JP2022031149A - Display module, display panel and manufacturing method of the display panel - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は表示パネル等の製造における基板の位置合わせマーカ、位置合わせ方法、位置合わせマーカの製造方法、及び、表示パネル、表示モジュールの製造方法及びアクティブマトリックス型表示パネルと表示装置、表示パネルのカバーガラス及び表示パネルのカバーガラスの製造方法等に関するものである。 The present invention relates to a substrate alignment marker, an alignment method, a alignment marker manufacturing method, a display panel, a display module manufacturing method, an active matrix type display panel and a display device, and a display panel cover in the manufacture of a display panel or the like. It relates to a method for manufacturing glass and a cover glass for a display panel.
大画面液晶テレビが商品化され、また、有機ＥＬ素子を利用した有機ＥＬテレビが商品化されている。しかし、液晶テレビはコントラストが低いという課題があり、有機ＥＬテレビは画像が焼きつくという課題がある。
この課題を解決するため、近年では画素に自発光するＬＥＤを使用した大型ＬＥＤテレビが開発されている。
Large-screen LCD TVs have been commercialized, and organic EL TVs using organic EL elements have been commercialized. However, LCD TVs have a problem of low contrast, and organic EL TVs have a problem of burning images.
In order to solve this problem, in recent years, a large LED television using an LED that emits light by itself in a pixel has been developed.
画素に自発光するＬＥＤを使用した大型ＬＥＤテレビは、数百万個のＬＥＤを実装する必要があり、ＬＥＤ実装不良が発生しやすく、歩留まりが低い。 A large LED TV that uses LEDs that emit light by itself in the pixels needs to be mounted with millions of LEDs, and LED mounting defects are likely to occur and the yield is low.
本発明は、歩留まり向上のため、複数の表示モジュールあるいは表示パネルを作製し、複数の表示モジュールを組み合わせることにより１つの表示画面を構成する方法を提案する。 The present invention proposes a method of forming a single display screen by manufacturing a plurality of display modules or display panels and combining a plurality of display modules in order to improve the yield.
複数の表示モジュールを組み合わせるためには、各表示モジュールを位置決めし、表面に形成された信号線に配線を接続し、裏面あるいは側面に配置したドライバ回路から、前記配線を介して信号線に映像信号、選択信号等を印加する必要がある。
配置の形成のためには、表示モジュールに位置決めマーカを形成し、位置決めマーカを基準位置として配線を形成する。
In order to combine multiple display modules, each display module is positioned, wiring is connected to the signal line formed on the front surface, and a video signal is connected to the signal line from the driver circuit arranged on the back surface or the side surface via the wiring. , It is necessary to apply a selection signal or the like.
For the formation of the arrangement, a positioning marker is formed on the display module, and wiring is formed with the positioning marker as a reference position.
特許文献１には、コマンドを受信すると、マーカヘッドによる加工対象物の撮像によって得られた画像データを用いて基準位置に対する加工対象物のずれ量を算出するとともに、ずれ量をコントローラ２１に通知し、コントローラ２１は、ずれ量に基づきレーザ光を走査する位置を補正した後、マーカヘッドに走査を実行させる位置決め方式が開示されている。
特許文献１は、特許文献１の図９に図示するマーカを上方から認識するものであって、側面からマーカを認識することはできない。
特許文献２には、レーザ光照射による貫通穴の形成後、貫通穴にドライガスを吹き付けてクラックの発生を抑制する方法が記載されている。
特許文献２は、良好な貫通穴を形成することが難しく、また、クラック発生の抑制効果も小さい。
In
Patent Document 2 describes a method of suppressing the generation of cracks by spraying dry gas on the through holes after forming the through holes by laser irradiation.
In Patent Document 2, it is difficult to form a good through hole, and the effect of suppressing the occurrence of cracks is small.
信号線２１４が形成された領域間にＣＯＦ接続配線２３５を形成または配置する。ＣＯＦ接続配線２３５は、めっき膜２１５と電気的に接続されている。ＣＯＦ接続配線２３５にＣＯＦ２１８がＡＣＦ２１９で電気的に接続される。
The
ＣＯＦ接続配線２３５は、ガラス基板２０２の裏面でめっき膜２１５から分岐される。粗化部２４４ａと粗化部２４４ｃとは垂直方向で位置が異なる。したがって、粗化部２４４ａを粗化するレーザ光２０５ｂ位置と、粗化部２４４ｃを粗化するレーザ光２０５ｂ位置とが一致しない。
The
本発明は、複数の表示モジュール２０３を組み合わせることより、大画面の表示画面１６５を構成する。各表示モジュール２０３は、表示不良の検査を行い、不良は修正をして完成させる。したがって、良品の表示モジュール２０３を組み合わせることにより表示ディスプレイを構成するため、製造歩留まりを向上させることができる。
The present invention constitutes a large-
また、ＣＯＦ接続配線２３５は、ガラス基板２０２の裏面でめっき膜２１５から分岐される。粗化部２４４ａと粗化部２４４ｃとは垂直方向で位置が異なる。したがって、粗化部２４４ａを粗化するレーザ光２０５ｂ位置と、粗化部２４４ｃを粗化するレーザ光２０５ｂ位置とが一致しない。そのため、レーザ光２０５による粗化工程で、信号線２１４、トランジスタ１１７等を破損することがない。
Further, the
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態について説明をする。発明を実施するための形態を説明するための各図面において、同一の機能を有する要素、構成には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。また、本明細書に記載する本発明の実施例は、一部または全部をそれぞれの実施例と組み合わせることができる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings. In each drawing for explaining the embodiment for carrying out the invention, the same reference numerals may be given to elements and configurations having the same function, and the description may be omitted. In addition, the examples of the present invention described in the present specification may be partially or wholly combined with the respective examples.
必要以上に詳細な説明は省略する場合がある。例えば、既によく知られた事項の詳細説明や実質的に同一の構成に対する重複説明を省略する場合がある。これは、以下の説明が不必要に冗長になるのを避け、当業者の理解を容易にするためである。 More detailed explanations than necessary may be omitted. For example, detailed explanations of already well-known matters and duplicate explanations for substantially the same configuration may be omitted. This is to avoid unnecessary redundancy of the following description and to facilitate the understanding of those skilled in the art.
なお、当業者が本開示を十分に理解するために図面、及び以下の説明を提供するのであって、これらによって特許請求の範囲に記載の主題を限定することを意図するものではない。 It should be noted that those skilled in the art will provide the drawings and the following description in order to fully understand the present disclosure, and are not intended to limit the subject matter described in the claims.
図７は、本発明の位置合わせマーカの説明図である。なお、図７等で図示する位置合わせマーカは、十字マークとして図示しているが、本発明はこれに限定するものではない。たとえば、円形、多角形、矩形等、また、複数の形状の組み合わせであってもよい。 FIG. 7 is an explanatory diagram of the alignment marker of the present invention. The alignment marker shown in FIG. 7 and the like is shown as a cross mark, but the present invention is not limited thereto. For example, it may be a circle, a polygon, a rectangle, or a combination of a plurality of shapes.
位置合わせマーカ２０１は、基板２０２に形成されている。基板２０２はガラス等の光透過性を有する基板であり、具体的には、０．５ｍｍ厚の石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、ライトライムガラス等である。特に、無アルカリガラス基板を選択することが好ましい。
The
なお、基板２０２は、ガラス等の無機材料に限定されるものではなく、光透過性を有する樹脂材料であってもよい。有機材料からなる基板としては板状のもの、フィルム状のいずれでもよく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂から構成されたものが例示される。その他、セラミック基板、金属基板に絶縁膜が形成された基板が例示される。以降は、ガラス基板を例示して説明する。
The
ガラス基板２０２厚としては０．２ｍｍ以上０．８ｍｍ以下が例示される。ガラス基板２０２の裏面が、シリコンあるいはアルミなどの金属基板で構成されていても、着色されたプラスチック基板で構成されていてもよい。
The thickness of the
図７（ａ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１は少なくとも基板形状の対角位置に形成される。好ましくは４辺の隅、４辺の中央部に形成される。位置合わせマーカ２０１は、ガラス基板２０２に深さ方向に加工されて形成されている。深さは、２μｍ以上が例示される。
As shown in FIG. 7A, the
位置合わせマーカ２０１は、図９に図示するように、ガラス基板２０２の上方から画像認識カメラ２０６ａ、画像認識カメラ２０６ｂで位置合わせマーカ２０１ａ、位置合わせマーカ２０１ｂを認識する。
As shown in FIG. 9, the
ガラス基板２０２は光透過性を有する。したがって、ガラス基板２０２の側面から、位置合わせマーカ２０１を認識することができる。また、ガラス基板202の裏面から位置合わせマーカ２０１を認識することができる。
ガラス基板２０２の側面から、画像認識カメラ２０６ｃ、画像認識カメラ２０６ｄで位置合わせマーカ２０１ａ、位置合わせマーカ２０１ｂを認識する。
図７は位置合わせマーカ２０１の構造図、説明図である。図７（ａ）は基板２０２を上方から見た平面図、図７（ｂ）、図７（ｃ）は側面図である。
The
The
FIG. 7 is a structural diagram and an explanatory diagram of the
位置合わせマーカ２０１は、基板２０２の上面、裏面、側面から、認識することができる。なお、基板が可視光を透過しない場合であっても赤外線を透過する材料で形成または構成されている場合、赤外線カメラで位置合わせマーカ２０１を側面から認識することができる。
The
図７（ｄ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１に斜面を有するプリズム形状としてもよい。図７（ｄ）に図示するように、照明光２２７を位置合わせマーカ２０１の斜面で反射させ、斜面で反射光を検出することにより、位置合わせマーカ２０１ｅを検出し、位置合わせマーカ２０１ｅの位置を基準として位置決めを行う。プリズム形状の斜面部は、臨界角以上の角度とすることにより、反射膜を形成せずとも、照明光２２７を反射する。
As shown in FIG. 7 (d), the
図７（ｄ）の位置合わせマーカ２０１ｅもガラス基板２０２の上面から認識することができ、位置を行うことができる。ガラス基板２０２の側面からも位置合わせマーカ２０１ｅを認識することができ、位置決めを行うことができる。必要に応じて、基板２０２の裏面からも位置合わせマーカ２０１を認識し、位置合わせを行うことができる。
The
図９に図示するように、ガラス基板２０２あるいは表示モジュール２０３は、ＸＹＺステージ２１７に積載され、ＸＹＺステージ２１７に、エアーチェック機構（図示せず）で、ガラス基板２０２あるいは表示モジュール２０３は固定される。
As shown in FIG. 9, the
画像認識カメラ２０６は、オートフォーカス機能を有し、位置合わせマーカ２０１にフォーカスを合わせて、ガラス基板２０２あるいは表示モジュール２０３の位置を認識する。認識した位置からレーザ光２０５を照射する位置を設定する。また、基板２０２にレーザ光を照射し、レーザ光の反射時間から、基板２０２位置を測定あるいは計測する。
The image recognition camera 206 has an autofocus function, focuses on the
本発明の位置合わせマーカ２０１は、透明あるいは光透過性を有するガラス基板２０２等、あるいは表示モジュール２０３等に形成され、深さ方向に形状のある３Ｄ形状に作製されている。そのため、図９に図示するように、ガラス基板２０２あるいは表示モジュール２０３の上方だけでなく、側面からも位置合わせマーカ２０１を認識することができる。
The
したがって、ガラス基板２０２の上方からレーザ光２０５を照射する際の位置決め、及びガラス基板２０２の側面からレーザ光２０５を照射する際の位置決めの両方に位置合わせマーカ２０１を利用することができる。
Therefore, the
図８は本発明の位置合わせマーカ２０１の作製方法を説明する説明図である。図８（ａ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１を形成する位置に、レーザ光吸収部２２４（２２２）を形成する。レーザ光吸収部２２４（２２２）の形成方法としては、蒸着、ジルコニアによる形成する方法、スパッタによる形成する方法、電着による形成する方法、焼結による形成する方法が例示される。
ガラス基板２０２は、軟化温度が約７３０℃前後、融点は全成分を完全に溶融させる温度と定義するならば約１２００℃～１５００℃前後である。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating a method for manufacturing the
The
レーザ光吸収部２２４（２２２）を形成する材料は、ガラス基板２０２の融点よりも高い材料であることが好ましく、また、照射するレーザ光２０５を吸収しやすい材料を選定することが好ましい。また、レーザ光吸収部２２４（２２２）を形成する材料の沸点は、ガラス基板２０２の融点よりも高いことが好ましい。
The material forming the laser light absorbing portion 224 (222) is preferably a material having a melting point higher than that of the
また、レーザ光吸収部２２４（２２２）の材料がガラス基板２０２をエッチングする液体、あるいはゲル、あるいは樹脂を含有することが好ましい。たとえば、フッ化アンモニウムからなる液体あるいはゲルに高屈折率材料（屈折率１．６０以上）を含有あるいは拡散させることが例示される。
Further, it is preferable that the material of the laser light absorber 224 (222) contains a liquid, a gel, or a resin that etches the
液体、あるいはゲル、あるいは樹脂は、アクリル系あるいはエポキシ系の紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂が例示される。紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂を用いることにより、塗布後に硬化させることにより、塗布位置が固定され、レーザ光位置を精度よく設定できる。 Examples of the liquid, gel, or resin include acrylic or epoxy-based ultraviolet curable resins and thermosetting resins. By using an ultraviolet curable resin or a thermosetting resin, the coating position is fixed and the laser light position can be set accurately by curing after coating.
液体、あるいはゲル、あるいは樹脂に含有させる金属材料としては、たとえば、チタン、鉄、モリブデン、ジルコニア（二酸化ジルコニウム）、チタニア（二酸化チタン）等の金属あるいはその酸化物であり、ガラス基板２０２の融点よりも高融点の金属が好ましい。
The metal material contained in the liquid, gel, or resin is, for example, a metal such as titanium, iron, molybdenum, zirconia (zirconium dioxide), titania (titanium dioxide), or an oxide thereof, and the temperature is higher than the melting point of the
フッ化アンモニウムの液体あるいはゲルあるいは樹脂に酸化チタン粉末等を含有させ、アセトン等の希釈剤で粘度を調整して、インクジェット方式等で塗付して、レーザ光吸収部２２４（２２２）を形成する。塗布後、紫外線を照射または加熱のうち少なくとも一方を行うことによりレーザ光吸収部２２４（２２２）を硬化させる。 Titanium oxide powder or the like is contained in a liquid, gel or resin of ammonium fluoride, the viscosity is adjusted with a diluent such as acetone, and the mixture is applied by an inkjet method or the like to form a laser light absorber 224 (222). .. After coating, the laser light absorber 224 (222) is cured by irradiating or heating at least one of ultraviolet rays.
液体、あるいはゲル、あるいは樹脂、あるいは無機材料に高屈折フィラー(チタニア、ジルコニア等)を分散させた膜をレーザ光吸収部２２４（２２２）として形成することが好ましい。特にチタニア（二酸化チタン）は、安定していて好ましい。高屈折フィラー(チタニア、ジルコニア等)を用いることにより、レーザ光吸収部２２４（２２２）の材料の屈折率を１．６０～１．６８の高屈折率に構成あるいは形成することができる。高屈折率に構成あるいは形成することにより、レーザ光の吸収率が向上し、ガラス加工の速度が向上する。 It is preferable to form a film in which a high refractive filler (titania, zirconia, etc.) is dispersed in a liquid, a gel, a resin, or an inorganic material as a laser light absorber 224 (222). In particular, titania (titanium dioxide) is stable and preferable. By using a high refractive index filler (titania, zirconia, etc.), the refractive index of the material of the laser light absorber 224 (222) can be configured or formed to have a high refractive index of 1.60 to 1.68. By constructing or forming a high refractive index, the absorption rate of the laser beam is improved and the speed of glass processing is improved.
なお、レーザ光吸収部２２４（２２２）は、液体、ゲル等ガラス腐食材料に高屈折フィラー(チタニア、ジルコニア等)を分散させた膜を例示するが、本願発明はこれに限定するものではない。レーザ光吸収部２２４（２２２）は、高融点金属、セラミック材料等の単体をスパッタリング、蒸着方法にて、凹部２１６、貫通穴２２３、溝等の加工箇所に形成してもよい。
The laser light absorbing unit 224 (222) exemplifies a film in which a high-refractive-index filler (titania, zirconia, etc.) is dispersed in a glass-corrosive material such as a liquid or gel, but the present invention is not limited thereto. The laser light absorption unit 224 (222) may form a simple substance such as a refractory metal or a ceramic material in a processed portion such as a
レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５が照射されることにより、レーザ光吸収部２２４が発熱し、発熱した熱によりガラス基板２０２が溶解、蒸発する。レーザ光２０５のパワーを調整し、好ましくは、レーザ光吸収部２２４を形成する材料の沸点以下で、かつ、ガラス基板２０２を形成する材料の溶解温度以上に制御する。
When the
レーザ光２０５によりガラス基板２０２の該当箇所に穴が形成され、穴は、順次、深さ方向に進行する。レーザ光吸収部２２４の材料の沸点以下の温度を維持することにより、ガラス基板２０２に穴、あるいは溝が形成される。穴、あるいは溝が形成には、フッ素、フッ酸等の化合物が作用する。
A hole is formed in the corresponding portion of the
好ましくは、図１４、図１９、図２０に図示するように、レーザ光吸収部２２４にスリット２２８（レーザ光吸収部２２４が形成されていない部分）を形成し、スリット２２８から照射されたレーザ光２０５により、ガラス基板２０２材料を溶解あるいは加工してもよい。スリット２２８の周辺部のレーザ光吸収部２２４はレーザ光り２０５を吸収し、発熱してよりガラス基板２０２材料を溶解させ、あるいは加工され、凹部２１６または貫通穴２２３の形成を促進させる。
レーザ加工時は、最初はレーザ光の強度を強くし、ガラス基板が溶解を開始するとレーザ光を弱くする。
Preferably, as shown in FIGS. 14, 19, and 20, a slit 228 (a portion in which the laser
At the time of laser processing, the intensity of the laser beam is increased at first, and the laser beam is weakened when the glass substrate starts melting.
なお、ガラス基板２０２に貫通穴２２３を形成する場合は、ガラス基板２０２の両面（表面側と裏面側）から、レーザ光２０５を、同時に、あるいは交互に、あるいは一方の加工後に他方から照射する。また、一定以上の穴が形成された後は、フッ酸（フッ化水素、弗化水素 ＨＦ）を用いて、ガラス基板２０２を腐食させることにより貫通穴２２３を形成する。また、加工穴には、ガラス基板２０２の溶解に適合して、フッ酸等を供給する。
When the through
レーザ光吸収部２２４の材料として、タングステン（Ｗ 融点３４０７℃）、タンタル（Ｔａ 融点２９８５℃）、チタン（Ｔｉ 融点１６６６℃）、鉄（Ｆｅ 融点１５３６℃）、ニッケル（Ｎｉ 融点１４５５℃）、白金（Ｐｔ 融点１７６９℃）、パラジウム（Ｐｄ 融点１５５２℃）、モリブデン（Ｍｏ 融点２６２３℃）が例示される。
Tungsten (W melting point 3407 ° C), tantalum (Ta melting point 2985 ° C), titanium (Ti melting point 1666 ° C), iron (Fe melting point 1536 ° C), nickel (Ni melting point 1455 ° C), platinum as materials for the
中でも、高融点のチタン（Ｔｉ 融点１６６６℃）、タングステン（Ｗ 融点３４０７℃）、モリブデン（Ｍｏ 融点２６２３℃）、または、これらの合金を使用することが好ましい。これらの金属あるいは合金は、液晶パネル、有機ＥＬパネル等の信号線の形成材料として使用されているため、本発明の表示モジュールの製造方法に適用することが容易である。
また、レーザ光吸収部２２４をめっき技術で作製する場合は、ニッケル（Ｎｉ 融点１４５５℃）、鉄（Ｆｅ 融点１５３６℃）を採用することが好ましい。
Above all, it is preferable to use titanium having a high melting point (Ti melting point 1666 ° C.), tungsten (W melting point 3407 ° C.), molybdenum (Mo melting point 2623 ° C.), or an alloy thereof. Since these metals or alloys are used as materials for forming signal lines of liquid crystal panels, organic EL panels, etc., they can be easily applied to the method for manufacturing a display module of the present invention.
When the laser
図８（ａ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１の形成する位置あるいは位置を含む近傍にレーザ光吸収部２２４の材料を形成または配置する。レーザ光吸収部２２４の膜厚は、１μｍ以上が好ましい。
As shown in FIG. 8A, the material of the laser
次に、レーザ加工装置２０４で位置合わせマーカ２０１の形成部にレーザ光２０５を照射する。一例としてレーザ光２０５は図７に図示するように、十字形状である。図７（ｄ）に図示するように、斜面を有するプリズム形状であってもよい。加工深さは、２μｍ以上とし、好ましくは、１００μｍ以上の深さに加工する。
Next, the
位置合わせマーカ２０１の加工は、フェムト秒レーザ加工装置２０４が発生するレーザ光２０５で行う。加工状態あるいは粗化状態は、フェムト秒レーザ光２０５のレーザ強度、照射するレーザパルスの移動速度を変更あるいは設定することにより容易に実現できる。
The
フェムト秒レーザ加工装置２０４は、一般にパルス幅が、サブピコ秒から数十フェムト秒のフェムト秒レーザ光２０５を発生する。サブピコ秒から数十フェムト秒の超短パルスのレーザ光２０５を材料に照射した場合、材料の熱拡散時間に比べてパルス幅が十分に短いため、光エネルギーを有効に照射部に投入できる。
The femtosecond
その結果、照射周辺部への熱影響を局限化することが可能で、高精度な微細加工が実現できる。また、レーザ光の電場強度が非常に高いので、ビームが集光されたところにのみ、空間選択的に多光子吸収、多光子イオン化等の非線形作用を誘起することができる。 As a result, it is possible to localize the thermal effect on the irradiation peripheral part, and high-precision micromachining can be realized. Further, since the electric field intensity of the laser beam is very high, it is possible to induce non-linear actions such as multiphoton absorption and multiphoton ionization spatially selectively only in the place where the beam is focused.
フェムト秒グリーンレーザは、第二高調波であるため、比較的高出力を取り出すことができ、レーザ光吸収部２２４に対しても、照射したレーザ光の吸収が良好である。
Since the femtosecond green laser is a second harmonic, it can take out a relatively high output, and the laser
フェムト秒グリーンレーザが出射する光の波長は５００ｎｍ～５５０ｎｍであるのが好ましい。パルス幅は、１フェムト秒～１０００フェムト秒であるのが好ましい。 The wavelength of the light emitted by the femtosecond green laser is preferably 500 nm to 550 nm. The pulse width is preferably 1 femtosecond to 1000 femtoseconds.
ピコ秒レーザを用いる場合、ピコ秒レーザが出射する光の波長は５００ｎｍ～５５０ｎｍであるのが好ましい。パルス幅は、１ピコ秒～１０ピコ秒であるのが好ましい。 When a picosecond laser is used, the wavelength of the light emitted by the picosecond laser is preferably 500 nm to 550 nm. The pulse width is preferably 1 picosecond to 10 picoseconds.
ガラス基板２０２の表面は、パルス幅の単位がピコ秒であるピコ秒レーザ光、又はフェムト秒であるフェムト秒レーザ光により粗化され、また加工される。ガラス基板２０２を加温することにより、溶解速度は速くなる。
The surface of the
図８（ａ）等で説明するレーザ光吸収部２２４の形成、レーザ光２０５の照射によるガラス基板２０２の加工は、複数回、繰り返しても良い。レーザ光２０５の照射によりレーザ光吸収部２２４が除去されることにより、加工箇所のガラス基板２０２の加熱が小さくなる。その対策として、レーザ光吸収部２２４の形成 －＞ レーザ光２０５の照射 －＞ レーザ光吸収部２２４の形成 －＞ レーザ光２０５の照射を複数回、繰り返す。
The formation of the laser
次に、図８（ｂ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１部を含む箇所に、光反射機能あるいは、光吸収機能を有する反射膜２１１を形成する。たとえば、反射膜２１１の材料として、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）が例示される。反射膜２１１の材料は、加工された位置合わせマーカ２０１の底部及び側面に付着し、位置合わせマーカ２０１は光を吸収または反射する。また、位置合わせマーカ２０１は、ガラス基板２０２の上方、あるいは側面から観察することができる。
Next, as shown in FIG. 8B, a
図８の実施例では、位置合わせマーカ２０１部に反射膜２１１を形成するとしたが、位置合わせマーカ２０１の形成部と、他の箇所とのコントラストがあれば、位置合わせマーカ２０１の位置を検出することができる。したがって、反射膜２１１の替わりに、光吸収膜２１１を形成または配置してもよい。なお、説明を容易にするため、薄膜または厚膜２１１は反射膜２１１として説明する。
In the embodiment of FIG. 8, it is assumed that the
位置合わせマーカ２０１は、光を吸収または反射することにより、他の部分（位置合わせマーカ２０１が形成されていない領域）とコントラストがつき、位置合わせマーカ２０１として機能する。
By absorbing or reflecting light, the
図８（ｃ）に図示するように、位置合わせマーカ２０１の加工位置、あるいは／または位置合わせマーカ２０１の加工位置を含む近傍に、マスク２１２（マスク２１２ａ、マスク２１２ｂ）を形成する。
次に、図８（ｄ）に図示するように、マスク２１２をマスクとして、他の箇所に形成された反射膜あるいは吸収膜２１１をエッチングにより除去する。
As shown in FIG. 8 (c), the mask 212 (
Next, as shown in FIG. 8D, the
次に、図８（ｅ）に図示するように、マスク２１２をエッチング等で除去することにより、反射膜２１１が形成された位置合わせマーカ２０１を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 8 (e), the
図８（ｄ）では、マスク２１２により、位置合わせマーカ２０１部に反射膜２１１等を残存させるとした。しかし、位置合わせマーカ２０１部以外を研磨、剥離等の技術により除去してもよいことは言うまでもない。
In FIG. 8D, the
図３、図４は、本発明の表示パネルの等価回路図である。赤色（Ｒ）の画素１７５Ｒ、緑色（Ｇ）の画素１７５Ｇ、青色（Ｂ）の画素１７５Ｂが表示画面１６５にマトリックス状に配置されている（図５参照）。なお、画素１７５の色は、ＲＧＢに限定されるものではない、黄色（Ｙ）を加えて４色でもよく、また、ＲＢの２色や、ＲＧＢのいずれか１色の表示モジュール２０３であってもよい。
3 and 4 are equivalent circuit diagrams of the display panel of the present invention. Red (R)
また、図５に図示するように、矩形の画素１７５（画素１７５Ｒ、画素１７５Ｇ、画素１７５Ｂ）をマトリックス状に配置する構成に限定されるものではなく、円形あるいは円弧状の画素をドット状に配置した画素構成であっても良いことは言うまでもない。
Further, as shown in FIG. 5, the configuration is not limited to arranging rectangular pixels 175 (
各画素１７５には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７１、コンデンサ１７３、ＬＥＤ１７２が形成、または、配置、もしくは実装されている。ＴＦＴ１７１はスイッチ用トランジスタ１１７、または、駆動用トランジスタとして機能する。
低温多結晶酸化物（LTPO）、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）、酸化化合物（ＩＧＺＯ）技術を用いてトランジスタ１１７等が形成あるいは作製される。
A thin film transistor (TFT) 171 and a
Transistors 117 and the like are formed or manufactured using low temperature polycrystalline oxide (LTPO), low temperature polysilicon (LTPS), and oxidized compound (IGZO) technology.
本明細書では、駆動用トランジスタ１７１ａ、スイッチ用トランジスタ１７１は、薄膜トランジスタとして説明するが、これに限定するものではない。薄膜ダイオード（ＴＦＤ）、リングダイオードなどでも構成することができる。
In the present specification, the driving
薄膜素子に限定するものではなく、シリコンウエハに形成したトランジスタでもよい。たとえば、シリコンウエハでトランジスタを構成し、剥がしてガラス基板に転写したものが例示される。また、シリコンウエハでトランジスタチップを形成し、ガラス基板のボンディング実装した表示パネルが例示される。 It is not limited to the thin film element, and may be a transistor formed on a silicon wafer. For example, a transistor is formed of a silicon wafer, peeled off, and transferred to a glass substrate. Further, a display panel in which a transistor chip is formed of a silicon wafer and a glass substrate is bonded and mounted is exemplified.
トランジスタ１７１は、ＦＥＴ、ＭＯＳ－ＦＥＴ、ＭＯＳトランジスタ、バイポーラトランジスタでもよい。これらも基本的に薄膜トランジスタである。その他、バリスタ、サイリスタ、リングダイオード、ホトダオード、ホトトランジスタ、ＰＬＺＴ素子などでもよいことは言うまでもない。 The transistor 171 may be a FET, a MOS-FET, a MOS transistor, or a bipolar transistor. These are also basically thin film transistors. Needless to say, a varistor, a thyristor, a ring diode, a photodeode, a phototransistor, a PLZT element, or the like may be used.
本発明のトランジスタ１７１は、Ｎチャンネルトランジスタ、Ｐチャンネルトランジスタとも、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain)構造を採用することが好ましい。 The transistor 171 of the present invention preferably adopts an LDD (Lightly Doped Drain) structure for both the N-channel transistor and the P-channel transistor.
トランジスタ１７１は、高温ポリシリコン(HTPS : High- temperature rature polycrystalline silicon)、低温ポリシリコン(LTPS : Low- temperature poly silicon)、連続粒界シリコン(CGS : Continuous grain silicon)、低温多結晶酸化物（LTPO）、透明アモルファス酸化物半導体(TAOS : Transparent Amorphous Oxide Semiconductors)、アモルファスシリコン（AS : amorphous silicon）、赤外線RTA（RTA : rapid thermal annealing）で形成したもののうち、いずれでもよい。 Transistor 171 is composed of high-temperature polysilicon (HTPS), low-temperature polysilicon (LTPS), continuous grain silicon (CGS), and low-temperature polycrystalline oxide (LTPO). ), Transparent Amorphous Oxide Semiconductors (TAOS), amorphous silicon (AS), and infrared RTA (RTA: rapid thermal annealing).
図４ではすべてのトランジスタ１７１はＰチャンネルで構成している。ＰチャンネルはＮチャンネルのトランジスタに比較してモビリティが低い。しかし、耐圧が大きく、また、寿命劣化も少ない。 In FIG. 4, all the transistors 171 are composed of P channels. The P channel has lower mobility than the N channel transistor. However, the withstand voltage is large and the life is not deteriorated.
本発明は、画素のトランジスタ１７１をＰチャンネルで構成することのみに限定するものではない。Ｎチャンネルのみで構成してもよい。また、ＮチャンネルとＰチャンネルの両方を用いて構成してもよい。また、駆動用トランジスタ１７１ａをＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタの両方を用いて構成してもよい。
The present invention is not limited to configuring the pixel transistor 171 with P channels. It may be composed of only N channels. Moreover, you may configure using both N channel and P channel. Further, the
スイッチ用トランジスタ１７１は、トランジスタに限定するものではなく、たとえば、ＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタの両方を用いた、アナログスイッチであってもよい。 The switch transistor 171 is not limited to the transistor, and may be, for example, an analog switch using both a P-channel transistor and an N-channel transistor.
なお、本発明の表示パネルの画素のトランジスタ１７１は、Ｐチャンネルで構成することが好ましい。Ｐチャンネルで画素を構成すると、Ｎチャンネルで画素を構成した場合に比較して、１画素あたりのトランジスタ数を少なくでき、また、画素のスイッチ用トランジスタを制御するゲート信号線の本数も少なくできるからである。 It is preferable that the transistor 171 of the pixel of the display panel of the present invention is composed of P channels. When pixels are configured with P channels, the number of transistors per pixel can be reduced as compared with the case where pixels are configured with N channels, and the number of gate signal lines that control the switch transistors of the pixels can also be reduced. Is.
また、トランジスタ１７１はトップゲート構造にすることが好ましい。トップゲート構造にすることにより寄生容量が低減し、トップゲートのゲート電極パターンが、遮光層となり、ＬＥＤ１７２から出射された光を遮光層で遮断し、トランジスタ１７１の誤動作、オフリーク電流を低減できるからである。特に発光素子がＬＥＤ（light emitting diode）である場合、マッチングが良い。
Further, it is preferable that the transistor 171 has a top gate structure. By adopting the top gate structure, the parasitic capacitance is reduced, the gate electrode pattern of the top gate becomes a light-shielding layer, the light emitted from the
ゲート信号線１６３またはソース信号線１６４、もしくはゲート信号線１６３とソース信号線１６４の両方の配線材料として、銅配線または銅合金配線を採用できるプロセスを実施することが好ましい。信号線の配線抵抗を低減でき、より大型の表示パネルを実現できるからである。特に、ゲートドライバ１６１が駆動（制御）するゲート信号線１６３は、低インピーダンス化すること好ましい。銅配線は、Ti-Cu-Tiの３層構造を採用することが好ましい。また、本発明で銅めっきを採用した場合、信号線等に銅を使用している場合、マッチングが良い。
It is preferable to carry out a process in which copper wiring or copper alloy wiring can be adopted as the wiring material for both the
信号線２１４（ソース信号線１６４、ゲート信号線１６３）の表面は、ＩＴＯで被覆することが好ましい。ＩＴＯで被覆することにより、信号線２１４が腐食することが低減し、また、信号線２１４にめっき膜２１５を形成しやすくなるからである。また、接続電極１７４の表面をＩＴＯとすることにより、表面が酸化することがなく、ＬＥＤの接続を良好にすることができる。
The surface of the signal line 214 (
また、信号線２１４（ソース信号線１６４、ゲート信号線１６３）の表面は、モリブデン（Ｍｏ）被覆することが好ましい。モリブデンで被覆することにより、信号線２１４が腐食することが低減し、また、信号線２１４にめっき膜２１５を形成しやすくなるからである。
Further, it is preferable that the surface of the signal line 214 (
その他、めっきする信号線２１４の表面部を、ニッケル（Ｎｉ）などで被覆してもよい。たとえば、信号線２１４に対し酸性脱脂剤を用い、５０℃、５分の処理条件で脱脂を行う。過硫酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ及び硫酸１０ｍｌ／Ｌを用いてソフトエッチング処理を行う。保持時間は１分である。
硫酸５０ｇ／Ｌを用いて酸処理を行う。保持時間は０．５分である。硫酸２８．７ｇ／Ｌを用いてプリディップ処理を行う。保持時間は０．５分である。アクチベータ処理液を用いてアクチベータを行う。保持時間は１分である。
In addition, the surface portion of the
Acid treatment is performed with 50 g / L of sulfuric acid. The holding time is 0.5 minutes. Predip treatment is performed using 28.7 g / L of sulfuric acid. The holding time is 0.5 minutes. Activator is performed using the activator treatment liquid. The holding time is 1 minute.
アクチベータ処理は、還元析出型の無電解Ｎｉ－Ｐめっき液中の還元剤が信号線２１４上でのみ電子を放出するように触媒となるＰｄを付与する処理である。
触媒残渣除去液によりアクチベータ処理後の触媒残渣を除去する、ポストディップ処理を行う。保持時間は２分である。その後、次亜リン酸を還元剤とする無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を用いて無電解Ｎｉ－Ｐめっき処理を行い、Ｎｉ－Ｐめっき層を信号線２１４の表面上に形成する。狙い厚みは一例として５μｍであり、この厚みに限定されるものではない。
The activator treatment is a treatment for imparting Pd as a catalyst so that the reducing agent in the reduction-precipitation electroless Ni-P plating solution emits electrons only on the
A post-dip treatment is performed in which the catalyst residue after the activator treatment is removed with a catalyst residue removing liquid. The holding time is 2 minutes. Then, an electroless Ni-P plating treatment is performed using an electroless Ni-P plating solution using hypophosphoric acid as a reducing agent to form an electroless Ni-P plating layer on the surface of the
次に、以下の無電解Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐめっき液組成及びめっき条件にて無電解Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐめっき処理を行い、Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐめっき層をＮｉ－Ｐめっき層上に形成する。
＜無電解Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐめっき液組成＞
硫酸銅・５水和物：０．００００４－０．１５ｍｏｌ／Ｌ
硫酸ニッケル・６水和物：０．００００３８－０．１５ｍｏｌ／Ｌ
次亜リン酸ナトリウム：０．０９５－０．４７ｍｏｌ／Ｌ
クエン酸三ナトリウム・２水和物：０．０３４－０．２ｍｏｌ／Ｌ
ホウ砂：０．０１３－０．０７８ｍｏｌ／Ｌ
界面活性剤：適量
＜Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐめっき条件＞
浴温：６５－９５℃
ｐＨ：４－１０
そして、置換Ａｕめっき処理を行い、Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐめっき層８上に、Ａｕめっき層１１を形成する。狙い厚みは０．０３μｍである。
Next, an electroless Ni-Cu-P plating process is performed under the following electroless Ni-Cu-P plating solution composition and plating conditions to form an electroless Ni-Cu-P plating layer on the Ni-P plating layer.
<Electroless Ni-Cu-P plating solution composition>
Copper sulfate pentahydrate: 0.00004-0.15 mol / L
Nickel sulfate hexahydrate: 0.000038-0.15 mol / L
Sodium hypophosphite: 0.095-0.47 mol / L
Trisodium citrate / dihydrate: 0.034-0.2 mol / L
Borax: 0.013-0.078 mol / L
Surfactant: Appropriate amount <Ni-Cu-P plating conditions>
Bath temperature: 65-95 ° C
pH: 4-10
Then, a substituted Au plating process is performed to form the Au plating layer 11 on the Ni—Cu—P plating layer 8. The target thickness is 0.03 μm.
図３は、本発明の表示パネルの説明図および等価回路図である。図３では、ゲート信号線１６３ａ、ゲート信号線１６３ｂはゲートドライバ回路１６１ａ、ゲートドライバ回路１６１ｂに接続され、両側駆動できるように構成されている。また、ソース信号線１６４の両端にはソースドライバ回路１６２ａ、ソースドライバ回路１６２ｂが接続され、両側駆動できるように構成されている。
FIG. 3 is an explanatory diagram and an equivalent circuit diagram of the display panel of the present invention. In FIG. 3, the
ゲート信号線１６３の両側にゲートドライバ回路１６１を接続することより、表示画像の輝度傾斜が低減し好ましい。ソース信号線１６４の両側にソースドライバ回路１６２を接続することより、表示画像の輝度傾斜が低減し好ましい。
It is preferable to connect the gate driver circuits 161 on both sides of the
図４は、本発明の実施例における表示パネルの画素構成の説明図である。図４において、Ｐチャンネルの駆動用トランジスタ１７１ａのドレイン端子に、スイッチ用トランジスタ１７１ｄのソース端子が接続され、スイッチ用トランジスタ１７１ｄのドレイン端子にＬＥＤ１７２のアノード端子が接続されている。また、ＬＥＤ１７２のカソード端子には、カソード電圧Ｖｓｓが印加されている。駆動用トランジスタ１７１ａのソース端子には、アノード電圧Ｖｄｄが印加されている。ＬＥＤ１７２は１チップに赤（Ｒ）発光素子、緑（Ｇ）発光素子、青（Ｂ）発光素子を内蔵するものを採用してもよい。この場合、アノード端子またはカソード端子は３つの素子で共通にする。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a pixel configuration of a display panel according to an embodiment of the present invention. In FIG. 4, the source terminal of the
ゲート信号線１６３ｂにオン電圧が印加されると、スイッチ用トランジスタ１７１ｄがオンし、駆動用トランジスタ１７１ａからの発光電流がＬＥＤ１７２に供給される。ＬＥＤ１７２は、発光電流の大きさに基づき発光する。
When an on-voltage is applied to the
駆動用トランジスタ１７１ａのゲート端子とドレイン端子間には、スイッチ用トランジスタ１７１ｂのソース端子とドレイン端子が接続され、ゲート信号線１６３ａにオン電圧が印加されることにより、駆動用トランジスタ１７１ａのゲート端子にソース信号線１６４に印加された信号電圧が印加される。
駆動用トランジスタ１７１ａのゲート端子には、コンデンサ１７３の１端子が接続され、コンデンサ１７３の他端子は、アノード電極Ｖｄｄと接続されている。
The source terminal and drain terminal of the
One terminal of the
ソースドライバ１６２は映像信号に基づく電圧をソース信号線１６４に出力する。ゲートドライバ１６１は、スイッチ用トランジスタ１７１ｂ、１７１ｄをオンさせる電圧（オン電圧）、オフさせる電圧（オフ電圧）をゲート信号線１６３に印加する。
The
ゲート信号線１６３ａにオン電圧が印加されている時には、トランジスタ１７１ｂがオン状態であり、ソース信号線１６４に印加されている映像信号を画素１７５に印加される。
When the on voltage is applied to the
ソース信号線１６４には、ソースドライバ１６２ａ、ソースドライバ１６２ｂが接続される。ソース信号線１６４は、ソースドライバ１６２ａ、ソースドライバ１６２ｂによる両側給電が行われることにより、表示画面１６５の輝度傾斜は発生しない。
A
ゲートドライバ１６１、ソースドライバ１６２は、シリコンチップで形成されている。ゲートドライバ１６１、ソースドライバ１６２は、ＣＯＦ(Chip On Film)２１８に実装される。ＣＯＦ２１８は信号線２１４（ゲート信号線１６３、ソース信号線１６４等）と表示画面１６５の端で接続される。ＣＯＦ２１８と信号線２１４との接続部はめっき処理が施される。
The gate driver 161 and the
ＬＥＤ１７２はチップ形状のものが例示される。その他、マイクロＬＥＤ，ナノＬＥＤが例示される。ＬＥＤ１７２の電極端子は、接続電極１７４に、異方性導電膜（ＡＣＦ：Anisotropic Conductive Film）２１９で実装される。また、めっき技術で実装、あるいは接続してもよい。
The
ＬＥＤ１７２の実装後、ＬＥＤ１７２上に、拡散材（散乱材）１７６を塗布あるいは形成もしくは配置する。拡散材１７６として、酸化チタン（TiO2）、炭酸カルシウム（CaCO3）、オパールガラス等の無機材料が例示される。これらをアセトン等の溶媒中に拡散あるいは混合し、インクジェット方式等により塗布する。また、樹脂性の拡散シートを配置する構成も有用である。その他、ＬＥＤ１７２上に色度を改善するカラーフィルタ、量子ドット（ＱＤ：Quantum dot)を形成または配置する。
After mounting the
ＬＥＤ１７２の実装後、ＬＥＤ１７２の点灯検査を実施する。検査で良品の場合、図４３に図示するように、ＬＥＤ１７２を実装した表示画面上に図４４等で説明するカバーガラス２４５が配置される。
カバーガラス２４５は、ガラスに限定されるものではなく、樹脂材料からなるカバーシートあるいはカバー板であってもよい。
After mounting the LED172, a lighting inspection of the LED172 is performed. In the case of a non-defective product in the inspection, as shown in FIG. 43, the
The
カバーシートあるいはカバーガラスと、ＬＥＤ１７２チップ間には、カバーガラス等と屈折率が近い材料でオプティカルカップリング材２４６が充填される。オプティカルカップリング材２４６として、エチレングリコール等の液体、アクリル系あるいはエポキシ系の紫外線硬化樹脂などの固体が例示される。あるいは粘着剤が例示される。カバーガラス２４５の装着後、粗化部２４４にめっき技術により構成されたＣＯＦ配線形成部２４１にＣＯＦ２１８が実装される。
The
図４３に図示するように、図４４等で説明するカバーガラス２４５を配置すること、あるいは有することにより、表示モジュール２０３の裏面にＣＯＦ２１８の実装がしやすくなる。ＣＯＦの実装時に、ＡＣＦ２１９部に押圧を印加する必要がある。
As shown in FIG. 43, by arranging or having the
ＣＯＦの実装時には、表示モジュール２０３を定盤上等に、カバーガラス２４５面を下にして配置する。次に、表示モジュール２０３の裏面のＣＯＦ配線形成部２４１にＡＣＦ２１９を仮接着し、ＣＯＦ２１８を接着する。
When mounting the COF, the
ＣＯＦ２１８の本接着時は、押圧と加熱が必要である。ＬＥＤ１７２はカバーガラス２４５とガラス基板２０２間に挟持され、カバーガラスに保護されている。したがって、ＣＯＦ２１８の接着時にガラス基板２０２を十分な圧力で押圧することができる。
Pressing and heating are required for the main bonding of COF218. The
図６は、本発明の表示パネルの製造方法の説明図である。図６に図示するように、ガラス基板２０２には、複数の表示モジュール２０３が作製される。各表示モジュール２０３の４つの端には、位置合わせマーカ２０１が形成、または配置される。
図６は、本発明の表示パネルの製造方法の説明図である。１枚のガラス基板２０２（２０３）に複数の表示領域が形成される。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a method for manufacturing a display panel of the present invention. As shown in FIG. 6, a plurality of
FIG. 6 is an explanatory diagram of a method for manufacturing a display panel of the present invention. A plurality of display areas are formed on one glass substrate 202 (203).
図６では、一例として表示モジュール２０３（１，１）～表示モジュール２０３（４，４）の１６個をガラス基板２０２に形成または配置した例を示している。本発明はこれに限定するものではなく、ガラス基板２０２には、適正に表示モジュール２０３を形成または設計すればよい。
FIG. 6 shows an example in which 16 display modules 203 (1,1) to 203 (4,4) are formed or arranged on the
図６では、図示を容易にするため、各表示モジュール２０３には模式的に信号線２１４を図示している。なお、図４で説明した画素回路等は、図示を省略している。
In FIG. 6, in order to facilitate the illustration, the
ガラス基板２０２は、図６の矢印の位置で、切断され、表示モジュール２０３に分離される。図１０（ａ）に図示するように、必要に応じて、表示モジュール２０３はａａ’線、ｂｂ’線、ｃｃ’線、ｄｄ’線で、精密切断、あるいは切断後され、切断面は研磨加工される。
The
図６の矢印位置での切断は、ガラスカッターで切断するため、寸法精度が低い。ａａ’線、ｂｂ’線、ｃｃ’線、ｄｄ’線まで、研磨加工等を行うことにより、表示モジュール２０３サイズ、表示モジュール２０３の信号線１２４端と表示モジュール２０３端の寸法を精度よく形成することができる。ガラスカッターの他、砥石、レーザ等を使用して切断してもよいことは言うまでもない。
The cutting at the arrow position in FIG. 6 is cut with a glass cutter, so that the dimensional accuracy is low. By polishing the aa'line, bb' line, cc' line, dd' line, etc., the size of the
図６に図示するように、ガラス基板２０２を矢印線で切断して複数の表示モジュール２０３とする。図６の実施例では、１枚のガラス基板２０２から４×４＝１６枚の表示モジュール２０３を作製した例である。
図６に図示するように、ガラス基板２０２を切断すると静電気に対して弱くなる。この課題に対して図３２、図３３、図３４で対策する。
図３２、図３３、図３４は本発明の表示モジュールの構造の説明図および表示モジュールの製造方法の説明図である。
As shown in FIG. 6, the
As shown in FIG. 6, when the
32, 33, and 34 are explanatory views of the structure of the display module of the present invention and explanatory views of the manufacturing method of the display module.
図３２に図示するように、表示モジュール２０３の周辺部に隣接したゲート信号線１６３間、隣接したソース信号線１６４間に電位配線２３７で短絡されている。電位配線２３７には電位電極２３８が形成されている。
As shown in FIG. 32, a
粗化部２４４を形成する工程、マスク２１２を塗布する工程等の期間では、電位電極２３８に所定電位が印加され、電位配線２３７が所定電位に固定される。したがって、ゲート信号線１６３とソース信号線１６４の電位が固定され、静電気の影響をなくすことができる。
図１８、図２４に図示するようにＣＯＦ２１８を実装後、図３２の点線にレーザ光を照射し、各ゲート信号線１６３、各ソース信号線１６４が切り離される。
During the period of forming the roughened
After mounting COF218 as shown in FIGS. 18 and 24, the dotted line in FIG. 32 is irradiated with a laser beam, and each
図３３の実施例では、各信号線間に接続素子２３９（トランジスタ２３９等）が形成されている。表示モジュール２０３の周辺部に隣接したゲート信号線１６３間、隣接したソース信号線１６４間、ソース信号線とゲート信号線とを接続する接続素子２３９（トランジスタ２３９等）が形成される。
In the embodiment of FIG. 33, a connecting element 239 (
なお、図３３では接続素子としてトランジスタを図示しているが、これに限定するものではなく、高抵抗の抵抗素子、ダイオード等であっても良いことはいうまでもない。 Although a transistor is shown as a connection element in FIG. 33, it is not limited to this, and it goes without saying that a high resistance resistance element, a diode, or the like may be used.
図３３に図示するように、トランジスタ２３９のゲート端子は電位配線２３７と接続され、電位配線２３７には電位電極２３８が形成されている。粗化部２４４を形成する工程、マスク２１２を塗布する工程等の期間では、電位電極２３８に所定電位が印加され、電位配線２３７が所定電位に固定される。所定電位により、接続素子２３９はオンし、各ゲート信号線１６３間、各ソース信号線１６４間等が電気的に接続される。したがって、ゲート信号線１６３とソース信号線１６４の電位が固定され、あるいは所定電位に維持等がされ、静電気の影響をなくすことができる。
図１８、図２４に図示するようにＣＯＦ２１８を実装後、図３３の点線にレーザ光を照射し、各ゲート信号線１６３、各ソース信号線１６４が切り離される。
As shown in FIG. 33, the gate terminal of the
After mounting COF218 as shown in FIGS. 18 and 24, the dotted line in FIG. 33 is irradiated with a laser beam, and each
図３４の実施例では、ガラス基板２０２の各表示モジュール２０３の周辺部に導電性樹脂２４８あるいは帯電防止樹脂２４８（以降、これら導電性樹脂２４８・帯電防止樹脂２４８を導電性樹脂２４８と呼ぶ）が塗付されている。
In the embodiment of FIG. 34, a
導電性樹脂２４８として、持続性帯電防止ABS樹脂（ノバロイE）、PP樹脂（ダイセルPP 導電グレード）、ABS樹脂（セビアンV CF強化グレード）、PA/ABS樹脂（ノバロイACF強化グレード）、ステンレス長繊維強化樹脂（プラストロンSF）が例示される。また、導電性樹脂２４８は銀ナノワイヤーを拡散させた樹脂を塗布し、硬化させてもよい。
導電性樹脂２４８は、ゲート信号線１６３端子電極２３２、ソース信号線１６４の端子電極２３２に塗布され、各信号線を共通電位にする機能を有する。
As
The
また、導電性樹脂２４８として、アルカリ可溶タイプのアクリルポリマーに導電性のあるカーボンまたは金属粉を混合させたものを使用することも好ましい。金属粉として、酸化チタン、酸化鉄、鉄、チタン、銀、ニッケル等が例示される。金属導電性樹脂２４８は、マスク２１２として兼用して使用することができる。金属は、ガラス基板２０２の融点より高い金属材料等を使用することが好ましい。
Further, as the
つまり、マスク２１２に導電性を持たせることにより、導電性樹脂２４８となり、静電気対策を実現できる。また、導電性樹脂２４８にレーザ光吸収部２２２）、レーザ光吸収部２２４の機能を持たせることにより、凹部２１６を良好に形成することができる。
That is, by making the
図３４に図示するように、ガラス基板２０２の表示モジュール２０３の周囲に導電性樹脂２４８を塗布または形成する。塗布または形成はインクジェット方式あるいはスクリーン印刷方式で実施することが好ましい。
なお、金属あるいは導電性有機物を、蒸着マスクを用いて導電性樹脂２４８部に蒸着させても良いことは言うまでもない。
As shown in FIG. 34, the
Needless to say, a metal or a conductive organic substance may be vapor-deposited on 248 parts of the conductive resin using a thin-film deposition mask.
導電性樹脂２４８の乾燥させた後、矢印線で切断し、各表示モジュール２０３に分離する。各モジュール２０３に分離しても、導電性樹脂２４８が残存するため、信号線を電気的に導通状態に維持し、静電気から防護する。図２０、図２５、図３１、図３６、図３８、図３９、図４１、図４２等の加工は、導電性樹脂２４８を残存させた状態で実施し、実施後、アルカリ液またはエッチング液で導電性樹脂２４８を除去する。また、レーザ光を照射して、導電性樹脂２４８を除去してもよい。 図３４の実施例と図３２、図３３の実施例とは相互に組み合わせても良いことは言うまでもない。
なお、本発明の明細書、図面に記載された実施例は、相互に組み合わせることができることは言うまでもない。
After the
Needless to say, the examples described in the specification and drawings of the present invention can be combined with each other.
図３４の矢印線で切断し、各表示モジュール２０３に分離する。次に、図１０（ｂ）に図示するように、矢印に示すガラス基板２０２の側面を精密研磨加工することにより、平滑化する。また、ガラス切断により、発生したクラックを消去する。
本発明の表示パネルは、複数の表示モジュール２０３を接続、組み合わせることにより、大画面の表示パネルを構成するものである。
It is cut along the arrow line in FIG. 34 and separated into each
The display panel of the present invention constitutes a large-screen display panel by connecting and combining a plurality of
ＬＥＤ１７２の実装では、接続不良が発生しやすい。大画面の表示画面１６５を有する表示パネルには数百万個のＬＥＤ１７２を実装する必要がある。ＬＥＤ１７２の実装部には接続不良等が発生しやすい。したがって、大画面の表示画面１６５を有する表示パネルは製造歩留まりが悪くなる。
In the mounting of LED172, poor connection is likely to occur. It is necessary to mount millions of
本発明の表示パネルは、図６で説明したように、比較的、表示画面１６５が小さい表示モジュール２０３を作製し、当該表示モジュール２０３を組み合わせることにより、大画面の表示画面１６５（大画面の表示モジュール）を作製するものである。
As described with reference to FIG. 6, the display panel of the present invention has a large screen display screen 165 (large screen display) by producing a
比較的、表示画面１６５が小さい表示モジュール２０３には、それぞれゲートドライバ１６１、ソースドライバ１６２が接続される。図３に図示するように、ゲート信号線１６３の両端には、ゲートドライバ回路１６１ａ、ゲートドライバ回路１６１ａｂが実装される。ソース信号線１６４の両端には、ソースドライバ回路１６２ａ、ソースドライバ回路１６２ａｂが実装される。
A gate driver 161 and a
ゲート信号線１６３、ソース信号線１６４の両端から信号を印加することにより、信号線の電位降下がなく、輝度傾斜が小さい。したがって、複数の表示モジュール２０３をタイル状に組み合わせて表示領域を形成した場合、継ぎ目が見えず、良好な表示ディスプレイを構成できる。
By applying signals from both ends of the
各表示モジュール２０３は、図１１、図１２に図示するように、各表示モジュール２０３間の界面がない、あるいは、各表示モジュール２０３間を目立たないように接続、組み合わされる。
As shown in FIGS. 11 and 12, each
図１１は、本発明の表示パネルの構造の説明図であり、表示パネルの一部を拡大した図面である。図１２は、図１１のＡＡ’線での断面図である。また、図１３（ａ）は表示モジュール２０３の側面図であり、図１３（ｂ）は表示モジュール２０３の平面図である。
FIG. 11 is an explanatory diagram of the structure of the display panel of the present invention, and is an enlarged view of a part of the display panel. FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line AA'of FIG. 13 (a) is a side view of the
なお、図１１、図１２、図１３等では省略しているが、めっき膜２１５と信号線２１４が接する箇所には、ＩＴＯ、ＺnＯ、ＳｎＯ２等の透明電極２３４を形成することが好ましい。また、ＳｎＯ２層の上部にＺnＯ層を積層してもよい。透明電極を形成することにより、信号線２１４の表面酸化を防止でき、また、めっき膜２１５との界面での電気的接触性が良好に保たれる。
Although omitted in FIGS. 11, 12, 13, 13 and the like, it is preferable to form a
その他の透明電極として、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛の他、酸化スズ、（二）酸化チタン、グラフェン等が例示される。また、二酸化チタン中の一部のチタン原子をニオブ（Ｎｂ）という金属原子で置き換えた化合物（Ｔｉ４ＮｂxＯ２）は高い導電性を示し、使用することが好ましい。 Examples of other transparent electrodes include indium tin oxide, zinc oxide, tin oxide, (2) titanium oxide, graphene and the like. Further, a compound (Ti 4 Nb x O 2 ) in which a part of titanium atoms in titanium dioxide is replaced with a metal atom called niobium (Nb) exhibits high conductivity and is preferably used.
図１１に図示するように、表示モジュール２０３ａの左端には、信号線２１４位置に一致させて、凹部２１６が形成されている。凹部２１６には、図１３（ａ）に図示するように、めっき膜２１５が形成されている。凹部２１６は、レーザ加工、ガラスエッチング等により形成する。
As shown in FIG. 11, a
めっき膜２１５は信号線２１４と電気的に接続され、また、表示モジュール２０３の裏面にＡＣＦ２１９が接続できるように、図３５に図示するようにＣＯＦ配線形成部２４１が形成されている。ＣＯＦ接続配線２３５は接続するＣＯＦ２１８の端子形状に合わせて形成される。
The
図３７はガラス基板２０２の裏面にＣＯＦ配線形成部２４１が形成された状態の説明図である。ＣＯＦ配線形成部２４１にＣＯＦ接続配線２３５を形成後、矢印線でガラス基板２０２は切断され、表示モジュール２０３に分離される。なお、ＣＯＦ接続配線２３５は表示モジュール２０３に分離後に形成してもよい。
FIG. 37 is an explanatory diagram of a state in which the COF
本発明は、一例としてレーザ光を照射することにより。粗化部を形成し、粗化部にめっき膜２１５を形成することにより、接続配線あるいはＣＯＦ接続配線２３５等を形成する。しかし、めっき技術により、接続配線あるいはＣＯＦ接続配線２３５等を形成するのに限定されるものではない。たとえば、図４２に図示するように、インクジェット方式により接続配線あるいはＣＯＦ接続配線２３５を形成してもよい。
The present invention is, as an example, by irradiating a laser beam. By forming the roughened portion and forming the
図４２はガラス基板２０２の裏面にインクジェット方式、あるいは印刷方式によりＣＯＦ接続配線２３５を形成する製造方法の説明図である。また、熱転写方式でＣＯＦ接続配線２３５を形成してもよい。
FIG. 42 is an explanatory diagram of a manufacturing method in which the
図４２（ａ）に図示するように、ＣＯＦ配線形成部２４１にレーザ光２０５を照射して粗化部２４４を形成する。次に、粗化によるＣＯＦ接続配線２３５の形成位置等は図２等で説明しているので説明を省略する。
As shown in FIG. 42 (a), the COF
図４２（ｂ）に図示するように、ガラス基板２０２の裏面側から、インクジェットヘッド２４３で導電性インクをインクジェットする。導電性インクは、ＣＯＦ接続配線２３５の位置に塗布される。導電性インクは、銀ペーストが例示され、その他銅ペーストを使用することも望ましい。
インクジェット方式等による導電性インクは、めっき膜２１５の形成位置に塗布しても良いことは言うまでもない。
As shown in FIG. 42 (b), the conductive ink is inkjeted from the back surface side of the
Needless to say, the conductive ink produced by an inkjet method or the like may be applied to the formation position of the
その後、ガラス基板２０２を３５０℃～４５０℃で約２０分間、加熱する。加熱によりインクジェットで形成したＣＯＦ接続配線２３５が、粗化部２４４に密着する。
Then, the
図４１（ａ）に図示するように、めっき膜２１５と信号線２１４が接続される箇所で、かつ、信号線２１４の表面には透明電極２３４が形成されている。したがって、信号線２１４を構成する金属材料と、めっき膜２１５間には透明電極２３４が配置されている。
As shown in FIG. 41 (a), a
信号線２１４ａの端子端は穴あけ加工され、下層の透明電極（ＩＴＯ等）が視認できるように構成されている。この透明電極に電気的接続されるように、めっき線２１５が形成される。
The terminal end of the
本発明の表示パネル、表示パネルの製造方法では、信号線２１４とめっき線２１５とを電気的に接続する。図４１（ａ）の実施例では、透明電極２３４とめっき線２１５を電気的に接続している。
In the display panel and the method for manufacturing a display panel of the present invention, the
ガラス基板２０２とめっき線２１５、透明電極２３４とめっき線２１５の接続状態が良好となるように、レーザ光２０５により、粗化をしている。しかし、粗化状態が最適でない場合は、めっき線２１５が剥離するリスクがある。
The
この課題に対して、本発明は、図４１（ａ）に図示するように、透明電極２３４とめっき線２１５の接続部にレーザ光２０５ａと照射する。レーザ光２０５ａを照射することにより、図４１（ｂ）に図示するように、めっき膜２１５が溶解し、透明電極２３４と融着する。めっき膜２１５と信号線２１４ａとが良好に電気的接続が実現される。また、透明電極２３４とガラス基板２０２との密着性も良好になる。
To solve this problem, in the present invention, as shown in FIG. 41 (a), the connection portion between the
図４１（ａ）に図示するように、めっき線２１５にレーザ光２０５ｂと照射する。レーザ光２０５ｂを照射することにより、図４１（ｂ）に図示するように、めっき膜２１５が溶解し、ガラス基板２０２と融着する。めっき膜２１５とガラス基板２０２との密着性が良好になる。
As shown in FIG. 41 (a), the
なお、以上の実施例は、めっき膜２１５上に、マスク２１２と導電性樹脂２４８のうち少なくともいずれか一方を塗布または形成した状態で実施しても良いことは言うまでもない。マスク２１２、導電性樹脂２４８により、より密着性等が良好になる。
Needless to say, the above embodiment may be carried out in a state where at least one of the
図１３等において、凹部２１６の深さは、１μｍ以上１０μｍ以下である。したがって、めっき膜２１５の膜厚は、１０μｍ以下としている。また、レーザ光を照射する位置の間隔は、１μｍ以上１０μｍ以下とすることが好ましい。
In FIG. 13 and the like, the depth of the
図１３は、表示モジュール２０３の一辺を図示しているが、表示モジュール２０３の他の３辺にも凹部２１６を形成する。凹部２１６にめっき膜２１５が形成される。ただし、片側給電の場合は、２辺または３辺に凹部２１６にめっき膜２１５が形成される。
FIG. 13 illustrates one side of the
表示モジュール２０３に形成されたソース信号線１６４の両端にめっき膜２１５が形成される。図３に図示するように、ソース信号線１６４の両端にソースドライバ１６２ａ、ソースドライバ１６２ｂを接続するように構成することが好ましい。表示モジュール２０３に形成されたゲート信号線１６３の両端にめっき膜２１５が形成される。図３に図示するように、ゲート信号線１６３の両端にゲートドライバ１６１ａ、ゲートドライバ１６１ｂを接続するように構成することが好ましい。
Plating
信号線２１４上あるいは信号線２１４下には、透明電極２３４が信号線２１４を被覆するように形成されている。透明電極２３４を形成することにより、めっき膜２１５と信号線２１４との接続抵抗が低減する。
A
図１３は、本発明の表示モジュール２０３の構成の説明図である。図１３（ａ）は、本発明の表示モジュール２０３の側面図であり、図１３（ｂ）は、表示モジュール２０３の平面図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram of the configuration of the
図１３において、表示モジュール２０３の側面には、信号線２１４位置に一致させて、凹部２１６が形成されている。また、凹部２１６にめっき膜２１５が形成されている。めっき膜２１５は、信号線２１４（ソース信号線１６４、ゲート信号線１６３）、電源配線(アノードＶｄｄ、カソードＶｓｓ）等と接続されている。なお、ソース信号線１６４も同様である。
In FIG. 13, a
本明細書、図面では、ソース信号線１６４、ゲート信号線１６３と接続するめっき膜２１５は同様あるいは類似とし、ソース信号線１６４、ゲート信号線１６３を信号線２１４として説明をする。
In the present specification and drawings, the
なお、本明細書等において、信号線２１４はめっき膜２１５と接続するとして説明するが、めっき膜に限定されるものでなく、めっき膜２１５は、蒸着あるいはエッチング技術等によりパターニングされた配線、スパッタリングにより形成した配線、導電ペーストをノズルで塗布することにより形成した配線、導電ペーストをインクジェット技術により形成された配線等であってもよい。
In the present specification and the like, the
以下、説明を容易にするため、一例として、めっき膜２１５は、めっきにより形成されためっき膜を例示して説明をする。したがって、めっき膜２１５は、めっきで形成された膜に限定されるものではない。
Hereinafter, in order to facilitate the explanation, the
図１は本発明の表示モジュールの構成図および説明図である。図１（ａ）は表示モジュール２０３の一部平面図であり、図１（ｂ）は表示モジュール２０３の一部側面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）のＡＡ’線での断面図である。
FIG. 1 is a block diagram and an explanatory diagram of a display module of the present invention. 1 (a) is a partial plan view of the
図１の実施例では、透明電極２３４上に金属材料からなる信号線２１４（信号配線２１４ａ、信号配線２１４ｂ）が形成されている。信号線２１４（信号配線２１４ａ、信号配線２１４ｂ）に透明電極２３４を形成しても良い。
In the embodiment of FIG. 1, a signal line 214 (
信号線２１４の一端には端子電極２３２が形成される。端子電極２３２は信号線２１４よりも幅を広くすることにより、めっき膜２１５との接続を良くするためである。
A
端子電極２３２の中央部近傍の金属膜は穴あけ加工され（穴あけ加工部２４７）、下層の透明電極２３４が露出している。透明電極２３４部を中心としてめっき膜２１５が形成される。穴あけ加工部２４７はガラス基板２０２の裏面から、上層のめっき膜２１５を観察することができる。したがって、透明電極２３４とめっき膜２１５との接続状態を観察することができる。
The metal film near the central portion of the
めっき膜２１５は、端子電極２３２で信号線２１４と接続され、ガラス基板２０２の側面に形成された凹部２１６に形成される。また、ガラス基板２０２の裏面のＣＯＦ（Chip on Film」またはChip on Flexible）接続配線２３５（図示せず）と接続される。したがって、信号線２１４とＣＯＦ接続配線２３５（図示せず）とは電気的に接続される。
The
なお、本明細書、図面では、信号線２１４等とＣＯＦ接続配線を接続するとして説明するが、これに限定するものではない。たとえば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）と信号線２１４等とを接続してもよい。また、基板２０３にＣＯＧ（chip on glass）したドライバＩＣの端子と信号線２１４等を接続しても良い。
In this specification and drawings, it is described as connecting the
めっき膜２１５は銀ペーストを、インクジェット技術等を用いて、銀配線を形成してもよい。また、めっき膜２１５は銅ペーストを、インクジェット技術等を用いて、銅配線を形成してもよい。本明細書では、説明を容易にするため、めっき膜２１５として説明するが、これに限定するものではなく、導電性を有する配線であれば、いずれの構成であってもよい。
The
図２は、図１に加えて、ガラス基板２０２の裏面に形成されたＣＯＦ接続配線２３５を図示した本発明の説明図及び構成図である。図２（ａ）において、ＣＯＦ接続配線２３５は、信号線２１４間に形成または配置されている。
FIG. 2 is an explanatory diagram and a configuration diagram of the present invention showing the
図２（ａ）は表示モジュール２０３の一部平面図であり、図２（ｂ）は表示モジュール２０３の一部側面図であり、図２（ｃ）は、図２（ａ）のＡＡ’線での断面図である。
2 (a) is a partial plan view of the
図３９（ｆ）に図示するように、レーザ光２０５ｂを照射して粗化部２４４ａを形成する。レーザ光２１５ｂがガラス基板２０２を通過する箇所に信号線２１４が形成されていると、レーザ光２１５ｂが信号線２１４を切断あるいは破損させる。
As shown in FIG. 39 (f), the roughened
図１８（ｅ）のように、マスク２１２にレーザ光２０５ｂを照射して、マスク２１２を加工する際、ガラス基板２０２の裏面に配線等があると当該配線を切断あるいは破損させる。
なお、信号線２１４上は、フィルムでラミネートし、破損、切断を抑制するように構成することが好ましい。
As shown in FIG. 18E, when the
It is preferable that the
図２の構成では、信号線２１４が形成された領域間にＣＯＦ接続配線２３５を形成または配置する。ＣＯＦ接続配線２３５は、めっき膜２１５と電気的に接続されている。ＣＯＦ接続配線２３５にＣＯＦ２１８がＡＣＦ２１９で電気的に接続される。なお、ＡＣＦ２１９の他、導電性接着剤等を使用して電気的に接続してもよい。
In the configuration of FIG. 2, the
ＣＯＦ接続配線２３５は、ガラス基板２０２の裏面でめっき膜２１５から分岐される。粗化部２４４ａと粗化部２４４ｃとは垂直方向で位置が異なる。したがって、粗化部２４４ａを粗化するレーザ光２０５ｂ位置と、粗化部２４４ｃを粗化するレーザ光２０５ｂ位置とが、基板２０３の垂直方向での位置が一致しないため、粗化部２４４ｃを形成する際に、信号線２１４あるいは端子電極２３２を切断あるいは破損させることがない。
The
以上のように、図２の実施例では、ガラス基板２０２の表面の粗化部２４４ａとガラス基板２０２の裏面の粗化部２４４ｃとが垂直方向で一致しないように配置する。このように構成することにより、基板２０３内に一方側から入射したレーザ光が、基板２０３の他面側に配置された構成物に照射されることがない。他の構成は図１と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
As described above, in the embodiment of FIG. 2, the roughened
めっき膜２１５は、凹部２１６内に形成される。めっき膜は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）等の多層膜で形成することが好ましい。めっき膜２１５と類似する膜を、インクジェット技術により形成する場合も、複数の金属を多層に形成することが好ましい。また、めっき膜であれば、たとえば、ニッケル－リン（Ｎｉ－Ｐ）めっき、ニッケル－銅－リン（Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ）めっき、ニッケルめっき等を層状に構成する。
The
図１１は、本発明の表示モジュール２０３を組み合わせた状態を説明する説明図である。表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂとは近接あるいは密着させて配置される。凹部２１６にめっき膜２１５が配置されているため、めっき膜２１５が損傷することがない。
FIG. 11 is an explanatory diagram illustrating a state in which the
図１２は、図１１のＡＡ’線での断面図である。図１２に図示するように、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂが近接あるいは密着して配置され、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂ間にはガラス接着材２２１が充填あるいは塗布されている。めっき膜２１５は信号線２１４と電気的に接続され、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂ間に形成された凹部２１６で、表示モジュール２０３ａの裏面に引き出されている。ガラス接着材２２１は、ガラス基板２０２の屈折率差が０．１５以内の材料を選定し、オプティカルカップリング機能を有する材料を選定する。好ましくは、ガラス接着材２２１は、ガラス基板２０２の屈折率差が０．１以内にする。
FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line AA'of FIG. As shown in FIG. 12, the
表示モジュール２０３ａの裏面は、図示を省略しているが、めっき膜２１５は端子形状に加工されている。表示モジュール２０３ａの裏面の端子形状に、ＡＣＦ２１９を介してＣＯＦ２１８が接続されている。ＣＯＦ２１８にドライバＩＣ２２０が実装され、ドライバＩＣ２２０の出力信号が、めっき膜２１５を介して信号線２１４に印加される。
図１４、図１９、図２０は、本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。特に、凹部２１６の形成方法を説明した図面である。
Although the back surface of the
14, 19, and 20 are explanatory views of the manufacturing method of the
凹部２１６の形成は、図８の位置合わせマーカ２０１の形成と同様あるいは類似である。なお、図１９等は溝状の凹部２１６の形成方法として説明するが、これに限定するものではなく、たとえば、貫通穴２２３を形成してもよい。
The formation of the
図１９に図示するように、表示モジュール２０３において、凹部２１６を形成する位置にレーザ光吸収部２２４を形成する。レーザ光吸収部２２４は、表示モジュール２０３に形成された信号線２１４から距離ｔ離れた位置に形成される。距離ｔは極力、短いことがめっき膜２１５と電気的接続を取る観点から好ましいが、レーザ光２０５による信号線２１４の改質あるいは変形、画素１７５のサイズを考慮して決定する。具体的には、距離ｔは画素１７５のサイズ以下の距離である。
As shown in FIG. 19, in the
図１９等で図示するように、レーザ光吸収部２２４に、スリット２２８を形成することが好ましい。スリット２２８は、レーザ光２０５を照射する位置に形成する。
スリット２２８部は、レーザ光吸収部２２４が形成されていないか、他の部分よりレーザ光吸収部２２４が薄く形成されている。
As shown in FIG. 19 and the like, it is preferable to form a
In the
スリット２２８にレーザ光２０５が照射されると、レーザ光２０５は表示モジュール２０３のガラス基板２０２を直接に加工する。また、多くのレーザ光２０５はレーザ光吸収部２２４に照射され。レーザ光吸収部２２４を加熱する。
When the
ガラス基板２０２に照射されたレーザ光２０５はガラス材料を溶解、蒸発、除去する。レーザ光吸収部２２４に照射されたレーザ光２０５はレーザ光吸収部２２４を加熱し、加熱された熱は、ガラス材料の溶解、蒸発、除去を促進する。したがって、スリット２２８が形成去れた位置を中心に加工が促進され、凹部２１６が形成される。
スリット２２８は、図８で説明した位置合わせマーカ２０１の形成時にも、レーザ光吸収部２２４に形成することが好ましい。
レーザ光吸収部２２４はフッ化水素あるいはこれらの混合物、化合物を混合させることによりよりガラス材料の溶解、分解が促進される。
The
It is preferable that the
By mixing hydrogen fluoride, a mixture thereof, or a compound in the laser
レーザ光吸収部２２４の構成は、図２０（ａ）に図示するように、表示モジュール２０３の側面に形成する構成が例示される。また、図２０（ｃ）、図２０（ｄ）に図示するように、レーザ光２０５を照射する位置に合わせて、孤立したレーザ光吸収部２２４とする構成が例示される。レーザ光吸収部２２４は基板２０３（２０２）のレーザ光の入射部と基板２０３（２０２）のレーザ光の出射部に配置または形成しても良い。なお、図２０（ｄ）は、図２０（ｃ）の側面から見た構成面である。
図１９、図２０（ａ）は、レーザ光吸収部２２４の表面に矩形あるいは円形のスリット２２８が形成された実施例である。
As an example of the configuration of the laser
19 and 20 (a) are examples in which a rectangular or
図２０（ｃ）は、レーザ光吸収部２２４の表面に矩形のスリット２２８が形成された実施例である。また、図２０（ｄ）の側面図で図示するように、スリット２２８はレーザ光吸収部２２４に線形に形成される。図２０（ｄ）では、スリット２２８の長手方向にレーザ光２０５を移動させて凹部２１６を形成する。
FIG. 20C is an example in which a
めっき膜２１５を形成する位置に、レーザ光吸収部２２４を形成する。レーザ光吸収部２２４の形成方法としては、スパッタによる方法、電着による方法、焼結による方法、インクジェットにより塗布する方法が例示される。
A laser
レーザ光吸収部２２４を構成する材料は、ガラス基板２０２の融点よりも高い材料であることが好ましく、また、照射するレーザ光２０５を吸収しやすい材料を選定することが好ましい。
The material constituting the laser
レーザ光吸収部２２４にスリット２２８を形成し、スリット２２８にレーザ光２０５が照射され、スリット２２８の近傍部がレーザ光２０５を吸収し発熱することにより、スリット２２８部を中心として、ガラス基板２０２の加工が進行する。
A
また、図２０（ｃ）に図示するように、レーザ光吸収部２２４が独立させることにより、レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５の照射により発生した熱の伝導がレーザ光吸収部２２４に留まり、よりレーザ光２０５の加工部の加熱状態が良好となる。したがって、凹部２１６、貫通穴２２３の加工が促進される。
Further, as shown in FIG. 20 (c), by making the laser
また、レーザ光吸収部２２４が溶解し、ガラス基板の材料と反応する材料が選定される。たとえば、フッ化水素（ＨＦ）、フッ化水素アンモニウムを含有する樹脂材料、クリーム状の混合ペースト等が例示される。フッ化水素、フッ化水素アンモニウムは、レーザ光２０５の照射により反応性が向上し、凹部２１６の形成に寄与する。
Further, a material that melts the laser
また、フッ化水素アンモニウムに、酸化チタン、酸化タングステン、鉄、モリブデン、チタン等の無機材料からなる酸化物あるいは金属の微粉末を添加してペースト状にして、スリット２２８または凹部２２３加工部に塗布あるいは配置してもよい。
Further, fine powder of an oxide or metal made of an inorganic material such as titanium oxide, tungsten oxide, iron, molybdenum, or titanium is added to ammonium hydrogen fluoride to form a paste, which is applied to the
なお、レーザ光吸収部２２４とマスク２１２は同様材料・組成あるいは類似材料・組成あるいは相互に同一あるいは類似の構造のものを採用・仕様等しても良いことは言うまでもない。
Needless to say, the
塗付部等にレーザ光２０５を照射すると、無機材料からなる酸化物の微粉末が発熱し、また、フッ化水素アンモニウム等がガラス基板２０２のエッチングする効果と相乗効果が発揮され、凹部２２３の形成が容易になる。
When the coated portion or the like is irradiated with the
フッ酸、硫酸の混合液、フッ化水素に酸化チタン、酸化タングステン等の無機材料からなる酸化物の微粉末、鉄、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属からなる微粉末を添加してもよい。 Fine powder of an oxide made of an inorganic material such as titanium oxide or tungsten oxide, or fine powder made of a metal such as iron, molybdenum, titanium or tungsten may be added to a mixed solution of hydrofluoric acid and sulfuric acid or hydrogen fluoride.
スリット２２８部をフッ化水素に浸透させた状態、フッ酸、硫酸の混合液、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素を充填させた状態で、レーザ光２０５をスリット２２８部に照射することにより、スリット２２８部のガラス材料の溶解、腐食、加工が加速される。
By irradiating the
ガラス材料が溶解あるいは腐食すると、レーザ光２０５の光吸収が向上し、より凹部２１６あるいは貫通穴２２３の形成あるいは加工が促進される。凹部２１６の形成深さに対応して、レーザ光２０５の焦点位置を凹部２１６の深さ方向に移動させる。
When the glass material is melted or corroded, the light absorption of the
また、貫通穴２２３、凹部２１６部に、ガラスエッチング液を充填すること、超音波を印加すること、放電加工を実施すること、サンドブラスト加工をすること、あるいは組み合わせることも有用である。
レーザ光吸収部２２４を形成する酸化物材料あるいは金属材料の沸点は、ガラス基板２０２の融点よりも高いことが好ましい。
It is also useful to fill the through
The boiling point of the oxide material or metal material forming the
レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５が照射されることにより、レーザ光吸収部２２４が発熱し、発熱した熱によりガラス基板２０２が溶解する。あるいは軟化する。したがって、凹部２１６の形成が進行する。
レーザ光２０５のパワーを調整し、レーザ光吸収部２２４を形成する材料の沸点以下で、かつ、ガラス基板２０２を形成する材料の溶解温度以上に制御する。
レーザ光２０５の照射時は、窒素、アルゴン等の不活性ガス中で行うことが好ましく、または、真空中で行うことが好ましい。
When the
The power of the
The irradiation of the
以上の技術的思想は、スマートフォンなどのガラスカバーガラスの加工にも応用することができる。図４４は、折りたたみスマートフォンのカバーガラス２４５の平面図である。カバーガラス２４５の折りたたみ部である中央部の凹部２１６は、薄膜に形成されている。
The above technical ideas can also be applied to the processing of glass cover glass for smartphones and the like. FIG. 44 is a plan view of the
図４５を折りたたみカバーガラス２４５の製造方法の説明図である。図４５（ｂ）に図示するように、折りたたみ部にレーザ光吸収部２２４を塗布あるいは配置する。次に、図４５（ｃ）に図示するように、レーザ光２０５をレーザ光吸収部２２４に、照射する。
FIG. 45 is an explanatory diagram of a method of manufacturing a
フッ化水素に浸透させた状態、フッ酸、硫酸の混合液、フッ化水素アンモニウム、フッ化水素を充填させた状態で、レーザ光２０５を照射することにより、折りたたみ部のガラス材料の溶解、腐食、加工が加速される。
By irradiating the
図４５（ｃ）に図示するように、粗化部２４４が形成され、凹部２１６の形成が促進されるともに、折りたたみ部のガラスが薄膜化される。薄膜化された箇所は、粗化されているため、白濁状態である。
As shown in FIG. 45 (c), the roughened
次に、図４５（ｄ）に図示するように、ガラス基板２０２の屈折率と０．１以下の樹脂材料からなる表面樹脂２５０を塗布する。表面樹脂２５０の塗布により、凹部２１６の白濁がなくなり、透明化される。表面樹脂として、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂が例示される。
Next, as shown in FIG. 45 (d), a
凹部２１６には、微細な繊維を有する透明シートあるいは構成材料を配置または形成する。凹部２１６の微細な繊維を有するシートあるいは構成材料は繊維を凹部２１６に入るサイズに最適化することで、ヒンジ部からゴミが入らないように掻き出す役割がある。
カバーガラス２４５は、厚板ガラスに湾曲に対応し得る凹部２１６を完成させた後、総厚をケミカル研磨方法によって薄く形成してもよい。
A transparent sheet or a constituent material having fine fibers is arranged or formed in the
The
薄板ガラスのハンドリングのような破損をする恐れがない。また、ケミカル加工工程（研磨工程および分断工程）を導入するだけという設備投資が少ない状態で量産できる。ケミカル加工が物理加工と比較して微細な傷が入りにくく、本来のガラスの強度を保つことができる。 There is no risk of breakage like handling of thin glass. In addition, mass production can be performed with little capital investment, such as introducing a chemical processing process (polishing process and dividing process). Compared to physical processing, chemical processing is less likely to cause fine scratches, and the original strength of glass can be maintained.
カバーガラス２４５はダウンドロー(down-draw）工程で超薄型ガラスを生産する。溶融状態のガラス液体をローラー(roller)で薄く流し、下に掴んで引っ張る用にガラスを抜く。または、フュージョン法で製造する。フュージョン法は上から下に流れるガラス液体をアイソパイプで二つに分けた後、また一つに合わせて(fusion)ガラスを作る方法である。イオン交換技術によって４～５倍の端面強度を標準生産にて実現しできる。
The
図４４等に示す本発明のカバーガラス２４５はガスバリア性でプラスチック基板よりも優れている。有機ＥＬ表示パネル、ＬＥＤ表示パネル、ＭＥＭＳ，各種センサーなど，スマートフォンやウェアラブルデバイスなどへ応用することができる。
また、スマートフォンのコンデンサ型指紋認証デバイスのカバーガラスにも使用することができる。
The
It can also be used as a cover glass for a condenser fingerprint authentication device of a smartphone.
また、必要に応じて、本明細書、図面の実施例のようにレーザによるた微細加工を行う。厚さ１００μｍのカバーガラス２４５に直径３０μｍ～５０μｍピッチの貫通穴を，１ｃｍ２あたり５万個作製するができる。レーザは、フェムト秒レーザを使用する。
カバーガラス２４５は、紫外光により結晶化するリチウムアルミノ珪酸系ガラスを使用してもよい。材料として少量の銀と酸化セリウムを含んでいる。
Further, if necessary, microfabrication by laser is performed as in the examples of the present specification and the drawings. It is possible to make 50,000 through holes with a diameter of 30 μm to 50 μm in a
As the
このガラスは，紫外光でパターンを照射して熱処理を行なうことで結晶化する。結晶化した部分は周囲と比べてフッ化水素酸との反応が早まることから，エッチングが可能になる。このプロセスにより，フォトレジストを使わずに微細構造を形成することができる。 This glass is crystallized by irradiating the pattern with ultraviolet light and performing heat treatment. Since the crystallized part reacts faster with hydrofluoric acid than the surroundings, etching becomes possible. This process allows the formation of microstructures without the use of photoresists.
特に，２０～３０μｍオーダーの構造を高いアスペクト比で作ることができる。レーザ光をガラス内部に集光させることで中空構造を作ることも可能である。また，必要に応じて構造を形成した後にガラス全体をセラミックス化することもできる。 In particular, a structure on the order of 20 to 30 μm can be formed with a high aspect ratio. It is also possible to create a hollow structure by condensing the laser beam inside the glass. Further, if necessary, the entire glass can be made into ceramics after the structure is formed.
露光に必要な紫外光の波長は２９０～３３０ｎｍ、特にエネルギーが入りやすいのが３２９ｎｍである。紫外線の露光には、液晶向け露光装置などを流用することができる。 The wavelength of ultraviolet light required for exposure is 290 to 330 nm, and energy is particularly easy to enter at 329 nm. An exposure apparatus for a liquid crystal display or the like can be used for exposure to ultraviolet rays.
カバーガラス２４５はフレキシブル性を有し、１０μｍの薄さでも水蒸気や酸素を通さず、小さな穴を持たない化学物質遮断層を形成するので超バリヤーとして適する。
カバーガラス２４５の片面には、接着テープが配置される。カバーガラス２４５は接着層でラミネートして供給する。この接着層により、表示パネルの表面等に実装された部品等がガラスによってその表面を密閉シーリングされるだけでなく、液体や気体の側方拡散が発生しない。
カバーガラス２４５と接着層は、ロール・ツー・ロール製膜に特化した真空コーティングシステムで製造する。薄型ガラスを複雑な電子アプリケーションにおいて機能性基板として使用できます。たとえばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）のようなＴＣＯ層（透明導電性酸化物）は有機太陽電池セルの製造と同じ方法で特殊真空ベースＰＶＤ製膜プロセスに適用することができる。
The
Adhesive tape is placed on one side of the
The
図４４のカバーガラスは、ガラス２４５ａ、ガラス２４５ｂに図３４、図３５の表示パネルが配置される。表示パネルの表示画面とカバーガラス２４５間には、オプティカルカップリング樹脂を充填させる。
As for the cover glass of FIG. 44, the display panels of FIGS. 34 and 35 are arranged on the
図２０（ａ）に図示するように、レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５を照射することにより、ガラス基板２０２の該当箇所に穴が形成され、穴は深さ方向に進行する。レーザ光吸収部２２４の材料の沸点以下の温度を維持することにより、ガラス基板２０２に穴が形成される。
As shown in FIG. 20 (a), by irradiating the laser
図２０（ａ）は、レーザ光吸収部２２４が表示モジュール２０３の側面に連続して形成された構成である。レーザ光２０５は表示モジュール２０３の上面側から照射し、レーザ光２０５の焦点位置を移動しながら、凹部２１６を形成する。
FIG. 20A shows a configuration in which the laser
図２０（ｃ）は、レーザ光吸収部２２４が表示モジュール２０３の側面に孤立して形成された構成である。レーザ光２０５は表示モジュール２０３の上面側からレーザ光吸収部２２４に照射し、レーザ光２０５の焦点位置を移動しながら、凹部２１６を形成する。
FIG. 20C shows a configuration in which the laser
図２０（ｃ）の構成では、レーザ光吸収部２２４が孤立して形成されているため、レーザ光２０５により発生した熱が伝熱されにくくなり、効率的にガラス基板を加熱し、凹部２１６に形成が容易になる。
図２０（ａ）、図２０（ｃ）、図２０（ｄ）に図示するように、凹部２１６がレーザ光２０５により順次、形成される。
In the configuration of FIG. 20 (c), since the laser
As shown in FIGS. 20 (a), 20 (c), and 20 (d), the
図２０（ｃ）、図２０(ｃ)、図２０（ｄ）は、表示モジュール２０３の上面からレーザ光２０５を照射することにより、凹部２１６または貫通穴２２３を形成する実施例であった。しかし、本発明はこれに限定するものではない。図２０（ｂ）に図示するように、表示モジュール２０３の側面からレーザ加工装置２０４のレーザ光２０５をレーザ光吸収部２２４に照射し、凹部２１６を形成してもよいことは言うまでもない。
20 (c), 20 (c), and 20 (d) are examples of forming the
レーザ光２０５は、図１４に図示するように、レーザ光２０５をレーザ光吸収部２２４に照射することにより、表示モジュール２０３のガラス基板に凹部２１６、あるいは貫通穴２２３が形成される。
As shown in FIG. 14, the
ガラス基板２０２に貫通穴２２３を形成する場合は、ガラス基板２０２の両面（表面側と裏面側）から、レーザ光２０５を同時にあるいは、交互に、あるいは、一方の加工後に他方から照射する。一定以上の穴が形成された後は、フッ酸（フッ化水素）を用いて、ガラス基板２０２を腐食させることにより貫通穴２２３を形成する。
When the through
レーザ光吸収部２２４の形成部にレーザ光２０５を照射することにより、凹部２１６を形成する。レーザ光吸収部２２４の形成、レーザ光２０５の照射による凹部２１６の加工は、複数回、繰り返しても良い。
The
レーザ光２０５の照射によりレーザ光吸収部２２４が除去されることにより、凹部２１６の発熱が小さくなる。レーザ光吸収部２２４の形成 －＞ レーザ光２０５の照射 －＞ レーザ光吸収部２２４の形成 －＞ レーザ光２０５の照射を繰り返すことにより、凹部２１６の加工、形成が容易になる。また、レーザ光２０５の照射前にフッ化水素アンモニウムを塗布することも有効である。フッ化水素アンモニウムは、フッ酸のようにガラスを顕著に腐食させないが、ガラス表面を粗化させ、レーザ光の吸収性を向上させる。
レーザ光２０５を照射する位置の決定、基準は、図８、図９等で説明した位置合わせマーカ２０１により行う。
By removing the laser
The position for irradiating the
図１４に図示するように、表示モジュール２０３の側面側からレーザ光２０５を照射する方法が、溝形状の凹部２１６を形成する場合に有用である。しかし、側面側からレーザ光２０５を照射すると、レーザ光２０５が、ガラス基板２０２内に進入し、表示モジュール２０３に形成された画素１７５、信号線２１４等を破壊する場合がある。
As shown in FIG. 14, the method of irradiating the
図１５に図示するように、レーザ光２０５がレーザ光２０５Ｃの場合、レーザ光２０５Ｃは表示モジュール２０３の裏面で全反射して表示モジュール２０３内で反射を繰り返す。また、レーザ光２０５Ｃは、表示モジュール２０３に形成された画素１７５、信号線２１４等に照射され、画素１７５、信号線２１４を焼損させる。
As shown in FIG. 15, when the
レーザ光２０５の入射角度θが４５°（ＤＥＧ．）以下の場合は、表示モジュール２０３の裏面で反射するレーザ光２０５の角度は、４５°以下となり、多くの場合、レーザ光２０５は裏面で全反射される。したがって、レーザ光２０５は表示モジュール２０３のガラス基板２０２内を反射して進行する。表示モジュール２０３に形成された画素１７５、信号線２１４等にレーザ光２０５が照射され、画素１７５、信号線２１４を焼損させるリスクが大きい。
When the incident angle θ of the
入射角度θが４５°（ＤＥＧ．）以上の場合は、表示モジュール２０３の側面で、レーザ光２０５が反射する割合が増加し、凹部２１６の加工に長時間を必要とする。
When the incident angle θ is 45 ° (DEG.) Or more, the ratio of the
本発明は、少なくとも側面の凹部２１６の加工時には、表示モジュール２０３の裏面にレーザ光吸収部２２２を形成する。レーザ光吸収部２２２は、レーザ光２０５Ｂを吸収し、レーザ光２０５Ｃを発生しないようにする効果を発揮する。
In the present invention, the laser
レーザ光吸収部２２２は、レーザ光２０５を吸収するカラーフィルタが例示される。カラーフィルタはゼラチン、アクリルを染色した樹脂からなるカラーフィルタの他、光学的誘電体多層膜により形成したカラーフィルタ、ホログラムによるカラーフィルタでもよい。
The laser
アクリル樹脂にカーボンなどを添加した樹脂からなるもので構成してもよい。その他、六価クロムなどの黒色の金属、黒色の色素あるいは染料を含有する塗料、黒色でなくともレーザ光２０５に対して補色の関係のある染料、顔料などで着色されたものでもよい。また、ホログラムあるいは回折格子でもよい。
It may be composed of a resin obtained by adding carbon or the like to an acrylic resin. In addition, it may be colored with a black metal such as hexavalent chromium, a paint containing a black dye or dye, a dye having a complementary color to the
黒色の色素あるいは顔料を樹脂中に分散したものを用いても良いし、カラーフィルタの様にゼラチンやカゼインを黒色の酸性染料で染色してもよい。黒色色素の例としては、単一で黒色となるフルオラン系色素を発色させて用いること、緑色系色素と赤色系色素とを混合した配色ブラックを用いることもできる。 A black pigment or a pigment dispersed in a resin may be used, or gelatin or casein may be dyed with a black acid dye like a color filter. As an example of the black dye, a fluorane-based dye that becomes black by itself can be developed and used, or a color scheme black in which a green-based dye and a red-based dye are mixed can be used.
色吸収材料と同様に、色素を用いて天然樹脂を染色した材料、色素を合成樹脂中に分散した材料を用いることができる。色素の選択の範囲は黒色色素よりもむしろ幅広く、アゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、トリフェニルメタン染料などから適切な１種、もしくはそれらのうち２種類以上の組み合わせでも良い。 Similar to the color absorbing material, a material obtained by dyeing a natural resin with a dye and a material in which the dye is dispersed in a synthetic resin can be used. The range of selection of the dye is wider than that of the black dye, and an appropriate one from azo dye, anthraquinone dye, phthalocyanine dye, triphenylmethane dye and the like, or a combination of two or more of them may be used.
図１６の方法も例示される。図１６は、容器２２５にオプティカルカップリング液２２６を充填し、表示モジュール２０３とオプティカルカップリング液２２６との屈折率差をなくす、あるいは少なくする構成である。オプティカルカップリング液２２６によりレーザ光２０５Ｃの反射はなくなる。
The method of FIG. 16 is also exemplified. FIG. 16 shows a configuration in which the
オプティカルカップリング液２２６は、純水でも良いが、更に屈折率が、ガラス基板の屈折率に近いサルチル酸メチル液、エチレングリコール液、フロロカーボン系液を採用することが好ましい。
さらに、オプティカルカップリング液２２６にレーザ光２０５を吸収する顔料、染料を含有させることより、より効果が高くなる。
The
Further, the effect is further enhanced by including the pigment and the dye that absorb the
たとえば、液体に、色素あるいは顔料を樹脂中に分散したものを用いても良いし、ゼラチンやカゼインを黒色の酸性染料で染色してもよい。黒色色素の例としては、単一で黒色となるフルオラン系色素を発色させて用いることもし、緑色系色素と赤色系色素とを混合した配色ブラックを用いることもできる。 For example, a liquid in which a dye or a pigment is dispersed in a resin may be used, or gelatin or casein may be dyed with a black acid dye. As an example of the black dye, a fluorane-based dye that becomes black by itself can be used by developing a color, or a color scheme black in which a green-based dye and a red-based dye are mixed can be used.
オプティカルカップリング液２２６に、色素を用いて天然樹脂を染色すること、色素を合成樹脂中に分散した材料を用いることができる。色素の選択の範囲は黒色色素よりもむしろ幅広く、アゾ染料、アントラキノン染料、フタロシアニン染料、トリフェニルメタン染料などから適切な１種、もしくはそれらのうち２種類以上の組み合わせでも良い。
The
以上のように、本発明の表示モジュールの製造方法は、レーザ光２０５を照射し、ガラス基板２０２等に粗化部２４４を形成する際、ガラス基板２０２の一部または全部をオプティカルカップリング液２２６に浸透あるいは浸けることを特徴とする。
As described above, in the method for manufacturing the display module of the present invention, when the roughened
なお、図１６の実施例では、容器２２５にガラス基板２０３の一面を漬けるとしたが、これに限定するものではない。ガラス基板２０３をオプティカルカップリング液２２６に完全につけても良い。また、ガラス基板２０３をオプティカルカップリング液２２６を噴射してレーザ光２０５を照射して加工等を実施してもよい。
In the embodiment of FIG. 16, it is assumed that one side of the
信号線２１４上にＩＴＯに金属膜をめっきする方法について説明をする。ＩＴＯの表面、凹部２１６を脱脂する。脱脂工程では、ＩＴＯ及び凹部２１６に付着した無機及び有機の汚れを除去する。脱脂工程では、ＩＴＯへの汚染物を除去して、めっき皮膜の密着を阻害する因子を排除すると同時に、めっきの選択性を劣化させる要因となる汚染物が除去される。
A method of plating ITO with a metal film on the
脱脂処理にはアルカリ性界面活性剤溶液を６０～８０℃に加温して用い、洗浄効果を高めるために超音波を併用することが好ましい。MHz領域の周波数の超音波を用いて洗浄するいわゆるメガソニックは、素材にダメージを与えにくく、洗浄効果も高く好ましい。 For the degreasing treatment, it is preferable to heat an alkaline surfactant solution to 60 to 80 ° C. and use it in combination with ultrasonic waves in order to enhance the cleaning effect. So-called megasonic, which cleans using ultrasonic waves with frequencies in the MHz region, is preferable because it does not easily damage the material and has a high cleaning effect.
次に、フッ化物を含むエッチング液で、ＩＴＯ等の透明電極２３４を溶解し、あるいは、表面を粗化することで、上層に形成するめっき膜の密着性を向上させる。
Next, the
ＩＴＯへのめっき処理で用いられる触媒付与処理は、全面にパラジウムコロイド系触媒を付与した後にフッ酸系エッチング液でガラス表面をエッチングしてＩＴＯのみを触媒化する方法と、ＩＴＯへ選択的に付着するパラジウムイオン系触媒を用いる方法が例示される。
前者は、エッチング条件やパラジウムの再付着によって選択性が劣る傾向があるが、めっき膜の密着状態が良好で好ましい。
The catalyst application treatment used in the plating process on ITO includes a method of applying a palladium colloidal catalyst to the entire surface and then etching the glass surface with a hydrofluoric acid-based etching solution to catalyze only ITO, and selectively adhering to ITO. A method using a palladium ion-based catalyst is exemplified.
The former tends to be inferior in selectivity due to etching conditions and reattachment of palladium, but it is preferable because the adhesion state of the plating film is good.
パラジウムイオン系触媒で、ＩＴＯとガラスへの付着密度を測定すると、付着密度比はＩＴＯ：ガラス＝１０：１となり、パラジウムはＩＴＯと比較してガラスには付着しにくい傾向を示すことから、ＩＴＯのみを選択的にめっきできる。 When the adhesion density between ITO and glass is measured with a palladium ion catalyst, the adhesion density ratio is ITO: glass = 10: 1, and palladium tends to adhere less to glass than ITO. Only can be selectively plated.
以上の処理を行ったＩＴＯに無電解めっきを行う。ＩＴＯパターンへ選択的に無電解ニッケルめっきを行う。ＩＴＯへ最も密着良く製膜できるめっき皮膜は、無電解ニッケルめっき法によるニッケル－リン皮膜である。 Electroless plating is performed on the ITO that has undergone the above treatment. Electroless nickel plating is selectively applied to the ITO pattern. The plating film that can form the film with the best adhesion to ITO is a nickel-phosphorus film by the electroless nickel plating method.
無電解ニッケルめっき液は、次亜リン酸を還元剤とする酸性タイプの組成である。ニッケル－リン皮膜は比較的電気伝導性の低い皮膜であるため、必要に応じて、ニッケル－リン皮膜上に金や銅などのより電気伝導性の高い皮膜を形成する。 The electroless nickel plating solution is an acidic type composition using hypophosphorous acid as a reducing agent. Since the nickel-phosphorus film is a film having a relatively low electrical conductivity, a film having a higher electrical conductivity such as gold or copper is formed on the nickel-phosphorus film as needed.
無電解ニッケルめっき後の熱処理は、密着増強のために実施する。熱処理による密着増強効果は１２０℃程度から現れるが、密着を確実にするために２００℃～２５０℃、３０分程度の熱処理で良好な結果が得られる。 Heat treatment after electroless nickel plating is carried out to enhance adhesion. The effect of enhancing adhesion by heat treatment appears from about 120 ° C., but good results can be obtained by heat treatment at 200 ° C. to 250 ° C. for about 30 minutes to ensure adhesion.
本発明の表示パネルの製造方法について図面を参照しながら説明をする。図１７は、本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。一実施例として、図１７等は、表示モジュール２０３の側面にレーザ光２０５を照射し、凹部２１６を形成するとして説明するが、本発明はこれに限定するものではない。図２０に図示するように、表示モジュール２０３の上面からレーザ光２０５を照射することにより凹部２１６あるいは貫通穴２２３を形成してもよいし、図１５、図１６で説明した方法等と組み合わせてもよい。
The manufacturing method of the display panel of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 17 is an explanatory diagram of a manufacturing method of the
以上のように、本発明は、本明細書、図面に記載している全部または一部を相互に組み合わせることができる。また、それぞれの構成を適時、採用することができる。 As described above, the present invention can be combined with each other in whole or in part as described in the present specification and the drawings. In addition, each configuration can be adopted in a timely manner.
なお、図１７は、表示モジュール２０３の側面にレーザ光吸収部２２４を形成した製造方法であるが、本発明はこれに限定されるものではない。たとえば、図２１（ａ）は、レーザ光吸収部２２４を形成せず、凹部２１６を形成した実施例である。なお、図２１（ｂ）は図１７（ｂ）と、図２１（ｃ）は図１７（ｃ）と同様あるいは類似であり、説明を省略する。
Note that FIG. 17 shows a manufacturing method in which the laser
図６、図２２に図示するように、１つのガラス基板２０２には、複数の表示モジュール２０３が作製される。各表示モジュール２０３の４つの端には、位置合わせマーカ２０１が形成、または配置される。
As shown in FIGS. 6 and 22, a plurality of
図１７、図２０は、表示モジュール２０３の側面方向から、レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５を照射する実施例である。しかし、図１７（ａ）、図２０（ｂ）に図示するように、表示モジュール２０３の側面方向からレーザ光２０５を照射すると、図１５、図１６等で説明したように、レーザ光２０５が表示モジュール２０３内で反射し、表示モジュール２０３の表面に形成されたトランジスタ１１７等を破壊する場合がある。
図３６は、本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。レーザ光２０５はマスク２１２が形成された箇所に上方向から照射する。
17 and 20 are examples of irradiating the laser
FIG. 36 is an explanatory diagram of a manufacturing method of the
レーザ加工装置２０４が発生するレーザ光２０５は直線性があるが、レーザスポットには最もエネルギー密度が高い焦点位置がある。エネルギー密度が高い焦点位置（以降、高焦点位置と呼ぶ）が最も凹部２１６等の加工性能が高くなる。しかし、高焦点位置の焦点深度は短い。
The
したがって、高焦点位置を移動して加工を行う必要があるが、高焦点位置の移動は、レーザ加工装置２０４のレーザヘッド位置と上下方向に移動する必要がある。表示モジュール２０３に多数の凹部２１６を形成する場合は、レーザヘッドの上下移動を凹部２１６の形成数回、繰り返す必要がある。
Therefore, it is necessary to move the high focus position for processing, but the movement of the high focus position needs to move in the vertical direction with the laser head position of the
本発明の製造方法では、図３６に図示するように、表示モジュール２０３をＸＹＺステージ２１７に搭載し、ＸＹＺステージ２１７のＺ軸を上方向に移動させることにより、凹部２１６を形成する。
In the manufacturing method of the present invention, as shown in FIG. 36, the
図３６（ａ）では、ＸＹＺステージ２１７に表示モジュール２０３がエアーチャックで吸着されて固定されている。図３６（ｂ）に図示するように、表示モジュール２０３にレーザ光２０５がマスク２１２に照射され、凹部２１６が加工される。
図３６（ｂ）では、一例として矢印に示すように時計逆回り方向に、レーザ光２０５を移動させて凹部２１６を形成あるいは加工する状態を図示している。
In FIG. 36 (a), the
FIG. 36B illustrates a state in which the
なお、図３６（ｂ）において、レーザ加工部２３３を斜線で示している。凹部２１６の加工は表示モジュール２０３の周囲に形成される凹部２１６に対して実施される。
In FIG. 36B, the
以上のようにして、ゲート信号線１６３、ソース信号線１６４の両端あるいは両端近傍のレーザ加工部２３３にレーザ光２０５が照射され、凹部２１６が加工される。
As described above, the
次にＸＹＺステージ２１７のＺ軸を所定距離、上昇させ、凹部２１６の加工位置が高焦点位置となるように移動させる。表示モジュール２０３にレーザ光２０５がマスク２１２に照射され、凹部２１６が加工される。凹部２１６の加工は表示モジュール２０３の周囲に形成される凹部２１６に対して実施される。
Next, the Z axis of the
ＸＹＺステージ２１７は、順次、Ｚ軸方向に移動する。結果的にＺ軸の移動量は表示モジュール２０３の厚み量となる。以上のＺ軸の移動とレーザ光２０５による加工動作を、表示モジュール２０３の側面に実施することにより、表示モジュール２０３に凹部２１６が形成される。
The XYZ stages 217 sequentially move in the Z-axis direction. As a result, the movement amount of the Z axis becomes the thickness amount of the
ＸＹＺステージ２１７をＸ軸、Ｙ軸方向に移動させて凹部２１６を形成し、すべての凹部２１６にレーザ光を照射した後、Ｚ軸を移動させて、凹部の加工位置に焦点が定まるようにする。そして、また、ＸＹＺステージ２１７をＸ軸、Ｙ軸方向に移動させて凹部２１６を形成し、すべての凹部２１６にレーザ光を照射する。このレーザ光を照射しつつ、Ｘ軸、Ｙ軸方向への移動と、Ｚ軸を移動させて加工位置に焦点が定まるように移動させる動作を繰り返す。
The
図３８は、図３７の本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。凹部２１６を矩形に形成する場合、マスク２１２に照射するレーザ光２０５のスポットも矩形であることが好ましい。
FIG. 38 is an explanatory diagram of the method of manufacturing the
図３８の実施例では、レーザ光２０５ａは矩形穴が形成されてレーザスリット２３１で矩形のレーザ光２０５ｂにされる。矩形のレーザ光２０５ｂがマスク２１２に照射されて凹部２１６が形成される。
In the embodiment of FIG. 38, the
図３８（ａ）は表示モジュール２０３の一部平面図であり、図３８（ｂ）は図３８（ａ）のＡＡ’線での断面図である。図３８（ｃ）は、加工状態を示す説明図である。
図３８（ａ）に図示するように、粗化部２４４の形成位置、端子電極２３２を含む箇所にマスク２１２が形成されている。
レーザ加工部２３３に矩形のレーザ光２０５ｂが照射され、矩形の粗化部２４４が形成される。
38 (a) is a partial plan view of the
As shown in FIG. 38 (a), the
The
図３８（ｃ）、図３６（ａ）に図示するように、表示モジュール２０３はＸＹＺステージ２１７に搭載され、矩形の高焦点位置を順次、マスク２１２の上下方向に移動させてガラス基板２０２の側面を加工し、粗化部２４４を形成する（図３８（ｃ））。
As shown in FIGS. 38 (c) and 36 (a), the
図３９（ｄ）に図示するようい、ＸＹＺステージ２１７のＺ軸（上下方向）に移動させつつ、レーザ光２０５ｂを照射する。したがって、レーザ加工装置２０４のレーザヘッド位置は固定状態で粗化部を加工する。図３８（ｄ）、図３８（ｅ）に図示するように、ガラス基板２０２の側面に粗化部２４４が形成される。
As shown in FIG. 39 (d), the
次に図３８（ｅ）に図示するように、端子電極２３２上にレーザ光２０５ｂを照射し、端子電極２３２上のマスクを除去するとともに、信号線２１４上を粗化する。また、マスク２１２ｃにもレーザ光２０５ｂを照射し、マスク２１２ｃを除去するとともに、ガラス基板２０２の表面を粗化し、めっき膜２１５あるいはインクジェット方式による導電性インクが付着強度を向上させる。
Next, as shown in FIG. 38 (e), the
また、図３９（ｆ）に図示するように、ガラス基板２０２の裏面のＣＯＦ配線形成部２４１にレーザ光２０５ｂを照射し、マスク２１２ｂを除去するとともに、ガラス基板２０２面を粗化させる。
Further, as shown in FIG. 39 (f), the COF
図３８（ｅ）の工程では、図４１（ｂ）の融着部２４９の形成を実施することが好ましい。融着部２４９を形成するレーザ光と粗化部を形成するレーザ光とは別の光を使用することが好ましい。 In the step of FIG. 38 (e), it is preferable to carry out the formation of the fused portion 249 of FIG. 41 (b). It is preferable to use a light different from the laser light forming the fused portion 249 and the laser light forming the roughened portion.
図３８（ｆ）はめっき膜２１５を形成部のレーザ粗化が終了した状態を示す。レーザ光２０５ｂを照射しためっき膜２１５の形成部、ＣＯＦ配線形成部２４１は粗化され、他の部分はマスク２１２が残存する。
FIG. 38 (f) shows a state in which the laser roughening of the
ガラス基板２０２に対し酸性脱脂剤を用い、例えば４５℃、５分の条件で脱脂を行う（図４０（ｇ））。また、塩酸系水溶液を用いてプリディップ処理を行う。保持時間は、一例として、２分である。
The
次に、Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９を凹部２１６の表面、及びレーザ光吸収部２２４の残存している部分の表面に付与する（図４０（ｈ））。Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９はコロイド状の粒子であり、Ｓｎ－Ｐｄの核部の表面にＳｎ－rich層、及びＳｎ2+層が順に形成されている。
Next, the Sn—
次に、活性化を行う。Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９を付与したガラス基板２０２を塩酸系の溶液に浸漬することでＳｎの層が除去され、内部のＰｄ触媒が露出する。Ｐｄ触媒が露出するので、Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９が存在する部分において、無電解Ｎｉ－Ｐめっき液による反応が生じる。
Next, activation is performed. By immersing the
アルカリ溶液を用いて、レーザ光吸収部２２４を剥離する（図４０（ｉ））。ガラス基板２０２のレーザ光吸収部２２４が剥離された部分にはＳｎ－Ｐｄ触媒２２９が存在しない。
The
ガラス基板２０２の表面に無電解Ｎｉ－Ｐめっきを行い、めっき膜２１５が形成される（図４０（ｊ））。無電解Ｎｉ－Ｐめっき液としては、酸性領域から中性領域で次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする還元析出型の無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を用いることができる。
Electroless Ni-P plating is performed on the surface of the
キレート剤としては、リンゴ酸、またはクエン酸、またはマロン酸、酒石酸等のオキシカルボン酸、または酢酸やコハク酸等のモノカルボン酸、アンモニアやグリシン等のアミン類を単独もしくは複数併用して用いることができる。無電解Ｎｉ－Ｐめっき液中の還元剤がガラス基板２０２上で電子を放出するように触媒として機能するＰｄが付与されている。
したがって、無電解Ｎｉめっき液中のＮｉイオンが、還元剤の酸化反応で放出される電子によって還元され、めっき膜２１５が形成される。
As the chelating agent, malic acid, citric acid, oxycarboxylic acid such as malonic acid and tartrate acid, monocarboxylic acid such as acetic acid and succinic acid, and amines such as ammonia and glycine should be used alone or in combination. Can be done. Pd that functions as a catalyst is added so that the reducing agent in the electroless Ni-P plating solution emits electrons on the
Therefore, the Ni ions in the electroless Ni plating solution are reduced by the electrons released by the oxidation reaction of the reducing agent, and the
本実施形態によれば、難めっき材料からなるガラス基板２０２に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、図１７（ｂ）に図示するように、密着性が良好であるＮｉ－Ｐめっきからなるめっき膜２１５を形成することができる。必要に応じて、Ｎｉ－Ｐめっき上に、電解めっきによる銅（Ｃｕ）めっき膜を形成する。
According to this embodiment, Ni has good adhesion to a
ガラス基板２０２は、図６の矢印の位置で切断され、表示モジュール２０３に分離される。図１０（ａ）に図示するように、必要に応じて、表示モジュール２０３はａａ’線、ｂｂ’線、ｃｃ’線、ｄｄ’線で精密切断、あるいは研磨加工される。
The
研削加工とは、一例として、砥石車と呼ばれる円状の大きな工具を高速回転させ、その表面を加工するものに当てることにより、その表面を滑らかな状態に整える。この砥石車の表面には大きめの砥粒が無数につけられており、これによって対象物の表面の微小突起等を削ることができる。 Grinding is, for example, a large circular tool called a grindstone that is rotated at high speed and applied to the surface to be machined to smooth the surface. Innumerable large abrasive grains are attached to the surface of this grindstone, which makes it possible to scrape minute protrusions and the like on the surface of the object.
好ましくは、研磨面には、ＣＰ（Cross section polisher）加工（イオンミリング）で行うことが好ましい。ＣＰ加工（イオンミリング）とは、集束していないブロードなアルゴンイオンビームを試料に照射し、試料原子を弾き飛ばすスパッタリング現象を利用して試料を削ることである。試料の表面にアルゴンイオンビームを入射させ、試料を作製する。ＣＰ加工では、研磨面に熱が発生せず、熱による影響がない。 It is preferable that the polished surface is subjected to CP (Cross section polisher) processing (ion milling). CP processing (ion milling) is to irradiate a sample with a broad argon ion beam that is not focused and scrape the sample by utilizing the sputtering phenomenon that flicks off the sample atoms. An argon ion beam is incident on the surface of the sample to prepare the sample. In CP processing, heat is not generated on the polished surface and is not affected by heat.
図１０（ｂ）に図示するように、矢印に示すガラス基板２０２の側面を精密研磨加工することにより、平滑化する。また、ガラス切断により、発生したクラックを消去する。また、研磨面をフッ化水素等で洗浄することにより、微小なクラックをなくすことができる。
As shown in FIG. 10B, the side surface of the
本発明の表示パネルは、図６で説明したように、比較的、表示画面１６５が小さい表示モジュール２０３を作製し、当該表示モジュール２０３を組み合わせることにより、大画面の表示画面１６５（大画面の表示モジュール）を作製するものである。
As described with reference to FIG. 6, the display panel of the present invention has a large screen display screen 165 (large screen display) by producing a
表示画面１６５が小さい表示モジュール２０３には、それぞれゲートドライバ１６１、ソースドライバ１６２が接続される。ソースドライバ１６２は、ソース信号線１６４の両側に接続する。ゲートドライバ１６１は、ゲート信号線１６３の一方に接続してもよいが、好ましくは、ゲート信号線１６３の両方に接続することが好ましい。
A gate driver 161 and a
各表示モジュール２０３は、図１１、図１２に図示するように、各表示モジュール２０３間の界面がない、あるいは、各表示モジュール２０３間を目立たないように接続、組み合わされる。
As shown in FIGS. 11 and 12, each
本発明は、複数の表示モジュール２０３を組み合わせることより、大画面の表示画面１６５を構成する。各表示モジュール２０３は、表示不良の検査を行い、不良は修正をして完成させる。したがって、良品の表示モジュール２０３を組み合わせることにより表示ディスプレイを構成するため、製造歩留まりを向上させることができる。
The present invention constitutes a large-
以上の事項は、図２２、図２５、図２６、図２７、図２９等の他の実施例においても同様である。本明細書、図面に記載の事項、実施例は一部または全部を組み合わせること、また、相互に適用できることは言うまでもない。
図１７（ａ）に図示するように、表示モジュール２０３の側面から、レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５を照射し、凹部２１６を形成する。
The above matters are the same in other examples such as FIG. 22, FIG. 25, FIG. 26, FIG. 27, and FIG. 29. It goes without saying that the matters and examples described in the present specification and drawings may be partially or wholly combined and may be mutually applicable.
As shown in FIG. 17A, the laser
次に、凹部２１６及び裏面及び信号線２１４ａ上にめっき膜２１５を形成する。めっき膜２１５の形成方法について図３０、図３１を参照しながら説明する。図３０は、めっき膜２１５の形成方法に関するフローチャート図である。図３１はめっき膜の形成方法の説明図である。
図３１（ａ）に図示するように、表示モジュール２０３（ガラス基板２０２）を洗浄する。あるいは、プラズマアッシャー装置でアッシング処理を行う。
次に、図３１（ｂ）に図示するように、表示モジュール２０３（ガラス基板２０２）にレーザ光吸収部２２４、スリット２２８を形成する（図３０ Ｓ１１）。
Next, the
As shown in FIG. 31 (a), the display module 203 (glass substrate 202) is cleaned. Alternatively, the ashing process is performed by the plasma asher device.
Next, as shown in FIG. 31B, a laser
図９で説明したように、表示モジュール２０３（ガラス基板２０２）の位置合わせマーカ２０１を画像認識装置２０６で検出・認識し、ＸＹＺステージ２１７を制御して位置決めを行う。
次に、図３１（ｃ）に図示するように、レーザ光２０５をレーザ光吸収部２２４に照射し、凹部２１６を形成する（図３０ Ｓ１２）。
凹部２１６は、フェムト秒レーザ光２０５のレーザ強度、照射するレーザパルスの移動速度を変更あるいは設定することによりに実現できる。
As described with reference to FIG. 9, the
Next, as shown in FIG. 31 (c), the
The
フェムト秒レーザ加工装置は、一般にパルス幅が、サブピコ秒から数十フェムト秒のフェムト秒レーザ光２０５を発生する。サブピコ秒から数十フェムト秒の超短パルスのレーザ光２０５を材料に照射した場合、材料の熱拡散特性時間に比べてパルス幅が十分に短いため、光エネルギーを有効に照射部に投入できる。
A femtosecond laser processing apparatus generally generates a
その結果、照射周辺部への熱影響が局限することが可能で、高精度な微細加工が実現できる。また、レーザ光の電場強度が非常に高いので、ビームが集光されたところにのみ、空間選択的に多光子吸収、多光子イオン化等の非線形作用を誘起することができる。 As a result, the thermal effect on the irradiation peripheral part can be limited, and high-precision micromachining can be realized. Further, since the electric field intensity of the laser beam is very high, it is possible to induce non-linear actions such as multiphoton absorption and multiphoton ionization spatially selectively only in the place where the beam is focused.
フェムト秒レーザ光２０５のパルスを照射することにより、レーザ光吸収部２２４及びスリット２２８の形成部に対応する箇所のガラス材料が除去され、凹部２１６が形成される。
ガラス基板２０２に対し酸性脱脂剤を用い、例えば４５℃、５分の条件で脱脂を行う（図３０ Ｓ１３）。
塩酸系水溶液を用いてプリディップ処理を行う（図３０ Ｓ１４）。保持時間は、一例として、２分である。
By irradiating the pulse of the
The
A predip treatment is performed using a hydrochloric acid-based aqueous solution (FIG. 30S14). The holding time is, for example, 2 minutes.
次に、Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９を凹部２１６の表面、及びレーザ光吸収部２２４の残存している部分の表面に付与する（図３０ Ｓ１５、図３１（ｄ））。Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９はコロイド状の粒子であり、Ｓｎ－Ｐｄの核部の表面にＳｎ－rich層、及びＳｎ2+層が順に形成されている。
Next, the Sn—
次に、活性化を行う（図３０ Ｓ１６）。Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９を付与したガラス基板２０２を塩酸系の溶液に浸漬することでＳｎの層が除去され、内部のＰｄ触媒が露出する。Ｐｄ触媒が露出するので、Ｓｎ－Ｐｄ触媒２２９が存在する部分において、無電解Ｎｉ－Ｐめっき液による反応が生じる。
Next, activation is performed (FIG. 30 S16). By immersing the
アルカリ溶液を用いて、レーザ光吸収部２２４を剥離する（図３０ Ｓ１７、図３１（ｅ））。ガラス基板２０２のレーザ光吸収部２２４が剥離された部分にはＳｎ－Ｐｄ触媒２２９が存在しない。
The
ガラス基板２０２の表面に無電解Ｎｉ－Ｐめっきを行い、めっき膜２１５が形成される（図３０ Ｓ１８、図３１（ｆ））。無電解Ｎｉ－Ｐめっき液としては、酸性領域から中性領域で次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする還元析出型の無電解Ｎｉ－Ｐめっき液を用いることができる。
Electroless Ni-P plating is performed on the surface of the
キレート剤としては、リンゴ酸、またはクエン酸、またはマロン酸、酒石酸等のオキシカルボン酸、または酢酸やコハク酸等のモノカルボン酸、アンモニアやグリシン等のアミン類を単独もしくは複数併用して用いることができる。 As the chelating agent, malic acid, citric acid, oxycarboxylic acid such as malonic acid and tartrate acid, monocarboxylic acid such as acetic acid and succinic acid, and amines such as ammonia and glycine should be used alone or in combination. Can be done.
無電解Ｎｉ－Ｐめっき液中の還元剤がガラス基板２０２上で電子を放出するように触媒として機能するＰｄが付与されている。したがって、無電解Ｎｉめっき液中のＮｉイオンが、還元剤の酸化反応で放出される電子によって還元され、ガラス基板２０２の表面に析出し、めっき膜２１５が形成される。
Pd that functions as a catalyst is added so that the reducing agent in the electroless Ni-P plating solution emits electrons on the
本実施形態によれば、難めっき材料からなるガラス基板２０２に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、図１７（ｂ）に図示するように、密着性が良好であるＮｉ－Ｐめっきからなるめっき膜２１５を形成することができる。必要に応じて、Ｎｉ－Ｐめっき上に、電解めっきによる銅（Ｃｕ）めっき膜を形成する。
次に、図１７（ｃ）に図示するように、表示モジュール２０３の裏面部のめっき膜２１５に異方性導電膜（ＡＣＦ）２１９を取り付ける。
次に、図１８（ｄ）に図示するように、ＡＣＦ２１９を介して、めっき膜２１５とＣＯＦ２１８の端子電極とを電気的に接続する。
According to this embodiment, Ni has good adhesion to a
Next, as shown in FIG. 17C, the anisotropic conductive film (ACF) 219 is attached to the
Next, as shown in FIG. 18 (d), the
ＣＯＦ２１８には、ソースドライバ１６２またはゲートドライバ１６１が実装されている。また、ＣＯＦ２１８には、コンデンサ（図示せず）、電源用のコイル（図示せず）が実装されている。
A
次に、図１８（ｅ）に図示するように、複数の表示モジュール２０３（図１８では、表示モジュール２０３ａ、表示モジュール２０３ｂ）が、近接して配置され、また、組み合わせされる。
Next, as shown in FIG. 18 (e), a plurality of display modules 203 (
次に、図１８（ｆ）に図示するように、配置された表示モジュール２０３間にガラス接着材２２１が塗布され、複数の表示モジュール２０３の組み合わせにより大画面を有する表示パネルが作製される。
Next, as shown in FIG. 18 (f), a
ガラス接着材２２１としては、シリコン系、エポキシ系、ウレタン系、これらの紫外線硬化系等の多くから選択することができる。ガラス接着材は、光透過性を有し、ガラス基板２０２の屈折率が近似した材料からなるものを選択することが好ましい。特に、ウレタン接着材は、一液硬化型で接着強度も高い。紫外線硬化型は、接着工法が容易である。
The glass adhesive 221 can be selected from many of silicon-based, epoxy-based, urethane-based, and UV-curing-based materials thereof. As the glass adhesive, it is preferable to select a material having light transmittance and having a refractive index close to that of the
表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂを近接して配置し、位置合わせをする。次に、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂ間に、ガラス接着材２２１を流し込む。
The
次に、２～５分間、ＵＶ光をガラス接着材２２１に照射し、初期硬化させる。次に、ＵＶ光の強度を高くして、再度ＵＶ光を２～３分間、照射して完全硬化させる。
Next, the
なお、ガラス接着材２２１としたが、ガラスに限定されるものではない。表示モジュール２０３が樹脂の場合は、樹脂接着材でよい。ガラス接着材は、表示モジュール２０３のガラス基板２０２と屈折率が等しい、あるいは近似であり接続部が目立ちにくくなるものであればいずれでもよい。
Although the glass
以上の事項は、図２２、図２４、図２６、図２９等の実施例においても同様である。また、その一部または全部を組み合わせること、適用できることは言うまでもない。
以下、本発明の第２の実施例における表示モジュール２０３について図面を参照しながら説明をする。
The above matters are the same in the examples of FIGS. 22, 24, 26, 29 and the like. Needless to say, some or all of them can be combined and applied.
Hereinafter, the
図２３は、本発明の第２の実施例における表示パネルの構造の説明図であり、表示パネルの一部を拡大した図面である。図２４は、図２３のＡＡ’線での断面図である。 FIG. 23 is an explanatory diagram of the structure of the display panel according to the second embodiment of the present invention, and is an enlarged drawing of a part of the display panel. FIG. 24 is a cross-sectional view taken along the line AA'of FIG. 23.
図２３に図示するように、表示モジュール２０３ａに近接して表示モジュール２０３ｂが配置される。なお、表示モジュール２０３ａの右端、表示モジュール２０３ａの紙面上側、表示モジュール２０３ａの紙面下側にも、表示モジュール２０３が配置されることは、図１１の第１の実施例と同様である。
As shown in FIG. 23, the
図１１の第１の実施例と同様に、表示モジュール２０３ａの信号線２１４ａ（ゲート信号線１６３、ソース信号線１６４等）と、表示モジュール２０３ｂの信号線２１４ｂは平行に、近接して配置される。
Similar to the first embodiment of FIG. 11, the
図１１の第１の実施例、図２３の第２の実施例でも同様であるが、アノード配線Ｖｄｄ、カソード配線Ｖｓｓも信号線２１４と同様に構成され、めっき膜２１５等が形成される。
The same applies to the first embodiment of FIG. 11 and the second embodiment of FIG. 23, but the anode wiring Vdd and the cathode wiring Vss are configured in the same manner as the
図６に図示するように、１つのガラス基板２０２には、複数の表示モジュール２０３が作製される。各表示モジュール２０３の４つの端には、位置合わせマーカ２０１が形成、または配置される。
As shown in FIG. 6, a plurality of
ガラス基板２０２は、図６の矢印の位置で切断され、表示モジュール２０３に分離される。図２２（ａ）に図示するように、必要に応じて、表示モジュール２０３はａａ’線、ｂｂ’線、ｃｃ’線、ｄｄ’線で精密切断、あるいは研磨加工される。
The
好ましくは、研磨は、ＣＰ（Cross section polisher）加工（イオンミリング）で行うことが好ましい。ＣＰ加工（イオンミリング）とは、集束していないブロードなアルゴンイオンビームを試料に照射し、試料原子を弾き飛ばすスパッタリング現象を利用して試料を削ることである。試料の表面にアルゴンイオンビームを入射させ、試料を作製する。ＣＰ加工では、研磨面に熱が発生せず、熱による影響がない。 It is preferable that the polishing is performed by CP (Cross section polisher) processing (ion milling). CP processing (ion milling) is to irradiate a sample with a broad argon ion beam that is not focused and scrape the sample by utilizing the sputtering phenomenon that flicks off the sample atoms. An argon ion beam is incident on the surface of the sample to prepare the sample. In CP processing, heat is not generated on the polished surface and is not affected by heat.
図２２（ｂ）の矢印で図示するように、表示モジュール２０３の端面は、斜面となるように、研磨される。表示モジュール２０３の左右は斜面の形状方向が異なり、また、紙面の上下の斜面の形状方向が異なるように加工される。
As shown by the arrow in FIG. 22B, the end face of the
研削加工とは、一例として、砥石車と呼ばれる円状の大きな工具を高速回転させ、その表面を加工するものに当てることにより、その表面を滑らかな状態に整える。その後、ガラス基板２０２の側面を精密研磨加工することにより、平滑化する。また、研磨面をフッ化水素で洗浄することにより、微小なクラックをなくす。あるいは、ＣＰ加工を実施する。
Grinding is, for example, a large circular tool called a grindstone that is rotated at high speed and applied to the surface to be machined to smooth the surface. After that, the side surface of the
図２４で図示するように、表示モジュール２０３ａの左端に表示モジュール２０３ｂが配置される。表示モジュール２０３ａの端部は斜面状に形成され、同様に、表示モジュール２０３ｂの端部は斜面状に形成される。表示モジュール２０３ａの端部と、表示モジュール２０３ｂの端部とが、組み合わせて接するように構成されている。
As shown in FIG. 24, the
表示モジュール２０３ａの左側端部には、信号線２１４位置に一致させて、凹部が形成されている。凹部には、図１３（ａ）に図示するように、めっき膜２１５が形成されている。
A recess is formed at the left end of the
第２の実施例では、図３０、図３１等で説明したように、斜面にレーザ光２０５を照射することにより凹部２１６（図示せず）し、めっき膜２１５を形成する。レーザ光２０５の照射部は斜面ながら、表示モジュール２０３の上方からの照射となる。上方からのレーザ光２０５の照射は、表示モジュール２０３の側面側からの照射よりも容易である。
In the second embodiment, as described with reference to FIGS. 30 and 31, the slope is irradiated with the
なお、第２の実施例における凹部は、第１の実施例における凹部２１６のように必須の構成物ではない。したがって、凹部２１６は、形成しない構成も例示されることは言うまでもない。
The recess in the second embodiment is not an essential component like the
めっき膜２１５は信号線２１４と電気的に接続される。表示モジュール２０３ａの斜面のめっき膜２１５には、ＡＣＦ２１９が配置され、ＡＣＦ２１９を介してＣＯＦ２１８とめっき膜２１５が電気的に接続されている。表示モジュール２０３の斜面にＡＣＦ２１９が接続できるように、端子形状（図示せず）が形成されている。
The
めっき膜２１５と信号線２１４が接続される箇所で、かつ、信号線２１４の表面には透明電極２３４が形成されている。したがって、信号線２１４を構成する金属材料と、めっき膜２１５間には透明電極２３４が配置されている。透明電極２３４は、好ましくはめっき膜２１５にも形成することが好ましい。
図２３は、表示モジュール２０３の一辺を図示しているが、図２２（ｂ）に図示するように表示モジュール２０３の他の３辺にも斜面を形成する。
A
FIG. 23 illustrates one side of the
信号線２１４上には、透明電極２３４が信号線２１４を被覆するように形成されている。透明電極２３４を形成することにより、めっき膜２１５と信号線２１４との接続抵抗が低減する。
A
表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂ間にはガラス接着材２２１が充填される。ガラス接着材２２１は、表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂを接着するとともに、ＣＯＦ２１８を固定する役割もはたす。
A
表示モジュール２０３ａと表示モジュール２０３ｂの端に形成した斜面で２つの表示モジュール２０３を接続する。斜面で接続するため、接続面積が広く、２つの表示モジュール２０３を強固に接続することができる。また、図１２のように、表示モジュール２０３の裏面にＡＣＦと接続のための端子を形成する必要がない。
表示モジュール２０３の端面は、斜面部と垂直方向に厚みを有する２つの略垂直部を有する。垂直部を厚くするほうがガラス基板２０２はクラックし難くなる。
The two
The end face of the
本発明の第２の実施例のおける表示パネルの製造方法について図面を参照しながら説明をする。図２５、図２６は、本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。
図２５（ａ）の実施例では、レーザ光吸収部２２４を形成していないが、図２８（ａ２）に図示するように、レーザ光吸収部２２４を斜面に形成してもよい。
表示モジュール２０３の斜面にめっき膜２１５を形成する方法は、図３０、図３１で説明したので説明を省略する。
The manufacturing method of the display panel in the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 25 and 26 are explanatory views of the manufacturing method of the
In the embodiment of FIG. 25 (a), the laser
Since the method of forming the
本実施形態によれば、難めっき材料からなる表示モジュール２０３（ガラス基板２０２）に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、密着性が良好であるＮｉ－Ｐめっきからなるめっき膜２１５を形成することができる。
According to this embodiment, the display module 203 (glass substrate 202) made of a difficult-to-plating material is plated with Ni-P plating having good adhesion without using a special chemical solution or photolithography technique. The
Ｎｉ－Ｐめっき２１５上には、必要に応じて、銅（Ｃｕ）めっき膜を形成する。また、Ｎｉ－Ｐめっき２１５上には、必要に応じて透明電極２３４を形成し、また、銅（Ｃｕ）めっき膜上には必要に応じて透明電極２３４を形成する。
図２５（ｃ）に図示するように、表示モジュール２０３の斜面のめっき膜２１５に異方性導電膜（ＡＣＦ）２１９を取り付ける。
A copper (Cu) plating film is formed on the Ni-
As shown in FIG. 25 (c), the anisotropic conductive film (ACF) 219 is attached to the
次に、図２６（ｄ）に図示するように、ＡＣＦ２１９を介して、めっき膜２１５とＣＯＦ２１８の端子電極とを電気的に接続する。接続の際にＡＣＦ２１９を加熱、押圧が必要であるが、押圧方向も表示モジュール２０３の上方からでよいので、製造工程、製造方法が容易である。
Next, as shown in FIG. 26 (d), the
ＣＯＦ２１８には、ソースドライバ１６２またはゲートドライバ１６１が実装されている。また、ＣＯＦ２１８には、コンデンサ（図示せず）、電源用のコイル（図示せず）が実装されている。
A
次に、図２６（ｅ）に図示するように、複数の表示モジュール２０３（図２６では、表示モジュール２０３ａ、表示モジュール２０３ｂ）が、近接して配置され、また、組み合わせされる。
次に、図２６（ｆ）に図示するように、配置された表示モジュール２０３間にガラス接着材２２１が塗布され、ＵＶ（紫外線）光が照射されて、硬化される。
複数の表示モジュール２０３の組み合わせにより大画面を有する表示パネルが作製される。
Next, as shown in FIG. 26 (e), a plurality of display modules 203 (
Next, as shown in FIG. 26 (f), the
A display panel having a large screen is produced by combining a plurality of
図２４の実施例は、表示モジュール２０３の斜面に、めっき膜２１５を形成し、めっき膜２１５にＡＣＦ２１９を取り付けた構成であった。本発明はこれに限定されるものではない。
In the embodiment of FIG. 24, the
図２７は、第３の実施例における本発明の表示モジュール２０３の断面図である。図２７では表示モジュール２０３の斜面に貫通穴２２３が形成され、貫通穴２２３にめっき膜２１５ｂが形成されている。全体構成は、図２３、図２４と同様あるいは類似であるので説明を省略する。
FIG. 27 is a cross-sectional view of the
めっき膜２２３ｂは表示モジュール２０３ａの裏面に端子形状に形成され、斜面のめっき膜２１５ａと電気的に接続されている。めっき膜２１５ａは信号線２１４ａと電気的に接続されている。表示モジュール２０３ａの裏面のめっき膜２１５ｂは、ＡＣＦ２１９が取り付けられ、ＡＣＦ２１９はＣＯＦ２１８が取り付けられている。
The plating film 223b is formed in a terminal shape on the back surface of the
したがって、表示モジュール２０３ａの信号線２１４ａは、めっき膜２１５ａ、めっき膜２１５ｂ、ＡＣＦ２１９を介して、ドライバＩＣ２２０の出力端子と接続されている。
Therefore, the
本発明の第３の実施例のおける表示パネルの製造方法について図面を参照しながら説明をする。図２８、図２９は、図２７の本発明の表示モジュール２０３の製造方法の説明図である。
図２８（ａ１）の実施例では、レーザ光吸収部２２４を形成していないが、図２８（ａ２）に図示するように、レーザ光吸収部２２４を斜面に形成してもよい。
表示モジュール２０３の斜面にめっき膜２１５を形成する方法は、図３０、図３１で説明したので説明を省略する。
The manufacturing method of the display panel in the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 28 and 29 are explanatory views of the manufacturing method of the
In the embodiment of FIG. 28 (a1), the laser
Since the method of forming the
図２８（ａ１）に図示するように、表示モジュール２０３ａの斜面にはＬの範囲にレーザ光２０５が照射される。レーザ光２０５の照射により、めっき膜２１５ａを形成する領域が粗化される。また、好ましくは、加えて凹部２１６が形成される。
As shown in FIG. 28 (a1), the slope of the
図２８（ａ２）に図示するように、斜面にレーザ光吸収部２２４を形成することにより、めっき膜２１５ａを形成する領域の粗化が促進される。また、凹部２１６の形成も促進される。
As shown in FIG. 28 (a2), by forming the laser
次に、図２８（ｂ）に図示するように、貫通穴２２３を形成する領域にレーザ光吸収部２２４を形成する。レーザ光吸収部２２４にレーザ光２０５を照射することにより、容易に貫通穴２２３を形成できる。貫通穴２２３の形成工程時は、レーザ光２０５の貫通穴２２３の形成深さに対応して、レーザ光２０５の焦点位置を移動させる。
Next, as shown in FIG. 28 (b), the laser
図２８（ｂ）での貫通穴２２３の形成後、貫通穴２２３部を中心にフッ酸溶液、フッ化水素アンモニウムを浸透させ、貫通穴２２３部のクラックをなくすことが有効である。
After forming the through
次に、図３０、図３１で説明しためっき膜の製造方法で、めっき膜２１５ａ、めっき膜２１５ｂを形成する。めっき膜２１５ａ、めっき膜２１５ｂの形成後の表示モジュール２０３の断面を図２８（ｃ）に図示する。
Next, the
本実施形態によれば、難めっき材料からなる表示モジュール２０３（ガラス基板２０２）に対して、特殊な薬液またはフォトリソグラフィの技術を用いることなく、密着性が良好であるＮｉ－Ｐめっきからなるめっき膜２１５を形成することができる。
Ｎｉ－Ｐめっき２１５ｂには、貫通穴２２３部に無電解めっきによりめっき膜を形成し、その後、電解めっきにより、銅（Ｃｕ）めっき膜を形成する。
According to this embodiment, the display module 203 (glass substrate 202) made of a difficult-to-plating material is plated with Ni-P plating having good adhesion without using a special chemical solution or photolithography technique. The
In the Ni-
図２９（ｄ）に図示するように、表示モジュール２０３の裏面のめっき膜２１５ｂに異方性導電膜（ＡＣＦ）２１９を取り付ける。また、ＡＣＦ２１９を介して、めっき膜２１５ｂとＣＯＦ２１８の端子電極とを電気的に接続する。
As shown in FIG. 29 (d), the anisotropic conductive film (ACF) 219 is attached to the
次に、図２９（ｅ）に図示するように、複数の表示モジュール２０３（図２９では、表示モジュール２０３ａ、表示モジュール２０３ｂ）が、近接して配置され、また、組み合わせされる。複数の表示モジュール２０３の組み合わせにより大画面を有する表示パネルが作製される。
次に、図２９（ｆ）に図示するように、配置された表示モジュール２０３間にガラス接着材２２１が塗布され、ＵＶ（紫外線）光が照射されて、硬化される。
本実施の形態に係る表示ディスプレイ、表示パネル、表示モジュール２０３は、情報機器などのシステム機器を含む概念である。
以上のように、本開示における技術の例示として、実施の形態を説明した。そのために、添付図面及び詳細な説明を提供した。
Next, as shown in FIG. 29 (e), a plurality of display modules 203 (
Next, as shown in FIG. 29 (f), the
The display display, the display panel, and the
As described above, an embodiment has been described as an example of the technique in the present disclosure. To that end, the accompanying drawings and detailed explanations have been provided.
したがって、添付図面及び詳細な説明に記載された構成要素の中には、課題解決のために必須な構成要素だけでなく、上記技術を例示するために、課題解決のためには必須でない構成要素も含まれ得る。そのため、それらの必須ではない構成要素が添付図面や詳細な説明に記載されていることをもって、直ちに、それらの必須ではない構成要素が必須であるとの認定をするべきではない。 Therefore, among the components described in the attached drawings and the detailed description, not only the components essential for problem solving but also the components not essential for problem solving in order to exemplify the above-mentioned technology. Can also be included. Therefore, the fact that those non-essential components are described in the accompanying drawings or detailed description should not immediately determine that those non-essential components are essential.
上述の実施の形態は、本開示における技術を例示するためのものであるから、特許請求の範囲またはその均等の範囲において種々の変更、置き換え、付加、省略などを行うことができる。 Since the above-described embodiment is for exemplifying the technique in the present disclosure, various changes, replacements, additions, omissions, etc. can be made within the scope of claims or the equivalent thereof.
以上、本明細書において、実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
本明細書及び図面に記載した事項あるいは内容は、相互に組み合わせることができることは言うまでもない。
As described above, the present invention has been specifically described based on the embodiments, but the present invention is not limited thereto, and various modifications can be made without departing from the gist thereof.
It goes without saying that the matters or contents described in the present specification and the drawings can be combined with each other.
本開示は、特に、アクティブ型のＬＥＤディスプレイ、ＬＥＤ表示パネルに有用である。ＬＥＤは、ＬＥＤチップ、マイクロＬＥＤ、ナノＬＥＤ等の多くのサイズに適用できる。 The present disclosure is particularly useful for active LED displays and LED display panels. LEDs can be applied to many sizes such as LED chips, micro LEDs, nano LEDs and the like.
１６１ ゲートドライバＩＣ
１６２ ソースドライバＩＣ
１６３ ゲート信号線
１６４ ソース信号線
１６５ 表示画面
１７１ コンデンサ
１７２ ＬＥＤ
１７３ トランジスタ
１７４ 接続電極
１７５ 画素
１７６ 拡散材
２０１ 位置合わせマーカ
２０２ パネル基板
２０３ 表示モジュール
２０４ レーザ加工装置
２０５ レーザ光
２０６ 画像認識装置
２１１ 反射膜
２１２ マスク
２１４ 信号線
２１５ めっき膜
２１６ 凹部
２１７ ＸＹＺステージ
２１８ ＣＯＦ
２１９ ＡＣＦ
２２０ ドライバＩＣ
２２１ ガラス接着材
２２２ レーザ光吸収部
２２３ 貫通穴
２２４ レーザ光吸収部
２２５ 容器
２２６ オプティカルカップリング液
２２７ 照明光
２２８ スリット
２２９ Ｓｎ－Ｐｄ触媒
２３１ レーザスリット
２３２ 端子電極
２３３ レーザ加工部
２３４ 透明電極
２３５ ＣＯＦ接続配線
２３６ 短絡配線
２３７ 電位配線
２３８ 電位電極
２３９ 接続素子（トランジスタ）
２４１ ＣＯＦ配線形成部
２４３ インクジェットヘッド
２４４ 粗化部
２４５ カバーガラス
２４６ オプティカルカップリング材
２４７ 穴あけ加工部
２４８ 導電性樹脂
２４９ 融着部
２５０ 表面樹脂
161 Gate driver IC
162 Source Driver IC
163
173 Transistor 174
219 ACF
220 driver IC
221 Glass adhesive 222 Laser
241 COF
Claims (3)
前記第１の表示モジュールに第１の信号線が形成され、
前記第２の表示モジュールに第２の信号線が形成され、
前記第１の信号線と前記第２の信号線は、近接して配置され、
前記モジュールに裏面に駆動回路と接続される第３の信号線が形成され、
前記第１の信号線と前記第３の信号線とが、表示モジュールの側面に形成された配線で電気的に接続されていることを特徴とする表示パネル。 It has a first display module and a second display module.
A first signal line is formed in the first display module, and the first signal line is formed.
A second signal line is formed in the second display module, and the second signal line is formed.
The first signal line and the second signal line are arranged close to each other.
A third signal line connected to the drive circuit is formed on the back surface of the module.
A display panel characterized in that the first signal line and the third signal line are electrically connected by wiring formed on the side surface of the display module.
前記信号線の交点に、ＬＥＤが形成または配置されていることを特徴とする請求項１記載の表示パネル。 The signal lines are formed in a matrix in the first display module and the second display module.
The display panel according to claim 1, wherein LEDs are formed or arranged at intersections of the signal lines.
The display panel according to claim 1, wherein a glass adhesive is filled between the first display module and the second display module.
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