JP2023108478A

JP2023108478A - wiring board

Info

Publication number: JP2023108478A
Application number: JP2022009624A
Authority: JP
Inventors: 博明児玉; Hiroaki Kodama; 千朗西脇; Senro Nishiwaki
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2022-01-25
Filing date: 2022-01-25
Publication date: 2023-08-04

Abstract

To improve the quality of a wiring board.SOLUTION: A wiring board 1 of an embodiment includes: a first insulating layer 2 having a first surface 2a and a second surface 2b on an opposite side to the first surface 2a, the first insulating layer including a first through hole 1a; a magnetic material 7 filling the first through hole 1a; a first through hole conductor 51 formed inside a second through hole 1b that penetrates through the magnetic material 7; and first conductor pads 4a1 and 4a2 provided on a first surface 2a side and a second surface 2b side, respectively, the first conductor pads being connected to the first through hole conductor 51. The wiring board 1 further includes a second insulating layer 32 formed on the first surface 2a and covering the magnetic material 7, and a third insulating layer 33 formed on the second surface 2b and covering the magnetic material 7. The second through hole 1b penetrates through the second insulating layer 32 and the third insulating layer 33, and the first conductor pads 4a1 and 4a2 are formed on the surfaces 32a and 33a of the respective second insulating layer 32 and the third insulating layer 33, respectively.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、配線基板に関する。 The present invention relates to wiring boards.

特許文献１には、コア基板の開口に充填された磁性体樹脂を含むインダクタ内蔵基板が開示されている。磁性体樹脂に形成された貫通孔内にスルーホール導体が形成されている。スルーホール導体に繋がっているスルーホールランドは磁性体樹脂の上に形成されている。 Patent Literature 1 discloses an inductor-embedded substrate containing a magnetic resin filled in an opening of a core substrate. A through-hole conductor is formed in a through-hole formed in a magnetic resin. A through-hole land connected to the through-hole conductor is formed on the magnetic resin.

特開２０２０－１７８０９５号公報JP 2020-178095 A

特許文献１に開示されるインダクタ内蔵基板では、使用条件によってはスルーホールランドとコア基板との密着強度が十分でないことがある。 In the inductor-embedded substrate disclosed in Patent Document 1, the adhesion strength between the through-hole land and the core substrate may not be sufficient depending on the conditions of use.

本発明の配線基板は、第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有していて第１貫通孔を備える第１絶縁層と、前記第１貫通孔を充填する磁性体と、前記磁性体を貫く第２貫通孔の内部に形成されている第１スルーホール導体と、前記第１面側及び前記第２面側に設けられていて前記第１スルーホール導体と連結されている第１導体パッドと、を含んでいる。前記配線基板は、さらに、前記第１面の上に形成されていて前記磁性体を覆っている第２絶縁層及び前記第２面の上に形成されていて前記磁性体を覆っている第３絶縁層を含んでいる。そして、前記第２貫通孔は前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層を貫通しており、前記第１導体パッドは前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層それぞれの表面に形成されている。 A wiring board of the present invention comprises: a first insulating layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having a first through hole; and a magnetic material filling the first through hole. a first through-hole conductor formed inside a second through-hole penetrating the magnetic body; and a first contact pad. The wiring board further comprises a second insulating layer formed on the first surface and covering the magnetic material, and a third insulating layer formed on the second surface and covering the magnetic material. Contains an insulating layer. The second through hole penetrates the second insulating layer and the third insulating layer, and the first conductor pad is formed on each surface of the second insulating layer and the third insulating layer. .

本発明の実施形態によれば、磁性体を貫くスルーホール導体と連結される導体パッドのその下地からの剥離を防止し、それにより配線基板の品質を向上させ得ることがある。 According to the embodiments of the present invention, it is possible to prevent the separation of the conductor pads connected to the through-hole conductors penetrating the magnetic material from the underlying layers thereof, thereby improving the quality of the wiring board.

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。1 is a cross-sectional view showing an example of a wiring board according to one embodiment of the present invention; FIG. 図１のII部の拡大図。The enlarged view of the II section of FIG. 図１のIII部の拡大図。The enlarged view of the III section of FIG. 本発明の他の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。Sectional drawing which shows an example of the wiring board of other embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態の配線基板の製造工程の一例を示す断面図。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a manufacturing process of a wiring board according to one embodiment of the present invention;

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板の一例である配線基板１を示す断面図が示されている。なお、実施形態の配線基板は、後に参照される図４に示されるように、図１の例の配線基板１の両面それぞれに形成される任意の層数の絶縁層及び導体層をさらに含み得る。 A wiring board according to one embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross-sectional view showing a wiring board 1 that is an example of a wiring board according to one embodiment. Note that the wiring board of the embodiment can further include an arbitrary number of insulating layers and conductor layers respectively formed on both sides of the wiring board 1 of the example of FIG. 1, as shown in FIG. 4 to be referred to later. .

図１に示されるように、本実施形態の配線基板１は、絶縁層２（第１絶縁層）と、絶縁層２を通るスルーホール導体５１（第１スルーホール導体）と、スルーホール導体５１と連結されている第１導体パッド（導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２）と、を含んでいる。図１の例の配線基板１は複数のスルーホール導体５１を含んでいる。絶縁層２は、絶縁層２の厚さ方向と直交する２つの主面の一方である第１面２ａと、２つの主面の他方であって第１面２ａと反対側の第２面２ｂとを有している。絶縁層２は、第１面２ａと第２面２ｂとの間で絶縁層２を貫く貫通孔１ａ（第１貫通孔）を備えている。スルーホール導体５１は、貫通孔１ａの中を通っている。第１導体パッド（導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２）は、絶縁層２の厚さ方向における両側に、すなわち第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれに設けられている。導体パッド４ａ１は第１面２ａ側に設けられており、導体パッド４ａ２は第２面２ｂ側に設けられている。 As shown in FIG. 1, the wiring board 1 of the present embodiment includes an insulating layer 2 (first insulating layer), through-hole conductors 51 (first through-hole conductors) passing through the insulating layer 2, and through-hole conductors 51 and a first conductor pad (the conductor pad 4a1 and the conductor pad 4a2) connected to the . The wiring board 1 in the example of FIG. 1 includes a plurality of through-hole conductors 51 . The insulating layer 2 has a first surface 2a, which is one of two main surfaces orthogonal to the thickness direction of the insulating layer 2, and a second surface 2b, which is the other of the two main surfaces and is opposite to the first surface 2a. and The insulating layer 2 has a through hole 1a (first through hole) penetrating through the insulating layer 2 between the first surface 2a and the second surface 2b. The through-hole conductor 51 passes through the through-hole 1a. The first conductor pads (conductor pad 4a1 and conductor pad 4a2) are provided on both sides of the insulating layer 2 in the thickness direction, that is, on the first surface 2a side and the second surface 2b side. The conductor pad 4a1 is provided on the first surface 2a side, and the conductor pad 4a2 is provided on the second surface 2b side.

絶縁層２を貫く貫通孔１ａの内部は磁性体７で充填されている。すなわち、配線基板１は、さらに、貫通孔１ａを充填する磁性体７を含んでいる。磁性体７には、磁性体７を、絶縁層２の厚さ方向、すなわち配線基板１の厚さ方向に貫く貫通孔１ｂ（第２貫通孔）が形成されている。スルーホール導体５１は貫通孔１ｂの内部に形成されている。スルーホール導体５１及び貫通孔１ｂは、磁性体７を介して絶縁層２を貫いている。 The inside of the through-hole 1a passing through the insulating layer 2 is filled with a magnetic material 7. As shown in FIG. That is, the wiring board 1 further includes a magnetic material 7 that fills the through hole 1a. A through hole 1 b (second through hole) is formed in the magnetic body 7 so as to penetrate the magnetic body 7 in the thickness direction of the insulating layer 2 , that is, in the thickness direction of the wiring substrate 1 . A through-hole conductor 51 is formed inside the through-hole 1b. The through-hole conductor 51 and the through-hole 1b penetrate the insulating layer 2 with the magnetic body 7 interposed therebetween.

図１に例示の絶縁層２には、さらに貫通孔１ｃ（第３貫通孔）が形成されている。貫通孔１ｃは、絶縁層２を絶縁層２の厚さ方向に貫いている。配線基板１は、さらに、スルーホール導体５２（第２スルーホール導体）と、スルーホール導体５２と連結されている第２導体パッド（導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２）と、を含んでいる。図１の配線基板１は複数のスルーホール導体５２を含んでいる。スルーホール導体５２は貫通孔１ｃの内部に形成されている。第２導体パッド（導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２）は、絶縁層２の厚さ方向における両側に、すなわち第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれに設けられている。導体パッド４ｂ１は第１面２ａ側に設けられており、導体パッド４ｂ２は第２面２ｂ側に設けられている。 A through hole 1c (third through hole) is further formed in the insulating layer 2 illustrated in FIG. The through hole 1 c penetrates the insulating layer 2 in the thickness direction of the insulating layer 2 . The wiring board 1 further includes through-hole conductors 52 (second through-hole conductors) and second conductor pads (conductor pads 4b1 and 4b2) coupled to the through-hole conductors 52 . The wiring board 1 of FIG. 1 includes a plurality of through-hole conductors 52. As shown in FIG. The through-hole conductor 52 is formed inside the through-hole 1c. The second conductor pads (conductor pad 4b1 and conductor pad 4b2) are provided on both sides of the insulating layer 2 in the thickness direction, that is, on the first surface 2a side and the second surface 2b side. The conductor pad 4b1 is provided on the first surface 2a side, and the conductor pad 4b2 is provided on the second surface 2b side.

導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、スルーホール導体５１の所謂スルーホールランドであってもよく、スルーホールランドと一体的に形成された、スルーホールランドを含む導体パッドであってもよい。同様に、導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２は、スルーホール導体５２の所謂スルーホールランドであってもよく、スルーホールランドと一体的に形成された、スルーホールランドを含む導体パッドであってもよい。スルーホール導体のスルーホールランド（スルーホールパッドと称されることもある）は、スルーホール導体に貫かれる絶縁層の表面において座切れが生じないように設けられる導体パターンである。スルーホールランドは、設計上、平面視でスルーホール導体の外周よりも外側に外縁を有するように、すなわち、平面視でスルーホール導体を内包するように設けられる導体パターンである。 The conductor pads 4a1 and 4a2 may be so-called through-hole lands of the through-hole conductors 51, or may be conductor pads including through-hole lands integrally formed with the through-hole lands. Similarly, the conductor pads 4b1 and 4b2 may be so-called through-hole lands of the through-hole conductors 52, or may be conductor pads including through-hole lands integrally formed with the through-hole lands. . A through-hole land (sometimes referred to as a through-hole pad) of a through-hole conductor is a conductor pattern provided so as not to cause breakage on the surface of an insulating layer penetrated by the through-hole conductor. A through-hole land is a conductor pattern provided so as to have an outer edge outside the perimeter of a through-hole conductor in plan view, that is, to enclose the through-hole conductor in plan view.

配線基板１は、さらに、絶縁層２の第１面２ａの上に形成されている絶縁層３２（第２絶縁層）、及び絶縁層２の第２面２ｂの上に形成されている絶縁層３３（第３絶縁層）を含んでいる。絶縁層３２は、絶縁層２の第１面２ａに露出する磁性体７の端面７ａを覆っている。絶縁層３３は、絶縁層２の第２面２ｂに露出する磁性体７の端面７ｂを覆っている。 The wiring board 1 further includes an insulating layer 32 (second insulating layer) formed on the first surface 2 a of the insulating layer 2 and an insulating layer formed on the second surface 2 b of the insulating layer 2 . 33 (third insulating layer). The insulating layer 32 covers the end surface 7 a of the magnetic body 7 exposed on the first surface 2 a of the insulating layer 2 . The insulating layer 33 covers the end surface 7 b of the magnetic body 7 exposed on the second surface 2 b of the insulating layer 2 .

図１の配線基板１は、さらに、絶縁層３２の上に形成されている導体層４１（第１導体層）及び絶縁層３３の上に形成されている導体層４２（第２導体層）を含んでいる。導体層４１は、絶縁層３２における絶縁層２と反対側の表面３２ａ上に形成されている。導体層４２は、絶縁層３３における絶縁層２と反対側の表面３３ａ上に形成されている。 The wiring board 1 of FIG. 1 further includes a conductor layer 41 (first conductor layer) formed on the insulating layer 32 and a conductor layer 42 (second conductor layer) formed on the insulating layer 33. contains. The conductor layer 41 is formed on the surface 32 a of the insulating layer 32 opposite to the insulating layer 2 . The conductor layer 42 is formed on the surface 33 a of the insulating layer 33 opposite to the insulating layer 2 .

導体層４１は、絶縁層３２の表面３２ａに形成されている導体パッド４ａ１及び導体パッド４ｂ１、並びに、導体パッド４ａ１以外の導体パターンである導体パターン４ｃ及び配線パターン４ｅを含んでいる。配線パターン４ｅは、図１において右側に配置されている導体パッド４ａ１と導体パッド４ｂ１とを接続している。 The conductor layer 41 includes a conductor pad 4a1 and a conductor pad 4b1 formed on the surface 32a of the insulating layer 32, and a conductor pattern 4c and a wiring pattern 4e which are conductor patterns other than the conductor pad 4a1. The wiring pattern 4e connects the conductor pad 4a1 and the conductor pad 4b1 arranged on the right side in FIG.

一方、導体層４２は、絶縁層３３の表面３３ａに形成されている導体パッド４ａ２及び導体パッド４ｂ２、並びに、導体パッド４ａ２以外の導体パターンである導体パターン４ｄを含んでいる。 On the other hand, the conductor layer 42 includes a conductor pad 4a2 and a conductor pad 4b2 formed on the surface 33a of the insulating layer 33, and a conductor pattern 4d that is a conductor pattern other than the conductor pad 4a2.

実施形態の説明では、配線基板１の厚さ方向において絶縁層２から遠い側は、「外側」、「上側」もしくは「上方」、又は単に「上」とも称され、絶縁層２に近い側は、「内側」、「下側」もしくは「下方」、又は単に「下」とも称される。さらに、各導体層、各導体パッド、各導体パターン、及び各絶縁層において、絶縁層２と反対側を向く表面は「上面」とも称され、絶縁層２側を向く表面は「下面」とも称される。また、絶縁層２の厚さ方向、すなわち配線基板１の厚さ方向は「Ｚ方向」とも称される。 In the description of the embodiments, the side farther from the insulating layer 2 in the thickness direction of the wiring board 1 is also called "outer", "upper" or "upper", or simply "upper", and the side closer to the insulating layer 2 is , "inner", "lower" or "lower", or simply "lower". Furthermore, in each conductor layer, each conductor pad, each conductor pattern, and each insulating layer, the surface facing away from the insulating layer 2 is also referred to as the "upper surface", and the surface facing the insulating layer 2 is also referred to as the "lower surface". be done. Further, the thickness direction of the insulating layer 2, that is, the thickness direction of the wiring board 1 is also referred to as the "Z direction".

スルーホール導体５１は、貫通孔１ｂの内壁上に形成されていて貫通孔１ｂの内壁を覆っている。図１の例においてスルーホール導体５１は、貫通孔１ｂの内壁を略全面的に覆う膜状の導電体からなる。スルーホール導体５１は、中空部を備えた筒状の形体を有している。スルーホール導体５１は、Ｚ方向に沿っていて磁性体７に覆われている外周側面を有している。スルーホール導体５１の外周側面は貫通孔１ｂの内壁すなわち磁性体７に接している。 The through-hole conductor 51 is formed on the inner wall of the through hole 1b and covers the inner wall of the through hole 1b. In the example of FIG. 1, the through-hole conductor 51 is made of a film-like conductor covering substantially the entire inner wall of the through-hole 1b. Through-hole conductor 51 has a tubular shape with a hollow portion. The through-hole conductor 51 has an outer peripheral side surface along the Z direction and covered with the magnetic material 7 . The outer peripheral side surface of the through-hole conductor 51 is in contact with the inner wall of the through-hole 1b, that is, the magnetic body 7. As shown in FIG.

スルーホール導体５１の内部は樹脂体６で充填されており、スルーホール導体５２の内部は樹脂体６１で充填されている。すなわち、図１の配線基板１は、さらに、貫通孔１ｂのうちのスルーホール導体５１に占められていない領域を充填する樹脂体６、及び、貫通孔１ｃのうちのスルーホール導体５２に占められていない領域を充填する樹脂体６１を含んでいる。 The inside of the through-hole conductor 51 is filled with the resin body 6 and the inside of the through-hole conductor 52 is filled with the resin body 61 . That is, the wiring board 1 of FIG. 1 is further occupied by the resin body 6 filling the area of the through hole 1b not occupied by the through hole conductor 51, and by the through hole conductor 52 of the through hole 1c. It includes a resin body 61 that fills the unfilled areas.

スルーホール導体５２は、貫通孔１ｃの内壁上に形成されていて貫通孔１ｃの内壁を覆っている。スルーホール導体５２は貫通孔１ｃの内壁に露出する絶縁層２の上に形成されている。図１の例においてスルーホール導体５２は、貫通孔１ｃの内壁を略全面的に覆う膜状の導電体からなる。スルーホール導体５２も、中空部を備えた筒状の形体を有している。スルーホール導体５２は、Ｚ方向に沿っていて絶縁層２に覆われている外周側面を有しており、その外周側面は貫通孔１ｃの内壁すなわち絶縁層２に接している。 The through-hole conductor 52 is formed on the inner wall of the through hole 1c and covers the inner wall of the through hole 1c. The through-hole conductor 52 is formed on the insulating layer 2 exposed on the inner wall of the through-hole 1c. In the example of FIG. 1, the through-hole conductor 52 is made of a film-like conductor covering substantially the entire inner wall of the through-hole 1c. Through-hole conductor 52 also has a cylindrical shape with a hollow portion. The through-hole conductor 52 has an outer peripheral side surface that extends in the Z direction and is covered with the insulating layer 2 , and the outer peripheral side surface is in contact with the inner wall of the through hole 1 c, that is, the insulating layer 2 .

スルーホール導体５１、５２、樹脂体６、並びに磁性体７は、それぞれ、Ｚ方向と直交する断面において、例えば略円環形、又は略円形などの任意の断面形状を有し得る。従って、スルーホール導体５１、５２、樹脂体６、並びに磁性体７は、円柱状又は円筒状の形状を有し得る。しかし、本実施形態において、各スルーホール導体、樹脂体６、並びに磁性体７は、任意の断面形状を有する柱状体又は筒状体であり得る。 The through-hole conductors 51 and 52, the resin body 6, and the magnetic body 7 can each have any cross-sectional shape, such as a substantially circular ring shape or a substantially circular shape, in a cross section perpendicular to the Z direction. Therefore, the through-hole conductors 51 and 52, the resin body 6, and the magnetic body 7 can have columnar or cylindrical shapes. However, in the present embodiment, each through-hole conductor, resin body 6, and magnetic body 7 can be columnar bodies or cylindrical bodies having arbitrary cross-sectional shapes.

絶縁層２、絶縁層３２、及び絶縁層３３は、それぞれ、任意の絶縁性樹脂によって形成されている。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、又はフェノール樹脂などが例示される。これら絶縁性樹脂を用いて形成される各絶縁層は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよい。 The insulating layer 2, the insulating layer 32, and the insulating layer 33 are each made of any insulating resin. Examples of the insulating resin include epoxy resin, bismaleimide triazine resin (BT resin), and phenol resin. Each insulating layer formed using these insulating resins may contain an inorganic filler such as silica.

図１の例では、絶縁層２は補強材（芯材）２１を含んでいる。従って、絶縁層２は、補強材２１及び補強材２１に含侵されている上述のエポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂のような樹脂を含んでいる。補強材２１としては、例えばガラス繊維、アラミド繊維、アラミド不織布などが例示されるが、補強材２１はこれらに限定されない。一方、図１の例では、絶縁層３２及び絶縁層３３は補強材を含んでいない。すなわち、絶縁層３２及び絶縁層３３は、補強材に含侵されていない樹脂によって構成されている。しかし、実施形態の配線基板１において、絶縁層２が補強材２１を含んでいなくてもよく、絶縁層３２及び絶縁層３３が上述したガラス繊維などからなる補強材を含んでいてもよい。 In the example of FIG. 1 , the insulating layer 2 includes a reinforcing material (core material) 21 . Therefore, the insulating layer 2 includes the reinforcing material 21 and the resin impregnated in the reinforcing material 21, such as the aforementioned epoxy resin, BT resin, or phenolic resin. Examples of the reinforcing material 21 include glass fiber, aramid fiber, and aramid nonwoven fabric, but the reinforcing material 21 is not limited to these. On the other hand, in the example of FIG. 1, the insulating layers 32 and 33 do not contain reinforcing material. That is, the insulating layer 32 and the insulating layer 33 are made of resin that is not impregnated with the reinforcing material. However, in the wiring board 1 of the embodiment, the insulating layer 2 may not contain the reinforcing material 21, and the insulating layers 32 and 33 may contain the above-described reinforcing material made of glass fiber or the like.

導体パッド４ａ１及び導体パッド４ｂ１を含む導体層４１、導体パッド４ａ２及び導体パッド４ｂ２を含む導体層４２、スルーホール導体５１、並びにスルーホール導体５２は、適切な導電性を有する任意の金属で形成されている。これら各導体層及び各スルーホール導体を形成する金属としては、銅やニッケルなどが例示される。しかし、各導体層及び各スルーホール導体を形成する金属は、これらに限定されない。 The conductor layer 41 including the conductor pad 4a1 and the conductor pad 4b1, the conductor layer 42 including the conductor pad 4a2 and the conductor pad 4b2, the through-hole conductor 51, and the through-hole conductor 52 are formed of any metal having appropriate conductivity. ing. Examples of metals forming these conductor layers and through-hole conductors include copper and nickel. However, metals forming each conductor layer and each through-hole conductor are not limited to these.

導体層４１及び導体層４２、スルーホール導体５１、並びにスルーホール導体５２は、無電解めっき膜又はスパッタリング膜、及び、電解めっき膜などで構成される多層構造を有し得る。図１の例では、導体層４１は金属膜４０（下層膜）及び金属膜４１ａ（上層膜）を含んでいる。導体層４２は金属膜４０（下層膜）及び金属膜４２ａ（上層膜）を含んでいる。スルーホール導体５１は、導体パッド４ａ１を構成する金属膜４０及び導体パッド４ａ２を構成する金属膜４０と一体的に形成されている。スルーホール導体５２は、導体パッド４ｂ１を構成する金属膜４０及び導体パッド４ｂ２を構成する金属膜４０と一体的に形成されている。金属膜４０、スルーホール導体５１、５２、並びに、金属膜４１ａ、４２ａそれぞれは、後述されるように、さらに多層構造を有し得る。 The conductor layers 41 and 42, the through-hole conductors 51, and the through-hole conductors 52 may have a multi-layer structure composed of electroless plated films or sputtered films, electrolytic plated films, and the like. In the example of FIG. 1, the conductor layer 41 includes a metal film 40 (lower layer film) and a metal film 41a (upper layer film). The conductor layer 42 includes a metal film 40 (lower layer film) and a metal film 42a (upper layer film). The through-hole conductor 51 is formed integrally with the metal film 40 forming the conductor pad 4a1 and the metal film 40 forming the conductor pad 4a2. The through-hole conductor 52 is formed integrally with the metal film 40 forming the conductor pad 4b1 and the metal film 40 forming the conductor pad 4b2. Each of the metal film 40, the through-hole conductors 51 and 52, and the metal films 41a and 42a may further have a multi-layer structure as described later.

スルーホール導体５１又はスルーホール導体５２の内部を充填する樹脂体６、６１は、スルーホール導体５１、５２それぞれの内部を満たし得る任意の材料で形成され得る。樹脂体６、６１は、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、及びフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を含み得るが、樹脂体６、６１の材料はこれらに限定されない。また、樹脂体６、６１は、銀粒子などの導電性粒子とエポキシ樹脂などとを含む導電性樹脂を含んでいてもよい。 The resin bodies 6 and 61 that fill the insides of the through-hole conductors 51 and 52 can be made of any material that can fill the insides of the through-hole conductors 51 and 52, respectively. The resin bodies 6 and 61 may contain, for example, insulating resin such as epoxy resin, acrylic resin, and phenolic resin, but the material of the resin bodies 6 and 61 is not limited to these. Moreover, the resin bodies 6 and 61 may contain a conductive resin containing conductive particles such as silver particles and an epoxy resin.

樹脂体６又は樹脂体６１によって、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃのうちのスルーホール導体５１又はスルーホール導体５２に占められていない空き領域が埋められる。そのため、絶縁層２が多層配線基板の一部（例えばコア基板）として用いられる場合に、各スルーホール導体の真上にビア導体（図示せず）を形成することができる。また、樹脂体６、６１によって、スルーホール導体５１、５２と絶縁層２との間に生じがちな熱応力が軽減されることがある。 The resin body 6 or the resin body 61 fills the empty areas of the through-holes 1b and 1c that are not occupied by the through-hole conductors 51 or 52 . Therefore, when the insulating layer 2 is used as part of a multilayer wiring board (for example, a core board), via conductors (not shown) can be formed right above each through-hole conductor. Also, the resin bodies 6 and 61 may reduce thermal stress that tends to occur between the through-hole conductors 51 and 52 and the insulating layer 2 .

磁性体７は、少なくとも、絶縁層２よりも磁性を帯び易い材料を含んでいる。磁性体７は、例えば、鉄、酸化鉄、コバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料を含んでいる。磁性体７は、これらの強磁性を示す材料の他に、エポキシ樹脂又はウレタン樹脂などの樹脂材料を含み得る。例えば磁性体７は、磁性粒子（磁性フィラー）とエポキシ樹脂とを含み得る。磁性粒子としては、前述した酸化鉄、コバルト又はニッケルなどの強磁性を示す金属の粒子が例示される。 The magnetic body 7 contains at least a material that is more easily magnetized than the insulating layer 2 . The magnetic body 7 contains a material exhibiting ferromagnetism, such as iron, iron oxide, cobalt, or nickel. The magnetic body 7 may contain a resin material such as an epoxy resin or a urethane resin in addition to these ferromagnetic materials. For example, the magnetic body 7 may contain magnetic particles (magnetic filler) and epoxy resin. The magnetic particles are exemplified by metal particles exhibiting ferromagnetism, such as iron oxide, cobalt, and nickel.

貫通孔１ａを充填する磁性体７は、磁性体７を貫く貫通孔１ｂ内に形成されているスルーホール導体５１の側面を覆っている。強磁性を示す材料を含む磁性体７でスルーホール導体５１の側面が覆われるので、スルーホール導体５１に電流が流れると、その周囲には高い密度で磁束が生じ得る。従ってスルーホール導体５１を用いて、高いインダクタンスを有するインダクタを配線基板１に形成することができる。 The magnetic material 7 that fills the through hole 1 a covers the side surface of the through hole conductor 51 that is formed in the through hole 1 b penetrating the magnetic material 7 . Since the side surface of the through-hole conductor 51 is covered with the magnetic material 7 containing a material exhibiting ferromagnetism, when a current flows through the through-hole conductor 51, a high-density magnetic flux can be generated around it. Therefore, an inductor having a high inductance can be formed on the wiring board 1 using the through-hole conductors 51 .

図１に示されるように、本実施形態では、貫通孔１ｂは絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通している。さらに、貫通孔１ｂの内部に形成されているスルーホール導体５１も、絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通している。そして、スルーホール導体５１と連結されている導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの表面に形成されている。すなわち、導体パッド４ａ１は、スルーホール導体５１の側面を覆っている磁性体７の端面７ａ上には直接形成されておらず、及び導体パッド４ａ２も磁性体７の端面７ｂ上には直接形成されていない。導体パッド４ａ１は、絶縁層３２を介して磁性体７の端面７ａの上に形成されている。導体パッド４ａ２は、絶縁層３３を介して磁性体７の端面７ｂの上に形成されている。本実施形態では、このように導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２が磁性体７の上に直接形成されていない。そのため、スルーホール導体５１に連結されている第１導体パッド（導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２）のその下地からの剥がれが防止されると考えられる。その理由が以下に説明される。 As shown in FIG. 1, the through hole 1b penetrates the insulating layers 32 and 33 in this embodiment. Furthermore, the through-hole conductor 51 formed inside the through-hole 1 b also penetrates the insulating layers 32 and 33 . Conductive pads 4a1 and 4a2 connected to the through-hole conductors 51 are formed on the surfaces of the insulating layers 32 and 33, respectively. That is, the conductor pad 4a1 is not formed directly on the end surface 7a of the magnetic body 7 covering the side surface of the through-hole conductor 51, and the conductor pad 4a2 is also directly formed on the end surface 7b of the magnetic body 7. not The conductor pad 4a1 is formed on the end face 7a of the magnetic body 7 with the insulating layer 32 interposed therebetween. The conductor pad 4a2 is formed on the end face 7b of the magnetic body 7 with the insulating layer 33 interposed therebetween. In this embodiment, the conductor pads 4a1 and 4a2 are not directly formed on the magnetic body 7 as described above. Therefore, it is considered that the first conductor pads (the conductor pads 4a1 and 4a2) connected to the through-hole conductors 51 are prevented from peeling off from the base. The reason is explained below.

導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２は、絶縁層２や絶縁層３２及び絶縁層３３などの絶縁層に対する密着性と同様の密着性を、磁性体７に対して有し得ないことがある。例えば、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２のうち、その下地と接する部分（後に参照する図２の例では最下層である下層金属膜５０１）が無電解めっきで形成される場合、無電解めっきの前には、被めっき表面へのパラジウムなどの触媒の吸着性を向上させるために、被めっき表面の電荷を調整する活性化処理が行われる。磁性体７のような強磁性材料を含む磁性体の表面及び絶縁層２のような樹脂体の表面の上に無電解めっき膜が形成される場合、磁性体の表面が適切に活性化されず、触媒が十分な密着強度で磁性体の表面に付着しないことがある。その結果、十分でない密着強度で磁性体の表面に付着した触媒の周囲に析出する無電解めっき膜と磁性体との間に十分な密着強度が得られないことがある。そのため、無電解めっき膜と、その下地（磁性体）との間で、外力や熱応力などによって剥離が生じることがある。 The conductor pads 4 a 1 and 4 a 2 may not have the same adhesion to the magnetic body 7 as to the insulation layers such as the insulation layer 2 , the insulation layers 32 , and the insulation layers 33 . For example, when the portions of the conductor pads 4a1 and 4a2 that are in contact with the base (lower layer metal film 501, which is the lowest layer in the example of FIG. 2 to be referred to later) are formed by electroless plating, before electroless plating In order to improve the adsorptivity of a catalyst such as palladium to the surface to be plated, activation treatment is performed to adjust the charge on the surface to be plated. When an electroless plated film is formed on the surface of a magnetic body containing a ferromagnetic material such as the magnetic body 7 and the surface of a resin body such as the insulating layer 2, the surface of the magnetic body is not properly activated. , the catalyst may not adhere to the surface of the magnetic material with sufficient adhesion strength. As a result, sufficient adhesion strength may not be obtained between the electroless plated film deposited around the catalyst adhering to the surface of the magnetic body and the magnetic body due to insufficient adhesion strength. Therefore, there are cases where peeling occurs between the electroless plated film and its underlying layer (magnetic material) due to external force, thermal stress, or the like.

これに対して本実施形態では、前述したように、磁性体７を貫くスルーホール導体５１に連結されている第１導体パッド（導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２）は、磁性体７及び絶縁層２を覆う絶縁層３２又は絶縁層３３の上に形成されている。導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２を構成する金属膜４０は、適切に活性化処理された絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａの上に十分な強度で付着した触媒の周囲に形成される。従って、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２が、絶縁層３２又は絶縁層３３を介して、磁性体７との間に十分な密着強度を有し得る。従って、本実施形態では、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２における下地（絶縁層３２及び絶縁層３３並びにそれらの下側の磁性体７）からの剥離は生じ難い。そのため、本実施形態では、導体パッド４ａ１及び導体パッド４ａ２の剥がれが抑制され、配線基板１の品質が向上すると考えられる。 On the other hand, in the present embodiment, as described above, the first conductor pads (the conductor pads 4a1 and 4a2) connected to the through-hole conductors 51 penetrating the magnetic body 7 are connected to the magnetic body 7 and the insulating layer 2. is formed on the insulating layer 32 or the insulating layer 33 covering the . The metal film 40 forming the conductor pads 4a1 and 4a2 is formed around the catalyst adhered with sufficient strength on the surface 32a of the insulation layer 32 and the surface 33a of the insulation layer 33 which have been properly activated. be. Therefore, the conductor pads 4a1 and 4a2 can have sufficient adhesion strength with the magnetic body 7 via the insulating layer 32 or the insulating layer 33. FIG. Therefore, in the present embodiment, peeling of the conductive pads 4a1 and 4a2 from the underlying layers (the insulating layers 32 and 33 and the magnetic material 7 thereunder) is unlikely to occur. Therefore, in the present embodiment, peeling of the conductor pads 4a1 and 4a2 is suppressed, and the quality of the wiring board 1 is considered to be improved.

なお、貫通孔１ｂ内では、スルーホール導体５１が磁性体７の側面上に形成されている。しかし、貫通孔１ｂ内に、剥離の起点となるようなスルーホール導体５１の縁部は存在しない。しかもスルーホール導体５１は、絶縁層３２又は絶縁層３３と良好に密着する絶縁層３２上又は絶縁層３３上の金属膜４０と連結されている。そのため、熱などによるスルーホール導体５１のＺ方向の伸縮が制限される。また、スルーホール導体５１における、Ｚ方向と直交し且つ側面に沿う方向（周方向）の伸縮は、筒状の形体のために自ずと制限される。さらに、磁性体７から離間する方向へのスルーホール導体５１の挙動は、図１の例では、樹脂体６によって制限されることがある。そのため、配線基板１において、磁性体７からのスルーホール導体５１の剥離は生じ難いと考えられる。 A through-hole conductor 51 is formed on the side surface of the magnetic body 7 in the through-hole 1b. However, there is no edge portion of the through-hole conductor 51 in the through-hole 1b, which can be the starting point of peeling. Moreover, the through-hole conductor 51 is connected to the metal film 40 on the insulating layer 32 or the insulating layer 33 that is in good contact with the insulating layer 32 or the insulating layer 33 . Therefore, expansion and contraction of the through-hole conductor 51 in the Z direction due to heat or the like is restricted. In addition, expansion and contraction of the through-hole conductor 51 in the direction (circumferential direction) perpendicular to the Z direction and along the side surface is naturally limited due to the cylindrical shape. Furthermore, the behavior of the through-hole conductor 51 in the direction away from the magnetic body 7 may be restricted by the resin body 6 in the example of FIG. Therefore, it is considered that the through-hole conductor 51 is unlikely to be peeled off from the magnetic body 7 in the wiring board 1 .

図１に例示の配線基板１では、貫通孔１ｃも絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通しており、さらに、貫通孔１ｃの内部に形成されているスルーホール導体５２も、絶縁層３２及び絶縁層３３を貫通している。そして、スルーホール導体５２と連結されている導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２は絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの表面に形成されている。すなわち、スルーホール導体５２は磁性体７のような磁性体を貫かずに絶縁層２を直接貫いているが、スルーホール導体５２と連結されている第２導体パッド（導体パッド４ｂ１及び導体パッド４ｂ２）は、絶縁層３２の表面３２ａの上、又は絶縁層３３の表面３３ａの上に形成されている。そのため、導体パッド４ａ１又は導体パッド４ａ２と導体パッド４ｂ１又は導体パッド４ｂ２とを接続する例えば配線パターン４ｅのような導体パターンが、絶縁層３２又は絶縁層３３の有無による段差を跨がずに形成され得る。従って、配線パターン４ｅのような導体パターンにクラックなどが生じ難いと考えられる。 In the wiring board 1 illustrated in FIG. 1, the through-hole 1c also penetrates the insulating layer 32 and the insulating layer 33, and the through-hole conductor 52 formed inside the through-hole 1c also passes through the insulating layer 32 and the insulating layer. It penetrates layer 33 . Conductive pads 4b1 and 4b2 connected to the through-hole conductors 52 are formed on the surfaces of the insulating layers 32 and 33, respectively. That is, the through-hole conductor 52 directly penetrates the insulating layer 2 without penetrating the magnetic material such as the magnetic material 7, but the second conductor pads (the conductor pad 4b1 and the conductor pad 4b2) connected to the through-hole conductor 52 ) is formed on the surface 32 a of the insulating layer 32 or on the surface 33 a of the insulating layer 33 . Therefore, a conductor pattern such as the wiring pattern 4e connecting the conductor pad 4a1 or the conductor pad 4a2 and the conductor pad 4b1 or the conductor pad 4b2 is formed without straddling the step due to the presence or absence of the insulating layer 32 or the insulating layer 33. obtain. Therefore, it is considered that cracks or the like are less likely to occur in a conductor pattern such as the wiring pattern 4e.

さらに、図１の配線基板１では、導体層４１に含まれる導体パターンの全部が、絶縁層２の第１面２ａ又は磁性体７の端面７ａの上ではなく、絶縁層３２の上に形成されている。同様に、導体層４２に含まれる導体パターンの全部が、絶縁層２の第２面２ｂ又は磁性体７の端面７ｂの上ではなく、絶縁層３３の上に形成されている。導体層４１及び導体層４２が含む導体パターンのいずれもが、絶縁層３２又は絶縁層３３の有無による段差を跨いで形成されていないので、導体パターンのクラックなどが生じ難いと考えられる。 Furthermore, in the wiring board 1 of FIG. 1, all of the conductor patterns included in the conductor layer 41 are formed on the insulating layer 32, not on the first surface 2a of the insulating layer 2 or the end surface 7a of the magnetic body 7. ing. Similarly, all of the conductor patterns included in the conductor layer 42 are formed on the insulating layer 33, not on the second surface 2b of the insulating layer 2 or the end surface 7b of the magnetic body 7. FIG. Since neither the conductor pattern included in the conductor layer 41 nor the conductor layer 42 is formed across the step due to the presence or absence of the insulating layer 32 or the insulating layer 33, cracks or the like in the conductor pattern are unlikely to occur.

前述したように、図１の例では、絶縁層２は補強材２１を含み、絶縁層３２、３３は補強材を含んでいない。配線基板１が多層配線基板のコア基板として用いられる場合に、補強材２１を含む絶縁層２によって適切な剛性が提供されると考えられる。一方、補強材を含まない絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの表面３２ａ、３３ａには、金属箔を介することなく良好な密着性を有する無電解めっき膜が形成され得る。従って、金属箔を用いないセミアディティブ法によって、微細な配線パターンを有する導体層４１及び導体層４２が形成されると考えられる。 As described above, in the example of FIG. 1, insulating layer 2 includes reinforcing material 21 and insulating layers 32 and 33 do not include reinforcing material. When the wiring board 1 is used as a core substrate of a multilayer wiring board, it is considered that the insulating layer 2 including the reinforcing material 21 provides appropriate rigidity. On the other hand, on the surfaces 32a and 33a of the insulating layer 32 and the insulating layer 33 that do not contain the reinforcing material, an electroless plated film having good adhesion can be formed without the interposition of the metal foil. Therefore, it is considered that the conductor layers 41 and 42 having fine wiring patterns are formed by a semi-additive method that does not use metal foil.

図２及び図３を参照して、スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２がさらに説明される。図２及び図３には、図１のII部及びIII部の拡大図が示されている。 Through-hole conductor 51 and through-hole conductor 52 are further described with reference to FIGS. 2 and 3 show enlarged views of parts II and III of FIG.

図２及び図３に示されるように、スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２は、それぞれ、下層金属膜５０１と、下層金属膜５０１上に形成された上層金属膜５０２とを含んでいる。上層金属膜５０２は、例えば電解めっきで形成されためっき膜である。下層金属膜５０１は、上層金属膜５０２が電解めっきによって形成される際に給電層として機能する。下層金属膜５０１は、例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどで形成される。しかし、スルーホール導体５１、５２は、無電解めっきによって形成された金属膜だけを含んでいてもよい。 As shown in FIGS. 2 and 3, through-hole conductors 51 and through-hole conductors 52 each include a lower metal film 501 and an upper metal film 502 formed on lower metal film 501 . The upper metal film 502 is a plated film formed by electrolytic plating, for example. The lower metal film 501 functions as a power supply layer when the upper metal film 502 is formed by electroplating. The lower metal film 501 is formed by, for example, electroless plating or sputtering. However, the through-hole conductors 51 and 52 may contain only metal films formed by electroless plating.

スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２は、それぞれ、絶縁層３２上の金属膜４０及び絶縁層３３上の金属膜４０と一体的に形成されている。そのため、金属膜４０も、下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２を含む２層構造を有している。絶縁層３２の上の上層金属膜５０２上に金属膜４１ａが形成されている。一方、絶縁層３３の上の上層金属膜５０２上に金属膜４２ａが形成されている。樹脂体６における絶縁層３２側の端面が金属膜４１ａに覆われており、絶縁層３３側の端面が金属膜４２ａに覆われている。金属膜４１ａ及び金属膜４２ａは、スルーホール導体５１、５２それぞれに対する所謂蓋めっき膜である。金属膜４１ａ及び金属膜４２ａが形成されているので、後述されるように絶縁層２が多層配線基板の一部として用いられる場合に、各スルーホール導体と、その真上に形成されるビア導体（図示せず）とが電気的に接続され得る。 The through-hole conductor 51 and the through-hole conductor 52 are formed integrally with the metal film 40 on the insulating layer 32 and the metal film 40 on the insulating layer 33, respectively. Therefore, the metal film 40 also has a two-layer structure including a lower metal film 501 and an upper metal film 502 . A metal film 41 a is formed on the upper metal film 502 on the insulating layer 32 . On the other hand, a metal film 42 a is formed on an upper metal film 502 on the insulating layer 33 . The end surface of the resin body 6 on the insulating layer 32 side is covered with a metal film 41a, and the end surface on the insulating layer 33 side is covered with a metal film 42a. The metal films 41a and 42a are so-called lid plating films for the through-hole conductors 51 and 52, respectively. Since the metal film 41a and the metal film 42a are formed, when the insulating layer 2 is used as a part of a multilayer wiring board, as will be described later, each through-hole conductor and the via conductor formed right thereabove. (not shown) can be electrically connected.

金属膜４１ａ及び金属膜４２ａは、それぞれ、下層金属膜４３１と、下層金属膜４３１上に形成された上層金属膜４３２とを含んでいる。上層金属膜４３２は、例えば電解めっきで形成されためっき膜である。下層金属膜４３１は、上層金属膜４３２が電解めっきによって形成される際に給電層として機能する。下層金属膜４３２は、例えば、無電解めっき又はスパッタリングなどで形成される。しかし、金属膜４１ａ及び金属膜４２ａは、それぞれ、無電解めっきによって形成された金属膜だけを含んでいてもよい。 The metal film 41 a and the metal film 42 a each include a lower metal film 431 and an upper metal film 432 formed on the lower metal film 431 . The upper metal film 432 is a plated film formed by electrolytic plating, for example. The lower metal film 431 functions as a power supply layer when the upper metal film 432 is formed by electroplating. The lower layer metal film 432 is formed by, for example, electroless plating or sputtering. However, the metal film 41a and the metal film 42a may respectively include only metal films formed by electroless plating.

図２及び図３の例では、導体層４１及び導体層４２は、それぞれ、４層構造を有し得る。すなわち、各導体層は、下層金属膜５０１、上層金属膜５０２、下層金属膜４３１、そして上層金属膜４３２によって構成されている。 In the examples of FIGS. 2 and 3, the conductor layers 41 and 42 may each have a four-layer structure. That is, each conductor layer is composed of a lower metal film 501 , an upper metal film 502 , a lower metal film 431 and an upper metal film 432 .

絶縁層３２は、導体層４１と、磁性体７及び絶縁層２との間に介在し、絶縁層３３は、導体層４２と、磁性体７及び絶縁層２との間に介在している。絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの厚さＴは、例えば、１５μｍ以上、５０μｍ以下である。 The insulating layer 32 is interposed between the conductor layer 41 and the magnetic material 7 and the insulating layer 2 , and the insulating layer 33 is interposed between the conductor layer 42 and the magnetic material 7 and the insulating layer 2 . Each thickness T of the insulating layer 32 and the insulating layer 33 is, for example, 15 μm or more and 50 μm or less.

図２の例では、絶縁層３２及び絶縁層３３は、前述したエポキシ樹脂などの樹脂３ａ及び樹脂３ａに添加されている無機フィラー３ｂを含んでいる。無機フィラー３ｂは、例えばシリカ、アルミナ、又はムライトなどである。一方、図２及び図３には図示されていないが、絶縁層２も、無機フィラー３ｂのようなフィラーを含み得る。本実施形態の配線基板１では、絶縁層３２及び絶縁層３３における無機フィラー３ｂの含有率は、絶縁層２における無機フィラーの含有率よりも高くてもよい。 In the example of FIG. 2, the insulating layer 32 and the insulating layer 33 contain the resin 3a such as the epoxy resin described above and the inorganic filler 3b added to the resin 3a. The inorganic filler 3b is silica, alumina, or mullite, for example. On the other hand, although not shown in FIGS. 2 and 3, the insulating layer 2 may also contain fillers such as inorganic fillers 3b. In the wiring board 1 of the present embodiment, the content of the inorganic filler 3 b in the insulating layers 32 and 33 may be higher than the content of the inorganic filler in the insulating layer 2 .

無機フィラー３ｂが多く含まれていると、樹脂３ａだけが含まれるよりも、絶縁層３２、３３が導体層４１、４２と近い熱膨張率を有し得ることがある。従って、絶縁層３２、３３が比較的多くの無機フィラー３ｂを含んでいると、熱応力による絶縁層３２、３３と導体層４１、４２との剥離が生じ難いことがある。なお、「絶縁層３２及び絶縁層３３における無機フィラー３ｂの含有率は、絶縁層２における無機フィラーの含有率よりも高（い）」は、絶縁層２が意図的に添加された無機フィラーを含まない場合に、絶縁層３２、３３が無機フィラー３ｂを含むことを含んでいる。このように本実施形態では、無機フィラーの含有率が異なる絶縁層同士（絶縁層２と、絶縁層３２及び絶縁層３３と）が直接積層されていてもよい。 When the inorganic filler 3b is contained in a large amount, the insulating layers 32 and 33 may have a coefficient of thermal expansion closer to that of the conductor layers 41 and 42 than when only the resin 3a is contained. Therefore, if the insulating layers 32, 33 contain a relatively large amount of the inorganic filler 3b, the insulating layers 32, 33 and the conductor layers 41, 42 may not easily separate from each other due to thermal stress. Note that "the content of the inorganic filler 3b in the insulating layer 32 and the insulating layer 33 is higher than the content of the inorganic filler in the insulating layer 2" means that the inorganic filler intentionally added to the insulating layer 2 is When not included, it includes that the insulating layers 32 and 33 include the inorganic filler 3b. As described above, in the present embodiment, the insulating layers (insulating layer 2, insulating layer 32, and insulating layer 33) having different inorganic filler contents may be directly laminated.

図２の例では、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａは、それぞれ、粗化された粗化面である。例えば表面３２ａ及び表面３３ａは、配線基板１の製造過程で粗化されていてもよく、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂよりも高い面粗度を有していてもよい。一方、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂは、配線基板１の製造過程で研磨された研磨面であってもよい。 In the example of FIG. 2, the surface 32a of the insulating layer 32 and the surface 33a of the insulating layer 33 are roughened surfaces. For example, the surfaces 32 a and 33 a may be roughened during the manufacturing process of the wiring board 1 and may have surface roughness higher than that of the first surface 2 a and the second surface 2 b of the insulating layer 2 . On the other hand, the first surface 2a and the second surface 2b of the insulating layer 2 may be polished surfaces polished during the manufacturing process of the wiring board 1 .

主に樹脂を含む絶縁層３２、３３の表面３２ａ及び表面３３ａそれぞれの上には、金属からなる導体層４１又は導体層４２が形成される。高い面粗度がもたらすアンカー効果によって、異種材料同士である導体層４１、４２と絶縁層３２、３３との密着性が向上すると考えられる。従って、導体層４１、４２と絶縁層３２、３３との間の剥離が一層生じ難いと考えられる。なお、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂの上には、絶縁層２と同様に樹脂を主に含む絶縁層３２又は絶縁層３３が積層されるので、アンカー効果が大きく作用しなくても、絶縁層２と、絶縁層３２及び絶縁層３３との間の剥離は生じ難いと考えられる。 A conductor layer 41 or a conductor layer 42 made of metal is formed on each of the surfaces 32a and 33a of the insulating layers 32 and 33 mainly containing resin. It is believed that the anchoring effect brought about by the high surface roughness improves the adhesion between the conductor layers 41 and 42 and the insulating layers 32 and 33, which are different materials. Therefore, it is considered that peeling between the conductor layers 41 and 42 and the insulating layers 32 and 33 is less likely to occur. On the first surface 2a and the second surface 2b of the insulating layer 2, the insulating layer 32 or the insulating layer 33 mainly containing a resin is laminated like the insulating layer 2, so that the anchoring effect is great. Even without the insulating layer 2, the insulating layers 32 and 33 are unlikely to be separated from each other.

図２に示されるように、貫通孔１ｂにおける磁性体７を貫く部分の内壁面１ｂａと、貫通孔１ｂにおける絶縁層３２又は絶縁層３３を貫く部分の内壁面１ｂｂとは略面一である。従って、スルーホール導体５１のクラック、特に下層金属膜５０１のクラックや破断などが生じ難いと考えられる。同様に、図３に示されるように、貫通孔１ｃにおける絶縁層２を貫く部分の内壁面１ｃａと、貫通孔１ｃにおける絶縁層３２又は絶縁層３３を貫く部分の内壁面１ｃｂとは略面一である。従って、スルーホール導体５２のクラック、特に下層金属膜５０１のクラックや破断などが生じ難いと考えられる。 As shown in FIG. 2, the inner wall surface 1ba of the portion of the through hole 1b that penetrates the magnetic body 7 and the inner wall surface 1bb of the portion that penetrates the insulating layer 32 or 33 of the through hole 1b are substantially flush with each other. Therefore, cracks in the through-hole conductors 51 , especially cracks and breaks in the lower metal film 501 are unlikely to occur. Similarly, as shown in FIG. 3, the inner wall surface 1ca of the portion of the through-hole 1c that penetrates the insulating layer 2 and the inner wall surface 1cb of the portion that penetrates the insulating layer 32 or 33 of the through-hole 1c are substantially flush with each other. is. Therefore, cracks in the through-hole conductors 52 , especially cracks and breaks in the lower metal film 501 are unlikely to occur.

なお、図１などに例示の配線基板１は、スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２を備えているが、実施形態の配線基板は、磁性体７を貫くスルーホール導体５１だけを備えていてもよい。 Note that the wiring board 1 illustrated in FIG. good.

つぎに、図４を参照して、図１に例示の実施形態と異なる他の実施形態が説明される。図４には、他の実施形態の一例である配線基板１０が示されている。図４に示されるように、配線基板１０は、コア基板１１と、ビルドアップ層１２と、ビルドアップ層１３とを備える多層配線基板である。コア基板１１は、図１に例示される一実施形態の配線基板１の絶縁層２、３２、３３、及び導体層４１、４２によって構成されている。絶縁層３２及び導体層４１の上にビルドアップ層１２が形成され、絶縁層３３及び導体層４２の上にビルドアップ層１３が形成されている。ビルドアップ層１２及びビルドアップ層１３は、それぞれ、コア基板１１上に積層されている１組以上の絶縁層及び導体層を含んでいる。 Another embodiment different from the embodiment illustrated in FIG. 1 will now be described with reference to FIG. FIG. 4 shows a wiring board 10 as an example of another embodiment. As shown in FIG. 4 , wiring board 10 is a multilayer wiring board including core substrate 11 , buildup layers 12 , and buildup layers 13 . The core substrate 11 is composed of the insulating layers 2, 32, 33 and conductor layers 41, 42 of the wiring substrate 1 of the embodiment illustrated in FIG. A buildup layer 12 is formed on the insulating layer 32 and the conductor layer 41 , and a buildup layer 13 is formed on the insulating layer 33 and the conductor layer 42 . Buildup layers 12 and buildup layers 13 each include one or more sets of insulating layers and conductor layers laminated on core substrate 11 .

図４の例においてビルドアップ層１２は、絶縁層３２の表面３２ａ上に積層されている絶縁層１４、絶縁層１４上に形成されている導体層１６、並びに、絶縁層１４及び導体層１６の上に交互に積層されている２つの絶縁層１５及び２つの導体層１７を含んでいる。ビルドアップ層１３は、絶縁層３３の表面３３ａ上に積層されている絶縁層１４、絶縁層１４上に形成されている導体層１６、並びに、絶縁層１４及び導体層１６の上に交互に積層されている２つの絶縁層１５及び２つの導体層１７を含んでいる。 In the example of FIG. 4, the buildup layer 12 includes the insulating layer 14 laminated on the surface 32a of the insulating layer 32, the conductor layer 16 formed on the insulating layer 14, and the insulating layer 14 and the conductor layer 16. It includes two insulating layers 15 and two conductive layers 17 alternately stacked thereon. The buildup layer 13 is alternately laminated on the insulating layer 14 laminated on the surface 33a of the insulating layer 33, the conductor layer 16 formed on the insulating layer 14, and the insulating layer 14 and the conductor layer 16. It includes two insulating layers 15 and two conductive layers 17 which are covered.

配線基板１０では、さらに、ビルドアップ層１２及びビルドアップ層１３それぞれの上に、ソルダーレジスト１９が形成されている。ソルダーレジスト１９には、ビルドアップ層１２、１３それぞれの最表層の導体層１７の一部を露出させる開口１９ａが設けられている。開口１９ａ内には、例えばはんだなどの導電性の材料を用いてバンプ１７ｂが形成されている。 In the wiring board 10 , a solder resist 19 is further formed on each of the buildup layers 12 and 13 . The solder resist 19 is provided with openings 19 a that expose portions of the outermost conductor layers 17 of the buildup layers 12 and 13 . A bump 17b is formed in the opening 19a using a conductive material such as solder.

また、ビルドアップ層１２、１３それぞれの絶縁層１４には、絶縁層１４を貫通するビア導体１８ａが形成されている。ビア導体１８ａは、絶縁層１４を挟む導体層４１又は導体層４２と、導体層１６とを接続している。さらに、ビルドアップ層１２、１３それぞれの絶縁層１５には、絶縁層１５を貫通するビア導体１８ｂが形成されている。ビア導体１８ｂは、絶縁層１５を挟む導体層１７同士、又は絶縁層１５を挟む導体層１６と導体層１７とを接続している。 Via conductors 18 a are formed through the insulating layer 14 of each of the buildup layers 12 and 13 . The via conductors 18 a connect the conductor layer 41 or the conductor layer 42 sandwiching the insulating layer 14 and the conductor layer 16 . Further, via conductors 18 b penetrating the insulating layer 15 are formed in the insulating layer 15 of each of the buildup layers 12 and 13 . The via conductors 18 b connect the conductor layers 17 sandwiching the insulating layer 15 or connect the conductor layers 16 and the conductor layers 17 sandwiching the insulating layer 15 .

絶縁層１４及び絶縁層１５は、絶縁層２、３２、３３と同様に、任意の絶縁性樹脂によって形成される。絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などが例示される。絶縁層１４、１５は、シリカなどの無機フィラーを含んでいてもよく、ガラス繊維やアラミド繊維などによる織布状又は不織布状の補強材を含んでいてもよい。 The insulating layers 14 and 15 are made of any insulating resin, like the insulating layers 2 , 32 and 33 . Examples of the insulating resin include epoxy resin, BT resin, and phenol resin. The insulating layers 14 and 15 may contain an inorganic filler such as silica, and may contain a woven fabric or nonwoven fabric reinforcing material such as glass fiber or aramid fiber.

導体層１６、１７は、銅又はニッケルなどの任意の金属によって形成される。導体層１６、１７それぞれは、金属箔、無電解めっき膜若しくはスパッタリング膜、及び／又は電解めっき膜などを含む多層構造を有し得る。また、導体層１６、１７は、それぞれ、任意の導体パターンを含み得る。ビルドアップ層１２、１３それぞれの最表層の導体層１７は、外部の電子部品や配線基板などが接続される接続パッド１７ａを含んでいる。接続パッド１７ａを露出させるようにソルダーレジスト層１９に開口１９ａが設けられており、接続パッド１７ａ上にバンプ１７ｂが形成されている。 The conductor layers 16, 17 are made of any metal such as copper or nickel. Each of the conductor layers 16, 17 may have a multi-layer structure including metal foils, electroless or sputtered films, and/or electrolytic plated films. Also, the conductor layers 16, 17 may each include any conductor pattern. The outermost conductor layer 17 of each of the buildup layers 12 and 13 includes connection pads 17a to which external electronic components, wiring boards, and the like are connected. An opening 19a is provided in the solder resist layer 19 so as to expose the connection pad 17a, and a bump 17b is formed on the connection pad 17a.

ビア導体１８ａ、１８ｂは、それぞれの上側の導体層１６又は導体層１７と一体的に形成されており、例えば無電解めっき膜及び電解めっき膜によって形成されている。図４の例では、一部のビア導体１８ａは、コア基板１１のスルーホール導体（スルーホール導体５１又はスルーホール導体５２）の上に積層されている。 The via conductors 18a and 18b are formed integrally with the conductor layer 16 or the conductor layer 17 on the respective upper sides, and are formed of, for example, an electroless plated film and an electrolytic plated film. In the example of FIG. 4, some of the via conductors 18a are laminated on the through-hole conductors (through-hole conductors 51 or 52) of the core substrate 11. In the example of FIG.

図４の例のように、磁性体７に側面を覆われたスルーホール導体５１を含む、絶縁層２と絶縁層３２と絶縁層３３との積層体は、多層配線基板のコア基板を構成していてもよい。絶縁層３、３２、３３、及び導体層４１、４２によって構成されるコア基板１１の両面それぞれには、３組よりも少ない、又は３組よりも多い、絶縁層及び導体層が積層されていてもよい。 As in the example of FIG. 4, the laminated body of the insulating layer 2, the insulating layer 32, and the insulating layer 33 including the through-hole conductor 51 whose side surface is covered with the magnetic material 7 constitutes the core substrate of the multilayer wiring substrate. may be Less than or more than three pairs of insulating layers and conductor layers are laminated on each of the two surfaces of the core substrate 11 composed of the insulating layers 3, 32, 33 and the conductor layers 41, 42. good too.

つぎに、図１の配線基板１の製造方法の一例が、図５Ａ～図５Ｋを参照して説明される。 Next, an example of a method of manufacturing the wiring board 1 of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 5A to 5K.

図５Ａに示されるように、配線基板１の絶縁層２を含む製品領域Ｐと、製品領域Ｐの周囲に設けられて配線基板１の製造工程で用いられる非製品領域ＮＰとを含む出発基板１００が用意される。例えば、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、又はフェノール樹脂などの樹脂と、ガラス繊維又はアラミド繊維などの補強材２１とを含む絶縁基板とその両面に積層された銅箔とを含む両面銅張積層板が用意される。そして、その銅箔が例えばエッチングで除去されることによって、出発基板１００が用意される。或いは、銅箔などを備えない樹脂基板が出発基板１００として用意されてもよい。上述の樹脂を含む出発基板１００は、例えばシリカ、アルミナ、又はムライトなどからなる無機フィラー（図示せず）を含んでいてもよい。 As shown in FIG. 5A, a starting substrate 100 including a product region P including an insulating layer 2 of a wiring board 1 and a non-product region NP provided around the product region P and used in the manufacturing process of the wiring board 1. is prepared. For example, a double-sided copper-clad laminate including an insulating substrate containing resin such as epoxy resin, BT resin, or phenolic resin, and reinforcing material 21 such as glass fiber or aramid fiber, and copper foil laminated on both sides thereof is prepared. be done. Then, the starting substrate 100 is prepared by removing the copper foil, for example, by etching. Alternatively, a resin substrate without copper foil or the like may be prepared as the starting substrate 100 . The starting substrate 100 containing the resin described above may contain an inorganic filler (not shown) made of, for example, silica, alumina, or mullite.

そして、図５Ａの例では、非製品領域ＮＰに１又は複数の第１基準孔Ｄ１が形成される。第１基準孔Ｄ１は、任意の位置基準（例えば出発基板１００の外形）を参照して、例えば、炭酸ガスレーザー光が照射されるレーザー加工、又はドリル加工などによって形成される。第１基準孔Ｄ１は、後工程における各種の処理や加工時の位置基準として用いられ得る。 Then, in the example of FIG. 5A, one or more first reference holes D1 are formed in the non-product area NP. The first reference hole D1 is formed by, for example, laser processing using carbon dioxide gas laser light, drilling, or the like, with reference to an arbitrary positional reference (for example, the outer shape of the starting substrate 100). The first reference hole D1 can be used as a positional reference during various processing and processing in subsequent steps.

図５Ｂに示されるように、出発基板１００の製品領域Ｐを構成する絶縁層２を貫通する貫通孔１ａ（第１貫通孔）が形成される。貫通孔１ａは、例えば非製品領域ＮＰ内の第１基準孔Ｄ１を参照して、スルーホール導体５１及び磁性体７（図１参照）が設けられるべき所定の位置に形成される。貫通孔１ａは、第１基準孔Ｄ１と同様に、例えば、炭酸ガスレーザー光が照射されるレーザー加工、又はドリル加工などによって形成される。 As shown in FIG. 5B, a through hole 1a (first through hole) is formed through the insulating layer 2 forming the product region P of the starting substrate 100 . The through-hole 1a is formed at a predetermined position where the through-hole conductor 51 and the magnetic body 7 (see FIG. 1) should be provided, for example, with reference to the first reference hole D1 in the non-product area NP. Like the first reference hole D1, the through hole 1a is formed by, for example, laser processing using a carbon dioxide gas laser beam, drilling, or the like.

図５Ｃに示されるように、貫通孔１ａの内部が磁性体７で充填される。貫通孔１ａの内壁面が磁性体７によって覆われる。例えば、鉄、酸化鉄、又はコバルト、又はニッケルなどの強磁性を示す材料からなる粒子を含むエポキシ樹脂又はウレタン樹脂などが、絶縁層２の第１面２ａ側、及び第１面２ａ側と反対側の第２面２ｂ側のいずれか又は両方から注入される。必要に応じて、第１面２ａ側及び第２面２ｂ側のうちの一方から供給されたエポキシ樹脂などが、貫通孔１ａを通じて他方から吸引されてもよい。貫通孔１ａ内に注入された強磁性材を含む樹脂は、必要に応じて加熱などによって固化される。その結果、貫通孔１ａ内を充填する磁性体７が形成される。 As shown in FIG. 5C, the inside of the through-hole 1a is filled with the magnetic material 7. As shown in FIG. The inner wall surface of the through hole 1a is covered with the magnetic material 7. As shown in FIG. For example, an epoxy resin or urethane resin containing particles made of a material exhibiting ferromagnetism such as iron, iron oxide, cobalt, or nickel is applied to the first surface 2a side of the insulating layer 2 and the side opposite to the first surface 2a side. from either or both sides of the second surface 2b. If necessary, epoxy resin or the like supplied from one of the first surface 2a side and the second surface 2b side may be sucked from the other through the through hole 1a. The resin containing the ferromagnetic material injected into the through hole 1a is solidified by heating or the like as necessary. As a result, the magnetic material 7 filling the inside of the through hole 1a is formed.

なお、図５Ｃの例では、第１基準孔Ｄ１は磁性体７で充填されていない。例えばマスキングなどによって、磁性体７による第１基準孔Ｄ１の充填を防ぐことができる。なお、第１基準孔Ｄ１は貫通孔１ａと共に磁性体７で充填されてもよい。 Note that the first reference hole D1 is not filled with the magnetic material 7 in the example of FIG. 5C. For example, masking or the like can prevent the magnetic material 7 from filling the first reference hole D1. The first reference hole D1 may be filled with the magnetic material 7 together with the through hole 1a.

磁性体７における絶縁層２の第１面２ａ側及び第２面２ｂ側それぞれの端面は、必要に応じて化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。磁性体７の端面の研磨の進行に伴って、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂも、磁性体７の端面と共に研磨されてもよい。磁性体７の両端面が平坦化されると共に、磁性体７の両端面それぞれと、第１面２ａ及び第２面２ｂとが、好ましくは略面一にされる。この研磨によって、磁性体７の両端面及び絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂが研磨面となり得る。 The end surfaces of the magnetic body 7 on the first surface 2a side and the second surface 2b side of the insulating layer 2 are polished by an arbitrary method such as chemical mechanical polishing, if necessary. The first surface 2a and the second surface 2b of the insulating layer 2 may be polished together with the end surface of the magnetic body 7 as the end surface of the magnetic body 7 is polished. Both end surfaces of the magnetic body 7 are flattened, and each of the both end surfaces of the magnetic body 7 and the first surface 2a and the second surface 2b are preferably substantially flush with each other. By this polishing, both end surfaces of the magnetic body 7 and the first surface 2a and the second surface 2b of the insulating layer 2 can be polished surfaces.

図５Ｄに示されるように、絶縁層２の第１面２ａ上に絶縁層３２が形成され、絶縁層２の第２面２ｂ上に絶縁層３３が形成される。磁性体７の端面７ａが絶縁層３２で覆われ、端面７ｂが絶縁層３３で覆われる。例えば、フィルム状に成形されたエポキシ樹脂が、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂに積層されて熱圧着される。その結果、絶縁層２の第１面２ａ上に絶縁層３２が形成され、第２面２ｂ上に絶縁層３３が形成される。例えば、ガラス繊維やアラミド繊維などからなる補強材を含まない絶縁層３２、３３が形成される。また、絶縁層３２、３３は、上述のエポキシ樹脂又はＢＴ樹脂などに添加された、シリカ、アルミナ、又はムライトなどからなる無機フィラーを含んでいてもよい。絶縁層３２及び絶縁層３３は、ＢＴ樹脂又はフェノール樹脂を絶縁層２の両面に供給することによって形成されてもよい。図５Ｄの例では、第１基準孔Ｄ１が、絶縁層３２及び／又は絶縁層３３を構成する樹脂によって充填されている。 As shown in FIG. 5D , an insulating layer 32 is formed on the first surface 2 a of the insulating layer 2 and an insulating layer 33 is formed on the second surface 2 b of the insulating layer 2 . An end face 7a of the magnetic body 7 is covered with an insulating layer 32, and an end face 7b is covered with an insulating layer 33. As shown in FIG. For example, a film-shaped epoxy resin is layered on the first surface 2a and the second surface 2b of the insulating layer 2 and thermocompression bonded. As a result, an insulating layer 32 is formed on the first surface 2a of the insulating layer 2, and an insulating layer 33 is formed on the second surface 2b. For example, insulating layers 32 and 33 that do not contain a reinforcing material made of glass fiber, aramid fiber, or the like are formed. Also, the insulating layers 32 and 33 may contain an inorganic filler made of silica, alumina, mullite, or the like added to the epoxy resin or BT resin described above. The insulating layer 32 and the insulating layer 33 may be formed by supplying BT resin or phenolic resin to both sides of the insulating layer 2 . In the example of FIG. 5D , the first reference hole D1 is filled with the resin forming the insulating layer 32 and/or the insulating layer 33 .

図５Ｅに示されるように、非製品領域ＮＰに、１又は複数の第２基準孔Ｄ２が形成される。第２基準孔Ｄ２は、貫通孔１ａを参照して位置決めが行われるレーザー加工又はドリル加工などによって形成される。貫通孔１ａは絶縁層３２及び絶縁層３３に覆われているので、例えばＸ線を用いて貫通孔１ａが認識されてもよい。貫通孔１ａは、前述したように絶縁層２と異なる鉄などを含む材料からなる磁性体７で充填されているので、貫通孔１ａを容易に認識することができる。貫通孔１ａを参照して位置決めを行うことによって、貫通孔１ａに対して正確な相対位置に第２基準孔Ｄ２が形成され得る。第２基準孔Ｄ２は、後工程、例えば、以下に説明される貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃの形成工程で位置決めの基準として用いられ得る。 As shown in FIG. 5E, one or more second reference holes D2 are formed in the non-product area NP. The second reference hole D2 is formed by laser processing, drilling, or the like in which positioning is performed with reference to the through hole 1a. Since the through hole 1a is covered with the insulating layer 32 and the insulating layer 33, the through hole 1a may be recognized using, for example, X-rays. Since the through-hole 1a is filled with the magnetic material 7 made of a material containing iron or the like, which is different from that of the insulating layer 2, as described above, the through-hole 1a can be easily recognized. By performing positioning with reference to the through hole 1a, the second reference hole D2 can be formed at an accurate relative position with respect to the through hole 1a. The second reference hole D2 can be used as a reference for positioning in a subsequent process, for example, the process of forming the through holes 1b and 1c described below.

図５Ｆに示されるように、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃが形成される。貫通孔１ｂはスルーホール導体５１（図１参照）が形成されるべき所定の位置、すなわち、貫通孔１ａ内の磁性体７を貫通する位置に形成される。貫通孔１ｃは、スルーホール導体５２（図１参照）が形成されるべき所定の位置に形成される。 As shown in FIG. 5F, through holes 1b and 1c are formed. Through-hole 1b is formed at a predetermined position where through-hole conductor 51 (see FIG. 1) is to be formed, that is, at a position penetrating magnetic body 7 in through-hole 1a. Through holes 1c are formed at predetermined positions where through-hole conductors 52 (see FIG. 1) are to be formed.

貫通孔１ｂ、１ｃは、貫通孔１ａと同様に、例えば、炭酸ガスレーザー光によるレーザー加工、又はドリル加工などによって形成される。貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃいずれの形成においても、第２基準孔Ｄ２が認識され、第２基準孔Ｄ２の位置に基づいて、貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃそれぞれを穿孔する位置が決定される。そのため、互いに対して正確な相対位置に貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃが形成され得る。また、第２基準孔Ｄ２に基づいて形成される貫通孔１ｂ及び貫通孔１ｃは、それぞれ、貫通孔１ａに対しても、正確な相対位置に形成され得る。 Like the through hole 1a, the through holes 1b and 1c are formed by, for example, laser processing using a carbon dioxide laser beam or drilling. In forming both the through holes 1b and 1c, the second reference hole D2 is recognized, and the positions for drilling the through holes 1b and 1c are determined based on the position of the second reference hole D2. Therefore, the through holes 1b and 1c can be formed at accurate relative positions with respect to each other. Also, the through holes 1b and 1c formed based on the second reference hole D2 can be formed at accurate relative positions with respect to the through hole 1a.

貫通孔１ｂ、１ｃの形成後、好ましくは、貫通孔１ｂ、１ｃ内の樹脂残渣（スミア）が、例えばアルカリ性過マンガン酸塩を含む溶液を用いるデスミア処理によって除去される。さらに、例えばデスミア処理と同様の化学処理によって、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａが粗化される。その結果、絶縁層３２の表面３２ａ及び絶縁層３３の表面３３ａが、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂよりも高い面粗度を有し得る。絶縁層３２及び絶縁層３３と、導体層４１及び導体層４２（図１参照）との良好な密着性が得られると考えられる。 After forming the through-holes 1b, 1c, resin residue (smear) in the through-holes 1b, 1c is preferably removed by desmearing, for example, using a solution containing alkaline permanganate. Furthermore, the surface 32a of the insulating layer 32 and the surface 33a of the insulating layer 33 are roughened by chemical treatment similar to desmear treatment, for example. As a result, the surface 32 a of the insulating layer 32 and the surface 33 a of the insulating layer 33 can have higher surface roughness than the first surface 2 a and the second surface 2 b of the insulating layer 2 . It is considered that good adhesion can be obtained between the insulating layers 32 and 33 and the conductor layers 41 and 42 (see FIG. 1).

図５Ｇに示されるように、スルーホール導体５１及びスルーホール導体５２が、貫通孔１ｂ内及び貫通孔１ｃ内にそれぞれ形成される。具体的には、下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２が、貫通孔１ｂ、１ｃそれぞれの内壁面に形成される。その結果、それぞれ２層の金属膜からなるスルーホール導体５１及びスルーホール導体５２が形成される。なお、図５Ｇには、図５Ｆに示されるＶＧ部に相当する部分におけるスルーホール導体５１、５２の形成後の状態が示されている。後に参照される図５Ｈ及び図５Ｉにも、図５Ｇに示される部分の各工程における状態が示されている。 As shown in FIG. 5G, through-hole conductors 51 and through-hole conductors 52 are formed in the through holes 1b and 1c, respectively. Specifically, a lower metal film 501 and an upper metal film 502 are formed on the inner wall surfaces of the through holes 1b and 1c, respectively. As a result, a through-hole conductor 51 and a through-hole conductor 52 each made of two layers of metal films are formed. Note that FIG. 5G shows the state after the through-hole conductors 51 and 52 are formed in the portion corresponding to the VG portion shown in FIG. 5F. FIGS. 5H and 5I, which will be referred to later, also show the state in each step of the portion shown in FIG. 5G.

下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は、それぞれ、絶縁層３２の表面３２ａの上、及び絶縁層３３の表面３３ａの上にも形成されている。絶縁層３２上の下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は導体層４１（図１参照）の一部を構成する。絶縁層３３上の下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は導体層４２（図１参照）の一部を構成する。下層金属膜５０１は、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。上層金属膜５０２は、例えば下層金属膜５０１を給電層として用いる電解めっきによって形成される。下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属で形成され得る。 The lower metal film 501 and the upper metal film 502 are also formed on the surface 32a of the insulating layer 32 and the surface 33a of the insulating layer 33, respectively. The lower metal film 501 and the upper metal film 502 on the insulating layer 32 form part of the conductor layer 41 (see FIG. 1). The lower metal film 501 and the upper metal film 502 on the insulating layer 33 form part of the conductor layer 42 (see FIG. 1). The lower metal film 501 is formed by sputtering or electroless plating, for example. The upper metal film 502 is formed, for example, by electrolytic plating using the lower metal film 501 as a power supply layer. The lower metal film 501 and the upper metal film 502 may be made of a suitable conductive metal such as copper or nickel.

図５Ｈに示されるように、スルーホール導体５１の内部が樹脂体６で充填され、スルーホール導体５２の内部が樹脂体６１で充填される。例えば、エポキシ、アクリル又はフェノールなどの樹脂が、絶縁層３２側及び絶縁層３３側のいずれか又は両方から、スルーホール導体５１、５２それぞれの内部に注入される。必要に応じて、絶縁層３２側及び絶縁層３３側のうちの一方から供給されたエポキシ樹脂などが他方から吸引されてもよい。各スルーホール導体の内部に注入された樹脂は、必要に応じて加熱などによって固化される。その結果、樹脂体６、６１が形成される。図示されていないが、樹脂体６、６１の形成時には、第２基準孔Ｄ２（図５Ｆ参照）が充填されないように第２基準孔Ｄ２がマスキングされてもよい。 As shown in FIG. 5H , the inside of the through-hole conductor 51 is filled with the resin body 6 and the inside of the through-hole conductor 52 is filled with the resin body 61 . For example, a resin such as epoxy, acrylic, or phenol is injected into the through-hole conductors 51 and 52 from either or both of the insulating layer 32 side and the insulating layer 33 side. If necessary, the epoxy resin or the like supplied from one of the insulating layer 32 side and the insulating layer 33 side may be sucked from the other. The resin injected into each through-hole conductor is solidified by heating or the like, if necessary. As a result, resin bodies 6 and 61 are formed. Although not shown, the second reference hole D2 (see FIG. 5F) may be masked so that the second reference hole D2 (see FIG. 5F) is not filled when the resin bodies 6 and 61 are formed.

必要に応じて、樹脂体６、６１における絶縁層３２側及び絶縁層３３側それぞれの端面が、化学機械研磨などの任意の方法で研磨される。樹脂体６、６１の両端面それぞれと、絶縁層３２及び絶縁層３３それぞれの上の上層金属膜５０２の表面とが、好ましくは略面一にされる。 If necessary, the end surfaces of the insulating layer 32 side and the insulating layer 33 side of the resin bodies 6 and 61 are polished by an arbitrary method such as chemical mechanical polishing. Both end surfaces of the resin bodies 6 and 61 and the surface of the upper metal film 502 on each of the insulating layers 32 and 33 are preferably substantially flush with each other.

図５Ｉに示されるように、絶縁層３２の表面３２ａ上に導体層４１が形成され、絶縁層３３の表面３３ａ上に導体層４２が形成される。具体的には、スルーホール導体５１及び／又はスルーホール導体５２と一体的に形成されている、絶縁層３２又は絶縁層３３の上の上層金属膜５０２の上に、下層金属膜４３１が形成される。さらに下層金属膜４３１上に上層金属膜４３２が形成される。下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は、絶縁層３２側及び絶縁層３３側それぞれにおいて、樹脂体６、６１の端面上にも形成される。樹脂体６、６１の両端面が、下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２に覆われる。下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２によって、スルーホール導体５１、５２それぞれに対する、所謂蓋めっきが形成される。 5I, a conductor layer 41 is formed on the surface 32a of the insulating layer 32, and a conductor layer 42 is formed on the surface 33a of the insulating layer 33. As shown in FIG. Specifically, the lower metal film 431 is formed on the upper metal film 502 on the insulating layer 32 or the insulating layer 33 integrally formed with the through-hole conductors 51 and/or the through-hole conductors 52 . be. Furthermore, an upper metal film 432 is formed on the lower metal film 431 . The lower metal film 431 and the upper metal film 432 are also formed on the end surfaces of the resin bodies 6 and 61 on the insulating layer 32 side and the insulating layer 33 side, respectively. Both end surfaces of the resin bodies 6 and 61 are covered with the lower metal film 431 and the upper metal film 432 . The lower layer metal film 431 and the upper layer metal film 432 form so-called lid plating for the through-hole conductors 51 and 52, respectively.

下層金属膜４３１は、例えばスパッタリングや無電解めっきによって形成される。上層金属膜４３２は、例えば下層金属膜４３１を給電層として用いる電解めっきによって形成される。下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は、銅やニッケルなどの適切な導電性を有する金属で形成され得る。絶縁層３２の表面３２ａ上に導体層４１が形成され、絶縁層３３の表面３３ａ上に導体層４２が形成される。導体層４１、４２は、それぞれ、絶縁層３２、３３上において、下層金属膜５０１、上層金属膜５０２、下層金属膜４３１、及び上層金属膜４３２からなる４層構造を有している。 The lower layer metal film 431 is formed by sputtering or electroless plating, for example. The upper metal film 432 is formed, for example, by electroplating using the lower metal film 431 as a power supply layer. The lower metal film 431 and the upper metal film 432 may be made of a suitable conductive metal such as copper or nickel. A conductor layer 41 is formed on the surface 32 a of the insulating layer 32 and a conductor layer 42 is formed on the surface 33 a of the insulating layer 33 . The conductor layers 41 and 42 have a four-layer structure consisting of a lower metal film 501, an upper metal film 502, a lower metal film 431 and an upper metal film 432 on the insulating layers 32 and 33, respectively.

図５Ｊに示されるように、導体層４１及び導体層４２それぞれの上に、導体層４１又は導体層４２が有するべき導体パターンに応じた開口Ｍ１を有するエッチングマスクＭが形成される。なお、図５Ｊ及び以下で参照される図５Ｋでは、図５Ｉに示される、絶縁層３２又は絶縁層３３の上の下層金属膜５０１及び上層金属膜５０２は、金属膜４０として１層で示されている。同様に、絶縁層３２の上の下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は金属膜４１ａとして、絶縁層３３の上の下層金属膜４３１及び上層金属膜４３２は金属膜４２ａとして、それぞれ１層で示されている。 As shown in FIG. 5J, an etching mask M having openings M1 corresponding to the conductor pattern that the conductor layer 41 or the conductor layer 42 should have is formed on each of the conductor layers 41 and 42 . 5J and FIG. 5K referred to below, the lower metal film 501 and the upper metal film 502 on the insulating layer 32 or the insulating layer 33 shown in FIG. ing. Similarly, the lower metal film 431 and the upper metal film 432 on the insulating layer 32 are shown as a metal film 41a, and the lower metal film 431 and the upper metal film 432 on the insulating layer 33 are shown as a metal film 42a. It is

開口Ｍ１は、開口Ｍ１に応じた開口を有する露光マスク（図示せず）を用いる露光及び現像によって設けられる。図示されない露光マスクの位置合わせは、好ましくは、第２基準孔Ｄ２を用いて行われる。すなわち、第２基準孔Ｄ２が認識され、第２基準孔Ｄ２の位置に基づいて、エッチングマスクＭとなるレジスト膜を介して、導体層４１、４２の上に露光マスクが位置づけられる。そのため、スルーホール導体５１、５２に対して正確な位置に開口Ｍ１が設けられ得る。導体層４１において導体パッド４ａ１及び導体パッド４ｂ１（図５Ｋ参照）などの導体パターンを構成する部分はエッチングマスクＭで覆われる。同様に、導体層４２において導体パッド４ａ２及び導体パッド４ｂ２（図５Ｋ参照）などの導体パターンを構成する領域は、エッチングマスクＭで覆われる。 The openings M1 are provided by exposure and development using an exposure mask (not shown) having openings corresponding to the openings M1. Alignment of the exposure mask (not shown) is preferably performed using the second reference hole D2. That is, the second reference hole D2 is recognized, and the exposure mask is positioned on the conductor layers 41 and 42 via the resist film serving as the etching mask M based on the position of the second reference hole D2. Therefore, openings M1 can be provided at accurate positions with respect to through-hole conductors 51 and 52 . The portions of the conductor layer 41 that form the conductor patterns, such as the conductor pads 4a1 and 4b1 (see FIG. 5K), are covered with an etching mask M. As shown in FIG. Similarly, areas of the conductor layer 42 that form conductor patterns such as the conductor pads 4a2 and 4b2 (see FIG. 5K) are covered with an etching mask M. As shown in FIG.

図５Ｋに示されるように、導体層４１及び導体層４２がパターニングされる。導体層４１及び導体層４２の不要部分、すなわちエッチングマスクＭの開口Ｍ１（図５Ｊ参照）に露出する部分が、例えばウェットエッチングやドライエッチングによって除去される。その結果、導体層４１に、導体パッド４ａ１、４ｂ１、配線パターン４ｅ、及び導体パターン４ｃ、などの所定の導体パターンが形成される。導体層４２に、導体パッド４ａ２、４ｂ２、及び導体パターン４ｄなどの所定の導体パターンが形成される。 As shown in FIG. 5K, the conductor layers 41 and 42 are patterned. Unnecessary portions of the conductor layers 41 and 42, that is, portions exposed in the openings M1 (see FIG. 5J) of the etching mask M are removed by wet etching or dry etching, for example. As a result, predetermined conductor patterns such as conductor pads 4 a 1 and 4 b 1 , wiring pattern 4 e and conductor pattern 4 c are formed on conductor layer 41 . Predetermined conductor patterns such as conductor pads 4 a 2 and 4 b 2 and a conductor pattern 4 d are formed on the conductor layer 42 .

導体層４１及び導体層４２のパターニング後、ルーターなどによって、非製品領域ＮＰが切除される。例えば以上の工程を経ることによって、図１の配線基板１が完成する。 After patterning the conductor layer 41 and the conductor layer 42, the non-product area NP is removed by a router or the like. For example, the wiring board 1 of FIG. 1 is completed through the above steps.

なお、先に参照した図４に例示の配線基板１０は、図５Ｋの状態の配線基板１の一面にビルドアップ層１２を形成すると共に、他面にビルドアップ層１３を形成することによって形成される。ビルドアップ層１２、１３それぞれは、例えば、フィルム状のエポキシ樹脂若しくはプリプレグなどの積層による絶縁層の形成と、アディティブ法又はサブトラクティブ法などの任意の方法による導体層及びビア導体の形成とを繰り返すことによって形成され得る。 The wiring board 10 illustrated in FIG. 4 referred to above is formed by forming the buildup layer 12 on one surface of the wiring board 1 in the state of FIG. 5K and forming the buildup layer 13 on the other surface. be. Each of the buildup layers 12 and 13 is formed by, for example, repeating the formation of an insulating layer by laminating a film-like epoxy resin or prepreg, and the formation of a conductor layer and a via conductor by an arbitrary method such as an additive method or a subtractive method. can be formed by

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。前述したように、実施形態の配線基板は、任意の数の導体層及び絶縁層を含み得る。各スルーホール導体の内部は中空でなくてもよく、各スルーホール導体の内部が樹脂体で充填されていなくてもよい。すなわち、各スルーホール導体はめっき金属などからなる柱状体であってもよい。導体層４１、４２は、金属膜４０だけで構成されていてもよい。すなわち、各スルーホール導体が所謂蓋めっきで覆われていなくてもよい。また、絶縁層３２、３３は、絶縁層２の第１面２ａ及び第２面２ｂそれぞれの全面に形成されずに磁性体７の端面上だけに形成されていてもよい。すなわち、磁性体を貫くスルーホール導体に連結されている導体パッドと磁性体との間だけに絶縁層３２、３３のような絶縁層が介在していてもよい。 The wiring substrates of the embodiments are not limited to those having the structures illustrated in each drawing, and the structures, shapes, and materials illustrated in this specification. As noted above, the wiring substrates of embodiments may include any number of conductor layers and insulating layers. The inside of each through-hole conductor may not be hollow, and the inside of each through-hole conductor may not be filled with a resin body. That is, each through-hole conductor may be a columnar body made of plated metal or the like. The conductor layers 41 and 42 may be composed only of the metal film 40 . That is, each through-hole conductor does not have to be covered with a so-called lid plating. Alternatively, the insulating layers 32 and 33 may be formed only on the end surfaces of the magnetic body 7 without being formed on the entire surfaces of the first surface 2 a and the second surface 2 b of the insulating layer 2 . In other words, insulating layers such as the insulating layers 32 and 33 may be interposed only between the magnetic body and the conductor pads connected to the through-hole conductors penetrating the magnetic body.

１、１０配線基板
１ａ貫通孔（第１貫通孔）
１ｂ貫通孔（第２貫通孔）
１ｂａ磁性体を貫く部分の内壁面
１ｂｂ第２又は第３絶縁層を貫く部分の内壁面
１ｃ貫通孔（第３貫通孔）
２絶縁層（第１絶縁層）
２ａ第１面
２ｂ第２面
２１補強材
３２絶縁層（第２絶縁層）
３２ａ表面
３３絶縁層（第３絶縁層）
３３ａ表面
３ａ樹脂
３ｂ無機フィラー
４１導体層（第１導体層）
４ａ１、４ａ２導体パッド（第１導体パッド）
４ｂ１、４ｂ２導体パッド（第２導体パッド）
４２導体層（第２導体層）
４ｃ、４ｄ第１導体パッド以外の導体パターン
５１スルーホール導体（第１スルーホール導体）
５２スルーホール導体（第２スルーホール導体）
６、６１樹脂体
７磁性体 1, 10 Wiring board 1a through hole (first through hole)
1b through hole (second through hole)
1ba inner wall surface 1bb of the portion penetrating the magnetic body inner wall surface 1c of the portion penetrating the second or third insulating layer through hole (third through hole)
2 insulating layer (first insulating layer)
2a First surface 2b Second surface 21 Reinforcing member 32 Insulating layer (second insulating layer)
32a surface 33 insulating layer (third insulating layer)
33a surface 3a resin 3b inorganic filler 41 conductor layer (first conductor layer)
4a1, 4a2 Conductor pads (first conductor pads)
4b1, 4b2 conductor pads (second conductor pads)
42 conductor layer (second conductor layer)
4c, 4d Conductor pattern 51 other than first conductor pad through-hole conductor (first through-hole conductor)
52 through-hole conductor (second through-hole conductor)
6, 61 resin body 7 magnetic body

Claims

a first insulating layer having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having a first through hole;
a magnetic material that fills the first through hole;
a first through-hole conductor formed inside a second through-hole penetrating the magnetic body;
a first conductor pad provided on the first surface side and the second surface side and connected to the first through-hole conductor;
A wiring board comprising
The wiring board further comprises a second insulating layer formed on the first surface and covering the magnetic material, and a third insulating layer formed on the second surface and covering the magnetic material. including an insulating layer,
the second through hole penetrates the second insulating layer and the third insulating layer,
The first conductor pads are formed on respective surfaces of the second insulating layer and the third insulating layer.

The wiring board according to claim 1, further comprising:
a first conductor layer including the first conductor pads formed on the surface of the second insulating layer and a conductor pattern other than the first conductor pads;
a second conductor layer including the first conductor pad formed on the surface of the third insulating layer and a conductor pattern other than the first conductor pad;
The entire first conductor layer is formed on the second insulating layer,
The entire second conductor layer is formed on the third insulating layer.

The wiring board according to claim 1,
The wiring board further includes a resin body filling the inside of the first through-hole conductor.

2. The wiring board according to claim 1, wherein the surface of each of the second insulating layer and the third insulating layer is roughened.

2. The wiring board according to claim 1, wherein the inner wall surface of the portion of the second through hole that penetrates the magnetic material and the inner wall surface of the portion that penetrates the second insulating layer or the third insulating layer are substantially flush with each other. be.

The wiring board according to claim 1,
the first insulating layer includes a reinforcing material and a resin impregnated in the reinforcing material;
The second insulating layer and the third insulating layer are made of resin that is not impregnated with reinforcing material.

The wiring board according to claim 1,
The second insulating layer and the third insulating layer contain a resin and an inorganic filler added to the resin,
The content rate of the inorganic filler in the second insulating layer and the third insulating layer is higher than the content rate of the inorganic filler in the first insulating layer.

2. The wiring board according to claim 1, further comprising a second through-hole conductor formed inside a third through-hole penetrating the first insulating layer,
The second through-hole conductor is formed on the first insulating layer exposed on the inner wall of the third through-hole.

The wiring board according to claim 8, further comprising:
a second conductor pad provided on the first surface side and the second surface side and connected to the second through-hole conductor;
the third through hole penetrates the second insulating layer and the third insulating layer,
The second conductor pads are formed on the surfaces of the second insulating layer and the third insulating layer.