JP2023005499A - Led chip formation substrate and transfer method of led chip - Google Patents

Led chip formation substrate and transfer method of led chip Download PDF

Info

Publication number
JP2023005499A
JP2023005499A JP2021107466A JP2021107466A JP2023005499A JP 2023005499 A JP2023005499 A JP 2023005499A JP 2021107466 A JP2021107466 A JP 2021107466A JP 2021107466 A JP2021107466 A JP 2021107466A JP 2023005499 A JP2023005499 A JP 2023005499A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led chip
transfer
backplane
substrate
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021107466A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
一幸 山田
Kazuyuki Yamada
圭介 浅田
Keisuke Asada
健一 武政
Kenichi Takemasa
大樹 磯野
Daiki ISONO
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to JP2021107466A priority Critical patent/JP2023005499A/en
Priority to TW111122579A priority patent/TWI830256B/en
Publication of JP2023005499A publication Critical patent/JP2023005499A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

To provide an LED chip forming substrate including an LED chip for repair.SOLUTION: An LED chip forming substrate includes a first region including a plurality of first LED chips arranged with a first pitch in a first direction, and a second region located on the periphery of the first region and including a plurality of second LED chips arranged with a second pitch greater than the first pitch in the first direction, and the first LED chip and the second LED chip have the same emission color. Also, the number of the plurality of second LED chips is 0.1% or more and 10% or less of the number of the plurality of first LED chips.SELECTED DRAWING: Figure 1A

Description

本発明の一実施形態は、LEDチップが形成されたLEDチップ形成基板に関する。また、本発明の一実施形態は、LEDチップ形成基板を用いてバックプレーンにLEDチップを移載するLEDチップの移載方法に関する。 One embodiment of the present invention relates to an LED chip forming substrate on which LED chips are formed. Further, one embodiment of the present invention relates to an LED chip transfer method for transferring LED chips to a backplane using an LED chip forming substrate.

スマートフォン等の中小型表示装置において、液晶やOLED(Organic Light Emitting Diode)を用いた表示装置が既に製品化されている。特に、自発光型素子であるOLEDを用いたOLED表示装置は、液晶表示装置と比べて、高コントラストでバックライトが不要である、という利点を有する。しかしながら、OLEDは有機化合物によって構成されるため、有機化合物の劣化に起因して、OLED表示装置の高信頼性を確保することが難しい。 Display devices using liquid crystals or OLEDs (Organic Light Emitting Diodes) have already been commercialized in small and medium-sized display devices such as smartphones. In particular, an OLED display device using an OLED, which is a self-luminous element, has advantages over a liquid crystal display device in that it has a high contrast and does not require a backlight. However, since the OLED is composed of an organic compound, it is difficult to ensure high reliability of the OLED display device due to deterioration of the organic compound.

近年、次世代表示装置として、回路基板の画素回路に微小なLEDチップを実装した、いわゆるマイクロLED表示装置(又はミニLED表示装置)の開発が進められている(例えば、特許文献1)。LEDは、OLEDと同様の自発光型素子であるが、OLEDと異なり、ガリウム(Ga)またはインジウム(In)などを含む無機化合物で構成される。したがって、OLED表示装置と比較すると、マイクロLED表示装置は高信頼性を確保しやすい。さらに、LEDチップは、OLED表示装置よりも発光効率及び輝度が高い。したがって、マイクロLED表示装置は、高信頼性、高輝度、及び高コントラストの次世代表示装置として期待されている。 In recent years, as a next-generation display device, so-called micro LED display devices (or mini LED display devices) in which minute LED chips are mounted on pixel circuits on a circuit board have been developed (for example, Patent Document 1). An LED is a self-luminous element similar to an OLED, but unlike an OLED, it is composed of an inorganic compound containing gallium (Ga), indium (In), or the like. Therefore, compared with the OLED display device, it is easier to ensure high reliability of the micro LED display device. Furthermore, LED chips have higher luminous efficiency and brightness than OLED displays. Therefore, the micro LED display device is expected as a next-generation display device with high reliability, high brightness, and high contrast.

マイクロLED表示装置は、OLED表示装置と異なり、その製造方法において、バックプレーンにLEDチップを移載する工程を有する。例えば、特許文献1には、レーザ光の照射によってマイクロLEDチップをバックプレーンに移載する方法が開示されている。 Unlike the OLED display device, the micro LED display device has a manufacturing process in which the LED chips are transferred to the backplane. For example, Patent Literature 1 discloses a method of transferring a micro LED chip to a backplane by irradiating laser light.

特表2019-511838号公報Japanese Patent Publication No. 2019-511838

マイクロLEDチップの移載において不良が発生した場合、不良箇所をリペアする必要がある。しかしながら、マイクロLEDチップは微細であり、マイクロLEDチップ単体での取り扱いが非常に難しい。そのため、不良箇所のリペアによる歩留りの低下、または製造コストの上昇が問題となっていた。 If a defect occurs during the transfer of the micro LED chip, it is necessary to repair the defective portion. However, the micro LED chip is minute, and it is very difficult to handle the micro LED chip alone. As a result, there has been a problem of a decrease in yield or an increase in manufacturing cost due to repair of defective portions.

本発明の一実施形態は、上記問題に鑑み、リペア用のLEDチップを含むLEDチップ形成基板を提供することを目的の一つとする。また、本発明の一実施形態は、LEDチップ形成基板を用いてリペアを行うことができるLEDチップの移載方法を提供すること目的の一つとする。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, one object of an embodiment of the present invention is to provide an LED chip forming substrate including an LED chip for repair. Another object of one embodiment of the present invention is to provide an LED chip transfer method capable of performing repair using an LED chip forming substrate.

本発明の一実施形態に係るLEDチップ形成基板は、第1の方向に第1のピッチを有して配置された複数の第1のLEDチップを含む第1の領域と、第1の領域の周辺部に位置し、第1の方向に第1のピッチよりも大きい第2のピッチを有して配置された第2のLEDチップを含む第2の領域と、を含み、第1のLEDチップと前記第2のLEDチップとは同一の発光色を有する。 An LED chip forming substrate according to one embodiment of the present invention includes a first region including a plurality of first LED chips arranged with a first pitch in a first direction; a second region located at the periphery and including second LED chips arranged with a second pitch greater than the first pitch in the first direction; and the second LED chip have the same emission color.

本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法は、第1の方向に第1のピッチを有して配置された複数の第1のLEDチップを含む第1の領域と、第1の領域の周辺部に位置し、第1の方向に第1のピッチよりも大きい第2のピッチを有して配置された複数の第2のLEDチップを含む第2の領域と、を含むLEDチップ形成基板を、第1の領域を含む第1の基板と複数の第2のLEDチップの1つを含む第2の基板とに分離し、第1の基板を用いて、複数の第1のLEDチップの1つまたは複数をバックプレーンに移載し、第2の基板を用いて、複数の第2のLEDチップの1つをバックプレーンに移載する。 An LED chip transfer method according to an embodiment of the present invention includes a first region including a plurality of first LED chips arranged with a first pitch in a first direction; a second region located at the periphery of the region and including a plurality of second LED chips arranged with a second pitch greater than the first pitch in the first direction. Separating the forming substrate into a first substrate containing the first region and a second substrate containing one of the plurality of second LED chips, and using the first substrate to form the plurality of first LED chips One or more of the chips are transferred to the backplane, and a second substrate is used to transfer one of a plurality of second LED chips to the backplane.

本発明の一実施形態に係るLEDチップ形成基板の模式的な平面図である。1 is a schematic plan view of an LED chip forming substrate according to one embodiment of the present invention; FIG. 本発明の一実施形態に係るLEDチップ形成基板の模式的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an LED chip forming substrate according to one embodiment of the present invention; FIG. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、LEDチップ形成基板の切断を説明する模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating cutting of the LED chip forming substrate in the LED chip transfer method according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、第1の移載基板を用いて第1のLEDチップを移載する工程を説明する模式図である。FIG. 4B is a schematic diagram illustrating a step of transferring the first LED chip using the first transfer substrate in the method for transferring the LED chip according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、第1の移載基板を用いて第1のLEDチップを移載する工程を説明する模式図である。FIG. 4B is a schematic diagram illustrating a step of transferring the first LED chip using the first transfer substrate in the method for transferring the LED chip according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、第1の移載基板を用いて第1のLEDチップを移載する工程を説明する模式図である。FIG. 4B is a schematic diagram illustrating a step of transferring the first LED chip using the first transfer substrate in the method for transferring the LED chip according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、第1の移載基板を用いて第1のLEDチップを移載する工程を説明する模式図である。FIG. 4B is a schematic diagram illustrating a step of transferring the first LED chip using the first transfer substrate in the method for transferring the LED chip according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、第1の移載基板を用いて第1のLEDチップを移載する工程を説明する模式図である。FIG. 4B is a schematic diagram illustrating a step of transferring the first LED chip using the first transfer substrate in the method for transferring the LED chip according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、第1の移載基板を用いて第1のLEDチップを移載する工程を説明する模式図である。FIG. 4B is a schematic diagram illustrating a step of transferring the first LED chip using the first transfer substrate in the method for transferring the LED chip according to the embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、第2の移載基板を用いて第2のLEDチップを移載する工程を説明する模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a step of transferring a second LED chip using a second transfer board in the method for transferring LED chips according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、第2の移載基板を用いて第2のLEDチップを移載する工程を説明する模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a step of transferring a second LED chip using a second transfer board in the method for transferring LED chips according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、第2の移載基板を用いて第2のLEDチップを移載する工程を説明する模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a step of transferring a second LED chip using a second transfer board in the method for transferring LED chips according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、リペアの工程を説明する模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a repair process in the method for transferring an LED chip according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係るLEDチップの移載方法において、リペアの工程を説明する模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a repair process in the method for transferring an LED chip according to one embodiment of the present invention.

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎない。当業者が、発明の主旨を保ちつつ、実施形態の構成を適宜変更することによって容易に想到し得る構成についても、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかし、図示された形状はあくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号の後にアルファベットを付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Each embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is only an example. Configurations that can be easily conceived by a person skilled in the art by appropriately changing the configurations of the embodiments while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. In addition, in order to make the description clearer, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual mode. However, the illustrated shape is only an example and does not limit the interpretation of the present invention. In addition, in this specification and each figure, elements similar to those described above with respect to the previous figures may be denoted by the same reference numerals followed by alphabets, and detailed description thereof may be omitted as appropriate.

本明細書において、説明の便宜上、「上」または「上方」もしくは「下」または「下方」という語句を用いて説明するが、原則として、構造物が形成される基板を基準とし、基板から構造物に向かう方向を「上」または「上方」とする。逆に、構造物から基板に向かう方向を「下」または「下方」とする。したがって、基板上の構造物という表現において、基板と向き合う方向の構造物の面が構造物の下面となり、その反対側の面が構造物の上面となる。また、基板上の構造物という表現においては、基板と構造物との上下関係を説明しているに過ぎず、基板と構造物との間に他の部材が配置されていてもよい。さらに、「上」または「上方」もしくは「下」または「下方」の語句は、複数の層が積層された構造における積層順を意味するものであり、平面視において重畳する位置関係になくてもよい。 In this specification, for convenience of explanation, the terms “upper”, “upper”, “lower”, and “lower” are used, but in principle, the substrate on which the structure is formed is used as a reference, and the structure is formed from the substrate. Let the direction toward an object be "up" or "upper". Conversely, the direction from the structure toward the substrate is defined as "down" or "lower". Therefore, in the expression of the structure on the substrate, the surface of the structure facing the substrate is the lower surface of the structure, and the opposite surface is the upper surface of the structure. In addition, the expression "structure on the substrate" merely describes the vertical relationship between the substrate and the structure, and other members may be arranged between the substrate and the structure. Furthermore, the terms "upper" or "upper" or "lower" or "lower" mean the order of stacking in a structure in which a plurality of layers are stacked, even if they are not in an overlapping positional relationship in plan view. good.

本明細書において、「αはA、B又はCを含む」、「αはA,B及びCのいずれかを含む」、「αはA,B及びCからなる群から選択される一つを含む」、といった表現は、特に明示が無い限り、αがA~Cの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。 In the present specification, "α includes A, B or C", "α includes any one of A, B and C", "α is one selected from the group consisting of A, B and C The expression "including" does not exclude the case where α includes a plurality of combinations of A to C, unless otherwise specified. Furthermore, these expressions do not exclude the case where α contains other elements.

以下の各実施形態は、技術的な矛盾を生じない限り、互いに組み合わせることができる。 Each of the following embodiments can be combined with each other as long as there is no technical contradiction.

<第1実施形態>
[1.LEDチップ形成基板10の構成]
図1Aおよび図1Bを参照して、本発明の一実施形態に係るLEDチップ形成基板10の構成について説明する。
<First Embodiment>
[1. Configuration of LED chip forming substrate 10]
A configuration of an LED chip forming substrate 10 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A and 1B.

図1Aおよび図1Bは、本発明の一実施形態に係るLEDチップ形成基板10の模式的な平面図および断面図である。具体的には、図1Bは、図1Aに示すA1-A2線に沿って切断された拡大断面図である。 1A and 1B are schematic plan and cross-sectional views of an LED chip forming substrate 10 according to one embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 1B is an enlarged cross-sectional view taken along line A1-A2 shown in FIG. 1A.

図1Aに示すように、LEDチップ形成基板10は、支持基板100上に、第1の領域110および第2の領域120が形成されている。第1の領域110は、支持基板100の中央部に形成されている。第2の領域120は、支持基板100の周辺部に形成されている。換言すると、第2の領域120は、第1の領域110の周辺部に形成されている。 As shown in FIG. 1A, LED chip forming substrate 10 has first region 110 and second region 120 formed on support substrate 100 . A first region 110 is formed in the central portion of the support substrate 100 . A second region 120 is formed in the peripheral portion of the support substrate 100 . In other words, the second region 120 is formed around the first region 110 .

第2の領域120は複数形成されていてもよい。その場合、複数の第2の領域120は、第1の領域110の周辺部に離間して形成されていてもよい。 A plurality of second regions 120 may be formed. In that case, the plurality of second regions 120 may be spaced apart from each other around the first region 110 .

平面視において、第1の領域110および第2の領域120の各々は矩形状に形成されている。但し、第1の領域110および第2の領域120の各々は、矩形状に限られることなく、任意の形状に形成されることができる。 In plan view, each of first region 110 and second region 120 is formed in a rectangular shape. However, each of the first region 110 and the second region 120 can be formed in any shape without being limited to a rectangular shape.

図1Bに示すように、第1の領域110には、支持基板100上に、複数の第1のLEDチップ200-1が形成されている。また、第2の領域120には、支持基板100上に、複数の第2のLEDチップ200-2が形成されている。第1のLEDチップ200-1と第2のLEDチップ200-2とは同一の発光色(例えば、青色、緑色、または赤色)を有する。すなわち、第1のLEDチップ200-1と第2のLEDチップ200-2は、同一の構造を有する。そのため、以下では、第1のLEDチップ200-1と第2のLEDチップ200-2とを特に区別しない場合は、LEDチップ200として説明する場合がある。また、LEDチップ200の発光色の違いを説明するために、青色LEDチップ200B、緑色LEDチップ200G、および赤色LEDチップ200Rとして説明する場合がある。 As shown in FIG. 1B, a plurality of first LED chips 200-1 are formed on the support substrate 100 in the first region 110. As shown in FIG. A plurality of second LED chips 200 - 2 are formed on the support substrate 100 in the second region 120 . The first LED chip 200-1 and the second LED chip 200-2 have the same emission color (eg, blue, green, or red). That is, the first LED chip 200-1 and the second LED chip 200-2 have the same structure. Therefore, hereinafter, the first LED chip 200-1 and the second LED chip 200-2 may be described as the LED chip 200 unless otherwise distinguished. Also, in order to explain the difference in emission colors of the LED chips 200, the blue LED chip 200B, the green LED chip 200G, and the red LED chip 200R may be described.

LEDチップ200を構成する各層(例えば、カソード電極、n型半導体層、発光層、p型半導体層、またはアノード電極など)は、支持基板100上に形成される。そのため、支持基板100は、各層を結晶成長させることができる基板であることが好ましい。支持基板100は、例えば、サファイア基板である。しかしながら、支持基板100の構成は、これに限られない。支持基板100は、別の基板を用いて形成されたLEDチップ200が転写された基板であってもよい。この場合、支持基板100として、ガラス基板、石英基板、または樹脂基板などの透光性を有する基板を用いることができる。樹脂基板として、ポリイミド基板、アクリル基板、シロキサン基板、またはフッ素樹脂基板などの可撓性を有する基板を用いることができる。なお、レーザ光を用いてLEDチップ200をバックプレーンに移載する場合には、支持基板100はレーザ光を透過する透光性基板であることが好ましい。なお、「バックプレーン」とは、LEDチップ200を制御する回路が形成された基板をいう。バックプレーンには、回路と電気的に接続する電極上に、導電性の接着部材が設けられていてもよい。 Each layer (for example, a cathode electrode, an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer, a p-type semiconductor layer, an anode electrode, etc.) forming the LED chip 200 is formed on the support substrate 100 . Therefore, the support substrate 100 is preferably a substrate on which each layer can be crystal-grown. The support substrate 100 is, for example, a sapphire substrate. However, the configuration of the support substrate 100 is not limited to this. The support substrate 100 may be a substrate onto which an LED chip 200 formed using another substrate is transferred. In this case, a light-transmitting substrate such as a glass substrate, a quartz substrate, or a resin substrate can be used as the supporting substrate 100 . As the resin substrate, a flexible substrate such as a polyimide substrate, an acrylic substrate, a siloxane substrate, or a fluororesin substrate can be used. Note that when the LED chip 200 is transferred to the backplane using a laser beam, the support substrate 100 is preferably a translucent substrate that transmits the laser beam. Note that the “backplane” refers to a substrate on which a circuit for controlling the LED chips 200 is formed. The backplane may have a conductive adhesive member on the electrodes that electrically connect with the circuit.

支持基板100とLEDチップ200との間には、剥離層210が設けられている。LEDチップ200をバックプレーンに移載するとき、LEDチップ200は、剥離層210において支持基板100から分離される。剥離層210は、例えば、窒化ガリウム薄膜である。窒化ガリウム薄膜は、波長248nmのレーザ光を吸収することができる。そのため、剥離層210が窒化ガリウム薄膜である場合、波長248nmのレーザ光を照射すると、窒化ガリウムが金属ガリウムと窒素ガスとに分解され、LEDチップ200を支持基板100から分離することができる。換言すると、LEDチップ200をリフトオフすることができる。 A release layer 210 is provided between the support substrate 100 and the LED chip 200 . When transferring the LED chip 200 to the backplane, the LED chip 200 is separated from the support substrate 100 at the release layer 210 . The release layer 210 is, for example, a gallium nitride thin film. A gallium nitride thin film can absorb laser light with a wavelength of 248 nm. Therefore, when the peeling layer 210 is a gallium nitride thin film, the gallium nitride is decomposed into metal gallium and nitrogen gas when irradiated with a laser beam having a wavelength of 248 nm, and the LED chip 200 can be separated from the support substrate 100 . In other words, the LED chip 200 can be lifted off.

図1Bに示す剥離層210は、LEDチップ200ごとに島状に設けられているが、剥離層210の構成はこれに限らない。剥離層210は、第1の領域110および第2の領域120の全面に設けられていてもよい。なお、剥離層210は、必要に応じて設けられ、LEDチップ形成基板10は剥離層210を含まない構成とすることもできる。 Although the release layer 210 shown in FIG. 1B is provided in an island shape for each LED chip 200, the configuration of the release layer 210 is not limited to this. The release layer 210 may be provided over the entire surface of the first region 110 and the second region 120 . The release layer 210 may be provided as necessary, and the LED chip forming substrate 10 may be configured without the release layer 210 .

LEDチップ200上には、接続部材220が設けられている。接続部材220は、LEDチップ200をバックプレーンに移載するときに、バックプレーンの電極と電気的に接続される。そのため、接続部材220は導電性を有し、例えば、銀ペースト、はんだ(Sn)、金属ナノ粒子を含むペースト、または異方性導電膜(ACF)などである。なお、接続部材220は、必要に応じて設けられ、LEDチップ形成基板10は接続部材220を含まない構成とすることもできる。 A connection member 220 is provided on the LED chip 200 . The connection member 220 is electrically connected to the electrodes of the backplane when the LED chip 200 is transferred to the backplane. Therefore, the connection member 220 has conductivity, and is, for example, silver paste, solder (Sn), paste containing metal nanoparticles, anisotropic conductive film (ACF), or the like. The connection member 220 may be provided as necessary, and the LED chip forming substrate 10 may be configured without the connection member 220 .

上述したように、第1のLEDチップ200-1と第2のLEDチップ200-2とは同一の構造を有する。しかしながら、第1の領域110に形成される複数の第1のLEDチップ200-1と第2の領域120に形成される複数の第2のLEDチップ200-2とは、異なるピッチを有する。第1の方向(x軸方向)において、複数の第1のLEDチップ200-1および複数の第2のLEDチップ200-2は、それぞれ、第1のピッチp1および第2のピッチp2を有している。第2のピッチp2は、第1のピッチp1よりも大きい。なお、図示しないが、第1の方向と直交する第2の方向(y軸方向)において、複数の第1のLEDチップ200-1および複数の第2のLEDチップ200-2は、それぞれ、第3のピッチp3および第4のピッチp4を有している。第4のピッチp4は、第3のピッチp3よりも大きい。 As described above, the first LED chip 200-1 and the second LED chip 200-2 have the same structure. However, the plurality of first LED chips 200-1 formed in the first region 110 and the plurality of second LED chips 200-2 formed in the second region 120 have different pitches. In the first direction (x-axis direction), the plurality of first LED chips 200-1 and the plurality of second LED chips 200-2 have a first pitch p1 and a second pitch p2, respectively. ing. The second pitch p2 is greater than the first pitch p1. Although not shown, in a second direction (y-axis direction) orthogonal to the first direction, the plurality of first LED chips 200-1 and the plurality of second LED chips 200-2 each 3 pitch p3 and a fourth pitch p4. The fourth pitch p4 is greater than the third pitch p3.

詳細は後述するが、基本的には、第1のLEDチップ200-1がバックプレーンに移載される。これに対し、第2のLEDチップ200-2は、不良箇所のリペアのために用いられる。換言すると、LEDチップ形成基板10は、リペアに特化した第2のLEDチップ200-2のみを集約した第2の領域120を含む。そのため、第1の領域110に形成される第1のLEDチップ200-1の数は、第2の領域120に形成される第2のLEDチップ200-2の数よりもはるかに多い。例えば、第2の領域120に形成される第2のLEDチップ200-2の数は、第1の領域110に形成される第1のLEDチップ200-1の数の0.1%以上10%以下である。また、第2のピッチp2は、例えば、1mm以上5mm以下である。 Although the details will be described later, basically, the first LED chip 200-1 is transferred to the backplane. On the other hand, the second LED chip 200-2 is used for repairing defective portions. In other words, the LED chip forming substrate 10 includes the second region 120 in which only the repair-specific second LED chips 200-2 are aggregated. Therefore, the number of first LED chips 200-1 formed in the first region 110 is much larger than the number of second LED chips 200-2 formed in the second region 120. FIG. For example, the number of second LED chips 200-2 formed in second region 120 is 0.1% or more and 10% of the number of first LED chips 200-1 formed in first region 110. It is below. Also, the second pitch p2 is, for example, 1 mm or more and 5 mm or less.

LEDチップ200の詳細な構造は省略するが、LEDチップ200は、電極が垂直方向に配置される垂直電極構造であってもよく、電極が水平方向に配置される水平電極構造であってもよい。LEDチップ200の一辺の長さは、例えば、1μm以上100μm以下である。 Although the detailed structure of the LED chip 200 is omitted, the LED chip 200 may have a vertical electrode structure in which electrodes are arranged in a vertical direction, or a horizontal electrode structure in which electrodes are arranged in a horizontal direction. . The length of one side of the LED chip 200 is, for example, 1 μm or more and 100 μm or less.

[2.LEDチップ200の移載方法]
図2~図4Cを参照して、バックプレーンへのLEDチップ200の移載方法について説明する。
[2. Transfer method of LED chip 200]
A method of transferring the LED chip 200 to the backplane will be described with reference to FIGS. 2 to 4C.

[2-1.LEDチップ形成基板10の切断工程]
図2は、本発明の一実施形態に係るLEDチップ200の移載方法において、LEDチップ形成基板10の切断を説明する模式図である。
[2-1. Cutting process of LED chip forming substrate 10]
FIG. 2 is a schematic diagram illustrating cutting of the LED chip forming substrate 10 in the transfer method of the LED chip 200 according to one embodiment of the present invention.

図2に示すように、LEDチップ形成基板10は、第1の移載基板11と複数の第2の移載基板12とに分離するように切断される。第1の移載基板11は、第1の領域110を含む。すなわち、第1の移載基板11は、第1の領域110に形成された複数の第1のLEDチップ200-1を含むように切断される。第2の移載基板12は、第2の領域120に形成された1つの第2のLEDチップ200-2を含むように切断される。すなわち、第2の移載基板12は、複数に切断される。 As shown in FIG. 2 , the LED chip forming substrate 10 is cut so as to be separated into a first transfer substrate 11 and a plurality of second transfer substrates 12 . The first transfer substrate 11 includes a first area 110 . That is, the first transfer substrate 11 is cut so as to include the plurality of first LED chips 200-1 formed in the first region 110. FIG. The second transfer substrate 12 is cut to include one second LED chip 200-2 formed in the second region 120. As shown in FIG. That is, the second transfer board 12 is cut into a plurality of pieces.

第1の移載基板11の大きさは、第1の領域110の大きさと略同一である。但し、バックプレーンの大きさがLEDチップ形成基板10の大きさよりも小さい場合には、第1の移載基板11は、バックプレーンの大きさに合わせて複数に切断されてもよい。 The size of the first transfer substrate 11 is substantially the same as the size of the first area 110 . However, if the size of the backplane is smaller than the size of the LED chip forming board 10, the first transfer board 11 may be cut into a plurality of pieces according to the size of the backplane.

第2の移載基板12は、1つの第2のLEDチップ200-2が含まれるように均等に切断されるため、その大きさは、第2のピッチp2および第4のピッチp4に依存したものとなる。第2の移載基板12の一辺の長さは、例えば、1mm以上5mm以下である。第2の移載基板12の大きさが小さすぎると、不良個所のリペアの際に第2の移載基板12を取り扱う(例えば、第2の移載基板12を保持し、把持し、または吸着する)ことが困難になる。また、第2の移載基板12の大きさが大きすぎると、第1の移載基板11の第1のLEDチップ200-1の数が減少するため、製造コストが上昇する。そのため、第2の移載基板12の大きさは、上記範囲であることが好ましい。 Since the second transfer board 12 is evenly cut so as to include one second LED chip 200-2, its size depends on the second pitch p2 and the fourth pitch p4. become a thing. The length of one side of the second transfer substrate 12 is, for example, 1 mm or more and 5 mm or less. If the size of the second transfer board 12 is too small, the second transfer board 12 may be handled (for example, by holding, gripping, or sucking the second transfer board 12 when repairing the defective portion). to do) becomes difficult. Also, if the size of the second transfer board 12 is too large, the number of the first LED chips 200-1 on the first transfer board 11 is reduced, increasing the manufacturing cost. Therefore, the size of the second transfer substrate 12 is preferably within the above range.

基本的には、バックプレーンへのLEDチップ200の移載は、第1の移載基板11を用いて行われる。第2の移載基板12は、不良箇所のリペアの際に用いられる。 Basically, the transfer of the LED chip 200 to the backplane is performed using the first transfer board 11 . The second transfer substrate 12 is used for repairing defective portions.

[2-2.第1の移載基板11を用いたLEDチップ200の移載工程]
図3A~図3Fは、本発明の一実施形態に係るLEDチップ200の移載方法において、第1の移載基板11を用いて第1のLEDチップ200-1を移載する工程を説明する模式図である。
[2-2. Step of Transferring LED Chip 200 Using First Transfer Board 11]
3A to 3F illustrate the steps of transferring the first LED chip 200-1 using the first transfer board 11 in the method for transferring the LED chip 200 according to one embodiment of the present invention. It is a schematic diagram.

図3Aでは、第1の青色LEDチップ200B-1が形成された第1の青色移載基板11Bを、第1のバックプレーン30-1に押し当て、第1の青色LEDチップ200B-1上の接続部材220を第1のバックプレーン30-1の接着部材310に密着させる。なお、接着部材310として、接続部材220と同様の材料を用いることができる。次に、選択的に、剥離層210にレーザ光を照射し、第1の青色LEDチップ200B-1をリフトオフさせる。第1の青色LEDチップ200B-1のリフトオフのエネルギーによって接続部材220と接着部材310とが接着されるが、さらに、接続部材220および接着部材310を選択的に加熱し、接着を強固にしてもよい。なお、接続部材220および接着部材310の選択的な加熱は、例えば、リフトオフとは異なる波長のレーザ光を照射して行うことができる。 In FIG. 3A, the first blue transfer board 11B on which the first blue LED chip 200B-1 is formed is pressed against the first backplane 30-1, and the first blue LED chip 200B-1 is pressed. The connection member 220 is adhered to the adhesive member 310 of the first backplane 30-1. As the bonding member 310, a material similar to that of the connecting member 220 can be used. Next, the release layer 210 is selectively irradiated with laser light to lift off the first blue LED chip 200B-1. The connection member 220 and the bonding member 310 are bonded together by the lift-off energy of the first blue LED chip 200B-1. good. Note that the selective heating of the connecting member 220 and the bonding member 310 can be performed, for example, by irradiating a laser beam with a wavelength different from that of lift-off.

同様に、第1の緑色LEDチップ200G-1が形成された第1の緑色移載基板11Gを、第2のバックプレーン30-2に押し当て、選択的に第1の緑色LEDチップ200G-1をリフトオフさせる。また、同様に、第1の赤色LEDチップ200R-1が形成された第1の赤色移載基板11Rを、第3のバックプレーン30-3に押し当て、選択的に第1の赤色LEDチップ200R-1をリフトオフさせる。 Similarly, the first green transfer substrate 11G on which the first green LED chip 200G-1 is formed is pressed against the second backplane 30-2 to selectively remove the first green LED chip 200G-1. is lifted off. Similarly, the first red transfer substrate 11R on which the first red LED chip 200R-1 is formed is pressed against the third backplane 30-3 to selectively remove the first red LED chip 200R. -1 is lifted off.

図3Bでは、第1の青色移載基板11Bを第1のバックプレーン30-1から離す。選択的にリフトオフされた第1の青色LEDチップ200B-1は、第1の青色移載基板11Bから第1のバックプレーン30-1に移載される。 In FIG. 3B, the first blue transfer board 11B is separated from the first backplane 30-1. The selectively lifted-off first blue LED chip 200B-1 is transferred from the first blue transfer board 11B to the first backplane 30-1.

同様に、第1の緑色移載基板11Gを第2のバックプレーン30-2から離し、選択的にリフトオフされた第1の緑色LEDチップ200G-1が第2のバックプレーン30-2に移載される。また、同様に、第1の赤色移載基板11Rを第3のバックプレーン30-3から離し、選択的にリフトオフされた第1の赤色LEDチップ200R-1が第3のバックプレーンに移載される。 Similarly, the first green transfer board 11G is separated from the second backplane 30-2, and the selectively lifted-off first green LED chip 200G-1 is transferred to the second backplane 30-2. be done. Similarly, the first red transfer board 11R is separated from the third backplane 30-3, and the selectively lifted-off first red LED chip 200R-1 is transferred to the third backplane. be.

図3Cでは、一部の第1の赤色LEDチップ200R-1が移載された第1の赤色移載基板11R(すなわち、第1の赤色LEDチップ200R-1が欠落した部分を有する第1の赤色移載基板11R)を、第1のバックプレーン30-1に押し当て、第1の赤色LEDチップ200R-1上の接続部材220を第1のバックプレーン30-1の接着部材310に密着させる。第1のバックプレーン30-1には、第1の青色LEDチップ200B-1が移載されているが、第1のバックプレーン30-1上の第1の青色LEDチップ200B-1は、第1の赤色LEDチップ200R-1が欠落した部分に嵌まり込むことができる。そのため、第1のバックプレーン30-1に移載されている第1の青色LEDチップ200B-1が邪魔することなく、第1の赤色移載基板11Rを第1のバックプレーン30-1に押し当てることができる。次に、選択的に、剥離層210にレーザ光を照射し、第1の赤色LEDチップ200R-1をリフトオフさせる。 In FIG. 3C, the first red transfer substrate 11R to which a part of the first red LED chips 200R-1 has been transferred (that is, the first red transfer substrate 11R having a portion where the first red LED chips 200R-1 are missing) is shown. The red transfer substrate 11R) is pressed against the first backplane 30-1, and the connection member 220 on the first red LED chip 200R-1 is brought into close contact with the adhesive member 310 of the first backplane 30-1. . The first blue LED chip 200B-1 is transferred to the first backplane 30-1, but the first blue LED chip 200B-1 on the first backplane 30-1 is 1 red LED chip 200R-1 can be fitted into the missing part. Therefore, the first red transfer board 11R is pushed to the first backplane 30-1 without being disturbed by the first blue LED chip 200B-1 transferred to the first backplane 30-1. can guess. Next, the release layer 210 is selectively irradiated with laser light to lift off the first red LED chip 200R-1.

同様に、一部の第1の青色LEDチップ200B-1が移載された第1の青色移載基板11B(すなわち、第1の青色LEDチップ200B-1が欠落した部分を有する第1の青色移載基板11B)を、第2のバックプレーン30-2に押し当て、選択的に第1の青色LEDチップ200B-1をリフトオフさせる。また、同様に、一部の第1の緑色LEDチップ200G-1が移載された第1の緑色移載基板11G(すなわち、第1の緑色LEDチップ200G-1が欠落した部分を有する第1の緑色移載基板11G)を、第3のバックプレーン30-3に押し当て、選択的に第1の緑色LEDチップ200G-1をリフトオフさせる。 Similarly, the first blue transfer substrate 11B on which some of the first blue LED chips 200B-1 are transferred (that is, the first blue LED chip 200B-1 having a missing portion) The transfer substrate 11B) is pressed against the second backplane 30-2 to selectively lift off the first blue LED chip 200B-1. Similarly, the first green transfer board 11G on which some of the first green LED chips 200G-1 are transferred (that is, the first green transfer board 11G having a portion where the first green LED chips 200G-1 are missing) green transfer substrate 11G) is pressed against the third backplane 30-3 to selectively lift off the first green LED chip 200G-1.

図3Dでは、第1の赤色移載基板11Rを第1のバックプレーン30-1から離す。選択的にリフトオフされた第1の赤色LEDチップ200R-1は、第1の赤色移載基板11Rから第1のバックプレーン30-1に移載される。 In FIG. 3D, the first red transfer board 11R is separated from the first backplane 30-1. The selectively lifted-off first red LED chip 200R-1 is transferred from the first red transfer board 11R to the first backplane 30-1.

同様に、第1の青色移載基板11Bを第2のバックプレーン30-2から離し、選択的にリフトオフされた第1の青色LEDチップ200B-1が第2のバックプレーン30-2に移載される。また、同様に、第1の緑色移載基板11Gを第3のバックプレーン30-3から離し、選択的にリフトオフされた第1の緑色LEDチップ200G-1が第3のバックプレーンに移載される。 Similarly, the first blue transfer board 11B is separated from the second backplane 30-2, and the selectively lifted-off first blue LED chip 200B-1 is transferred to the second backplane 30-2. be done. Similarly, the first green transfer board 11G is separated from the third backplane 30-3, and the selectively lifted-off first green LED chip 200G-1 is transferred to the third backplane. be.

図3Eでは、一部の第1の緑色LEDチップ200G-1が移載された第1の緑色移載基板11G(すなわち、第1の緑色LEDチップ200G-1が欠落した部分を有する第1の緑色移載基板11G)を、第1のバックプレーン30-1に押し当て、第1の緑色LEDチップ200G-1上の接続部材220を第1のバックプレーン30-1の接着部材310に密着させる。第1のバックプレーン30-1には、第1の青色LEDチップ200B-1および第1の赤色LEDチップ200R-1が移載されているが、第1のバックプレーン30-1上の第1の青色LEDチップ200B-1および第1の赤色LEDチップ200R-1は、第1の緑色LEDチップ200G-1が欠落した部分に嵌まり込むことができる。そのため、第1のバックプレーン30-1に移載されている第1の青色LEDチップ200B-1および第1の赤色LEDチップ200R-1が邪魔することなく、第1の緑色移載基板11Gを第1のバックプレーン30-1に押し当てることができる。次に、選択的に、剥離層210にレーザ光を照射し、第1の緑色LEDチップ200G-1をリフトオフさせる。 In FIG. 3E, the first green transfer substrate 11G to which some of the first green LED chips 200G-1 are transferred (that is, the first green LED chip 200G-1 having a missing portion) The green transfer board 11G) is pressed against the first backplane 30-1, and the connection member 220 on the first green LED chip 200G-1 is brought into close contact with the adhesive member 310 of the first backplane 30-1. . A first blue LED chip 200B-1 and a first red LED chip 200R-1 are transferred to the first backplane 30-1. The blue LED chip 200B-1 and the first red LED chip 200R-1 can fit into the missing part of the first green LED chip 200G-1. Therefore, the first green transfer substrate 11G can be transferred without being obstructed by the first blue LED chip 200B-1 and the first red LED chip 200R-1 transferred to the first backplane 30-1. It can be pressed against the first backplane 30-1. Next, the release layer 210 is selectively irradiated with laser light to lift off the first green LED chip 200G-1.

同様に、一部の第1の赤色LEDチップ200R-1が移載された第1の赤色移載基板11R(すなわち、第1の赤色LEDチップ200R-1が欠落した部分を有する第1の赤色移載基板11R)を、第2のバックプレーン30-2に押し当て、選択的に第1の赤色LEDチップ200R-1をリフトオフさせる。また、同様に、一部の第1の青色LEDチップ200B-1が移載された第1の青色移載基板11B(すなわち、第1の青色LEDチップ200B-1が欠落した部分を有する第1の青色移載基板11B)を、第3のバックプレーン30-3に押し当て、選択的に第1の青色LEDチップ200B-1をリフトオフさせる。 Similarly, the first red transfer substrate 11R on which some of the first red LED chips 200R-1 are transferred (that is, the first red LED chip 200R-1 having a missing portion) The transfer board 11R) is pressed against the second backplane 30-2 to selectively lift off the first red LED chip 200R-1. Similarly, the first blue transfer substrate 11B on which some of the first blue LED chips 200B-1 are transferred (that is, the first blue LED chip 200B-1 having a missing portion) blue transfer substrate 11B) is pressed against the third backplane 30-3 to selectively lift off the first blue LED chip 200B-1.

図3Fでは、第1の緑色移載基板11Gを第1のバックプレーン30-1から離す。選択的にリフトオフされた第1の緑色LEDチップ200G-1は、第1の緑色移載基板11Gから第1のバックプレーン30-1に移載される。 In FIG. 3F, the first green transfer board 11G is separated from the first backplane 30-1. The selectively lifted-off first green LED chip 200G-1 is transferred from the first green transfer board 11G to the first backplane 30-1.

同様に、第1の赤色移載基板11Rを第2のバックプレーン30-2から離し、選択的にリフトオフされた第1の赤色LEDチップ200R-1が第2のバックプレーン30-2に移載される。また、同様に、第1の青色移載基板11Bを第3のバックプレーン30-3から離し、選択的にリフトオフされた第1の青色LEDチップ200B-1が第3のバックプレーンに移載される。 Similarly, the first red transfer substrate 11R is separated from the second backplane 30-2, and the selectively lifted-off first red LED chip 200R-1 is transferred to the second backplane 30-2. be done. Similarly, the first blue transfer board 11B is separated from the third backplane 30-3, and the selectively lifted-off first blue LED chip 200B-1 is transferred to the third backplane. be.

以上の工程により、第1のバックプレーン30-1、第2のバックプレーン30-2、および第3のバックプレーン30-3の各々に、複数のLEDチップ200を集約的に移載することができる。しかしながら、LEDチップ200の移載においては様々な不良が発生する。その場合、第2の移載基板12を用いて不良箇所のリペアを行うことができる。 Through the above steps, a plurality of LED chips 200 can be collectively transferred to each of the first backplane 30-1, the second backplane 30-2, and the third backplane 30-3. can. However, various defects occur in transferring the LED chip 200 . In that case, the second transfer board 12 can be used to repair the defective portion.

[2-3.第2の移載基板12を用いたLEDチップ200の移載工程]
図4A~図4Cは、本発明の一実施形態に係るLEDチップ200の移載方法において、第2の移載基板12を用いて第2のLEDチップ200-2を移載する工程を説明する模式図である。
[2-3. Transfer process of LED chip 200 using second transfer substrate 12]
4A to 4C illustrate steps of transferring the second LED chip 200-2 using the second transfer substrate 12 in the method for transferring the LED chip 200 according to one embodiment of the present invention. It is a schematic diagram.

図4Aでは、第1のバックプレーン30-1の領域B1において、LEDチップ200が欠落する不良が発生している。すなわち、領域B1には、本来移載されるはずの第1の青色LEDチップ200B-1が欠落している。 In FIG. 4A, the defect that the LED chip 200 is missing occurs in the area B1 of the first backplane 30-1. That is, the area B1 lacks the first blue LED chip 200B-1 that should have been transferred.

なお、領域B1における不良は、第1の青色LEDチップ200B-1が移載されない不良だけでなく、第1の青色移載基板11Bの第1の青色LEDチップ200B-1に欠陥が発見され、選択的に第1の青色LEDチップ200B-1を移載しない場合も含む。また、移載された第1の青色LEDチップ200B-1に欠陥が発見され、移載されていた第1の青色LEDチップ200B-1を除去した場合も領域B1における不良となる。 The defect in the area B1 is not only the defect that the first blue LED chip 200B-1 is not transferred, but also the defect found in the first blue LED chip 200B-1 on the first blue transfer board 11B. A case where the first blue LED chip 200B-1 is selectively not transferred is also included. Also, when a defect is found in the transferred first blue LED chip 200B-1 and the transferred first blue LED chip 200B-1 is removed, the area B1 becomes defective.

図4Bでは、第2の青色LEDチップ200B-2が形成された第2の青色移載基板12Bを、第1のバックプレーン30-1に押し当て、第2の青色LEDチップ200B-2上の接続部材220を第1のバックプレーン30-1の接着部材310に密着させる。次に、選択的に第1の青色LEDチップ200B-1をリフトオフさせる。 In FIG. 4B, the second blue transfer substrate 12B on which the second blue LED chip 200B-2 is formed is pressed against the first backplane 30-1, and the second blue LED chip 200B-2 on the second blue LED chip 200B-2 is pressed against the first backplane 30-1. The connection member 220 is adhered to the adhesive member 310 of the first backplane 30-1. Next, selectively lift off the first blue LED chip 200B-1.

第2の青色移載基板12Bには、1つの第2の青色LEDチップ200B-2が設けられている。すなわち、第2の青色LEDチップ200B-2の周囲には、支持基板100から突出するものが設けられていない。そのため、第2の青色移載基板12Bの第2の青色LEDチップ200B-2は、領域B1に嵌まり込むことができる。すなわち、第1のバックプレーン30-1に移載されている第1の青色LEDチップ200B-1、第1の緑色LEDチップ200G-1、および第1の赤色LEDチップ200R-1が邪魔することなく、第2の青色移載基板12Bを第1のバックプレーン30-1に押し当てることができる。 One second blue LED chip 200B-2 is provided on the second blue transfer board 12B. That is, nothing projecting from the support substrate 100 is provided around the second blue LED chip 200B-2. Therefore, the second blue LED chip 200B-2 of the second blue transfer board 12B can fit into the region B1. That is, the first blue LED chip 200B-1, the first green LED chip 200G-1, and the first red LED chip 200R-1 transferred to the first backplane 30-1 interfere with The second blue transfer board 12B can be pressed against the first backplane 30-1 without any movement.

なお、第2の青色移載基板12Bの押圧(または押し込み量)は、第1の青色移載基板11Bの押圧(または押し込み量)よりも小さくてもよい。このような条件とすることで、バックプレーン30に移載されているLEDチップ200との干渉を防止することができる。 The pressure (or amount of pushing) of the second blue transfer board 12B may be smaller than the pressure (or amount of pushing) of the first blue transfer board 11B. Under such conditions, interference with the LED chips 200 transferred to the backplane 30 can be prevented.

図4Cでは、第2の青色移載基板12Bを第1のバックプレーン30-1から離す。領域B1では、選択的にリフトオフされた第2の青色LEDチップ200B-2は、第2の青色移載基板12Bから第1のバックプレーン30-1に移載される。 In FIG. 4C, the second blue transfer board 12B is separated from the first backplane 30-1. In region B1, the selectively lifted-off second blue LED chips 200B-2 are transferred from the second blue transfer board 12B to the first backplane 30-1.

以上の工程により、第2の移載基板12を用いて、不良箇所の個別にリペアすることができる。 Through the steps described above, the second transfer substrate 12 can be used to individually repair defective portions.

LEDチップ形成基板10は、集約的に移載するために第1のピッチp1を有してLEDチップ200が配置された第1の領域110と、第1のピッチp1よりも大きな第2のピッチp2を有してLEDチップ200が配置された第2の領域120を含む。また、LEDチップ形成基板10は、集約的にLEDチップ200を移載することができる第1の移載基板11と、個別にLEDチップ200を移載することができる第2の移載基板12とに分離されて用いられる。特に、第2の移載基板12は、不良箇所のリペアのために用いることができる。すなわち、LEDチップ形成基板10は、1つの支持基板100上に少なくとも2つのピッチを有するLEDチップ200が形成されており、リペア用のLEDチップ200を別途製造することがない。また、LEDチップ形成基板10に形成されたLEDチップはピッチが調整されているため、リペアの際も取り扱いが容易である。したがって、LEDチップ形成基板10を用いたLEDチップの移載は、不良箇所のリペアの歩留りが向上し、製造コストを抑制することができる。 The LED chip forming substrate 10 has a first area 110 where the LED chips 200 are arranged with a first pitch p1 for intensive transfer, and a second pitch larger than the first pitch p1. It includes a second region 120 having p2 and in which the LED chip 200 is located. The LED chip forming substrate 10 includes a first transfer substrate 11 capable of collectively transferring the LED chips 200 and a second transfer substrate 12 capable of individually transferring the LED chips 200. and is used separately. In particular, the second transfer substrate 12 can be used for repairing defective portions. That is, in the LED chip forming substrate 10, the LED chips 200 having at least two pitches are formed on one support substrate 100, and the LED chips 200 for repair are not manufactured separately. In addition, since the pitch of the LED chips formed on the LED chip forming substrate 10 is adjusted, it is easy to handle during repair. Therefore, the transfer of LED chips using the LED chip forming substrate 10 can improve the yield of repairing defective portions and suppress the manufacturing cost.

<第2実施形態>
図5を参照して、第1実施形態とは異なるLEDチップ200の移載方法について説明する。以下では、本実施形態に係るLEDチップ200の移載方法が、第1実施形態に係るLEDチップ200の移載方法と同様の工程を含む場合、その説明を省略する場合がある。
<Second embodiment>
A transfer method of the LED chip 200 different from that of the first embodiment will be described with reference to FIG. Below, when the transfer method of the LED chip 200 which concerns on this embodiment includes the same process as the transfer method of the LED chip 200 which concerns on 1st Embodiment, the description may be abbreviate|omitted.

図5は、本発明の一実施形態に係るLEDチップ200の移載方法において、リペアの工程を説明する模式図である。 FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a repair process in the method for transferring the LED chip 200 according to one embodiment of the present invention.

図5では、バックプレーン30の領域C1において、LEDチップ200が欠落する不良が発生している。すなわち、領域C1には、本来移載されるはずの第1の青色LEDチップ200B-1が欠落している。この場合、領域C1の接着部材310Aの厚さを、LEDチップ200が移載されている接着部材310の厚さよりも大きくする。例えば、領域C1において、新たに接着部材310Aを形成してもよく、接着部材310にさらにはんだなどを塗布し、接着部材310Aを形成してもよい。 In FIG. 5 , in the area C<b>1 of the backplane 30 , the defect that the LED chip 200 is missing occurs. That is, the area C1 lacks the first blue LED chip 200B-1 that should have been transferred. In this case, the thickness of the adhesive member 310A in the area C1 is made larger than the thickness of the adhesive member 310 on which the LED chip 200 is transferred. For example, in the area C1, a new adhesive member 310A may be formed, or the adhesive member 310 may be further coated with solder or the like to form the adhesive member 310A.

本実施形態では、第2の青色移載基板12Bをバックプレーン30に押し当てた場合に、接着部材310Aの厚さと接着部材310の厚さの差だけ、第2の青色移載基板12Bとバックプレーン30との間に余分な間隙ができることになる。そのため、バックプレーン30に既に移載されているLEDチップ200に触れることなく、第2の青色移載基板12Bをバックプレーン30に押し当てることができる。したがって、領域C1において、第2の青色LEDチップ200B-2に押圧を集中させることができ、確実に第2の青色LEDチップ200B-2をバックプレーン30に移載することができる。 In the present embodiment, when the second blue transfer board 12B is pressed against the backplane 30, the second blue transfer board 12B and the back are separated by the difference between the thickness of the adhesive member 310A and the thickness of the adhesive member 310. An extra gap with the plane 30 will be created. Therefore, the second blue transfer substrate 12B can be pressed against the backplane 30 without touching the LED chips 200 that have already been transferred to the backplane 30 . Therefore, the pressure can be concentrated on the second blue LED chip 200B-2 in the area C1, and the second blue LED chip 200B-2 can be reliably transferred to the backplane 30. FIG.

<第3実施形態>
図6を参照して、第1実施形態および第2実施形態と異なるLEDチップ200の移載方法について説明する。以下では、本実施形態に係るLEDチップ200の移載方法が、第1実施形態および第2実施形態に係るLEDチップの移載方法と同様の工程を含む場合、その説明を省略する場合がある。
<Third Embodiment>
A transfer method of the LED chip 200 different from the first and second embodiments will be described with reference to FIG. In the following, when the method for transferring the LED chips 200 according to the present embodiment includes the same steps as the method for transferring the LED chips according to the first and second embodiments, the explanation thereof may be omitted. .

図6では、バックプレーン30の領域D1において、LEDチップ200が欠落する不良が発生している。すなわち、領域D1には、本来移載されるはずの第1の青色LEDチップ200B-1が欠落している。この場合、第2の青色移載基板12Bの第2の青色LEDチップ200B-2上の接続部材220Aの厚さを、第1の青色LEDチップ200B-1上の接続部材220の厚さよりも大きくする。例えば、LEDチップ形成基板10の第2の領域120に形成される第2のLEDチップ上に、接続部材220と厚さの異なる接続部材220Aを形成してもよく、接続部材220にさらにはんだなどを塗布し、接続部材220Aを形成してもよい。 In FIG. 6 , in the area D<b>1 of the backplane 30 , the defect that the LED chip 200 is missing occurs. That is, the area D1 lacks the first blue LED chip 200B-1 that should have been transferred. In this case, the thickness of the connection member 220A on the second blue LED chip 200B-2 of the second blue transfer substrate 12B is made larger than the thickness of the connection member 220 on the first blue LED chip 200B-1. do. For example, a connecting member 220A having a thickness different from that of the connecting member 220 may be formed on the second LED chip formed in the second region 120 of the LED chip forming substrate 10, and the connecting member 220 may be further soldered or the like. may be applied to form the connection member 220A.

本実施形態では、第2の青色移載基板12Bをバックプレーン30に押し当てた場合に、接続部材220Aの厚さと接続部材220の厚さの差だけ、第2の青色移載基板12Bとバックプレーン30との間に余分な間隙ができることになる。そのため、バックプレーン30に既に移載されているLEDチップ200に触れることなく、第2の青色移載基板12Bをバックプレーン30に押し当てることができる。したがって、領域D1において、第2の青色LEDチップ200B-2に押圧を集中させることができ、確実に第2の青色LEDチップ200B-2をバックプレーン30に移載することができる。 In this embodiment, when the second blue transfer board 12B is pressed against the backplane 30, the second blue transfer board 12B and the back plane 12B are separated from each other by the difference between the thicknesses of the connection members 220A and the connection members 220A. An extra gap with the plane 30 will be created. Therefore, the second blue transfer board 12B can be pressed against the backplane 30 without touching the LED chips 200 that have already been transferred to the backplane 30 . Therefore, the pressure can be concentrated on the second blue LED chip 200B-2 in the region D1, and the second blue LED chip 200B-2 can be reliably transferred to the backplane 30. FIG.

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略、もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。 Each of the embodiments described above as embodiments of the present invention can be implemented in combination as appropriate as long as they do not contradict each other. In addition, based on the display device of each embodiment, a person skilled in the art may add, delete, or change the design of components as appropriate, or add, omit, or change the conditions of a process. As long as it has the gist of the invention, it is included in the scope of the present invention.

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。 Even if there are other effects different from the effects brought about by the aspects of each embodiment described above, those that are obvious from the description of this specification or those that can be easily predicted by those skilled in the art are of course It is understood that it is provided by the present invention.

10:LEDチップ形成基板、 11:第1の移載基板、 11B:第1の青色移載基板、 11G:第1の緑色移載基板、 11R:第1の赤色移載基板、 12:第2の移載基板、 12B:第2の青色移載基板、 30:バックプレーン、 30-1:第1のバックプレーン、 30-2:第2のバックプレーン、 30-3:第3のバックプレーン、 100:支持基板、 110:第1の領域、 120:第2の領域、 200:LEDチップ、 200-1:第1のLEDチップ、 200-2:第2のLEDチップ、 200B:青色LEDチップ、 200B-1:第1の青色LEDチップ、 200B-2:第2の青色LEDチップ、 200G:緑色LEDチップ、 200G-1:第1の緑色LEDチップ、 200R:赤色LEDチップ、 200R-1:第1の赤色LEDチップ、 210:剥離層、 220、220A:接続部材、 310、310A:接着部材 10: LED chip forming substrate 11: first transfer substrate 11B: first blue transfer substrate 11G: first green transfer substrate 11R: first red transfer substrate 12: second transfer board, 12B: second blue transfer board, 30: backplane, 30-1: first backplane, 30-2: second backplane, 30-3: third backplane, 100: support substrate 110: first region 120: second region 200: LED chip 200-1: first LED chip 200-2: second LED chip 200B: blue LED chip 200B-1: first blue LED chip, 200B-2: second blue LED chip, 200G: green LED chip, 200G-1: first green LED chip, 200R: red LED chip, 200R-1: second 1 red LED chip, 210: peeling layer, 220, 220A: connecting member, 310, 310A: adhesive member

Claims (13)

第1の方向に第1のピッチを有して配置された複数の第1のLEDチップを含む第1の領域と、
前記第1の領域の周辺部に位置し、前記第1の方向に前記第1のピッチよりも大きい第2のピッチを有して配置された複数の第2のLEDチップを含む第2の領域と、を含み、
前記第1のLEDチップと前記第2のLEDチップとは同一の発光色を有する、LEDチップ形成基板。
a first region including a plurality of first LED chips arranged with a first pitch in a first direction;
A second region including a plurality of second LED chips located in a peripheral portion of the first region and arranged with a second pitch larger than the first pitch in the first direction. and including
The LED chip forming substrate, wherein the first LED chip and the second LED chip have the same emission color.
前記複数の第2のLEDチップの数は、前記複数の第1のLEDチップの数の0.1%以上10%以下である、請求項1に記載のLEDチップ形成基板。 2. The LED chip forming substrate according to claim 1, wherein the number of the plurality of second LED chips is 0.1% or more and 10% or less of the number of the plurality of first LED chips. 前記第2のピッチは1mm以上5mm以下である、請求項1に記載のLEDチップ形成基板。 2. The LED chip forming substrate according to claim 1, wherein said second pitch is 1 mm or more and 5 mm or less. 前記第2の領域は複数設けられている、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載のLEDチップ形成基板。 4. The LED chip forming substrate according to claim 1, wherein a plurality of said second regions are provided. 前記1のLEDチップおよび前記第2のLEDチップの一辺の長さは、1μm以上100μm以下である、請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のLEDチップ形成基板。 5. The LED chip forming substrate according to claim 1, wherein the first LED chip and the second LED chip each have a side length of 1 μm or more and 100 μm or less. 第1の方向に第1のピッチを有して配置された複数の第1のLEDチップを含む第1の領域と、前記第1の領域の周辺部に位置し、前記第1の方向に前記第1のピッチよりも大きい第2のピッチを有して配置された複数の第2のLEDチップを含む第2の領域と、を含むLEDチップ形成基板を、前記第1の領域を含む第1の移載基板と前記複数の第2のLEDチップの1つを含む第2の移載基板とに分離し、
前記第1の移載基板を用いて、前記複数の第1のLEDチップの1つまたは複数をバックプレーンに移載し、
前記第2の移載基板を用いて、前記複数の第2のLEDチップの1つを前記バックプレーンに移載する、LEDチップの移載方法。
a first region including a plurality of first LED chips arranged with a first pitch in a first direction; a second region including a plurality of second LED chips arranged with a second pitch larger than the first pitch; and a second transfer substrate including one of the plurality of second LED chips,
transferring one or more of the plurality of first LED chips to a backplane using the first transfer substrate;
An LED chip transfer method, wherein one of the plurality of second LED chips is transferred to the backplane using the second transfer board.
前記第1のLEDチップと前記第2のLEDチップとは同一の発光色を有する、請求項6に記載のLEDチップの移載方法。 7. The LED chip transfer method according to claim 6, wherein said first LED chip and said second LED chip have the same emission color. 前記複数の第2のLEDチップの数は、前記複数の第1のLEDチップの数の0.1%以上10%以下である、請求項6または請求項7に記載のLEDチップの移載方法。 8. The LED chip transfer method according to claim 6, wherein the number of the plurality of second LED chips is 0.1% or more and 10% or less of the number of the plurality of first LED chips. . 前記第2の移載基板の一辺の長さは1mm以上5mm以下である、請求項6または請求項7に記載のLEDチップの移載方法。 8. The LED chip transfer method according to claim 6, wherein the length of one side of said second transfer substrate is 1 mm or more and 5 mm or less. 前記LEDチップ形成基板から前記第2の移載基板が複数分離される、請求項6乃至請求項9のいずれか一項に記載のLEDチップの移載方法。 10. The LED chip transfer method according to claim 6, wherein a plurality of said second transfer substrates are separated from said LED chip forming substrate. 前記第1のLEDチップおよび前記第2のLEDチップの一辺の長さは、1μm以上100μm以下である、請求項6乃至請求項10のいずれか一項に記載のLEDチップの移載方法。 11. The LED chip transfer method according to claim 6, wherein the length of one side of said first LED chip and said second LED chip is 1 [mu]m or more and 100 [mu]m or less. 前記第1の移載基板を用いた移載は、第1の押圧で前記第1の移載基板を前記バックプレーンに押し当てることによって行われ、
前記第2の移載基板を用いた移載は、第2の押圧で前記第2の移載基板を前記バックプレーンに押し当てることによって行われ、
前記第2の押圧は前記第1の押圧よりも小さい、請求項6乃至請求項11のいずれか一項に記載のLEDチップの移載方法。
The transfer using the first transfer board is performed by pressing the first transfer board against the backplane with a first pressure,
The transfer using the second transfer board is performed by pressing the second transfer board against the backplane with a second pressure,
12. The LED chip transfer method according to claim 6, wherein said second pressure is smaller than said first pressure.
前記第1の移載基板を用いた移載では、前記複数の第1のLEDチップの1つまたは複数の各々の上に設けられた第1の接続部材が前記バックプレーンに接着され、
前記第2の移載基板を用いた移載では、前記複数の第2のLEDチップの1つの上に設けられた第2の接続部材が前記バックプレーンに接着され、
前記第2の接続部材の厚さは前記第1の接続部材の厚さよりも大きい、請求項6乃至請求項12のいずれか一項に記載のLEDチップの移載方法。
In the transfer using the first transfer substrate, a first connection member provided on each of one or more of the plurality of first LED chips is adhered to the backplane,
In the transfer using the second transfer substrate, a second connection member provided on one of the plurality of second LED chips is adhered to the backplane,
13. The LED chip transfer method according to claim 6, wherein the thickness of the second connection member is greater than the thickness of the first connection member.
JP2021107466A 2021-06-29 2021-06-29 Led chip formation substrate and transfer method of led chip Pending JP2023005499A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021107466A JP2023005499A (en) 2021-06-29 2021-06-29 Led chip formation substrate and transfer method of led chip
TW111122579A TWI830256B (en) 2021-06-29 2022-06-17 Transfer method of led chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021107466A JP2023005499A (en) 2021-06-29 2021-06-29 Led chip formation substrate and transfer method of led chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023005499A true JP2023005499A (en) 2023-01-18

Family

ID=85107277

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021107466A Pending JP2023005499A (en) 2021-06-29 2021-06-29 Led chip formation substrate and transfer method of led chip

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2023005499A (en)
TW (1) TWI830256B (en)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106941107B (en) * 2016-01-05 2019-09-27 群创光电股份有限公司 LED core substrate and its apply display device
US11610868B2 (en) * 2019-01-29 2023-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh μ-LED, μ-LED device, display and method for the same
KR20200129340A (en) * 2019-05-08 2020-11-18 삼성전자주식회사 Transferring apparatus and method of manufacturing micro led display using the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW202318623A (en) 2023-05-01
TWI830256B (en) 2024-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102531884B1 (en) Display device and method for forming the same
CN107731864B (en) Micro light emitting diode display and method of manufacture
US20200185368A1 (en) Led display device and method for manufacturing same
JP7520030B2 (en) Unit pixel having light-emitting element, pixel module and display device
US9773711B2 (en) Picking-up and placing process for electronic devices and electronic module
US20220209072A1 (en) Light-emitting device and display device using the same
CN107046004B (en) Electronic component transfer method and electronic module
WO2020238099A1 (en) Method for transferring micro light-emitting diode and method for manufacturing display panel
JP5597362B2 (en) Light emitting device, light emitting device including light emitting device, method for manufacturing light emitting device, and method for manufacturing light emitting device including light emitting device
JP2018504771A (en) Micro light-emitting diode transport method, manufacturing method, apparatus, and electronic apparatus
JP2017537475A (en) Micro light-emitting diode transport method, manufacturing method, apparatus, and electronic apparatus
US10546842B2 (en) Display device and method for forming the same
US11955506B2 (en) Fabrication method of display device
JP2022520755A (en) Transfer method of light emitting element for display and display device
KR101894789B1 (en) Led display apparatus and method for manufacturing the same
JP2020068313A (en) Light emitting element and manufacturing method of display device
KR20220115093A (en) Light emitting device recovery method and display panel including the recovered light emitting device
KR102078643B1 (en) Display appartus using one chip type led and fabrication method of the same
KR102598043B1 (en) Semiconductor light emitting device including a floating conductive pattern
TW202218215A (en) Red LED assembly, display panel and preparation method wherein the red LED chip assembly comprises an insulating substrate and a plurality of red LED chips arranged on the insulating substrate
KR101387847B1 (en) Method for tranferring and manufacturing flexible light emitting diode using rollers and flexible lexible light emitting diode manufactured by the same
JP2023005499A (en) Led chip formation substrate and transfer method of led chip
CN111864037B (en) Micro-element array substrate, display panel and preparation method thereof
US20220045238A1 (en) Light emitting device and wafer
US20240162402A1 (en) Display device