JP2023028200A - パルス幅計測治具 - Google Patents

Abstract

【課題】レーザー加工装置のパルス幅計測治具を提供する。【解決手段】パルスレーザービームを受け入れる入光部１２と、ビームスプリッター１３と、第一のレーザービームＬＢ１をビームスプリッター１３に向けて反射する第一のミラー１５Ａと、第二の経路Ｌ２に分岐された第二のレーザービームＬＢ２をビームスプリッター１３に向けて反射する第二のミラー１５Ｂと、第一、二の１／４波長板１４Ａ、１４Ｂと、第一、二のミラー１５Ａ、１５Ｂのいずれかを光軸方向に移動して光路長を可変する光路長変更手段１６と、ビームスプリッター１３で合流した第一のレーザービームの戻り光ＬＢ１’及びＬＢ２’の合成レーザービームＬＢ３の通過を許容する非線形結晶体１７を通過した合成レーザービームＬＢ４の光強度を計測するホトデテクター１８と、を含み、入光部１２からホトデテクター１８までの光学部品が、同一平面１１ａ上に配設されている。【選択図】図３

Description

本発明は、パルスレーザービームのパルス幅を計測する複数の光学部品から構成されるパルス幅計測治具に関する。

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画された表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。

レーザー加工装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハにパルスレーザービームを照射するレーザー照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー照射手段とを相対的にＸ軸方向Ｙ軸方向に移動する移動手段とを含み、該レーザー照射手段は、パルスレーザービームを発振する発振器と、該発振器が発振したパルスレーザービームを該チャックテーブルに保持されたウエーハに集光する集光器と、該発振器と該集光器との間に配設される光学系と、を備えている（例えば特許文献１を参照）。

特開２０１２－００２６０４号公報

上記したレーザー加工装置においては、レーザー加工による加工品質を維持すべく、定期的、又は任意のタイミングで、レーザー照射手段の光学系のメンテナンスが行われ、該メンテナンスの中で、発振器によって発振されるパルスレーザービームのパルス幅を計測し、該パルス幅が、所望のパルス幅であるか否かの検査が行われている。

しかし、従来におけるパルス幅の計測に使用されているパルス幅計測装置は、装置が大掛かりであり、メンテナンスが行われるレーザー加工装置の近傍に該パルス幅計測装置を位置付け、レーザー加工装置のレーザー照射手段から照射されるパルスレーザービームを別途の分岐手段を使用して分岐し、レーザー加工装置に隣接して配置された該パルス幅計測装置に導いてパルス幅を計測するものであり、計測するまでに、該装置の設置や調整が面倒で、煩に堪えないという問題がある。

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー加工装置の外にパルスレーザービームを分岐させることなく、パルス幅の計測を効率よく実施することができるパルス幅計測治具を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、パルスレーザービームのパルス幅を計測する複数の光学部品から構成されるパルス幅計測治具であって、パルスレーザービームを受け入れる入光部と、該入光部から入光されたパルスレーザービームを第一の経路と第二の経路に分岐するビームスプリッターと、該第一の経路に分岐された第一のレーザービームを該ビームスプリッターに向けて反射する第一のミラーと、該第二の経路に分岐された第二のレーザービームを該ビームスプリッターに向けて反射する第二のミラーと、該ビームスプリッターと該第一のミラーとの間に配設される第一の１／４波長板と、該ビームスプリッターと該第二のミラーとの間に配設される第二の１／４波長板と、該第一のミラー又は第二のミラーのいずれかを光軸方向に移動して光路長を可変する光路長変更手段と、該第一のミラー及び該第二のミラーによって反射され該ビームスプリッターで合流した該第一のレーザービームの戻り光及び第二のレーザービームの戻り光の合成レーザービームの通過を許容する非線形結晶体と、該非線形結晶体を通過した合成レーザービームの光強度を計測するホトデテクターと、を含み、該入光部から該ホトデテクターまでの光学部品が、同一平面上に配設されているパルス幅計測治具が提供される。

本発明のパルス幅計測治具は、パルスレーザービームのパルス幅を計測する複数の光学部品から構成されるパルス幅計測治具であって、パルスレーザービームを受け入れる入光部と、該入光部から入光されたパルスレーザービームを第一の経路と第二の経路に分岐するビームスプリッターと、該第一の経路に分岐された第一のレーザービームを該ビームスプリッターに向けて反射する第一のミラーと、該第二の経路に分岐された第二のレーザービームを該ビームスプリッターに向けて反射する第二のミラーと、該ビームスプリッターと該第一のミラーとの間に配設される第一の１／４波長板と、該ビームスプリッターと該第二のミラーとの間に配設される第二の１／４波長板と、該第一のミラー又は第二のミラーのいずれかを光軸方向に移動して光路長を可変する光路長変更手段と、該第一のミラー及び該第二のミラーによって反射され該ビームスプリッターで合流した該第一のレーザービームの戻り光及び第二のレーザービームの戻り光の合成レーザービームの通過を許容する非線形結晶体と、該非線形結晶体を通過した合成レーザービームの光強度を計測するホトデテクターと、を含み、該入光部から該ホトデテクターまでの光学部品が、同一平面上に配設されていることから、平面的でレーザー加工装置のチャックテーブルに載置して、パルス幅を計測することが可能になり、レーザー照射手段を構成する光学系からレーザー光線を分岐してパルス幅を計測しなければならず、煩に堪えないという問題が解消する。

本実施形態のパルス幅計測治具及びレーザー加工装置の斜視図である。 図１に示すパルス幅計測治具を拡大して示す斜視図である。 図２に示すパルス幅計測治具を使用してパルス幅を計測する態様を示す斜視図である。

以下、本発明に基づいて構成されるパルス幅計測治具に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。

図１には、本実施形態のパルス幅計測治具１０と、該パルス幅計測治具１０を使用してパルスレーザービームのパルス幅が計測されるレーザー加工装置１の全体斜視図が示されている。

レーザー加工装置１は、基台２上に配置され、板状の被加工物を保持する保持手段３と、板状の被加工物に対してパルスレーザービームを照射するレーザー照射手段６と、保持手段３に保持された被加工物を撮像するカメラ７ａを備えたアライメント手段７と、レーザー照射手段６と保持手段３とを相対的に加工送りすると共にアライメント手段７と保持手段３とを相対的に移動させる移動手段４と、基台２上において移動手段４の奥側に立設される垂直壁部５ａ及び垂直壁部５ａの上端部から水平方向に延びる水平壁部５ｂからなる枠体５とを備えている。

保持手段３は、図１に示すように、Ｘ軸方向において移動自在に基台２に搭載された矩形状のＸ軸方向可動板３１と、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向において移動自在にＸ軸方向可動板３１に搭載された矩形状のＹ軸方向可動板３２と、Ｙ軸方向可動板３２の上面に固定された円筒状の支柱３３と、支柱３３の上端に固定された矩形状のカバー板３４とを含む。カバー板３４にはカバー板３４上に形成された長穴を通って上方に延びるチャックテーブル３５が配設されている。チャックテーブル３５は、支柱３３内に収容された図示しない回転駆動手段により回転可能に構成される。チャックテーブル３５には、通気性を有する多孔質材料から形成され実質上水平に延在する円形状の吸着チャック３５ａが配設されている。吸着チャック３５ａは、支柱３３を通る流路によって図示しない吸引手段に接続されている。

移動手段４は、Ｘ軸送り手段４２と、Ｙ軸送り手段４４と、を含む。Ｘ軸送り手段４２は、モータ４２ａの回転運動を、ボールねじ４２ｂを介して直線運動に変換してＸ軸方向可動板３１に伝達し、基台２上にＸ軸方向に沿って配設された一対の案内レール２ａ、２ａに沿ってＸ軸方向可動板３１をＸ軸方向において進退させる。Ｙ軸送り手段４４は、モータ４４ａの回転運動を、ボールねじ４４ｂを介して直線運動に変換し、Ｙ軸方向可動板３２に伝達し、Ｘ軸方向可動板３１上においてＹ軸方向に沿って配設された一対の案内レール３６、３６に沿ってＹ軸方向可動板３２をＹ軸方向において進退させる。

枠体５の水平壁部５ｂの内部には、レーザー照射手段６を構成する光学系（図示は省略）が収容される。水平壁部５ｂの先端部下面側には、レーザー照射手段６の一部を構成する集光器６ａが配設される。アライメント手段７のカメラ７ａは、集光器６ａに対して図中矢印Ｘで示すＸ軸方向で隣接する位置に配設されている。カメラ７ａは、可視光線により撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕える光学系と、該光学系が捕えた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等を含む。

レーザー加工装置１には、図示を省略する制御手段が配設されている。該制御手段は、コンピュータによって構成され、上記の移動手段４、レーザー照射手段６、アライメント手段７に加え、レーザー加工装置１の上面に配設される表示手段８が接続され、各作動部を制御すると共に、表示手段８に加工条件を表示したり、アライメント手段７のカメラ７ａによって撮像した画像を表示したりすることができる。

上記したレーザー加工装置１のレーザー照射手段６は、図示を省略する光学系を備え、該光学系には、所定のパルス幅のパルスレーザービームを発振する発振器が配設されており、定期的、又は任意に実施されるメンテナンス時に、該発振器から発振されるパルスレーザービームのパルス幅を計測し、所望のパルス幅になっているか否かが判定される。

図２には、図１に示したパルス幅計測治具１０を拡大した斜視図が示されている。パルス幅計測治具１０は、下面が平坦に形成された板状の円形基板１１を備え、該円形基板１１の平面１１ａ上に、上方から照射されるパルスレーザービームを受け入れる入光部１２と、該平面１１ａの中央に配設され入光部１２から入光されたパルスレーザービームを多層膜コートによって形成された反射面１３ａによって第一の経路Ｌ１と第二の経路Ｌ２とに分岐するビームスプリッター１３と、第一の経路Ｌ１に分岐された第一のレーザービームをビームスプリッター１３に向けて反射する第一のミラー１５Ａと、第二の経路Ｌ２に分岐された第二のレーザービームをビームスプリッター１３に向けて反射する第二のミラー１５Ｂと、ビームスプリッター１３と第一のミラー１５Ａとの間に配設される第一の１／４波長板１４Ａと、ビームスプリッター１３と第二のミラー１５Ｂとの間に配設される第二の１／４波長板１４Ｂと、第一のミラー１５Ａを光軸方向に移動して光路長を可変する光路長変更手段１６と、第一のミラー１５Ａ及び該第二のミラー１５Ｂによって反射されビームスプリッター１３で合流した第一のレーザービームの戻り光及び該第二のレーザービームの戻り光の合成レーザービームの通過を許容する非線形結晶体１７と、非線形結晶体１７を通過した後の合成レーザービームの光強度を計測するホトデテクター１８と、を少なくとも含む光学部品が配設されている。なお、本実施形態の第一の経路Ｌ１は、ビームスプリッター１３の反射面１３ａを起端とし、第一のミラー１５Ａで反射されて、該ビームスプリッター１３の反射面１３ａに至る経路であり、第二の経路Ｌ２は、ビームスプリッター１３の反射面１３ａを起端とし、第二のミラー１５Ｂで反射されて、該ビームスプリッター１３の反射面１３ａに至る経路である。

入光部１２は、傾斜角が４５度の反射面１２ａを備えており、平面１１ａに対して垂直上方から照射されるパルスレーザービームを水平方向に反射し、円形基板１１の平面１１ａの中央に配設されたビームスプリッター１３に向けてその光路を変換する。

該光路長変更手段１６は、ステップモータ１６１と、ステップモータ１６１の出力軸に連結された雄ねじ１６２と、該雄ねじ１６２が螺合される雌ねじ孔を備えたナット部１６３とを備えている。ナット部１６３は、第一のミラー１５Ａと一体で形成されており、該ステップモータ１６１を作動して雄ねじ１６２を回転させることにより、第一のミラー１５Ａを矢印Ｒで示す方向、すなわち第一の経路Ｌ１の光軸方向に移動させる。

上記のステップモータ１６１及びホトデテクター１８は、制御手段１００に接続されている。該制御手段１００は、ホトデテクター１８によって検出される光強度を電気信号として記憶すると共に、ステップモータ１６１を制御することが可能であり、制御装置１００から発信される該ステップモータ１６１への作動信号によって、第一のミラー１５Ａを、第一の経路Ｌ１を通るパルスレーザービームの光軸方向に沿って精密に進退させることができる。該制御手段１００は、必ずしもパルス幅計測治具１０に配設されている必要はなく、ステップモータ１６１とホトデテクター１８とを、上記したレーザー加工装置１に備えられている制御手段（図示は省略する）に電気的に接続して、レーザー加工装置１の制御手段をパルス幅計測治具１０によってパルス幅を計測するのに利用することができる。

上記した図１、２に加え、図３を参照しながら、レーザー加工装置１に上記のパルス幅計測治具１０を適用した場合の作用効果について説明する。

パルス幅計測治具１０の円形基板１１は、上記したレーザー加工装置１のチャックテーブル３５によって吸引保持される寸法に設定され、例えば、吸着チャック３５ａに対応する大きさ、又はそれよりも大きい寸法に設定される。

パルス幅を計測するに際しては、まず、パルス幅計測治具１０をチャックテーブル３５の吸着チャック３５ａ上に載置し、図示を省略する吸引手段を作動して吸着チャック３５ａに負圧を生成し吸引保持する。次いで、上記の移動手段４を作動して、チャックテーブル３５と共にパルス幅計測治具１０を移動して、アライメント手段７のカメラ７ａの直下に位置付ける。次いで、カメラ７ａによってパルス幅計測治具１０を撮像し、円形基板１１の平面１１ａ上に配設された入光部１２の反射面１２ａの中心位置を検出する。

上記したように、アライメント手段７によって入光部１２の反射面１２ａの中心位置を検出したならば、移動手段４を作動して、入光部１２の反射面１２ａの中心位置をレーザー照射手段６の集光器６ａの直下に位置付ける。次いで、レーザー照射手段６を作動して、集光器６ａからパルスレーザービームＬＢ０を照射する。パルスレーザービームＬＢ０は、例えば波長が３５５ｎｍであり、平均出力は、上記の光学部品がレーザー加工されない程度の低出力に設定される。

図３に示すように、集光器６ａから照射されるパルスレーザービームＬＢ０は、入光部１２の反射面１２ａで反射してビームスプリッター１３に入光する。ビームスプリッター１３は、内部に形成された反射面１３ａよって、入光部１２から入光したパルスレーザービームＬＢ０のＰ偏光を第一のレーザービームＬＢ１として上記の第一の経路Ｌ１側に透過し、該パルスレーザービームＬＢ０のＳ偏光を第二のレーザービームＬＢ２として上記の第二の経路Ｌ２側に反射して分岐する。

ビームスプリッター１３の反射面１３ａを通過したＰ偏光の第一のレーザービームＬＢ１は、ビームスプリッター１３と第一のミラー１５Ａとの間に配設された第一の１／４波長板１４Ａを透過する際に円偏光に変換され、第一のミラー１５Ａにて反射する。第一のレーザービームＬＢ１は、第一のミラー１５Ａにて反射する際に、円偏光の回転方向が逆方向に変換されて、第一の１／４波長板１４Ａを透過する際には、Ｓ偏光に変換されて第一のレーザービームＬＢ１の戻り光ＬＢ１’としてビームスプリッター１３に入光し、反射面１３ａにて反射して、ホトデテクター１８側に導かれ、非線形結晶体１７に入光する。

他方、ビームスプリッター１３の反射面１３ａで反射したＳ偏光の第二のレーザービームＬＢ２は、ビームスプリッター１３と第二のミラー１５Ｂとの間に配設された第二の１／４波長板１４Ｂを透過する際に円偏光に変換され、第二のミラー１５Ｂにて反射する。第二のミラー１５Ｂにて反射する際に、円偏光の回転方向が逆方向に変換されて、第二の１／４波長板１４Ｂを透過する際には、Ｐ偏光に変換されて第二のレーザービームＬＢ２の戻り光ＬＢ２’としてビームスプリッター１３に入光し、反射面１３ａを透過して、ホトデテクター１８側に導かれ、非線形結晶体１７に入光する。

非線形結晶体１７に入光するパルスレーザービームは、上記したように、第一のレーザービームの戻り光ＬＢ１’と、第二のレーザービームの戻り光ＬＢ２’とがビームスプリッター１３において合流した後の合成レーザービームＬＢ３であり、該合成レーザービームＬＢ３は、Ｐ偏光のパルスレーザービームとＳ偏光のパルスレーザービームの合成レーザービームである。ここで、本実施形態の非線形結晶体１７は、該合成レーザービームＬＢ３を構成するＰ偏光のパルスレーザービームと、Ｓ偏光のパルスレーザービームの波形の重なり率に応じて、非線形結晶体１７を透過する透過率比が変化して合成レーザービームＬＢ４の光強度が変化するという性質を備えている。

そこで、本実施形態の制御手段１００は、上記した光路長変更手段１６のステップモータ１６１を作動して、第一のミラー１５Ａを光軸方向に移動させることにより、ビームスプリッター１３から分岐されて第一のミラー１５Ａで反射して該ビームスプリッター１３に戻る第一の経路Ｌ１の光路長を変化させると共に、ホトデテクター１８によって光強度の変化を検出する。なお、第一の経路Ｌ１の光路長の変化量は、第一のミラー１５Ａの光軸方向の移動距離の２倍に対応する。

図３の下方には、第一の経路Ｌ１の光路長を変化させるに伴い、ホトデテクター１８によって検出された光強度に基づきプロットされた非線形結晶体１７を透過する透過率比の変化がグラフで示されている。該グラフは、縦軸が該透過率比であり、横軸は、第一の経路Ｌ１の光路長の変化量に対応し、該光路長の変化量を光の速度で除算して得られる時間（ピコ秒（ｐｓ））である。さらに、各プロット点に基づいて作成した近似曲線Ｓも示している。

グラフ中においてＰ０で示す点は、ホトデテクター１８において検出される光強度が最大となる点であり、合成レーザービームＬＢ３を構成するＰ偏光のパルスレーザービームと、Ｓ偏光のパルスレーザービームの波形が、全く重なり合っていない状態である。この状態で検出される光強度を、合成レーザービームＬＢ３が非線形結晶体１７を透過する透過率比の基準（０％）とする。すなわち、光路長変更手段１６を作動して、第一の経路Ｌ１の光路長を、第二の経路Ｌ２よりも予め短くしておく。そして、上記した光路長変更手段１６を作動して、第一のミラー１５Ａを移動させて、光路長を伸ばしていくに従い、合成レーザービームＬＢ３を構成するＰ偏光のパルスレーザービームの波形と、Ｓ偏光のパルスレーザービームの波形とが重なりを開始し、重なり率の増加に伴い、合成レーザービームＬＢ３が非線形結晶体１７を通過した後の合成レーザービームＬＢ４の光強度が減少する。

図３の下方に示すグラフ中の近似曲線Ｓの極小点Ｐ１が、合成レーザービームＬＢ３を構成するＰ偏光のパルスレーザービームと、Ｓ偏光のパルスレーザービームとが完全に重なった場合の点、すなわち、第一の経路Ｌ１の光路長と第二の経路Ｌ２の光路長とが一致した点を示しており、非線形結晶体１７を通過した後の合成レーザービームＬＢ４の光強度が最低となる。さらに光路長変更手段１６を作動して、第一のミラー１５Ａを移動して光路長を伸ばすことで、合成レーザービームＬＢ３を構成するＰ偏光のパルスレーザービームと、Ｓ偏光のパルスレーザービームとの重なり率が低下して、合成レーザービームＬＢ４のホトデテクター１８によって検出される光強度が増加する。そして、該重なりが終了することで、点Ｐ２で示すように、検出される光強度が最大となり、透過率比が上記の点Ｐ０と同様の値となる。このようにして導かれた波形（近似曲線Ｓ）は、パルスレーザービームＬＢ０のパルス波形と極めて相関が高い波形であり、以下に示す演算手順により、該近似曲線ＳからパルスレーザービームＬＢ０のパルス幅を算出する。

上記した実施形態において、近似曲線Ｓの点Ｐ０から点Ｐ２までの、第一の経路Ｌ１の光路長の変化量Ｘ１は、例えば、１２０００μｍである。この１２０００μｍを、ピコ秒（ｐｓ）当たりの光の速度（３００μｍ／ｐｓ）で除算すると４０ｐｓとなる。また、図３のグラフに示された変化量Ｘ１＝１２０００μｍに対応する透過率比の分布から、パルス幅Ｗに対応する第一の経路Ｌ１の変化量Ｘ２は、近似曲線Ｓの極小点Ｐ１の透過率比Ｑ１の１／２である透過率比Ｑ２となる点Ｐ３－Ｐ４の光路長の変化量として算出される。本実施形態において検出される変化量Ｘ２は３１８０μｍであり、本実施形態において計測されるパルス幅Ｗは、該変化量Ｘ２を上記の光の速度（３００μｍ／ｐｓ）で除算して得られた値を基準として特定される。より具体的にいえば、３１８０μｍ÷３００μｍ／ｐｓ＝１０．６ｐｓを基準値として算出し、パルスレーザービームＬＢ０のパルス波形をガウス波形と仮定した場合のパラメータである２^１／２（≒１．４１）で１０．６ｐｓを除算し、これにより得られた値（＝７．５ｐｓ）をパルス幅Ｗと決定して計測値とし、制御手段１００に記憶する。そして、該計測されたパルス幅Ｗが所望のパルス幅であるか否かが判定されて、該所望のパルス幅でないと判定された場合は、パルスレーザービームを発振する発振器が調整されるか、又は交換される。

なお、上記したパルス幅の計測方法は一例にすぎず、パルス幅の演算方法は他にも種々知られているのであり、本発明のパルス幅計測治具１０を使用して実際にパルス幅を決定する演算手法は、上記した実施形態に限定されない。

上記した実施形態によれば、平面的でレーザー加工装置のチャックテーブルに載置して、パルス幅を計測することが可能になり、レーザー照射手段を構成する光学系からレーザー光線を分岐してパルス幅を計測しなければならず、煩に堪えないという問題が解消する。

上記した実施形態では、光路長変更手段１６を、第一のミラー１５Ａを光軸方向に移動させる手段として配設したが、本発明はこれに限定されず、第二のミラー１５Ｂを光軸方向に移動させる手段として配設してもよい。その場合も、図３に基づいて説明したのと同様の計測結果を得ることができる。

１：レーザー加工装置
２：基台
３：保持手段
３１：Ｘ軸方向可動板
３２：Ｙ軸方向可動板
３３：支柱
３４：カバー板
３５：チャックテーブル
３５ａ：吸着チャック
３６：案内レール
４：移動手段
４２：Ｘ軸送り手段
４２ａ：モータ
４２ｂ：ボールねじ
４４：Ｙ軸送り手段
４４ａ：モータ
４４ｂ：ボールねじ
５：枠体
６：レーザー照射手段
６ａ：集光器
７：アライメント手段
７ａ：カメラ
８：表示手段
１０：パルス幅計測治具
１１：円形基板
１１ａ：平面
１２：入光部
１２ａ：反射面
１３：ビームスプリッター
１３ａ：反射面
１４Ａ：第一の１／４波長板
１４Ｂ：第二の１／４波長板
１５Ａ：第一のミラー
１５Ｂ：第二のミラー
１６：光路長変更手段
１６１：ステップモータ
１６２：雄ねじ
１６３：ナット部
１７：非線形結晶体
１８：ホトデテクター
Ｌ１：第一の経路
Ｌ２：第二の経路

Claims (1)

1. パルスレーザービームのパルス幅を計測する複数の光学部品から構成されるパルス幅計測治具であって、
   パルスレーザービームを受け入れる入光部と、該入光部から入光されたパルスレーザービームを第一の経路と第二の経路に分岐するビームスプリッターと、該第一の経路に分岐された第一のレーザービームを該ビームスプリッターに向けて反射する第一のミラーと、該第二の経路に分岐された第二のレーザービームを該ビームスプリッターに向けて反射する第二のミラーと、該ビームスプリッターと該第一のミラーとの間に配設される第一の１／４波長板と、該ビームスプリッターと該第二のミラーとの間に配設される第二の１／４波長板と、該第一のミラー又は第二のミラーのいずれかを光軸方向に移動して光路長を可変する光路長変更手段と、該第一のミラー及び該第二のミラーによって反射され該ビームスプリッターで合流した該第一のレーザービームの戻り光及び第二のレーザービームの戻り光の合成レーザービームの通過を許容する非線形結晶体と、該非線形結晶体を通過した合成レーザービームの光強度を計測するホトデテクターとを含み、
   該入光部から該ホトデテクターまでの光学部品が、同一平面上に配設されているパルス幅計測治具。

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