JP2023064513A - 積層セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】積層セラミック電子部品へのクラックを効果的に抑制しつつ、イオンマイグレーションの生ずることを抑制しうる積層セラミック電子部品を提供する。【解決手段】本発明にかかる積層セラミック電子部品の一例である積層セラミックコンデンサ１０は、複数のセラミック層１４及び複数の内部電極層１６が積層された積層体１２と、内部電極層１６と電気的に接続され、積層体１２の両端面に形成される一対の外部電極３０を備える。一対の外部電極３０は、金属成分を含む下地電極層３２と、下地電極層３２上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分とを含む導電性樹脂層３４と、導電性樹脂層３４上に配置されるＮｉめっき層３６と、を有する。Ｎｉめっき層３６には応力が加わっており、当該応力は－１５０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であり、Ｎｉめっき層３６の端部は積層体１２と接触している。【選択図】図２

Description

この発明は、積層セラミック電子部品に関する。

近年、積層セラミックコンデンサに代表されるセラミック電子部品は、従来に比べてより過酷な環境下で使用されるようになってきている。例えば、携帯電話機、携帯音楽プレーヤーなどのモバイル機器に用いられる電子部品については、落下時の衝撃に耐えることが求められている。具体的には、落下衝撃を受けても、実装基板から電子部品が脱落しない、または電子部品にクラックが生じないようにする必要がある。

また、ＥＣＵ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）などの車載機器に用いられる電子部品については、熱サイクルの衝撃に耐えることが求められている。具体的には、熱サイクルを受けて実装基板が熱膨張収縮することにより発生するたわみ応力を受けても、電子部品にクラックが生じないようにする必要がある。

これを受けて、セラミック電子部品の外部電極に熱硬化性樹脂ペーストを用いることが提案されている。たとえば、特許文献１では、従来の電極層とＮｉめっき層との間に、エポキシ系熱硬化性樹脂層を形成し、厳しい環境下でもコンデンサ本体にクラックが入らないような対策を行っている（たわみ耐性の向上）。

このような構成においては、落下時の衝撃による応力や、熱サイクルを受けて実装基板が熱膨張することにより発生するたわみ応力が発生した際、実装基板に伝わる応力（実装基板のゆがみ）を、エポキシ系熱硬化性樹脂の先端を起点として電極層とエポキシ系熱硬化性樹脂層との間で剥離させることで応力を逃がし、セラミック電子部品本体（積層体）にクラックが入ることを抑制している。

特開平１１－１６２７７１号公報

しかしながら、特許文献１のような積層セラミック電子部品において、熱硬化性樹脂層に用いられる金属粉末は、ＡｇやＣｕが用いられることが一般的であるところ、ＡｇやＣｕはマイグレーションを引き起こしやすい元素であり、マイグレーションが生じることにより、積層セラミック電子部品の両端に設けられている外部電極同士が導通してしまい、積層セラミック電子部品がショートしてしまうことが懸念される。

なお、マイグレーションとは、以下に述べるようなメカニズムにより生ずる。
すなわち、積層セラミック電子部品の外部電極に電圧を加えたとき、陽極側でＡｇがイオン化、水がイオンに分解する。それらのイオン化したＡｇと水酸化物イオンが反応し、ＡｇＯＨとなる。ＡｇＯＨは、分解することで酸化銀となり、コロイド状になることで、陰極側に移動する。酸化銀がイオン化、電子の授受によりＡｇが析出する。

それゆえに、この発明の主たる目的は、積層セラミック電子部品へのクラックを効果的に抑制しつつ、イオンマイグレーションの生ずることを抑制しうる積層セラミック電子部品を提供することである。

この発明に係る積層セラミック電子部品は、積層された複数のセラミック層を含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、高さ方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有する積層体と、複数のセラミック層上に配置され、第１の端面に露出する第１の内部電極層と、複数のセラミック層上に配置され、第２の端面に露出する第２の内部電極層と、第１の内部電極層と電気的に接続され、第１の端面上、第１の主面の一部、第２の主面の一部、第１の側面の一部および第２の側面の一部に配置される第１の外部電極と、第２の内部電極層と電気的に接続され、第２の端面上、第１の主面の一部、第２の主面の一部、第１の側面の一部および第２の側面の一部に配置される第２の外部電極と、を有する積層セラミック電子部品において、第１の外部電極および第２の外部電極は、金属成分を含む下地電極層と、下地電極層上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分とを含む導電性樹脂層と、導電性樹脂層上に配置されるＮｉめっき層と、を有し、Ｎｉめっき層には応力が加わっており、当該応力は－１５０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であり、Ｎｉめっき層の端部は前記積層体と接触している、積層セラミック電子部品である。

この発明にかかる積層セラミック電子部品では、導電性樹脂層上に配置されるＮｉめっき層には応力が加わっており、その応力は－１５０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であり、Ｎｉめっき層の端部は積層体と接触している構造を有している。これにより、Ｎｉめっき層と積層体を確実に接触させることが可能となり、積層体とＮｉめっき層との間の隙間を封止することができる。そのため、積層セラミック電子部品へのクラック抑制効果を維持しつつ、Ａｇの析出経路を塞ぐことができイオンマイグレーションを抑制することができる。
従って、積層セラミック電子部品の積層体の内部へのクラック抑制効果を維持しつつ、イオンマイグレーションを抑制することが可能となる。

この発明によれば、積層セラミック電子部品へのクラックを効果的に抑制しつつ、イオンマイグレーションの生ずることを抑制しうる積層セラミック電子部品を提供することができる。

この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。 この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す正面図である。 図１の線ＩＩＩ－ＩＩＩにおける断面図である。 図１の線ＩＶ－ＩＶにおける断面図である。 （ａ）この発明の実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が２つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ－ＩＩにおける断面図であり、（ｂ）この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が３つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ－ＩＩにおける断面図であり、（ｃ）この発明にかかる積層セラミックコンデンサの内部電極層の対向電極部が４つに分割された構造を示す図１の線ＩＩ－ＩＩにおける断面図である。 積層セラミックコンデンサのＮｉめっき層に作用する応力を説明した断面模式図である。

１．積層セラミックコンデンサ
この発明の実施の形態にかかる積層セラミック電子部品の例として、積層セラミックコンデンサについて説明する。

図１は、この発明の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す外観斜視図である。図２は、この発明の第１の実施の形態に係る積層セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサの一例を示す正面図である。図３は、図１の線ＩＩＩ－ＩＩＩにおける断面図である。図４は、図１の線ＩＶ－ＩＶにおける断面図である。

図１ないし図４に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状の積層体１２と、積層体１２の両端部に配置される外部電極３０を含む。

積層体１２は、積層された複数のセラミック層１４と、セラミック層１４上に積層された複数の内部電極層１６とを有する。さらに、積層体１２は、高さ方向ｘに相対する第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂと、高さ方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄと、高さ方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆとを有する。この積層体１２には、角部および稜線部に丸みがつけられている。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。また、第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂ、第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄ、ならびに第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆの一部または全部に凹凸などが形成されていてもよい。セラミック層１４と内部電極層１６は、高さ方向ｘに積層される。

積層体１２は、単数もしくは複数枚のセラミック層１４とそれらの上に配置される複数枚の内部電極層１６から構成される内層部１８を有する。内部電極層１６は、第１の端面１２ｅに引き出される第１の内部電極層１６ａと第２の端面１２ｆに引き出される第２の内部電極層１６ｂを有し、内層部１８では、複数枚の第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極１６ｂがセラミック層１４を介して対向している。

積層体１２は、第１の主面１２ａ側に位置し、第１の主面１２ａと第１の主面１２ａ側の内層部１８の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第１の主面側外層部２０ａを有する。
同様に、積層体１２は、第２の主面１２ｂ側に位置し、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂ側の内層部１８の最表面とその最表面の一直線上との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第２の主面側外層部２０ｂを有する。

積層体１２は、第１の側面１２ｃ側に位置し、第１の側面１２ｃと第１の側面１２ｃ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第１の側面側外層部２２ａを有する。
同様に、積層体１２は、第２の側面１２ｄ側に位置し、第２の側面１２ｄと第２の側面１２ｄ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第２の側面側外層部２２ｂを有する。

積層体１２は、第１の端面１２ｅ側に位置し、第１の端面１２ｅと第１の端面１２ｅ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第１の端面側外層部２４ａを有する。
同様に、積層体１２は、第２の端面１２ｆ側に位置し、第２の端面１２ｆと第２の端面１２ｆ側の内層部１８の最表面との間に位置する複数のセラミック層１４から形成される第２の端面側外層部２４ｂを有する。

第１の主面側外層部２０ａは、積層体１２の第１の主面１２ａ側に位置し、第１の主面１２ａと第１の主面１２ａに最も近い内部電極層１６との間に位置する複数枚のセラミック層１４の集合体である。
第２の主面側外層部２０ｂは、積層体１２の第２の主面１２ｂ側に位置し、第２の主面１２ｂと第２の主面１２ｂに最も近い内部電極層１６との間に位置する複数枚のセラミック層１４の集合体である。

積層体１２の寸法は、特に限定されないが、長さ方向ｚの寸法が０．１８６ｍｍ以上９．５９ｍｍ以下、幅方向ｙの寸法が０．０８ｍｍ以上９．７３ｍｍ以下、高さ方向ｘの寸法が０．０８ｍｍ以上９．７３ｍｍ以下であることが好ましい。

セラミック層１４は、たとえば、セラミック材料として、誘電体材料により形成することができる。このような誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、またはＣａＺｒＯ₃などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層体１２の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない副成分を添加したものを用いてもよい。

なお、セラミック層１４に、圧電体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は圧電部品として機能する。圧電体セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
また、セラミック層１４に、半導体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は、サーミスタとして機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、セラミック層１４に、磁性体セラミック材料を用いた場合、積層セラミック電子部品は、インダクタとして機能する。また、インダクタとして機能する場合は、内部電極層１６は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。

焼成後のセラミック層１４の厚みは、０．５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。積層されるセラミック層１４の枚数は、１０枚以上７００枚以下であることが好ましい。なお、このセラミック層１４の枚数は、内層部１８のセラミック層１４の枚数と、第１の主面側外層部２０ａおよび第２の主面側外層部２０ｂのセラミック層１４の枚数との総数である。

積層体１２は、複数の内部電極層１６として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂを有する。複数の第１の内部電極層１６ａおよび複数の第２の内部電極層１６ｂは、積層体１２の高さ方向ｘに沿ってセラミック層１４を挟んで等間隔に交互に配置されるように埋設されている。

第１の内部電極層１６ａは、複数のセラミック層１４上に配置され、積層体１２の内部に位置している。第１の内部電極層１６ａは、第２の内部電極層１６ｂと対向する第１の対向電極部２６ａと、第１の内部電極層１６ａの一端側に位置し、第１の対向電極部２６ａから積層体１２の第１の端面１２ｅまでの第１の引出電極部２８ａとを有する。第１の引出電極部２８ａは、その端部が第１の端面１２ｅの表面に引き出され、積層体１２から露出している。

第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部２６ａの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい（テーパー状）。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。

第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい（テーパー状）。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。

第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部２６ａの幅と、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａの幅は、同じ幅で形成されていてもよく、どちらか一方の幅が狭く形成されていてもよい。

第２の内部電極層１６ｂは、複数のセラミック層１４上に配置され、積層体１２の内部に位置している。第２の内部電極層１６ｂは、第１の内部電極層１６ａと対向する第２の対向電極部２６ｂと、第２の内部電極層１６ｂの一端側に位置し、第２の対向電極部２６ｂから積層体１２の第２の端面１２ｆまでの第２の引出電極部２８ｂを有する。第２の引出電極部２８ｂは、その端部が第２の端面１２ｆの表面に引き出され、積層体１２から露出している。

第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部２６ｂの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい（テーパー状）。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。

第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２８ｂの形状は、特に限定されないが平面視矩形状であることが好ましい。もっとも、平面視コーナー部を丸められていたり、コーナー部を平面視斜めに形成したりしてよい（テーパー状）。また、どちらかに向かうにつれて傾斜がついている平面視テーパー状であってもよい。

第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極層２６ｂの幅と、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２８ｂの幅は、同じ幅で形成されていてもよく、どちらか一方の幅が狭く形成されていてもよい。

第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂは、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕなどの金属や、Ａｇ－Ｐｄ合金等の、それらの金属の少なくとも一種を含む合金などの適宜の導電材料により構成することができる。

内部電極層１６、すなわち第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂのそれぞれの厚みは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。
また、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂの枚数は、合わせて１０枚以上７００枚以下であることが好ましい。

積層体１２の第１の端面１２ｅ側および第２の端面１２ｆ側には、図１ないし図３に示されるように、外部電極３０が配置される。

外部電極３０は、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを有する。

第１の外部電極３０ａは、第１の内部電極層１６ａに接続され、少なくとも第１の端面１２ｅの表面に配置されている。また、第１の外部電極３０ａは、積層体１２の第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置されてもよい。この場合、第１の外部電極３０ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａと電気的に接続される。

第２の外部電極３０ｂは、第２の内部電極層１６ｂに接続され、少なくとも第２の端面１２ｆの表面に配置されている。また、第２の外部電極３０ｂは、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置されてもよい。この場合、第２の外部電極３０ｂは、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２８ｂと電気的に接続される。

外部電極３０は、金属成分を含む下地電極層３２と、下地電極層３２上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分を含む導電性樹脂層３４と、導電性樹脂層３４上に配置されるＮｉめっき層３６とを含む。
第１の外部電極３０ａは、金属成分を含む第１の下地電極層３２ａと、第１の下地電極層３２ａ上に配置される硬化性樹脂および金属成分を含む第１の導電性樹脂層３４ａと、第１の導電性樹脂層３４ａ上に配置される第１のＮｉめっき層３６ａとを有する。
第２の外部電極３０ｂは、金属成分を含む第２の下地電極層３２ｂと、第２の下地電極層３２ｂ上に配置される硬化性樹脂および金属成分を含む第２の導電性樹脂層３４ｂと、第２の導電性樹脂層３４ｂ上に配置される第２のＮｉめっき層３６ｂとを含む。

積層体１２内においては、第１の内部電極層１６ａの第１の対向電極部２６ａと第２の内部電極層１６ｂの第２の対向電極部２６ｂとがセラミック層１４を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１６ａが接続された第１の外部電極３０ａと第２の内部電極層１６ｂが接続された第２の外部電極３０ｂとの間に、静電容量を得ることができ、コンデンサの特性が発現する。

なお、図１に示す積層体１２は、図５に示されるように、第１の内部電極層１６ａおよび第２の内部電極層１６ｂに加えて、第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆのどちらにも引き出されない浮き内部電極層１６ｃが設けられており、浮き内部電極層１６ｃによって、対向電極部２６ｃが複数に分割された構造としてもよい。たとえば、図５（ａ）に示される２連、図５（ｂ）に示される３連、図５（ｃ）に示されるような４連構造であり、４連以上の構造でもよいことは言うまでもない。このように、対向電極部２６ｃを複数個に分割した構造とすることによって、対向する内部電極層１６ａ、１６ｂ、１６ｃ間において複数のコンデンサ成分が形成され、これらのコンデンサ成分が直列に接続された構成となる。そのため、それぞれのコンデンサ成分に印加される電圧が低くなり、積層セラミックコンデンサ１０の高耐圧化を図ることができる。

下地電極層３２は、第１の下地電極層３２ａおよび第２の下地電極層３２ｂを有する。

第１の下地電極層３２ａは、第１の内部電極層１６ａに接続され、第１の端面１２ｅの表面に配置されている。また、第１の下地電極層３２ａは、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置されてもよい。この場合、第１の下地電極層３２ａは、第１の内部電極層１６ａの第１の引出電極部２８ａと電気的に接続される。

第２の下地電極層３２ｂは、第２の内部電極層１６ｂに接続され、第２の端面１２ｆの表面に配置されている。また、第２の下地電極層３２ｂは、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置されてもよい。この場合、第２の下地電極層３２ｂは、第２の内部電極層１６ｂの第２の引出電極部２８ｂと電気的に接続される。

下地電極層３２は、金属成分を含む。また、下地電極層３２は、ガラス成分またはセラミック成分を含むことが好ましい。これにより、積層体１２と下地電極層３２との密着性を向上させることができる。なお、下地電極層３２は、ガラス成分とセラミック成分の両方を含んでいてもよい。

下地電極層３２に含まれる金属成分は、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ－Ｐｄ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。下地電極層３２に含まれるガラス成分は、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また、セラミック成分は、セラミック層１４と同種のセラミック材料を用いてもよく、異なる種のセラミック材料を用いてもよい。セラミック成分は、例えば、ＢａＴｉＯ₃、ＣａＴｉＯ₃、（Ｂａ，Ｃａ）ＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＣａＺｒＯ₃等から選ばれる少なくとも１つを含む。

下地電極層３２は、複数層であってもよい。

下地電極層３２が、金属成分とガラス成分とを含む場合、下地電極層３２は、ガラス成分および金属成分を含む導電性ペーストを積層体１２に塗布して焼付けたものであり、内部電極層１６と同時焼成したものでもよく、内部電極層１６を焼成した後に、焼付けてもよい。

第１の端面１２ｅに位置する第１の下地電極層３２ａの高さ方向ｘの中央部における第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの厚みは、たとえば、２μｍ以上２２０μｍ以下程度であることが好ましい。
第２の端面１２ｆに位置する第２の下地電極層３２ｂの高さ方向ｘの中央部における第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの厚みは、たとえば、２μｍ以上２２０μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの一部に位置する第１の下地電極層３２ａの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂを結ぶ高さ方向ｘの厚みは、たとえば、４μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂの一部に位置する第２の下地電極層３２ｂの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂを結ぶ高さ方向ｘの厚みは、たとえば、４μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの一部に位置する第１の下地電極層３２ａの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの厚みは、たとえば、４μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。
第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄの一部に位置する第２の下地電極層３２ｂの第１の端面１２ｅおよび第２の端面１２ｆを結ぶ長さ方向ｚの中央部における第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄを結ぶ幅方向ｙの厚みは、たとえば、４μｍ以上４０μｍ以下程度であることが好ましい。

また、下地電極層３２上には、下地電極層３２上に配置される樹脂成分および金属成分を含む導電性樹脂層３４を有する。

導電性樹脂層３４は、第１の導電性樹脂層３４ａと第２の導電性樹脂層３４ｂとを有している。
第１の導電性樹脂層３４ａは、第１の下地電極層３２ａ上に配置されている、なお、第１の導電性樹脂層３４ａは、第１の下地電極層３２ａを覆うように配置されており、第１の導電性樹脂層３４ａの端部は積層体１２に接触していることが好ましい。
第２の導電性樹脂層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂ上に配置されている、なお、第２の導電性樹脂層３４ｂは、第２の下地電極層３２ｂを覆うように配置されており、第２の導電性樹脂層３４ｂの端部は積層体１２に接触していることが好ましい。

導電性樹脂層３４は、樹脂成分である熱硬化性樹脂を含むため、例えば、めっき膜や金属成分とガラス成分の焼成物からなる下地電極層３２よりも柔軟性に富んでいる。このため、実装基板にたわみ応力が加わり積層セラミックコンデンサ１０に物理的な衝撃や熱サイクルに起因する衝撃が加わった場合であっても、導電性樹脂層３４が緩衝層として機能し、積層セラミックコンデンサ１０に対してクラックが発生することを防止することができる。

導電性樹脂層３４の熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は最も適切な樹脂の一つである。
また、導電性樹脂層３４には、熱硬化性樹脂とともに、硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤としては、ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系、活性エステル系、アミドイミド系など公知の種々の化合物を使用することができる。

導電性樹脂層３４に含まれる金属成分としては、金属フィラーであることが好ましく、Ａｇを含むことが好ましい。Ａｇ単体であってもよいし、Ａｇを含む合金や、金属粉の表面にＡｇコーティングされた金属粉を使用することもできる。金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用する際には金属粉としてＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｂｉ又はそれらの合金粉を用いることが好ましい。金属フィラーにＡｇを用いる理由としては、Ａｇは金属の中でもっとも比抵抗が低いため電極材料に適しており、Ａｇは貴金属であるため酸化せず耐候性が高いためである。また、上記のＡｇの特性は保ちつつ、母材の金属を安価なものにすることが可能になるためである。

導電性樹脂層３４に含まれる金属フィラーの形状は、特に限定されない。金属フィラーは、球状、扁平状等であってもよい。また、球形状金属粉と扁平状金属粉とを混合されていてもよい。

導電性樹脂層３４に含まれる金属フィラーの平均粒径は、特に限定されない。金属フィラーの平均粒径は、例えば、０．３μｍ以上１０μｍ以下程度であってもよい。

導電性樹脂層３４に含まれる金属フィラーの平均粒径の測定方法は、以下の方法で測定することができる。
まず、積層セラミックコンデンサ１０を第１の側面１２ｃまたは第２の側面１２ｄから１／２Ｗの位置まで断面研磨し、特定のＬＴ断面を露出させる。もしくは、積層セラミックコンデンサ１０を第１の主面１２ａまたは第２の主面１２ｂから１／２Ｔの位置まで断面研磨し、特定のＬＷ断面を露出させる。
上記の方法で露出させた断面において、ＳＥＭ撮影を行うために断面をコーティングする。コート剤は導電性樹脂層に含まれる金属フィラーと重複しない成分のものを使用する。金属フィラーがＡｇやＣｕの場合、コート剤は、ＰｔやＡｕが使用される。
その後、導電性樹脂層の端面中央付近のＳＥＭ画像を取得する。ここで、撮影に使用するＳＥＭは導電性樹脂層に含まれる金属フィラーの粒径が、その他の成分と識別できるものを選択する。このようなＳＥＭとしては、たとえば、卓上ＳＥＭ、汎用ＳＥＭ、ＦＥ－ＳＥＭなどを使用することができる。なお、ＳＥＭ画像を取得するための条件としては、金属フィラーの粒径がくっきり分かるような画像を取得できるよう撮影モード、加速電圧、倍率を選択する。ＳＥＭ画像を取得するための条件としては、たとえば、撮影モードは二次電子像とし、加速電圧は１５ｋＶとし、倍率はフィラーが１００個程度入る倍率として設定される。
続いて、撮影したＳＥＭ画像を２値化できる解析ソフトへ取り込み（例：ｉｍａｇｅＪ、ＱｕｉｃｋＧｒａｉｎなど）、画像を２値化し、金属フィラーの粒子計測を行う。ＳＥＭ画像を２値化するための解析ソフトは、たとえば、ｉｍａｇｅＪやＱｕｉｃｋＧｒａｉｎ等を使用することができる。
最後に、金属フィラー１００個程度の円相当径の平均を算出し、第１の導電性樹脂層および第２の導電性樹脂層に含まれる金属フィラーの平均粒径を算出する。

導電性樹脂層３４に含まれる金属フィラーは、主に導電性樹脂層３４の通電性を担う。具体的には、金属フィラーどうしが接触することにより、導電性樹脂層３４の内部に通電経路が形成される。

導電性樹脂層３４の厚みは、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下程度であることが好ましい。

続いて、導電性樹脂層３４上に配置されるＮｉめっき層３６である第１のＮｉめっき層３６ａ及び第２のＮｉめっき層３６ｂについて、図３及び図４を参照して説明する。

Ｎｉめっき層３６は、その端部が積層体１２の表面に接触するように導電性樹脂層３４上に配置される。
第１のＮｉめっき層３６ａは、その端部が積層体１２の表面に接触しており、第１の導電性樹脂層３４ａを覆うように配置されている。本実施の形態では、第１のＮｉめっき層３６ａは、第１の端面１２ｅから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置されて、その端部が積層体１２の表面に接触する。
第２のＮｉめっき層３６ｂは、その端部が積層体１２の表面に接触しており、第２の導電性樹脂層３４ｂを覆うように配置されている。本実施の形態では、第２のＮｉめっき層３６ｂは、第２の端面１２ｆから延伸して第１の主面１２ａの一部および第２の主面１２ｂの一部、ならびに第１の側面１２ｃの一部および第２の側面１２ｄの一部にも配置されて、その端部が積層体１２の表面に接触する。

第１のＮｉめっき層３６ａおよび第２のＮｉめっき層３６ｂには、応力が加わっている。応力は、－１５０ＭＰa以上５０ＭＰａである。応力が、負の大きさにより示される場合は、Ｎｉめっき層３６から積層体１２に向かう方向である圧縮応力を示し、正の大きさにより示される場合は、積層体１２からＮｉめっき層３６に向かう方向である引張り応力を示す。従って、－１５０ＭＰａは、Ｎｉめっき層３６から積層体１２に向かう方向である圧縮応力を示し、５０ＭＰａは、積層体１２からＮｉめっき層３６に向かう方向である引張り応力を示す。これにより、図６に示すように、Ｎｉめっき層３６と積層体１２を確実に接触させたとき、積層体１２とＮｉめっき層３６との間の隙間を封止することができるため、Ａｇの析出経路を塞ぐことができ、イオンマイグレーションを抑制することができる。従って、導電性樹脂層３４による積層セラミックコンデンサ１０へのクラック抑制効果を維持しつつ、イオンマイグレーションを抑制することが可能となる。

なお、Ｎｉめっき層３６の応力が、－１５０ＭＰａよりも小さくなった場合は、Ｎｉめっき層３６の圧縮応力が大きくなるために、積層体１２に対する締め付け応力が強くなる。そのため、外部からの応力が加わった際に、積層セラミックコンデンサにクラックが入りやすくなり、積層セラミックコンデンサの機械強度が低下してしまう。

また、Ｎｉめっき層３６の応力が、５０ＭＰａよりも大きくなった場合は、Ｎｉめっき層の引張り応力が大きくなるため、Ｎｉめっき層３６の端部が持ち上がり、積層体１２の表面から浮いた状態となってしまう。そのため、積層体１２とＮｉめっき層３６との端部に隙間が生じてしまうため、Ａｇの析出経路ができ、イオンマイグレーションが発生してしまう。

また、第１のＮｉめっき層３６ａおよび第２のＮｉめっき層３６ｂに加わる応力は、－１４３ＭＰａ以上－５１ＭＰａ以下であることが好ましい。これにより、本発明の効果をより顕著なものにすることができる。

Ｎｉめっき層３６の応力の測定方法は、以下の方法で測定することができる。
まず、メルストリップ（ＨＮ９８０Ｍ）液を用い、液中へ積層セラミックコンデンサ１０を５分間浸漬した後、水洗しＳｎめっき層３８（後述される）を剥離する。
次に、積層セラミックコンデンサ１０の第１の主面１２ａ上もしくは第２の主面１２ｂ上、または第１の側面１２ｃ上もしくは第２の側面１２ｄ上に位置するＮｉめっき層３６の先端部において、φ１００μｍの範囲でＸ線回折法（μ－ＸＲＤ）を用いて測定する。
なお、Ｎｉめっき層３６の応力は、電流密度によって変動することが分かっている。積層セラミックコンデンサ１０にかかる電流密度はランダムにかかっており、第１の主面１２ａ上もしくは第２の主面１２ｂ上、または第１の側面１２ｃ上または第２の側面１２ｄ上に位置するＮｉめっき層３６の先端部では、Ｎｉめっきの成膜初期から、例えば３μｍの厚みとなるまでにかかる電流密度の平均は、第１の主面１２ａ上もしくは第２の主面１２ｂ上、または第１の側面１２ｃ上または第２の側面１２ｄ上に位置するＮｉめっき層３６の先端部であればどの面であっても同一である。よって、第１の主面１２ａ上、第２の主面１２ｂ上、第１の側面１２ｃ上、第２の側面１２ｄ上のＮｉめっき層３６であれば、どの面でも同一の応力が作用しており、測定面は指定せず、１つの試料に対して１か所の応力を測定する。すなわち、応力の測定箇所は、幅方向ｙもしくは高さ方向ｘ中央部における第１の主面１２ａ上もしくは第２の主面１２ｂ上、または第１の側面１２ｃ上もしくは第２の側面１２ｄ上に位置するＮｉめっき層３６の先端部とすることができる。

第１のＮｉめっき層３６ａおよび第２のＮｉめっき層３６ｂの一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

また、Ｎｉめっき層３６は、積層セラミックコンデンサ１０を実装基板等に実装する際に、実装に用いられる半田によって導電性樹脂層３４や下地電極層３２が侵食されることを防止する機能も有している。

さらに、本実施の形態では、図３に示すように、Ｎｉめっき層３６の上には、Ｓｎめっき層３８が配置されることが好ましい。具体的には、第１のＳｎめっき層３８ａは、第１のＮｉめっき層３６ａを覆うように配置されることが好ましく、第２のＳｎめっき層３８ｂは、第２のＮｉめっき層３６ｂを覆うように配置されることが好ましい。これにより、積層セラミックコンデンサ１０を実装基板等に実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。なお、Ｓｎめっき層３８は、必ずしも形成されなくてもよい。

第１のＳｎめっき層３８ａおよび第２のＳｎめっき層３８ｂの一層あたりの厚みは、１μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。

積層体１２、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の高さ方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１２、第１の外部電極３０ａおよび第２の外部電極３０ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が０．２ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下、高さ方向ｘのＴ寸法が０．１ｍｍ以上１０．０ｍｍ以下である。また、積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、マイクロスコープにより測定することができる。

図１に示す積層セラミックコンデンサ１０は、導電性樹脂層３４上に配置されているＮｉめっき層３６には応力が加わっており、その応力は－１５０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であり、Ｎｉめっき層３６の端部は積層体１２と接触している構造を有している。これにより、Ｎｉめっき層３６と積層体１２を確実に接触させることが可能となり、積層体１２とＮｉめっき層３６との間の隙間を封止することができる。そのため、積層セラミックコンデンサ１０へのクラック抑制効果を維持しつつ、Ａｇの析出経路を塞ぐことができイオンマイグレーションを抑制することができる。
従って、積層セラミックコンデンサ１０の積層体１２の内部へのクラック抑制効果を維持しつつ、イオンマイグレーションを抑制することが可能となる。

２．積層セラミックコンデンサの製造方法
次に、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明する。

まず、セラミック層用の誘電体シートおよび内部電極層用の導電性ペーストが準備される。誘電体シートおよび内部電極層用の導電性ペーストは、バインダおよび溶剤を含む。バインダおよび溶剤は、公知のものであってよい。

そして、誘電体シート上に、内部電極層用の導電性ペーストが、たとえば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで印刷される。これにより、第１の内部電極層のパターンが形成された誘電体シート、および第２の内部電極層のパターンが形成された誘電体シートが準備される。

また、誘電体シートに関しては、内部電極層のパターンが印刷されていない外層用の誘電体シートも準備される。

続いて、内部電極層のパターンが印刷されていない外層用の誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第２の主面側の第２の主面側外層部となる部分が形成される。そして、第２の主面側外層部となる部分の上に第１の内部電極層のパターンが印刷された誘電体シート、および第２の内部電極層のパターンが印刷された誘電体シートを本発明の構造となるように順次積層されることにより、内層部となる部分が形成される。この内層部となる部分の上に、内部電極層のパターンが印刷されてない外層用の誘電体シートが所定枚数積層されることにより、第１の主面側の第１の主面側外層部となる部分が形成される。これにより、積層シートが作製される。

次に、積層シートが静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスされることにより、積層ブロックが作製される。

そして、積層ブロックを所定のサイズにカットされることにより、積層チップが切り出される。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みをつけてもよい。

次に、積層チップが焼成されることにより、積層体１２が作製される。焼成温度は、誘電体であるセラミック層や内部電極層の材料にもよるが、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。

つづけて、積層体の第１の端面および第２の端面に下地電極層となる導電性ペーストを塗布し、下地電極層を形成する。下地電極層として焼付け層を形成する場合には、ガラス成分と金属とを含む導電性ペーストを例えばディッピングなどの方法により、塗布し、その後、焼付け処理を行い、下地電極層が形成される。この時の焼付け処理の温度は、７００℃以上９５０℃以下であることが好ましい。

また、下地電極層を焼付け層で形成する場合は、焼き付け層はセラミック成分を含有させてもよい。この場合、ガラス成分の代わりにセラミック成分を含有させてもよいし、その両方を含有させてもよい。

セラミック成分は、例えば、積層体と同種のセラミック材料であることが好ましい。なお、焼付け層にセラミック成分を含ませる場合には、焼成前の積層チップに対して、導電性ペーストを塗布し、焼成前の積層チップと焼成前の積層チップに塗布された導電性ペーストを同時に焼付けて（焼成して）、焼付け層が形成された積層体を形成することが好ましい。この時の焼付け処理の温度（焼成温度）は、９００℃以上１４００℃以下であることが好ましい。

さらに、導電性樹脂層が、下地電極層上に形成される。
導電性樹脂層の形成方法としては、樹脂成分と金属成分を含む導電性樹脂ペーストを準備し、下地電極層上にディッピング工法を用いて塗布する。その後、２００℃以上５５０℃以下の温度で熱処理を行い、樹脂を熱硬化させ、導電性電極層が形成される。
この時の熱処理時の雰囲気は、Ｎ₂雰囲気であることが好ましい。
また、樹脂の飛散を防ぎ、かつ、各種金属成分の酸化を防ぐため、酸素濃度は１００ｐｐｍ以下に抑えることが好ましい。

次に、導電性樹脂層の表面に第１のＮｉめっき層および第２のＮｉめっき層であるＮｉめっき層を形成する。第１のＮｉめっき層および第２のＮｉめっき層を形成する方法としては、電界めっき法を用いる。めっき工法としてはバレルめっきを用いることが好ましい。

なお、本発明の第１のＮｉめっき層および第２のＮｉめっき層の応力の値である－１５０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下を実現するためには、以下の方法で応力をコントロールすることができる。一般的なワット浴ではめっき被膜の応力は引張応力を示すことが知られている。これに対して、応力緩和剤、または光沢剤と呼ばれるめっき添加剤が用いられることがある。これらの添加剤を使用すると、めっき被膜の応力が低応力化（圧縮応力）することが知られている。上記添加剤としては、サッカリン、ナフタレンスルホン酸ナトリウム、ブチンジオール、プロパルギルアルコール、クマリン、チオ尿素、亜鉛等を用いることができる。これらの添加剤は単独または併用して用いることで、めっき被膜の応力をコントロールすることが可能である。たとえば、サッカリン、ナフタレンスルホン酸ナトリウム等の硫黄を含む１次光沢剤を１ｇ／Ｌ以上５ｇ／Ｌ、およびブチンジオール、プロパルギルアルコール、クマリン等の２次光沢剤を０．１ｇ／Ｌ以上０．５ｇ／Ｌ以下添加することで、Ｎｉめっき被膜の内部応力を圧縮応力にすることが可能である。

その他の方法として、スルファミン酸Ｎｉベースのめっき液（スルファミン酸浴）を用いることができる。スルファミン酸浴は内部応力が低いことが特徴で、引張応力から圧縮応力まで調整可能なめっき液である。さらに、上記添加剤を使用することで、内部応力に変化させることが可能である。

図１ないし図４に示す本実施の形態では、Ｎｉめっき層上にさらにＳｎめっき層が形成される。具体的には、第１のＮｉめっき層上には第１のＳｎめっき層が形成され、第２のＮｉめっき層上には第２のＳｎめっき層が形成される。これにより、積層セラミックコンデンサを実装基板等に実装する際に、実装に用いられる半田の濡れ性を向上させ、容易に実装することができる。Ｓｎめっき層を形成する方法としては、電界めっき法を用いる。めっき工法としてはバレルめっきを用いることが好ましい。

上述のようにして、本実施の形態にかかる積層セラミックコンデンサ１０が製造される。

３．実験例
上述した製造方法にしたがって、積層セラミック電子部品として、試料である積層セラミックコンデンサを作製し、マイグレーションの発生数および機械強度不良を確認した。なお、各試料に関して、表１に示す応力となるように上述した製造方法により、Ｎｉめっき層の応力をコントロールして試料を作製し、それぞれの応力の条件ごとに４６個の試料を作製した。

（ａ）実験例に使用した試料の仕様
実験例には、図１ないし図４に示すような構造とし、以下の仕様の積層セラミックコンデンサを準備した。

・積層セラミックコンデンサの寸法（設計値）：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．５ｍｍ
・セラミック層の主成分の材料：ＢａＴｉＯ₃
・容量：０．０１μＦ
・定格電圧：５０Ｖ

・外部電極層の仕様
・下地電極層の仕様
・下地電極層：導電性金属とガラス成分を含む焼付け層
・導電性金属：Ｃｕ
・下地電極層の厚み
第１の端面および第２の端面に位置する下地電極層の高さ方向ｘの中央部における下地電極層の厚み：１５μｍ
・第１の主面および第２の主面、ならびに第１の側面および第２の側面に位置する下地電極層の長さ方向ｚの中央部における下地電極層の厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：４μｍ

・導電性樹脂層の仕様
・金属フィラー：Ａｇ
・熱硬化性樹脂成分：エポキシ系
・熱硬化性樹脂の硬化温度：２００℃
・第１の端面および第２の端面に位置する導電性樹脂層の高さ方向ｘの中央部における導電性樹脂層の厚み：２０μｍ
・第１の主面および第２の主面、ならびに第１の側面および第２の側面に位置する導電性樹脂層の長さ方向ｚの中央部における導電性樹脂層の厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：２０μｍ

・めっき層の仕様：導電性樹脂層上にＮｉめっき層、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層を形成した２層構造。
・Ｎｉめっき層の厚み：
・第１の端面および第２の端面に位置するＮｉめっき層の高さ方向ｘ中央部におけるＮｉめっき層の厚み：２．０μｍ
・第１の主面および第２の主面、ならびに第１の側面および第２の側面に位置するＮｉめっき層の長さ方向ｚの中央部におけるＮｉめっき層の厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：２．０μｍ

・Ｓｎめっき層の厚み：
・第１の端面および第２の端面に位置するＳｎめっき層の高さ方向ｘ中央部におけるＳｎめっき層の厚み：１．５μｍ
・第１の主面および第２の主面、ならびに第１の側面および第２の側面に位置するＳｎめっき層の長さ方向ｚの中央部におけるＳｎめっき層の厚み（ｅ寸中央部部分の下地電極層の厚み）：１．０μｍ

（ｂ）Ｎｉめっき層の応力の測定方法
Ｎｉめっき層の応力の測定方法としては、以下の方法で測定した。
すなわち、まず、メルストリップ（ＮＨ９８０Ｍ）液を用い、液中へ試料である積層セラミックコンデンサを５分間浸漬した後、水洗いしＳｎめっき層を剥離した。
次に、Ｓｎめっき層の剥離された積層セラミックコンデンサの第１の主面上または第２の主面上もしくは第１の側面上または第２の側面上に位置するＮｉめっき層の先端部において、φ１００μｍの範囲でＸ線解析法（μ－ＸＲＤ）を用いて測定した。
なお、めっきの応力は、電流密度によって変動することがわかっている。積層セラミックコンデンサにかかる電流密度はランダムに作用しており、第１の主面上または第２の主面上もしくは第１の側面上または第２の側面上に位置するＮｉめっき層の先端部では、Ｎｉめっきの成膜初期から、たとえば、３μｍの厚さになるまでにかかる電流密度の平均は、第１の主面上または第２の主面上もしくは第１の側面上または第２の側面上に位置するＮｉめっき層の先端部であれば、どの面であっても同一である。よって、第１の主面上、第２の主面上、第１の側面上、第２の側面上のＮｉめっき層であれば、どの面でも同一の応力が作用しており、測定面は指定せず、１つの試料に対して１か所の応力を測定した。具体的には、応力の測定箇所は、幅方向ｙもしくは高さ方向ｘ中央部における第１の主面上もしくは第２の主面上、または第１の側面上もしくは第２の側面上に位置するＮｉめっき層の先端部とした。

（ｃ）湿中負荷試験によるマイグレーションの確認方法
試料である積層セラミックコンデンサを湿度９０％ＲＨ以上９５％ＲＨ、温度８５℃の環境下で、５０Ｖの直流電流を印加し、湿中負荷試験を行った。試験期間は、４０００時間とした。このとき、絶縁抵抗値を測定しながら試験を行った。試験の結果、絶縁抵抗値が１×１０⁶Ω以下、かつ第１の主面上、第２の主面上、第１の側面上および第２の側面上の４つの面のうちの少なくとも１つの面上にデンドライト状のＡｇが析出している場合、イオンマイグレーションが有りと判断した。
なお、絶縁抵抗値測定、外観観察は、以下の条件とした。

・絶縁抵抗値測定
・設備：ＩＲメーター
・測定時間：６０秒

・外観観察（デンドライト状の析出物の確認）
・設備：金属顕微鏡
・視野：明視野もしくは偏光
・倍率：５００倍

・外観観察（Ａｇの確認）
・設備：ＳＥＭ－ＥＤＸ
・電子像：反射電子
・加速電圧：１５ｋＶ
・倍率：２０００倍
・検出元素：Ａｇ

（ｄ）たわみ強度試験による機械強度不良の確認方法
まず、試料である積層セラミックコンデンサを、半田ペーストを用いて１．６ｍｍの厚さの実装基板に実装した。その後、積層セラミックコンデンサが実装されていない実装基板の裏面から曲率半径１μｍの押し棒にて実装基板を曲げ、機械的ストレスをかけた。
このとき、たわみ量は５ｍｍとし、６０秒間たまわせた。基板曲げを行った後、実装基板から積層セラミックコンデンサを外し、断面研磨を行い積層体の内部におけるクラックの有無を観察した。クラックの観察は、積層セラミックコンデンサの第１の側面もしくは第２の側面、または第１の主面もしくは第２の主面から研磨を開始し、内部電極層の露出直後のＬＴ断面またはＬＷ断面と、積層セラミックコンデンサの第１の側面もしくは第２の側面、または第１の主面もしくは第２の主面から研磨を開始し、第１の側面および第２の側面を結ぶ幅方向ｙの１／２Ｗとなる位置まで研磨したＬＴ断面またはＬＷ断面とで観察を行った。ここで、積層体の内部にクラックが入っていることが確認されたものを機械強度不良としてカウントした。

（ｆ）結果
表１は、各試料に対する湿中負荷試験によるマイグレーションの有無およびたわみ強度試験による積層体の内部にクラックの有無の確認を行った結果を示す。なお、表中の＊印を付した試料番号の試料は、本発明の範囲外である。

表１によれば、試料番号１および試料番号２の試料では、それぞれ、１０個中８個、１０個中５個の機械強度不良が発生した。これは、これらの試料では、Ｎｉめっき層の圧縮応力が－１５０ＭＰａより小さいため、積層体に対する締め付け応力が強くなったことから、たわみ強度試験による外部からの応力により積層体の内部にクラックが入ったものと考えられる。

また、試料番号１２ないし試料番号１４の試料では、それぞれ、３６個中２０個、３６個中２９個および３６個中３３個のイオンマイグレーションによる不良が発生した。これは、これらの試料は、Ｎｉめっき層の引張応力が５０ＭＰａより大きいため、Ｎｉめっき層の端部が持ち上がり、積層体の表面が浮いた状態となってしまうことから、積層体とＮｉめっき層との端部に隙間が生じてしまうため、Ａｇの析出経路ができ、イオンマイグレーションが発生したものと考えられる。

一方、試料番号３ないし試料番号１１の試料では、Ｎｉめっき層の応力が－１５０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることから、各試料についてイオンマイグレーションの発生数が、３６個中２個以下となり、また機械強度不良の発生数も１０個中１個以下となり、良好な結果が得られた。

また、特に、試料番号３ないし試料番号８の試料では、Ｎｉめっき層の応力が－１４３ＭＰａ以－５１ＭＰａ以下であるので、各試料についてイオンマイグレーションの発生数が、３６個中０個となり、また機械強度不良の発生数も１０個中０個となり、より良好な結果が得られた。

以上の結果から、本発明の積層セラミックコンデンサによれば、導電性樹脂層上に配置されているＮｉめっき層の応力を－１５０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下とすることで、Ｎｉめっき層と積層体とを確実に接触させることが可能となり、積層体とＮｉめっき層との間の隙間を封止することができる。そのため、積層セラミックコンデンサへのクラック抑制効果を維持しつつ、Ａｇの析出経路を塞ぐことができ、イオンマイグレーションを抑制することのできることが明らかとなった。

また、Ｎｉめっき層の応力を－１４３ＭＰａ以上－５１ＭＰａ以下とすることで、本発明の効果をより顕著なものにすることができ、積層セラミックコンデンサへのクラックの発生とイオンマイグレーションの発生をより抑制することのできることが明らかとなった。

なお、以上のように、本発明の実施の形態は、前記記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。
すなわち、本発明の技術的思想及び目的の範囲から逸脱することなく、以上説明した実施の形態に対し、機序、形状、材質、数量、位置又は配置等に関して、様々の変更を加えることができるものであり、それらは、本発明に含まれるものである。

１０ 積層セラミックコンデンサ
１２ 積層体
１２ａ 第１の主面
１２ｂ 第２の主面
１２ｃ 第１の側面
１２ｄ 第２の側面
１２ｅ 第１の端面
１２ｆ 第２の端面
１４ セラミック層
１６ 内部電極層
１６ａ 第１の内部電極層
１６ｂ 第２の内部電極層
１８ 内層部
２０ａ 第１の主面側外層部
２０ｂ 第２の主面側外層部
２２ａ 第１の側面側外層部
２２ｂ 第２の側面側外層部
２４ａ 第１の端面側外層部
２４ｂ 第２の端面側外層部
２６ａ 第１の対向電極部
２６ｂ 第２の対向電極部
２８ａ 第１の引出電極部
２８ｂ 第２の引出電極部
３０ 外部電極
３０ａ 第１の外部電極
３０ｂ 第２の外部電極
３２ 下地電極層
３２ａ 第１の下地電極層
３２ｂ 第２の下地電極層
３４ 導電性樹脂層
３４ａ 第１の導電性樹脂層
３４ｂ 第２の導電性樹脂層
３６ Ｎｉめっき層
３６ａ 第１のＮｉめっき層
３６ｂ 第２のＮｉめっき層
３８ Ｓｎめっき層
３８ａ 第１のＳｎめっき層
３８ｂ 第２のＳｎめっき層
ｘ 高さ方向
ｙ 幅方向
ｚ 長さ方向

Claims (5)

1. 積層された複数のセラミック層を含み、高さ方向に相対する第１の主面および第２の主面と、前記高さ方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、前記高さ方向および前記幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を有する積層体と、
   前記複数のセラミック層上に配置され、前記第１の端面に露出する第１の内部電極層と、
   前記複数のセラミック層上に配置され、前記第２の端面に露出する第２の内部電極層と、
   前記第１の内部電極層と電気的に接続され、前記第１の端面上、前記第１の主面の一部、前記第２の主面の一部、前記第１の側面の一部および前記第２の側面の一部に配置される第１の外部電極と、
   前記第２の内部電極層と電気的に接続され、前記第２の端面上、前記第１の主面の一部、前記第２の主面の一部、前記第１の側面の一部および前記第２の側面の一部に配置される第２の外部電極と、
   を有する積層セラミック電子部品において、
   前記第１の外部電極および前記第２の外部電極は、金属成分を含む下地電極層と、前記下地電極層上に配置される熱硬化性樹脂および金属成分とを含む導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層上に配置されるＮｉめっき層と、を有し、
   前記Ｎｉめっき層には応力が加わっており、当該応力は－１５０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であり、前記Ｎｉめっき層の端部は前記積層体と接触している、積層セラミック電子部品。
2. 前記応力は、－１４３Ｍｐａ以上－５１Ｍｐａ以下である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
3. 前記導電性樹脂層に含まれる金属成分は、Ａｇを含む、請求項１または請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
4. 前記Ｎｉめっき層上には、Ｓｎめっき層が配置されている、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
5. 前記下地電極層は、ガラス成分またはセラミック成分を含む、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。

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