JP2023014578A - ドア機構、基板処理装置及び基板洗浄方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理ガスを用いて複数の基板を処理した後、複数のチャンバを用いて基板に残留するガス成分を効率よく除去する。【解決手段】基板処理装置のチャンバに形成された基板の搬入出口に設けられるドア機構であって、前記搬入出口を開閉する弁体と、水平方向に延伸し、前記弁体が取り付けられるシャフトと、前記弁体の水平方向側方に配置され、前記シャフトを回動させる駆動部と、を有する。【選択図】図５

Description

本開示は、ドア機構、基板処理装置及び基板洗浄方法に関する。

特許文献１には、基板の表面に残留する弗素を除去するクーリングストレージが開示されている。クーリングストレージは、基板を収容する処理室と、水分供給機構と、不活性ガス供給機構と、排気機構とを有する。処理室は側壁部にポートを有し、基板がポートを介して処理室内へ搬出入される。ポートは開閉自在のゲートバルブによって閉鎖される。

特開２０１７－１２６７３４号公報

本開示にかかる技術は、処理ガスを用いて複数の基板を処理した後、複数のチャンバを用いて基板に残留するガス成分を効率よく除去する。

本開示の一態様は、基板処理装置のチャンバに形成された基板の搬入出口に設けられるドア機構であって、前記搬入出口を開閉する弁体と、水平方向に延伸し、前記弁体が取り付けられるシャフトと、前記弁体の水平方向側方に配置され、前記シャフトを回動させる駆動部と、を有する。

本開示によれば、処理ガスを用いて複数の基板を処理した後、複数のチャンバを用いて基板に残留するガス成分を効率よく除去することができる。

本実施形態にかかるウェハ処理装置の構成の概略を示す平面図である。 ウェハ洗浄モジュールの構成の概略を示す側面図である。 ウェハ洗浄モジュールの構成の概略を示す側面図である。 ウェハ洗浄モジュールの構成の概略を示す平面図である。 チャンバ及びドア機構の構成の概略を示す斜視図である。 ドア機構の構成の概略を示す斜視図である。 ドア機構の構成の概略を示す斜視図である。 ドア機構の構成の概略を示す斜視図である。 ドア機構の弁体の構成の概略を示す斜視図である。 弁体が回動する様子を示す説明図である。 他の実施形態にかかるチャンバ及びドア機構の構成の概略を示す側面図である。 他の実施形態にかかるチャンバ及びドア機構の構成の概略を示す側面図である。 ウェハ洗浄モジュールの給気系統及び排気系統の構成の概略を示す説明図である。 ウェハの洗浄処理におけるウェハ洗浄モジュールの動作を示す説明図である。

半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という場合がある。）の表面に形成された酸化膜をエッチングして除去する工程が行われている。例えば、酸化膜のエッチング工程は、ＣＯＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｒｅｍｏｖａｌ）処理とＰＨＴ（Ｐｏｓｔ Ｈｅａｔ Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理により行われる。

ＣＯＲ処理では、酸化膜の表面に処理ガスを供給し、酸化膜と処理ガスとを化学反応させ、当該酸化膜を変質させて反応生成物を生成する。この処理ガスには例えばフッ化水素ガスとアンモニアガスが用いられ、反応生成物としてフルオロ珪酸アンモニウム（ＡＦＳ）が生成される。ＰＨＴ処理では、ウェハを収容した処理室に、当該ウェハ上のＡＦＳを昇華温度以上に加熱して気化（昇華）させる。これらＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を連続的に行うことにより、酸化膜のエッチングが行われる。

ところで、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後のウェハの表面には、フッ素が残留する場合がある。残留したフッ素はウェハの表面に形成された配線膜などを腐食し、ウェハから製造される半導体デバイスの電気特性を劣化させるおそれがある。したがって、ウェハの表面に残留するフッ素を除去する必要がある。

フッ素を除去する方法として、上述した特許文献１に記載されたクーリングストレージ（ウェハ洗浄モジュール）では、水分を含有する雰囲気へウェハを晒すことでフッ素を除去する。具体的には、処理室にウェハを搬入した後、水分供給機構から処理室に水蒸気を供給し、処理室内のウェハの表面が、所望の湿度に調整された雰囲気に晒される。その後、所望の時間が経過すると、処理室からウェハが搬出される。

ここで、複数のウェハを効率よく洗浄するため、例えばウェハ洗浄モジュールにおいて鉛直方向に積層された複数のチャンバを用いる。かかる場合、チャンバ自体が鉛直方向に狭小設計構造を有しており、チャンバ間のピッチを最小化することが肝要である。

しかしながら、従来のウェハ洗浄モジュールにおいて、ウェハの搬入出口に設けられるゲートバルブは、弁体を駆動させる駆動機構、例えばエアアクチュエータが当該弁体の下方に配置された構成を有する。そして、駆動機構によって弁体は昇降し、さらにウェハの搬入出口が形成されたシール面に弁体は押し付けられる。このように従来のゲートバルブは鉛直方向に大きなスペースを要し、チャンバ間のピッチを小さく抑えることができないため、上述したように複数のチャンバを鉛直方向に積層して設けることは困難である。したがって、従来のウェハの洗浄処理には改善の余地がある。

本開示にかかる技術は、複数のチャンバを用いて基板に残留するガス成分を効率よく除去する。以下、本実施形態にかかるウェハ処理装置及びウェハ処理方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜ウェハ処理装置＞
先ず、本実施形態にかかるウェハ処理装置の構成について説明する。図１は、本実施形態にかかるウェハ処理装置の構成の概略を示す平面図である。本実施形態においては、ウェハ処理装置１が、基板としてのウェハＷにＣＯＲ処理、ＰＨＴ処理、洗浄処理、及びオリエント処理を行うための各種処理モジュールを備える場合について説明する。なお、本開示のウェハ処理装置１のモジュール構成はこれに限られず、任意に選択され得る。

図１に示すようにウェハ処理装置１は、大気部１０と減圧部１１がロードロックモジュール２０ａ、２０ｂを介して一体に接続された構成を有している。大気部１０は、大気圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う複数の大気モジュールを備える。減圧部１１は、減圧雰囲気下においてウェハＷに所望の処理を行う複数の減圧モジュールを備える。

ロードロックモジュール２０ａは、大気部１０の後述するローダーモジュール３０から搬送されたウェハＷを、減圧部１１の後述するトランスファモジュール６０に引き渡すため、ウェハＷを一時的に保持する。ロードロックモジュール２０ａは、２枚のウェハＷを鉛直方向に沿って保持する上部ストッカ２１ａと下部ストッカ２２ａを有している。

ロードロックモジュール２０ａは、ゲートバルブ２３ａが設けられたゲート２４ａを介して後述するローダーモジュール３０に接続されている。このゲートバルブ２３ａにより、ロードロックモジュール２０ａとローダーモジュール３０の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。また、ロードロックモジュール２０ａは、ゲートバルブ２５ａが設けられたゲート２６ａを介して後述するトランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブ２５ａにより、ロードロックモジュール２０ａとトランスファモジュール６０の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。

ロードロックモジュール２０ａにはガスを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続され、当該給気部と排気部によって内部が大気圧雰囲気と減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。すなわちロードロックモジュール２０ａは、大気圧雰囲気の大気部１０と、減圧雰囲気の減圧部１１との間で、適切にウェハＷの受け渡しができるように構成されている。

なお、ロードロックモジュール２０ｂはロードロックモジュール２０ａと同様の構成を有している。すなわち、ロードロックモジュール２０ｂは、上部ストッカ２１ｂと下部ストッカ２２ｂ、ローダーモジュール３０側のゲートバルブ２３ｂとゲート２４ｂ、トランスファモジュール６０側のゲートバルブ２５ｂとゲート２６ｂを有している。

なお、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂの数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設定できる。

大気部１０は、後述するウェハ搬送機構４０を備えたローダーモジュール３０と、複数のウェハＷを保管可能なフープ３１を載置するロードポート３２と、ウェハＷのフッ素を除去するウェハ洗浄モジュール３３と、ウェハＷの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール３４とを有している。

ウェハＷの搬送装置としてのローダーモジュール３０は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気圧雰囲気に維持されている。ローダーモジュール３０の筐体の長辺を構成する一側面には、複数、例えば３つのロードポート３２が並設されている。ローダーモジュール３０の筐体の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂが並設されている。ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する一側面には、ウェハ洗浄モジュール３３が設けられている。ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する他側面には、オリエンタモジュール３４が設けられている。

なお、ロードポート３２、ウェハ洗浄モジュール３３、及びオリエンタモジュール３４の数や配置は、本実施形態に限定されるものではなく、任意に設計できる。例えばウェハ洗浄モジュール３３は、複数設けられ、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂを挟んで両側に設けられていてもよい。

フープ３１は複数の、例えば１ロット２５枚のウェハＷを等間隔で多段に重なるようにして収容する。また、ロードポート３２に載置されたフープ３１の内部は、例えば、大気や窒素ガスなどで満たされて密閉されている。

ウェハ洗浄モジュール３３は、ＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を行った後のウェハＷの表面に残留するフッ素を除去して、当該ウェハＷの表面を洗浄する。なお、ウェハ洗浄モジュール３３の具体的な構成は後述する。

オリエンタモジュール３４は、ウェハＷを回転させて水平方向の向きの調節を行う。具体的に、オリエンタモジュール３４は、複数のウェハＷのそれぞれにウェハ処理を行うにあたり、当該ウェハ処理毎に、基準位置（例えばノッチ位置）からの水平方向からの向きが同じになるように調節される。

ローダーモジュール３０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構４０が設けられている。ウェハ搬送機構４０は、ウェハＷを保持して移動する搬送アーム４１ａ、４１ｂと、搬送アーム４１ａ、４１ｂを回転可能に支持する回転台４２と、回転台４２を搭載した回転載置台４３とを有している。ウェハ搬送機構４０は、ローダーモジュール３０の筐体の内部において長手方向に移動可能に構成されている。

減圧部１１は、２枚のウェハＷを同時に搬送するトランスファモジュール６０と、トランスファモジュール６０から搬送されたウェハＷにＣＯＲ処理を行うＣＯＲモジュール６１と、ＰＨＴ処理を行うＰＨＴモジュール６２とを有している。トランスファモジュール６０、ＣＯＲモジュール６１、及びＰＨＴモジュール６２の内部は、それぞれ減圧雰囲気に維持される。トランスファモジュール６０に対し、ＣＯＲモジュール６１及びＰＨＴモジュール６２は複数、例えば３つずつ設けられている。

トランスファモジュール６０は内部が矩形の筐体からなり、上述したようにゲートバルブ２５ａ、２５ｂを介してロードロックモジュール２０ａ、２０ｂに接続されている。トランスファモジュール６０は内部が矩形の筐体からなり、ロードロックモジュール２０ａに搬入されたウェハＷを一のＣＯＲモジュール６１、一のＰＨＴモジュール６２に順次搬送してＣＯＲ処理とＰＨＴ処理を施した後、ロードロックモジュール２０ｂを介して大気部１０に搬出する。

ＣＯＲモジュール６１の内部には、２枚のウェハＷを水平方向に並べて載置する２つのステージ６３ａ、６３ｂが設けられている。ＣＯＲモジュール６１は、ステージ６３ａ、６３ｂにウェハＷを並べて載置することにより、２枚のウェハＷに対して同時にＣＯＲ処理を行う。なお、ＣＯＲモジュール６１には、処理ガスやパージガスなどを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続されている。

また、ＣＯＲモジュール６１は、ゲートバルブ６４が設けられたゲート６５を介してトランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブ６４により、トランスファモジュール６０とＣＯＲモジュール６１の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。

ＰＨＴモジュール６２の内部には、２枚のウェハＷを水平方向に並べて載置する２つのステージ６６ａ、６６ｂが設けられている。ＰＨＴモジュール６２は、ステージ６６ａ、６６ｂにウェハＷを並べて載置することにより、２枚のウェハＷに対して同時にＰＨＴ処理を行う。なお、ＰＨＴモジュール６２には、ガスを供給する給気部（図示せず）とガスを排出する排気部（図示せず）が接続されている。

また、ＰＨＴモジュール６２は、ゲートバルブ６７が設けられたゲート６８を介してトランスファモジュール６０に接続されている。このゲートバルブ６７により、トランスファモジュール６０とＰＨＴモジュール６２の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。

トランスファモジュール６０の内部には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送機構７０が設けられている。ウェハ搬送機構７０は、２枚のウェハＷを保持して移動する搬送アーム７１ａ、７１ｂと、搬送アーム７１ａ、７１ｂを回転可能に支持する回転台７２と、回転台７２を搭載した回転載置台７３とを有している。また、トランスファモジュール６０の内部には、トランスファモジュール６０の長手方向に延伸するガイドレール７４が設けられている。回転載置台７３はガイドレール７４上に設けられ、ウェハ搬送機構７０をガイドレール７４に沿って移動可能に構成されている。

トランスファモジュール６０では、ロードロックモジュール２０ａにおいて上部ストッカ２１ａと下部ストッカ２２ａに保持された２枚のウェハＷを搬送アーム７１ａで受け取り、ＣＯＲモジュール６１に搬送する。また、ＣＯＲ処理が施された２枚のウェハＷを、搬送アーム７１ａが保持し、ＰＨＴモジュール６２に搬送する。また更に、ＰＨＴ処理が施された２枚のウェハＷを、搬送アーム７１ｂが保持し、ロードロックモジュール２０ｂに搬出する。

以上のウェハ処理装置１には、制御部８０が設けられている。制御部８０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御部８０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。

＜ウェハ処理装置の動作＞
本実施形態にかかるウェハ処理装置１は以上のように構成されている。次に、ウェハ処理装置１におけるウェハ処理について説明する。

先ず、複数のウェハＷを収納したフープ３１がロードポート３２に載置される。なお、ウェハの表面には酸化膜が形成されている。

次に、ウェハ搬送機構４０によって、フープ３１から２枚のウェハＷが取り出され、オリエンタモジュール３４に搬送される。オリエンタモジュール３４においてウェハＷは、基準位置（例えばノッチ位置）からの水平方向からの向きが調節（オリエント処理）される。

次に、ウェハ搬送機構４０によって、２枚のウェハＷがロードロックモジュール２０ａに搬入される。ロードロックモジュール２０ａに２枚のウェハＷが搬入されると、ゲートバルブ２３ａが閉じられ、ロードロックモジュール２０ａ内が密閉され、減圧される。その後、ゲートバルブ２５ａが開放され、ロードロックモジュール２０ａの内部とトランスファモジュール６０の内部が連通される。

次に、ロードロックモジュール２０ａとトランスファモジュール６０が連通すると、ウェハ搬送機構７０の搬送アーム７１ａによって２枚のウェハＷが保持され、ロードロックモジュール２０ａからトランスファモジュール６０に搬入される。続いて、ウェハ搬送機構７０が一のＣＯＲモジュール６１の前まで移動する。

次に、ゲートバルブ６４が開放され、２枚のウェハＷを保持する搬送アーム７１ａがＣＯＲモジュール６１に進入する。そして、搬送アーム７１ａからステージ６３ａ、６３ｂのそれぞれに、１枚ずつウェハＷが載置される。その後、搬送アーム７１ａはＣＯＲモジュール６１から退出する。

次に、搬送アーム７１ａがＣＯＲモジュール６１から退出すると、ゲートバルブ６４が閉じられ、ＣＯＲモジュール６１において２枚のウェハＷに対してＣＯＲ処理が行われる。そして酸化膜が変質して、反応生成物であるＡＦＳが生成される。

次に、ＣＯＲモジュール６１におけるＣＯＲ処理が終了すると、ゲートバルブ６４が開放され、搬送アーム７１ａがＣＯＲモジュール６１に進入する。そして、ステージ６３ａ、６３ｂから搬送アーム７１ａに２枚のウェハＷが受け渡され、搬送アーム７１ａで２枚のＷが保持される。その後、搬送アーム７１ａはＣＯＲモジュール６１から退出し、ゲートバルブ６４が閉じられる。

次に、ウェハ搬送機構７０がＰＨＴモジュール６２の前まで移動する。続いて、ゲートバルブ６７が開放され、２枚のウェハＷを保持する搬送アーム７１ａがＰＨＴモジュール６２に進入する。そして、搬送アーム７１ａからステージ６６ａ、６６ｂのそれぞれに、１枚ずつウェハＷが載置される。その後、搬送アーム７１ａはＰＨＴモジュール６２から退出する。続いて、ゲートバルブ６７が閉じられ、２枚のウェハＷに対してＰＨＴ処理が行われる。そして、ウェハＷ上のＡＦＳが昇華する。

次に、ウェハＷのＰＨＴ処理が終了すると、ゲートバルブ６７が開放され、搬送アーム７１ｂがＰＨＴモジュール６２に進入する。そして、ステージ６６ａ、６６ｂから搬送アーム７１ｂに２枚のウェハＷが受け渡され、搬送アーム７１ｂで２枚のウェハＷが保持される。その後、搬送アーム７１ｂはＰＨＴモジュール６２から退出し、ゲートバルブ６７が閉じられる。

次に、ゲートバルブ２５ｂが開放され、ウェハ搬送機構７０によって２枚のウェハＷがロードロックモジュール２０ｂに搬入される。ロードロックモジュール２０ｂ内にウェハＷが搬入されると、ゲートバルブ２５ｂが閉じられ、ロードロックモジュール２０ｂ内が密閉され、大気開放される。

次に、ウェハ搬送機構４０によって、２枚のウェハＷがウェハ洗浄モジュール３３に搬送される。ウェハ洗浄モジュール３３では、ウェハＷの表面に残留するフッ素が除去され、当該ウェハＷの表面が洗浄される。なお、この洗浄処理の具体的な処理は後述する。

次に、ウェハ搬送機構４０によって、２枚のウェハＷがフープ３１に戻されて収容される。こうして、ウェハ処理装置１における一連のウェハ処理が終了する。

＜ウェハ洗浄モジュール＞
次に、基板処理装置としてのウェハ洗浄モジュール３３の構成について説明する。図２及び図３は、ウェハ洗浄モジュール３３の構成の概略を示す側面図である。図４は、ウェハ洗浄モジュール３３の構成の概略を示す平面図である。

ウェハ洗浄モジュール３３は、４つのチャンバ１００、４つのドア機構１０１、気化器１０２、給気ライン群１０３、排気ライン群１０４、電装品ボックス１０５、及びブレーカー１０６を有している。

チャンバ１００は鉛直方向に複数、例えば４つ積層されて設けられている。なお、チャンバ１００の数は、本実施形態に限定されず、任意に設定できる。また、図１に示すようにチャンバ１００は、ローダーモジュール３０の筐体の短辺を構成する一側面において、ウェハＷの搬入出口（図示せず）がローダーモジュール３０側に対向するように配置されている。

各チャンバ１００は、例えば２枚のウェハＷを収容する。チャンバ１００の内部では、気化器１０２から給気ライン群１０３を介して水蒸気が供給され、ウェハＷの表面全面が水蒸気に晒される。そうすると、ウェハＷの表面のフッ素と水蒸気が反応して、当該フッ素が除去される。なお、チャンバ１００の構成及びその内部構成には、例えば特開２０２１－０８６８４３号公報に開示された公知の構成を用いることができる。

ドア機構１０１は、チャンバ１００のウェハＷの搬入出口に設けられる。すなわち、ドア機構１０１の数はチャンバ１００の数と対応しており、本実施形態ではドア機構１０１は４つ設けられている。また、図１に示すようにドア機構１０１は、チャンバ１００から突出して、ローダーモジュール３０の内部に配置されている。

気化器１０２は、４つのチャンバ１００の下方に配置されている。気化器１０２では、純水を気化させて水蒸気を生成する。

給気ライン群１０３は、４つのチャンバ１００の背面側（Ｙ軸正方向側）に配置されている。給気ライン群１０３は、４つのチャンバ１００のそれぞれに接続され、チャンバ１００に水蒸気や窒素ガス等の処理ガスを供給する。また、給気ライン群１０３は、気化器１０２から供給される水蒸気供給ラインや、後述の窒素ガス供給源から供給される窒素ガス供給ライン等を含む。

排気ライン群１０４は、４つのチャンバ１００の背面側（Ｙ軸正方向側）に配置されている。排気ライン群１０４は、４つのチャンバ１００のそれぞれに接続され、チャンバ１００から排出される水蒸気や窒素ガス等を排気する。

電装品ボックス１０５は、４つのチャンバ１００の上方に配置されている。電装品ボックス１０５は、ウェハ洗浄モジュール３３の各部に用いられる電装品を収容する。

ブレーカー１０６は、４つのチャンバ１００の下方において、気化器１０２より正面側（Ｘ軸負方向側）に配置されている。

＜チャンバ及びドア機構＞
次に、チャンバ１００及びドア機構１０１の構成について説明する。図５は、チャンバ１００及びドア機構１０１の構成の概略を示す斜視図である。図６～図８は、ドア機構１０１の構成の概略を示す斜視図である。図９は、ドア機構１０１の後述する弁体１２０の構成の概略を示す斜視図である。

図５に示すようにチャンバ１００は、ウェハＷの搬入出口が形成された側面１００ａと、その他の３つの側面１００ｂを有している。ドア機構１０１は、側面１００ａに設けられている。

図６～図８に示すように、ドア機構１０１は、ハウジング１１０、弁体１２０、シャフト１３０、及び駆動部１４０を有している。

ハウジング１１０は、側面視において略門型形状を有している。ハウジング１１０は、チャンバ１００と反対側の側面１１０ａと、チャンバ１００側の側面１１０ｂを有している。ハウジング１１０の側面１１０ｂとチャンバ１００の側面１００ａが接触するように、ハウジング１１０はチャンバ１００に固定される。なお、ハウジング１１０の固定方法は任意であるが、例えばネジ止めされる。

ハウジング１１０の側面１１０ａには、弁体１２０及びシャフト１３０を収容可能な窪み部１１１が形成されている。窪み部１１１の弁体１２０側の表面は、当該弁体１２０に接触するシール面１１２を構成する。また、ハウジング１１０の内側には、シール面１１２から側面１１０ｂまで貫通する開口部１１３が形成されている。開口部１１３は、チャンバ１００の側面１００ａにおけるウェハＷの搬入出口に適合する形状を有する。

ハウジング１１０の側面１１０ｂには、チャンバ１００の側面１００ａと接触するシール部材（第２のシール部材）１１４が設けられている。シール部材１１４は、開口部１１３及びウェハＷの搬入出口を囲うように設けられる。シール部材１１４には、例えば樹脂製のＯリングが用いられる。

弁体１２０は、ハウジング１１０の窪み部１１１に設けられている。弁体１２０は、本体部１２１と支持部１２２を有している。

本体部１２１は、ハウジング１１０のシール面１１２と接触する。図９に示すように、弁体１２０（本体部１２１）のハウジング１１０側の側面１２０ａには、シール部材（第１のシール部材）１２３が設けられている。シール部材１２３は、ハウジング１１０の開口部１１３を囲うように設けられる。シール部材１２３には、例えば樹脂製のＯリングが用いられる。

支持部１２２は、本体部１２１から突出して設けられている。支持部１２２はシャフト１３０に固定され、これにより弁体１２０はシャフト１３０に取り付けられる。

シャフト１３０は、ハウジング１１０の窪み部１１１において、弁体１２０の下方に設けられている。シャフト１３０は、軸部１３１と突起部１３２を有している。

軸部１３１は水平方向に延伸し、弁体１２０の側面１２０ａと平行に配置されている。軸部１３１の一端１３１ａは、ハウジング１１０に軸支される。軸部１３１の他端１３１ｂは、ハウジング１１０を貫通し、駆動部１４０に取り付けられる。

突起部１３２は、シャフト１３０から突出して設けられている。突起部１３２は、弁体１２０の支持部１２２を支持する。

駆動部１４０は、弁体１２０の水平方向側方に配置されている。鉛直方向に並べて配置された４つの駆動部１４０はそれぞれ、弁体１２０に対して同じ側（Ｙ軸正方向側）に配置される。駆動部１４０の内部には電動アクチュエータが設けられ、電動アクチュエータは例えばモータ、ギア、減速機等を備えている。駆動部１４０は、シャフト１３０を回動させる。

以上の構成のドア機構１０１は、チャンバ１００の側面１００ａに形成されたウェハＷの搬入出口を開閉する。すなわち、ドア機構１０１は、駆動部１４０によるシャフト１３０及び弁体１２０の回動動作のみによって、搬入出口を開閉する。

ウェハＷの搬入出口を閉鎖する際には、図６に示すように駆動部１４０によってシャフト１３０を回動させ、弁体１２０（本体部１２１）の側面１２０ａをハウジング１１０のシール面１１２に接触させる。そうすると、弁体１２０によって、開口部１１３及び搬入出口が閉鎖される。

搬入出口を閉鎖する際、シール部材１２３によって、側面１２０ａとシール面１１２の間はシールされる。この際、弁体１２０は下方から上方に回動してハウジング１１０に接触するので、環状のシール部材１２３のうち、先ず下側のシール部材１２３がシール面１１２に接触した後、上側のシール部材１２３がシール面１１２に接触する。すなわち、シール部材１２３に対する面当たり負荷が均一ではなく、先にシール面１１２に接触する下側のシール部材１２３に負荷がかかり得る。そうすると、下側のシール部材１２３が摩耗しやすくなる。この点、本実施形態では、駆動部１４０の電動アクチュエータを用いてシャフト１３０及び弁体１２０を回動させており、当該電動アクチュエータはモーションコントロールに適している。そして、電動アクチュエータのモータを制御することで、下側のシール部材１２３にかかる負荷を軽減することができる。

ウェハＷの搬入出口を開放する際には、図７に示すように駆動部１４０によってシャフト１３０を回動させ、弁体１２０をハウジング１１０から離間させる。この際、図１０に示すように弁体１２０の開閉角度（回動角度）θは９０度以下である。具体的には、開口部１１３及び搬入出口をウェハＷが通過可能に、弁体１２０の開閉角度θは設定される。そして、弁体１２０を開口部１１３より下方まで回動させると、開口部１１３及び搬入出口が開放される。

なお、搬入出口を開放する際、弁体１２０を開口部１１３に対して上方に回動させてもよい。但し、かかる場合、弁体１２０の下方をウェハＷが通過することになるため、弁体１２０からのパーティクルがウェハＷに落下するおそれがある。このため、本実施形態のように弁体１２０を開口部１１３の下方に回動させるのが好ましい。

以上の実施形態のドア機構１０１によれば、駆動部１４０が弁体１２０の水平方向側方に配置されているので、鉛直方向のスペースを低減することができ、チャンバ１００間のピッチを小さく抑えることができる。したがって、ウェハ洗浄モジュール３３において、複数のチャンバ１００を鉛直方向に積層して設けることができ、当該複数のチャンバ１００を用いて複数のウェハＷに対してフッ素を効率よく除去することができる。

図５に示すようにチャンバ１００の側面１００ａには、ドア機構１０１の弁体１２０を加熱する加熱部１５０が設けられている。加熱部１５０は、ヒータを内蔵する。加熱部１５０は、ハウジング１１０の上面側において、少なくとも弁体１２０の上面を覆うように設けられる。ここで、チャンバ１００の内部では、水蒸気を用いてウェハＷのフッ素を除去するため、弁体１２０は結露しやすい。また、弁体１２０は、ローダーモジュール３０の内部の大気雰囲気（ダウンフロー）に露出しているため、チャンバ１００の内部から放熱しやすい。そこで、加熱部１５０は弁体１２０を加熱する。加熱部１５０の設定温度は任意であるが、例えば８０℃～９０℃である。

なお、弁体１２０を加熱するため、弁体１２０自体に加熱部１５０を設けることも考えられる。しかしながら、弁体１２０は回動するので、実際には加熱部１５０を設けるのが困難である。そこで、本実施形態のようにチャンバ１００の側面１００ａに加熱部１５０を設けるのが好ましい。

また、チャンバ１００の側面１００ａには、断熱材１５１が埋設されている。断熱材１５１は、加熱部１５０とハウジング１１０の間に設けられる。上述したようにローダーモジュール３０の内部はダウンフローによって大気雰囲気に維持されているため、チャンバ１００の内部から放熱しやすい。そこで、断熱材１５１を設けて、当該放熱を抑制する。

なお、チャンバ１００の３つの側面１００ｂにも、断熱材（図示せず）が埋設されている。

＜他の実施形態＞
以上の実施形態では、４つのドア機構１０１において駆動部１４０は弁体１２０に対して同じ側（Ｙ軸正方向側）に配置されていたが、図１１に示すように鉛直方向に隣接する２つのドア機構１０１において駆動部１４０は、Ｙ軸方向に交互に配置されていてもよい。すなわち、鉛直方向に隣接する２つのドア機構１０１について、上側のドア機構１０１の弁体１２０に対する駆動部１４０の位置と、下側のドア機構１０１の弁体１２０に対する駆動部１４０の位置とは、Ｙ軸方向に反対である。かかる場合、チャンバ１００間のピッチをさらに小さくすることができる。

以上の実施形態では、複数のチャンバ１００が鉛直方向に積層されていたが、図１２に示すように複数のチャンバ１００はさらに水平方向に配置されていてもよい。かかる場合、水平方向に隣接して２つのドア機構１０１が設けられる。一方（Ｙ軸正方向）に配置されるドア機構１０１において、駆動部１４０は弁体１２０に対して水平方向一方（Ｙ軸正方向）に配置される。他方（Ｙ軸負方向）に配置されるドア機構１０１において、駆動部１４０は弁体１２０に対して水平方向他方（Ｙ軸負方向）に配置される。

以上の実施形態では、各チャンバ１００は２枚のウェハＷを収容して処理したが、ウェハＷの数はこれに限定されない。例えばチャンバ１００は１枚のウェハＷを収容してもよいし、３枚以上のウェハＷを収容してもよい。ウェハＷの枚数に応じてドア機構１０１のサイズは適宜変更することができる。

以上の実施形態では、ドア機構１０１はウェハ洗浄モジュール３３のチャンバ１００に設けられたが、ドア機構１０１の設置対象はこれに限定されない。例えば、ロードロックモジュール２０ａ、２０ｂのゲートバルブは２３ａ、２３ｂに代えて、ドア機構１０１を設けてもよい。例えばロードロックモジュール２０ａ、２０ｂが鉛直方向に複数積層される場合に、このドア機構１０１を用いることは有用である。

＜給気系統及び排気系統＞
次に、上述したウェハ洗浄モジュール３３の給気系統及び排気系統について説明する。図１３は、ウェハ洗浄モジュール３３の給気系統及び排気系統の構成の概略を示す説明図である。本実施形態では、１つのチャンバ１００において２枚のウェハＷを収容して処理する。また、以下の説明においては、鉛直方向に積層された４つのチャンバ１００を、下段側から上段側にチャンバ１００Ａ～１００Ｄという場合がある。

４つのチャンバ１００Ａ～１００Ｄには、３つの給気モジュール２００～２０２が接続されている。給気モジュール２００は、チャンバ１００Ａ、１００Ｂに水蒸気と第２の窒素ガスを供給する。給気モジュール２０１は、チャンバ１００Ｃ、１００Ｄに水蒸気と第２の窒素ガスを供給する。給気モジュール２０２は、チャンバ１００Ａ～１００Ｄに第１の窒素ガスを供給する。本実施形態では、給気モジュール２００、２０１が本開示の水蒸気供給部を構成し、給気モジュール２００～２０２が本開示の窒素ガス供給部を構成する。

給気モジュール２００、２０１はそれぞれ、水蒸気を生成してチャンバ１００に供給する上述の気化器１０２を有している。気化器１０２には、供給ライン２１０を介して、内部に純水を貯留する純水供給源２１１が接続されている。また気化器１０２には、供給ライン２１２を介して、内部に窒素ガスを貯留する窒素ガス供給源２１３が接続されている。気化器１０２では、純水供給源２１１から供給された純水を気化させて水蒸気を生成する。また気化器１０２に供給された窒素ガスは、例えば水蒸気をチャンバ１００に供給する際のキャリアガスとして用いられる。

気化器１０２には、内部を排気するためのベントライン２１４が接続されている。また、気化器１０２の底部には、内部の廃水を排出するためのドレインパンが設けられており、当該ドレインパンにはドレイン２１５が接続されている。

チャンバ１００Ａ、１００Ｂと給気モジュール２００の気化器１０２は、２本の水蒸気供給ライン２１６で接続されている。チャンバ１００Ａ、１００Ｂと気化器１０２を接続する水蒸気供給ライン２１６は、気化器１０２に接続された集合ライン２１６Ａと、集合ライン２１６Ａから分岐してチャンバ１００Ａ、１００Ｂのそれぞれに接続された分岐ライン２１６Ｂ、２１６Ｃを有している。同様にチャンバ１００Ｃ、１００Ｄと給気モジュール２０１の気化器１０２を接続する水蒸気供給ライン２１６は、気化器１０２に接続された集合ライン２１６Ｄと、集合ライン２１６Ｄから分岐してチャンバ１００Ｃ、１００Ｄのそれぞれに接続された分岐ライン２１６Ｅ、２１６Ｆを有している。集合ライン２１６Ａ、分岐ライン２１６Ｂ、２１６Ｃ、集合ライン２１６Ｄ、分岐ライン２１６Ｅ、２１６Ｆにはそれぞれ、バルブ２１７Ａ～２１７Ｆが設けられている。

集合ライン２１６Ａ、２１６Ｄにはそれぞれ、ベントライン２１８Ａ、２１８Ｂが設けられている。ベントライン２１８Ａ、２１８Ｂはそれぞれ、後述する気液分離タンク２５２に接続されている。また、ベントライン２１８Ａ、２１８Ｂにはそれぞれバルブ２１９Ａ、２１９Ｂが設けられている。

給気モジュール２００、２０１はそれぞれ、窒素ガスを第２の温度、例えば１２０℃～３００℃、より好ましくは２００℃～３００℃に加熱する第２の加熱部２２０と、第２の温度を有する第２の窒素ガスを所望の圧力で貯留する加圧タンク２２１とをさらに有している。第２の加熱部２２０と加圧タンク２２１は供給ライン２２２を介して接続され、第２の加熱部２２０は加圧タンク２２１の上流側に設けられている。なお、第２の加熱部２２０と加圧タンク２２１は、一体型に構成されていてもよい。

第２の加熱部２２０は、窒素ガスを第２の温度に加熱するものであれば特に限定されないが、例えばシーズヒータやヒートコイルが用いられる。第２の加熱部２２０には、供給ライン２２３を介して、内部に常温の窒素ガスを貯留する窒素ガス供給源２２４が接続されている。供給ライン２２３には、窒素ガスの流量を調整するフローメータ２２５が設けられている。

加圧タンク２２１は、第２の窒素ガスを加圧して貯留すると共に、例えばヒータ（図示せず）などの加熱機構によって、当該第２の窒素ガスの温度を第２の温度に維持する。給気モジュール２００の加圧タンク２２１には、水蒸気供給ライン２１６を介して、チャンバ１００Ａ、１００Ｂに第２の窒素ガスを供給する第２の窒素ガス供給ライン２２６Ａが接続されている。給気モジュール２０１の加圧タンク２２１には、水蒸気供給ライン２１６を介して、チャンバ１００Ｃ、１００Ｄに第２の窒素ガスを供給する第２の窒素ガス供給ライン２２６Ｂが接続されている。第２の窒素ガス供給ライン２２６Ａ、２２６Ｂはそれぞれ、集合ライン２１６Ａ、２１６Ｄに接続されている。また、第２の窒素ガス供給ライン２２６Ａ、２２６Ｂはそれぞれ、バルブ２２７Ａ、２２７Ｂが設けられている。

給気モジュール２０２は、窒素ガスを第１の温度、例えば５０℃～１００℃に加熱する第１の加熱部２３０と、第１の温度を有する第１の窒素ガスを貯留するタンク２３１とを有している。すなわち、第１の加熱部２３０で加熱される窒素ガスの第１の温度は、第２の加熱部２２０で加熱される窒素ガスの第２の温度よりも低い。第１の加熱部２３０とタンク２３１は供給ライン２３２を介して接続され、第１の加熱部２３０はタンク２３１の上流側に設けられている。

第１の加熱部２３０は、窒素ガスを第１の温度に加熱するものであれば特に限定されないが、例えばシーズヒータやヒートコイルが用いられる。第１の加熱部２３０には、供給ライン２３３を介して、内部に常温の窒素ガスを貯留する窒素ガス供給源２３４が接続されている。供給ライン２３３には、窒素ガスの流量を調整するフローメータ２３５が設けられている。

タンク２３１は、第１の窒素ガスを貯留すると共に、例えばヒータ（図示せず）などの加熱機構によって、当該第１の窒素ガスの温度を第１の温度に維持する。タンク２３１には、水蒸気供給ライン２１６を介して、チャンバ１００に第１の窒素ガスを供給する第１の窒素ガス供給ライン２３６Ａ～２３６Ｄが接続されている。第１の窒素ガス供給ライン２３６Ａ～２３６Ｄはそれぞれ、分岐ライン２１６Ｂ、２１６Ｃ、２１６Ｅ、２１６Ｆに接続されている。また、第１の窒素ガス供給ライン２３６Ａ～２３６Ｄにはそれぞれ、バルブ２３７Ａ～２３７Ｄが設けられている。

そしてタンク２３１は、分岐ライン２１６Ｂ、２１６Ｃ、２１６Ｅ、２１６Ｆに対して、圧力差がないように等分に第１の窒素ガスを供給する。換言すれば、タンク２３１は、第１の窒素ガスのバッファタンクとして機能する。

４つのチャンバ１００Ａ～１００Ｄにはそれぞれ、第１の排気ライン２４１と第２の排気ライン２４２が接続されている。第１の排気ライン２４１は、各チャンバ１００Ａ～１００Ｄ内の水蒸気及び第１の窒素ガスを排出する。第１の排気ライン２４１は、第１の水蒸気排気ライン２４１Ａと第１の窒素ガス排気ライン２４１Ｂに分岐する。第１の水蒸気排気ライン２４１Ａと第１の窒素ガス排気ライン２４１Ｂにはそれぞれ、バルブ２４３Ａ、２４３Ｂが設けられている。第２の排気ライン２４２は、各チャンバ１００Ａ～１００Ｄ内の水蒸気及び第２の窒素ガスを排出する。第２の排気ライン２４２は、第２の水蒸気排気ライン２４２Ａと第２の窒素ガス排気ライン２４２Ｂに分岐する。第２の水蒸気排気ライン２４２Ａと第２の窒素ガス排気ライン２４２Ｂにはそれぞれ、バルブ２４４Ａ、２４４Ｂが設けられている。

第１の窒素ガス排気ライン２４１Ｂと第２の窒素ガス排気ライン２４２Ｂはそれぞれ、排気タンク２５０に接続される。そして、各チャンバ１００Ａ～１００Ｄから排出される第１の窒素ガス及び第２の窒素ガスはそれぞれ、第１の窒素ガス排気ライン２４１Ｂと第２の窒素ガス排気ライン２４２Ｂを介して、排気タンク２５０に集合排気される。

第１の水蒸気排気ライン２４１Ａと第２の水蒸気排気ライン２４２Ａはそれぞれ、ポンプ２５１及び気液分離タンク２５２を介して、排気タンク２５０に接続される。各チャンバ１００Ａ～１００Ｄから排出される水蒸気は、ポンプ２５１で吸引され、気液分離タンク２５２で気体（ガス）と液体に分離された後、ガスが排気タンク２５０に排気される。

＜ウェハ洗浄処理＞
次に、ウェハ洗浄モジュール３３におけるウェハＷの洗浄処理について説明する。図１４は、ウェハＷの洗浄処理におけるウェハ洗浄モジュール３３の動作を示す説明図である。なお、図１７を用いた以下の説明では、チャンバ１００Ａ、１００Ｂにおける洗浄処理について説明するが、他のチャンバ１００Ｃ、１００Ｄにおける洗浄処理も同様である。

先ず、チャンバ１００Ａにおける洗浄処理について説明する。チャンバ１００Ａでは、第１の窒素ガス供給工程Ｓ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ_２パージ）、水蒸気供給工程Ｓ２（Ｈ_２Ｏパージ）、第２の窒素ガス供給工程Ｓ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ_２パージ）、第１の窒素ガス供給工程Ｓ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ_２パージ）が順次行われる。

［第１の窒素ガス供給工程Ｓ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ_２パージ）］
本工程Ｓ１では、バルブ２３７Ａが開けられ、第１の加熱部２３０で第１の温度、例えば５０℃～１００℃に加熱された第１の窒素ガスが、チャンバ１００Ａに供給される。また、バルブ２４３Ｂが開けられ、第１の排気ライン２４１を介して、チャンバ１００Ａの内部のガス（主に第１の窒素ガス）が排出される。すなわち、チャンバ１００Ａでは、大気圧下で第１の窒素ガスが供給されつつ、内部のガスが排出される。なお、本工程Ｓ１では、バルブ２１９Ａが開けられ、ベントライン２１８Ａから集合ライン２１６Ａの内部のガスが排出される。

このようにチャンバ１００Ａに第１の窒素ガスが供給されている間に、ドア機構１０１によってチャンバ１００Ａの搬入出口が開けられ、２枚のウェハＷが搬入される。そして、第１の窒素ガスによって各ウェハＷが所望の温度に調節される。所望の温度は、ウェハＷのフッ素が除去できる温度であり、例えば５０℃～８０℃である。

［水蒸気供給工程Ｓ２（Ｈ_２Ｏパージ）］
本工程Ｓ２では、バルブ２１７Ａ、２１７Ｂが開けられ、気化器１０２で生成された水蒸気が、チャンバ１００Ａに供給される。また、バルブ２４３Ａ、２４４Ａが開けられ、第２の排気ライン２４２を介して、チャンバ１００Ａの内部のガス（主に水蒸気）が排出される。すなわち、チャンバ１００Ａでは、大気圧下で水蒸気が供給されつつ、内部のガスが排出される。本工程Ｓ２では、ウェハＷの表面を水蒸気に晒すことで、水蒸気とフッ素が反応して、当該フッ素が除去される。

［第２の窒素ガス供給工程Ｓ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ_２パージ）］
本工程Ｓ３では、バルブ２２７Ａが開けられ、第２の加熱部２２０で第２の温度、例えば１２０℃～３００℃、より好ましくは２００℃～３００℃に加熱された第２の窒素ガスが、チャンバ１００Ａに供給される。また、バルブ２４４Ｂが開けられ、第２の排気ライン２４２を介して、チャンバ１００Ａの内部のガス（主に第２の窒素ガス）が排出される。すなわち、チャンバ１００Ａでは、大気圧下で第２の窒素ガスが供給されつつ、内部のガスが排出される。なお、本工程Ｓ３では、バルブ２１９Ａが開けられ、ベントライン２１８Ａから集合ライン２１６Ａの内部のガスが排出される。

かかる高温の第２の窒素ガスによって、前の工程Ｓ２で水蒸気に晒されたウェハＷを乾燥させることができる。また、チャンバ１００Ａに残留する水蒸気を除去すると共に、水蒸気供給ライン２１６の集合ライン２１６Ａの一部と分岐ライン２１６Ｂに残留する水蒸気も除去し、さらには第２の排気ライン２４２に残留する水蒸気を除去する。このようにチャンバ１００Ａ、水蒸気供給ライン２１６、第２の排気ライン２４２の水蒸気を除去することで、結露を抑制する。

［第１の窒素ガス供給工程Ｓ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ_２パージ）］
本工程Ｓ４では、バルブ２３７Ａが開けられ、第１の加熱部２３０で第１の温度、例えば５０℃～１００℃に加熱された第１の窒素ガスが、チャンバ１００Ａに供給される。また、バルブ２４３Ｂが開けられ、第１の排気ライン２４１を介して、チャンバ１００Ａの内部のガス（主に第１の窒素ガス）が排出される。すなわち、チャンバ１００Ａでは、大気圧下で第１の窒素ガスが供給されつつ、内部のガスが排出される。なお、本工程Ｓ４では、バルブ２１９Ａが開けられ、ベントライン２１８Ａから集合ライン２１６Ａの内部のガスが排出される。

かかる第１の窒素ガスによって、ウェハＷが所望の温度に調節される。ウェハＷの所望の温度は、ウェハ搬送機構４０がウェハＷを搬送できる温度であって、例えば８０℃以下である。

以上のチャンバ１００Ａにおける一連の工程Ｓ１～Ｓ４が終了すると、ドア機構１０１によってチャンバ１００Ａの搬入出口が開けられ、２枚のウェハＷが搬出される。

チャンバ１００Ｂでも、チャンバ１００Ａと同様に、第１の窒素ガス供給工程Ｓ１（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ_２パージ）、水蒸気供給工程Ｓ２（Ｈ_２Ｏパージ）、第２の窒素ガス供給工程Ｓ３（Ｈｉｇｈ Ｈｏｔ Ｎ_２パージ）、第１の窒素ガス供給工程Ｓ４（Ｎｏｒｍａｒｌ Ｈｏｔ Ｎ_２パージ）が順次行われる。

但し、チャンバ１００Ｂでは、各工程Ｓ１～Ｓ４を行うタイミングが異なる。気化器１０２、第２の加熱部２２０及び加圧タンク２２１、第１の加熱部２３０及びタンク２３１はそれぞれ、各チャンバ１００Ａ～１００Ｄに共通に設けられているためである。チャンバ１００Ｂでは、チャンバ１００Ａの水蒸気供給工程Ｓ２が終了した後、当該チャンバ１００Ｂの水蒸気供給工程Ｓ２を開始する。

本実施形態によれば、水蒸気供給工程Ｓ２において水蒸気によりウェハＷの表面のフッ素を除去することができる。また、水蒸気供給工程Ｓ２以外の工程において、チャンバ１００には窒素ガスが供給される。このため、例えばウェハＷの搬入出時において、すなわちドア機構１０１による搬入出口の開放時において、ローダーモジュール３０の大気雰囲気（特に酸素ガス）がチャンバ１００の内部に流入するのを抑制することができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

３３ ウェハ洗浄モジュール
１００ チャンバ
１０１ ドア機構
１２０ 弁体
１３０ シャフト
１４０ 駆動部
Ｗ ウェハ

Claims (20)

1. 基板処理装置のチャンバに形成された基板の搬入出口に設けられるドア機構であって、
   前記搬入出口を開閉する弁体と、
   水平方向に延伸し、前記弁体が取り付けられるシャフトと、
   前記弁体の水平方向側方に配置され、前記シャフトを回動させる駆動部と、を有する、ドア機構。
2. 前記チャンバに設けられ、前記搬入出口に適合する開口部を備えたハウジングを有し、
   前記弁体は、前記搬入出口を閉鎖する際、前記開口部を覆うように前記ハウジングに接触し、前記搬入出口を開放する際、前記ハウジングから離間する、請求項１に記載のドア機構。
3. 前記弁体は、前記ハウジングから離間する際、前記開口部より下方に回動する、請求項２に記載のドア機構。
4. 前記弁体の開閉角度は９０度以下である、請求項３に記載のドア機構。
5. 前記弁体の前記ハウジング側の表面において、前記開口部を囲うように設けられた第１のシール部材と、
   前記ハウジングの前記チャンバ側の表面において、前記開口部を囲うように設けられた第２のシール部材と、を有する、請求項２～４のいずれか一項に記載のドア機構。
6. 前記駆動部は電動アクチュエータを有する、請求項１～５のいずれか一項に記載のドア機構。
7. 前記ドア機構は、フラップドア構造を有する、請求項１～６のいずれか一項に記載のドア機構。
8. 基板処理装置であって、
   鉛直方向に積層され、側面に基板の搬入出口が形成された複数のチャンバと、
   前記チャンバに形成された基板の搬入出口に設けれる複数のドア機構と、を有し、
   前記ドア機構は、
   前記搬入出口を開閉する弁体と、
   水平方向に延伸し、前記弁体が取り付けられるシャフトと、
   前記弁体の水平方向側方に配置され、前記シャフトを回動させる駆動部と、を有する、基板処理装置。
9. 前記チャンバの内部に水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
   前記チャンバの内部に窒素ガスを供給する窒素ガス供給部と、を有する、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記チャンバは、前記ドア機構を介して、大気雰囲気に維持された基板の搬送装置に接続される、請求項８又は９に記載の基板処理装置。
11. 前記複数のドア機構のうち、鉛直方向に隣接する２つの前記ドア機構について、
    上側の前記ドア機構の前記弁体に対する前記駆動部の位置と、下側の前記ドア機構の前記弁体に対する前記駆動部の位置とは、水平方向に反対である、請求項８～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
12. 前記複数のチャンバは、水平方向に並べて配置される２つのチャンバを含み、
    前記２つのチャンバの各々に設けられ、水平方向に隣接する２つの前記ドア機構について、
    側面視で一方の前記チャンバに設けられる前記ドア機構において、前記駆動部は前記弁体に対して水平方向一方に配置され、
    側面視で他方の前記チャンバに設けられる前記ドア機構において、前記駆動部は前記弁体に対して水平方向他方に配置される、請求項８～１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 前記チャンバの前記搬入出口が形成された側面には、前記弁体を加熱する加熱部が設けられている、請求項８～１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
14. 前記チャンバの前記搬入出口が形成された側面には、断熱材が設けられている、請求項８～１３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
15. 前記チャンバに設けられ、前記搬入出口に適合する開口部を備えたハウジングを有し、
    前記弁体は、前記搬入出口を閉鎖する際、前記開口部を覆うように前記ハウジングに接触し、前記搬入出口を開放する際、前記ハウジングから離間する、請求項８～１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
16. 前記弁体は、前記ハウジングから離間する際、前記開口部より下方に回動する、請求項１５に記載の基板処理装置。
17. 前記弁体の開閉角度は９０度以下である、請求項１４に記載の基板処理装置。
18. 前記弁体の前記ハウジング側の表面において、前記開口部を囲うように設けられた第１のシール部材と、
    前記ハウジングの前記チャンバ側の表面において、前記開口部を囲うように設けられた第２のシール部材と、を有する、請求項１５～１７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
19. 前記駆動部は電動アクチュエータを有する、請求項８～１８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
20. 基板処理装置を用いた基板洗浄方法であって、
    前記基板処理装置は、
    鉛直方向に積層され、側面に基板の搬入出口が形成された複数のチャンバと、
    前記チャンバの内部に水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
    前記チャンバの内部に窒素ガスを供給する窒素ガス供給部と、
    前記チャンバに形成された基板の搬入出口に設けれる複数のドア機構と、を有し、
    前記ドア機構は、
    前記搬入出口を開閉する弁体と、
    水平方向に延伸し、前記弁体が取り付けられるシャフトと、
    前記弁体の水平方向側方に配置され、前記シャフトを回動させる駆動部と、を有し、
    前記基板洗浄方法は、
    基板の洗浄時において、前記水蒸気供給部から前記チャンバの内部に水蒸気を供給する工程と、
    少なくとも前記搬入出口の開閉時において、前記チャンバの内部に不活性ガスを供給する工程と、を有する、基板洗浄方法。

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