JP2023045132A - 処理装置及び溶接システム - Google Patents
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Abstract
【課題】溶接における欠陥の発生を抑制可能な、処理装置及び溶接システムを提供する。【解決手段】実施形態に係る処理装置は、溶融池の少なくとも一部を写した第1画像を用いて溶接の状態を判定する判定処理を実行する。前記状態は、第1状態と、前記第1状態よりも不安定である第2状態と、を含む。前記判定処理において、前記溶融池に波紋が存在する場合には、前記溶接は前記第2状態と判定される。前記処理装置は、前記溶接が前記第1状態と判定された場合、前記溶接の条件を補正しない。前記処理装置は、前記溶接が前記第2状態と判定された場合、前記条件を補正する。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、処理装置及び溶接システムに関する。
溶接について、欠陥の発生を抑制可能な技術の開発が求められている。
本発明が解決しようとする課題は、溶接における欠陥の発生を抑制可能な、処理装置及び溶接システムを提供することである。
実施形態に係る処理装置は、溶融池の少なくとも一部を写した第1画像を用いて溶接の状態を判定する判定処理を実行する。前記状態は、第1状態と、前記第1状態よりも不安定である第2状態と、を含む。前記判定処理において、前記溶融池に波紋が存在する場合には、前記溶接は前記第2状態と判定される。前記処理装置は、前記溶接が前記第1状態と判定された場合、前記溶接の条件を補正しない。前記処理装置は、前記溶接が前記第2状態と判定された場合、前記条件を補正する。
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、実施形態に係る溶接システムを示す模式図である。
溶接システム1は、処理装置10、溶接装置20、制御装置30、記憶装置35、撮像装置40、及び照明50を含む。
溶接システム1は、処理装置10、溶接装置20、制御装置30、記憶装置35、撮像装置40、及び照明50を含む。
溶接装置20は、2つ以上の部材5を溶接して一体化する。溶接装置20は、例えば、アーク溶接を実行する。アーク溶接は、具体的には、Tungsten Inert Gas(TIG)溶接、Metal Inert Gas(MIG)溶接、Metal Active Gas(MAG)溶接、又は炭酸ガスアーク溶接などである。ここでは、溶接装置20がMAG溶接又はMIG溶接を行う例について説明する。
溶接装置20は、図1に示すように、ワイヤ供給部21、ワイヤ22、ワイヤコイル23、トーチ24、チューブ25、ガス供給部26、及びガス源27を含む。
ワイヤ供給部21は、ワイヤ22(消耗電極)が巻かれたワイヤコイル23を有する。ワイヤ供給部21は、ワイヤコイル23のワイヤ22を、チューブ25を介してトーチ24へ供給する。
ガス供給部26は、ガス源27と接続され、ガス源27に貯留されたシールドガスをトーチ24へ供給する。図示した例では、シールドガスは、ワイヤ供給部21及びチューブ25を介してトーチ24へ供給されている。シールドガスとして、不活性ガス(例えばアルゴン)を用いることができる。MAG溶接が実行される場合、シールドガスは、不活性ガスに加えて、炭酸ガスなどの活性ガスを含んでも良い。
トーチ24には、ワイヤ22及びシールドガスが供給される。トーチ24の先端では、ワイヤ22が部材5に向けて突出している。また、トーチ24は、ワイヤ22の周囲において、供給されたシールドガスを噴出する。
制御装置30は、溶接装置20の各要素を制御する。具体的には、制御装置30は、ワイヤ供給部21によるワイヤの供給速度、ガス供給部26によるシールドガスの流量、ワイヤ22の先端における電位、部材5の電位、ワイヤ22の先端を流れる電流、電流の波形などを制御する。例えば、制御装置30は、ワイヤ22が正極(+)、部材5が負極(-)となるように、部材5及びワイヤ22のそれぞれの電位を制御する。
記憶装置35は、溶接に必要なデータを記憶する。例えば、記憶装置35は、ワイヤの供給速度、シールドガスの流量、溶接中の電圧値及び電流値、電流の波形などの溶接条件を記憶する。制御装置30は、予め設定された溶接条件に従って、溶接装置20に溶接を実行させる。
撮像装置40は、溶接中の溶融池を撮像し、画像(静止画)を取得する。撮像装置40は、動画を取得しても良い。この場合、動画から静止画が切り出される。撮像装置40は、例えば、CMOSイメージセンサ又はCCDイメージセンサを含むカメラである。
照明50は、溶接中の溶融池に光を照射する。照明50は、発光ダイオード又はランプを含む。照明50は、レーザ光を発しても良い。照明50から発せられる光の波長領域は、任意である。一例として、照明50は、赤外光を発する。なお、照明50によって溶融池を照らさなくても、後述する溶接の状態の判定に利用可能な画像が得られるのであれば、照明50は省略されても良い。
溶融池と撮像装置40との間の光路上に、光学フィルタ45が設けられても良い。光学フィルタ45は、所定の波長領域のみを選択的に透過させる。光学フィルタ45は、さらに、照明50と溶融池との光路上に位置しても良い。例えば、赤外光のみを選択的に透過させる光学フィルタ45を設けることで、アークの発光による画像の白飛びを抑えることができる。光学フィルタ45として、バンドパスフィルタを用いることができる。
処理装置10は、撮像装置40によって取得された画像に基づき、溶接の安定性の状態を判定する。例えば、処理装置10は、溶接が、第1状態と第2状態のいずれであるか判定する。第2状態は、第1状態よりも溶接が不安定であることを示す。溶接の状態は、より細かく、第1状態及び第2状態を含む3つ以上の状態のいずれかと判定されても良い。
溶接が第2状態と判定されると、処理装置10は、予め設定されていた溶接条件を補正する。処理装置10は、補正した溶接条件を制御装置30に送信する。制御装置30は、補正された溶接条件に従って、部材5を溶接する。例えば、溶接条件は、ワイヤの供給速度、シールドガス流量、電圧値、電流値、及びトーチ24の移動速度を含む。補正では、これらの条件の1つ以上が調整される。
図2は、溶接の様子を示す模式図である。
図2に示すように、溶接中、ワイヤ22の先端と部材5との間には、アークAが発生する。アークAの周囲には、シールドガスGが吹き付けられる。アークAの熱により、ワイヤ22は、溶融して部材5に滴下する。また、アークAの熱により、部材5の一部が溶融する。溶融した部材5及びワイヤ22によって、溶融池WPが形成される。溶融池WPが凝固すると、部材5の表面に凝固層6が形成される。複数の部材5は、凝固層6によって接合され、接合体となる。
図2に示すように、溶接中、ワイヤ22の先端と部材5との間には、アークAが発生する。アークAの周囲には、シールドガスGが吹き付けられる。アークAの熱により、ワイヤ22は、溶融して部材5に滴下する。また、アークAの熱により、部材5の一部が溶融する。溶融した部材5及びワイヤ22によって、溶融池WPが形成される。溶融池WPが凝固すると、部材5の表面に凝固層6が形成される。複数の部材5は、凝固層6によって接合され、接合体となる。
図3は、実施形態に係る処理装置による処理方法を示すフローチャートである。
溶接の開始後、処理方法PMにおいて、処理装置10は、溶融池WPの画像を受信する(ステップSt1)。画像は、撮像装置40によって取得される。処理装置10は、判定処理を実行する(ステップSt2)。判定処理では、画像を用いて溶接の状態が判定される。処理装置10は、ステップSt2において溶接が第2状態と判定されたか判断する(ステップSt3)。ステップSt2において溶接が第2状態と判定されていた場合、処理装置10は、溶接条件を補正する(ステップSt4)。溶接が第1状態と判定されていた場合、処理装置10は、溶接条件を補正しない。処理装置10は、溶接が終了したか判定する(ステップSt5)。溶接が終了していない場合、ステップSt1が再度実行される。これにより、溶接中は、溶接の状態が繰り返し判定される。状態の判定結果に応じて、溶接条件が適宜補正される。
溶接の開始後、処理方法PMにおいて、処理装置10は、溶融池WPの画像を受信する(ステップSt1)。画像は、撮像装置40によって取得される。処理装置10は、判定処理を実行する(ステップSt2)。判定処理では、画像を用いて溶接の状態が判定される。処理装置10は、ステップSt2において溶接が第2状態と判定されたか判断する(ステップSt3)。ステップSt2において溶接が第2状態と判定されていた場合、処理装置10は、溶接条件を補正する(ステップSt4)。溶接が第1状態と判定されていた場合、処理装置10は、溶接条件を補正しない。処理装置10は、溶接が終了したか判定する(ステップSt5)。溶接が終了していない場合、ステップSt1が再度実行される。これにより、溶接中は、溶接の状態が繰り返し判定される。状態の判定結果に応じて、溶接条件が適宜補正される。
以降では、具体例を参照しつつ、ステップSt2における溶接状態の判定方法について説明する。溶接状態の判定には、以下の2つの判定方法のいずれかを用いることができる。具体例では、ワイヤ22として、ソリッドワイヤを用いている。部材5として、部分めっき加工が施されたSS400を用いている。ワイヤの供給速度は、7m/分である。アーク長補正は、-3、0、又は3のいずれかに設定されている。アーク長補正は、アーク長の長さに関する補正パラメータであり、電圧値、電流値、及び電流の波形に関する。
(第1の判定方法)
図4は、実施形態に係る処理装置による第1の判定方法を示すフローチャートである。図5~図7は、撮像装置により取得される画像の一例である。
第1の判定方法では、画像の画素値に基づき、溶接状態を判定する。まず、処理装置10は、撮像装置40によって取得された画像から、その一部を切り出す(ステップSt211)。具体的には、処理装置10は、溶融池のうち、熱源よりも後方に位置する部分を切り出す。
図4は、実施形態に係る処理装置による第1の判定方法を示すフローチャートである。図5~図7は、撮像装置により取得される画像の一例である。
第1の判定方法では、画像の画素値に基づき、溶接状態を判定する。まず、処理装置10は、撮像装置40によって取得された画像から、その一部を切り出す(ステップSt211)。具体的には、処理装置10は、溶融池のうち、熱源よりも後方に位置する部分を切り出す。
図5は、撮像装置40によって取得された画像IMG1(第2画像の一例)である。画像IMG1には、ワイヤ22、アークA(熱源)、溶融池WP、及び凝固層6が写っている。ワイヤ22及びアークAは、方向D1に移動している。すなわち、アークAの位置から見て、方向D1は、「前方」である。アークAの位置から見て、方向D1とは反対の「後方」に位置する部分P1の画像が切り出される。図6は、切り出された部分P1の画像IMG2(第1画像の一例)を示す。
切り出される位置は、予め設定される。又は、切り出される位置は、画像中のワイヤ22、アークA、溶融池WPなどの認識結果に基づいて自動的に設定されても良い。
処理装置10は、画像IMG2に対して、画像処理を行う(ステップSt212)。例えば、画像処理として、エッジ強調(分散フィルタ)又はエッジ検出が行われる。図7は、画像IMG2に対してエッジ強調を適用して得られた画像IMG3を示す。
処理装置10は、処理された画像における複数の画素値から、第1値を算出する(ステップSt213)。例えば、撮像装置40によってグレースケール画像又はRGB画像が取得される場合、画素値は、輝度である。撮像装置40によってHSV画像が取得される場合、画素値は、色相、彩度、又は明度である。例えば、第1値は、画像に含まれる全ての画素値の平均、和、又は加重平均により算出される。第1値は、画像に含まれる一部の画素値の平均、和、又は加重平均により算出されても良い。
処理装置10は、第1値の移動平均値及びばらつきを算出する(ステップSt214)。処理方法PMでは、溶接中に、繰り返し画像が取得される。それぞれの画像について、第1値が算出される。このため、各画像に関する第1値が、時間毎に算出される。処理装置10は、時間に対する移動平均値とそのばらつきを算出する。
一例として、撮像装置40は、500fpsで溶融池の動画を取得する。すなわち、撮像装置40により、毎秒500枚の画像が取得される。処理装置10は、各画像について第1値を算出する。処理装置10は、0.2秒の区間(100枚の画像)における移動平均値及びばらつきを算出する。ばらつきとして、標準偏差、分散、又は平均二乗誤差を用いることができる。ばらつきは、溶接の状態を判定するための評価値として用いることができる。
図8は、各画像の画素値の移動平均値に対するばらつきを例示するグラフである。図9及び図10は、画素値の移動平均値に対するばらつきを例示するグラフである。
図8において、横軸は、時間T(秒)を示す。縦軸は、それぞれの画像における画素値の平均値Aveを示す。図9及び図10において、横軸は、時間T(秒)を示す。縦軸は、ばらつきVを示す。図8~図10のグラフの生成に使用した各画像は、エッジ強調が適用されたRGB画像である。各画像における画素値の範囲は、0~255である。
図8において、横軸は、時間T(秒)を示す。縦軸は、それぞれの画像における画素値の平均値Aveを示す。図9及び図10において、横軸は、時間T(秒)を示す。縦軸は、ばらつきVを示す。図8~図10のグラフの生成に使用した各画像は、エッジ強調が適用されたRGB画像である。各画像における画素値の範囲は、0~255である。
図8の例では、0.3秒付近でアークが発生し、溶接が開始されている。0.3秒から0.8秒までの間、平均値Aveは、大きく増大した後に減少する。それ以降、平均値Aveは、概ね、0~60の範囲内で変動する。6秒で溶接は終了している。
図9は、各時間Tにおける移動平均値に対するばらつき(標準偏差)を示す。溶接の開始直後から0.6秒付近まで、ばらつきが一時的に大きく変動する。その後、ばらつきは、概ね5~30の範囲内で変動する。
処理装置10は、ばらつきを予め設定された判定条件と比較する。具体例として、判定条件は、閾値を含む。処理装置10は、ばらつきが、予め設定された閾値未満か判断する(ステップSt215)。ばらつきが閾値未満の場合、処理装置10は、溶接が第1状態であると判定する(ステップSt216)。ばらつきが閾値以上の場合、処理装置10は、溶接が第2状態であると判定する(ステップSt217)。以上により、図3に示すフローチャートにおけるステップSt2が終了する。
図10は、図9と同じグラフを示す。一例として、図10に示すように、V=17に閾値THが設定される。この結果、0.7秒付近、1.2秒付近、1.9秒付近、2.8秒付近、3.6秒付近、4.2秒付近、5.0秒~5.8秒において、溶接が第2状態S2であると判定される。その他の期間は、第1状態であると判定される。溶接が第2状態と判定されると、溶接条件が補正される。溶接条件の補正により、溶接状態が改善されると、ばらつきVを低下させることができる。
(第2の判定方法)
第2の判定方法では、モデルを用いて溶接の状態を判定する。モデルは、溶融池が写る画像の入力に応じて、溶接状態の分類を出力する。モデルは、好ましくは、教師有り学習が施されたニューラルネットワークを含む。
第2の判定方法では、モデルを用いて溶接の状態を判定する。モデルは、溶融池が写る画像の入力に応じて、溶接状態の分類を出力する。モデルは、好ましくは、教師有り学習が施されたニューラルネットワークを含む。
図11は、実施形態に係る処理装置による第2の判定方法を示すフローチャートである。
まず、処理装置10は、撮像装置40によって取得された画像から、その一部を切り出す(ステップSt221)。具体的には、処理装置10は、溶融池のうち、熱源直下に位置する部分を切り出す。
まず、処理装置10は、撮像装置40によって取得された画像から、その一部を切り出す(ステップSt221)。具体的には、処理装置10は、溶融池のうち、熱源直下に位置する部分を切り出す。
図12及び図13は、撮像装置により取得される画像の一例である。
図12に示す画像IMG11(第2画像の一例)には、画像IMG1と同様に、ワイヤ22、アークA(熱源)、溶融池WP、及び凝固層6が写っている。ワイヤ22及びアークAは、方向D1に移動している。アークA直下の部分P2の画像が切り出される。図13は、切り出された部分P2の画像IMG12(第1画像の一例)を示す。
図12に示す画像IMG11(第2画像の一例)には、画像IMG1と同様に、ワイヤ22、アークA(熱源)、溶融池WP、及び凝固層6が写っている。ワイヤ22及びアークAは、方向D1に移動している。アークA直下の部分P2の画像が切り出される。図13は、切り出された部分P2の画像IMG12(第1画像の一例)を示す。
処理装置10は、切り出した画像を、モデルに入力する(ステップSt222)。モデルは、溶接の状態を分類する。処理装置10は、モデルによる分類結果を取得する(ステップSt223)。処理装置10は、分類結果に基づいて溶接状態を判定する(ステップSt224)。例えば、モデルからの分類結果は、第1状態及び第2状態のそれぞれの確率を示す。第1状態の確率が第2状態の確率よりも高い場合、処理装置10は、溶接が第1状態と判定する。第2状態の確率が第1状態の確率よりも高い場合、処理装置10は、溶接が第2状態と判定する。以上により、図3に示すフローチャートにおけるステップSt2が終了する。
実施形態の利点を説明する。
溶接した際、スパッタ、ピット、アンダーカットなどの欠陥が発生しうる。これらの欠陥の程度及び数は、小さいことが好ましい。従来、欠陥の発生を抑制するために、溶接中に得られる情報を用いて、溶接条件を補正することが試みられている。また、補正の要否の判断に使用できる情報についても検討されている。発明者らが検討した結果、特にピットが発生する直前に、溶融池における波立ちが大きくなり、溶融池に波紋が発生することを見いだした。発明者らは、この知見に基づき、波紋の発生に応じて溶接条件の要否を判断する方法を発明した。
溶接した際、スパッタ、ピット、アンダーカットなどの欠陥が発生しうる。これらの欠陥の程度及び数は、小さいことが好ましい。従来、欠陥の発生を抑制するために、溶接中に得られる情報を用いて、溶接条件を補正することが試みられている。また、補正の要否の判断に使用できる情報についても検討されている。発明者らが検討した結果、特にピットが発生する直前に、溶融池における波立ちが大きくなり、溶融池に波紋が発生することを見いだした。発明者らは、この知見に基づき、波紋の発生に応じて溶接条件の要否を判断する方法を発明した。
図14(a)、図14(c)、及び図14(e)は、溶融池の画像の一例である。図14(b)、図14(d)、及び図14(f)は、それぞれ、図14(a)、図14(c)、及び図14(e)における溶融池の状態を示す模式図である。
図14(a)の画像IMG21では、図14(b)に示すように、溶融池WPにおいて、溶融したワイヤ22の滴下による小さな波Wが、緩やかに同心円状に広がっている。溶融池WPには、実質的に波紋が存在しない。図14(c)の画像IMG22では、溶融池WPにおいて、多数の凹凸が存在する。画像IMG21に比べて、溶融池WPの表面が波立ち、図14(d)に示すように多数の波紋Rが生じている。図14(e)の画像IMG23では、画像IMG22と同様に、溶融池WPにおいて多数の凹凸が存在する。加えて、画像IMG23では、図14(f)に示すように、気泡Bによってさらに大きな波紋Rが溶融池WPの表面に生じている。
図14(a)の画像IMG21では、図14(b)に示すように、溶融池WPにおいて、溶融したワイヤ22の滴下による小さな波Wが、緩やかに同心円状に広がっている。溶融池WPには、実質的に波紋が存在しない。図14(c)の画像IMG22では、溶融池WPにおいて、多数の凹凸が存在する。画像IMG21に比べて、溶融池WPの表面が波立ち、図14(d)に示すように多数の波紋Rが生じている。図14(e)の画像IMG23では、画像IMG22と同様に、溶融池WPにおいて多数の凹凸が存在する。加えて、画像IMG23では、図14(f)に示すように、気泡Bによってさらに大きな波紋Rが溶融池WPの表面に生じている。
波紋が無い部分では、反射光の向きは、ほぼ一様である。このため、波紋が無い部分では、画素値の変化が小さい。一方、波紋付近では、反射光の向きが変化する。画像において、波紋付近では、波紋が無い部分に比べて、画素値の変化が大きい。この結果、例えば、画像IMG22の画素値の平均値は、画像IMG21の画素値の平均値よりも大きい。複数の画像間での移動平均を算出し、この移動平均に対するばらつきを算出することで、画素値が変化している画像が特定される。すなわち、溶融池WPに波紋が存在している画像が特定される。この結果、画像における溶融池WPに波紋が存在している場合、溶接が第2状態であると判定される。
画素値以外にも、モデルを用いて溶融池の状態を分類することで、溶接の状態を判定可能である。モデルを用いる場合は、学習時に、図14(a)に示すような波紋が無い画像と、図14(c)及び図14(e)に示すような波紋が有る画像と、を予め準備する。それらの画像と、状態の分類結果(教示データ)と、を用いて、モデルを学習させる。これにより、溶融池WPに波紋が存在する画像は、溶接が第2状態に分類されるようになる。
波紋が存在する場合に溶接条件が補正されることで、欠陥(特にピット)の発生を抑制でき、欠陥の程度及び数を低減できる。例えば、実施形態によれば、溶接不良の発生を抑制し、接合体の品質を向上できる。
好ましくは、補正される溶接条件は、電圧値、電流値、電流の波形、又はシールドガス流量を含む。発明者らが検討したところ、これらの条件は、波紋の発生と相関性を有することが確認された。具体的には、溶接が第2状態と判定されると、処理装置10は、電圧値の増加、電流値の増加、及びシールドガス流量の増加から選択される1つ以上を実行する。
電圧値、電流値、又はシールドガスは、以下の理由により、溶接状態と関係していると考えられる。シールドガスについては、流量が小さいと、溶融池が空気に曝露されやすくなる。この結果、空気中の成分が、溶融池へ進入し易くなる。空気中の成分が溶融池に進入すると、成分の一部が冷却時に溶融池内で気体として排出され、ピットの発生につながる。シールドガス流量の増大により、溶融池の空気への曝露を低減できる。電流又は電圧については、これらを増大させると、溶融池への入熱量が増大する。これにより、溶融池が融液である状態が長く保たれるため、気体の排出が促進され、ピットの発生が抑制される。
溶接条件の補正後は、補正された溶接条件で溶接が継続されても良い。又は、その後に溶接が第1状態と判定されたとき、溶接条件を、補正後の値から予め設定された標準の値に変更しても良い。
好ましくは、処理装置10は、溶接の開始から第1時間が経過するまでの間、画像に基づく状態の判定を実行しない。又は、処理装置10は、溶接の開始から第1時間が経過するまでの間に得られた判定結果を無視する。いずれの場合においても、溶接の状態に拘わらず溶接条件は補正されない。例えば図9に示すように、0.8秒までは、溶接開始直後の溶融池のサイズの変動により、ばらつきVが大きい。0秒から0.8秒までの時間は、第1時間の一例である。0秒から0.8秒までの画像に基づいて溶接状態が判定されると、溶接条件が無用に補正される可能性がある。溶接の安定性が低下する可能性もある。第1時間の間、判定結果に基づく溶接条件の補正が実行されないことで、溶接開始直後の安定性を向上できる。
第1時間は、予めユーザにより設定されても良い。又は、第1時間は、画像から得られたデータに基づいて設定されても良い。例えば、ばらつきVが、最初に閾値THを超えた後であって、最初に閾値THを下回ったタイミングが、第1時間の終点として設定される。モデルが用いられる場合、最初に溶接状態が第2状態に分類された後であって、最初に溶接状態が第1状態に分類されたタイミングが、第1時間の終点として設定される。
溶接装置20について、トーチ24は、人の手によって把持されても良いし、機械によって保持されても良い。好ましくは、トーチ24は、機械によって保持される。
図15は、実施形態に係る別の溶接システムを示す模式図である。
図15に示す溶接システム1aでは、溶接装置20が、移動装置28をさらに含む。また、図15に示す例では、ワイヤ供給部21及びガス供給部26として、1つの装置が設けられている。撮像装置40及び照明50は、省略されている。
図15に示す溶接システム1aでは、溶接装置20が、移動装置28をさらに含む。また、図15に示す例では、ワイヤ供給部21及びガス供給部26として、1つの装置が設けられている。撮像装置40及び照明50は、省略されている。
移動装置28は、不図示のアクチュエータを含む。移動装置28は、制御装置30によって制御され、トーチ24を移動させる。トーチ24が部材5に対して移動しながら、溶接が実行される。移動装置28として、X-Y直交ロボット、水平多関節ロボット、又は垂直多関節ロボットが設けられても良い。
不図示の撮像装置40及び照明50も、トーチ24と同期して移動する。溶接システム1aにおいても、溶接システム1と同様に、溶接中の画像を用いて溶接の状態が判定され、溶接条件が適宜補正される。これにより、欠陥の程度及び数を低減できる。
以上では、溶接として、アーク溶接が実行される例を説明した。実施形態は、レーザ溶接に対しても適用可能である。レーザ溶接においても、部材5のレーザ(熱源)が照射された部分に、溶融池が形成される。溶融池において、波紋の有無に応じて溶接条件が補正されることで、溶接の安定性を向上可能である。
また、画像の画素値に基づく判定以外に、レーザ光の反射光の強度分布を用いて、溶接の状態を判定しても良い。例えば、照明50は、溶融池WPに、レーザ光を照射する。レーザ光は、溶融池で反射される。撮像装置40に代えて、反射光を受光する受光装置が設けられる。受光装置は、反射光の強度分布を生成し、処理装置10へ送信する。処理装置10は、強度分布の周期性から、溶接の状態を判定する。
又は、溶融池からの赤外光の強度分布を用いて、溶接の状態を判定しても良い。例えば、撮像装置40として、サーマルカメラが設けられる。サーマルカメラは、溶融池から放射された赤外光を検出する。サーマルカメラは、赤外光の強度分布を生成し、処理装置10へ送信する。処理装置10は、強度分布の周期性から、溶接の状態を判定する。
図16は、ハードウェア構成を示す模式図である。
処理装置10及び制御装置30のそれぞれは、汎用又は専用のコンピュータにより実現される。処理装置10及び制御装置30のそれぞれの機能は、複数のコンピュータの協働により実現されても良い。処理装置10及び制御装置30のそれぞれは、例えば図16に表したハードウェア構成を含む。
処理装置10及び制御装置30のそれぞれは、汎用又は専用のコンピュータにより実現される。処理装置10及び制御装置30のそれぞれの機能は、複数のコンピュータの協働により実現されても良い。処理装置10及び制御装置30のそれぞれは、例えば図16に表したハードウェア構成を含む。
図16に示すコンピュータ90は、CPU91、ROM92、RAM93、記憶装置94、入力インタフェース95、出力インタフェース96、及び通信インタフェース97を含む。
ROM92は、コンピュータの動作を制御するプログラムを格納している。ROM92には、上述した各処理をコンピュータに実現させるために必要なプログラムが格納されている。RAM93は、ROM92に格納されたプログラムが展開される記憶領域として機能する。
CPU91は、処理回路を含む。CPU91は、RAM93をワークメモリとして、ROM92又は記憶装置94の少なくともいずれかに記憶されたプログラムを実行する。プログラムの実行中、CPU91は、システムバス98を介して各構成を制御し、種々の処理を実行する。
記憶装置94は、プログラムの実行に必要なデータや、プログラムの実行によって得られたデータを記憶する。記憶装置94は、記憶装置35として機能する。
入力インタフェース(I/F)95は、コンピュータ90と入力装置95aとを接続する。入力I/F95は、例えば、USB等のシリアルバスインタフェースである。CPU91は、入力I/F95を介して、入力装置95aから各種データを読み込むことができる。
出力インタフェース(I/F)96は、コンピュータ90と表示装置96aとを接続する。出力I/F96は、例えば、Digital Visual Interface(DVI)やHigh-Definition Multimedia Interface(HDMI(登録商標))等の映像出力インタフェースである。CPU91は、出力I/F96を介して、表示装置96aにデータを送信し、表示装置96aに画像を表示させることができる。
通信インタフェース(I/F)97は、コンピュータ90外部のサーバ97aと、コンピュータ90と、を接続する。通信I/F97は、例えば、LANカード等のネットワークカードである。CPU91は、通信I/F97を介して、サーバ97aから各種データを読み込むことができる。カメラ99は、溶融池を撮像し、画像をサーバ97aに保存する。カメラ99は、撮像装置40として機能する。
記憶装置94は、Hard Disk Drive(HDD)及びSolid State Drive(SSD)から選択される1つ以上を含む。入力装置95aは、マウス、キーボード、マイク(音声入力)、及びタッチパッドから選択される1つ以上を含む。表示装置96aは、モニタ及びプロジェクタから選択される1つ以上を含む。タッチパネルのように、入力装置95aと表示装置96aの両方の機能を備えた機器が用いられても良い。
上述した種々のデータの処理は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、磁気ディスク(フレキシブルディスク及びハードディスクなど)、光ディスク(CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD±R、DVD±RWなど)、半導体メモリ、又は、他の非一時的なコンピュータで読取可能な記録媒体(non-transitory computer-readable storage medium)に記録されても良い。
例えば、記録媒体に記録された情報は、コンピュータ(または組み込みシステム)により読み出されることが可能である。記録媒体において、記録形式(記憶形式)は任意である。例えば、コンピュータは、記録媒体からプログラムを読み出し、このプログラムに基づいてプログラムに記述されている指示をCPUで実行させる。コンピュータにおいて、プログラムの取得(または読み出し)は、ネットワークを通じて行われても良い。
以上で説明した実施形態によれば、溶接における欠陥の発生を抑制可能な、処理装置、溶接システム、処理方法、プログラム、記憶媒体が提供される。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
1,1a:溶接システム、 5:部材、 6:凝固層、 10:処理装置、 20:溶接装置、 21:ワイヤ供給部、 22:ワイヤ、 23:ワイヤコイル、 24:トーチ、 25:チューブ、 26:ガス供給部、 27:ガス源、 28:移動装置、 30:制御装置、 35:記憶装置、 40:撮像装置、 45:光学フィルタ、 50:照明、 90:コンピュータ、 91:CPU、 92:ROM、 93:RAM、 94:記憶装置、 95:入力インタフェース、 95a:入力装置、 96:出力インタフェース、 96a:表示装置、 97:通信インタフェース、 97a:サーバ、 98:システムバス、 99:カメラ、 A:アーク、 B:気泡、 D1:方向、 G:シールドガス、 PM:処理方法、 R:波紋、 S2:第2状態、 TH:閾値、 V:ばらつき、 W:波、 WP:溶融池
Claims (10)
- 溶融池の少なくとも一部を写した第1画像を用いて溶接の状態を判定する判定処理であって、前記状態は第1状態と前記第1状態よりも不安定である第2状態とを含み、前記溶融池に波紋が存在する場合には前記溶接は前記第2状態と判定される、前記判定処理を実行し、
前記溶接が前記第1状態と判定された場合、前記溶接の条件を補正せず、前記溶接が前記第2状態と判定された場合、前記条件を補正する、
処理装置。 - 前記第1画像の画素値に基づく評価値を算出し、前記評価値を予め設定された判定条件と比較することで、前記状態を判定する、請求項1記載の処理装置。
- 前記溶融池を写した第2画像から、熱源よりも後方に位置する前記溶融池の一部を切り出して前記第1画像を生成する、請求項2記載の処理装置。
- 前記評価値の算出は、
前記第1画像における複数の前記画素値の平均、和、又は加重平均である第1値の算出と、
複数の前記第1画像のそれぞれの前記第1値の移動平均及びばらつきの算出と、
を含み、
前記ばらつきを前記評価値として用いる、請求項2又は3に記載の処理装置。 - 前記評価値は、エッジ強調又はエッジ検出が適用された前記第1画像から算出される、請求項2~4のいずれか1つに記載の処理装置。
- 画像の入力に応じて溶接状態の分類を出力するモデルに、前記第1画像を入力することで、前記状態の分類結果を取得し、
前記分類結果に基づいて、前記状態を判定する、請求項1記載の処理装置。 - 前記溶融池を写した第2画像から、熱源の直下に位置する前記溶融池の一部を切り出して前記第1画像を生成する、請求項6記載の処理装置。
- 前記溶接の開始から第1時間が経過するまで、前記状態の判定結果に拘わらず、前記条件を補正しない、請求項1~7のいずれか1つに記載の処理装置。
- 前記第1画像には、アーク溶接中の前記溶融池が写され、
補正される前記条件は、電流値、電圧値、電流の波形、及びシールドガス流量から選択される1つ以上である、請求項1~8のいずれか1つに記載の処理装置。 - 請求項1~9のいずれか1つに記載の処理装置と、
前記第1画像を取得する撮像装置と、
補正された前記条件で溶接装置に前記溶接を実行させる制御装置と、
を備えた溶接システム。
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