JP2023045556A

JP2023045556A - 磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2023045556A
Application number: JP2021154048A
Authority: JP
Inventors: 英樹弘中; Hideki Hironaka; 健司伊藤; Kenji Ito
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Electronic Devices and Storage Corp
Priority date: 2021-09-22
Filing date: 2021-09-22
Publication date: 2023-04-03
Also published as: CN115910118A; US20230091001A1; US11948604B2

Abstract

【課題】磁気ヘッドがランプに乗り上がるときの磁気ヘッドの速度を適切に抑制すること。
【解決手段】磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、磁気ディスクに対してアクセスを行う磁気ヘッドと、磁気ヘッドを移動させるモータと、ランプと、モータドライバと、プロセッサと、を備える。モータドライバは、電源電圧の電圧値が第１しきい値を下回った場合に、モータに印加する電圧を制御することによって磁気ヘッドをランプにリトラクトするリトラクト動作を開始する。プロセッサは、電源電圧の電圧値が第１しきい値よりも大きい第２しきい値を下回った場合に、磁気ヘッドの移動にブレーキをかけることに関する指示をモータドライバに送信する。
【選択図】図６

Description

本実施形態は、磁気ディスク装置に関する。

磁気ディスク装置においては、電源断が発生した場合、磁気ヘッドをランプにリトラクトする、リトラクト動作が実行される。

米国特許出願公開第２００４／００７５９３４号明細書

リトラクト動作においては、磁気ヘッドを乗り上げさせるときの磁気ヘッドの速度が適切なレベルを超えている場合、磁気ヘッドがランプにて反跳して磁気ディスク上に戻り、磁気ディスクが傷つく可能性がある。

一つの実施形態は、磁気ヘッドがランプに乗り上がるときの磁気ヘッドの速度を適切に抑制できる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。

一つの実施形態によれば、磁気ディスク装置は、磁気ディスクと、磁気ディスクに対してアクセスを行う磁気ヘッドと、磁気ヘッドを移動させるモータと、ランプと、モータドライバと、プロセッサと、を備える。モータドライバは、電源電圧の電圧値が第１しきい値を下回った場合に、モータに印加する電圧を制御することによって磁気ヘッドをランプにリトラクトするリトラクト動作を開始する。プロセッサは、電源電圧の電圧値が第１しきい値よりも大きい第２しきい値を下回った場合に、磁気ヘッドの移動にブレーキをかけることに関する指示をモータドライバに送信する。

図１は、第１の実施形態の磁気ディスク装置の構成の一例を示す図である。図２は、第１の実施形態の磁気ディスクの構成の一例を示す図である。図３は、第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置において実施されるシーク制御の一例を示す模式的な図である。図４は、図３に示されたシーク制御を実現するための第１の実施形態のＶＣＭに印加される駆動電圧の電圧値の推移の一例を示す図である。図５は、図３に示されたシーク制御の最中に電源断が発生した場合の第１の実施形態のＶＣＭに印加される駆動電圧の推移の一例を示す図である。図６は、第１の実施形態にかかるプロセッサの動作の一例を示すフローチャートである。図７は、第１の実施形態にかかる磁気ヘッドのリバース方向の移動速度とブレーキ電圧値との関係の一例を示す図である。図８は、第１の実施形態にかかる磁気ヘッドのランプまでの距離とブレーキ電圧値との関係の一例を示す図である。図９は、第１の実施形態にかかるモータドライバの動作の一例を示すフローチャートである。図１０は、図３に示されたシーク制御の最中に電源断が発生した場合の第２の実施形態のＶＣＭに印加される電圧の推移の一例を示す図である。図１１は、第２の実施形態にかかるプロセッサの動作の一例を示すフローチャートである。図１２は、第２の実施形態にかかるモータドライバの動作の一例を示すフローチャートである。

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の磁気ディスク装置の構成の一例を示す図である。磁気ディスク装置１は、インタフェース（Ｉ／Ｆ）バス２を介してホスト４０に接続される。また、磁気ディスク装置１は、電力供給線３を介して外部の電源４１に接続される。磁気ディスク装置１は、電源４１から電力供給線３を介して供給される電力に基づいて動作する。電源４１は、ホスト４０に具備されてもよい。電力供給線３に印加されている電圧を電源電圧と表記する。

磁気ディスク装置１は、ホスト４０からアクセスコマンドを受信する。アクセスコマンドは、データのライトを要求するライトコマンドと、データのリードを要求するリードコマンドと、を含む。

磁気ディスク装置１は、１以上の磁気ディスク１１を備える。図１では、簡単に理解できるように、磁気ディスク装置１は１枚の磁気ディスク１１を備えることとしている。磁気ディスク装置１は、アクセスコマンドに応じて磁気ディスク１１へのアクセスを行う。磁気ディスク１１へのアクセスは、磁気ディスク１１にデータをライトしたり磁気ディスク１１からデータをリードしたりすることを含む。

図２は、第１の実施形態の磁気ディスク１１の構成の一例を示す図である。磁気ディスク１１の記録面には、例えば出荷前にサーボライタなどによりサーボ情報がライトされている。サーボ情報は、セクタ／シリンダ情報およびバーストパターンを含む。セクタ／シリンダ情報は、磁気ディスク１１の円周方向および半径方向のサーボ番地を与える。セクタ／シリンダ情報は、磁気ヘッド２２を目標トラックまで移動させるシーク制御に用いられる。バーストパターンは、磁気ヘッド２２を目標トラック上に維持するトラッキング制御に用いられる。なお、サーボ情報は、セルフサーボライト（ＳＳＷ）によって出荷後に磁気ディスク１１にライトされてもよい。図２には、サーボ情報がライトされたサーボ領域の配置の一例として放射状に配置されたサーボ領域１１０を示している。

磁気ディスク１１の記録面には、半径が異なる同心円の複数のトラック１１１が所定のピッチで設けられる。各トラック１１１上には多数のセクタが連続的に形成される。各セクタに対し、磁気ヘッド２２によって、データのライトおよびデータのリードが実行される。

図１に説明を戻す。
磁気ディスク装置１は、磁気ディスク１１および磁気ヘッド２２に加え、スピンドルモータ１２、ランプ１３、アクチュエータアーム１５、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１６、電力供給回路２０、モータドライバ２１、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）２３、プリアンプ２４、リードライトチャネル（ＲＷＣ）２５、プロセッサ２６、ＲＡＭ（Random Access Memory）２７、ＦＲＯＭ（Flash Read Only Memory）２８、およびバッファメモリ２９を備える。

なお、ＨＤＣ２３、ＲＷＣ２５、およびプロセッサ２６を含む構成は、コントローラ３０と見なすこともできる。コントローラ３０は、ＲＡＭ２７、ＦＲＯＭ２８、またはバッファメモリ２９など、他の要素を含んでいてもよい。

電力供給回路２０は、電源４１から供給された電力を磁気ディスク装置１の各構成要素に分配する。電力供給回路２０は、電力の供給先に応じて電圧の変換を行ってもよい。

スピンドルモータ１２は、磁気ディスク１１を、回転軸を中心に所定の回転速度で回転させる。

磁気ヘッド２２は、それに備わるライトヘッド２２ｗおよびリードヘッド２２ｒを用いて磁気ディスク１１に対するアクセスを実行する。ライトヘッド２２ｗは、磁気ディスク１１に対するライトを実行する。リードヘッド２２ｒは、磁気ディスク１１に対するリードを実行する。磁気ヘッド２２は、アクチュエータアーム１５の先端に取り付けられている。磁気ヘッド２２は、ＶＣＭ１６により、磁気ディスク１１の半径方向に沿って移動される。磁気ディスク１１の回転が停止しているときなどは、磁気ヘッド２２は、ランプ１３上に移動される。

プリアンプ２４は、磁気ディスク１１からのデータのリード時に、磁気ディスク１１からリードされた信号を増幅して出力し、ＲＷＣ２５に供給する。また、プリアンプ２４は、ＲＷＣ２５から供給されたライト対象のデータに対応した信号を増幅して、磁気ヘッド２２に供給する。

ＨＤＣ２３は、Ｉ／Ｆバス２を介してホスト４０との間で行われるデータの送受信の制御、バッファメモリ２９の制御、および、リードされたデータの誤り訂正処理などを行う。

バッファメモリ２９には、ホスト４０と磁気ディスク装置１との間のアクセスの速度と磁気ディスク１１へのアクセスの速度と、の間の差を吸収するために設けられたバッファメモリである。

バッファメモリ２９は、例えば、高速な動作が可能な揮発性メモリによって構成される。バッファメモリ２９を構成するメモリの種類は、特定の種類に限定されない。バッファメモリ２９は、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）、またはこれらの組み合わせによって構成され得る。

ＲＷＣ２５は、ＨＤＣ２３から供給されるライト対象のデータをコード変調してプリアンプ２４に供給する。また、ＲＷＣ２５は、磁気ディスク１１からリードされプリアンプ２４から供給された信号をコード復調してデジタルデータとしてＨＤＣ２３へ出力する。

プロセッサ２６は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＤＳＰ（Digital Signal Processor）などのプロセシングユニットである。プロセッサ２６は、２以上のプロセシングユニットによって構成されてもよい。プロセッサ２６には、ＲＡＭ２７、ＦＲＯＭ（Flash Read Only Memory）２８およびバッファメモリ２９が接続されている。

ＲＡＭ２７は、例えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、またはこれらの組み合わせによって構成される。ＲＡＭ２７は、プロセッサ２６によって動作用のメモリとして使用される。例えば、ＲＡＭ２７は、ファームウェアプログラムがロードされる領域、または各種の管理データが保持される領域として使用される。

ＦＲＯＭ２８は、不揮発性メモリである。プロセッサ２６は、ＦＲＯＭ２８および磁気ディスク１１に予め格納されたファームウェアプログラムに従って、この磁気ディスク装置１の全体的な制御を行う。プロセッサ２６は、ＦＲＯＭ２８および磁気ディスク１１に予め記憶されたファームウェアプログラムをＲＡＭ２７にロードし、ロードされたファームウェアプログラムに従って、モータドライバ２１、プリアンプ２４、ＲＷＣ２５、ＨＤＣ２３などの制御を実行する。

特に、プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２の位置決めを制御する。位置決め制御では、プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２によってリードされたサーボ情報をフィードバック入力として用いて、磁気ヘッド２２を目標位置に移動させるために必要なＶＣＭ１６の駆動電圧の電圧値を計算する。そして、プロセッサ２６は、計算によって得られた電圧値を示す指示値をモータドライバ２１に送信する。この指示値を、第１指示値と表記する。プロセッサ２６は、位置決め制御中は、磁気ヘッド２２を精度よく位置決めするために、第１指示値の計算および第１指示値の送信を、短い時間周期で繰り返し実行する。

モータドライバ２１は、ＶＣＭ１６およびスピンドルモータ１２を駆動する。特に、ＶＣＭ１６に対しては、プロセッサ２６から受信する第１指示値が示す電圧値の駆動電圧をＶＣＭ１６に印加する。ＶＣＭ１６は、モータドライバ２１から印加された駆動電圧によって駆動され、磁気ヘッド２２の移動速度を加速したり減速したりする。

モータドライバ２１は、さらに、電源断、つまり電源４１からの電力の供給が途絶えたとき、ＶＣＭ１６を制御してリトラクト動作を実行する。具体的には、モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回った場合、位置決め制御に基づくＶＣＭ１６の駆動を終了して、磁気ヘッド２２をランプ１３にリトラクトする。しきい値Ｔｈｄは、磁気ディスク装置１の定格電圧値よりも小さい。つまり、モータドライバ２１は、電源電圧の電圧降下を検知することによって、電源断の発生を検知する。

モータドライバ２１は、磁気ヘッド２２をランプ１３にリトラクトする際には、ＶＣＭ１６にパルス状の波形の電圧を所定の時間刻みで繰り返し、印加する。つまり、モータドライバ２１は、所定の時間刻みでパルスオンとパルスオフとが繰り返される印加パターンで電圧をＶＣＭ１６に印加する。モータドライバ２１は、パルスオフの期間にＶＣＭ１６の逆起電力に基づいてＶＣＭ１６の状態量（位置または速度）を計算し、当該状態量をフィードバック入力として用いて後続するパルスオンの期間に印加されるパルス状の波形の電圧の波高を決定する。以降、パルス状の波形の電圧を、単に、パルス、と表記する。

リトラクト動作では、磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がるときの速度が速すぎる場合および遅すぎる場合の何れの場合においても、磁気ヘッド２２を正常にランプ１３に乗り上げさせることができない。特に、磁気ヘッド２２がランプ１３にアプローチする速度が適切なレベルを越える場合、磁気ヘッド２２がランプ１３にて反跳し、磁気ヘッド２２が磁気ディスク１１上に戻る。磁気ヘッド２２が磁気ディスク１１上に戻ったとき、磁気ヘッド２２によって磁気ディスク１１が傷つく虞がある。このような磁気ディスク１１の傷つきを防止するためには、磁気ヘッド２２がランプ１３にアプローチする速度が適切なレベルを越えないように磁気ヘッド２２の速度を制御することが望まれる。

例えば、位置決め制御下で磁気ヘッド２２が図３に示されるように移動されるケースを考える。図３は、第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置１において実施されるシーク制御の一例を示す模式的な図である。

磁気ヘッド２２を、或るトラック１１１ａにアクセスするための位置Ｐａから、トラック１１１ａよりも外周側に位置する別のトラック１１１ｂにアクセスするための位置Ｐｂに移動させる場合、磁気ヘッド２２の速度は、ランプ１３に向かう方向に加速され、加速が完了すると等速に維持され、そして位置Ｐｂで磁気ヘッド２２を停止できるように減速される。

一般に、シーク制御に要する時間を短縮するために、シーク制御における磁気ヘッドの最大の移動速度は速い。そして、その最大の移動速度は、磁気ヘッドがランプにアプローチするときの適切なレベルを上回る。よって、図３に示されたシーク制御の最中に（特に減速が開始される前に）電源断が発生した場合、磁気ヘッド２２がランプ１３にアプローチする速度が適切なレベルを越えないようにするためには、急激なブレーキが必要となる場合がある。

ここで、第１の実施形態と比較される技術について説明する。第１の実施形態と比較される技術を、比較例と表記する。比較例によれば、電源断の発生が検知されると、電源断の発生の検知に応じてリトラクト動作が開始される。リトラクト動作では、モータドライバは、磁気ヘッドがランプに乗り上がるときの速度が適切な範囲に収まるよう、各パルスの波高を制御する。

しかしながら、リトラクト動作における電圧の印加パターンによれば、ブレーキのための電圧を印加した状態を維持できないため、磁気ヘッドの移動に急激なブレーキをかけることが難しい。よって、比較例によれば、磁気ヘッドがランプに乗り上がるときの速度を適切なレベルまで減速することができず、磁気ディスクの傷つきの発生を防止できない場合がある。

これに対し、第１の実施形態によれば、プロセッサ２６は、モータドライバ２１よりも早いタイミングで電源断の発生を検知する。そして、プロセッサ２６は、電源断の発生の検知に応じて、位置決め制御を停止して、磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけるよう、モータドライバ２１に指示する。

より詳細には、プロセッサ２６は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回ったとき、電源断が発生したことを検知する。Ｔｈｐは、Ｔｈｄよりも大きく、磁気ディスク装置１の定格電圧の電圧値よりも小さい。プロセッサ２６は、モータドライバ２１が電源断の発生の検知に使用するしきい値Ｔｈｄよりも大きいしきい値Ｔｈｐを電源断の発生の検知に使用するため、モータドライバ２１よりも早く電源断の発生を検知することができる。プロセッサ２６は、電源断が発生したことを検知すると、磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけるためのＶＣＭ１６の駆動電圧の電圧値を計算する。磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけるためのＶＣＭ１６の駆動電圧の電圧値を、ブレーキ電圧値と表記する。プロセッサ２６は、ブレーキ電圧値を示す指示値をモータドライバ２１に送信する。この指示値を、第２指示値と表記する。モータドライバ２１は、第２指示値が示す電圧値、つまりブレーキ電圧値、の電圧をＶＣＭ１６に印加する。

プロセッサ２６が第２指示値の送信を繰り返せば、モータドライバ２１は、第２指示値の送信を受信している間、磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけ続けることができる。よって、モータドライバ２１が第２指示値を用いて磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかける場合、リトラクト動作によって磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかける場合に比べて、強いブレーキをかけることが可能である。

つまり、第１の実施形態によれば、比較例に比べ、電源断時に強いブレーキをかけることが可能である。したがって、磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がるときの磁気ヘッド２２の速度を適切なレベルまで減速することができる。

以降、第２指示値によって実現するブレーキの処理をブレーキ動作と表記する。

また、外周側から内周側への向き、換言するとランプ１３から遠ざかる向き、をフォワード方向と表記する。内周側から外周側への向き、換言するとランプ１３に向かう向き、をリバース方向と表記する。

続いて、ＶＣＭ１６に印加される駆動電圧の電圧値の推移の例を説明する。

図４は、図３に示されたシーク制御を実現するための第１の実施形態のＶＣＭ１６に印加される駆動電圧の電圧値の推移の一例を示す図である。本図において、縦軸は、ＶＣＭ１６に印加される駆動電圧を示す。横軸は、経過時間を示す。なお、本図以降では、一例として、ＶＣＭ１６は、正の電圧値の駆動電圧が印加された場合には磁気ヘッド２２をフォワード方向に加速し、負の電圧値の駆動電圧が印加された場合には、磁気ヘッド２２をリバース方向に加速することとする。

シーク制御においては、モータドライバ２１は、プロセッサ２６から所定の時間刻みで受信する第１指示値に基づいてＶＣＭ１６に印加する電圧を制御する。磁気ヘッド２２が位置Ｐａにある場合、プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２のリバース方向への移動速度の加速を開始するために、モータドライバ２１に、負の電圧値の電圧の印加を開始させる（タイミングｔ０）。負の電圧値の電圧の印加は、磁気ヘッド２２のリバース方向の速度が所望の速度に到達するタイミングｔ１まで継続される。つまり、タイミングｔ０からタイミングｔ１までの期間には、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度が加速される。

プロセッサ２６は、タイミングｔ１から磁気ヘッド２２が位置Ｐｂに近くなるタイミングｔ２までの間、ＶＣＭ１６に印加される電圧の電圧値をゼロに維持する。よって、タイミングｔ１からタイミングｔ２までの期間には、磁気ヘッド２２が等速でリバース方向に移動する。

プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２が位置Ｐｂで停止できるように、磁気ヘッド２２が位置Ｐｂに近くなったタイミングｔ２において、モータドライバ２１に、正の電圧値の電圧の印加を開始させる。磁気ヘッド２２がリバース方向に移動中に正の電圧値の電圧がＶＣＭ１６に印加されることで、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度の減速が開始する。正の電圧値の電圧の印加は、磁気ヘッド２２が位置Ｐｂで停止するタイミングｔ３まで継続される。よって、タイミングｔ２からタイミングｔ３までの期間には、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度が減速される。

磁気ヘッド２２が位置Ｐｂで停止すると（タイミングｔ３）、磁気ヘッド２２を位置Ｐａから位置Ｐｂまで移動させるシーク制御が完了する。

図５は、図３に示されたシーク制御の最中に電源断が発生した場合の第１の実施形態のＶＣＭ１６に印加される駆動電圧の推移の一例を示す図である。本図において、縦軸は、ＶＣＭ１６に印加される駆動電圧を示す。横軸は、経過時間を示す。ここでは一例として、磁気ヘッド２２が等速で移動する期間において電源断が発生した場合について説明する。

プロセッサ２６は、タイミングｔ１０およびタイミングｔ１１において、図４に示されたタイミングｔ０およびタイミングｔ１において実行される処理と同様の処理を実行する。これによって、タイミングｔ１１から磁気ヘッド２２が等速で移動する期間が開始する。

磁気ヘッド２２が等速で移動する期間のあるタイミングｔ１２において電源断が発生すると、プロセッサ２６は、シーク制御を終了して、ブレーキ動作の制御を開始する。プロセッサ２６は、モータドライバ２１がリトラクト動作を開始する前に、ブレーキ動作の制御を開始する。

ブレーキ動作の実行期間には、プロセッサ２６は、ブレーキ電圧値を計算し、ブレーキ電圧値を表す第２指示値をモータドライバ２１に送信する。プロセッサ２６は、第２指示値の送信を所定の時間刻みで繰り返す。よって、第２指示値の送信が繰り返される間、ブレーキ動作は継続される。

電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ると（タイミングｔ１４）、プロセッサ２６は、第２指示値の送信を終了し、モータドライバ２１は、リトラクト動作を開始する。即ち、モータドライバ２１は、複数回のパルスの印加を開始する。モータドライバ２１は、磁気ヘッド２２の移動中は、磁気ヘッド２２がランプ１３にアプローチするときの速度が磁気ヘッド２２を正常にランプ１３に乗り上げることができる適切な速度になるように各パルスの波高を制御する。

磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がると（タイミングｔ１５）、リトラクト動作が終了する。

このように、第１の実施形態によれば、リトラクト動作が開始される前に予め磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけることができる。よって、磁気ヘッド２２が非常に速い速度でリバース方向に移動しているときに電源断が発生した場合であっても、磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がるときの速度を適切なレベルまで減速させることが可能である。その結果、磁気ディスク１１が傷つくことを抑制することが可能である。

なお、プロセッサ２６およびモータドライバ２１による電源電圧の監視の仕組みは、任意に設計可能である。

一例では、図１に示されるように、プロセッサ２６およびモータドライバ２１は、電力供給回路２０に制御信号線で接続される。電力供給回路２０は、電源電圧の電圧値をデジタル値として取得するためのアナログデジタルコンバータを備える。そして、当該アナログデジタルコンバータから出力された信号は、制御信号線を介してプロセッサ２６およびモータドライバ２１に送信され、プロセッサ２６およびモータドライバ２１は、受信した信号によって電源電圧の電圧値を知ることが可能である。

別の例では、プロセッサ２６およびモータドライバ２１のそれぞれは、自身に供給される電力の電圧値をデジタル値として取得するためのアナログデジタルコンバータを備える。プロセッサ２６およびモータドライバ２１のそれぞれは、当該アナログデジタルコンバータから出力された信号に基づいて電源電圧の電圧値を知ることが可能である。

電力供給回路２０が電圧の変換を行わないで電力を分配するように構成されている場合は、プロセッサ２６およびモータドライバ２１のそれぞれは、自身が備えるアナログデジタルコンバータから出力された信号を電源電圧の電圧値として認識する。

電力供給回路２０が電圧の変換を行って電力を分配するように構成されている場合は、プロセッサ２６およびモータドライバ２１のそれぞれは、自身が備えるアナログデジタルコンバータから出力された信号またはしきい値（しきい値Ｔｈｄおよびしきい値Ｔｈｐ）に係数をかけることによって、電源電圧の電圧値としきい値（しきい値Ｔｈｄおよびしきい値Ｔｈｐ）との比較と等価な処理を実行することが可能である。

続いて、第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置１の動作を説明する。

図６は、第１の実施形態にかかるプロセッサ２６の動作の一例を示すフローチャートである。

プロセッサ２６は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回ったか否かを判定する（Ｓ１０１）。電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回っていない場合（Ｓ１０１：Ｎｏ）、制御がＳ１０１に戻る。プロセッサ２６は、Ｓ１０１の処理を、位置決め制御中であるか否かに限らず、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回ったと判定されるまで、繰り返し実行する。

電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回った場合（Ｓ１０１：Ｙｅｓ）、プロセッサ２６は、ブレーキ電圧値を計算する（Ｓ１０２）。

ブレーキ電圧値の計算方法としては、種々の方法が採用され得る。図７および図８を参照して、ブレーキ電圧値の計算方法の例を説明する。

一例では、プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度を取得して、取得された磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度に基づいてブレーキ電圧値を計算する。例えば、図７に示されるように、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度が速いほどブレーキ電圧値を大きくする。磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がるときの磁気ヘッド２２の移動速度を適切なレベルまで減速するためには、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度が速いほど、大きな減速量が要求される。図７に示された計算方法によれば、この要求を満たすことが可能である。

なお、図７に示される例によれば、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度が負である場合、つまり磁気ヘッド２２がフォワード方向に移動している場合には、ブレーキ電圧値はゼロとされている。磁気ヘッド２２がフォワード方向に移動している場合のブレーキ電圧値の計算方法はこれに限定されない。磁気ヘッド２２がフォワード方向に移動している場合にも磁気ヘッド２２の移動速度を減速できるように、プロセッサ２６は、負のブレーキ電圧値を取得してもよい。

また、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度とブレーキ電圧値との関係は、図７に示されるようなリニアな関係に限定されない。例えば、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度に応じてブレーキ電圧値がステップ状に変化するよう、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度とブレーキ電圧値との関係が規定されてもよい。

別の例では、プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離を取得し、取得された磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離に基づいてブレーキ電圧値を計算する。例えば、図８に示されるように、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離が近いほどブレーキ電圧値を大きくする。磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離が短いほど、減速しながら磁気ヘッド２２が移動できる距離が短くなるため、強いブレーキが必要となる。この計算方法によれば、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離が短いほど強いブレーキをかけることができる。

なお、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離とブレーキ電圧値との関係は、図８に示されるようなリニアな関係に限定されない。例えば、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離に応じてブレーキ電圧値がステップ状に変化するよう、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離とブレーキ電圧値との関係が規定されてもよい。

さらに別の例では、プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度と、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離と、の両方に基づいてブレーキ電圧値を計算してもよい。例えば、プロセッサ２６は、図７に示された関係および図８に示された関係の両方に基づいて、ブレーキ電圧値を計算してもよい。

プロセッサ２６による磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度および磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離の取得方法は、特定の方法に限定されない。例えば、プロセッサ２６は、位置決め制御などにおいては、磁気ヘッド２２の現在の状態量（例えば位置、移動速度、またはその両方）を計算によって推定し、推定された状態量に基づいて磁気ヘッド２２の目標位置を計算する。プロセッサ２６は、位置決め制御において磁気ヘッド２２の現在の状態量を計算するアルゴリズムと同じアルゴリズムによって、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度および磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離を取得することができる。

図６に説明を戻す。
プロセッサ２６は、ブレーキ電圧値の計算が完了すると、モータドライバ２１に対し、ブレーキ動作の制御を実行する（Ｓ１０３）。即ち、プロセッサ２６は、ブレーキ電圧値を第２指示値としてモータドライバ２１に送信することによって、モータドライバ２１にブレーキ動作を実行させる。

ブレーキ動作の制御は、リトラクト動作が開始されるタイミングの前の任意のタイミングまで継続され得る。ブレーキ動作の制御が継続される期間、即ちブレーキ動作の実行期間は、リトラクト動作が開始されるタイミングまでの期間のうちから任意の方法で設定される。例えば、ブレーキ動作の実行期間は所定の短い期間に固定されていてもよい。または、プロセッサ２６が、磁気ヘッド２２の移動速度、位置、またはそれら両方、などに基づいてブレーキ動作の実行期間を決定してもよい。プロセッサ２６は、リトラクト動作が開始されるタイミングまで、ブレーキ動作の制御を継続してもよい。

続いて、プロセッサ２６は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをモータドライバ２１が検知したか否かを判定する（Ｓ１０４）。

モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ると、リトラクト動作を開始する。つまり、Ｓ１０４は、プロセッサ２６が、モータドライバ２１によってリトラクト動作が開始されるタイミングを認識するための処理に相当する。

モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことを検知すると、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをプロセッサ２６に通知する。Ｓ１０４では、プロセッサ２６は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをモータドライバ２１が検知したか否かを当該通知に基づいて判定する。

モータドライバ２１からプロセッサ２６への当該通知の転送方法は、特定の方法に限定されない。一例では、モータドライバ２１は、レジスタを備え、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回った場合に、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことを意味する値を当該レジスタにセットする。プロセッサ２６は、所定の時間刻みで当該レジスタの値を参照する。そして、プロセッサ２６は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことを意味する値を当該レジスタの参照によって取得すると、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをモータドライバ２１が検知したことを知ることができる。

電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをモータドライバ２１が検知した場合（Ｓ１０４：Ｙｅｓ）、プロセッサ２６は動作を終了する。

プロセッサ２６が所定の時間待っても電源電圧がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをモータドライバ２１が検知しなかった場合（Ｓ１０４：Ｎｏ）、制御がＳ１０１に移る。

例えば、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回った後、電源電圧の電圧値が電源電圧がしきい値Ｔｈｄを下回ることなく定格電圧の電圧値まで復帰する場合がある。そのような場合、電源断は発生していないと推定できる。よって、プロセッサ２６は、Ｓ１０４の処理においてＮｏと判定された場合、電源断にかかる動作を終了し、制御がＳ１０１に移る。制御がＳ１０１に移ると、プロセッサ２６は位置決め制御を再開することができる。

図９は、第１の実施形態にかかるモータドライバ２１の動作の一例を示すフローチャートである。

モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったか否かを判定する（Ｓ２０１）。電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回っていない場合（Ｓ２０１：Ｎｏ）、制御がＳ２０１に戻る。モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったと判定されるまで、Ｓ２０１の処理を繰り返し実行する。

なお、モータドライバ２１がＳ２０１の処理においてＮｏと判定するまで、モータドライバ２１は、プロセッサ２６からの指示値（第１指示値または第２指示値）に基づいて、モータドライバ２１の駆動電圧の制御を実行する。特に、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回った場合、モータドライバ２１は、プロセッサ２６からの第２指示値に基づいてブレーキ動作を行う。

電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回った場合（Ｓ２０１：Ｙｅｓ）、モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをプロセッサ２６に通知し（Ｓ２０２）、リトラクト動作を実行する（Ｓ２０３）。リトラクト動作によって磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がると、モータドライバ２１は、動作を終了する。

このように、第１の実施形態によれば、モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回った場合に、ＶＣＭ１６に印加する駆動電圧を制御することによってリトラクト動作を開始する。プロセッサ２６は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄよりも大きいしきい値Ｔｈｐを下回った場合に、モータドライバ２１に第２指示値を送信することによって、ブレーキ動作を実行させる。

これによって、モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回る前に、プロセッサ２６からの第２指示値に応じて磁気ヘッド２２の速度を減速させる。

よって、電源断が発生した場合に、磁気ヘッド２２の移動に強いブレーキをかけることが可能である。磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がるときの磁気ヘッド２２の移動速度を、磁気ヘッド２２がランプ１３に反跳して磁気ディスク１１に戻らないよう、適切に抑制することが可能となる。

また、第１の実施形態によれば、一例では、プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２のランプ１３に向かう移動速度を取得し、少なくとも当該移動速度に基づいてブレーキ電圧値を計算する。そして、プロセッサ２６は、ブレーキ電圧値を第２指示値としてモータドライバに送信する。モータドライバ２１は、リトラクト動作の前に、第２指示値に対応する電圧値の駆動電圧をＶＣＭ１６に印加する。

よって、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度が速いほど、磁気ヘッド２２の移動に強いブレーキをかけることが可能となる。そのため、磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がるときの磁気ヘッド２２の移動速度を、磁気ヘッド２２がランプ１３に反跳して磁気ディスク１１に戻らないよう、適切に抑制することが可能となる。

また、第１の実施形態によれば、一例では、プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離を取得し、少なくとも当該距離に基づいてブレーキ電圧値を計算する。そして、プロセッサ２６は、ブレーキ電圧値を第２指示値としてモータドライバに送信する。モータドライバ２１は、リトラクト動作の前に、第２指示値に対応する電圧値の駆動電圧をＶＣＭ１６に印加する。

よって、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離が短いほど強いブレーキをかけることが可能となる。そのため、磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がるときの磁気ヘッド２２の移動速度を、磁気ヘッド２２がランプ１３に反跳して磁気ディスク１１に戻らないよう、適切に抑制することが可能となる。

なお、第１の実施形態において、しきい値Ｖｔｐは、第２しきい値の一例である。しきい値Ｖｔｄは、第１しきい値の一例である。ＶＣＭ１６は、モータの一例である。第２指示値は、指示値の一例である。

（第２の実施形態）
前述されたように、リトラクト動作においては、モータドライバ２１は、パルスオフの期間にＶＣＭ１６の状態量（位置または速度）を計算し、当該状態量をフィードバック入力として用いて後続するパルスオンの期間に印加されるパルスの波高を決定する。よって、初回のパルスの印加時には、モータドライバ２１は、ＶＣＭ１６の状態量を未取得の状態にある。

比較例では、初回のパルスの波高は、例えば固定された初期値が使用される。磁気ヘッドの位置または移動速度に応じた波高の制御は、２回目以降のパルスにおいて可能である。つまり、強いブレーキをかけることができるタイミングが遅くなる。よって、急激なブレーキが必要な状況では、磁気ヘッドがランプに乗り上がるときの磁気ヘッドの移動速度を適切なレベルまで減速することができない場合がある。

第２の実施形態では、比較例に比べて早いタイミングで強いブレーキをかけることを可能とするために、モータドライバ２１は、リトラクト動作においてＶＣＭ１６に複数のパルスの印加を開始する際、初回のパルスの波高を、リトラクト動作の開始の前に予めプロセッサ２６から指示されたブレーキ強度値に応じて制御する。即ち、プロセッサ２６は、電源断が発生した場合、リトラクト動作が開始される前に、必要なブレーキの強さを計算する。プロセッサ２６は、計算によって得られたブレーキの強さを、ブレーキ強度値としてモータドライバ２１に送信する。

図１０は、図３に示されたシーク制御の最中に電源断が発生した場合の第２の実施形態のＶＣＭ１６に印加される電圧の推移の一例を示す図である。本図において、縦軸は、ＶＣＭ１６に印加される駆動電圧を示す。横軸は、経過時間を示す。

プロセッサ２６は、タイミングｔ２０およびタイミングｔ２１において、図４に示されたタイミングｔ０およびタイミングｔ１において実行される処理と同様の処理を実行する。これによって、タイミングｔ２１から磁気ヘッド２２が等速で移動する期間が開始する。

磁気ヘッド２２が等速で移動する期間のあるタイミングｔ２２において電源断が発生すると、プロセッサ２６は、シーク制御を終了して、ブレーキ強度値を計算し、計算によって得られたブレーキ強度値をモータドライバ２１に送信する。

電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ると（タイミングｔ２３）、モータドライバ２１は、リトラクト動作を開始する。即ち、モータドライバ２１は、複数回のパルスの印加を開始する。モータドライバ２１は、ブレーキ強度値に対応する波高Ｈ１を有するパルスを初回のパルスとしてＶＣＭ１６に印加する。モータドライバ２１は、２回目以降のパルスは、直前のパルスオフの期間に得られたＶＣＭ１６の状態量に基づいて波高の制御を行う。

磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がると（タイミングｔ２４）、リトラクト動作が終了する。

このように、リトラクト動作においてＶＣＭ１６に印加される初回のパルスが制御可能とされる。

続いて、第２の実施形態にかかる磁気ディスク装置１の動作を説明する。

図１１は、第２の実施形態にかかるプロセッサ２６の動作の一例を示すフローチャートである。

プロセッサ２６は、Ｓ１０１と同様の方法で、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回ったか否かを判定する（Ｓ３０１）。電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回っていない場合（Ｓ３０１：Ｎｏ）、制御がＳ３０１に戻る。プロセッサ２６は、Ｓ３０１の処理を、位置決め制御中であるか否かに限らず、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回ったと判定されるまで、繰り返し実行する。

電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回った場合（Ｓ３０１：Ｙｅｓ）、プロセッサ２６は、ブレーキ強度値を計算する（Ｓ３０２）。

ブレーキ強度値の計算方法としては、種々の方法が採用され得る。プロセッサ２６は、第１の実施形態のブレーキ電圧値の計算方法と同様の方法でブレーキ強度値を計算することができる。つまり、図７および図８を用いて説明された第１の実施形態のブレーキ電圧値の計算方法において、ブレーキ電圧値をブレーキ強度値と読み替えて得られる計算方法が、ブレーキ強度値の計算方法として使用可能である。

なお、ブレーキ強度値は、強ブレーキ、中ブレーキ、弱ブレーキのように、複数あるレベルから選択された値で表現されても良いし、多ビットを用いた数値情報として表現されてもよい。

続いて、プロセッサ２６は、計算によって得られたブレーキ強度値をモータドライバ２１に送信する（Ｓ３０３）。

そして、プロセッサ２６は、Ｓ１０４と同様に、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをモータドライバ２１が検知したか否かを判定する（Ｓ３０４）。

電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをモータドライバ２１が検知した場合（Ｓ３０４：Ｙｅｓ）、プロセッサ２６は動作を終了する。

プロセッサ２６が所定の時間待っても電源電圧がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをモータドライバ２１が検知しなかった場合（Ｓ３０４：Ｎｏ）、電源断は発生しなかったと推定できるので、制御がＳ３０１に移る。

制御がＳ３０１に移ると、プロセッサ２６は位置決め制御を再開することができる。

図１２は、第２の実施形態にかかるモータドライバ２１の動作の一例を示すフローチャートである。

電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回った場合、プロセッサ２６のＳ３０３の処理によって、モータドライバ２１は、プロセッサ２６からブレーキ強度値を受信する（Ｓ４０１）。そして、モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったか否かを判定する（Ｓ４０２）。電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回っていない場合（Ｓ４０２：Ｎｏ）、制御がＳ４０２に戻る。モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったと判定されるまで、Ｓ４０２の処理を繰り返し実行する。

なお、モータドライバ２１がＳ４０２の処理においてＮｏと判定するまで、モータドライバ２１は、プロセッサ２６からの指示値（第１指示値）に基づいて、モータドライバ２１の駆動電圧の制御を実行することができる。

電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回った場合（Ｓ４０２：Ｙｅｓ）、モータドライバ２１は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｄを下回ったことをプロセッサ２６に通知し（Ｓ４０３）、リトラクト動作を実行する（Ｓ４０４）。

リトラクト動作の初回のパルスの印加の際には、モータドライバ２１は、ブレーキ強度値に応じた波高Ｈ１のパルスをＶＣＭ１６に印加する。例えば、モータドライバ２１は、ブレーキ強度値が大きいほど、波高Ｈ１を高くする。

リトラクト動作が完了すると、モータドライバ２１は、動作を終了する。

このように、第２の実施形態によれば、プロセッサ２６は、電源電圧の電圧値がしきい値Ｔｈｐを下回った場合に、ブレーキ強度値を計算し、ブレーキ強度値をモータドライバ２１に送信する。モータドライバ２１は、複数印加するパルスの初回の印加において、ブレーキ強度値に対応する波高のパルスをＶＣＭ１６に印加する。

よって、早いタイミングで磁気ヘッド２２の移動に強いブレーキをかけることが可能となる。磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がるときの磁気ヘッド２２の移動速度を、磁気ヘッド２２がランプ１３に反跳して磁気ディスク１１に戻らないよう、適切に抑制することが可能となる。

また、第２の実施形態によれば、プロセッサ２６は、一例では、磁気ヘッド２２のリバース方向の移動速度を取得し、少なくとも移動速度に基づいてブレーキ強度値を計算する。

また、第２の実施形態によれば、一例では、プロセッサ２６は、磁気ヘッド２２のランプ１３までの距離を取得し、少なくとも当該距離に基づいてブレーキ強度値を計算する。

なお、第２の実施形態において、しきい値Ｖｔｐは、第２しきい値の一例である。しきい値Ｖｔｄは、第１しきい値の一例である。ＶＣＭ１６は、モータの一例である。ブレーキ強度値は、指示値の一例である。

以上述べたように、第１の実施形態および第２の実施形態によれば、プロセッサ２６は、リトラクト動作を開始するタイミングの判断に使用されるしきい値Ｔｈｄよりも大きいしきい値Ｔｈｐを電源電圧が下回った場合に、磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけることに関する指示をモータドライバ２１に送信する。第１の実施形態では、磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけることに関する指示は、ブレーキ動作を実現するためのブレーキ指示値である。第２の実施形態では、リトラクト動作において初回にＶＣＭ１６に印加されるパルスの波高を制御するためのブレーキ強度値である。モータドライバ２１は、磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけることに関する指示をリトラクト動作の開始前に受信して、当該指示に応じた処理を行う。

よって、第１の実施形態および第２の実施形態によれば、電源断が発生した場合に、磁気ヘッド２２の移動に強いブレーキをかけることが可能である。磁気ヘッド２２がランプ１３に乗り上がるときの磁気ヘッド２２の移動速度を、磁気ヘッド２２がランプ１３に反跳して磁気ディスク１１に戻らないよう、適切に抑制することが可能となる。

例えば、第１の実施形態によれば、磁気ヘッド２２がリバース方向に移動中に電源断が発生した場合、モータドライバ２１は、磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけて、その後、リトラクト動作によって複数のパルスをＶＣＭ１６に印加する。つまり、リトラクト動作の前に磁気ヘッド２２の移動にブレーキをかけることが可能である。

例えば、第２の実施形態によれば、磁気ヘッド２２がリバース方向に移動中に電源断が発生した場合、モータドライバ２１は、リトラクト動作において初回にＶＣＭ１６に印加されるパルスの波高を電源断が発生した際の磁気ヘッド２２の移動速度に応じて変えることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１磁気ディスク装置、２Ｉ／Ｆバス、３電力供給線、１１磁気ディスク、１２スピンドルモータ、１３ランプ、１５アクチュエータアーム、２０電力供給回路、２１モータドライバ、２２磁気ヘッド、２２ｒリードヘッド、２２ｗライトヘッド、２３ＨＤＣ、２４プリアンプ、２５ＲＷＣ、２６プロセッサ、２７ＲＡＭ、２８ＦＲＯＭ、２９バッファメモリ、３０コントローラ、４０ホスト、４１電源、１１０サーボ領域、１１１，１１１ａ，１１１ｂトラック。

Claims

磁気ディスクと、
前記磁気ディスクに対してアクセスを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを移動させるモータと、
ランプと、
電源電圧の電圧値が第１しきい値を下回った場合に、前記モータに印加する電圧を制御することによって前記磁気ヘッドを前記ランプにリトラクトするリトラクト動作を開始するモータドライバと、
前記電源電圧の電圧値が前記第１しきい値よりも大きい第２しきい値を下回った場合に、前記磁気ヘッドの移動にブレーキをかけることに関する指示を前記モータドライバに送信する、プロセッサと、
を備える磁気ディスク装置。
前記モータドライバは、前記電源電圧の電圧値が前記第１しきい値を下回る前に、前記指示に応じて前記磁気ヘッドの速度を減速させる、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
前記プロセッサは、前記電源電圧の電圧値が前記第２しきい値を下回った場合に、前記磁気ヘッドの前記ランプに向かう移動速度を取得し、少なくとも前記移動速度に基づいて指示値を計算し、
前記指示は、前記指示値を含み、
前記モータドライバは、前記電源電圧の電圧値が前記第１しきい値を下回る前に、前記指示値に対応する電圧値の電圧を前記モータに印加する、
請求項１または請求項２に記載の磁気ディスク装置。
前記プロセッサは、前記電源電圧の電圧値が前記第２しきい値を下回った場合に、前記磁気ヘッドの前記ランプまでの距離を取得し、少なくとも前記距離に基づいて指示値を計算し、
前記指示は、前記指示値を含み、
前記モータドライバは、前記電源電圧の電圧値が前記第１しきい値を下回る前に、前記指示値に対応する電圧値の電圧を前記モータに印加する、
請求項１から請求項３の何れか一項に記載の磁気ディスク装置。
前記モータドライバは、前記リトラクト動作において、パルス状の波形の電圧を複数回の前記モータに印加し、前記複数回の印加のうちの初回において印加するパルスの波高を前記指示に応じて制御する、
請求項１に記載の磁気ディスク装置。
前記プロセッサは、前記電源電圧の電圧値が前記第２しきい値を下回った場合に、前記磁気ヘッドの前記ランプに向かう移動速度を取得し、少なくとも前記移動速度に基づいて指示値を計算し、
前記指示は、前記指示値を含み、
前記モータドライバは、前記リトラクト動作において、パルス状の波形の電圧を複数回の前記モータに印加し、前記複数回の印加のうちの初回において、前記指示値に対応する波高のパルス状の波形の電圧を前記モータに印加する、
請求項１または請求項５に記載の磁気ディスク装置。
前記プロセッサは、前記電源電圧の電圧値が前記第２しきい値を下回った場合に、前記磁気ヘッドの前記ランプまでの距離を取得し、少なくとも前記距離に基づいて指示値を計算し、
前記指示は、前記指示値を含み、
前記モータドライバは、前記リトラクト動作において、パルス状の波形の電圧を複数回の前記モータに印加し、前記複数回の印加のうちの初回において、前記指示値に対応する波高のパルス状の波形の電圧を前記モータに印加する、
請求項１、請求項５または請求項６に記載の磁気ディスク装置。
前記プロセッサは、前記移動速度が速いほど前記磁気ヘッドの移動にかかるブレーキの強度が大きくなるよう、前記指示値を計算する、
請求項３または請求項６に記載の磁気ディスク装置。
前記プロセッサは、前記距離が短いほど前記磁気ヘッドの移動にかかるブレーキの強度が大きくなるよう、前記指示値を計算する、
請求項４または請求項７に記載の磁気ディスク装置。
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクに対してアクセスを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを移動させるモータと、
ランプと、
前記磁気ヘッドが前記ランプに向かう向きに移動中に電源断が発生した場合、前記磁気ヘッドの移動にブレーキをかけて、前記磁気ヘッドの移動にブレーキをかけた後にパルス状の波形の電圧を複数回の前記モータに印加することによって前記磁気ヘッドを前記ランプにリトラクトする、モータドライバと、
を備える磁気ディスク装置。
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクに対してアクセスを行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを移動させるモータと、
ランプと、
前記磁気ヘッドが前記ランプに向かう向きに移動中に電源断が発生した場合、前記磁気ヘッドの移動にブレーキをかけた後にパルス状の波形の電圧を複数回の前記モータに印加することによって前記磁気ヘッドを前記ランプにリトラクトする、モータドライバと、
を備え、
前記モータドライバは、複数回前記モータに印加される前記パルス状の波形の電圧のうちの初回に前記モータに印加される前記パルス状の波形の電圧の波高を前記電源断が発生した際の前記磁気ヘッドの移動速度に応じて変える、
磁気ディスク装置。