JP2023087210A - 光半導体パッケージ及び光半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】２つの半導体チップが積層配置される構造において信頼性の向上を図る。【解決手段】光半導体パッケージは、第１チップ２と、第２チップ３と、第１チップ２の側面２ｃを覆うように形成された第１樹脂部４ａと、第２チップ３の側面３ｃを覆うように形成された第２樹脂部４ｂと、第１チップ２の内面２ａに設けられた端子２１と、第２チップ３の内面３ａに設けられた端子３２と、端子２１と電気的に接続され、第１樹脂部４ａの内部を通って、内面２ａと内面３ａとが対向する対向方向において内面２ａ側から外面２ｂ側へと延びる第１配線と、を備える。第２チップ３は、第２チップ３の外面３ｂに入射する光を受光する受光部３１又は外面３ｂから外部に出射される光を生成する発光部を有する光素子である。第１樹脂部４ａと第２樹脂部４ｂとは、一体的又は他の部材を介して連続的に設けられている。【選択図】図１

Description

本開示は、光半導体パッケージ及び光半導体パッケージの製造方法に関する。

特許文献１には、光センサである半導体チップと、当該半導体チップを覆うモールド樹脂と、を備えるパッケージ構造が開示されている。上記パッケージ構造では、半導体チップをモールド樹脂で保護することにより、パッケージ構造の信頼性が高められている。

特開２０１６－１３４６１５号公報

特許文献１に開示されたパッケージ構造は、１つの半導体チップしか含んでいない。しかし、受光センサ等の半導体チップを含む光半導体パッケージの構造としては、２つの半導体チップが積層配置される積層構造も存在する。このような積層構造において、高い信頼性を確保できるパッケージ構造が求められている。

本開示は、２つの半導体チップが積層配置される構造において信頼性の向上を図ることができる光半導体パッケージ及び光半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一側面に係る光半導体パッケージは、第１内面と、第１内面の反対側の面である第１外面と、第１内面と第１外面とを接続する第１側面と、を有する半導体チップである第１チップと、第１内面に対向する位置に配置される半導体チップである第２チップであって、第１内面に対向する第２内面と、第２内面の反対側の面である第２外面と、第２内面と第２外面とを接続する第２側面と、を有する第２チップと、少なくとも第１側面を覆うように形成された第１樹脂部と、少なくとも第２側面を覆うように形成された第２樹脂部と、第１チップの電極端子であって、第１内面に設けられた第１端子と、第２チップの電極端子であって、第２内面に設けられた第２端子と、第１端子と電気的に接続され、第１樹脂部の内部を通って、第１内面と第２内面とが対向する対向方向において第１内面側から第１外面側へと延びる第１配線と、を備え、第２チップは、第２外面に入射する光を受光する受光部又は第２外面から外部に出射される光を生成する発光部を有する光素子であり、第１樹脂部と第２樹脂部とは、一体的又は他の部材を介して連続的に設けられている。

上記光半導体パッケージでは、二段に積層配置された第１チップ及び第２チップの側面（第１側面及び第２側面）を覆う第１樹脂部及び第２樹脂部が、一体的又は他の部材を介して連続的に設けられている。すなわち、第１樹脂部及び第２樹脂部によって、第１チップ及び第２チップが一体的に固定されている。これにより、第１チップ及び第２チップを適切に保護することができる。また、第１チップ及び第２チップの電極端子（第１端子、第２端子）を第１チップ及び第２チップの間の領域に配置することにより、各電極端子を外部からの衝撃等から適切に保護することができる。また、仮に第２チップの電極端子（第２端子）を第２チップの外面（第２外面）に設けた場合、以下のようなデメリットが生じ得る。すなわち、第２チップが受光部を有する受光素子である場合には、第２外面に入射する光（すなわち、受光部の検出対象の光）の一部が、第２端子に接続されて第２外面側に引き回された配線等で反射し、この反射光がノイズとして受光部に検出されるおそれがある。また、第２チップが発光部を有する発光素子である場合には、第２外面から出射される出射光の一部が上記配線等で反射し、この反射光がノイズとして外部に出力されるおそれがある。第２チップの第２端子を第２内面に設けることにより、上記のようなノイズの発生を防止できる。以上により、上記光半導体パッケージによれば、２つのチップが積層配置される構造において、光半導体パッケージの信頼性（堅牢性、及び第２チップの受光機能又は発光機能の安定性）の向上を図ることができる。

上記光半導体パッケージは、第１チップの第１外面を覆う絶縁層と、絶縁層内において絶縁層の第１チップ側とは反対側に露出するように設けられ、第１端子と電気的に接続されたコンタクト部と、を更に備えてもよい。上記構成によれば、コンタクト部を介して、第１チップ（第１端子）との電気的なコンタクトを容易にとることができる。

第２樹脂部は、光透過性樹脂によって形成されていてもよく、第２外面は、第２樹脂部に覆われていてもよい。上記構成によれば、第２チップの第２外面を第２樹脂部によって適切に保護することができるため、光半導体パッケージの信頼性を高めることができる。また、第２チップの第２外面上に形成された第２樹脂部の一部を研磨等によって除去する必要がないため、製造工程を簡素化することができる。

第２外面は、第２樹脂部に覆われていなくてもよい。上記構成によれば、第２外面に対する入射光又は第２外面から外部に向かう出射光が第２外面上に設けられた第２樹脂部に遮られることがないため、第２チップの受光機能又は発光機能の信頼性を高めることができる。

第２外面は、対向方向において、第２樹脂部における第１樹脂部とは反対側の面よりも第１チップ側に位置していてもよい。上記構成によれば、第２外面が第２樹脂部の外面（第１樹脂部とは反対側の面）よりも内側に位置するように第２チップが薄型化されているため、第２チップ内を通過する光の減衰量を低減できる。これにより、第２チップの受光機能又は発光機能の信頼性をより一層高めることができる。

上記光半導体パッケージは、第１チップの電極端子であって、第１内面に設けられた第３端子と、第１チップと第２チップとの間に配置され、第２端子と第３端子とを電気的に接続する導電部材と、を更に備えてもよい。上記構成によれば、第１樹脂部及び第２樹脂部によって適切に保護された第１チップと第２チップとの間の領域において、第１チップと第２チップとの導通を取ることにより、光半導体パッケージの信頼性を高めることができる。

上記光半導体パッケージは、第２端子と電気的に接続され、第１樹脂部の内部を通って、対向方向において第１内面側から第１外面側へと延びる第２配線を更に備えてもよい。上記構成によれば、第２チップの第２内面（第２端子）から第１チップの第１外面側へと引き回される第２配線を第１樹脂部によって適切に保護することができる。これにより、光半導体パッケージの信頼性を高めることができる。

対向方向に直交する幅方向において、第１チップの幅は、第２チップの幅以下であってもよい。上記光半導体パッケージでは、第１配線及び第２配線を第１チップの側方に引き回す必要がある。このため、仮に第１チップの幅が第２チップの幅よりも大きい場合、その分だけ、第１配線及び第２配線が幅方向における外側に位置することになるため、光半導体パッケージが大型化するおそれがある。一方、上記のように第１チップの幅を第２チップの幅以下にすることにより、上記のような光半導体パッケージの大型化を抑制することができる。さらに、対向方向に直交する幅方向において、第１チップの幅は、第２チップの幅よりも小さくてもよく、対向方向から見た場合に、第１配線及び第２配線は、第２チップと重なる領域内に配置されていてもよい。上記構成によれば、対向方向から見た場合に第２チップと重なる領域内に第１配線及び第２配線を収容することができるため、光半導体パッケージの幅方向のサイズをより一層コンパクトにすることができる。これにより、光半導体パッケージの小型化を図ることができる。

第２チップは、第２外面に入射する光を受光する第１受光部を有する第１受光素子であってもよく、第１チップは、第２チップを透過した光を受光する第２受光部を有する第２受光素子であってもよい。上記構成によれば、受光素子が二段に積層配置される構造を有する光半導体パッケージを、信頼性の高い態様で実現することができる。

第１側面に係る光半導体パッケージの製造方法は、基板と、基板上に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む基板ユニットを形成する第１工程と、第１チップ及び第２チップを含むチップユニットであって、第２端子と第３端子とが導電部材によって電気的に接続された状態のチップユニットを形成する第２工程と、第１外面を第１電極に接合することにより、基板ユニット上にチップユニットを搭載する第３工程と、第１端子と第２電極とをワイヤボンディングすることによって、第１配線を形成する第４工程と、第１樹脂部及び第２樹脂部を一体的に形成する第５工程と、基板を除去する第６工程と、を含む。

第２側面に係る光半導体パッケージの製造方法は、第１チップと、第１配線の一部が内部に埋め込まれた第１樹脂部と、を形成する第１工程と、第１内面上の第１端子の周囲及び第１樹脂部上に、第１配線が設けられた絶縁層を形成する第２工程と、第２端子と第３端子とが導電部材によって電気的に接続されるように、第１チップ上に第２チップを配置する第３工程と、第３工程の後に第２樹脂部を形成する第４工程と、を含む。

第３側面に係る光半導体パッケージの製造方法は、第１チップと、第１配線及び第２配線の一部が内部に埋め込まれた第１樹脂部と、を形成する第１工程と、第１内面上及び第１樹脂部上に、第１配線及び第２配線が設けられた絶縁層を形成する第２工程と、第２配線の端部と第２端子とが電気的に接続されるように、絶縁層上に第２チップを配置する第３工程と、第３工程の後に第２樹脂部を形成する第４工程と、を含む。

第４側面に係る光半導体パッケージの製造方法は、基板と、第１外面が基板に対向するように基板上に配置された第１チップと、第１内面及び第１側面を覆うように形成された第１樹脂部と、第１樹脂部上及び第１樹脂部内に配置された第１配線及び導電部材と、を形成する第１工程と、導電部材を露出させる開口が設けられた絶縁層を、第１配線及び導電部材を覆うように第１樹脂部上に形成する第２工程と、絶縁層の開口を介して第２端子と導電部材とが電気的に接続されるように、絶縁層上に第２チップを配置する第３工程と、第３工程の後に第２樹脂部を形成する第４工程と、基板を第１チップ及び第１樹脂部から剥離する第５工程と、を含む。

第５側面に係る光半導体パッケージの製造方法は、基板と、第２外面が基板に対向するように基板上に配置された第２チップと、第２内面及び第２側面を覆うように形成された第２樹脂部と、第２樹脂部上及び第２樹脂部内に配置された第１配線の第１部分及び導電部材と、を形成する第１工程と、第１部分とコンタクトを取るための第１開口及び第２開口と、導電部材とコンタクトを取るための第３開口と、が設けられた絶縁層を、第１部分及び導電部材を覆うように第２樹脂部上に形成する第２工程と、第１開口を介して第１部分と電気的に接続される第１配線の第２部分を絶縁層上に形成する第３工程と、第２開口を介して第１端子と第１部分とが電気的に接続され、且つ、第３開口を介して第３端子と導電部材とが電気的に接続されるように、絶縁層上に第１チップを配置する第４工程と、第４工程の後に第１樹脂部を形成する第５工程と、基板を第２チップ及び第２樹脂部から剥離する第６工程と、を含む。

第１側面～第５側面に係る光半導体パッケージの製造方法によれば、２つの半導体チップを積層配置した構造において信頼性の向上が図られた光半導体パッケージを容易に得ることができる。
第１側面～第５側面に係る光半導体パッケージの製造方法において、第２樹脂部は、第２外面を覆わないように形成されてもよい。また、上記製造方法は、第２外面が第２樹脂部における第１樹脂部とは反対側の面よりも第１チップ側に位置するように、第２チップの第２外面側の一部を除去する工程を更に含んでもよい。

本開示によれば、２つの半導体チップが積層配置される構造において信頼性の向上を図ることができる光半導体パッケージ及び光半導体パッケージの製造方法を提供することができる。

図１は、第１実施形態の光半導体パッケージの断面図である。 図２は、第１実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図３は、第１実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図４は、第１実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図５は、第１実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図６は、第１実施形態の第１変形例の光半導体パッケージの断面図である。 図７は、第１実施形態の第２変形例の光半導体パッケージの断面図である。 図８は、第２変形例の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図９は、第１実施形態の第３変形例の光半導体パッケージの断面図である。 図１０は、第３変形例の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図１１は、第２実施形態の光半導体パッケージの断面図である。 図１２は、第２実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図１３は、第２実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図１４は、第２実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図１５は、第２実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図１６は、第２実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図１７は、第２実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図１８は、第３実施形態の光半導体パッケージの断面図である。 図１９は、第３実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図２０は、第３実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図２１は、第３実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図２２は、第３実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図２３は、第３実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図２４は、第３実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図２５は、第４実施形態の光半導体パッケージの断面図である。 図２６は、第４実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図２７は、第４実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図２８は、第４実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図２９は、第４実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図３０は、第５実施形態の光半導体パッケージの断面図である。 図３１は、第５実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図３２は、第５実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図３３は、第５実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図３４は、第５実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。 図３５は、第５実施形態の光半導体パッケージの製造工程の一例を示す図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照しながら説明する。各図において同一又は相当の部分には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。なお、図面においては、実施形態に係る特徴部分を分かり易く説明するために誇張している部分がある。このため、図面の寸法比率は、実際の寸法比率とは異なっている場合がある。

［第１実施形態］
（光半導体パッケージの構造）
図１に示されるように、第１実施形態の光半導体パッケージ１Ａは、第１チップ２（第１半導体チップ）と、第２チップ３（第２半導体チップ）と、モールド樹脂４（第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂ）と、を備えている。第２チップ３は、第１チップ２上に積層配置されている。モールド樹脂４は、第１チップ２及び第２チップ３の側面を覆うように形成されている。光半導体パッケージ１Ａは、ＦＯＷＬＰ（Fan Out Wafer Level Package）の一種である。本実施形態では一例として、第２チップ３は、裏面入射型の受光センサ（例えば、リニアイメージセンサ、エリアイメージセンサ等）であり、第１チップ２は、受光センサである第２チップ３により検出された光に関する信号を処理するための回路が実装された信号処理チップである。

第１チップ２及び第２チップ３は、矩形板状に形成されている。図１においては、第１チップ２と第２チップ３とが対向する対向方向をＺ軸方向と表し、Ｚ軸方向から見た場合の第１チップ２及び第２チップ３の一の辺に沿った方向をＸ軸方向と表し、Ｚ軸方向から見た場合の第１チップ２及び第３半導体チップの他の辺（上記一の辺に垂直な辺）に沿った方向をＹ軸方向と表している。

第１チップ２は、内面２ａ（第１内面）と、内面２ａの反対側の面である外面２ｂ（第１外面）と、内面２ａと外面２ｂとを接続する側面２ｃ（第１側面）と、を有する半導体チップである。

外面２ｂは、絶縁層５上に形成された電極６（第１電極）上に配置されている。すなわち、絶縁層５は、電極６を介して第１チップ２の外面２ｂを覆っている。電極６は、絶縁層５上に設けられた金属部６ａと、金属部６ａ上に設けられためっき部６ｂと、を有する。外面２ｂは、例えばダイボンド樹脂等を介して、めっき部６ｂに接合されている。金属部６ａの材料は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等である。めっき部６ｂは、例えばニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び金（Ａｕ）の三層めっき（Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき）である。絶縁層５は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）等の無機膜によって形成され得る。絶縁層５における電極６と重なる部分には、開口５ａが設けられている。開口５ａ内には、金属部６ａと電気的に接続されるめっき部５ｂが設けられている。めっき部５ｂは、例えば半田等によってプリント基板等に接合される部分である。めっき部５ｂは、例えばニッケル及び金の二層めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき）である。

第１チップ２の内面２ａには、複数の端子２１（第１端子）と、複数の端子２２（第３端子）と、絶縁層２３と、が設けられている。

端子２１は、第１チップ２と外部装置（例えば、光半導体パッケージ１Ａが搭載されるプリント配線基板）とを電気的に接続するための電極端子である。本実施形態では、絶縁層５上において、電極６から離間した位置に、外部装置と電気的に接続される電極７（第２電極）が設けられている。電極７は、電極６と同様に、絶縁層５上に設けられた金属部７ａと、金属部７ａ上に設けられためっき部７ｂと、を有する。また、絶縁層５における電極７と重なる部分には、開口５ｃが設けられている。開口５ｃ内には、金属部７ａと電気的に接続されるめっき部５ｄ（コンタクト部）が設けられている。めっき部５ｄは、絶縁層５の第１チップ２側とは反対側に露出するように設けられている。金属部７ａ、めっき部７ｂ、及びめっき部５ｄの材料は、金属部６ａ、めっき部６ｂ、及びめっき部５ｂの材料と同様である。端子２１は、ワイヤ８（第１配線）を介して、電極７（めっき部７ｂ）と電気的に接続されている。すなわち、めっき部７ｂは、電極７及びワイヤ８を介して、端子２１と電気的に接続されている。ワイヤ８は、ワイヤボンディングによって形成されている。ワイヤ８は、端子２１と電気的に接続され、第１樹脂部４ａ（モールド樹脂４のうち第１チップ２の側面２ｃを覆う部分）の内部を通って、Ｚ軸方向において内面２ａ側から外面２ｂ側へと延びている。

端子２２は、第１チップ２と第２チップ３とを電気的に接続するための電極端子である。１つの端子２２は、第２チップ３の１つの受光部３１に対応して設けられた１つの端子３２と電気的に接続される。つまり、各端子２２には、第２チップ３の各受光部３１によって検出された光に関する電気信号が入力される。

絶縁層２３は、各端子２１，２２間を絶縁するために各端子２１，２２を囲むように内面２ａ上に設けられている。絶縁層２３には、各端子２１，２２を露出させるための開口２３ａが形成されている。絶縁層２３は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機膜、或いはポリイミド等の有機膜によって形成され得る。

第２チップ３は、第１チップ２の内面２ａと対向する位置に配置されている。第２チップ３は、内面２ａに対向する内面３ａ（第２内面）と、内面３ａの反対側の面である外面３ｂ（第２外面）と、内面３ａと外面３ｂとを接続する側面３ｃ（第２側面）と、を有する半導体チップである。本実施形態では、Ｚ軸方向から見た場合に、第１チップ２は第２チップ３よりも一回り大きいサイズを有しており、第２チップ３は第１チップ２の内面２ａの中央部分（周縁部分を除いた領域）と重なるように配置されている。

第２チップ３は、外面３ｂに入射する光を受光する複数の受光部３１を有している。複数の受光部３１は、例えば、Ｚ軸方向から見た場合に、一次元又は二次元に配列され得る。各受光部３１は、内面３ａに沿った位置に配置されている。例えば、各受光部３１は、各受光部３１の光入射面（外面３ｂ側の面）とは反対側の面が内面３ａと略面一となるように、第２チップ３に埋設されている。受光部３１の例としては、Ｓｉフォトダイオード（ＳｉＰＤ）、Ｓｉアバランシェ・フォトダイオード（ＳｉＡＰＤ）、Ｓｉ－ＭＰＰＣ（Multi-Pixel Photon Counter）等が挙げられる。

第２チップ３の内面３ａには、複数の端子３２（第２端子）と、絶縁層３３と、が設けられている。各端子３２は、各受光部３１に対向する位置に設けられており、各受光部３１と電気的に接続されている。絶縁層３３は、各端子３２間を絶縁するために各端子３２を囲むように内面３ａ上に設けられている。絶縁層３３には、各端子３２を露出させるための開口３３ａが形成されている。絶縁層３３は、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機膜、或いはポリイミド等の有機膜によって形成され得る。

互いに対応する端子２２及び端子３２同士は、端子２２と端子３２との間に配置された導電性バンプ９（導電部材）を介して電気的に接続されている。なお、端子２２と導電性バンプ９との間、及び端子３２と導電性バンプ９との間には、ＵＢＭ（アンダーバンプメタル）がめっき処理等によって形成されてもよい。絶縁層２３と絶縁層３３との間には、各導電性バンプ９を囲むように、アンダーフィル樹脂１０が充填されている。図１に示されるように、アンダーフィル樹脂１０の一部は、第２チップ３の内面３ａからはみ出して、第２チップ３の側面３ｃの一部を覆うように設けられてもよい。アンダーフィル樹脂１０は、例えばエポキシ樹脂等によって形成され得る。

モールド樹脂４は、絶縁層５上に設けられた第１チップ２、第２チップ３、及びワイヤ８を封止している。モールド樹脂４は、少なくとも第１チップ２の側面２ｃを覆う第１樹脂部４ａと、少なくとも第２チップ３の側面３ｃを覆う第２樹脂部４ｂと、を有している。本実施形態では、第１樹脂部４ａと第２樹脂部４ｂとは、区別なく一体的に形成されている。モールド樹脂４は、例えばエポキシ樹脂等によって形成され得る。

第２チップ３の外面３ｂは、モールド樹脂４（第２樹脂部４ｂ）に覆われていない。モールド樹脂４の外面４ｃ（第２樹脂部４ｂにおける第１樹脂部４ａとは反対側の面）は、外面３ｂと略面一となるように形成されている。外面３ｂ及び外面４ｃには、反射防止層１１が設けられている。なお、反射防止層１１は、外面３ｂ上にのみ設けられてもよい。すなわち、反射防止層１１は、外面４ｃ上に設けられなくてもよい。反射防止層１１は、例えば窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）等によって形成され得る。

（光半導体パッケージの製造方法）
図２～図５を参照して、光半導体パッケージ１Ａの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ａは、ＣｏＷ（Chip on Wafer）方式又はＣｏＰ（Chip on Panel）方式によって製造される。

まず、図２に示されるように、基板ユニットＵ１が形成される（第１工程）。基板ユニットＵ１は、基板５０と、絶縁層５を介して基板５０上に設けられた電極６及び電極７と、を含む部材である。基板５０は、例えばシリコンウェハである。基板ユニットＵ１上には、複数の光半導体パッケージ１Ａ用の単位領域（すなわち、各光半導体パッケージ１Ａに対応する電極６，７が設けられた領域）が、格子状（二次元状）に形成される。図２～図５は、各製造工程における１つの単位領域の状態を表している。

また、図２に示されるように、第１チップ２及び第２チップ３を含むチップユニットＵ２が形成される（第２工程）。チップユニットＵ２は、基板ユニットＵ１に設けられた単位領域の数だけ用意される。図２に示されるように、チップユニットＵ２は、第１チップ２の端子２２と第２チップ３の端子３２とが導電性バンプ９によって電気的に接続された状態とされている。また、本実施形態では、チップユニットＵ２には、アンダーフィル樹脂１０も形成されている。すなわち、第１チップ２と第２チップ３とが互いに導通が取れる状態で一体的に固定された構造が、チップユニットＵ２として準備される。なお、チップユニットＵ２の構造は上記に限定されない。例えば、チップユニットＵ２において、アンダーフィル樹脂１０を使用することなく第１チップ２と第２チップ３とがモールド封止された構造が採用されてもよい。或いは、銅及び無機膜を用いたハイブリッド接合によって第１チップ２の端子２２と第２チップ３の端子３２とが電気的に接続される構造が採用されてもよい。

続いて、図２に示されるように、各単位領域において、第１チップ２の外面２ｂを基板ユニットＵ１上の電極６（めっき部６ｂ）に接合（ダイボンド）することにより、基板ユニットＵ１上にチップユニットＵ２が搭載される（第３工程）。

続いて、図３の（Ａ）に示されるように、端子２１と電極７（めっき部７ｂ）とをワイヤボンディングすることによって、ワイヤ８が形成される（第４工程）。

続いて、図３の（Ｂ）に示されるように、各単位領域に配置されたチップユニットＵ２及びワイヤ８が封止されるように、基板ユニットＵ１上に、モールド樹脂４が形成される。１つの単位領域に着目すると、第１チップ２の側面２ｃを覆う第１樹脂部４ａと第２チップ３の側面３ｃを覆う第２樹脂部４ｂとが、一体的に形成される（第５工程）。例えば後述する第１変形例のように、モールド樹脂４が光透過性樹脂（透明樹脂）によって形成される場合には、モールド樹脂４は図３の（Ｂ）に示される状態のままとされてもよい。一方、本実施形態では、モールド樹脂４は、光不透過性の樹脂によって形成される。このため、第２樹脂部４ｂは、第２チップ３の外面３ｂを覆わないように形成（加工）される。すなわち、後段の工程において、モールド樹脂４の外面４ｃ側の一部を研磨又は研削等によって除去することにより、第２チップ３の外面３ｂを外部に露出させる（図４の（Ｂ）参照）。

続いて、図４の（Ａ）に示されるように、基板ユニットＵ１の基板５０が研磨等によって除去される（第６工程）。また、絶縁層５における電極６，７に対応する部分に、電極６，７とコンタクトを取るための開口５ａ，５ｃが形成される。

続いて、図４の（Ｂ）に示されるように、各単位領域のモールド樹脂４の外面４ｃ側の一部が研磨又は研削等によって除去される。なお、本明細書において「研磨又は研削」とは、研磨及び研削のいずれか一方のみを実施する場合を含むと共に、研磨及び研削の両方を実施する場合を含む。このとき、各単位領域において、モールド樹脂４の外面４ｃと共に第２チップ３の外面３ｂも併せて研磨又は研削されてもよい。つまり、モールド樹脂４の外面４ｃの研磨又は研削によって各単位領域の第２チップ３の外面３ｂが露出した後、さらにモールド樹脂４の外面４ｃ及び第２チップ３の外面３ｂを一括で研磨又は研削する処理が継続されてもよい。その結果、図４の（Ｂ）に示されるように、第２チップ３が薄型化されると共に、第２チップ３の外面３ｂが外部に露出した状態となる。これにより、第２チップ３の外面３ｂとモールド樹脂４の外面４ｃとは、略面一となる。上記の研磨又は研削が行われた後に、第２チップ３の外面３ｂに対して例えば薬品処理のようなトリートメント処理が実行されてもよい。この場合、トリートメント処理によって第２チップ３の外面３ｂ側の一部が除去される結果、外面３ｂの高さ位置は外面４ｃの高さ位置よりも若干低くなる。すなわち、外面３ｂは、外面４ｃよりも内側（第１チップ２側）に位置することになる。なお、外面３ｂの高さ位置を外面４ｃの高さ位置よりも十分に低くする（言い換えれば、第２チップ３のみをより薄型化する）ために、ウェットエッチング等の化学的処理が実行されてもよい。これについては、後述する第２変形例において説明する。

続いて、図５の（Ａ）に示されるように、各単位領域の第２チップ３の外面３ｂに、反射防止層１１が設けられる。なお、反射防止層１１は第２チップ３の外面３ｂのみに設ければよいが、本実施形態では複数の単位領域に対して一括で成膜処理が行われるため、反射防止層１１はモールド樹脂４の外面４ｃにも設けられる。また、絶縁層５の開口５ａ，５ｃに露出する金属部６ａ，７ａの表面に対する無電解めっきが行われることにより、開口５ａ，５ｃ内にめっき部５ｂ，５ｄが形成される。

続いて、図５の（Ｂ）に示されるように、単位領域間の境界線Ｌに沿ってダイシングが行われる。これにより、個片化された複数の光半導体パッケージ１Ａが得られる。

（作用効果）
光半導体パッケージ１Ａでは、二段に積層配置された第１チップ２及び第２チップ３の側面２ｃ，３ｃを覆うモールド樹脂４（第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂ）が、一体的に設けられている。すなわち、モールド樹脂４によって、第１チップ２及び第２チップ３が一体的に固定されている。これにより、第１チップ２及び第２チップ３を適切に保護することができる。また、第１チップ２及び第２チップ３の電極端子（端子２１、端子２２、及び端子３２）を第１チップ２及び第２チップ３の間の領域に配置することにより、各電極端子を外部からの衝撃等から適切に保護することができる。また、仮に第２チップ３の端子３２を第２チップ３の外面３ｂに設けた場合、以下のようなデメリットが生じ得る。すなわち、外面３ｂに入射する光（すなわち、受光部３１の検出対象の光）の一部が、端子３２に接続されて外面３ｂ側に引き回された配線等で反射し、この反射光がノイズとして受光部３１に検出されるおそれがある。第２チップ３の端子３２を内面３ａに設けることにより、上記のようなノイズの発生を防止できる。以上により、光半導体パッケージ１Ａによれば、２つのチップが積層配置される構造において、光半導体パッケージ１Ａの信頼性（堅牢性、及び第２チップ３の受光機能の安定性）の向上を図ることができる。

また、第２チップ３（各受光部３１）と電気的に接続される端子３２を外面３ｂに設けた場合には、さらに以下のようなデメリットも生じ得る。すなわち、内面３ａに端子３２を設ける場合と比較して、端子３２と接続される配線（例えば、端子３２と端子２２とを接続する配線）の配線長が長くなる。その結果、内面３ａに端子３２を設ける場合と比較して、チップ間の電気信号の伝送効率が悪化する、ノイズが混入しやすくなる等の電気特性上のデメリットが生じ得る。また、例えば、第２チップ３が複数の画素（受光部３１）を有するエリアイメージセンサ等である場合、各画素を覆わないように複数の配線を外面３ｂに引き回すことが困難となり、製造難易度が上がる。さらに、第２チップ３の外面３ｂ上にレンズ等の光学部品を配置する場合には、外面３ｂに引き回された配線が邪魔となるため、光学部品を配置し難くなるという問題が生じ得る。或いは、光学部品と外面３ｂとの間に上記配線が入り込むことによって、光学部品と外面３ｂとの間にギャップ（隙間）が生じてしまい、光学特性上のデメリットが生じ得る。上述したように第２チップ３の端子３２を内面３ａに設ける構造を有する光半導体パッケージ１Ａによれば、上述した種々のデメリットを回避することができる。

また、光半導体パッケージ１Ａは、第１チップ２の外面２ｂを覆う絶縁層５と、絶縁層５の第１チップ２側とは反対側に露出するように設けられ、端子２１と電気的に接続されためっき部５ｄと、を備えている。上記構成によれば、めっき部５ｄを介して、第１チップ２（端子２１）との電気的なコンタクトを容易にとることができる。

また、第２チップ３の外面３ｂは、モールド樹脂４（第２樹脂部４ｂ）に覆われていない。すなわち、第２樹脂部４ｂは、外面３ｂを覆わないように形成される。上記構成によれば、外面３ｂに対する入射光が外面３ｂ上に設けられた第２樹脂部４ｂに遮られることがないため、第２チップ３の受光機能の信頼性を高めることができる。

また、光半導体パッケージ１Ａは、第１チップ２の内面２ａに設けられた端子２２と、第２チップ３の端子３２と端子２２とを電気的に接続する導電性バンプ９と、を有している。上記構成によれば、モールド樹脂４によって適切に保護された第１チップ２と第２チップ３との間の領域において、第１チップ２と第２チップ３との導通を取ることにより、光半導体パッケージ１Ａの信頼性を高めることができる。

また、上述した光半導体パッケージ１Ａの製造方法は、第１工程～第６工程を含んでいる。上記製造方法によれば、２つの半導体チップを積層配置した構造において信頼性の向上が図られた光半導体パッケージ１Ａを容易に得ることができる。

（第１変形例）
図６は、第１実施形態の第１変形例の光半導体パッケージ１Ａａの断面図である。以下、光半導体パッケージ１Ａａの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと異なる部分について説明する。図６に示されるように、光半導体パッケージ１Ａａのモールド樹脂４は、例えばシリコーン樹脂等の光透過性樹脂によって形成されている。また、第２チップ３の外面３ｂは、モールド樹脂４（第２樹脂部４ｂ）に覆われている。また、反射防止層１１は、第２チップ３の外面３ｂ上に設けられており、モールド樹脂４の外面４ｃ上には設けられていない。光半導体パッケージ１Ａａは、例えば、上述した光半導体パッケージ１Ａの製造方法において、予め反射防止層１１が外面３ｂに設けられた状態のチップユニットＵ２を準備し、モールド樹脂４を研磨又は研削する工程を省略することによって得られる。

光半導体パッケージ１Ａａによれば、第２チップ３の外面３ｂ及び反射防止層１１をモールド樹脂４（第２樹脂部４ｂ）によって適切に保護することができるため、光半導体パッケージ１Ａａの信頼性を高めることができる。また、モールド樹脂４を形成する樹脂モールド工程において、第２チップ３の外面３ｂ上に形成された第２樹脂部４ｂの一部を研磨等によって除去する必要がないため、製造工程を簡素化することができる。

（第２変形例）
図７は、第１実施形態の第２変形例の光半導体パッケージ１Ａｂの断面図である。以下、光半導体パッケージ１Ａｂの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと異なる部分について説明する。図７に示されるように、光半導体パッケージ１Ａｂでは、第２チップ３の外面３ｂは、Ｚ軸方向において、第２樹脂部４ｂの外面４ｃよりも第１チップ２側に位置している。すなわち、外面３ｂは、モールド樹脂４の外面４ｃよりも内側に窪んでいる。

光半導体パッケージ１Ａｂは、例えば以下の方法によって製造され得る。すなわち、図４の（Ｂ）に示される状態から、さらに第２チップ３の外面３ｂ側の一部が、ウェットエッチング等の化学的処理によって除去される。これにより、図８の（Ａ）に示されるように、第２チップ３が薄型化され、第２チップ３の外面３ｂがモールド樹脂４の外面４ｃよりも内側に位置する状態となる。

ウェットエッチング後の第２チップ３の厚さを一定の厚さに調整するために、第２チップ３の内部には、エッチングストップ層が設けられてもよい。例えば、第２チップ３は、内面３ａ側に設けられたシリコン基板と、外面３ｂ側に設けられたシリコン層と、シリコン基板及びシリコン層の間に設けられたシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなるＢＯＸ層と、を有するＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板であってもよい。この場合、ＢＯＸ層がエッチングストップ層として機能する。すなわち、ウェットエッチングによって外面３ｂ側のシリコン層のみを除去することができる。或いは、第２チップ３は、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ等の化合物半導体を含んでもよい。より具体的には、第２チップ３は、外面３ｂ側に設けられたＩｎＰ層と、当該ＩｎＰ層の内面３ａ側に設けられたＩｎＧａＡｓ層と、を含んでもよい。この場合、ＩｎＧａＡｓ層がエッチングストップ層として機能する。すなわち、ウェットエッチングによって外面３ｂ側のＩｎＰ層のみを除去することができる。

続いて、格子状に配列された複数の単位領域に対して一括で反射防止層１１を成膜することにより、図８の（Ｂ）に示されるように、第２チップ３の外面３ｂ、モールド樹脂４の外面４ｃ、及び外面３ｂと外面４ｃとを接続するモールド樹脂４の側面４ｄに沿って、反射防止層１１が成膜される。

上述したように、光半導体パッケージ１Ａｂの製造方法は、第２チップ３の外面３ｂが第２樹脂部４ｂの外面４ｃよりも第１チップ２側に位置するように、第２チップ３の外面３ｂ側の一部を除去する工程を含んでいる。すなわち、光半導体パッケージ１Ａｂでは、外面３ｂがモールド樹脂４の外面４ｃよりも内側に位置するように第２チップ３が薄型化されている。これにより、第２チップ３内を通過する光の減衰量を低減できるため、第２チップ３の受光機能を効果的に高めることができる。すなわち、外面３ｂに入射した光のうち受光部３１によって検出される光量を増やすことができるため、受光感度を高めることができる。また、第２チップ３の外面３ｂと側面３ｃとの境界部分（角部）をモールド樹脂４の側面４ｄと反射防止層１１とによって適切に保護することができる。また、外面３ｂが外面４ｃよりも第１チップ２側に位置することにより、以下のような効果も奏される。すなわち、仮に光半導体パッケージ１Ａｂの表面（この例では反射防止層１１が設けられた表面）が他の部材と接触した場合に、第２チップ３の外面３ｂ（外面３ｂを覆う反射防止層１１の部分）が当該他の部材と直接接触する可能性を低減できる。その結果、光半導体パッケージ１Ａｂと他の部材との接触に起因する第２チップ３の損傷を抑制することができる。

なお、第１実施形態において第２チップ３の外面３ｂに対してトリートメント処理が実行される場合にも、当該トリートメント処理によって第２チップ３の外面３ｂ側の一部が除去される結果、外面３ｂが外面４ｃよりも第１チップ２側に位置する構造が形成され得る。この場合にも、上述した第２変形例と同様の効果が奏される。

（第３変形例）
図９は、第１実施形態の第３変形例の光半導体パッケージ１Ａｃの断面図である。以下、光半導体パッケージ１Ａｃの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと異なる部分について説明する。図９に示されるように、光半導体パッケージ１Ａｃでは、反射防止層１１が第２チップ３の外面３ｂのみに設けられている。また、反射防止層１１の外面１１ａとモールド樹脂４の外面４ｃとが、略面一となっている。

光半導体パッケージ１Ａｃは、例えば以下の方法によって製造され得る。すなわち、上述した第１変形例（光半導体パッケージ１Ａａ）と同様に、予め反射防止層１１が外面３ｂに設けられた状態のチップユニットＵ２が用意される。そして、図１０に示されるように、トランスファーモールドによってモールド樹脂４を形成する。具体的には、図１０の（Ａ）に示されるように、離型フィルム６０が、各単位領域に形成された各第２チップ３の外面３ｂに沿うように配置される。離型フィルム６０は、各第２チップ３の外面３ｂ上の各反射防止層１１の外面１１ａに仮接着される。その後、図１０の（Ｂ）に示されるように、基板ユニットＵ１と離型フィルム６０との間の領域（空間）に、溶融したモールド樹脂４が充填される。続いて、モールド樹脂４が硬化した後に、離型フィルム６０が各反射防止層１１から剥離される。その後、第１実施形態と同様に、基板５０の除去、絶縁層５の開口５ａ，５ｃ及びめっき部５ｂ，５ｄの形成、並びにダイシングによる個片化等の処理が行われることにより、光半導体パッケージ１Ａｃが得られる。

光半導体パッケージ１Ａｃによれば、反射防止層１１を第２チップ３の外面３ｂ上のみに成膜でき、モールド樹脂４の外面４ｃに設けられる無駄な部分を削減できる。また、図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に示したようなトランスファーモールドによってモールド樹脂４を形成することにより、第１実施形態で必要とされたモールド樹脂４の外面４ｃ側の一部を除去する処理（図４の（Ｂ）参照）が不要となる。これにより、製造工程を簡素化することができる。

（第４変形例）
光半導体パッケージ１Ａにおいて、受光部３１は、外面３ｂから外部に出射される光を生成する発光部に置き換えられてもよい。発光部は、例えばＬＥＤアレイ等である。すなわち、第２チップ３は、受光部３１を有する受光素子ではなく、発光部を有する発光素子であってもよい。この場合にも、上述した第１実施形態の構成（第２チップ３の端子３２を外面３ｂではなく内面３ａに設ける構成）によって、光半導体パッケージの信頼性を向上させることができる。具体的には、仮に第２チップ３の端子３２を外面３ｂに設けた場合であって、且つ、第２チップ３が発光部を有する発光素子である場合には、外面３ｂから出射される出射光の一部が、端子３２に接続されて外面３ｂ側に引き回された配線等で反射し、この反射光がノイズとして外部に出力されるおそれがある。第２チップ３の端子３２を内面３ａに設けることにより、上記のようなノイズの発生を防止できる。その結果、光半導体パッケージの信頼性（第２チップ３の発光機能の安定性）の向上を図ることができる。また、第４変形例において、上述した第２変形例の構造を採用した場合には、第２チップ３の発光機能を効果的に高めることができる。すなわち、発光部から第２チップ３の内部を通って外面３ｂに向かう光の減衰量を低減できるため、外部に出射される光の光量を高めることができる。

（他の変形例）
第２チップ３は、必ずしも複数の受光部３１（又は発光部）を有していなくてもよい。すなわち、第２チップ３は、１つの受光部３１（又は発光部）のみを有してもよい。また、上述した光半導体パッケージを構成する部材は、適宜変更又は省略されてもよい。例えば、アンダーフィル樹脂１０は、省略されてもよい。また、導電性バンプ９の代わりに、銅及び無機膜を用いたハイブリッド接合によって、端子２２と端子３２とが電気的に接続されてもよい。また、第１実施形態では、受光部３１（又は発光部）が第２チップ３の裏面（内面３ａ）側に配置される裏面入射型（裏面出射型）の構造が例示されたが、受光部３１（又は発光部）が第２チップ３の表面（外面３ｂ）側に配置される表面入射型（表面出射型）の構造が採用されてもよい。ただし、この場合には、第２チップ３の内面３ａ側から受光部３１（又は発光部）との電気的なコンタクトをとるために、内面３ａから受光部３１（又は発光部）に至る貫通電極等を第２チップ３内に設ける必要が生じる。したがって、第２チップ３の電気的な接続構成を簡素化する観点からは、裏面入射型（裏面出射型）の構造がより好ましい。また、第２チップ３の外面３ｂ上（本実施形態では、外面３ｂ上の反射防止層１１上）には、ガラス、バンドパスフィルタ、レンズ等の光学部品が取り付けられてもよい。また、光半導体パッケージにおいて、第１チップ２と第２チップ３との間に、一又は複数の他のチップが配置されてもよい。このような他のチップは、例えば、第１チップ２又は第２チップ３（或いは第１チップ２及び第２チップ３の両方）と電気的に接続されてもよいし、第１チップ２及び第２チップ３のいずれとも電気的に接続されなくてもよい。後者の場合、当該他のチップとの電気的なコンタクトを取れるようにするために、光半導体パッケージにおいて、当該他のチップの端子と光半導体パッケージの裏面（すなわち、絶縁層５の外面）に露出するコンタクト部（例えば、めっき部５ｄと同様の部材）とを電気的に接続する配線等が設けられてもよい。

［第２実施形態］
（光半導体パッケージの構造）
図１１に示されるように、第２実施形態の光半導体パッケージ１Ｂは、主に、電極６，７を備えていない点、ワイヤボンディングによって形成されたワイヤ８の代わりに半導体プロセスによって形成された金属配線１２（第１配線）を備える点、及び第１樹脂部４ａと第２樹脂部４ｂとの間に絶縁層１３が設けられている点において、光半導体パッケージ１Ａと相違している。以下、光半導体パッケージ１Ｂの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと異なる部分について説明し、光半導体パッケージ１Ｂの構成のうち光半導体パッケージ１Ａと同様の部分についての説明を省略する。

光半導体パッケージ１Ｂでは、第１チップ２が載置される絶縁層５上において、第１チップ２の内面２ａに設けられた絶縁層２３の側面及び第１チップ２の側面２ｃを覆うように、第１樹脂部４ａが形成されている。絶縁層１３は、第１樹脂部４ａ上及び絶縁層２３上に設けられている。絶縁層１３は、例えばポリイミド等によって形成されている。第２樹脂部４ｂは、第２チップ３の側面３ｃを覆うように、絶縁層１３上に設けられている。すなわち、第１樹脂部４ａと第２樹脂部４ｂとは、絶縁層１３（他の部材）を介して連続的に設けられている。より具体的には、第１チップ２及び第２チップ３の側方において、第１樹脂部４ａ、絶縁層１３、及び第２樹脂部４ｂは、これらの部材間に隙間が生じないように一体的に形成されている。ただし、第１樹脂部４ａ、絶縁層１３、及び第２樹脂部４ｂの構成は上記に限定されない。例えば、Ｘ軸方向における絶縁層１３の端部は、Ｘ軸方向における光半導体パッケージ１Ｂの端部よりも内側に位置していてもよい。すなわち、第１樹脂部４ａ又は第２樹脂部４ｂは、Ｘ軸方向における絶縁層１３の端部を覆うように形成されてもよい。この場合、第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂは、Ｘ軸方向における絶縁層１３の端部よりも外側の領域において、一体的（連続的）に設けられる。

金属配線１２は、端子２１と外部装置（例えば、光半導体パッケージ１Ｂが搭載されるプリント配線基板）とを電気的に接続するための配線である。金属配線１２は、例えば銅（Ｃｕ）配線である。絶縁層１３には、端子２１を露出させるように絶縁層２３に設けられた開口２３ａと連通する開口１３ａが形成されている。また、絶縁層１３には、第１チップ２の側面２ｃよりも外側において第１樹脂部４ａ側から第２樹脂部４ｂ側まで貫通する開口１３ｂが形成されている。また、絶縁層５には、第１実施形態と同様に、第１チップ２と重ならない位置（第１チップ２の側面２ｃよりも外側の位置）に、絶縁層５の内側（第１樹脂部４ａ側）から絶縁層５の外側まで貫通する開口５ｃが形成されている。

金属配線１２は、端子２１と電気的に接続され、第１樹脂部４ａの内部を通って、Ｚ軸方向において内面２ａ側から外面２ｂ側へと延びている。本実施形態では、金属配線１２の端子２１側の端部は、開口１３ａ及び開口２３ａを介して、端子２１に接続されている。また、金属配線１２は、端子２１から絶縁層１３の上面（第２樹脂部４ｂ側の面）まで延びる部分１２ａと、部分１２ａの端部から絶縁層１３の上面に沿って開口１３ｂまで延びる部分１２ｂと、開口１３ｂを介して部分１２ｂの端部から第１樹脂部４ａの内部を通って開口５ｃまで延びる部分１２ｃと、を有している。開口５ｃ内に配置される部分１２ｃの端部の表面には、第１実施形態と同様のめっき部５ｄが設けられている。また、絶縁層５における第１チップ２と重なる部分には、第１実施形態と同様に、開口５ａが形成されている。開口５ａ内には、金属配線１４が設けられている。金属配線１４の端部には、第１実施形態と同様のめっき部５ｂが設けられている。

（光半導体パッケージの製造方法）
図１２～図１７を参照して、光半導体パッケージ１Ｂの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ｂは、ＣｏＷ方式又はＣｏＰ方式によって製造される。図１２～図１７は、各製造工程における１つの単位領域の状態を示している。以下では、１つの単位領域のみに着目して説明を行う。

まず、第１チップ２と、金属配線１２の一部（部分１２ｃ）が内部に埋め込まれた第１樹脂部４ａと、が形成される（第１工程）。図１２、図１３、及び図１４の（Ａ）を参照して、第１工程の一例について説明する。まず、図１２の（Ａ）に示されるように、例えばガラス基板、シリコン基板、ＳＵＳ基板等の基板５０が用意される。金属配線１２の一部（部分１２ｃ）になる予定の部分を含む柱状の金属部材１２Ａが、仮接合材を介して、基板５０の表面５０ａに仮接合される。また、第１チップ２が、金属部材１２Ａと同様に、仮接合材を介して、基板５０の表面５０ａに仮接合される。第１チップ２は、内面２ａと表面５０ａとが対向するようにして表面５０ａに仮接合される。すなわち、第１チップ２の内面２ａに設けられた絶縁層２３が、表面５０ａに仮接合される。

続いて、図１２の（Ｂ）に示されるように、基板５０上に配置された第１チップ２及び金属部材１２Ａが封止されるように、基板５０の表面５０ａ上に、第１樹脂部４ａが形成される。この時点では、第１樹脂部４ａは、第１チップ２の外面２ｂを覆うように形成される。

続いて、図１３の（Ａ）に示されるように、第１樹脂部４ａ、第１チップ２、及び金属部材１２Ａが、一括で研磨又は研削される。これにより、研磨又は研削後において、第１チップ２の外面２ｂ、金属部材１２Ａの上面、及び第１樹脂部４ａの表面は、略面一となり、第１チップ２の外面２ｂ及び金属部材１２Ａの上面が外部に露出した状態となる。

続いて、図１３の（Ｂ）に示されるように、第１チップ２の外面２ｂ、金属部材１２Ａの上面、及び第１樹脂部４ａの表面上に、絶縁層５が形成されると共に、金属配線１４と金属配線１２の一部（部分１２ｃのうち絶縁層５の開口５ｃ内に配置される部分）とが形成される。例えば、図１３の（Ａ）に示される状態から、絶縁層５のパターニング及び金属配線１２，１４のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図１３の（Ｂ）に示される構造が得られる。

続いて、図１４の（Ａ）に示されるように、第１チップ２の内面２ａ側に設けられた基板５０が剥離される。以上により、上述した第１工程が完了する。

続いて、図１４の（Ｂ）に示されるように、第１チップ２の内面２ａ上の端子２１の周囲及び第１樹脂部４ａ上に、金属配線１２が設けられた絶縁層１３が形成される（第２工程）。すなわち、第１チップ２の内面２ａ（絶縁層２３）上及び第１樹脂部４ａの表面上に、絶縁層１３が形成されると共に、金属配線１２の一部（主に、部分１２ａ及び部分１２ｂ）が形成される。例えば、図１４の（Ａ）に示される状態から、絶縁層１３のパターニング及び金属配線１２のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図１４の（Ｂ）に示される構造が得られる。

続いて、図１５の（Ａ）に示されるように、第２チップ３の端子３２と第１チップ２の端子２２とが導電性バンプ９によって電気的に接続されるように、第１チップ２上に第２チップ３が配置される（第３工程）。また、第１チップ２（絶縁層２３）と第２チップ３（絶縁層３３）との間に、導電性バンプ９を囲むようにアンダーフィル樹脂１０が充填される。

続いて、図１５の（Ｂ）に示されるように、第３工程の後に第２樹脂部４ｂが形成される（第４工程）。本実施形態では、第２樹脂部４ｂは、絶縁層１３を介して第１樹脂部４ａと連続するように形成される。この段階では、第２樹脂部４ｂは、第２チップ３の外面３ｂを覆うように形成される。

続いて、図１６の（Ａ）に示されるように、第２樹脂部４ｂの外面４ｃ側の一部が研磨又は研削等によって除去される。このとき、第２樹脂部４ｂの外面４ｃと共に第２チップ３の外面３ｂも併せて研磨又は研削されてもよい。その結果、図１６の（Ａ）に示されるように、第２チップ３が薄型化されると共に、第２チップ３の外面３ｂが外部に露出した状態となる。これにより、第２チップ３の外面３ｂと第２樹脂部４ｂの外面４ｃとは、略面一となる。

続いて、図１６の（Ｂ）に示されるように、第２チップ３の外面３ｂ及び第２樹脂部４ｂの外面４ｃに、反射防止層１１が設けられる。また、図１７の（Ａ）に示されるように、絶縁層５の開口５ａ，５ｃに露出する金属配線１４，１２の表面に対する無電解めっきが行われることにより、開口５ａ，５ｃ内にめっき部５ｂ，５ｄが形成される。続いて、図１７の（Ｂ）に示されるように、単位領域間の境界線Ｌに沿ってダイシングが行われる。これにより、個片化された複数の光半導体パッケージ１Ｂが得られる。

（作用効果）
光半導体パッケージ１Ｂでは、二段に積層配置された第１チップ２及び第２チップ３の側面２ｃ，３ｃを覆う第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂが、他の部材（絶縁層１３）を介して連続的に設けられている。すなわち、第１樹脂部４ａ、第２樹脂部４ｂ、及び他の部材（絶縁層１３）によって、第１チップ２及び第２チップ３が一体的に固定されている。これにより、第１チップ２及び第２チップ３を適切に保護することができる。また、第１実施形態と同様に、第１チップ２及び第２チップ３の電極端子（端子２１、端子３２）が、第１チップ２及び第２チップ３の間の領域に配置されている。これにより、第１実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、パッケージの信頼性（堅牢性、及び第２チップ３の受光機能の安定性）の向上を図ることができる。

また、上述した光半導体パッケージ１Ｂの製造方法は、第１工程～第４工程を含んでいる。上記製造方法によれば、２つの半導体チップを積層配置した構造において信頼性の向上が図られた光半導体パッケージ１Ｂを容易に得ることができる。

なお、第２実施形態においても、上述した第１実施形態の第１変形例～第４変形例及び他の変形例と同様の構造を適用することができる。

［第３実施形態］
（光半導体パッケージの構造）
図１８に示されるように、第３実施形態の光半導体パッケージ１Ｃは、主に、第１チップ２と第２チップ３とが直接的に電気的に接続されていない点、及び第１チップ２が受光部２４を有する受光素子である点において、光半導体パッケージ１Ｂと相違している。以下、光半導体パッケージ１Ｃの構成のうち光半導体パッケージ１Ｂと異なる部分について説明し、光半導体パッケージ１Ｃの構成のうち光半導体パッケージ１Ｂと同様の部分についての説明を省略する。

光半導体パッケージ１Ｃでは、第２チップ３の受光部３１によって検出された光に関する信号を処理する回路は、第１チップ２ではなく、外部装置（例えば、光半導体パッケージ１Ｃが搭載されるプリント配線基板）に実装される。このため、第２チップ３の端子３２は、第１チップ２ではなく外部装置に接続される。すなわち、光半導体パッケージ１Ｃは、端子３２と外部装置とを電気的に接続するための金属配線１５（第２配線）を有している。

金属配線１５は、端子３２と電気的に接続され、第１樹脂部４ａの内部を通って、Ｚ軸方向において内面２ａ側から外面２ｂ側へと延びている。本実施形態では、絶縁層５における第１チップ２と重ならない位置（第１チップ２の側面２ｃよりも外側の位置）には、絶縁層５の内側（第１樹脂部４ａ側）から絶縁層５の外側まで貫通する開口５ｅが形成されている。また、絶縁層１３には、第１チップ２の側面２ｃよりも外側において、開口１３ｂとは別に、第１樹脂部４ａ側から第２樹脂部４ｂ側まで貫通する開口１３ｃが形成されている。金属配線１５は、開口１３ｃを介して端子３２と電気的に接続されており、第１樹脂部４ａの内部を通って開口１３ｃ内から開口５ｅ内まで延びている。本実施形態では、金属配線１５は、Ｘ軸方向において、金属配線１２よりも外側に設けられている。ただし、金属配線１２及び金属配線１５の配置は上記に限られない。例えば、金属配線１２と金属配線１５とをＹ軸方向にずらして配置することにより、Ｘ軸方向において金属配線１２が金属配線１５よりも外側に配置されてもよい。

開口１３ｃ内の金属配線１５の端部表面には、めっき部１７が設けられている。めっき部１７は、例えばニッケル及び金の二層めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき）である。めっき部１７は、導電性バンプ１６を介して、端子３２と電気的に接続される。第２チップ３（絶縁層３３）と絶縁層１３との間には、導電性バンプ１６を囲むように、アンダーフィル樹脂１０が充填されている。なお、アンダーフィル樹脂１０の代わりに、第２樹脂部４ｂの一部が、絶縁層３３と絶縁層１３との間に入り込んでいてもよい。

開口５ｅ内の金属配線１５の端部表面（すなわち、絶縁層５の外面に露出する表面）には、めっき部５ｆが設けられている。めっき部５ｆの材料は、めっき部５ｂ，５ｄと同様の材料である。めっき部５ｆは、例えば半田等によってプリント基板等に接合される部分である。

光半導体パッケージ１Ｃでは、第２チップ３の受光部３１により検出された光に関する信号は、端子３２、導電性バンプ１６、めっき部１７、金属配線１５、及びめっき部５ｆを介して、プリント配線基板等の外部装置に伝送される。また、第１チップ２の受光部２４により検出された光に関する信号は、端子２１、金属配線１２，及びめっき部５ｄを介して、プリント配線基板等の外部装置に伝送される。

（光半導体パッケージの製造方法）
図１９～図２４を参照して、光半導体パッケージ１Ｃの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ｃは、ＣｏＷ方式又はＣｏＰ方式によって製造される。図１９～図２４は、各製造工程における１つの単位領域の状態を示している。以下では、１つの単位領域のみに着目して説明を行う。

まず、第１チップ２と、金属配線１２の一部（部分１２ｃ）及び金属配線１５の一部が内部に埋め込まれた第１樹脂部４ａと、が形成される（第１工程）。図１９、図２０、及び図２１の（Ａ）を参照して、第１工程の一例について説明する。まず、図１９の（Ａ）に示されるように、例えばガラス基板、シリコン基板、ＳＵＳ基板等の基板５０が用意される。金属配線１２の一部（部分１２ｃ）になる予定の部分を含む柱状の金属部材１２Ａ及び金属配線１５の一部（第１樹脂部４ａに囲まれた部分）になる予定の部分を含む金属部材１５Ａが、仮接合材を介して、基板５０の表面５０ａに仮接合される。また、第１チップ２が、仮接合材を介して、基板５０の表面５０ａに仮接合される。第１チップ２は、内面２ａと表面５０ａとが対向するようにして表面５０ａに仮接合される。すなわち、第１チップ２の内面２ａに設けられた絶縁層２３が、表面５０ａに仮接合される。

続いて、図１９の（Ｂ）に示されるように、基板５０上に配置された第１チップ２及び金属部材１２Ａ，１５Ａが封止されるように、基板５０の表面５０ａ上に、第１樹脂部４ａが形成される。この時点では、第１樹脂部４ａは、第１チップ２の外面２ｂを覆うように形成される。

続いて、図２０の（Ａ）に示されるように、第１樹脂部４ａ、第１チップ２、及び金属部材１２Ａ，１５Ａが、一括で研磨又は研削される。これにより、研磨又は研削後において、第１チップ２の外面２ｂ、金属部材１２Ａ，１５Ａの上面、及び第１樹脂部４ａの表面は、略面一となり、第１チップ２の外面２ｂ及び金属部材１２Ａ，１５Ａの上面が外部に露出した状態となる。

続いて、図２０の（Ｂ）に示されるように、第１チップ２の外面２ｂ、金属部材１２Ａ，１５Ａの上面、及び第１樹脂部４ａの表面上に、絶縁層５が形成されると共に、金属配線１４、金属配線１２の一部（部分１２ｃのうち絶縁層５の開口５ｃ内に配置される部分）、及び金属配線１５の一部（金属配線１５のうち絶縁層５の開口５ｅ内に配置される部分）が形成される。例えば、図２０の（Ａ）に示される状態から、絶縁層５のパターニング及び金属配線１２，１４，１５のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図２０の（Ｂ）に示される構造が得られる。

続いて、図２１の（Ａ）に示されるように、第１チップ２の内面２ａ側に設けられた基板５０が剥離される。以上により、上述した第１工程が完了する。

続いて、図２１の（Ｂ）に示されるように、第１チップ２の内面２ａ上及び第１樹脂部４ａ上に、金属配線１２及び金属配線１５が設けられた絶縁層１３が形成される（第２工程）。すなわち、第１チップ２の内面２ａ（絶縁層２３）上及び第１樹脂部４ａの表面上に、絶縁層１３が形成されると共に、金属配線１２の一部（主に、部分１２ａ及び部分１２ｂ）及び金属配線１５の一部が形成される。例えば、図２１の（Ａ）に示される状態から、絶縁層１３のパターニング及び金属配線１２，１５のパターン形成が、半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）により行われる。また、開口１３ｃ内の金属配線１５の端部表面に対する無電解めっきが行われることにより、開口１３ｃ内にめっき部１７が形成される。以上により、図２１の（Ｂ）に示される構造が得られる。なお、図２１の（Ｂ）においては、めっき部１７の外表面が絶縁層１３の表面と面一となっているが、めっき部１７の外表面は、開口１３ｃ内に位置していてもよいし、絶縁層１３の表面よりも外側に突出していてもよい。

続いて、図２２の（Ａ）に示されるように、第２チップ３の端子３２とめっき部１７とが導電性バンプ１６によって電気的に接続されるように、絶縁層１３上に第２チップ３が配置される（第３工程）。また、本実施形態では、第２チップ３（絶縁層３３）と絶縁層１３との間に、アンダーフィル樹脂１０が充填される。

続いて、図２２の（Ｂ）に示されるように、第３工程の後に第２樹脂部４ｂが形成される（第４工程）。本実施形態では、第２樹脂部４ｂは、絶縁層１３を介して第１樹脂部４ａと連続するように形成される。この段階では、第２樹脂部４ｂは、第２チップ３の外面３ｂを覆うように形成される。なお、第２実施形態で述べたように、Ｘ軸方向における絶縁層１３の端部は、Ｘ軸方向における光半導体パッケージ１Ｃの端部よりも内側に位置するように形成されてもよい。この場合、第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂは、Ｘ軸方向における絶縁層１３の端部よりも外側の領域において、一体的（連続的）に設けられる。

続いて、図２３の（Ａ）に示されるように、第２樹脂部４ｂの外面４ｃ側の一部が研磨又は研削等によって除去される。このとき、第２樹脂部４ｂの外面４ｃと共に第２チップ３の外面３ｂも併せて研磨又は研削されてもよい。その結果、図２３の（Ａ）に示されるように、第２チップ３が薄型化されると共に、第２チップ３の外面３ｂが外部に露出した状態となる。これにより、第２チップ３の外面３ｂと第２樹脂部４ｂの外面４ｃとは、略面一となる。

続いて、図２３の（Ｂ）に示されるように、第２チップ３の外面３ｂ及び第２樹脂部４ｂの外面４ｃに、反射防止層１１が設けられる。また、図２４の（Ａ）に示されるように、絶縁層５の開口５ａ，５ｃ，５ｅに露出する金属配線１４，１２，１５の表面に対する無電解めっきが行われることにより、開口５ａ，５ｃ，５ｅ内にめっき部５ｂ，５ｄ，５ｆが形成される。続いて、図２４の（Ｂ）に示されるように、単位領域間の境界線Ｌに沿ってダイシングが行われる。これにより、個片化された複数の光半導体パッケージ１Ｃが得られる。

（作用効果）
光半導体パッケージ１Ｃでは、光半導体パッケージ１Ｂと同様に、二段に積層配置された第１チップ２及び第２チップ３の側面２ｃ，３ｃを覆う第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂが、他の部材（絶縁層１３）を介して連続的に設けられている。すなわち、第１樹脂部４ａ、第２樹脂部４ｂ、及び他の部材（絶縁層１３）によって、第１チップ２及び第２チップ３が一体的に固定されている。これにより、第１チップ２及び第２チップ３を適切に保護することができる。また、第１実施形態と同様に、第１チップ２及び第２チップ３の電極端子（端子２１、端子３２）が、第１チップ２及び第２チップ３の間の領域に配置されている。これにより、第１実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、パッケージの信頼性（堅牢性、及び第２チップ３の受光機能の安定性）の向上を図ることができる。

また、光半導体パッケージ１Ｃは、第２チップ３の端子３２と電気的に接続され、第１樹脂部４ａの内部を通って、Ｚ軸方向において内面２ａ側から外面２ｂ側へと延びる金属配線１５を有している。上記構成によれば、第２チップ３の内面２ａ（端子３２）から第１チップ２の外面２ｂ側へと引き回される金属配線１５を第１樹脂部４ａによって適切に保護することができる。これにより、光半導体パッケージ１Ｃの信頼性を高めることができる。

また、光半導体パッケージ１Ｃでは、Ｚ軸方向に直交する幅方向（Ｘ軸方向又はＹ軸方向）において、第１チップ２の幅は、第２チップ３の幅よりも小さい。また、Ｚ軸方向から見た場合に、金属配線１２，１５は、第２チップ３と重なる領域内に配置されている。上記構成によれば、Ｚ軸方向から見た場合に第２チップ３と重なる領域内に金属配線１２，１５を収容することができるため、光半導体パッケージ１Ｃの幅方向のサイズをコンパクトにすることができる。これにより、光半導体パッケージ１Ｃの小型化を図ることができる。

また、第２チップ３は、外面３ｂに入射する光を受光する受光部３１（第１受光部）を有する受光素子（第１受光素子）であり、第１チップ２は、第２チップ３を透過した光を受光する受光部２４（第２受光部）を有する受光素子（第２受光素子）である。上記構成によれば、受光素子が二段に積層配置される構造を有する光半導体パッケージ１Ｃを、信頼性の高い態様で実現することができる。

また、上述した光半導体パッケージ１Ｃの製造方法は、第１工程～第４工程を含んでいる。上記製造方法によれば、２つの半導体チップを積層配置した構造において信頼性の向上が図られた光半導体パッケージ１Ｃを容易に得ることができる。

なお、第３実施形態においても、上述した第１実施形態の第１変形例～第３変形例及び他の変形例（アンダーフィル樹脂１０の省略）と同様の構造を適用することができる。また、第３実施形態においては、第１チップ２の幅が第２チップ３の幅よりも小さい構成を例示したが、第１チップ２の幅は、第２チップ３の幅と同一であってもよいし、第２チップ３の幅よりも大きくてもよい。第１チップ２の幅を第２チップ３の幅以下に構成した場合には、以下の効果が奏される。すなわち、光半導体パッケージ１Ｃでは、金属配線１２及び金属配線１５を第１チップ２の側方に引き回す必要がある。このため、仮に第１チップ２の幅が第２チップ３の幅よりも大きい場合、その分だけ、金属配線１２及び金属配線１５が幅方向（Ｘ軸方向）における外側に位置することになるため、光半導体パッケージ１Ｃが大型化するおそれがある。一方、上記のように第１チップ２の幅を第２チップ３の幅以下にすることにより、上記のような光半導体パッケージ１Ｃの大型化を抑制することができる。

［第４実施形態］
（光半導体パッケージの構造）
図２５に示されるように、第４実施形態の光半導体パッケージ１Ｄは、主に、第１チップ２と第２チップ３とを電気的に接続するための金属配線１８（導電部材）が金属配線１２と共に半導体プロセスによって形成されている点において、光半導体パッケージ１Ｂと相違している。以下、光半導体パッケージ１Ｄの構成のうち光半導体パッケージ１Ｂと異なる部分について説明し、光半導体パッケージ１Ｄの構成のうち光半導体パッケージ１Ｂと同様の部分についての説明を省略する。

光半導体パッケージ１Ｄでは、第１チップ２の絶縁層２３を覆うように第１樹脂部４ａが形成されている。また、絶縁層１３は、第１樹脂部４ａ上に設けられている。絶縁層２３上の第１樹脂部４ａには、端子２１を露出させるための開口４ａ１と、端子２２を露出させるための開口４ａ２と、が形成されている。

金属配線１２の端子２１側の端部は、開口４ａ１を介して、端子２１に接続されている。また、金属配線１２は、端子２１の上面から第１樹脂部４ａの上面まで延びる部分１２ａと、部分１２ａの端部から第１樹脂部４ａの上面に沿って第１チップ２の側面２ｃよりも外側まで延びる部分１２ｂと、部分１２ｂの端部から第１樹脂部４ａの内部を通って開口５ｃまで延びる部分１２ｃと、を有している。

絶縁層１３には、端子２２と電気的に接続された金属配線１８を露出させる開口１３ｃが設けられている。開口１３ｃ内の金属配線１８の端部表面には、めっき部１９が設けられている。めっき部１９は、例えばニッケル及び金の二層めっき（Ｎｉ／Ａｕめっき）である。めっき部１９は、導電性バンプ９を介して端子３２と電気的に接続されている。第２チップ３（絶縁層３３）と絶縁層１３との間には、導電性バンプ９を囲むように、アンダーフィル樹脂１０が充填されている。

（光半導体パッケージの製造方法）
図２６～図２９を参照して、光半導体パッケージ１Ｄの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ｄは、ＣｏＷ方式又はＣｏＰ方式によって製造される。図２６～図２９は、各製造工程における１つの単位領域の状態を示している。以下では、１つの単位領域のみに着目して説明を行う。

まず、基板５０と、外面２ｂが基板５０に対向するように基板５０上に配置された第１チップ２と、内面２ａ及び側面２ｃを覆うように形成された第１樹脂部４ａと、第１樹脂部４ａ上及び第１樹脂部４ａ内に配置された金属配線１２及び金属配線１８と、が形成される（第１工程）。続いて、金属配線１８を露出させる開口１３ｃが設けられた絶縁層１３が、金属配線１２及び金属配線１８を覆うように第１樹脂部４ａ上に形成される（第２工程）。図２６及び図２７を参照して、第１工程及び第２工程の一例について説明する。

まず、図２６の（Ａ）に示されるように、例えばガラス基板、シリコン基板、ＳＵＳ基板等の基板５０が用意される。金属配線１２の一部（部分１２ｃ）になる予定の部分を含む柱状の金属部材１２Ａが、仮接合材を介して、基板５０の表面５０ａに仮接合される。また、第１チップ２の外面２ｂが、仮接合材を介して、基板５０の表面５０ａに仮接合される。ここで、第１チップ２の端子２１上には、予め、金属配線１２の一部（部分１２ａ）になる予定の部分を含む柱状の金属部材１２Ｂが形成されている。また、第１チップ２の端子２２上には、予め、金属配線１８の一部になる予定の部分を含む柱状の金属部材１８Ａが形成されている。

続いて、図２６の（Ｂ）に示されるように、基板５０上に配置された第１チップ２及び金属部材１２Ａ，１２Ｂ，１８Ａが封止されるように、基板５０の表面５０ａ上に、第１樹脂部４ａが形成される。

続いて、図２７の（Ａ）に示されるように、第１樹脂部４ａ及び金属部材１２Ａ，１２Ｂ，１８Ａが、一括で研磨又は研削される。これにより、研磨又は研削後において、第１樹脂部４ａの表面と金属部材１２Ａ，１２Ｂ，１８Ａの上面とが略面一となり、金属部材１２Ａ，１２Ｂ，１８Ａの上面が外部に露出した状態となる。

続いて、図２７の（Ｂ）に示されるように、第１樹脂部４ａの表面上に、絶縁層１３が形成されると共に、金属配線１２，１８が形成される。絶縁層１３は、金属配線１２を覆うように形成される。また、絶縁層１３には、金属配線１８を露出させる開口１３ｃが形成される。例えば、図２７の（Ａ）に示される状態から、絶縁層１３のパターニング及び金属配線１２，１８のパターン形成が、半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）により行われる。また、絶縁層１３の開口１３ｃ内の金属配線１８の端部表面に対する無電解めっきが行われることにより、開口１３ｃ内にめっき部１９が形成される。これにより、図２７の（Ｂ）に示される構造が得られる。以上により、上述した第１工程及び第２工程が完了する。

続いて、図２８の（Ａ）に示されるように、絶縁層１３の開口１３ｃを介して第２チップ３の端子３２と金属配線１８とが電気的に接続されるように、絶縁層１３上に第２チップ３が配置される（第３工程）。本実施形態では、端子３２とめっき部１９とが導電性バンプ９を介して電気的に接続されるように、第１チップ２上に第２チップ３が配置される。また、第２チップ３（絶縁層３３）と絶縁層１３との間に、導電性バンプ９を囲むようにアンダーフィル樹脂１０が充填される。

続いて、図２８の（Ｂ）に示されるように、第３工程の後に第２樹脂部４ｂが形成される（第４工程）。第２樹脂部４ｂの形成は、例えばトランスファーモールドにより行われる。これにより、第２チップ３の側面２ｃを覆う一方で、第２チップ３の外面２ｂを覆わないように、第２樹脂部４ｂが形成される。また、本実施形態では、絶縁層１３の幅方向の端部は、第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂの幅方向の端部よりも内側に位置している。この場合、絶縁層１３の幅方向の端部よりも外側において、第１樹脂部４ａと第２樹脂部４ｂとは、一体的に形成される。また、第２樹脂部４ｂが形成された後、基板５０が第１チップ２及び第１樹脂部４ａから剥離される（第５工程）。

続いて、図２９の（Ａ）に示されるように、第１チップ２の外面２ｂ及び第１樹脂部４ａの表面上に、絶縁層５が形成されると共に、金属配線１４と金属配線１２の一部（部分１２ｃのうち絶縁層５の開口５ｃ内に配置される部分）とが形成される。例えば、図２８の（Ｂ）に示される状態から、絶縁層５のパターニング及び金属配線１２，１４のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図２９の（Ａ）に示される構造が得られる。また、絶縁層５の開口５ａ，５ｃに露出する金属配線１４，１２の表面に対する無電解めっきが行われることにより、開口５ａ，５ｃ内にめっき部５ｂ，５ｄが形成される。続いて、図２９の（Ｂ）に示されるように、単位領域間の境界線Ｌに沿ってダイシングが行われる。これにより、個片化された複数の光半導体パッケージ１Ｄが得られる。

（作用効果）
光半導体パッケージ１Ｄでは、二段に積層配置された第１チップ２及び第２チップ３の側面２ｃ，３ｃを覆う第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂが、他の部材（絶縁層１３）を介して連続的に設けられている。また、絶縁層１３の幅方向の外側では、第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂが、一体的に形成されている。すなわち、第１樹脂部４ａ、第２樹脂部４ｂ、及び他の部材（絶縁層１３）によって、第１チップ２及び第２チップ３が一体的に固定されている。これにより、第１チップ２及び第２チップ３を適切に保護することができる。また、第１実施形態と同様に、第１チップ２及び第２チップ３の電極端子（端子２１、端子３２）が、第１チップ２及び第２チップ３の間の領域に配置されている。これにより、第１実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、パッケージの信頼性（堅牢性、及び第２チップ３の受光機能の安定性）の向上を図ることができる。

また、上述した光半導体パッケージ１Ｄの製造方法は、第１工程～第５工程を含んでいる。上記製造方法によれば、２つの半導体チップを積層配置した構造において信頼性の向上が図られた光半導体パッケージ１Ｄを容易に得ることができる。

なお、第４実施形態においても、上述した第１実施形態の第１変形例～第４変形例及び他の変形例と同様の構造を適用することができる。また、第４実施形態では、第１チップ２の裏面配線（すなわち、絶縁層５及び金属配線１２，１８）の形成（図２９の（Ａ）参照）を樹脂モールド工程後（すなわち、第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂの形成後）に行ったが、裏面配線を最初に形成してもよい。すなわち、上述した製造工程において、最初に基板５０の表面５０ａ上に裏面配線を形成し、形成された裏面配線上に第１チップ２を配置してもよい。なお、このように裏面配線を最初に形成する方法は、第４実施形態以外の実施形態（第１実施形態～第３実施形態及び後述する第５実施形態）にも適用可能である。

［第５実施形態］
（光半導体パッケージの構造）
図３０に示されるように、第５実施形態の光半導体パッケージ１Ｅは、主に、第１チップ２と第２チップ３とを電気的に接続するための金属配線１８（導電部材）が第１チップ２側ではなく第２チップ３側に形成されている点において、光半導体パッケージ１Ｄと相違している。光半導体パッケージ１Ｄでは、第１チップ２（端子２２）側から第２チップ３（端子３２）側へと、金属配線１８、めっき部１９、及び導電性バンプ９がこの順に形成されていたが、光半導体パッケージ１Ｅでは、第２チップ３（端子３２）側から第１チップ２（端子２２）側へと、金属配線１８、めっき部１９、及び導電性バンプ９がこの順に形成されている。以下、光半導体パッケージ１Ｅの構成のうち光半導体パッケージ１Ｄと異なる部分について説明し、光半導体パッケージ１Ｅの構成のうち光半導体パッケージ１Ｄと同様の部分についての説明を省略する。

光半導体パッケージ１Ｅでは、第２チップ３の絶縁層３３を覆うように第２樹脂部４ｂが形成されている。また、絶縁層１３は、第２樹脂部４ｂ上（すなわち、第２樹脂部４ｂを挟んで絶縁層３３の反対側の位置）に設けられている。絶縁層３３上の第２樹脂部４ｂには、端子３２を露出させるための開口４ａ３が形成されている。

絶縁層１３には、端子３２と電気的に接続された金属配線１８を露出させる開口１３ｃ（第３開口）が設けられている。開口１３ｃ内の金属配線１８の端部表面（端子２２に対向する面）には、めっき部１９が設けられている。めっき部１９は、導電性バンプ９を介して端子２２と電気的に接続されている。第１チップ２（絶縁層２３）と絶縁層１３との間には、導電性バンプ９を囲むように、アンダーフィル樹脂１０が充填されている。

光半導体パッケージ１Ｅでは、端子２１と外部装置とを電気的に接続するための配線として、光半導体パッケージ１Ｄの金属配線１２の代わりに金属配線５１（第１配線の第１部分）及び金属配線５２（第１配線の第２部分）が設けられている。絶縁層１３には、端子２１を露出させる開口１３ｄ（第２開口）が設けられている。また、絶縁層１３には、第１チップ２の側面２ｃよりも外側において第１樹脂部４ａ側から第２樹脂部４ｂ側まで貫通する開口１３ｅ（第１開口）が形成されている。

金属配線５１は、絶縁層１３内（絶縁層１３の第２樹脂部４ｂに沿った領域）において、開口１３ｄから開口１３ｅまで幅方向（Ｘ軸方向）に延びている。開口１３ｄ内において第１チップ２側に露出する金属配線５１の表面には、めっき部５３が設けられている。めっき部５３は、例えばめっき部１９と同様の材料によって形成され得る。めっき部５３は、めっき部５３と端子２１との間に配置された導電性バンプ９を介して、端子２１と電気的に接続されている。また、開口１３ｅ内において第１樹脂部４ａ側に露出する金属配線５１の表面には、めっき部５４が設けられている。めっき部５４は、例えばめっき部５３と同様の材料によって形成され得る。金属配線５２は、めっき部５４と電気的に接続されており、めっき部５４から絶縁層５の開口５ｃまでＺ軸方向に延びている。開口５ｃ内の金属配線５２の端部表面には、めっき部５ｄが設けられている。

（光半導体パッケージの製造方法）
図３１～図３５を参照して、光半導体パッケージ１Ｅの製造工程の一例について説明する。本実施形態では、光半導体パッケージ１Ｅは、ＣｏＷ方式又はＣｏＰ方式によって製造される。図３１～図３５は、各製造工程における１つの単位領域の状態を示している。以下では、１つの単位領域のみに着目して説明を行う。

まず、基板５０と、外面３ｂが基板５０に対向するように基板５０上に配置された第２チップ３と、内面３ａ及び側面３ｃを覆うように形成された第２樹脂部４ｂと、第２樹脂部４ｂ上及び第２樹脂部４ｂ内に配置された金属配線５１及び金属配線１８と、が形成される（第１工程）。続いて、金属配線５１とコンタクトを取るための開口１３ｄ，１３ｅと、金属配線１８とコンタクトを取るための開口１３ｃと、が設けられた絶縁層１３が、金属配線５１及び金属配線１８を覆うように第２樹脂部４ｂ上に形成される（第２工程）。図３１及び図３２を参照して、第１工程及び第２工程の一例について説明する。

まず、図３１の（Ａ）に示されるように、例えばガラス基板、シリコン基板、ＳＵＳ基板等の基板５０が用意される。第２チップ３の外面３ｂが、仮接合材を介して、基板５０の表面５０ａに仮接合される。ここで、第２チップ３の端子３２上には、予め、金属配線１８の一部になる予定の部分を含む柱状の金属部材１８Ａが形成されている。

続いて、図３１の（Ｂ）に示されるように、基板５０上に配置された第２チップ３及び金属部材１８Ａが封止されるように、基板５０の表面５０ａ上に、第２樹脂部４ｂが形成される。

続いて、図３２の（Ａ）に示されるように、第２樹脂部４ｂ及び金属部材１８Ａが、一括で研磨又は研削される。これにより、研磨又は研削後において、第２樹脂部４ｂの表面と金属部材１８Ａの上面とが略面一となり、金属部材１８Ａの上面が外部に露出した状態となる。

続いて、図３２の（Ｂ）に示されるように、第２樹脂部４ｂの表面上に、絶縁層１３が形成されると共に、金属配線１８，５１が形成される。絶縁層１３は、金属配線１８，５１を覆うように形成される。また、絶縁層１３には、金属配線１８を露出させる開口１３ｃと、金属配線５１を露出させる開口１３ｄ，１３ｅと、が形成される。例えば、図３２の（Ａ）に示される状態から、絶縁層１３のパターニング及び金属配線１８，５１のパターン形成を半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）を用いて行うことにより、図３２の（Ｂ）に示される構造が得られる。また、絶縁層１３の開口１３ｃ内の金属配線１８の端部表面に対する無電解めっきが行われることにより、開口１３ｃ内にめっき部１９が形成される。同様に、絶縁層１３の開口１３ｄ，１３ｅ内の金属配線５１の表面に対する無電解めっきが行われることにより、開口１３ｄ，１３ｅ内にめっき部５３，５４が形成される。以上により、上述した第１工程及び第２工程が完了する。

続いて、図３３の（Ａ）に示されるように、開口１３ｅを介して金属配線５１と電気的に接続される金属配線５２（ここでは、金属配線５２になる予定の金属部材５２Ａ）が、絶縁層１３上に形成される（第３工程）。また、開口１３ｄを介して端子２１と金属配線５１とが電気的に接続され、且つ、開口１３ｃを介して端子２２と金属配線１８とが電気的に接続されるように、絶縁層１３上に第１チップ２が配置される（第４工程）。本実施形態では、端子２１と開口１３ｄ内のめっき部５３とが、導電性バンプ９を介して電気的に接続される。また、端子２２と開口１３ｃ内のめっき部１９とが、導電性バンプ９を介して電気的に接続される。また、第１チップ２（絶縁層２３）と絶縁層１３との間に、導電性バンプ９を囲むようにアンダーフィル樹脂１０が充填される。

続いて、図３３の（Ｂ）に示されるように、第４工程の後に第１樹脂部４ａが形成される（第５工程）。本実施形態では、第１樹脂部４ａは、絶縁層１３を介して第２樹脂部４ｂと連続するように形成される。この段階では、第１樹脂部４ａは、第１チップ２の外面２ｂを覆うように形成される。また、本実施形態では、絶縁層１３の幅方向の端部は、第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂの幅方向の端部よりも内側に位置している。この場合、絶縁層１３の幅方向の端部よりも外側において、第１樹脂部４ａと第２樹脂部４ｂとは、一体的に形成される。

続いて、図３４の（Ａ）に示されるように、第１樹脂部４ａ、第１チップ２、及び金属部材５２Ａが、一括で研磨又は研削される。これにより、研磨又は研削後において、第１チップ２の外面２ｂ、金属部材５２Ａの上面、及び第１樹脂部４ａの表面は、略面一となり、第１チップ２の外面２ｂ及び金属部材５２Ａの上面が外部に露出した状態となる。

続いて、図３４の（Ｂ）に示されるように、第１チップ２の外面２ｂ、金属部材５２Ａの上面、及び第１樹脂部４ａの表面上に、絶縁層５が形成されると共に、金属配線１４と金属配線５２の一部（金属配線５２のうち絶縁層５の開口５ｃ内に配置される部分）とが形成される。例えば、図３４の（Ａ）に示される状態から、絶縁層５のパターニング及び金属配線５２，１４のパターン形成が、半導体プロセス（シード層形成、フォトリソグラフィ、電解めっき等）により行われる。また、絶縁層５の開口５ａ，５ｃに露出する金属配線１４，５２の表面に対する無電解めっきが行われることにより、開口５ａ，５ｃ内にめっき部５ｂ，５ｄが形成される。これにより、図３４の（Ｂ）に示される構造が得られる。

続いて、図３５の（Ａ）に示されるように、基板５０が、第２チップ３の外面３ｂ及び第２樹脂部４ｂの外面４ｃから剥離される（第６工程）。続いて、図３５の（Ｂ）に示されるように、単位領域間の境界線Ｌに沿ってダイシングが行われる。これにより、個片化された複数の光半導体パッケージ１Ｅが得られる。

（作用効果）
光半導体パッケージ１Ｅでは、光半導体パッケージ１Ｄと同様に、二段に積層配置された第１チップ２及び第２チップ３の側面２ｃ，３ｃを覆う第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂが、他の部材（絶縁層１３）を介して連続的に設けられている。また、絶縁層１３の幅方向の外側では、第１樹脂部４ａ及び第２樹脂部４ｂが、一体的に形成されている。すなわち、第１樹脂部４ａ、第２樹脂部４ｂ、及び他の部材（絶縁層１３）によって、第１チップ２及び第２チップ３が一体的に固定されている。これにより、第１チップ２及び第２チップ３を適切に保護することができる。また、第１実施形態と同様に、第１チップ２及び第２チップ３の電極端子（端子２１、端子２２、及び端子３２）が、第１チップ２及び第２チップ３の間の領域に配置されている。これにより、第１実施形態と同様の効果が得られる。すなわち、パッケージの信頼性（堅牢性、及び第２チップ３の受光機能の安定性）の向上を図ることができる。

また、上述した光半導体パッケージ１Ｅの製造方法は、第１工程～第６工程を含んでいる。上記製造方法によれば、２つの半導体チップを積層配置した構造において信頼性の向上が図られた光半導体パッケージ１Ｅを容易に得ることができる。

なお、第５実施形態においても、上述した第１実施形態の第１変形例、第２変形例、第４変形例及び他の変形例と同様の構造を適用することができる。

以上、本開示のいくつかの実施形態について説明したが、本開示は、上記実施形態に限られない。各構成の材料及び形状には、上述した材料及び形状に限らず、様々な材料及び形状を採用することができる。また、上述した一の実施形態又は変形例における一部の構成は、他の実施形態又は変形例における構成に任意に適用することができる。

１Ａ，１Ａａ，１Ａｂ，１Ａｃ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ…光半導体パッケージ、２…第１チップ（第１半導体チップ）、２ａ…内面（第１内面）、２ｂ…外面（第１外面）、２ｃ…側面（第１側面）、３…第２チップ（第２半導体チップ）、３ａ…内面（第２内面）、３ｂ…外面（第２外面）、３ｃ…側面（第２側面）、４ａ…第１樹脂部、４ｂ…第２樹脂部、５…絶縁層、５ｄ…めっき部（コンタクト部）、８…ワイヤ（第１配線）、９…導電性バンプ（導電部材）、１２…金属配線（第１配線）、１３…絶縁層（他の部材）、１３ｃ…開口（第３開口）、１３ｄ…開口（第２開口）、１３ｅ…開口（第１開口）、１５…金属配線（第２配線）、１８…金属配線（導電部材）、２１…端子（第１端子）、２２…端子（第３端子）、２４…受光部（第２受光部）、３１…受光部（第１受光部）、３２…端子（第２端子）、５０…基板、Ｕ１…基板ユニット、Ｕ２…チップユニット。

Claims (17)

1. 第１内面と、前記第１内面の反対側の面である第１外面と、前記第１内面と前記第１外面とを接続する第１側面と、を有する半導体チップである第１チップと、
   第１内面に対向する位置に配置される半導体チップである第２チップであって、前記第１内面に対向する第２内面と、前記第２内面の反対側の面である第２外面と、前記第２内面と前記第２外面とを接続する第２側面と、を有する前記第２チップと、
   少なくとも前記第１側面を覆うように形成された第１樹脂部と、
   少なくとも前記第２側面を覆うように形成された第２樹脂部と、
   前記第１チップの電極端子であって、前記第１内面に設けられた第１端子と、
   前記第２チップの電極端子であって、前記第２内面に設けられた第２端子と、
   前記第１端子と電気的に接続され、前記第１樹脂部の内部を通って、前記第１内面と前記第２内面とが対向する対向方向において前記第１内面側から前記第１外面側へと延びる第１配線と、を備え、
   前記第２チップは、前記第２外面に入射する光を受光する受光部又は前記第２外面から外部に出射される光を生成する発光部を有する光素子であり、
   前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とは、一体的又は他の部材を介して連続的に設けられている、
   光半導体パッケージ。
2. 前記第１チップの前記第１外面を覆う絶縁層と、
   前記絶縁層の前記第１チップ側とは反対側に露出するように設けられ、前記第１端子と電気的に接続されたコンタクト部と、を更に備える、
   請求項１に記載の光半導体パッケージ。
3. 前記第２樹脂部は、光透過性樹脂によって形成されており、
   前記第２外面は、前記第２樹脂部に覆われている、
   請求項１又は２に記載の光半導体パッケージ。
4. 前記第２外面は、前記第２樹脂部に覆われていない、
   請求項１又は２に記載の光半導体パッケージ。
5. 前記第２外面は、前記対向方向において、前記第２樹脂部における前記第１樹脂部とは反対側の面よりも前記第１チップ側に位置している、
   請求項４に記載の光半導体パッケージ。
6. 前記第１チップの電極端子であって、前記第１内面に設けられた第３端子と、
   前記第１チップと前記第２チップとの間に配置され、前記第２端子と前記第３端子とを電気的に接続する導電部材と、を更に備える、
   請求項１～５のいずれか一項に記載の光半導体パッケージ。
7. 前記第２端子と電気的に接続され、前記第１樹脂部の内部を通って、前記対向方向において前記第１内面側から前記第１外面側へと延びる第２配線を更に備える、
   請求項１～５のいずれか一項に記載の光半導体パッケージ。
8. 前記対向方向に直交する幅方向において、前記第１チップの幅は、前記第２チップの幅以下である、
   請求項７に記載の光半導体パッケージ。
9. 前記対向方向に直交する幅方向において、前記第１チップの幅は、前記第２チップの幅よりも小さく、
   前記対向方向から見た場合に、前記第１配線及び前記第２配線は、前記第２チップと重なる領域内に配置されている、
   請求項７に記載の光半導体パッケージ。
10. 前記第２チップは、前記第２外面に入射する光を受光する第１受光部を有する第１受光素子であり、
    前記第１チップは、前記第２チップを透過した光を受光する第２受光部を有する第２受光素子である、
    請求項７～９のいずれか一項に記載の光半導体パッケージ。
11. 請求項６に記載の光半導体パッケージの製造方法であって、
    基板と、前記基板上に設けられた第１電極及び第２電極と、を含む基板ユニットを形成する第１工程と、
    前記第１チップ及び前記第２チップを含むチップユニットであって、前記第２端子と前記第３端子とが前記導電部材によって電気的に接続された状態の前記チップユニットを形成する第２工程と、
    前記第１外面を前記第１電極に接合することにより、前記基板ユニット上に前記チップユニットを搭載する第３工程と、
    前記第１端子と前記第２電極とをワイヤボンディングすることによって、前記第１配線を形成する第４工程と、
    前記第１樹脂部及び前記第２樹脂部を一体的に形成する第５工程と、
    前記基板を除去する第６工程と、を含む、
    光半導体パッケージの製造方法。
12. 請求項６に記載の光半導体パッケージの製造方法であって、
    前記第１チップと、前記第１配線の一部が内部に埋め込まれた前記第１樹脂部と、を形成する第１工程と、
    前記第１内面上の前記第１端子の周囲及び前記第１樹脂部上に、前記第１配線が設けられた絶縁層を形成する第２工程と、
    前記第２端子と前記第３端子とが前記導電部材によって電気的に接続されるように、前記第１チップ上に前記第２チップを配置する第３工程と、
    前記第３工程の後に前記第２樹脂部を形成する第４工程と、を含む、
    光半導体パッケージの製造方法。
13. 請求項７に記載の光半導体パッケージの製造方法であって、
    前記第１チップと、前記第１配線及び前記第２配線の一部が内部に埋め込まれた前記第１樹脂部と、を形成する第１工程と、
    前記第１内面上及び前記第１樹脂部上に、前記第１配線及び前記第２配線が設けられた絶縁層を形成する第２工程と、
    前記第２配線の端部と前記第２端子とが電気的に接続されるように、前記絶縁層上に前記第２チップを配置する第３工程と、
    前記第３工程の後に前記第２樹脂部を形成する第４工程と、を含む、
    光半導体パッケージの製造方法。
14. 請求項６に記載の光半導体パッケージの製造方法であって、
    基板と、前記第１外面が前記基板に対向するように前記基板上に配置された前記第１チップと、前記第１内面及び前記第１側面を覆うように形成された前記第１樹脂部と、前記第１樹脂部上及び前記第１樹脂部内に配置された前記第１配線及び前記導電部材と、を形成する第１工程と、
    前記導電部材を露出させる開口が設けられた絶縁層を、前記第１配線及び前記導電部材を覆うように前記第１樹脂部上に形成する第２工程と、
    前記絶縁層の前記開口を介して前記第２端子と前記導電部材とが電気的に接続されるように、前記絶縁層上に前記第２チップを配置する第３工程と、
    前記第３工程の後に前記第２樹脂部を形成する第４工程と、
    前記基板を前記第１チップ及び前記第１樹脂部から剥離する第５工程と、を含む、
    光半導体パッケージの製造方法。
15. 請求項６に記載の光半導体パッケージの製造方法であって、
    基板と、前記第２外面が前記基板に対向するように前記基板上に配置された第２チップと、前記第２内面及び前記第２側面を覆うように形成された前記第２樹脂部と、前記第２樹脂部上及び前記第２樹脂部内に配置された前記第１配線の第１部分及び前記導電部材と、を形成する第１工程と、
    前記第１部分とコンタクトを取るための第１開口及び第２開口と、前記導電部材とコンタクトを取るための第３開口と、が設けられた絶縁層を、前記第１部分及び前記導電部材を覆うように前記第２樹脂部上に形成する第２工程と、
    前記第１開口を介して前記第１部分と電気的に接続される前記第１配線の第２部分を前記絶縁層上に形成する第３工程と、
    前記第２開口を介して前記第１端子と前記第１部分とが電気的に接続され、且つ、前記第３開口を介して前記第３端子と前記導電部材とが電気的に接続されるように、前記絶縁層上に前記第１チップを配置する第４工程と、
    前記第４工程の後に前記第１樹脂部を形成する第５工程と、
    前記基板を前記第２チップ及び前記第２樹脂部から剥離する第６工程と、を含む、
    光半導体パッケージの製造方法。
16. 前記第２樹脂部は、前記第２外面を覆わないように形成される、
    請求項１１～１５のいずれか一項に記載の光半導体パッケージの製造方法。
17. 前記第２外面が前記第２樹脂部における前記第１樹脂部とは反対側の面よりも前記第１チップ側に位置するように、前記第２チップの前記第２外面側の一部を除去する工程を更に含む、
    請求項１６に記載の光半導体パッケージの製造方法。

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