JP2023031950A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の周縁部を加熱しながら当該基板の周縁部に流体を供給して所定の基板処理を基板に施す基板処理技術において、上記基板処理の処理精度を高める。【解決手段】本発明は、回転する基板の周縁部に流体を供給する流体供給機構と、回転する基板の周縁部を加熱する周縁加熱機構と、流体供給機構および周縁加熱機構を制御する制御部と、を備えている。そして、制御部は、流体の供給前に周縁加熱機構により基板の周縁部を加熱し、加熱された基板の周縁部の温度および鉛直方向における反り量の少なくとも一方に基づいて流体の供給開始タイミングを決定する。【選択図】図６

Description

この発明は、水平姿勢で鉛直軸周りに回転する基板の周縁部を加熱しながら周縁部に流体を供給して所定の基板処理を施す基板処理技術に関するものである。ここで、基板には、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、太陽電池用基板、等（以下、単に「基板」という）が含まれる。また、基板処理には、エッチング処理が含まれる。

半導体ウエハなどの基板に加熱処理を加えつつ当該基板の被処理面に処理液を供給して薬液処理や洗浄処理などを施す基板処理装置として、例えば特許文献１に記載の装置が知れられている。この基板処理装置では、基板の上面（被処理面）とは反対側の下面（被加熱面）を加熱するために、発熱体を内蔵する環状のヒーターが基板の下面周縁部に沿って基板の周方向に延在している。

特開２０１７－１１０１５号公報

近年、非接触で基板を加熱するための加熱源として、発熱体の代わりに、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子を用いることが検討されている。例えば、日亜化学工業株式会社製の紫外発光ＬＥＤ（型番NVCUQ096A-D4）を基板処理装置における加熱源として用いることができる。

このように構成されたＬＥＤを用いることで優れた加熱効果が得られる。その一方で、基板面内での温度分布が大きくなり、それに起因して基板の周縁部において反りが発生することがある。このような場合、基板の周縁部において処理液が供給される着液位置、つまり基板のエッジから着液位置までの距離が変動する。その結果、処理精度の悪化を招くおそれがある。

この発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板の周縁部を加熱しながら当該基板の周縁部に流体を供給して所定の基板処理を基板に施す基板処理技術において、上記基板処理の処理精度を高めることを目的とする。

この発明の第１の態様は、基板処理装置であって、基板を水平に保持し、鉛直軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転駆動部と、
回転する基板の周縁部に流体を供給する流体供給機構と、 回転する基板の周縁部を加熱する周縁加熱機構と、 流体供給機構および周縁加熱機構を制御する制御部と、を備え、制御部は、流体の供給前に周縁加熱機構により基板の周縁部を加熱し、加熱された基板の周縁部の温度および鉛直方向における反り量の少なくとも一方に基づいて流体の供給開始タイミングを決定する、ことを特徴としている。

また、この発明の第２の態様は、基板処理装置であって、基板を水平に保持し、鉛直軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転駆動部と、
回転する基板の周縁部に流体を供給する流体供給機構と、 回転する基板の周縁部に対し、流体供給機構により流体が供給される流体供給位置の近傍で基板の周縁部を加熱する周縁加熱機構と、
流体供給機構および周縁加熱機構を制御する制御部と、を備え、制御部は、流体の供給による流体供給位置での周縁部の温度低下量を記憶する記憶部を有し、温度低下量に応じた加熱部による加熱によって、流体の供給による周縁部の温度低下を補償するように周縁加熱機構を制御することを特徴としている。

また、この発明の第３の態様は、基板処理装置であって、基板を水平に保持し、鉛直軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、基板保持部を鉛直軸周りに回転させる回転駆動部と、
回転する基板の周縁部に流体を供給する流体供給機構と、 回転する基板の周縁部に対し、流体供給機構により流体が供給される流体供給位置の近傍で基板の周縁部を加熱する周縁加熱機構と、
回転する基板の中央部を加熱する中央加熱機構と、流体供給機構、周縁加熱機構および中央加熱機構を制御する制御部と、を備え、制御部は、周縁加熱機構により周縁部を加熱する期間と、中央加熱機構により中央部を加熱する期間とを少なくとも一部で重複させるように周縁加熱機構と中央加熱機構を制御することを特徴としている。

さらに、この発明の第４の態様は、水平姿勢で鉛直軸周りに回転する基板の周縁部を加熱しながら周縁部に流体を供給する基板処理方法であって、加熱された基板の周縁部の温度および鉛直方向における反り量の少なくとも一方を周縁部情報として測定する工程と、周縁部情報に基づいて加熱された基板の周縁部に流体の供給を開始する供給開始タイミングを調整する工程と、を備えることを特徴としている。

このように構成された発明によれば、流体の供給開始タイミング、周縁部の温度低下の補償や基板中央部の加熱により、基板の温度均一性が向上され、基板処理の処理精度を高めることができる。

本発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示す図である。 図１に示す基板処理装置を上方から見た平面図である。 図１に示す基板処理装置を制御する制御部の構成を示すブロック図である。 図１に示す基板処理装置に装備される周縁加熱機構を鉛直方向から見た平面図である。 図４のＩＶ－ＩＶ線断面図である。 基板処理の経過時間に対する周縁部温度の変化を示すグラフである。 加熱機構により基板の周縁部を加熱したときに発生する、反り量の時間依存性を示すグラフである。 発光部の点灯開始から１０秒経過して流体を供給する直前での基板の周縁部温度と、反り量との関係を示すグラフである。 基板の温度に対する周縁部温度の標準偏差の変化を示すグラフである。 図１に示す基板処理装置で実行される基板処理を示すフローチャートである。 図１に示す基板処理装置における、中央部温度に対する反り量の変化特性を示すグラフである。 本発明に係る基板処理装置の第３実施形態の部分構成図である。 第１実施形態における基板処理中の基板の温度分布を模式的に示す図である。 第１実施形態におけるノズル位置に対する発光部の位置関係および各発光部から基板への投入熱量を示す図である。 本発明に係る基板処理装置の第４実施形態を上方から見た平面図である。 第４実施形態におけるノズル位置に対する発光部の位置関係および各発光部から基板への投入熱量を示す図である。

＜第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置の第１実施形態を示す図である。図２は、図１に示す基板処理装置を上方から見た平面図である。図３は、図１に示す基板処理装置を制御する制御部の構成を示すブロック図である。なお、以下に参照する各図では、理解容易のため、各部の寸法や数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。上下方向は鉛直方向であり、スピンチャックに対して基板側が上である。

基板処理装置１は、回転保持機構２、飛散防止機構３、流体供給機構４、ノズル移動機構６および周縁加熱機構７を備えている。これら各部は、制御部１０と電気的に接続されており、制御部１０からの指示に応じて動作する。制御部１０としては、例えば、一般的なコンピュータと同様のものを採用できる。すなわち、制御部１０においては、記憶部１２に予め記憶されたプログラムに記述された手順にしたがって主制御部としての演算処理部１１が演算処理を行うことにより、基板処理装置１の各部を制御する。なお、制御部１０の詳しい構成および動作については、後で詳述する。

回転保持機構２は、基板Ｗを、その表面を上方に向けた状態で、略水平姿勢に保持しつつ回転可能な機構である。回転保持機構２は、基板Ｗを、主面の中心ｃ１を通る鉛直な鉛直軸ａ１周りに回転させる。回転保持機構２は、基板Ｗより小さい円板状の部材であるスピンチャック（本発明の「基板保持部」の一例に相当）２１を備えている。スピンチャック２１は、その上面が略水平となり、その中心軸が鉛直軸ａ１に一致するように設けられている。スピンチャック２１の下面には、円筒状の回転軸部２２が連結されている。回転軸部２２は、その軸線を鉛直軸ａ１と一致させた状態で、鉛直方向に延設されている。また、回転軸部２２には、回転駆動部（例えば、モータ）２３が接続されている。回転駆動部２３は、制御部１０からの回転指令に応じて回転軸部２２をその軸線周りに回転駆動する。このように、スピンチャック２１は、回転軸部２２とともに鉛直軸ａ１周りに回転可能となっている。回転駆動部２３と回転軸部２２とは、スピンチャック２１を、鉛直軸ａ１を中心に回転させる回転機構２３１である。回転軸部２２および回転駆動部２３は、筒状のケーシング２４内に収容されている。

スピンチャック２１の中央部には、図示省略の貫通孔が設けられており、回転軸部２２の内部空間と連通している。内部空間には、図示省略の配管、開閉弁を介して図示省略のポンプが接続されている。当該ポンプ、開閉弁は、制御部１０に電気的に接続される。制御部１０は、当該ポンプおよび開閉弁の動作を制御する。当該ポンプは、制御部１０の制御にしたがって、負圧と正圧とを選択的に供給可能である。基板Ｗがスピンチャック２１の上面に略水平姿勢で置かれた状態でポンプが負圧をスピンチャックに付与すると、スピンチャック２１は、基板Ｗの中央部を下方から吸着保持する。ポンプが正圧をスピンチャックに付与すると、基板Ｗは、スピンチャック２１の上面から取り外し可能となる。

この構成において、スピンチャック２１が基板Ｗの下面の中央部を吸着保持した状態で、制御部１０からの指令に応じて回転駆動部２３が回転軸部２２を回転すると、スピンチャック２１が鉛直方向に沿った軸線周りで回転される。これによって、スピンチャック２１上に保持された基板Ｗが、その面内の中心ｃ１を通る鉛直な鉛直軸ａ１を中心に矢印ＡＲ１方向に回転される。

なお、基板Ｗの保持方式は、これに限定されるものではなく、複数個（例えば６個）のチャックピンにより保持する、いわゆるメカチャック方式であってもよい。

飛散防止機構３は、スピンチャック２１とともに回転される基板Ｗから飛散する処理液等を受け止める。飛散防止機構３は、スプラッシュガード３１を備える。スプラッシュガード３１は、上端が開放された筒形状の部材であり、回転保持機構２を取り囲むように設けられる。スプラッシュガード３１には、これを昇降移動させるガード駆動機構３２が接続されており、制御部１０からの昇降指令に応じて駆動される。

流体供給機構４は、４つのノズルヘッド４１ａ～４１ｄを有している。ノズルヘッド４１ａ～４１ｄは、それぞれノズル移動機構６のアーム６１ａ～６１ｄの先端に取り付けられている。アーム６１ａ～６１ｄはそれぞれ水平面に沿って延在する。ノズル移動機構６は、それぞれアーム６１ａ～６１ｄを移動させることによって、ノズルヘッド４１ａ～４１ｄを処理位置（図２中の実線位置）と退避位置（図２中の１点鎖線位置）との間で移動させる。より詳しくは、アーム６１ａの基端部は、ノズル基台６２ａの上端部分に連結されている。ノズル基台６２ａは、その軸線を鉛直方向に沿わすような姿勢でケーシング２４の周りに分散して配置されている。ノズル基台６２ａは、その軸線に沿って鉛直方向に延在し、軸線周りに回転可能な回転軸をそれぞれ備えている。ノズル基台６２ａの軸線と各回転軸の軸線とは一致する。各回転軸の上端には、ノズル基台６２ａの上端部分がそれぞれ取り付けられている。各回転軸が回転することにより、ノズル基台６２ａの各上端部分は各回転軸の軸線、すなわちノズル基台６２ａの軸線を中心に回転する。ノズル基台６２ａには、それぞれの回転軸を軸線周りに回転させるノズル駆動部６３ａが設けられている。ノズル駆動部６３ａは、例えば、ステッピングモータなどをそれぞれ備えて構成される。このため、制御部１０からの指令に応じてノズル駆動部６３ａが作動すると、ノズル基台６２ａの回転軸を介してノズル基台６２ａの上端部分が回転する。上端部分の回転に伴って、ノズルヘッド４１ａもノズル基台６２ａの軸線周りに回転する。これにより、ノズル駆動部６３ａは、ノズルヘッド４１ａを処理位置と、退避位置との間で水平に移動させる。なお、その他のアーム６１ｂ～６１ｄも、アーム６１ａと同様に、それぞれノズル駆動部６３ｂ～６３ｄの駆動によって、ノズル基台６２ｂ～６２ｄの軸線を中心に回転する。その結果、ノズルヘッド４１ｂ～４１ｄをそれぞれ処理位置と退避位置との間で水平に移動させる。

ノズルヘッド４１ａは中央気体供給部４Ａの一構成要素である。この中央気体供給部４Ａでは、ノズルヘッド４１ａは、アーム６１ａの先端部の下面に取り付けられた円柱部材４２と、円柱部材４２の下面に取り付けられた円板状の遮断板４３と、円筒状のノズル４４ａとを備えている。円柱部材４２の軸線と遮断板４３の軸線とは、一致しており、それぞれ鉛直方向に沿う。遮断板４３の下面は、水平面に沿う。ノズル４４ａは、その軸線が遮断板４３、円柱部材４２の軸線と一致するように、円柱部材４２、遮断板４３を鉛直方向に貫通している。ノズル４４ａの上端部は、さらにアーム６１ａの先端部も貫通して、アーム６１ａの上面に開口する。ノズル４４ａの上側の開口には、配管４５ａの一端が接続されている。配管４５ａの他端は、ガス供給源４６ａに接続している。配管４５ａの経路途中には、ガス供給源４６ａ側から順に流量制御器４７ａ、開閉弁４８ａが設けられている。ノズル４４ａの下端は、遮断板４３の下面に開口している。当該開口は、ノズル４４ａの吐出口である。ノズルヘッド４１ａが、ノズル移動機構６により処理位置に配置されると、基板Ｗの上面の中央部に対向する。この対向状態で制御部１０からの指令に応じて中央気体供給部４Ａが、スピンチャック２１上に保持されて回転している基板Ｗの上面の中央部に気体（本実施形態では不活性ガス）のガス流を吐出する。「不活性ガス」は、基板Ｗの材質およびその表面に形成された薄膜（図４参照）との反応性に乏しいガスであり、例えば、窒素（Ｎ２）ガス、アルゴンガス、ヘリウムガスなどである。本実施形態では、不活性ガスとして窒素ガスを用いている。

ノズルヘッド４１ｂは周縁気体供給部４Ｂの一構成要素である。この周縁気体供給部４Ｂでは、ノズルヘッド４１ｂは、ノズル４４ｂを有し、アーム６１ｂの先端に取り付けられている。ノズル４４ｂは、その先端部（下端部）をノズルヘッド４１ｂの下面から下方に突出させ、その上端部を上面から上方に突出させている。ノズル４４ｂの上端には、配管４５ｂの一端が接続されている。配管４５ｂの他端は、ガス供給源４６ｂに接続している。配管４５ｂの経路途中には、ガス供給源４６ｂ側から順に流量制御器４７ｂ、開閉弁４８ｂが設けられている。ノズル４４ｂの下端は吐出口である。ノズルヘッド４１ｂが、ノズル移動機構６により処理位置に配置されると、ノズル４４ｂは、図２に示すように、気体供給位置Ｐｂに位置する。

ノズルヘッド４１ｃも、上記ノズルヘッド４１ｂと同様に、周縁気体供給部４Ｂの一構成要素である。ノズルヘッド４１ｃは、ノズル４４ｃを有し、アーム６１ｃの先端に取り付けられている。ノズル４４ｃは、その先端部（下端部）をノズルヘッド４１ｃの下面から下方に突出させ、その上端部を上面から上方に突出させている。ノズル４４ｃの上端には、配管４５ｃの一端が接続されている。配管４５ｃの他端は、ガス供給源４６ｃに接続している。配管４５ｃの経路途中には、ガス供給源４６ｃ側から順に流量制御器４７ｃ、開閉弁４８ｃが設けられている。ノズル４４ｃの下端は吐出口である。ノズルヘッド４１ｃが、ノズル移動機構６により処理位置に配置されると、ノズル４４ｃは、図２に示すように、気体供給位置Ｐｃに位置する。

ノズルヘッド４１ｄは、周縁気体供給部４Ｂの一構成要素であるとともに、処理液供給部４Ｃの一構成要素でもある。ノズルヘッド４１ｄは、１本の気体供給用のノズル４４ｄと２本の処理液供給用のノズル４４ｅ、４４ｆを有し、アーム６１ｄの先端に取り付けられている。

気体供給用のノズル４４ｄは、その先端部（下端部）をノズルヘッド４１ｄの下面から下方に突出させ、その上端部を上面から上方に突出させている。ノズル４４ｄの上端には、配管４５ｄの一端が接続されている。配管４５ｄの他端は、ガス供給源４６ｄに接続している。配管４５ｄの経路途中には、ガス供給源４６ｄ側から順に流量制御器４７ｄ、開閉弁４８ｄが設けられている。ノズル４４ｄの下端は吐出口である。

処理液供給用のノズル４４ｅ、４４ｆは、それぞれ第１処理液（薬液）および第２処理液（ＤＩＷ：脱イオン水）を供給するために設けられている。薬液用のノズル４４ｅは、その先端部（下端部）をノズルヘッド４１ｄの下面から下方に突出させ、その上端部を上面から上方に突出させている。ノズル４４ｅの上端には、配管４５ｅの一端が接続されている。配管４５ｅの他端は、薬液供給源４６ｅに接続している。配管４５ｅの経路途中には、薬液供給源４６ｅ側から順に流量制御器４７ｅ、開閉弁４８ｅが設けられている。ノズル４４ｅの下端は吐出口である。一方、ＤＩＷ用のノズル４４ｆは、その先端部（下端部）をノズルヘッド４１ｄの下面から下方に突出させ、その上端部を上面から上方に突出させている。ノズル４４ｆの上端には、配管４５ｆの一端が接続されている。配管４５ｆの他端は、ＤＩＷ供給源４６ｆに接続している。配管４５ｆの経路途中には、ＤＩＷ供給源４６ｆ側から順に流量制御器４７ｆ、開閉弁４８ｆが設けられている。ノズル４４ｆの下端は吐出口である。なお、これら３本のノズル４４ｄ～４４ｆは、図２に示すように、基板Ｗの回転方向ＡＲ１において互いに隣接して配置されている。

周縁気体供給部４Ｂおよび処理液供給部４Ｃは上記のように構成されているため、ノズル移動機構６がノズルヘッド４１ｂ～４１ｄを処理位置に配置すると、ノズル４４ｂ～４４ｆはそれぞれ位置Ｐｂ～Ｐｆに位置し、ノズル４４ｂ～４４ｆの吐出口は、回転保持機構２が回転させる基板Ｗの周縁部の回転軌跡に対向する。この対向状態で、制御部１０からの指令に応じて処理液供給部４Ｃが周縁部に処理液（薬液、ＤＩＷ）を供給する。このうち薬液供給によって、基板Ｗの上面に形成された薄膜（図５中の符号ＴＦ）の周縁部がエッチング除去される。また、ＤＩＷ供給によって、エッチング部分に対してリンス処理が施される。なお、本実施形態では、当該リンス処理のためにＤＩＷを処理液（リンス液）として用いているが、ＤＩＷの代わりに、純水、温水、オゾン水、磁気水、還元水（水素水）、イオン水、各種の有機溶剤（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、機能水（ＣＯ２水など）、などが用いられてもよい。

スピンチャック２１上に保持されて回転している基板Ｗの下面周縁部の下方には、周縁加熱機構７が設けられている。図４は、図１に示す基板処理装置に装備される周縁加熱機構を鉛直方向から見た平面図である。図５は、図４のＩＶ－ＩＶ線断面図である。なお、周縁加熱機構７の内部構造を明確にするため、図４では加熱筐体７１を省略して図示している。

周縁加熱機構７は、上方からの平面視で円環形状を有する樹脂製の加熱筐体７１を有している。加熱筐体７１は、上方の開口した樹脂製のボックス部材７１１と、ボックス部材７１１の円環開口を上方から塞ぐように配置された透明部材７１２とを有している。これらボックス部材７１１および透明部材７１２により形成される収納空間７１３に対し、加熱源として機能する発光部７２、ヒートシンク７３およびベース部材７４が収納されている。つまり、加熱筐体７１によって、発光部７２などが薬液などの雰囲気から保護されている。そして、後述するように発光部７２は点灯すると、発光部７２からの光（本実施形態では、波長３６５ｎｍ程度の紫外光）が透明部材７１２を介して基板Ｗの下面Ｗｄに向けて照射される。このように第１実施形態では、透明部材７１２全体が透過窓として機能している。

収納空間７１３の内底部には、加熱筐体７１に対応して円環形状のベース部材７４が配置されている。ベース部材７４は、例えばアルミニウム板で構成されている。このベース部材７４上にヒートシンク７３が配置され、発光部７２を下方から冷却する機能を担っている。より具体的には、ヒートシンク７３は、ベース部材７４と同一の平面形状、つまり円環形状を有した金属プレートを有している。そして、図示を省略する冷却水循環供給部により金属プレートの内部で冷却水が循環される。これによって、発光部７２が冷却される。

ヒートシンク７３の上面には、既述の紫外発光ＬＥＤなどの発光部７２が、透明部材（透過窓）７１２を介して基板Ｗの下面Ｗｄと対向するように、配置されている。第１実施形態では、５個の発光部７２が基板周縁部の形状に対応して円環状に配列されている。つまり、発光部７２は、加熱筐体７１の回転対称軸ａ７１を中心に等角度間隔（本実施形態では、７２゜間隔）で放射状に配置されている。また、各発光部７２は、素子基板７２１と、光（紫外線）を射出する発光素子７２２と、発光素子７２２の制御信号や温度検出信号を制御部１０との間で授受するためのコネクタ７２３とを有している。発光素子７２２およびコネクタ７２３は素子基板７２１の一方主面上で隣接して取り付けられている。そして、発光素子７２２およびコネクタ７２３が透明部材７１２を介して基板Ｗの下面Ｗｄに対向するように、発光部７２はヒートシンク７３の上面に固定されている。

このように構成された発光部７２では、制御部１０からの点灯信号がコネクタ７２３を介して与えられると、発光素子７２２が点灯し、紫外光Ｌを基板Ｗの下面Ｗｄに向けて射出する。紫外光Ｌは透明部材７１２を介して鉛直軸ａ１を中心に回転している基板Ｗの下面Ｗｄに照射される。これによって、基板周縁部が加熱されて所望温度に到達する。例えば制御部１０からの指令に応じ、５個の発光部７２が全部点灯すると、回転している基板Ｗの下面Ｗｄに紫外光Ｌが照射され、その結果、図６中の曲線Ｃ（１０）に示すように、比較的短時間（点灯開始から約１０秒）で基板Ｗの周縁部は８５℃程度まで昇温される。その時点で基板Ｗの上面Ｗｕに流体供給機構４から流体（薬液、ＤＩＷ、窒素ガス）が供給されると、基板Ｗの周縁部の温度（以下、「周縁部温度」という）は若干低下するものの、処理液の供給中も紫外光Ｌを照射し続けることで基板Ｗの周縁部温度を７５℃程度に維持することができる。

ここで、処理レートを向上させるためには、基板Ｗの周縁部温度を高めるのが望ましい。しかしながら、本実施形態では、発光部７２により基板Ｗの周縁部を部分的に加熱しているため、周縁部温度が高くなるにつれて基板Ｗの面内温度差が多くなり、基板Ｗの周縁部がポテトチップスの周縁部のように波打った形状に反ることがある。レーザ変位計などで構成される反り量測定部８１（図３）を基板処理装置１に設け、上記曲線Ｃ（１０）に示す昇温特性で基板Ｗ（本実施形態では、直径３００ｍｍのシリコンウエハ）の周縁部を加熱したときの基板Ｗの周縁部の変形量を測定すると、例えば図７中の実線で示す変形特性が得られる。

図７は、加熱機構により基板の周縁部を加熱したときに発生する、反り量の時間依存性を示すグラフである。同図において、縦軸は、鉛直方向において非加熱状態での周縁部の位置をゼロとしたときの上方および下方への周縁部の変形量を示している。同図中の実線で示すように、発光部７２の点灯から５秒が経過した時点より、変形量が上方および下方のいずれにおいても急速に増大している。そして、点灯開始から１０秒経過して周縁部温度が８５℃程度まで上昇した後に窒素ガスおよび処理液（ＤＩＷ）を基板Ｗの周縁部に向けて吐出すると、変形量は急速に減少する。一方、点灯開始から周縁部温度が５０℃程度まで上昇した後に窒素ガスおよび処理液（ＤＩＷ）を基板Ｗの周縁部に向けて吐出すると、同図中の破線で示すように、基板Ｗの周縁部の変形量は上方および下方に約０．１ｍｍ程度である。この変形量は実質的に測定誤差の範囲であり、反りは発生していないと言える。

このように発光部７２の点灯後において流体を基板Ｗの周縁部に供給するタイミング（以下「流体の供給開始タイミング」という）での基板Ｗの周縁部温度が基板Ｗの周縁部の反り量と密接に関連している。そこで、流体の供給開始タイミングにおける基板の周縁部温度と反り量との関係を調べたところ、図８に示すグラフが得られた。

図８は、発光部の点灯開始から１０秒経過して流体を供給する直前での基板の周縁部温度と、反り量との関係を示すグラフである。同図では、点灯開始から１０秒経過した時点での基板Ｗの周縁部温度が種々の値となるように加熱条件を変更設定し、各条件下での周縁部温度と基板Ｗの周縁部の反り量との関係を丸印で示している。それからさらに３０秒経過（点灯開始からの経過時間＝４０秒）時点での周縁部温度と基板Ｗの周縁部の反り量との関係を四角印で示している。これら丸印で示される周縁部温度と反り量との関係から、流体を供給する直前（以下「Ｄｒｙ期間」という）の基板Ｗの周縁部温度が６５℃を超えると、基板Ｗの反り量が急激に増大することが解る。一方、四角印で示される周縁部温度と反り量との関係から、流体により処理を行っている間（以下「Ｗｅｔ期間」という）の反り量は、点灯開始から１０秒経過時点での基板Ｗの周縁部温度に影響されないことが解る。つまり、Ｄｒｙ期間の経過直後における基板Ｗの周縁部温度を６５℃以下に抑えることが基板Ｗの反りを抑制する上で重要であることがわかる。

また、基板Ｗの反り量が大きくなると、基板Ｗの周縁部温度ムラも大きくなることが知られている。例えばＫＬＡ－Ｔｅｎｃｏｒ社のＳｅｎｓＡｒｒａｙシリーズの３００ｍｍ、２４点基板測温計を用いてＷｅｔ期間における基板Ｗの周縁部の温度分布を測定し、それらの測定値の平均値と標準偏差とを求めると、図９に示す測定結果が得られた。同図に示されているように周縁部温度が上昇するのに比例して周縁部温度のムラは大きくなるという現象は、反り量の増大に伴って処理液が薄膜ＴＦに供給される着液位置、つまり基板Ｗのエッジから着液位置までの距離が変動することで、温度低下度合いも変化させてしまうことに起因する。したがって、周縁部温度のムラは処理精度の悪化およびエッチングレートの不均一性を招く主要因の一つになるといえる。

これら図７～図９に示す検証結果に基づき、Ｄｒｙ期間において基板Ｗの周縁部温度が６５℃を超えない、また反り量で０．５ｍｍを超えないように周縁加熱機構７による基板加熱を制御するのが望ましいことがわかる。一方、Ｄｒｙ期間における周縁部温度が低くなると、エッチングレートが低くなり、流体による処理に要する時間が長くなってしまい、処理効率の低下を招く。したがって、Ｄｒｙ期間において基板Ｗの周縁部温度が５５℃以上、また反り量が０．４ｍｍ以上となるように周縁加熱機構７による基板加熱を制御するのが望ましい。つまり、これらの点を総合的に考慮すると、処理精度を維持しつつ基板Ｗの周縁部を良好に処理するためには、Ｄｒｙ期間において反り量や周縁部温度が適正範囲（反り量では０．４ｍｍ以上０．５ｍｍ未満、周縁部温度では５５℃以上６５℃以下）に収まるように基板加熱を制御するのが好適であると考察することができる。

そこで、本実施形態では、Ｄｒｙ期間において反り量を適正範囲に収めることで、処理液によって基板Ｗの上面Ｗｕに形成された薄膜ＴＦの周縁部をエッチング除去する、いわゆるエッチング処理を良好に行うべく、制御部１０を次のように構成している。すなわち、制御部１０は、各種演算処理を行う演算処理部１１、基本プログラムや上記適正範囲を記憶する記憶部１２および各種情報を表示するとともに操作者からの入力を受け付ける入力表示部１３を有している。そして、制御部１０においては、プログラムに記述された手順にしたがって主制御部としての演算処理部１１が演算処理を行うことにより、基板処理装置１の各部を以下のように制御する。

図１０は、図１に示す基板処理装置で実行される基板処理を示すフローチャートである。未処理の基板Ｗが、図示を省略する搬送ロボットなどにより装置外部から基板処理装置１に搬入されてスピンチャック２１の上面に載置されると、スピンチャック２１が当該基板Ｗを保持する。また、搬送ロボットが基板処理装置１から退避する。それに続いて、ノズルヘッド４１ａ～４１ｄはノズル移動機構６によって処理位置に配置されるとともに、スプラッシュガード３１はガード駆動機構３２によって上方位置に配置される（図１参照）。

こうして、基板処理の準備が完了すると、基板処理装置１の回転機構２３１が、基板Ｗを保持するスピンチャック２１の回転を開始する（ステップＳ１）。また、制御部１０からの点灯信号を受け、発光部７２の点灯が開始される（ステップＳ２）。各発光部７２から紫外光Ｌが射出され、透明部材７１２を介して回転している基板Ｗの下面Ｗｄの周縁部に照射される。

こうして、基板Ｗの周縁部の加熱が開始されると、例えば図６に示すように、点灯開始からの時間経過に伴って基板Ｗの周縁部温度が上昇する。周縁部温度が５０℃を超えると、図８に示すように、基板Ｗの反り量が緩やかに上昇し始め、さらに周縁部温度が６０℃を超えると、反り量が急激に上昇する。そこで、本実施形態では、基板処理中に反り量測定部８１が基板Ｗの反り量を測定し、当該測定値を演算処理部１１に送る（ステップＳ３）。一方、これを受け取った演算処理部１１は、測定値が反り量に関する適正範囲（３００ｍｍシリコンウエハについては０．４ｍｍ以上かつ０．５ｍｍ以下の範囲）内であるか否かを判定する（ステップＳ４）。このステップＳ４で測定値が適正範囲に達していない（未達）の間、基板Ｗの周縁部が十分に加熱されていないと演算処理部１１は判断し、ステップＳ３に戻って基板加熱とともに反り量の測定が繰り返される。逆に、ステップＳ４で測定値が適正範囲を超える（超過）と、演算処理部１１は、エッチング処理を良好に行うことができない程度にまで基板Ｗが反っていると判断し、基板Ｗに対するエッチング処理を中止する。つまり、ステップＳ５で発光部が消灯され、ステップＳ１０に進む。これによって、基板Ｗが大きく反った状態で処理液による基板Ｗの周縁部に対する処理が実行されるのを未然に防止することができる。また、このとき、その旨のメッセージを入力表示部１３に表示してもよい。

一方、ステップＳ４で測定値が適正範囲内であると演算処理部１１が判定すると、中央気体供給部４Ａによるノズル４４ａからガス流の吐出および周縁気体供給部４Ｂによるノズル４４ｂ～４４ｄからガス流の吐出を開始する（ステップＳ６）。こうして、窒素ガスの供給を受けた状態で、処理液供給部４Ｃが基板Ｗの上面の周縁部に当たるように処理液（薬液）を供給して薄膜ＴＦ（図５）の周縁部をエッチング除去する。それに続いて、処理液供給部４Ｃが基板Ｗの上面Ｗｕの周縁部に当たるように処理液（ＤＩＷ）を供給してリンス処理を施す。こうして、基板Ｗの周縁部に対する処理が実行される（ステップＳ７）。演算処理部１１が、基板Ｗの処理に要する処理時間の経過などを検出すると、処理液供給部４Ｃに吐出停止指令を与え、処理液の供給を停止する。

それに続いて、演算処理部１１からの消灯信号を受け、発光部７２が消灯し、基板Ｗの周縁部の加熱が停止される（ステップＳ８）。また、ガス流の供給も停止される（ステップＳ９）。さらに、スピンチャック２１の回転が停止される（ステップＳ１０）。その後で、図示を省略する搬送ロボットのハンドが基板処理装置１に進入し、処理済の基板Ｗを受け取ると、スピンチャック２１による基板Ｗの保持が解除される。そして、搬送ロボットは受け取った基板Ｗを次の基板処理装置に搬出する。

以上のように、第１実施形態によれば、周縁加熱機構７により加熱される基板Ｗの反り量を本発明の「周縁部情報」の一例として測定し、当該反り量が適正範囲となっていることを確認した上で、流体供給機構４から流体（薬液、ＤＩＷ、窒素ガス）の供給が開始される。例えば図６の曲線Ｃ（１０）に示すように発光部７２の点灯開始から１０秒経過した時点で流体の供給を開始するように初期設定していたとしても、発光部７２の点灯開始から７秒経過した時点で基板Ｗの反り量が適正範囲となると、流体供給タイミングが「１０秒経過後」から「７秒経過後」に調整される。このため、基板Ｗの周縁部に対する流体の供給位置の変動を抑えた状態で、Ｗｅｔ期間内において流体によるエッチング処理を行うことができる。その結果、基板処理の処理精度を高めることができる。

また、基板Ｗの反り量が適正範囲に到達していない、いわゆる未達状態においては流体供給を規制したまま加熱を継続し、その後に適正範囲に到達した時点で流体供給を開始している。つまり、基板Ｗを十分に加熱した状態で流体によるエッチングを行っている。したがって、上記したように処理精度を高めつつ、優れたエッチングレートが得られる。

＜第２実施形態＞
第１実施形態では、基板Ｗの反り量に基づいて流体供給タイミングを調整しているが、基板Ｗの周縁部温度を本発明の「周縁部情報」の一例として測定し、当該周縁部温度に基づいて流体供給タイミングを調整してもよい。この場合、反り量測定部８１の代わりに、放射温度計などで構成される温度測定部（図示省略）を設け、当該温度測定部により周縁部温度を測定すればよく、温度測定部による測定値が適正範囲（５５℃以上かつ６５℃以下の範囲）内であることを確認した上で流体供給を開始することができる（第２実施形態）。この第２実施形態においても、第１実施形態と同様の作用効果が得られる。もちろん、反り量測定部８１と温度測定部とを並存させ、反り量測定部８１による測定値および温度測定部による測定値の両方が適正範囲内であることを確認した上で流体供給を開始するように構成してもよい。

＜第３実施形態＞
上記第１実施形態および第２実施形態では、周縁加熱機構７により基板Ｗの周縁部のみを加熱している。このため、基板Ｗの面内において周縁部と中央部とで比較的大きな温度差が生じることがある。例えば図１に示す基板処理装置１において、Ｄｒｙ期間中に基板Ｗの周縁部温度を８０℃に加熱しながら基板Ｗの中央部の温度（以下「中央部温度」という）を２２℃、３０℃および４０℃に設定したときの基板Ｗの周縁部の反り量を測定すると、図１１に示すようなグラフが得られた。

図１１は、図１に示す基板処理装置における、中央部温度に対する反り量の変化特性を示すグラフである。同図に示すように、基板Ｗの周縁部の反り量は中央部温度の上昇、つまり周縁部温度と中央部温度との温度差が縮まるのに応じて減少する。したがって、上記第１実施形態や第２実施形態に対し、基板Ｗの周縁部の加熱と並行して中央部温度を上昇させるように構成してもよい（第３実施形態）。

図１２は、本発明に係る基板処理装置の第３実施形態の部分構成図である。第３実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、中央気体供給部４Ａの構成であり、その他の構成は第１実施形態と基本的に同一である。したがって、以下においては、相違点を中心に説明し、同一構成については同一符号を付して説明を省略する。

中央気体供給部４Ａの一構成要素であるノズル４４ａの中間部には、図１２に示すように、吐出口の内径よりも大きな内径を有する拡径空間４４ａ１が設けられている。この拡径空間４４ａ１に発熱体４９が遊挿されている。このため、配管４５ａを介してノズル４４ａの導入口に圧送されてきた窒素ガスは、拡径空間４４ａ１を規定するノズル内壁と発熱体４９との間に形成された流通通路を経由して吐出口に送られ、吐出口から基板Ｗの上面Ｗｕの中央部に向けて吐出される。

発熱体４９は、制御部１０と電気的に接続され、制御部１０からの指令に応じて作動することで発熱して表面温度を上昇させる。これにより、発熱体４９により上記流通通路を流れる窒素ガスが暖められ、窒素ガスの温度が室温（例えば２５℃）よりも高い温度、例えば４０℃程度まで上昇する。こうして加熱された窒素ガスは、基板Ｗの周縁部の加熱と並行して、スピンチャック２１上に保持されて回転している基板Ｗの上面Ｗｕの中央部に供給される。これによって、基板Ｗの中央部が昇温され、中央部温度と周縁部温度との温度差が縮まる。つまり、基板Ｗの面内温度差が小さくなる。その結果、基板Ｗの反りを効果的に抑えることができ、基板処理の精度をさらに向上させることができる。

この第３実施形態では、上記したように発熱体４９をノズル４４ａに内蔵させることにより基板Ｗの上面Ｗｕの中央部に供給する窒素ガスを加熱しているが、発熱体４９の配設位置はこれに限定されるのではなく、中央気体供給部４Ａにおいて窒素ガスが流通する経路のいずれかに設けてもよい。また、発熱体４９の代わりに、特許文献１に記載された加熱機構と同様に構成されたものを用いてもよい。さらに、予め加熱した窒素ガスをガス供給源４６ａに貯留させるとともに配管４５ａに対して断熱材を巻回するなどの断熱処置を施すことで、中央気体供給部４Ａが加熱された窒素ガスを基板Ｗの上面Ｗｕの中央部に供給するように構成してもよい。

また、第３実施形態では、発熱体４９を装備する中央気体供給部４Ａが本発明の「中央加熱機構」の一例に相当している。そして、周縁加熱機構７により基板Ｗの周縁部を加熱する期間と、中央加熱機構により基板Ｗの中央部を加熱する期間とを一致させている。ただし、両期間を一致させることは必須要件ではなく、少なくとも一部で重複させるように構成してもよい。

上記したように第３実施形態では、基板Ｗの上面Ｗｕの中央部に供給する窒素ガスを加熱することにより基板Ｗにおける中央部と周縁部との温度差を縮めるという発明を有している。つまり、上記発明を第１実施形態に適用しているが、第２実施形態や次に説明する第４実施形態にも適用することができる。また、当該発明の適用範囲は、基板Ｗの周縁部を発光部７２以外の方法で加熱する装置、例えば特許文献１に記載の装置に対しても適用することができる。

＜第４実施形態＞
上記第１実施形態ないし第３実施形態では、５つの発光部７２が、図４に示すように、加熱筐体７１の回転対称軸ａ７１を中心に等角度間隔で放射状に配置されている。これは、専ら回転している基板Ｗの周縁部の温度を均一にする観点から設計されている。しかしながら、基板処理中においては、周縁部に対して流体（薬液、ＤＩＷ、窒素ガス）が供給され、部分的に周縁部温度を低下させる要因となる。したがって、基板処理中に、基板Ｗの回転方向ＡＲ１における周縁部温度の均一化を図るためには、流体の供給位置を考慮するのが望ましい。そこで、第４実施形態では、この点を考慮して基板処理装置１が構成されている。以下、図４、図１３～図１６を参照しつつ、第４実施形態について詳述する。

図１３は、第１実施形態における基板処理中の温度分布を模式的に示す図であり、同図中の実線は等温線である。図１４は、第１実施形態におけるノズル位置に対する発光部の位置関係および各発光部から基板への投入熱量を示す図である。図１５は、本発明に係る基板処理装置の第４実施形態を上方から見た平面図である。図１６は、第４実施形態におけるノズル位置に対する発光部の位置関係および各発光部から基板への投入熱量を示す図である。ここでは、第１実施形態について説明した後で、第４実施形態について説明する。

第１実施形態では、図４に示すように、発光部７２により基板Ｗの周縁部を加熱しながら当該基板Ｗを回転させることで、基板Ｗの回転方向ＡＲ１において基板Ｗの周縁部温度を均一にしている。しかしながら、基板処理を行うために、流体供給機構４から流体（薬液、ＤＩＷ、窒素ガス）が基板Ｗに供給される。特に、基板処理においては、周縁気体供給部４Ｂのノズル４４ｂ～４４ｄおよび処理液供給部４Ｃのノズル４４ｅ、４４ｆはそれぞれ基板Ｗの周縁部近傍の位置Ｐｂ～Ｐｆに位置し、基板Ｗの周縁部の回転軌跡に向かって流体を吐出する。しかも、図１４の下段図に示すように、各発光部７２ａ～７２ｅからの紫外光Ｌが基板Ｗの周縁部に照射されることで投入される熱量は一定である。したがって、周縁部の特定点での周縁部温度は、基板Ｗが１回転する間に、図１４の上段グラフに示すように比較的大きく変動する。つまり、上記特定点は位置Ｐｂ～Ｐｆをそれぞれ通過する際に、流体供給を受ける。そのため、図１３に示すように、位置Ｐｂ～Ｐｆの近傍位置で周縁部温度が低くなり、回転方向ＡＲ１に沿った周方向位置で部分的に温度低下が認められる。

これに対し、第４実施形態では、図１５に示すように、５つの発光部７２はそれぞれ回転方向ＡＲ１において位置Ｐｂ～Ｐｆの近傍に配置されている。より詳しくは、回転方向ＡＲ１において位置Ｐｄに対して上流側で発光部７２が隣接して配置されている。この発光部７２をその他の発光部７２と区別するため、以下において「発光部７２ａ」と称する。また、回転方向ＡＲ１において位置Ｐｆ、Ｐｄ、Ｐｃに対して下流側で発光部７２がそれぞれ隣接して配置されている。これらの発光部７２をその他の発光部７２と区別するため、以下において位置Ｐｆ、Ｐｄ、Ｐｃに隣接するものをそれぞれ「発光部７２ｂ」、「発光部７２ｄ」、「発光部７２ｅ」と称する。さらに、それら発光部７２ａ、７２ｂ、７２ｄ、７２ｅ以外の発光部７２を「発光部７２ｃ」と称する。

第４実施形態では、制御部１０の演算処理部１１は、回転方向ＡＲ１における発光部７２ａ～７２ｅとノズル４４ｂ～４４ｆの位置Ｐｂ～Ｐｆとの位置関係に対応し、各発光部７２ａ～７２ｅから紫外光Ｌを周縁部に照射することで基板Ｗに投入する熱量（以下「投入熱量」という）を調整する。より詳しくは、基板処理を行うレシピ毎に、黒体スプレ－等を塗布した基板Ｗに対して基板処理を実行したときの流体供給による位置Ｐｂ～Ｐｆでの温度低下量を計測し、その計測結果を記憶部１２に記憶している。そして、ユーザに指定されたレシピで基板処理を行う際には、演算処理部１１は、記憶部１２からレシピに対応する計測結果（位置Ｐｂ～Ｐｆでの温度低下量）を読み出し、例えば図１６の下段グラフに示すように、当該計測結果に基づいて発光部７２ａ～７２ｅによる投入熱量を制御する。つまり、３本のノズル４４ｄ～４４ｆが隣接して配置され、窒素ガス、薬液、ＤＩＷの供給を連続的に受ける区間（位置Ｐｄ～Ｐｆが存在する区間）では、温度低下量が比較的大きい。そこで、その最下流に位置Ｐｆに隣接する発光部７２ｂについては、投入熱量が大きくなるように制御している（最高熱量の投入）。また、基板処理中にノズル４４ｂ～４４ｆのいずれとも隣接しない発光部７２ｃについては、投入熱量が小さくなるように制御している（最低熱量の投入）。さらに、それ以外の発光部７２ａ、７２ｄ、７２ｅについては、上記最高熱量と上記最低熱量との間の中間熱量が投入されるように制御している。その結果、例えば図１６の上段グラフに示すように、周縁部温度の変動幅が第１実施形態のそれ（図１４の上段グラフ）よりも小さくなっている。

以上のように、第４実施形態によれば、基板Ｗの周縁部に対して流体が供給される位置Ｐｂ～Ｐｄ、Ｐｆの近傍に発光部７２を配置している。しかも、流体供給に伴う位置Ｐｂ～Ｐｆでの温度低下量に応じて発光部７２ａ～７２ｅによる周縁部の加熱を制御し、流体供給に伴う周縁部の温度低下を補償している。このため、図１６の上段グラフに示すように、周縁部温度の変動量を抑えることができる。その結果、基板Ｗの反りを効果的に抑えることができ、基板処理の精度をさらに向上させることができる。

このように第４実施形態では、位置Ｐｅ、Ｐｆが本発明の「流体供給位置」および「処理液供給位置」の一例に相当し、それらのうち位置Ｐｆに対応して配設された発光部７２ｂが本発明の「第１加熱部」の一例に相当している。位置Ｐｂ～Ｐｄが本発明の「流体供給位置」および「気体供給位置」の一例に相当し、それらに対応して配設された発光部７２ｄ、７２ｅ、７２ａが本発明の「第２加熱部」の一例に相当している。また、基板Ｗの回転方向ＡＲ１において、位置Ｐｄに対する上流側が本発明の「処理液供給位置に対して気体供給位置の反対側」に相当し、位置Ｐｆに対する下流側が本発明の「気体供給位置に対して処理液供給位置の反対側」に相当している。

第４実施形態では、周縁加熱機構７が、第１加熱部および第２加熱部を有するように構成するとともに、記憶部１２に記憶される温度変動量（＝第１温度低下量＋第２温度低下量）に基づき第１加熱部による加熱と第２加熱部による加熱とによって、流体供給による基板Ｗの周縁部の温度低下を補償するという発明を有している。つまり、上記発明を第１実施形態に適用しているが、第２実施形態や第３実施形態にも適用することができる。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば第１実施形態ないし第４実施形態では、周縁加熱機構７は５つの発光部７２を有しているが、第１実施形態ないし第３実施形態における発光部７２の個数は、「５」に限定されるものではなく、任意である。一方、第４実施形態における発光部７２の個数は、「５」に限定されるものではなく、２～４または６以上であってもよい。

上記第１実施形態ないし第４実施形態では、発光部７２は紫外光Ｌを基板Ｗの周縁部に照射して加熱している。ただし、本発明の「加熱部」として、紫外波長以外の光を照射する発光部を用いてもよい。

この発明は、水平姿勢で鉛直軸周りに回転する基板の周縁部を加熱しながら周縁部に流体を供給して所定の基板処理を施す基板処理全般に対して適用することができる。

１…基板処理装置
４…流体供給機構
４Ｂ…周縁気体供給部
４Ｃ…処理液供給部
７…周縁加熱機構
１０…制御部
１１…演算処理部
１２…記憶部
２１…スピンチャック（基板保持部）
２３…回転駆動部
４９…発熱体（中央加熱機構）
７２ａ、７２ｄ、７２ｅ…発光部（第２加熱部）
７２ｂ…発光部（第１加熱部）
８１…反り量測定部
ａ１…鉛直軸
ＡＲ１…回転方向
Ｐｂ～Ｐｄ…気体供給位置（流体供給位置）
Ｐｅ、Ｐｆ…処理液供給位置（流体供給位置）
Ｗ…基板

Claims (15)

1. 基板を水平に保持し、鉛直軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、
   前記基板保持部を前記鉛直軸周りに回転させる回転駆動部と、
   回転する前記基板の周縁部に流体を供給する流体供給機構と、
   回転する前記基板の周縁部を加熱する周縁加熱機構と、
   前記流体供給機構および前記周縁加熱機構を制御する制御部と、を備え、
   前記制御部は、
   前記流体の供給前に前記周縁加熱機構により前記基板の周縁部を加熱し、
   加熱された前記基板の周縁部の温度および鉛直方向における反り量の少なくとも一方に基づいて前記流体の供給開始タイミングを決定する、
   ことを特徴とする、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記流体供給機構は、
   回転する前記基板の周縁部に処理液を供給する処理液供給部と、
   回転する前記基板の周縁部に気体を供給する周縁気体供給部と、
   を有し、
   前記制御部は、前記供給開始タイミングから前記処理液または前記気体を前記流体として供給するように前記流体供給機構を制御する、基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記供給開始タイミングで前記周縁気体供給部から前記気体の供給を開始し、前記気体が前記周縁部に供給されたまま前記処理液供給部から前記処理液を供給して前記周縁部を処理するように前記流体供給機構を制御する、基板処理装置。
4. 請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
   回転する前記基板の周縁部の温度を測定する温度測定部を備え、
   前記制御部は、前記温度測定部により測定された温度が６５℃を超えるときには、前記流体の供給を規制するように前記流体供給機構を制御する、基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記温度測定部により測定された温度が５５℃以上であるときに、前記流体の供給を開始するように前記流体供給機構を制御する、基板処理装置。
6. 請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置であって、
   回転する前記基板の周縁部の前記鉛直方向における反り量を測定する反り量測定部を備え、
   前記制御部は、前記反り量測定部により測定された反り量が０．５ｍｍを超えるときには、前記流体の供給を規制するように前記流体供給機構を制御する、基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記反り量測定部により測定された反り量が０．４ｍｍ以上であるときに、前記流体の供給を開始するように前記流体供給機構を制御する、基板処理装置。
8. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記周縁加熱機構は、前記流体が供給される流体供給位置の近傍で前記周縁部を加熱する加熱部を有し、
   前記制御部は、
   前記流体の供給による前記流体供給位置での前記周縁部の温度変動量を記憶する記憶部を有し、
   前記温度変動量に応じた前記加熱部による加熱によって、前記流体の供給による前記周縁部の温度低下を補償するように前記周縁加熱機構を制御する、基板処理装置。
9. 請求項８に記載の基板処理装置であって、
   前記流体供給機構は、
   回転する前記基板の周縁部に処理液を前記流体として供給する処理液供給部と、
   回転する前記基板の周縁部に気体を前記流体として供給する周縁気体供給部と、
   を有し、
   前記周縁加熱機構は、前記処理液供給部により前記処理液が供給される処理液供給位置の近傍で前記周縁部を加熱する第１加熱部と、前記周縁気体供給部により前記気体が供給される気体供給位置の近傍で前記周縁部を加熱する第２加熱部と、を有し、
   前記記憶部に記憶される前記温度変動量は、前記処理液の供給により前記処理液供給位置での前記周縁部の第１温度低下量と、前記気体の供給による前記気体供給位置での前記周縁部の第２温度低下量と、を含み、
   前記制御部は、前記第１温度低下量に応じた前記第１加熱部による加熱と、前記第２温度低下量に応じた前記第２加熱部による加熱とによって、前記処理液および前記気体の供給による前記周縁部の温度低下を補償するように前記周縁加熱機構を制御する、基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置であって、
    前記基板の回転方向において前記処理液供給位置および前記気体供給位置が隣接するとき、
    前記回転方向において、前記第１加熱部は前記気体供給位置に対して前記処理液供給位置の反対側に配置されるとともに、前記第２加熱部は前記処理液供給位置に対して前記気体供給位置の反対側に配置される、基板処理装置。
11. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
    回転する前記基板の中央部を加熱する中央加熱機構を備え、
    前記制御部は、前記周縁加熱機構により前記周縁部を加熱する期間と、前記中央加熱機構により前記中央部を加熱する期間とを少なくとも一部で重複させるように前記周縁加熱機構と前記中央加熱機構とを制御する、基板処理装置。
12. 請求項１１に記載の基板処理装置であって、
    前記基板保持部は前記基板の下面の中央部を吸着して保持し、
    前記中央加熱機構は、前記基板保持部に吸着保持された前記基板の前記中央部に向けて気体を吐出して加熱する、基板処理装置。
13. 基板を水平に保持し、鉛直軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、
    前記基板保持部を前記鉛直軸周りに回転させる回転駆動部と、
    回転する前記基板の周縁部に流体を供給する流体供給機構と、
    回転する前記基板の周縁部に対し、前記流体供給機構により前記流体が供給される流体供給位置の近傍で前記基板の周縁部を加熱する周縁加熱機構と、
    前記流体供給機構および前記周縁加熱機構を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記流体の供給による前記流体供給位置での前記周縁部の温度低下量を記憶する記憶部を有し、
    前記温度低下量に応じた前記周縁加熱機構による加熱によって、前記流体の供給による前記周縁部の温度低下を補償するように前記周縁加熱機構を制御することを特徴とする、基板処理装置。
14. 基板を水平に保持し、鉛直軸周りに回転可能に設けられた基板保持部と、
    前記基板保持部を前記鉛直軸周りに回転させる回転駆動部と、
    回転する前記基板の周縁部に流体を供給する流体供給機構と、
    回転する前記基板の周縁部に対し、前記流体供給機構により前記流体が供給される流体供給位置の近傍で前記基板の周縁部を加熱する周縁加熱機構と、
    回転する前記基板の中央部を加熱する中央加熱機構と、
    前記流体供給機構、前記周縁加熱機構および前記中央加熱機構を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記周縁加熱機構により前記周縁部を加熱する期間と、前記中央加熱機構により前記中央部を加熱する期間とを少なくとも一部で重複させるように前記周縁加熱機構と前記中央加熱機構とを制御することを特徴とする、基板処理装置。
15. 水平姿勢で鉛直軸周りに回転する基板の周縁部を加熱しながら前記周縁部に流体を供給する基板処理方法であって、
    加熱された前記基板の周縁部の温度および鉛直方向における反り量の少なくとも一方を周縁部情報として測定する工程と、
    前記周縁部情報に基づいて加熱された前記基板の周縁部に前記流体の供給を開始する供給開始タイミングを調整する工程と、
    を備えることを特徴とする、基板処理方法。

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