JP2023019435A - 発光装置およびプロジェクター - Google Patents

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Abstract

【課題】小型化を図ることができる発光装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板に設けられた積層体と、前記積層体に設けられ、前記積層体に電流を注入する導電層と、を有し、前記積層体は、前記基板と前記導電層との間に設けられ、第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有し、前記導電層は、前記積層体の積層方向と直交する方向に延伸する複数のワイヤー部を有し、前記発光層で発生した光を偏光させ、前記発光層には、前記複数のワイヤー部を介して電流が注入される、発光装置。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置およびプロジェクターに関する。
液晶プロジェクターでは、画像表示に際して偏光を必要とするため、液晶プロジェクター用の光源としては、偏光度の高い光を出射することが望ましい。
例えば特許文献１には、リード部にフリップチップ接続された発光素子と、リード部の窓の位置において発光素子と対向する側に取り付けられた偏光板と、を具備する偏光光源が記載されている。
特開２０１３－７２９９０号公報
しかしながら、特許文献１に記載の偏光光源では、発光素子と偏光板とが離間して設けられているため、大型化してしまう。
本発明に係る発光装置の一態様は、
基板と、
前記基板に設けられた積層体と、
前記積層体に設けられ、前記積層体に電流を注入する導電層と、
を有し、
前記積層体は、前記基板と前記導電層との間に設けられ、
第１導電型の第１半導体層と、
前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記導電層は、前記積層体の積層方向と直交する方向に延伸する複数のワイヤー部を有し、前記発光層で発生した光を偏光させ、
前記発光層には、前記複数のワイヤー部を介して電流が注入される。
本発明に係るプロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第１実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第２実施形態に係る発光装置を模式的に示す平面図。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図。 第３実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第４実施形態に係る発光装置を模式的に示す断面図。 第５実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
１． 第１実施形態
１．１． 発光装置
まず、第１実施形態に係る発光装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す断面図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置１００を模式的に示す平面図である。なお、図１は、図２のＩ－Ｉ線断面図である。また、図１および図２では、互いに直交する３軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸を示している。
発光装置１００は、図１および図２に示すように、例えば、基板１０と、積層体２０と、絶縁層４０と、ｎ型電極５０と、第１ｐ型電極６０と、ワイヤーグリッド偏光板７０と、配線８０と、パッド９０と、を有している。発光装置１００は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。
基板１０は、例えば、Ｓｉ基板、ＧａＮ基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板などである。
積層体２０は、基板１０に設けられている。図１に示す例では、積層体２０は、基板１０上に設けられている。積層体２０は、基板１０とワイヤーグリッド偏光板７０との間に設けられている。積層体２０は、例えば、バッファー層２２と、第１半導体層３２と、発光層３４と、第２半導体層３６と、を有している。
本明細書では、積層体２０の積層方向（以下、単に「積層方向」ともいう）において、発光層３４を基準とした場合、発光層３４から第２半導体層３６に向かう方向を「上」とし、発光層３４から第１半導体層３２に向かう方向を「下」として説明する。また、積層方向と直交する方向を「面内方向」ともいう。また、「積層体２０の積層方向」とは、第１半導体層３２と発光層３４との積層方向のことである。図示の例では、積層方向は、Ｚ軸方向である。
バッファー層２２は、基板１０上に設けられている。バッファー層２２は、基板１０と第１半導体層３２との間に設けられている。バッファー層２２は、第１導電型の半導体層である。バッファー層２２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。
第１半導体層３２は、バッファー層２２上に設けられている。第１半導体層３２は、基板１０と発光層３４との間に設けられている。第１半導体層３２は、第１導電型の半導体層である。第１半導体層３２は、例えば、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＮ層である。
発光層３４は、第１半導体層３２上に設けられている。発光層３４は、第１半導体層３２と第２半導体層３６との間に設けられている。発光層３４は、電流が注入されることで光を発生させる。発光層３４は、例えば、ウェル層と、バリア層と、を有している。ウェル層およびバリア層は、不純物が意図的にドープされていないｉ型の半導体層である。ウェル層は、例えば、ＩｎＧａＮ層である。バリア層は、例えば、ＧａＮ層である。発光層３４は、ウェル層とバリア層とから構成されたＭＱＷ（Multiple Quantum Well）構造を有している。
なお、発光層３４を構成するウェル層およびバリア層の数は、特に限定されない。例えば、ウェル層は、１層だけ設けられていてもよく、この場合、発光層３４は、ＳＱＷ（Single Quantum Well）構造を有している。
第２半導体層３６は、発光層３４上に設けられている。第２半導体層３６は、第１導電型と異なる第２導電型の半導体層である。第２半導体層３６は、例えば、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＮ層である。第１半導体層３２および第２半導体層３６は、発光層３４に光を閉じ込める機能を有するクラッド層である。
なお、図示はしないが、第１半導体層３２と発光層３４との間、および発光層３４と第２半導体層３６との間の少なくとも一方に、ｉ型のＩｎＧａＮ層およびＧａＮ層からなるＯＣＬ（Optical Confinement Layer）が設けられていてもよい。また、第２半導体層３６は、ｐ型のＡｌＧａＮ層からなるＥＢＬ（Electron Blocking Layer）を有してもよい。
発光装置１００では、ｐ型の第２半導体層３６、ｉ型の発光層３４、およびｎ型の第１半導体層３２により、ｐｉｎダイオードが構成される。発光装置１００では、ｎ型電極５０と第１ｐ型電極６０との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、発光層３４に電流が注入されて発光層３４において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。発光層３４で発生した光は、第１ｐ型電極６０およびワイヤーグリッド偏光板７０を透過して出射される。
なお、図示はしないが、基板１０とバッファー層２２との間、または基板１０の下に反射層が設けられていてもよい。該反射層は、例えば、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層である。該反射層によって、発光層３４で発生した光を反射させることができ、発光装置１００は、第１ｐ型電極６０側からのみ光を出射することができる。
絶縁層４０は、バッファー層２２上に設けられている。絶縁層４０は、積層方向からみて、半導体層３２，３６および発光層３４を囲んでいる。図示の例では、絶縁層４０の上面は、第１ｐ型電極６０の上面よりも＋Ｚ軸方向に位置しているが、絶縁層４０の上面の位置は、特に限定されない。絶縁層４０は、例えば、酸化シリコン層、ポリイミド層などである。
ｎ型電極５０は、バッファー層２２上に設けられている。ｎ型電極５０は、バッファー層２２とオーミックコンタクトしていてもよい。ｎ型電極５０は、第１半導体層３２と電気的に接続されている。図示の例では、ｎ型電極５０は、バッファー層２２を介して、第１半導体層３２と電気的に接続されている。ｎ型電極５０は、発光層３４に電流を注入するための一方の電極である。ｎ型電極５０としては、例えば、バッファー層２２側から、Ｃｒ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いる。なお、図示はしないが、絶縁層４０には、ｎ型電極５０と導通をとるためのコンタクトホールが設けられている。
第１ｐ型電極６０は、第２半導体層３６上に設けられている。第１ｐ型電極６０は、積層体２０とワイヤーグリッド偏光板７０との間に設けられている。第１ｐ型電極６０は、第２半導体層３６とオーミックコンタクトしていてもよい。
第１ｐ型電極６０の厚さは、例えば、数十ｎｍ以下である。第１ｐ型電極６０の厚さが数十ｎｍ以下であれば、発光層３４で発生した光が第１ｐ型電極６０を透過する際の光の損失を低減することができる。第１ｐ型電極６０は、発光層３４に電流を注入するための他方の電極である。第１ｐ型電極６０としては、例えば、第２半導体層３６側から、Ｐｄ層、Ｐｔ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いる。
ワイヤーグリッド偏光板７０は、積層体２０に設けられている。図示の例では、ワイヤーグリッド偏光板７０は、第１ｐ型電極６０を介して、積層体２０に設けられている。ワイヤーグリッド偏光板７０は、第１ｐ型電極６０上に設けられている。ワイヤーグリッド偏光板７０は、第１ｐ型電極６０に接している。ワイヤーグリッド偏光板７０は、複数のワイヤー部７２を有している。複数のワイヤー部７２は、積層方向と直交する方向に延伸している。図２に示す例では、複数のワイヤー部７２は、Ｙ軸方向に延伸している。複数のワイヤー部７２のピッチは、例えば、発光層３４で発生する光の波長の半分以下である。具体的には、複数のワイヤー部７２のピッチは、４００ｎｍ以下であり、好ましくは１００ｎｍ程度である。ワイヤー部７２の幅は、例えば、３００ｎｍｍ以下であり、好ましくは６０ｎｍ程度である。図示の例では、ワイヤー部７２の幅は、ワイヤー部７２のＸ軸方向の大きさである。ワイヤー部７２の厚さは、第１ｐ型電極６０の厚さよりも大きい。図示の例では、ワイヤー部７２の厚さは、ワイヤー部７２のＺ軸方向の大きさである。ワイヤー部７２の厚さは、例えば、第１ｐ型電極６０の厚さの２倍よりも大きい。
ワイヤーグリッド偏光板７０は、複数のワイヤー部７２によって、発光層３４で発生した光を偏光させる。ワイヤーグリッド偏光板７０は、複数のワイヤー部７２によって、発光層３４で発生した光のうち、ワイヤー部７２の延伸方向と直交する方向（図示の例ではＸ軸方向）に電場が振動する光を透過させ、その他の光（例えばＹ軸方向に電場が振動する光）を、積層体２０に向けて反射させる。これにより、ワイヤーグリッド偏光板７０は、発光層３４で発生した光を偏光させることができる。ワイヤーグリッド偏光板７０によって、発光装置１００では、例えば、Ｘ軸方向に電場が振動する直線偏光を出射させることができる。ワイヤー部７２の幅、厚さ、およびピッチによって、発光装置１００から出射される光の偏光度を制御することができる。
なお、ワイヤーグリッド偏光板７０は、例えば、Ｙ軸方向に電場が振動する光を積層体２０側に反射させる反射型のワイヤーグリッド偏光板であってもよいし、Ｙ軸方向に電場が振動する光を吸収する吸収型のワイヤーグリッド偏光板であってもよい。
ワイヤーグリッド偏光板７０のワイヤー部７２は、導電性を有する。ワイヤー部７２は、金属を含んで構成されている。ワイヤー部７２は、図１に示すように、例えば、第１層７２ａと、第２層７２ｂと、を有している。ワイヤーグリッド偏光板７０は、特許請求の範囲でいう、「導電層」に相当する。ワイヤーグリッド偏光板７０は、積層体２０に電流を注入する。
ワイヤー部７２の第１層７２ａの材質は、例えば、Ａｌ、Ａｇ、またはこれらの合金である。このような材質の第１層７２ａであれば、反射型のワイヤーグリッド偏光板７０を構成することができる。第１層７２ａは、Ａｌを含み、かつ、アモルファスのＳｉ、アモルファスのＧｅ、およびＳｉＮのうちの少なくとも１つを含む材料で構成されていてもよい。このような材質の第１層７２ａであれば、吸収型のワイヤーグリッド偏光板７０を構成することができる。
ワイヤー部７２の第２層７２ｂは、第１層７２ａと第１ｐ型電極６０との間に設けられている。第２層７２ｂの融点は、第１層７２ａの融点よりも高い。第２層７２ｂの材質は、例えば、Ｍｏ、Ｔｉ、ＴｉＮｘ、Ｔａ、またはこれらとＡｌとの合金である。第２層７２ｂの厚さは、第１層７２ａの厚さよりも小さい。第２層７２ｂの厚さは、例えば、第１層７２ａの厚さの半分よりも小さい。
ワイヤーグリッド偏光板７０は、図２に示すように、複数のワイヤー部７２のうちの隣り合うワイヤー部７２を接続する接続部７４を有している。図示の例では、接続部７４は、隣り合うワイヤー部７２の＋Ｙ軸方向の端部同士を接続している。さらに、接続部７４は、隣り合うワイヤー部７２の－Ｙ軸方向の端部同士を接続している。接続部７４は、隣り合うワイヤー部７２のうちの一方のワイヤー部７２から他方のワイヤー部７２に向けてＸ軸方向に延伸している。ワイヤーグリッド偏光板７０は、板状の部材に、Ｙ軸方向に延伸するスリットが形成された形状を有している。図示の例では、積層方向からみて、接続部７４は、第１ｐ型電極６０とは重ならずに、絶縁層４０と重なっている。接続部７４の材質は、例えば、ワイヤー部７２と同じである。
配線８０は、ワイヤーグリッド偏光板７０とパッド９０とを接続している。図示の例では、パッド９０は、ワイヤーグリッド偏光板７０の＋Ｙ軸方向に設けられている。配線８０は、パッド９０から－Ｙ軸方向に延伸してワイヤーグリッド偏光板７０に接続されている。パッド９０のＸ軸方向の大きさは、配線８０のＸ軸方向の大きさよりも大きい。パッド９０には、例えば、図示せぬワイヤーボンディングが接続されている。ワイヤーボンディングを流れる電流は、パッド９０、配線８０、ワイヤーグリッド偏光板７０、および第１ｐ型電極６０を介して、発光層３４に注入される。このように、発光層３４には、複数のワイヤー部７２および第１ｐ型電極６０を介して、電流が注入される。複数のワイヤー部７２は、発光層３４に電流を注入するための電極としても機能する。配線８０およびパッド９０の材質は、例えば、ワイヤー部７２と同じである。
なお、上記では、ＩｎＧａＮ系の発光層３４について説明したが、発光層３４としては、出射される光の波長に応じて、電流が注入されることで発光可能な様々な材料系を用いることができる。例えば、ＡｌＧａＮ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓ系、ＩｎＧａＡｓＰ系、ＩｎＰ系、ＧａＰ系、ＡｌＧａＰ系などの半導体材料を用いることができる。
発光装置１００は、例えば、以下の作用効果を有する。
発光装置１００では、積層体２０に設けられたワイヤーグリッド偏光板７０を有する。そのため、発光装置１００では、ワイヤーグリッド偏光板が積層体に設けられていない場合に比べて、小型化を図ることができる。
さらに、発光装置１００では、ワイヤーグリッド偏光板７０は、積層方向と直交する方向に延伸する複数のワイヤー部７２を有し、発光層３４で発生した光を偏光させる。そのため、発光装置１００では、例えば、直線偏光の光を出射することができる。
さらに、発光装置１００では、発光層３４には、複数のワイヤー部７２を介して電流が注入される。そのため、発光装置１００では、例えば、ワイヤー部に電流が流れない場合に比べて、ワイヤー部７２にも電流が流れるので、低抵抗化を図ることができる。したがって、発光層３４に均一性よく電流を注入することができる。例えば、第１ｐ型電極６０は第２ｐ型電極６２よりも抵抗率は低いが、厚さが小さいので、ワイヤー部７２を設けていないと、発光層に均一性よく電流を注入することができない場合がある。さらに、ワイヤー部７２の延伸方向と直交する方向に電場が振動する光は、複数のワイヤー部７２にほぼ吸収されないため、ワイヤー部７２の厚膜化によって、さらなる低抵抗化を図ることができる。
発光装置１００では、積層体２０とワイヤーグリッド偏光板７０との間に設けられた第１ｐ型電極６０を有し、ワイヤーグリッド偏光板７０は、第１ｐ型電極６０と接し、発光層３４で発生した光は、第１ｐ型電極６０を透過して出射され、発光層３４には、第１ｐ型電極６０を介して電流が注入される。そのため、発光装置１００では、第１ｐ型電極を有していない場合に比べて、発光層３４に均一性よく電流を注入することができる。さらに、ワイヤーグリッド偏光板と第１ｐ型電極とが離間している場合に比べて、小型化を図ることができる。
発光装置１００では、ワイヤーグリッド偏光板７０は、複数のワイヤー部７２のうちの隣り合うワイヤー部７２を接続する接続部７４を有する。そのため、発光装置１００では、接続部７４が設けられていない場合に比べて、複数のワイヤー部７２に均一性よく電流を流すことができる。
発光装置１００では、複数のワイヤー部７２の各々は、第１層７２ａと、第１層７２ａと積層体２０との間に設けられ、第１層７２ａよりも高い融点を有する第２層７２ｂと、を有する。そのため、発光装置１００では、例えば、発光層３４で生じた光がワイヤーグリッド偏光板７０を透過する際に熱が発生しても、該熱によって第１層７２ａに含まれる原子が第１ｐ型電極６０に拡散することを、第２層７２ｂによって抑制することができる。特に、Ａｌ原子は拡散し易いので、第１層７２ａがＡｌ原子を含む場合は、第２層７２ｂを設けることが好ましい。
１．２． 発光装置の製造方法
次に、第１実施形態に係る発光装置１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図３は、第１実施形態に係る発光装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
図３に示すように、基板１０上に、バッファー層２２をエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などが挙げられる。
次に、バッファー層２２上に、図示せぬマスク層を形成する。マスク層は、例えば、電子ビーム蒸着法やスパッタ法などによる成膜、およびパターニングによって形成される。パターニングは、例えば、フォトリソグラフィーおよびエッチングによって行われる。マスク層は、例えば、酸化シリコン層、チタン層、酸化チタン層、酸化アルミニウム層などである。
次に、マスク層をマスクとしてバッファー層２２上に、第１半導体層３２、発光層３４、および第２半導体層３６を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などが挙げられる。本工程により、積層体２０を形成することができる。
図１に示すように、バッファー層２２上にｎ型電極５０を形成する。ｎ型電極５０は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。
次に、バッファー層２２上およびｎ型電極５０上に、絶縁層４０を形成する。絶縁層４０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スピンコート法などによって形成される。
次に、第２半導体層３６上に第１ｐ型電極６０を形成する。第１ｐ型電極６０は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。
次に、第１ｐ型電極６０上に導電層を形成する。該導電層は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。次に、導電層上にレジスト層を形成し、該レジスト層を露光および現像を行った後、レジスト層をマスクとして、導電層をドライエッチングする。その後、レジスト層を剥離する。露光は、例えば、二光束干渉露光によって行われる。ドライエッチングは、例えば、Ｃｌ２ガス、ＢＣｌ３ガス、Ｃｌ４ガス、またはこれらの混合ガスを用いて行われる。本工程により、ワイヤー部７２および接続部７４を有するワイヤーグリッド偏光板７０を形成することができる。さらに、本工程により、配線８０およびパッド９０を形成する。
以上の工程により、発光装置１００を製造することができる。
２． 第２実施形態
２．１． 発光装置
次に、第２実施形態に係る発光装置２００について、図面を参照しながら説明する。図４は、第２実施形態に係る発光装置２００を模式的に示す断面図である。図５は、第２実施形態に係る発光装置２００を模式的に示す平面図である。なお、図４は、図５のＩＶ－ＩＶ線断面図である。
以下、第２実施形態に係る発光装置２００において、上述した第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
発光装置２００では、図４および図５に示すように、第２ｐ型電極６２および第３ｐ型電極６４を有する点において、上述した発光装置１００と異なる。
第２ｐ型電極６２は、図４に示すように、ワイヤーグリッド偏光板７０の第１ｐ型電極６０とは反対側に設けられている。第２ｐ型電極６２は、複数のワイヤー部７２上に設けられている。第２ｐ型電極６２は、複数のワイヤー部７２に接続されている。第２ｐ型電極６２は、複数のワイヤー部７２にわたって設けられている。第２ｐ型電極６２は、ワイヤーグリッド偏光板７０と第３ｐ型電極６４との間に設けられている。第２ｐ型電極６２の厚さは、例えば、ワイヤー部７２の厚さよりも小さく、第１ｐ型電極６０の厚さよりも大きい。ワイヤー部７２の抵抗率および第１ｐ型電極６０の抵抗率は、第２ｐ型電極６２の抵抗率よりも低い。第２ｐ型電極６２は、発光層３４で発生した光に対して透明な透明電極である。第２ｐ型電極６２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層、ＺｎＯ層などである。
第３ｐ型電極６４は、第２ｐ型電極６２上に設けられている。さらに、第３ｐ型電極６４は、絶縁層４０上、および絶縁層４０に設けられた開口部４２を規定する絶縁層４０の側面に設けられている。第３ｐ型電極６４の厚さは、例えば、ワイヤー部７２の厚さよりも小さく、第１ｐ型電極６０の厚さよりも大きい。第３ｐ型電極６４の材質は、例えば、第２ｐ型電極６２と同じである。図５に示す例では、第３ｐ型電極６４の形状は、円形である。
なお、図示はしないが、ワイヤー部７２は、第１層７２ａと第２ｐ型電極６２との間に、第１層７２ａの融点よりも高い第３層を有していてもよい。これにより、第１層７２ａに含まれるＡｌがＩＴＯ層である第２ｐ型電極６２と電池反応し、第１層７２ａに含まれるＡｌが溶けることを抑制することができる。第３層の材質は、例えば、第２層７２ｂと同じである。
ここで、上述した発光装置１００では、図２に示すように、配線８０は、ワイヤーグリッド偏光板７０とパッド９０とを接続した。
これに対し、発光装置２００では、図５に示すように、配線８０は、第３ｐ型電極６４とパッド９０とを接続している。配線８０の材質およびパッド９０の材質は、例えば、第３ｐ型電極６４と同じである。パッド９０に接続された図示せぬワイヤーボンディングを流れる電流は、パッド９０、配線８０、第３ｐ型電極６４、第２ｐ型電極６２、ワイヤーグリッド偏光板７０、および第１ｐ型電極６０を介して、発光層３４に注入される。
発光装置２００は、例えば、以下の作用効果を有する。
発光装置２００では、ワイヤーグリッド偏光板７０の第１ｐ型電極６０とは反対側に設けられ、複数のワイヤー部７２に接続された第２ｐ型電極６２を有する。そのため、発光装置２００では、第２ｐ型電極６２によってワイヤー部７２を保護することができる。ワイヤー部７２は幅が狭いため、ワイヤー部７２が露出していると、例えば、絶縁層４０を形成する際や、製品として使用している際に、水分や外部部材と接触することによりワイヤー部７２が倒れてしまう可能性がある。発光装置２００では、第２ｐ型電極６２によってワイヤー部７２を保護することができるため、ワイヤー部７２が倒れる可能性を小さくすることができる。
発光装置２００では、第２ｐ型電極６２は、発光層３４で発生した光に対して透明な透明電極であり、複数のワイヤー部７２の各々の抵抗率は、第２ｐ型電極６２の抵抗率よりも低い。そのため、発光装置２００では、第２ｐ型電極６２を流れてきた電流は、ワイヤー部７２と重なる部分では、抵抗率の低いワイヤー部７２を優先的に流れることができるため、ワイヤー部７２が設けられていない場合に比べて、発光層３４に均一性よく電流を注入することができる。
２．２． 発光装置の製造方法
次に、第２実施形態に係る発光装置２００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６は、第２実施形態に係る発光装置２００の製造工程を模式的に示す断面図である。
発光装置２００の製造方法では、上述した発光装置１００の製造方法と同様に、積層体２０、第１ｐ型電極６０、およびワイヤーグリッド偏光板７０を形成した後、図６に示すように、複数のワイヤー部７２上に第２ｐ型電極６２を形成する。第２ｐ型電極６２は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。第２ｐ型電極６２、複数のワイヤー部７２、および第１ｐ型電極６０を一括にエッチングして、所定形状の、第２ｐ型電極６２、複数のワイヤー部７２、および第１ｐ型電極６０を形成してもよい。
図４に示すように、バッファー層２２上にｎ型電極５０を形成する。ｎ型電極５０は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。
次に、バッファー層２２およびｎ型電極５０上に、絶縁層４０を形成する。絶縁層４０は、例えば、スピンコート法、ＣＶＤ法によって形成される。次に、絶縁層４０をエッチングして、開口部４２を形成する。
次に、第２ｐ型電極６２上、絶縁層４０上、および開口部４２を規定する絶縁層４０の側面に、第３ｐ型電極６４を形成する。第３ｐ型電極６４は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法などによって形成される。さらに、本工程により、配線８０およびパッド９０を形成する。
以上の工程により、発光装置２００を製造することができる。
３． 第３実施形態
３．１． 発光装置
次に、第３実施形態に係る発光装置３００について、図面を参照しながら説明する。図７は、第３実施形態に係る発光装置３００を模式的に示す断面図である。
以下、第３実施形態に係る発光装置３００において、上述した第１実施形態に係る発光装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
発光装置３００では、図７に示すように、積層体２０は、フォトニック結晶構造体３８を有する点において、上述した発光装置１００と異なる。図示の例では、第２半導体層３６は、フォトニック結晶構造体３８を有する。
第２半導体層３６は、フォトニック結晶構造体３８を構成している。フォトニック結晶構造体３８は、フォトニック結晶効果を発現し、発光層３４で発生した光を、面内方向に閉じ込め、積層方向に出射させる。
図示の例では、第２半導体層３６に複数のホール３７が設けられ、ホール３７と、ホール３７の面内方向に位置する第２半導体層３６の部分３６ａと、によってフォトニック結晶構造体３８が構成されている。第２半導体層３６の部分３６ａとホール３７との屈折率の差によってフォトニック結晶効果が発現される。図示はしないが、ホール３７は、酸化シリコン層などによって充填されていてもよい。ホール３７の径は、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
なお、「ホールの径」とは、ホール３７の平面形状が円の場合は、直径であり、ホール３７の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の直径である。例えば、ホール３７の径は、ホール３７の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の直径であり、ホール３７の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の直径である。このことは、以下に示す「柱状部の径」についても同様である。
複数のホール３７は、積層方向からみて、所定の方向に所定のピッチで配列されている。複数のホール３７は、例えば、三角格子状に配置されている。なお、複数のホール３７の配置は、特に限定されず、正方格子状に配置されていてもよい。
なお、「ホールのピッチ」とは、所定の方向に沿って隣り合うホール３７の中心間の距離である。「ホールの中心」とは、ホール３７の平面形状が円の場合は、該円の中心であり、ホール３７の平面形状が円ではない形状の場合は、最小包含円の中心である。例えば、ホール３７の中心は、ホール３７の平面形状が多角形の場合、該多角形を内部に含む最小の円の中心であり、ホール３７の平面形状が楕円の場合、該楕円を内部に含む最小の円の中心である。このことは、以下に示す「柱状部の径」についても同様である。
発光装置３００では、発光層３４で発生した光は、面内方向に伝搬し、複数のホール３７によるフォトニック結晶の効果により定在波を形成して、発光層３４で利得を受けてレーザー発振する。そして、発光装置３００は、＋１次回折光および－１次回折光をレーザー光として、積層方向に出射する。発光装置３００は、レーザー光を出射する半導体レーザーである。
フォトニック結晶構造体３８から積層方向に出射される光うち、ワイヤー部７２の延伸方向と直交する方向に電場が振動する光の割合は、ワイヤー部７２の延伸方向に電場が振動する光の割合よりも大きい。ホール３７のピッチ、形状、大きさによって、フォトニック結晶構造体３８から積層方向に出射される光の電場の振動方向を制御することができる。
発光装置３００は、例えば、以下の特徴を有する。
発光装置３００では、積層体２０は、発光層３４で発生した光を、基板１０の面内方向に閉じ込め、積層方向に出射させるフォトニック結晶構造体３８を有する。そのため、発光装置３００では、積層方向にレーザー光を出射することができる。
発光装置３００では、フォトニック結晶構造体３８から積層方向に出射される光うち、複数のワイヤー部７２の各々の延伸方向と直交する方向に電場が振動する光の割合は、複数のワイヤー部７２の各々の延伸方向に電場が振動する光の割合よりも大きい。ワイヤーグリッド偏光板７０は、ワイヤー部７２の延伸方向と直交する方向に電場が振動する光を透過させる。そのため、ワイヤー部の延伸方向と直交する方向に電場が振動する光の割合がワイヤー部の延伸方向に電場が振動する光の割合よりも少ない場合に比べて、光利用効率を高めることができる。
発光装置３００では、第２半導体層３６は、フォトニック結晶構造体３８を構成している。発光装置３００では、例えば、第２半導体層３６に複数のホール３７を形成することによって、フォトニック結晶構造体３８を構成することができる。
なお、図示はしないが、第２半導体層３６は、発光層３４上に設けられた基部と、基部から上方に突出する複数の柱状部と、を有し、複数の柱状部がフォトニック結晶構造体３８を構成していてもよい。複数の柱状部は、例えば、後述する第４実施形態に係る発光装置の複数の柱状部と同様の方法で形成される。
３．２． 発光装置の製造方法
次に、第３実施形態に係る発光装置３００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
発光装置３００の製造方法は、例えば電子ビームリソグラフィーおよびドライエッチングによって、図７に示すように第２半導体層３６に複数のホール３７を形成すること以外は、上述した発光装置１００の製造方法と基本的に同じである。したがって、その詳細な説明を省略する。
４． 第４実施形態
４．１． 発光装置
次に、第４実施形態に係る発光装置４００について、図面を参照しながら説明する。図８は、第４実施形態に係る発光装置４００を模式的に示す断面図である。
以下、第４実施形態に係る発光装置４００において、上述した第１実施形態に係る発光装置１００、第２実施形態に係る発光装置２００、第３実施形態に係る発光装置３００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した発光装置３００では、図７に示すように、第２半導体層３６は、前記フォトニック結晶構造体３８を構成していた。
これに対し、発光装置４００では、図８に示すように、複数の柱状部３０は、フォトニック結晶構造体３８を構成している。
積層体２０は、複数の柱状部３０を有している。第１半導体層３２、発光層３４、および第２半導体層３６は、複数の柱状部３０を構成している。バッファー層２２上には、柱状部３０を形成するための図示しないマスク層が設けられている。マスク層は、例えば、チタン層、酸化チタン層、シリコン層、酸化シリコン層などである。
柱状部３０は、バッファー層２２上に設けられている。柱状部３０は、バッファー層２２から上方に突出した柱状の形状を有している。言い換えれば、柱状部３０は、バッファー層２２を介して基板１０から突出している。柱状部３０は、例えば、ナノコラム、ナノワイヤー、ナノロッド、ナノピラーとも呼ばれる。柱状部３０の平面形状は、例えば、正六角形などの多角形、円である。
柱状部３０の径は、例えば、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。柱状部３０の径を５００ｎｍ以下とすることによって、高品質な結晶の発光層３４を得ることができ、かつ、発光層３４に内在する歪を低減することができる。これにより、発光層３４で発生する光を高い効率で増幅することができる。
柱状部３０は、複数設けられている。隣り合う柱状部３０の間隔は、例えば、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。複数の柱状部３０は、積層方向からみて、所定の方向に所定のピッチで配列されている。複数の柱状部３０は、例えば、三角格子状に配置されている。なお、複数の柱状部３０の配置は、特に限定されず、正方格子状に配置されていてもよい。
複数の柱状部３０は、フォトニック結晶の効果を発現することができる。発光層３４で発生した光は、面内方向に伝搬し、複数の柱状部３０によるフォトニック結晶の効果により定在波を形成して、発光層３４で利得を受けてレーザー発振する。そして、発光装置３００は、＋１次回折光および－１次回折光をレーザー光として、積層方向に出射する。発光装置４００は、レーザー光を出射する半導体レーザーである。複数の柱状部３０のピッチは、複数のワイヤー部７２のピッチより大きくてもよいし、小さくてもよい。
複数の柱状部３０の各々は、積層方向からみて、複数のワイヤー部７２の１つ以上と重なっている。積層方向からみて、複数の柱状部３０の各々は、１つのワイヤー部７２とだけ重なっていてもよいし、２つ以上のワイヤー部７２となっていてもよい。積層方向からみて、複数の柱状部３０のうち、ワイヤー部７２と重なっていない柱状部３０は、存在しない。
発光装置４００は、上述した発光装置２００と同様に、第２ｐ型電極６２と、第３ｐ型電極６４と、を有している。図８では図示しないが、配線８０は、上述した発光装置２００と同様に、第３ｐ型電極６４とパッド９０とを接続している。
なお、上記の例では、隣り合う柱状部３０の間には空隙が設けられているが、隣り合う柱状部３０の間に、発光層３４で発生した光を伝搬させる光伝搬層が設けられていてもよい。光伝搬層は、酸化シリコン層であってもよい。
また、発光装置４００は、半導体レーザーではなく、ＬＥＤであってもよい。
発光装置４００は、例えば、以下の作用効果を有する。
発光装置４００では、積層体２０は、複数の柱状部３０を有し、第１半導体層３２、第２半導体層３６、および発光層３４は、複数の柱状部３０を構成し、複数の柱状部３０は、フォトニック結晶構造体３８を構成している。そのため、発光装置４００では、高品質な結晶の発光層３４を得ることができ、かつ、発光層３４に内在する歪を低減することができる。
発光装置４００では、積層方向からみて、複数の柱状部３０の各々は、複数のワイヤー部７２の１つ以上と重なっている。そのため、発光装置４００では、積層方向からみてワイヤー部と重なっていない柱状部が存在している場合に比べて、柱状部３０に均一性よく電流を注入することができる。
４．２． 発光装置の製造方法
次に、第４実施形態に係る発光装置４００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
発光装置４００の製造方法では、上述した発光装置１００の製造方法と同様に、バッファー層２２を形成した後に、バッファー層２２上に、図示せぬマスク層を形成する。マスク層は、例えば、電子ビーム蒸着法やプラズマＣＶＤ法などによる成膜、およびパターニングによって形成される。パターニングは、電子ビームリソグラフィーおよびドライエッチングによって行われる。
図８に示すように、マスク層をマスクとしてバッファー層２２上に、第１半導体層３２、発光層３４、および第２半導体層３６を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法などが挙げられる。本工程により、複数の柱状部３０を形成することができる。
その後、発光装置４００の製造方法では、上述した発光装置２００の製造方法と同様に、第１ｐ型電極６０、ワイヤーグリッド偏光板７０、第２ｐ型電極６２、ｎ型電極５０、絶縁層４０、第３ｐ型電極６４を形成する。
以上の工程により、発光装置４００を製造することができる。
５． 第５実施形態
次に、第５実施形態に係るプロジェクターについて、図面を参照しながら説明する。図９は、第５実施形態に係るプロジェクター８００を模式的に示す図である。
プロジェクター８００は、例えば、光源として、発光装置１００を有している。
プロジェクター８００は、図示しない筐体と、筐体内に備えられている赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ出射する赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、青色光源１００Ｂと、を有している。なお、便宜上、図９では、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂを簡略化している。
プロジェクター８００は、さらに、筐体内に備えられている、第１光学素子８０２Ｒと、第２光学素子８０２Ｇと、第３光学素子８０２Ｂと、第１光変調装置８０４Ｒと、第２光変調装置８０４Ｇと、第３光変調装置８０４Ｂと、投射装置８０８と、を有している。第１光変調装置８０４Ｒ、第２光変調装置８０４Ｇ、および第３光変調装置８０４Ｂは、例えば、透過型の液晶ライトバルブである。投射装置８０８は、例えば、投射レンズである。
赤色光源１００Ｒから出射された光は、第１光学素子８０２Ｒに入射する。赤色光源１００Ｒから出射された光は、第１光学素子８０２Ｒによって集光される。なお、第１光学素子８０２Ｒは、集光以外の機能を有していてもよい。後述する第２光学素子８０２Ｇおよび第３光学素子８０２Ｂについても同様である。
第１光学素子８０２Ｒによって集光された光は、第１光変調装置８０４Ｒに入射する。第１光変調装置８０４Ｒは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置８０８は、第１光変調装置８０４Ｒによって形成された像を拡大してスクリーン８１０に投射する。
緑色光源１００Ｇから出射された光は、第２光学素子８０２Ｇに入射する。緑色光源１００Ｇから出射された光は、第２光学素子８０２Ｇによって集光される。
第２光学素子８０２Ｇによって集光された光は、第２光変調装置８０４Ｇに入射する。第２光変調装置８０４Ｇは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置８０８は、第２光変調装置８０４Ｇによって形成された像を拡大してスクリーン８１０に投射する。
青色光源１００Ｂから出射された光は、第３光学素子８０２Ｂに入射する。青色光源１００Ｂから出射された光は、第３光学素子８０２Ｂによって集光される。
第３光学素子８０２Ｂによって集光された光は、第３光変調装置８０４Ｂに入射する。第３光変調装置８０４Ｂは、入射した光を画像情報に応じて変調させる。そして、投射装置８０８は、第３光変調装置８０４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン８１０に投射する。
また、プロジェクター８００は、第１光変調装置８０４Ｒ、第２光変調装置８０４Ｇ、および第３光変調装置８０４Ｂから出射された光を合成して投射装置８０８に導くクロスダイクロイックプリズム８０６を有することができる。
第１光変調装置８０４Ｒ、第２光変調装置８０４Ｇ、および第３光変調装置８０４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム８０６は、４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は、投射装置８０８によりスクリーン８１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
なお、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂは、発光装置１００を映像の画素として画像情報に応じて制御することで、第１光変調装置８０４Ｒ、第２光変調装置８０４Ｇ、および第３光変調装置８０４Ｂを用いずに、直接的に映像を形成してもよい。そして、投射装置８０８は、赤色光源１００Ｒ、緑色光源１００Ｇ、および青色光源１００Ｂによって形成された映像を、拡大してスクリーン８１０に投射してもよい。
また、上記の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micro Mirror Device）が挙げられる。また、投射装置の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
また、光源を、光源からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置の光源装置にも適用することが可能である。
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成、例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
上述した実施形態および変形例から以下の内容が導き出される。
発光装置の一態様は、
基板と、
前記基板に設けられた積層体と、
前記積層体に設けられ、前記積層体に電流を注入する導電層と、
を有し、
前記積層体は、前記基板と前記導電層との間に設けられ、
第１導電型の第１半導体層と、
前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、
前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、
を有し、
前記導電層は、前記積層体の積層方向と直交する方向に延伸する複数のワイヤー部を有し、前記発光層で発生した光を偏光させ、
前記発光層には、前記複数のワイヤー部を介して電流が注入される。
この発光装置によれば、小型化を図ることができる。
発光装置の一態様において、
前記積層体と前記導電層との間に設けられた第１電極を有し、
前記導電層は、前記第１電極と接し、
前記発光層で発生した光は、前記第１電極を透過して出射され、
前記発光層には、前記第１電極を介して電流が注入されてもよい。
この発光装置によれば、発光層に均一性よく電流を注入することができる。
発光装置の一態様において、
前記導電層の前記第１電極とは反対側に設けられ、前記複数のワイヤー部に接続された第２電極を有してもよい。
この発光装置によれば、第２電極によってワイヤー部を保護することができる。
発光装置の一態様において、
前記第２電極は、前記発光層で発生した光に対して透明な透明電極であり、
前記複数のワイヤー部の各々の抵抗率は、前記第２電極の抵抗率よりも低くてもよい。
この発光装置によれば、発光層に均一性よく電流を注入することができる。
発光装置の一態様において、
前記積層体は、前記発光層で発生した光を、前記積層方向と直交する方向に閉じ込め、前記積層方向に出射させるフォトニック結晶構造体を有してもよい。
この発光装置によれば、例えば、積層方向にレーザー光を出射することができる。
発光装置の一態様において、
前記フォトニック結晶構造体から前記積層方向に出射される光うち、前記複数のワイヤー部の各々の延伸方向と直交する方向に電場が振動する光の割合は、前記複数のワイヤー部の各々の延伸方向に電場が振動する光の割合よりも多くてもよい。
この発光装置によれば、光利用効率を高めることができる。
発光装置の一態様において、
前記第２半導体層は、前記フォトニック結晶構造体を構成していてもよい。
この発光装置によれば、例えば、第２半導体層に複数のホールを形成することによって、フォトニック結晶構造体を構成することができる。
発光装置の一態様において、
前記積層体は、複数の柱状部を有し、
前記第１半導体層、前記第２半導体層、および前記発光層は、前記複数の柱状部を構成し、
前記複数の柱状部は、前記フォトニック結晶構造体を構成していてもよい。
この発光装置によれば、高品質な結晶の発光層を得ることができ、かつ、発光層に内在する歪を低減することができる。
発光装置の一態様において、
前記積層方向からみて、前記複数の柱状部は、前記複数のワイヤー部の１つ以上と重なっていてもよい。
この発光装置によれば、柱状部に均一性よく電流を注入することができる。
発光装置の一態様において、
前記導電層は、前記複数のワイヤー部のうちの隣り合うワイヤー部を接続する接続部を有してもよい。
この発光装置によれば、複数のワイヤー部に均一性よく電流を流すことができる。
発光装置の一態様において、
前記複数のワイヤー部の各々は、
第１層と、
前記第１層と前記積層体との間に設けられ、前記第１層よりも高い融点を有する第２層と、
を有してもよい。
この発光装置によれば、第１層に含まれる原子が第１電極に拡散することを、第２層によって抑制することができる。
プロジェクターの一態様は、
前記発光装置の一態様を有する。
１０…基板、２０…積層体、２２…バッファー層、３０…柱状部、３２…第１半導体層、３４…発光層、３６…第２半導体層、３６ａ…部分、３７…ホール、３８…フォトニック結晶構造体、４０…絶縁層、４２…開口部、５０…ｎ型電極、６０…第１ｐ型電極、６２…第２ｐ型電極、６４…第３ｐ型電極、７０…ワイヤーグリッド偏光板、７２…ワイヤー部、７２ａ…第１層、７２ｂ…第２層、７４…接続部、８０…配線、９０…パッド、１００，２００，３００，４００…発光装置、８００…プロジェクター、８０２Ｒ…第１光学素子、８０２Ｇ…第２光学素子、８０２Ｂ…第３光学素子、８０４Ｒ…第１光変調装置、８０４Ｇ…第２光変調装置、８０４Ｂ…第３光変調装置、８０６…クロスダイクロイックプリズム、８０８…投射装置、８１０…スクリーン

Claims (12)

  1. 基板と、
    前記基板に設けられた積層体と、
    前記積層体に設けられ、前記積層体に電流を注入する導電層と、
    を有し、
    前記積層体は、前記基板と前記導電層との間に設けられ、
    第１導電型の第１半導体層と、
    前記第１導電型と異なる第２導電型の第２半導体層と、
    前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、
    を有し、
    前記導電層は、前記積層体の積層方向と直交する方向に延伸する複数のワイヤー部を有し、前記発光層で発生した光を偏光させ、
    前記発光層には、前記複数のワイヤー部を介して電流が注入される、発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記積層体と前記導電層との間に設けられた第１電極を有し、
    前記導電層は、前記第１電極と接し、
    前記発光層で発生した光は、前記第１電極を透過して出射され、
    前記発光層には、前記第１電極を介して電流が注入される、発光装置。
  3. 請求項２において、
    前記導電層の前記第１電極とは反対側に設けられ、前記複数のワイヤー部に接続された第２電極を有する、発光装置。
  4. 請求項３において、
    前記第２電極は、前記発光層で発生した光に対して透明な透明電極であり、
    前記複数のワイヤー部の各々の抵抗率は、前記第２電極の抵抗率よりも低い、発光装置。
  5. 請求項１ないし４のいずれか１項において、
    前記積層体は、前記発光層で発生した光を、前記積層方向と直交する方向に閉じ込め、前記積層方向に出射させるフォトニック結晶構造体を有する、発光装置。
  6. 請求項５において、
    前記フォトニック結晶構造体から前記積層方向に出射される光うち、前記複数のワイヤー部の各々の延伸方向と直交する方向に電場が振動する光の割合は、前記複数のワイヤー部の各々の延伸方向に電場が振動する光の割合よりも大きい、発光装置。
  7. 請求項５または６において、
    前記第２半導体層は、前記フォトニック結晶構造体を構成している、発光装置。
  8. 請求項５または６において、
    前記積層体は、複数の柱状部を有し、
    前記第１半導体層、前記第２半導体層、および前記発光層は、前記複数の柱状部を構成し、
    前記複数の柱状部は、前記フォトニック結晶構造体を構成している、発光装置。
  9. 請求項８において、
    前記積層方向からみて、前記複数の柱状部は、前記複数のワイヤー部の１つ以上と重なっている、発光装置。
  10. 請求項１ないし９のいずれか１項において、
    前記導電層は、前記複数のワイヤー部のうちの隣り合うワイヤー部を接続する接続部を有する、発光装置。
  11. 請求項１ないし１０のいずれか１項において、
    前記複数のワイヤー部の各々は、
    第１層と、
    前記第１層と前記積層体との間に設けられ、前記第１層よりも高い融点を有する第２層と、
    を有する、発光装置。
  12. 請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の発光装置を有する、プロジェクター。
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