JP2023032739A - 磁気再生処理装置、磁気記録再生装置及び磁気再生方法 - Google Patents

Abstract

【課題】記録再生密度の向上が可能な磁気再生処理装置、磁気記録再生装置及び磁気再生方法を提供する。【解決手段】磁気記録再生装置２１０において、磁気再生処理装置７０は、取得部７６及び処理部７５を含む。取得部は、磁気記録媒体８０の第１記録領域８０ｒに記録された情報８０ｉを、磁気ヘッド１００が第１再生素子１１Ｅにより再生して得られた第１電気信号と、第１記録領域に記録された情報を、磁気ヘッドが第２再生素子１２Ｅにより再生して得られた第２電気信号と、を取得する。磁気記録媒体に記録された磁気信号に対する第１再生素子の第１感度は、磁気信号に対する第２再生素子の第２感度と異なる。処理部は、取得部が取得した第１電気信号及び第２電気信号に基づいて、第１記録領域に記録された情報に対応する再生信号を出力可能である。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、磁気再生処理装置、磁気記録再生装置及び磁気再生方法に関する。

磁気ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記録媒体に情報が記録される。磁気記録再生装置において、記録再生密度の向上が望まれる。

米国特許第９４３１０５２号明細書

本発明の実施形態は、記録再生密度の向上が可能な磁気再生処理装置、磁気記録再生装置及び磁気再生方法を提供する。

実施形態によれば、磁気再生処理装置は、取得部及び処理部を含む。前記取得部は、磁気記録媒体の第１記録領域に記録された情報を第１再生素子により再生して得られた第１電気信号と、前記第１記録領域に記録された前記情報を第２再生素子により再生して得られた第２電気信号と、を取得可能である。前記磁気記録媒体に記録された磁気信号に対する前記第１再生素子の第１感度は、前記磁気信号に対する前記第２再生素子の第２感度と異なる。前記処理部は、前記取得部により取得された前記第１電気信号及び前記第２電気信号に基づいて、前記第１記録領域に記録された情報に対応する再生信号を出力可能である。

図１は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置を例示する模式図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置に関する特性を例示するグラフである。 図３は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置を例示する模式図である。 図４は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置を例示する模式図である。 図５は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置を例示する模式図である。 図６は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置の動作を例示するフローチャートである。 図７は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置の特性を例示するグラフである。 図８は、第２実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的断面図である。 図９は、第２実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的断面図である。 図１０は、第２実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的断面図である。 図１１は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図１２は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置を例示する模式図である。
実施形態に係る磁気再生処理装置７０は、磁気ヘッド１１０と共に用いられる。磁気ヘッド１１０は、再生部１０Ｒを含む。実施形態に係る磁気記録再生装置２１０は、再生部１０Ｒ（磁気ヘッド１１０）及び磁気再生処理装置７０を含む。

磁気ヘッド１１０の再生部１０Ｒは、磁気記録媒体８０に記録された情報８０ｉを再生する。後述するように、磁気記録媒体８０は、ディスク状である。磁気記録媒体８０は、記録領域（例えば第１記録領域８０ｒ）を含む。記録領域は、磁気記録媒体の中心を中心とする渦巻き状で良い。

磁気記録媒体８０は、例えば、媒体基板８２と、媒体基板８２の上に設けられた磁気記録層８１と、を含む。磁気記録層８１の磁化８３（磁化８３の向き）が情報８０ｉに対応する。

磁気ヘッド１１０は、記録部６０を含んで良い。記録部６０により、磁化８３が制御される。記録部６０は、例えば、第１磁極３１を含む。第１磁極３１から生じる記録磁界が磁気記録媒体８０に印加される。これにより、磁化８３が制御される。この例では、記録部６０は、第２磁極３２及び磁気素子２０を含む。磁気素子２０は、第１磁極３１の一部と第２磁極３２の一部との間に設けられる。第１磁極３１及び第２磁極３２は、磁気回路を形成可能である。磁気素子２０は、磁性膜を含む。１つの例において、磁気素子２０は、例えば、第１磁極３１から出た記録磁界の向きを制御可能である。別の例において、磁気素子２０は、交番磁界を発生させることが可能である。交番磁界が磁気記録媒体８０に印加される。例えば、ＭＡＭＲ（Microwave Assisted Magnetic Recording）が実施されても良い。

再生部１０Ｒは、第１再生素子１１Ｅ及び第２再生素子１２Ｅを含む。例えば、第１再生素子１１Ｅは、第１再生シールド１５ａ及び第２再生シールド１５ｂの間に設けられる。例えば、第２再生素子１２Ｅは、第３再生シールド１５ｃと第４再生シールド１５ｄとの間に設けられる。この例では、第１再生シールド１５ａと第４再生シールド１５ｄとの間に第２再生シールド１５ｂが設けられる。第２再生シールド１５ｂと第４再生シールド１５ｄとの間に第３再生シールド１５ｃが設けられる。

第１再生素子１１Ｅから第２再生素子１２Ｅへの第１方向をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

Ｚ軸方向は、例えばハイト方向に対応する。Ｘ軸方向は、例えば、ダウントラック方向に対応する。Ｙ軸方向は、例えば、クロストラック方向に対応する。ダウントラック方向に沿う媒体移動方向８５に沿って、磁気記録媒体８０と磁気ヘッド１１０とが相対的に移動する。磁気記録媒体８０の所望の位置において、磁気記録媒体８０に情報８０ｉが記録可能である。磁気記録媒体８０の所望の位置において、磁気記録媒体８０に記録された情報８０ｉが再生可能である。

磁気ヘッド１１０は、媒体対向面１０Ｆを有する。媒体対向面１０Ｆは、磁気記録媒体８０と対向する。媒体対向面１０Ｆは、第１再生素子１１Ｅ及び第２再生素子１２Ｅの少なくともいずれかに含まれると見なされて良い。媒体対向面１０Ｆは、例えば、ＡＢＳ（Air Bearing Surface）に対応する。媒体対向面１０Ｆは、例えば、Ｘ－Ｙ平面に沿う。

第１再生素子１１Ｅは、磁気記録媒体８０の第１記録領域８０ｒに記録された情報８０ｉを再生して第１電気信号Ｓｒ１を出力することが可能である。第２再生素子１２Ｅは、磁気記録媒体８０の第１記録領域８０ｒに記録された情報８０ｉを再生して第２電気信号Ｓｒ２を出力することが可能である。

磁気再生処理装置７０は、取得部７６及び処理部７５を含む。取得部７６は、磁気記録媒体８０の第１記録領域８０ｒに記録された情報８０ｉを第１再生素子１１Ｅにより再生して得られた第１電気信号Ｓｒ１と、第１記録領域８０ｒに記録された情報８０ｉを第２再生素子１２Ｅにより再生して得られた第２電気信号Ｓｒ２と、を取得可能である。取得部７６は、例えば、入力回路である。取得部７６は、例えば、インプットインターフェースで良い。

後述するように、磁気記録媒体８０に記録された磁気信号（磁気信号強度）に対する第１再生素子１１Ｅの第１感度は、磁気信号（磁気信号強度）に対する第２再生素子１２Ｅの第２感度と異なる。

処理部７５は、取得部７６により取得された第１電気信号Ｓｒ１及び第２電気信号Ｓｒ２に基づいて、再生信号７０ｓを出力することが可能である。再生信号７０ｓは、第１記録領域８０ｒに記録された情報８０ｉに対応する信号（再生された情報）である。

実施形態においては、感度が互いに異なる複数の再生素子から得られる電気信号に基づいて再生信号７０ｓが導出され、出力される。これにより、より高い精度の再生が可能である。より高い線記録密度の磁気記録再生が実施可能である。実施形態によれば、記録再生密度の向上が可能な磁気再生処理装置を提供することができる。

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置に関する特性を例示するグラフである。
図２（ａ）は、第１再生素子１１Ｅに対応する。図２（ｂ）は、第２再生素子１２Ｅに対応する。これらの図の横軸は、磁気記録媒体８０の第１記録領域８０ｒにおける磁気信号強度ＳＭに対応する。これらの図の縦軸は、磁気再生素子により得られる電気信号強度ＳＥに対応する。図２（ａ）において、電気信号強度ＳＥは、第１電気信号Ｓｒ１の強度に対応する。図２（ｂ）において、電気信号強度ＳＥは、第２電気信号Ｓｒ２の強度に対応する。

図２（ａ）に示すように、磁気信号強度ＳＭが変化したときに、電気信号強度ＳＥが変化する。図２（ａ）の例において、第１再生素子１１Ｅから得られる電気信号（第１電気信号Ｓｒ１）において、磁気信号強度ＳＭがある範囲内で変化したときに、電気信号強度ＳＥは実質的に線形に変化する。

例えば、磁気信号強度ＳＭは、１Ｔパターン強度を含む。１Ｔパターン強度は、最小記録パターンに対応する。磁気信号強度ＳＭは、ｎＴパターン強度を含む。ｎＴパターン強度は、最小記録パターンのｎ倍に対応する。「ｎ」は、３以上の整数である。１つの例において、ｎは、１２である。この場合、ｎＴパターン強度は、１２Ｔパターン強度に対応する。

図２（ａ）に示す例では、磁気信号強度ＳＭが１Ｔパターン強度とｎＴパターン強度との間の範囲内で変化したときに、電気信号強度ＳＥ（第１電気信号Ｓｒ１の強度）は実質的に線形に変化する。

図２（ｂ）に示すように、第２再生素子１２Ｅから得られる電気信号強度ＳＥ（第２電気信号Ｓｒ２の強度）の特性は、第１再生素子１２Ｅから得られる電気信号強度ＳＥ（第１電気信号Ｓｒ１の強度）の特性とは異なる。この例では、磁気信号強度ＳＭの範囲の少なくとも一部において、磁気信号強度ＳＭの変化に対する電気信号強度ＳＥの変化率（感度、または、傾き）は、第１再生素子１１Ｅと第２再生素子１２Ｅとの間で異なる。

例えば、図２（ａ）に示すように、第１再生素子１１Ｅにおいて電気信号強度ＳＥ（第１電気信号Ｓｒ１）は、１Ｔパターン強度に対応する第１パターン信号Ｓｅ１を含む。図２（ｂ）に示すように、第２再生素子１２Ｅにおいて、電気信号強度ＳＥ（第２電気信号Ｓｒ２）は、１Ｔパターン強度に対応する第２パターン信号Ｓｅ２を含む。第２パターン信号Ｓｅ２の強度は、第１パターン信号Ｓｅ１の強度よりも高い。このように、複数の再生素子において、感度が互いに異なる。

後述するように、第２パターン信号Ｓｅ２の強度は、第１パターン信号Ｓｅ１の強度の１．１倍以上であることが好ましい。

第１再生素子１１Ｅの電気信号強度ＳＥ（第１電気信号Ｓｒ１）は、ｎＴパターン強度に対応する第３パターン信号Ｓｅ３を含む。第２再生素子１２Ｅの電気信号強度ＳＥ（第２電気信号Ｓｒ２）は、ｎＴパターン強度に対応する第４パターン信号Ｓｅ４を含む。第４パターン信号Ｓｅ４の強度は、第３パターン信号Ｓｅ３の強度に近い。第１パターン信号Ｓｅ１の強度と第２パターン信号Ｓｅ２の強度との差の絶対値は、第３パターン信号Ｓｅ３の強度と第４パターン信号Ｓｅ４の強度との差の絶対値よりも大きい。

例えば、１Ｔパターン強度とｎＴパターン強度との間において、第１再生素子１１Ｅは、線形の再生特性を有する。例えば、１Ｔパターン強度とｎＴパターン強度との間において、第２再生素子１２Ｅは、非線形の再生特性を有する。

例えば、第１パターン信号Ｓｅ１と第３パターン信号Ｓｅ３との間において、第１再生素子１１Ｅの電気信号強度ＳＥ（第１電気信号Ｓｒ１の強度）は、磁気信号強度ＳＭに対して実質的に線形に変化する。例えば、第２パターン信号Ｓｅ２と第４パターン信号Ｓｅ４との間において、第２再生素子１２Ｅの電気信号強度ＳＥ（第２電気信号Ｓｒ２の強度）は、磁気信号強度ＳＭに対して非線形に変化する。

例えば、図２（ｂ）に示すように、磁気信号強度ＳＭは、最小記録パターンのｍ倍（ｍはｎ－１である）に対応するｍＴパターン強度を含む。第２再生素子１２Ｅの電気信号強度ＳＥ（第２電気信号Ｓｒ２）は、ｍＴパターン強度に対応する第５パターン信号Ｓｅ５を含む。第５パターン信号Ｓｅ５及び第４パターン信号Ｓｅ４を含む領域において、電気信号強度ＳＥは、実質的に飽和している。第５パターン信号Ｓｅ５の強度と第４パターン信号Ｓｅ４の強度との差の絶対値は、他の部分における差よりも小さい。

例えば、第５パターン信号Ｓｅ５の強度と第４パターン信号Ｓｅ４の強度との差の絶対値（第２絶対値）は、第２パターン信号Ｓｅ２の強度と第４パターン信号Ｓｅ４の強度との差の絶対値（第１絶対値）の１／ｍよりも小さい。例えば、第２絶対値は、第１絶対値の１／ｍの０．８倍以下でも良い。第２絶対値は、第１絶対値の１／ｍの０．５倍以下でも良い。

このように互いに異なる感度を有する複数の再生素子から得られる複数の電気信号が、磁気再生処理装置７０に供給される。以下、磁気再生処理装置７０の例について説明する。

図３は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置を例示する模式図である。
図３に示すように、磁気再生処理装置７０の取得部７６は、第１再生素子１１Ｅから得られる第１電気信号Ｓｒ１、及び、第２再生素子１２Ｅから得られる第２電気信号Ｓｒ２を取得する。

処理部７５は、第１波形等化部７１ａ、第２波形等化部７１ｂ、第１信号処理部７２ａ、第２信号処理部７２ｂ、及び、処理回路７４を含む。

第１波形等化部７１ａに、取得部７６が取得した第１電気信号Ｓｒ１が供給される。第１波形等化部７１ａは、取得部７６が取得した第１電気信号Ｓｒ１を波形処理する。例えば、第１ターゲット部７３ａから、第１再生素子１１Ｅに関する第１ターゲットデータが第１波形等化部７１ａに供給される。第１波形等化部７１ａにおいて、第１ターゲットデータに基づいて波形処理が実施される。

第２波形等化部７１ｂに、取得部７６が取得した第２電気信号Ｓｒ２が供給される。第２波形等化部７１ｂは、取得部７６が取得した第２電気信号Ｓｒ２を波形処理する。例えば、第２ターゲット部７３ｂから、第２再生素子１２Ｅに関する第２ターゲットデータが第２波形等化部７１ｂに供給される。第２波形等化部７１ｂにおいて、第２ターゲットデータに基づいて波形処理が実施される。

第１波形等化部７１ａにおいて波形処理された信号７１ｐが第１信号処理部７２ａに供給される。第１信号処理部７２ａは、例えば第１デコーダである。第１信号処理部７２ａは、第１波形等化部７１ａからの信号７１ｐを処理する。第１信号処理部７２ａから、第１出力信号７８ａ（出力情報）が出力される。

第２波形等化部７１ｂにおいて波形処理された信号７１ｑが第２信号処理部７２ｂに供給される。第２信号処理部７２ｂは、例えば第２デコーダである。第２信号処理部７２ｂは、第２波形等化部７１ｂからの信号７１ｑを処理する。第２信号処理部７２ｂから、第２出力信号７８ｂ（出力情報）が出力される。

処理回路７４は、第１信号処理部７２ａの第１出力信号７８ａ、及び、第２信号処理部７２ｂの第２出力信号７８ｂに基づいて、再生信号７０ｓを導出可能である。

例えば、第１出力信号７８ａは、第１波形等化部７１ａからの信号７１ｐに関する第１尤度７９ａを含んで良い。第２出力信号は、第２波形等化部７１ｂからの信号７１ｑに関する第２尤度７９ｂを含んで良い。処理回路７４は、第１尤度７９ａ及び第２尤度７９ｂに基づいて、再生信号７０ｓを導出可能である。

例えば、処理回路７４は、第１出力信号７８ａ、及び、第２出力信号７８ｂを入力とするニューラルネットワーク（Neural Network：ＮＮ）処理部を含んでも良い。処理回路７４は、第１出力信号７８ａ、及び、第２出力信号７８ｂを入力とする機械学習回路を含んでも良い。

１つの例において、磁気再生処理装置７０は、第１再生素子１１Ｅから得られる第１電気信号Ｓｒ１に対応する第１出力信号７８ａ、及び、第２再生素子１２Ｅから得られる第２電気信号Ｓｒ２に対応する第２出力信号７８ｂの一方を選択しても良い。磁気再生処理装置７０は、選択された出力信号に対応する信号（情報）を再生信号７０ｓとして出力しても良い。

実施形態において、第１波形等化部７１ａ及び第２波形等化部７１ｂの少なくともいずれかは、例えば、ＰＲ（Partial-Response）回路を含んでも良い。

実施形態において、第１信号処理部７２ａ及び第２信号処理部７２ｂの少なくともいずれかは、例えば、ＰＲＭＬ（Partial-Response Maximum-Likelihood）回路を含んでも良い。

実施形態において、第１信号処理部７２ａ及び第２信号処理部７２ｂの少なくともいずれかは、ＬＤＰＣ（Low Density Parity Check）復号器を含んでも良い。

図４は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置を例示する模式図である。
図４に示すように、磁気再生処理装置７０の処理部７５において、第１信号処理部７２ａの処理結果７２ｐの少なくとも一部が第２信号処理部７２ｂに供給されても良い。第１信号処理部７２ａの処理結果７２ｐは、例えば、第１出力信号７８ａの少なくとも一部を含む。第２信号処理部７２ｂは、第１信号処理部７２ａの処理結果７２ｐの上記の少なくとも一部を用いて、第２波形等化部７１ｂの信号７１ｑを処理可能でも良い。

第２信号処理部７２ｂの処理結果７２ｑの少なくとも一部が第１信号処理部７２ａに供給されても良い。第２信号処理部７２ｂの処理結果７２ｑは、例えば、第２出力信号７８ｂの少なくとも一部を含む。第１信号処理部７２ａは、第２信号処理部７２ｂの処理結果７２ｑの上記の少なくとも一部を用いて、第１波形等化部７１ａの信号７１ｐを処理可能でも良い。

図５は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置を例示する模式図である。
図５に示すように、磁気再生処理装置７０の処理部７５において、処理回路７４の処理結果７４ｐの少なくとも一部が、第１信号処理部７２ａ及び第２信号処理部７２ｂに入力されて良い。第１信号処理部７２ａの動作、第２信号処理部７２ｂの動作、及び、処理回路７４の動作が反復して実施されて良い。例えば、Iterative loopの処理が行われても良い。

図６は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置の動作を例示するフローチャートである。
図６は、磁気再生処理装置７０の動作を例示している。図６に示すように、磁気再生処理装置７０は、第１電気信号Ｓｒ１及び第２電気信号Ｓｒ２を取得する（ステップＳ１１及びステップＳ１２）。磁気再生処理装置７０は、第１電気信号Ｓｒ１を波形処理（波形等化処理）し、第２電気信号Ｓｒ２を波形処理（波形等化処理）する（ステップＳ２１及びステップＳ２２）。

磁気再生処理装置７０は、波形等化処理された結果に基づいて、第１電気信号Ｓｒ１を復調（ステップＳ３１）し、第２電気信号Ｓｒ２を復調（ステップＳ３２）する。復調において、尤度（第１尤度７９ａ及び第２尤度７９ｂ）が導出されて良い。ステップＳ３１の結果の少なくとも一部がステップＳ３２で利用されて良い。ステップＳ３２の結果の少なくとも一部がステップＳ３１で利用されて良い。

磁気再生処理装置７０は、復調結果、及び、尤度（第１尤度７９ａ及び第２尤度７９ｂ）に基づいて、復調を行う（ステップＳ３４）。ステップＳ３４及びステップＳ３１が繰り返して実施されて良い。ステップＳ３４及びステップＳ３２が繰り返して実施されて良い。

磁気再生処理装置７０は、復調（ステップＳ３４）の結果に対応する再生信号７０ｓを出力する（ステップＳ３５）。

実施形態においては、感度が互いに異なる複数の再生素子から得られる電気信号に基づいて、再生信号７０ｓが導出され、出力される。これにより、エラーをより抑制できる。より高い精度の再生が可能である。例えば、感度が互いに同じ複数の再生素子から得られる電気信号に基づいて再生する場合と比べて、より高い精度の再生を行うことができる。より高い線記録密度の磁気記録再生が実施可能である。記録再生密度の向上が可能な磁気再生処理装置を提供することができる。

図７は、第１実施形態に係る磁気再生処理装置の特性を例示するグラフである。
図７の横軸は、感度比ＲＲ１である。感度比ＲＲ１は、第２パターン信号Ｓｅ２の強度の第１パターン信号Ｓｅ１の強度に対する比である（図２（ａ）及び図２（ｂ）参照）。第１パターン信号Ｓｅ１は、第１再生素子１１Ｅの第１電気信号Ｓｒ１における、１Ｔパターン強度に対応する信号である。第２パターン信号Ｓｅ２は、第２再生素子１２Ｅの第２電気信号Ｓｒ２における、１Ｔパターン強度に対応する信号である。図７の縦軸は、ＢＥＲ（bit error rate）である。

図７に示すように、感度比ＲＲ１が低いと、ＢＥＲが高い。感度比ＲＲ１が１を超える場合に、低いＢＥＲが得られる。感度比ＲＲ１が１．１以上の場合、極めて低いＢＥＲが得られる。

実施形態において、感度比ＲＲ１は、１．１以上であることが好ましい。例えば、第２パターン信号Ｓｅ２の強度は、第１パターン信号Ｓｅ１の強度の１．１倍以上であることが好ましい。これにより、極めて低いＢＥＲが得られる。より高い精度の再生が可能である。

（第２実施形態）
第２実施形態は、磁気記録再生装置２１０（例えば図１参照）に係る。磁気記録再生装置２１０は、実施形態に係る磁気再生処理装置７０と、磁気ヘッド１１０と、を含む。磁気ヘッド１１０は、再生部１０Ｒ（第１再生素子１１Ｅ及び第２再生素子１２Ｅ）を含む。以下、複数の再生素子の構成の例について説明する。例えば、構成の差により、感度の差が形成可能である。

図８～図１０は、第２実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的断面図である。
図８～図１０は、再生部１０Ｒに関する第１～第３再生部構成ＣＦ１～ＣＦ３を例示している。既に説明したように、第１再生素子１１Ｅは、磁気記録媒体８０と対向する媒体対向面１０Ｆを含む（図１参照）。第１再生素子１１Ｅから第２再生素子１２Ｅへの第１方向は、磁気記録媒体８０のダウントラック方向（例えばＸ軸方向）に沿う。

図８に示すように、第１再生部構成ＣＦ１において、第１再生素子１１Ｅは、第１磁性層１１、第１対向磁性層１１ｏ及び第１非磁性層１１ｎを含む。第１非磁性層１１ｎは、第１方向において第１磁性層１１と第１対向磁性層１１ｏとの間に設けられる。

第２再生素子１２Ｅは、第２磁性層１２、第２対向磁性層１２ｏ及び第２非磁性層１２ｎを含む。第２非磁性層１２ｎは、第１方向において第２磁性層１２と第２対向磁性層１２ｏとの間に設けられる。

この例では、第１再生素子１１Ｅは、第１再生シールド１５ａと第２再生シールド１５ｂとの間にある。第２再生素子１２Ｅは、第３再生シールド１５ｃと第４再生シールド１５ｄとの間にある。第１再生シールド１５ａから第２再生シールド１５ｂへの方向は、第１方向（例えばＸ軸方向）に沿う。

この例では、第１再生シールド１５ａと第１磁性層１１との間に、磁性部１１ｐが設けられる。第１対向磁性層１１ｏと第２再生シールド１５ｂとの間に非磁性部１１ｑが設けられる。この例では、第３再生シールド１５ｃと第２磁性層１２との間に、磁性部１２ｐが設けられる。第２対向磁性層１２ｏと第４再生シールド１５ｄとの間に非磁性部１２ｑが設けられる。磁性部１１ｐ及び磁性部１２ｐは、例えば、ＩｒＭｎ及びＰｔＭｎよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。磁性部１１ｐ及び磁性部１２ｐは、例えば、反強磁性層である。例えば、磁性部１１ｐにより、第１磁性層１１の磁化が安定化する。例えば、磁性部１２ｐにより、第２磁性層１２の磁化が安定化する。

非磁性部１１ｑ及び非磁性部１２ｑは、例えば、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｕ及びＣよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。非磁性部１１ｑが設けられることで、例えば、第１対向磁性層１１ｏの磁化が変化し易くなる。非磁性部１２ｑが設けられることで、例えば、第２対向磁性層１２ｏの磁化が変化し易くなる。非磁性部１１ｑは、第１再生素子１１Ｅに含まれても良い。非磁性部１２ｑは、第２再生素子１２Ｅに含まれても良い。

例えば、第１対向磁性層１１ｏ及び第２対向磁性層１２ｏは、磁化自由層である。第１磁性層１１及び第２磁性層１２は、参照層である。

第１磁性層１１と第１対向磁性層１１ｏとの間の電気抵抗が、磁気記録媒体８０の磁化８３に応じて変化する。これは、例えば、第１対向磁性層１１ｏの磁化が磁気記録媒体８０の磁化８３に応じて変化することに起因する。

第２磁性層１２と第２対向磁性層１２ｏとの間の電気抵抗が、磁気記録媒体８０の磁化８３に応じて変化する。これは、例えば、第２対向磁性層１２ｏの磁化が磁気記録媒体８０の磁化８３に応じて変化することに起因する。

図８に示すように、第１対向磁性層１１ｏの第１方向に沿う厚さを第１厚さｔ１とする。第２対向磁性層１２ｏの第１方向に沿う厚さを第２厚さｔ２とする。第１再生部構成ＣＦ１においては、第１厚さｔ１は、第２厚さｔ２と異なる。例えば、第１厚さｔ１は、第２厚さｔ２よりも厚い。このような厚さの差により、第１再生素子１１Ｅと第２再生素子１２Ｅとの間において、感度の差が得られる。

実施形態において、第１厚さｔ１は、第２厚さｔ２の１．２倍以上３．０倍以下である。第１厚さｔ１は、例えば、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下である。第２厚さｔ２は、例えば、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

図８に示すように、第１再生素子１１Ｅと第２再生素子１２Ｅとの間の第１方向（Ｘ軸方向）に沿う距離を距離ｄｘとする。距離ｄｘは、例えば５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。安定した再生信号が得易い。距離ｄｘは短いことが好ましい。

再生部１０Ｒは、絶縁部材１９ｋを含んで良い。絶縁部材１９ｋの少なくとも一部は、第１再生素子１１Ｅと第２再生素子１２Ｅとの間にある。この例では、絶縁部材１９ｋの少なくとも一部は、第２再生シールド１５ｂと第３再生シールド１５ｃとの間にある。

図８に示すように、再生部１０Ｒは、第１磁性部材１６ａ及び第１対向磁性部材１６ｃを含んで良い。Ｙ軸方向において、第１磁性部材１６ａと第１対向磁性部材１６ｃとの間に、第１再生素子１１Ｅがある。再生部１０Ｒは、第２磁性部材１６ｂ及び第２対向磁性部材１６ｄを含んで良い。Ｙ軸方向において、第２磁性部材１６ｂと第２対向磁性部材１６ｄとの間に、第２再生素子１２Ｅがある。第１磁性部材１６ａ、第１対向磁性部材１６ｃ、第２磁性部材１６ｂ及び第２対向磁性部材１６ｄは、例えば、バイアス磁性層として機能する。これらの磁性部材が設けられることで、第１再生素子１１Ｅ及び第２再生素子１２Ｅに含まれる磁性層の磁化が安定化する。

再生部１０Ｒは、絶縁部材１９ｉ及び絶縁部材１９ｊを含んでも良い。絶縁部材１９ｉの少なくとも一部は、第１再生素子１１Ｅと第１磁性部材１６ａとの間、及び、第１再生素子１１Ｅと第１対向磁性部材１６ｃとの間に設けられる。絶縁部材１９ｊの少なくとも一部は、第２再生素子１２Ｅと第２磁性部材１６ｂとの間、及び、第２再生素子１２Ｅと第２対向磁性部材１６ｄとの間に設けられる。

絶縁部材１９ｋ、絶縁部材１９ｉ及び絶縁部材１９ｊの少なくともいずれかは、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｚｒ及びＨｆよりなる群から選択された少なくとも１つと、酸素及び窒素よりなる群から選択された少なくとも１つと、を含んで良い。

図９に示すように、第２再生部構成ＣＦ２において、第１対向磁性層１１ｏの第２方向に沿う長さを第１長さＬ１とする。第２方向は、媒体対向面１０Ｆと交差する。第２方向は、例えば、Ｚ軸方向である。第２対向磁性層１２ｏの第２方向に沿う長さを第２長さＬ２とする。例えば、第１長さＬ１は、第２長さＬ２よりも長い。このような長さの差により、第１再生素子１１Ｅと第２再生素子１２Ｅとの間において、感度の差が得られる。

実施形態において、第１長さＬ１は、第２長さＬ２の１．１倍以上２．０倍以下である。第１長さＬ１は、例えば、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である。第２長さＬ２は、例えば、１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。

図１０に示すように、第３再生部構成ＣＦ３においても、再生部１０Ｒは、第１磁性部材１６ａ及び第２磁性部材１６ｂを含む。再生部１０Ｒは、第１対向磁性部材１６ｃ及び第２対向磁性部材１６ｄを含んでも良い。第１再生素子１１Ｅは、媒体対向面１０Ｆを含む。この場合も、第１再生素子１１Ｅから第２再生素子１２Ｅへの第１方向は、Ｘ軸方向（磁気記録媒体８０のダウントラック方）に沿う。

第１対向磁性層１１ｏから第１磁性部材１６ａへの方向は、第３方向に沿う。第３方向は、媒体対向面１０Ｆ（Ｘ－Ｙ平面に沿う方向）に沿い、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する。第３方向は、例えばＹ軸方向である。第２対向磁性層１２ｏから第２磁性部材１６ｂへの方向は、第３方向に沿う。

第１対向磁性層１１ｏと第１磁性部材１６ａとの間の第３方向に沿う距離を第１距離ｄ１とする。第２対向磁性層１２ｏと第２磁性部材１６ｂとの間の第３方向に沿う距離を第２距離ｄ２とする。第１距離ｄ１は、第２距離ｄ２と異なる。例えば、第１距離ｄ１は、第２距離ｄ２よりも短い。このような距離の差により、第１再生素子１１Ｅと第２再生素子１２Ｅとの間において、感度の差が得られる。第１対向磁性部材１６ｃの構成は、例えば、第１磁性部材１６ａの構成に対して対称で良い。第２対向磁性部材１６ｄの構成は、例えば、第２磁性部材１６ｂの構成に対して対称で良い。

実施形態において、第１～第３再生部構成ＣＦ１～ＣＦ３の２つ以上が組み合わされて設けられて良い。

第１磁性層１１及び第２磁性層１２の少なくともいずれかは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１対向磁性層１１ｏ及び第２対向磁性層１２ｏの少なくともいずれかは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１非磁性層１１ｎ及び第２非磁性層１２ｎの少なくともいずれかは、金属酸化物（例えばＭｇＯなど）を含む。第１磁性部材１６ａ、第１対向磁性部材１６ｃ、第２対向磁性部材１６ｂ及び第２対向磁性部材１６ｄの少なくともいずれかは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。

（第３実施形態）
第３実施形態は、磁気再生方法に係る。磁気再生方法は、磁気記録媒体８０の第１記録領域８０ｒに記録された情報８０ｉを第１再生素子１１Ｅにより再生して得られた第１電気信号Ｓｒ１と、第１記録領域８０ｒに記録された情報８０ｉを第２再生素子１２Ｅにより再生して得られた第２電気信号Ｓｒ２と、を取得することを含む（例えば、ステップＳ１１及びステップＳ１２）。図２（ａ）及び図２（ｂ）に関して説明したように、磁気記録媒体８０に記録された磁気信号（磁気信号強度ＳＭ）に対する第１再生素子１１Ｅの第１感度は、磁気信号（磁気信号強度ＳＭ）に対する第２再生素子１２Ｅの第２感度と異なる。

磁気再生方法は、取得した第１電気信号Ｓｒ１及び第２電気信号Ｓｒ２に基づいて、第１記録領域８０ｒに記録された情報８０ｉに対応する再生信号７０ｓを出力することを含む（例えば、ステップＳ３５）。

実施形態に係る磁気再生方法によれば、例えば、エラーをより抑制できる。より高い精度の再生が可能である。より高い線記録密度の磁気記録再生が実施可能である。実施形態によれば、記録再生密度の向上が可能な磁気再生処理方法を提供することができる。

実施形態においては、例えば、出力特性が異なる複数の再生素子を用いて再生が行われる。複数の再生素子の少なくとも一方においては、例えば、デコードの全てを行わないで良い。複数の再生素子に関する尤度に関する情報が活用される。これにより、複数の再生素子により、デコードが行われる。

一般に、再生素子においては、長い周期磁気パターン（ｎＴパターン）を含めた線形性が適用される。例えば、再生素子の出力特性は、１Ｔパターンから１２Ｔパターンの間で線形な特性が得られるように、設計される。

実施形態においては、複数の再生素子の一方の出力特性が、１Ｔパターンに近い短い周期パターンで高い感度が得られるように設計される。実用的には、長い周期磁気パターンの発生頻度に比べて、１Ｔパターンに近い短い周期パターンの発生頻度は、高い。一方、１Ｔパターンに近い短い周期パターンにおいて発生する再生エラーの発生確率は、長い周期磁気パターンにおいて発生する再生エラーよりも高い。

実施形態においては、複数の再生素子の１つの感度は、発生頻度が高く再生エラーの確率が高い短い周期パターンにおいて高くなるように設定される。これにより、再生動作の全体で再生エラーを抑制することができる。

以下、磁気記録再生装置の例について説明する。
図１１は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１１は、ヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９に設けられる。ヘッドスライダ１５９は、例えばＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＣなどを含む。ヘッドスライダ１５９は、磁気記録媒体の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体に対して相対的に運動する。

ヘッドスライダ１５９は、例えば、空気流入側１５９Ａ及び空気流出側１５９Ｂを有する。磁気ヘッド１１０は、ヘッドスライダ１５９の空気流出側１５９Ｂの側面などに配置される。これにより、磁気ヘッド１１０は、磁気記録媒体の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体に対して相対的に運動する。

図１２は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。
図１２に示すように、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、ロータリーアクチュエータが用いられる。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍに装着される。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ１８０Ｍにより矢印ＡＲの方向に回転する。スピンドルモータ１８０Ｍは、駆動装置制御部からの制御信号に応答する。本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録再生装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。例えば、磁気記録再生装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）でも良い。

ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０に記録する情報の、記録及び再生を行う。ヘッドスライダ１５９は、薄膜状のサスペンション１５４の先端に設けられる。ヘッドスライダ１５９の先端付近に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。

記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力と、ヘッドスライダ１５９の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力と、がバランスする。ヘッドスライダ１５９の媒体対向面と、記録用媒体ディスク１８０の表面と、の間の距離が、所定の浮上量となる。実施形態において、ヘッドスライダ１５９は、記録用媒体ディスク１８０と接触しても良い。例えば、接触走行型が適用されても良い。

サスペンション１５４は、アーム１５５（例えばアクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５は、例えば、ボビン部などを有する。ボビン部は、駆動コイルを保持する。アーム１５５の他端には、ボイスコイルモータ１５６が設けられる。ボイスコイルモータ１５６は、リニアモータの一種である。ボイスコイルモータ１５６は、例えば、駆動コイル及び磁気回路を含む。駆動コイルは、アーム１５５のボビン部に巻かれる。磁気回路は、永久磁石及び対向ヨークを含む。永久磁石と対向ヨークとの間に、駆動コイルが設けられる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有する。磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続される。

アーム１５５は、ボールベアリングによって保持される。ボールベアリングは、軸受部１５７の上下の２箇所に設けられる。アーム１５５は、ボイスコイルモータ１５６により回転及びスライドが可能である。磁気ヘッドは、記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能である。

図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図１３（ａ）は、磁気記録再生装置の一部を例示している。図１３（ａ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
図１３（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する。

図１３（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、ヘッドジンバルアセンブリ１５８と、支持フレーム１６１と、を含む。ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１は、軸受部１５７から延びる。支持フレーム１６１の延びる方向は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の延びる方向とは逆である。支持フレーム１６１は、ボイスコイルモータ１５６のコイル１６２を支持する。

図１３（ｂ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延びたアーム１５５と、アーム１５５から延びたサスペンション１５４と、を有している。

サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ１５９が設けられる。ヘッドスライダ１５９に、実施形態に係る磁気ヘッドが設けられる。

実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが設けられたヘッドスライダ１５９と、サスペンション１５４と、アーム１５５と、を含む。ヘッドスライダ１５９は、サスペンション１５４の一端に設けられる。アーム１５５は、サスペンション１５４の他端と接続される。

サスペンション１５４は、例えば、信号の記録及び再生用のリード線（図示しない）を有する。サスペンション１５４は、例えば、浮上量調整のためのヒーター用のリード線（図示しない）を有しても良い。サスペンション１５４は、例えばスピントランスファトルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有しても良い。これらのリード線と、磁気ヘッドに設けられた複数の電極と、が電気的に接続される。

磁気記録再生装置１５０において、信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。信号処理部１９０は、信号処理部１９０の入出力線は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に接続される。

実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドと、可動部と、位置制御部と、信号処理部と、を含む。可動部は、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とする。位置制御部は、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする。信号処理部は、磁気ヘッドを用いた磁気記録媒体への信号の記録及び再生を行う。

例えば、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。上記の可動部は、例えば、ヘッドスライダ１５９を含む。上記の位置制御部は、例えば、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含む。

実施形態は、以下の構成（例えば技術案）を含んでも良い。
（構成１）
磁気記録媒体の第１記録領域に記録された情報を第１再生素子により再生して得られた第１電気信号と、前記第１記録領域に記録された前記情報を第２再生素子により再生して得られた第２電気信号と、を取得可能な取得部であって、前記磁気記録媒体に記録された磁気信号に対する前記第１再生素子の第１感度は、前記磁気信号に対する前記第２再生素子の第２感度と異なる、前記取得部と、
前記取得部により取得された前記第１電気信号及び前記第２電気信号に基づいて、前記第１記録領域に記録された情報に対応する再生信号を出力可能な処理部と、
を備えた、磁気再生処理装置。

（構成２）
前記第１記録領域における磁気信号強度は、最小記録パターンに対応する１Ｔパターン強度を含み、
前記第１電気信号は、前記１Ｔパターン強度に対応する第１パターン信号を含み、
前記第２電気信号は、前記１Ｔパターン強度に対応する第２パターン信号を含み、
前記第２パターン信号の強度は、前記第１パターン信号の強度よりも高い、構成１に記載の磁気再生処理装置。

（構成３）
前記第２パターン信号の前記強度は、前記第１パターン信号の前記強度の１．１倍以上である、構成２に記載の磁気再生処理装置。

（構成４）
前記磁気信号強度は、前記最小記録パターンのｎ倍（ｎは３以上の整数）に対応するｎＴパターン強度を含み、
前記第１電気信号は、前記ｎＴパターン強度に対応する第３パターン信号を含み、
前記第２電気信号は、前記ｎＴパターン強度に対応する第４パターン信号を含み、
前記第１パターン信号の前記強度と前記第２パターン信号の前記強度との差の絶対値は、前記第３パターン信号の強度と前記第４パターン信号の強度との差の絶対値よりも大きい、構成１または２に記載の磁気再生処理装置。

（構成５）
前記第１パターン信号と前記第３パターン信号との間において、前記第１電気信号の強度は、前記磁気信号強度に対して実質的に線形に変化する、構成４に記載の磁気再生処理装置。

（構成６）
前記磁気信号強度は、前記最小記録パターンのｍ倍（ｍはｎ－１である）に対応するｍＴパターン強度を含み、
前記第２電気信号は、前記ｍＴパターン強度に対応する第５パターン信号を含み、
前記第５パターン信号の強度と前記第４パターン信号の前記強度との差の絶対値は、前記第２パターン信号の前記強度と前記第４パターン信号の前記強度との差の絶対値の１／ｍよりも小さい、構成４または５に記載の磁気再生処理装置。

（構成７）
前記処理部は、
前記取得部が取得した前記第１電気信号を波形処理する第１波形等化部と、
前記取得部が取得した前記第２電気信号を波形処理する第２波形等化部と、
前記第１波形等化部からの信号を処理する第１信号処理部と、
前記第２波形等化部からの信号を処理する第２信号処理部と、
前記第１信号処理部の第１出力信号、及び、前記第２信号処理部の第２出力信号に基づいて前記再生信号を導出可能な処理回路と、
を含む、構成１～６のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。

（構成８）
前記第１出力信号は、前記第１波形等化部からの前記信号に関する第１尤度を含み、
前記第２出力信号は、前記第２波形等化部からの前記信号に関する第２尤度を含む、構成７に記載の磁気再生処理装置。

（構成９）
前記処理回路は、前記第１出力信号、及び、前記第２出力信号を入力とするニューラルネットワーク処理部を含む、構成７または８に記載の磁気再生処理装置。

（構成１０）
前記処理回路の処理結果の少なくとも一部が、前記第１信号処理部及び前記第２信号処理部に入力され、
前記第１信号処理部の動作、前記第２信号処理部の動作、及び、前記処理回路の動作が反復して実施される、構成７～９のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。

（構成１１）
前記第１信号処理部の処理結果の少なくとも一部が前記第２信号処理部に供給され、
前記第２信号処理部は、前記第１信号処理部の前記処理結果の前記少なくとも一部を用いて、前記第２波形等化部の前記信号を処理可能である、構成７～１０のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。

（構成１２）
前記第２信号処理部の処理結果の少なくとも一部が前記第１信号処理部に供給され、
前記第１信号処理部は、前記第２信号処理部の前記処理結果の前記少なくとも一部を用いて、前記第１波形等化部の前記信号を処理可能である、構成７～１１のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。

（構成１３）
前記第１波形等化部及び前記第２波形等化部の少なくともいずれかは、ＰＲ（Partial-Response）回路を含む、構成７～１２のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。

（構成１４）
前記第１信号処理部及び前記第２信号処理部の少なくともいずれかは、ＰＲＭＬ（Partial-Response Maximum-Likelihood）回路を含む、構成７～１３のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。

（構成１５）
前記第１信号処理部及び前記第２信号処理部の少なくともいずれかは、ＬＤＰＣ（Low Density Parity Check）復号器を含む、構成７～１４のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。

（構成１６）
構成１～１５のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置と、
前記第１再生素子及び前記第２再生素子を含む再生部を含む磁気ヘッドと、
を備えた磁気記録再生装置。

（構成１７）
前記第１再生素子から前記第２再生素子への第１方向は、前記磁気記録媒体のダウントラック方向に沿い、
前記第１再生素子は、第１磁性層と、第１対向磁性層と、前記第１方向において前記第１磁性層と前記第１対向磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含み、
前記第２再生素子は、第２磁性層と、第２対向磁性層と、前記第１方向において前記第２磁性層と前記第２対向磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含み、
前記第１対向磁性層の第１方向に沿う第１厚さは、前記第２対向磁性層の前記第１方向に沿う第２厚さと異なる、構成１６に記載の磁気記録再生装置。

（構成１８）
前記第１再生素子は、前記磁気記録媒体と対向する媒体対向面を含み、
前記第１再生素子から前記第２再生素子への第１方向は、前記磁気記録媒体のダウントラック方向に沿い、
前記第１再生素子は、第１磁性層と、第１対向磁性層と、前記第１方向において前記第１磁性層と前記第１対向磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含み、
前記第２再生素子は、第２磁性層と、第２対向磁性層と、前記第１方向において前記第２磁性層と前記第２対向磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含み、
前記第１対向磁性層の第２方向に沿う第１長さは、前記第２対向磁性層の前記第２方向に沿う第２長さとは異なり、前記第２方向は、前記媒体対向面と交差する、構成１６に記載の磁気記録再生装置。

（構成１９）
前記再生部は、第１磁性部材及び第２磁性部材を含み、
前記第１再生素子は、前記磁気記録媒体と対向する媒体対向面を含み、
前記第１再生素子から前記第２再生素子への第１方向は、前記磁気記録媒体のダウントラック方向に沿い、
前記第１再生素子は、第１磁性層と、第１対向磁性層と、前記第１方向において前記第１磁性層と前記第１対向磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、を含み、
前記第２再生素子は、第２磁性層と、第２対向磁性層と、前記第１方向において前記第２磁性層と前記第２対向磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、を含み、
前記第１対向磁性層から前記第１磁性部材への方向は、第３方向に沿い、
前記第２対向磁性層から前記第２磁性部材への方向は、前記第３方向に沿い、
前記第３方向は、前記媒体対向面に沿い前記第１方向と交差し、
前記第１対向磁性層と前記第１磁性部材との間の前記第３方向に沿う第１距離は、前記第２対向磁性層と前記第２磁性部材との間の前記第３方向に沿う第２距離とは異なる、構成１６に記載の磁気記録再生装置。

（構成２０）
磁気記録媒体の第１記録領域に記録された情報を第１再生素子により再生して得られた第１電気信号と、前記第１記録領域に記録された前記情報を第２再生素子により再生して得られた第２電気信号と、を取得し、前記磁気記録媒体に記録された磁気信号に対する前記第１再生素子の第１感度は、前記磁気信号に対する前記第２再生素子の第２感度と異なり、
前記取得した前記第１電気信号及び前記第２電気信号に基づいて、前記第１記録領域に記録された情報に対応する再生信号を出力する、磁気再生方法。

実施形態によれば、記録再生密度の向上が可能な磁気再生処理装置、磁気記録再生装置及び磁気再生方法が提供できる。

本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気再生処理装置に含まれる取得部及び処理部、並びに、磁気記録再生装置に含まれる、磁気ヘッド、再生部、再生素子、磁性層、非磁性層、及び記録部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した磁気再生処理装置、磁気記録再生装置及び磁気再生方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気再生処理装置、磁気記録再生装置及び磁気再生方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０Ｆ…媒体対向面、 １０Ｒ…再生部、 １１、１２…第１、第２磁性層、 １１Ｅ、１２Ｅ…第１、第２再生素子、 １１ｎ、１２ｎ…第１、第２非磁性層、 １１ｏ、１２ｏ、第１、第２対向磁性層、 １１ｐ、１２ｐ…磁性部、 １１ｑ、１２ｑ…非磁性部、 １５ａ～１５ｄ…第１～第４再生シールド、 １６ａ、１６ｂ…第１、第２磁性部材、 １６ｃ、１６ｄ…第１、第２対向磁性部材、 １９ｉ、１９ｊ、１９ｋ…絶縁部材、 ２０…磁気素子、 ３１、３２…第１、第２磁極、 ６０…記録部、 ７０…磁気再生処理装置、 ７０ｓ…再生信号、 ７１ａ、７１ｂ…第１、第２波形等化部、 ７１ｐ、７１ｑ…信号、 ７２ａ、７２ｂ…第１、第２信号処理部、 ７２ｐ、７２ｑ…処理結果、 ７３ａ、７３ｂ…第１、第２ターゲット部、 ７４…処理回路、 ７４ｐ…処理結果、 ７５…処理部、 ７６…取得部、 ７８ａ、７８ｂ…第１、第２出力信号、 ７９ａ、７９ｂ…第１、第２尤度、 ８０…磁気記録媒体、 ８０ｉ…情報、 ８０ｒ…第１記録領域、 ８１…磁気記録層、 ８２…媒体基板、 ８３…磁化、 ８５…媒体移動方向、 １１０…磁気ヘッド、 １５０…磁気記録再生装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アーム、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １５９…ヘッドスライダ、 １５９Ａ…空気流入側、 １５９Ｂ…空気流出側、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８０Ｍ…スピンドルモータ、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 ２１０…磁気記録再生装置、 ＡＲ…矢印、 ＣＦ１～ＣＦ３…第１～第３再生部構成、 Ｌ１、Ｌ２…第１、第２長さ、 ＲＲ１…感度比、 ＳＥ…電気信号強度、 ＳＭ…磁気信号強度、 Ｓｅ１～Ｓｅ５…第１～第５パターン信号、 Ｓｒ１、Ｓｒ２…第１、第２電気信号、 ｄ１、ｄ２…第１、第２距離、 ｄｘ…距離、 ｔ１、ｔ２…第１、第２厚さ

Claims (12)

1. 磁気記録媒体の第１記録領域に記録された情報を第１再生素子により再生して得られた第１電気信号と、前記第１記録領域に記録された前記情報を第２再生素子により再生して得られた第２電気信号と、を取得可能な取得部であって、前記磁気記録媒体に記録された磁気信号に対する前記第１再生素子の第１感度は、前記磁気信号に対する前記第２再生素子の第２感度と異なる、前記取得部と、
   前記取得部により取得された前記第１電気信号及び前記第２電気信号に基づいて、前記第１記録領域に記録された情報に対応する再生信号を出力可能な処理部と、
   を備えた、磁気再生処理装置。
2. 前記第１記録領域における磁気信号強度は、最小記録パターンに対応する１Ｔパターン強度を含み、
   前記第１電気信号は、前記１Ｔパターン強度に対応する第１パターン信号を含み、
   前記第２電気信号は、前記１Ｔパターン強度に対応する第２パターン信号を含み、
   前記第２パターン信号の強度は、前記第１パターン信号の強度よりも高い、請求項１に記載の磁気再生処理装置。
3. 前記第２パターン信号の前記強度は、前記第１パターン信号の前記強度の１．１倍以上である、請求項２に記載の磁気再生処理装置。
4. 前記磁気信号強度は、前記最小記録パターンのｎ倍（ｎは３以上の整数）に対応するｎＴパターン強度を含み、
   前記第１電気信号は、前記ｎＴパターン強度に対応する第３パターン信号を含み、
   前記第２電気信号は、前記ｎＴパターン強度に対応する第４パターン信号を含み、
   前記第１パターン信号の前記強度と前記第２パターン信号の前記強度との差の絶対値は、前記第３パターン信号の強度と前記第４パターン信号の強度との差の絶対値よりも大きい、請求項１または２に記載の磁気再生処理装置。
5. 前記処理部は、
   前記取得部が取得した前記第１電気信号を波形処理する第１波形等化部と、
   前記取得部が取得した前記第２電気信号を波形処理する第２波形等化部と、
   前記第１波形等化部からの信号を処理する第１信号処理部と、
   前記第２波形等化部からの信号を処理する第２信号処理部と、
   前記第１信号処理部の第１出力信号、及び、前記第２信号処理部の第２出力信号に基づいて前記再生信号を導出可能な処理回路と、
   を含む、請求項１～４のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。
6. 前記第１出力信号は、前記第１波形等化部からの前記信号に関する第１尤度を含み、
   前記第２出力信号は、前記第２波形等化部からの前記信号に関する第２尤度を含む、請求項５に記載の磁気再生処理装置。
7. 前記処理回路は、前記第１出力信号、及び、前記第２出力信号を入力とするニューラルネットワーク処理部を含む、請求項５または６に記載の磁気再生処理装置。
8. 前記処理回路の処理結果の少なくとも一部が、前記第１信号処理部及び前記第２信号処理部に入力され、
   前記第１信号処理部の動作、前記第２信号処理部の動作、及び、前記処理回路の動作が反復して実施される、請求項５～７のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。
9. 前記第１信号処理部の処理結果の少なくとも一部が前記第２信号処理部に供給され、
   前記第２信号処理部は、前記第１信号処理部の前記処理結果の前記少なくとも一部を用いて、前記第２波形等化部の前記信号を処理可能である、請求項５～８のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。
10. 前記第２信号処理部の処理結果の少なくとも一部が前記第１信号処理部に供給され、
    前記第１信号処理部は、前記第２信号処理部の前記処理結果の前記少なくとも一部を用いて、前記第１波形等化部の前記信号を処理可能である、請求項５～９のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置。
11. 請求項１～１０のいずれか１つに記載の磁気再生処理装置と、
    前記第１再生素子及び前記第２再生素子を含む再生部を含む磁気ヘッドと、
    を備えた磁気記録再生装置。
12. 磁気記録媒体の第１記録領域に記録された情報を第１再生素子により再生して得られた第１電気信号と、前記第１記録領域に記録された前記情報を第２再生素子により再生して得られた第２電気信号と、を取得し、前記磁気記録媒体に記録された磁気信号に対する前記第１再生素子の第１感度は、前記磁気信号に対する前記第２再生素子の第２感度と異なり、
    前記取得した前記第１電気信号及び前記第２電気信号に基づいて、前記第１記録領域に記録された情報に対応する再生信号を出力する、磁気再生方法。

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