JP2023099005A - Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method - Google Patents

Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2023099005A
JP2023099005A JP2023065181A JP2023065181A JP2023099005A JP 2023099005 A JP2023099005 A JP 2023099005A JP 2023065181 A JP2023065181 A JP 2023065181A JP 2023065181 A JP2023065181 A JP 2023065181A JP 2023099005 A JP2023099005 A JP 2023099005A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
insulating layer
housing
housing substrate
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023065181A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
悟 倉持
Satoru Kuramochi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2021180529A external-priority patent/JP7265728B2/en
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2023065181A priority Critical patent/JP2023099005A/en
Publication of JP2023099005A publication Critical patent/JP2023099005A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

To provide a mounting substrate and a manufacturing method of the same that suppress the occurrence of positional displacement of elements.SOLUTION: A mounting substrate includes a housing substrate 10 including a first surface 11 and a second surface 12 located on the opposite side of the first surface 11, provided with a recess 13 on the first surface side, and including an organic material, an element 50 located in a recess 13 of the housing substrate 10 and having a terminal 51, an insulating layer 20 that at least partially covers the housing substrate 10 and the element 50 on the first surface 11 side and is at least partially positioned in a gap between the wall surface 132 of the recess 13 of the housing substrate 10 and the element 50, and a conductive layer 25 having a first portion 26 located on the insulating layer 20 and a second portion 27 penetrating the insulating layer 20 and electrically connecting the first portion 26 and the terminal 51 of the element 50.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示の実施形態は、実装基板及び実装基板の製造方法に関する。 An embodiment of the present disclosure relates to a mounting substrate and a manufacturing method of the mounting substrate.

素子などの素子をパッケージングする技術として、ウェハレベルパッケージング(WLP:Wafer-Level-Packaging)が知られている。ウェハレベルパッケージングとは、素子をパッケージングする工程をウェハの状態で実施する技術である。例えば特許文献1は、ファンアウト型ウェハレベルパッケージング(FOWLP:Fan Out Wafer-Level-Packaging)を改善するための技術を開示している。ファンアウト型ウェハレベルパッケージングとは、ウェハの状態で素子をパッケージングする工程において、素子の領域を超える領域にわたって再配線層を形成する技術である。なお、本明細書においては、再配線層のことを単に配線層とも称する。 Wafer-Level-Packaging (WLP) is known as a technique for packaging elements such as elements. Wafer level packaging is a technology that implements the process of packaging elements in a wafer state. For example, Patent Literature 1 discloses a technique for improving fan-out wafer level packaging (FOWLP: Fan Out Wafer-Level-Packaging). Fan-out type wafer level packaging is a technique of forming a rewiring layer over an area exceeding the element area in the process of packaging elements in a wafer state. In this specification, the rewiring layer is also simply referred to as a wiring layer.

従来のファンアウト型ウェハレベルパッケージングにおいては、まず、複数の素子を準備し、次に、キャリア上に複数の素子を載置する。その後、キャリア及び素子を覆うように樹脂材料を供給し、樹脂材料を硬化させることにより、各素子を樹脂で封止する。続いて、樹脂で封止された複数の素子を含む樹脂封止部材をキャリアから取り外す。次に、樹脂封止部材を裏返して、樹脂封止部材の上に配線層を形成する。その後、樹脂封止部材及び配線層を、1つの素子を含む区画ごとに切断して、素子がパッケージングされた電子デバイスを得る。 In conventional fan-out type wafer level packaging, first, a plurality of devices are prepared, and then a plurality of devices are mounted on a carrier. Thereafter, a resin material is supplied so as to cover the carrier and the elements, and the resin material is cured to seal each element with the resin. Subsequently, the resin sealing member including a plurality of resin-sealed elements is removed from the carrier. Next, the resin sealing member is turned over and a wiring layer is formed on the resin sealing member. After that, the resin sealing member and the wiring layer are cut into sections each containing one element to obtain an electronic device in which the element is packaged.

特開2013-58520号公報JP 2013-58520 A

樹脂材料は、温度変化に応じて膨張したり収縮したりする。また、樹脂材料の硬化の際には硬化収縮が生じる。このため、樹脂材料によって覆われている素子の位置が、樹脂材料の膨張や収縮に起因してキャリア上でずれてしまうことが考えられる。 The resin material expands and contracts according to temperature changes. In addition, curing shrinkage occurs when the resin material is cured. For this reason, it is conceivable that the position of the element covered with the resin material may shift on the carrier due to the expansion or contraction of the resin material.

本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得る実装基板を提供することを目的とする。 An object of the embodiments of the present disclosure is to provide a mounting substrate that can effectively solve such problems.

本開示の一実施形態は、第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含み、前記第1面側に凹部が設けられ、且つ有機材料を有する収容基板と、前記収容基板の前記凹部に位置し、端子を有する素子と、前記第1面側において前記収容基板及び前記素子を少なくとも部分的に覆うとともに、前記収容基板の前記凹部の壁面と前記素子との間の隙間に少なくとも部分的に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する第1部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第1部分と前記素子の前記端子とを電気的に接続する第2部分と、を有する導電層と、を備える、実装基板である。 An embodiment of the present disclosure includes a housing substrate including a first surface and a second surface opposite to the first surface, provided with a recess on the side of the first surface, and having an organic material; an element positioned in the recess of the substrate and having a terminal; and a gap between the housing substrate and the element and a wall surface of the recess of the housing substrate at least partially covering the housing substrate and the element on the first surface side. a first portion overlying the insulating layer; and a second portion penetrating through the insulating layer and electrically connecting the first portion to the terminal of the element. and a conductive layer having and a mounting substrate.

本開示の一実施形態による実装基板は、前記収容基板の前記第2面側に位置し、無機材料を有する支持基板を更に備えていてもよい。 The mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure may further include a support substrate located on the second surface side of the housing substrate and having an inorganic material.

本開示の一実施形態による実装基板において、前記導電層は、前記第1部分に接続され、前記絶縁層及び前記収容基板を貫通する第3部分を更に有していてもよい。 In the mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure, the conductive layer may further have a third portion connected to the first portion and penetrating through the insulating layer and the housing substrate.

本開示の一実施形態による実装基板において、前記収容基板の前記凹部は、前記素子の面のうち前記収容基板の前記第2面側に位置する面を支持する段部と、前記素子の前記面と前記収容基板の前記第2面との間において前記収容基板を貫通する貫通部と、を有していてもよい。 In the mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure, the concave portion of the housing substrate includes a stepped portion that supports a surface of the element located on the second surface side of the housing substrate, and the surface of the element. and the second surface of the housing substrate.

本開示の一実施形態による実装基板において、前記素子の面のうち前記収容基板の前記第2面側に位置する面にセンサ部が形成されていてもよい。 In the mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure, a sensor section may be formed on a surface of the element located on the second surface side of the housing substrate.

本開示の一実施形態は、第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含み、前記第1面側に凹部が設けられ、且つ有機材料を有する収容基板と、前記収容基板の前記凹部に位置し、端子を有する素子と、前記第1面側において前記収容基板及び前記素子を少なくとも部分的に覆うとともに、前記収容基板の前記凹部の壁面と前記素子との間の隙間に少なくとも部分的に位置する絶縁層と、前記収容基板の前記第1面側に位置する基板と、前記基板及び前記絶縁層を貫通するとともに前記素子の前記端子に電気的に接続された貫通電極と、を有する貫通電極基板と、を備える、実装基板である。 An embodiment of the present disclosure includes a housing substrate including a first surface and a second surface opposite to the first surface, provided with a recess on the side of the first surface, and having an organic material; an element positioned in the recess of the substrate and having a terminal; and a gap between the housing substrate and the element and a wall surface of the recess of the housing substrate at least partially covering the housing substrate and the element on the first surface side. a substrate located on the first surface side of the housing substrate; and through electrodes penetrating through the substrate and the insulation layer and electrically connected to the terminals of the device. and a through electrode substrate having and.

本開示の一実施形態による実装基板において、前記絶縁層の表面のうち前記収容基板の前記第1面の法線方向に沿って見た場合に前記凹部の壁面と前記素子との間の隙間と重なる部分には窪みが形成されていてもよい。 In the mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure, a gap between the wall surface of the recess and the element when viewed from the surface of the insulating layer along the normal direction of the first surface of the housing substrate, and A depression may be formed in the overlapping portion.

本開示の一実施形態による実装基板において、前記収容基板の前記有機材料は、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂又はフッ素系樹脂を含んでいてもよい。 In the mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure, the organic material of the housing substrate may contain polyimide resin, epoxy resin, polyphenylene ether resin, or fluorine resin.

本開示の一実施形態による実装基板において、前記絶縁層を構成する材料は、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂又はアクリル樹脂を含んでいてもよい。 In the mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure, the material forming the insulating layer may contain polyimide resin, epoxy resin, or acrylic resin.

本開示の一実施形態は、無機材料を有する支持基板を準備する工程と、前記支持基板から遠い側に位置する第1面及び前記支持基板側に位置する第2面を含み、前記第1面側に凹部が設けられ、且つ有機材料を有する収容基板を、前記支持基板上に形成する工程と、前記収容基板の前記凹部に、端子を有する素子を配置する工程と、第1面側において前記収容基板及び前記素子を少なくとも部分的に覆うとともに、前記収容基板の前記凹部の壁面と前記素子との間の隙間に少なくとも部分的に位置する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に位置する第1部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第1部分と前記素子の前記端子とを電気的に接続する第2部分と、を有する導電層を形成する導電層形成工程と、を備える、実装基板の製造方法である。 An embodiment of the present disclosure includes the steps of providing a support substrate having an inorganic material, a first surface located farther from the support substrate and a second surface located closer to the support substrate, the first surface a step of forming, on the supporting substrate, a housing substrate having a concave portion on the side thereof and containing an organic material; a step of arranging an element having a terminal in the concave portion of the housing substrate; an insulating layer forming step of forming an insulating layer that at least partially covers the housing substrate and the element and is at least partially located in a gap between the wall surface of the recess of the housing substrate and the element; a conductive layer forming step of forming a conductive layer having a first portion located thereon and a second portion penetrating the insulating layer and electrically connecting the first portion and the terminal of the element; and a manufacturing method of a mounting substrate.

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法は、前記支持基板を前記収容基板から分離する工程を更に備えていてもよい。 The method for manufacturing a mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure may further include separating the support substrate from the housing substrate.

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法において、前記支持基板には、前記支持基板を貫通する電極が設けられており、前記導電層形成工程は、前記絶縁層及び前記収容基板を貫通し、前記第1部分と前記支持基板の前記電極とを電気的に接続する第3部分を形成する工程を含んでいてもよい。 In the method for manufacturing a mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure, the support substrate is provided with electrodes penetrating the support substrate, and the conductive layer forming step penetrates the insulating layer and the housing substrate. and forming a third portion electrically connecting the first portion and the electrode of the support substrate.

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法において、前記支持基板は、ガラスを有していてもよい。 In the mounting substrate manufacturing method according to an embodiment of the present disclosure, the support substrate may have glass.

本開示の一実施形態は、無機材料を有する支持基板を準備する工程と、前記支持基板から遠い側に位置する第1面及び前記支持基板側に位置する第2面を含み、前記第1面側に凹部が設けられ、且つ有機材料を有する収容基板を、前記支持基板上に形成する工程と、前記収容基板の前記凹部に、端子を有する素子を配置する工程と、第1面側において前記収容基板及び前記素子を少なくとも部分的に覆うとともに、前記収容基板の前記凹部の壁面と前記素子との間の隙間に少なくとも部分的に位置する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記収容基板の前記第1面側に位置する基板と、前記基板を貫通する貫通電極と、を有する貫通電極基板を準備し、前記貫通電極基板の前記貫通電極が前記素子の前記端子に接触するよう前記貫通電極基板を前記絶縁層上に配置する工程と、を備える、実装基板の製造方法である。 An embodiment of the present disclosure includes the steps of providing a support substrate having an inorganic material, a first surface located farther from the support substrate and a second surface located closer to the support substrate, the first surface a step of forming, on the supporting substrate, a housing substrate having a concave portion on the side thereof and containing an organic material; a step of arranging an element having a terminal in the concave portion of the housing substrate; an insulating layer forming step of forming an insulating layer that at least partially covers the housing substrate and the element and is at least partially located in a gap between the wall surface of the recess of the housing substrate and the element; and the housing substrate. and a through electrode penetrating through the substrate, the penetrating electrode substrate is provided so that the through electrode of the through electrode substrate is in contact with the terminal of the element. and disposing an electrode substrate on the insulating layer.

本開示の一実施形態による実装基板の製造方法において、前記絶縁層形成工程は、前記絶縁層を前記収容基板の前記凹部の壁面と前記素子との間の隙間に吸引する工程を含んでいてもよい。 In the method for manufacturing a mounting substrate according to an embodiment of the present disclosure, the insulating layer forming step may include a step of sucking the insulating layer into a gap between the wall surface of the concave portion of the housing substrate and the element. good.

本開示の実施形態によれば、素子の位置ずれが生じることを抑制することができる。 According to the embodiments of the present disclosure, it is possible to suppress the occurrence of positional deviation of the element.

一実施形態による実装基板を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing a mounting substrate according to one embodiment; FIG. 図1に示す実装基板の収容基板の凹部を拡大して示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing an enlarged recess of a housing substrate of the mounting substrate shown in FIG. 1; FIG. 凹部が設けられた収容基板を準備する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of preparing the accommodation board|substrate provided with the recessed part. 収容基板の凹部に素子を配置する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of arrange|positioning an element in the recessed part of an accommodation board|substrate. 収容基板上に絶縁層を形成する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of forming an insulating layer on a housing substrate. 実装基板の一変形例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified example of the mounting board; 実装基板の一変形例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified example of the mounting board; 実装基板の一変形例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified example of the mounting board; 実装基板の一変形例を示す断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified example of the mounting board; 図9に示す実装基板の製造工程を示す図である。10A to 10C are diagrams showing a manufacturing process of the mounting board shown in FIG. 9;

以下、一実施形態に係る実装基板の構成及びその製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。更に、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。 A configuration of a mounting substrate and a method of manufacturing the same according to one embodiment will be described below in detail with reference to the drawings. The embodiments shown below are examples of the embodiments of the present disclosure, and the present disclosure should not be construed as being limited to these embodiments. Also, in this specification, terms such as "substrate", "base material", "sheet" and "film" are not to be distinguished from each other based only on the difference in designation. For example, "substrate" and "base material" are concepts that include members that can be called sheets and films. Furthermore, terms used herein to specify shapes and geometric conditions and their degrees, such as terms such as "parallel" and "perpendicular", length and angle values, etc., are bound by strict meanings. However, it is interpreted to include the extent to which similar functions can be expected. In addition, in the drawings referred to in this embodiment, the same reference numerals or similar reference numerals may be assigned to the same portions or portions having similar functions, and repeated description thereof may be omitted. Also, the dimensional ratios in the drawings may differ from the actual ratios for convenience of explanation, and some of the configurations may be omitted from the drawings.

〔実装基板〕
まず、図1を参照して、一実施形態に係る実装基板1の構成について説明する。図1は、本実施形態による実装基板1を示す断面図である。
[Mounting board]
First, the configuration of a mounting substrate 1 according to one embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a mounting substrate 1 according to this embodiment.

図1に示すように、実装基板1は、収容基板10、素子50、絶縁層20、導電層25及び支持基板30を備える。以下、実装基板1の各構成要素について説明する。 As shown in FIG. 1, the mounting substrate 1 includes a housing substrate 10, an element 50, an insulating layer 20, a conductive layer 25, and a support substrate 30. As shown in FIG. Each component of the mounting board 1 will be described below.

(収容基板)
収容基板10は、支持基板30から遠い側に位置する第1面11、及び、第1面11の反対側に、すなわち支持基板30側に位置する第2面12を含む。また、収容基板10の第1面11側には凹部13が設けられている。凹部13は、底面131及び底面131から第1面11へ広がる壁面132を含む。収容基板10の厚みt1は、例えば50μm以上であり、また、例えば700μm以下である。
(accommodating substrate)
The housing substrate 10 includes a first surface 11 positioned farther from the support substrate 30 and a second surface 12 positioned opposite to the first surface 11, that is, on the support substrate 30 side. A concave portion 13 is provided on the first surface 11 side of the housing substrate 10 . The recess 13 includes a bottom surface 131 and a wall surface 132 extending from the bottom surface 131 to the first surface 11 . The thickness t1 of the housing substrate 10 is, for example, 50 μm or more and, for example, 700 μm or less.

凹部13は、素子50を収容するための空間を画成する。凹部13の深さdは、例えば30μm以上であり、また、例えば400μm以下である。凹部13の幅wは、例えば300μm以上であり、また、例えば20000μm以下である。 Recess 13 defines a space for housing element 50 . The depth d of the concave portion 13 is, for example, 30 μm or more and, for example, 400 μm or less. The width w of the recess 13 is, for example, 300 μm or more and, for example, 20000 μm or less.

凹部13が設けられた収容基板10は、有機材料を成形することによって作製される。収容基板10を構成する有機材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフッ素系樹脂等を用いることができる。また、収容基板10の絶縁性および機械的強度を向上させるため、収容基板10は、ガラス繊維等の繊維や、無機材料のフィラーを更に含んでいてもよい。 The housing substrate 10 provided with the recess 13 is produced by molding an organic material. As the organic material forming the housing substrate 10, for example, fluorine-based resin such as polyimide resin, epoxy-based resin, polyphenylene ether-based resin, and polytetrafluoroethylene resin can be used. Further, in order to improve the insulating properties and mechanical strength of the housing substrate 10, the housing substrate 10 may further contain fibers such as glass fibers or inorganic fillers.

(素子)
素子50は、例えば、LSI(Large-Scale Integration)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)およびディスクリート部品などのデバイスチップを含む。MEMSとは、機械要素部品、センサ、アクチュエータ、電子回路などが1つの基板上に集積化された電子デバイスである。また、素子50は、パワーアンプ、表面弾性波フィルタ、スイッチ、撮像素子等を含んでいてもよい。
(element)
The element 50 includes, for example, device chips such as LSI (Large-Scale Integration), MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), and discrete components. A MEMS is an electronic device in which mechanical elements, sensors, actuators, electronic circuits, etc. are integrated on one substrate. Also, the device 50 may include a power amplifier, a surface acoustic wave filter, a switch, an imaging device, and the like.

図1に示すように、素子50は、収容基板10の凹部13の内部に位置する。また、素子50は、端子51を有する。図1に示す例において、素子50は、端子51が第1面11側に位置するように凹部13に配置されている。図示はしないが、素子50は、端子51が第2面12側に位置するように配置されていてもよい。素子50は、ダイアタッチメント材などの図示しない接着材によって凹部13の底面131に接着されていてもよい。 As shown in FIG. 1, the device 50 is located inside the recess 13 of the housing substrate 10 . The element 50 also has a terminal 51 . In the example shown in FIG. 1, the element 50 is arranged in the recess 13 so that the terminals 51 are positioned on the first surface 11 side. Although not shown, the element 50 may be arranged such that the terminals 51 are located on the second surface 12 side. The element 50 may be adhered to the bottom surface 131 of the recess 13 with an adhesive material (not shown) such as a die attachment material.

図1に示す例において、素子50の第1面11側の面は、第1面11と同一平面上に位置している。しかしながら、これに限られることはなく、素子50の第1面11側の面は、第1面11よりも第2面12側に、すなわち内側に位置していてもよく、反対に、第1面11よりも外側に位置していてもよい。 In the example shown in FIG. 1 , the surface of the element 50 on the side of the first surface 11 is located on the same plane as the first surface 11 . However, the present invention is not limited to this. It may be located outside the surface 11 .

(絶縁層)
絶縁層20は、収容基板10の第1面11側において収容基板10及び素子50を少なくとも部分的に覆う、絶縁性を有する層である。図1に示す例において、絶縁層20は、素子50を第1面11側から全域にわたって覆うよう、第1面11上及び素子50上に位置している。絶縁層20の厚みt2は、例えば5μm以上であり、また、例えば50μm以下である。
(insulating layer)
The insulating layer 20 is an insulating layer that at least partially covers the housing substrate 10 and the element 50 on the first surface 11 side of the housing substrate 10 . In the example shown in FIG. 1, the insulating layer 20 is positioned on the first surface 11 and the element 50 so as to cover the entire area of the element 50 from the first surface 11 side. The thickness t2 of the insulating layer 20 is, for example, 5 μm or more and, for example, 50 μm or less.

図2は、図1に示す実装基板1の収容基板10の凹部13を拡大して示す断面図である。図2に示すように、絶縁層20は、素子50上だけでなく、凹部13の壁面132と素子50との間の隙間にも少なくとも部分的に位置している。これにより、凹部13の内部において素子50の位置がずれることを抑制することができる。また、凹部13の隙間に液や異物などが入り込むことを抑制することができる。凹部13の隙間の寸法sは、例えば5μm以上であり、また、例えば100μm以下である。 FIG. 2 is a cross-sectional view showing an enlarged recess 13 of the housing board 10 of the mounting board 1 shown in FIG. As shown in FIG. 2, the insulating layer 20 is located not only on the element 50 but also at least partially in the gap between the wall surface 132 of the recess 13 and the element 50 . As a result, it is possible to prevent the element 50 from being displaced inside the recess 13 . In addition, it is possible to prevent liquid, foreign matter, and the like from entering the gap of the concave portion 13 . The dimension s of the gap of the concave portion 13 is, for example, 5 μm or more and, for example, 100 μm or less.

絶縁層20を構成する材料としては、凹部13の壁面132と素子50との間の隙間に充填され得る程度の流動性、柔軟性等を有する材料が用いられる。絶縁層20を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂等のフッ素系樹脂等を用いることができる。 As a material for forming the insulating layer 20, a material having sufficient fluidity, flexibility, etc., to fill the gap between the wall surface 132 of the recess 13 and the element 50 is used. As a material for forming the insulating layer 20, for example, fluorine resin such as polyimide resin, epoxy resin, polyphenylene ether resin, polytetrafluoroethylene resin, or the like can be used.

(導電層)
導電層25は、素子50の端子51に電気的に接続される、導電性を有する層である。導電層25は、絶縁層20上に位置する第1部分26と、絶縁層20を貫通し、第1部分26と素子50の端子51とを電気的に接続する第2部分27と、を少なくとも有する。図1及び図2に示す例において、導電層25の第2部分27は、素子50の端子51に物理的に接続されている。
(Conductive layer)
The conductive layer 25 is a conductive layer that is electrically connected to the terminals 51 of the element 50 . The conductive layer 25 has at least a first portion 26 located on the insulating layer 20 and a second portion 27 penetrating the insulating layer 20 and electrically connecting the first portion 26 and the terminal 51 of the element 50 . have. In the example shown in FIGS. 1 and 2, second portion 27 of conductive layer 25 is physically connected to terminal 51 of device 50 .

導電層25が導電性を有する限りにおいて、導電層25の構成は特に限定されない。例えば、導電層25は、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、または、導電性を有する複数の層から構成されていてもよい。例えば、導電層25は、導電性を有する第1層と、電解めっき処理によって第1層上に形成される第2層と、を有していてもよい。この場合、第1層は、めっき層である第2層を成長させるための土台となるシード層として機能する。 The configuration of the conductive layer 25 is not particularly limited as long as the conductive layer 25 has conductivity. For example, the conductive layer 25 may consist of a single electrically conductive layer, or may consist of multiple electrically conductive layers. For example, the conductive layer 25 may have a conductive first layer and a second layer formed on the first layer by electroplating. In this case, the first layer functions as a seed layer that serves as a base for growing the second layer, which is a plating layer.

導電層25が上述の第1層及び第2層を含む場合、第1層の材料は、第2層の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、第1層は、チタンと銅を順に積層した積層膜や、クロムなどであってもよい。第1層は、例えば、スパッタリング法、蒸着法、無電解めっき法、ゾルゲル法などによって形成され得る。第2層は、例えば銅を含む。第2層は、例えば主成分としての銅を含み、より具体的には80質量%以上の銅を含む。また、第2層は、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムなどの金属又はこれらを用いた合金を含んでいてもよい。 When conductive layer 25 includes the first and second layers described above, the material of the first layer may be the same as or different from the material of the second layer. For example, the first layer may be a laminated film in which titanium and copper are laminated in order, chromium, or the like. The first layer can be formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, an electroless plating method, a sol-gel method, or the like. The second layer contains, for example, copper. The second layer contains, for example, copper as a main component, and more specifically contains 80% by mass or more of copper. Also, the second layer may contain a metal such as gold, silver, platinum, rhodium, tin, aluminum, nickel, chromium, or an alloy using these.

(支持基板)
支持基板30は、収容基板10の第2面12側に位置する基板である。図1及び図2に示す例において、支持基板30は、収容基板10の第2面12に接している。実装基板1が支持基板30を備えることにより、実装基板1全体の剛性を高めることができる。支持基板30の厚みは、例えば0.05mm以上であり、また、例えば0.7mm以下である。
(support substrate)
The support substrate 30 is a substrate positioned on the second surface 12 side of the housing substrate 10 . In the example shown in FIGS. 1 and 2 , the support substrate 30 is in contact with the second surface 12 of the housing substrate 10 . By providing the mounting substrate 1 with the support substrate 30, the rigidity of the entire mounting substrate 1 can be increased. The thickness of the support substrate 30 is, for example, 0.05 mm or more and, for example, 0.7 mm or less.

支持基板30は、一定の絶縁性を有する無機材料を含んでいる。例えば、支持基板30は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al2O3)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジルコニア(ZrO2)基板、ニオブ酸リチウム基板、ニオブ酸タンタル基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。支持基板30は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を部分的に含んでいてもよい。 The support substrate 30 contains an inorganic material having a certain insulating property. For example, the support substrate 30 may be a glass substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, a resin substrate, a silicon substrate, a silicon carbide substrate, an alumina (Al 2 O 3 ) substrate, an aluminum nitride (AlN) substrate, a zirconia oxide (ZrO 2 ) substrate, A lithium niobate substrate, a tantalum niobate substrate, or the like, or a laminate of these substrates. The support substrate 30 may partially include a substrate made of a conductive material such as an aluminum substrate or a stainless steel substrate.

支持基板30で用いるガラスの例としては、無アルカリガラスなどを挙げることができる。無アルカリガラスとは、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ成分を含まないガラスである。無アルカリガラスは、例えば、アルカリ成分の代わりにホウ酸を含む。また、無アルカリガラスは、例えば、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属酸化物を含む。無アルカリガラスの例としては、旭硝子製のEN-A1や、コーニング製のイーグルXGなどを挙げることができる。 Examples of the glass used for the support substrate 30 include alkali-free glass. Alkali-free glass is glass that does not contain alkaline components such as sodium and potassium. Alkali-free glass includes, for example, boric acid instead of an alkaline component. Alkali-free glass also contains, for example, alkaline earth metal oxides such as calcium oxide and barium oxide. Examples of alkali-free glass include EN-A1 manufactured by Asahi Glass and Eagle XG manufactured by Corning.

〔実装基板の製造方法〕
以下、実装基板1の製造方法の一例について、図3乃至図5を参照して説明する。
[Method for manufacturing mounting board]
An example of a method for manufacturing the mounting board 1 will be described below with reference to FIGS.

(収容基板の形成工程)
まず、支持基板30を準備する。続いて、支持基板30上に、有機材料を含む樹脂層を設ける。樹脂層を設ける方法としては、ドライラミネート法、印刷法などを用いることができる。続いて、樹脂層を成形して、樹脂層の表面に凹部を形成する。これにより、図3に示すように、第1面11側に凹部13が設けられた収容基板10を支持基板30上に形成することができる。樹脂層を成形して収容基板10を作製する方法としては、例えば、樹脂層に型を押し付ける方法を用いることができる。また、有機材料が感光性を有する場合、露光処理及び現像処理を施すことによって樹脂層を成形してもよい。
(Step of forming housing substrate)
First, the support substrate 30 is prepared. Subsequently, a resin layer containing an organic material is provided on the support substrate 30 . As a method for providing the resin layer, a dry lamination method, a printing method, or the like can be used. Subsequently, the resin layer is molded to form recesses on the surface of the resin layer. As a result, as shown in FIG. 3, the housing substrate 10 having the concave portion 13 provided on the first surface 11 side can be formed on the support substrate 30 . As a method of forming the resin layer to produce the housing substrate 10, for example, a method of pressing a mold against the resin layer can be used. Moreover, when the organic material has photosensitivity, the resin layer may be formed by performing exposure treatment and development treatment.

若しくは、3Dプリンタなどを用いて、凹部13となるべき部分以外の部分に樹脂層を設けることにより、第1面11側に凹部13が設けられた収容基板10を支持基板30上に形成してもよい。 Alternatively, by using a 3D printer or the like to provide a resin layer on a portion other than the portion to be the recess 13, the housing substrate 10 having the recess 13 provided on the first surface 11 side is formed on the support substrate 30. good too.

(素子の配置工程)
続いて、図4に示すように、収容基板10の凹部13に素子50を配置する。例えば、素子50の端子51が第1面11側に位置するように素子50を配置する。素子50は、ダイアタッチメント材などの図示しない接着材によって凹部13の底面131に接着されていてもよい。
(Device Arrangement Process)
Subsequently, as shown in FIG. 4, the element 50 is arranged in the concave portion 13 of the housing substrate 10 . For example, the element 50 is arranged so that the terminals 51 of the element 50 are located on the first surface 11 side. The element 50 may be adhered to the bottom surface 131 of the recess 13 with an adhesive material (not shown) such as a die attachment material.

(絶縁層の形成工程)
続いて、収容基板10の第1面11上及び素子50上に絶縁層20を形成する。例えば、支持基材及び絶縁層20を含む図示しない樹脂フィルムを収容基板10の第1面11及び素子50に貼り付ける。また、絶縁層20を収容基板10の凹部13の壁面132と素子50との間の隙間に吸引する。例えば、真空ラミネータを用いて絶縁層20を収容基板10の第1面11及び素子50上に設けることにより、貼り付け及び凹部13の隙間への吸引を実現することができる。このようにして、図5に示すように、凹部13の隙間に位置するとともに第1面11及び素子50を覆う絶縁層20を形成することができる。
(Step of forming insulating layer)
Subsequently, the insulating layer 20 is formed on the first surface 11 of the housing substrate 10 and the device 50 . For example, a resin film (not shown) including the support base material and the insulating layer 20 is attached to the first surface 11 of the housing substrate 10 and the element 50 . Also, the insulating layer 20 is sucked into the gap between the wall surface 132 of the concave portion 13 of the housing substrate 10 and the element 50 . For example, by using a vacuum laminator to provide the insulating layer 20 on the first surface 11 of the housing substrate 10 and the elements 50 , sticking and suction to the gaps of the recesses 13 can be achieved. In this way, as shown in FIG. 5, the insulating layer 20 positioned between the recesses 13 and covering the first surface 11 and the element 50 can be formed.

また、硬化性樹脂を用いて絶縁層20を形成してもよい。例えば、熱硬化性樹脂を用いる場合、支持基材及び熱硬化性樹脂の層を含む図示しない樹脂フィルムを収容基板10の第1面11及び素子50に貼り付ける。例えば、真空ラミネータを用いて熱硬化性樹脂の層を収容基板10の第1面11及び素子50上に設けることにより、貼り付け及び凹部13の隙間への吸引を実現することができる。その後、
熱硬化性樹脂の層を加熱して絶縁層20を形成する。光硬化性樹脂を用いる場合については、光硬化性樹脂に紫外線などの光や電子線を照射して絶縁層20を形成する以外は熱硬化性樹脂を用いる場合と同様である。
Alternatively, the insulating layer 20 may be formed using a curable resin. For example, when a thermosetting resin is used, a resin film (not shown) including a supporting substrate and a thermosetting resin layer is attached to the first surface 11 of the housing substrate 10 and the element 50 . For example, by using a vacuum laminator to provide a layer of thermosetting resin on the first surface 11 of the housing substrate 10 and the elements 50 , adhesion and suction into the gaps of the recesses 13 can be achieved. after that,
A layer of thermosetting resin is heated to form the insulating layer 20 . The case of using a photocurable resin is the same as the case of using a thermosetting resin except that the insulating layer 20 is formed by irradiating the photocurable resin with light such as ultraviolet light or an electron beam.

また、上述の導電層25の第2部分27が設けられる貫通孔を絶縁層20に形成する加工工程を実施してもよい。例えば、絶縁層20が感光性を有する場合、絶縁層20に露光処理及び現像処理を施すことによって貫通孔を形成することができる。 Further, a processing step of forming a through hole in the insulating layer 20 in which the second portion 27 of the conductive layer 25 is provided may be performed. For example, if the insulating layer 20 has photosensitivity, the through holes can be formed by exposing and developing the insulating layer 20 .

なお、上述のように収容基板10の凹部13の壁面132と素子50との間の隙間に絶縁層20を吸引により引き込む場合、凹部13の隙間の近傍においては、その他の部分に比べて、絶縁層20の厚みが小さくなることが考えられる。例えば、図2に示すように、絶縁層20の表面のうち収容基板10の第1面11の法線方向に沿って見た場合に凹部13の壁面132と素子50との間の隙間と重なる部分には窪み21が形成されることがある。窪み21の深さは、例えば5μm以上であり、また、例えば10μm以下である。窪みが形成されることで、応力の集中が回避され得る。 When the insulating layer 20 is drawn into the gap between the wall surface 132 of the concave portion 13 of the housing substrate 10 and the element 50 by suction as described above, the vicinity of the gap of the concave portion 13 is more insulated than other portions. It is conceivable that the thickness of layer 20 is reduced. For example, as shown in FIG. 2 , when viewed along the normal direction of the first surface 11 of the housing substrate 10 among the surfaces of the insulating layer 20 , it overlaps with the gap between the wall surface 132 of the recess 13 and the element 50 . A depression 21 may be formed in the part. The depth of the depression 21 is, for example, 5 μm or more and, for example, 10 μm or less. Forming the depressions may avoid stress concentrations.

(導電層の形成工程)
続いて、絶縁層20上に位置する第1部分26と、絶縁層20を貫通し、第1部分26と素子50の端子51とを電気的に接続する第2部分27と、を有する導電層25を形成する。これにより、図1に示す実装基板1を得ることができる。
(Step of forming conductive layer)
Subsequently, a conductive layer having a first portion 26 located on the insulating layer 20 and a second portion 27 penetrating the insulating layer 20 and electrically connecting the first portion 26 and the terminal 51 of the element 50 25 is formed. Thus, the mounting board 1 shown in FIG. 1 can be obtained.

本実施の形態においては、上述のように、収容基板10の凹部13に素子50を配置する。このため、素子50を覆う絶縁層20に膨脹や収縮が生じた場合であっても、素子50の位置ずれの範囲を凹部13の内部に制限することができる。これにより、実装基板1の製造工程において、許容範囲を超える素子50の位置ずれが生じることを防ぐことができる。 In this embodiment, the element 50 is arranged in the concave portion 13 of the housing substrate 10 as described above. Therefore, even if the insulating layer 20 covering the element 50 expands or contracts, the displacement range of the element 50 can be limited to the inside of the recess 13 . As a result, in the manufacturing process of the mounting board 1, it is possible to prevent the element 50 from being displaced beyond the allowable range.

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述の実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述の実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。 Various modifications can be made to the above-described embodiment. Modifications will be described below with reference to the drawings as necessary. In the following description and the drawings used in the following description, the same reference numerals as those used for the corresponding portions in the above-described embodiment are used for the parts that can be configured in the same manner as in the above-described embodiment, Duplicate explanations are omitted. Further, when it is clear that the effects obtained in the above-described embodiment can also be obtained in the modified example, the explanation thereof may be omitted.

(第1の変形例)
上述の実施の形態においては、実装基板1が、絶縁層20を第2面12側から支持する支持基板30を備える例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図6に示すように、実装基板1が支持基板30を備えていなくてもよい。このような実装基板1は、例えば、上述の図1に示す実装基板1を製造した後、支持基板30を収容基板10の第2面12から分離する工程を更に実施することによって得られる。
(First modification)
In the embodiment described above, an example in which the mounting substrate 1 includes the support substrate 30 that supports the insulating layer 20 from the second surface 12 side has been described. However, the present invention is not limited to this, and the mounting board 1 may not include the supporting board 30 as shown in FIG. Such a mounting substrate 1 can be obtained, for example, by further performing a step of separating the supporting substrate 30 from the second surface 12 of the housing substrate 10 after manufacturing the mounting substrate 1 shown in FIG.

(第2の変形例)
図7に示すように、絶縁層20を第2面12側から支持する支持基板30には、支持基板30を貫通する電極35が設けられていてもよい。この場合、図7に示すように、導電層25は、第1部分26及び第2部分27に加えて、絶縁層20及び収容基板10を貫通し、第1部分26と支持基板30の電極35とを電気的に接続する第3部分28を更に有していてもよい。これにより、素子50の端子51と支持基板30の電極35とを電気的に接続することができる。支持基板30の電極35には、素子50との間で電気信号を送受信するその他の電子部品が電気的に接続される。
(Second modification)
As shown in FIG. 7 , electrodes 35 penetrating through the support substrate 30 may be provided on the support substrate 30 that supports the insulating layer 20 from the second surface 12 side. In this case, as shown in FIG. 7, the conductive layer 25 penetrates the insulating layer 20 and the housing substrate 10 in addition to the first portion 26 and the second portion 27, and penetrates the electrodes 35 of the first portion 26 and the support substrate 30. It may further have a third portion 28 electrically connecting the . Thereby, the terminals 51 of the element 50 and the electrodes 35 of the support substrate 30 can be electrically connected. Other electronic components that transmit and receive electrical signals to and from the element 50 are electrically connected to the electrodes 35 of the support substrate 30 .

導電層25の第3部分28が設けられる収容基板10の貫通孔は、収容基板10に凹部13を形成する工程において形成されてもよい。若しくは、収容基板10の貫通孔は、収容基板10に凹部13を形成した後に形成されてもよい。 The through hole of the housing substrate 10 in which the third portion 28 of the conductive layer 25 is provided may be formed in the step of forming the recess 13 in the housing substrate 10 . Alternatively, the through-holes in the housing substrate 10 may be formed after the recesses 13 are formed in the housing substrate 10 .

(第3の変形例)
図8に示すように、収容基板10の凹部13は、素子50の面のうち収容基板10の第2面12側に位置する面52を支持する段部133と、素子50の面52と支持基板30との間において絶縁層20を貫通する貫通部134と、を有していてもよい。図8に示す例において、段部133は、凹部13の底面131の一部に支持基板30側まで貫通する貫通部134を形成することによって形成されている。本変形例において、素子50は、第2面12側に位置する面52に形成されたセンサ部53を有する。例えば、素子50は、撮像素子を含み、センサ部53は、光を検出する光検出部である。
(Third modification)
As shown in FIG. 8 , the concave portion 13 of the housing substrate 10 includes a step portion 133 that supports the surface 52 of the element 50 located on the second surface 12 side of the housing substrate 10 and the surface 52 of the element 50 . and a penetrating portion 134 that penetrates the insulating layer 20 between the substrate 30 and the substrate 30 . In the example shown in FIG. 8, the stepped portion 133 is formed by forming a penetrating portion 134 penetrating through a portion of the bottom surface 131 of the recess 13 to the support substrate 30 side. In this modification, the element 50 has a sensor portion 53 formed on the surface 52 located on the second surface 12 side. For example, the device 50 includes an imaging device, and the sensor section 53 is a light detection section that detects light.

本変形例においては、素子50の面52の少なくとも一部が収容基板10に接触しないようになる。この場合、素子50の面52のうち収容基板10に接触しない部分にセンサ部53を設けることが好ましい。これにより、収容基板10との接触によってセンサ部53の精度が低下することを抑制することができる。 In this modification, at least part of the surface 52 of the element 50 does not come into contact with the housing substrate 10 . In this case, it is preferable to provide the sensor section 53 on a portion of the surface 52 of the element 50 that does not come into contact with the housing substrate 10 . As a result, it is possible to prevent the accuracy of the sensor section 53 from deteriorating due to contact with the housing substrate 10 .

(第4の変形例)
上述の実施の形態及び各変形例においては、絶縁層20上に設けられた導電層25が素子50の端子51に電気的に接続している例を示した。本変形例においては、収容基板10の第1面11側に位置する貫通電極基板40の貫通電極45が素子50の端子51に電気的に接続する例について説明する。
(Fourth modification)
In the above-described embodiment and each modified example, an example in which the conductive layer 25 provided on the insulating layer 20 is electrically connected to the terminal 51 of the element 50 is shown. In this modified example, an example in which the through electrode 45 of the through electrode substrate 40 located on the first surface 11 side of the housing substrate 10 is electrically connected to the terminal 51 of the element 50 will be described.

図9は、本変形例に係る実装基板1を示す断面図である。図9に示すように、実装基板1は、収容基板10、素子50、絶縁層20及び貫通電極基板40を備える。 FIG. 9 is a cross-sectional view showing the mounting board 1 according to this modification. As shown in FIG. 9 , the mounting substrate 1 includes a housing substrate 10 , elements 50 , an insulating layer 20 and a through electrode substrate 40 .

貫通電極基板40は、収容基板10の第1面11側に位置する基板41と、基板41を貫通するとともに基板41の表面から収容基板10側へ突出した貫通電極45と、を有する。図9に示すように、貫通電極45は、素子50の端子51に電気的に接続されるよう、絶縁層20を貫通している。図9に示す例においては、導電層25の先端が素子50の端子51に接触している。 The through electrode substrate 40 has a substrate 41 located on the side of the first surface 11 of the housing substrate 10 and a through electrode 45 penetrating through the substrate 41 and protruding from the surface of the substrate 41 toward the housing substrate 10 . As shown in FIG. 9 , the through electrode 45 penetrates the insulating layer 20 so as to be electrically connected to the terminal 51 of the element 50 . In the example shown in FIG. 9, the tip of the conductive layer 25 contacts the terminal 51 of the element 50 .

基板41は、一定の絶縁性を有する無機材料を含んでいる。例えば、基板41は、支持基板30と同様に、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、樹脂基板、シリコン基板、炭化シリコン基板、アルミナ(Al2O3)基板、窒化アルミ(AlN)基板、酸化ジルコニア(ZrO2)基板、ニオブ酸リチウム基板、ニオブ酸タンタル基板など、又は、これらの基板が積層されたものである。支持基板30は、アルミニウム基板、ステンレス基板など、導電性を有する材料から構成された基板を部分的に含んでいてもよい。基板41で用いるガラスの例としては、支持基板30の場合と同様に、無アルカリガラスなどを挙げることができる。基板41の厚みは、例えば0.05mm以上であり、また、例えば0.5mm以下である。 The substrate 41 contains an inorganic material with certain insulating properties. For example, the substrate 41 may be, like the support substrate 30, a glass substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, a resin substrate, a silicon substrate, a silicon carbide substrate, an alumina ( Al2O3 ) substrate, an aluminum nitride ( AlN ) substrate, or a zirconia oxide substrate. (ZrO 2 ) substrate, lithium niobate substrate, tantalum niobate substrate, etc., or a laminate of these substrates. The support substrate 30 may partially include a substrate made of a conductive material such as an aluminum substrate or a stainless steel substrate. Examples of the glass used for the substrate 41 include non-alkali glass, as in the case of the support substrate 30 . The thickness of the substrate 41 is, for example, 0.05 mm or more and, for example, 0.5 mm or less.

貫通電極45が導電性を有する限りにおいて、貫通電極45の構成は特に限定されない。例えば、貫通電極45は、上述の導電層25と同様に、導電性を有する単一の層から構成されていてもよく、または、導電性を有する複数の層から構成されていてもよい。貫通電極45の材料としては、導電層25と同様の金属材料を用いることができる。 The configuration of the through electrode 45 is not particularly limited as long as the through electrode 45 has conductivity. For example, the through electrode 45 may be composed of a single conductive layer, or may be composed of a plurality of conductive layers, similar to the conductive layer 25 described above. As the material of the through electrode 45, the same metal material as that of the conductive layer 25 can be used.

以下、図9に示す実装基板1の製造方法の一例について、図10を参照して説明する。 An example of a method for manufacturing the mounting substrate 1 shown in FIG. 9 will be described below with reference to FIG.

まず、上述の実施の形態の場合と同様にして、凹部13が設けられた収容基板10を支持基板30上に形成し、凹部13に素子50を配置し、素子50を絶縁層20で覆う。絶縁層20としては、例えば、接着剤を用いることができ、具体的には、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル樹脂などを用いることができる。また、図10に示すように、収容基板10側に突出した貫通電極45を有する貫通電極基板40を準備する。続いて、貫通電極基板40の貫通電極45が素子50の端子51に接触するよう貫通電極基板40を絶縁層20上に配置する。例えば、貫通電極基板40の貫通電極45が絶縁層20を貫通して素子50の端子51に接触するよう、貫通電極基板40を絶縁層20に向けて押圧する。このようにして、図9に示す実装基板1を得ることができる。 First, in the same manner as in the above embodiment, the housing substrate 10 provided with the recess 13 is formed on the support substrate 30 , the element 50 is arranged in the recess 13 , and the element 50 is covered with the insulating layer 20 . As the insulating layer 20, for example, an adhesive can be used, and specifically, a polyimide resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like can be used. Further, as shown in FIG. 10, a through electrode substrate 40 having through electrodes 45 projecting toward the housing substrate 10 is prepared. Subsequently, the through electrode substrate 40 is arranged on the insulating layer 20 so that the through electrode 45 of the through electrode substrate 40 is in contact with the terminal 51 of the element 50 . For example, the through electrode substrate 40 is pressed toward the insulating layer 20 so that the through electrode 45 of the through electrode substrate 40 penetrates the insulating layer 20 and contacts the terminal 51 of the element 50 . Thus, the mounting board 1 shown in FIG. 9 can be obtained.

なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。 Although several modifications of the above-described embodiment have been described, it is of course possible to apply a plurality of modifications in appropriate combination.

1 実装基板
10 収容基板
11 第1面
12 第2面
13 凹部
131 底面
132 壁面
133 段部
134 貫通部
20 絶縁層
21 窪み
25 導電層
26 第1部分
27 第2部分
28 第3部分
30 支持基板
35 電極
40 貫通電極基板
41 基板
45 貫通電極
50 素子
51 端子
53 センサ部
1 Mounting substrate 10 Accommodating substrate 11 First surface 12 Second surface 13 Recessed portion 131 Bottom surface 132 Wall surface 133 Stepped portion 134 Through portion 20 Insulating layer 21 Recess 25 Conductive layer 26 First portion 27 Second portion 28 Third portion 30 Supporting substrate 35 Electrode 40 Through electrode substrate 41 Substrate 45 Through electrode 50 Element 51 Terminal 53 Sensor part

Claims (6)

第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含み、前記第1面側に凹部が設けられ、且つ有機材料を有する収容基板と、
前記収容基板の前記凹部に位置し、端子を有する素子と、
前記第1面側において前記収容基板及び前記素子を少なくとも部分的に覆うとともに、前記収容基板の前記凹部の壁面と前記素子との間の隙間に少なくとも部分的に位置する絶縁層と、
前記絶縁層上に位置する第1部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第1部分と前記素子の前記端子とを電気的に接続する第2部分と、を有する導電層と、を備え、
前記導電層は、前記第1部分に接続され、前記絶縁層及び前記収容基板を貫通する第3部分を更に有する、実装基板。
a receiving substrate including a first surface and a second surface located opposite to the first surface, the first surface being provided with recesses, and having an organic material;
an element positioned in the recess of the housing substrate and having a terminal;
an insulating layer that at least partially covers the housing substrate and the element on the first surface side and is at least partially positioned in a gap between the wall surface of the recess of the housing substrate and the element;
a conductive layer having a first portion located on the insulating layer and a second portion penetrating the insulating layer and electrically connecting the first portion and the terminal of the element;
A mounting substrate, wherein the conductive layer further includes a third portion connected to the first portion and penetrating the insulating layer and the housing substrate.
第1面及び前記第1面の反対側に位置する第2面を含み、前記第1面側に凹部が設けられ、且つ有機材料を有する収容基板と、
前記収容基板の前記凹部に位置し、端子を有する素子と、
前記第1面側において前記収容基板及び前記素子を少なくとも部分的に覆うとともに、前記収容基板の前記凹部の壁面と前記素子との間の隙間に少なくとも部分的に位置する絶縁層と、
前記絶縁層上に位置する第1部分と、前記絶縁層を貫通し、前記第1部分と前記素子の前記端子とを電気的に接続する第2部分と、を有する導電層と、を備え、
前記収容基板の前記凹部は、前記素子の面のうち前記収容基板の前記第2面側に位置する面を支持する段部と、前記素子の前記面と前記収容基板の前記第2面との間において前記収容基板を貫通する貫通部と、を有する、 実装基板。
a receiving substrate including a first surface and a second surface located opposite to the first surface, the first surface being provided with recesses, and having an organic material;
an element positioned in the recess of the housing substrate and having a terminal;
an insulating layer that at least partially covers the housing substrate and the element on the first surface side and is at least partially positioned in a gap between the wall surface of the recess of the housing substrate and the element;
a conductive layer having a first portion located on the insulating layer and a second portion penetrating the insulating layer and electrically connecting the first portion and the terminal of the element;
The concave portion of the housing substrate includes a stepped portion that supports a surface of the element that is located on the second surface side of the housing substrate, and a step formed by the surface of the element and the second surface of the housing substrate. a through portion penetrating the containing substrate therebetween.
前記素子の面のうち前記収容基板の前記第2面側に位置する面にセンサ部が形成されている、請求項1又は2に記載の実装基板。 3. The mounting substrate according to claim 1, wherein a sensor portion is formed on a surface of said element located on a side of said second surface of said housing substrate. 前記絶縁層の表面のうち前記収容基板の前記第1面の法線方向に沿って見た場合に前記凹部の壁面と前記素子との間の隙間と重なる部分には窪みが形成されている、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の実装基板。 A recess is formed in a portion of the surface of the insulating layer that overlaps a gap between the wall surface of the recess and the element when viewed along the normal direction of the first surface of the housing substrate. The mounting board according to any one of claims 1 to 3. 前記収容基板の前記有機材料は、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂又はフッ素系樹脂を含む、請求項1乃至4のいずれか一項に記載の実装基板。 The mounting substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the organic material of the housing substrate includes polyimide resin, epoxy resin, polyphenylene ether resin, or fluorine resin. 前記絶縁層を構成する材料は、ポリイミド樹脂、エポキシ系樹脂又はアクリル樹脂を含む、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の実装基板。 The mounting substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein a material forming said insulating layer includes polyimide resin, epoxy resin, or acrylic resin.
JP2023065181A 2021-11-04 2023-04-12 Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method Pending JP2023099005A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023065181A JP2023099005A (en) 2021-11-04 2023-04-12 Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021180529A JP7265728B2 (en) 2017-09-21 2021-11-04 Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method
JP2023065181A JP2023099005A (en) 2021-11-04 2023-04-12 Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021180529A Division JP7265728B2 (en) 2017-09-21 2021-11-04 Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023099005A true JP2023099005A (en) 2023-07-11

Family

ID=80216304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023065181A Pending JP2023099005A (en) 2021-11-04 2023-04-12 Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2023099005A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10763423B2 (en) MEMS piezoelectric transducer formed at a PCB support structure
TWI360850B (en) Semiconductor device and method of manufacturing t
JP5621155B2 (en) Method for vertically interconnecting 3D electronic modules by vias
JP5215853B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device having planar contact forming portion and semiconductor device
KR20070012656A (en) Sensor device, sensor system and methods for manufacturing them
JP2007201260A (en) Sealing structure, method of manufacturing sealing structure, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device
JP2011142374A (en) Piezoelectric device and method for manufacturing the same
US20200279801A1 (en) Foil-based package with distance compensation
KR20090115191A (en) Functional element package and fabrication method therefor
TWI708316B (en) Molded circuit substrates
US9899360B2 (en) Semiconductor device
JP4548799B2 (en) Semiconductor sensor device
JP5827845B2 (en) Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof
US10076031B2 (en) Electronic device and method of manufacturing electronic device
JP7265728B2 (en) Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method
JP2018506171A (en) Easy-to-manufacture electrical components and methods for manufacturing electrical components
JP2023099005A (en) Mounting substrate and mounting substrate manufacturing method
JP5006429B2 (en) Semiconductor sensor device and manufacturing method thereof
JP6972829B2 (en) Mounting board and manufacturing method of mounting board
JP7176103B2 (en) ELECTRONIC DEVICE MOUNTING SUBSTRATE AND ELECTRONIC DEVICE
JP2018186173A (en) Substrate for mounting electronic element, electronic apparatus, and electronic module
JP7210191B2 (en) Electronic device mounting board, electronic device, and electronic module
JP6245086B2 (en) Package and package manufacturing method
JP2019134014A (en) Motherboard for mounting electronic device, board for mounting electronic device, and electronic apparatus
JP2013036829A (en) Silicone embedded glass substrate and manufacturing method therefor, silicone embedded glass multilayer substrate and manufacturing method therefor, and electrostatic acceleration sensor

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230412

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240206

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240220

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20240422

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240529