JP2023119724A - Display panel manufacturing equipment and display panel manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は表示パネル等の製造における基板の位置合わせマーカ、位置合わせ方法、位置合わせマーカの製造方法、表示パネルの製造方法、表示パネルの製造装置に関するものである。 The present invention relates to substrate alignment markers, alignment methods, alignment marker manufacturing methods, display panel manufacturing methods, and display panel manufacturing apparatuses in the manufacture of display panels and the like.
大画面液晶テレビが商品化され、また、有機EL素子を利用した有機ELテレビが商品化されている。しかし、液晶テレビはコントラストが低いという課題があり、有機ELテレビは画像が焼きつくという課題がある。この課題を解決するため、近年では画素に自発光するLEDチップを使用した大型LEDテレビが開発されている。 Large-screen liquid crystal televisions have been commercialized, and organic EL televisions using organic EL elements have also been commercialized. However, liquid crystal televisions have a problem of low contrast, and organic EL televisions have a problem of image burn-in. In order to solve this problem, in recent years, large-sized LED televisions using self-luminous LED chips in pixels have been developed.
画素に自発光するLEDを使用した大型LEDテレビは、数百万個のLEDチップを実装する必要があり、LEDチップの実装不良が発生しやすく、歩留まりが低い。 Large-sized LED televisions using self-luminous LEDs in pixels need to be mounted with several million LED chips, and LED chip mounting defects are likely to occur, resulting in a low yield.
本発明は、歩留まり向上のため、複数の表示モジュールあるいは表示パネルを作製し、複数の表示モジュールを組み合わせることにより1つの表示画面を構成する方法を提案する。 The present invention proposes a method of manufacturing a plurality of display modules or display panels and combining the plurality of display modules to configure one display screen in order to improve the yield.
複数の表示モジュールを組み合わせるためには、各表示モジュールを位置決めし、表面に形成された信号線に配線を接続し、裏面に配置したドライバ回路から、前記配線を介して信号線に映像信号、選択信号等を印加する必要がある。
配置の形成のためには、表示モジュールに位置決めマーカを形成し、位置決めマーカを基準位置として配線を形成する。
パネル基板202の側面にめっき膜215を形成する凹部216の形成をする際、形成位置の位置決めが困難であるという課題があった。
In order to combine a plurality of display modules, each display module is positioned, wiring is connected to the signal line formed on the front surface, and from the driver circuit arranged on the back surface, the video signal and selection signal are sent to the signal line via the wiring. It is necessary to apply a signal or the like.
To form the arrangement, a positioning marker is formed on the display module, and wiring is formed using the positioning marker as a reference position.
When forming the
特許文献1には、コマンドを受信すると、マーカヘッドによる加工対象物の撮像によって得られた画像データを用いて基準位置に対する加工対象物のずれ量を算出するとともに、ずれ量をコントローラ21に通知し、コントローラ21は、ずれ量に基づきレーザ光を走査する位置を補正した後、マーカヘッドに走査を実行させる位置決め方式が開示されている。
特許文献1は、特許文献1の図17に図示するマーカを上方から認識するものであって、側面からマーカを認識することはできない。
特許文献2には、レーザ光照射による貫通穴の形成後、貫通穴にドライガスを吹き付けてクラックの発生を抑制する方法が記載されている。
特許文献2は、良好な貫通穴を形成することが難しく、また、クラック発生の抑制効果も小さい。
In
Patent Literature 2 describes a method of suppressing the occurrence of cracks by blowing a dry gas onto the through-hole after the through-hole is formed by irradiating a laser beam.
In Patent Document 2, it is difficult to form a good through hole, and the effect of suppressing crack generation is small.
パネル基板202の側面に位置合わせマーカ201を基準位置として、溝状マーカ207を形成する。溝状マーカ207は、パネル基板202の側面にレーザ光を照射しV字状に形成する。溝状マーカ207をV字状に形成されているため、溝状マーカ207の認識時に濃淡画像となりV字状の中心位置を検出することができる。
A
レーザ光は、パネルの側面に配置したミラーで反射させてパネルの側面に照射する。レーザ照射により、パネル側面は粗化される。また、レーザ光の照射により凹部216を形成する。
The laser light is reflected by a mirror arranged on the side surface of the panel and is irradiated to the side surface of the panel. The side surface of the panel is roughened by laser irradiation. Further,
溝状マーカ207の位置を基準として、レーザ光の照射により凹部216を形成する。信号線214と凹部216までのパネル基板202の表面をレーザ光により粗化させる。粗化部および凹部216にめっき膜215を形成し、信号線214とパネル基板202の裏面に形成された端子と電気に接続する。
Using the position of the groove-
パネル基板202の側面にレーザミラー301を配置する。レーザミラー301はミラー基材302上に反射膜303が形成され、レーザ光205は反射膜303で反射してパネル基板202の側面に入射する。レーザ光205により、凹部216が形成される。凹部216はレーザ光205により粗化される。
A
レーザ光205の入射角度をレーザミラー301aのように、臨界角θとすることにより、レーザ光205は全反射し、レーザミラー301aを損傷することがなく、凹部216を形成できる。
By setting the incident angle of the
本発明は、溝状マーカ207を形成する。溝状マーカ207はパネル基板202の表面および側面のいずれの面からも位置決めのための画像認識することができる。したがって、溝状マーカ207をパネル基板202の表面から認識することにより位置決めが行うことができ、パネル基板202の表面をレーザ光等で加工することができる。また、溝状マーカ207をパネル基板202の側面から認識することにより位置決めが行うことができ、パネル基板202の側面をレーザ光等で加工することができる。
The present invention forms a
また、パネル基板202の側面に配置したミラーで、パネル基板202の上面から照射したレーザ光を90度の方向に変化させ、パネル基板202の側面を加工することができる。
Further, the side surface of the
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態について説明をする。発明を実施するための形態を説明するための各図面において、同一の機能を有する要素、構成には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。また、本明細書に記載する本発明の実施例は、一部または全部をそれぞれの実施例と組み合わせることができる。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. In each drawing for explaining the modes for carrying out the invention, elements and configurations having the same function are denoted by the same reference numerals, and description thereof may be omitted. Also, the embodiments of the invention described herein may be combined with each other in part or in whole.
必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。 More detailed description than necessary may be omitted. For example, detailed descriptions of well-known matters and redundant descriptions of substantially the same configurations may be omitted. This is to avoid unnecessary verbosity in the following description and to facilitate understanding by those skilled in the art.
なお、当業者が本開示を十分に理解するために図面、及び以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。 It should be noted that the drawings and the following description are provided for a full understanding of the present disclosure by those skilled in the art and are not intended to limit the claimed subject matter.
図11は、本発明の位置合わせマーカの説明図である。なお、図11等で図示する位置合わせマーカは、十字マークとして図示しているが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、円形、多角形、矩形等、また、複数の形状の組み合わせであってもよい。 FIG. 11 is an explanatory diagram of the alignment marker of the present invention. Although the alignment markers illustrated in FIG. 11 and the like are illustrated as cross marks, the present invention is not limited to this. For example, it may be circular, polygonal, rectangular, or a combination of multiple shapes.
位置合わせマーカ201は、基板202に形成されている。基板202はガラス等の光透過性を有する基板であり、具体的には、0.5mm厚の石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、ライトライムガラス等である。特にケイ酸(SiO2)を含むガラス基板を選択することが好ましい。
なお、基板202は、ガラス等の無機材料に限定されるものではなく、光透過性を有する樹脂材料であってもよい。有機材料からなる基板としては板状のもの、フィルム状のいずれでもよく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂から構成されたものが例示される。
Note that the
パネル基板202厚としては0.2mm以上0.8mm以下で例示される。パネル基板202は少なくとも一方が光透過性を有すればよく、裏面が、シリコンあるいはアルミ等の金属基板で構成されていても、染料あるいは顔料等で着色されたプラスチック基板で構成されていてもよい。
The thickness of the
位置合わせマーカ201は少なくとも基板形状の対角位置に形成される。好ましくは4辺の隅(位置合わせマーカ201a~位置合わせマーカ201d)、4辺の中央部(図示せず)に形成される。位置合わせマーカ201は、パネル基板202に深さ方向に加工されて形成されている。深さは、2μm以上である。
位置合わせマーカ201は、図17に図示するように、パネル基板202の上方から画像認識カメラ206a、画像認識カメラ206bで位置合わせマーカ201a、位置合わせマーカ201bを認識する。
As shown in FIG. 17, the
パネル基板202は光透過性を有する。したがって、パネル基板202の側面から、位置合わせマーカ201を認識することができる。パネル基板202の側面から、画像認識カメラ206c、画像認識カメラ206dで位置合わせマーカ201a、位置合わせマーカ201bを認識する。
The
図11(d)に図示するように、位置合わせマーカ201に斜面を有するプリズム形状としてもよい。照明光227を位置合わせマーカ201の斜面で反射させ、斜面で反射光を検出することにより、位置合わせマーカ201eを検出し、位置合わせマーカ201eの位置を基準として位置決めを行う。プリズム形状の斜面部は、臨界角以上の角度とすることにより、反射膜を形成せずとも、照明光227を反射する。
As shown in FIG. 11(d), the
図11(d)の位置合わせマーカ201eもパネル基板202の上面から認識することができ、位置を行うことができる。パネル基板202の側面からも位置合わせマーカ201eを認識することができ、位置決めを行うことができる。
The
図17に図示するように、パネル基板202あるいは表示モジュール203は、XYZステージ217に積載され、XYZステージ217に、エアーチェック機構(図示せず)で、パネル基板202あるいは表示モジュール203は固定される。
As shown in FIG. 17, the
画像認識カメラ206は、オートフォーカス機能を有し、位置合わせマーカ201にフォーカスを合わせて、パネル基板202あるいは表示モジュール203の位置を認識する。認識した位置からレーザ光205を照射する位置を設定する。
The image recognition camera 206 has an autofocus function, focuses on the
本発明の位置合わせマーカ201は、透明あるいは光透過性を有するパネル基板202等、あるいは表示モジュール203等に形成され、深さ方向に形状のある3D形状に作製されている。そのため、図17に図示するように、パネル基板202あるいは表示モジュール203の上方だけでなく、側面からも位置合わせマーカ201を認識することができる。
The
したがって、パネル基板202の上方からレーザ光205を照射する際の位置決め、及びパネル基板202の側面からレーザ光205を照射する際の位置決めの両方に位置合わせマーカ201を利用することができる。
Therefore, the
図12は本発明の位置合わせマーカ201の作製方法を説明する説明図である。図12(a)に図示するように、位置合わせマーカ201を形成する位置に、レーザ光吸収部224を形成する。レーザ光吸収部224の形成方法としては、スパッタによる方法、電着による方法、蒸着による方法、焼結による方法が例示される。
パネル基板202は、軟化温度が約730℃前後、融点は全成分を完全に溶融させる温度と定義するならば約1200℃~1500℃前後である。
12A and 12B are explanatory diagrams for explaining a method of manufacturing the
The
レーザ光吸収部224を形成する材料は、パネル基板202の融点よりも高い材料であることが好ましく、また、照射するレーザ光205を吸収しやすい材料を選定することが好ましい。また、レーザ光吸収部224を形成する材料の沸点は、パネル基板202の融点よりも高いことが好ましい。
The material forming the laser
レーザ光吸収部224にレーザ光205が照射されることにより、レーザ光吸収部224が発熱し、発熱した熱によりパネル基板202が溶解、蒸発する。レーザ光205のパワーを調整し、好ましくは、レーザ光吸収部224を形成する材料の沸点以下で、かつ、パネル基板202を形成する材料の溶解温度以上に制御する。
When the laser
レーザ光205によりパネル基板202の該当箇所に穴が形成され、穴は、順次、深さ方向に進行する。レーザ光吸収部224の材料の沸点以下の温度を維持することにより、パネル基板202に穴、あるいは溝が形成される。
A hole is formed in the corresponding portion of the
好ましくは、図22、図27、図28に図示するように、レーザ光吸収部224にスリット228(レーザ光吸収部224が形成されていない部分)を形成し、スリット228から照射されたレーザ光205により、パネル基板202材料を溶解あるいは加工してもよい。スリット228の周辺部のレーザ光吸収部224はレーザ光り205を吸収し、発熱してよりパネル基板202材料を溶解させ、あるいは加工され、凹部216または貫通穴223の形成を促進させる。
Preferably, as shown in FIGS. 22, 27, and 28, a slit 228 (a portion where the laser
なお、パネル基板202に貫通穴223を形成する場合は、パネル基板202の両面(表面側と裏面側)から、レーザ光205を、同時に、あるいは交互に、あるいは一方の加工後に他方から照射する。また、一定以上の穴が形成された後は、フッ酸(フッ化水素、弗化水素 HF)を用いて、パネル基板202を腐食させることにより貫通穴223を形成する。
When the through
レーザ光吸収部224の材料として、タングステン(W 融点3407℃)、タンタル(Ta 融点2985℃)、チタン(Ti 融点1666℃)、鉄(Fe 融点1536℃)、
Materials for the laser
ニッケル(Ni 融点1455℃)、白金(Pt 融点1769℃)、パラジウム(Pd 融点1552℃)、モリブデン(Mo 融点2623℃)が例示される。 Nickel (Ni melting point 1455° C.), platinum (Pt melting point 1769° C.), palladium (Pd melting point 1552° C.) and molybdenum (Mo melting point 2623° C.) are exemplified.
中でも、高融点のチタン(Ti 融点1666℃)、タングステン(W 融点3407℃)、モリブデン(Mo 融点2623℃)、または、これらの合金を使用することが好ましい。これらの金属あるいは合金は、液晶パネル、有機ELパネル等の信号線の形成材料として使用されているため、本発明の表示モジュールの製造方法に適用することが容易である。
また、レーザ光吸収部224をめっき技術で作製する場合は、ニッケル(Ni 融点1455℃)、鉄(Fe 融点1536℃)を採用することが好ましい。
Among them, it is preferable to use high melting point titanium (Ti melting point: 1666°C), tungsten (W melting point: 3407°C), molybdenum (Mo melting point: 2623°C), or alloys thereof. Since these metals or alloys are used as materials for forming signal lines in liquid crystal panels, organic EL panels, etc., they can be easily applied to the manufacturing method of the display module of the present invention.
When the laser
図12(a)に図示するように、位置合わせマーカ201の形成する位置あるいは位置を含む近傍にレーザ光吸収部224の材料を形成または配置する。レーザ光吸収部224の膜厚は、1μm以上が好ましい。
As shown in FIG. 12(a), the material of the laser
次に、レーザ加工装置204で位置合わせマーカ201の形成部にレーザ光205を照射する。一例としてレーザ光205は図11に図示するように、十字形状である。図11(d)に図示するように、斜面を有するプリズム形状であってもよい。加工深さは、2μm以上とし、好ましくは、100μm以上の深さに加工する。
Next, a
位置合わせマーカ201の加工は、フェムト秒レーザ加工装置204が発生するレーザ光205で行う。加工状態あるいは粗化状態は、フェムト秒レーザ光205のレーザ強度、照射するレーザパルスの移動速度を変更あるいは設定することにより容易に実現できる。
The
フェムト秒レーザ加工装置204は、一般にパルス幅が、サブピコ秒から数十フェムト秒のフェムト秒レーザ光205を発生する。サブピコ秒から数十フェムト秒の超短パルスのレーザ光205を材料に照射した場合、材料の熱拡散時間に比べてパルス幅が十分に短いため、光エネルギーを有効に照射部に投入できる。
The femtosecond
その結果、照射周辺部への熱影響を局限化することが可能である。また、高精度な微細加工が実現できる。また、レーザ光の電場強度が非常に高いため、ビームが集光されたところにのみ、空間選択的に多光子吸収、多光子イオン化等の非線形作用を誘起することができる。 As a result, it is possible to localize the thermal influence on the irradiation periphery. Also, highly accurate microfabrication can be realized. In addition, since the electric field intensity of the laser light is extremely high, nonlinear effects such as multiphoton absorption and multiphoton ionization can be spatially selectively induced only where the beam is focused.
フェムト秒グリーンレーザは、第二高調波であるため、比較的高出力を取り出すことができ、レーザ光吸収部224に対しても、照射したレーザ光の吸収が良好である。
Since the femtosecond green laser is a second harmonic wave, a relatively high output can be extracted, and the laser
フェムト秒グリーンレーザが出射する光の波長は500nm~540nmであるのが好ましい。パルス幅は、1フェムト秒~1000フェムト秒であるのが好ましい。 The wavelength of light emitted from the femtosecond green laser is preferably 500 nm to 540 nm. The pulse width is preferably between 1 femtosecond and 1000 femtoseconds.
ピコ秒レーザを用いる場合、ピコ秒レーザが出射する光の波長は500nm~540nmであるのが好ましい。パルス幅は、1ピコ秒~10ピコ秒であるのが好ましい。
パネル基板202の表面は、パルス幅の単位がピコ秒であるピコ秒レーザ光、又はフェムト秒であるフェムト秒レーザ光により粗化され、また加工される。
When a picosecond laser is used, the wavelength of light emitted by the picosecond laser is preferably 500 nm to 540 nm. The pulse width is preferably between 1 picosecond and 10 picoseconds.
The surface of the
図12(a)等で説明するレーザ光吸収部224の形成、レーザ光205の照射によるパネル基板202の加工は、複数回、繰り返しても良い。レーザ光205の照射によりレーザ光吸収部224が除去されることにより、加工箇所のパネル基板202の加熱が小さくなる。その対策として、レーザ光吸収部224の形成 -> レーザ光205の照射 -> レーザ光吸収部224の形成 -> レーザ光205の照射を複数回、繰り返す。
The formation of the laser
次に、図12(b)に図示するように、位置合わせマーカ201部を含む箇所に、光反射機能あるいは、光吸収機能を有する反射膜211を形成する。たとえば、反射膜211の材料として、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)が例示される。反射膜211の材料は、加工された位置合わせマーカ201の底部及び側面に付着し、位置合わせマーカ201は光を吸収または反射する。また、位置合わせマーカ201は、パネル基板202の上方、あるいは側面から観察することができる。
Next, as shown in FIG. 12(b), a
図12の実施例では、位置合わせマーカ201部に反射膜211を形成するとしたが、位置合わせマーカ201の形成部と、他の箇所とのコントラストがあれば、位置合わせマーカ201の位置を検出することができる。したがって、反射膜211の替わりに、光吸収膜211を形成または配置してもよい。なお、説明を容易にするため、薄膜または厚膜211は反射膜211として説明する。
In the embodiment of FIG. 12, the
位置合わせマーカ201は、光を吸収または反射することにより、他の部分(位置合わせマーカ201が形成されていない領域)とコントラストがつき、位置合わせマーカ201として機能する。
The
図12(c)に図示するように、位置合わせマーカ201の加工位置、あるいは/または位置合わせマーカ201の加工位置を含む近傍に、マスク212(マスク212a、マスク212b)を形成する。
次に、図12(d)に図示するように、マスク212をマスクとして、他の箇所に形成された反射膜あるいは吸収膜211をエッチングにより除去する。
As shown in FIG. 12(c), a mask 212 (
Next, as shown in FIG. 12D, using the mask 212 as a mask, the reflection film or
次に、図12(e)に図示するように、マスク212をエッチング等で除去することにより、反射膜211が形成された位置合わせマーカ201を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 12E, by removing the mask 212 by etching or the like, the
図12(d)では、マスク212により、位置合わせマーカ201部に反射膜211等を残存させるとした。しかし、位置合わせマーカ201部以外を研磨、等の技術により除去してもよいことは言うまでもない。
In FIG. 12D, the mask 212 is used to leave the
図11の位置合わせマーカ201は、パネル基板202の深さ方向にレーザ光205等で位置合わせマーカ201を加工し、図11(d)に図示するように、照明光227を反射する反射面を形成したものである。
The
図6は、本発明の第2の実施例のおける位置合わせマーカ201の構成図および説明図である。図6の実施例では、位置合わせマーカ207は、パネル基板202の側面にV溝状に形成されている。以降、位置合わせマーカ207を溝状マーカ207と呼ぶ。
なお、以下の実施例で、溝状マーカ207はV字状として説明するが、たとえば、U字状等であっても良いことは言うまでもない。また、凹状であっても良い。
FIG. 6 is a configuration diagram and explanatory diagram of the
In the following embodiments, the groove-shaped
以下、図6~図10等を参照しながら、溝状マーカ207について説明をする。なお、本明細書、図面で記載する事項、あるいは類似事項等は説明を省略する場合がある。また、図6等で説明する溝状マーカ207は、本明細書、図面等で説明する他の実施例に適用できることは言うまでもない。
また、本明細書、図面等で説明する他の実施例と相互に組み合わせることができることは言うまでもない。
The groove-shaped
Moreover, it goes without saying that the present invention can be combined with other embodiments described in this specification, drawings, and the like.
図6等において、溝状マーカ207はV字状の溝として説明するがこれに限定するものではなく、例えば、半円状、三角形状、凹状、多角形状、線状等の形状であっても良いことは言うまでもない。また、パネル基板202の側面に位置合わせマーカ201のように十字状等に形成してもよいことは言うまでもない。
In FIG. 6 and the like, the groove-shaped
図6(a)に図示するように、溝状マーカ207は、パネル基板202に形成されている。溝状マーカ207は、少なくとも基板形状の対角位置に形成される。好ましくは4辺の隅、4辺の中央部に形成される。また、溝状マーカ207は、各信号線214の位置に合わせて形成される。溝状マーカ207は、パネル基板202の側面に厚み方向に形成され、また、図6等に図示するようにパネル基板202の表面からも観察、画像認識できるサイズ、形状に形成されている。
As shown in FIG. 6A, the groove-shaped
図6(b)では、溝状マーカ207は、パネル基板202の表面から裏面の全範囲に線状に形成されているように図示しているが、これに限定するものではなく、たとえば、パネル基板202の厚み方向の一部(たとえば、厚みの1/2)に範囲に溝状マーカ207を形成しても良いことは言うまでもない。また、位置合わせマーカ201のように十字状等に形成してもよい。また、溝状マーカ207は円状、円弧状であっても位置決めとして機能する。
In FIG. 6B, the groove-shaped
溝状マーカ207は、パネル基板202にV状に加工され、その深さは、5μm以上40μm以下とすることが好ましい。また、溝状マーカ207幅は、信号線214の幅と略一致させるか、信号線214の幅よりも大きくする。
The groove-shaped
図7(a)は、溝状マーカ207を形成したパネル基板202を側面方向から図示した図であり、図7(b)はパネル基板202の一部平面図である。図7に図示するように、パネル基板202の側面にV字状の溝状マーカ207を配置する。
7(a) is a side view of the
図11の位置合わせマーカ201では、パネル基板202上に形成された位置合わせマーカ201を画像認識装置206で認識し、位置決めを行う。図6の実施例では、パネル基板202の平面から認識されるV字を画像認識装置206で認識し、位置決めを行う。つまり、パネル基板202の表面および裏面はこの溝状マーカ207の頂点を基準点する。頂点は線状に認識される。
In the
なお、溝状マーカ207はパネル基板202の表面からも画像認識することができる。したがって、パネル基板202の表面からも溝状マーカ207を用いて位置決めを行うことができる。
The image of the groove-
パネル基板202側面は、溝状マーカ207の濃淡を判別して最も濃いラインと判定した点を基準点(基準線)とする。図7(a)において、溝状マーカ207の頂点部(一点鎖線で示す)を基準位置とする。
On the side surface of the
したがって、溝状マーカ207を画像認識装置206で認識することにより、パネル基板202の表面、裏面、側面のいずれかからも溝状マーカ207を認識することができ、認識あるいは検出した基準位置から凹部216の加工、パネル基板202の信号線214等の表面のレーザ粗化加工等を実施することができる。
Therefore, by recognizing the groove-shaped
なお、図6に図示する位置合わせマーカ201と、溝状マーカ207の両方を形成または配置し、用途あるいは目的に応じて、位置合わせマーカ201と溝状マーカ207とを使い分けても良いことは言うまでもない。
It goes without saying that both the
溝状マーカ207はレーザ加工装置204からレーザ光205を照射し、パネル基板202を加工することによりたとえば、V字状に加工し、アライメント時に図7(a)に図示するように濃淡画像が発生できるように加工する。
The groove-shaped
濃淡画像を発生させるためには、画像認識装置206の焦点深度が関係する。したがって、溝状マーカ207の深さは、画像認識装置206の焦点深度を考慮して決定する必要がある。通常、溝状マーカ207の深さ(V字の頂点)は、10μm以上にすることが好ましい。また、加工の制約から50μm以下とすることが好ましい。
The depth of focus of the image recognition device 206 is relevant for generating a grayscale image. Therefore, the depth of the groove-shaped
パネル基板202がガラス材料から構成される場合、V字の頂点が鋭角だと、V字の頂点からクラックが発生し、パネル基板202が割れる場合がある。そのため、溝状マーカ207のV字の加工後、フッ化水素等でエッチングを行い、クラックをなくすとともに、V字の鋭角部を適度な円弧状に加工することが好ましい。
When the
なお、以上の実施例では、溝状マーカ207はレーザ光205により形成するとして説明するがこれに限定するものではない。たとえば、サンドブラスタによりクラックを除去する方法、砥石等の切削研磨により形成する方法、フッ化水素等を使用してエッチングにより形成する方法等が例示される。
In the above embodiment, the groove-shaped
図8は本発明の溝状マーカ207の形成方法あるいは製造方法の説明図である。溝状マーカ207の形成位置は、多様な基準位置からを基準にすることが考えられる。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a method of forming or manufacturing the groove-shaped
位置合わせマーカ201の形成位置を基準にする場合は、図8に示すように、位置合わせマーカ201の中心線からcの距離の位置を溝状マーカ207の中心線とする。位置合わせマーカ201は、信号線214aの基準位置として、a距離を離れて形成されている。
信号線214aの形成位置を基準にする場合は、信号線214aの中心線からbの距離の位置を溝状マーカ207の中心線とする。
When the formation position of the
When the formation position of the
少なくともパネル基板202の一辺の側面には、複数の溝状マーカ207を形成する。図8の実施例では、パネル基板202の左辺に、溝状マーカ207aと溝状マーカ207bを形成し、いずれかの溝状マーカ207を基準として、あるいは両方の溝状マーカ207を基準として認識し、凹部216を形成する。
図9は溝状マーカ207を基準位置として、凹部216を形成する製造方法の説明図である。凹部216は、信号線214に対応するように形成、配置される。
A plurality of groove-shaped
FIG. 9 is an explanatory diagram of a manufacturing method for forming the
図9は、溝状マーカ207aと基準として、b距離の位置にある信号線214aに対応する箇所に凹部216を形成している。凹部216は各信号線214a、各信号線214bに対応する位置合わせマーカ201に形成する。
In FIG. 9, a
なお、凹部216の形成方法、パネル基板202の表面の加工、表示モジュールの構成、製造方法等は、本明細書、本図面の他の実施例で説明するため説明を省略する。
なお、本明細書、図面などで説明した事項、内容、技術的思想は相互に一部または全部を組み合わせることができる。
The method of forming the
It should be noted that the matters, contents, and technical ideas described in this specification, drawings, etc. can be combined in part or in whole.
図10は本発明の表示モジュール203の構成図および説明図である。図10に図示するように、表示モジュール203の各側面には、複数の溝状マーカ207が形成されている。溝状マーカ207を基準として凹部216が形成加工されて配置されている。
FIG. 10 is a configuration diagram and an explanatory diagram of the
図10では、左辺に溝状マーカ207a、溝状マーカ207bが形成され、 上辺に溝状マーカ207c、溝状マーカ207dが形成され、下辺に溝状マーカ207e、溝状マーカ207fが形成され、右辺に溝状マーカ207g、溝状マーカ207hが形成されている。
In FIG. 10, groove-shaped
左辺の凹部216は、左辺の溝状マーカ207a、溝状マーカ207bを基準として加工される。上辺の凹部216は、上辺の溝状マーカ207c、溝状マーカ207dを基準として加工される。下辺の凹部216は、溝状マーカ207e、溝状マーカ207fを基準として加工される。右辺の凹部216は、右辺の溝状マーカ207g、溝状マーカ207hを基準として加工される。また、パネル基板202の表面の加工は、各溝状マーカ207を基準として加工等される。
以上の実施例では、パネル基板202の側面からレーザ光205を照射する必要がある。そのため、レーザ加工装置204を水平に配置する必要がある。
The
In the above embodiments, it is necessary to irradiate the
図1は、レーザ加工装置204をパネル基板202に対して垂直方向に配置し、レーザ光205をパネル基板202に対して垂直方向(上下方向)から照射できるようにした実施例である。
FIG. 1 shows an embodiment in which a
図1は本発明の表示パネルの製造装置および製造方法の説明図である。図1において、レーザミラー301はパネル基板202の側面に配置されている。レーザミラー301はパネル基板202の一辺以上の長さ、あるいは凹部216を加工する範囲以上の長さを有する。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a display panel manufacturing apparatus and manufacturing method according to the present invention. In FIG. 1, the
レーザミラー301は、垂直軸に対して40°以上50°(DEG.)の角度で配置される。レーザミラー301は、石英ガラスを基材とするミラー基材302に銀またはアルミニウムからなる反射膜303が形成されている。
The
反射膜303には、レーザ光205が入射し、レーザ光205の方向を90°変化させて、パネル基板202の凹部216の形成箇所にレーザ光205が照射される。レーザ光205は、図1のレーザ光205a位置から、レーザ光205b位置、レーザ光205cに移動する(矢印で示す)。
The
凹部216には、図22、図23、図27、図28に図示して説明しているように、スリット228、光吸収部224を形成または配置しても良いことは言うまでもない。あるいはこれらの技術的思想、技術的方法と組み合わせることができることは言うまでもない。
Needless to say, a
パネル基板202は、XYZステージ217に積載され、XYZステージは、加工する凹部216位置にパネル基板202を移動し、レーザ光205の焦点を合わせ、またパネル基板202のZ位置を移動させる。
The
レーザ光205a位置のレーザ光は、パネル基板202の側面a’位置に照射される。レーザ光205b位置のレーザ光は、パネル基板202の側面b’位置に照射される。レーザ光205c位置のレーザ光は、パネル基板202の側面c’位置に照射される。レーザ光205を矢印方向に移動されることにより、凹部216が形成される。
The laser light at the position of the
図2は、パネル基板202の側面にレーザミラー301を配置した構成を図示している。パネル基板202の一辺にレーザミラー301が配置されている。レーザ光205はレーザミラー301上を移動し、レーザ光205が照射されたパネル基板202の側面に凹部216が形成されていく。
レーザ光205は、形成あるいは加工する凹部216位置に対応して、位置決めする。レーザ光205は、矢印方向に順次、移動して凹部216を形成する。
FIG. 2 illustrates a configuration in which a
The
なお、図2ではレーザ光205は1つとして図示しているが、多数のレーザ光205を同時にパネル基板202に照射しても良い。また、パネル基板202の一辺に限定するものではなく、パネル基板202の二辺あるいは4辺から照射しても良い。
Although one
なお、凹部216の形成方法、位置合わせマーカ201等に関しては、図6、図7,図8、図9、図10,図11、図12等で説明しているため、説明を省略する。
The method of forming the
レーザミラー301は反射膜303が形成されている。レーザ光205はレーザミラー301の反射膜303で反射し、反射したレーザ光205aはパネル基板202の側面に入射し、凹部216が形成される。
A
レーザミラー301には、反射膜303が形成されているが、図3に図示するように、レーザ光205の一部の光は反射膜303を透過し、レーザ光205bとなり、レーザ光205bが迷光となってパネル基板202の意図しない位置を加工される場合がある。
A
この課題に対して、図3の一点鎖線に示すようにレーザミラー301aを配置し、レーザ光205のレーザミラー301aの面に対しての角度θを5°(DEG.)以下とする。さらに好ましくは、3°(DEG.)以下とする。角度θを小さくすることにより、臨界角となり、レーザ光205は全反射あるいは全反射に近い状態で反射される。反射したレーザ光205c(一点鎖線で示す)はパネル基板202の側面に入射し、凹部216を加工する。
To solve this problem, the
パネル基板202の側面には、レーザ光205が斜め方向に入射する。レーザ光205はパネル基板202内で反射する可能性がある。この対策として、図23、図24の実施例を実施することが有効である。
A
なお、図3のレーザ光205cは、パネル基板202の側面に垂直方向に照射されるようにパネル基板202を傾けて(パネル基板202の側面の平面にレーザ光205cが略垂直に入射するように)、配置しても良い。
Note that the
図4の実施例は、レーザミラー301の反射面の反射膜上に誘電体ミラー304を形成した実施例である。なお、誘電体ミラー304で十分な反射率が得られる場合は、反射膜303は省略してもよい。
誘電体ミラー304は、誘電体材料の複数の薄層で構成されるタイプのミラーである。
The embodiment of FIG. 4 is an embodiment in which a
狭い範囲の波長で99.999%以上の値を生成できる。その他、シリコン全反射ミラーを使用することも好ましい。ミラー基材302は、溶融石英、合成石英を使用することが好ましい。
Values greater than 99.999% can be produced over a narrow range of wavelengths. In addition, it is also preferable to use a silicon total reflection mirror. It is preferable to use fused quartz or synthetic quartz for the
また、レーザミラー301の裏面にレーザ光吸収部224を形成あるいは配置することにより、レーザ光205bを吸収することができ、図3で説明した迷光のレーザ205bを抑制あるいはなくすことができる。
Further, by forming or arranging the laser
図3のレーザ光205bをなくす方法として、図5に図示するように、レーザミラー301の裏面にプリズム305を配置することが有効である。レーザミラー301とプリズム305とはオプティカルカップリング液226(図示せず)で光学的に接合される。
As a method for eliminating the
なお、図5等においても、反射膜303の上に、誘電体ミラー304を形成することが好ましい。また、誘電体ミラー304を形成または構成する場合は、反射膜303がなくても良い。レーザ光205が炭酸ガスレーザ等の場合、ミラー301はシリコンミラーで構成することもできる。
In addition, it is preferable to form the
レーザミラー301とプリズム305とを一体として構成し、光学的界面がないように構成あるいは形成する。また、プリズム305のA点(レーザ光205bが照射される箇所あるいは部分)に、レーザ光吸収部224を形成しても良いことは言うまでもない。
The
プリズム305の面とレーザ光205bの入射角度θを全反射角以下とすることにより、レーザ光205bはプリズム305と空気の界面Aで反射光205cとなり、パネル基板202側には出射されない。
By setting the incident angle θ between the surface of the
なお、図1、図2、図3、図4、図5の実施例は一部または全部を相互に組み合わせることができることは言うまでもない。また、本明細書、図面に記載している事項、内容、技術的思想は一部または全部を組み合わせることができることは言うまでもない。 It goes without saying that the embodiments of FIGS. 1, 2, 3, 4 and 5 can be combined with each other in whole or in part. It goes without saying that the matters, contents, and technical ideas described in this specification and drawings can be combined in whole or in part.
図13、図14は、本発明の表示パネルの等価回路図である。赤色(R)の画素175R、緑色(G)の画素175G、青色(B)の画素175Bが表示画面165にマトリックス状に配置されている(図15参照)。なお、画素175の色は、RGBに限定されるものではない、黄色(Y)を加えて4色でもよく、また、RBの2色や、RGBのいずれか1色の表示モジュール203であってもよい。
13 and 14 are equivalent circuit diagrams of the display panel of the present invention. Red (R)
各画素175には、薄膜トランジスタ(TFT)171、コンデンサ173、LED172が形成、または、配置、もしくは実装されている。TFTはスイッチまたは、駆動用トランジスタとして機能する。
In each
本明細書では、駆動用トランジスタ171a、スイッチ用トランジスタ171は、薄膜トランジスタとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ダイオード(TFD)、リングダイオード等でも構成することができる。
Although the driving
薄膜素子に限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。たとえば、シリコンウエハでトランジスタを構成し、剥がしてガラス基板に転写したものが例示される。また、シリコンウエハでトランジスタチップを形成し、ガラス基板のボンディング実装した表示パネルが例示される。 It is not limited to a thin film element, and a transistor formed on a silicon wafer may be used. For example, a silicon wafer having a transistor formed thereon, peeled off and transferred to a glass substrate is exemplified. Another example is a display panel in which transistor chips are formed from a silicon wafer and bonded to a glass substrate.
トランジスタ171は、もちろん、FET、MOS-FET、MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。これらも基本的に薄膜トランジスタである。その他、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、ホトダオード、ホトトランジスタ、PLZT素子等でもよいことは言うまでもない。
本発明のトランジスタ171は、Nチャンネル、Pチャンネルとも、LDD(Lightly Doped Drain)構造を採用することが好ましい。
Transistor 171 may, of course, be a FET, MOS-FET, MOS transistor, or bipolar transistor. These are also basically thin film transistors. It goes without saying that varistors, thyristors, ring diodes, photo diodes, phototransistors, PLZT elements, etc. may also be used.
The transistor 171 of the present invention preferably employs an LDD (Lightly Doped Drain) structure for both N-channel and P-channel.
トランジスタ171は、高温ポリシリコン(HTPS : High- temperature rature polycrystalline silicon)、低温ポリシリコン(LTPS : Low- temperature poly silicon)、連続粒界シリコン(CGS : Continuous grain silicon)、透明アモルファス酸化物半導体(TAOS : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)、アモルファスシリコン(AS : amorphous silicon)、赤外線RTA(RTA : rapid thermal annealing)で形成したもののうち、いずれでもよい。 The transistor 171 may be made of high-temperature polysilicon (HTPS), low-temperature polysilicon (LTPS), continuous grain silicon (CGS), or transparent amorphous oxide semiconductor (TAOS). : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors), amorphous silicon (AS: amorphous silicon), infrared RTA (RTA: rapid thermal annealing).
図14ではすべてのトランジスタ171はPチャンネルで構成している。PチャンネルはNチャンネルのトランジスタに比較してモビリティが低い。しかし、耐圧が大きく、また、寿命劣化も少ない。 In FIG. 14, all transistors 171 are P-channel. P-channels have lower mobility compared to N-channel transistors. However, the withstand voltage is high and the life deterioration is small.
本発明は、画素のトランジスタ171をPチャンネルで構成することのみに限定するものではない。Nチャンネルのみで構成してもよい。また、NチャンネルとPチャンネルの両方を用いて構成してもよい。また、駆動用トランジスタ171aをPチャンネルトランジスタとNチャンネルトランジスタの両方を用いて構成してもよい。
The present invention is not limited to only configuring the pixel transistor 171 as a P-channel. It may be configured with only N channels. Alternatively, both N-channels and P-channels may be used. Also, the driving
スイッチ用トランジスタ171は、トランジスタに限定するものではなく、たとえば、PチャンネルトランジスタとNチャンネルトランジスタの両方を用いた、アナログスイッチであってもよい。 The switching transistor 171 is not limited to a transistor, and may be an analog switch using both a P-channel transistor and an N-channel transistor, for example.
なお、本発明の表示パネルの画素のトランジスタ171は、Pチャンネルで構成することが好ましい。Pチャンネルで画素を構成すると、Nチャンネルで画素を構成した場合に比較して、1画素あたりのトランジスタ数を少なくでき、また、画素のスイッチ用トランジスタを制御するゲート信号線の本数も少なくできるからである。 Note that the pixel transistor 171 of the display panel of the present invention is preferably a P-channel transistor. When a pixel is configured with P-channels, the number of transistors per pixel can be reduced, and the number of gate signal lines for controlling the switching transistors of the pixels can be reduced as compared with the case where the pixel is configured with N-channels. is.
また、トランジスタ171はトップゲート構造にすることが好ましい。トップゲート構造にすることにより寄生容量が低減し、トップゲートのゲート電極パターンが、遮光層となり、LED172から出射された光を遮光層で遮断し、トランジスタ171の誤動作、オフリーク電流を低減できるからである。
Further, the transistor 171 preferably has a top-gate structure. This is because the parasitic capacitance is reduced by the top gate structure, the gate electrode pattern of the top gate becomes a light shielding layer, the light emitted from the
ゲート信号線163またはソース信号線164、もしくはゲート信号線163とソース信号線164の両方の配線材料として、銅配線または銅合金配線を採用できるプロセスを実施することが好ましい。信号線の配線抵抗を低減でき、より大型の表示パネルを実現できるからである。特に、ゲートドライバ161が駆動(制御)するゲート信号線163は、低インピーダンス化すること好ましい。銅配線は、Ti-Cu-Tiの3層構造を採用することが好ましい。
As the wiring material for the gate signal line 163 or the
信号線214(ソース信号線164、ゲート信号線163)の表面は、ITOで被覆することが好ましい。ITOで被覆することにより、信号線214が腐食することが低減し、また、信号線214にめっき膜215を形成しやすくなるからである。
The surfaces of the signal lines 214 (the
図13は、ゲート信号線163の一方にゲートドライバ161を接続した構成であるが、ゲート信号線163の両側にゲートドライバ161を接続することより、表示画像の輝度傾斜が低減し好ましい。 Although FIG. 13 shows a configuration in which the gate driver 161 is connected to one side of the gate signal line 163, connecting the gate driver 161 to both sides of the gate signal line 163 reduces the luminance gradient of the displayed image, which is preferable.
図14は、本発明の実施例における表示パネルの画素構成の説明図である。図14において、Pチャンネルの駆動用トランジスタ171aのドレイン端子に、スイッチ用トランジスタ171dのソース端子が接続され、スイッチ用トランジスタ171dのドレイン端子にLED172のアノード端子が接続されている。また、LED172のカソード端子には、カソード電圧Vssが印加されている。駆動用トランジスタ171aのソース端子には、アノード電圧Vddが印加されている。
FIG. 14 is an explanatory diagram of the pixel configuration of the display panel in the embodiment of the invention. In FIG. 14, the source terminal of a switching
ゲート信号線163bにオン電圧が印加されると、スイッチ用トランジスタ171dがオンし、駆動用トランジスタ171aからの発光電流がLED172に供給される。LED172は、発光電流の大きさに基づき発光する。
When an ON voltage is applied to the
駆動用トランジスタ171aのゲート端子とドレイン端子間には、スイッチ用トランジスタ171bのソース端子とドレイン端子が接続され、ゲート信号線163aにオン電圧が印加されることにより、駆動用トランジスタ171aのゲート端子にソース信号線164に印加された信号電圧が印加される。
駆動用トランジスタ171aのゲート端子には、コンデンサ173の1端子が接続され、コンデンサ173の他端子は、アノード電極Vddと接続されている。
A source terminal and a drain terminal of the switching
One terminal of a
ソースドライバ162は映像信号に基づく電圧をソース信号線164に出力する。ゲートドライバ161は、スイッチ用トランジスタ171b、171dをオンさせる電圧(オン電圧)、オフさせる電圧(オフ電圧)をゲート信号線163に印加する。
A
ゲート信号線163aにオン電圧が印加されている時には、トランジスタ171bがオン状態であり、ソース信号線164に印加されている映像信号を画素175に印加される。
When the ON voltage is applied to the
ソース信号線164には、ソースドライバ162a、ソースドライバ162bが接続される。ソース信号線164は、ソースドライバ162a、ソースドライバ162bによる両側給電が行われることにより、表示画面165の輝度傾斜は発生しない。
A
ゲートドライバ161、ソースドライバ162は、シリコンチップで形成されている。ゲートドライバ161、ソースドライバ162は、COF(Chip On Film)218に実装される。COF218は信号線214(ゲート信号線163、ソース信号線164等)と表示画面165の端で接続される。
The gate driver 161 and the
LED172はチップ形状のものが例示される。その他、マイクロLED,ナノLEDが例示される。LED172の電極端子は、接続電極174に、異方性導電膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)219で実装される。また、めっき技術で実装、あるいは接続してもよい。
A chip-shaped
LED172の実装後、LED172上に、拡散材(散乱材)176を塗布あるいは形成もしくは配置する。拡散材176として、酸化チタン(TiO2)、炭酸カルシウム(CaCO3)、オパールガラス等の無機材料が例示される。これらをアセトン等の溶媒中に拡散あるいは混合し、インクジェット方式等により塗布する。また、樹脂性の拡散シートを配置する構成も有用である。その他、LED172上に色度を改善するカラーフィルタ、量子ドット(QD:Quantum dot)を形成または配置する。
After mounting the
図16は、本発明の表示パネルの製造方法の説明図である。図16に図示するように、パネル基板202には、複数の表示モジュール203が作製される。各表示モジュール203の4つの端には、位置合わせマーカ201が形成、または配置される。
16A and 16B are explanatory diagrams of the method for manufacturing the display panel of the present invention. As shown in FIG. 16, a plurality of
図16では、表示モジュール203(1,1)~表示モジュール203(4,4)の16個をパネル基板202に形成または配置した例を示している。本発明はこれに限定するものではなく、パネル基板202には、適正に表示モジュール203を形成または設計すればよい。
FIG. 16 shows an example in which 16 display modules 203(1,1) to 203(4,4) are formed or arranged on the
図16では、図示を容易にするため、各表示モジュール203には模式的に信号線214を図示している。なお、図14で説明した画素回路等は、図示を省略している。
In FIG. 16,
パネル基板202は、図16の矢印の位置で、切断され、表示モジュール203に分離される。図18(a)に図示するように、必要に応じて、表示モジュール203はaa’線、bb’線、cc’線、dd’線で、精密切断、あるいは切断後に研磨加工される。
The
図16の矢印位置での切断は、ガラスカッターで切断するため、寸法精度が低い。aa’線、bb’線、cc’線、dd’線まで、研磨加工等を行うことにより、表示モジュール203サイズ、表示モジュール203の信号線124端と表示モジュール203端の寸法を精度よく形成することができる。
Cutting at the arrow position in FIG. 16 is performed with a glass cutter, so the dimensional accuracy is low. The size of the
また、図18(b)に図示するように、矢印に示すパネル基板202の側面を精密研磨加工することにより、平滑化する。また、ガラス切断により、発生したクラックを消去する。
本発明の表示パネルは、複数の表示モジュール203を接続、組み合わせることにより、大画面の表示パネルを構成するものである。
Further, as shown in FIG. 18B, the side surfaces of the
The display panel of the present invention forms a large-screen display panel by connecting and combining a plurality of
LED172の実装では、接続不良が発生しやすい。大画面の表示画面165を有する表示パネルには数百万個のLED172を実装する必要がある。したがって、大画面の表示画面165を有する表示パネルは製造歩留まりが悪くなる。
In the mounting of the
本発明の表示パネルは、図16で説明したように、比較的、表示画面165が小さい表示モジュール203を作製し、当該表示モジュール203を組み合わせることにより、大画面の表示画面165(大画面の表示モジュール)を作製するものである。
In the display panel of the present invention, as described with reference to FIG. 16, a
比較的、表示画面165が小さい表示モジュール203には、それぞれゲートドライバ161、ソースドライバ162が接続される。各表示モジュール203は、図19、図20に図示するように、各表示モジュール203間の界面がない、あるいは、各表示モジュール203間を目立たないように接続、組み合わされる。
A gate driver 161 and a
図19は、本発明の表示パネルの構造の説明図であり、表示パネルの一部を拡大した図面である。図20は、図19のAA’線での断面図である。また、図21(a)は表示モジュール203の側面図であり、図21(b)は表示モジュール203の平面図である。
FIG. 19 is an explanatory diagram of the structure of the display panel of the present invention, and is an enlarged view of a part of the display panel. 20 is a cross-sectional view taken along line AA' of FIG. 19. FIG. 21(a) is a side view of the
図19に図示するように、表示モジュール203aの左端には、信号線214位置に一致させて、凹部216が形成されている。凹部216には、図21(a)に図示するように、めっき膜215が形成されている。
As shown in FIG. 19, a
めっき膜215は信号線214と電気的に接続され、また、表示モジュール203の裏面にACF219が接続できるように、端子形状(図示せず)が形成されている。
The plated
めっき膜215と信号線214が接続される箇所で、かつ、信号線214の表面にはITO膜(図示せず)が形成されている。したがって、信号線214を構成する金属材料と、めっき膜215間にはITO膜が配置されている。
凹部216の深さは、1μm以上10μm以下である。したがって、めっき膜215の膜厚は、10μm以下としている。
図21は、表示モジュール203の一辺を図示しているが、表示モジュール203の他の3辺にも凹部216を形成する。
An ITO film (not shown) is formed on the surface of the
The depth of the
Although FIG. 21 illustrates one side of the
表示モジュール203に形成されたソース信号線164の両端にめっき膜215が形成される。図13に図示するように、ソース信号線164の両端にソースドライバ162a、ソースドライバ162bを接続するように構成することが好ましい。
A
信号線214上には、ITO膜(図示せず)が信号線214を被覆するように形成されている。ITO膜を形成することにより、めっき膜215と信号線214との接続抵抗が低減する。
An ITO film (not shown) is formed on the
図21は、本発明の表示モジュール203の構成の説明図である。図21(a)は、本発明の表示モジュール203の側面図であり、図21(b)は、表示モジュール203の平面図である。
FIG. 21 is an explanatory diagram of the configuration of the
図21において、表示モジュール203の側面には、信号線214位置に一致させて、凹部216が形成されている。また、凹部216にめっき膜215が形成されている。めっき膜215は、信号線214(ソース信号線164、ゲート信号線163)、電源配線(アノードVdd、カソードVss)等と接続されている。
In FIG. 21, recesses 216 are formed on the side surface of the
なお、本明細書等において、信号線214はめっき膜215と接続するとして説明するが、めっき膜に限定されるものでなく、めっき膜215は、蒸着、エッチング技術等によりパターニングされた配線、スパッタリングにより形成した配線、導電ペーストをノズルで塗布することにより形成した配線、導電ペーストをインクジェット技術により形成された配線等であってもよい。
In this specification and the like, the
以下、説明を容易にするため、一例として、めっき膜215は、めっきにより形成されためっき膜を例示して説明をする。したがって、めっき膜215は、めっきで形成された膜に限定されるものではない。
In the following, for ease of explanation, the
めっき膜215は、凹部216内に形成される。めっき膜は、ニッケル(Ni)、銅(Cu)等の多層膜で形成することが好ましい。めっき膜215をインクジェット技術により形成する場合も、複数の金属を多層に形成することが好ましい。
The
図19は、本発明の表示モジュール203を組み合わせた状態を説明する説明図である。表示モジュール203aと表示モジュール203bとは近接あるいは密着させて配置される。凹部216にめっき膜215が配置されているため、めっき膜215が損傷することがない。
FIG. 19 is an explanatory diagram illustrating a state in which the
図20は、図19のAA’線での断面図である。図20に図示するように、表示モジュール203aと表示モジュール203bが近接あるいは密着して配置され、表示モジュール203aと表示モジュール203b間にはガラス接着材221が充填あるいは塗布されている。めっき膜215は信号線214と電気的に接続され、表示モジュール203aと表示モジュール203b間に形成された凹部216で、表示モジュール203aの裏面に引き出されている。
20 is a cross-sectional view taken along line AA' of FIG. 19. FIG. As shown in FIG. 20, the
表示モジュール203aの裏面は、図示を省略しているが、めっき膜215は端子形状に加工されている。表示モジュール203aの裏面の端子形状に、ACF219を介してCOF218が接続されている。COF218にドライバIC220が実装され、ドライバIC220の出力信号が、めっき膜215を介して信号線214に印加される。
図22、図27、図28は、本発明の表示モジュール203の製造方法の説明図である。特に、凹部216の形成方法を説明した図面である。
Although illustration is omitted on the rear surface of the
22, 27, and 28 are explanatory diagrams of the manufacturing method of the
凹部216の形成は、図12の位置合わせマーカ201の形成と同様あるいは類似である。なお、図27等は溝状の凹部216の形成方法として説明するが、これに限定するものではなく、たとえば、貫通穴223を形成してもよい。
The formation of
図27に図示するように、表示モジュール203において、凹部216を形成する位置にレーザ光吸収部224を形成する。レーザ光吸収部224は、表示モジュール203に形成された信号線2144から距離t離れた位置に形成される。距離tは極力、短いことがめっき膜215と電気的接続を取る観点から好ましいが、レーザ光205による信号線214の改質あるいは変形、画素175のサイズを考慮して決定する。具体的には、距離tは画素175のサイズ以下の距離である。
As shown in FIG. 27, in the
図27等で図示するように、レーザ光吸収部224に、スリット228を形成することが好ましい。スリット228は、レーザ光205を照射する位置に形成する。
スリット228部は、レーザ光吸収部224が形成されていないか、他の部分よりレーザ光吸収部224が薄く形成されている。
As illustrated in FIG. 27 and the like, it is preferable to form a
In the
スリット228にレーザ光205が照射されると、レーザ光205は表示モジュール203のパネル基板202を直接に加工する。また、多くのレーザ光205はレーザ光吸収部224に照射され。レーザ光吸収部224を加熱する。
When the
パネル基板202に照射されたレーザ光205はガラス材料を溶解、蒸発、除去する。レーザ光吸収部224に照射されたレーザ光205はレーザ光吸収部224を加熱し、加熱された熱は、ガラス材料の溶解、蒸発、除去を促進する。したがって、スリット228が形成去れた位置を中心に加工が促進され、凹部216が形成される。
スリット228は、図12で説明した位置合わせマーカ201の形成時にも、レーザ光吸収部224に形成することが好ましい。
A
The
レーザ光吸収部224の構成は、図28(a)に図示するように、表示モジュール203の側面に形成する構成が例示される。また、図28(c)、図28(d)に図示するように、レーザ光205を照射する位置に合わせて、孤立したレーザ光吸収部224とする構成が例示される。なお、図28(d)は、図28(c)の側面から見た構成面である。
図27、図28(a)は、レーザ光吸収部224の表面に矩形あるいは円形のスリット228が形成された実施例である。
The configuration of the laser
27 and 28(a) show an embodiment in which a rectangular or
図28(c)は、レーザ光吸収部224の表面に矩形のスリット228が形成された実施例である。また、図28(d)の側面図で図示するように、スリット228はレーザ光吸収部224に線形に形成される。図28(d)では、スリット228の長手方向にレーザ光205を移動させて凹部216を形成する。
FIG. 28(c) shows an embodiment in which a
めっき膜215を形成する位置に、レーザ光吸収部224を形成する。レーザ光吸収部224の形成方法としては、スパッタによる方法、電着による方法、焼結による方法、インクジェットにより塗布する方法が例示される。
A laser
レーザ光吸収部224を構成する材料は、パネル基板202の融点よりも高い材料であることが好ましく、また、照射するレーザ光205を吸収しやすい材料を選定することが好ましい。
The material forming the laser
レーザ光吸収部224にスリット228を形成し、スリット228にレーザ光205が照射され、スリット228の近傍部がレーザ光205を吸収し発熱することにより、スリット228部を中心として、パネル基板202の加工が進行する。
A
また、図28(c)に図示するように、レーザ光吸収部224が独立させることにより、レーザ光吸収部224にレーザ光205の照射により発生した熱の伝導がレーザ光吸収部224に留まり、よりレーザ光205の加工部の加熱状態が良好となる。したがって、凹部216、貫通穴223の加工が促進される。
In addition, as shown in FIG. 28(c), by making the laser
また、レーザ光吸収部224が溶解し、ガラス基板の材料と反応する材料が選定される。たとえば、フッ化水素(HF)、フッ化水素アンモニウムを含有する樹脂材料、クリーム状の混合ペースト等が例示される。フッ化水素は、レーザ光205の照射により反応性が向上し、凹部216の形成に寄与する。
Also, a material that melts the laser
スリット228部をフッ化水素に浸透させた状態、フッ酸、硫酸の混合液、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素を充填させた状態で、レーザ光205をスリット228部に照射することにより、スリット228部のガラス材料の溶解、腐食が加速される。ガラス材料が溶解あるいは腐食すると、レーザ光205の光吸収が向上し、より凹部216あるいは貫通穴223の形成が促進される。また、貫通穴223、凹部216部に、ガラスエッチング液を充填すること、超音波を印加すること、放電加工を実施すること、サンドブラスト加工をすることも有用である。
レーザ光吸収部224を形成する材料の沸点は、パネル基板202の融点よりも高いことが好ましい。
By irradiating the
The boiling point of the material forming the laser
レーザ光吸収部224にレーザ光205が照射されることにより、レーザ光吸収部224が発熱し、発熱した熱によりパネル基板202が溶解する。あるいは軟化する。したがって、凹部216の形成が進行する。
レーザ光205のパワーを調整し、レーザ光吸収部224を形成する材料の沸点以下で、かつ、パネル基板202を形成する材料の溶解温度以上に制御する。
レーザ光205の照射時は、窒素、アルゴン等の不活性ガス中で行うことが好ましく、または、真空中で行うことが好ましい。
When the laser
The power of the
The irradiation with the
図28(a)に図示するように、レーザ光吸収部224にレーザ光205を照射することにより、パネル基板202の該当箇所に穴が形成され、穴は深さ方向に進行する。レーザ光吸収部224の材料の沸点以下の温度を維持することにより、パネル基板202に穴が形成される。
As shown in FIG. 28A, by irradiating the laser
図28(a)は、レーザ光吸収部224が表示モジュール203の側面に連続して形成された構成である。レーザ光205は表示モジュール203の上面側から照射し、レーザ光205の焦点位置を移動しながら、凹部216を形成する。
FIG. 28A shows a configuration in which the laser
図28(c)は、レーザ光吸収部224が表示モジュール203の側面に孤立して形成された構成である。レーザ光205は表示モジュール203の上面側からレーザ光吸収部224に照射し、レーザ光205の焦点位置を移動しながら、凹部216を形成する。図28(c)の構成では、レーザ光吸収部224が孤立して形成されているため、レーザ光205により発生した熱が伝熱されにくくなり、効率的にガラス基板を加熱し、凹部216に形成が容易になる。
図28(a)、図28(c)、図28(d)に図示するように、凹部216がレーザ光205により順次、形成される。
FIG. 28C shows a configuration in which the laser
As shown in FIGS. 28(a), 28(c) and 28(d), recesses 216 are sequentially formed by the
図28(c)、図28(c)、図28(d)は、表示モジュール203の上面からレーザ光205を照射することにより、凹部216または貫通穴223を形成する実施例であったが、本発明はこれに限定するものではない。
28(c), 28(c), and 28(d) are embodiments in which the
図28(b)に図示するように、表示モジュール203の側面からレーザ加工装置204のレーザ光205をレーザ光吸収部224に照射し、凹部216を形成してもよいことは言うまでもない。
As shown in FIG. 28B, it goes without saying that
レーザ光205は、図22に図示するように、レーザ光205をレーザ光吸収部224に照射することにより、表示モジュール203のガラス基板に凹部216、あるいは貫通穴223が形成される。
As shown in FIG. 22, the
パネル基板202に貫通穴223を形成する場合は、パネル基板202の両面(表面側と裏面側)から、レーザ光205を同時にあるいは、交互にあるいは、一方の加工後に他方から照射する。一定以上の穴が形成された後は、フッ酸(フッ化水素、弗化水素 HF)を用いて、パネル基板202を腐食させることにより貫通穴223を形成する。
When the through
レーザ光吸収部224の形成部にレーザ光205を照射することにより、凹部216を形成する。レーザ光吸収部224の形成、レーザ光205の照射による凹部216の加工は、複数回、繰り返しても良い。レーザ光205の照射によりレーザ光吸収部224が除去されることにより、凹部216の発熱が小さくなる。レーザ光吸収部224の形成 -> レーザ光205の照射 -> レーザ光吸収部224の形成 -> レーザ光205の照射を繰り返すことにより、凹部216の加工、形成が容易になる。また、レーザ光205の照射前にフッ化水素アンモニウムを塗布することも有効である。
レーザ光205を照射する位置の決定、基準は、図12、図17等で説明した位置合わせマーカ201により行う。
The
The position to be irradiated with the
図22に図示するように、表示モジュール203の側面側からレーザ光205を照射する方法が、溝形状の凹部216を形成する場合に有用である。しかし、側面側からレーザ光205を照射すると、レーザ光205が、パネル基板202内に進入し、表示モジュール203に形成された画素175、信号線214等を破壊する場合がある。
As shown in FIG. 22, the method of irradiating the
図23に図示するように、レーザ光205がレーザ光205Cの場合、レーザ光205Cは表示モジュール203の裏面で全反射して表示モジュール203内で反射を繰り返す。また、レーザ光205Cは、表示モジュール203に形成された画素175、信号線214等に照射され、画素175、信号線214を焼損させる。
As shown in FIG. 23, when the
レーザ光205の入射角度θが45°(DEG.)以下の場合は、表示モジュール203の裏面で反射するレーザ光205の角度は、45°以上となり、基本的には、レーザ光205は裏面で全反射される。したがって、レーザ光205は表示モジュール203のパネル基板202内を反射して進行する。
When the incident angle θ of the
レーザ光205の入射角度θが45°(DEG.)以上の場合は、表示モジュール203の裏面で反射するレーザ光205の角度は、45°以下となり、基本的には表示モジュール203の裏面から外に出射される。したがって、表示モジュール203に形成された画素175、信号線214等にレーザ光205が照射され、画素175、信号線214を焼損させるリスクは小さくなる。
When the incident angle θ of the
しかし、入射角度θが45°(DEG.)以上の場合は、表示モジュール203の側面で、レーザ光205が反射し、凹部216の加工を行うことができないか、加工に長時間を必要とする。
However, when the incident angle θ is 45° (DEG.) or more, the
したがって、図23に示すレーザ光205の入射角度θは、レーザ光205Bのように45°よりも小さくする。しかし、レーザ光205Bは、表示モジュール203の裏面で反射して、レーザ光205Cが発生する。
Therefore, the incident angle θ of the
本発明は、少なくとも側面の凹部216の加工時には、表示モジュール203の裏面にレーザ光吸収層222を形成する。レーザ光吸収層222は、レーザ光205Bを吸収し、レーザ光205Cを発生しないようにする効果を発揮する。
According to the present invention, the laser
レーザ光吸収層222は、レーザ光205を吸収するカラーフィルタが例示される。カラーフィルタはゼラチン、アクリルを染色した樹脂からなるカラーフィルタの他、光学的誘電体多層膜により形成したカラーフィルタ、ホログラムによるカラーフィルタでもよい。
A color filter that absorbs the
アクリル樹脂にカーボン等を添加した樹脂からなるもので構成してもよい。その他、六価クロム等の黒色の金属、黒色の色素あるいは染料を含有する塗料、黒色でなくともレーザ光205に対して補色の関係のある染料、顔料等で着色されたものでもよい。また、ホログラムあるいは回折格子でもよい。
It may be composed of a resin obtained by adding carbon or the like to an acrylic resin. In addition, black metal such as hexavalent chromium, paint containing a black pigment or dye, and dyes or pigments that are complementary to the
黒色の色素あるいは顔料を樹脂中に分散したものを用いても良いし、カラーフィルタの様にゼラチンやカゼインを黒色の酸性染料で染色してもよい。黒色色素の例としては、単一で黒色となるフルオラン系色素を発色させて用いること、緑色系色素と赤色系色素とを混合した配色ブラックを用いることもできる。 A black dye or pigment dispersed in a resin may be used, or gelatin or casein may be dyed with a black acid dye like a color filter. As an example of the black pigment, a single fluoran-based pigment that becomes black can be used by developing a color, and a color combination black obtained by mixing a green-based pigment and a red-based pigment can also be used.
色吸収材料と同様に、色素を用いて天然樹脂を染色した材料、色素を合成樹脂中に分散した材料を用いることができる。色素の選択の範囲は黒色色素よりもむしろ幅広く、アゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、トリフェニルメタン染料等から適切な1種、もしくはそれらのうち2種類以上の組み合わせでも良い。 As with the color-absorbing material, a material obtained by dyeing a natural resin with a pigment or a material obtained by dispersing a pigment in a synthetic resin can be used. The range of dyes to be selected is wider than that of black dyes, and a suitable one from azo dyes, anthraquinone dyes, phthalocyanine dyes, triphenylmethane dyes, etc., or a combination of two or more of them may be used.
図24の方法も例示される。図24は、容器225にオプティカルカップリング液226を充填し、表示モジュール203とオプティカルカップリング液226との屈折率差をなくす、あるいは少なくする構成である。オプティカルカップリング液226によりレーザ光205Cの反射はなくなる。
The method of FIG. 24 is also illustrated. FIG. 24 shows a configuration in which a
オプティカルカップリング液226は、純水でも良いが、更に屈折率が、ガラス基板の屈折率に近いサルチル酸メチル液、エチレングリコール液、フロロカーボン系液を採用することが好ましい。
さらに、オプティカルカップリング液226にレーザ光205を吸収する顔料、染料を含有させることより、より効果が高くなる。
The
Furthermore, by including a pigment or dye that absorbs the
たとえば、液体に、色素あるいは顔料を樹脂中に分散したものを用いても良いし、ゼラチンやカゼインを黒色の酸性染料で染色してもよい。黒色色素の例としては、単一で黒色となるフルオラン系色素を発色させて用いることもし、緑色系色素と赤色系色素とを混合した配色ブラックを用いることもできる。 For example, a liquid obtained by dispersing a dye or pigment in a resin may be used, or gelatin or casein may be dyed with a black acid dye. As an example of the black pigment, a single fluoran pigment that produces black color may be used, or a mixed black pigment of a green pigment and a red pigment may be used.
オプティカルカップリング液226に、色素を用いて天然樹脂を染色すること、色素を合成樹脂中に分散した材料を用いることができる。色素の選択の範囲は黒色色素よりもむしろ幅広く、アゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、トリフェニルメタン染料等から適切な1種、もしくはそれらのうち2種類以上の組み合わせでも良い。
For the
図22、図23、図24、図25、図28等の実施例についても、図1~図5で説明した実施例を適用できること、あるいは組み合わせることができることは言うまでもない。 22, 23, 24, 25, and 28, it goes without saying that the embodiments described with reference to FIGS. 1 to 5 can be applied or combined.
信号線214上にITOに金属膜をめっきする方法について説明をする。ITOの表面、凹部216を脱脂する。脱脂工程では、ITO及び凹部216に付着した無機及び有機の汚れを除去する。脱脂工程では、ITOへの汚染物を除去して、めっき皮膜の密着を阻害する因子を排除すると同時に、めっきの選択性を劣化させる要因となる汚染物が除去される。
A method of plating a metal film on ITO on the
脱脂処理にはアルカリ性界面活性剤溶液を60~80℃に加温して用い、洗浄効果を高めるために超音波を併用することが好ましい。MHz領域の周波数の超音波を用いて洗浄するいわゆるメガソニックは、素材にダメージを与えにくく、洗浄効果も高く好ましい。
次に、フッ化物を含むエッチング液で、ITOを溶解し、表面を粗化することで、上層に形成するめっき膜の密着性を向上させる。
For the degreasing treatment, it is preferable to heat an alkaline surfactant solution to 60 to 80° C. and use ultrasonic waves in combination to enhance the cleaning effect. So-called megasonic cleaning using ultrasonic waves with a frequency in the MHz range is preferable because it hardly damages the material and has a high cleaning effect.
Next, the ITO is dissolved with an etchant containing fluoride to roughen the surface, thereby improving the adhesion of the plating film to be formed as an upper layer.
ITOへのめっき処理で用いられる触媒付与処理は、全面にパラジウムコロイド系触媒を付与した後にフッ酸系エッチング液でガラス表面をエッチングしてITOのみを触媒化する方法と、ITOへ選択的に付着するパラジウムイオン系触媒を用いる方法が例示される。
前者は、エッチング条件やパラジウムの再付着によって選択性が劣る傾向があるが、めっき膜の密着状態が良好で好ましい。
The catalyst application treatment used in the plating process on ITO includes a method in which a palladium colloidal catalyst is applied to the entire surface and then the glass surface is etched with a hydrofluoric acid-based etchant to catalyze only the ITO, and a method in which only the ITO is selectively attached to the ITO. A method using a palladium ion-based catalyst is exemplified.
The former tends to be inferior in selectivity depending on etching conditions and redeposition of palladium, but is preferable because the adhesion state of the plated film is good.
パラジウムイオン系触媒で、ITOとガラスへの付着密度を測定すると、付着密度比はITO:ガラス=10:1となり、パラジウムはITOと比較してガラスには付着しにくい傾向を示すことから、ITOのみを選択的にめっきできる。 When the adhesion density to ITO and glass was measured using a palladium ion-based catalyst, the adhesion density ratio was ITO:glass = 10:1. only can be selectively plated.
以上の処理を行ったITOに無電解めっきを行う。ITOパターンへ選択的に無電解ニッケルめっきを行う。ITOへ最も密着良く製膜できるめっき皮膜は、無電解ニッケルめっき法によるニッケル-リン皮膜である。 Electroless plating is performed on the ITO that has undergone the above treatment. Electroless nickel plating is selectively performed on the ITO pattern. A plating film that can be formed on ITO with the best adhesion is a nickel-phosphorus film formed by an electroless nickel plating method.
無電解ニッケルめっき液は、次亜リン酸を還元剤とする酸性タイプの組成である。ニッケル-リン皮膜は比較的電気伝導性の低い皮膜であるため、必要に応じて、ニッケル-リン皮膜上に金や銅等のより電気伝導性の高い皮膜を形成する。 The electroless nickel plating solution has an acidic composition containing hypophosphorous acid as a reducing agent. Since the nickel-phosphorus coating has relatively low electrical conductivity, a coating of higher electrical conductivity such as gold or copper is formed on the nickel-phosphorus coating, if necessary.
無電解ニッケルめっき後の熱処理は、密着増強のために実施する。熱処理による密着増強効果は120℃程度から現れるが、密着を確実にするために200℃~250℃、30分程度の熱処理で良好な結果が得られる。 Heat treatment after electroless nickel plating is performed to enhance adhesion. The adhesion enhancement effect by heat treatment appears at about 120°C, but good results can be obtained by heat treatment at 200°C to 250°C for about 30 minutes to ensure adhesion.
本発明の表示パネルの製造方法について図面を参照しながら説明をする。図25は、本発明の表示モジュール203の製造方法の説明図である。一実施例として、図25等は、表示モジュール203の側面にレーザ光205を照射し、凹部216を形成するとして説明するが、本発明はこれに限定するものではない。図28に図示するように、表示モジュール203の上面からレーザ光205を照射することにより凹部216あるいは貫通穴223を形成してもよいし、図23、図24で説明した方法等と組み合わせてもよい。
A method for manufacturing a display panel according to the present invention will be described with reference to the drawings. 25A and 25B are explanatory diagrams of the manufacturing method of the
以上のように、本発明は、本明細書、図面に記載している全部または一部を相互に組み合わせることができる。また、それぞれの構成を適時、採用することができる。 As described above, the present invention can combine all or part of the descriptions in the specification and drawings with each other. Moreover, each configuration can be adopted as appropriate.
なお、図25は、表示モジュール203の側面にレーザ光吸収部224を形成した製造方法であるが、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、図29(a)は、レーザ光吸収部224を形成せず、凹部216を形成した実施例である。なお、図29(b)は図25(b)と、図29(c)は図25(c)と同様あるいは類似であり、説明を省略する。
Although FIG. 25 shows a manufacturing method in which the laser
図16、図30に図示するように、1つのパネル基板202には、複数の表示モジュール203が作製される。各表示モジュール203の4つの端には、位置合わせマーカ201が形成、または配置される。
As shown in FIGS. 16 and 30, a plurality of
パネル基板202は、図16の矢印の位置で切断され、表示モジュール203に分離される。図18(a)に図示するように、必要に応じて、表示モジュール203はaa’線、bb’線、cc’線、dd’線で精密切断、あるいは研磨加工される。
The
研削加工とは、一例として、砥石車と呼ばれる円状の大きな工具を高速回転させ、その表面を加工するものに当てることにより、その表面を滑らかな状態に整える。この砥石車の表面には大きめの砥粒が無数につけられており、これによって対象物の表面の微小突起等を削ることができる。 Grinding is, for example, a large circular tool called a grinding wheel that is rotated at high speed and brought into contact with the surface of the tool to smooth the surface. A large number of large abrasive grains are attached to the surface of this grinding wheel, and it is possible to grind fine protrusions and the like on the surface of the object.
好ましくは、研磨は、CP(Cross section polisher)加工(イオンミリング)で行うことが好ましい。CP加工(イオンミリング)とは、集束していないブロードなアルゴンイオンビームを試料に照射し、試料原子を弾き飛ばすスパッタリング現象を利用して試料を削ることである。試料の表面にアルゴンイオンビームを入射させ、試料を作製する。CP加工では、研磨面に熱が発生せず、熱による影響がない。 Preferably, the polishing is performed by CP (Cross section polisher) processing (ion milling). CP processing (ion milling) is to irradiate a sample with an unfocused broad argon ion beam and grind the sample using a sputtering phenomenon in which sample atoms are ejected. A sample is prepared by irradiating an argon ion beam onto the surface of the sample. In CP processing, no heat is generated on the polished surface and there is no influence of heat.
図18(b)に図示するように、矢印に示すパネル基板202の側面を精密研磨加工することにより、平滑化する。また、ガラス切断により、発生したクラックを消去する。また、研磨面をフッ化水素で洗浄することにより、微小なクラックをなくすことができる。
As shown in FIG. 18B, the side surfaces of the
本発明の表示パネルは、図16で説明したように、比較的、表示画面165が小さい表示モジュール203を作製し、当該表示モジュール203を組み合わせることにより、大画面の表示画面165(大画面の表示モジュール)を作製するものである。
In the display panel of the present invention, as described with reference to FIG. 16, a
表示画面165が小さい表示モジュール203には、それぞれゲートドライバ161、ソースドライバ162が接続される。ソースドライバ162は、ソース信号線164の両側に接続する。ゲートドライバ161は、ゲート信号線163の一方に接続するが、好ましくは、ゲート信号線163の両方に接続することが好ましい。
A gate driver 161 and a
各表示モジュール203は、図19、図20に図示するように、各表示モジュール203間の界面がない、あるいは、各表示モジュール203間を目立たないように接続、組み合わされる。
As shown in FIGS. 19 and 20, each
本発明は、複数の表示モジュール203を組み合わせることより、大画面の表示画面165を構成する。各表示モジュール203は、表示不良の検査を行い、不良は修正をして完成させる。したがって、良品の表示モジュール203を組み合わせることにより表示ディスプレイを構成するため、製造歩留まりを向上させることができる。
The present invention configures a
以上の事項は、図30、図33、図34、図35、図37等においても同様である。また、その一部または全部を組み合わせること、適用できることは言うまでもない。
図25(a)に図示するように、表示モジュール203の側面から、レーザ光吸収部224にレーザ光205を照射し、凹部216を形成する。
The above matters also apply to FIGS. 30, 33, 34, 35, 37 and the like. Moreover, it cannot be overemphasized that a part or all of them can be combined and applied.
As shown in FIG. 25A, the laser
次に、凹部216及び裏面及び信号線214a上にめっき膜215を形成する。めっき膜215の形成方法について図38、図39を参照しながら説明する。図38は、めっき膜215の形成方法に関するフローチャート図である。図39はめっき膜の形成方法の説明図である。
図39(a)に図示するように、表示モジュール203(パネル基板202)を洗浄する。あるいは、プラズマアッシャー装置でアッシング処理を行う。
次に、図39(b)に図示するように、表示モジュール203(パネル基板202)にレーザ光吸収部224、スリット228を形成する(図38S11)。
Next, a
As shown in FIG. 39(a), the display module 203 (panel substrate 202) is cleaned. Alternatively, an ashing process is performed with a plasma asher device.
Next, as shown in FIG. 39(b), the display module 203 (panel substrate 202) is formed with a laser
図17で説明したように、表示モジュール203(パネル基板202)の位置合わせマーカ201を画像認識装置206で検出・認識し、XYZステージ217を制御して位置決めを行う。
次に、図39(c)に図示するように、レーザ光205をレーザ光吸収部224に照射し、凹部216を形成する(図38S12)。
凹部216は、フェムト秒レーザ光205のレーザ強度、照射するレーザパルスの移動速度を変更あるいは設定することによりに実現できる。
As described with reference to FIG. 17, the
Next, as shown in FIG. 39(c),
The
フェムト秒レーザ加工装置は、一般にパルス幅が、サブピコ秒から数十フェムト秒のフェムト秒レーザ光205を発生する。サブピコ秒から数十フェムト秒の超短パルスのレーザ光205を材料に照射した場合、材料の熱拡散特性時間に比べてパルス幅が十分に短いため、光エネルギーを有効に照射部に投入できる。
A femtosecond laser processing apparatus generally generates
その結果、照射周辺部への熱影響が局限することが可能で、高精度な微細加工が実現できる。また、レーザ光の電場強度が非常に高いので、ビームが集光されたところにのみ、空間選択的に多光子吸収、多光子イオン化等の非線形作用を誘起することができる。 As a result, it is possible to limit the thermal influence on the irradiation peripheral portion, and to realize highly accurate microfabrication. In addition, since the electric field intensity of the laser light is very high, it is possible to spatially induce nonlinear effects such as multiphoton absorption and multiphoton ionization only where the beam is focused.
フェムト秒レーザ光205のパルスを照射することにより、レーザ光吸収部224及びスリット228の形成部に対応する箇所のガラス材料が除去され、凹部216が形成される。
パネル基板202に対し酸性脱脂剤を用い、例えば45℃、5分の条件で脱脂を行う(図38S13)。
塩酸系水溶液を用いてプリディップ処理を行う(図38S14)。保持時間は、一例として、2分である。
By irradiating the pulse of the
The
A pre-dip process is performed using a hydrochloric acid-based aqueous solution (Fig. 38, S14). The holding time is, for example, 2 minutes.
次に、Sn-Pd触媒229を凹部216の表面、及びレーザ光吸収部224の残存している部分の表面に付与する(図38S15、図39(d))。Sn-Pd触媒229はコロイド状の粒子であり、Sn-Pdの核部の表面にSn-rich層、及びSn2+層が順に形成されている。
Next, a Sn—
次に、活性化を行う(図38S16)。Sn-Pd触媒229を付与したパネル基板202を塩酸系の溶液に浸漬することでSnの層が除去され、内部のPd触媒が露出する。Pd触媒が露出するので、Sn-Pd触媒229が存在する部分において、無電解Ni-Pめっき液による反応が生じる。
Next, activation is performed (FIG. 38, S16). By immersing the
アルカリ溶液を用いて、レーザ光吸収部224を剥離する(図38S17、図39(e))。パネル基板202のレーザ光吸収部224が剥離された部分にはSn-Pd触媒229が存在しない。
Using an alkaline solution, the laser
アルカリ溶液を用いて、レーザ光吸収部224を剥離する(図38S17、図39(e))。パネル基板202のレーザ光吸収部224が剥離された部分にはSn-Pd触媒229が存在しない。
Using an alkaline solution, the laser
パネル基板202の表面に無電解Ni-Pめっきを行い、薄膜ヒータ117、温度プローブ116が形成される(図38S18、図39(f))。無電解Ni-Pめっき液としては、酸性領域から中性領域で次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする還元析出型の無電解Ni-Pめっき液を用いることができる。
Electroless Ni--P plating is applied to the surface of the
キレート剤としては、リンゴ酸、またはクエン酸、またはマロン酸、酒石酸等のオキシカルボン酸、または酢酸やコハク酸等のモノカルボン酸、アンモニアやグリシン等のアミン類を単独もしくは複数併用して用いることができる。無電解Ni-Pめっき液中の還元剤がパネル基板202上で電子を放出するように触媒として機能するPdが付与されている。したがって、無電解Niめっき液中のNiイオンが、還元剤の酸化反応で放出される電子によって還元され、パネル基板202の表面に析出し、薄膜ヒータ117、温度プローブ116が形成される。
As the chelating agent, malic acid, citric acid, oxycarboxylic acids such as malonic acid and tartaric acid, monocarboxylic acids such as acetic acid and succinic acid, and amines such as ammonia and glycine can be used singly or in combination. can be done. Pd is added as a catalyst so that the reducing agent in the electroless Ni—P plating solution emits electrons on the
本実施形態によれば、難めっき材料からなるパネル基板202に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、図25(b)に図示するように、密着性が良好であるNi-Pめっきからなるめっき膜215を形成することができる。必要に応じて、Ni-Pめっき上に、電解めっきによる銅(Cu)めっき膜を形成する。
次に、図25(c)に図示するように、表示モジュール203の裏面部のめっき膜215に異方性導電膜(ACF)219を取り付ける。
次に、図26(d)に図示するように、ACF219を介して、めっき膜215とCOF218の端子電極とを電気的に接続する。
According to this embodiment, as shown in FIG. A
Next, as shown in FIG. 25C, an anisotropic conductive film (ACF) 219 is attached to the plated
Next, as shown in FIG. 26D, the plated
COF218には、ソースドライバ162またはゲートドライバ161が実装されている。また、COF218には、コンデンサ(図示せず)、電源用のコイル(図示せず)が実装されている。
A
次に、図26(e)に図示するように、複数の表示モジュール203(図26では、表示モジュール203a、表示モジュール203b)が、近接して配置され、また、組み合わせされる。
Next, as shown in FIG. 26(e), a plurality of display modules 203 (
次に、図26(f)に図示するように、配置された表示モジュール203間にガラス接着剤221が塗布され、複数の表示モジュール203の組み合わせにより大画面を有する表示パネルが作製される。
Next, as shown in FIG. 26(f), a
ガラス接着剤221としては、シリコン系、エポキシ系、ウレタン系、これらの紫外線硬化系等の多くから選択することができる。ガラス接着剤は、光透過性を有し、パネル基板202の屈折率が近似した材料からなるものを選択することが好ましい。特に、ウレタン接着剤は、一液硬化型で接着強度も高い。紫外線硬化型は、接着工法が容易である。
The glass adhesive 221 can be selected from silicon-based, epoxy-based, urethane-based, UV-curing, and many other adhesives. As the glass adhesive, it is preferable to select a material having optical transparency and a refractive index similar to that of the
表示モジュール203aと表示モジュール203bを近接して配置し、位置合わせをする。次に、表示モジュール203aと表示モジュール203b間に、ガラス接着剤221を流し込む。
The
次に、2~5分間、UV光をガラス接着剤221に照射し、初期硬化させる。次に、UV光の強度を高くして、再度UV光を2~3分間、照射して完全硬化させる。
Next, the
なお、ガラス接着剤221としたが、ガラスに限定されるものではない。表示モジュール203が樹脂の場合は、樹脂接着剤でよい。ガラス接着剤は、表示モジュール203のパネル基板202と屈折率が等しい、あるいは近似であり接続部が目立ちにくくなるものであればいずれでもよい。
以上の事項は、図30、図32、図34、図37等においても同様である。また、その一部または全部を組み合わせること、適用できることは言うまでもない。
以下、本発明の第2の実施例における表示モジュール203について図面を参照しながら説明をする。
Although the
The above matters also apply to FIGS. 30, 32, 34, 37 and the like. Moreover, it cannot be overemphasized that a part or all of them can be combined and applied.
The
図31は、本発明の第2の実施例における表示パネルの構造の説明図であり、表示パネルの一部を拡大した図面である。図32は、図31のAA’線での断面図である。 FIG. 31 is an explanatory diagram of the structure of the display panel according to the second embodiment of the invention, and is an enlarged view of a part of the display panel. 32 is a cross-sectional view taken along line AA' of FIG. 31. FIG.
図31に図示するように、表示モジュール203aに近接して表示モジュール203bが配置される。なお、表示モジュール203aの右端、表示モジュール203aの紙面上側、表示モジュール203aの紙面下側にも、表示モジュール203が配置されることは、図19の第1の実施例と同様である。
As illustrated in FIG. 31, a
図19の第1の実施例と同様に、表示モジュール203aの信号線214a(ゲート信号線163、ソース信号線164等)と、表示モジュール203bの信号線214bは平行に、近接して配置される。
As in the first embodiment of FIG. 19, the
図19の第1の実施例、図31の第2の実施例でも同様であるが、アノード配線Vdd、カソード配線Vssも信号線214と同様に構成され、めっき膜215等が形成される。
As is the case with the first embodiment shown in FIG. 19 and the second embodiment shown in FIG. 31, the anode wiring Vdd and the cathode wiring Vss are configured in the same manner as the
図16に図示するように、1つのパネル基板202には、複数の表示モジュール203が作製される。各表示モジュール203の4つの端には、位置合わせマーカ201が形成、または配置される。
As shown in FIG. 16, a plurality of
パネル基板202は、図16の矢印の位置で切断され、表示モジュール203に分離される。図30(a)に図示するように、必要に応じて、表示モジュール203はaa’線、bb’線、cc’線、dd’線で精密切断、あるいは研磨加工される。
The
好ましくは、研磨は、CP(Cross section polisher)加工(イオンミリング)で行うことが好ましい。CP加工(イオンミリング)とは、集束していないブロードなアルゴンイオンビームを試料に照射し、試料原子を弾き飛ばすスパッタリング現象を利用して試料を削ることである。試料の表面にアルゴンイオンビームを入射させ、試料を作製する。CP加工では、研磨面に熱が発生せず、熱による影響がない。 Preferably, the polishing is performed by CP (Cross section polisher) processing (ion milling). CP processing (ion milling) is to irradiate a sample with an unfocused broad argon ion beam and grind the sample using a sputtering phenomenon in which sample atoms are ejected. A sample is prepared by irradiating an argon ion beam onto the surface of the sample. In CP processing, no heat is generated on the polished surface and there is no influence of heat.
図30(b)の矢印で図示するように、表示モジュール203の端面は、斜面となるように、研磨される。表示モジュール203の左右は斜面の形状方向が異なり、また、紙面の上下の斜面の形状方向が異なるように加工される。
As indicated by the arrow in FIG. 30(b), the end face of the
研削加工とは、一例として、砥石車と呼ばれる円状の大きな工具を高速回転させ、その表面を加工するものに当てることにより、その表面を滑らかな状態に整える。その後、 パネル基板202の側面を精密研磨加工することにより、平滑化する。また、研磨面をフッ化水素で洗浄することにより、微小なクラックをなくす。あるいは、CP加工を実施する。
Grinding is, for example, a large circular tool called a grinding wheel that is rotated at high speed and brought into contact with the surface of the tool to smooth the surface. Thereafter, the side surface of the
図32で図示するように、表示モジュール203aの左端に表示モジュール203bが配置される。表示モジュール203aの端部は斜面状に形成され、同様に、表示モジュール203bの端部は斜面状に形成される。表示モジュール203aの端部と、表示モジュール203bの端部とが、組み合わせて接するように構成されている。
As illustrated in FIG. 32, the
表示モジュール203aの左側端部には、信号線214位置に一致させて、凹部が形成されている。凹部には、図21(a)に図示するように、めっき膜215が形成されている。
A recess is formed in the left end of the
第2の実施例では、図38、図39等でせつめいしたように、斜面にレーザ光205を照射することにより凹部216(図示せず)し、めっき膜215を形成する。レーザ光205の照射部は斜面ながら、表示モジュール203の上方からの照射となる。上方からのレーザ光205の照射は、表示モジュール203の側面側からの照射よりも容易である。
In the second embodiment, as shown in FIGS. 38 and 39, etc., a recess 216 (not shown) is formed by irradiating a slope with
なお、第2の実施例における凹部は、第1の実施例における凹部216のように必須の構成物ではない。したがって、凹部216は、形成しない構成も例示されることは言うまでもない。
Note that the recess in the second embodiment is not an essential component like the
めっき膜215は信号線214と電気的に接続される。表示モジュール203aの斜面のめっき膜215には、ACF219が配置され、ACF219を介してCOF218とめっき膜215が電気的に接続されている。表示モジュール203の斜面にACF219が接続できるように、端子形状(図示せず)が形成されている。
Plated
めっき膜215と信号線214が接続される箇所で、かつ、信号線214の表面にはITO膜(図示せず)が形成されている。したがって、信号線214を構成する金属材料と、めっき膜215間にはITO膜が配置されている。ITO膜は、好ましくはめっき膜215にも形成することが好ましい。
図31は、表示モジュール203の一辺を図示しているが、図30(b)に図示するように表示モジュール203の他の3辺にも斜面を形成する。
An ITO film (not shown) is formed on the surface of the
Although FIG. 31 illustrates one side of the
信号線214上には、ITO膜(図示せず)が信号線214を被覆するように形成されている。ITO膜を形成することにより、めっき膜215と信号線214との接続抵抗が低減する。
An ITO film (not shown) is formed on the
表示モジュール203aと表示モジュール203b間にはガラス接着剤221が充填される。ガラス接着剤221は、表示モジュール203aと表示モジュール203bを接着するとともに、COF218を固定する役割もはたす。
A
表示モジュール203aと表示モジュール203bの端に形成した斜面で2つの表示モジュール203を接続する。斜面で接続するため、接続面積が広く、2つの表示モジュール203を強固に接続することができる。また、図20のように、表示モジュール203の裏面にACFと接続のための端子を形成する必要がない。
表示モジュール203の端面は、斜面部と垂直方向に厚みを有する2つの略垂直部を有する。垂直部を厚くするほうがパネル基板202はクラックし難くなる。
The two
The end surface of the
本発明の第2の実施例のおける表示パネルの製造方法について図面を参照しながら説明をする。図33、図34は、本発明の表示モジュール203の製造方法の説明図である。
図33(a)の実施例では、レーザ光吸収部224を形成していないが、図36(a2)に図示するように、レーザ光吸収部224を斜面に形成してもよい。
表示モジュール203の斜面にめっき膜215を形成する方法は、図38、図39で説明したので説明を省略する。
A method of manufacturing a display panel according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 33 and 34 are explanatory diagrams of the manufacturing method of the
In the embodiment of FIG. 33(a), the laser
The method of forming the plated
本実施形態によれば、難めっき材料からなる表示モジュール203(パネル基板202)に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、密着性が良好であるNi-Pめっきからなるめっき膜215を形成することができる。
According to this embodiment, the display module 203 (panel substrate 202) made of a difficult-to-plate material is plated with Ni—P plating having good adhesion without using a special chemical solution or photolithography technology.
Ni-Pめっき215上には、必要に応じて、銅(Cu)めっき膜を形成する。また、Ni-Pめっき215上には、必要に応じてITO膜を形成し、また、銅(Cu)めっき膜上には必要に応じてITO膜を形成する。
図33(c)に図示するように、表示モジュール203の斜面のめっき膜215に異方性導電膜(ACF)219を取り付ける。
A copper (Cu) plating film is formed on the Ni—P plating 215 if necessary. An ITO film is formed on the Ni—P plating 215 if necessary, and an ITO film is formed on the copper (Cu) plating film if necessary.
As shown in FIG. 33C, an anisotropic conductive film (ACF) 219 is attached to the plated
次に、図34(d)に図示するように、ACF219を介して、めっき膜215とCOF218の端子電極とを電気的に接続する。接続の際にACF219を加熱、押圧が必要であるが、押圧方向も表示モジュール203の上方からでよいので、製造工程、製造方法が容易である。
Next, as shown in FIG. 34(d), the plated
COF218には、ソースドライバ162またはゲートドライバ161が実装されている。また、COF218には、コンデンサ(図示せず)、電源用のコイル(図示せず)が実装されている。
A
次に、図34(e)に図示するように、複数の表示モジュール203(図34では、表示モジュール203a、表示モジュール203b)が、近接して配置され、また、組み合わせされる。
次に、図34(f)に図示するように、配置された表示モジュール203間にガラス接着剤221が塗布され、UV(紫外線)光が照射されて、硬化される。
複数の表示モジュール203の組み合わせにより大画面を有する表示パネルが作製される。
Next, as shown in FIG. 34(e), a plurality of display modules 203 (
Next, as shown in FIG. 34(f), a
A display panel having a large screen is manufactured by combining a plurality of
図32の実施例は、表示モジュール203の斜面に、めっき膜215を形成し、めっき膜215にACF219を取り付けた構成であった。本発明はこれに限定されるものではない。
The embodiment of FIG. 32 has a configuration in which a plated
図35は、第3の実施例における本発明の表示モジュール203の断面図である。図35では表示モジュール203の斜面に貫通穴223が形成され、貫通穴223にめっき膜215bが形成されている。全体構成は、図31、図32と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
FIG. 35 is a cross-sectional view of the
めっき膜223bは表示モジュール203aの裏面に端子形状に形成され、斜面のめっき膜215aと電気的に接続されている。めっき膜215aは信号線214aと電気的に接続されている。表示モジュール203aの裏面のめっき膜215bは、ACF219が取り付けられ、ACF219はCOF218が取り付けられている。
The plated film 223b is formed in a terminal shape on the rear surface of the
したがって、表示モジュール203aの信号線214aは、めっき膜215a、めっき膜215b、ACF219を介して、ドライバIC220の出力端子と接続されている。
Therefore, the
本発明の第3の実施例のおける表示パネルの製造方法について図面を参照しながら説明をする。図36、図37は、図35の本発明の表示モジュール203の製造方法の説明図である。
図36(a1)の実施例では、レーザ光吸収部224を形成していないが、図36(a2)に図示するように、レーザ光吸収部224を斜面に形成してもよい。
表示モジュール203の斜面にめっき膜215を形成する方法は、図38、図39で説明したので説明を省略する。
A method of manufacturing a display panel according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 36 and 37 are explanatory diagrams of the manufacturing method of the
In the embodiment of FIG. 36(a1), the laser
The method of forming the plated
図36(a1)に図示するように、表示モジュール203aの斜面にはLの範囲にレーザ光205が照射される。レーザ光205の照射により、めっき膜215aを形成する領域が粗化される。また、好ましくは、加えて凹部216が形成される。
As shown in FIG. 36(a1), the slope of the
図36(a2)に図示するように、斜面にレーザ光吸収部224を形成することにより、めっき膜215aを形成する領域の粗化が促進される。また、凹部216の形成も促進される。
As shown in FIG. 36(a2), by forming the laser
次に、図36(b)に図示するように、貫通穴223を形成する領域にレーザ光吸収部224を形成する。レーザ光吸収部224にレーザ光205を照射することにより、容易に貫通穴223を形成できる。貫通穴223の形成工程時は、レーザ光205の貫通穴223の形成深さに対応して、レーザ光205の焦点位置を移動させる。
Next, as shown in FIG. 36(b), a laser
図36(b)での貫通穴223の形成後、貫通穴223部を中心にフッ酸溶液、フッ化水素アンモニウムを浸透させ、貫通穴223部のクラックをなくすことが有効である。
After forming the through
次に、図38、図39で説明しためっき膜の製造方法で、めっき膜215a、めっき膜215bを形成する。めっき膜215a、めっき膜215bの形成後の表示モジュール203の断面を図36(c)に図示する。
Next, a
本実施形態によれば、難めっき材料からなる表示モジュール203(パネル基板202)に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、密着性が良好であるNi-Pめっきからなるめっき膜215を形成することができる。
Ni-Pめっき215bには、貫通穴223部に無電解めっきによりめっき膜を形成し、その後、電解めっきにより、銅(Cu)めっき膜を形成する。
According to this embodiment, the display module 203 (panel substrate 202) made of a difficult-to-plate material is plated with Ni—P plating having good adhesion without using a special chemical solution or photolithography technology.
For the Ni—P plating 215b, a plated film is formed in the through
図37(c)に図示するように、表示モジュール203の裏面のめっき膜215bに異方性導電膜(ACF)219を取り付ける。また、ACF219を介して、めっき膜215bとCOF218の端子電極とを電気的に接続する。
An anisotropic conductive film (ACF) 219 is attached to the plated
次に、図37(e)に図示するように、複数の表示モジュール203(図37では、表示モジュール203a、表示モジュール203b)が、近接して配置され、また、組み合わせされる。複数の表示モジュール203の組み合わせにより大画面を有する表示パネルが作製される。
次に、図37(f)に図示するように、配置された表示モジュール203間にガラス接着剤221が塗布され、UV(紫外線)光が照射されて、硬化される。
本実施の形態に係る表示ディスプレイ、表示パネル、表示モジュール203は、情報機器等のシステム機器を含む概念である。
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面及び詳細な説明を提供した。
Next, as shown in FIG. 37(e), a plurality of display modules 203 (
Next, as shown in FIG. 37(f), a
The display, display panel, and
As described above, the embodiment has been described as an example of the technique of the present disclosure. To that end, the accompanying drawings and detailed description have been provided.
したがって、添付図面及び詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。 Therefore, among the components described in the attached drawings and detailed description, there are not only components essential for solving the problem, but also components not essential for solving the problem in order to illustrate the above technology. can also be included. Therefore, it should not be immediately recognized that those non-essential components are essential just because they are described in the attached drawings and detailed description.
上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略等を行うことができる。 Since the above-described embodiments are intended to illustrate the technology of the present disclosure, various modifications, replacements, additions, omissions, etc. can be made within the scope of the claims or equivalents thereof.
以上、本明細書において、実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
本明細書及び図面に記載した事項あるいは内容は、一部または全部を相互に組み合わせることができることは言うまでもない。
As described above, the present specification has been specifically described based on the embodiments, but the present invention is not limited thereto, and can be variously modified without departing from the gist of the present invention.
It goes without saying that some or all of the matters or contents described in this specification and drawings can be combined with each other.
本開示は、特に、アクティブ型のLEDディスプレイ、LED表示パネルに有用である。LEDは、LEDチップ、マイクロLED、ナノLED等の多くのサイズに適用できる。 The present disclosure is particularly useful for active LED displays and LED display panels. LEDs can be applied in many sizes, such as LED chips, micro-LEDs, nano-LEDs.
161 ゲートドライバIC
162 ソースドライバIC
163 ゲート信号線
164 ソース信号線
165 表示画面
171 コンデンサ
172 LED
173 トランジスタ
174 接続電極
175 画素
176 拡散材
201 位置合わせマーカ
202 パネル基板
203 表示モジュール
204 レーザ加工装置
205 レーザ光
206 画像認識装置
207 溝状マーカ
211 反射膜
212 マスク
214 信号線
215 めっき膜
216 凹部
217 XYZステージ
218 COF
219 ACF
220 ドライバIC
221 ガラス接着剤
222 レーザ光吸収部
223 貫通穴
224 レーザ光吸収部
225 容器
226 オプティカルカップリング液
227 照明光
228 スリット
229 Sn-Pd触媒
301 レーザミラー
302 ミラー基材
303 反射膜
304 誘電体ミラー
305 プリズム
161 gate driver IC
162 source driver IC
163
173 transistor 174
219 ACF
220 Driver IC
221 Glass adhesive 222 Laser
Claims (1)
パネル基板の側面にレーザミラーを配置し、
前記パネル基板に垂直方向から、レーザ光を照射し、
前記レーザ光を前記レーザミラーで反射させて、前記パネル基板の側面を加工することを特徴とする表示パネルの製造方法。 A method for manufacturing a display panel substrate,
A laser mirror is placed on the side of the panel substrate,
irradiating the panel substrate with laser light from a vertical direction;
A method of manufacturing a display panel, wherein the laser beam is reflected by the laser mirror to process the side surface of the panel substrate.
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