JP2023088239A - Spacer film and method for forming spacer using the same - Google Patents

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Yong Guen Kim
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Jae Won Choi
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Abstract

To provide a spacer film suppressing a die recognition failure occurring in a dicing process and achieving an improvement in picking up properties, and a method for forming a spacer using the spacer film.SOLUTION: The present invention relates to a spacer film applied to a multichip package, and a method for forming a spacer using the spacer film. The spacer film according to the present invention includes a first film having a glass transition temperature (Tg) of 130°C or more, and an adhesive layer arranged at a lower part of the first film. The spacer film according to the present invention includes the first film instead of a dummy wafer and has a value of (coefficient of thermal expansion/storage modulus) of 1-15 ppm/GPa. Thus, a die recognition failure occurring in a dicing process is suppressed and picking up properties can be improved.SELECTED DRAWING: Figure 5

Description

本発明は、マルチチップパッケージに適用されるスペーサ用フィルム及びそれを用いたスペーサの形成方法に関する。 The present invention relates to a spacer film applied to a multi-chip package and a spacer forming method using the same.

半導体素子の製造技術の発展に伴い、電子機器の小型化及び多機能化に関して多くの研究が行われている。マルチチップパッケージ(Multui Chip Package:MCP)技術は半導体チップのパッケージ技術の一つであり、同種の半導体チップまたは異種の半導体チップを一つのパッケージで実現する技術である。マルチチップパッケージ技術は、狭いパッケージ面積で高速伝送を実現でき、各々の半導体チップを別々のパッケージで実現したものに比べて、サイズおよび重量の面で利点がある。 2. Description of the Related Art With the development of semiconductor device manufacturing technology, much research has been conducted on the miniaturization and multi-functionalization of electronic devices. A multi-chip package (MCP) technology is one of semiconductor chip packaging technologies, and is a technology for realizing the same kind of semiconductor chips or different kinds of semiconductor chips in one package. Multi-chip packaging technology can achieve high-speed transmission in a small package area, and has advantages in size and weight compared to implementing each semiconductor chip in a separate package.

マルチチップパッケージにおいてサイズ低減の効果を得るためには、複数の半導体チップを積層して1つのパッケージ内に配置する必要がある。ここで利用されるのがスペーサである。例えば、2つの半導体チップが積層されたパッケージでは、いずれか一方の半導体チップはパッケージ基板に直接取り付けられるが、もう一方の半導体チップはパッケージ基板に直接取り付けない。このようなパッケージ基板に直接取り付けられない半導体チップを支持する役割をするのがスペーサである。 In order to obtain the effect of reducing the size of a multi-chip package, it is necessary to stack a plurality of semiconductor chips and arrange them in one package. Spacers are used here. For example, in a package in which two semiconductor chips are stacked, one of the semiconductor chips is directly attached to the package substrate, but the other semiconductor chip is not directly attached to the package substrate. A spacer plays a role of supporting a semiconductor chip that cannot be directly attached to such a package substrate.

スペーサは通常、金属、高分子、感光性レジスト等で形成される。スペーサが金属や感光性レジストで形成される場合には、パッケージ基板上に金属や感光性レジストを蒸着またはコーティングした後、スペーサ以外の部分をエッチングによって除去する方法を使用することができる。スペーサが金属や高分子で形成される場合には、予め定められた形でスペーサを作製し、それをパッケージ基板上に接着する方法を使用することができる。 Spacers are usually made of metal, polymer, photosensitive resist, or the like. When the spacers are made of metal or photosensitive resist, a method of depositing or coating the metal or photosensitive resist on the package substrate and then removing portions other than the spacers by etching can be used. When the spacer is made of metal or polymer, a method of fabricating the spacer in a predetermined shape and adhering it on the package substrate can be used.

金属や感光性レジストの蒸着またはコーティング後にエッチングすることでスペーサを形成する方法は、フォトリソグラフィのような複雑な工程が求められるだけでなく、材料の無駄が問題となる。予め定められたサイズでスペーサを作製し、それをパッケージ基板上に接着する方法は、所望のサイズのスペーサを正確に作製しにくいだけでなく、パッケージ基板上にスペーサを正確に取り付けることが困難な問題がある。 The method of forming spacers by etching after deposition or coating of metal or photosensitive resist not only requires a complicated process such as photolithography, but also poses a problem of waste of materials. In the method of fabricating a spacer of a predetermined size and bonding it onto a package substrate, not only is it difficult to accurately fabricate a spacer of a desired size, but it is also difficult to accurately attach the spacer to the package substrate. There's a problem.

また、ダミーウエハを活用(切断)してスペーサを作製し、それをパッケージ基板上に接着する方法があるが、この方法の場合はダミーウエハの無駄が問題となる。 There is also a method of using (cutting) a dummy wafer to fabricate a spacer and bonding it onto a package substrate, but this method poses a problem of waste of the dummy wafer.

一方、ダミーウエハの代わりにポリイミド(Polyimide)のような成分を含む高分子フィルムをスペーサとして活用する方法が考えられるが、ダイシング後、チップエッジ(edge)部において高分子フィルムの低い弾性率によってフィルムの反りが発生し、ダイの認識に不良が発生し、ピックアップ性が低下する。 On the other hand, instead of using a dummy wafer, it is possible to use a polymer film containing a component such as polyimide as a spacer. Warp occurs, die recognition failure occurs, and pick-up property deteriorates.

本発明の課題は、ダミーウエハを使用せずにダイシング工程が可能であり、ダイ認識不良が抑制され、ピックアップ性が向上したスペーサ用フィルムを提供することである。 An object of the present invention is to provide a spacer film that enables a dicing process without using a dummy wafer, suppresses die recognition failure, and improves pick-up properties.

本発明の他の課題は、ダミーウエハを使用しなくとも優れた効率でダイシング工程を行うことができるスペーサの形成方法を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a method of forming a spacer that enables a highly efficient dicing process without using a dummy wafer.

本発明のまた他の課題は、ダミーウエハを使用しないマルチチップパッケージを提供することである。 Another object of the present invention is to provide a multi-chip package that does not use dummy wafers.

本発明が達成しようとする技術的課題は前述の課題に限定されず、言及されていない他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解できるであろう。 The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the above problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

例示的な実施形態によるスペーサ用フィルムは、ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)が130℃以上の第1フィルムと、前記第1フィルムの下部に配置される接着層とを含み、下記数式1を満たす。 A spacer film according to an exemplary embodiment includes a first film having a glass transition temperature (Tg) of 130° C. or higher, and an adhesive layer disposed under the first film. meet.

[数式1]
1ppm/GPa≦(熱膨張係数/貯蔵弾性率)≦15ppm/GPa
[Formula 1]
1 ppm/GPa ≤ (thermal expansion coefficient/storage modulus) ≤ 15 ppm/GPa

前記数式1中、前記の熱膨張係数および前記貯蔵弾性率はそれぞれ25℃で測定される値である。 In Equation 1, the coefficient of thermal expansion and the storage modulus are values measured at 25°C.

いくつかの実施形態では、前記熱膨張係数は10ppm~50ppmであってもよい。 In some embodiments, the coefficient of thermal expansion may be between 10 ppm and 50 ppm.

いくつかの実施形態では、前記貯蔵弾性率は2GPa~10GPaであってもよい。 In some embodiments, the storage modulus may be between 2 GPa and 10 GPa.

いくつかの実施形態では、前記第1フィルムは、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフタルアミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、およびポリエーテルイミドのうちの少なくとも一つを含むことができる。 In some embodiments, the first film can include at least one of polyimide, polyetheretherketone, polyamideimide, polyphenylene sulfide, polyphthalamide, polysulfone, polyethersulfone, and polyetherimide. can.

いくつかの実施形態では、前記第1フィルムは前記下部にコート層を含むことができる。 In some embodiments, the first film can include a coating layer on the bottom.

いくつかの実施形態では、前記コート層は、ポリイミド官能基を含む化合物、ポリアミドイミド官能基を含む化合物、エポキシ官能基を含む化合物、およびウレタンアクリレート官能基を含む化合物のうちの少なくとも一つを含むことができる。 In some embodiments, the coating layer comprises at least one of a compound containing polyimide functional groups, a compound containing polyamideimide functional groups, a compound containing epoxy functional groups, and a compound containing urethane acrylate functional groups. be able to.

いくつかの実施形態では、前記接着層は、アクリル系化合物およびエポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含むことができる。 In some embodiments, the adhesive layer can include at least one of an acrylic compound and an epoxy resin.

いくつかの実施形態では、前記スペーサ用フィルムは、前記接着層の下部に配置される第1感圧粘着剤層をさらに含むことができる。 In some embodiments, the spacer film may further include a first pressure-sensitive adhesive layer disposed below the adhesive layer.

いくつかの実施形態では、前記第1感圧粘着剤層はアクリル系化合物を含むことができる。 In some embodiments, the first pressure sensitive adhesive layer can include an acrylic compound.

いくつかの実施形態では、前記第1感圧粘着剤層の上面の縁が露出していてもよい。 In some embodiments, the edges of the top surface of the first pressure sensitive adhesive layer may be exposed.

いくつかの実施形態では、前記第1感圧粘着剤層と前記接着層との取付力は、前記第1感圧粘着剤層のUV硬化前は20~200N/mであり、前記第1感圧粘着剤層のUV硬化後は15N/m以下であってもよい。 In some embodiments, the attachment force between the first pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer is 20-200 N/m before UV curing of the first pressure-sensitive adhesive layer; After UV curing of the pressure-sensitive adhesive layer, it may be 15 N/m or less.

いくつかの実施形態では、前記スペーサ用フィルムは、前記第1感圧粘着剤層の下部に配置される第2フィルムをさらに含むことができる。 In some embodiments, the spacer film may further include a second film disposed below the first pressure-sensitive adhesive layer.

いくつかの実施形態では、前記第2フィルムはポリオレフィン系樹脂を含むことができる。 In some embodiments, the second film can include polyolefin-based resin.

いくつかの実施形態では、前記第1フィルムの上部に配置される第2感圧粘着剤層と、前記第2感圧粘着剤層の上部に配置されるカバーフィルムとをさらに含むことができる。 Some embodiments may further include a second pressure-sensitive adhesive layer disposed on the first film, and a cover film disposed on the second pressure-sensitive adhesive layer.

例示的な実施形態によるスペーサの形成方法は、前記スペーサ用フィルムをフレームに固定する固定ステップと、前記スペーサ用フィルムをダイシングして個片化するダイシングステップと、個片化された結果物から第1フィルムおよび接着層からなるスペーサをピックアップするピックアップステップと、ピックアップされたスペーサをパッケージ基板上に取り付ける取付ステップとを含む。 A method for forming spacers according to an exemplary embodiment includes a fixing step of fixing the spacer film to a frame, a dicing step of dicing the spacer film into individual pieces, and separating the individual pieces from the resulting pieces. a picking up step of picking up spacers composed of a film and an adhesive layer; and a mounting step of mounting the picked up spacers onto a package substrate.

いくつかの実施形態では、前記スペーサ用フィルムは、前記接着層の下部に配置される第1感圧粘着剤層をさらに含み、前記第1感圧粘着剤層の上面の縁が露出しており、前記フレームを前記第1感圧粘着剤層の前記上面の前記縁上に配置することができる。 In some embodiments, the spacer film further comprises a first pressure-sensitive adhesive layer disposed under the adhesive layer, the top edge of the first pressure-sensitive adhesive layer being exposed. , the frame may be positioned on the edge of the top surface of the first pressure sensitive adhesive layer.

例示的な実施形態によるマルチチップパッケージは、パッケージ基板と、前記パッケージ基板上に配置される請求項1に記載のスペーサ用フィルムを含むスペーサと、前記パッケージ基板上に配置される第1半導体チップユニットと、前記スペーサ及び前記第1半導体チップユニット上に積層される第2半導体チップユニットと、前記第1半導体チップユニットのチップパッドとそれに対応する第1基板パッド、および、前記第2半導体チップユニットのチップパッドとそれに対応する第2基板パッドを電気的に接続するワイヤと、前記第1半導体チップユニット、前記第2半導体チップユニット、前記ワイヤおよび前記スペーサを封止するパッケージ本体とを含む。 A multi-chip package according to an exemplary embodiment includes a package substrate, a spacer including the spacer film of claim 1 arranged on the package substrate, and a first semiconductor chip unit arranged on the package substrate. a second semiconductor chip unit stacked on the spacer and the first semiconductor chip unit; a chip pad of the first semiconductor chip unit and a first substrate pad corresponding thereto; wires electrically connecting chip pads and corresponding second substrate pads; and a package body sealing the first semiconductor chip unit, the second semiconductor chip unit, the wires and the spacers.

本発明によるスペーサ用フィルムは、ダミーウエハの代わりに、ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)が130℃以上の第1フィルムを含み、熱膨張係数を貯蔵弾性率で割った値が1ppm/GPa~15ppm/GPaである。 The spacer film according to the present invention includes a first film having a glass transition temperature (Tg) of 130 ° C. or higher instead of the dummy wafer, and the value obtained by dividing the thermal expansion coefficient by the storage elastic modulus is 1 ppm / GPa ~ 15 ppm/GPa.

これにより、本発明に係るスペーサ用フィルムは、ダイシング後のピックアップ工程で発生するダイ認識不良を抑制し、ピックアップ装置におけるチップ間の区分およびピックアップを容易にすることができ、パッケージ組み立て完了後の信頼性を向上させることができる。 As a result, the spacer film according to the present invention can suppress die recognition failure that occurs in the pick-up process after dicing, facilitate separation and pick-up between chips in the pick-up device, and improve reliability after package assembly is completed. can improve sexuality.

また、本発明によるスペーサ用フィルムから、ダイシング工程によって所望のサイズの個片化されたスペーサを容易に作製することができる。 In addition, individualized spacers of a desired size can be easily produced from the spacer film according to the present invention by a dicing process.

また、本発明によるスペーサの形成方法は、個片化されたスペーサをピックアップ工程および取付工程によってパッケージ基板に容易に取り付けることができる。 In addition, according to the method of forming spacers according to the present invention, the individualized spacers can be easily attached to the package substrate by the pick-up process and the attachment process.

また、本発明は、前記スペーサ用フィルムを用いて、ダミーウエハを使用しないマルチチップパッケージを提供することができる。 In addition, the present invention can provide a multi-chip package that does not use a dummy wafer by using the spacer film.

図1は、本発明の一実施形態によるスペーサを含むマルチチップパッケージの一例を概略的に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a multi-chip package including spacers according to an embodiment of the present invention. 図2は、本発明の他の実施形態によるスペーサを含むマルチチップパッケージを概略的に示す断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a multi-chip package including spacers according to another embodiment of the present invention. 図3は、本発明のまた他の実施形態によるスペーサを含むマルチチップパッケージを概略的に示す断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a multi-chip package including spacers according to still another embodiment of the present invention. 図4は、本発明のまた他の実施形態によるスペーサを含むマルチチップパッケージを概略的に示す断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a multi-chip package including spacers according to still another embodiment of the present invention. 図5は、本発明の一実施形態によるスペーサ用フィルムを概略的に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a spacer film according to one embodiment of the present invention. 図6は、本発明の他の実施形態によるスペーサ用フィルムを概略的に示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a spacer film according to another embodiment of the present invention. 図7は、本発明によるダイシング工程を用いたスペーサの形成方法を概略的に示すものである。FIG. 7 schematically shows a method of forming spacers using a dicing process according to the present invention. 図8は、図7の(a)、(b)、(c)に対応する平面図である。FIG. 8 is a plan view corresponding to (a), (b), and (c) of FIG.

本発明を説明するにあたり、関連する公知技術に関する具体的な説明が本発明の要旨を不明確にする虞があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。また、後述する用語は、本発明における機能を考慮して定義された用語であり、使用者、運用者の意図または慣例などによって異なり得る。従って、その定義は、本明細書全般に亘る内容に基づいて行われるべきである。 In describing the present invention, if it is determined that the specific description of related known technologies may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the terms described below are defined in consideration of the functions of the present invention, and may differ according to the user's or operator's intentions or customs. Therefore, the definition should be based on the content throughout this specification.

本発明の技術的思想は、特許請求の範囲により決定される。また、以下の実施形態は、本発明の技術的思想を当業者に効率的に説明するための一手段に過ぎない。 The technical idea of the present invention is determined by the claims. Moreover, the following embodiments are merely means for efficiently explaining the technical idea of the present invention to those skilled in the art.

以下、図面を参照して本発明の具体的な実施形態を説明するが、これらは例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。 Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but these are merely examples and do not limit the present invention.

図1は、スペーサを含むマルチチップパッケージの一例を概略的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a multi-chip package including spacers.

図1を参照すると、パッケージ基板110上に第1半導体チップユニット120が配置される。第1半導体チップユニット120は、第1接着層121と、第1半導体チップ122とを含むことができる。第1接着層121は、第1半導体チップ122をパッケージ基板110に取り付ける役割を果たす。第1半導体チップユニット120は、チップパッドとそれに対応する第1基板パッドとがワイヤ125を介して接続されることにより、パッケージ基板110に電気的に接続することができる。 Referring to FIG. 1 , a first semiconductor chip unit 120 is arranged on a package substrate 110 . The first semiconductor chip unit 120 may include a first adhesive layer 121 and a first semiconductor chip 122 . The first adhesive layer 121 serves to attach the first semiconductor chip 122 to the package substrate 110 . The first semiconductor chip unit 120 can be electrically connected to the package substrate 110 by connecting the chip pads and the corresponding first substrate pads via wires 125 .

第1半導体チップユニット120の周囲には、スペーサ130が配置される。スペーサ130は、接着層131と、サポート132とを含む。接着層131は、サポート132を基板に取り付ける役割を果たす。 A spacer 130 is arranged around the first semiconductor chip unit 120 . Spacer 130 includes adhesive layer 131 and support 132 . Adhesive layer 131 serves to attach support 132 to the substrate.

スペーサ130上には、第2半導体チップユニット140が配置される。第2半導体チップユニット140は、第2接着層141と、第2半導体チップ142とを含むことができる。第2接着層141は、第2半導体チップ142をスペーサ130のサポート132に取り付ける役割を果たす。第2半導体チップユニット140は、チップパッドとそれに対応する第2基板パッドとがワイヤ145を介して接続されることにより、パッケージ基板110に電気的に接続することができる。他の例として、第2半導体チップ142は、スペーサ130を貫通するビアホールを介してパッケージ基板110に電気的に接続することができる。 A second semiconductor chip unit 140 is arranged on the spacer 130 . The second semiconductor chip unit 140 may include a second adhesive layer 141 and a second semiconductor chip 142 . The second adhesive layer 141 serves to attach the second semiconductor chip 142 to the support 132 of the spacer 130 . The second semiconductor chip unit 140 can be electrically connected to the package substrate 110 by connecting the chip pads and the corresponding second substrate pads via wires 145 . As another example, the second semiconductor chip 142 may be electrically connected to the package substrate 110 through via holes penetrating the spacer 130 .

パッケージ基板110上に、第1半導体チップユニット120、スペーサ130及び第2半導体チップユニット140が配置され、ワイヤボンディング工程が行われた後は、これらを封止するパッケージ本体150が形成される。パッケージ本体150は、エポキシ樹脂のような封止材で形成できる。 After the first semiconductor chip unit 120, the spacer 130 and the second semiconductor chip unit 140 are arranged on the package substrate 110, and the wire bonding process is performed, the package body 150 is formed to seal them. The package body 150 can be made of an encapsulant such as epoxy resin.

図1に示すように、スペーサ130の高さは第1半導体チップユニット120の高さよりも高くてもよい。これにより、スペーサ130を支持体として第2半導体チップユニット140を積層することができる。他の例として、スペーサ130の高さは、第1半導体チップユニット120の高さと同じであってもよい。また、スペーサ130の高さが第1半導体チップユニット120の高さと同じであることに起因して、スペーサ130および第2半導体チップユニット140によって第1半導体チップユニット120が埋め込まれる効果を得ることができる。 As shown in FIG. 1, the height of spacer 130 may be higher than the height of first semiconductor chip unit 120 . As a result, the second semiconductor chip units 140 can be stacked using the spacers 130 as supports. As another example, the height of the spacer 130 may be the same as the height of the first semiconductor chip unit 120 . Moreover, since the height of the spacer 130 is the same as the height of the first semiconductor chip unit 120, the effect of embedding the first semiconductor chip unit 120 by the spacer 130 and the second semiconductor chip unit 140 can be obtained. can.

図2~図4は、スペーサを含むマルチチップパッケージの他の例を概略的に示す断面図である。 2 to 4 are cross-sectional views schematically showing other examples of multi-chip packages including spacers.

図2~図4では、第2半導体チップユニット(図2の「140-1」~「140-4」、図3の「140-1」~「140-5」、図4の「140-1」~「140-7」)は、図1に示す例と同様に、ワイヤ(図示せず)やビアホール(図示せず)を介して他の第2半導体チップユニットまたはパッケージ基板110に電気的に接続することができる。 2 to 4, the second semiconductor chip unit ("140-1" to "140-4" in FIG. 2, "140-1" to "140-5" in FIG. 3, "140-1" in FIG. to 140-7) are electrically connected to another second semiconductor chip unit or package substrate 110 through wires (not shown) or via holes (not shown), as in the example shown in FIG. can be connected.

図2~図4に示すマルチチップパッケージの場合も、パッケージ基板110上に配置されたスペーサ130を介して半導体チップユニットの積層が可能である。 In the case of the multi-chip package shown in FIGS. 2 to 4 as well, semiconductor chip units can be stacked via spacers 130 arranged on the package substrate 110. FIG.

図5は、本発明の一実施形態によるスペーサ用フィルムを概略的に示す断面図である。図5を参照すると、図示のスペーサ用フィルムは、ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)が130℃以上の第1フィルム510と、接着層520とを含み、前記接着層520の下部に配置される第1感圧粘着剤層535をさらに含むことができる。本発明の一実施形態によるスペーサ用フィルムは、下記数式1を満たす。 FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a spacer film according to one embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5 , the illustrated spacer film includes a first film 510 having a glass transition temperature (Tg) of 130° C. or higher and an adhesive layer 520 , which is disposed below the adhesive layer 520 . It can further include a first pressure sensitive adhesive layer 535 . A spacer film according to an embodiment of the present invention satisfies Equation 1 below.

[数式1]
1ppm/GPa≦(熱膨張係数/貯蔵弾性率)≦15ppm/GPa
[Formula 1]
1 ppm/GPa ≤ (thermal expansion coefficient/storage modulus) ≤ 15 ppm/GPa

前記数式1中、前記の熱膨張係数および貯蔵弾性率はそれぞれ25℃で測定される値である。 In Equation 1, the thermal expansion coefficient and storage modulus are values measured at 25°C.

前記数式1中の(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値は、1~30ppm/GPaであることが好ましく、1~15ppm/GPaであることがより好ましい。前記値の範囲では、ピックアップ工程性と吸湿後の高温信頼性工程を確保しやすい。 The value of (thermal expansion coefficient/storage modulus) in Equation 1 is preferably 1 to 30 ppm/GPa, more preferably 1 to 15 ppm/GPa. Within the range of the above values, it is easy to ensure pick-up processability and high-temperature reliability process after moisture absorption.

前記熱膨張係数は、4mm×16mmにカットしたスペーサ用フィルムをTMA(Thermomechanical Analysis、メーカー:TA社、モデル名:TMA Q400)装置を用いて、温度範囲-30℃から10℃/分で昇温し、25℃で測定したものであってもよい。前記熱膨張係数は10ppm~50ppmであることが好ましい。前記熱膨張係数が50ppmを超えると、高温のはんだ付け工程でフィルムの膨張が増加して界面剥離が発生し、信頼性が低下することがある。 The thermal expansion coefficient is obtained by using a TMA (Thermomechanical Analysis, manufacturer: TA, model name: TMA Q400) device for a spacer film cut to 4 mm × 16 mm, and increasing the temperature from -30 ° C. at a rate of 10 ° C./min. However, it may be measured at 25°C. The thermal expansion coefficient is preferably 10 ppm to 50 ppm. If the thermal expansion coefficient exceeds 50 ppm, the expansion of the film increases during a high-temperature soldering process, causing interfacial peeling, which may reduce reliability.

前記貯蔵弾性率(E’)は5mm×20mmにカットしたスペーサ用フィルムをDMA(dynamic Mechanical Analyzer、メーカー:TA社、モデル名:DMA850)装置を用いて、温度範囲-30℃から10℃/分で昇温し、25℃で測定したものであってもよい。前記貯蔵弾性率は1GPa~30GPaであることが好ましく、2GPa~10GPaであることがより好ましい。前記貯蔵弾性率が2GPa未満であると、イクスパンディング時のダイ認識不良とピックアップ装置のニードルピンの高さでピックアップ工程を行うことができなくなる。前記貯蔵弾性率が10GPaを超えると、硬度が増加しすぎてロール状の製品化ができないことがある。 The storage elastic modulus (E') was measured by using a DMA (dynamic mechanical analyzer, manufacturer: TA, model name: DMA850) device for a spacer film cut to 5 mm × 20 mm, at a temperature range of -30 ° C. to 10 ° C./min. and measured at 25°C. The storage modulus is preferably 1 GPa to 30 GPa, more preferably 2 GPa to 10 GPa. If the storage elastic modulus is less than 2 GPa, the pickup process cannot be performed due to poor die recognition during expansion and the height of the needle pin of the pickup device. If the storage elastic modulus exceeds 10 GPa, the hardness may increase too much to produce a roll-like product.

第1フィルム
第1フィルム510は、図1~図4のスペーサ130のサポート132となる部分である。
The first film The first film 510 is the part that becomes the support 132 of the spacer 130 of FIGS. 1-4.

前記第1フィルム510は、ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)が130℃以上であることが好ましい。前記ガラス転移温度が130℃以上であると、高温のはんだ付け工程で熱変形に対する抵抗性を付与して界面での剥離を抑制でき、信頼性を向上させることができる。 The first film 510 preferably has a glass transition temperature (Tg) of 130° C. or higher. When the glass transition temperature is 130° C. or higher, resistance to thermal deformation can be imparted in a high-temperature soldering process, and peeling at the interface can be suppressed, thereby improving reliability.

前記ガラス転移温度が130℃以上であれば本発明の所望の効果を達成できるので、その上限は特に限定されないが、第1フィルムの材質を考慮すると、500℃以下であってもよい。 If the glass transition temperature is 130° C. or higher, the desired effects of the present invention can be achieved, so the upper limit is not particularly limited, but considering the material of the first film, it may be 500° C. or lower.

前記ガラス転移温度は5mm×20mmにカットした第1フィルムをDMA(dynamic Mechanical Analyzer、メーカー:TA社、モデル名:DMA850)装置を用いて、昇温速度10℃/分の条件下で測定したものであってもよい。前記ガラス転移温度は、第1フィルムのtanδが最大となる温度を意味する。 The glass transition temperature was measured by using a DMA (dynamic mechanical analyzer, manufacturer: TA, model name: DMA850) device for the first film cut to 5 mm x 20 mm under the condition of a temperature increase rate of 10 ° C./min. may be The glass transition temperature is the temperature at which tan δ of the first film is maximized.

また、第1フィルム510は耐熱性を有することが好ましい。そのため、本発明では第1フィルム510を、200℃重量減少率が2%以下、100℃以下での線膨張係数が50ppm/℃以下のものに制限した。200℃重量減少率が2%を超えるか、または100℃以下での線膨張係数が50ppm/℃を超えると、耐熱性が良好ではないと言える。 Also, the first film 510 preferably has heat resistance. Therefore, in the present invention, the first film 510 is limited to those having a weight loss rate of 2% or less at 200°C and a coefficient of linear expansion of 50 ppm/°C or less at 100°C or less. If the weight loss rate at 200°C exceeds 2% or the linear expansion coefficient at 100°C or lower exceeds 50 ppm/°C, it can be said that the heat resistance is not good.

前記のような耐熱性を有する第1フィルム510は、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフタルアミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンおよびポリエーテルイミドのうちの少なくとも一つを含むことができる。中でもより耐熱性に優れたポリイミドまたはポリエーテルエーテルケトンを第1フィルムの材質とすることがより好ましい。 The heat-resistant first film 510 may include at least one of polyimide, polyetheretherketone, polyamideimide, polyphenylene sulfide, polyphthalamide, polysulfone, polyethersulfone, and polyetherimide. can. Among them, it is more preferable to use polyimide or polyetheretherketone, which are more excellent in heat resistance, as the material for the first film.

第1フィルム510は単層構造を有することができる。他の例として、第1フィルム 510は多層構造を有することができる。 The first film 510 can have a single layer structure. As another example, the first film 510 can have a multilayer structure.

前記第1フィルム510は下部にコート層を含むことができる。前記コート層は、第1フィルム510よりも弾性率または収縮率がより高くてもよい。前記コート層は、好ましくは、ポリイミド官能基を含む化合物、ポリアミドイミド官能基を含む化合物、エポキシ官能基を含む化合物、およびウレタンアクリレート官能基を含む化合物のうちの少なくとも一つを含むことができる。前記化合物は硬化物の形で含むことができる。 The first film 510 may include a coat layer underneath. The coating layer may have a higher elastic modulus or shrinkage rate than the first film 510 . The coating layer may preferably include at least one of a polyimide functional group-containing compound, a polyamideimide functional group-containing compound, an epoxy functional group-containing compound, and a urethane acrylate functional group-containing compound. The compound can be included in the form of a cured product.

前記第1フィルム層の厚さは、目標とするスペーサのサポート(図1の「132」)の厚さによって決めることができ、2μm~100μmであってもよいが、これらに限定されるものではない。 The thickness of the first film layer can be determined by the thickness of the target spacer support (“132” in FIG. 1), and may range from 2 μm to 100 μm, but is not limited thereto. do not have.

接着層
接着層520は、図1~図4のスペーサ130の接着層131となる部分である。
Adhesive layer The adhesive layer 520 is the part that becomes the adhesive layer 131 of the spacer 130 in FIGS.

接着層520は、第1フィルム510の下部に配置される。接着層520は、約3~60μmの厚さを有することができるが、これらに限定されるものではない。 The adhesive layer 520 is arranged under the first film 510 . Adhesive layer 520 can have a thickness of about 3-60 μm, but is not limited thereto.

本発明では、接着層520はアクリル系化合物を含むことができる。また、接着層520は、硬化のためにエポキシ樹脂を含むことができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルトクレゾールノボラック型、グリシジルアミン型などの1種以上を用いることができる。 In the present invention, the adhesive layer 520 can contain an acrylic compound. Adhesive layer 520 may also include an epoxy resin for curing. As the epoxy resin, one or more of bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type, orthocresol novolak type, glycidylamine type, etc. may be used. can be done.

また、接着層520には、1種以上の添加剤をさらに含むことができる。添加剤としては、硬化剤(フェノール系樹脂、アミン類など)、無機粒子(シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、二酸化チタン、炭酸カルシウムなど)、硬化促進剤、シランカップリング剤などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Also, the adhesive layer 520 may further include one or more additives. Examples of additives include curing agents (phenolic resins, amines, etc.), inorganic particles (silica, aluminum hydroxide, alumina, titanium dioxide, calcium carbonate, etc.), curing accelerators, silane coupling agents, and the like. It is not limited to these.

接着層520、並びに後述する第1感圧粘着剤層535及び第2感圧粘着剤層545に利用可能なアクリル系化合物は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来する単量体を含む。 The acrylic compound that can be used for the adhesive layer 520 and the first pressure-sensitive adhesive layer 535 and the second pressure-sensitive adhesive layer 545, which will be described later, preferably contains a monomer derived from a (meth)acrylic acid ester. .

前記単量体としては、(メタ)アクリル酸エステルとしては、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステルなどが挙げられる。 Examples of the monomer (meth)acrylic acid ester include (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, and (meth)acrylic acid aryl ester.

アクリル系化合物は、カルボキシ基含有単量体、酸無水物単量体、ヒドロキシ基含有単量体、グリシジル基含有単量体、スルホン酸基含有単量体、リン酸基含有単量体、アクリロニトリル含有単量体などをさらに含むことができる。 Acrylic compounds include carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxyl group-containing monomers, glycidyl group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylonitrile Containing monomers and the like can be further included.

また、アクリル系化合物は、1種以上の多官能性単量体をさらに含むことができる。多官能性単量体としては、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート(すなわち、ポリグリシジル(メタ)アクリレート)、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートなどが挙げられる。 Also, the acrylic compound may further include one or more polyfunctional monomers. Polyfunctional monomers include hexanediol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate (i.e. polyglycidyl (meth)acrylate), polyester ( meth)acrylates, urethane (meth)acrylates, and the like.

第2フィルム
本発明の例示的な実施形態によるスペーサ用フィルムは、前記接着層520の下部に配置される第2フィルム530をさらに含むことができる。
Second Film A spacer film according to an exemplary embodiment of the present invention may further include a second film 530 disposed below the adhesive layer 520 .

第2フィルム530と接着層520との間には、第1感圧粘着剤層535を配置することができる。第1感圧粘着剤層535は、第2フィルム530上に直接キャスト・コーティング及び乾燥して形成するか、または第2フィルム530にラミネートして形成することができる。 A first pressure sensitive adhesive layer 535 can be disposed between the second film 530 and the adhesive layer 520 . The first pressure sensitive adhesive layer 535 can be cast coated and dried directly onto the second film 530 or laminated to the second film 530 .

第2フィルム530は、ダイシング工程において支持体の役割を果たすことができる。イクスパンディング及びピックアップ性を確保するために、第2フィルム530の厚さは40μm以上に調整することができる。一方、第2フィルム530の厚さが300μmを超えて厚すぎると、イクスパンディング不良およびピックアップ不良などが発生することがあるので、第2フィルム530の厚さは300μm以下であることが好ましい。第2フィルム530の厚さの範囲は40~300μmであり、好ましくは50~250μm、より好ましくは60~200μm、最も好ましくは70~150μmであってもよい。 The second film 530 may serve as a support during the dicing process. The thickness of the second film 530 may be adjusted to 40 μm or more to ensure expandability and pick-up properties. On the other hand, if the thickness of the second film 530 is more than 300 μm, it may cause expanding defects and pick-up defects. The thickness of the second film 530 may range from 40-300 μm, preferably 50-250 μm, more preferably 60-200 μm, most preferably 70-150 μm.

第2フィルム530はポリオレフィン系樹脂を用いることができる。具体的には、第2フィルム530は、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン-ブテン共重合体、およびエチレン-ヘキセン共重合体のうちの1種以上を含む材料で形成することができる。 The second film 530 may use polyolefin resin. Specifically, the second film 530 is made of low-density polyethylene, medium-density polyethylene, high-density polyethylene, ultra-low-density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolypropylene, polybutene, polymethylpentene, ethylene-acetic acid. One of vinyl copolymers, ionomer resins, ethylene-(meth)acrylic acid copolymers, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymers, ethylene-butene copolymers, and ethylene-hexene copolymers It can be formed of a material including the above.

第2フィルム530は単層構造を有してもよく、他の例としては多層構造を有してもよい。 The second film 530 may have a single layer structure, or alternatively may have a multi-layer structure.

第1感圧粘着剤層535は約5~30μmの厚さに形成できるが、これに限定されるものではない。第1感圧粘着剤層535はアクリル系化合物を含むことができる。但し、第1感圧粘着剤層535は接着層520とは異なり、エポキシ樹脂を含んでいなくてもよい。 The first pressure-sensitive adhesive layer 535 can be formed with a thickness of about 5-30 μm, but is not limited thereto. The first pressure sensitive adhesive layer 535 can contain an acrylic compound. However, unlike the adhesive layer 520, the first pressure-sensitive adhesive layer 535 may not contain epoxy resin.

また、第1感圧粘着剤層535は、1種以上の添加剤をさらに含むことができる。添加剤としては、イソシアネート硬化剤のような熱硬化剤やベンゾフェノンのような光開始剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。 Also, the first pressure-sensitive adhesive layer 535 may further include one or more additives. Additives include, but are not limited to, thermal curing agents such as isocyanate curing agents and photoinitiators such as benzophenone.

前記第1感圧粘着剤層535は、ダイシング工程でUV硬化前までは、B-ステージ状態で存在することができる。 The first pressure-sensitive adhesive layer 535 may exist in a B-stage state before UV curing in the dicing process.

一方、第1感圧粘着剤層535と接着層520との取付力は、第1感圧粘着剤層のUV硬化前は20~200N/m、UV硬化後は15N/m以下になることができる。これは、ダイシング後にピックアップ工程で個片化された第1フィルム510と接着層520のみをピックアップするためである。このような第1感圧粘着剤層535の取付力の制御は、例えば、粘着剤成分の制御によって行うことができる。例えば、第1感圧粘着剤層535のアクリル系化合物はアクリル酸-2-エチルヘキシル100重量部に対して、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル10~40重量部、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート10~45重量部を共重合反応させた共重合体を含むものであってもよい。 On the other hand, the attachment force between the first pressure-sensitive adhesive layer 535 and the adhesive layer 520 can be 20 to 200 N/m before UV curing of the first pressure-sensitive adhesive layer and 15 N/m or less after UV curing. can. This is for picking up only the first film 510 and the adhesive layer 520 separated into individual pieces in the pickup process after dicing. Such control of the attaching force of the first pressure-sensitive adhesive layer 535 can be performed, for example, by controlling the adhesive component. For example, the acrylic compound of the first pressure-sensitive adhesive layer 535 is 10 to 40 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate and 10 to 45 parts by weight of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate per 100 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate. It may contain a copolymer obtained by a copolymerization reaction in parts by weight.

一方、図5を参照すると、第1感圧粘着剤層535の上面の縁が露出していてもよい。これは、ダイシング工程において、リングフレームに対するスペーサ用フィルムの固定を容易にするためである。これについては、図7で後述することとする。 On the other hand, referring to FIG. 5, the edge of the top surface of the first pressure sensitive adhesive layer 535 may be exposed. This is for facilitating fixing of the spacer film to the ring frame in the dicing process. This will be described later with reference to FIG.

図6は、本発明の他の実施形態によるスペーサ用フィルムを概略的に示す断面図である。 FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a spacer film according to another embodiment of the present invention.

図6に示すスペーサ用フィルムは、図5に示すスペーサ用フィルムと同様に、第1フィルム510と、接着層520と、第2フィルム530と、第1感圧粘着剤層535とを含む。図6に示すスペーサ用フィルムにおける第1フィルム510、接着層520、第2フィルム530、及び第1感圧粘着剤層535は、図5と同一であるのでその説明を省略する。 The spacer film shown in FIG. 6 includes a first film 510, an adhesive layer 520, a second film 530, and a first pressure-sensitive adhesive layer 535, similar to the spacer film shown in FIG. The first film 510, the adhesive layer 520, the second film 530, and the first pressure-sensitive adhesive layer 535 in the spacer film shown in FIG. 6 are the same as those in FIG. 5, so description thereof will be omitted.

なお、図6に示すスペーサ用フィルムは、カバーフィルム540および第2感圧粘着剤層545をさらに含む。 The spacer film shown in FIG. 6 further includes a cover film 540 and a second pressure sensitive adhesive layer 545 .

カバーフィルム
カバーフィルム540は、ダイシング工程の前に第1フィルム510を保護するための保護フィルムとして機能する。カバーフィルム540は、ダイシング工程では予め除去される。カバーフィルム540は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリイミドなどの材料で形成できるが、これらに限定されるものではない。
Cover Film Cover film 540 functions as a protective film to protect first film 510 before the dicing process. The cover film 540 is previously removed in the dicing process. The cover film 540 can be made of materials such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polycarbonate, polyimide, but is not limited to these.

カバーフィルム540と第1フィルム510との間には、第2感圧粘着剤層545を配置することができる。 A second pressure sensitive adhesive layer 545 can be disposed between the cover film 540 and the first film 510 .

第2感圧粘着剤層545は、約3~30μmの厚さに形成できるが、これに限定されるものではない。第2感圧粘着剤層545は、第1感圧粘着剤層535と同様に、アクリル系化合物を含み、エポキシ樹脂を含まなくてもよい。第2感圧粘着剤層545は、フェノール系樹脂、アミン類などの硬化剤やシランカップリング剤などの添加剤を1種以上さらに含むことができる。 The second pressure-sensitive adhesive layer 545 can be formed with a thickness of about 3-30 μm, but is not limited thereto. Like the first pressure-sensitive adhesive layer 535, the second pressure-sensitive adhesive layer 545 may contain an acrylic compound and may not contain an epoxy resin. The second pressure-sensitive adhesive layer 545 may further include at least one additive such as a curing agent such as a phenolic resin, amines, or a silane coupling agent.

なお、図6を参照すると、第2感圧粘着剤層545の下面の縁が露出していてもよい。これは、ダイシング工程の直前にカバーフィルム540および第2感圧粘着剤層545の除去を容易にするためである。 It should be noted that, referring to FIG. 6, the edge of the bottom surface of the second pressure sensitive adhesive layer 545 may be exposed. This is to facilitate removal of the cover film 540 and the second pressure sensitive adhesive layer 545 just before the dicing process.

スペーサの形成方法
図7は、本発明によるダイシング工程を用いたスペーサの形成方法を概略的に示すものである。図8は、図7の(a)、(b)、(c)に対応する平面図であり、図7の方法を説明する際に参照する。
Method of Forming Spacers FIG. 7 schematically shows a method of forming spacers using the dicing process according to the present invention. FIG. 8 is a plan view corresponding to (a), (b), and (c) of FIG. 7, and will be referred to when describing the method of FIG.

図7を参照すると、本発明によるスペーサの形成方法は、固定ステップと、ダイシングステップと、ピックアップステップと、取付ステップとを含む。 Referring to FIG. 7, the method of forming a spacer according to the present invention includes a fixing step, a dicing step, a pick-up step and an attachment step.

まず、図7(a)に示す例のように、上から第1フィルム510、接着剤層520、第1感圧粘着剤層535、及び第2フィルム530を含むスペーサ用フィルムを設ける。例えば、図6に示すスペーサ用フィルムから第2感圧粘着剤層545及びカバーフィルム540を除去することにより、図7(a)に示す例のようなスペーサ用フィルムを設けることができる。 First, as in the example shown in FIG. 7A, a spacer film including a first film 510, an adhesive layer 520, a first pressure-sensitive adhesive layer 535, and a second film 530 is provided from above. For example, by removing the second pressure-sensitive adhesive layer 545 and the cover film 540 from the spacer film shown in FIG. 6, a spacer film such as the example shown in FIG. 7(a) can be provided.

その後、図7(b)および図8(b)に示す例のように、スペーサ用フィルムを固定する。スペーサ用のフィルムを固定するために、リングフレームのようなフレーム610を用いることができる。一方、スペーサ用フィルムにおいて第1感圧粘着剤層535の上面の縁が露出していると、フレーム610を第1感圧粘着剤層535の上面の縁上に容易に配置できる。 After that, the spacer film is fixed as in the example shown in FIGS. 7(b) and 8(b). A frame 610, such as a ring frame, can be used to secure the spacer films. On the other hand, if the edge of the top surface of the first pressure-sensitive adhesive layer 535 is exposed in the spacer film, the frame 610 can be easily placed on the edge of the top surface of the first pressure-sensitive adhesive layer 535 .

その後、図7(c)に示す例のように、ダイシングソー601またはレーザーを用いて、予め定められた切断ラインSLに沿ってスペーサ用フィルムをダイシングして個片化する。前述のように、本発明に係るスペーサ用フィルムは、イクスパンディング時、チップエッジ(edge)においてスペーサフィルムが上方に向かって反ることを防止することができ、イクスパンディング不良およびピックアップ不良を抑制することができる。 Thereafter, as in the example shown in FIG. 7(c), the spacer film is diced along predetermined cutting lines SL using a dicing saw 601 or a laser. INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the spacer film according to the present invention can prevent the spacer film from being warped upward at the edge of the chip during expanding, thereby preventing expanding defects and pick-up defects. can be suppressed.

その後、図7(d)に示す例のように、押し手段620および吸着手段630を用いて、個片化された結果物から第1フィルム510及び接着層520からなるスペーサをピックアップする。 Thereafter, as in the example shown in FIG. 7(d), using the pushing means 620 and the adsorption means 630, the spacers composed of the first film 510 and the adhesive layer 520 are picked up from the singulated product.

その後、図7(e)に示す例のように、第1フィルム510および接着層520からなるスペーサをパッケージ基板110上に取り付ける。 After that, a spacer composed of a first film 510 and an adhesive layer 520 is attached on the package substrate 110, as in the example shown in FIG. 7(e).

<実施例>
以下、本発明の理解を助けるために好適な実施例を提示するが、これらの実施例は本発明の理解を容易にするために例示するものに過ぎず、本発明の内容を制限するものではない。
<Example>
Hereinafter, preferred examples will be presented to aid understanding of the present invention, but these examples are merely illustrative to facilitate understanding of the present invention, and do not limit the content of the present invention. do not have.

スペーサ用接着フィルムの製造
上から第1フィルム(ポリイミド)、アクリル-エポキシ接着層、アクリル感圧粘着剤層および第2フィルム(ポリエチレンフィルム)からなるスペーサ用フィルムを作製した。前記第1フィルムとしては、下部にコート層を形成したものと、形成しなかったものをそれぞれ使用した。
In order to manufacture the adhesive film for spacers, a film for spacers comprising a first film (polyimide), an acrylic-epoxy adhesive layer, an acrylic pressure-sensitive adhesive layer and a second film (polyethylene film) was produced. As the first film, a film with a coat layer formed thereon and a film without a coat layer were used.

熱膨張係数は、作製されたスペーサ用フィルムでサイズ4mm×16mmの試験片を作製し、昇温速度10℃/分の条件の方法によって25℃でTMA装置を用いて測定した。 The coefficient of thermal expansion was measured by using a TMA apparatus at 25° C. with a heating rate of 10° C./min on a 4 mm×16 mm test piece of the produced spacer film.

貯蔵弾性率は、作製されたスペーサ用フィルムでサイズ5mm×20mmの試験片を作製し、昇温速度10℃/分の条件の方法によって25℃でDMA装置を用いて測定した。 The storage elastic modulus was measured using a DMA apparatus at 25° C. by preparing a test piece having a size of 5 mm×20 mm from the produced spacer film, and using a method with a heating rate of 10° C./min.

ガラス転移温度は、第1フィルムでサイズ5mm×20mmの試験片を作製し、昇温速度10℃/分の条件の方法によってDMA装置を用いて測定した。 The glass transition temperature was measured by preparing a test piece of 5 mm×20 mm in size from the first film and using a DMA device under the conditions of a heating rate of 10° C./min.

各サンプルにおける熱膨張係数、貯蔵弾性率およびガラス転移温度の測定結果を下記表1に示す。 Table 1 below shows the measurement results of the coefficient of thermal expansion, storage modulus and glass transition temperature of each sample.

Figure 2023088239000002
Figure 2023088239000002

スペーサ用接着フィルムの評価
その後、リングフレームをアクリル感圧粘着剤層の上部の縁側に接合してスペーサ用フィルムを固定した。その後、ダイシング装置であるDFD-6361(ディスコ社製)を用いて、各試験片に対して9mm×12mmの個別のスペーサに分割するダイシング工程を行った。その後、ピックアップ装置であるSPA-300(新川社製)を用いて、個別のスペーサをイクスパンディング(expanding)及びピックアップした。
Evaluation of Spacer Adhesive Film The spacer film was then secured by bonding a ring frame to the top edge of the acrylic pressure sensitive adhesive layer. After that, using a dicing machine DFD-6361 (manufactured by Disco), a dicing step was performed to divide each test piece into individual spacers of 9 mm×12 mm. After that, using a pick-up device SPA-300 (manufactured by Shinkawa Co., Ltd.), the individual spacers were expanded and picked up.

以下の評価を行い、その結果を表2に示す。 The following evaluations were performed, and the results are shown in Table 2.

チップ認識の評価:ダイシング後のピックアップ装置においてチップ間の区分およびピックアップを容易にするために、第2フィルムを拡張するイクスパンディング工程を行い、イクスパンディング・リング(expanding ring)の高さ3mmにおけるチップ認識率を測定した。認識率が95%以上の場合を良好(O)、95%未満の場合を不良(X)と評価した。 Evaluation of chip recognition: In order to facilitate separation and pickup between chips in a pick-up device after dicing, an expanding process was performed to expand the second film, and the height of the expanding ring was 3 mm. We measured the chip recognition rate in A recognition rate of 95% or more was evaluated as good (O), and a recognition rate of less than 95% was evaluated as poor (X).

ピックアップ性の評価:ピックアップ装置のニードルピンの高さを0.35mmおよび0.45mmでピックアップした。ピックアップ成功率が95%以上の場合を良好(O)、95%未満の場合を不良(X)と評価した。 Evaluation of pick-up property: The height of the needle pin of the pick-up device was set to 0.35 mm and 0.45 mm. A pickup success rate of 95% or more was evaluated as good (O), and a case of less than 95% was evaluated as poor (X).

信頼性の評価:シリコンウエハと共にパッケージを作製し、85℃/85%の温度・湿度の条件下で168時間放置した後、260℃の高温リフロー(reflow)工程を3回行った。このとき、SAT透過モードで測定したボイド(黒色領域)の量が5%以下の場合を良好(O)、5%超えの場合を不良(X)と評価した。 Reliability evaluation: A package was produced together with a silicon wafer, left for 168 hours under conditions of temperature and humidity of 85°C/85%, and then subjected to a high temperature reflow process of 260°C three times. At this time, when the amount of voids (black areas) measured in the SAT transmission mode was 5% or less, it was evaluated as good (O), and when it exceeded 5%, it was evaluated as bad (X).

Figure 2023088239000003
Figure 2023088239000003

上記表2を参照すると、第1フィルムのガラス転移温度が130℃以上であり、スペーサ用フィルムの(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値が1ppm/GPa~15ppm/GPaである実施例1~5の場合は、チップ認識、ピックアップ性および信頼性において何の不具合もなかった。これに対して、(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値が15ppm/GPa超過または1ppm/GPa未満である比較例1~3の場合は、ピックアップ装置のニードルピンの高さ0.45mmにおいて、チップ認識不良、ピックアップ性不良および信頼性不良が確認された。そして、(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値が1ppm/GPa~15ppm/GPaを満足しても、ガラス転移温度が130℃未満である比較例4の場合は、チップ認識およびピックアップ性不良はなかったが、信頼性不良があった。 Referring to Table 2 above, the glass transition temperature of the first film is 130 ° C. or higher, and the value of (thermal expansion coefficient/storage modulus) of the spacer film is 1 ppm/GPa to 15 ppm/GPa. In the case of 5, there were no defects in chip recognition, pick-up performance and reliability. On the other hand, in the case of Comparative Examples 1 to 3 in which the value of (thermal expansion coefficient/storage modulus) is more than 15 ppm/GPa or less than 1 ppm/GPa, at a needle pin height of 0.45 mm of the pickup device, Poor chip recognition, poor pick-up and poor reliability were confirmed. Even if the value of (thermal expansion coefficient/storage modulus) satisfies 1 ppm/GPa to 15 ppm/GPa, in the case of Comparative Example 4 in which the glass transition temperature is less than 130° C., chip recognition and pick-up performance are poor. No, but there was a lack of reliability.

このことから、スペーサ用フィルムの熱膨張係数と貯蔵弾性率を調整して、(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値が1~15ppm/GPaとなるように維持することは、チップ認識およびピックアップ性の向上に効果的であることが確認でき、第1フィルムのガラス転移温度が130℃以上であると、信頼性も同時に満たされ、スペーサ用フィルムとしての使用が適していることが確認できる。 Therefore, adjusting the thermal expansion coefficient and storage elastic modulus of the spacer film to maintain the value of (thermal expansion coefficient/storage elastic modulus) at 1 to 15 ppm/GPa is essential for chip recognition and pick-up. It can be confirmed that the glass transition temperature of the first film is 130° C. or higher, the reliability is also satisfied at the same time, and it can be confirmed that it is suitable for use as a spacer film.

以上、本発明について説明したが、本明細書に開示された実施例によって本発明が限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内において当業者によって多様な変形が可能であることは自明である。同時に、上記で本発明の実施例を説明しながら本発明の構成による作用効果を明示的に記載して説明しなかったとしても、当該構成により予測可能な効果も認められなければならないことは当然である。 Although the present invention has been described above, it should be understood that the present invention is not limited by the embodiments disclosed herein, and that various modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. Self-explanatory. At the same time, even if the working effects of the configuration of the present invention are not explicitly described and explained while the embodiments of the present invention are described above, it should be understood that the predictable effects of the configuration must also be recognized. is.

110:パッケージ基板
120:第1半導体チップユニット
130:スペーサ
131:接着層
132:サポート
140:第2半導体チップユニット
150:パッケージ本体
510:第1フィルム
520:接着層
530:第2フィルム
535:第1感圧粘着剤層
540:カバーフィルム
545:第2減圧粘着剤層
601:ダイシングソー
610:フレーム
620:押し手段
630:吸着手段
110: Package substrate 120: First semiconductor chip unit 130: Spacer 131: Adhesive layer 132: Support 140: Second semiconductor chip unit 150: Package body 510: First film 520: Adhesive layer 530: Second film 535: First Pressure sensitive adhesive layer 540: Cover film 545: Second reduced pressure adhesive layer 601: Dicing saw 610: Frame 620: Push means 630: Adsorption means

Claims (17)

ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)が130℃以上の第1フィルムと、
前記第1フィルムの下部に配置される接着層とを含み、
下記数式1を満たす、スペーサ用フィルム。
[数式1]
1ppm/GPa≦(熱膨張係数/貯蔵弾性率)≦15ppm/GPa
(前記数式1中、前記熱膨張係数および前記貯蔵弾性率はそれぞれ25℃で測定される値である。)
A first film having a glass transition temperature (Tg) of 130° C. or higher;
and an adhesive layer disposed under the first film,
A spacer film that satisfies Equation 1 below.
[Formula 1]
1 ppm/GPa ≤ (thermal expansion coefficient/storage modulus) ≤ 15 ppm/GPa
(In Equation 1, the coefficient of thermal expansion and the storage modulus are values measured at 25°C.)
前記熱膨張係数は10ppm~50ppmである、請求項1に記載のスペーサ用フィルム。 2. The spacer film according to claim 1, wherein said thermal expansion coefficient is 10 ppm to 50 ppm. 前記貯蔵弾性率は2GPa~10GPaである、請求項1に記載のスペーサ用フィルム。 2. The spacer film according to claim 1, wherein said storage modulus is 2 GPa to 10 GPa. 前記第1フィルムは、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフタルアミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンおよびポリエーテルイミドのうちの少なくとも一つを含む、請求項1に記載のスペーサ用フィルム。 The spacer film according to claim 1, wherein the first film includes at least one of polyimide, polyetheretherketone, polyamideimide, polyphenylene sulfide, polyphthalamide, polysulfone, polyethersulfone and polyetherimide. . 前記第1フィルムは前記下部にコート層を含む、請求項1に記載のスペーサ用フィルム。 2. The spacer film according to claim 1, wherein said first film includes a coating layer on said lower portion. 前記コート層は、ポリイミド官能基を含む化合物、ポリアミドイミド官能基を含む化合物、エポキシ官能基を含む化合物、およびウレタンアクリレート官能基を含む化合物のうちの少なくとも一つを含む、請求項5に記載のスペーサ用フィルム。 6. The coating layer of claim 5, wherein the coating layer comprises at least one of a compound containing polyimide functional groups, a compound containing polyamideimide functional groups, a compound containing epoxy functional groups, and a compound containing urethane acrylate functional groups. Spacer film. 前記接着層は、アクリル系化合物及びエポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含む、請求項1に記載のスペーサ用フィルム。 2. The spacer film according to claim 1, wherein the adhesive layer contains at least one of an acrylic compound and an epoxy resin. 前記接着層の下部に配置される第1感圧粘着剤層をさらに含む、請求項1に記載のスペーサ用フィルム。 The spacer film of claim 1, further comprising a first pressure-sensitive adhesive layer disposed under the adhesive layer. 前記第1感圧粘着剤層はアクリル系化合物を含む、請求項8に記載のスペーサ用フィルム。 9. The spacer film according to claim 8, wherein said first pressure-sensitive adhesive layer comprises an acrylic compound. 前記第1感圧粘着剤層の上面の縁が露出している、請求項8に記載のスペーサ用フィルム。 9. The spacer film of claim 8, wherein the edge of the top surface of the first pressure sensitive adhesive layer is exposed. 前記第1感圧粘着剤層と前記接着層との取付力は、前記第1感圧粘着剤層のUV硬化前は20~200N/mであり、前記第1感圧粘着剤層のUV硬化後は、15N/m以下である、請求項8に記載のスペーサ用フィルム。 The attachment force between the first pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer is 20 to 200 N/m before UV curing of the first pressure-sensitive adhesive layer, and UV curing of the first pressure-sensitive adhesive layer. 9. The spacer film according to claim 8, wherein the rest is 15 N/m or less. 前記第1感圧粘着剤層の下部に配置される第2フィルムをさらに含む、請求項8に記載のスペーサ用フィルム。 9. The spacer film of claim 8, further comprising a second film disposed under the first pressure-sensitive adhesive layer. 前記第2フィルムはポリオレフィン系樹脂を含む、請求項12に記載のスペーサ用フィルム。 13. The spacer film according to claim 12, wherein the second film contains a polyolefin resin. 前記第1フィルムの上部に配置される第2感圧粘着剤層と、
前記第2感圧粘着剤層の上部に配置されるカバーフィルムとをさらに含む、請求項1に記載のスペーサ用フィルム。
a second pressure-sensitive adhesive layer disposed on top of the first film;
The spacer film according to claim 1, further comprising a cover film disposed on top of the second pressure-sensitive adhesive layer.
請求項1に記載のスペーサ用フィルムをフレームに固定する固定ステップと、
前記スペーサ用フィルムをダイシングして個片化するダイシングステップと、
個片化された結果物から第1フィルムおよび接着層からなるスペーサをピックアップするピックアップステップと、
ピックアップされたスペーサをパッケージ基板上に取り付ける取付ステップとを含む、スペーサの形成方法。
A fixing step of fixing the spacer film according to claim 1 to a frame;
a dicing step of dicing the spacer film into individual pieces;
a pick-up step of picking up spacers composed of the first film and the adhesive layer from the singulated result;
a mounting step of mounting the picked-up spacer onto a package substrate.
前記スペーサ用フィルムは、前記接着層の下部に配置される第1感圧粘着剤層をさらに含み、
前記第1感圧粘着剤層の上面の縁が露出しており、
前記フレームが前記第1感圧粘着剤層の前記上面の前記縁上に配置される、請求項15に記載のスペーサの形成方法。
the spacer film further comprising a first pressure-sensitive adhesive layer disposed under the adhesive layer;
an edge of the top surface of the first pressure-sensitive adhesive layer is exposed;
16. The method of forming a spacer of claim 15, wherein said frame is positioned on said edge of said top surface of said first pressure sensitive adhesive layer.
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板上に配置される請求項1に記載のスペーサ用フィルムを含むスペーサと、
前記パッケージ基板上に配置される第1半導体チップユニットと、
前記スペーサ及び前記第1半導体チップユニット上に積層される第2半導体チップユニットと、
前記第1半導体チップユニットのチップパッドとそれに対応する第1基板パッド、および、前記第2半導体チップユニットのチップパッドとそれに対応する第2基板パッドを電気的に接続するワイヤと、
前記第1半導体チップユニット、前記第2半導体チップユニット、前記ワイヤおよび前記スペーサを封止するパッケージ本体とを含む、マルチチップパッケージ。
a package substrate;
a spacer comprising the spacer film according to claim 1 arranged on the package substrate;
a first semiconductor chip unit arranged on the package substrate;
a second semiconductor chip unit stacked on the spacer and the first semiconductor chip unit;
wires electrically connecting the chip pads of the first semiconductor chip unit and the corresponding first substrate pads, and the chip pads of the second semiconductor chip unit and the corresponding second substrate pads;
A multi-chip package including a package body sealing the first semiconductor chip unit, the second semiconductor chip unit, the wires and the spacer.
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