JP2023088239A - Spacer film and method for forming spacer using the same - Google Patents
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- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 title claims abstract description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 44
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 132
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 61
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- -1 acrylic compound Chemical class 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 10
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 claims description 7
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 6
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 claims description 4
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 claims description 3
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical group OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 25
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 11
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 2
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 2
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPZFLZYXYGBAPL-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-2-methyl-1,3-dioxolane Chemical compound CCC1(C)OCCO1 UPZFLZYXYGBAPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920001179 medium density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004701 medium-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N methacryloyloxyethyl isocyanate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCN=C=O RBQRWNWVPQDTJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920005629 polypropylene homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920001862 ultra low molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003245 working effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、マルチチップパッケージに適用されるスペーサ用フィルム及びそれを用いたスペーサの形成方法に関する。 The present invention relates to a spacer film applied to a multi-chip package and a spacer forming method using the same.
半導体素子の製造技術の発展に伴い、電子機器の小型化及び多機能化に関して多くの研究が行われている。マルチチップパッケージ(Multui Chip Package:MCP)技術は半導体チップのパッケージ技術の一つであり、同種の半導体チップまたは異種の半導体チップを一つのパッケージで実現する技術である。マルチチップパッケージ技術は、狭いパッケージ面積で高速伝送を実現でき、各々の半導体チップを別々のパッケージで実現したものに比べて、サイズおよび重量の面で利点がある。 2. Description of the Related Art With the development of semiconductor device manufacturing technology, much research has been conducted on the miniaturization and multi-functionalization of electronic devices. A multi-chip package (MCP) technology is one of semiconductor chip packaging technologies, and is a technology for realizing the same kind of semiconductor chips or different kinds of semiconductor chips in one package. Multi-chip packaging technology can achieve high-speed transmission in a small package area, and has advantages in size and weight compared to implementing each semiconductor chip in a separate package.
マルチチップパッケージにおいてサイズ低減の効果を得るためには、複数の半導体チップを積層して1つのパッケージ内に配置する必要がある。ここで利用されるのがスペーサである。例えば、2つの半導体チップが積層されたパッケージでは、いずれか一方の半導体チップはパッケージ基板に直接取り付けられるが、もう一方の半導体チップはパッケージ基板に直接取り付けない。このようなパッケージ基板に直接取り付けられない半導体チップを支持する役割をするのがスペーサである。 In order to obtain the effect of reducing the size of a multi-chip package, it is necessary to stack a plurality of semiconductor chips and arrange them in one package. Spacers are used here. For example, in a package in which two semiconductor chips are stacked, one of the semiconductor chips is directly attached to the package substrate, but the other semiconductor chip is not directly attached to the package substrate. A spacer plays a role of supporting a semiconductor chip that cannot be directly attached to such a package substrate.
スペーサは通常、金属、高分子、感光性レジスト等で形成される。スペーサが金属や感光性レジストで形成される場合には、パッケージ基板上に金属や感光性レジストを蒸着またはコーティングした後、スペーサ以外の部分をエッチングによって除去する方法を使用することができる。スペーサが金属や高分子で形成される場合には、予め定められた形でスペーサを作製し、それをパッケージ基板上に接着する方法を使用することができる。 Spacers are usually made of metal, polymer, photosensitive resist, or the like. When the spacers are made of metal or photosensitive resist, a method of depositing or coating the metal or photosensitive resist on the package substrate and then removing portions other than the spacers by etching can be used. When the spacer is made of metal or polymer, a method of fabricating the spacer in a predetermined shape and adhering it on the package substrate can be used.
金属や感光性レジストの蒸着またはコーティング後にエッチングすることでスペーサを形成する方法は、フォトリソグラフィのような複雑な工程が求められるだけでなく、材料の無駄が問題となる。予め定められたサイズでスペーサを作製し、それをパッケージ基板上に接着する方法は、所望のサイズのスペーサを正確に作製しにくいだけでなく、パッケージ基板上にスペーサを正確に取り付けることが困難な問題がある。 The method of forming spacers by etching after deposition or coating of metal or photosensitive resist not only requires a complicated process such as photolithography, but also poses a problem of waste of materials. In the method of fabricating a spacer of a predetermined size and bonding it onto a package substrate, not only is it difficult to accurately fabricate a spacer of a desired size, but it is also difficult to accurately attach the spacer to the package substrate. There's a problem.
また、ダミーウエハを活用(切断)してスペーサを作製し、それをパッケージ基板上に接着する方法があるが、この方法の場合はダミーウエハの無駄が問題となる。 There is also a method of using (cutting) a dummy wafer to fabricate a spacer and bonding it onto a package substrate, but this method poses a problem of waste of the dummy wafer.
一方、ダミーウエハの代わりにポリイミド(Polyimide)のような成分を含む高分子フィルムをスペーサとして活用する方法が考えられるが、ダイシング後、チップエッジ(edge)部において高分子フィルムの低い弾性率によってフィルムの反りが発生し、ダイの認識に不良が発生し、ピックアップ性が低下する。 On the other hand, instead of using a dummy wafer, it is possible to use a polymer film containing a component such as polyimide as a spacer. Warp occurs, die recognition failure occurs, and pick-up property deteriorates.
本発明の課題は、ダミーウエハを使用せずにダイシング工程が可能であり、ダイ認識不良が抑制され、ピックアップ性が向上したスペーサ用フィルムを提供することである。 An object of the present invention is to provide a spacer film that enables a dicing process without using a dummy wafer, suppresses die recognition failure, and improves pick-up properties.
本発明の他の課題は、ダミーウエハを使用しなくとも優れた効率でダイシング工程を行うことができるスペーサの形成方法を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a method of forming a spacer that enables a highly efficient dicing process without using a dummy wafer.
本発明のまた他の課題は、ダミーウエハを使用しないマルチチップパッケージを提供することである。 Another object of the present invention is to provide a multi-chip package that does not use dummy wafers.
本発明が達成しようとする技術的課題は前述の課題に限定されず、言及されていない他の課題は、以下の記載から当業者に明確に理解できるであろう。 The technical problem to be achieved by the present invention is not limited to the above problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
例示的な実施形態によるスペーサ用フィルムは、ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)が130℃以上の第1フィルムと、前記第1フィルムの下部に配置される接着層とを含み、下記数式1を満たす。 A spacer film according to an exemplary embodiment includes a first film having a glass transition temperature (Tg) of 130° C. or higher, and an adhesive layer disposed under the first film. meet.
[数式1]
1ppm/GPa≦(熱膨張係数/貯蔵弾性率)≦15ppm/GPa
[Formula 1]
1 ppm/GPa ≤ (thermal expansion coefficient/storage modulus) ≤ 15 ppm/GPa
前記数式1中、前記の熱膨張係数および前記貯蔵弾性率はそれぞれ25℃で測定される値である。 In Equation 1, the coefficient of thermal expansion and the storage modulus are values measured at 25°C.
いくつかの実施形態では、前記熱膨張係数は10ppm~50ppmであってもよい。 In some embodiments, the coefficient of thermal expansion may be between 10 ppm and 50 ppm.
いくつかの実施形態では、前記貯蔵弾性率は2GPa~10GPaであってもよい。 In some embodiments, the storage modulus may be between 2 GPa and 10 GPa.
いくつかの実施形態では、前記第1フィルムは、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフタルアミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、およびポリエーテルイミドのうちの少なくとも一つを含むことができる。 In some embodiments, the first film can include at least one of polyimide, polyetheretherketone, polyamideimide, polyphenylene sulfide, polyphthalamide, polysulfone, polyethersulfone, and polyetherimide. can.
いくつかの実施形態では、前記第1フィルムは前記下部にコート層を含むことができる。 In some embodiments, the first film can include a coating layer on the bottom.
いくつかの実施形態では、前記コート層は、ポリイミド官能基を含む化合物、ポリアミドイミド官能基を含む化合物、エポキシ官能基を含む化合物、およびウレタンアクリレート官能基を含む化合物のうちの少なくとも一つを含むことができる。 In some embodiments, the coating layer comprises at least one of a compound containing polyimide functional groups, a compound containing polyamideimide functional groups, a compound containing epoxy functional groups, and a compound containing urethane acrylate functional groups. be able to.
いくつかの実施形態では、前記接着層は、アクリル系化合物およびエポキシ樹脂のうちの少なくとも一つを含むことができる。 In some embodiments, the adhesive layer can include at least one of an acrylic compound and an epoxy resin.
いくつかの実施形態では、前記スペーサ用フィルムは、前記接着層の下部に配置される第1感圧粘着剤層をさらに含むことができる。 In some embodiments, the spacer film may further include a first pressure-sensitive adhesive layer disposed below the adhesive layer.
いくつかの実施形態では、前記第1感圧粘着剤層はアクリル系化合物を含むことができる。 In some embodiments, the first pressure sensitive adhesive layer can include an acrylic compound.
いくつかの実施形態では、前記第1感圧粘着剤層の上面の縁が露出していてもよい。 In some embodiments, the edges of the top surface of the first pressure sensitive adhesive layer may be exposed.
いくつかの実施形態では、前記第1感圧粘着剤層と前記接着層との取付力は、前記第1感圧粘着剤層のUV硬化前は20~200N/mであり、前記第1感圧粘着剤層のUV硬化後は15N/m以下であってもよい。 In some embodiments, the attachment force between the first pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer is 20-200 N/m before UV curing of the first pressure-sensitive adhesive layer; After UV curing of the pressure-sensitive adhesive layer, it may be 15 N/m or less.
いくつかの実施形態では、前記スペーサ用フィルムは、前記第1感圧粘着剤層の下部に配置される第2フィルムをさらに含むことができる。 In some embodiments, the spacer film may further include a second film disposed below the first pressure-sensitive adhesive layer.
いくつかの実施形態では、前記第2フィルムはポリオレフィン系樹脂を含むことができる。 In some embodiments, the second film can include polyolefin-based resin.
いくつかの実施形態では、前記第1フィルムの上部に配置される第2感圧粘着剤層と、前記第2感圧粘着剤層の上部に配置されるカバーフィルムとをさらに含むことができる。 Some embodiments may further include a second pressure-sensitive adhesive layer disposed on the first film, and a cover film disposed on the second pressure-sensitive adhesive layer.
例示的な実施形態によるスペーサの形成方法は、前記スペーサ用フィルムをフレームに固定する固定ステップと、前記スペーサ用フィルムをダイシングして個片化するダイシングステップと、個片化された結果物から第1フィルムおよび接着層からなるスペーサをピックアップするピックアップステップと、ピックアップされたスペーサをパッケージ基板上に取り付ける取付ステップとを含む。 A method for forming spacers according to an exemplary embodiment includes a fixing step of fixing the spacer film to a frame, a dicing step of dicing the spacer film into individual pieces, and separating the individual pieces from the resulting pieces. a picking up step of picking up spacers composed of a film and an adhesive layer; and a mounting step of mounting the picked up spacers onto a package substrate.
いくつかの実施形態では、前記スペーサ用フィルムは、前記接着層の下部に配置される第1感圧粘着剤層をさらに含み、前記第1感圧粘着剤層の上面の縁が露出しており、前記フレームを前記第1感圧粘着剤層の前記上面の前記縁上に配置することができる。 In some embodiments, the spacer film further comprises a first pressure-sensitive adhesive layer disposed under the adhesive layer, the top edge of the first pressure-sensitive adhesive layer being exposed. , the frame may be positioned on the edge of the top surface of the first pressure sensitive adhesive layer.
例示的な実施形態によるマルチチップパッケージは、パッケージ基板と、前記パッケージ基板上に配置される請求項1に記載のスペーサ用フィルムを含むスペーサと、前記パッケージ基板上に配置される第1半導体チップユニットと、前記スペーサ及び前記第1半導体チップユニット上に積層される第2半導体チップユニットと、前記第1半導体チップユニットのチップパッドとそれに対応する第1基板パッド、および、前記第2半導体チップユニットのチップパッドとそれに対応する第2基板パッドを電気的に接続するワイヤと、前記第1半導体チップユニット、前記第2半導体チップユニット、前記ワイヤおよび前記スペーサを封止するパッケージ本体とを含む。 A multi-chip package according to an exemplary embodiment includes a package substrate, a spacer including the spacer film of claim 1 arranged on the package substrate, and a first semiconductor chip unit arranged on the package substrate. a second semiconductor chip unit stacked on the spacer and the first semiconductor chip unit; a chip pad of the first semiconductor chip unit and a first substrate pad corresponding thereto; wires electrically connecting chip pads and corresponding second substrate pads; and a package body sealing the first semiconductor chip unit, the second semiconductor chip unit, the wires and the spacers.
本発明によるスペーサ用フィルムは、ダミーウエハの代わりに、ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)が130℃以上の第1フィルムを含み、熱膨張係数を貯蔵弾性率で割った値が1ppm/GPa~15ppm/GPaである。 The spacer film according to the present invention includes a first film having a glass transition temperature (Tg) of 130 ° C. or higher instead of the dummy wafer, and the value obtained by dividing the thermal expansion coefficient by the storage elastic modulus is 1 ppm / GPa ~ 15 ppm/GPa.
これにより、本発明に係るスペーサ用フィルムは、ダイシング後のピックアップ工程で発生するダイ認識不良を抑制し、ピックアップ装置におけるチップ間の区分およびピックアップを容易にすることができ、パッケージ組み立て完了後の信頼性を向上させることができる。 As a result, the spacer film according to the present invention can suppress die recognition failure that occurs in the pick-up process after dicing, facilitate separation and pick-up between chips in the pick-up device, and improve reliability after package assembly is completed. can improve sexuality.
また、本発明によるスペーサ用フィルムから、ダイシング工程によって所望のサイズの個片化されたスペーサを容易に作製することができる。 In addition, individualized spacers of a desired size can be easily produced from the spacer film according to the present invention by a dicing process.
また、本発明によるスペーサの形成方法は、個片化されたスペーサをピックアップ工程および取付工程によってパッケージ基板に容易に取り付けることができる。 In addition, according to the method of forming spacers according to the present invention, the individualized spacers can be easily attached to the package substrate by the pick-up process and the attachment process.
また、本発明は、前記スペーサ用フィルムを用いて、ダミーウエハを使用しないマルチチップパッケージを提供することができる。 In addition, the present invention can provide a multi-chip package that does not use a dummy wafer by using the spacer film.
本発明を説明するにあたり、関連する公知技術に関する具体的な説明が本発明の要旨を不明確にする虞があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。また、後述する用語は、本発明における機能を考慮して定義された用語であり、使用者、運用者の意図または慣例などによって異なり得る。従って、その定義は、本明細書全般に亘る内容に基づいて行われるべきである。 In describing the present invention, if it is determined that the specific description of related known technologies may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the terms described below are defined in consideration of the functions of the present invention, and may differ according to the user's or operator's intentions or customs. Therefore, the definition should be based on the content throughout this specification.
本発明の技術的思想は、特許請求の範囲により決定される。また、以下の実施形態は、本発明の技術的思想を当業者に効率的に説明するための一手段に過ぎない。 The technical idea of the present invention is determined by the claims. Moreover, the following embodiments are merely means for efficiently explaining the technical idea of the present invention to those skilled in the art.
以下、図面を参照して本発明の具体的な実施形態を説明するが、これらは例示に過ぎず、本発明を限定するものではない。 Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but these are merely examples and do not limit the present invention.
図1は、スペーサを含むマルチチップパッケージの一例を概略的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a multi-chip package including spacers.
図1を参照すると、パッケージ基板110上に第1半導体チップユニット120が配置される。第1半導体チップユニット120は、第1接着層121と、第1半導体チップ122とを含むことができる。第1接着層121は、第1半導体チップ122をパッケージ基板110に取り付ける役割を果たす。第1半導体チップユニット120は、チップパッドとそれに対応する第1基板パッドとがワイヤ125を介して接続されることにより、パッケージ基板110に電気的に接続することができる。
Referring to FIG. 1 , a first
第1半導体チップユニット120の周囲には、スペーサ130が配置される。スペーサ130は、接着層131と、サポート132とを含む。接着層131は、サポート132を基板に取り付ける役割を果たす。
A
スペーサ130上には、第2半導体チップユニット140が配置される。第2半導体チップユニット140は、第2接着層141と、第2半導体チップ142とを含むことができる。第2接着層141は、第2半導体チップ142をスペーサ130のサポート132に取り付ける役割を果たす。第2半導体チップユニット140は、チップパッドとそれに対応する第2基板パッドとがワイヤ145を介して接続されることにより、パッケージ基板110に電気的に接続することができる。他の例として、第2半導体チップ142は、スペーサ130を貫通するビアホールを介してパッケージ基板110に電気的に接続することができる。
A second semiconductor chip unit 140 is arranged on the
パッケージ基板110上に、第1半導体チップユニット120、スペーサ130及び第2半導体チップユニット140が配置され、ワイヤボンディング工程が行われた後は、これらを封止するパッケージ本体150が形成される。パッケージ本体150は、エポキシ樹脂のような封止材で形成できる。
After the first
図1に示すように、スペーサ130の高さは第1半導体チップユニット120の高さよりも高くてもよい。これにより、スペーサ130を支持体として第2半導体チップユニット140を積層することができる。他の例として、スペーサ130の高さは、第1半導体チップユニット120の高さと同じであってもよい。また、スペーサ130の高さが第1半導体チップユニット120の高さと同じであることに起因して、スペーサ130および第2半導体チップユニット140によって第1半導体チップユニット120が埋め込まれる効果を得ることができる。
As shown in FIG. 1, the height of
図2~図4は、スペーサを含むマルチチップパッケージの他の例を概略的に示す断面図である。 2 to 4 are cross-sectional views schematically showing other examples of multi-chip packages including spacers.
図2~図4では、第2半導体チップユニット(図2の「140-1」~「140-4」、図3の「140-1」~「140-5」、図4の「140-1」~「140-7」)は、図1に示す例と同様に、ワイヤ(図示せず)やビアホール(図示せず)を介して他の第2半導体チップユニットまたはパッケージ基板110に電気的に接続することができる。
2 to 4, the second semiconductor chip unit ("140-1" to "140-4" in FIG. 2, "140-1" to "140-5" in FIG. 3, "140-1" in FIG. to 140-7) are electrically connected to another second semiconductor chip unit or
図2~図4に示すマルチチップパッケージの場合も、パッケージ基板110上に配置されたスペーサ130を介して半導体チップユニットの積層が可能である。
In the case of the multi-chip package shown in FIGS. 2 to 4 as well, semiconductor chip units can be stacked via
図5は、本発明の一実施形態によるスペーサ用フィルムを概略的に示す断面図である。図5を参照すると、図示のスペーサ用フィルムは、ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)が130℃以上の第1フィルム510と、接着層520とを含み、前記接着層520の下部に配置される第1感圧粘着剤層535をさらに含むことができる。本発明の一実施形態によるスペーサ用フィルムは、下記数式1を満たす。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a spacer film according to one embodiment of the present invention. Referring to FIG. 5 , the illustrated spacer film includes a
[数式1]
1ppm/GPa≦(熱膨張係数/貯蔵弾性率)≦15ppm/GPa
[Formula 1]
1 ppm/GPa ≤ (thermal expansion coefficient/storage modulus) ≤ 15 ppm/GPa
前記数式1中、前記の熱膨張係数および貯蔵弾性率はそれぞれ25℃で測定される値である。 In Equation 1, the thermal expansion coefficient and storage modulus are values measured at 25°C.
前記数式1中の(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値は、1~30ppm/GPaであることが好ましく、1~15ppm/GPaであることがより好ましい。前記値の範囲では、ピックアップ工程性と吸湿後の高温信頼性工程を確保しやすい。 The value of (thermal expansion coefficient/storage modulus) in Equation 1 is preferably 1 to 30 ppm/GPa, more preferably 1 to 15 ppm/GPa. Within the range of the above values, it is easy to ensure pick-up processability and high-temperature reliability process after moisture absorption.
前記熱膨張係数は、4mm×16mmにカットしたスペーサ用フィルムをTMA(Thermomechanical Analysis、メーカー:TA社、モデル名:TMA Q400)装置を用いて、温度範囲-30℃から10℃/分で昇温し、25℃で測定したものであってもよい。前記熱膨張係数は10ppm~50ppmであることが好ましい。前記熱膨張係数が50ppmを超えると、高温のはんだ付け工程でフィルムの膨張が増加して界面剥離が発生し、信頼性が低下することがある。 The thermal expansion coefficient is obtained by using a TMA (Thermomechanical Analysis, manufacturer: TA, model name: TMA Q400) device for a spacer film cut to 4 mm × 16 mm, and increasing the temperature from -30 ° C. at a rate of 10 ° C./min. However, it may be measured at 25°C. The thermal expansion coefficient is preferably 10 ppm to 50 ppm. If the thermal expansion coefficient exceeds 50 ppm, the expansion of the film increases during a high-temperature soldering process, causing interfacial peeling, which may reduce reliability.
前記貯蔵弾性率(E’)は5mm×20mmにカットしたスペーサ用フィルムをDMA(dynamic Mechanical Analyzer、メーカー:TA社、モデル名:DMA850)装置を用いて、温度範囲-30℃から10℃/分で昇温し、25℃で測定したものであってもよい。前記貯蔵弾性率は1GPa~30GPaであることが好ましく、2GPa~10GPaであることがより好ましい。前記貯蔵弾性率が2GPa未満であると、イクスパンディング時のダイ認識不良とピックアップ装置のニードルピンの高さでピックアップ工程を行うことができなくなる。前記貯蔵弾性率が10GPaを超えると、硬度が増加しすぎてロール状の製品化ができないことがある。 The storage elastic modulus (E') was measured by using a DMA (dynamic mechanical analyzer, manufacturer: TA, model name: DMA850) device for a spacer film cut to 5 mm × 20 mm, at a temperature range of -30 ° C. to 10 ° C./min. and measured at 25°C. The storage modulus is preferably 1 GPa to 30 GPa, more preferably 2 GPa to 10 GPa. If the storage elastic modulus is less than 2 GPa, the pickup process cannot be performed due to poor die recognition during expansion and the height of the needle pin of the pickup device. If the storage elastic modulus exceeds 10 GPa, the hardness may increase too much to produce a roll-like product.
第1フィルム
第1フィルム510は、図1~図4のスペーサ130のサポート132となる部分である。
The first film The
前記第1フィルム510は、ガラス転移温度(Glass Transition Temperature、Tg)が130℃以上であることが好ましい。前記ガラス転移温度が130℃以上であると、高温のはんだ付け工程で熱変形に対する抵抗性を付与して界面での剥離を抑制でき、信頼性を向上させることができる。
The
前記ガラス転移温度が130℃以上であれば本発明の所望の効果を達成できるので、その上限は特に限定されないが、第1フィルムの材質を考慮すると、500℃以下であってもよい。 If the glass transition temperature is 130° C. or higher, the desired effects of the present invention can be achieved, so the upper limit is not particularly limited, but considering the material of the first film, it may be 500° C. or lower.
前記ガラス転移温度は5mm×20mmにカットした第1フィルムをDMA(dynamic Mechanical Analyzer、メーカー:TA社、モデル名:DMA850)装置を用いて、昇温速度10℃/分の条件下で測定したものであってもよい。前記ガラス転移温度は、第1フィルムのtanδが最大となる温度を意味する。 The glass transition temperature was measured by using a DMA (dynamic mechanical analyzer, manufacturer: TA, model name: DMA850) device for the first film cut to 5 mm x 20 mm under the condition of a temperature increase rate of 10 ° C./min. may be The glass transition temperature is the temperature at which tan δ of the first film is maximized.
また、第1フィルム510は耐熱性を有することが好ましい。そのため、本発明では第1フィルム510を、200℃重量減少率が2%以下、100℃以下での線膨張係数が50ppm/℃以下のものに制限した。200℃重量減少率が2%を超えるか、または100℃以下での線膨張係数が50ppm/℃を超えると、耐熱性が良好ではないと言える。
Also, the
前記のような耐熱性を有する第1フィルム510は、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフタルアミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホンおよびポリエーテルイミドのうちの少なくとも一つを含むことができる。中でもより耐熱性に優れたポリイミドまたはポリエーテルエーテルケトンを第1フィルムの材質とすることがより好ましい。
The heat-resistant
第1フィルム510は単層構造を有することができる。他の例として、第1フィルム 510は多層構造を有することができる。
The
前記第1フィルム510は下部にコート層を含むことができる。前記コート層は、第1フィルム510よりも弾性率または収縮率がより高くてもよい。前記コート層は、好ましくは、ポリイミド官能基を含む化合物、ポリアミドイミド官能基を含む化合物、エポキシ官能基を含む化合物、およびウレタンアクリレート官能基を含む化合物のうちの少なくとも一つを含むことができる。前記化合物は硬化物の形で含むことができる。
The
前記第1フィルム層の厚さは、目標とするスペーサのサポート(図1の「132」)の厚さによって決めることができ、2μm~100μmであってもよいが、これらに限定されるものではない。 The thickness of the first film layer can be determined by the thickness of the target spacer support (“132” in FIG. 1), and may range from 2 μm to 100 μm, but is not limited thereto. do not have.
接着層
接着層520は、図1~図4のスペーサ130の接着層131となる部分である。
Adhesive layer The
接着層520は、第1フィルム510の下部に配置される。接着層520は、約3~60μmの厚さを有することができるが、これらに限定されるものではない。
The
本発明では、接着層520はアクリル系化合物を含むことができる。また、接着層520は、硬化のためにエポキシ樹脂を含むことができる。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオレン型、フェノールノボラック型、オルトクレゾールノボラック型、グリシジルアミン型などの1種以上を用いることができる。
In the present invention, the
また、接着層520には、1種以上の添加剤をさらに含むことができる。添加剤としては、硬化剤(フェノール系樹脂、アミン類など)、無機粒子(シリカ、水酸化アルミニウム、アルミナ、二酸化チタン、炭酸カルシウムなど)、硬化促進剤、シランカップリング剤などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Also, the
接着層520、並びに後述する第1感圧粘着剤層535及び第2感圧粘着剤層545に利用可能なアクリル系化合物は、好ましくは、(メタ)アクリル酸エステルに由来する単量体を含む。
The acrylic compound that can be used for the
前記単量体としては、(メタ)アクリル酸エステルとしては、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル、(メタ)アクリル酸アリールエステルなどが挙げられる。 Examples of the monomer (meth)acrylic acid ester include (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth)acrylic acid cycloalkyl ester, and (meth)acrylic acid aryl ester.
アクリル系化合物は、カルボキシ基含有単量体、酸無水物単量体、ヒドロキシ基含有単量体、グリシジル基含有単量体、スルホン酸基含有単量体、リン酸基含有単量体、アクリロニトリル含有単量体などをさらに含むことができる。 Acrylic compounds include carboxy group-containing monomers, acid anhydride monomers, hydroxyl group-containing monomers, glycidyl group-containing monomers, sulfonic acid group-containing monomers, phosphoric acid group-containing monomers, acrylonitrile Containing monomers and the like can be further included.
また、アクリル系化合物は、1種以上の多官能性単量体をさらに含むことができる。多官能性単量体としては、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート(すなわち、ポリグリシジル(メタ)アクリレート)、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートなどが挙げられる。 Also, the acrylic compound may further include one or more polyfunctional monomers. Polyfunctional monomers include hexanediol di(meth)acrylate, (poly)ethylene glycol di(meth)acrylate, (poly)propylene glycol di(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, epoxy (meth)acrylate (i.e. polyglycidyl (meth)acrylate), polyester ( meth)acrylates, urethane (meth)acrylates, and the like.
第2フィルム
本発明の例示的な実施形態によるスペーサ用フィルムは、前記接着層520の下部に配置される第2フィルム530をさらに含むことができる。
Second Film A spacer film according to an exemplary embodiment of the present invention may further include a
第2フィルム530と接着層520との間には、第1感圧粘着剤層535を配置することができる。第1感圧粘着剤層535は、第2フィルム530上に直接キャスト・コーティング及び乾燥して形成するか、または第2フィルム530にラミネートして形成することができる。
A first pressure sensitive
第2フィルム530は、ダイシング工程において支持体の役割を果たすことができる。イクスパンディング及びピックアップ性を確保するために、第2フィルム530の厚さは40μm以上に調整することができる。一方、第2フィルム530の厚さが300μmを超えて厚すぎると、イクスパンディング不良およびピックアップ不良などが発生することがあるので、第2フィルム530の厚さは300μm以下であることが好ましい。第2フィルム530の厚さの範囲は40~300μmであり、好ましくは50~250μm、より好ましくは60~200μm、最も好ましくは70~150μmであってもよい。
The
第2フィルム530はポリオレフィン系樹脂を用いることができる。具体的には、第2フィルム530は、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロピレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン、エチレン-酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン-(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン-(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エチレン-ブテン共重合体、およびエチレン-ヘキセン共重合体のうちの1種以上を含む材料で形成することができる。
The
第2フィルム530は単層構造を有してもよく、他の例としては多層構造を有してもよい。
The
第1感圧粘着剤層535は約5~30μmの厚さに形成できるが、これに限定されるものではない。第1感圧粘着剤層535はアクリル系化合物を含むことができる。但し、第1感圧粘着剤層535は接着層520とは異なり、エポキシ樹脂を含んでいなくてもよい。
The first pressure-
また、第1感圧粘着剤層535は、1種以上の添加剤をさらに含むことができる。添加剤としては、イソシアネート硬化剤のような熱硬化剤やベンゾフェノンのような光開始剤が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Also, the first pressure-
前記第1感圧粘着剤層535は、ダイシング工程でUV硬化前までは、B-ステージ状態で存在することができる。
The first pressure-
一方、第1感圧粘着剤層535と接着層520との取付力は、第1感圧粘着剤層のUV硬化前は20~200N/m、UV硬化後は15N/m以下になることができる。これは、ダイシング後にピックアップ工程で個片化された第1フィルム510と接着層520のみをピックアップするためである。このような第1感圧粘着剤層535の取付力の制御は、例えば、粘着剤成分の制御によって行うことができる。例えば、第1感圧粘着剤層535のアクリル系化合物はアクリル酸-2-エチルヘキシル100重量部に対して、アクリル酸-2-ヒドロキシエチル10~40重量部、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネート10~45重量部を共重合反応させた共重合体を含むものであってもよい。
On the other hand, the attachment force between the first pressure-
一方、図5を参照すると、第1感圧粘着剤層535の上面の縁が露出していてもよい。これは、ダイシング工程において、リングフレームに対するスペーサ用フィルムの固定を容易にするためである。これについては、図7で後述することとする。
On the other hand, referring to FIG. 5, the edge of the top surface of the first pressure sensitive
図6は、本発明の他の実施形態によるスペーサ用フィルムを概略的に示す断面図である。 FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a spacer film according to another embodiment of the present invention.
図6に示すスペーサ用フィルムは、図5に示すスペーサ用フィルムと同様に、第1フィルム510と、接着層520と、第2フィルム530と、第1感圧粘着剤層535とを含む。図6に示すスペーサ用フィルムにおける第1フィルム510、接着層520、第2フィルム530、及び第1感圧粘着剤層535は、図5と同一であるのでその説明を省略する。
The spacer film shown in FIG. 6 includes a
なお、図6に示すスペーサ用フィルムは、カバーフィルム540および第2感圧粘着剤層545をさらに含む。
The spacer film shown in FIG. 6 further includes a
カバーフィルム
カバーフィルム540は、ダイシング工程の前に第1フィルム510を保護するための保護フィルムとして機能する。カバーフィルム540は、ダイシング工程では予め除去される。カバーフィルム540は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリイミドなどの材料で形成できるが、これらに限定されるものではない。
Cover
カバーフィルム540と第1フィルム510との間には、第2感圧粘着剤層545を配置することができる。
A second pressure sensitive
第2感圧粘着剤層545は、約3~30μmの厚さに形成できるが、これに限定されるものではない。第2感圧粘着剤層545は、第1感圧粘着剤層535と同様に、アクリル系化合物を含み、エポキシ樹脂を含まなくてもよい。第2感圧粘着剤層545は、フェノール系樹脂、アミン類などの硬化剤やシランカップリング剤などの添加剤を1種以上さらに含むことができる。
The second pressure-
なお、図6を参照すると、第2感圧粘着剤層545の下面の縁が露出していてもよい。これは、ダイシング工程の直前にカバーフィルム540および第2感圧粘着剤層545の除去を容易にするためである。
It should be noted that, referring to FIG. 6, the edge of the bottom surface of the second pressure sensitive
スペーサの形成方法
図7は、本発明によるダイシング工程を用いたスペーサの形成方法を概略的に示すものである。図8は、図7の(a)、(b)、(c)に対応する平面図であり、図7の方法を説明する際に参照する。
Method of Forming Spacers FIG. 7 schematically shows a method of forming spacers using the dicing process according to the present invention. FIG. 8 is a plan view corresponding to (a), (b), and (c) of FIG. 7, and will be referred to when describing the method of FIG.
図7を参照すると、本発明によるスペーサの形成方法は、固定ステップと、ダイシングステップと、ピックアップステップと、取付ステップとを含む。 Referring to FIG. 7, the method of forming a spacer according to the present invention includes a fixing step, a dicing step, a pick-up step and an attachment step.
まず、図7(a)に示す例のように、上から第1フィルム510、接着剤層520、第1感圧粘着剤層535、及び第2フィルム530を含むスペーサ用フィルムを設ける。例えば、図6に示すスペーサ用フィルムから第2感圧粘着剤層545及びカバーフィルム540を除去することにより、図7(a)に示す例のようなスペーサ用フィルムを設けることができる。
First, as in the example shown in FIG. 7A, a spacer film including a
その後、図7(b)および図8(b)に示す例のように、スペーサ用フィルムを固定する。スペーサ用のフィルムを固定するために、リングフレームのようなフレーム610を用いることができる。一方、スペーサ用フィルムにおいて第1感圧粘着剤層535の上面の縁が露出していると、フレーム610を第1感圧粘着剤層535の上面の縁上に容易に配置できる。
After that, the spacer film is fixed as in the example shown in FIGS. 7(b) and 8(b). A
その後、図7(c)に示す例のように、ダイシングソー601またはレーザーを用いて、予め定められた切断ラインSLに沿ってスペーサ用フィルムをダイシングして個片化する。前述のように、本発明に係るスペーサ用フィルムは、イクスパンディング時、チップエッジ(edge)においてスペーサフィルムが上方に向かって反ることを防止することができ、イクスパンディング不良およびピックアップ不良を抑制することができる。 Thereafter, as in the example shown in FIG. 7(c), the spacer film is diced along predetermined cutting lines SL using a dicing saw 601 or a laser. INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the spacer film according to the present invention can prevent the spacer film from being warped upward at the edge of the chip during expanding, thereby preventing expanding defects and pick-up defects. can be suppressed.
その後、図7(d)に示す例のように、押し手段620および吸着手段630を用いて、個片化された結果物から第1フィルム510及び接着層520からなるスペーサをピックアップする。
Thereafter, as in the example shown in FIG. 7(d), using the pushing means 620 and the adsorption means 630, the spacers composed of the
その後、図7(e)に示す例のように、第1フィルム510および接着層520からなるスペーサをパッケージ基板110上に取り付ける。
After that, a spacer composed of a
<実施例>
以下、本発明の理解を助けるために好適な実施例を提示するが、これらの実施例は本発明の理解を容易にするために例示するものに過ぎず、本発明の内容を制限するものではない。
<Example>
Hereinafter, preferred examples will be presented to aid understanding of the present invention, but these examples are merely illustrative to facilitate understanding of the present invention, and do not limit the content of the present invention. do not have.
スペーサ用接着フィルムの製造
上から第1フィルム(ポリイミド)、アクリル-エポキシ接着層、アクリル感圧粘着剤層および第2フィルム(ポリエチレンフィルム)からなるスペーサ用フィルムを作製した。前記第1フィルムとしては、下部にコート層を形成したものと、形成しなかったものをそれぞれ使用した。
In order to manufacture the adhesive film for spacers, a film for spacers comprising a first film (polyimide), an acrylic-epoxy adhesive layer, an acrylic pressure-sensitive adhesive layer and a second film (polyethylene film) was produced. As the first film, a film with a coat layer formed thereon and a film without a coat layer were used.
熱膨張係数は、作製されたスペーサ用フィルムでサイズ4mm×16mmの試験片を作製し、昇温速度10℃/分の条件の方法によって25℃でTMA装置を用いて測定した。 The coefficient of thermal expansion was measured by using a TMA apparatus at 25° C. with a heating rate of 10° C./min on a 4 mm×16 mm test piece of the produced spacer film.
貯蔵弾性率は、作製されたスペーサ用フィルムでサイズ5mm×20mmの試験片を作製し、昇温速度10℃/分の条件の方法によって25℃でDMA装置を用いて測定した。 The storage elastic modulus was measured using a DMA apparatus at 25° C. by preparing a test piece having a size of 5 mm×20 mm from the produced spacer film, and using a method with a heating rate of 10° C./min.
ガラス転移温度は、第1フィルムでサイズ5mm×20mmの試験片を作製し、昇温速度10℃/分の条件の方法によってDMA装置を用いて測定した。 The glass transition temperature was measured by preparing a test piece of 5 mm×20 mm in size from the first film and using a DMA device under the conditions of a heating rate of 10° C./min.
各サンプルにおける熱膨張係数、貯蔵弾性率およびガラス転移温度の測定結果を下記表1に示す。 Table 1 below shows the measurement results of the coefficient of thermal expansion, storage modulus and glass transition temperature of each sample.
スペーサ用接着フィルムの評価
その後、リングフレームをアクリル感圧粘着剤層の上部の縁側に接合してスペーサ用フィルムを固定した。その後、ダイシング装置であるDFD-6361(ディスコ社製)を用いて、各試験片に対して9mm×12mmの個別のスペーサに分割するダイシング工程を行った。その後、ピックアップ装置であるSPA-300(新川社製)を用いて、個別のスペーサをイクスパンディング(expanding)及びピックアップした。
Evaluation of Spacer Adhesive Film The spacer film was then secured by bonding a ring frame to the top edge of the acrylic pressure sensitive adhesive layer. After that, using a dicing machine DFD-6361 (manufactured by Disco), a dicing step was performed to divide each test piece into individual spacers of 9 mm×12 mm. After that, using a pick-up device SPA-300 (manufactured by Shinkawa Co., Ltd.), the individual spacers were expanded and picked up.
以下の評価を行い、その結果を表2に示す。 The following evaluations were performed, and the results are shown in Table 2.
チップ認識の評価:ダイシング後のピックアップ装置においてチップ間の区分およびピックアップを容易にするために、第2フィルムを拡張するイクスパンディング工程を行い、イクスパンディング・リング(expanding ring)の高さ3mmにおけるチップ認識率を測定した。認識率が95%以上の場合を良好(O)、95%未満の場合を不良(X)と評価した。 Evaluation of chip recognition: In order to facilitate separation and pickup between chips in a pick-up device after dicing, an expanding process was performed to expand the second film, and the height of the expanding ring was 3 mm. We measured the chip recognition rate in A recognition rate of 95% or more was evaluated as good (O), and a recognition rate of less than 95% was evaluated as poor (X).
ピックアップ性の評価:ピックアップ装置のニードルピンの高さを0.35mmおよび0.45mmでピックアップした。ピックアップ成功率が95%以上の場合を良好(O)、95%未満の場合を不良(X)と評価した。 Evaluation of pick-up property: The height of the needle pin of the pick-up device was set to 0.35 mm and 0.45 mm. A pickup success rate of 95% or more was evaluated as good (O), and a case of less than 95% was evaluated as poor (X).
信頼性の評価:シリコンウエハと共にパッケージを作製し、85℃/85%の温度・湿度の条件下で168時間放置した後、260℃の高温リフロー(reflow)工程を3回行った。このとき、SAT透過モードで測定したボイド(黒色領域)の量が5%以下の場合を良好(O)、5%超えの場合を不良(X)と評価した。 Reliability evaluation: A package was produced together with a silicon wafer, left for 168 hours under conditions of temperature and humidity of 85°C/85%, and then subjected to a high temperature reflow process of 260°C three times. At this time, when the amount of voids (black areas) measured in the SAT transmission mode was 5% or less, it was evaluated as good (O), and when it exceeded 5%, it was evaluated as bad (X).
上記表2を参照すると、第1フィルムのガラス転移温度が130℃以上であり、スペーサ用フィルムの(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値が1ppm/GPa~15ppm/GPaである実施例1~5の場合は、チップ認識、ピックアップ性および信頼性において何の不具合もなかった。これに対して、(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値が15ppm/GPa超過または1ppm/GPa未満である比較例1~3の場合は、ピックアップ装置のニードルピンの高さ0.45mmにおいて、チップ認識不良、ピックアップ性不良および信頼性不良が確認された。そして、(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値が1ppm/GPa~15ppm/GPaを満足しても、ガラス転移温度が130℃未満である比較例4の場合は、チップ認識およびピックアップ性不良はなかったが、信頼性不良があった。 Referring to Table 2 above, the glass transition temperature of the first film is 130 ° C. or higher, and the value of (thermal expansion coefficient/storage modulus) of the spacer film is 1 ppm/GPa to 15 ppm/GPa. In the case of 5, there were no defects in chip recognition, pick-up performance and reliability. On the other hand, in the case of Comparative Examples 1 to 3 in which the value of (thermal expansion coefficient/storage modulus) is more than 15 ppm/GPa or less than 1 ppm/GPa, at a needle pin height of 0.45 mm of the pickup device, Poor chip recognition, poor pick-up and poor reliability were confirmed. Even if the value of (thermal expansion coefficient/storage modulus) satisfies 1 ppm/GPa to 15 ppm/GPa, in the case of Comparative Example 4 in which the glass transition temperature is less than 130° C., chip recognition and pick-up performance are poor. No, but there was a lack of reliability.
このことから、スペーサ用フィルムの熱膨張係数と貯蔵弾性率を調整して、(熱膨張係数/貯蔵弾性率)の値が1~15ppm/GPaとなるように維持することは、チップ認識およびピックアップ性の向上に効果的であることが確認でき、第1フィルムのガラス転移温度が130℃以上であると、信頼性も同時に満たされ、スペーサ用フィルムとしての使用が適していることが確認できる。 Therefore, adjusting the thermal expansion coefficient and storage elastic modulus of the spacer film to maintain the value of (thermal expansion coefficient/storage elastic modulus) at 1 to 15 ppm/GPa is essential for chip recognition and pick-up. It can be confirmed that the glass transition temperature of the first film is 130° C. or higher, the reliability is also satisfied at the same time, and it can be confirmed that it is suitable for use as a spacer film.
以上、本発明について説明したが、本明細書に開示された実施例によって本発明が限定されるものではなく、本発明の技術思想の範囲内において当業者によって多様な変形が可能であることは自明である。同時に、上記で本発明の実施例を説明しながら本発明の構成による作用効果を明示的に記載して説明しなかったとしても、当該構成により予測可能な効果も認められなければならないことは当然である。 Although the present invention has been described above, it should be understood that the present invention is not limited by the embodiments disclosed herein, and that various modifications can be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. Self-explanatory. At the same time, even if the working effects of the configuration of the present invention are not explicitly described and explained while the embodiments of the present invention are described above, it should be understood that the predictable effects of the configuration must also be recognized. is.
110:パッケージ基板
120:第1半導体チップユニット
130:スペーサ
131:接着層
132:サポート
140:第2半導体チップユニット
150:パッケージ本体
510:第1フィルム
520:接着層
530:第2フィルム
535:第1感圧粘着剤層
540:カバーフィルム
545:第2減圧粘着剤層
601:ダイシングソー
610:フレーム
620:押し手段
630:吸着手段
110: Package substrate 120: First semiconductor chip unit 130: Spacer 131: Adhesive layer 132: Support 140: Second semiconductor chip unit 150: Package body 510: First film 520: Adhesive layer 530: Second film 535: First Pressure sensitive adhesive layer 540: Cover film 545: Second reduced pressure adhesive layer 601: Dicing saw 610: Frame 620: Push means 630: Adsorption means
Claims (17)
前記第1フィルムの下部に配置される接着層とを含み、
下記数式1を満たす、スペーサ用フィルム。
[数式1]
1ppm/GPa≦(熱膨張係数/貯蔵弾性率)≦15ppm/GPa
(前記数式1中、前記熱膨張係数および前記貯蔵弾性率はそれぞれ25℃で測定される値である。) A first film having a glass transition temperature (Tg) of 130° C. or higher;
and an adhesive layer disposed under the first film,
A spacer film that satisfies Equation 1 below.
[Formula 1]
1 ppm/GPa ≤ (thermal expansion coefficient/storage modulus) ≤ 15 ppm/GPa
(In Equation 1, the coefficient of thermal expansion and the storage modulus are values measured at 25°C.)
前記第2感圧粘着剤層の上部に配置されるカバーフィルムとをさらに含む、請求項1に記載のスペーサ用フィルム。 a second pressure-sensitive adhesive layer disposed on top of the first film;
The spacer film according to claim 1, further comprising a cover film disposed on top of the second pressure-sensitive adhesive layer.
前記スペーサ用フィルムをダイシングして個片化するダイシングステップと、
個片化された結果物から第1フィルムおよび接着層からなるスペーサをピックアップするピックアップステップと、
ピックアップされたスペーサをパッケージ基板上に取り付ける取付ステップとを含む、スペーサの形成方法。 A fixing step of fixing the spacer film according to claim 1 to a frame;
a dicing step of dicing the spacer film into individual pieces;
a pick-up step of picking up spacers composed of the first film and the adhesive layer from the singulated result;
a mounting step of mounting the picked-up spacer onto a package substrate.
前記第1感圧粘着剤層の上面の縁が露出しており、
前記フレームが前記第1感圧粘着剤層の前記上面の前記縁上に配置される、請求項15に記載のスペーサの形成方法。 the spacer film further comprising a first pressure-sensitive adhesive layer disposed under the adhesive layer;
an edge of the top surface of the first pressure-sensitive adhesive layer is exposed;
16. The method of forming a spacer of claim 15, wherein said frame is positioned on said edge of said top surface of said first pressure sensitive adhesive layer.
前記パッケージ基板上に配置される請求項1に記載のスペーサ用フィルムを含むスペーサと、
前記パッケージ基板上に配置される第1半導体チップユニットと、
前記スペーサ及び前記第1半導体チップユニット上に積層される第2半導体チップユニットと、
前記第1半導体チップユニットのチップパッドとそれに対応する第1基板パッド、および、前記第2半導体チップユニットのチップパッドとそれに対応する第2基板パッドを電気的に接続するワイヤと、
前記第1半導体チップユニット、前記第2半導体チップユニット、前記ワイヤおよび前記スペーサを封止するパッケージ本体とを含む、マルチチップパッケージ。 a package substrate;
a spacer comprising the spacer film according to claim 1 arranged on the package substrate;
a first semiconductor chip unit arranged on the package substrate;
a second semiconductor chip unit stacked on the spacer and the first semiconductor chip unit;
wires electrically connecting the chip pads of the first semiconductor chip unit and the corresponding first substrate pads, and the chip pads of the second semiconductor chip unit and the corresponding second substrate pads;
A multi-chip package including a package body sealing the first semiconductor chip unit, the second semiconductor chip unit, the wires and the spacer.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0178676 | 2021-12-14 | ||
KR1020210178676A KR20230089906A (en) | 2021-12-14 | 2021-12-14 | Film for spacer and method of forming spacer using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023088239A true JP2023088239A (en) | 2023-06-26 |
Family
ID=86723726
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022090754A Pending JP2023088239A (en) | 2021-12-14 | 2022-06-03 | Spacer film and method for forming spacer using the same |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023088239A (en) |
KR (1) | KR20230089906A (en) |
CN (1) | CN116264193A (en) |
TW (1) | TW202323406A (en) |
-
2021
- 2021-12-14 KR KR1020210178676A patent/KR20230089906A/en active IP Right Grant
- 2021-12-15 TW TW110146992A patent/TW202323406A/en unknown
-
2022
- 2022-05-26 CN CN202210587694.8A patent/CN116264193A/en active Pending
- 2022-06-03 JP JP2022090754A patent/JP2023088239A/en active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN116264193A (en) | 2023-06-16 |
TW202323406A (en) | 2023-06-16 |
KR20230089906A (en) | 2023-06-21 |
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