JP2023000460A - 高分子化合物の製造方法、化合物、パラジウム錯体、及び組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】重合後に残存するモノマーの量を低減した高分子化合物の製造方法を提供する。また、該製造方法に用いる配位子化合物、パラジウム錯体、及び該配位子化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む組成物を提供する。【解決手段】式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体存在下、ホウ酸残基を有する芳香族化合物を反応させる工程を含む高分子化合物の製造方法、該製造方法に用いる配位子化合物、パラジウム錯体、並びに該配位子化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む組成物。TIFF2023000460000086.tif35129[式中、Ａｒ１Ａ及びＡｒ１Ｂは、独立に、置換／非置換のアリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ１Ｃ、Ａｒ１Ｄ、Ａｒ１Ｅ及びＡｒ１Ｆは、独立に、置換／非置換のアリール基又は１価の複素環基を表す。]【選択図】なし

Description

本発明は高分子化合物の製造方法、化合物、パラジウム錯体、及び組成物に関する。

高分子化合物を製造する方法として、例えば、ホスフィン配位子及びパラジウム錯体を用いた鈴木重合反応（鈴木カップリング反応を利用した重合反応）による製造方法が知られている。この反応で使用されるホスフィン配位子としては、例えば、単座ホスフィン配位子（特許文献１及び特許文献２）、並びに、アルキレン基又はフェロセンジイル基で２つのリン原子が連結された二座ホスフィン配位子（非特許文献１）が知られている。

特開2008-45110号公報 特開2008-95065号公報 Macromolecules 2009, 42, 5471

しかし、上記の高分子化合物の製造方法は、重合後に残存するモノマーの量を十分に低減することができなかった。
そこで、本発明は、重合後に残存するモノマーの量を低減した高分子化合物の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該製造方法に用いる配位子化合物、該配位子化合物を含むパラジウム錯体、並びにパラジウム錯体前駆体と該配位子化合物とを含む組成物を提供することを目的とする。

本発明は、以下の［１］～［１２］を提供する。
［１］
式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体存在下、ホウ酸残基を有する芳香族化合物を反応させる工程を含む、高分子化合物の製造方法。

[式中、Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ａｒ^１Ｃ、Ａｒ^１Ｄ、Ａｒ^１Ｅ及びＡｒ^１Ｆは、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。]
［２］
前記式（０）で表される化合物が、式（１）で表される化合物である、［１］に記載の製造方法。

[式中、Ａｒ^１Ｃ、Ａｒ^１Ｄ、Ａｒ^１Ｅ及びＡｒ^１Ｆは、前記と同じ意味を表す。
環Ａｒ^Ａ及び環Ａｒ^Ｂは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［３］
前記式（１）で表される化合物が、式（２）又は式（３）で表される化合物である、［２］に記載の製造方法。

[式中、Ａｒ^１Ｃ、Ａｒ^１Ｄ、Ａｒ^１Ｅ及びＡｒ^１Ｆは、前記と同じ意味を表す。
R^2A、R^2B、R^2C、R^2D、R^2E、R^2F、R^2G、R^2H、R^3A、R^3B、R^3C、R^3D、R^3E、R^3F、R^3G、R^3H、R^3I、R^3J、R^3K及びR^3Lは、それぞれ独立に、水素原子、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。R^2AとR^2B、R^2BとR^2C、R^2CとR^2D、R^2DとR^2E、R^2EとR^2F、R^2FとR^2G、R^2GとR^2H、R^3AとR^3B、R^3BとR^3C、R^3CとR^3D、R^3DとR^3E、R^3EとR^3F、R^3FとR^3G、R^3GとR^3H、R^3HとR^3I、R^3IとR^3J、R^3JとR^3K、及び、R^3KとR^3Lは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。]
［４］
前記式（１）で表される化合物が、式（３－１）で表される化合物である、［２］に記載の製造方法。

[式中、R^3A、R^3B、R^3C、R^3D、R^3E、R^3F、R^3G、R^3H、R^3I、R^3J、R^3K及びR^3Lは、前記と同じ意味を表す。
R^3M、R^3N、R^3O、R^3P、R^3Q、R^3R、R^3S、R^3T、R^3U、R^3V、R^3W、R^3X、R^3Y、R^3Z、R^3AA、R^3AB、R^3AC、R^3AD、R^3AE及びR^3AFは、それぞれ独立に、水素原子、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。]
［５］
前記R^3M、前記R^3Q、前記R^3R、前記R^3V、前記R^3W、前記R^3AA、前記R^3AB及び前記R^3AFのうち、少なくとも１つが、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、これらの基は置換基を有していてもよい、［４］に記載の製造方法。
［６］
前記ホウ酸残基を有する芳香族化合物が、式（Ｂ－１）又は式（Ｂ－２）で表される化合物である、［１］～［５］のいずれかに記載の製造方法。

［式中、
Ａｒ^B0は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ａ^B1及びａ^B2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^B1及びＡｒ^B3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^B2及びＡｒ^B4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^B2及びＡｒ^B4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^B1、Ｒ^B2及びＲ^B3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^B2及びＲ^B3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^B1、Ｚ^B2、Ｚ^B3及びＺ^B4は、それぞれ独立に、－Ｂ(ＯＲ^C2)₂（式中、Ｒ^C2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C2は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基、又は、－ＢＦ₃Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基を表す。］
［７］
前記ホウ酸残基を有する芳香族化合物を反応させる工程が、
前記ホウ酸残基を有する芳香族化合物と、
ハロゲン原子及び－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する芳香族化合物と、
を反応させる工程である、［１］～［６］のいずれかに記載の製造方法。
［８］
前記芳香族化合物が、ハロゲン原子及び－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は前記と同じ意味を表す。）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも２種を含む芳香族化合物である、［７］に記載の製造方法。
［９］
前記芳香族化合物が、式（Ｃ－１）又は式（Ｃ－２）で表される化合物である、［７］又は［８］に記載の製造方法。

［式中、
Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ａ¹及びａ²は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2及びＡｒ^X4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2及びＲ^X3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ^C1、Ｚ^C2、Ｚ^C3及びＺ^C4は、それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又は－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１で表される基を表す。］
［１０］
式（４）で表される化合物。

[式中、R^4A、R^4B、R^4C、R^4D、R^4E、R^4F、R^4G、R^4H、R^4I、R^4J、R^4K、R^4L、R^4M、R^4N、R^4O、R^4P、R^4Q、R^4R、R^4S、R^4T、R^4U、R^4V、R^4W、R^4X、R^4Y、R^4Z、R^4AA、R^4AB、R^4AC、R^4AD、R^4AE及びR^4AFは、それぞれ独立に、水素原子、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、R^4M、R^4Q、R^4R、R^4V、R^4W、R^4AA、R^4AB及びR^4AFのうち、少なくとも１つは、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。]
［１１］
［１０］に記載の化合物を配位子として含むパラジウム錯体。
［１２］
［１０］に記載の化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む、組成物。

本発明の化合物を配位子として含むパラジウム錯体を用いて鈴木重合反応させることにより、反応後に残存するモノマーの量が低減された高分子化合物を製造することができる。また、本発明の製造方法によれば、反応後に残存するモノマーの量が低減されるとともに、重量平均分子量が比較的低い（例えば、7.0×10⁴以下、さらに4.0×10⁴以下）高分子化合物を製造することができる。さらに、本発明によれば、上記の鈴木重合反応に用いることのできる化合物（即ち、配位子化合物）、パラジウム錯体、並びに、該配位子化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む組成物をも提供する。

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。

＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、イオン結合、共有結合又は配位結合を意味する。

「高分子化合物（以下、「ポリマー」ともいう。）」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の重量平均分子量が２×10³～２×10⁸である重合体を意味する。
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
高分子化合物の末端基は、好ましくは安定な基である。高分子化合物の末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素－炭素結合を介して高分子化合物の主鎖と結合するアリール基又は１価の複素環基が挙げられる。
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×10⁴以下の化合物を意味する。

「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。

「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～50であり、好ましくは1～30であり、より好ましくは1～20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～50であり、好ましくは３～30であり、より好ましくは４～20である。アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、2-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、並びに、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基（例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、及び、6-エチルオキシヘキシル基)が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～50であり、好ましくは３～30であり、より好ましくは４～20である。シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～60であり、好ましくは６～20であり、より好ましくは６～10である。アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１～40であり、好ましくは1～10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～40であり、好ましくは４～10である。アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～40であり、好ましくは４～10である。シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６～60であり、好ましくは６～48である。アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール及びジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、並びに、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール及びベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。

１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２～60であり、好ましくは４～20である。１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。

「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基及び置換アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２～30であり、好ましくは３～20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～30であり、好ましくは４～20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３～30であり、好ましくは４～20である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２～20であり、好ましくは３～20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４～30であり、好ましくは４～20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４～30であり、好ましくは４～20である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６～60であり、好ましくは６～30であり、より好ましくは６～18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。アリーレン基は、好ましくは、式(A-1)～式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲ^aは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^a同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２～60であり、好ましくは、３～20であり、より好ましくは、４～15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール及びトリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基、並びに、該基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。２価の複素環基は、好ましくは、式(AA-1)～式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、Ｒ及びＲ^aは、前記と同じ意味を表す。］

「シリル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常３～30であり、好ましくは3～20である。シリル基は、置換基を有していてもよい。シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ－ｎ－プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジメチルシリル基、ｎ－ペンチルジメチルシリル基、ｎ－ヘキシルジメチルシリル基、ｎ－ヘプチルジメチルシリル基、ｎ－オクチルジメチルシリル基、２－エチルヘキシルジメチルシリル基、ｎ－ノニルジメチルシリル基、ｎ－デシルジメチルシリル基、３，７－ジメチルオクチルジメチルシリル基、ｎ－ドデシルジメチルシリル基、フェニルアルキルシリル基、アルコキシフェニルアルキルシリル基、アルキルフェニルアルキルシリル基、ナフチルアルキルシリル基、フェニルアリルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリキシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ－ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式(XL-1)～式(XL-19)で表される架橋基である。

「置換基」としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、水酸基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基及びシリル基が挙げられる。置換基は架橋基又は電子求引性基であってもよい。なお、置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。また、置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよいが、環を形成しないことが好ましい。

「電子求引性基」としては、例えば、フッ素原子を置換基として有するアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基、カルボキシル基及びアルコキシカルボニル基が挙げられ、好ましくは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アシル基又はアルコキシカルボニル基であり、より好ましくは、ハロゲン原子であり、更に好ましくは、塩素原子又はフッ素原子であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
フッ素原子を置換基として有するアルキル基としては、好ましくは、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基又はパーフルオロオクチル基が挙げられる。
電子求引性基におけるハロゲン原子は、塩素原子又はフッ素原子が好ましい。
「アシル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２～３0であり、好ましくは２～10である。アシル基は、置換基を有していてもよい。アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基及びイソブチリル基等の脂肪族アシル基；ベンゾイル基及びナフトイル基等の芳香族アシル基；並びに、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。
「アルコキシカルボニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２～30であり、好ましくは２～10である。アルコキシカルボニル基は、置換基を有していてもよい。アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ－プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ－ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｓｅｃ－ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ－ブトキシカルボニル基、ｎ－ペンチルオキシカルボニル基、ｎ－ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ－ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ－オクチルオキシカルボニル基、２－エチルヘキシルオキシカルボニル基、ｎ－ノニルオキシカルボニル基、ｎ－デシルオキシカルボニル基、３，７－ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ｎ－ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「ホウ酸残基」とは、ホウ素原子を有し、ホウ素原子で炭素原子と結合する基である。ホウ酸残基としては、例えば、ボロン酸基、ボロン酸エステル基、トリフルオロボレート基、トリヒドロキシボレート基、トリオールボレート基、ボラン基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

「パラジウム錯体前駆体」とは、パラジウム単体及びパラジウム化合物（例えば、パラジウム錯体及びパラジウム塩が挙げられ、以下、特記しない限り、同様である。）のうち、新たな配位子と反応させることによって、その配位子を含有する新たなパラジウム錯体を合成する用途に用いられる、パラジウム単体又はパラジウム化合物を意味する。パラジウム錯体前駆体としては、例えば、式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体を合成する用途に用いられる、式（０）で表される化合物を配位子として含まないパラジウム化合物及びパラジウム単体が挙げられる。

＜式（０）で表される化合物＞
式（０）で表される化合物は、例えば、ホウ酸残基を有する芳香族化合物を反応させる工程を含む、高分子化合物の製造方法（以下、「本実施形態の製造方法」ともいう）において、好適に用いることができる。本実施形態の製造方法において、式（０）で表される化合物は、例えば、後述のパラジウム錯体の配位子として好適に用いることができる。また、本実施形態の製造方法において、式（０）で表される化合物は、例えば、式（０）で表される化合物と後述のパラジウム錯体前駆体とを含む組成物として、好適に用いることができる。
本実施形態の製造方法において、式（０）で表される化合物は１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。本実施形態の製造方法において、式（０）で表される化合物は、３種以下を用いることが好ましく、１種又は２種を用いることがより好ましく、１種のみを用いることが更に好ましい。

Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂは、好ましくは、置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂにおけるアリーレン基としては、好ましくは、５員環又は６員環を含む芳香族炭化水素環から、環を構成する炭素原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた基であり、より好ましくは、６員環を含む芳香族炭化水素環から、環を構成する炭素原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた基であり、更に好ましくは、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基又はフェナントレンジイル基であり、特に好ましくは、フェニレン基又はナフタレンジイル基であり、とりわけ好ましくは、ナフタレンジイル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂにおける２価の複素環基としては、好ましくは、５員環又は６員環を含む複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基であり、より好ましくは、ピリジン、ジアザベンゼン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、ベンゾジオキサン又はベンゾジオキソールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂとしては、例えば、後述の式(1-A)～式(1-Q)で表される基が挙げられ、好ましくは、後述の式(1-A)～式(1-O)で表される基であり、より好ましくは、後述の式(1-A)～式(1-C)で表される基である。
Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂは、好ましくは同一である。
Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂが有していてもよい置換基としては、好ましくは、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、水酸基又はシリル基であり、より好ましくは、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基であり、更に好ましくは、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基であり、特に好ましくは、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂが有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、後述のＡｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂとしては、例えば、ベンゼン－１，２－ジイル基、３－メチルベンゼン－１，２－ジイル基、３－メトキシベンゼン－１，２－ジイル基、３－トリフルオロメチルベンゼン－１，２－ジイル基、３－シアノベンゼン－１，２－ジイル基、ナフタレン－１，２－ジイル基、ナフタレン－２，３－ジイル基、３－メチルナフタレン－１，２－ジイル基、６－シアノナフタレン－１，２－ジイル基、６－トリフルオロメチルナフタレン－１，２－ジイル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆは、好ましくは、置換基を有していてもよいアリール基である。
Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆにおけるアリール基としては、好ましくは、５員環又は６員環（好ましくは６員環）を含む芳香族炭化水素環から、環を構成する炭素原子に直接結合している水素原子のうち１個の水素原子を除いた基であり、より好ましくは、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基又はフェナントレニル基であり、更に好ましくは、フェニル基又はナフチル基であり、特に好ましくは、フェニル基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆにおける１価の複素環基としては、好ましくは、５員環又は６員環（好ましくは６員環）を含む複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち１個の水素原子を除いた基であり、より好ましくは、ピリジン、ジアザベンゼン、アザナフタレン又はジアザナフタレンから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち１個の水素原子を除いた基であり、更に好ましくは、ピリジン又はジアザベンゼンから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち１個の水素原子を除いた基、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆのうち、少なくとも２つが同一であることが好ましく、Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆのすべてが同一であることがより好ましい。
Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆが有していてもよい置換基としては、好ましくは、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、水酸基又はシリル基であり、より好ましくは、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基であり、更に好ましくは、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基であり、特に好ましくは、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基であり、とりわけ好ましくは、アルキル基又はアルコキシ基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆが有していてもよい置換基におけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆのうちの少なくとも１つは、置換基を有することが好ましく、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、水酸基又はシリル基を有することがより好ましく、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基を有することが更に好ましく、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基を有することが特に好ましく、アルコキシ基を有することがとりわけ好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆとしては、例えば、フェニル基、２－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、３，５－ジメチルフェニル基、２－メトキシフェニル基、４－メトキシフェニル基、４－トリフルオロメチルフェニル基、３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、２－フルオロフェニル基、４－フルオロフェニル基、２，３，４，５，６－ペンタフルオロフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、置換基で置換された基が挙げられる。

＜式（１）で表される化合物＞
式（０）で表される化合物は、好ましくは、式（１）で表される化合物である。

環Ａｒ^Ａ及び環Ａｒ^Ｂにおける芳香族炭化水素環は、好ましくは、５員環若しくは６員環を含む芳香族炭化水素環であり、より好ましくは、６員環を含む芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環又はフェナントレン環であり、特に好ましくは、ベンゼン環又はナフタレン環であり、とりわけ好ましくは、ナフタレン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ａｒ^Ａ及び環Ａｒ^Ｂにおける複素環は、好ましくは、５員環又は６員環を含む複素環であり、より好ましくは、ピリジン環、ジアザベンゼン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、ベンゾジオキサン環又はベンゾジオキソール環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ａｒ^Ａ及び環Ａｒ^Ｂは、５員環若しくは６員環を含む芳香族炭化水素環、又は、５員環若しくは６員環を含む複素環であることが好ましく、５員環又は６員環を含む芳香族炭化水素環であることがより好ましく、６員環を含む芳香族炭化水素環であることが更に好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ａｒ^Ａ及び環Ａｒ^Ｂは、好ましくは同一である。
環Ａｒ^Ａ及び環Ａｒ^Ｂは、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピリジン環、キノリン環、１，３－ベンゾジオキソール環又は１，４－ベンゾジオキサン環であり、より好ましくは、ベンゼン環又はナフタレン環であり、更に好ましくは、ナフタレン環であり、これらの環は置換基を有していてもよい。
環Ａｒ^Ａ及び環Ａｒ^Ｂが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲は、Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂが有していてもよい置換基の例及び好ましい範囲と同じである。

環Ａｒ^Ａ及び環Ａｒ^Ｂとしては、例えば、式(1-A)～式(1-Q)で表される基が挙げられ、好ましくは、後述の式(1-A)～式(1-O)で表される基であり、より好ましくは式(1-A)～式(1-C)で表される基である。

［式中、Ｒ^d及びＲ^eは、それぞれ独立に、水素原子、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、水酸基又はシリル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^dは、各々、同一でも異なっていてもよく、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。複数存在するＲ^eは、各々、同一でも異なっていてもよく、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^d及びＲ^eは、好ましくは、水素原子、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、水酸基又はシリル基であり、より好ましくは、水素原子、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基であり、更に好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基であり、特に好ましくは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
Ｒ^d及びＲ^eにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

＜式（２）又は式（３）で表される化合物＞
式（１）で表される化合物は、好ましくは、式（２）で表される化合物又は式（３）で表される化合物であり、より好ましくは、式（３）で表される化合物である。

R^2A～R^2H及びR^3A～R^3Lは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基であることがより好ましく、水素原子又はアリール基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
R^2A～R^2H及びR^3A～R^3Lにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。

R^2A～R^2Hは一部又は全部が異なっていてもよく、全部が同一であってもよい。 R^2AとR^2B、R^2BとR^2C、R^2CとR^2D、R^2DとR^2E、R^2EとR^2F、R^2FとR^2G、及び、R^2GとR^2Hは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成しないことが好ましい。
R^3A～R^3Lは一部又は全部が異なっていてもよく、全部が同一であってもよい。
R^3AとR^3B、R^3BとR^3C、R^3CとR^3D、R^3DとR^3E、R^3EとR^3F、R^3FとR^3G、R^3GとR^3H、R^3HとR^3I、R^3IとR^3J、R^3JとR^3K、及び、R^3KとR^3Lは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成しないことが好ましい。

＜式（３－１）で表される化合物＞
式（３）で表される化合物は、より好ましくは式（３－１）で表される化合物である。

R^3M～R^3Z及びR^3AA～R^3AFは、水素原子、フッ素原子、塩素原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基又はアリールオキシ基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基又はアルコキシ基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。 R^3M～R^3Z及びR^3AA～R^3AFにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^１Ｃ～Ａｒ^１Ｆにおけるアリール基及び１価の複素環基の例及び好ましい範囲と同じである。
R^3M、R^3Q、R^3R、R^3V、R^3W、R^3AA、R^3AB及びR^3AFのうち、少なくとも１つ（好ましくは、少なくとも２つ、より好ましくは、少なくとも４つ）が、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であることが好ましく、アルコキシ基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
R^3M、R^3R、R^3W及びR^3ABのうち、少なくとも１つ（好ましくは、少なくとも２つ）が、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であることが好ましく、R^3M、R^3R、R^3W及びR^3ABのすべてが、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であることが好ましく、R^3M、R^3R、R^3W及びR^3ABのすべてが、アルコキシ基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

＜式（４）で表される化合物＞
式（３－１）で表される化合物は、好ましくは、式（４）で表される化合物である。

R^4A～R^4Lは一部又は全部が異なっていてもよく、全部が同一であってもよい。
R^4M～R^4Z及びR^4AA～R^4AFは一部又は全部が異なっていてもよく、全部が同一であってもよい。

R^4A～R^4Lの例及び好ましい範囲は、R^3A～R^3Lの例及び好ましい範囲と同じである。
R^4M～R^4Z及びR^4AA～R^4AFの例及び好ましい範囲は、R^3M～R^3Z及びR^3AA～R^3AFの例及び好ましい範囲と同じである。
R^4M、R^4Q、R^4R、R^4V、R^4W、R^4AA、R^4AB及びR^4AFのうち、少なくとも２つ（好ましくは、少なくとも４つ）が、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であることが好ましく、アルコキシ基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。 R^4M、R^4R、R^4W及びR^4ABのうち、少なくとも１つ（好ましくは、少なくとも２つ）が、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であることが好ましく、R^4M、R^4R、R^4W及びR^4ABのすべてが、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であることがより好ましく、R^4M、R^4R、R^4W及びR^4ABのすべてが、アルコキシ基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。

式（０）で表される化合物としては、例えば、下記式で表される化合物が挙げられる。

（式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体）
式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体は、例えば、式（０）で表される化合物と、後述のパラジウム錯体前駆体とを反応させることによって、式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体を合成することができる。

（式（０）で表される化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む組成物）
本実施形態の製造方法において、例えば、式（０）で表される化合物とパラジウム錯体前駆体とを混合することにより、式（０）で表される化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む組成物を調製することができる。当該組成物は、式（０）で表される化合物の固体（特に粉体）とパラジウム錯体前駆体の固体（特に粉体）との混合物であってもよい。

本実施形態の製造方法において、式（０）で表される化合物とパラジウム錯体前駆体とは、それぞれ、別々に用いてもよく、式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体を合成してから用いてもよく、式（０）で表される化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む組成物を調製してから用いてもよい。

本実施形態の製造方法において、式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体は、好ましくは、０価又は２価のパラジウム錯体であり、より好ましくは、２価のパラジウム錯体である。
本実施形態の製造方法において、式（０）で表される化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む組成物におけるパラジウム錯体前駆体は、好ましくは、０価又は２価のパラジウム錯体前駆体であり、より好ましくは、２価のパラジウム錯体前駆体である。
本実施形態の製造方法において、２価のパラジウム錯体及び２価のパラジウム錯体前駆体におけるパラジウムは、通常、対アニオン及び／又は置換基を有する。２価のパラジウム錯体及び２価のパラジウム錯体前駆体におけるパラジウムが有する対アニオンとしては、例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、シアン化物イオン、トリフルオロメタンスルホナートイオン（CF₃SO₃ ^－）、メタンスルホナートイオン（CH₃SO₃ ^－）、テトラフルオロボレートイオン（BF₄ ^－）、酢酸イオン及びアセチルアセトナートイオンが挙げられ、好ましくは、塩化物イオン、臭化物イオン、メタンスルホナートイオン又は酢酸イオンであり、より好ましくは、塩化物イオン又はメタンスルホナートイオンである。２価のパラジウム錯体及び２価のパラジウム錯体前駆体におけるパラジウムが有する置換基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基及びアリール基などが挙げられ、これらの基は更に置換基を有していてもよい。２価のパラジウム錯体及び２価のパラジウム錯体前駆体におけるパラジウムが有する置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アリル基、クロチル基、フェニル基、２－メチルフェニル基、３－メチルフェニル基、４－メチルフェニル基、２－ビフェニル基、３－ビフェニル基、４－ビフェニル基、２－フルオロ－４－ビフェニル基、２’－フルオロ－２－ビフェニル基、２’－アミノ－２－ビフェニル基、２’－（メチルアミノ－κN）－２－ビフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基及び４－トリフルオロメチルフェニル基が挙げられる。

＜パラジウム錯体＞
本実施形態の製造方法において用いられるパラジウム錯体は、式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体（以下、「本実施形態のパラジウム錯体」と簡略して表記することもある。）である。このパラジウム錯体は、鈴木カップリング反応を用いた重合反応の触媒として用いられる。
本実施形態の製造方法において、本実施形態のパラジウム錯体は１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。本実施形態の製造方法において、本実施形態のパラジウム錯体は、３種以下を用いることが好ましく、１種又は２種を用いることがより好ましく、１種のみを用いることが更に好ましい。

パラジウム錯体前駆体は、式（０）で表される化合物を配位子として含まないパラジウム化合物が好ましい。パラジウム錯体前駆体は、０価又は２価のパラジウム化合物であることが好ましい。パラジウム錯体前駆体としては、例えば、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ₂（ｄｂａ）₃）、ビス（トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリシクロへキシルホスフィン）パラジウム（０）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ジアセテートビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ＢｎＣＮ）₂Ｃｌ₂）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ＭｅＣＮ）_２Ｃｌ_２）、トランス－ジクロロビス（トリシクロヘキシルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ジ－μ－クロロビス（２’－（２－（アミノ－κN）エチル）フェニル－κC）ジパラジウム（II）、ジ－μ－クロロビス（２’－（アミノ－κN）（１，１’－ビフェニル）－２－イル－κC）ジパラジウム（II）、ビス（μ－メタンスルホナート－κO：κO）（２’－（アミノ－κN）（１，１’－ビフェニル）－２－イル－κC）ジパラジウム（II）、ビス（μ－メタンスルホナート－κO：κO）（２’－（メチルアミノ－κN）（１，１’－ビフェニル）－２－イル－κC）ジパラジウム（II）、トランス－ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）アセテート、パラジウム（ＩＩ）アセチルアセトネート、パラジウム（ＩＩ）臭化物、パラジウム（ＩＩ）塩化物、パラジウム（ＩＩ）シアン化物、パラジウム（ＩＩ）ヨウ化物及びテトラキス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）テトラフルオロボレートが挙げられ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ₂（ｄｂａ）₃）、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ＢｎＣＮ）₂Ｃｌ₂）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ＭｅＣＮ）_２Ｃｌ_２）、ジクロロ（１，５－シクロオクタジエン）パラジウム（ＩＩ）、ビス（μ－メタンスルホナート－κO：κO）（２’－（メチルアミノ－κN）（１，１’－ビフェニル）－２－イル－κC）ジパラジウム（II）、パラジウム（ＩＩ）アセテート、パラジウム（ＩＩ）アセチルアセトナート、パラジウム（ＩＩ）臭化物、パラジウム（ＩＩ）塩化物、パラジウム（ＩＩ）シアン化物、パラジウム（ＩＩ）ヨウ化物又はテトラキス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）テトラフルオロボレートが好ましく、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（Ｐｄ₂（ｄｂａ）₃）、ジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（ＩＩ）（Ｐｄ（ＭｅＣＮ）_２Ｃｌ_２）、ビス（μ－メタンスルホナート－κO：κO）（２’－（メチルアミノ－κN）（１，１’－ビフェニル）－２－イル－κC）ジパラジウム（II）、パラジウム（ＩＩ）アセテート、パラジウム（ＩＩ）アセチルアセトネート、パラジウム（ＩＩ）臭化物、パラジウム（ＩＩ）塩化物又はパラジウム（ＩＩ）ヨウ化物がより好ましい。

本実施形態のパラジウム錯体は、例えば、パラジウム錯体前駆体と式（０）で表される化合物とを反応させて調製することができる。本実施形態の製造方法において、このように事前に調製された本実施形態のパラジウム錯体を用いることができ、事前に調製された本実施形態のパラジウム錯体は単離してから用いてもよいし、単離せずにそのまま用いてもよい。
また、本実施形態の製造方法において、反応系中で生成させた、本実施形態のパラジウム錯体を用いることもできる。本実施形態の製造方法において、パラジウム錯体前駆体及び式（０）で表される化合物を別々に反応系中に混合して、該反応系中で本実施形態のパラジウム錯体を生成させて、それを用いてもよい。また、本実施形態の製造方法において、パラジウム錯体前駆体と式（０）で表される化合物とを含む組成物を反応系中に混合して、該反応系中で本実施形態のパラジウム錯体を生成させて、それを用いてもよい。
本明細書において「式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体の存在下」とは、上記のように、事前に調製されたパラジウム錯体の存在下、及び、反応系内で調製されたパラジウム錯体の存在下のいずれも包含する意味に用いられる。

本実施形態の製造方法において、式（０）で表される化合物とパラジウム錯体前駆体とを用いる場合（両者を含む組成物を用いる場合を包含する）、パラジウム錯体前駆体の使用量は、ホウ酸残基を有する芳香族化合物のモル数の合計に対して、通常、０．０００００１モル％～１００モル％であり、好ましくは、０．００００１モル％～１０モル％であり、より好ましくは、０．０００１～１モル％であり、更に好ましくは、０．００１モル％～０．１モル％である。式（０）で表される化合物の使用量は、ホウ酸残基を有する芳香族化合物のモル数の合計に対して、通常、０．０００００１モル％～１００モル％であり、好ましくは、０．００００１モル％～１０モル％であり、より好ましくは、０．０００１モル％～１モル％であり、更に好ましくは、０．００１モル％～０．１モル％である。
パラジウム錯体前駆体の使用量と式（０）で表される化合物の使用量との比は、特に限定されない。パラジウム錯体前駆体の使用量と式（０）で表される化合物の使用量とのモル比は、通常、１：０．０１～１：１００であり、好ましくは、１：０．１～１：１０であり、より好ましくは、１：１～１：４であり、更に好ましくは、１：１～１：２であり、特に好ましくは、１：１である。

本実施形態の製造方法において、本実施形態のパラジウム錯体を用いる場合、本実施形態のパラジウム錯体の使用量は、反応が進行する量であれば、特に限定されない。本実施形態のパラジウム錯体の使用量は、ホウ酸残基を有する芳香族化合物のモル数の合計に対して、通常、０．０００００１モル％～１００モル％であり、好ましくは、０．００００１モル％～１０モル％であり、より好ましくは、０．０００１モル％～１モル％であり、更に好ましくは、０．００１モル％～０．１モル％である。

＜塩基＞
本実施形態の製造方法において、塩基を用いることが好ましい。本実施形態の製造方法において、塩基は１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。

本実施形態の製造方法において、塩基は、有機塩基であってもよく、無機塩基であってもよい。塩基としては、例えば、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、リン酸三カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム及び水酸化テトラブチルアンモニウムが挙げられ、リン酸三カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム又は水酸化テトラブチルアンモニウムが好ましい。

本実施形態の製造方法において、塩基の使用量は、反応が進行する量であれば、特に限定されない。塩基の使用量は、ホウ酸残基を有する芳香族化合物のモル数の合計に対して、通常、０．００１モル当量～１００００モル当量であり、好ましくは、０．１モル当量～１０００モル当量であり、より好ましくは、１モル当量～１００モル当量であり、更に好ましくは、２モル当量～５０モル当量であり、特に好ましくは、４モル当量～２０モル当量である。

＜相間移動触媒＞
本実施形態の製造方法において、相関移動触媒を用いることが好ましい。本実施形態の製造方法において、相関移動触媒は１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。

本実施形態の製造方法において、相間移動触媒は、特に限定されないが、例えば、アンモニウム塩、ホスホニウム塩及びクラウンエーテルが挙げられる。相間移動触媒としては、例えば、トリオクチルメチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド、テトラフェニルホスホニウムブロマイド、テトラエチルホスホニウムブロマイド及び18－クラウン－６－エーテルが挙げられる。

本実施形態の製造方法において、相関移動触媒の使用量は、反応が進行する量であれば、特に限定されない。相関移動触媒の使用量は、ホウ酸残基を有する芳香族化合物のモル数の合計に対して、通常、０．００１モル当量～１００００モル当量であり、好ましくは、０．０１モル当量～１０００モル当量であり、より好ましくは、０．１モル当量～１００モル当量である。

＜溶媒＞
本実施形態の製造方法において、溶媒を用いることが好ましい。本実施形態の製造方法において、溶媒は１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。
本実施形態の製造方法において、溶媒としては、有機溶媒であってもよく、水であってもよい。本実施形態の製造方法において、溶媒は、有機溶媒及び水の両方を用いることが好ましい。

本実施形態の製造方法において、溶媒として、有機溶媒を用いる場合、有機溶媒は特に限定されず、親水性の有機溶媒であっても、疎水性の有機溶媒であってもよい。有機溶媒としては、例えば、アセトン、テトラヒドロフラン、N,N－ジメチルホルムアミド、N,N－ジメチルアセトアミド、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ｏ－ジクロロベンゼン及びクロロホルムが挙げられる。

本実施形態の製造方法において、溶媒の使用量は、反応が進行する量であれば、特に限定されない。溶媒の使用量は、ホウ酸残基を有する芳香族化合物の合計量を１００質量部とした場合、通常、１質量部～１００００００質量部であり、好ましくは、１０質量部～１０００００質量部であり、より好ましくは、１００質量部～１００００質量部である。

本実施形態の製造方法において、溶媒として、有機溶媒及び水の両方を用いる場合、有機溶媒と水との比率は、反応が進行する比率であれば、特に限定されない。本実施形態の製造方法において、溶媒として、有機溶媒及び水の両方を用いる場合、有機溶媒の使用量と水の使用量との体積比は、通常、１：１００～１００：１であり、好ましくは、１：１０～１０：１であり、より好ましくは、１：３～３：１であり、更に好ましくは、１：２～２：１である。

本実施形態の製造方法において、反応温度は、反応が進行する温度であれば、特に限定されない。反応温度としては、例えば、－１００℃～３００℃であり、－２０℃～２００℃であることが好ましく、０℃～１５０℃であることがより好ましく、２０℃～１００℃であることが更に好ましい。

本実施形態の製造方法において、反応時間は、通常、０．１時間～１０００時間であり、０．２時間～１００時間であることが好ましく、０．５時間～５０時間であることがより好ましく、１時間～２４時間であることが更に好ましい。

＜ホウ酸残基を有する芳香族化合物＞
本実施形態の製造方法において、ホウ酸残基を有する芳香族化合物が有するホウ酸残基の個数は、通常、１個～１０個であり、好ましくは、２個～５個であり、より好ましくは、２個又は３個であり、更に好ましくは２個である。
ホウ酸残基を有する芳香族化合物が、ホウ酸残基を複数有する場合、それらは同一でも異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
本実施形態の製造方法において、ホウ酸残基を有する芳香族化合物は、２種類以上用いてもよいし、１種類のみ用いてもよい。

ホウ酸残基を有する芳香族化合物は、式（Ｂ－１）で表される化合物又は式（Ｂ－２）で表される化合物であることが好ましい。

Ｚ^B1～Ｚ^B4はすべて同一であっても一部又は全部が異なっていてもよく、好ましくは、すべて同一である。

Ｚ^B1～Ｚ^B4としては、例えば、式（BE-1）～式（BE-13）で表される基が挙げられる。

式（BE-11）～式（BE-13）中、Mは金属原子を表し、リチウム原子、ナトリウム原子又はカリウム原子であることが好ましい。

前記Ｚ^B1～Ｚ^B4としては式（BE-1）～式（BE-3）、式（BE-5）、式（BE-6）、式（BE-9）、式（BE-12）又は式（BE-13）で表される基であることが好ましく、式（BE-1）～式（BE-3）、式（BE-5）又は式（BE-6）で表される基であることがより好ましい。

＜ハロゲン類反応性基を有する芳香族化合物＞
本実施形態の製造方法には、ホウ酸残基を有する芳香族化合物のほか、ハロゲン原子及び－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種の反応性基（以下、「ハロゲン類反応性基」と記載することがある）を含む芳香族化合物を用いることが好ましい。そのうち、前記ハロゲン類反応性基からなる群より選ばれる少なくとも２種を含む芳香族化合物であることが好ましい。
ここで、「ハロゲン類反応性基からなる群より選ばれる少なくとも２種」とは、ハロゲン原子（塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等）から選択される少なくとも２種である場合、－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１から選択される少なくとも２種である場合、並びに、ハロゲン原子及び－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１のそれぞれから少なくとも１種ずつ選択され合わせて少なくとも２種である場合、のいずれをも包含する意味に用いられる。

ハロゲン類反応性基を有する芳香族化合物は、２種類以上用いてもよいし、１種類のみ用いてもよい。

前記ハロゲン類反応性基を２つ以上有する芳香族化合物は、式（Ｃ－１）又は式（Ｃ－２）で表される化合物であることが好ましい。

前記Ｚ^C1～Ｚ^C4は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であることが好ましく、臭素原子であることがより好ましい。

前記Ｚ^C1～Ｚ^C4は、すべて同一であっても一部又は全部が異なっていてもよく、好ましくはすべて同一である。

＜式（Ｂ－２）又は式（Ｃ－２）で表される化合物＞
ａ¹及びａ^B1は、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。

ａ²及びａ^B2は、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。

Ｒ^B1、Ｒ^B2、Ｒ^B3、Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^B1、Ａｒ^B3、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)又は式(A-9)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^B1、Ａｒ^B3、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)又は式(AA-7)～式(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^B1、Ａｒ^B3、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^B2、Ａｒ^B4、Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)～式(A-11)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^B2、Ａｒ^B4、Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^B1、Ａｒ^B3、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^B2、Ａｒ^B4、Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^B1、Ａｒ^B3、Ａｒ^X1及びＡｒ^X3で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同じである。

Ａｒ^B2、Ａｒ^B4、Ａｒ^X2及びＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^XXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^XXは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^B2、Ａｒ^B4、Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。

Ａｒ^B1～Ａｒ^B4、Ｒ^B1～Ｒ^B3、Ａｒ^X1～Ａｒ^X4及びＲ^X1～Ｒ^X3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式（Ｂ－２）又は式（Ｃ－２）で表される化合物としては、好ましくは式(X-1)～(X-7)で表される化合物であり、より好ましくは式(X-3)～(X-7)で表される化合物であり、更に好ましくは式(X-3)～(X-6)で表される化合物である。

［式中、Ｒ^X4及びＲ^X5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^X4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^X5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^X5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。Z^BCはZ^B1～Z^B4又はZ^C1～Z^C4を表す。］

式（Ｂ－２）又は式（Ｃ－２）で表される化合物としては、例えば、式(X1-1)～(X1-30)で表される化合物が挙げられ、好ましくは式(X1-6)～(X1-14)で表される化合物である。

＜式（Ｂ－１）又は式（Ｃ－１）で表される化合物＞
Ａｒ^B0又はＡｒ^Y1で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)～式(A-11)、式(A-13)又は式(A-19)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)、式(A-7)、式(A-9)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^B0又はＡｒ^Y1で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-13)、式(AA-15)、式(AA-18)又は式(AA-20)で表される基であり、更に好ましくは式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-18)又は式(AA-20)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ａｒ^B0又はＡｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^B0又はＡｒ^Y1で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。

Ａｒ^B0又はＡｒ^Y1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(B－２)のＡｒ^B2及びＡｒ^B4又は式(C－２)のＡｒ^X2及びＡｒ^X4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。

Ａｒ^B0又はＡｒ^Y1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。

式(Ｂ－１)又は式（Ｃ－１）で表される化合物としては、例えば、式(Y-1)-(Y-10)で表される化合物が挙げられる。

［式中、Ｒ^Y1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Y1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。Z^BCは前記と同じ意味を表す。］

Ｒ^Y1は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^Y1及びZ^BCは前記と同じ意味を表す。
Ｘ^Y1は、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－、－Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)－又はＣ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基を表す。Ｒ^Y2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Y2は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Y2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］

Ｒ^Y2は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基もしくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)～(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、－Ｃ(Ｒ^Y2)＝Ｃ(Ｒ^Y2)－で表される基中の２個のＲ^Y2の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

Ｘ^Y1において、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基中の４個のＲ^Y2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲ^Y2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Y2が環を形成する場合、－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－Ｃ(Ｒ^Y2)₂－で表される基は、好ましくは式(Y-B1)～(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Y2は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Y1、Ｘ^Y1及びZ^BCは前記と同じ意味を表す。］

［式中、
Ｒ^Y1及びZ^BCは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Y3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
Ｒ^Y1及びZ^BCは前記と同じ意味を表す。
Ｒ^Y4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］

Ｒ^Y4は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

式(Ｂ－１)又は式(Ｃ－１)で表される化合物としては、例えば、式(Y-101)-(Y-171)で表されるアリーレン基からなる化合物、式(Y-201)-(Y-211)で表される２価の複素環基からなる化合物、式(Y-301)-(Y-306)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる化合物が挙げられる。式(Y-101)-(Y-171)、式(Y-201)-(Y-211)及び式(Y-301)-(Y-306)において、Z^BCは前記と同じ意味を表す。

本実施形態の製造方法において、ホウ酸残基を有する芳香族化合物に含まれるホウ酸残基のモル数と、ハロゲン類反応性基を有する芳香族化合物に含まれるハロゲン類反応性基のモル数との比率は特に限定されない。本実施形態の製造方法において、ホウ酸残基を有する芳香族化合物に含まれるホウ酸残基のモル数を１００モルとした場合、ハロゲン類反応性基を有する芳香族化合物に含まれるハロゲン類反応性基のモル数は、例えば、５０～２００モルであり、好ましくは、７０～１５０モルであり、より好ましくは、８０～１２０モルであり、更に好ましくは、９０～１１０モルであり、特に好ましくは、９５～１０５モルである。

本実施形態の製造方法において、重合反応後、必要に応じて、得られた高分子化合物のホウ酸残基末端又はハロゲン類反応性基末端を封止してもよい。ホウ酸残基末端及び／又はハロゲン類反応性基末端の封止方法としては、例えば、ホウ酸残基を有する一官能基性化合物又はハロゲン類反応性基を有する一官能基性化合物、例えばフェニルボロン酸又はブロモベンゼンを加えた後、加熱撹拌を行えばよい。

本実施形態の製造方法において、得られた高分子化合物の取り出し方法については、高分子化合物を良溶媒で適当な濃度に希釈し、必要に応じて洗浄及び精製等の操作を行った後、貧溶媒中に高分子化合物溶液を滴下する事により高分子化合物を析出させ、濾別して取り出すことができる。取り出した高分子化合物の構造及び重量平均分子量等は、ゲル浸透クロマトグラフィー及びNMR等の通常の分析手法によって分析することができる。

＜本発明の効果が発揮される理由＞
本発明の効果が発揮される理由は必ずしも明らかではないが、次のような作用機序が想定される。
例えば、従来のパラジウム錯体を用いた高分子化合物の製造方法において、使用される配位子は、単座ホスフィン配位子、並びに、１,１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン及び１,２－ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン等の一部の二座ホスフィン配位子であり、これらの配位子を用いた場合、特に未反応の芳香族モノマーが残存してしまう。
本発明者らは、この原因をring-walking（パラジウムなどの遷移金属が芳香環のπ電子と相互作用した状態で芳香環上を移動する現象）と考えた。
具体的には、従来の配位子を含むパラジウム錯体を用いた場合には、パラジウム触媒反応における還元的脱離後に、パラジウムからポリマー鎖が解離しにくいので、ring-walkingが起こりやすくなる。これに対し、本実施態様のパラジウム錯体を用いた場合には、パラジウムからポリマー鎖が解離しやすくなるので、ring-walkingが起こりにくくなり、結果として、逐次重合性が高くなり、反応後の残存モノマー量が十分に低減されると考えられる。

＜その他＞
本実施形態の製造方法で製造された高分子化合物は、インクジェット印刷等により作製された塗布型発光素子（例えば、有機ＥＬディスプレイ等）の材料（例えば、正孔輸送材料及び発光材料）として好適に用いることができる。

以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

得られた化合物のNMRは、５ｍｇ～１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ₃）に溶解させ、NMR装置（Bruker社製、DPX３００）を用いて測定した。

得られた高分子化合物の分析は、下記の方法でゲル浸透クロマトグラフィー（以下、「GPC」と記すことがある）により行い、ポリスチレン換算の重量平均分子量を算出した。また、残存モノマー量は、GPCチャートを用いて面積百分率法によって算出した。
残存モノマー量（％）＝［（モノマーの面積）／（モノマー及びポリマーの合計面積）］×１００

＜GPCの分析条件＞
GPC測定装置：HLC-8220GPC（東ソー社製）
カラム：PLgel 10μm MIXED-B（アジレント・テクノロジー社製）
カラム温度：40 ℃
移動相：テトラヒドロフラン
流量：1.5 mL/分
検出：UV検出（波長228 nm）

＜芳香族モノマーの合成＞化合物１及び３～１２の合成
化合物１は、特開2011-174061号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物３、化合物５、化合物１０及び化合物１２は、特開2012-144722号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物４は、国際公開第2012/008550号に記載の方法に従って合成した。
化合物６は、特開2010-189630号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物７及び化合物１１は、国際公開第2002/045184号に記載の方法に従って合成した。
化合物８は、特開2008-106241号公報に記載の方法に従って合成した。
化合物９は、特開2010-215886号公報に記載の方法に従って合成した。

＜市販パラジウム錯体＞
ジクロロ（2,2’－ビス（ジフェニルホスフィノ）1,1’－ビナフチル）パラジウム(II)はSigma-Aldrich製の試薬を購入し、ジクロロビス(トリ－ｏ－トリルホスフィン)パラジウム(II)、ジクロロ（1,1’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム(II)ジクロロメタン付加物及びジクロロ（1,２－ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）パラジウム(II)は東京化成製の試薬を購入し、使用した。

＜合成例１＞
ガラス製反応容器に２，２’－ジブロモ－１，１’－ビナフチル(0.50 g)を加え、反応容器内部を窒素置換した。反応容器内に脱水したテトラヒドロフラン（10 mL）を加え、－７８℃に冷却した。得られた溶液に1.6M n－ブチルリチウム/ヘキサン溶液（1.7 mL）をゆっくり滴下し、2時間撹拌した。ビス（２－メトキシフェニル）クロロホスフィン（0.85 g）を脱水したトルエン（5 mL）に懸濁させ、反応液にゆっくり滴下し、30分間撹拌した。反応液を室温（２５℃を意味し、本明細書において、同様である）まで昇温して1時間撹拌した後、60℃に昇温して3時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、水（10 mL）を加えて反応を停止させ、炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて中和した。得られた混合物を分液ロートに移し、有機相を水で洗浄し、有機相を三角フラスコに移した。有機相を硫酸マグネシウムで脱水した後、ロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をヘプタン及び酢酸エチルを用いたシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色固体の２，２’－ビス（ジ（２－メトキシフェニル）ホスフィノ）－１，１’－ビナフチル（0.12 g）を得た。

２，２’－ビス[ジ（２－メトキシフェニル）ホスフィノ]－１，１’－ビナフチルの分析

¹H-NMR（δppm、CDCl₃溶媒）：8.0-7.7（m, 12H）、7.5-6.7（m, 10H）、6.6（m, 4H）、6.4（m, 2H）、3.4（s, 6H）、3.3（s, 6H）
³¹P-NMR（δppm、CDCl₃溶媒）： -36.6（br s）
APPI-HRMS：Calcd for C₄₈H₄₁O₄P₂[M+H]⁺：743.2474、found：743.2352

＜合成例２＞
ガラス製反応容器に２，２’－ビス（ジ（２－メトキシフェニル）ホスフィノ）－１，１’－ビナフチル（98 mg）及びジクロロビス（アセトニトリル）パラジウム（II）（34 mg）を加え、反応容器内部を窒素置換した。反応容器内に脱水したトルエン（3 mL）を加え、室温で13時間撹拌した。生成した固体をろ過により取り出したのち、トルエン（6 mL）で3回洗浄した。得られた固体を減圧乾燥し、黄色固体のジクロロ（２，２’－ビス（ジ（２－メトキシフェニル）ホスフィノ）－１，１’－ビナフチル）パラジウム（II）（88 mg）を得た。

ジクロロ（２，２’－ビス（ジ（２－メトキシフェニル）ホスフィノ）－１，１’－ビナフチル）パラジウム（II）（以下、「錯体１」と記すことがある）の分析

¹H-NMR（δppm、CDCl₃溶媒）：8.4-8.3（m, 2H）、7.6-7.5（m, 10H）、7.2-7.1（m, 2H）、7.0-6.9（m, 2H）、6.9-6.8（m, 6H）、6.6（m, 2H）、6.4（m, 2H）、5.8（m, 2H）4.4（s, 6H）、3.2（s, 6H）
³¹P-NMR（δppm、CDCl₃溶媒）： 19.5（s）

＜実施例１＞
ガラス製反応容器にトルエン（45 mL）、化合物１（1.44 g）、化合物２（0.57 g）、化合物３（1.32 g）、化合物４（0.40 g）、化合物５（0.35 g）、及び、錯体１（1.５ ｍg）を加えた。反応容器内に室温の窒素ガスを通気して脱気し、その後、90℃のオイルバスで加熱した。加熱された反応容器に水酸化テトラメチルアンモニウム10質量%水溶液（30 mL）及びテトラブチルアンモニウムブロマイド（0.10 g）を加え、90℃で１時間還流した。反応液を30分間隔でサンプリングし、ゲル浸透クロマトグラフィーにより下記分析条件で測定した重量平均分子量が一定になった段階で反応容器を室温まで冷却した。重量平均分子量は12×10³、残存モノマー量は6%であった。得られた反応液をメタノール（400 mL）中に注ぎ、生成した固体をろ過により取り出したのち、メタノールで3回洗浄した。得られた固体を減圧乾燥し、黄色粉末状のポリマー（2.8 g）を得た。

＜実施例２＞
実施例１における錯体１をジクロロ（2,2’－ビス（ジフェニルホスフィノ）1,1’－ビナフチル）パラジウム(II)（1.3 ｍg）（以下、「PdCl₂(binap)」と記すことがある）に変更した以外は、実施例１と同様に実験を行った。重量平均分子量は32×10³、残存モノマー量は2%であった。黄色粉末状のポリマー（2.7 g）を得た。

＜実施例３＞
ガラス製反応容器にトルエン（45 mL）、化合物６（1.41g）、化合物７（1.15 g）、化合物８（0.17 g）、化合物９（0.14 g）、及び、錯体１（1.5 ｍg）を加えた。反応容器内に室温の窒素ガスを通気して脱気し、その後90℃のオイルバスで加熱した。加熱された反応容器に水酸化テトラメチルアンモニウム10質量%水溶液（30 mL）及びテトラブチルアンモニウムブロマイド（0.10 g）を加え、90℃で１時間還流した。反応液を30分間隔でサンプリングし、実施例１と同様にゲル浸透クロマトグラフィーにより測定した重量平均分子量が一定になった段階で反応容器を室温まで冷却した。重量平均分子量は17×10³、残存モノマー量は1%であった。得られた反応液をメタノール（400 mL）中に注ぎ、生成した固体をろ過により取り出したのち、メタノールで3回洗浄した。得られた固体を減圧乾燥し、乳白色粉末状のポリマー（1.6 g）を得た。

＜実施例４＞
実施例３における錯体１をPdCl₂(binap)（1.3 ｍg）に変更した以外は、実施例３と同様に実験を行った。重量平均分子量は21×10³、残存モノマー量は1%であった。乳白色粉末状のポリマー（1.7 g）を得た。

＜実施例５＞
ガラス製反応容器にトルエン（45 mL）、化合物１０（2.18g）、化合物３（1.30 g）、化合物１１（0.34 g）、化合物５（0.14 g）、化合物１２（0.37 g）、及び、錯体１（1.５ ｍg）を加えた。反応容器内に室温の窒素ガスを通気して脱気し、その後90℃のオイルバスで加熱した。加熱された反応容器に水酸化テトラメチルアンモニウム10質量%水溶液（30 mL）及びテトラブチルアンモニウムブロマイド（0.10 g）を加え、90℃で１時間還流した。反応液を30分間隔でサンプリングし、実施例１と同様にゲル浸透クロマトグラフィーにより測定した重量平均分子量が一定になった段階で反応容器を室温まで冷却した。重量平均分子量は30×10³、残存モノマー量は1%であった。得られた反応液をメタノール（400 mL）中に注ぎ、生成した固体をろ過により取り出したのち、メタノールで3回洗浄した。得られた固体を減圧乾燥し、黄緑色粉末状のポリマー（3.1 g）を得た。

＜実施例６＞
実施例５における錯体１をPdCl₂(binap)（1.3 ｍg）に変更した以外は、実施例５と同様に実験を行った。重量平均分子量は29×10³、残存モノマー量は1%であった。黄緑色粉末状のポリマー（3.1 g）を得た。

＜比較例１＞
実施例１における化合物１の量を0.98 gに変更し、錯体１をジクロロビス(トリ－ｏ－トリルホスフィン)パラジウム(II)（1.2 ｍg）（以下、「PdCl₂(P(o-tol)₃)₂」と記すことがある）に変更した以外は、実施例１と同様に実験を行った。重量平均分子量は12×10³、残存モノマー量は12%であった。黄色粉末状のポリマー（2.5 g）を得た。

＜比較例２＞
比較例１におけるPdCl₂(P(o-tol)₃)₂（1.2 ｍg）をジクロロ（1,1’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム(II)ジクロロメタン付加物（1.3 ｍg）（以下、「PdCl₂(dppf)・CH₂Cl₂」と記すことがある）に変更した以外は、比較例１と同様に実験を行った。重量平均分子量は12×10³、残存モノマー量は12%であった。黄色粉末状のポリマー（2.5 g）を得た。

＜比較例３＞
比較例１におけるPdCl₂(P(o-tol)₃)₂（1.2 ｍg）をジクロロ（1,２－ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン）パラジウム(II)（0.9 ｍg）（以下、「PdCl₂(dppe)」と記すことがある）に変更した以外は、比較例１と同様に実験を行った。重量平均分子量は13×10³、残存モノマー量は12%であった。黄色粉末状のポリマー（2.5 g）を得た。

以上の結果より、本実施形態の製造方法を用いることで、高分子化合物を製造する際に、モノマーの残存量を大きく低減することが可能であることが示された。また、式（４）で表される化合物、式（４）で表される化合物を配位子として有するパラジウム錯体、及び、式（４）で表される化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む組成物を用いて鈴木重合することにより、モノマーの残存量を低減しつつ、重量平均分子量の比較的小さい高分子化合物を製造できることが示された。

本発明の製造方法によれば、反応後に残存するモノマーの量が低減された高分子化合物を製造することができる。また、重量平均分子量が比較的小さい高分子化合物を製造することもできる。当該高分子化合物は、塗布型発光素子用の材料として有用である。

Claims (12)

1. 式（０）で表される化合物を配位子として含むパラジウム錯体存在下、ホウ酸残基を有する芳香族化合物を反応させる工程を含む、高分子化合物の製造方法。
   

   

   [式中、Ａｒ^１Ａ及びＡｒ^１Ｂは、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
   Ａｒ^１Ｃ、Ａｒ^１Ｄ、Ａｒ^１Ｅ及びＡｒ^１Ｆは、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。]
2. 前記式（０）で表される化合物が、式（１）で表される化合物である、請求項１に記載の製造方法。
   

   

   [式中、Ａｒ^１Ｃ、Ａｒ^１Ｄ、Ａｒ^１Ｅ及びＡｒ^１Ｆは、前記と同じ意味を表す。
   環Ａｒ^Ａ及び環Ａｒ^Ｂは、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
3. 前記式（１）で表される化合物が、式（２）又は式（３）で表される化合物である、請求項２に記載の製造方法。
   

   

   [式中、Ａｒ^１Ｃ、Ａｒ^１Ｄ、Ａｒ^１Ｅ及びＡｒ^１Ｆは、前記と同じ意味を表す。
   R^2A、R^2B、R^2C、R^2D、R^2E、R^2F、R^2G、R^2H、R^3A、R^3B、R^3C、R^3D、R^3E、R^3F、R^3G、R^3H、R^3I、R^3J、R^3K及びR^3Lは、それぞれ独立に、水素原子、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。R^2AとR^2B、R^2BとR^2C、R^2CとR^2D、R^2DとR^2E、R^2EとR^2F、R^2FとR^2G、R^2GとR^2H、R^3AとR^3B、R^3BとR^3C、R^3CとR^3D、R^3DとR^3E、R^3EとR^3F、R^3FとR^3G、R^3GとR^3H、R^3HとR^3I、R^3IとR^3J、R^3JとR^3K、及び、R^3KとR^3Lは、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。]
4. 前記式（１）で表される化合物が、式（３－１）で表される化合物である、請求項２に記載の製造方法。
   

   

   [式中、R^3A、R^3B、R^3C、R^3D、R^3E、R^3F、R^3G、R^3H、R^3I、R^3J、R^3K及びR^3Lは、前記と同じ意味を表す。
   R^3M、R^3N、R^3O、R^3P、R^3Q、R^3R、R^3S、R^3T、R^3U、R^3V、R^3W、R^3X、R^3Y、R^3Z、R^3AA、R^3AB、R^3AC、R^3AD、R^3AE及びR^3AFは、それぞれ独立に、水素原子、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。]
5. 前記R^3M、前記R^3Q、前記R^3R、前記R^3V、前記R^3W、前記R^3AA、前記R^3AB及び前記R^3AFのうち、少なくとも１つが、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、これらの基は置換基を有していてもよい、請求項４に記載の製造方法。
6. 前記ホウ酸残基を有する芳香族化合物が、式（Ｂ－１）又は式（Ｂ－２）で表される化合物である、請求項１～５のいずれか一項に記載の製造方法。
   

   

   ［式中、
   Ａｒ^B0は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ａ^B1及びａ^B2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ａｒ^B1及びＡｒ^B3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^B2及びＡｒ^B4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^B2及びＡｒ^B4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^B1、Ｒ^B2及びＲ^B3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^B2及びＲ^B3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｚ^B1、Ｚ^B2、Ｚ^B3及びＺ^B4は、それぞれ独立に、－Ｂ(ＯＲ^C2)₂（式中、Ｒ^C2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^C2は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基、又は、－ＢＦ₃Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基を表す。］
7. 前記ホウ酸残基を有する芳香族化合物を反応させる工程が、
   前記ホウ酸残基を有する芳香族化合物と、
   ハロゲン原子及び－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも１種を有する芳香族化合物と、
   を反応させる工程である、請求項１～６のいずれか一項に記載の製造方法。
8. 前記芳香族化合物が、ハロゲン原子及び－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は前記と同じ意味を表す。）で表される基からなる群より選ばれる少なくとも２種を含む芳香族化合物である、請求項７に記載の製造方法。
9. 前記芳香族化合物が、式（Ｃ－１）又は式（Ｃ－２）で表される化合物である、請求項７又は８に記載の製造方法。
   

   

   ［式中、
   Ａｒ^Y1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   ａ¹及びａ²は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
   Ａｒ^X1及びＡｒ^X3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
   Ａｒ^X2及びＡｒ^X4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^X2及びＡｒ^X4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｒ^X1、Ｒ^X2及びＲ^X3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^X2及びＲ^X3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
   Ｚ^C1、Ｚ^C2、Ｚ^C3及びＺ^C4は、それぞれ独立に、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子又は－Ｏ－Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１で表される基を表す。］
10. 式（４）で表される化合物。
    

    

    [式中、R^4A、R^4B、R^4C、R^4D、R^4E、R^4F、R^4G、R^4H、R^4I、R^4J、R^4K、R^4L、R^4M、R^4N、R^4O、R^4P、R^4Q、R^4R、R^4S、R^4T、R^4U、R^4V、R^4W、R^4X、R^4Y、R^4Z、R^4AA、R^4AB、R^4AC、R^4AD、R^4AE及びR^4AFは、それぞれ独立に、水素原子、電子求引性基、アミノ基、置換アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。但し、R^4M、R^4Q、R^4R、R^4V、R^4W、R^4AA、R^4AB及びR^4AFのうち、少なくとも１つは、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。]
11. 請求項１０に記載の化合物を配位子として含むパラジウム錯体。
12. 請求項１０に記載の化合物とパラジウム錯体前駆体とを含む、組成物。