JP2023108192A - power supply circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電源供給回路に関する。 The present invention relates to a power supply circuit.
従来、負荷駆動回路に電源を供給する電源供給回路において、回路素子を過熱から保護する技術が知られている。例えば特許文献1に開示された電源供給装置では、電流経路に設けられた半導体スイッチに流れる電流がドレインソース間電圧に基づいて検出され、検出電流の2乗値から半導体スイッチの温度上昇が推定される。 Conventionally, there is known a technique for protecting circuit elements from overheating in a power supply circuit that supplies power to a load drive circuit. For example, in the power supply device disclosed in Patent Document 1, the current flowing through the semiconductor switch provided in the current path is detected based on the drain-source voltage, and the temperature rise of the semiconductor switch is estimated from the square value of the detected current. be.
バッテリの正極と負極とが正規の向きと逆向きに接続された場合に逆方向の電流を遮断する逆接続保護素子を備えた電源供給回路がある。例えば逆接続保護素子は、順方向電流を導通する寄生ダイオードを有するFET(電界効果トランジスタ)で構成される。バッテリが正規の向きに接続された状態で順方向電流を通電するとき、基本的に逆接続保護素子はON操作される。 There is a power supply circuit equipped with a reverse connection protection element that cuts off current in the opposite direction when the positive and negative electrodes of a battery are connected in the opposite direction. For example, the reverse connection protection element is composed of an FET (Field Effect Transistor) having a parasitic diode that conducts forward current. When the battery is connected in the normal direction and the forward current is applied, basically the reverse connection protection element is turned ON.
しかし、逆接続保護素子がOFF固着故障した場合、寄生ダイオードのみを通って電流が流れ続けると、発熱するおそれがある。この場合、逆接続保護素子のドレインソース間電圧は寄生ダイオードの順方向電圧で決まる。一般にFETのドレインソース間電圧は温度が高いほど高くなる温度特性を有するのに対し、寄生ダイオードの電圧降下は温度が高いほど低くなる温度特性を有している。そのため、逆接続保護素子のドレインソース間電圧に基づいて発熱異常を検出することができない。 However, if the reverse connection protection element has a fixed OFF failure, heat may be generated if the current continues to flow only through the parasitic diode. In this case, the drain-source voltage of the reverse connection protection element is determined by the forward voltage of the parasitic diode. In general, the drain-source voltage of an FET has a temperature characteristic that increases as the temperature increases, whereas the voltage drop of a parasitic diode has a temperature characteristic that decreases as the temperature increases. Therefore, the heat generation abnormality cannot be detected based on the drain-source voltage of the reverse connection protection element.
本発明はこのような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、逆接続保護素子のOFF時に寄生ダイオードを流れる電流による発熱異常を検出可能な電源供給回路を提供することにある。 The present invention was created in view of this point, and its purpose is to provide a power supply circuit that can detect heat generation abnormalities due to current flowing through a parasitic diode when the reverse connection protection element is OFF.
本発明は、負荷(80)を駆動する負荷駆動回路(60)に、バッテリ(15)から電源を供給する電源供給回路であって、逆接続保護素子(52)と、異常検出回路(48)と、を備える。 The present invention is a power supply circuit that supplies power from a battery (15) to a load drive circuit (60) that drives a load (80), comprising a reverse connection protection element (52) and an abnormality detection circuit (48). And prepare.
バッテリの正極及び負極が正規の向きに接続された状態を前提として、逆接続保護素子は、バッテリの正極と負荷駆動回路の高電位側とを接続する電源ライン(Lp)、又は、バッテリの負極と負荷駆動回路の低電位側とを接続するグランドライン(Lg)に設けられる。逆接続保護素子は、バッテリの正極側から負荷駆動回路を経由してバッテリの負極に向かう電流である順方向電流を導通する寄生ダイオード(527)を有する電界効果トランジスタで構成されている。 Assuming that the positive and negative electrodes of the battery are connected in the normal direction, the reverse connection protection element is connected to the power supply line (Lp) connecting the positive electrode of the battery and the high potential side of the load drive circuit, or the negative electrode of the battery. and the low potential side of the load drive circuit. The reverse connection protection element is composed of a field effect transistor having a parasitic diode (527) that conducts forward current, which is current from the positive side of the battery through the load drive circuit to the negative side of the battery.
異常検出回路は、「対象素子」のドレインソース間電圧に基づき逆接続保護素子の発熱異常を検出する。対象素子は、逆接続保護素子の近傍に配置された電界効果トランジスタで構成された素子であり、逆接続保護素子からの伝熱により温度が上昇したとき、ドレインソース間のON抵抗が上昇する特性を有する。 The abnormality detection circuit detects a heat generation abnormality of the reverse connection protection element based on the drain-source voltage of the "target element". The target element is an element composed of a field effect transistor placed near the reverse connection protection element, and when the temperature rises due to heat transfer from the reverse connection protection element, the ON resistance between the drain and source increases. have
「逆接続保護素子の近傍」とは、当該技術分野の技術常識に基づき、逆接続保護素子からの伝熱が十分に及ぶと認められる範囲を意味する。例えば対象素子は、電源ラインに設けられた電源リレー素子でもよい。或いは対象素子は、インバータ回路等の負荷駆動回路を構成する素子でもよい。 "Near the reverse connection protection element" means a range where heat transfer from the reverse connection protection element reaches sufficiently, based on the common technical knowledge in the relevant technical field. For example, the target element may be a power relay element provided on the power supply line. Alternatively, the target element may be an element constituting a load drive circuit such as an inverter circuit.
異常検出回路により逆接続保護素子の発熱異常が検出されたとき、順方向電流の通電が停止される。例えば電源ラインに設けられた電源リレー素子が遮断されてもよいし、負荷駆動回路の駆動が停止されてもよい。 When the abnormality detection circuit detects the heat generation abnormality of the reverse connection protection element, the supply of the forward current is stopped. For example, a power relay element provided in the power supply line may be cut off, or the drive of the load drive circuit may be stopped.
本発明では、逆接続保護素子の近傍に配置された対象素子が逆接続保護素子からの伝熱により温度上昇することに着目し、対象素子のドレインソース間電圧の増加に基づいて、逆接続保護素子の発熱を間接的に検出する。これにより、逆接続保護素子のOFF時に寄生ダイオードを流れる順方向電流による発熱異常を検出することができる。例えば逆接続保護素子にON信号が指令されているにもかかわらず発熱異常が検出された場合、OFF固着故障であると推定することができる。 In the present invention, focusing on the fact that the target element placed in the vicinity of the reverse connection protection element rises in temperature due to heat transfer from the reverse connection protection element, based on the increase in the drain-source voltage of the target element, reverse connection protection It indirectly detects the heat generation of the element. Thereby, when the reverse connection protection element is turned off, it is possible to detect a heat generation abnormality caused by a forward current flowing through the parasitic diode. For example, when a heat generation abnormality is detected even though an ON signal is commanded to the reverse connection protection element, it can be estimated to be an OFF sticking failure.
また、異常検出回路により逆接続保護素子の発熱異常が検出されたとき、順方向電流の通電が停止されるため、逆接続保護素子及び回路全体を過熱から保護することができる。 In addition, when the abnormality detection circuit detects the heat generation abnormality of the reverse connection protection element, the forward current is stopped, so that the reverse connection protection element and the entire circuit can be protected from overheating.
本発明の電源供給回路の複数の実施形態を図面に基づいて説明する。第1~第3実施形態を包括して「本実施形態」という。本実施形態では「負荷」はモータ80、詳しくは三相交流モータであり、「負荷駆動回路」はインバータ回路60である。電源供給回路は、モータ80を駆動するインバータ回路60に、バッテリ15から電源を供給する。例えば、モータ80は車両の制御ブレーキ用のモータであり、バッテリ15は12V程度の車載用バッテリである。
A plurality of embodiments of the power supply circuit of the present invention will be described with reference to the drawings. The first to third embodiments are collectively referred to as "this embodiment". In this embodiment, the “load” is the
各実施形態の電源供給回路の符号は、「20」に続く3桁目に実施形態の番号を付す。実施形態の説明中、電界効果トランジスタを「FET」、ドレインソース間を「DS間」と記す。また、図中、ドレインを「D」、ソースを「S」、スイッチング回路及びスイッチング信号を「SW回路」及び「SW信号」と記す。本実施形態で用いられるFETは、NチャネルMOSFET(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)である。 As for the code of the power supply circuit of each embodiment, the number of the embodiment is attached to the third digit following "20". In the description of the embodiments, the field effect transistor is referred to as "FET", and the drain-source is referred to as "between DS". In the drawing, the drain is denoted as "D", the source as "S", the switching circuit and the switching signal as "SW circuit" and "SW signal". The FET used in this embodiment is an N-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).
(第1実施形態)
図1~図3を参照し、第1実施形態の電源供給回路201について説明する。図1に示すように、電源供給回路201は、バッテリ15からインバータ回路60への電源供給経路に設けられた電源リレー素子51及び逆接続保護素子52、各素子51、52をON/OFF操作する開閉回路41、42、並びに、逆接続保護素子52の異常を検出する異常検出回路48を含む。
(First embodiment)
The
バッテリ15の正極及び負極が正規の向きに接続された状態を前提として、電源ラインLpは、バッテリ15の正極とインバータ回路60の高電位側とを接続する。グランドラインLgは、バッテリ15の負極とインバータ回路60の低電位側とを接続する。第1実施形態では、電源リレー素子51は電源ラインLpにおけるバッテリ15側に設けられ、逆接続保護素子52は電源ラインLpにおけるインバータ回路60側に設けられる。
Assuming that the positive and negative electrodes of the
電源リレー素子51及び逆接続保護素子52はFETで構成されている。電源リレー素子51は、ドレインがバッテリ15の正極側に接続され、ソースが逆接続保護素子52に接続される。電源リレー素子51の寄生ダイオード517は、インバータ回路60の高電位側からバッテリ15の正極に向かう電流である逆方向電流を導通する。
The
逆接続保護素子52は、ドレインがインバータ回路60の高電位側に接続され、ソースが電源リレー素子51に接続される。逆接続保護素子52の寄生ダイオード527は、バッテリ15の正極からインバータ回路60を経由してバッテリ15の負極に向かう電流である順方向電流を導通する。誤ってバッテリ15の正極及び負極が正規の向きと逆向きに接続されたとき、逆接続保護素子52がOFFしていればインバータ回路60の低電位側から高電位側に逆方向の電流が流れることはなく、インバータ回路60が保護される。
The reverse
電源リレー開閉回路41及び逆接続保護素子開閉回路42は、制御部40からの指令に従って、それぞれ電源リレー素子51及び逆接続保護素子52をON/OFF操作する。制御部40は例えばマイコンで構成され、上位の車両制御回路からの指令に基づき、電源リレー開閉回路41、逆接続保護素子開閉回路42及びインバータ素子スイッチング回路46等の動作を制御する。異常検出回路48は、電源リレー素子51のDS間電圧Vdsを検出し、そのDS間電圧Vdsに基づいて逆接続保護素子52の発熱異常を検出する。その原理については後述する。
The power
インバータ回路60は、FETで構成された6個のインバータ素子61-66がブリッジ接続されている。インバータ素子61、62、63はU相、V相、W相の上アーム素子であり、インバータ素子64、65、66はU相、V相、W相の下アーム素子である。図1の回路例では、相電流を検出するシャント抵抗71、72、73が下アーム素子64、65、66の低電位側に接続されている。インバータ素子スイッチング回路46からのスイッチング信号に従ってインバータ素子61-66が動作することで、バッテリ15の直流電力が三相交流電力に変換されてモータ80に供給される。
The
このような回路において、フェールセーフの観点から、イニシャルチェック時や通常動作中に素子の故障を検出することが求められる。一般にFETのDS間電圧は温度が高いほど高くなる温度特性を有することから、特許文献1(特開2009-142146号公報)の従来技術のように、FETのON状態における過熱異常を検出可能である。一方、寄生ダイオードの電圧降下は温度が高いほど低くなる温度特性を有しているため、逆接続保護素子52がOFF固着故障し、寄生ダイオード527のみを通って電流が流れ続けて発熱した場合、DS間電圧に基づいて発熱異常を検出することができない。
In such a circuit, from the viewpoint of fail-safe, it is required to detect the failure of the element at the time of initial check or during normal operation. In general, the DS voltage of the FET has a temperature characteristic that increases as the temperature rises. Therefore, it is possible to detect an overheating abnormality in the ON state of the FET as in the prior art of Patent Document 1 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-142146). be. On the other hand, since the voltage drop of the parasitic diode has a temperature characteristic that becomes lower as the temperature rises, if the reverse
そこで本実施形態では、逆接続保護素子52の近傍に配置されたFETで構成された素子を「対象素子」と定義する。対象素子は、逆接続保護素子52からの伝熱により温度が上昇したとき、DS間のON抵抗が上昇する特性を有する。異常検出回路48は、伝熱により温度上昇した対象素子のDS間電圧を検出することで、逆接続保護素子52の発熱異常を間接的に検出する。逆接続保護素子52をON操作しているにもかかわらず発熱している場合、OFF固着故障のため、寄生ダイオード527のみを通って順方向電流が流れ続けていることが推定される。
Therefore, in the present embodiment, an element composed of an FET arranged in the vicinity of the reverse
第1実施形態では、電源リレー素子51が対象素子として用いられる。電源リレー素子51は、逆接続保護素子52の近傍に配置されており、逆接続保護素子52からの伝熱により温度上昇する。なお、電源リレー素子51自体が正常であることはイニシャルチェック等で確認済みであることを前提とする。
In the first embodiment, the
異常検出回路48は、電源リレー素子51のDS間電圧Vdsに基づき逆接続保護素子52の発熱異常を検出すると、電源リレー開閉回路41に遮断信号を出力し、電源リレー素子51を遮断させる。これにより、逆接続保護素子52の寄生ダイオード527を流れる順方向電流の通電が停止される。
When the
また、異常検出回路48は、逆接続保護素子52の発熱異常を検出すると、制御部40に通知する。通知を受けた制御部40は、インバータ素子スイッチング回路46に駆動停止信号を出力してもよい。また、アラーム表示やブザーでユーザ(車両ではドライバ)に異常を通知してもよい。
Moreover, the
図2に、良好な伝熱特性を得るため、対象素子である電源リレー素子51が逆接続保護素子52の近傍に配置される好ましい構成例を示す。図2(a)に示す例では、基板30の同一面(表面31)上に、電源リレー素子51及び逆接続保護素子52が隣接して実装される。図2(b)に示す例では、基板30の同一箇所の表面31と裏面32とに、電源リレー素子51及び逆接続保護素子52が実装される。逆接続保護素子52の発熱は、基板30を挟んだ反対側の電源リレー素子51に伝熱される。
FIG. 2 shows a preferred configuration example in which the
図2(c)に示す例では、電源リレー素子51及び逆接続保護素子52は、素子モジュール500の同一パッケージ内に収容されている。この構成では、周辺素子への伝熱が抑制されつつ、パッケージ内で逆接続保護素子52から電源リレー素子51に積極的に伝熱される。
In the example shown in FIG. 2( c ), the
図3のフローチャートに、第1実施形態による異常検出処理を示す。フローチャートの説明で記号「S」はステップを意味する。S11で制御部40は、電源リレー開閉回路41及び逆接続保護素子開閉回路42により電源リレー素子51及び逆接続保護素子52をON操作する。S12では、インバータ素子スイッチング回路46によりインバータ回路60の駆動が開始され、モータ80に電力供給される。
The flowchart of FIG. 3 shows the abnormality detection processing according to the first embodiment. In the description of the flowchart, the symbol "S" means step. In S<b>11 , the
S13で異常検出回路48は、対象素子である電源リレー素子51のDS間電圧Vdsが閾値より大きいか判断する。S13でYESの場合、S14で異常検出回路48は電源リレー開閉回路41に遮断信号を出力する。遮断信号を受信した電源リレー開閉回路41は、電源リレー素子51を遮断する。これにより、逆接続保護素子52の寄生ダイオード527を流れる順方向電流の通電が停止される。なお、異常検出回路48から通知を受けた制御部40が電源リレー開閉回路41に遮断信号を出力してもよいが、異常検出回路48から電源リレー開閉回路41に直接遮断信号を出力することで、より迅速な処置が可能となる。
In S13, the
さらに任意のステップとして、S15では、異常検出回路48から通知を受けた制御部40がインバータ素子スイッチング回路46に駆動停止信号を出力し、インバータ回路60の駆動を停止してもよい。これにより、電源供給停止後にインバータ回路60の動作が継続することが回避される。S13でNOの場合、処理を終了する。
Further, as an optional step, in S15, the
以上のように、第1実施形態の異常検出回路48は、対象素子である電源リレー素子51のDS間電圧Vdsに基づき、逆接続保護素子52がON操作されているにもかかわらず発熱していることを検出し、逆接続保護素子52のOFF固着故障であると推定する。したがって、通常動作中に逆接続保護素子52の発熱異常を検出することができる。また、異常検出時に電源リレー素子51を遮断して順方向電流の通電を停止することで、逆接続保護素子52及び回路全体を過熱から保護することができる。
As described above, the
(第2実施形態)
図4、図5を参照し、第2実施形態の電源供給回路202について説明する。第2実施形態では、電源ラインLpに電源リレー素子が設けられていない。バッテリ15の正極と電源供給回路202との間に設けられた外部電源スイッチ16がON状態のとき、バッテリ15の電圧は、常時、インバータ回路60に印加されている。例えば車両に搭載されるシステムでは、イグニッションスイッチが外部電源スイッチ16に相当する。
(Second embodiment)
The
第2実施形態では、インバータ回路60を構成するいずれか一つ以上の素子(FET)が対象素子として用いられる。基本的には、基板上で逆接続保護素子52に最も近く配置され、伝熱量が最大の素子が対象素子として選定されることが好ましい。また、その素子自体が熱的に安定している、他の熱源からの外乱を受けにくい、等の点も対象素子を選定するポイントとなる。
In the second embodiment, one or more elements (FETs) forming the
図4に示す例では、U相上アーム素子61が対象素子である。異常検出回路48は、U相上アーム素子61のDS間電圧Vdsに基づき、逆接続保護素子52の発熱異常を検出する。なお、インバータ素子61-66自体が正常であることはイニシャルチェック等で確認済みであることを前提とする。
In the example shown in FIG. 4, the U-phase
図5のフローチャートに、第2実施形態による異常検出処理を示す。図5における各ステップ番号S21、S22、S23、S25は、図3のS11、S12、S13、S15に対応する。S21で制御部40は、逆接続保護素子開閉回路42により逆接続保護素子52をON操作する。S22では、インバータ素子スイッチング回路46によりインバータ回路60の駆動が開始され、モータ80に電力供給される。
The flowchart of FIG. 5 shows the abnormality detection process according to the second embodiment. Each step number S21, S22, S23, S25 in FIG. 5 corresponds to S11, S12, S13, S15 in FIG. In S<b>21 , the
S23で異常検出回路48は、対象素子であるインバータ素子61のDS間電圧Vdsが閾値より大きいか判断する。S23でYESの場合、異常検出回路48から通知を受けた制御部40は、S25でインバータ素子スイッチング回路46に駆動停止信号を出力し、インバータ回路60の駆動を停止する。これにより、逆接続保護素子52の527を流れる順方向電流の通電が停止される。S23でNOの場合、処理を終了する。
In S23, the
このように、インバータ回路60の素子を対象素子として用いても第1実施形態と同様の作用効果が得られる。対象素子は、U相上アーム素子61に限らず、V相又はW相の上アーム素子62、63でもよい。或いは、各上アーム素子61、62、63のDS間電圧Vdsが検出され、その最大値に基づいて異常検出されてもよい。
In this way, even if the elements of the
(第3実施形態)
図6を参照し、第3実施形態の電源供給回路203について説明する。第3実施形態では、バッテリ15の負極とインバータ回路60の低電位側とを接続するグランドラインLgに逆接続保護素子52が設けられている。この構成では、逆接続保護素子52は、ドレインがバッテリ15の負極側に接続され、ソースがインバータ回路60の低高電位側に接続される。寄生ダイオード527が順方向電流を導通する点は同じである。
(Third Embodiment)
A
第1実施形態と同様に、第3実施形態では電源リレー素子51が対象素子として用いられる。電源リレー素子51は、逆接続保護素子52の近傍に配置されており、逆接続保護素子52からの伝熱により温度上昇する。異常検出回路48や電源リレー開閉回路41の動作は第1実施形態と同じである。第3実施形態でも第1実施形態と同様の作用効果が得られる。
As in the first embodiment, the
(その他の実施形態)
(a)負荷は三相モータ等の多相モータに限らず、直流モータやモータ以外のアクチュエータでもよい。負荷駆動回路はインバータ回路に限らず、Hブリッジ回路等でもよい。
(Other embodiments)
(a) The load is not limited to a multiphase motor such as a three-phase motor, and may be a DC motor or an actuator other than a motor. The load drive circuit is not limited to an inverter circuit, and may be an H bridge circuit or the like.
(b)第2実施形態では、電源リレー素子を備えない回路構成を想定して、負荷駆動回路を構成する素子が対象素子として用いられる。ただし、電源リレー素子を備える回路構成であっても、逆接続保護素子からの伝熱特性によっては、負荷駆動回路を構成する素子が優先的に対象素子として選定されてもよい。或いは、電源リレー素子と負荷駆動回路を構成する素子との両方が対象素子として用いられてもよい。 (b) In the second embodiment, assuming a circuit configuration without a power supply relay element, an element constituting a load drive circuit is used as a target element. However, even in a circuit configuration including a power relay element, an element that constitutes the load drive circuit may be preferentially selected as the target element depending on the heat transfer characteristics from the reverse connection protection element. Alternatively, both the power relay element and the element forming the load drive circuit may be used as target elements.
以上、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。 As described above, the present invention is not limited to such an embodiment, and can be embodied in various forms without departing from the spirit of the present invention.
15・・・バッテリ、
201-203・・・電源供給回路、
41・・・電源リレー開閉回路、
48・・・異常検出回路、
51・・・電源リレー素子、 517・・・寄生ダイオード、
52・・・逆接続保護素子、 527・・・寄生ダイオード、
60・・・インバータ回路(負荷駆動回路)、
80・・・モータ(負荷)、
Lp・・・電源ライン、 Lg・・・グランドライン。
15 Batteries,
201-203 power supply circuit,
41 ... power relay switching circuit,
48 ... anomaly detection circuit,
51... power supply relay element, 517... parasitic diode,
52 reverse connection protection element, 527 parasitic diode,
60... Inverter circuit (load drive circuit),
80 motor (load),
Lp: power supply line, Lg: ground line.
Claims (4)
前記バッテリの正極及び負極が正規の向きに接続された状態を前提として、前記バッテリの正極と前記負荷駆動回路の高電位側とを接続する電源ライン(Lp)、又は、前記バッテリの負極と前記負荷駆動回路の低電位側とを接続するグランドライン(Lg)に設けられ、前記バッテリの正極から前記負荷駆動回路を経由して前記バッテリの負極に向かう電流である順方向電流を導通する寄生ダイオード(527)を有する電界効果トランジスタで構成された逆接続保護素子(52)と、
前記逆接続保護素子の近傍に配置された電界効果トランジスタで構成された素子であり、前記逆接続保護素子からの伝熱により温度が上昇したとき、ドレインソース間のON抵抗が上昇する特性を有する対象素子について、当該対象素子のドレインソース間電圧に基づき前記逆接続保護素子の発熱異常を検出する異常検出回路(48)と、
を備え、
前記異常検出回路により前記逆接続保護素子の発熱異常が検出されたとき、前記順方向電流の通電が停止される電源供給回路。 A power supply circuit that supplies power from a battery (15) to a load drive circuit (60) that drives a load (80),
Assuming that the positive electrode and the negative electrode of the battery are connected in the normal direction, a power supply line (Lp) connecting the positive electrode of the battery and the high potential side of the load drive circuit, or the negative electrode of the battery and the A parasitic diode that is provided on a ground line (Lg) that connects the low potential side of the load drive circuit and conducts a forward current that is a current that flows from the positive electrode of the battery to the negative electrode of the battery via the load drive circuit. A reverse connection protection element (52) composed of a field effect transistor having (527);
It is an element composed of a field effect transistor arranged near the reverse connection protection element, and when the temperature rises due to heat transfer from the reverse connection protection element, the ON resistance between the drain and source increases. An abnormality detection circuit (48) for detecting a heat generation abnormality of the reverse connection protection element based on the drain-source voltage of the target element,
with
A power supply circuit in which the supply of the forward current is stopped when the abnormality detection circuit detects a heat generation abnormality of the reverse connection protection element.
前記電源リレー素子をON/OFF操作する電源リレー開閉回路(41)と、
をさらに備え、
前記異常検出回路により前記逆接続保護素子の発熱異常が検出されたとき、前記電源リレー開閉回路は前記電源リレー素子を遮断する請求項1に記載の電源供給回路。 The power relay element (51) is provided on the power supply line and is composed of a field effect transistor having a parasitic diode (517) that conducts a reverse current that is a current flowing from the high potential side of the load drive circuit to the positive electrode of the battery. )and,
a power relay switching circuit (41) for turning on/off the power relay element;
further comprising
2. The power supply circuit according to claim 1, wherein the power relay opening/closing circuit cuts off the power relay element when the abnormality detection circuit detects the heat generation abnormality of the reverse connection protection element.
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