JP2023078530A - 管理装置およびリフロー装置ならびに管理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板が炉に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができる管理装置およびリフロー装置ならびに管理方法を提供する。【解決手段】基板を搬送しながら加熱するリフロー装置の炉に基板が位置していたときの炉内の温度または酸素濃度を特定する管理方法は、炉内の温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、リフロー装置における基板の搬送履歴情報とを取得し（ＳＴ１）、雰囲気履歴情報と搬送履歴情報とに基づいて、基板が炉に位置していたときの温度または酸素濃度を特定する（ＳＴ２～ＳＴ３）。【選択図】図１０

Description

本発明は、リフロー装置を含む実装基板製造ラインの管理装置およびリフロー装置ならびに管理方法に関する。

実装基板製造ラインでは、印刷装置により基板にはんだを印刷し、部品実装装置によりはんだが印刷された基板に部品を搭載し、リフロー装置により基板を搬送しながら加熱して基板に部品をはんだ付けすることにより、実装基板が製造される（例えば、特許文献１）。特許文献１に記載のリフロー装置は、複数の炉毎に温度調整可能な加熱装置と、酸素濃度などの雰囲気を調整する雰囲気調整部を備えており、各炉は温度や酸素濃度の計測結果に基づいて予め設定されたリフロー条件に合致するように温度や酸素濃度が制御されている。

特開２０１６－２１９６３６号公報

しかしながら特許文献１を含む従来技術では、リフロー装置の炉内の温度や酸素濃度は所定のリフロー条件に合致するように制御されているものの、炉内に順次投入される基板の影響で現実の温度と酸素濃度は変動しており、また、リフロー装置内の基板の位置を検出することができないため、基板が炉に位置していたときの温度や酸素濃度に基づいて実装基板の品質を管理したり、リフロー装置の温度や酸素濃度をより精密に制御したりするためには更なる改善の余地があった。

そこで本発明は、基板が炉に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができる管理装置およびリフロー装置ならびに管理方法を提供することを目的とする。

本発明の管理装置は、基板を搬送しながら加熱するリフロー装置を少なくとも含む実装基板製造ラインの管理装置であって、前記リフロー装置の炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における前記基板の搬送履歴情報とを取得する取得部と、前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する特定部と、を備える。

本発明のリフロー装置は、部品が搭載された基板を搬送しながら加熱してはんだを固化させるリフロー装置であって、前記基板を加熱するための炉と、前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度を計測する計測部と、計測された前記温度または前記酸素濃度と、前記リフロー装置における前記基板の搬送情報に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する特定部と、を備える。

本発明の他のリフロー装置は、部品が搭載された基板を搬送しながら加熱してはんだを固化させるリフロー装置であって、前記基板を加熱するための炉と、前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度を計測する計測部と、前記基板を搬送する基板搬送部と、前記炉より前の所定位置を通過する前記基板を検出する基板検出部と、を備え、前記計測部は、前記基板検出部が前記基板を検出した後、所定時間後に前記温度または前記酸素濃度を計測する。

本発明の管理方法は、基板を搬送しながら加熱するリフロー装置の炉に前記基板が位置していたときの前記炉内の温度または酸素濃度を特定する管理方法であって、前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における基板の搬送履歴情報とを取得し、前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報とに基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する。

本発明によれば、基板が炉に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができる。

本発明の一実施の形態の実装基板製造システムの構成説明図 本発明の一実施の形態の実装基板製造ラインが備えるリフロー装置の要部の構造を示す説明図 本発明の一実施の形態の実装基板製造システムの構成を示すブロック図 本発明の一実施の形態の管理装置で使用される雰囲気履歴情報の一例の説明図 本発明の一実施の形態の管理装置で使用される搬送履歴情報の一例の説明図 本発明の一実施の形態のリフロー装置の炉内を搬送される基板と計測時刻の関係の説明図 （ａ）（ｂ）本発明の一実施の形態のリフロー装置の炉内を搬送される基板の酸素濃度の特定方法の一例の説明図 本発明の一実施の形態の管理装置で作成される基板別履歴情報の一例の説明図 本発明の一実施の形態のリフロー装置の炉内の酸素濃度の管理方法の一例の説明図 本発明の一実施の形態の管理方法のフロー図 本発明の一実施の形態のリフロー装置の他の実施例を備える実装基板製造システムの構成を示すブロック図 本発明の一実施の形態のリフロー装置の他の実施例を備える実装基板製造システムの構成を示すブロック図 本発明の一実施の形態のリフロー装置の他の実施例の炉内を搬送される基板と計測時刻の関係の説明図 本発明の一実施の形態の管理方法の他の実施例のフロー図

以下に図面を用いて、本発明の一実施の形態を詳細に説明する。以下で述べる構成、形状等は説明のための例示であって、実装基板製造システム、管理装置、リフロー装置の仕様に応じ、適宜変更が可能である。以下では、全ての図面において対応する要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図２では、基板搬送方向のＸ軸（図２における左右方向）、水平面と直交する高さ方向としてＺ軸（図２における上下方向）が示される。Ｚ軸は、リフロー装置が水平面上に設置された場合の上下方向または直交方向である。

まず図１を参照して、実装基板製造システム１の構成を説明する。実装基板製造システム１は、実装基板製造ラインＰＬ１を通信ネットワーク２によって接続し、管理装置３によって管理する構成となっている。実装基板製造システム１は、基板に部品を実装した実装基板を連続して製造する機能を有している。実装基板製造ラインＰＬ１は、基板搬送方向の上流（紙面左側）から下流（紙面右側）に向けて、基板供給装置Ｍ１、印刷装置Ｍ２、部品実装装置Ｍ３～Ｍ６、リフロー装置Ｍ７、基板回収装置Ｍ８などの生産作業を実行する生産設備を直列に連結して構成されている。

基板供給装置Ｍ１、印刷装置Ｍ２、部品実装装置Ｍ３～Ｍ６、リフロー装置Ｍ７、基板回収装置Ｍ８は、通信ネットワーク２を介して管理装置３に接続されている。管理装置３は、各装置で使用される制御プログラムなどを含む生産データなどを記憶し、各装置による製造作業を統括して制御する。なお、実装基板製造ラインＰＬ１は通信ネットワーク２を介して接続される生産設備群であって、物理的に生産設備同士が連結されていなくてもよい。

図１において、基板供給装置Ｍ１は、複数の基板を収納するラック等の収納部を備え、収納部から取り出した基板を下流の装置に供給する基板供給作業を実行する。また、基板供給装置Ｍ１は、基板に付されたバーコードや２次元コードなどの基板ラベルを読み取って基板を特定する基板の識別情報（基板ＩＤ）を読み取る内蔵リーダ（図示省略）を備えている。基板供給装置Ｍ１は、基板の基板ラベルから基板の識別情報を読み取って、管理装置３に送信する。印刷装置Ｍ２は、印刷作業部に装着されたスクリーンマスクを介して上流から搬入された基板にはんだを印刷するはんだ印刷作業を実行する。

部品実装装置Ｍ３～Ｍ６は、はんだが印刷された基板に部品供給装置が供給する部品を実装ヘッドで搭載する部品実装作業を実行する。なお、実装基板製造システム１は、部品実装装置Ｍ３～Ｍ６が４台の構成に限定されることなく、部品実装装置Ｍ３～Ｍ６が１～３台であっても５台以上であってもよい。リフロー装置Ｍ７は、装置内に搬入された基板を加熱部によって加熱して基板上のはんだを融解させた後に硬化させ、基板の電極部と部品の電極とを接合する基板加熱作業を実行する。基板回収装置Ｍ８は、複数の基板を収納するラック等の収納部を備え、上流の装置が搬出する基板を受け取って収納部に回収する基板回収作業を実行する。

次に図２を参照して、リフロー装置Ｍ７の構成と機能について説明する。リフロー装置Ｍ７は、６つの炉Ｆ１～Ｆ６を備えている。リフロー装置Ｍ７の基台４上には、リフロー装置Ｍ７において基板Ｂを上流から下流に移動させる基板搬送部５がＸ軸に沿って配置されている。各炉Ｆ１～Ｆ６には、炉Ｆ１～Ｆ６内を加熱する加熱部Ｈ１～Ｈ６と、炉Ｆ１～Ｆ６内の温度を計測する温度センサＳ１～Ｓ６がそれぞれ配置されている。以下、上流から順に第１炉Ｆ１、第２炉Ｆ２、第３炉Ｆ３、第４炉Ｆ４、第５炉Ｆ５、第６炉Ｆ６と称する。また、各炉Ｆ１～Ｆ６内であって、基板Ｂが移動しながら加熱される領域を、ゾーンＺ１～Ｚ６と称する。各ゾーンＺ１～Ｚ６内で基板Ｂが搬送される距離（ゾーンＺ１～Ｚ６の長さ）は、それぞれ搬送距離Ｌ１～Ｌ６である。

部品実装装置Ｍ６から搬出された基板Ｂは、搬入口６からリフロー装置Ｍ７に投入される。搬入口６から投入された基板Ｂは、基板搬送部５により一定の搬送速度ＶでゾーンＺ１～Ｚ６を順に搬送されながら加熱され、搬出口７から基板回収装置Ｍ８に向けて搬出される。第５炉Ｆ５には、第５炉Ｆ５内に窒素などの不活性ガスを導入するガス導入部８と、第５炉Ｆ５内の酸素濃度を計測する酸素濃度センサ９が配置されている。すなわち、ガス導入部８は、酸素濃度が計測される第５炉Ｆ５内に不活性ガスを導入する。なお、ガス導入部８と酸素濃度センサ９は、第５炉Ｆ５以外の炉（例えば、第４炉Ｆ４）にも配置してよい。

図２において、搬入口６の上方には、搬入口６から投入される基板Ｂを検出する遮光センサなどの搬入センサ１０が配置されている。なお、搬入センサ１０の配置位置は、搬入口６の下方であっても、搬入口６の側方であってもよい。また、各炉Ｆ１～Ｆ６内にも、基板Ｂが炉Ｆ１～Ｆ６内の所定位置を通過したことを検出するセンサを配置してもよい。

次に、図３を参照して、実装基板製造システム１の制御系の構成を説明する。ここでは、実装基板製造システム１が有する機能のうち、リフロー装置Ｍ７の炉Ｆ１～Ｆ６内の温度と酸素濃度を特定し、温度と酸素濃度が所定の状態に維持されるように管理する機能を中心に説明する。管理装置３、基板供給装置Ｍ１、印刷装置Ｍ２、部品実装装置Ｍ３～Ｍ６、リフロー装置Ｍ７、基板回収装置Ｍ８は、通信ネットワーク２を介して相互に接続されている。

リフロー装置Ｍ７は、リフロー制御装置２０、基板搬送部５、加熱部Ｈ１～Ｈ６、ガス導入部８、酸素濃度センサ９、搬入センサ１０、温度センサＳ１～Ｓ６、タッチパネル２７を備えている。リフロー制御装置２０は、リフロー記憶部２１、基板検出処理部２２、温度計測処理部２３、酸素計測処理部２４、リフロー制御部２５、リフロー通信部２６を備えている。リフロー通信部２６は、通信ネットワーク２を介して管理装置３と、リフロー装置Ｍ７に向けて基板Ｂを搬出する部品実装装置Ｍ６との間でデータの送受信を行う。タッチパネル２７は、その表示部に各種情報を表示し、また表示部に表示される操作ボタンなどを使って作業者がデータ入力やリフロー装置Ｍ７の操作を行う。

図３において、リフロー記憶部２１は記憶装置であり、リフロー条件２１ａ、温度履歴２１ｂ、酸素濃度履歴２１ｃ、基板搬入履歴２１ｄなどが記憶されている。リフロー条件２１ａには、各炉Ｆ１～Ｆ６の炉内の温度の設定値（設定炉内温度）、ガス導入部８と酸素濃度センサ９を備える第５炉Ｆ５の炉内の酸素濃度の設定値（設定酸素濃度）、リフロー装置Ｍ７の基板搬送部５が基板Ｂを搬送する搬送速度Ｖの設定値（設定搬送速度）、搬入口６からリフロー装置Ｍ７に基板Ｂを投入する間隔の最小値（設定投入間隔）などが記憶されている。

基板検出処理部２２は、搬入センサ１０の検出結果からリフロー装置Ｍ７の搬入口６を通過する基板Ｂを検出する。基板検出処理部２２は、管理装置３から送信されたリフロー装置Ｍ７に投入される基板Ｂの識別情報と、基板Ｂが搬入口６で検出された時刻（第２時刻）を紐づけて、基板搬入履歴２１ｄとしてリフロー記憶部２１に記憶させる。このように、搬入センサ１０と基板検出処理部２２は、炉Ｆ１～Ｆ６より前のリフロー装置Ｍ７の所定位置（基板検出位置ＤＰ）を通過する基板Ｂを検出する基板検出部３０を構成する。

図３において、温度計測処理部２３は、各炉Ｆ１～Ｆ６に設置された温度センサＳ１～Ｓ６による温度の計測結果から、各炉Ｆ１～Ｆ６の炉内温度を計測する。温度計測処理部２３は、所定の時刻（例えば、１分間隔）に炉内温度を計測し、計測時刻と紐づけて温度履歴２１ｂとしてリフロー記憶部２１に記憶させる。このように、温度センサＳ１～Ｓ６と温度計測処理部２３は、炉Ｆ１～Ｆ６内（ゾーンＺ１～Ｚ６内）の温度（炉内温度）を計測する温度計測部３１を構成する。

酸素計測処理部２４は、第５炉Ｆ５に設置された酸素濃度センサ９による酸素濃度の計測結果から、第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度を計測する。酸素計測処理部２４は、所定の時刻（例えば、１分間隔）に炉内酸素濃度を計測し、計測時刻と紐づけて酸素濃度履歴２１ｃとしてリフロー記憶部２１に記憶させる。このように、酸素濃度センサ９と酸素計測処理部２４は、第５炉Ｆ５内（ゾーンＺ５内）の酸素濃度（炉内酸素濃度）を計測する酸素濃度計測部３２を構成する。なお、温度計測部３１と酸素濃度計測部３２の計測時刻や計測間隔は、必ずしも同一である必要はない。

図３において、リフロー制御部２５は、リフロー条件２１ａに含まれる各種の設定値、温度計測部３１が計測した炉内温度、酸素濃度計測部３２が計測した炉内酸素濃度、管理装置３から送信される各種の指令に基づいて、基板搬送部５、ガス導入部８、加熱部Ｈ１～Ｈ６を制御する。

具体的には、リフロー制御部２５は、リフロー装置Ｍ７内を搬送される基板Ｂの搬送速度Ｖがリフロー条件２１ａに含まれる設定搬送速度となるように、基板搬送部５を制御する。また、リフロー制御部２５は、温度計測部３１が計測した炉内温度に基づいて、各炉Ｆ１～Ｆ６の炉内温度がリフロー条件２１ａに含まれる設定炉内温度に維持されるように加熱部Ｈ１～Ｈ６をフィードバック制御する。

また、リフロー制御部２５は、酸素濃度計測部３２が計測した炉内酸素濃度に基づいて、第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度がリフロー条件２１ａに含まれる設定酸素濃度に維持されるようにガス導入部８が導入する不活性ガスの量をフィードバック制御する。また、リフロー制御部２５は、管理装置３から送信される第５炉Ｆ５内の酸素濃度を下げる旨の指令に基づいて、ガス導入部８から導入される不活性ガスの量を増加させる。

このように、リフロー装置Ｍ７は、基板Ｂを加熱するための炉Ｆ１～Ｆ６と、炉Ｆ１～Ｆ６内の少なくとも温度または酸素濃度を計測する計測部（温度計測部３１、酸素濃度計測部３２）と、基板Ｂを搬送する基板搬送部５と、炉Ｆ１～Ｆ６より前の所定位置（基板検出位置ＤＰ）を通過する基板Ｂを検出する基板検出部３０を備えており、部品が搭載された基板Ｂを搬送しながら加熱してはんだを固化させる。

図３において、管理装置３が備える管理処理装置４０は、管理記憶部４１、取得部４２、特定部４３、算出部４４、解析部４５、入力部４６、表示部４７、管理通信部４８を備えている。入力部４６は、キーボード、タッチパネル、マウスなどの入力装置であり、操作コマンドやデータ入力時などに用いられる。表示部４７は液晶パネルなどの表示装置であり、入力部４６による操作のための操作画面などの各種画面などの各種情報を表示する。管理通信部４８は通信インターフェースであり、通信ネットワーク２を介して基板供給装置Ｍ１、印刷装置Ｍ２、部品実装装置Ｍ３～Ｍ６、リフロー装置Ｍ７、基板回収装置Ｍ８との間で信号、データの授受を行う。

管理記憶部４１は記憶装置であり、生産データ４１ａ、基板情報４１ｂ、雰囲気履歴情報４１ｃ、搬送履歴情報４１ｄ、搬送速度情報４１ｅ、搬送距離情報４１ｆ、基板別履歴情報４１ｇなどを記憶する。生産データ４１ａには、実装基板の生産機種名（基板名）、基板Ｂに実装される部品の種類（部品名）、部品のサイズ、実装位置（ＸＹ座標）、実装方向（θ方向）などの情報が含まれている。

図３において、基板情報４１ｂには、基板供給装置Ｍ１から送信される印刷装置Ｍ２に向けて搬出された基板Ｂの識別情報、印刷装置Ｍ２、部品実装装置Ｍ３～Ｍ６、リフロー装置Ｍ７、基板回収装置Ｍ８から送信される基板Ｂの搬入情報、搬出情報に基づいて、実装基板製造ラインＰＬ１における基板Ｂの位置が識別情報に紐付けられて記憶されている。管理通信部４８は、基板情報４１ｂに基づいて、印刷装置Ｍ２、部品実装装置Ｍ３～Ｍ６、リフロー装置Ｍ７、基板回収装置Ｍ８に対して、上流の装置から搬入される基板Ｂの識別情報を送信する。例えば、リフロー装置Ｍ７に対しては、上流の部品実装装置Ｍ６から搬入される基板Ｂの識別情報が送信される。

取得部４２は、リフロー装置Ｍ７から温度履歴２１ｂと酸素濃度履歴２１ｃを取得して、雰囲気履歴情報４１ｃとして管理記憶部４１に記憶させる。なお、取得部４２は、温度履歴２１ｂと酸素濃度履歴２１ｃの両方ではなく、いずれか一方のみを取得して雰囲気履歴情報４１ｃとして記憶させるようにしてもよい。すなわち、取得部４２は、所定時間毎に計測された、リフロー装置Ｍ７の炉Ｆ１～Ｆ６内の少なくとも温度（炉内温度）または酸素濃度（炉内酸素濃度）の計測結果を含む雰囲気履歴情報４１ｃを取得する。

ここで、図４を参照して、雰囲気履歴情報４１ｃの一例について説明する。雰囲気履歴情報４１ｃには、計測時刻５０毎に、第１炉Ｆ１の炉内温度５１、第２炉Ｆ２の炉内温度５２、第３炉Ｆ３の炉内温度５３、第４炉Ｆ４の炉内温度５４、第５炉Ｆ５の炉内温度５５、第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度５６、第６炉Ｆ６の炉内温度５７が記録されている。

図３において、取得部４２は、リフロー装置Ｍ７から基板搬入履歴２１ｄを取得して、搬送履歴情報４１ｄとして管理記憶部４１に記憶させる。すなわち、取得部４２は、リフロー装置Ｍ７の搬入口６（基板検出位置ＤＰ）を基板Ｂが通過した通過時刻（第２時刻）をリフロー装置Ｍ７における基板Ｂの搬送履歴情報４１ｄとして取得する。

ここで、図５を参照して、搬送履歴情報４１ｄの一例について説明する。搬送履歴情報４１ｄには、基板Ｂの識別情報５８毎に、基板Ｂが搬入口６（基板検出位置ＤＰ）を通過した通過時刻５９が記録されている。この例では、基板Ｂが搬入口６を通過した順番で、基板Ｂの識別情報５８が表示されている。このように、搬送履歴情報４１ｄは、基板Ｂがリフロー装置Ｍ７の所定位置（基板検出位置ＤＰ）を通過した第２時刻（通過時刻５９）を含んでいる。

なお、後述する基板別履歴情報４１ｇの作成のみを目的とする場合は、取得部４２は、実装基板の生産終了時点などに、雰囲気履歴情報４１ｃと搬送履歴情報４１ｄを取得する。また、基板別履歴情報４１ｇの作成の他にリフロー装置Ｍ７の炉内温度と炉内酸素濃度の制御を目的とする場合は、取得部４２は、所定の間隔（例えば、炉内温度や炉内酸素濃度が計測される毎）に、雰囲気履歴情報４１ｃと搬送履歴情報４１ｄを取得する。

図３において、搬送速度情報４１ｅには、リフロー装置Ｍ７が基板Ｂを搬送する搬送速度Ｖが記憶されている。すなわち、搬送速度情報４１ｅには、リフロー装置Ｍ７における基板Ｂの搬送速度Ｖに関する情報が含まれている。搬送距離情報４１ｆには、各炉Ｆ１～Ｆ６内において基板Ｂが加熱されながら搬送される搬送距離Ｌ１～Ｌ６（図２参照）と、搬入センサ１０が基板Ｂを検出する基板検出位置ＤＰから第１炉Ｆ１までの搬送距離Ｌ０が記憶されている。すなわち、搬送距離情報４１ｆには、リフロー装置Ｍ７における基板Ｂの搬送距離Ｌ０～Ｌ６に関する情報が含まれる。

算出部４４は、搬送履歴情報４１ｄに含まれる基板Ｂがリフロー装置Ｍ７の所定位置（基板検出位置ＤＰ）を通過した第２時刻と、搬送速度情報４１ｅに含まれる基板Ｂの搬送速度Ｖと、搬送距離情報４１ｆに含まれる搬送距離Ｌ０～Ｌ６に基づいて、基板Ｂが炉Ｆ１～Ｆ６内の所定位置を通過した第１時刻を算出する。特定部４３は、雰囲気履歴情報４１ｃと搬送履歴情報４１ｄから算出された第１時刻に基づいて、基板Ｂが複数の炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの炉内温度（特定炉内温度）または炉内酸素濃度（特定酸素濃度）を特定する。

ここで、図６を参照しながら、算出部４４による第１時刻の算出方法と、特定部４３による基板Ｂが複数の炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの炉内温度と第５炉Ｆ５に位置していたときの炉内酸素濃度の特定方法について説明する。ここでは、リフロー装置Ｍ７の各ゾーンＺ１～Ｚ６における基板Ｂの搬送距離Ｌ１～Ｌ６は等しい場合を例に説明する。また、基板Ｂが各炉Ｆ１～Ｆ６内の所定位置（例えば、第１炉Ｆ１と第２炉Ｆ２の境界や、第１炉Ｆ１の中心など）を通過する時刻を第１時刻とする。

図６では、リフロー装置Ｍ７における搬入口６から搬出口７までの位置関係が、紙面の上から下に向けて表示されている。また、紙面の左から右に向けて時刻が表示されている。図６には、リフロー装置Ｍ７に搬入された５枚の基板Ｂのリフロー装置Ｍ７内での位置と時刻の関係が示されている。以下、識別情報５８が「Ｂ０１」の基板Ｂを、単に「基板Ｂ０１」などと称する。

この例では、ゾーンＺ１からゾーンＺ３は、設定炉内温度が１６０（℃）の予備加熱区間である。また、ゾーンＺ４とゾーンＺ５が本加熱区間であり、ゾーンＺ４の設定炉内温度は２４０（℃）、ゾーンＺ５の設定炉内温度は２３０（℃）であり、ゾーンＺ５の設定酸素濃度は１０００（ｐｐｍ）である。また、ゾーンＺ６は、設定炉内温度が１５０（℃）の冷却区間である。なお、各ゾーンＺ１～Ｚ６の設定炉内温度と設定酸素濃度は一例であり、基板やはんだなどに応じて適宜変更される。

図６において、算出部４４は、搬入センサ１０により第２時刻ＴＤ０１に基板検出位置ＤＰで検出された基板Ｂ０１が、第２時刻ＴＤ０１から（（搬送距離Ｌ０＋搬送距離Ｌ１）／搬送速度Ｖ）後の第１時刻ＴＣ１１にゾーンＺ１を通過すると算出する。同様に、算出部４４は、基板Ｂ０１が第２時刻ＴＤ０１から（（搬送距離Ｌ０＋搬送距離Ｌ１＋搬送距離Ｌ２）／搬送速度Ｖ）後の第１時刻ＴＣ２１にゾーンＺ２を通過すると算出する。以下、同様であり、詳細な説明を省略する。すなわち、算出部４４は、各基板Ｂ０１～Ｂ０５が基板検出位置ＤＰを通過した第２時刻ＴＤ０１～ＴＤ０５から、搬送時間（搬送距離／搬送速度Ｖ）後に各ゾーンＺ１～Ｚ６を通過するとして第１時刻ＴＣ１１～ＴＣ６５を算出する。

特定部４３は、第１時刻もしくは少なくとも第１時刻の前後に計測された炉Ｆ１～Ｆ６内の温度または酸素濃度に基づいて、基板Ｂが炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの温度または酸素濃度を特定する。例えば、基板Ｂ０１は、計測時刻ＴＭ０３と計測時刻ＴＭ０４の間の第１時刻に、第５炉Ｆ５を通過している。そこで、特定部４３は、計測時刻ＴＭ０３と計測時刻ＴＭ０４の第５炉Ｆ５の炉内温度（２３０（℃）と２２８（℃））に基づいて、基板Ｂ０１が第５炉Ｆ５に位置していたときの炉内温度（特定炉内温度）を特定する。また、特定部４３は、計測時刻ＴＭ０３と計測時刻ＴＭ０４の第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度（１０００（ｐｐｍ）と１２００（ｐｐｍ））に基づいて、基板Ｂ０１が第５炉Ｆ５に位置していたときの炉内酸素濃度（特定酸素濃度）を特定する。

ここで、図７（ａ）、図７（ｂ）を参照して、特定部４３が、計測時刻ＴＭ０１～ＴＭ１０（横軸）に計測された第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度（縦軸）に基づいて、基板Ｂ０１～Ｂ０５が第５炉Ｆ５に位置していたときの特定酸素濃度を特定する方法の例について説明する。すなわち、基板Ｂ０１～Ｂ０５が第５炉Ｆ５に位置していた第１時刻ＴＣ５１～ＴＣ５５における第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度（特定酸素濃度）の特定方法（近似方法）について説明する。

図７（ａ）では、計測時刻ＴＭ０１～ＴＭ１０における炉内酸素濃度の計測値に基づいて、階段状に第１時刻ＴＣ５１～ＴＣ５５における第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度を特定する。すなわち、特定部４３は、基板Ｂ０１～Ｂ０５が第５炉Ｆ５を通過する第１時刻ＴＣ５１～ＴＣ５５の直前（または、同時刻）に計測された炉内酸素濃度を、基板Ｂ０１～Ｂ０５が第５炉Ｆ５に位置していたときの特定酸素濃度ＣＣ５１～ＣＣ５５と特定する。例えば、特定部４３は、第１時刻ＴＣ５１の直前の計測時刻ＴＭ０３に計測された炉内酸素濃度Ｃ５３を、基板Ｂ０１が第５炉Ｆ５に位置していたときの特定酸素濃度ＣＣ５１として特定する。

図７（ｂ）では、計測時刻ＴＭ０１～ＴＭ１０における炉内酸素濃度の計測値に基づいて、直線補完によって第１時刻ＴＣ５１～ＴＣ５５における第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度を特定する。すなわち、特定部４３は、基板Ｂ０１～Ｂ０５が第５炉Ｆ５を通過する第１時刻ＴＣ５１～ＴＣ５５の前後に計測された炉内酸素濃度を直線補完して、基板Ｂ０１～Ｂ０５が第５炉Ｆ５に位置していたときの特定酸素濃度ＣＣ５１～ＣＣ５５を特定する。例えば、特定部４３は、第１時刻ＴＣ５１の直前の計測時刻ＴＭ０３に計測された炉内酸素濃度Ｃ５３と、直後の計測時刻ＴＭ０４に計測された炉内酸素濃度Ｃ５４を直線補完して、基板Ｂ０１が第５炉Ｆ５に位置していたときの特定酸素濃度ＣＣ５１を特定する。

図３において、特定部４３は、特定した特定炉内温度ＨＣ１１～ＨＣ６５または特定酸素濃度ＣＣ５１～ＣＣ５５を、基板Ｂ０１～Ｂ０５の識別情報５８に紐づけて、基板別履歴情報４１ｇとして管理記憶部４１に記憶させる。すなわち、管理記憶部４１は、特定された温度（特定炉内温度ＨＣ１１～ＨＣ６５）または酸素濃度（特定酸素濃度ＣＣ５１～ＣＣ５５）を、基板Ｂ０１～Ｂ０５の識別情報５８に紐づけて記憶する記憶部である。記憶された基板別履歴情報４１ｇは、実装基板の品質管理のためのトレース情報などとして使用される。

ここで、図８を参照して、基板別履歴情報４１ｇの一例について説明する。基板別履歴情報４１ｇには、基板Ｂの識別情報５８毎に、ゾーンＺ１の特定炉内温度６０、ゾーンＺ２の特定炉内温度６１、ゾーンＺ３の特定炉内温度６２、ゾーンＺ４の特定炉内温度６３、ゾーンＺ５の特定炉内温度６４、ゾーンＺ６の特定炉内温度６５が記憶されている。また、基板別履歴情報４１ｇには、基板Ｂの識別情報５８毎に、ゾーンＺ５の特定酸素濃度６６が記憶されている。

図３において、解析部４５は、雰囲気履歴情報４１ｃに含まれる炉内酸素濃度と搬送履歴情報４１ｄから算出される基板Ｂの搬送間隔に基づいて、基板Ｂの搬送間隔に対する炉内酸素濃度の変動傾向を解析する。そして、解析部４５は、炉内酸素濃度が増加傾向にあると判断すると、リフロー装置Ｍ７に基板Ｂを投入する間隔を空けること、または第５炉Ｆ５内の炉内酸素濃度を下げること、の少なくともいずれかを指令する。

基板Ｂを投入する間隔を空ける指令を受信したリフロー装置Ｍ７のリフロー制御部２５は、上流の部品実装装置Ｍ６に送信する基板搬出許可指令の送信間隔が空くように制御を変更する。また、第５炉Ｆ５内の炉内酸素濃度を下げる指令を受信したリフロー装置Ｍ７のリフロー制御部２５は、第５炉Ｆ５のガス導入部８が導入する不活性ガスの量が増えるように制御を変更する。

ここで、図９を参照して、解析部４５による第５炉Ｆ５を通過する基板Ｂの搬送間隔に対する炉内酸素濃度の変動傾向の解析方法について説明する。ここでは、所定の時間間隔で第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度が計測されている。図９には、基板Ｂ１１～Ｂ２５が第５炉Ｆ５に存在する時刻を矩形で表している。すなわち、矩形の左端は基板Ｂ１１～Ｂ２５の前端が第５炉Ｆ５に進入した時刻を示しており、矩形の右端は基板Ｂ１１～Ｂ２５の後端が第５炉Ｆ５から退出した時刻を示している。基板Ｂ１３～Ｂ２２は、３０秒間隔で上流の部品実装装置Ｍ６からリフロー装置Ｍ７に投入されている。基板Ｂ２３～Ｂ２５は、４５秒間隔でリフロー装置Ｍ７に投入されている。

解析部４５は、雰囲気履歴情報４１ｃに含まれる第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度５６が設定酸素濃度（１０００（ｐｐｍ））よりも多いか、少ないかを解析する。また、解析部４５は、第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度５６が上限値（２０００（ｐｐｍ））を超えたか、否かを解析する。また、解析部４５は、第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度５６が連続して増加しているか、連続して減少しているかを解析する。

図９において、解析部４５は、第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度５６が設定酸素濃度よりも多く、かつ、３回連続して増加した場合は（楕円ａで示す計測値）、酸素濃度が増加傾向にあると判断する。すなわち、この時間帯は、基板Ｂが第５炉Ｆ５に進入する際に流入してしまう酸素の量が、ガス導入部８より導入される不活性ガスの量を上回っている。そこで、解析部４５は、リフロー装置Ｍ７に基板Ｂを投入する間隔を空けること、または第５炉Ｆ５内の炉内酸素濃度を下げることを指令する。この例では、基板Ｂ２３をリフロー装置Ｍ７に投入するタイミングから投入間隔が３０秒から４５秒に変更されている。また、酸素濃度が増加傾向にあると判断されると直ぐに、第５炉Ｆ５のガス導入部８が導入する不活性ガスの量が増やされている。

その後、第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度５６は、導入される不活性ガスの増量の効果により減少傾向となる（楕円ｂで示す計測値）。解析部４５は、不活性ガスの増量後に第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度５６が減少し、設定酸素濃度を下回ると（円ｃで示す計測値）、第５炉Ｆ５のガス導入部８が導入する不活性ガスの量を元の状態に戻すように指令する。その際、基板Ｂの投入間隔は４５秒のままに維持される。これにより、第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度５６が過剰に減少することを防止することができる。その後も、解析部４５は、炉内酸素濃度の変動傾向に基づいて、リフロー装置Ｍ７に基板を投入する間隔や、ガス導入部８が導入する不活性ガスの量の変更を指令する。

図３において、解析部４５は、雰囲気履歴情報４１ｃに含まれる炉内温度と搬送履歴情報４１ｄから算出される基板Ｂの搬送間隔に基づいて、基板Ｂの搬送間隔に対する炉内温度の変動傾向を解析する。そして、解析部４５は、炉Ｆ１～Ｆ６の炉内温度が低下傾向にあると判断すると、リフロー装置Ｍ７に基板Ｂを投入する間隔を空けることを指令する。これにより、炉Ｆ１～Ｆ６の炉内温度の低下を抑制することができる。すなわち、炉Ｆ１～Ｆ６に進入する基板Ｂに起因して炉内温度が低減少する傾向がある場合は、炉内温度のさらなる減少を抑制するために、単位時間当たりに炉Ｆ１～Ｆ６に進入する基板Ｂの枚数を減少させる。なお、解析部４５による炉内温度の変動傾向の解析は、炉内酸素濃度の変動傾向の解析と同様であり、詳細な説明は省略する。

このように、本実施の形態の管理装置３は、リフロー装置Ｍ７の炉Ｆ１～Ｆ６内の少なくとも炉内温度５１～５５，５７または炉内酸素濃度５６の計測結果を含む雰囲気履歴情報４１ｃと、リフロー装置Ｍ７における基板Ｂの搬送履歴情報４１ｄとを取得する取得部４２と、雰囲気履歴情報４１ｃと搬送履歴情報４１ｄとに基づいて、基板Ｂが炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの特定炉内温度６０～６５または特定酸素濃度６６を特定する特定部４３と、を備えており、基板Ｂを搬送しながら加熱するリフロー装置Ｍ７を少なくとも含む実装基板製造ラインＰＬ１を管理する。これによって、基板Ｂが炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができる。

次に、図１０のフローに沿って、リフロー装置Ｍ７の炉Ｆ１～Ｆ６に基板Ｂが位置していたときの炉Ｆ１～Ｆ６内の温度または酸素濃度を特定する管理方法について説明する。ここでは、実装基板製造ラインＰＬ１において実装基板を製造中にリフロー装置Ｍ７の炉Ｆ１～Ｆ６内の温度または酸素濃度を特定し、実装基板製造ラインＰＬ１の製造作業にフィードバックする管理方法について説明する。

まず、管理装置３の取得部４２は、リフロー装置Ｍ７から温度履歴２１ｂと酸素濃度履歴２１ｃを取得して、炉Ｆ１～Ｆ６内の炉内温度５１～５５，５７または炉内酸素濃度５６の計測結果を含む雰囲気履歴情報４１ｃとして記憶させる。また、取得部４２は、リフロー装置Ｍ７から基板搬入履歴２１ｄを取得して、リフロー装置Ｍ７における基板Ｂの搬送履歴情報４１ｄとして記憶させる（ＳＴ１：取得工程）。取得工程（ＳＴ１）は、リフロー装置Ｍ７で炉内温度や炉内酸素濃度が計測されたタイミングなどに実行される。

図１０において、次いで管理装置３の算出部４４は、搬送履歴情報４１ｄに含まれる基板Ｂ０１～Ｂ０５がリフロー装置Ｍ７の所定位置（基板検出位置ＤＰ）を通過した第２時刻ＴＤ０１～ＴＤ０５と、リフロー装置Ｍ７における基板Ｂ０１～Ｂ０５の搬送速度Ｖと、リフロー装置Ｍ７における基板Ｂ０１～Ｂ０５の搬送距離Ｌ０～Ｌ６に基づいて、基板Ｂ０１～Ｂ０５が炉Ｆ１～Ｆ６内の所定位置を通過した第１時刻ＴＣ１１～ＴＣ６１を算出する（ＳＴ２：算出工程）（図６参照）。

次いで管理装置３の特定部４３は、算出された第１時刻ＴＣ５１～ＴＣ５５もしくは第１時刻ＴＣ５１～ＴＣ５５の前後に計測された炉Ｆ１～Ｆ６内の炉内温度５１～５５，５７または炉内酸素濃度５６に基づいて、基板Ｂ０１～Ｂ０５が炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの特定炉内温度６０～６５または特定酸素濃度６６を特定する（ＳＴ３：特定工程）（図７、図８参照）。すなわち、特定工程（ＳＴ３）において、雰囲気履歴情報４１ｃと搬送履歴情報４１ｄとに基づいて、基板Ｂ０１～Ｂ０５が炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの特定炉内温度６０～６５または特定酸素濃度６６が特定される。

図１０において、特定部４３は、特定された特定炉内温度６０～６５または特定酸素濃度６６を基板Ｂ０１～Ｂ０５の識別情報５８に紐づけて、基板別履歴情報４１ｇとして記憶させる（ＳＴ４：第１記憶工程）。これによって、基板Ｂ０１～Ｂ０５が炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの温度または酸素濃度を、基板Ｂ０１～Ｂ０５毎に特定することができる。

次いで管理装置３の解析部４５は、雰囲気履歴情報４１ｃに含まれる炉内酸素濃度５６と搬送履歴情報４１ｄに基づいて、基板Ｂ１１～Ｂ２５の搬送間隔に対する炉内酸素濃度５６の変動傾向を解析する（ＳＴ５：酸素濃度解析工程）（図９参照）。解析の結果、炉内酸素濃度５６が増加傾向にある場合（ＳＴ５においてＹｅｓ）（図９の楕円ａ）、解析部４５は、リフロー装置Ｍ７に基板Ｂ２３～Ｂ２５を投入する間隔を空けること、または第５炉Ｆ５内の酸素濃度を下げること、の少なくともいずれかを指令する（ＳＴ６：第１指令工程）。この指令に基づいて、投入間隔が３０秒から４５秒に変更され、第５炉Ｆ５のガス導入部８が導入する不活性ガスの量が増やされる。

図１０において、次いで解析部４５は、雰囲気履歴情報４１ｃに含まれる炉内温度５１～５５，５７と搬送履歴情報４１ｄに基づいて、基板Ｂ１１～Ｂ２５の搬送間隔に対する炉内温度５１～５５，５７の変動傾向を解析する（ＳＴ７：温度解析工程）。解析の結果、炉内温度５１～５５，５７が低下傾向にある場合（ＳＴ７においてＹｅｓ）、解析部４５は、リフロー装置Ｍ７に基板Ｂ１９～Ｂ２５を投入する間隔を空けることを指令する（ＳＴ８：第２指令工程）。

このように、雰囲気履歴情報４１ｃに含まれる炉内酸素濃度５６または炉内温度５１～５５，５７と搬送履歴情報４１ｄに基づき解析された基板Ｂ１１～Ｂ２５の搬送間隔に対する炉内酸素濃度５６または炉内温度５１～５５，５７の変動傾向に基づいて（ＳＴ５、ＳＴ７）、リフロー装置Ｍ７に基板Ｂ１９～Ｂ２５を投入する間隔、または第５炉Ｆ５のガス導入部８が導入する不活性ガスの量が変更される（ＳＴ６、ＳＴ８）。これによって、リフロー装置Ｍ７の炉内酸素濃度５６や炉内温度５１～５５，５７の変動が精密に制御され、製造される実装基板の品質の変動が抑制される。

図１０において、実装基板製造ラインＰＬ１での実装基板の生産が終了していない場合（ＳＴ９においてＮｏ）、取得工程（ＳＴ１）に戻って、雰囲気履歴情報４１ｃと搬送履歴情報４１ｄの取得（ＳＴ１）、基板別履歴情報４１ｇの作成と記憶（ＳＴ２～ＳＴ４）、リフロー装置Ｍ７に基板Ｂ１９～Ｂ２５を投入する間隔や第５炉Ｆ５に導入する不活性ガスの量などのフィードバック（ＳＴ５～ＳＴ８）が繰り返し実行される。

次に、図１１を参照して、本発明の実施の形態の他の実施例のリフロー装置（以下、単に「リフロー装置Ｍ７Ａ」と称する。）の構成を、リフロー装置Ｍ７Ａを備える実装基板製造システム１Ａのブロック図を用いて説明する。リフロー装置Ｍ７Ａは、図３に示す管理装置３が備える基板別履歴情報４１ｇを作成する機能などを備えるところが図３に示すリフロー装置Ｍ７とは異なる。以下、リフロー装置Ｍ７と同じ部分には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。

リフロー装置Ｍ７Ａが備えるリフロー制御装置２０Ａは、リフロー記憶部２１Ａ、基板検出処理部２２、温度計測処理部２３、酸素計測処理部２４、リフロー制御部２５、リフロー通信部２６の他、特定部３３、算出部３４、解析部３５を備えている。また、リフロー記憶部２１Ａには、リフロー条件２１ａ、温度履歴２１ｂ、酸素濃度履歴２１ｃ、基板搬入履歴２１ｄの他、基板情報２１ｅ、搬送距離情報２１ｆ、基板別履歴情報２１ｇなどが記憶されている。基板情報２１ｅと搬送距離情報２１ｆは、管理装置３の管理記憶部４１が記憶する基板情報４１ｂと搬送距離情報４１ｆと同じであり、詳細な説明は省略する。

図１１において、算出部３４は、基板搬入履歴２１ｄに含まれる第２時刻と、リフロー条件２１ａに含まれる搬送速度Ｖと、搬送距離情報２１ｆに含まれる搬送距離Ｌ０～Ｌ６に基づいて、第１時刻を算出する他は、管理装置３の算出部４４と同じであり、詳細な説明は省略する。特定部３３は、温度履歴２１ｂに含まれる炉Ｆ１～Ｆ６内の炉内温度と、酸素濃度履歴２１ｃに含まれる第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度と、基板搬入履歴２１ｄに基づいて、特定炉内温度と特定酸素濃度を特定する他は、管理装置３の特定部４３と同じであり、詳細な説明は省略する。

解析部３５は、温度履歴２１ｂに含まれる炉Ｆ１～Ｆ６内の炉内温度と、酸素濃度履歴２１ｃに含まれる第５炉Ｆ５の炉内酸素濃度と、基板搬入履歴２１ｄに基づいて、基板の搬送間隔に対する炉内温度と炉内酸素濃度の変動傾向を解析する他は、管理装置３の解析部４５と同じであり、詳細な説明は省略する。

上記説明したように、本実施の形態の他の実施例のリフロー装置Ｍ７Ａは、基板を加熱するための炉Ｆ１～Ｆ６と、炉Ｆ１～Ｆ６内の少なくとも炉内温度または炉内酸素濃度を計測する計測部（温度計測部３１、酸素濃度計測部３２）と、計測された炉内温度または炉内酸素濃度と、リフロー装置Ｍ７Ａにおける基板の搬送情報（基板搬入履歴２１ｄ）に基づいて、基板が炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの特定炉内温度または特定酸素濃度を特定する特定部３３と、を備えている。これによって、リフロー装置Ｍ７Ａが単独で、基板が炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができる。

次に、図１２を参照して、本発明の実施の形態の他の実施例のリフロー装置（以下、単に「リフロー装置Ｍ７Ｂ」と称する。）の構成を、リフロー装置Ｍ７Ｂを備える実装基板製造システム１Ｂのブロック図を用いて説明する。リフロー装置Ｍ７Ｂは、炉Ｆ１～Ｆ６内に基板が搬送された時に炉内温度と炉内酸素濃度を計測するところがリフロー装置Ｍ７、リフロー装置Ｍ７Ａとは異なる。以下、リフロー装置Ｍ７、リフロー装置Ｍ７Ａと同じ部分には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。

リフロー装置Ｍ７Ｂが備えるリフロー制御装置２０Ｂは、リフロー記憶部２１Ｂ、基板検出処理部２２、温度計測処理部２３Ｂ、酸素計測処理部２４Ｂ、リフロー制御部２５、リフロー通信部２６、解析部３５Ｂを備えている。また、リフロー記憶部２１Ａには、リフロー条件２１ａ、基板情報２１ｅ、基板別履歴情報２１ｇの他、計測条件２１ｈなどが記憶されている。

図１２において、計測条件２１ｈには、搬入センサ１０がリフロー装置Ｍ７Ｂに投入される基板Ｂ０８～Ｂ０９を検出する基板検出位置ＤＰから各炉Ｆ１～Ｆ６に設置された温度センサＳ１～Ｓ６または酸素濃度センサ９までの搬送距離Ｌ１Ｂ～Ｌ６Ｂが記憶されている（図１３参照）。または、計測条件２１ｈには、搬送距離Ｌ１Ｂ～Ｌ６Ｂとリフロー条件２１ａに含まれる基板Ｂ０８～Ｂ０９の搬送速度Ｖから算出される、基板検出位置ＤＰを通過した基板Ｂ０８～Ｂ０９が温度センサＳ１～Ｓ６または酸素濃度センサ９に到達するまでの搬送時間（搬送距離Ｌ１Ｂ～Ｌ６Ｂ／搬送速度Ｖ）が記憶されている。

温度計測部３１Ｂは、基板検出部３０が基板検出位置ＤＰを通過する基板Ｂ０８～Ｂ０９を検出した後、所定時間後（搬送時間後）に炉内温度を計測する。また、酸素濃度計測部３２Ｂは、基板検出部３０が基板検出位置ＤＰを通過する基板Ｂ０８～Ｂ０９を検出した後、所定時間後（搬送時間後）に炉内酸素濃度を計測する。また、所定時間（搬送時間）は、基板搬送部５が基板Ｂ０８～Ｂ０９を搬送する搬送速度Ｖと、基板検出部３０が基板Ｂ０８～Ｂ０９を検出する基板検出位置ＤＰから計測部（温度計測部３１、酸素濃度検出部３２）のセンサ（温度センサＳ１～Ｓ６、酸素濃度センサ９）が計測する位置までの搬送距離Ｌ１Ｂ～Ｌ６Ｂに基づいて算出される。

基板検出部３０が基板Ｂ０８～Ｂ０９を検出した第２時刻、温度計測部３１Ｂが計測した炉内温度と計測時刻、酸素濃度計測部３２Ｂが計測した炉内酸素濃度と計測時刻は、計測された基板Ｂ０８～Ｂ０９の識別情報５８と紐付され、基板別履歴情報２１ｇとしてリフロー記憶部２１Ｂに記憶される。すなわち、リフロー記憶部２１Ｂは、基板Ｂ０８～Ｂ０９が検出された第２時刻と、計測された炉内温度または炉内酸素濃度がそれぞれ計測された計測時刻に、計測された基板Ｂ０８～Ｂ０９の識別情報５８を紐づけて記憶する記憶部である。

ここで、図１３を参照しながら、温度計測部３１Ｂと酸素濃度計測部３２Ｂによる炉内温度と炉内酸素濃度の計測方法について説明する。基板Ｂ０８は、第２時刻ＴＤ０８に基板検出位置ＤＰで基板検出部３０（搬入センサ１０）によって検出されている。その後、基板Ｂ１０がゾーンＺ１の温度センサＳ１の位置に到達する計測時刻ＴＭ１８に、温度計測部３１Ｂ（温度センサＳ１）により炉内温度ＨＣ１８が計測される。

同様に、基板Ｂ１０がゾーンＺ２～Ｚ６の温度センサＳ２～Ｓ６の位置に到達する計測時刻ＴＭ２８～ＴＭ６８に、温度計測部３１Ｂ（温度センサＳ２～Ｓ６）により炉内温度ＨＣ２８～ＨＣ６８が計測される。また、基板Ｂ１０がゾーンＺ５の酸素濃度センサ９の位置に到達する計測時刻ＴＭ５８に、酸素濃度計測部３２Ｂ（酸素濃度センサ９）により炉内酸素濃度ＣＣ５８が計測される。

図１２において、解析部３５Ｂは、リフロー記憶部２１Ｂ（記憶部）に記憶された基板別履歴情報２１ｇに含まれる基板Ｂ０８～Ｂ０９の第２時刻ＴＤ０８～ＴＤ０９、炉内温度ＨＣ１８～ＨＣ６９、計測時刻ＴＭ１８～ＴＭ６９に基づいて、基板Ｂ０８～Ｂ０９の搬送間隔に対する炉内温度ＨＣ１８～ＨＣ６９の傾向を解析する。そして、解析部３５Ｂは、炉内温度ＨＣ１８～ＨＣ６９が低下傾向にあると判断すると、リフロー装置Ｍ７Ｂに基板Ｂ０８～Ｂ０９を投入する間隔を空けることを指令する。

また、解析部３５Ｂは、リフロー記憶部２１Ｂ（記憶部）に記憶された基板別履歴情報２１ｇに含まれる基板Ｂ０８～Ｂ０９の第２時刻ＴＤ０８～ＴＤ０９、炉内酸素濃度ＣＣ５８～ＣＣ６９、計測時刻ＴＭ１８～ＴＭ６９に基づいて、基板Ｂ０８～Ｂ０９の搬送間隔に対する炉内酸素濃度ＣＣ５８～ＣＣ６９の変動傾向を解析する。そして、解析部３５Ｂは、炉内酸素濃度ＣＣ５８～ＣＣ６９が増加傾向にあると判断すると、リフロー装置Ｍ７Ｂに基板Ｂ０８～Ｂ０９を投入する間隔を空けること、またはガス導入部８が導入する不活性ガスの量を増やすこと、の少なくともいずれかを指令する。

次に、図１４のフローに沿って、リフロー装置Ｍ７Ｂの炉Ｆ１～Ｆ６に基板Ｂ０８～Ｂ０９が位置していたときの炉Ｆ１～Ｆ６内の炉内温度または炉内酸素濃度を計測する管理方法について説明する。以下、図１０に示す管理方法と同じ工程には同じ符号を付して、詳細な説明は省略する。

まず、基板検出部３０によりリフロー装置Ｍ７Ｂに投入される基板Ｂ０８～Ｂ０９が検出されると（ＳＴ１１においてＹｅｓ）、その基板Ｂ０８～Ｂ０９が各炉Ｆ１～Ｆ６の温度センサＳ１～Ｓ６または酸素濃度センサ９に到達する計測時刻ＴＭ１８～ＴＭ６９が算出される（ＳＴ１２：計測時刻算出工程）。次いで温度計測部３１Ｂと酸素濃度計測部３２Ｂは、計測時刻ＴＭ１８～ＴＭ６９に炉内温度ＨＣ１８～ＨＣ６９と炉内酸素濃度ＣＣ５８～ＣＣ６９を計測する（ＳＴ１３：第３計測工程）。

図１４において、次いで基板検出部３０が基板Ｂ０８～Ｂ０９を検出した第２時刻、計測された炉内温度ＨＣ１８～ＨＣ６９、炉内酸素濃度ＣＣ５８～ＣＣ６９、計測時刻ＴＭ１８～ＴＭ６９は、基板Ｂ０８～Ｂ０９の識別情報５８と紐付けされて、基板別履歴情報２１ｇとして記憶される（ＳＴ１４：第２記憶工程）。その後、基板別履歴情報２１ｇに基づいて、酸素濃度解析工程（ＳＴ５）、第１指令工程（ＳＴ６）、温度解析工程（ＳＴ７）、第２指令工程（ＳＴ８）が実行され、リフロー装置Ｍ７Ｂに基板Ｂ０８～Ｂ０９を投入する間隔、または第５炉Ｆ５のガス導入部８が導入する不活性ガスの量が変更される。

上記説明したように、本実施の形態の他の実施例のリフロー装置Ｍ７Ｂは、基板Ｂ０８～Ｂ０９を加熱するための炉Ｆ１～Ｆ６と、炉Ｆ１～Ｆ６内の少なくとも炉内温度ＨＣ１８～ＨＣ６９または炉内酸素濃度ＣＣ５８～ＣＣ６９を計測する計測部（温度計測部３１Ｂ、酸素濃度計測部３２Ｂ）と、基板Ｂ０８～Ｂ０９を搬送する基板搬送部５と、炉Ｆ１～Ｆ６より前の所定位置（基板検出位置ＤＰ）を通過する基板Ｂ０８～Ｂ０９を検出する基板検出部３０と、を備えている。

そして、計測部は、基板検出部３０が基板Ｂ０８～Ｂ０９を検出した後、所定時間後（計測時刻ＴＭ１８～ＴＭ６９）に炉内温度ＨＣ１８～ＨＣ６９または炉内酸素濃度ＣＣ５８～ＣＣ６９を計測する。これによって、基板Ｂ０８～Ｂ０９が炉Ｆ１～Ｆ６に位置していたときの温度または酸素濃度をリアルタイムに特定（計測）することができる。

本発明の管理装置およびリフロー装置ならびに管理方法は、基板が炉に位置していたときの温度または酸素濃度を特定することができるという効果を有し、部品を基板に実装する分野において有用である。

１、１Ａ、１Ｂ 実装基板製造システム
３ 管理装置
５ 基板搬送部
８ ガス導入部
Ｂ、Ｂ０１～Ｂ０５、Ｂ０８～Ｂ０９、Ｂ１１～Ｂ２５ 基板
ＤＰ 基板検出位置（リフロー装置の所定位置）
Ｆ１ 第１炉
Ｆ２ 第２炉
Ｆ３ 第３炉
Ｆ４ 第４炉
Ｆ５ 第５炉
Ｆ６ 第６炉
Ｌ０～Ｌ６、Ｌ１Ｂ～Ｌ６Ｂ 搬送距離
Ｍ７、Ｍ７Ａ、Ｍ７Ｂ リフロー装置
ＰＬ１ 実装基板製造ライン
Ｖ 搬送速度

Claims (16)

1. 基板を搬送しながら加熱するリフロー装置を少なくとも含む実装基板製造ラインの管理装置であって、
   前記リフロー装置の炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における前記基板の搬送履歴情報とを取得する取得部と、
   前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する特定部と、を備える、管理装置。
2. 特定された前記温度または前記酸素濃度を、前記基板の識別情報に紐づけて記憶する記憶部をさらに備える、請求項１に記載の管理装置。
3. 前記リフロー装置は、複数の前記炉を有し、
   前記特定部は、前記基板が前記複数の前記炉の各々に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する、請求項１または２に記載の管理装置。
4. 前記特定部は、前記基板が前記炉内の所定位置を通過した第１時刻に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する、請求項１から３のいずれか１項に記載の管理装置。
5. 算出部をさらに備え、
   前記搬送履歴情報は、前記基板が前記リフロー装置の所定位置を通過した第２時刻を含み、
   前記算出部は、前記第２時刻と、前記リフロー装置における前記基板の搬送速度に関する搬送速度情報と、前記リフロー装置における前記基板の搬送距離に関する搬送距離情報に基づいて、前記第１時刻を算出する、請求項４に記載の管理装置。
6. 前記特定部は、前記第１時刻もしくは少なくとも前記第１時刻の前後に計測された前記炉内の前記温度または前記酸素濃度に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する、請求項４または５に記載の管理装置。
7. 前記雰囲気履歴情報は、所定時間毎に計測された、少なくとも前記温度または前記酸素濃度を含む、請求項１から６のいずれか１項に記載の管理装置。
8. 前記雰囲気履歴情報に含まれる前記酸素濃度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記酸素濃度の変動傾向を解析する解析部を、さらに備え、
   前記解析部は、前記酸素濃度が増加傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けること、または前記炉内の前記酸素濃度を下げること、の少なくともいずれかを指令する、請求項１から７のいずれか１項に記載の管理装置。
9. 前記雰囲気履歴情報に含まれる前記温度と前記搬送履歴情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記温度の変動傾向を解析する解析部を、さらに備え、
   前記解析部は、前記温度が低下傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けることを指令する、請求項１から８のいずれか１項に記載の管理装置。
10. 部品が搭載された基板を搬送しながら加熱してはんだを固化させるリフロー装置であって、
    前記基板を加熱するための炉と、
    前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度を計測する計測部と、
    計測された前記温度または前記酸素濃度と、前記リフロー装置における前記基板の搬送情報に基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する特定部と、を備える、リフロー装置。
11. 部品が搭載された基板を搬送しながら加熱してはんだを固化させるリフロー装置であって、
    前記基板を加熱するための炉と、
    前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度を計測する計測部と、
    前記基板を搬送する基板搬送部と、
    前記炉より前の所定位置を通過する前記基板を検出する基板検出部と、を備え、
    前記計測部は、前記基板検出部が前記基板を検出した後、所定時間後に前記温度または前記酸素濃度を計測する、リフロー装置。
12. 前記所定時間は、前記基板搬送部が前記基板を搬送する搬送速度と、前記基板検出部が前記基板を検出する位置から前記計測部の位置までの搬送距離に基づいて算出される、請求項１１に記載のリフロー装置。
13. 計測された前記温度または前記酸素濃度と計測された時刻に、計測された前記基板の識別情報を紐づけて記憶する記憶部をさらに備える、請求項１１または１２に記載のリフロー装置。
14. 前記酸素濃度が計測される前記炉内に不活性ガスを導入するガス導入部と、
    前記記憶部に記憶された情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記酸素濃度の変動傾向を解析する解析部と、をさらに備え、
    前記解析部は、前記酸素濃度が増加傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けること、または前記ガス導入部が導入する前記不活性ガスの量を増やすこと、の少なくともいずれかを指令する、請求項１３に記載のリフロー装置。
15. 前記記憶部に記憶された情報に基づいて、前記基板の搬送間隔に対する前記温度の変動傾向を解析する解析部と、をさらに備え、
    前記解析部は、前記温度が低下傾向にあると判断すると、前記リフロー装置に基板を投入する間隔を空けることを指令する、請求項１３または１４に記載のリフロー装置。
16. 基板を搬送しながら加熱するリフロー装置の炉に前記基板が位置していたときの前記炉内の温度または酸素濃度を特定する管理方法であって、
    前記炉内の少なくとも温度または酸素濃度の計測結果を含む雰囲気履歴情報と、前記リフロー装置における基板の搬送履歴情報とを取得し、
    前記雰囲気履歴情報と前記搬送履歴情報とに基づいて、前記基板が前記炉に位置していたときの前記温度または前記酸素濃度を特定する、管理方法。

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