JP2023010237A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線の不良が抑制される配線基板の提供。【解決手段】粒状の複数のフィラーＦａ、Ｆｂ、Ｆｃを含んでいる絶縁層１１１と、絶縁層１１１の厚さ方向において対向する面の一方に形成される溝ｌｇを充填する埋込配線層１１２と、を備える配線基板であって、埋込配線層１１２に含まれる配線ＦＷの最も小さい線幅Ｗは２μｍ以上、且つ、８μｍ以下の値を有し、複数のフィラーＦａ、Ｆｂ、Ｆｃの最大粒径ＤＭは線幅Ｗの５０％以下である。【選択図】図２

Description

本発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。

特許文献１には、微細なパターンの配線層を有する配線基板が開示されている。層間絶縁層を構成する例えばエポキシ樹脂で構成される樹脂層にレーザーで溝を形成し、溝内に導体を充填することで、樹脂層に埋め込まれた形態を有する微細な配線パターンが形成される。

特開２０１０－４０６２５号公報

特許文献１に開示されている配線基板に形成されている微細なパターンの配線層は、配線の幅が比較的狭く、配線の部分的な断線や、配線によって搬送される電気信号の伝送不良が引き起こされる虞があると考えられる。

本発明の配線基板は、粒状の複数のフィラーを含んでいる絶縁層と、前記絶縁層の厚さ方向において対向する面の一方に形成される溝を充填する埋込配線層と、を備えている。前記埋込配線層に含まれる配線の最も小さい線幅は２μｍ以上、且つ、８μｍ以下の値を有し、前記複数のフィラーの最大粒径は前記線幅の５０％以下である。

本発明の配線基板の製造方法は、粒状の複数のフィラーを含む絶縁層を形成することと、前記絶縁層に埋込配線層を形成することと、を含んでいる。前記埋込配線層を形成することは、前記絶縁層に溝を形成することと、前記溝の内面を被覆する金属膜層を形成することと、前記金属膜層上にめっき膜層を形成することと、を含み、前記溝を形成することは、前記溝の最も小さい幅を２μｍ以上、且つ、８μｍ以下に形成することを含んでおり、前記絶縁層は、最大粒径が前記幅の５０％以下である前記複数のフィラーを含む樹脂を用いて形成される。

本発明の実施形態によれば、埋込配線層における配線における断線や信号の伝送不良などが抑制される、信頼性の高い配線基板及び配線基板の製造方法が提供される。

本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。 本発明の一実施形態の配線基板の一例である図１における部分拡大図。 本発明の一実施形態の配線基板の他の例の図２に対応する部分拡大図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す図４Ｄにおける部分拡大図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。 一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。

本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。なお、以下、参照される図面においては、各構成要素の正確な比率を示すことは意図されておらず、本発明の特徴が理解され易いように描かれている。図１には、一実施形態の配線基板が有し得る構造の一例として、配線基板１の断面図が示されている。

図１に示されるように、配線基板１は、絶縁層（コア絶縁層）１０１と、コア絶縁層１０１の両面に形成された導体層（コア導体層）１０２を含むコア基板１００を有している。コア基板１００の両面上には、それぞれ、絶縁層及び導体層が交互に積層されている。図示の例では、コア基板１００の一方の面Ｆ１上には、絶縁層１１、１１１及び導体層１２、１１２が積層された第１ビルドアップ部１０が形成されている。また、コア基板１００の他方の面Ｆ２上には、絶縁層２１及び導体層２２が積層された第２ビルドアップ部２０が形成されている。

なお、本実施形態の配線基板の説明においては、コア絶縁層１０１から遠い側を、「上」、「上側」、「外側」、又は「外」と称し、コア絶縁層１０１に近い側を、「下」、「下側」、「内側」、又は「内」と称する。また、各絶縁層及び導体層において、コア基板１００と反対側を向く表面は「上面」とも称され、コア基板１００側を向く表面は「下面」とも称される。従って、例えば第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０における各構成要素の説明では、コア基板１００から遠い側が「上側」、「上方」、「上層側」、「外側」、又は単に「上」もしくは「外」とも称され、コア基板１００に近い側が「下側」、「下方」、「下層側」、「内側」、又は単に「下」もしくは「内」とも称される。

第１ビルドアップ部１０上には、ソルダーレジスト層１１０が形成されている。第２ビルドアップ部２０上には、ソルダーレジスト層２１０が形成されている。ソルダーレジスト層１１０には開口１１０ａが形成され、開口１１０ａからは第１ビルドアップ部１０における最も外側の導体層１２が有する導体パッド１２ｐが露出している。ソルダーレジスト層２１０には開口２１０ａが形成され、開口２１０ａからは第２ビルドアップ部２０における最も外側の導体層２２が有する導体パッド２２ｐが露出している。

導体層１２（導体パッド１２ｐ）及びソルダーレジスト層１１０それぞれの露出面によって構成される、第１ビルドアップ部１０の最も外側の表面は、第１面ＦＡと称される。ソルダーレジスト層２１０及び導体層２２（導体パッド２２ｐ）それぞれの露出面によって構成される、第２ビルドアップ部２０の最も外側の表面は、第２面ＦＢと称される。すなわち、配線基板１は、配線基板１の厚さ方向と直交する方向に広がる２つの表面として第１面ＦＡ、及び第１面ＦＡの反対面である第２面ＦＢを有している。

コア基板１００の絶縁層１０１には、コア基板１００における一方の面Ｆ１を構成する導体層１０２と他方の面Ｆ２を構成する導体層１０２とを接続するスルーホール導体１０３が形成されている。絶縁層１１、１１１、２１のそれぞれには、絶縁層１１、１１１、２１それぞれを挟む導体層同士を接続するビア導体１３、２３が形成されている。

導体層１０２、１２、１１２、２２、ビア導体１３、２３、スルーホール導体１０３は、銅又はニッケルなどの任意の金属を用いて形成され、例えば、銅箔などの金属箔、及び／又は、めっき若しくはスパッタリングなどで形成される金属膜によって構成される。導体層１０２、１２、１１２、２２、ビア導体１３、２３、スルーホール導体１０３は、図１では単層構造で示されているが、２つ以上の金属層を有する多層構造を有し得る。例えば、絶縁層１０１の表面上に形成されている導体層１０２は、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっき膜を含む３層構造を有し得る。また、導体層１２、１１２、２２、ビア導体１３、２３、並びにスルーホール導体１０３は、例えば、無電解めっき膜及び電解めっき膜を含む２層構造を有し得る。

配線基板１が有する各導体層１０２、１２、１１２、２２は、所定の導体パターンを有するようにパターニングされている。特に、図示の例では、詳しくは後述されるように、導体層１１２は、絶縁層１１１の外側の表面から内側に向かって埋没する形態を有する埋込配線層として形成され、比較的微細なパターンに形成されている配線ＦＷを有するように形成されている。また、第１ビルドアップ部１０の最も外側の導体層１２は導体パッド１２ｐを含むパターンに形成されている。導体パッド１２ｐは、配線基板１の使用時において配線基板１に実装される部品（図示せず）を載置し得るように形成されている。すなわち、導体パッド１２ｐは外部の部品が配線基板１に搭載される際の接続部として使用される部品実装パッドであり、配線基板１の第１面ＦＡは部品が搭載され得る部品実装面であり得る。部品実装パッド（導体パッド）１２ｐには、例えば、はんだなどの接合材（図示せず）を介して電子部品の電極が電気的及び機械的に接続され得る。配線基板１に搭載され得る部品は例えば、半導体集積回路装置やトランジスタなどの能動部品のような電子部品が例示される。

図１の例の配線基板１における第１面ＦＡに対して反対側の面である第２面ＦＢは、外部の配線基板、例えば任意の電気機器のマザーボードなどの外部要素に配線基板１自体が実装される場合に、外部要素に接続される接続面であり得る。また、第２面ＦＢは、第１面ＦＡと同様に、半導体集積回路装置のような電子部品が実装される部品実装面であってもよい。第２面ＦＢを構成する導体パッド２２ｐは、これらに限定されない任意の基板、電気部品、又は機構部品などと接続され得る。

絶縁層１０１、１１、１１１、２１は、それぞれ、例えばエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）又はフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いて形成される。各絶縁層は、ガラス繊維などの補強材（芯材）及び／又はシリカ、アルミナなどの無機フィラーを含み得る。特に、図示の例では、詳しくは後述するように、埋込配線層である導体層１１２が埋設されている絶縁層１１１においては、含まれているフィラーの寸法は、導体層１１２における配線ＦＷの線幅との関係において制限される所定の値を有する。ソルダーレジスト層１１０、２１０は、例えば、感光性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などを用いて形成されている。

実施形態の配線基板は、少なくとも一層の、比較的ライン幅及びライン間距離が小さい微細な配線パターンを含む、埋込配線層の形態の導体層を有している。具体的には、図示される配線基板１においては、第１ビルドアップ部１０を構成する導体層１１２は、絶縁層１１１に外側から埋没する形態の埋込配線層であり、比較的微細なパターンの配線ＦＷを有している。加えて、図示の例では、埋込配線層（導体層）１１２は配線ＦＷに加えて、上側の導体層１２とビア導体１３を介して接続され得るランド部Ｌを有している。

配線ＦＷは、そのライン幅及びライン間距離が比較的小さい配線パターンに形成されている。なお、配線ＦＷは、図１の断面図において、紙面と垂直の方向に（すなわち紙面の手前側から奥側に）平行に延在する複数（図示の例では４本）の配線として示されており、微細配線ＦＷとも称される。詳しくは、図２を参照して後述されるように、埋込配線層１１２が埋設されている絶縁層１１１に含まれる複数のフィラーの最大径は、この微細配線ＦＷのライン幅（線幅）に対して所定の割合以下の値を有する。これにより、埋込配線層１１２における断線などの不良が抑制される場合がある。

図示される例の配線基板１では、第１ビルドアップ部１０を構成する導体層の内、最も外側の導体層１２から１層内側の導体層１１２が埋込配線層とされている。しかしながら、このような形態の導体層は配線基板内に複数層形成されてもよい。例えば、第２ビルドアップ部２０における、第１ビルドアップ部１０における導体層１１２の階数と同じ階数の導体層２２が埋込配線層とされ、絶縁層１１１と同じ階数の絶縁層２１が、絶縁層１１１と同様のフィラー寸法及びフィラー含有率を有するように形成され得る。なお「階数」は、第１ビルドアップ部１０及び第２ビルドアップ部２０それぞれにおいて積層されている複数の導体層１２、１１２、２２にコア基板１００側から１ずつ増加する数を１から順に付与したときに各導体層１２、１１２、２２に付与される数である。第２ビルドアップ部２０の第１ビルドアップ部１０と同じ階数に、第１ビルドアップ部１０と同様の絶縁層及び埋込配線層が形成されることに因って、配線基板の厚さ方向における対称性が向上し、配線基板の反りが抑制されることがある。

次いで図２を参照して、絶縁層１１１に埋め込まれている埋込配線層１１２における微細配線ＦＷの寸法と、絶縁層１１１に含まれる複数のフィラーの寸法との関係について詳述される。図２は、図１の断面図において符号IIで示される、一点鎖線で囲まれる領域の拡大図である。実施形態の配線基板における埋込配線層に含まれる微細配線は、その配線パターンにおける最も狭い（小さい）線幅Ｗが２μｍ以上、且つ、８μｍ以下である。なお、図示される例においては、導体層１１２は、金属膜層（無電解めっき膜層）１１２ａ及び電解めっき膜層１１２ｂの２層構造で構成されており、金属膜層１１２ａが絶縁層１１１に形成される溝ｌｇ内面を被覆し、溝ｌｇにおける金属膜層１１２ａの内側が電解めっき膜層１１２ｂによって充填されている。

絶縁層１１１は粒状の複数のフィラーＦａ、Ｆｂ、Ｆｃを含んでいる。図示されるように、絶縁層１１１に含まれる複数の粒状のフィラーＦａ、Ｆｂ、Ｆｃは異なるサイズの粒径を有し得る。これらのフィラーとしては、シリコン酸化物、アルミナ、又はムライトなどの無機物の粒体が例示される。フィラーはポリイミドなどの有機物のフィラーである場合もある。なお、フィラーの説明における用語「粒径」は、フィラーの外表面における最も離間する２点間の直線距離である。

絶縁層１１１に形成される溝ｌｇは、後述の製造方法の説明において詳述されるように、絶縁層１１１の上側からのレーザー光の照射による加工、及び、続く薬液を使用するデスミア処理によって形成され得る。レーザー光による加工の段階で、溝ｌｇの内壁面にフィラーが露出し、溝ｌｇの内部に突出する場合がある。従って、図示される４つの配線ＦＷのうち左端に図示される配線ＦＷのように、溝ｌｇの内壁面を被覆する金属膜層１１２ａが溝ｌｇ内に突出するフィラーの形状に追従して形成され、配線ＦＷの形状に歪みが生じる場合がある。また、レーザー光による加工に続くデスミア処理の段階で、溝ｌｇの内側に露出するフィラーとフィラー周囲の樹脂との界面へ薬液が侵入してフィラーと樹脂との剥離が生じ、フィラーが樹脂から脱落する場合もある。従って、例えば、図示される４つの配線ＦＷのうちの右端の配線ＦＷのように、溝ｌｇの内壁面にフィラーの形状に対応する凹部が形成され、金属膜層１１２ａが凹部の形状に沿って形成される場合もある。

特には、溝ｌｇ内へのフィラーの突出により配線ＦＷに歪みが生じた場合には、配線ＦＷの断面積が部分的に小さくなり得る。従って、配線ＦＷのインピーダンスが局所的に増大し、これにより、配線ＦＷによって搬送される信号の伝送不良が引き起こされる虞がある。また、配線ＦＷにおける局所的なインピーダンスの増大は、通電に伴って配線ＦＷの部分的な過熱を引き起こし、配線ＦＷの断線及び周囲の構成要素の損傷をも引き起こす虞がある。さらには、上述の凹部に追従して配線ＦＷが形成される場合には、配線ＦＷの断面積が部分的に増大し、配線ＦＷのインピーダンスの局所的な減少が引き起こされる可能性があり、従って、配線ＦＷによって搬送される信号の伝送不良が引き起こされる虞がある。

本実施形態の配線基板では、埋込配線層の形態を有する配線層が埋設される絶縁層に含まれるフィラーの粒径は、埋込配線層に含まれる配線の寸法に関連して、その最大値が制限される。具体的には、配線基板１における絶縁層１１１に含まれる複数のフィラーＦａ、Ｆｂ、Ｆｃにおいては、その最も大きい寸法を有するフィラーＦａの粒径ＤＭは、配線ＦＷの線幅Ｗの５０％以下の値を有する。絶縁層１１１に含まれる複数のフィラーの最大粒径ＤＭがこのように制限されることにより、溝ｌｇの内壁面へ露出するフィラーに起因する配線の歪みが発生したとしても、配線ＦＷの断面積の変化の程度が緩和され得る。埋込配線層１１２によって搬送される信号の伝送不良は抑制され、配線ＦＷの断線などの不良の発生も抑制され得る。

上述の、絶縁層１１１に含まれる複数のフィラーＦａ、Ｆｂ、Ｆｃの最大粒径ＤＭを、線幅Ｗの５０％以下に制限することに加えて、図３に示されるように、絶縁層１１１のフィラー含有率を低減することによって、さらに、配線ＦＷにおける局所的な断面積の変化の程度が低減され得る。例えば、絶縁層１１１は配線基板１における埋込配線層の形態を有する導体層１１２が埋設されていない絶縁層１１と比較して低いフィラー含有率を有し得る。絶縁層１１１が有するフィラー含有率は、例えば、２５重量％以上、且つ、７０重量％以下とされ得る。絶縁層１１１に要求され得る特性（例えば、熱膨張率及び熱伝導率のような熱的特性、弾性率や柔軟性のような機械的特性、及び／又は比誘電率及び誘電正接などの誘電特性）を満たしながらも、溝ｌｇ内へフィラーが露出する可能性が低減され得る。よって、埋込配線層１１２の微細配線ＦＷにおける局所的なインピーダンスの増大又は減少の程度がさらに抑制され、よって、搬送される信号の伝送不良や断線などの虞がさらに低減され得る。さらには、同様に配線ＦＷの局所的な断面積の変化（増大／縮小）を抑制する観点から、絶縁層１１１内に含まれる、線幅Ｗの２５％以上の粒径を有するフィラーＦａの、複数のフィラーＦａ、Ｆｂ、Ｆｃにおける比率は、７５％以下であることがさらに望ましい。

埋込配線層１１２における比較的微細なパターンを有する配線ＦＷは、その最も小さい厚さとして、５μｍ以上、且つ、１０μｍ以下の厚さＴを有し得る。絶縁層１１１に含まれる複数のフィラーの最大径ＤＭは、配線ＦＷの厚さＴの４０％以下であることが、配線ＦＷの断面積の変化の程度を抑制する観点から好ましい。配線ＦＷにおけるインピーダンスの局所的な変化は効果的に抑制され得る。具体的な例として、微細配線ＦＷのライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が、例えば、５μｍ／５μｍに形成され、その最も小さい厚さＴが５μｍとされている場合に、絶縁層１１１に含まれる複数のフィラーの最大粒径ＤＭは２μｍ以下であり、好ましくは、例えば１μｍとされ得る。

微細配線ＦＷは信号搬送用の配線である場合があり、その信号は高周波信号であり得る。従って、導体層１１２が埋め込まれている絶縁層１１１は高周波特性に優れていることが好ましい。配線に接する絶縁層が、比較的高い値の誘電率、誘電正接を有する場合、配線で伝送される高周波信号の誘電損失（伝送損失）が比較的大きい。誘電損失は、信号の周波数が高ければ大きくなる傾向にあり、特に、マイクロ波、ミリ波領域の高周波信号が伝送される場合には、誘電損失が顕著になり得る。従って、導体層１１２が埋め込まれている絶縁層１１１は、比較的、誘電率及び誘電正接の小さい材料が使用されることが好ましく、例えば、周波数１ＧＨｚにおける比誘電率が３．５以下、且つ、誘電正接が０．００５以下であることが好ましい。

上述の、絶縁層の比誘電率及び誘電正接について、導体層１１２直上の絶縁層１１も同様に周波数１ＧＨｚにおける比誘電率が３．５以下、且つ、誘電正接が０．００５以下であることがさらに好ましい。導体層１１２が接する絶縁層が全て高周波特性に優れたものであることで、導体層１１２はさらに優れた信号伝送品質を有し得る。従って、埋込配線層１１２に接する絶縁層１１１及び絶縁層１１に含まれるフィラーには、比較的小さい値の誘電率及び誘電正接を有するものが採用されることが好ましい。例えば、酸化ケイ素又は窒化ホウ素などを含むフィラーが好ましく使用され得る。

図４Ａ～図４Ｉを参照して、図１に示される配線基板１が製造される場合を例に、製造方法が説明される。先ず、図４Ａに示されるように、コア基板１００が用意される。コア基板１００の用意では、例えば、コア絶縁層１０１を含む両面銅張積層板が用意される。そしてサブトラクティブ法などによって所定の導体パターンを含む導体層１０２を絶縁層１０１の両面に形成すると共に、スルーホール導体１０３を絶縁層１０１内に形成することによってコア基板１００が用意される。

次いで、図４Ｂに示されるように、コア基板１００の一方の面Ｆ１上に絶縁層１１が形成され、その絶縁層１１上に導体層１２が積層される。コア基板１００の他方の面Ｆ２上には絶縁層２１が形成され、その絶縁層２１上に導体層２２が積層される。例えば各絶縁層１１、２１は、フィルム状の絶縁性樹脂を、コア基板１００上に熱圧着することによって形成される。導体層１２、２２は、絶縁層１１、２１に例えばレーザー光によって形成され得る開口１３ａ、２３ａを充填するビア導体１３、２３と同時に、セミアディティブ法などの任意の導体パターンの形成方法を用いて形成される。

次いで、図４Ｃに示されるように、コア基板１００の一方の面Ｆ１側において絶縁層１１１が積層され、他方の面Ｆ２側では絶縁層２１が導体層２２上に積層される。絶縁層１１１には、レーザー加工により貫通孔１３ｇが形成される。貫通孔１３ｇは絶縁層１１１を貫通するビア導体１３（図１参照）が形成されるべき位置に形成される。貫通孔１３ｇの形成には、１０μｍ程度の比較的長い波長の炭酸ガスレーザーが用いられ得る。

絶縁層１１１の形成には、続いて図４Ｄ及び図４Ｅを参照して説明される配線用の溝ｌｇの幅の５０％以下の値を粒径の最大値として有する、粒状の複数のフィラーを含有するフィルム状の樹脂が用いられ得る。なお、絶縁層１１１及び絶縁層２１の積層後、貫通孔１３ｇの形成前に、コア基板１００の他方の面Ｆ２側では、露出する絶縁層２１の表面が、例えばＰＥＴフィルムなどのマスクを用いて適宜保護され得る。

次いで、図４Ｄに示されるように、例えば、比較的波長が短く、絶縁層の加工において比較的優れた直進性を有するエキシマレーザーなどを利用した加工によって、溝Ｌｇ、ｌｇが形成される。溝Ｌｇ、ｌｇは、絶縁層１１１に埋め込まれる埋込配線層の形態の導体層が有するべき配線パターンに従って形成される。溝Ｌｇは形成されるべき埋込配線層１１２におけるランド部に対応し、溝ｌｇは埋込配線層における微細配線に対応する。溝ｌｇは、その幅が、２μｍ以上、且つ、８μｍ以下となるように形成される。なお、図４Ｃ～図４Ｄを参照して説明された、貫通孔１３ｇ及び溝Ｌｇ、ｌｇの形成順序は任意に変更され得る。例えば、貫通孔１３ｇの形成に先行して、溝Ｌｇ、ｌｇが形成されてもよい。

図４Ｅは、本実施形態の配線基板の製造方法における、レーザー光による溝ｌｇの加工が完了した段階での、溝ｌｇ付近の領域の拡大図であり、図４Ｄの一点鎖線で囲われているIV部を拡大した図である。図示されるように、レーザー光により加工された溝ｌｇ内には、絶縁層１１１に含まれるフィラーがその内面に露出した状態となり得る。絶縁層１１１を構成する樹脂に含まれる粒状の複数のフィラーＦａ、Ｆｂ、Ｆｃは、その最大粒径ＤＭが溝ｌｇの幅ｗに対して５０％以下である。従って、溝ｌｇの加工が完了した段階において、溝ｌｇ内へのフィラーの突出の程度は比較的小さく抑制されている。また、続くデスミア処理において、溝ｌｇ内に露出するフィラーが絶縁層１１１を構成する樹脂から脱落したとしても、その脱落痕として形成される凹部の寸法は比較的小さい。よって、続く工程で溝ｌｇを充填して形成される配線の幅の歪み（特に、部分的な断面積の増大又は縮小）の程度が抑制された、良好な品質の配線が形成され得る。配線の歪みの程度を抑制する観点から、絶縁層１１１を構成する樹脂は、そのフィラー含有率が２５重量％以上、且つ、７０重量％以下であることが好ましい。

次いで、図４Ｆに示されるように、絶縁層１１１の上側の面全体（貫通孔１３ｇの内部、溝Ｌｇ、ｌｇの内部、及び、絶縁層１１１の上面）を被覆するように導体層１１２ｐが形成される。例えば、絶縁層１１１の上側の面全体に、無電解めっき又はスパッタリングなどによって金属膜層が形成される。金属膜層は貫通孔１３ｇ、及び、溝Ｌｇ、ｌｇの内面、並びに、絶縁層１１１の上面の全域を被覆する。次いで、この金属膜層をシード層として電解めっきが施されてめっき膜層が形成されることより、貫通孔１３ｇ、溝Ｌｇ、ｌｇの金属膜層の内側が導体で充填されると共に、絶縁層１１１の上面全域を覆う導体層１１２ｐが形成される。

次いで、図４Ｇに示されるように、導体層１１２ｐの厚さ方向における、絶縁層１１１の上面より上の部分が研磨により除去される。絶縁層１１１が露出した状態となり、微細配線ＦＷを有する埋込配線層１１２の形成が完了する。導体層１１２ｐの研磨は、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）により実施され得る。

次いで、図４Ｈに示されるように、コア基板１００の他方の面Ｆ２側で導体層２２がビア導体２３と一体的に形成される。続いて、コア基板１００の一方の面Ｆ１側において、上述した、コア基板１００上への絶縁層１１及び導体層１２の形成と同様の方法によって、導体層１１２の上側に、絶縁層１１及び導体層１２が形成される。コア基板１００の一方の面Ｆ１側のビルドアップ層１０の形成が完了する。コア基板１００の他方の面Ｆ２側では、１層の絶縁層２１と導体層２２が交互に積層される。他方の面Ｆ２側での第２ビルドアップ部２０の形成が完了する。第１ビルドアップ部１０の最外の導体層１２は、導体パッド１２ｐを含むパターンに形成され、第２ビルドアップ部２０の最外の導体層２２は、導体パッド２２ｐを含むパターンに形成される。

次いで、図４Ｉに示されるように、第１ビルドアップ部１０上にソルダーレジスト層１１０が形成され、第２ビルドアップ部２０上にソルダーレジスト層２１０が形成される。例えば、スプレーコーティング、カーテンコーティング、又はフィルム貼り付けなどによって、感光性を有するエポキシ樹脂膜が形成され、露光及び現像により開口１１０ａ、２１０ａが形成される。ソルダーレジスト層１１０、２１０の開口１１０ａ、２１０ａからは導体パッド１２ｐ、２２ｐが露出する。

以上の工程により、配線基板１の形成が完了する。開口１１０ａ、２１０ａの形成後、露出する導体パッド１２ｐ、２２ｐの表面には、保護膜（図示せず）が形成されてもよい。例えば、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又はＳｎなどからなる保護膜がめっき法により形成され得る。有機材の吹き付けによりＯＳＰ膜が形成されてもよい。

実施形態の配線基板は、各図面に例示される構造、並びに、本明細書において例示される構造、形状、及び材料を備えるものに限定されない。例えば、微細配線を有する埋込配線層の形態の導体層は、配線基板を構成する導体層の内の任意の単数又は複数の導体層であり得る。実施形態の説明では、一層の埋込配線層内で、単一の深さ（厚さ）を有する微細配線を有する例が示されたが、異なる厚さを有する複数の配線が同一の埋込配線層内に形成されてもよい。第１ビルドアップ部及び第２ビルドアップ部は任意の層数の絶縁層及び導体層を有し得る。コア基板の両面に形成される第１ビルドアップ部が有する絶縁層及び導体層の層数は、第２ビルドアップ部が有する絶縁層及び導体層の層数と異なっていてよい。

本実施形態の配線基板の製造方法は、各図面を参照して説明された方法に限定されず、その条件や順序等は適宜変更されてよい。現に製造される配線基板の構造に応じて、一部の工程が省略されてもよく、別の工程が追加されてもよい。

１ 配線基板
１０ 第１ビルドアップ部
２０ 第２ビルドアップ部
１０１、１１１、１１、２１ 絶縁層
１０２、１２、２２ 導体層
１１２ 導体層（埋込配線層）
１００ コア基板
１０３ スルーホール導体
１３、２３ ビア導体
１１０、２１０ ソルダーレジスト層
１２ｐ、２２ｐ 導体パッド
Ｌｇ、ｌｇ 溝
ＦＷ 配線（微細配線）
Ｗ、ｗ 幅

Claims (8)

1. 粒状の複数のフィラーを含んでいる絶縁層と、前記絶縁層の厚さ方向において対向する面の一方に形成される溝を充填する埋込配線層と、を備える配線基板であって、
   前記埋込配線層に含まれる配線の最も小さい線幅は２μｍ以上、且つ、８μｍ以下の値を有し、
   前記複数のフィラーの最大粒径は前記線幅の５０％以下である。
2. 請求項１記載の配線基板であって、前記絶縁層の前記フィラーの含有率は、２５重量％以上、且つ、７０重量％以下である。
3. 請求項１記載の配線基板であって、前記埋込配線層は、前記絶縁層を被覆する金属膜層と、前記金属膜層上に形成されるめっき膜層とを含んでいる。
4. 請求項１記載の配線基板であって、前記埋込配線層に含まれる配線の最も小さい厚さは５μｍ以上且つ１０μｍ以下であり、前記複数のフィラーの最大粒径は、前記厚さの４０％以下である。
5. 請求項１記載の配線基板であって、前記埋込配線層に含まれる配線の最も小さい線幅は５μｍであり、且つ、最も小さい厚さは５μｍであり、前記複数のフィラーの最大粒径は１μｍである。
6. 請求項１記載の配線基板であって、前記複数のフィラーにおける、前記線幅の２５％以上の粒径を有するフィラーの占める割合は、７５％以下である。
7. 粒状の複数のフィラーを含む絶縁層を形成することと、前記絶縁層に埋込配線層を形成することと、を含む配線基板の製造方法であって、
   前記埋込配線層を形成することは、前記絶縁層に溝を形成することと、前記溝の内面を被覆する金属膜層を形成することと、前記金属膜層上にめっき膜層を形成することと、を含み、
   前記溝を形成することは、前記溝の最も小さい幅を２μｍ以上、且つ、８μｍ以下に形成することを含んでおり、
   前記絶縁層は、最大粒径が前記幅の５０％以下である前記複数のフィラーを含む樹脂を用いて形成される。
8. 請求項７記載の配線基板の製造方法であって、前記絶縁層は、前記複数のフィラーの含有率が２５重量％以上、且つ、７０重量％以下の樹脂を用いて形成される。

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