JP2023097776A - 多軸変位測定装置及び多軸変位測定方法 - Google Patents

多軸変位測定装置及び多軸変位測定方法 Download PDF

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Abstract

Figure 2023097776000001
【課題】参照格子を設けることなく、スケール回折格子の多軸変位の検出が可能な多軸変位測定装置及び多軸変位測定方法を提供する。
【解決手段】レーザ光源4から射出したレーザ光5をスケール回折格子3に入射し、得られる+1次回折光8及び-1次回折光9と0次反射光10とをそれぞれ干渉させた干渉ビームを生成する。干渉ビームをそれぞれ受光機構で受光して干渉信号をそれぞれ生成する。各干渉信号に基づきスケール回折格子3の多軸変位を演算により算出する。
【選択図】図1

Description

本発明は、スケール回折格子を用いて変位を測定する多軸変位測定装置及びこれを備えた多軸変位測定方法に関する。
産業機械においては、加工や計測等の目的のために、対象物を目標の位置に精度よく停止させる、いわゆる位置決め動作がなされており、この目的のために平面ステージ等の多軸位置決め機構が用いられている。特に、サブマイクロメートル超の高精度位置決めが要求される機構においては、可動ステージテーブル移動量を高精度に検出する変位センサを用い、その出力をもとに可動ステージテーブル位置を制御するクローズドループ制御が必要となる。
平面ステージ等、多軸位置決め機構のクローズドループ制御向け変位センサとしては、平面ステージ機構の構成上、可動ステージテーブルの変位を非接触で測定できる計測機が必要であり、測定レンジ及び測定分解能等の観点から、レーザ干渉変位計が用いられることが多い。このレーザ干渉変位計は、ホモダイン方式とヘテロダイン方式に大別できる。ホモダイン方式は単一波長を有する測定レーザ光を光源として用いるのに対して、ヘテロダイン方式は波長の若干異なる2波長のレーザ光を測定レーザ光として用いるものである(例えば、非特許文献1参照)。いずれも基本的には測定対象のレーザ光軸方向への変位を検出するもので、多軸位置決めの際にはその駆動軸数の測定レーザ光が必要となる。
一方で、スライドテーブル等の移動量検出対象に位置検出用の微細パターンを有するスケールを搭載し、スライドのベース側に固定して設置した光学式読み取りヘッドでこの微細パターンを検出することでスライドテーブル移動量を測定する、光学式エンコーダも多軸位置決めに多用される。微細パターンとしては、スケール上での絶対位置検出を可能とするパターンや、ナノメートル超の高分解能位置検出を実現する格子状のパターンが用いられているが、特に、格子状のパターンにより生じる回折光から干渉信号を得ることでスケール変位を検出する光干渉方式のリニアエンコーダでは、ナノメートル超の高分解能測定が実現できる。2軸パターンを有するスケール回折格子及び参照格子を用い、これらにレーザ光を照射して得られる回折光を重畳して利用するサーフェスエンコーダでは、2軸スケール回折格子の面内(XY)2軸変位及びスケール回折格子の法線方向(Z)変位の3軸変位を一括検出することが可能である(例えば、特許文献1参照)。この手法をもとに、スケール回折格子を移動体に取り付け、参照格子を光学ヘッド内で固定することで、スケール回折格子と光学ヘッドの間のXYZ各軸相対変位をサブナノメートル級の分解能で一括検出できることが実験的にも実証されている(例えば、非特許文献2及び3参照)。
特許第4779117号公報
高偉、最新エンコーダ技術と展望、精密工学会誌、Vol.82、No.9(2016) p.773-777 A. Kimura et al.、A sub-nanometric three-axis surface encoder with short-period planar gratings for stage motion measurement、Precision Engineering、Vol.36(2012) p.576-585 X. Li et al.、A six-degree-of-freedom surface encoder for precision positioning of a planar motion stage、Precision Engineering、Vol.37(2013) p.771-781
しかしながら、従来のサーフェスエンコーダでは、光学ヘッド内に参照格子を配置する必要があり、光学ヘッドをコンパクトに構成することが容易ではないことから、光学ヘッドを設置できるスペースに制約のあるアプリケーションへのサーフェスエンコーダの適用が困難であるという欠点がある。
また、スケール回折格子と全く同一のピッチを有する2軸回折格子パターンを有する参照格子を準備する必要があり、ピッチのずれが測定精度の低下を招くという欠点もある。
そのため、光学ヘッド内に参照格子を設置せずとも3軸相対変位を同時に測定できる手法の確立が望まれている。
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、参照格子を用いることなく、スケール回折格子の多軸変位の検出が可能な多軸変位測定装置及び多軸変位測定方法を提供することを目的とする。
請求項1記載の多軸変位測定装置は、レーザ光源と、前記レーザ光源から射出したレーザ光を入射するスケール回折格子と、前記レーザ光を前記スケール回折格子に入射して得られる+1次回折光及び-1次回折光と0次反射光とをそれぞれ干渉させた干渉ビームを生成する光学系と、前記干渉ビームをそれぞれ受光して干渉信号をそれぞれ生成する受光機構と、前記各干渉信号に基づき前記スケール回折格子の多軸変位を演算により算出するスケール変位算出器と、を具備したものである。
請求項2記載の多軸変位測定装置は、請求項1記載の多軸変位測定装置において、前記レーザ光源から射出したレーザ光をコリメート光に整形するコリメート光生成機構を備え、前記スケール回折格子に入射する入射光は、前記コリメート光であるものである。
請求項3記載の多軸変位測定装置は、請求項2記載の多軸変位測定装置において、前記光学系は、前記コリメート光を前記スケール回折格子に入射して得られる+1次回折光及び-1次回折光をそれぞれ前記コリメート光と平行にする回折光伝播方向制御ユニットと、前記回折光伝播方向制御ユニットからの+1次回折光及び-1次回折光と前記スケール回折格子からの0次反射光との偏光方向を制御する波長板と、前記波長板によって偏光制御された0次反射光、+1次回折光及び-1次回折光の伝播方向を変えるビームスプリッタと、前記ビームスプリッタにより伝播方向を変えられた0次反射光を複数のサブ0次ビームに分割し、+1次回折光及び-1次回折光との重畳ビームを生成する干渉ユニットと、前記干渉ユニットにより生成した0次・+1次回折光重畳ビームと、0次・-1次回折光重畳ビームと、の偏光状態を制御して、前記干渉ビームである0次・+1次回折光干渉ビームと、前記干渉ビームである0次・-1次回折光干渉ビームと、を生成する干渉ビーム生成波長板と、を有するものである。
請求項4記載の多軸変位測定装置は、請求項2記載の多軸変位測定装置において、前記光学系は、前記コリメート光を前記スケール回折格子に入射して得られる+1次回折光及び-1次回折光をそれぞれ前記コリメート光と平行にする回折光伝播方向制御ユニットと、前記回折光伝播方向制御ユニットからの+1次回折光及び-1次回折光と前記スケール回折格子からの0次反射光との偏光方向を制御する波長板と、前記波長板によって偏光制御された0次反射光、+1次回折光及び-1次回折光の伝播方向を変える偏光ビームスプリッタと、前記偏光ビームスプリッタにより伝播方向を変えられた0次反射光を複数のサブ0次ビームに分割し、+1次回折光及び-1次回折光と前記サブ0次ビームとの重畳ビームを生成する干渉ユニットと、前記干渉ユニットにより生成した0次・+1次回折光重畳ビームと、0次・-1次回折光重畳ビームと、をそれぞれ、一及び他の0次・+1次回折光重畳サブビームと、一及び他の0次・-1次回折光重畳サブビームと、に2分割するビームスプリッタと、前記一の0次・+1次回折光重畳サブビームと、前記一の0次・-1次回折光重畳サブビームと、の偏光状態を制御して、前記干渉ビームである一の0次・+1次回折光干渉サブビームと、前記干渉ビームである一の0次・+1次回折光干渉サブビームと、を生成する一の干渉サブビーム生成波長板と、前記他の0次・+1次回折光重畳サブビームと、前記他の0次・-1次回折光重畳サブビームと、の偏光状態を制御して、前記干渉ビームである他の0次・+1次回折光干渉サブビームと、前記干渉ビームである他の0次・+1次回折光干渉サブビームと、を生成する他の干渉サブビーム生成波長板と、前記他の0次・+1次回折光干渉サブビームと前記他の0次・+1次回折光干渉サブビームとに、前記一の0次・+1次回折光干渉サブビームと前記一の0次・-1次回折光干渉サブビームとに対して90°の位相差を付与する位相板と、を有するものである。
請求項5記載の多軸変位測定装置は、請求項1乃至4いずれか一記載の多軸変位測定装置において、前記スケール回折格子は、1軸の回折格子パターンを有するものである。
請求項6記載の多軸変位測定装置は、請求項1乃至4いずれか一記載の多軸変位測定装置において、前記スケール回折格子は、2軸の回折格子パターンを有するものである。
請求項7記載の多軸変位測定装置は、請求項1乃至6いずれか一記載の多軸変位測定装置において、前記受光機構は、1素子フォトダイオード、一次元PSD、一次元撮像素子のいずれかであるものである。
請求項8記載の多軸変位測定装置は、請求項1乃至6いずれか一記載の多軸変位測定装置において、前記受光機構は、多分割フォトダイオード、二次元PSD、二次元撮像素子のいずれかであるものである。
請求項9記載の多軸変位測定方法は、請求項1乃至8いずれか一記載の多軸変位測定装置を用いて、前記スケール回折格子の多軸変位を測定するものである。
本発明によれば、参照格子を用いることなく、スケール回折格子の多軸変位の検出が可能になる。
本発明の第1の実施の形態の多軸変位測定装置を示す概略構成図である。 図1の一部を模式的に示す説明図である。 同上多軸変位測定装置の干渉ユニット通過前後の各ビームの偏光状態を示す模式図である。 本発明の第2の実施の形態の多軸変位測定装置を示す概略構成図である。
以下、本発明の第1の実施の形態について、図面を参照して説明する。
図1において、1は多軸変位測定装置を示す。多軸変位測定装置1は、移動体2に搭載された測定対象であるスケール回折格子3の多軸変位を測定するためのものである。移動体2は、例えば移動ステージ機構のスライドテーブル等である。スケール回折格子3は、反射型のものである。以下、スケール回折格子3の面内の直交方向をX方向及びY方向、それらと直交する面外方向(光軸方向)をZ方向として説明する。
多軸変位測定装置1は、レーザ光源4を備える。レーザ光源4は、例えば半導体レーザ光源である。レーザ光源4から射出されたレーザ光5が、スケール回折格子3に照射される。本実施の形態では、レーザ光5から、コリメート光生成機構6により生成されたコリメート光7がスケール回折格子3に照射される。コリメート光生成機構6は、例えば非球面レンズ等からなる。
そして、多軸変位測定装置1は、コリメート光7のスケール回折格子3への照射により発生した+1次回折光8及び-1次回折光9と0次反射光10とをそれぞれ干渉させた干渉ビームを光学系11により生成し、それら干渉ビームをそれぞれ受光機構により受光して干渉信号をそれぞれ生成するとともに、各干渉信号に基づきスケール回折格子3の多軸変位をスケール変位算出器12によって演算により算出することで、移動体2に搭載された測定対象であるスケール回折格子3の多軸変位を同時に測定する。
すなわち、移動体2を移動すると、それに伴うスケール回折格子3の移動により、各干渉ビームの位相が変動する。この位相変動は、スケール回折格子3の面内方向変位(ΔxまたはΔy)、及び、面外方向変位(Δz)により発生するが、Δzはそれぞれの干渉ビームに同相の位相変化を与える一方で、ΔxあるいはΔyは、それぞれの干渉ビームに逆相の位相変化を与える。そのため、多軸変位測定装置1では、これら干渉ビームを受光機構で捕捉することで得られる2つの干渉信号をもとにスケール変位算出器12によって演算をすることで、ΔxあるいはΔyとΔzとを分離して取り出すことができるようになっている。
本実施の形態では、図2に示すように、スケール回折格子3がY方向に延びる等間隔の1軸パターンを有するものとし、スケール回折格子3のX方向変位、及び、Z方向変位の検出について説明する。
図1に示す光学系11は、回折光伝播方向制御ユニット15を有する。回折光伝播方向制御ユニット15は、+1次回折光8及び-1次回折光9をコリメート光7と平行に変換する。
光学系11は、波長板16と、ビームスプリッタである偏光ビームスプリッタ17と、をさらに有する。回折光伝播方向制御ユニット15を通過後の+1次回折光8、-1次回折光9、及び、スケール回折格子3からの0次反射光10は、波長板16により偏光方向がそれぞれ制御されるとともに、偏光ビームスプリッタ17により伝播方向が変えられる。
また、光学系11は、干渉ユニット20を有する。干渉ユニット20には、偏光ビームスプリッタ17により伝播方向を変えられた+1次回折光8、-1次回折光9及び0次反射光10が入射する。干渉ユニット20により、0次反射光10はサブ0次ビームである一のサブ0次ビーム21とサブ0次ビームである他のサブ0次ビーム22とに分割され、一のサブ0次ビーム21が+1次回折光8に重畳され、他のサブ0次ビーム22が-1次回折光9に重畳されて、重畳ビームである0次・+1次回折光重畳ビーム23と重畳ビームである0次・-1次回折光重畳ビーム24とが生成される。
さらに、光学系11は、干渉ビーム生成波長板25を有する。干渉ビーム生成波長板25は、0次・+1次回折光重畳ビーム23及び0次・-1次回折光重畳ビーム24の偏光状態を制御する。干渉ビーム生成波長板25により、0次・+1次回折光重畳ビーム23及び0次・-1次回折光重畳ビーム24から、干渉ビームである0次・+1次回折光干渉ビーム27及び干渉ビームである0次・-1次回折光干渉ビーム28が生成される。
また、光学系11は、受光機構(受光素子)である0次・+1次回折光受光機構30と、受光機構(受光素子)である0次・-1次回折光受光機構31と、を有する。0次・+1次回折光受光機構30及び0次・-1次回折光受光機構31は、フォトダイオード等である。例えば、0次・+1次回折光受光機構30及び0次・-1次回折光受光機構31は、1素子フォトダイオード、一次元PSD、一次元撮像素子のいずれかである。
そして、0次・+1次回折光干渉ビーム27が0次・+1次回折光受光機構30に受光されて干渉信号である0次・+1次回折光干渉信号33が生成される。同様に、0次・-1次回折光干渉ビーム28が0次・-1次回折光受光機構31に受光されて干渉信号である0次・-1次回折光干渉信号34が生成される。
0次・+1次回折光干渉信号33と0次・-1次回折光干渉信号34とは、スケール変位算出器12に入射し、スケール変位算出器12により、スケール回折格子3の変位が算出される。
ここで、本実施の形態の多軸変位測定装置1における、干渉ユニット20及び干渉ビーム生成波長板25による0次・+1次回折光干渉ビーム27及び0次・-1次回折光干渉ビーム28の生成について、図3を用いて説明する。なお、本実施の形態において、+1次回折光8、-1次回折光9及び0次反射光10は、干渉ユニット20にS偏光の状態で入射しているものとして説明する。
干渉ユニット20は、波長板36、波長板37、無偏光ビームスプリッタ38、偏光ビームスプリッタ39、ミラー40、及び、偏光ビームスプリッタ41を有する。
波長板36には、+1次回折光8、-1次回折光9及び0次反射光10が入射する。波長板36は、これら+1次回折光8、-1次回折光9及び0次反射光10の偏光方向を変える。本実施の形態において、+1次回折光8、-1次回折光9及び0次反射光10は、波長板36により、それぞれP偏光に変換される。
波長板37には、波長板36を通過した0次反射光10が入射する。波長板37は、0次反射光10の偏光方向を変える。本実施の形態において、0次反射光10は、波長板37により、S偏光に変換される。
無偏光ビームスプリッタ38には、波長板37を通過した0次反射光10が入射する。無偏光ビームスプリッタ38は、0次反射光10を、一のサブ0次ビーム21と他のサブ0次ビーム22とに分割する。
一のサブ0次ビーム21は、偏光ビームスプリッタ39において伝播方向が変更されるとともに、波長板36を通過してP偏光となった+1次回折光8と重畳されることで、0次・+1次回折光重畳ビーム23が生成される。
同様に、他のサブ0次ビーム22は、ミラー40、及び、偏光ビームスプリッタ41において伝播方向が変更されるとともに、波長板36を通過してP偏光となった-1次回折光9と重畳されることで、0次・-1次回折光重畳ビーム24が生成される。
0次・+1次回折光重畳ビーム23及び0次・-1次回折光重畳ビーム24は、干渉ビーム生成波長板25に入射する。
ここで、0次・+1次回折光重畳ビーム23内における一のサブ0次ビーム21、及び、0次・-1次回折光重畳ビーム24内における他のサブ0次ビーム22はそれぞれS偏光、0次・+1次回折光重畳ビーム23内における+1次回折光8、及び、0次・-1次回折光重畳ビーム24内における-1次回折光9はそれぞれP偏光であることから、0次・+1次回折光重畳ビーム23内及び0次・-1次回折光重畳ビーム24内ではそれぞれ干渉が発生しない。そこで、干渉ビーム生成波長板25を、例えば1/4波長板等で構成することにより、干渉ビーム生成波長板25によって偏光制御し、双方を円偏光とすることで、0次・+1次回折光干渉ビーム27及び0次・-1次回折光干渉ビーム28が得られる。
このようにして生成される0次・+1次回折光干渉ビーム27の光強度IPOS(Δx,Δz)は、スケール回折格子3の格子ピッチgに基づき、以下の式で表すことができる。
Figure 2023097776000002
また、0次・-1次回折光干渉ビーム28の光強度INEG(Δx,Δz)は、スケール回折格子3の格子ピッチgに基づき、以下の式で表すことができる。
Figure 2023097776000003
なお、数1及び数2において、θは+1次回折光8及び-1次回折光9の回折角、λはレーザ光源4のレーザ光5(コリメート光7)の波長である。
数1において、オフセット成分を除去して正規化することで、以下の式を得ることができる。
Figure 2023097776000004
また、数2において、オフセット成分を除去して正規化することで、以下の式を得ることができる。
Figure 2023097776000005
数3及び数4より、以下の式をそれぞれ得ることができる。
Figure 2023097776000006
Figure 2023097776000007
ここで、スケール回折格子3の格子ピッチgは、光学系の設計値として既知である。そのため、0次・+1次回折光受光機構30及び0次・-1次回折光受光機構31によって検出した0次・+1次回折光干渉ビーム27の光強度IPOS(Δx,Δz)及び0次・-1次回折光干渉ビーム28の光強度INEG(Δx,Δz)から、スケール変位算出器12により数3乃至数6の演算を行うことで、スケール回折格子3の面内方向の変位Δx及び面外方向変位Δzを同時に検出可能となる。
このように、レーザ光源4から射出したレーザ光5をスケール回折格子3に入射し、得られる+1次回折光8及び-1次回折光9と0次反射光10とをそれぞれ干渉させた干渉ビームを生成して、これら干渉ビームをそれぞれ受光機構で受光して生成した各干渉信号に基づきスケール回折格子3の多軸変位をスケール変位算出器12の演算により算出することで、参照格子を設けることなく、スケール回折格子3の多軸変位の検出が可能になる。したがって、光学ヘッドをよりコンパクトに構成すること、及び、スケール回折格子3の3軸相対変位の高精度な3軸同時検出の実現が期待できる。
本実施の形態では、コリメート光生成機構6によりレーザ光5をコリメート光7に整形してスケール回折格子3に入射させるので、スケール回折格子3の変位をより高精度に検出可能となる。
また、スケール回折格子3にレーザ光4を照射して+1次回折光8及び-1次回折光9と0次反射光10とを発生させるとともに、偏光ビームスプリッタ17を用いて0次反射光10を一のサブ0次ビーム21と他のサブ0次ビーム22とに分割し、一のサブ0次ビーム21と+1次回折光8とを重畳して干渉信号を得るとともに、他のサブ0次ビーム22と-1次回折光9とを重畳して他の干渉信号を得て、これら干渉信号を受光機構で検出する。そして、光学ヘッドとスケール回折格子3との相対変位により変化する複数の干渉信号の位相情報をもとに、スケール変位算出器12の演算によりレーザ光4の光軸方向の相対変位及びスケール回折格子3の面内方向の相対変位による位相変化を分離して評価する。この結果、参照格子を不要とする多軸変位測定装置1及び多軸変位測定方法を提供することができる。
次に、第2の実施の形態について、図4を参照して説明する。なお、第1の実施の形態と同様の構成及び作用については、同一符号を付して説明を省略する。
本実施の形態の多軸変位測定装置1は、レーザ光源4から干渉ユニット20までの構成は第1の実施形態と同様であるが、検出変位の方向弁別のため、光学系を拡張した構成となっている。
本実施の形態において、0次・+1次回折光重畳ビーム23及び0次・-1次回折光重畳ビーム24は、それぞれビームスプリッタである無偏光ビームスプリッタ45によりそれぞれ2分割され、重畳サブビームである一の0次・+1次回折光重畳サブビーム47及び重畳サブビームである他の0次・+1次回折光重畳サブビーム48と、重畳サブビームである一の0次・-1次回折光重畳サブビーム49及び重畳サブビームである他の0次・-1次回折光重畳サブビーム50とが生成される。
一の0次・+1次回折光重畳サブビーム47及び一の0次・-1次回折光重畳サブビーム49は、一の干渉ビーム生成波長板51により干渉ビームである一の0次・+1次回折光干渉サブビーム52及び干渉ビームである一の0次・-1次回折光干渉サブビーム53に変換される。一の0次・+1次回折光干渉サブビーム52は、受光機構(受光素子)である一の0次・+1次回折光受光機構55に受光され、一の0次・-1次回折光干渉サブビーム53は、受光機構(受光素子)である一の0次・-1次回折光受光機構56に受光されて、干渉信号である一の0次・+1次回折光干渉サブ信号58及び干渉信号である一の0次・-1次回折光干渉サブ信号59が生成される。
一方、他の0次・+1次回折光重畳サブビーム48及び他の0次・-1次回折光重畳サブビーム50は、他の干渉ビーム生成波長板61により干渉ビームである他の0次・+1次回折光干渉サブビーム62及び干渉ビームである他の0次・-1次回折光干渉サブビーム63に変換される。他の0次・+1次回折光干渉サブビーム62及び他の0次・-1次回折光干渉サブビーム63は、位相板64によりそれぞれ一の0次・+1次回折光干渉サブビーム52及び一の0次・-1次回折光干渉サブビーム53に対して位相が90°ずらされ、他の0次・+1次回折光干渉サブビーム62は、受光機構(受光素子)である他の0次・+1次回折光受光機構65に受光され、他の0次・-1次回折光干渉サブビーム63は、受光機構(受光素子)である他の0次・-1次回折光受光機構66に受光されて、干渉信号である他の0次・+1次回折光干渉サブ信号68及び干渉信号である他の0次・-1次回折光干渉サブ信号69が生成される。
このようにして生成される一の0次・+1次回折光干渉サブ信号58の光強度IPOS_A(Δx,Δz)は、スケール回折格子3の格子ピッチgに基づき以下の式で表すことができる。
Figure 2023097776000008
また、一の0次・-1次回折光干渉サブ信号59の光強度INEG_A(Δx,Δz)は、スケール回折格子3の格子ピッチgに基づき、以下の式で表すことができる。
Figure 2023097776000009
また、他の0次・+1次回折光干渉サブ信号68の光強度IPOS_B(Δx,Δz)は、スケール回折格子3の格子ピッチgに基づき、以下の式で表すことができる。
Figure 2023097776000010
さらに、他の0次・-1次回折光干渉サブ信号69の光強度INEG_B(Δx,Δz)は、スケール回折格子3の格子ピッチgに基づき、以下の式で表すことができる。
Figure 2023097776000011
数7において、オフセット成分の除去及び正規化処理を行うことより、以下の式を得ることができる。
Figure 2023097776000012
また、数8において、オフセット成分の除去及び正規化処理を行うことより、以下の式を得ることができる。
Figure 2023097776000013
また、数9において、オフセット成分の除去及び正規化処理を行うことより、以下の式を得ることができる。
Figure 2023097776000014
さらに、数10において、オフセット成分の除去及び正規化処理を行うことより、以下の式を得ることができる。
Figure 2023097776000015
数11乃至数14より、以下の式をそれぞれ得ることができる。
Figure 2023097776000016
Figure 2023097776000017
ここで、スケール回折格子3の格子ピッチgは、光学系の設計値として既知である。そのため、一の0次・+1次回折光受光機構55、一の0次・-1次回折光受光機構56、他の0次・+1次回折光受光機構65、及び、他の0次・-1次回折光受光機構66によって検出した一の0次・+1次回折光干渉サブ信号58の光強度IPOS_A(Δx,Δz)、一の0次・-1次回折光干渉サブ信号59の光強度INEG_A(Δx,Δz)、他の0次・+1次回折光干渉サブ信号68の光強度IPOS_B(Δx,Δz)、及び、他の0次・-1次回折光干渉サブ信号69の光強度INEG_B(Δx,Δz)から、スケール変位算出器12により数11乃至数16の演算を行うことで、スケール回折格子3の面内方向変位(Δx)及び面外方向変位(Δz)を同時に検出可能となる。
このように、レーザ光源4から射出したレーザ光5をコリメート光生成機構6によりコリメート光7に整形してスケール回折格子3に入射し、得られる+1次回折光8及び-1次回折光9と0次反射光10とをそれぞれ干渉させた干渉ビームを生成して、これら干渉ビームをそれぞれ受光機構で受光して生成した各干渉信号に基づきスケール回折格子3の多軸変位をスケール変位算出器12の演算により算出する等、第1の実施の形態と同様の構成を有することで、参照格子を設けることなく、スケール回折格子3の多軸変位の検出が可能になる等、第1の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。
また、本実施の形態では、スケール回折格子3にレーザ光4を照射して+1次回折光8及び-1次回折光9と0次反射光10とを発生させるとともに、偏光ビームスプリッタ17を用いて0次反射光10を一のサブ0次ビーム21と他のサブ0次ビーム22とに分割し、一のサブ0次ビーム21と+1次回折光8とを重畳し、それをさらにビームスプリッタ45により分割して干渉信号をそれぞれ得るとともに、他のサブ0次ビーム22と-1次回折光9とを重畳し、それをさらにビームスプリッタ45により分割して90°の位相差を付与し、それぞれ他の干渉信号を得て、これら干渉信号を受光機構で検出する。そして、光学ヘッドとスケール回折格子3との相対変位により変化する複数の干渉信号の位相情報をもとに、スケール変位算出器12の演算によりレーザ光4の光軸方向の相対変位及びスケール回折格子3の面内方向相対変位による位相変化を分離して評価する。この結果、参照格子を不要とする多軸変位測定装置1及び多軸変位測定方法を提供することができる。
なお、上記各実施の形態では、スケール回折格子3を、Y軸方向に延びる等間隔の1軸パターンを有するものとして、スケール回折格子3のX方向変位Δx及びZ方向変位Δzの検出について説明したが、XY2軸直交パターンを有するスケール回折格子3を用い、光学系を拡張することで、Y方向の面内方向変位(Δy)についても同様に検出可能である。この場合、受光機構としては、多分割フォトダイオード、二次元PSD、二次元撮像素子のいずれかが好適に用いられる。
また、十分な強度の干渉信号が得られる場合には、偏光ビームスプリッタを無偏光ビームスプリッタに代えても構わない。
1 多軸変位測定装置
3 スケール回折格子
4 レーザ光源
5 レーザ光
6 コリメート光生成機構
7 コリメート光
8 +1次回折光
9 -1次回折光
10 0次反射光
11 光学系
12 スケール変位算出器
15 回折光伝播方向制御ユニット
16 波長板
17 ビームスプリッタである偏光ビームスプリッタ
20 干渉ユニット
21 サブ0次ビームである一のサブ0次ビーム
22 サブ0次ビームである他のサブ0次ビーム
23 0次・+1次回折光重畳ビーム
24 0次・-1次回折光重畳ビーム
25 干渉ビーム生成波長板
27 干渉ビームである0次・+1次回折光干渉ビーム
28 干渉ビームである0次・-1次回折光干渉ビーム
30 受光機構である0次・+1次回折光受光機構
31 受光機構である0次・-1次回折光受光機構
33 干渉信号である0次・+1次回折光干渉信号
34 干渉信号である0次・-1次回折光干渉信号
45 ビームスプリッタである無偏光ビームスプリッタ
47 一の0次・+1次回折光重畳サブビーム
48 他の0次・+1次回折光重畳サブビーム
49 一の0次・-1次回折光重畳サブビーム
50 他の0次・-1次回折光重畳サブビーム
51 一の干渉ビーム生成波長板
52 干渉ビームである一の0次・+1次回折光干渉サブビーム
53 干渉ビームである一の0次・-1次回折光干渉サブビーム
55 受光機構である一の0次・+1次回折光受光機構
56 受光機構である一の0次・-1次回折光受光機構
58 干渉信号である一の0次・+1次回折光干渉サブ信号
59 干渉信号である一の0次・-1次回折光干渉サブ信号
61 他の干渉ビーム生成波長板
62 干渉ビームである他の0次・+1次回折光干渉サブビーム
63 干渉ビームである他の0次・-1次回折光干渉サブビーム
64 位相板
65 受光機構である他の0次・+1次回折光受光機構
66 受光機構である他の0次・-1次回折光受光機構
68 干渉信号である他の0次・+1次回折光干渉サブ信号
69 干渉信号である他の0次・-1次回折光干渉サブ信号

Claims (9)

  1. レーザ光源と、
    前記レーザ光源から射出したレーザ光を入射するスケール回折格子と、
    前記レーザ光を前記スケール回折格子に入射して得られる+1次回折光及び-1次回折光と0次反射光とをそれぞれ干渉させた干渉ビームを生成する光学系と、
    前記干渉ビームをそれぞれ受光して干渉信号をそれぞれ生成する受光機構と、
    前記各干渉信号に基づき前記スケール回折格子の多軸変位を演算により算出するスケール変位算出器と、
    を具備したことを特徴とする多軸変位測定装置。
  2. 前記レーザ光源から射出したレーザ光をコリメート光に整形するコリメート光生成機構を備え、
    前記スケール回折格子に入射する入射光は、前記コリメート光である
    ことを特徴とする請求項1記載の多軸変位測定装置。
  3. 前記光学系は、
    前記コリメート光を前記スケール回折格子に入射して得られる+1次回折光及び-1次回折光をそれぞれ前記コリメート光と平行にする回折光伝播方向制御ユニットと、
    前記回折光伝播方向制御ユニットからの+1次回折光及び-1次回折光と前記スケール回折格子からの0次反射光との偏光方向を制御する波長板と、
    前記波長板によって偏光制御された0次反射光、+1次回折光及び-1次回折光の伝播方向を変えるビームスプリッタと、
    前記ビームスプリッタにより伝播方向を変えられた0次反射光を複数のサブ0次ビームに分割し、+1次回折光及び-1次回折光との重畳ビームを生成する干渉ユニットと、
    前記干渉ユニットにより生成した0次・+1次回折光重畳ビームと、0次・-1次回折光重畳ビームと、の偏光状態を制御して、前記干渉ビームである0次・+1次回折光干渉ビームと、前記干渉ビームである0次・-1次回折光干渉ビームと、を生成する干渉ビーム生成波長板と、を有する
    ことを特徴とする請求項2記載の多軸変位測定装置。
  4. 前記光学系は、
    前記コリメート光を前記スケール回折格子に入射して得られる+1次回折光及び-1次回折光をそれぞれ前記コリメート光と平行にする回折光伝播方向制御ユニットと、
    前記回折光伝播方向制御ユニットからの+1次回折光及び-1次回折光と前記スケール回折格子からの0次反射光との偏光方向を制御する波長板と、
    前記波長板によって偏光制御された0次反射光、+1次回折光及び-1次回折光の伝播方向を変える偏光ビームスプリッタと、
    前記偏光ビームスプリッタにより伝播方向を変えられた0次反射光を複数のサブ0次ビームに分割し、+1次回折光及び-1次回折光と前記サブ0次ビームとの重畳ビームを生成する干渉ユニットと、
    前記干渉ユニットにより生成した0次・+1次回折光重畳ビームと、0次・-1次回折光重畳ビームと、をそれぞれ、一及び他の0次・+1次回折光重畳サブビームと、一及び他の0次・-1次回折光重畳サブビームと、に2分割するビームスプリッタと、
    前記一の0次・+1次回折光重畳サブビームと、前記一の0次・-1次回折光重畳サブビームと、の偏光状態を制御して、前記干渉ビームである一の0次・+1次回折光干渉サブビームと、前記干渉ビームである一の0次・+1次回折光干渉サブビームと、を生成する一の干渉サブビーム生成波長板と、
    前記他の0次・+1次回折光重畳サブビームと、前記他の0次・-1次回折光重畳サブビームと、の偏光状態を制御して、前記干渉ビームである他の0次・+1次回折光干渉サブビームと、前記干渉ビームである他の0次・+1次回折光干渉サブビームと、を生成する他の干渉サブビーム生成波長板と、
    前記他の0次・+1次回折光干渉サブビームと前記他の0次・+1次回折光干渉サブビームとに、前記一の0次・+1次回折光干渉サブビームと前記一の0次・-1次回折光干渉サブビームとに対して90°の位相差を付与する位相板と、を有する
    ことを特徴とする請求項2記載の多軸変位測定装置。
  5. 前記スケール回折格子は、1軸の回折格子パターンを有する
    ことを特徴とする請求項1乃至4いずれか一記載の多軸変位測定装置。
  6. 前記スケール回折格子は、2軸の回折格子パターンを有する
    ことを特徴とする請求項1乃至3いずれか一記載の多軸変位測定装置。
  7. 前記受光機構は、1素子フォトダイオード、一次元PSD、一次元撮像素子のいずれかである
    ことを特徴とする請求項1乃至6いずれか一記載の多軸変位測定装置。
  8. 前記受光機構は、多分割フォトダイオード、二次元PSD、二次元撮像素子のいずれかである
    ことを特徴とする請求項1乃至6いずれか一記載の多軸変位測定装置。
  9. 請求項1乃至8いずれか一記載の多軸変位測定装置を用いて、前記スケール回折格子の多軸変位を測定する
    ことを特徴とする多軸変位測定方法。
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