JP2023044872A - 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、銅又は銅合金からなる銅部材と、セラミックス部材とが接合されてなる銅/セラミックス接合体、および、セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板に関するものである。
パワーモジュール、LEDモジュールおよび熱電モジュールにおいては、絶縁層の一方の面に導電材料からなる回路層を形成した絶縁回路基板に、パワー半導体素子、LED素子および熱電素子が接合された構造とされている。
例えば、風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子は、動作時の発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、セラミックス基板の他方の面に金属板を接合して形成した放熱用の金属層と、を備えた絶縁回路基板が、従来から広く用いられている。
例えば、風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子は、動作時の発熱量が多いことから、これを搭載する基板としては、セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層と、セラミックス基板の他方の面に金属板を接合して形成した放熱用の金属層と、を備えた絶縁回路基板が、従来から広く用いられている。
例えば、特許文献1には、セラミックス基板の一方の面及び他方の面に、銅板を接合することにより回路層及び金属層を形成した絶縁回路基板が提案されている。この特許文献1においては、セラミックス基板の一方の面及び他方の面に、Ag-Cu-Ti系ろう材を介在させて銅板を配置し、加熱処理を行うことにより銅板が接合されている(いわゆる活性金属ろう付け法)。この活性金属ろう付け法では、活性金属であるTiが含有されたろう材を用いているため、溶融したろう材とセラミックス基板との濡れ性が向上し、セラミックス基板と銅板とが良好に接合されることになる。
また、特許文献2においては、Cu-Mg-Ti系ろう材を用いて、セラミックス基板と銅板とを接合した絶縁回路基板が提案されている。
この特許文献2においては、窒素ガス雰囲気下にて560~800℃で加熱することによって接合する構成とされており、Cu-Mg-Ti合金中のMgは昇華して接合界面には残存せず、かつ、窒化チタン(TiN)が実質的に形成しないものとされている。
この特許文献2においては、窒素ガス雰囲気下にて560~800℃で加熱することによって接合する構成とされており、Cu-Mg-Ti合金中のMgは昇華して接合界面には残存せず、かつ、窒化チタン(TiN)が実質的に形成しないものとされている。
さらに、特許文献3においては、Mgを用いて銅板とセラミックス基板とを接合した絶縁回路基板が開示されている。
この特許文献3においては、端子等を超音波接合した場合であっても、銅板とセラミックス基板との接合界面にクラックの発生を抑制することが可能となる。
この特許文献3においては、端子等を超音波接合した場合であっても、銅板とセラミックス基板との接合界面にクラックの発生を抑制することが可能となる。
ところで、最近では、絶縁回路基板に搭載される半導体素子の発熱温度が高くなる傾向にあり、絶縁回路基板には、従来にも増して、厳しい冷熱サイクルに耐えることができる冷熱サイクル信頼性が求められている。
ここで、特許文献1,2に開示されているように、活性金属であるTiを含む接合材を用いて銅板とセラミックス基板とを接合した場合には、銅板側に活性金属であるTiが拡散し、CuとTiを含む金属間化合物が析出することで、接合界面近傍が硬くなり、冷熱サイクル負荷時にセラミックス部材に割れが生じ、冷熱サイクル信頼性が低下するおそれがあった。
ここで、特許文献1,2に開示されているように、活性金属であるTiを含む接合材を用いて銅板とセラミックス基板とを接合した場合には、銅板側に活性金属であるTiが拡散し、CuとTiを含む金属間化合物が析出することで、接合界面近傍が硬くなり、冷熱サイクル負荷時にセラミックス部材に割れが生じ、冷熱サイクル信頼性が低下するおそれがあった。
また、特許文献3に開示されているように、Mgを用いてセラミックス基板と銅板とを接合した場合には、セラミックス基板と銅板の接合界面には、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層が形成される。よって、銅板の接合面近傍は、Mgの固溶硬化によって硬くなる。
さらに、接合界面に存在する酸素とMgが反応することで、Mg固溶層にMg酸化物が析出し、この析出硬化によって、さらに接合界面が硬くなるおそれがある。
このように、活性金属であるTiを用いずに、Mgを用いてセラミックス基板と銅板とを接合した場合でも、接合界面が硬くなり、冷熱サイクル信頼性を十分に向上させることができないおそれがあった。
さらに、接合界面に存在する酸素とMgが反応することで、Mg固溶層にMg酸化物が析出し、この析出硬化によって、さらに接合界面が硬くなるおそれがある。
このように、活性金属であるTiを用いずに、Mgを用いてセラミックス基板と銅板とを接合した場合でも、接合界面が硬くなり、冷熱サイクル信頼性を十分に向上させることができないおそれがあった。
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、厳しい冷熱サイクルを負荷した場合であっても、セラミックス部材における割れの発生を抑制でき、冷熱サイクル信頼性に優れた銅/セラミックス接合体、および、この銅/セラミックス接合体からなる絶縁回路基板を提供することを目的とする。
前述の課題を解決するために、本発明の銅/セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、セラミックス部材とが接合されてなる銅/セラミックス接合体であって、前記セラミックス部材と前記銅部材との接合界面には、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層が形成されており、前記セラミックス部材の接合面から前記銅部材側へ15μmまでの領域において、前記Mg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下であることを特徴としている。
本発明の銅/セラミックス接合体によれば、前記セラミックス部材と前記銅部材との接合界面には、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層が形成されており、前記セラミックス部材の接合面から前記銅部材側へ15μmまでの領域において、前記Mg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下とされているので、析出硬化によって接合界面が硬くなることを抑制でき、冷熱サイクル負荷時のセラミックス部材の割れの発生を抑制することが可能となる。
よって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた銅/セラミックス接合体を得ることができる。
よって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた銅/セラミックス接合体を得ることができる。
ここで、本発明の銅/セラミックス接合体においては、前記セラミックス部材の接合面から前記銅部材側へ10μmの位置におけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上180mgf/μm2以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、前記セラミックス部材の接合面から前記銅部材側へ10μmの位置におけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上とされているので、接合界面近傍の銅が十分に溶融して液相が生じており、セラミックス部材と銅部材とが強固に接合されている。
一方、前記セラミックス部材の接合面から前記銅部材側へ10μmの位置におけるにおけるインデンテーション硬さの平均値が180mgf/μm2以下に抑えられているので、接合界面近傍が必要以上に硬くなく、冷熱サイクル負荷時におけるクラックの発生を抑制することができる。
この場合、前記セラミックス部材の接合面から前記銅部材側へ10μmの位置におけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上とされているので、接合界面近傍の銅が十分に溶融して液相が生じており、セラミックス部材と銅部材とが強固に接合されている。
一方、前記セラミックス部材の接合面から前記銅部材側へ10μmの位置におけるにおけるインデンテーション硬さの平均値が180mgf/μm2以下に抑えられているので、接合界面近傍が必要以上に硬くなく、冷熱サイクル負荷時におけるクラックの発生を抑制することができる。
なお、本発明におけるインデンテーション硬度Hとは、バーコビッチ圧子と呼ばれる稜間角が114.8°以上115.1°以下の三角錐ダイヤモンド圧子を用いて試験荷重を5000mgfとして負荷をかけた際の荷重―変位の相関を計測し、以下の式より算出される。
hc=ht-0.75×P/S
(ht:押し込み深さ、P:荷重、S:接触剛性(=dP/ dh|Pmax)、hc:接触深さ)
接触面積A=24.56×hc2
インデンテーション硬さH=P/A
hc=ht-0.75×P/S
(ht:押し込み深さ、P:荷重、S:接触剛性(=dP/ dh|Pmax)、hc:接触深さ)
接触面積A=24.56×hc2
インデンテーション硬さH=P/A
本発明の絶縁回路基板は、セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、前記セラミックス基板と前記銅板との接合界面には、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層が形成されており、前記セラミックス基板の接合面から前記銅板側へ15μmまでの領域において、前記Mg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下であることを特徴としている。
本発明の絶縁回路基板によれば、前記セラミックス基板と前記銅板との接合界面には、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層が形成されており、前記セラミックス基板の接合面から前記銅板側へ15μmまでの領域において、前記Mg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下とされているので、析出硬化によって接合界面が硬くなることを抑制でき、冷熱サイクル負荷時のセラミックス基板の割れの発生を抑制することが可能となる。
よって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた絶縁回路基板を得ることができる。
よって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた絶縁回路基板を得ることができる。
ここで、本発明の絶縁回路基板においては、前記セラミックス基板の接合面から前記銅板側へ10μmの位置におけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上180mgf/μm2以下の範囲内とされていることが好ましい。
この場合、前記セラミックス基板の接合面から前記銅板側へ10μmの位置におけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上とされているので、接合界面近傍の銅が十分に溶融して液相が生じており、セラミックス基板と銅板とが強固に接合されている。
一方、前記セラミックス基板の接合面から前記銅板側へ10μmの位置におけるにおけるインデンテーション硬さの平均値が180mgf/μm2以下に抑えられているので、接合界面近傍が必要以上に硬くなく、冷熱サイクル負荷時におけるクラックの発生を抑制することができる。
この場合、前記セラミックス基板の接合面から前記銅板側へ10μmの位置におけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上とされているので、接合界面近傍の銅が十分に溶融して液相が生じており、セラミックス基板と銅板とが強固に接合されている。
一方、前記セラミックス基板の接合面から前記銅板側へ10μmの位置におけるにおけるインデンテーション硬さの平均値が180mgf/μm2以下に抑えられているので、接合界面近傍が必要以上に硬くなく、冷熱サイクル負荷時におけるクラックの発生を抑制することができる。
本発明によれば、厳しい冷熱サイクルを負荷した場合であっても、セラミックス部材における割れの発生を抑制でき、冷熱サイクル信頼性に優れた銅/セラミックス接合体、および、この銅/セラミックス接合体からなる絶縁回路基板を提供することができる。
以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。
本実施形態に係る銅/セラミックス接合体は、セラミックスからなるセラミックス部材としてのセラミックス基板11と、銅又は銅合金からなる銅部材としての銅板22(回路層12)および銅板23(金属層13)とが接合されてなる絶縁回路基板10である。図1に、本実施形態である絶縁回路基板10を備えたパワーモジュール1を示す。
本実施形態に係る銅/セラミックス接合体は、セラミックスからなるセラミックス部材としてのセラミックス基板11と、銅又は銅合金からなる銅部材としての銅板22(回路層12)および銅板23(金属層13)とが接合されてなる絶縁回路基板10である。図1に、本実施形態である絶縁回路基板10を備えたパワーモジュール1を示す。
このパワーモジュール1は、回路層12および金属層13が配設された絶縁回路基板10と、回路層12の一方の面(図1において上面)に接合層2を介して接合された半導体素子3と、金属層13の他方側(図1において下側)に配置されたヒートシンク5と、を備えている。
半導体素子3は、Si等の半導体材料で構成されている。この半導体素子3と回路層12は、接合層2を介して接合されている。
接合層2は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材で構成されている。
接合層2は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材で構成されている。
ヒートシンク5は、前述の絶縁回路基板10からの熱を放散するためのものである。このヒートシンク5は、銅又は銅合金で構成されており、本実施形態ではりん脱酸銅で構成されている。このヒートシンク5には、冷却用の流体が流れるための流路が設けられている。
なお、本実施形態においては、ヒートシンク5と金属層13とが、はんだ材からなるはんだ層7によって接合されている。このはんだ層7は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材で構成されている。
なお、本実施形態においては、ヒートシンク5と金属層13とが、はんだ材からなるはんだ層7によって接合されている。このはんだ層7は、例えばSn-Ag系、Sn-In系、若しくはSn-Ag-Cu系のはんだ材で構成されている。
そして、本実施形態である絶縁回路基板10は、図1に示すように、セラミックス基板11と、このセラミックス基板11の一方の面(図1において上面)に配設された回路層12と、セラミックス基板11の他方の面(図1において下面)に配設された金属層13と、を備えている。
セラミックス基板11は、絶縁性および放熱性に優れた窒化ケイ素(Si3N4)、窒化アルミニウム(AlN)、アルミナ(Al2O3)等のセラミックスで構成されている。本実施形態では、セラミックス基板11は、特に放熱性の優れた窒化アルミニウム(AlN)で構成されている。また、セラミックス基板11の厚さは、例えば、0.2mm以上1.5mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。
回路層12は、図4に示すように、セラミックス基板11の一方の面(図4において上面)に、銅又は銅合金からなる銅板22が接合されることにより形成されている。
本実施形態においては、回路層12は、無酸素銅の圧延板がセラミックス基板11に接合されることで形成されている。
なお、回路層12となる銅板22の厚さは0.1mm以上2.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されている。
本実施形態においては、回路層12は、無酸素銅の圧延板がセラミックス基板11に接合されることで形成されている。
なお、回路層12となる銅板22の厚さは0.1mm以上2.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されている。
金属層13は、図4に示すように、セラミックス基板11の他方の面(図4において下面)に、銅又は銅合金からなる銅板23が接合されることにより形成されている。
本実施形態においては、金属層13は、無酸素銅の圧延板がセラミックス基板11に接合されることで形成されている。
なお、金属層13となる銅板23の厚さは0.1mm以上2.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されている。
本実施形態においては、金属層13は、無酸素銅の圧延板がセラミックス基板11に接合されることで形成されている。
なお、金属層13となる銅板23の厚さは0.1mm以上2.0mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、0.6mmに設定されている。
ここで、セラミックス基板11と回路層12(金属層13)との接合界面においては、図2に示すように、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層31が形成されている。
Mg固溶層31は、回路層12(金属層13)とセラミックス基板11との接合界面を、EPMA装置(日本電子株式会社製JXA-8539F)を用いて、倍率200倍、加速電圧15kVの条件で接合界面を含む領域(縦400μm×横600μm)を観察して定量分析を行い、Cu濃度+Mg濃度=100原子%として、Mg濃度が0.01原子%以上6.9原子%以下である領域である。
Mg固溶層31は、回路層12(金属層13)とセラミックス基板11との接合界面を、EPMA装置(日本電子株式会社製JXA-8539F)を用いて、倍率200倍、加速電圧15kVの条件で接合界面を含む領域(縦400μm×横600μm)を観察して定量分析を行い、Cu濃度+Mg濃度=100原子%として、Mg濃度が0.01原子%以上6.9原子%以下である領域である。
そして、本実施形態である絶縁回路基板10においては、図2に示すように、Mg固溶層31の内部にMgO粒子33が析出しており、セラミックス基板11の接合面から回路層12(金属層13)側へ15μmまでの領域Eにおいて、Mg固溶層31に析出したMgO粒子33の析出面積率が15%以下とされている。MgO粒子33の析出面積率が0%であってもよい。
なお、セラミックス基板11の表面に薄いMgO層が形成されることがあるが、このMgO層はMg固溶層31に析出したものではないため、上述のMgO粒子33の析出面積率には含めない。
なお、セラミックス基板11の表面に薄いMgO層が形成されることがあるが、このMgO層はMg固溶層31に析出したものではないため、上述のMgO粒子33の析出面積率には含めない。
また、本実施形態においては、図2に示すように、セラミックス基板11の接合面から回路層12(金属層13)側へ10μmの位置Xにおけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上180mgf/μm2以下の範囲内とされていることが好ましい。
以下に、本実施形態に係る絶縁回路基板10の製造方法について、図3および図4を参照して説明する。
(Mg配置工程S01)
まず、セラミックス基板11を準備し、図4に示すように、回路層12となる銅板22とセラミックス基板11との間、および、金属層13となる銅板23とセラミックス基板11との間に、それぞれMgを配置する。
本実施形態では、回路層12となる銅板22とセラミックス基板11との間、及び、金属層13となる銅板23とセラミックス基板11との間に、Mg箔25を配設している。
ここで、Mg配置工程S01では、配置するMg量を0.34mg/cm2以上4.35mg/cm2以下の範囲内とする。
なお、配置するMg量は、0.52mg/cm2以上とすることが好ましく、0.69mg/cm2以上とすることがさらに好ましい。一方、配置するMg量は、3.48mg/cm2以下とすることが好ましく、2.61mg/cm2以下とすることがさらに好ましい。
まず、セラミックス基板11を準備し、図4に示すように、回路層12となる銅板22とセラミックス基板11との間、および、金属層13となる銅板23とセラミックス基板11との間に、それぞれMgを配置する。
本実施形態では、回路層12となる銅板22とセラミックス基板11との間、及び、金属層13となる銅板23とセラミックス基板11との間に、Mg箔25を配設している。
ここで、Mg配置工程S01では、配置するMg量を0.34mg/cm2以上4.35mg/cm2以下の範囲内とする。
なお、配置するMg量は、0.52mg/cm2以上とすることが好ましく、0.69mg/cm2以上とすることがさらに好ましい。一方、配置するMg量は、3.48mg/cm2以下とすることが好ましく、2.61mg/cm2以下とすることがさらに好ましい。
(積層工程S02)
次に、銅板22とセラミックス基板11を、Mg箔25を介して積層するとともに、セラミックス基板11と銅板23を、Mg箔25を介して積層する。
次に、銅板22とセラミックス基板11を、Mg箔25を介して積層するとともに、セラミックス基板11と銅板23を、Mg箔25を介して積層する。
(接合工程S03)
次に、積層された銅板22、Mg箔25、セラミックス基板11、Mg箔25、銅板23を、積層方向に加圧するとともに、真空炉内に装入して加熱し、銅板22とセラミックス基板11と銅板23を接合する。
次に、積層された銅板22、Mg箔25、セラミックス基板11、Mg箔25、銅板23を、積層方向に加圧するとともに、真空炉内に装入して加熱し、銅板22とセラミックス基板11と銅板23を接合する。
ここで、接合工程S03における保持温度は、700℃以上850℃以下の範囲内とすることが好ましい。そして、670℃から保持温度までの昇温過程および加熱温度での保持過程における温度積分値Sは、30℃・h以上500℃・h以下の範囲内とすることが好ましい。
また、接合工程S03における加圧荷重Pは、0.09MPa以上1.96MPa以下の範囲内とすることが好ましい。
また、接合工程S03における加圧荷重Pは、0.09MPa以上1.96MPa以下の範囲内とすることが好ましい。
そして、加圧荷重Pと温度積分値Sの積P×Sは、30℃・h・MPa以上650℃・h・MPa以下の範囲内とすることが好ましい。
加圧荷重Pと温度積分値Sの積P×Sを上述の範囲とすることにより、接合時に生成する液相の排出状態が調整され、液相中に含まれる酸素含有物を界面から排出することができ、Mg固溶層31におけるMgO粒子33の析出面積率を制御することが可能となる。
加圧荷重Pと温度積分値Sの積P×Sを上述の範囲とすることにより、接合時に生成する液相の排出状態が調整され、液相中に含まれる酸素含有物を界面から排出することができ、Mg固溶層31におけるMgO粒子33の析出面積率を制御することが可能となる。
さらに、接合工程S03における炉内雰囲気中の露点を-61℃以下とすることが好ましい。
炉内雰囲気中の露点を-61℃以下とすることで、Mg固溶層31におけるMgO粒子33の析出面積率を制御することが可能となる。
また、冷却時における冷却速度は、2℃/min以上20℃/min以下の範囲内とすることが好ましい。なお、ここでの冷却速度は、保持温度から670℃までの冷却速度の平均値である。
炉内雰囲気中の露点を-61℃以下とすることで、Mg固溶層31におけるMgO粒子33の析出面積率を制御することが可能となる。
また、冷却時における冷却速度は、2℃/min以上20℃/min以下の範囲内とすることが好ましい。なお、ここでの冷却速度は、保持温度から670℃までの冷却速度の平均値である。
以上のように、Mg配置工程S01と、積層工程S02と、接合工程S03とによって、本実施形態である絶縁回路基板10が製造されることになる。
(ヒートシンク接合工程S04)
次に、絶縁回路基板10の金属層13の他方の面側にヒートシンク5を接合する。
絶縁回路基板10とヒートシンク5とを、はんだ材を介して積層して加熱炉に装入し、はんだ層7を介して絶縁回路基板10とヒートシンク5とをはんだ接合する。
次に、絶縁回路基板10の金属層13の他方の面側にヒートシンク5を接合する。
絶縁回路基板10とヒートシンク5とを、はんだ材を介して積層して加熱炉に装入し、はんだ層7を介して絶縁回路基板10とヒートシンク5とをはんだ接合する。
(半導体素子接合工程S05)
次に、絶縁回路基板10の回路層12の一方の面に、半導体素子3をはんだ付けにより接合する。
前述の工程により、図1に示すパワーモジュール1が製出される。
次に、絶縁回路基板10の回路層12の一方の面に、半導体素子3をはんだ付けにより接合する。
前述の工程により、図1に示すパワーモジュール1が製出される。
以上のような構成とされた本実施形態の絶縁回路基板10(銅/セラミックス接合体)によれば、セラミックス基板11と回路層12(金属層13)との接合界面には、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層31が形成されており、セラミックス基板11の接合面から回路層12(金属層13)側へ15μmまでの領域Eにおいて、Mg固溶層31に析出したMgO粒子33の析出面積率が15%以下とされているので、析出硬化によって接合界面が硬くなることを抑制でき、冷熱サイクル負荷時のセラミックス基板11の割れの発生を抑制することが可能となる。
よって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた絶縁回路基板10を得ることができる。
よって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた絶縁回路基板10を得ることができる。
なお、冷熱サイクル信頼性をさらに向上させるためには、セラミックス基板11の接合面から回路層12(金属層13)側へ15μmまでの領域EにおけるMg固溶層31に析出したMgO粒子33の析出面積率を12%以下とすることが好ましく、8%以下とすることがより好ましい。
また、本実施形態の絶縁回路基板10において、セラミックス基板11の接合面から回路層12(金属層13)側へ10μmの位置Xにおけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上180mgf/μm2以下の範囲内とされている場合には、Mgによってセラミックス基板11と回路層12(金属層13)とが確実に強固に接合されているとともに、接合界面が硬くなることがさらに抑制される。
よって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた絶縁回路基板10を得ることができる。
よって、接合強度が高く、かつ、冷熱サイクル信頼性に特に優れた絶縁回路基板10を得ることができる。
なお、冷熱サイクル信頼性をさらに向上させるためには、セラミックス基板11の接合面から回路層12(金属層13)側へ10μmの位置Xにおけるインデンテーション硬さの平均値を170mgf/μm2以下とすることが好ましく、160mgf/μm2以下とすることがより好ましい。
一方、セラミックス基板11と回路層12(金属層13)とをさらに確実に接合するためには、セラミックス基板11の接合面から回路層12(金属層13)側へ10μmの位置Xにおけるインデンテーション硬さの平均値を115mgf/μm2以上とすることが好ましく、125mgf/μm2以上とすることがより好ましい。
一方、セラミックス基板11と回路層12(金属層13)とをさらに確実に接合するためには、セラミックス基板11の接合面から回路層12(金属層13)側へ10μmの位置Xにおけるインデンテーション硬さの平均値を115mgf/μm2以上とすることが好ましく、125mgf/μm2以上とすることがより好ましい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、絶縁回路基板に半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板の回路層にLED素子を搭載してLEDモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
例えば、本実施形態では、絶縁回路基板に半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板の回路層にLED素子を搭載してLEDモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。
また、本実施形態の絶縁回路基板では、セラミックス基板として、窒化アルミニウム(AlN)で構成されたものを例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、アルミナ(Al2O3)、窒化ケイ素(Si3N4)等の他のセラミックス基板を用いたものであってもよい。
さらに、本実施形態においては、回路層を、無酸素銅の圧延板をセラミックス基板に接合することにより形成するものとして説明したが、これに限定されることはなく、銅板を打ち抜いた銅片を回路パターン状に配置された状態でセラミックス基板に接合されることによって回路層を形成してもよい。
また、本実施形態では、セラミックス基板と銅板との間にMg箔を配置するものとして説明したが、これに限定されることはなく、セラミックス基板と銅板の間に接合材が配設されていればよく、セラミックス基板の接合面にMgを配設してもよいし、銅板の接合面にMgを配設してもよい。また、セラミックス基板及び/又は銅板にスパッタ、蒸着することによってMgを配置してもよい。銅板とMg箔のクラッド材を用いることもできる。なお、Mg粉及び/又はMgH2粉を含むペーストを用いて、Mgをセラミックス基板と銅板との間に配置することもできる。
また、本実施形態では、セラミックス基板と銅板との間にMg箔を配置するものとして説明したが、これに限定されることはなく、セラミックス基板と銅板の間に接合材が配設されていればよく、セラミックス基板の接合面にMgを配設してもよいし、銅板の接合面にMgを配設してもよい。また、セラミックス基板及び/又は銅板にスパッタ、蒸着することによってMgを配置してもよい。銅板とMg箔のクラッド材を用いることもできる。なお、Mg粉及び/又はMgH2粉を含むペーストを用いて、Mgをセラミックス基板と銅板との間に配置することもできる。
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
まず、表1記載のセラミックス基板(40mm×40mm)を準備した。なお、厚さは、AlNおよびAl2O3は0.635mm、Si3N4は0.32mmとした。
また、回路層および金属層となる銅板として、無酸素銅からなり、表1に示す厚さの37mm×37mmの銅板を準備した。
また、回路層および金属層となる銅板として、無酸素銅からなり、表1に示す厚さの37mm×37mmの銅板を準備した。
そして、表1に示す条件で銅板とセラミックス基板とを接合し、本発明例1~9、比較例1の絶縁回路基板(銅/セラミックス接合体)を得た。
ここで、接合時には、炉内ガスの排気とドライエアの導入を繰り返し、表1に示す露点とした。なお、露点は株式会社テクネ計測社製MBW973Lにより測定した。
ここで、接合時には、炉内ガスの排気とドライエアの導入を繰り返し、表1に示す露点とした。なお、露点は株式会社テクネ計測社製MBW973Lにより測定した。
得られた絶縁回路基板(銅/セラミックス接合体)について、Mg固溶層におけるMgO粒子の析出面積率、インデンテーション硬さ、冷熱サイクル信頼性(セラミックス基板の割れ、冷熱サイクル負荷後の接合率)を、以下のようにして評価した。
(Mg固溶層におけるMgO粒子析出面積率)
回路層および金属層とセラミックス基板との接合界面の断面を観察し、EPMAにより、Mg固溶層内の200μm×15μmの領域に対して元素マップをそれぞれ5視野取得た。MgとOが共存し、Mg濃度+O濃度=100原子%として、O濃度が35原子%以上65原子%以下である領域を析出したMgO粒子とし、その面積率を算出し、それぞれ5視野、計10箇所の平均値を求めた。
回路層および金属層とセラミックス基板との接合界面の断面を観察し、EPMAにより、Mg固溶層内の200μm×15μmの領域に対して元素マップをそれぞれ5視野取得た。MgとOが共存し、Mg濃度+O濃度=100原子%として、O濃度が35原子%以上65原子%以下である領域を析出したMgO粒子とし、その面積率を算出し、それぞれ5視野、計10箇所の平均値を求めた。
(インデンテーション硬さ)
得られた絶縁回路基板(銅/セラミックス接合体)を積層方向に切断し、セラミックス基板と回路層および金属層の接合界面において、セラミックス基板の接合面から回路層および金属層側へ10μmの位置Xにおけるインデンテーション硬さをそれぞれ1視野で5箇所、5視野で測定し、計50箇所で測定し、平均値を求めた。
得られた絶縁回路基板(銅/セラミックス接合体)を積層方向に切断し、セラミックス基板と回路層および金属層の接合界面において、セラミックス基板の接合面から回路層および金属層側へ10μmの位置Xにおけるインデンテーション硬さをそれぞれ1視野で5箇所、5視野で測定し、計50箇所で測定し、平均値を求めた。
(冷熱サイクル信頼性)
上述の絶縁回路基板に対して、冷熱衝撃試験機(エスペック株式会社製TSA-72ES)を使用し、気相で冷熱サイクルを負荷し、SAT検査によりセラミックス割れの有無を判定した。なお、冷熱サイクルの条件は、セラミックス基板の材質に応じて、下記のように設定した。
AlN,Al2O3の場合:-40℃×15min←→150℃×15minを1000サイクルまで100サイクル毎にSAT検査。
Si3N4の場合:-40℃×15min←→150℃×15minを3000サイクルまで200サイクル毎にSAT検査。
上述の絶縁回路基板に対して、冷熱衝撃試験機(エスペック株式会社製TSA-72ES)を使用し、気相で冷熱サイクルを負荷し、SAT検査によりセラミックス割れの有無を判定した。なお、冷熱サイクルの条件は、セラミックス基板の材質に応じて、下記のように設定した。
AlN,Al2O3の場合:-40℃×15min←→150℃×15minを1000サイクルまで100サイクル毎にSAT検査。
Si3N4の場合:-40℃×15min←→150℃×15minを3000サイクルまで200サイクル毎にSAT検査。
(接合率)
上述の冷熱サイクル負荷前の接合率と、冷熱サイクル負荷後の接合率を、以下のようにして評価した。なお、セラミックス基板の割れが確認された場合には、その時点での接合率を評価した。
絶縁回路基板に対し、セラミックス基板と銅板(回路層及び金属層)との界面の接合率について超音波探傷装置(株式会社日立パワーソリューションズ製FineSAT FSP8V)を用いて評価し、以下の式から接合率を算出した。
上述の冷熱サイクル負荷前の接合率と、冷熱サイクル負荷後の接合率を、以下のようにして評価した。なお、セラミックス基板の割れが確認された場合には、その時点での接合率を評価した。
絶縁回路基板に対し、セラミックス基板と銅板(回路層及び金属層)との界面の接合率について超音波探傷装置(株式会社日立パワーソリューションズ製FineSAT FSP8V)を用いて評価し、以下の式から接合率を算出した。
ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積、すなわち本実施例では回路層及び金属層の面積(37mm×37mm)とした。
(接合率)={(初期接合面積)-(剥離面積)}/(初期接合面積)
超音波探傷像を二値化処理した画像において剥離は接合部内の白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。
(接合率)={(初期接合面積)-(剥離面積)}/(初期接合面積)
超音波探傷像を二値化処理した画像において剥離は接合部内の白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。
まず、セラミックス基板としてAlNを用いた本発明例1-3と比較例1とを比較する。
比較例1においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が22.4%とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が200回となった。
これに対して、本発明例1-3においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が700~1000回超えとなり、冷熱サイクル信頼性に優れていた。
比較例1においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が22.4%とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が200回となった。
これに対して、本発明例1-3においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が700~1000回超えとなり、冷熱サイクル信頼性に優れていた。
次に、セラミックス基板としてSi3N4を用いた本発明例4-6と比較例2とを比較する。
比較例2においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が19.2%とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が1600回となった。
これに対して、本発明例4-6においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が2600~3000回超えとなり、冷熱サイクル信頼性に優れていた。
比較例2においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が19.2%とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が1600回となった。
これに対して、本発明例4-6においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が2600~3000回超えとなり、冷熱サイクル信頼性に優れていた。
次に、セラミックス基板としてAl2O3を用いた本発明例7,8と比較例3とを比較する。
比較例3においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が24.8%とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が200回となった。
これに対して、本発明例7,8においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が900~1000回となり、冷熱サイクル信頼性に優れていた。
比較例3においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が24.8%とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が200回となった。
これに対して、本発明例7,8においては、セラミックス基板の接合面から銅板側へ15μmまでの領域においてMg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下とされており、冷熱サイクル試験において割れ発生回数が900~1000回となり、冷熱サイクル信頼性に優れていた。
以上の確認実験の結果から、本発明例によれば、厳しい冷熱サイクルを負荷した場合であっても、セラミックス部材における割れの発生を抑制でき、冷熱サイクル信頼性に優れた絶縁回路基板(銅/セラミックス接合体)を提供可能であることが確認された。
10 絶縁回路基板(銅/セラミックス接合体)
11 セラミックス基板(セラミックス部材)
12 回路層(銅部材)
13 金属層(銅部材)
31 Mg固溶層
33 MgO粒子
11 セラミックス基板(セラミックス部材)
12 回路層(銅部材)
13 金属層(銅部材)
31 Mg固溶層
33 MgO粒子
Claims (4)
- 銅又は銅合金からなる銅部材と、セラミックス部材とが接合されてなる銅/セラミックス接合体であって、
前記セラミックス部材と前記銅部材との接合界面には、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層が形成されており、
前記セラミックス部材の接合面から前記銅部材側へ15μmまでの領域において、前記Mg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下であることを特徴とする銅/セラミックス接合体。 - 前記セラミックス部材の接合面から前記銅部材側へ10μmの位置におけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上180mgf/μm2以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項1に記載の銅/セラミックス接合体。
- セラミックス基板の表面に、銅又は銅合金からなる銅板が接合されてなる絶縁回路基板であって、
前記セラミックス基板と前記銅板との接合界面には、Cuの母相中にMgが固溶したMg固溶層が形成されており、
前記セラミックス基板の接合面から前記銅板側へ15μmまでの領域において、前記Mg固溶層に析出したMgO粒子の析出面積率が15%以下であることを特徴とする絶縁回路基板。 - 前記セラミックス基板の接合面から前記銅板側へ10μmの位置におけるインデンテーション硬さの平均値が100mgf/μm2以上180mgf/μm2以下の範囲内とされていることを特徴とする請求項3に記載の絶縁回路基板。
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