JP2023010604A - プロセスレシピ探索装置、エッチングレシピ探索方法及び半導体装置製造システム - Google Patents
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Abstract
Description
dD=D-pD
dW=(W-pW)/2
で表される。
dD1=a×dD
dW1=b×dW
強調倍率a,bは、予測加工形状とターゲット形状との差分から自動で求めてもよいし、ユーザがGUI上で指定してもよい。
eD=D+dD1
eW=W+2×dW1
とする。図4Aに示す通常表示と比べると、ターゲット形状からの差異を視覚的にはっきりと描画することが可能な上に、ターゲット形状を基準にトレンチ幅や深さといった異なる部分の形状の変化を同時に見ることが可能となる。
a<(T-D)/dD
b<(Y-W)/(2×dW)
の関係を満たす必要がある。ウィンドウの表示方法によっては余白部分をオフセットとして考慮することもある。
dD3=DA-DB
dW3=(WA-WB)/2
で表される。
dD4=c×dD3
dW4=d×dW3
強調倍率c,dは基準画像Aと比較画像Bとの差分から自動で求めてもよいし、ユーザがGUI上で指定してもよい。以上のように定義された誤差dD4とdW4を用いて、強調表示する比較画像Bのトレンチ形状の深さfDと幅fWをそれぞれ、
fD=D+dD4
fW=W+2×dW4
とする。
Claims (16)
- 試料を所望の形状にエッチングするよう設定されたプラズマ処理装置のパラメータであるエッチングレシピを探索するプロセスレシピ探索装置であって、
複数の形状要素により前記所望の形状を定義するターゲット形状を決定するターゲット形状決定部と、
前記プラズマ処理装置のパラメータから前記プラズマ処理装置による前記試料の加工形状を予測する機械学習モデルを作成する機械学習モデル作成部と、
前記機械学習モデルを用いて前記エッチングレシピの候補となる候補エッチングレシピを探索するレシピ探索部と、
前記機械学習モデルを用いて予測された前記候補エッチングレシピによる前記試料の予測加工形状を表示装置に表示させ、表示された前記候補エッチングレシピから選択された候補エッチングレシピを、前記プラズマ処理装置に設定して前記試料をエッチングさせる加工レシピとして決定する加工レシピ決定部と、
前記予測加工形状と前記ターゲット形状との差異を強調して前記表示装置に表示する表示形状強調処理部とを有するプロセスレシピ探索装置。 - 請求項1において、
前記表示形状強調処理部は、前記予測加工形状を、前記ターゲット形状と前記予測加工形状との差異を前記形状要素ごとに定められる強調倍率で拡大して前記表示装置に表示するプロセスレシピ探索装置。 - 請求項1において、
前記表示形状強調処理部は、前記予測加工形状と前記ターゲット形状との差異を前記予測加工形状上に視認可能に前記表示装置に表示し、
前記予測加工形状と前記ターゲット形状との差異を、前記予測加工形状における前記形状要素の色あるいは線幅で表示する、または前記予測加工形状の前記ターゲット形状からの外れ量を表すベクトルを当該形状要素に重ねて表示するプロセスレシピ探索装置。 - 請求項1において、
前記加工レシピ決定部は、前記機械学習モデルを用いて予測された、前記候補エッチングレシピに含まれる少なくとも1つのパラメータを変化させた感度評価エッチングレシピによる前記試料の予測加工形状を前記表示装置に表示させ、
前記表示形状強調処理部は、前記候補エッチングレシピによる予測加工形状及び前記感度評価エッチングレシピによる予測加工形状を、それぞれ前記ターゲット形状との差異を強調した状態で重畳して前記表示装置に表示するプロセスレシピ探索装置。 - 請求項1において、
前記レシピ探索部は、前記プラズマ処理装置の前記候補エッチングレシピがとりうるパラメータの範囲を前記表示装置に表示させ、前記プラズマ処理装置のパラメータ間の制約が指定された場合には、制約されたパラメータ空間で前記候補エッチングレシピの探索を行うプロセスレシピ探索装置。 - 試料を所望の形状にエッチングするよう設定されたプラズマ処理装置のパラメータであるエッチングレシピを探索するプロセスレシピ探索装置を用いたエッチングレシピ探索方法において、
複数の形状要素により前記所望の形状を定義するターゲット形状を決定し、
前記プラズマ処理装置のパラメータから前記プラズマ処理装置による前記試料の加工形状を予測する機械学習モデルを作成し、
前記機械学習モデルを用いて前記エッチングレシピの候補となる候補エッチングレシピを探索し、
前記機械学習モデルを用いて予測された前記候補エッチングレシピによる前記試料の予測加工形状を表示装置に表示し、
前記予測加工形状は、前記予測加工形状と前記ターゲット形状との差異を強調して前記表示装置に表示されるエッチングレシピ探索方法。 - 請求項6において、
前記予測加工形状は、前記ターゲット形状と前記予測加工形状との差異を前記形状要素ごとに定められる強調倍率で拡大して前記表示装置に表示されるエッチングレシピ探索方法。 - 請求項6において、
前記機械学習モデルを用いて、前記候補エッチングレシピに含まれる少なくとも1つのパラメータを変化させた感度評価エッチングレシピによる前記試料の加工形状を予測し、
前記候補エッチングレシピによる予測加工形状及び前記感度評価エッチングレシピによる予測加工形状を、それぞれ前記ターゲット形状との差異を強調した状態で重畳して前記表示装置に表示するエッチングレシピ探索方法。 - 請求項6において、
前記プラズマ処理装置の前記候補エッチングレシピがとりうるパラメータの範囲を前記表示装置に表示し、前記プラズマ処理装置のパラメータ間の制約が指定された場合には、制約されたパラメータ空間で前記候補エッチングレシピの探索を行うエッチングレシピ探索方法。 - 請求項6において、
前記表示装置に表示された前記候補エッチングレシピから選択された複数の候補エッチングレシピを、前記プラズマ処理装置に設定して前記試料をエッチングさせる加工レシピとして決定し、
決定された前記加工レシピを前記プラズマ処理装置に設定し、前記試料をエッチングして得られた加工形状のうち、第1の加工レシピによる加工形状を基準画像、第2の加工レシピによる加工形状を比較画像とするとき、前記比較画像は、前記比較画像と前記基準画像との差異を前記形状要素ごとに定められる強調倍率で拡大して前記表示装置に表示されるエッチングレシピ探索方法。 - 請求項10において、
決定された前記加工レシピを前記プラズマ処理装置に設定し、前記試料をエッチングして得られた加工形状が前記ターゲット形状に一致しない場合に、前記ターゲット形状を修正し、
前記機械学習モデルを更新し、
更新された前記機械学習モデルを用いて前記エッチングレシピの候補となる候補エッチングレシピを探索するエッチングレシピ探索方法。 - 端末と、プラズマ処理装置と、ネットワークを介して前記端末及び前記プラズマ処理装置に接続され、試料を所望の形状にエッチングするよう設定された前記プラズマ処理装置のパラメータであるエッチングレシピを探索するプロセスレシピ探索アプリケーションが実装されたプラットフォームとを備える半導体装置製造システムにおいて、
前記プロセスレシピ探索アプリケーションは、
複数の形状要素により前記所望の形状を定義するターゲット形状を決定するステップと、
前記プラズマ処理装置のパラメータから前記プラズマ処理装置による前記試料の加工形状を予測する機械学習モデルを作成するステップと、
前記機械学習モデルを用いて前記エッチングレシピの候補となる候補エッチングレシピを探索するステップと、
前記機械学習モデルを用いて予測された前記候補エッチングレシピによる前記試料の予測加工形状を前記端末に表示させるステップとを実行し、
前記端末に表示される前記予測加工形状は、前記予測加工形状と前記ターゲット形状との差異が強調されている半導体装置製造システム。 - 請求項12において、
前記予測加工形状は、前記ターゲット形状と前記予測加工形状との差異を前記形状要素ごとに定められる強調倍率で拡大して前記端末に表示される半導体装置製造システム。 - 請求項12において、
前記プロセスレシピ探索アプリケーションは、
前記機械学習モデルを用いて、前記候補エッチングレシピに含まれる少なくとも1つのパラメータを変化させた感度評価エッチングレシピによる前記試料の加工形状を予測するステップと、
前記候補エッチングレシピによる予測加工形状及び前記感度評価エッチングレシピによる予測加工形状を、それぞれ前記ターゲット形状との差異を強調した状態で重畳して前記端末に表示させるステップとを実行する半導体装置製造システム。 - 請求項12において、
前記プロセスレシピ探索アプリケーションは、前記プラズマ処理装置の前記候補エッチングレシピがとりうるパラメータの範囲を前記端末に表示させるステップを実行し、
前記端末から前記プラズマ処理装置のパラメータ間の制約が指定された場合には、前記候補エッチングレシピを探索するステップにおいて、制約されたパラメータ空間で前記候補エッチングレシピの探索を行う半導体装置製造システム。 - 請求項12において、
前記プロセスレシピ探索アプリケーションは、前記端末に表示された前記候補エッチングレシピから選択された候補エッチングレシピを、前記プラズマ処理装置に設定して前記試料をエッチングさせる加工レシピとして決定するステップと、
前記加工レシピを前記プラズマ処理装置に設定するステップとを実行する半導体装置製造システム。
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