中，金属底座40和基底绝缘层60通过层积在厚度方向Z上在挠曲件30中形成薄壁部38。薄壁部38中的基底绝缘层60与多个枕头90接触。如图11所示，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第2区域A2中挠曲件30的厚度T32。

此外，由于接线部50在第1区域A1中没有覆盖绝缘层80，本实施例第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第5实施例第1区域A1中挠曲件30的厚度T31(如图10所示)。

在第6实施例的挠曲件30的配置中，有可能获得与上述各实施例相同的效果。在第5实施例和第6实施例中，通过应用第1实施例中所述的第1基底绝缘部61，可以进一步减小第1区域A1中挠曲件30的厚度T31。

第7实施例

图12是根据第7实施例的悬架10的部分横截面示意图。在第7实施例与第6实施例不同之处在于，挠曲件30在第1区域A1中没有覆盖绝缘层80。换言之，在第7实施例中，挠曲件30在第1区域A1中没有接线部50。

在第1区域A1中，挠曲件30上通过金属底座40形成薄壁部38。薄壁部38中的金属底座40与多个枕头90接触。金属底座40的表面402的一部分与滑块11的底面13相对。

如图12所示，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第2区域A2中的挠曲件30的厚度T32。在本实施例中，第1区域A1中挠曲件30的厚度T31对应于金属底座40的厚度。

此外，由于挠曲件30在第1区域A1中没有接线部50，因此本实施例第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第6实施例第1区域A1中挠曲件30的厚度T31(如图11所示)。在第7实施例的挠曲件30的结构中，有可能获得与上述各实施例相同的效果。

第8实施例

图13是根据第8实施例的悬架10的部分横截面示意图。第8实施例与第7实施例不同之处在于，第1区域A1中的金属底座40的厚度小于第2区域A2中的金属底座40的厚度。

如图13所示，在第1区域A1中，挠曲件30上通过第1金属底部41形成薄壁部38。第1金属底部41与多个枕头90接触。

如图13所示，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第2区域A2中的挠曲件30的厚度T32。在本实施例中，第1区域A1中挠曲件30的厚度T31对应于第1金属底部41的厚度T41。

此外，在第1区域A1中，由于薄壁部38由第1金属底部41形成，因此本实施例第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第7实施例第1区域A1中挠曲件30的厚度T31(如图12所示)。

在第8实施例的挠曲件30的结构中，能够获得与上述各实施例相同的效果。此外，第5实施例至第8实施例中描述的结构也适用于在舌形件33中未形成开口36的情况。此外，在第5实施例至第7实施例中，可以分别在第1区域A1中应用第1金属底部41。

第9实施例

图14是根据第9实施例的悬架10的部分横截面示意图。在第9实施例中，挠曲件30具有安装致动器16的第1区域A1。

致动器16是电子元件的一示例。在本实施例中，致动器16，例如是微致动器，由压电体形成，如钛酸铅(PZT)。

致动器16例如安装在舌形件33上(如图3所示)。致动器具有沿摇摆方向绕舌形件33施转的功能。例如，致动器在横向方向Y上设置在滑块11的两侧。

如图14所示，挠曲件30包括安装致动器16的第1区域A1和与第1区域A1并排的第2区域A2。例如，在纵向X上，第1区域A1位于第2区域A2之间。

金属底座40、基底绝缘层60、导体层70和覆盖绝缘层80分别设置在第1区域A1和第2区域A2中。在第1区域A1中，基底绝缘层60、导体层70和覆盖绝缘层80位于金属底座40和致动器16之间。如图14所示，金属底座40、基底绝缘层60、导体层70和覆盖绝缘层80从第1区域A1至第2区域A2连续形成。

第1区域A1中的金属底座40的厚度等于第2区域A2中的金属底座40的厚度。第1区域A1中的覆盖绝缘层80的厚度等于第2区域A2中的覆盖绝缘层80的厚度。

基底绝缘层60在第1区域A1中具有第1基底绝缘部61，在第2区域A2中具有第2基底绝缘部62。导体层70在第1区域A1中具有第1导体部71，在第2区域A2中具有第2导体部72。如图14所示，第1区域A1中有未形成第1导体部71的部分。

第1区域A1中形成有连接部73(例如，2个)，用于电连接致动器16和导体层70。例如，连接部73设置在覆盖绝缘层80上形成的孔83中，沿厚度方向Z穿透覆盖绝缘层80。例如，连接部分73由导电粘合剂形成。

如图14所示，在挠曲件30中，形成凹槽39。例如，凹槽39在挠曲件30中安装致动器16的部分朝向承载梁22侧凹陷。凹槽39由金属底座40、基底绝缘层60、导体层70和覆盖绝缘层80形成。

在第2区域A2中，覆盖绝缘层80分别具有面向致动器16的侧面17的表面84。在图14所示的示例中，表面84是与致动器16的侧面17平行的表面。另外，表面84可以不是与致动器16的侧面17平行的表面。

在第1区域A1中，金属底座40、第1基底绝缘部61、第1导体部71和覆盖绝缘层80通过层积在厚度方向Z上在挠曲件30上形成薄壁部38。

此外，薄壁部38，在纵向X上，还包括位于连接部73之间的部分38A。部分38A由金属底座40、第1基底绝缘部61和覆盖绝缘层80通过在厚度方向Z上层压而形成。如图14所示，薄壁部38在厚度方向Z上与致动器16重叠。

如图14所示，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第2区域A2中的挠曲件30的厚度T32。在图14所示的示例中，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31对应于连接部73所在的部分的薄壁部38的厚度。

在第9实施例的挠曲件30的配置中，能够获得与上述各实施例相同的效果。在第9实施例中，在第1区域A1中，由于形成与致动器16重叠的薄壁部38，因此可以减小与致动器16重叠的区域的挠曲件30的厚度。通过减小挠曲件30的厚度，可以提高致动器16的厚度的设计自由度。

第10实施例

图15是根据第10实施例的悬架10的部分横截面示意图。在第10实施例与第9实施例的不同之处在于，第1区域A1中的金属底座40的厚度小于第2区域A2中的金属底座40的厚度。

如图15所示，金属底座40具有第1区域A1中的第1金属底部41，第2区域A2中的第2金属底部42。在第1区域A1中，第1金属底部41、第1基底绝缘部61、第1导体部71和覆盖绝缘层80通过层积在厚度方向Z上在挠曲件30上形成薄壁部38。

如图15所示，第1区域A1中的挠曲件30的厚度T31小于第2区域A2中挠曲件30的厚度T32。此外，在第1区域A1中，由于形成含有第1金属底部41的薄壁部38，本实施例第1区域A1中挠曲件30的厚度T31小于第9实施例第1区域A1中挠曲件30的厚度T31(如图14所示)。

在第10实施例的挠曲件30的配置中，能够获得与上述各实施例相同的效果。在第9实施例和第10实施例中，薄壁部38具有第1基底绝缘部61和第1导体部71，但也可以具有第1基底绝缘部61和第1导体部71中的至少一个。即使在这种情况下，也可以减小第1区域A1中挠曲件30的厚度T31。

在实施上述实施例中公开的发明时，从底板21，承载梁22和挠曲件30的形状等具体实施方式开始，可以对构成磁盘装置用悬架10的每个元件的具体方面进行各种修改。

在上述第1实施例至第8实施例中，挠曲件30具有多个枕头90，但也可以没有多个枕头90。因此，滑块11靠近凹坑24侧的量可以仅是对应于枕头90的厚度的量。

Claims (11)

1.一种磁盘装置用悬架的挠曲件，所述磁盘装置用悬架的挠曲件包括金属底座和接线部，所述接线部沿着所述金属底座设置，并具有与基底绝缘层、叠加在所述基底绝缘层上的导体层和层叠加在所述导体层上的覆盖绝缘层，

具有搭载电子元件的第1区域和与所述第1区域排列的第2区域，

所述第1区域包括与所述电子元件重叠且厚度比所述第2区域厚度小的薄壁部。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，

所述导体层分别设置在所述第1区域和所述第2区域。

3.根据权利要求2所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，

所述薄壁部中的所述导体层的厚度小于所述第2区域A2中所述导体层的厚度。

4.根据权利要求2或3所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，

所述基底绝缘层分别设置在所述第1区域及所述第2区域，

所述薄壁部的所述基础绝缘层的厚度小于所述第2区域中所述基底绝缘层的厚度。

5.根据权利要求1所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，

所述薄壁部具有所述金属底座、所述基底绝缘层和所述覆盖绝缘层，

所述薄壁部的所述基底绝缘层与所述覆盖绝缘层接触。

6.根据权利要求1所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，

还具有配置所述电子元件的枕头，

所述薄壁部具有所述金属底座和所述基底绝缘层，

所述薄壁部的所述基底绝缘层与所述枕头接触。

7.根据权利要求1所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，

还具有配置所述电子元件的枕头，

所述薄壁部具有所述金属底座，

所述薄壁部的所述金属底座与所述枕头接触。

8.根据权利要求1所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，

所述金属底座分别设置在所述第1区域及所述第2区域中，

所述薄壁部的所述金属底座的厚度小于所述第2区域中所述金属底座的厚度。

9.根据权利要求1所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，

所述电子元件是滑块，

所述第2区域中所述接线部具有与所述滑块电连接的端子部。

10.根据权利要求1所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，所述电子元件是致动器。

11.一种磁盘装置用悬架，包括

根据权利要求1所述的磁盘装置用悬架的挠曲件，和

与所述挠曲件重叠的承载梁。