JP2023062845A - 被処理体の搬送方法および処理装置 - Google Patents

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Abstract

Figure 2023062845000001
【課題】載置台の載置面上での被処理体の位置ずれおよびリフトピンからの発塵を抑制すること。
【解決手段】被処理体の搬送方法は、工程ａ）と、工程ｂ）と、工程ｃ）と、工程ｄ）とを含む。工程ａ）は、被処理体を載置可能な載置面を有する載置台の傾きを載置面が水平面に対して傾斜するように調整する。工程ｂ）は、工程ａ）の前または後に、載置台に設けられた複数のリフトピンを上昇させることにより、被処理体を搬送する搬送装置から被処理体を受け取る。工程ｃ）は、複数のリフトピンを下降および／または載置台を上昇させることにより、被処理体を傾斜している載置面に載置する。工程ｄ）は、被処理体が載置された載置面が水平面に対して平行となるように載置台の傾きを調整する。
【選択図】図３

Description

本開示は、被処理体の搬送方法および処理装置に関するものである。
特許文献１には、搬送装置により載置台の上方に搬送される被処理体を、載置台から長さの異なる複数のリフトピンを上昇させることにより受け取り、その後、複数のリフトピンを下降させることにより被処理体を載置台の載置面に載置する技術が開示されている。
特開２０２０－５３６２７号公報
本開示は、載置台の載置面上での被処理体の位置ずれおよびリフトピンからの発塵を抑制することができる技術を提供する。
本開示の一態様による被処理体の搬送方法は、工程ａ）と、工程ｂ）と、工程ｃ）と、工程ｄ）とを含む。工程ａ）は、被処理体を載置可能な載置面を有する載置台の傾きを載置面が水平面に対して傾斜するように調整する。工程ｂ）は、工程ａ）の前または後に、載置台に設けられた複数のリフトピンを上昇させることにより、被処理体を搬送する搬送装置から被処理体を受け取る。工程ｃ）は、複数のリフトピンを下降および／または載置台を上昇させることにより、被処理体を傾斜している載置面に載置する。工程ｄ）は、被処理体が載置された載置面が水平面に対して平行となるように載置台の傾きを調整する。
本開示によれば、載置台の載置面上での被処理体の位置ずれおよびリフトピンからの発塵を抑制することができるという効果を奏する。
図１は、一実施形態に係る真空処理装置の構成の一例を示す概略断面図である。 図２は、一実施形態における載置台を上方向から見た上面図である。 図３は、一実施形態に係る真空処理装置における基板の搬入時の処理動作の一例を示すフローチャートである。 図４は、一実施形態に係る真空処理装置における基板の搬入時の処理動作の具体例を説明するための図である。 図５は、一実施形態に係る真空処理装置における基板の搬入時の処理動作の具体例を説明するための図である。 図６は、一実施形態に係る真空処理装置における基板の搬入時の処理動作の具体例を説明するための図である。 図７は、一実施形態に係る真空処理装置における基板の搬入時の処理動作の具体例を説明するための図である。 図８は、位置ずれ情報が示すずれ量の一例を示す図である。 図９は、一実施形態に係る真空処理装置における基板の搬出時の処理動作の一例を示すフローチャートである。 図１０は、一実施形態に係る真空処理装置における基板の搬出時の処理動作の具体例を説明するための図である。 図１１は、一実施形態に係る真空処理装置における基板の搬出時の処理動作の具体例を説明するための図である。 図１２は、一実施形態に係る真空処理装置における基板の搬出時の処理動作の具体例を説明するための図である。 図１３は、載置台の傾き調整の一例を説明するための図である。
以下、図面を参照して本願の開示する被処理体の搬送方法および処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。
上記の従来技術では、被処理体は、長さの異なる複数のリフトピンにより水平面に対して傾斜した姿勢で支持される。長さの異なる複数のリフトピンに傾斜した姿勢で支持された被処理体は、複数のリフトピンが下降する際に、相対的に低い被処理体のエッジ側から徐々に載置台の載置面に接触し、最終的に水平な姿勢で載置面に載置される。これにより、被処理体と載置台の載置面との間にガスが残留する場合であっても、残留するガスを相対的に高い被処理体のエッジ側から逃がすことができ、残留するガスに起因した載置台の載置面上での被処理体の位置ずれが抑制される。
しかしながら、長さの異なる複数のリフトピンにより搬送装置から被処理体を受け取る場合、被処理体との接触に伴う負荷が相対的に長さの長いリフトピンに集中する。このため、相対的に長さの長いリフトピンが他のリフトピンよりも摩耗して発塵が発生するおそれがあった。
そこで、載置台の載置面上での被処理体の位置ずれおよびリフトピンからの発塵を抑制することが期待されている。
［真空処理装置１００の構成］
図１は、一実施形態に係る真空処理装置（処理装置の一例）１００の構成の一例を示す概略断面図である。図１に例示された真空処理装置１００は、真空雰囲気において成膜を行う装置である。例えば図１に示された真空処理装置１００は、基板Ｗに対して、プラズマを用いたＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理を行なう装置である。
真空処理装置１００は、例えば表面に陽極酸化被膜が形成されたアルミニウム、ニッケル等の金属により略円筒状に形成された処理容器１を備える。処理容器１は、底壁１ｂおよび側壁１ｆを有する。処理容器１は、接地されている。処理容器１は、内部を真空雰囲気に維持することができるように気密に構成されている。処理容器１の側壁１ｆには、半導体ウエハ等の処理対象となる基板（被処理体の一例）Ｗを搬入および搬出するための開口部１ａが形成されている。開口部１ａは、ゲートバルブＧによって開閉される。
処理容器１の内部には、基板Ｗを載置するための載置台２が設けられている。載置台２は、例えばアルミニウム、ニッケル等の金属、または、金属メッシュ電極が埋め込まれた窒化アルミ(ＡｌＮ)等により、扁平な略円柱状に形成されている。載置台２の上面には、基板Ｗが載置される。すなわち、載置台２の上面は、基板Ｗを載置可能な載置面２ｃである。載置台２は、下部電極としても機能する。載置台２は、支持部材２ａにより下方から支持されている。支持部材２ａは、略円筒状に形成されており、載置台２から鉛直下方に延伸し、処理容器１の底壁１ｂを貫通している。支持部材２ａの下端部は、処理容器１の外部に位置し、回転駆動機構６に接続されている。支持部材２ａは、回転駆動機構６により回転される。載置台２は、支持部材２ａの回転に応じて回転可能に構成されている。また、支持部材２ａの下端部には、調整機構７が設けられている。調整機構７は、支持部材２ａの位置および傾きを変化させることで載置台２の位置および傾きを調整することが可能である。
載置台２には、ヒータ２ｂが内蔵されている。ヒータ２ｂは、処理容器１の外部から供給された電力に応じて発熱し、載置台２に載せられた基板Ｗを加熱する。また、図示は省略するが、載置台２の内部には、処理容器１の外部に設けられたチラーユニットによって温度制御された冷媒が供給される流路が形成されている。ヒータ２ｂによる加熱と、チラーユニットから供給された冷媒による冷却とにより、載置台２は、基板Ｗを予め定められた温度に制御することができる。なお、載置台２には、ヒータ２ｂが設けられず、チラーユニットから供給される冷媒により基板Ｗの温度制御が行われてもよい。
また、図示は省略するが、載置台２の内部には、外部から供給される電圧によって静電気力を発生させる電極が埋め込まれている。この電極から発生した静電気力により、載置台２は、上面（つまり、載置面２ｃ）に載置された基板Ｗを吸着保持することができる。
また、載置台２には、例えば図１および図２に示すように、複数のリフトピン２１が載置面２ｃから昇降可能に設けられている。図２は、一実施形態における載置台２を上方向から見た上面図である。図２には、円板状に載置台２の載置面２ｃが示されている。載置台２には、複数（例えば３つ）のピン用貫通孔２０が設けられており、複数のリフトピン２１は、これらのピン用貫通孔２０の内部に配置されている。複数のピン用貫通孔２０および複数のリフトピン２１は、載置面２ｃの周方向に沿って等間隔で配置されている。図２には、複数のピン用貫通孔２０および複数のリフトピン２１の配置位置が示されている。複数のピン用貫通孔２０および複数のリフトピン２１は、例えば、載置面２ｃの中心Ｏと複数のピン用貫通孔２０の各々とを結ぶ線分の成す角度が１２０°となるように配置されている。
図１の説明に戻る。ピン用貫通孔２０は、載置台２の載置面２ｃ（上面）から載置面２ｃに対する裏面（下面）まで貫通するように設けられている。リフトピン２１は、ピン用貫通孔２０にスライド可能に挿入されている。載置台２に対してリフトピン２１を下降させた状態では、リフトピン２１の上端は、ピン用貫通孔２０の載置面側に吊り下げられる。すなわち、リフトピン２１の上端は、ピン用貫通孔２０よりも大きい径を有しており、ピン用貫通孔２０の上端には、リフトピン２１の上端よりも径および厚みが大きく且つリフトピン２１の上端を収容可能な凹部が形成されている。リフトピン２１の上端は、ピン用貫通孔２０の凹部に収容されることにより、ピン用貫通孔２０の載置面側に吊り下げられる。
また、複数のリフトピン２１は、互いの長さが同一である。複数のリフトピン２１は、フロート式のリフトピンであり、下端において、載置台２の裏面から処理容器１の底壁１ｂ側へ突出するとともに、昇降用部材２２に当接可能である。昇降用部材２２は、駆動機構２３に接続されており、駆動機構２３による駆動制御に応じて、上昇または下降する。複数のリフトピン２１は、昇降用部材２２の上昇または下降に応じて、載置台２の載置面２ｃに対して上昇または下降する。
載置台２の上方には、例えばアルミニウム、ニッケル等の導電性の金属により略円板状に形成されたシャワーヘッド３が設けられている。シャワーヘッド３の下面と載置台２の上面との間の空間は、成膜処理が行われる処理空間である。シャワーヘッド３は、セラミックス等の絶縁部材１ｄを介して、載置台２の上部に支持されている。これにより、処理容器１とシャワーヘッド３とは、電気的に絶縁されている。シャワーヘッド３は、処理容器１の天井部分を構成している。
シャワーヘッド３は、天板３ａと、シャワープレート３ｂとを有する。天板３ａは、処理容器１内を上側から塞ぐように設けられている。シャワープレート３ｂは、天板３ａの下方に、載置台２に対向するように設けられている。天板３ａには、ガス拡散室３ｃが形成されている。天板３ａとシャワープレート３ｂには、ガス拡散室３ｃに連通する複数のガス吐出孔３ｄが形成されている。
天板３ａには、ガス拡散室３ｃへガスを導入するためのガス導入口３ｅが形成されている。ガス導入口３ｅには、配管３６を介してガス供給部３５が接続されている。ガス供給部３５は、成膜処理に用いられる各種ガスのガス供給源と、それぞれのガス供給源に接続されたガス供給ラインとを有している。各ガス供給ラインは、バルブおよび流量制御器等、ガスの流れを制御する制御機器が設けられている。ガス供給部３５は、各ガス供給ラインに設けられた制御機器により流量が制御された各種ガスを配管３６を介してシャワーヘッド３へ供給する。シャワーヘッド３に供給されたガスは、ガス拡散室３ｃ内を拡散し、それぞれのガス吐出孔３ｄからシャワーヘッド３の下方の処理空間へ吐出される。
また、シャワープレート３ｂは、載置台２と対になり、処理空間に容量結合プラズマ（ＣＣＰ）を形成するための電極板としても機能する。シャワーヘッド３には、整合器３１を介してＲＦ（Radio Frequency）電源３０が接続されている。ＲＦ電源３０は、整合器３１を介してシャワーヘッド３にＲＦ電力を供給する。ＲＦ電源３０からシャワーヘッド３に供給されたＲＦ電力は、シャワーヘッド３の下面から処理空間内に供給される。処理空間内に供給されたガスは、処理空間内に供給されたＲＦ電力によってプラズマ化される。なお、ＲＦ電源３０は、シャワーヘッド３に代えて載置台２にＲＦ電力を供給してもよい。この場合、シャワーヘッド３は、接地される。また、ＲＦ電源３０は、載置台２およびシャワーヘッド３の両方に、異なる周波数および大きさのＲＦ電力を供給してもよい。
処理容器１の底壁１ｂには、排気口４０が形成されている。排気口４０には、配管４１を介して排気装置４２が接続されている。排気装置４２は、真空ポンプや圧力調整バルブ等を有する。排気装置４２により処理容器１内を予め定められた真空度まで減圧することができる。
制御部１０２は、メモリ、プロセッサ、および入出力インターフェイスを有する。メモリには、プロセッサによって実行されるプログラム、および、各処理の条件を含むレシピ等が格納されている。プロセッサは、メモリから読み出したプログラムを実行し、メモリ内に記憶されたレシピに基づいて、入出力インターフェイスを介して、本体１０１の各部を制御する。
[基板の搬入時の処理動作]
ところで、真空処理装置１００では、搬送装置により処理容器１内へ搬送される基板Ｗを載置台２の載置面２ｃに載置する際に、載置面２ｃ上において、基板Ｗと載置面２ｃとの間の残留ガスにより基板Ｗが浮上し且つ横方向に滑る位置ずれが発生することがある。載置台２の載置面２ｃでの基板Ｗの位置ずれは、基板Ｗに対する処理の均一性を低下させる要因となり、好ましくない。
これに対して、載置台２から長さの異なる複数のリフトピンを上昇させることにより基板Ｗを受け取り、その後、長さの異なる複数のリフトピンを下降させることにより基板Ｗを載置台２の載置面２ｃに載置する技術が提案されている。かかる技術では、基板Ｗは、長さの異なる複数のリフトピンにより水平面に対して傾斜した姿勢で支持される。長さの異なる複数のリフトピンに傾斜した姿勢で支持された基板Ｗは、複数のリフトピンが下降する際に、相対的に低い基板Ｗのエッジ側から徐々に載置台２の載置面２ｃに接触し、最終的に水平な姿勢で載置面２ｃに載置される。これにより、基板Ｗと載置台２の載置面２ｃとの間にガスが残留する場合、残留するガスを相対的に高い基板Ｗのエッジ側から逃がすことができ、残留するガスに起因した載置台２の載置面２ｃ上での基板Ｗの位置ずれが抑制される。
しかしながら、上述の技術では、長さの異なる複数のリフトピンにより搬送装置から被処理体を受け取る場合、基板Ｗとの接触に伴う負荷が相対的に長さの長いリフトピンに集中する。このため、相対的に長さの長いリフトピンが他のリフトピンよりも摩耗して発塵が発生するおそれがあった。
そこで、本実施形態の真空処理装置１００は、搬送装置により処理容器１内へ基板Ｗが搬送される際に、調整機構７により載置台２の傾きを載置面２ｃが水平面に対して傾斜するように調整する。そして、真空処理装置１００は、載置台２から複数のリフトピン２１を上昇させることにより、基板Ｗを搬送する搬送装置から基板Ｗを水平に受け取り、複数のリフトピン２１を下降させることにより、基板Ｗを傾斜している載置面２ｃに載置する。これにより、基板Ｗと載置台２の載置面２ｃとの間にガスが残留する場合であっても、残留するガスを相対的に低い載置面２ｃのエッジ側から逃がすことができ、残留ガスに起因した載置台２の載置面２ｃ上での基板Ｗの位置ずれを抑制することができる。また、基板Ｗが複数のリフトピン２１により水平に受け取られることにより、複数のリフトピン２１と基板Ｗとの接触に伴う負荷を複数のリフトピン２１それぞれに分散させることができ、特定のリフトピン２１の摩耗を低減することができる。この結果、本実施形態の真空処理装置１００は、載置台２の載置面２ｃ上での基板Ｗの位置ずれおよびリフトピン２１からの発塵を抑制することができる。
図３は、一実施形態に係る真空処理装置１００における基板Ｗの搬入時の処理動作の一例を示すフローチャートである。図４～図７は、一実施形態に係る真空処理装置１００における基板Ｗの搬入時の処理動作の具体例を説明するための図である。図３に例示される各工程は、制御部１０２が本体１０１の各部を制御することにより実現される。
載置台２の傾きは、基板Ｗの搬入出を実行しない期間において、載置面２ｃが水平面に対して平行となるように設定される。基板Ｗの搬入時には、制御部１０２は、載置台２の傾きを載置面２ｃが水平面に対して傾斜するように調整する（ステップＳ１０、第１傾き調整工程）。すなわち、例えば図４に示すように、制御部１０２は、調整機構７を制御して、載置台２の傾きを載置面２ｃが水平面に対して傾斜角度θで傾斜するように調整する。このとき、制御部１０２は、載置台２の傾きを、複数のリフトピン２１のうち特定のリフトピン２１（図４では左側のリフトピン２１）の位置での高さが最も低くなる姿勢で載置面２ｃが傾斜するように調整する。水平面に対する載置面２ｃの傾斜角度θは、載置面２ｃに基板Ｗが載置される際に載置面２ｃからの基板Ｗの滑落を抑止する観点、並びに載置面２ｃと基板Ｗとの隙間からのガス抜きを実現する観点から、例えば、０．５°以上２°以下であることが好ましい。次に、搬送装置が、基板Ｗをアームに保持して処理容器１内に搬入し、載置台２の上方まで移動させる。
基板Ｗが載置台２の上方に到達すると、制御部１０２は、複数のリフトピン２１を上昇させることにより、搬送装置から基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１、受取工程）。すなわち、例えば図５に示すように、制御部１０２は、駆動機構２３を制御して、昇降用部材２２を上昇させて複数のリフトピン２１の下端に昇降用部材２２を当接させる。昇降用部材２２が上昇すると、昇降用部材２２に支持された複数のリフトピン２１が昇降用部材２２とともに上昇し、載置台２の載置面２ｃから突出し、搬送装置から基板Ｗを受け取る。載置台２の載置面２ｃから突出する複数のリフトピン２１は、互いの長さが同一であるため、複数のリフトピン２１の先端は、同一水平面上に位置する。このため、基板Ｗは、複数のリフトピン２１により水平に受け取られ且つ支持される。このように、基板Ｗが複数のリフトピン２１により水平に受け取られることにより、複数のリフトピン２１と基板Ｗとの接触に伴う負荷が複数のリフトピン２１それぞれに分散され、その結果、特定のリフトピン２１の摩耗に伴う発塵を抑制することができる。
なお、上記の第１傾き調整工程（ステップＳ１０）と受取工程（ステップＳ１１）の順序は入れ替え可能である。すなわち、複数のリフトピン２１により基板Ｗを受け取った後に、載置台２の傾きを載置面２ｃが水平面に対して傾斜するように調整してもよい。
載置台２の傾きを調整し且つ複数のリフトピン２１により基板Ｗを受け取ると、制御部１０２は、複数のリフトピン２１を下降させることにより、基板Ｗを傾斜している載置面２ｃに載置する（ステップＳ１２、載置工程）。すなわち、例えば図６に示すように、制御部１０２は、駆動機構２３を制御して、昇降用部材２２を下降させる。昇降用部材２２が下降すると、昇降用部材２２に支持された複数のリフトピン２１が昇降用部材２２とともに下降し、基板Ｗが傾斜している載置面２ｃに載置される。複数のリフトピン２１に水平に支持される基板Ｗは、傾斜している載置面２ｃに載置される際、相対的に高い載置面２ｃのエッジ（図６では右側のエッジ）側から相対的に低い載置面２ｃのエッジ（図６では左側のエッジ）側に向けて徐々に載置面２ｃと接触する。図６には、相対的に高い載置面２ｃのエッジ（図６では右側のエッジ）付近に接触する基板Ｗが破線により示されている。このように、水平に支持される基板Ｗが傾斜している載置面２ｃに徐々に接触することにより、基板Ｗと載置台２の載置面２ｃとの間にガスが残留する場合であっても、相対的に低い載置面２ｃのエッジ（図６では左側のエッジ）側からガスを逃がすことができる。その結果、残留ガスに起因した載置台２の載置面２ｃ上での基板Ｗの位置ずれを抑制することができる。
その後、制御部１０２は、基板Ｗが載置された載置面２ｃが水平面に対して平行となるように載置台２の傾きを調整する（ステップＳ１３、第２傾き調整工程）。すなわち、例えば図７に示すように、制御部１０２は、調整機構７を制御して、水平面に対する載置面２ｃの傾斜角度θが０となるまで載置台２の傾きを調整する。これが、一実施形態に係る真空処理装置１００における基板Ｗの搬入時の処理動作である。
なお、上記の第１傾き調整工程において、載置台２の傾きを、複数のリフトピン２１のうち特定のリフトピン２１の位置での高さが最も低くなる姿勢で載置面２ｃが傾斜するように調整する例を示したが、載置面２ｃの姿勢はこれに限定されない。例えば、第１傾き調整工程において、載置台２の傾きを、載置面２ｃの周方向に沿って複数のリフトピン２１の位置での高さが徐々に低くなる姿勢で載置面２ｃが傾斜するように調整してもよい。
また、上記の載置工程において、複数のリフトピン２１を下降させることにより、基板Ｗを傾斜している載置面２ｃに載置する例を示したが、載置台２を上昇させることにより、基板Ｗを載置面２ｃに載置してもよい。また、複数のリフトピン２１を下降および載置台２を上昇させることにより、基板Ｗを載置面２ｃに載置してもよい。載置台２の上昇は、制御部１０２が調整機構７を制御することにより、実現され得る。
ところで、上記の載置工程において、基板Ｗは、傾斜している載置面２ｃに載置される際に、相対的に高い載置面２ｃのエッジ（図６では右側のエッジ）側から載置面２ｃに接触し、載置面２ｃとの接触位置を中心として載置面２ｃに向かって回転する。すなわち、相対的に高い載置面２ｃとの接触位置を支点として基板Ｗは徐々に傾斜していく。かかる基板Ｗの回転動作に伴い、載置面２ｃの中心に対して載置面２ｃに載置される基板Ｗの中心が僅かにずれる。
そこで、制御部１０２は、上記の載置工程において、複数のリフトピン２１を下降させる前に、載置台２の位置を調整して、載置面２ｃの中心と載置面２ｃに載置される基板Ｗの中心との位置ずれを補正してもよい。具体的には、まず、制御部１０２は、傾斜している載置面２ｃに基板Ｗが載置される場合の基板Ｗのエッジ位置と予め定められた基準エッジ位置とのずれ量を示す位置ずれ情報を制御部１０２が有するメモリから取得する。基準エッジ位置とは、載置面２ｃに基板Ｗが正常に載置された場合（つまり、載置面２ｃの中心と載置面２ｃに載置される基板Ｗの中心とが一致するように載置面２ｃに基板Ｗが載置された場合）における基板Ｗのエッジ位置である。図８は、位置ずれ情報が示すずれ量の一例を示す図である。図８には、載置面２ｃの中心と載置面２ｃに載置される基板Ｗの中心とが一致するように載置面２ｃに載置された基板Ｗが破線により示されている。傾斜している載置面２ｃに基板Ｗが載置される場合の基板Ｗのエッジ位置と基準エッジ位置とのずれ量ａは、基板Ｗの直径がＲであり、水平面に対する載置面２ｃの傾斜角度がθであるとすると、ａ＝（Ｒ－Ｒｃｏｓθ）／２で表される。続いて、制御部１０２は、位置ずれ情報に基づき、調整機構７を制御して、載置台２の位置を調整する。すなわち、制御部１０２は、位置ずれ情報が示すずれ量ａが０となるように載置台２の水平位置を調整する。これにより、傾斜している載置面２ｃに基板Ｗが載置される場合の基板Ｗのエッジ位置と基準エッジ位置とが一致するため、載置面２ｃの中心と載置面２ｃに載置される基板Ｗの中心との位置ずれを補正することができる。そして、載置台２の位置調整後に、制御部１０２は、複数のリフトピン２１を下降させる。これにより、載置面２ｃの中心と載置面２ｃに載置される基板Ｗの中心とが一致するように載置面２ｃに基板Ｗを載置することができる。
[基板の搬出時の処理動作]
ところで、真空処理装置１００では、複数の基板Ｗに対する処理が行われる過程で、載置台２に反応副生成物（いわゆるデポ）が堆積する。載置台２に堆積したデポは、載置台２の内部の電極に供給された電圧によって帯電し、電極に供給される電圧が解除されても、デポに帯電した電荷が残存する場合がある。デポが帯電していると、載置台２の載置面２ｃと基板Ｗとの間に静電気力に応じた吸着力が残存する。載置台２の載置面２ｃと基板Ｗとの間に残存する吸着力が過大であると、処理後の基板Ｗをリフトピン２１により持ち上げる際に、基板Ｗが跳ね上がるおそれがある。
そこで、本実施形態の真空処理装置１００は、搬送装置により処理容器１から基板Ｗが搬送される際に、調整機構７により載置台２の傾きを載置面２ｃが水平面に対して傾斜するように調整する。そして、真空処理装置１００は、載置台２から複数のリフトピン２１を上昇させることにより、基板Ｗを傾斜している載置面２ｃから持ち上げる。これにより、載置台２の載置面２ｃと基板Ｗとの間に吸着力が残存する場合であっても、相対的に低い載置面２ｃのエッジ側から基板Ｗを徐々に引き剥がすことができる。その結果、本実施形態の真空処理装置１００は、載置面２ｃと基板Ｗとの接触を徐々に解除して、基板Ｗの跳ね上がりを防止できる。
図９は、一実施形態に係る真空処理装置１００における基板Ｗの搬出時の処理動作の一例を示すフローチャートである。図１０～図１２は、一実施形態に係る真空処理装置１００における基板Ｗの搬出時の処理動作の具体例を説明するための図である。図９に例示される各工程は、制御部１０２が本体１０１の各部を制御することにより実現される。
載置台２の傾きは、基板Ｗの搬入出を実行しない期間において、載置面２ｃが水平面に対して平行となるように設定される。基板Ｗの搬出時には、制御部１０２は、載置台２の傾きを載置面２ｃが水平面に対して傾斜するように調整する（ステップＳ２０、第３傾き調整工程）。すなわち、例えば図１０に示すように、制御部１０２は、調整機構７を制御して、載置台２の傾きを載置面２ｃが水平面に対して傾斜角度θで傾斜するように調整する。このとき、制御部１０２は、載置台２の傾きを、複数のリフトピン２１のうち特定のリフトピン２１（図１０では左側のリフトピン２１）の位置での高さが最も低くなる姿勢で載置面２ｃが傾斜するように調整する。水平面に対する載置面２ｃの傾斜角度θは、載置面２ｃに載置された基板Ｗの滑落を抑止する観点、並びに載置面２ｃからの基板Ｗの引き剥がしを実現する観点から、例えば、０．５°以上２°以下であることが好ましい。
載置台２の傾きを調整すると、制御部１０２は、複数のリフトピン２１を上昇させることにより、基板Ｗを傾斜している載置面２ｃから持ち上げる（ステップＳ２１、持上げ工程）。すなわち、例えば図１１に示すように、制御部１０２は、駆動機構２３を制御して、昇降用部材２２を上昇させて複数のリフトピン２１の下端に当接させる。昇降用部材２２が上昇すると、昇降用部材２２に支持された複数のリフトピン２１が昇降用部材２２とともに上昇し、載置台２の載置面２ｃから突出し、基板Ｗを傾斜している載置面２ｃから持ち上げる。複数のリフトピン２１は、互いの長さが同一であるため、複数のリフトピン２１の先端は、同一水平面上に位置する。このため、基板Ｗは、複数のリフトピン２１が傾斜している載置面２ｃから突出する際、相対的に低い載置面２ｃのエッジ（図１１では左側のエッジ）側に位置する特定のリフトピン２１（図１１では左側のリフトピン２１）と最初に接触する。これにより、基板Ｗは、複数のリフトピン２１により相対的に低い載置面２ｃのエッジ（図１１では左側のエッジ）側から徐々に引き剥がされる。図１１には、相対的に低い載置面２ｃのエッジ（図１１では左側のエッジ）側に位置する特定のリフトピン２１（図１１では左側のリフトピン２１）と最初に接触することにより載置面２ｃから引き剥がされた基板Ｗが破線により示されている。このように、基板Ｗが複数のリフトピン２１により相対的に低い載置面２ｃのエッジ（図１１では左側のエッジ）側から徐々に引き剥がされることにより、載置面２ｃと基板Ｗとの接触を徐々に解除して、基板Ｗの跳ね上がりを抑止できる。
複数のリフトピン２１により基板Ｗが載置面２ｃから持ち上げられた状態で、搬送装置のアームが処理容器１内に進入し、基板Ｗの下方で停止する。その後、制御部１０２は、複数のリフトピン２１を下降させることにより、複数のリフトピン２１に支持された基板Ｗを搬送装置に受け渡す（ステップＳ２２、受渡工程）。すなわち、例えば図１２に示すように、制御部１０２は、駆動機構２３を制御して、昇降用部材２２を下降させる。昇降用部材２２が下降すると、昇降用部材２２に支持された複数のリフトピン２１が昇降用部材２２とともに下降し、複数のリフトピン２１に支持された基板Ｗを搬送装置のアーム（不図示）が受け取る。搬送装置のアームは基板Ｗを保持した状態で処理容器１の外部へと移動し、基板Ｗを搬出する。これが、一実施形態に係る真空処理装置１００における基板Ｗの搬出時の処理動作である。
なお、上記の第３傾き調整工程において、載置台２の傾きを、複数のリフトピン２１のうち特定のリフトピン２１の位置での高さが最も低くなる姿勢で載置面２ｃが傾斜するように調整する例を示したが、載置面２ｃの姿勢はこれに限定されない。例えば、第３傾き調整工程において、載置台２の傾きを、載置面２ｃの周方向に沿って複数のリフトピン２１の位置での高さが徐々に低くなる姿勢で載置面２ｃが傾斜するように調整してもよい。かかる載置台２の傾き調整について、図１３を参照して説明する。図１３は、載置台２の傾き調整の一例を説明するための図である。図１３には、円板状に載置台２の載置面２ｃが示されている。図１３では、説明の便宜上、複数のリフトピン２１として、リフトピン２１－１～２１－３が示されている。また、図１３において、Ｘ１軸は、リフトピン２１－１、２１－２の位置を結ぶ線分に平行であり、かつ、載置面２ｃの中心Ｏを通過する軸であり、Ｙ１軸は、Ｘ１軸に直交し、かつ、載置面２ｃの中心Ｏを通過する軸である。第３傾き調整工程においては、まず、載置面２ｃが図１３に示すＸ１軸周りの回転方向に回転するように載置台２の傾きを調整する。これにより、載置面２ｃがリフトピン２１－１、２１－２の位置での高さがリフトピン２１－３の位置での高さよりも低くなる姿勢で傾斜する。続いて、第３傾き調整工程においては、載置面２ｃが図１３に示すＹ１軸周りの回転方向に回転するように載置台２の傾きを調整する。これにより、載置面２ｃが載置面２ｃの周方向に沿ってリフトピン２１－３、２１－２、２１－１の位置の順序で高さが徐々に低くなる姿勢で傾斜する。このように、載置台２の傾きは、載置面２ｃの周方向に沿って複数のリフトピン２１の位置での高さが徐々に低くなる姿勢で載置面２ｃが傾斜するように調整される。載置面２ｃがかかる姿勢で傾斜した状態で複数のリフトピン２１が上昇して載置面２ｃから突出すると、基板Ｗは、載置面２ｃに周方向に沿って複数のリフトピン２１と順に接触する。図１３の例では、基板Ｗは、載置面２ｃに周方向に沿ってリフトピン２１－１、２１－２、２１－３の順にリフトピン２１－１、２１－２、２１－３と接触する。これにより、基板Ｗは、載置面２ｃに周方向に沿って複数のリフトピン２１により徐々に引き剥がされ、結果として、基板Ｗの跳ね上がりをより安定的に抑止できる。
また、上記の第３傾き調整工程において、搬送装置により搬送された基板Ｗの累計搬送枚数に応じて、傾斜後の載置面２ｃの高さが最も低くなる部位を載置面２ｃの周方向に沿った複数のリフトピン２１の位置に順次切り替えてもよい。これにより、基板Ｗと最初に接触するリフトピン２１が基板Ｗの累計搬送枚数に応じて切り替わるため、複数のリフトピン２１のうち特定のリフトピン２１のみが摩耗する事態を回避することができる。
[効果]
上記実施形態に係る被処理体の搬送方法は、工程ａ）（例えば、ステップＳ１０、第１傾き調整工程）と、工程ｂ）（例えば、ステップＳ１１、受取工程）と、工程ｃ）（例えば、ステップＳ１２、載置工程）と、工程ｄ）（例えば、ステップＳ１３、第２傾き調整工程）とを含む。工程ａ）は、被処理体（例えば、基板Ｗ）を載置可能な載置面（例えば、載置面２ｃ）を有する載置台（例えば、載置台２）の傾きを載置面が水平面に対して傾斜するように調整する。工程ｂ）は、工程ａ）の前または後に、載置台に設けられた複数のリフトピン（例えば、リフトピン２１）を上昇させることにより、被処理体を搬送する搬送装置から被処理体を受け取る。工程ｃ）は、複数のリフトピンを下降および／または載置台を上昇させることにより、被処理体を傾斜している載置面に載置する。工程ｄ）は、被処理体が載置された載置面が水平面に対して平行となるように載置台の傾きを調整する。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、載置台の載置面上での被処理体の位置ずれおよびリフトピンからの発塵を抑制することができる。
また、上記実施形態において、複数のリフトピンは、載置面の周方向に沿って等間隔で配置されてもよい。そして、工程ａ）において、載置台の傾きを、複数のリフトピンのうち特定のリフトピンの位置での高さが最も低くなる姿勢で載置面が傾斜するように調整してもよい。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、傾斜後の載置面の高さが最も低くなる部位を特定のリフトピンの位置に合わせることができる。
また、上記実施形態において、複数のリフトピンは、前記載置面の周方向に沿って等間隔で配置されてもよい。そして、工程ａ）において、載置台の傾きを、載置面の周方向に沿って複数のリフトピンの位置での高さが徐々に低くなる姿勢で載置面が傾斜するように調整してもよい。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、傾斜後の載置面の高さを載置面の周方向に沿って徐々に低くすることができる。
また、上記実施形態において、工程ｃ）は、工程ｃ－１）と、工程ｃ－２）と、工程ｃ－３）とを含んでもよい。工程ｃ－１）は、傾斜している載置面に被処理体が載置される場合の被処理体のエッジ位置と予め定められた基準エッジ位置とのずれ量を示す位置ずれ情報を取得してもよい。工程ｃ－２）は、位置ずれ情報に基づき、載置台の位置を調整してもよい。工程ｃ－３）は、載置台の位置調整後に、複数のリフトピンを下降および／または載置台を上昇させてもよい。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、載置面の中心と載置面に載置される被処理体の中心とが一致するように載置面に被処理体を載置することができる。
また、上記実施形態に係る被処理体の搬送方法は、工程ｅ）（例えば、ステップＳ２０、第３傾き調整工程）と、工程ｆ）（例えば、ステップＳ２１、持上げ工程）と、工程ｇ）（例えば、ステップＳ２２、受渡工程）とを含む。工程ｅ）は、被処理体が載置された載置面を有する載置台の傾きを載置面が水平面に対して傾斜するように調整する。工程ｆ）は、載置台に設けられた複数のリフトピンを上昇させることにより、被処理体を傾斜している載置面から持ち上げる。工程ｇ）は、複数のリフトピンに支持された被処理体を、被処理体を搬送する搬送装置に受け渡す。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、載置面と被処理体との接触を徐々に解除して、被処理体の跳ね上がりを防止できる。
また、上記実施形態において、複数のリフトピンは、載置面の周方向に沿って等間隔で配置されてもよい。そして、工程ｅ）において、載置台の傾きを、複数のリフトピンのうち特定のリフトピンの位置での高さが最も低くなる姿勢で載置面が傾斜するように調整してもよい。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、傾斜後の載置面の高さが最も低くなる部位を特定のリフトピンの位置に合わせることができる。
また、上記実施形態において、複数のリフトピンは、載置面の周方向に沿って等間隔で配置されてもよい。そして、工程ｅ）において、載置台の傾きを、載置面の周方向に沿って複数のリフトピンの位置での高さが徐々に低くなる姿勢で載置面が傾斜するように調整してもよい。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、傾斜後の載置面の高さを載置面の周方向に沿って徐々に低くすることができる。また、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、被処理体は、載置面に周方向に沿って複数のリフトピンにより徐々に引き剥がされ、結果として、被処理体の跳ね上がりをより安定的に抑止できる。
また、上記実施形態において、工程ｅ）において、搬送装置により搬送された被処理体の累計搬送枚数に応じて、傾斜後の載置面の高さが最も低くなる部位を載置面の周方向に沿った複数のリフトピンの位置に順次切り替えてもよい。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、被処理体と最初に接触するリフトピンが被処理体の累計搬送枚数に応じて切り替わるため、複数のリフトピンのうち特定のリフトピンのみが摩耗する事態を回避することができる。
また、上記実施形態において、複数のリフトピンは、下端において昇降用部材に当接可能であり、昇降用部材の上昇または下降に応じて上昇または下降してもよい。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、フロート式のリフトピンを用いる場合に、載置台の載置面上での被処理体の位置ずれおよびリフトピンからの発塵を抑制することができる。また、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、フロート式のリフトピンを用いる場合に、載置面と被処理体との接触を徐々に解除して、被処理体の跳ね上がりを防止できる。
また、上記実施形態において、水平面に対する前記載置面の傾斜角度は、０．５°以上２°以下であってもよい。これにより、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、載置面からの被処理体の滑落を抑止するとともに、載置面と被処理体との隙間からのガス抜きを実現することができる。また、実施形態に係る被処理体の搬送方法によれば、載置面に載置された被処理体の滑落を抑止するとともに、載置面からの被処理体の引き剥がしを実現することができる。
[その他の変形例]
なお、本願に開示された技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。
例えば、上記した実施形態では、複数のリフトピン２１が、昇降用部材２２に固定されていないフロート式のリフトピンである場合を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。複数のリフトピン２１は、リジット式のリフトピンであってもよい。すなわち、複数のリフトピン２１は、下端において昇降用部材２２に固定され、昇降用部材の上昇または下降に応じて上昇または下降してもよい。これにより、変形例に係る被処理体の搬送方法によれば、リジット式のリフトピンを用いる場合に、載置台の載置面上での被処理体の位置ずれおよびリフトピンからの発塵を抑制することができる。また、変形例に係る被処理体の搬送方法によれば、リジット式のリフトピンを用いる場合に、載置面と被処理体との接触を徐々に解除して、被処理体の跳ね上がりを防止できる。
また、上記した実施形態では、プラズマ源の一例として、容量結合型プラズマ（ＣＣＰ）を用いて基板Ｗの処理を行う真空処理装置１００を説明したが、プラズマ源はこれに限られない。容量結合型プラズマ以外のプラズマ源としては、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、マイクロ波励起表面波プラズマ（ＳＷＰ）、電子サイクロトン共鳴プラズマ（ＥＣＰ）、およびヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ）等が挙げられる。
また、上記した実施形態では、成膜を行う真空処理装置１００を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。即ち、減圧環境下で基板Ｗの処理を行う真空処理装置であれば、エッチング装置や加熱装置等の他の真空処理装置に対しても開示の技術を適用することができる。
なお、今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ 処理容器
２ 載置台
２ｃ 載置面
７ 調整機構
２０ ピン用貫通孔
２１ リフトピン
２２ 昇降用部材
２３ 駆動機構
１００ 真空処理装置
１０１ 本体
１０２ 制御部
Ｗ 基板

Claims (13)

  1. ａ）被処理体を載置可能な載置面を有する載置台の傾きを前記載置面が水平面に対して傾斜するように調整する工程と、
    ｂ）前記ａ）の前または後に、前記載置台に設けられた複数のリフトピンを上昇させることにより、前記被処理体を搬送する搬送装置から前記被処理体を受け取る工程と、
    ｃ）前記複数のリフトピンを下降および／または前記載置台を上昇させることにより、前記被処理体を傾斜している前記載置面に載置する工程と、
    ｄ）前記被処理体が載置された前記載置面が前記水平面に対して平行となるように前記載置台の傾きを調整する工程と
    を含む、被処理体の搬送方法。
  2. 前記複数のリフトピンは、前記載置面の周方向に沿って等間隔で配置され、
    前記ａ）において、前記載置台の傾きを、前記複数のリフトピンのうち特定のリフトピンの位置での高さが最も低くなる姿勢で前記載置面が傾斜するように調整する、請求項１に記載の被処理体の搬送方法。
  3. 前記複数のリフトピンは、前記載置面の周方向に沿って等間隔で配置され、
    前記ａ）において、前記載置台の傾きを、前記載置面の周方向に沿って前記複数のリフトピンの位置での高さが徐々に低くなる姿勢で前記載置面が傾斜するように調整する、請求項１に記載の被処理体の搬送方法。
  4. 前記ｃ）は、
    ｃ－１）傾斜している前記載置面に前記被処理体が載置される場合の前記被処理体のエッジ位置と予め定められた基準エッジ位置とのずれ量を示す位置ずれ情報を取得する工程と、
    ｃ－２）前記位置ずれ情報に基づき、前記載置台の位置を調整する工程と、
    ｃ－３）前記載置台の位置調整後に、前記複数のリフトピンを下降および／または前記載置台を上昇させる工程と
    を含む、請求項１～３のいずれか一つに記載の被処理体の搬送方法。
  5. ｅ）被処理体が載置された載置面を有する載置台の傾きを前記載置面が水平面に対して傾斜するように調整する工程と、
    ｆ）前記載置台に設けられた複数のリフトピンを上昇させることにより、前記被処理体を傾斜している前記載置面から持ち上げる工程と、
    ｇ）前記複数のリフトピンに支持された前記被処理体を、前記被処理体を搬送する搬送装置に受け渡す工程と
    を含む、被処理体の搬送方法。
  6. 前記複数のリフトピンは、前記載置面の周方向に沿って等間隔で配置され、
    前記ｅ）において、前記載置台の傾きを、前記複数のリフトピンのうち特定のリフトピンの位置での高さが最も低くなる姿勢で前記載置面が傾斜するように調整する、請求項５に記載の被処理体の搬送方法。
  7. 前記複数のリフトピンは、前記載置面の周方向に沿って等間隔で配置され、
    前記ｅ）において、前記載置台の傾きを、前記載置面の周方向に沿って前記複数のリフトピンの位置での高さが徐々に低くなる姿勢で前記載置面が傾斜するように調整する、請求項５に記載の被処理体の搬送方法。
  8. 前記ｅ）において、前記搬送装置により搬送された前記被処理体の累計搬送枚数に応じて、傾斜後の前記載置面の高さが最も低くなる部位を前記載置面の周方向に沿った前記複数のリフトピンの位置に順次切り替える、請求項６または７に記載の被処理体の搬送方法。
  9. 前記複数のリフトピンは、下端において昇降用部材に当接可能であり、前記昇降用部材の上昇または下降に応じて上昇または下降する、請求項１～８のいずれか一つに記載の被処理体の搬送方法。
  10. 前記複数のリフトピンは、下端において昇降用部材に固定され、前記昇降用部材の上昇または下降に応じて上昇または下降する、請求項１～８のいずれか一つに記載の被処理体の搬送方法。
  11. 前記水平面に対する前記載置面の傾斜角度は、０．５°以上２°以下である、請求項１～１０のいずれか一つに記載の被処理体の搬送方法。
  12. 被処理体を載置可能な載置面を有する載置台と、
    前記載置台の傾きを調整する調整機構と、
    前記載置台に設けられた複数のリフトピンと、
    前記複数のリフトピンを昇降させる昇降機構と
    制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    ａ）前記載置台の傾きを前記載置面が水平面に対して傾斜するように調整する工程と、
    ｂ）前記ａ）の前または後に、前記複数のリフトピンを上昇させることにより、前記被処理体を搬送する搬送装置から前記被処理体を受け取る工程と、
    ｃ）前記複数のリフトピンを下降および／または前記載置台を上昇させることにより、前記被処理体を傾斜している前記載置面に載置する工程と、
    ｄ）前記被処理体が載置された前記載置面が前記水平面に対して平行となるように前記載置台の傾きを調整する工程と
    を含む被処理体の搬送方法を各部に実行させる、処理装置。
  13. 被処理体を載置可能な載置面を有する載置台と、
    前記載置台の傾きを調整する調整機構と、
    前記載置台に設けられた複数のリフトピンと、
    前記複数のリフトピンを昇降させる昇降機構と
    制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    ｅ）前記載置台の傾きを被処理体が載置された前記載置面が水平面に対して傾斜するように調整する工程と、
    ｆ）前記複数のリフトピンを上昇させることにより、前記被処理体を傾斜している前記載置面から持ち上げる工程と、
    ｇ）前記複数のリフトピンに支持された前記被処理体を、前記被処理体を搬送する搬送装置に受け渡す工程と
    を含む被処理体の搬送方法を各部に実行させる、処理装置。
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