JP2023037262A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ワイヤボンディングの位置精度を向上すること。【解決手段】半導体装置(1)は、半導体素子(7)と、半導体素子の上面電極に配線部材を介して電気的に接続される制御端子(19)と、制御端子と一体成型され、半導体素子を収容する空間を画定するケース部材(4)と、を備える。制御端子は、配線部材の接続点となるボンディングパッド(19a)を有している。ケース部材は、パッドに対する配線部材の位置決めの基準点となる凸状の位置決め部(41d)を有する。【選択図】図8
Description
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、FWD(Free Wheeling Diode)等の半導体素子が設けられた基板を有し、インバータ装置等に利用されている。
この種の半導体装置において、例えば特許文献1、2では、放熱板の上面に積層基板が配置され、積層基板上の回路パターンに半田を介して半導体素子が配置されている。このような半導体装置における電気的な配線方法としては、ワイヤボンディグが広く採用されている。ワイヤボンディングでは、接続対象の位置(例えば半導体素子と電極端子)を検出して正確なボンディング箇所を認識する。
ところで、一般的なワイヤボンディング装置では、自動でボンディング位置を検出するため、例えば画像認識の技術を用いて装置の基準点を認識する。この場合、基準点の認識に誤差が生じてしまうと、ボンディングの位置精度に影響を及ぼすおそれがある。ワイヤボンディングの位置ずれが生じると、ワイヤの接続強度が低下してワイヤが剥離しやすくなるおそれもある。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ワイヤボンディングの位置精度を向上することが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的の1つとする。
本発明の一態様の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の上面電極に配線部材を介して電気的に接続される制御端子と、前記制御端子と一体成型され、前記半導体素子を収容する空間を画定するケース部材と、を備え、前記制御端子は、前記配線部材の接続点となるパッドを有し、前記ケース部材は、前記パッドに対する前記配線部材の位置決めの基準点となる凸状の位置決め部を有する。
また、本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子の上面電極に配線部材を介して電気的に接続される制御端子と、前記制御端子と一体成型され、前記半導体素子を収容する空間を画定するケース部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記制御端子は、前記配線部材の接続点となるパッドを有し、前記ケース部材は、前記パッドに対する前記配線部材の位置決めの基準点となる凸状の位置決め部を有し、前記配線部材を前記パッドに接続する工程において、前記パッド周辺の平面画像を撮像し、前記平面画像における前記位置決め部と前記パッドとの相対座標に基づいて前記配線部材を前記パッドに接続する。
本発明によれば、ワイヤボンディングの位置精度を向上することが可能である。
以下、本発明を適用可能な半導体装置について説明する。図1は、本実施の形態に係る半導体装置の平面図である。図2は、図1の封止樹脂を省略した平面図である。図3は、図2の部分拡大図である。図4は、図1のA-A線に沿って切断した断面図である。図5は、図4の部分拡大図である。図6は、本実施の形態に係る半導体装置の回路構成の一例を示す模式図である。なお、以下に示す半導体装置はあくまで一例にすぎず、これに限定されることなく適宜変更が可能である。
また、以下の図において、半導体装置(冷却器)の長手方向をX方向、半導体装置(冷却器)の短手方向をY方向、高さ方向(基板の厚み方向)をZ方向と定義することにする。また、半導体装置の長手方向は、複数の半導体モジュール(単位モジュール)が並ぶ方向を示している。図示されたX、Y、Zの各軸は互いに直交し、右手系を成している。また、場合によっては、X方向を左右方向、Y方向を前後方向、Z方向を上下方向と呼ぶことがある。これらの方向(前後左右上下方向)は、説明の便宜上用いる文言であり、半導体装置の取付姿勢によっては、XYZ方向のそれぞれとの対応関係が変わることがある。例えば、半導体装置の放熱面側(冷却器側)を下面側とし、その反対側を上面側と呼ぶことにする。また、本明細書において、平面視は、半導体装置の上面又は下面をZ方向からみた場合を意味する。
本実施の形態に係る半導体装置1は、例えばパワーコントロールユニット等の電力変換装置に適用されるものであり、インバータ回路を構成するパワー半導体モジュールである。図1から図5に示すように、半導体装置1は、複数(本実施の形態では3つ)の単位モジュール2と、これらの単位モジュール2を冷却する冷却器3と、複数の単位モジュール2を収容するケース部材4と、ケース部材4内に注入される封止樹脂5と、を含んで構成される。
単位モジュール2は、絶縁基板6と、絶縁基板6上に配置される半導体素子7と、を含んで構成される。本実施の形態では、3つの単位モジュール2がX方向に並んで配置されている。3つの単位モジュール2は、例えばX方向正側からU相、V相、W相を構成し、全体として三相インバータ回路を形成する。なお、単位モジュール2は、パワーセルあるいは半導体ユニットと呼ばれてもよい。
冷却器3は、平面視矩形状に形成されたベース板8を備えている。ベース板8は、平面視矩形状を有し、所定厚みの板状体で形成される。ベース板8は、その長手方向が半導体装置1の左右方向(X方向)に延び、その短手方向が半導体装置1の前後方向(Y方向)に延びている。ベース板8は、一方の面(下面)と他方の面(上面)とを有している。一方の面は、単位モジュール2の放熱面を形成している。他方の面は、単位モジュール2の接合面を形成している。
ベース板8は、放熱性のよい、例えばアルミニウムや銅の合金によって形成される。また、ベース板8の表面には、所定厚みのメッキ層が形成されている。メッキ層は、ニッケル等の金属メッキで形成されることが好ましい。ベース板8の上面には、半田等の接合材Sを介して絶縁基板6が配置される。また、ベース板8の下面には、複数のフィンが設けられてもよい。
絶縁基板6は、例えば、DCB(Direct Copper Bonding)基板やAMB(Active Metal Brazing)基板、あるいは金属ベース基板で構成される。具体的に絶縁基板6は、絶縁板60と、絶縁板60の下面に配置された放熱板61と、絶縁板60の上面に配置された複数の回路板62と、を有する。絶縁基板6は、例えば平面視矩形状に形成される。
絶縁板は、例えば、アルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪素(Si3N4)等のセラミックス材料、エポキシ等の樹脂材料、又はセラミックス材料をフィラーとして用いたエポキシ樹脂材料等の絶縁材料によって形成される。なお、絶縁板は、絶縁層又は絶縁フィルムと呼ばれてもよい。
放熱板は、Z方向に所定の厚みを有し、絶縁板の下面を覆うように形成される。放熱板は、例えば銅やアルミニウム等の熱伝導性の良好な金属板によって形成される。
絶縁板の上面には、複数の回路板62が形成される。図2では、便宜上、1つの絶縁基板6につき3つの回路板62が形成されているが、絶縁板の上面には、1つ又はより多くの回路板62が形成されてもよい。これらの回路板は、銅箔等の金属層であり、絶縁板上に電気的に互いに絶縁された状態で島状に形成される。なお、回路板62は、回路層と呼ばれてもよい。
絶縁基板6(回路板62)の上面には、半田等の接合材Sを介して半導体素子7が配置されている。図1では、便宜上、1つの絶縁基板6につき2つの半導体素子7を示すが、より多くの半導体素子7が絶縁基板6に配置されてもよい。半導体素子7は、例えばシリコン(Si)、炭化けい素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、及びダイヤモンド等の半導体基板によって平面視方形状又は矩形状に形成される。
なお、半導体素子7としては、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、パワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等のスイッチング素子、FWD(Free Wheeling Diode)等のダイオードが用いられる。スイッチング素子とダイオードは逆並列接続されてよい。また、半導体素子7として、IGBTとFWDを一体化したRC(Reverse Conducting)-IGBT素子、又はパワーMOSFET素子、逆バイアスに対して十分な耐圧を有するRB(Reverse Blocking)-IGBT等が用いられてもよい。
また、半導体素子7の形状、配置数、配置箇所等は適宜変更が可能である。なお、本実施の形態における半導体素子7は、半導体基板にトランジスタなどの機能素子を形成した、縦型のスイッチング素子であるが、これに限らず、横型のスイッチング素子であってもよい。
半導体素子7の上面電極は、金属配線板10を介して所定の回路板62に導電接続される。金属配線板10は、例えば、銅素材、銅合金系素材、アルミニウム合金系素材、鉄合金系素材等の金属素材を用いて、プレス加工等によって折り曲げて形成される。例えば、半導体素子7と金属配線板10の一端は、半田等の接合材Sによって接合される。また、所定の回路板62と金属配線板10の他端は、半田等の接合材Sによって接合される。これらの金属配線板10は、リードフレームと呼ばれてもよい。
また、上記した金属配線板10、複数の回路板62、及び半導体素子7により、図6に示すようなインバータ回路が構成されてよい。この場合、Pは正極端子、Nは負極端子、Mは中間端子を表しており、2つの半導体素子7が直列接続された例を示している。
ベース板8の上面外周には、ケース部材4が配置される。ケース部材4は、例えば接着剤を介してベース板8に接合される。ケース部材4は、ベース板8の外形に沿った形状を有している。より具体的にケース部材4は、中央に開口部4aを有する矩形枠状に形成されている。矩形状の開口部4aには、上記した3つの単位モジュール2が収容される。すなわち、3つの単位モジュール2は、枠状のケース部材4によって画定される空間に収容される。
ケース部材4には、外部接続用の主端子(P端子16、N端子17、M端子18)と、制御用の制御端子19が設けられている。ケース部材4の短手方向(Y方向)で対向する一対の壁部40、41のうち、Y方向負側に位置する壁部40には、平面視四角形状の凹部42、43が形成されている。
凹部42には、P端子16(後述するナット部16a)が配置されている。P端子16は、1つの単位モジュール2につき、1つずつ配置されている。P端子16は、半田等の接合材Sを介して絶縁基板6(所定の回路板)に接続される。
P端子16は、ナット部16aと、板状部16bとを一体成型して形成されている。ナット部16aは、所定厚みの四角ナットで形成されている。ナット部16aは、中央に厚み方向へ貫通するネジ穴16cが形成されている。ナット部16aは、板状部16bの一端(基端)側に設けられている。
板状部16bは、上面と下面を有する平板形状を有している。板状部16bは、平面視でY方向に長い長尺形状を有している。また、板状部16bの他端(先端)は、絶縁基板6の回路層に接合材Sを介して接合される。
同様に、凹部43には、N端子17(後述するナット部17a)が配置されている。N端子17は、1つの単位モジュール2につき、1つずつ配置されている。N端子17は半田等の接合材Sを介して絶縁基板6(所定の回路板)に接続される。
N端子17は、ナット部17aと、板状部17bとを一体成型して形成されている。ナット部17aは、所定厚みの四角ナットで形成されている。ナット部17aは、中央に厚み方向へ貫通するネジ穴17cが形成されている。ナット部17aは、板状部17bの一端(基端)側に設けられている。
板状部17bは、上面と下面を有する平板形状を有している。板状部17bは、平面視でY方向に長い長尺形状を有している。また、板状部17bの他端(先端)は、絶縁基板6の回路層に接合材Sを介して接合される。
また、ケース部材4の短手方向(Y方向)で対向する一対の壁部40、41のうち、Y方向正側の壁部41には、平面視四角形状の凹部44が形成されている。凹部44には、M端子18(後述するナット部18a)が配置されている。M端子18は、1つの単位モジュール2につき、1つずつ配置されている。M端子18の端部(板状部18b)は、半田等の接合材Sを介して絶縁基板6(所定の回路板)に接続される。
M端子18は、ナット部18aと、板状部18bとを一体成型して形成されている。ナット部18aは、所定厚みの四角ナットで形成されている。ナット部18aは、中央に厚み方向へ貫通するネジ穴18cが形成されている。ナット部18aは、板状部18bの一端(基端)側に設けられている。
板状部18bは、上面と下面を有する平板形状を有している。板状部18bは、平面視でY方向に長い長尺形状を有している。また、板状部18bの他端(先端)は、絶縁基板6の回路層に接合材Sを介して接合される。
上記したP端子16は正極端子(入力端子)、N端子17は負極端子(出力端子)、M端子18は中間端子(出力端子)と呼ばれてもよい。これらの端子は、主電流が流れる金属配線板を構成する。P端子16、N端子17及びM端子18の一端は外部導体に接続可能な主端子を構成し、P端子16、N端子17及びM端子18の一端は絶縁基板6の所定の回路層に接合材Sを介して接合される。また、P端子16、N端子17、M端子18は、図6のP,N,Mに対応している。
これらの端子は、例えば銅素材、銅合金系素材、アルミニウム合金系素材、鉄合金系素材等の金属材料によって形成される。なお、これらの端子の形状、配置箇所、個数等は、上記に限らず適宜変更が可能である。
また、Y方向正側の壁部41には、制御端子19が設けられている。制御端子19は、1つの単位モジュール2につき、例えば10個ずつ配置されている。より具体的には、1つの単位モジュール2において、10個の制御端子19は、M端子18を左右方向(X方向)で挟むように5つずつ配置されている。10個の制御端子は、開口部4aの外周に沿って配置されている。なお、制御端子19の配置数は、これに限らず適宜変更が可能である。
壁部41の縁には、開口部4aに沿って壁部41の上面からZ方向へ垂直に突出した一対の柱部41aが形成されている。一対の柱部41aは、M端子18を挟むように配置されている。また、柱部41aの内側(Y方向負側)には、開口部4aに沿うように壁部41の上面に対して一段下がった段部41bが形成されている。段部41bもM端子18を左右方向(X方向)で挟むように1つの単位モジュール2につき、一対で配置されている。
制御端子19は、例えば銅素材、銅合金系素材、アルミニウム合金系素材、鉄合金系素材等の金属素材により形成される。制御端子19は、ケース部材4に埋め込まれるように、一体成型(インサート成型)されている。
より具体的に1つの柱部41aと対応する段部41bには、5つの制御端子19が埋め込まれている。制御端子19は、YZ平面で切断した断面が略L字状を成している。また、制御端子19は、内側の半導体素子7に接続される内側端子部19a(一端部)と、外部接続用の外側端子部19b(他端部)と、を有している。制御端子19は、内側端子部19aと外側端子部19bとを連ねて側面視L字状に形成されている。
制御端子19の一端側である内側端子部19aは、半導体素子7の面方向に沿う平板形状を有している。また、内側端子部19aは、ケース部材4(開口部4a)の内側面からY方向内側に向かって延びている。内側端子部19aは、Z方向に所定厚みを有している。
また、内側端子部19aは、上面を除いた大部分が段部41bに埋め込まれている。内側端子部19aの上面は、段部41bの上面と面一となっている。すなわち、内側端子部19aの上面は、段部41bに対して露出している。詳細は後述するが、内側端子部19aの上面は、配線部材W(ボンディングワイヤ)の接続箇所(ボンディング点)になっている。内側端子部19aは、ボンディングパッド19aと呼ばれてもよい。内側端子部19aは、配線部材W(制御配線と呼ばれてもよい)を介して半導体素子7の上面電極に接続される。
制御端子19の他端側である外側端子部19bは、鉛直方向に延びており、柱部41a内で内側端子部19aに連なっている(図8参照)。上方に立ち上がった外側端子部19bの中間部(基端部)は、柱部41aに埋め込まれている。一方で、外側端子部19bの先端である上端は、柱部41aの上面から所定長さで突出している。なお、外側端子部19bの断面は、多角形でも円形でもよい。また、外側端子部19bは、プレスフィットピンで形成されてもよい。
また、柱部41aと段部41bの間における開口部4aの内側面には、封止樹脂5の密着性を高めるための複数の凸部41cが形成されている。また、段部41bの上面には、ボンディング時の目標点となる凸状の位置決め部41dが形成されている。これらについては後述する。
また、ケース部材4には、外周縁に沿って複数の貫通穴20が形成されている。貫通穴20は、半導体装置1の固定用のネジ(不図示)を挿通するための穴である。貫通穴20は、冷却器3のベース板8まで貫通している。
なお、ケース部材4用の樹脂は、PPSの他、ポリブチレンテレフタラート(PBT)、ポリブチルアクリレート(PBA)、ポリアミド(PA)、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)、液晶ポリマー(LCP)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリブチレンサクシネート(PBS)、ウレタンやシリコン等の絶縁性樹脂から選択され得る。また、選択される樹脂は、2種以上の樹脂の混合物でもよい。樹脂には、強度及び/又は機能性を向上させるためのフィラー(例えばガラスフィラー)が含まれてもよい。
配線部材Wには、導体ワイヤ(ボンディングワイヤ)が用いられる。導体ワイヤの材質は、金、銅、アルミニウム、金合金、銅合金、アルミニウム合金のいずれか1つ又はそれらの組み合わせを用いることができる。また、配線部材として導体ワイヤ以外の部材を用いることも可能である。例えば、配線部材としてリボンを用いることができる。
また、枠状のケース部材4により規定される内部空間には、封止樹脂5が充填される。すなわち、これにより、絶縁基板6、及びこれに実装された半導体素子7が上記の空間内に封止される。ケース部材4は、複数の単位モジュール2(絶縁基板6、半導体素子7)や封止樹脂5を収容する空間を画定する。
封止樹脂5は、熱硬化性の樹脂により構成される。封止樹脂5は、エポキシ、シリコーン、ウレタン、ポリイミド、ポリアミド、及びポリアミドイミドのいずれかを少なくとも含むことが好ましい。封止樹脂5には、例えば、フィラーを混入したエポキシ樹脂が、絶縁性、耐熱性及び放熱性の点から好適である。
ところで、半導体装置においては、半導体素子と端子との電気的な配線をワイヤボンディングによって実現する。例えば、ボンディングワイヤの接続には、自動ワイヤボンディング装置が用いられる。この種のワイヤボンディング装置は、通常、ワイヤの接合箇所を自動で補正する機能を有している。
例えば従来では、ワイボンディング装置のカメラでチップやボンディングパッドの平面画像を検出し、決められた箇所を基準にしてボンディングパッド上にワイヤをボンディングするようにプログラムされている。
ここで、図7を参照して、従来のワイヤボンディング方法について説明する。図7は、比較例に係るワイヤボンディング方法を示す模式図である。図7A及び図7Bは、ボンディングパッド(内側端子部)周辺の平面模式図である。なお、図7では、既出の構成について、上記と同様の符号で示し、適宜説明は省略する。
図7Aに示すように、比較例では、ボンディングパッド19aの角部が基準点O(0,0)に設定されている。ここで、カッコ内の示す値は、XY平面上における座標を表している。この場合、ボンディング箇所(接続点A)は、ボンディングパッド19a上の略中央において、基準点Oを基準としてA(-a,-b)の座標で表すことが可能である。
ところで、上記したように制御端子19とケースは一体成型(インサート成型)される。このため、樹脂と金属の境界であるボンディングパッド19aの角部には、図7Bに示すように、樹脂のバリCが形成されてしまうことがある。この場合、ボンディング装置は、画像認識の際にバリCの先端を基準点O1(0,-b1)として誤認識することが想定される。その結果、実際のボンディング箇所が接続点A1(-a,-(b+b1))にずれてしまい、正確な位置へのワイヤボンディングができなくなってしまうことになる。
このように、ケース部材4に一体化された制御端子19のボンディングパッド19aにワイヤボンディングをする場合、樹脂と金属の境界部分を基準点としてしまうと、成型品の出来栄えによっては、ボンディングの精度に影響を及ぼすおそれがあった。
ボンディングの精度は、ワイヤの接合強度にも影響を及ぼす。具体的には、ワイヤボンディングに位置ずれが生じると、ワイヤの接合強度が低下することになる。その場合、ワイヤがボンディングパッド19aから剥離しやすくなり、その結果、熱衝撃試験、ヒートサイクル試験、ΔTjパワーサイクル試験等の信頼性試験の耐量に関わり、製品寿命にも大きく影響を与えることになり得る。
そこで、本件発明者等は、ケースと端子の一体成型によるバリの発生個所とボンディングの基準位置との関係に着目し、本発明に想到した。本発明の骨子は、バリの発生箇所とは異なる箇所にボンディング用の基準位置を設けることである。具体的に本実施の形態では、ボンディングパッド19aの近傍に、当該ボンディングパッド19aに対する配線部材Wの接続点の位置決めの基準点となる凸状の位置決め部41dを配置した。
図8は、本実施の形態に係る半導体装置の制御端子周辺の斜視図である。図8に示すように、位置決め部41dは、1つの単位モジュール2につき、2つ配置されている。これら2つの位置決め部41dは、段部41bの上面において、5つ並んで配置されたボンディングパッド19aの左右両端に配置されている。位置決め部41dは、例えば上方に突出した円柱形状を有している。
ここで、本実施の形態に係るワイヤボンディング方法について説明する。図9は、本実施の形態に係るワイヤボンディング方法を示す模式図である。図9では説明の便宜上、単一のボンディングパッド19aのみ図示している。なお、本実施の形態では、ボンディング工程が実施される前に予めベース板8の上面に絶縁基板6及び半導体素子7が実装され、その周囲に制御端子19が一体成型されたケース部材4が配置されているものとする(例えば図2の配線部材Wを省略した状態)。
各ボンディングパッド19aにワイヤボンディングする場合、ボンディング装置では、ボンディングパッド19a周辺の平面画像が撮像される。例えば図9Aに示すように、ボンディング装置では、予め各ボンディング箇所の目標点(接続点A)の相対座標が位置決め部41dを基準(基準点O2)に定められている。基準点O2(0,0)を原点とすると、目標となるボンディング箇所の座標は、接続点A(-a,-b)で表される。
図9Bに示すように、仮にボンディングパッド19aの角部にバリCが生じていたとしても、基準点O2である位置決め部41dがボンディングパッド19aの側方でバリCの発生箇所とは異なる位置に配置されている。このため、ボンディング装置は、撮像画像において、バリCと基準点O2を明確に区別することが可能である。したがって、ボンディング装置は、バリCの影響を受けることなく、予め設定された相対座標に基づいてボンディングツールの先端を目標点(接続点A)に走査することができる。この結果、ボンディング箇所の精度を向上することが可能である。
このように、本実施の形態では、バリCが発生し得る箇所とは異なる箇所をボンディングの基準点O2としている。このため、一体成型されたケース部材4の出来栄えに関わらず、ボンディング箇所の位置精度を向上することが可能である。したがって、ボンディングワイヤの接合強度を向上することができ、ワイヤ破断による信頼性試験の耐量低下を抑制することが可能である。
また、比較例のようにバリCによって正確なボンディング箇所を検出できずに組立工程(ボンディング工程)で発生していた不良を改善することが可能である。更には、バリCがあってもボンディング精度に影響を与えないため、ケース部材4の成型時に必要なバリ除去工程が簡素化される。この結果、工数が削減され、コストダウンを実現することが可能である。
また、位置決め部41dが上方に突出したピン形状を有しているため、作業者は、位置決め部41dを容易に認識(目視確認)することが可能である。この場合、位置決め部41dの表面やその周辺のケース部材4は、光沢面であることが好ましい。位置決め部41dの表面やその周辺のケース部材4の表面粗さRaは、0.1μm~5.0μmであってよい。さらに、0.5μm~1.5μmであることが好ましい。これにより、ボンディング装置は、平面画像を撮像した時に画像の明暗(例えば、位置決め部41d、ボンディングパッド19a及びこれら周辺のケース部材4との境界)を判別しやすくなり、ボンディングの位置精度を更に向上することが可能である。
図10は、本実施の形態に係る半導体装置の制御端子周辺の側面模式図であり、図8の矢印Y1の向きの側面図である。上記したように、位置決め部41dが上方に突出したピン形状を有していることに加え、この位置決め部41dを覆うように封止樹脂5がケース部材4内に充填されている。突出した位置決め部41dによってケース部材4と封止樹脂5との接触面積が大きく確保できるため、ケース部材4と封止樹脂5との密着性(アンカー効果)を向上することが可能である。
また、図10に示すように、ケース部材4に封止樹脂5を充填する際、予めケース部材4の上面には所定厚みのコーティング膜9が塗布されることが好ましい。コーティング膜9は、ケース部材4の上面全体に塗布され、その後に封止樹脂5が充填される。この結果、位置決め部41dと封止樹脂5との間に所定厚みのコーティング膜9が介在した状態となっている。
この場合、コーティング膜9の厚みは0.1μm~20μmであってよく、1μm~10μmであることが好ましい。また、コーティング膜9の材質は、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、あるいはポリエーテルアミド樹脂であってよい。また、コーティング膜9の材質は、シリカであってよい。このコーティング膜により、更なる密着性の向上が可能である。
また、図8に示すように、位置決め部41dは、5つ並んで配置されたボンディングパッド19aの左右両端に配置されている。すなわち、2つの位置決め部41dは、5つのボンディングパッド19aを左右方向(X方向)で挟むように配置されている。このように、位置決め部41dが、並んで配置された複数のボンディングパッド19aの左右両端に配置されていることで、コーティング膜9を形成した時に不要な部分に濡れ広がることがなく、複数のボンディングパッド19aとその周囲のケース部材4に均一に留まり易くなる。そのため、所定の膜厚のコーティング膜9を形成しやすくすることができ、ボンディングパッド19a及びその周囲のケース部材4と封止樹脂5との密着性をさらに向上することができる。
また、図8に示すように、壁部41の内側面には、複数の凸部41cが形成されている。凸部41cは、壁部41の内側面からY方向負側に向かって所定厚みで突出している。複数の凸部41cが配置されることで、壁部41の内側面に凹凸形状が形成される。この凹凸形状は、ケース部材4と封止樹脂5との密着性を向上するためのアンカー部を構成する。すなわち、複数の凸部41cが封止樹脂5に覆われることでケース部材4と封止樹脂5との接触面積が大きく確保され、更なるアンカー効果を得ること可能である。特に、ボンディングパッド19aと配線部材Wとの接続箇所(ボンディング箇所)の近傍に複数の凸部41cが配置されることで、配線部材Wの接合強度を十分に確保することが可能である。
また、図8に示すように、凸部41c上端の角にフィレット部が形成されてもよい。フィレット部が形成されることで、金型の摩耗性を低減することができ、ランニングコストを抑制することが可能である。
以上説明したように、本実施形態によれば、一体成型品のケース部材4のバリ発生箇所とは異なる箇所にボンディング用の基準点を設けることで、バリの影響を受けることなくワイヤボンディングの位置精度を向上することが可能である。
なお、上記実施の形態において、半導体素子7の個数及び配置箇所は、上記構成に限定されず、適宜変更が可能である。
また、上記実施の形態において、回路板の個数及びレイアウトは、上記構成に限定されず、適宜変更が可能である。
また、上記実施の形態では、絶縁基板6、半導体素子7が平面視矩形状又は方形状に形成される構成としたが、この構成に限定されない。これらの構成は、上記以外の多角形状に形成されてもよい。
また、上記実施の形態では、単位モジュール2が、単位モジュールをU相、V相、W相の順にX方向に3つ並んで配置して構成される場合について説明したが、この構成に限定されない。単位モジュールの配列数、配列方向は適宜変更が可能である。また、ケース部材4がU相、V相、W相の三相分を一体化して形成されているが、これに限定されず、適宜変更が可能である。ケース部材4は、単位モジュール毎に分割して設けられてもよい。
また、上記した実施の形態において、位置決め部41dの形状や個数、配置箇所、配置ピッチは適宜変更が可能である。例えば、位置決め部41dは、円柱形状に限らず、多角中や球面形状を有してもよい。また、図11の変形例のような位置決め部45でもよい。図11の位置決め部45は、上方に突出した円柱部45aの上面(上端)に円形凹部45bが形成されている。この位置決め部45全体が封止樹脂5に覆われることで、更にケース部材4と封止樹脂との接触面積を増やすことができ、よりアンカー効果を期待できる。
また、上記実施の形態において、2つの位置決め部41dが、5つ並んで配置されたボンディングパッド19aの左右両端に配置されている。しかし、これに限定されず、1つのボンディングパッド19aの片側に配置されていてもよい。また、複数並んで配置されたボンディングパッド19aの片側、または、左右両側に配置されていてもよい。好ましくは、3つ以上並んで配置されたボンディングパッド19aの左右両端に配置されている。そうすることで、ワイヤボンディングの位置精度を向上しつつ、コンパクトな半導体装置を提供することができる。
また、上記した実施の形態において、アンカー部を構成する凸部41cの形状や個数、配置箇所、配置ピッチは適宜変更が可能である。
また、本実施の形態及び変形例を説明したが、他の実施の形態として、上記実施の形態及び変形例を全体的又は部分的に組み合わせたものでもよい。
また、本実施の形態は上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではなく、技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらに、技術の進歩又は派生する別技術によって、技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。
下記に、上記の実施の形態における特徴点を整理する。
上記実施の形態に係る半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の上面電極に配線部材を介して電気的に接続される制御端子と、前記制御端子と一体成型され、前記半導体素子を収容する空間を画定するケース部材と、を備え、前記制御端子は、前記配線部材の接続点となるパッドを有し、前記ケース部材は、前記パッドに対する前記配線部材の位置決めの基準点となる凸状の位置決め部を有する。
上記実施の形態に係る半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の上面電極に配線部材を介して電気的に接続される制御端子と、前記制御端子と一体成型され、前記半導体素子を収容する空間を画定するケース部材と、を備え、前記制御端子は、前記配線部材の接続点となるパッドを有し、前記ケース部材は、前記パッドに対する前記配線部材の位置決めの基準点となる凸状の位置決め部を有する。
また、上記実施の形態に係る半導体装置において、前記ケース部材は、中央に開口部を有する矩形枠状に形成され、前記制御端子は、矩形枠状の前記ケース部材の壁部に沿って配置され、前記壁部には、当該壁部の上面に対して一段下がった段部が形成され、前記制御端子の一部が前記段部の上面と面一になるよう配置され、その上面が前記パッドを構成し、前記位置決め部は、前記パッドの側方に配置されている。
また、上記実施の形態に係る半導体装置において、前記制御端子は、外部接続用の外側端子部と、前記半導体素子の上面電極に配線部材を介して接続された内側端子部と、を有し、前記内側端子部の上面が前記パッドを構成し、前記外側端子部の中間部は、前記壁部の上面から上方に突出した柱部に埋め込まれ、前記外側端子部の先端は、前記柱部の上面から突出している。
また、上記実施の形態に係る半導体装置は、前記空間に充填される封止樹脂を更に備え、前記位置決め部と前記封止樹脂との間に所定厚みのコーティング膜が介在している。
また、上記実施の形態に係る半導体装置は、前記空間に充填される封止樹脂を更に備え、前記壁部の内側面に凸凹形状のアンカー部が形成されている。
また、上記実施の形態に係る半導体装置において、前記位置決め部は、円柱形状を有している。
また、上記実施の形態に係る半導体装置において、前記位置決め部の上端に凹部が形成されている。
また、上記実施の形態に係る半導体装置において、前記パッドは、所定方向に複数並んで配置されており、2つの前記位置決め部が、複数の前記パッドを前記所定方向で挟むように配置されている。
また、上記実施の形態に係る半導体装置は、一端が外部導体に接続可能な主端子を構成し、他端が、前記半導体素子と電気的に接続された絶縁基板の回路層に接合材を介して接合された金属配線板を更に備え、前記ケース部材は、中央に開口部を有する矩形枠状に形成され、所定方向で対向する一対の壁部を有し、前記金属配線板は、中間端子と正極端子と負極端子とによって構成され、前記正極端子及び前記負極端子は、前記一対の壁部のうち、一方の壁部に配置され、前記中間端子は、前記一対の壁部のうち、他方の壁部に配置され、前記制御端子は、前記他方の壁部に配置されている。
また、上記実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子と、前記半導体素子の上面電極に配線部材を介して電気的に接続される制御端子と、前記制御端子と一体成型され、前記半導体素子を収容する空間を画定するケース部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、前記制御端子は、前記配線部材の接続点となるパッドを有し、前記ケース部材は、前記パッドに対する前記配線部材の位置決めの基準点となる凸状の位置決め部を有し、前記配線部材を前記パッドに接続する工程において、前記パッド周辺の平面画像を撮像し、前記平面画像における前記位置決め部と前記パッドとの相対座標に基づいて前記配線部材を前記パッドに接続する。
以上説明したように、本発明は、ワイヤボンディングの位置精度を向上することができるという効果を有し、特に、冷却器一体型の半導体装置に有用である。
1 :半導体装置
2 :単位モジュール
3 :冷却器
4 :ケース部材
4a :開口部
5 :封止樹脂
6 :絶縁基板
7 :半導体素子
8 :ベース板
9 :コーティング膜
10 :金属配線板(リードフレーム)
16 :P端子
16a :ナット部
16b :板状部
16c :ネジ穴
17 :N端子
17a :ナット部
17b :板状部
17c :ネジ穴
18 :M端子
18a :ナット部
18b :板状部
18c :ネジ穴
19 :制御端子
19a :内側端子部(ボンディングパッド)
19b :外側端子部
20 :貫通穴
40 :壁部
41 :壁部
41a :柱部
41b :段部
41c :凸部
41d :位置決め部
42 :凹部
43 :凹部
44 :凹部
45 :位置決め部
45a :円柱部
45b :円形凹部
60 :絶縁板
61 :放熱板
62 :回路板
A :接続点
A1 :接続点
C :バリ
O :基準点
O1 :基準点
O2 :基準点
S :接合材
W :配線部材
2 :単位モジュール
3 :冷却器
4 :ケース部材
4a :開口部
5 :封止樹脂
6 :絶縁基板
7 :半導体素子
8 :ベース板
9 :コーティング膜
10 :金属配線板(リードフレーム)
16 :P端子
16a :ナット部
16b :板状部
16c :ネジ穴
17 :N端子
17a :ナット部
17b :板状部
17c :ネジ穴
18 :M端子
18a :ナット部
18b :板状部
18c :ネジ穴
19 :制御端子
19a :内側端子部(ボンディングパッド)
19b :外側端子部
20 :貫通穴
40 :壁部
41 :壁部
41a :柱部
41b :段部
41c :凸部
41d :位置決め部
42 :凹部
43 :凹部
44 :凹部
45 :位置決め部
45a :円柱部
45b :円形凹部
60 :絶縁板
61 :放熱板
62 :回路板
A :接続点
A1 :接続点
C :バリ
O :基準点
O1 :基準点
O2 :基準点
S :接合材
W :配線部材
Claims (10)
- 半導体素子と、
前記半導体素子の上面電極に配線部材を介して電気的に接続される制御端子と、
前記制御端子と一体成型され、前記半導体素子を収容する空間を画定するケース部材と、を備え、
前記制御端子は、前記配線部材の接続点となるパッドを有し、
前記ケース部材は、前記パッドに対する前記配線部材の位置決めの基準点となる凸状の位置決め部を有する、半導体装置。 - 前記ケース部材は、中央に開口部を有する矩形枠状に形成され、
前記制御端子は、矩形枠状の前記ケース部材の壁部に沿って配置され、
前記壁部には、当該壁部の上面に対して一段下がった段部が形成され、
前記制御端子の一部が前記段部の上面と面一になるよう配置され、その上面が前記パッドを構成し、
前記位置決め部は、前記パッドの側方に配置されている、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記制御端子は、
外部接続用の外側端子部と、
前記半導体素子の上面電極に配線部材を介して接続された内側端子部と、を有し、
前記内側端子部の上面が前記パッドを構成し、
前記外側端子部の中間部は、前記壁部の上面から上方に突出した柱部に埋め込まれ、
前記外側端子部の先端は、前記柱部の上面から突出している、請求項2に記載の半導体装置。 - 前記空間に充填される封止樹脂を更に備え、
前記位置決め部と前記封止樹脂との間に所定厚みのコーティング膜が介在している、請求項2又は請求項3に記載の半導体装置。 - 前記空間に充填される封止樹脂を更に備え、
前記壁部の内側面に凸凹形状のアンカー部が形成されている、請求項2から請求項4のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記位置決め部は、円柱形状を有している、請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記位置決め部の上端に凹部が形成されている、請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記パッドは、所定方向に複数並んで配置されており、
2つの前記位置決め部が、複数の前記パッドを前記所定方向で挟むように配置されている、請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体装置。 - 一端が外部導体に接続可能な主端子を構成し、他端が、前記半導体素子と電気的に接続された絶縁基板の回路層に接合材を介して接合された金属配線板を更に備え、
前記ケース部材は、中央に開口部を有する矩形枠状に形成され、所定方向で対向する一対の壁部を有し、
前記金属配線板は、中間端子と正極端子と負極端子とによって構成され、
前記正極端子及び前記負極端子は、前記一対の壁部のうち、一方の壁部に配置され、
前記中間端子は、前記一対の壁部のうち、他方の壁部に配置され、
前記制御端子は、前記他方の壁部に配置されている、請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体装置。 - 半導体素子と、
前記半導体素子の上面電極に配線部材を介して電気的に接続される制御端子と、
前記制御端子と一体成型され、前記半導体素子を収容する空間を画定するケース部材と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記制御端子は、前記配線部材の接続点となるパッドを有し、
前記ケース部材は、前記パッドに対する前記配線部材の位置決めの基準点となる凸状の位置決め部を有し、
前記配線部材を前記パッドに接続する工程において、前記パッド周辺の平面画像を撮像し、前記平面画像における前記位置決め部と前記パッドとの相対座標に基づいて前記配線部材を前記パッドに接続する、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
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---|---|---|---|
JP2021143905A JP2023037262A (ja) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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CN202210906429.1A CN115763466A (zh) | 2021-09-03 | 2022-07-29 | 半导体装置和半导体装置的制造方法 |
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JP2021143905A JP2023037262A (ja) | 2021-09-03 | 2021-09-03 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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2022
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