JP2023080055A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2023080055A
JP2023080055A JP2022190178A JP2022190178A JP2023080055A JP 2023080055 A JP2023080055 A JP 2023080055A JP 2022190178 A JP2022190178 A JP 2022190178A JP 2022190178 A JP2022190178 A JP 2022190178A JP 2023080055 A JP2023080055 A JP 2023080055A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
support
rotation
transfer
processing apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022190178A
Other languages
English (en)
Inventor
クァンハ チェ
Kwang Ha Choi
テホ ハム
Tae Ho Ham
チョルウ イ
Cheol Woo Lee
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wonik IPS Co Ltd
Original Assignee
Wonik IPS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wonik IPS Co Ltd filed Critical Wonik IPS Co Ltd
Publication of JP2023080055A publication Critical patent/JP2023080055A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】複数の基板に対して基板処理を行う基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板処理のための互いに区分されたＮ個の処理空間（Ｎは２以上の自然数）が形成されるプロセスチャンバ１００と、処理空間にガスを噴射するＮ個のガス噴射部と、ガス噴射部に対向して、基板１を支持するＮ個の基板支持部３００と、プロセスチャンバ１００に設けられ、搬送対象である基板１の搬送のために基板１を支持する搬送支持部４００と、搬送支持部４００回転駆動により、基板１搬送経路である互いに隣接する基板支持部３００の間に設けられ、基板１が基板１を通る垂直方向の第２回転軸Ｃ２を中心に回転するようにそれぞれ載置される回転支持部５００と、プロセスチャンバ１００下側に設けられ、搬送支持部４００及び回転支持部５００にそれぞれ回転動力を提供する回転動力モジュールを含む。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、基板処理装置に関し、より詳細には、複数の処理空間を形成するプロセスチャンバ内で複数の基板に対して基板処理を行う基板処理装置に関するものである。
従来の基板処理装置では、生産性、工程均一性などの様々な目的で、１つのプロセスチャンバ内で複数の基板に対する基板処理が行われることがあった。
このために、従来の基板処理装置は、複数の処理空間を形成して基板処理を行うプロセスチャンバと、プロセスチャンバの上側に設けられ、処理空間にプロセスガスを噴射する複数のガス噴射部と、複数のガス噴射部に対応してプロセスチャンバ内に設けられ、基板を支持する複数の基板支持部とを含むことができる。
このとき、投入された複数の基板は、搬送支持部を介してそれぞれ処理空間に配置され、基板処理が行われ、基板処理が完了すると、基板処理が完了した基板をプロセスチャンバ外部に排出する。
一方、基板処理過程における基板位置によるガス噴射部を介したガス噴射量のバラツキなどにより基板薄膜厚さ散布が不均一な問題があった。
このような不均一性を改善するためには、基板を垂直方向の回転軸を中心に回転させる必要性があるが、従来の基板処理装置は、基板を一方の基板支持部から他方の基板支持部に搬送することができ、基板自体を回転させることができる手段がない問題があった。
また、別途に基板自体を回転させる構成を追加しようとする場合でも、制限られたプロセスチャンバの内部空間で複数の基板のそれぞれを回転させるための構成を複数個追加することは困難であった。
本発明の目的は、前記のような問題を解決するために、複数の処理空間を形成して複数の基板に対する基板処理を行う基板処理装置において、垂直方向の回転軸を中心に基板自体の回転が可能な基板処理装置を提供することある。
本発明は、前記のような本発明の目的を達成するために創出されたものであり、本発明は、基板を処理するために互いに区分されたＮ個の処理空間（Ｎは、２以上の自然数）が形成されるプロセスチャンバと、Ｎ個の前記処理空間にそれぞれ対応して、前記プロセスチャンバの上側に設けられ、前記処理空間にガスを噴射するＮ個のガス噴射部と、前記ガス噴射部に対向して、前記基板を支持するＮ個の基板支持部と、前記プロセスチャンバに設けられ、搬送対象である前記基板の搬送のために前記基板を支持する搬送支持部と、前記搬送支持部の回転駆動により、前記基板搬送経路である互いに隣接する前記基板支持部間に設けられ、前記基板が前記基板を通る垂直方向の第２回転軸を中心に回転するようにそれぞれ載置される回転支持部と、前記プロセスチャンバの下側に設けられ、前記搬送支持部及び前記回転支持部にそれぞれ回転動力を提供する回転動力モジュールと、を含むことを特徴とする基板処理装置を開示する。
前記回転動力モジュールは、前記基板を搬送するように垂直方向の第１回転軸を中心に、前記搬送支持部を回転させる基板搬送動力部と、搬送過程で前記基板が前記第２回転軸を中心に予め設定された角度で回転するように、前記回転支持部に回転動力を提供する基板回転動力部と、を含む。
前記基板回転動力部は、回転動力を提供する基板回転モータと、一端が前記基板回転モータに連結され、他端が前記回転支持部に連結されて回転する第２回転シャフトと、を含み、前記基板搬送動力部は、回転動力を提供する基板搬送回転モータと、一端が前記基板搬送回転モータに連結され、他端が前記搬送支持部に連結されて回転する第１回転シャフトと、を含む。
前記回転支持部は、Ｎ個の前記基板支持部間に設けられ、前記基板がそれぞれ載置され、載置される前記基板を前記第２回転軸を中心に回転させるＮ個の回転プレートと、前記基板回転動力部から提供される回転動力を前記回転プレートに伝達する動力伝達部と、を含む。
前記搬送支持部は、少なくとも１つ以上の個数で設けられ、上面に前記基板が支持される支持領域が形成された基板載置ブレードと、前記基板載置ブレードが結合され、前記基板搬送動力部に連結され、前記第１回転軸を中心に回転可能に設けられる結合本体部と、を含む。
前記結合本体部は、前記動力伝達部の上側に配置され、前記基板載置ブレードが結合する結合本体と、前記動力伝達部を貫通して前記結合本体の底面に結合し、前記第１回転シャフトと連結される結合本体支持部と、を含む。
前記動力伝達部は、前記基板回転動力部に連結され回転する主回転部材と、前記回転プレート下部に結合される第１プーリと、前記主回転部材及び前記第１プーリに巻き取られ、前記主回転部材の回転動力を伝達する動力伝達ベルトと、を含む。
前記動力伝達部は、複数個設けられ、前記主回転部材及び前記第１プーリと共に、前記動力伝達ベルトが巻き取られ、前記動力伝達ベルトの設置方向を切り替える第２プーリをさらに含む。
前記動力伝達部は、前記主回転部材を貫通して設けられる前記第２回転シャフトと前記主回転部材との間に設けられる少なくとも１つの第１軸受を含む。
前記回転支持部は、内部に前記動力伝達部が設けられる設置空間を形成するように、前記プロセスチャンバに設けられる設置空間形成部を含む。
前記設置空間形成部は、内部空間を有し、前記プロセスチャンバの下面中心に設けられる本体部と、前記本体部から前記回転プレートの位置に対応して、半径方向に延びて設けられる延長部と、を含む。
前記回転支持部は、前記本体部に設けられ、前記設置空間にパージガスを供給するパージガス流入部と、前記延長部に設けられ供給された前記パージガスを外部にポンプするポンプガス流出部と、を含む。
前記基板回転モータ及び前記基板搬送回転モータは、垂直方向に上下配置され、前記第１回転シャフトは、前記基板回転モータに形成される貫通孔を貫通して、前記搬送支持部に連結される。
前記回転動力モジュールは、前記第２回転シャフトを囲んで設けられる磁性流体室をさらに含む。
前記回転動力モジュールは、前記基板搬送動力部と前記基板回転動力部をそれぞれ支持するように設けられる支持組立体をさらに含む。
前記搬送支持部が上下に移動するように、前記回転動力モジュールを上下に移動させる昇降駆動部をさらに含む。
前記昇降駆動部は、前記支持組立体に連結される昇降動力伝達部と、前記昇降動力伝達部を介して前記支持組立体を上下に移動させる昇降駆動源と、を含む。
前記昇降駆動部は、前記支持組立体と前記プロセスチャンバとの間に設けられるベローズをさらに含む。
本発明による基板処理装置は、複数の処理空間を形成して、複数の基板に対する基板処理を行う基板処理装置において、基板を通る垂直方向の回転軸を中心にする基板回転が可能であり、基板回転による工程均一度の改善が可能な利点がある。
また、本発明による基板処理装置は、複数の基板を搬送するために、搬送支持部に動力を提供する基板搬送動力部と、複数の基板のそれぞれを自体回転させるために回転支持部に動力を提供する基板回転動力部とがモジュール化されて設けられることにより、限られたプロセスチャンバの内部空間に空間拡張なしに基板回転を実現することができる利点がある。
本発明による基板処理装置の概略的な様子を示す断面図である。 図１による基板処理装置における搬送支持部が装着された様子の基板処理装置を示す平面図である。 図１による基板処理装置における搬送支持部が除去された様子の基板処理装置を示す平面図である。 図１による基板処理装置のうち回転支持部の基板載置前後の様子を示す断面図である。 図１による基板処理装置のうち回転支持部の様子を示す斜視図である。 図４による回転支持部中の動力伝達ベルトの設置の様子を示す平面図である。 図１による基板処理装置のうち動力伝達部の上部側の様子を示す断面図である。 図１による基板処理装置のうち動力伝達部の下部側の様子を示す断面図である。
以下、本発明による基板処理装置について、添付の図面を参照して説明すると以下の通りである。
本発明による基板処理装置は、図１に示されるように、基板１を処理するために、互いに区分されたＮ個の処理空間Ｓ（Ｎは、２以上の自然数）が形成されるプロセスチャンバ１００と、Ｎ個の前記処理空間Ｓにそれぞれ対応して、前記プロセスチャンバ１００上側に設けられ、前記処理空間Ｓにガスを噴射するＮ個のガス噴射部２００と、前記ガス噴射部２００に対向して、基板１を支持するＮ個の基板支持部３００と、前記プロセスチャンバ１００に設けられ、搬送対象である前記基板１を搬送のために支持する搬送支持部４００と、基板搬送経路上に設けられ、前記基板１が前記基板１を通る垂直方向の第２回転軸Ｃ２を中心に回転するようにそれぞれ載置される回転支持部５００と、前記プロセスチャンバ１００下側に設けられ、前記搬送支持部４００及び前記回転支持部５００にそれぞれ回転動力を提供する回転動力モジュール６００と、を含む。
また、本発明による基板処理装置は、搬送支持部４００が上下に移動するように、回転動力モジュール６００を上下に移動させる昇降駆動部７００をさらに含むことができる。
本発明の処理対象者基板１は、蒸着、エッチングなど基板処理が行われる構成であり、半導体製造容基板、ＬＣＤ製造用基板、ＯＬＥＤ製造用基板、太陽電池製造用基板、透明ガラス基板など任意の基板が可能である。
そして、本発明による基板処理装置によって行われる基板処理は、処理空間内で基板処理を行う基板処理工程であれば工程も可能である。
前記プロセスチャンバ１００は、基板処理のための処理空間Ｓを形成する構成であり、様々な構成が可能である。
一例として、前記プロセスチャンバ１００は、上側に開口が形成されたチャンバ本体１１０と、チャンバ本体１１０の開口に脱着可能に結合され、チャンバ本体１１０と共に基板処理空間を形成する上部リード１２０を含んで構成することができる。
また、前記プロセスチャンバ１００は、複数の基板に対する基板処理のために異なるＮ個の処理空間Ｓ（Ｎは、２以上の自然数）を形成することが好ましい。
前記Ｎ個の処理空間Ｓは、プロセスチャンバ１００内で互いに完全に密閉された空間ではなく、空間的に区分（分離）される空間であってもよい。
一例として、前記プロセスチャンバ１００は、平面上円周方向に配置される４個の処理空間Ｓを形成することができる。
このとき、前記チャンバ本体１１０には、図１に示されるように、後記する基板支持部３００が配置される基板支持部載置溝１１４が形成されてもよい。
前記基板支持部載置溝１１４は、チャンバ本体１１０の底面に形成されてもよい。
前記プロセスチャンバ１００内に４個の基板支持部３００が設けられる場合、４個の基板支持部載置溝１１４がそれぞれ形成されてもよい。
前記プロセスチャンバ１００の内部空間は、一般に真空の雰囲気で形成されるので、前記チャンバ本体１１０の底面には各基板支持部載置溝１１４に存在する工程ガスを排出するための排気溝部（未図示）と排気ポート（未図示）を形成することができる。
前記排気ポート（未図示）は、外部に設けられたポンプに連結された排気ラインと連結されてもよい。
また、前記チャンバ本体１１０の底面には、後記する基板支持部３００のシャフト部３２０が挿入される貫通孔が各基板支持部載置溝１１４毎に形成されてもよい。
前記基板支持部載置溝１１４と後記する基板支持部３００との間には隙間が形成され、基板処理が完了したプロセスガス（例えば、原料ガス、プラズマガス、洗浄ガス等）が隙間に流入し、排気ポート（未図示）を介して排気することができる。
そして、前記プロセスチャンバ１００は、基板１の導入及び排出のための１つ以上のゲート（未図示）を形成することができる。
前記プロセスチャンバ１００は、基板処理実行のための電源印加システム、処理空間の圧力制御及び排気のための排気システムなどを連結又は設置することができる。
前記Ｎ個のガス噴射部２００は、前記Ｎ個の処理空間Ｓにそれぞれ対応して、前記プロセスチャンバ１００の上側に設けられ、前記処理空間Ｓにガスを噴射する構成であり、様々な構成が可能である。
前記ガス噴射部２００は、処理空間Ｓの個数に対応する数で設けられ、プロセスチャンバ１００の上側に設けられに各処理空間Ｓにプロセスガスを噴射することができる。
一例として、前記ガス噴射部２００は、上部リード１２０に設けられ、一側に形成されるガス流入部（未図示）と、ガス流入部を介して流入されたプロセスガスを拡散させる１つ以上の拡散プレート（未図示）と、拡散されたプロセスガスを処理空間Ｓに向けて噴射する複数の噴射孔（未図示）とを含むことができる。
前記Ｎ個の基板支持部３００は、前記ガス噴射部２００に対向して、基板１を支持する基板載置面３０２を備える構成であり、様々な構成が可能である。
前記基板支持部３００は、ガス噴射部２００ごとに対応して設けられ、ガス噴射部２００と上下に対向するように設けられてもよい。
一例として、前記基板支持部３００は、図１に示されるように、上面に基板１を支持する基板載置面３０２が形成される基板支持プレート３１０と、基板支持プレート３１０の底面に結合されて基板支持プレート３１０を支持し、上下駆動部（未図示）により上下移動可能に設けられたシャフト部３２０を含むことができる。
前記基板支持プレート３１０は、基板１の平面形状に対応する形状のプレートからなっていてもよい。
また、前記基板支持プレート３１０には、基板載置面３０２に支持された基板１を加熱するためのヒータ部（未図示）が内蔵されてもよい。
前記Ｎ個の基板支持部３００は、プロセスチャンバ１００の中央部を中心に円周方向に沿って等間隔で設けられてもよい。
前記基板支持部３００は、支持された基板１を吸着固定するための真空チャック又は静電チャックであってもよい。
前記シャフト部３２０は、前記基板支持プレート３１０に結合されて基板支持プレート３１０を支持するシャフトであり、前記プロセスチャンバ１００の下壁を貫通する開口１１２を通過して前記基板支持プレート３１０の底面に結合されることができ、プロセスチャンバの外部の別途昇下降駆動部により上下移動可能に結合することができる。
このとき、前記基板処理装置は、前記基板載置面３０２で基板１を持ち上げて上下離隔させるために、前記基板支持プレート３１０の下部に設けられる基板リフト部３３０をさらに含むことができる。
前記基板リフト部３３０は、基板ロード、アンロード、又はプロセスチャンバ１００内での基板搬送時、基板１が基板載置面３０２と上下離隔された状態で基板１を支持するための構成であり、様々な構成が可能である。
前記基板リフト部３３０は、前記基板支持プレート３１０を上下貫通して基板１の底面を支持する複数のリフトピン３３２、前記複数のリフトピン３３２が結合され、前記基板支持プレート３１０の下部に位置するリフトピン本体部３３４を含むことができる。
このとき、前記基板支持プレート３１０には、リフトピン３３２が貫通する貫通口が形成されてもよい。
前記リフトピン３３２の上側終端には、基板１の底面と接触する接触領域として、上側に向かうにつれて水平端面が広くなるようにテーパ状に形成された基板支持領域が形成される。
前記基板支持領域は、前記基板支持プレート３１０の貫通口よりも直径が広く形成されるので、貫通口の上側に物理的にかかって基板支持プレート３１０下側に抜けないように構成することができる。
このとき、貫通口の上側には、基板支持領域の形状に対応する形状に形成される凹部が形成されてもよい。
前記基板支持領域は、基板支持プレート３１０の上昇時に前記凹部に載置し、基板支持プレート３１０の基板載置面３０２上側に突出していない状態に維持することができる。
前記リフトピン本体部３３４は、基板支持プレート３１０下部に位置し、複数のリフトピン３３２が結合される本体であり、様々な構成が可能である。
一例として、前記リフトピン本体部３３４は、シャフト部３２０を囲むリング状に形成することができ、このとき、複数のリフトピン３３２は、リフトピン本体部３３４の周囲に沿って等間隔に配置されてもよい。
前記リフトピン本体部３３４は、基板支持領域が貫通口の上側凹部によって支持することができるので、別途の駆動手段なしに前記基板支持部３００の上下移動に連動して一緒に上下移動することができる。
すなわち、基板支持部３００が一定範囲以上上側に移動すると、プロセスチャンバ１００の底に支持されたリフトピン本体部３３４が基板支持部３００の凹部によって基板支持部３００と共に上側に移動し、再び基板支持部３００が下側に移動すると、リフトピン本体部３３４も一緒に下側に移動することができる。
前記基板支持部３００が下側に移動すると、リフトピン本体部３３４がプロセスチャンバ１００の底に支持され、それにより前記基板支持領域が貫通口上側凹部から上側に突出してリフトピン３３２が基板１を基板載置面３０２で上下離隔させた状態で支持することができる。
前記搬送支持部４００は、前記プロセスチャンバ１００に設けられ、搬送対象である前記基板１を搬送するために支持する構成であり、様々な構成が可能である。
このとき、前記搬送支持部４００は、プロセスチャンバ１００に設けられ、Ｎ個の基板支持部３００の一方の基板支持部３００側から他方の基板支持部３００側に基板１を搬送する構成であってもよい。
また、前記搬送支持部４００は、一方の基板支持部３００で後記する回転支持部５００に基板１を搬送するか、回転支持部５００から一方又は他方の基板支持部３００に基板１を搬送することができる。
例えば、前記搬送支持部４００は、少なくとも１つ以上の個数で設けられ、上面に基板１が載置される載置領域が形成された基板載置ブレード４１０と、基板載置ブレード４１０が結合され、基板搬送動力部６１０に連結され、垂直方向を中心に回転可能に設けられる結合本体部４２０を含むことができる。
前記基板載置ブレード４１０は、基板支持部３００のリフトピン３３２により上側に持ち上げられた基板１と基板載置面３０２との間に進入し、当該基板１を支持するための載置領域が形成される構成であり、様々な構成が可能である。
前記基板載置ブレード４１０は、Ｎ個の基板支持部３００に対応する個数で設けられ、前記結合本体部４２０に放射状に結合することができる。
一方、前記基板載置ブレード４１０は、工程環境に応じて様々な材質で構成することができるが、工程環境露出されることにより、高温に強く耐食性のある材質で形成されることが好ましい。一例として、前記基板載置ブレード４１０は、セラミック材質からなり、セラミック加工によって形成されるが、これに限定されない。
また、前記基板載置ブレード４１０は、リフトピン３３２と干渉せずに基板１を安定的に搬送又は伝達することができれば、様々な形状に形成することができ、一例として、図２Ａ及び図２Ｂに示されるように、フック状に形成することができる。
前記結合本体部４２０は、少なくとも１つの基板載置ブレード４１０が結合され、後記する基板搬送動力部６１０に連結されて垂直方向を中心に回転可能に設けられる構成であってもよい。
すなわち、前記結合本体部４２０は、後記する基板搬送動力部６１０を介して動力が伝達され、中心を通る垂直方向の第１回転軸Ｃ１を中心に回転することができ、これにより放射状に結合される基板載置ブレード４１０を回転させて基板１を搬送することができる。
例えば、前記結合本体部４２０は、回転支持部５００の中心側である後記する本体部５３１の上側に配置され、基板載置ブレード４１０が結合する結合本体４２１と、動力伝達部５２０を貫通して結合本体４２１の底面に結合して第１回転シャフト６１２と連結される結合本体支持部４２２を含むことができる。
前記結合本体４２１は、回転支持部５００中心で上側に配置され、少なくとも１つの基板載置ブレード４１０がネジ結合により結合することができ、結合本体支持部４２２と結合本体支持部４２２とに連結され、結合本体支持部４２２を回転させる基板搬送動力部６１０を介して回転する構成であってもよい。
前記結合本体支持部４２２は、後記する基板搬送動力部６１０と連結されるように一端が結合本体４２１の底面に結合し、他端が結合本体４２１と基板搬送動力部６１０との間に配置される動力伝達部５２０を貫通して基板搬送動力部６１０に連結される構成であってもよい。
このとき、前記結合本体支持部４２２は、動力伝達部５２０との干渉及び接触なしに動力伝達部５２０を貫通して基板搬送動力部６１０のうち第１回転シャフト６１２に連結でき、より具体的には、内部に形成された連結孔に第１回転シャフト６１２が挿入され、結合又は干渉することにより、第１回転シャフト６１２の回転に応じて回転することができる。
一方、前記結合本体支持部４２２は、結合本体４２１及び基板載置ブレード４１０に回転動力を伝達するために、結合本体４２１の底面に結合することができ、単に結合本体４２１の底面に配置され、回転に応じて結合本体４２１との干渉で結合本体４２１を回転させることもできる。
また、前記結合本体部４２０は、基板搬送動力部６１０を含む回転動力モジュール６００の後記する昇降駆動部７００を介した上下移動で共に上下移動することができ、これにより基板載置ブレード４１０を介して基板１を搬送することができる。
この場合、前記結合本体部４２０は、動力伝達部５２０の上側で上下移動することができ、結合本体支持部４２２が動力伝達部５２０を貫通した状態で干渉することなく上下移動することができる。
前記回転支持部５００は、基板１を、基板１を通る垂直方向の第２回転軸Ｃ２を中心に回転させる構成であり、様々な構成が可能である。
例えば、前記回転支持部５００は、基板１が載置され、載置される基板１を、基板１を通る垂直方向回転軸を中心に回転させる少なくとも１つの回転プレート５１０と、回転プレート５１０に回転動力を伝達する動力伝達部５２０とを含む。
また、前記回転支持部５００は、プロセスチャンバ１００下面に設けられ、内部に動力伝達部５２０が設けられる本体部５３１と、本体部５３１に放射状に形成され、内部終端に回転プレート５１０が設けられる延長部５３２を含む設置空間形成部５３０とをさらに含むことができる。
また、前記回転支持部５００は、本体部５３１に設けられ、設置空間形成部５３０の内部にパージガスを供給するパージガス流入部と、延長部５３２に設けられ、供給されたパージガスを外部にポンプするポンプガス流出部とを含むことができる。
前記回転プレート５１０は、基板１が載置され、配置される基板１を、基板１を通る垂直方向回転軸である第２回転軸Ｃ２を中心に回転させる構成であってもよい。
すなわち、前記回転プレート５１０は、中心に垂直方向の第２回転軸Ｃ２を中心に回転することにより、上部面に載置される基板１を第２回転軸Ｃ２を中心に回転させることができる。
このとき、前記回転プレート５１０は、後記する第１プーリ５２２の上部に結合され、第１プーリ５２２の回転に応じて回転することができ、フック状の基板載置ブレード４１０が干渉せず上下移動可能なように、適切なサイズに形成することができる。
一方、この場合、前記回転プレート５１０は、基板１と比較して小さい平面積を有する状態で基板１が載置され回転することにより、基板１の円滑な回転ができないことがあるので、基板１を吸着する静電チャック又は真空チャックで構成するか、基板１との摩擦が増大する材質で基板１を支持することができる。
前記回転プレート５１０は、Ｎ個の基板支持部３００のうちの少なくとも１つに設けられ、例えば、Ｎ個の基板支持部３００に支持されるＮ個の基板１を同時に回転させるようにＮ個を基板支持部３００の間にそれぞれ配置することができる。
これにより、前記回転プレート５１０は、Ｎ個の基板支持部３００の間に配置され、後記基板回転動力部６２０がプロセスチャンバ１００の平面上の中心から回転プレート５１０に連結されるように配置され、これらの回転プレート５１０に回転動力を提供することができる。
前記動力伝達部５２０は、回転プレート５１０に回転動力を伝達する構成であってもよい。
例えば、前記動力伝達部５２０は、基板回転動力部６２０に連結されて回転する主回転部材５２１と、回転プレート５１０下部に結合される第１プーリ５２２と、主回転部材５２１及び第１プーリ５２２に巻き取られ、主回転部材５２１の回転動力を伝達する動力伝達ベルト５２３を含むことができる。
また、前記動力伝達部５２０は、複数個設けられ、主回転部材５２１及び第１プーリ５２２と共に動力伝達ベルト５２３が巻き取られ、動力伝達ベルト５２３の設置方向を切り替える第２プーリ５２４をさらに含むことができる。
また、前記動力伝達部５２０は、前記主回転部材５２１を貫通して設けられた前記第２回転シャフト６２２と前記主回転部材５２１の間に設けられる少なくとも１つの第１軸受５２７と、前記主回転部材５２１と前記主回転部材５２１が設けられる本体部５３１の間に設けられる少なくとも１つの第２軸受５２８をさらに含むことができる。
前記主回転部材５２１は、基板回転動力部６２０に連結されて回転する構成であり、後記する設置空間形成部５３０のうち本体部５３１内に挿入されて設けられてもよい。
このとき、前記主回転部材５２１は、後記する基板回転動力部６２０に連結されて回転することができ、より具体的には、基板回転動力部６２０のうち第２回転シャフト６２２が挿入される貫通部５２９が形成され、第２回転シャフト６２２の回転に干渉して共に回転することができる。
このとき、前記貫通部５２９は、中心を基準に周方向に少なくとも１つ形成されてもよく、一例として、対称に一対が形成され、一対の第２回転シャフト６２２がそれぞれ挿入されて回転することにより、主回転部材５２１を回転させることができる。
このとき、前記貫通部５２９は、第２回転シャフト６２２の断面形状に対応して形成されてもよく、平面形状が円形又は多角形に形成されてもよい。
これにより、前記主回転部材５２１は、連結される動力伝達ベルト５２３を回転させ、最終的に第１プーリ５２２及び第１プーリ５２２の上側に結合される回転プレート５１０を回転させることができる。
このために、前記主回転部材５２１は、後記する動力伝達ベルト５２３が周囲少なくとも一部に巻き取られてもよく、回転で動力伝達ベルト５２３のうちの少なくとも一部を両方向に回転させ、これに連結される少なくとも１つの第１プーリ５２２を両方向に回転させることができる。
前記第１プーリ５２２は、延長部５３２の内部終端に設けられ、上側に結合される回転プレート５１０に対応して少なくとも１個、一例としてＮ個が設けられてもよい。
これにより、前記第１プーリ５２２は、主回転部材５２１の回転時に共に回転することができ、外周面に巻き取られる動力伝達ベルト５２３の張力を一定レベル以上に保持するためにプロセスチャンバ１００内に移動可能に設けることができる。
前記動力伝達ベルト５２３は、主回転部材５２１及び第１プーリ５２２に巻き取られて主回転部材５２１の回転動力を伝達する構成であってもよい。
すなわち、前記動力伝達ベルト５２３は、図５に示されるように、主回転部材５２１を中心に複数個設けられる第１プーリ５２２及び第２プーリ５２４の外周面の少なくとも一部に巻き取られており、これにより単一の動力伝達ベルト５２３で複数の第１プーリ５２２を単一の主回転部材５２１の回転に応じて回転させることができる。
前記第２プーリ５２４は、主回転部材５２１に隣接し、主回転部材５２１と第１プーリ５２２との間に適宜複数個配置され、動力伝達ベルト５２３の設置方向を切り替える構成であってもよい。
前記第１軸受５２７は、主回転部材５２１を貫通して設けられる第２回転シャフト６２２と主回転部材５２１との間に設けられる構成であり、第２回転シャフト６２２の貫通部５２９内での円滑な回転のために設けることができる。
このとき、前記第１軸受５２７は、図に示されるように、第２回転シャフト６２２に合わせて単一の構成で適用されてもよく、他の例として上下に互いに離隔して複数個設けられてもよい。
前記第２軸受５２８は、主回転部材５２１と主回転部材５２１が設けられる本体部５３１との間に設けられる構成であり、主回転部材５２１を本体部５３１内で円滑に回転するように設けることができる。
また、前記動力伝達部５２０は、それぞれ第１プーリ５２２及び第２プーリ５２４の下部に設けられ、これらを支持する第１プーリ支持部５２５及び第２プーリ支持部５２６を含むことができる。
前記第１プーリ支持部５２５は、第１プーリ５２２下部に設けられて第１プーリ５２２を支持する構成であり、第１プーリ５２２に対応して複数個設けられてもよく、延長部５３２の内部終端に設けることができる。
前記第２プーリ支持部５２６は、本体部５３１の上面に主回転部材５２１と隣接する位置に設けられてもよく、上部面に複数の第２プーリ５２４が設けられる構成であってもよい。
前記設置空間形成部５３０は、プロセスチャンバ１００下面に設けられ、内部に動力伝達部５２０が設けられる本体部５３１と、本体部５３１に放射状に形成され、内部終端に回転プレート５１０が設けられる延長部５３２を含むことができる。
すなわち、前記設置空間形成部５３０は、主回転部材５２１と第１プーリ５２２及びこれらの間を連結する動力伝達ベルト５２３が安定的に設けられるように、これに対応する形状で中心部に本体部５３１が設けられ、本体部５３１から放射状に延びて形成される延長部５３２を含むことができる。
また、前記設置空間形成部５３０は、内部空間が設けられる単一の構成で設けられてもよく、図４に示されるように、別途の上部カバー部５４０をさらに含むことができる。
このとき、前述した回転プレート５１０は、カバー部５４０の上部に露出するように設けられ、カバー部５４０を貫通して設置空間形成部５３０の内部に設けられる第１プーリ５２２と連結することができる。
一方、前記本体部５３１は、プロセスチャンバ１００の下面を貫通して設けられ、中空が形成される円柱形状を有することができる。
これにより、前記本体部５３１は、内部に主回転部材５２１、第１回転シャフト６１２及び第２回転シャフト６２２の構成を設けることができ、下部の回転動力モジュール６００構成と回転支持部５００及び搬送支持部４００のそれぞれを連結するようにしてもよい。
前記延長部５３２は、本体部５３１から放射状に延びて形成され、基板支持部３００の間に対応する形状に形成される。
前記パージガス流入部は、本体部５３１に設けられて設置空間形成部５３０の内部にパージガスを供給する構成であり、外部供給源に連結されて本体部５３１を介して本体部５３１側にパージガスを供給して誘導することができる。
前記ポンプガス流出部は、延長部５３２に設けられて供給されたパージガスを外部にポンプする構成であり、外部ポンプと連結されて供給されたパージガスをポンプして、本体部５３１側から供給されるパージガスを延長部５３２側に連続的な流れを誘導することができる。
前記回転動力モジュール６００は、プロセスチャンバ１００の下部に設けられ、搬送支持部４００及び回転支持部５００にそれぞれ回転動力を提供する構成であり、様々な構成が可能である。
例えば、前記回転動力モジュール６００は、前記基板１を搬送するように垂直方向の第１回転軸Ｃ１を中心に前記搬送支持部４００を回転させる基板搬送動力部６１０と、搬送過程で前記基板１が前記第２回転軸Ｃ２を中心に予め設定された角度で回転するように、前記回転支持部５００に回転動力を提供する基板回転動力部６２０を含むことができる。
また、前記回転動力モジュール６００は、プロセスチャンバ１００又は設置空間形成部５３０との間に設けられる磁性流体室６４０をさらに含むことができる。
また、前記回転動力モジュール６００は、基板搬送動力部６１０と基板回転動力部６２０を垂直方向にそれぞれ支持するように設けられた支持組立体６３０をさらに含むことができる。
前記支持組立体６３０は、基板搬送動力部６１０と基板回転動力部６２０を垂直方向にそれぞれ支持するように設けられる構成であり、様々な構成が可能である。
例えば、前記支持組立対６３０は、図７に示されるように、基板搬送動力部６１０を支持する第１支持部６３３及び基板回転動力部６２０を支持する第２支持部６３２及び最上端に設けられる最上端支持部６３４を含むことができる。
より具体的に、前記支持組立体６３０は、垂直方向に配置される基板搬送動力部６１０と基板回転動力部６２０をそれぞれ支持するように、上下方向に互いに離隔されて上部に第２支持部６３２を設け、下部に第１支持部６３３が設けられてもよい。
また、前記最上端支持部６３４は、後記するベローズ７３０がプロセスチャンバ１００の底面又は基板回転ハウジング５３１底面との間に設けられてもよい。
一方、前記支持組立体６３０は、側面に第１支持部６３３、第２支持部６３２及び最上端支持部６３４に連結され、後記する昇降駆動部７００を介した上下移動をガイドするガイド部６３１をさらに設けることができ、このとき、ガイド部６３１はＬＭガイドを適用することができる。
一方、前記第１支持部６３３及び最上端支持部６３４は、それぞれ後記する基板搬送動力部６１０から延びる第１回転シャフト６１２が貫通するように中心が貫通して形成されてもよい。
前記基板搬送動力部６１０は、下側の第１支持部６３３に支持されて搬送支持部４００と連結されることにより回転動力を提供する構成であり、様々な構成が可能である。
例えば、前記基板搬送動力部６１０は、回転動力を提供する基板搬送回転モータ６１１と、一端が基板搬送回転モータ６１１に連結され、他端が搬送支持部４００に連結されて回転する第１回転シャフト６１２を含むことができる。
より具体的に、前記基板搬送動力部６１０は、基板搬送回転モータ６１１が第１支持部６３３に支持された状態で、上側方向に延びて連結される第１回転シャフト６１２を含むことができる。
このとき、第１回転シャフト６１２は、基板搬送回転モータ６１１に連結されて第１回転軸Ｃ１に沿って連結され、第２支持部６３２及び最上端支持部６３４を貫通して上側方面に延びてもよい。
これにより、前記第１回転シャフト６１２は、図６に示されるように、第２回転シャフト連結部６２３を貫通して結合本体支持部４２１に連結され、結合本体支持部４２１を回転させることにより搬送支持部４００を回転させることができる。
このとき、前記第１回転シャフト６１２は、結合本体支持部４２１と一体的に回転するように終端が結合されてもよく、他の例として、結合本体支持部４２１に形成される溝に少なくとも一部が挿入され、干渉を介して一体に回転することができる。
さらに、前記第１回転シャフト６１２は、終端が結合本体支持部４２１に結合されることにより、後記する昇降駆動部７００による支持組立体６３０の上昇又は下降で結合本体支持部４２１を上昇又は下降させ、搬送支持部４００を上下移動させることができる。
前記基板回転動力部６２０は、基板搬送動力部６１０の垂直方向上側に配置され、動力伝達部５２０に回転動力を提供する構成であり、様々な構成が可能である。
例えば、前記基板回転動力部６２０は、第２支持部６３２に支持されて回転動力を提供する基板回転モータ６２１と、一端が基板回転モータ６２１に連結され、他端が動力伝達部５２０に連結されて回転する第２回転シャフト６２２を含むことができる。
また、前記基板回転動力部６２０は、第２回転シャフト６２２と基板回転モータ６２１との間を連結する第２回転シャフト連結部６２３をさらに含むことができる。
このとき、前記基板回転動力部６２０は、前述した第１回転シャフト６１２が中心を貫通して設けられるように、中空が形成されてもよい。
すなわち、前記基板回転動力部６２０は、基板搬送動力部６１０の上側に配置され、第１回転シャフト６１２が貫通して搬送支持部４００に連結されるように貫通孔が形成される。
前記基板回転モータ６２１は、第２支持部６３２に垂直方向に基板搬送回転モータ６１１と重なるように配置されて回転動力を提供する構成であってもよい。
前記第２回転シャフト６２２は、第１回転シャフト６１２の周囲に複数個配置されてもよく、前述した主回転部材５２１に形成される貫通部５２９に挿入及び干渉され、回転に応じて主回転部材５２１を回転させることができる。
このために、前記第２回転シャフト６２２は、基板回転モータ６２１と連結されて上側方面に延びて形成されてもよく、第１回転シャフト６１２の周囲に複数個配置されてもよい。
前記第２回転シャフト連結部６２３は、複数の第２回転シャフト６２２が下側終端で結合されるリング状の構造であり、上部面で複数の第２回転シャフト６２２が結合し、下部面から延びて基板回転モータ６２１と連結することができる。
このとき、前記第２回転シャフト連結部６２３は、中心を第１回転シャフト６１２が貫通するように、リング状に設けられてもよい。
前記磁性流体室６４０は、第２回転シャフト６２２を囲んで設けられる構成であり、様々な構成が可能である。
例えば、前記第２回転シャフト６２２及び第２回転シャフト６２２の内側に配置される第１回転シャフト６１２の回転にも真空と常圧との間のシールが円滑に保持されるように設けられる構成であり、従来開示されたいずれの形態も適用可能である。
この場合、前記磁性流体室６４０は、第１回転シャフト６１２と第１回転シャフト６１２の外周面に隣接して配置される複数の第２回転シャフト６２２を囲んで設けられてもよく、プロセスチャンバ１００下面又は設置空間形成部５３０と最上端支持部６３４との間に設けられてシールを行うことができる。
前記昇降駆動部７００は、搬送支持部４００が上下に移動するように回転動力モジュール６００を上下に移動させる構成であり、様々な構成が可能である。
例えば、前記昇降駆動部７００は、図７に示されるように、支持組立体６３０に連結される昇降動力伝達部７１０と、昇降動力伝達部７１０を介して支持組立体６３０を上下に移動させる昇降駆動源７２０を含むことができる。
また、前記昇降駆動部７００は、上下移動に応じて支持組立体６３０と本体部５３１の底面との間に設けられるベローズ７３０をさらに含むことができる。
また、前記昇降駆動部７００は、支持組立体６３０と連結され、昇降動力伝達部７１０を支持する昇降支持部７４０をさらに含むことができる。
前記昇降駆動源７２０は、支持組立体６３０の下端に支持されて設けられた駆動モータ又はシリンダ型のアクチュエータを含むことができる。
前記昇降動力伝達部７１０は、昇降駆動源７２０と支持組立体６３０との間をそれぞれ連結する昇降プーリ部７１１、７１２と、それらの間で駆動を伝達する昇降ベルト部７１３及び昇降プーリ部７１１、７１２のいずれか一方が一端に連結され、他端が第１支持部６３３に連結され、昇降駆動源７２０から昇降プーリ部７１１、７１２を介して伝達される回転動力によって上下移動することにより、前記支持組立体６３０を上下に移動させる昇降シャフト７１４を含むことができる。
例えば、前記昇降シャフト７１４は、昇降支持部７４０にボルト結合するように貫通設置され、一端が昇降プーリ部７１１、７１２のうち出力側に結合し、他端が第１支持部６３３底面に結合された状態で、昇降プーリ部７１２の回転に応じて上下移動して支持組立体６３０を上下に移動させることができる。
これにより、昇降駆動部７００は、支持組立体６３０を上下に移動させることができ、支持組立体６３０の移動により第１回転シャフト６１２が上昇又は下降することにより、搬送支持部４００を上下に移動させることができる。
以上は、本発明によって具現することができる好ましい実施例の一部について説明したものに過ぎず、周知のように本発明の範囲は、前記の実施例に限定されて解釈されるべきではなく、前述した本発明の技術的思想とその基礎を合わせた技術的思想は、全て本発明の範囲に含まれる。
１：基板
１００：プロセスチャンバ
２００：ガス噴射部
３００：基板支持部
４００：搬送支持部
５００：回転支持部
６００：回転動力モジュール

Claims (18)

  1. 基板を処理するために互いに区分されたＮ個の処理空間（Ｎは、２以上の自然数）が形成されるプロセスチャンバと、
    Ｎ個の前記処理空間にそれぞれ対応して、前記プロセスチャンバの上側に設けられ、前記処理空間にガスを噴射するＮ個のガス噴射部と、
    前記ガス噴射部に対向して、前記基板を支持するＮ個の基板支持部と、
    前記プロセスチャンバに設けられ、搬送対象である前記基板の搬送のために前記基板を支持する搬送支持部と、
    前記搬送支持部の回転駆動により、基板搬送経路である互いに隣接する前記基板支持部間に設けられ、前記基板が前記基板を通る垂直方向の第２回転軸を中心に回転するようにそれぞれ載置される回転支持部と、
    前記プロセスチャンバの下側に設けられ、前記搬送支持部及び前記回転支持部にそれぞれ回転動力を提供する回転動力モジュールと、
    を含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記回転動力モジュールは、
    前記基板を搬送するように垂直方向の第１回転軸を中心に、前記搬送支持部を回転させる基板搬送動力部と、搬送過程で前記基板が前記第２回転軸を中心に予め設定された角度で回転するように、前記回転支持部に回転動力を提供する基板回転動力部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記基板回転動力部は、
    回転動力を提供する基板回転モータと、一端が前記基板回転モータに連結され、他端が前記回転支持部に連結されて回転する第２回転シャフトと、を含み、
    前記基板搬送動力部は、
    回転動力を提供する基板搬送回転モータと、一端が前記基板搬送回転モータに連結され、他端が前記搬送支持部に連結されて回転する第１回転シャフトと、を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記回転支持部は、
    Ｎ個の前記基板支持部間に設けられ、前記基板がそれぞれ載置され、載置される前記基板を前記第２回転軸を中心に回転させるＮ個の回転プレートと、前記基板回転動力部から提供される回転動力を前記回転プレートに伝達する動力伝達部と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記搬送支持部は、
    少なくとも１つ以上の個数で設けられ、上面に前記基板が支持される支持領域が形成された基板載置ブレードと、前記基板載置ブレードが結合され、前記基板搬送動力部に連結され、前記第１回転軸を中心に回転可能に設けられる結合本体部と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記結合本体部は、
    前記動力伝達部の上側に配置され、前記基板載置ブレードが結合する結合本体と、前記動力伝達部を貫通して前記結合本体の底面に結合し、前記第１回転シャフトと連結される結合本体支持部と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記動力伝達部は、
    前記基板回転動力部に連結され回転する主回転部材と、前記回転プレート下部に結合される第１プーリと、前記主回転部材及び前記第１プーリに巻き取られ、前記主回転部材の回転動力を伝達する動力伝達ベルトと、を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  8. 前記動力伝達部は、
    複数個設けられ、前記主回転部材及び前記第１プーリと共に、前記動力伝達ベルトが巻き取られ、前記動力伝達ベルトの設置方向を切り替える第２プーリをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記動力伝達部は、
    前記主回転部材を貫通して設けられる前記第２回転シャフトと前記主回転部材との間に設けられる少なくとも１つの第１軸受を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 前記回転支持部は、
    内部に前記動力伝達部が設けられる設置空間を形成するように、前記プロセスチャンバに設けられる設置空間形成部を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  11. 前記設置空間形成部は、
    内部空間を有し、前記プロセスチャンバの下面中心に設けられる本体部と、前記本体部から前記回転プレートの位置に対応して、半径方向に延びて設けられる延長部と、を含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記回転支持部は、
    前記本体部に設けられ、前記設置空間にパージガスを供給するパージガス流入部と、前記延長部に設けられ供給された前記パージガスを外部にポンプするポンプガス流出部と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記基板回転モータ及び前記基板搬送回転モータは、垂直方向に上下配置され、
    前記第１回転シャフトは、前記基板回転モータに形成される貫通孔を貫通して、前記搬送支持部に連結されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  14. 前記回転動力モジュールは、
    前記第２回転シャフトを囲んで設けられる磁性流体室をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  15. 前記回転動力モジュールは、
    前記基板搬送動力部と前記基板回転動力部をそれぞれ支持するように設けられる支持組立体をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  16. 前記搬送支持部が上下に移動するように、前記回転動力モジュールを上下に移動させる昇降駆動部をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記昇降駆動部は、
    前記支持組立体に連結される昇降動力伝達部と、前記昇降動力伝達部を介して前記支持組立体を上下に移動させる昇降駆動源と、を含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記昇降駆動部は、
    前記支持組立体と前記プロセスチャンバとの間に設けられるベローズをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
JP2022190178A 2021-11-29 2022-11-29 基板処理装置 Pending JP2023080055A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0167419 2021-11-29
KR1020210167419A KR20230080046A (ko) 2021-11-29 2021-11-29 기판처리장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023080055A true JP2023080055A (ja) 2023-06-08

Family

ID=86449584

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022190178A Pending JP2023080055A (ja) 2021-11-29 2022-11-29 基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230170247A1 (ja)
JP (1) JP2023080055A (ja)
KR (1) KR20230080046A (ja)
CN (1) CN116190304A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
CN116190304A (zh) 2023-05-30
KR20230080046A (ko) 2023-06-07
US20230170247A1 (en) 2023-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102010720B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20060180968A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus
KR20190074481A (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
KR20010020987A (ko) 기판처리장치
KR20130116218A (ko) 멀티 스테이션 순차식 프로세싱 시스템용 캐러셀 리액터
JP2008131019A (ja) ガス導入機構及び被処理体の処理装置
KR20130077582A (ko) 기판 이송장치 및 이를 이용한 기판 처리장치
CN112593208A (zh) 半导体工艺设备
US20030136341A1 (en) Wafer lift pin for manufacturing a semiconductor device
JP2015170772A (ja) 基板処理装置
JP2023080055A (ja) 基板処理装置
KR20100044960A (ko) 기판 처리 장치
KR101421645B1 (ko) 기판처리장치
KR101573453B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20140020016A (ko) 증착 장치
KR101343336B1 (ko) 박막증착장치
CN114649256A (zh) 旋转基座装置及半导体工艺设备
KR100919661B1 (ko) 반도체 제조 장치
KR20210079781A (ko) 기판 처리 장치
KR102673030B1 (ko) 회전하는 가스 터렛을 갖는 박막 증착 장치
KR20230080048A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
CN110875180A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
US20230405648A1 (en) Moving assembly for recovery guard and substrate processing apparatus
KR20100045072A (ko) 복수기판 처리장치
KR20090085301A (ko) 세미 배치 타입의 기판처리장치 및 이를 이용한 기판의로딩 및 언로딩 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221129

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20240116

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20240416

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240527