JP2022550744A - 非同期加熱圧延装置、大幅の極薄金属リチウム箔、並びにその調製方法及び使用 - Google Patents
非同期加熱圧延装置、大幅の極薄金属リチウム箔、並びにその調製方法及び使用 Download PDFInfo
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Abstract
Description
延伸基材を巻き戻すための延伸基材巻き戻しユニットと、
リチウムストリップを巻き戻すためのリチウムストリップ巻き戻しユニットと、
リチウムストリッププレシェーピングユニットと、
第1の圧延ロール、第2の圧延ロール、及び加熱ボックスを含む非同期加熱圧延ユニットと、
複合ストリップを巻き取るための巻取りユニットとを含み、
前記加熱ボックスは、前記第1の圧延ロールを加熱するために使用され、前記第1の圧延ロールは、前記延伸基材を加熱し、前記第1の圧延ロールと前記第2の圧延ロールは、前記延伸基材とリチウムストリップが複合して前記複合ストリップとなるように、軸平行に対向して配置されている。
前記延伸基材巻き戻しユニットは、順次に配置されている基材巻き戻しロール、第2の補助ガイドロール、第1の自差修正センサー、第3の補助ガイドロール、及び第4の補助ガイドロールを含み、
前記リチウムストリッププレシェーピングユニットは、順次に配置されている第2の自差修正センサー及び互いに対向して配置されたシェーピングロールを含み、
前記巻取りユニットは、順次に配置されている第2の張力検出ロール、第3の自差修正センサー、及び複合ストリップ巻取りロールを含む。
リチウムストリップを巻き戻し及びプレシェーピングした後、巻き戻した延伸基材と一緒に第1の圧延ロールと第2の圧延ロールとの間のロールギャップ内で非同期加熱圧延処理してから巻き取り、複合ストリップを得るステップを含み、
前記非同期加熱圧延処理の温度は50~250℃であり、前記第2の圧延ロールと前記第1の圧延ロールの回転速度比は1:1.1~8である。
前記リチウム箔の幅は1~600mmであり、前記リチウム箔の厚みは1~20μmである。
延伸基材を巻き戻すための延伸基材巻き戻しユニット;
リチウムストリップを巻き戻すためのリチウムストリップ巻き戻しユニット;
リチウムストリッププレシェーピングユニット;
第1の圧延ロール、第2の圧延ロール、及び加熱ボックスを含む非同期加熱圧延ユニット;及び
複合ストリップを巻き取るための巻取りユニットを含み、
前記加熱ボックスは、前記第1の圧延ロールを加熱するために使用され、前記第1の圧延ロールは、前記延伸基材を加熱し、前記第1の圧延ロールと前記第2の圧延ロールは、前記延伸基材とリチウムストリップが複合して前記複合ストリップとなるように、軸平行に対向して配置されている。
リチウムストリップ巻き戻しユニット(D)において、1はリチウムストリップ巻き戻しロール、2は第1の補助ガイドロール、3は張力検出ロール1、4は速度測定ロールを表し、
延伸基材巻き戻しユニット(E)において、8は延伸基材巻き戻しロール、9は第2の補助ガイドロール、10は第1の自差修正センサー、11は第3の補助ガイドロール、12は第4の補助ガイドロールを表し、
リチウムストリッププレシェーピングユニット(F)において、5は第2の自差修正センサー、6はシェーピングロール1、7はシェーピングロール2を表し、
非同期加熱圧延ユニット(H)において、Aは第2の圧延ロール、Bは第1の圧延ロール、Cは加熱ボックスを表し、
巻き取りユニット(G)において、13は第2の張力検出ロール、14は第3の自差修正センサー、15は複合ストリップ巻き取りロールを表し、
Pは延伸基材、Sはリチウムストリップ、Zは複合ストリップ(すなわち、延伸基材とリチウムストリップが複合したもの)を表す。
前記延伸基材巻き戻しユニットは、順次に配置されている基材巻き戻しロール、第2の補助ガイドロール、第1の自差修正センサー、第3の補助ガイドロール、及び第4の補助ガイドロールを含み、
前記リチウムストリッププレシェーピングユニットは、順次に配置されている、第2の自差修正センサー及び互いに対向して配置されたシェーピングロールを含み、
前記巻取りユニットは、順次に配置されている第2の張力検出ロール、第3の自差修正センサー、及び複合ストリップ巻取りロールを含む。
前記プレシェーピングユニットは、リチウムストリップが非同期加熱圧延ユニットに入る前に両側からリチウムストリップを平らにプレスし、それによってリチウムストリップの厚さの一致性を改善し、圧延効果に対するリチウムストリップの厚さのばらつきの悪影響を低減する。
前記リチウムストリッププレシェーピング機構は、非同期加熱圧延ユニットの上流に配置され、両側からリチウムストリップを平らにプレスし、リチウムストリップはプレシェーピングユニットを通過した後、非同期加熱圧延ユニットの第1の圧延ロールと第2の圧延ロールとの間のロールギャップを通過する。
予めストリップ通しを行うために、延伸基材(P)を基材巻き戻しロール(8)、第2の補助ガイドロール(9)、第1の自差修正センサー(10)、第3の補助ガイドロール(11)、補助ガイドロール4(12)、及び第2の圧延ロール(A)と第1の圧延ロール(B)との間のロールギャップに通し、最後に、延伸基材(P)のヘッドエンドを巻き取りロール(15)に固定し、延伸基材(P)を緊張(引っ張った)状態にする。次に、リチウムストリップ(S)をリチウムストリップ巻き戻しロール(1)、補助ガイドロール1(2)、張力検出ロール(3)、速度測定ロール(4)、及びリチウムストリッププレシェーピング機構(E)中の自差修正センサー2(5)、シェーピングロール1(6)とシェーピングロール2(7)との間のロールギャップに通し、最後に圧延ロール(A)と加熱圧延ロール(B)との間のロールギャップを通過し、次に、リチウムストリップ(S)を延伸基材(P)に貼り付け、リチウムストリップを緊張状態にする。
ステップ2:ロールギャップの調整
第2の圧延ロール(A)と第1の圧延ロール(B)との間の相対距離、すなわち、予想される極薄リチウムストリップの厚さを調整する。
ステップ3:加熱
加熱ボックスの温度を調整することで第2の圧延ロール(A)及び延伸基材(P)を加熱する。
ステップ4:速度調整
第2の圧延ロール(A)と第1の圧延ロール(B)の相対速度を調整することにより、圧延されたリチウムストリップに接線力及び熱を加えて、極薄の金属リチウムを得る。
リチウムストリップを巻き戻し及びプレシェーピングした後、巻き戻した延伸基材と一緒に第1の圧延ロールと第2の圧延ロールとの間のロールギャップ内で非同期加熱圧延処理してから巻き取り、複合ストリップを得るステップを含み、
前記非同期加熱圧延処理の温度は50~250℃であり、前記第1の圧延ロールと前記第2の圧延ロールの回転速度比は1:1.1~8である。
前記リチウム箔の幅は1~600mmであり、前記リチウム箔の厚みは1~20μmである。
予めストリップ通しを行うために、延伸基材(P)を基材巻き戻しロール(8)、第2の補助ガイドロール(9)、第1の自差修正センサー(10)、第3の補助ガイドロール(11)、補助ガイドロール4(12)、及び第2の圧延ロール(A)と第1の圧延ロール(B)との間のロールギャップに通し、最後に、延伸基材(P)のヘッドエンドを巻き取りロール(15)に固定し、延伸基材(P)を緊張状態にした。次に、リチウムストリップ(S)をリチウムストリップ巻き戻しロール(1)、補助ガイドロール1(2)、張力検出ロール1(3)、速度測定ロール(4)、及びリチウムストリッププレシェーピング機構(F)中の自差修正センサー2(5)、シェーピングロール1(6)とシェーピングロール2(7)との間のロールギャップに通し、最後に圧延ロール(A)と加熱圧延ロール(B)との間のロールギャップを通過し、次にリチウムストリップ(S)を延伸基材(P)に貼り付け、リチウムストリップを緊張状態にした。
ここで、延伸基材(P)は10μmの銅箔であり、ストリップ通しが完成した後、圧延ロール(A)と圧延ロール(B)との間の相対距離を11μmに調整し、加熱ボックスの温度を120℃に調整し、圧延ロールBを加熱した。圧延ロール(A)の速度を1.5m/分に調整し、圧延ロール(B)の速度を3m/分に調整し、圧延ロール間の圧力を5Tに調整した。巻き取りユニット(G)を連続的に巻き取ることにより、厚さ20μm、幅80mmの複合ストリップ(Z)を得た。リチウムストリップの有効厚さは10μmであった。
予めストリップ通しを行うために、延伸基材(E)を基材巻き戻しロール(8)、第2の補助ガイドロール(9)、第1の自差修正センサー(10)、第3の補助ガイドロール(11)、補助ガイドロール4(12)、及び第2の圧延ロール(A)と第1の圧延ロール(B)との間のロールギャップに通し、最後に、延伸基材(P)のヘッドエンドを巻き取りロール(15)に固定し、延伸基材(P)を緊張状態にした。次に、リチウムストリップ(S)をリチウムストリップ巻き戻しロール(1)、補助ガイドロール1(2)、張力検出ロール1(3)、速度測定ロール(4)、及びリチウムストリッププレシェーピング機構(F)中の自差修正センサー2(5)、シェーピングロール1(6)とシェーピングロール2(7)との間のロールギャップに通し、最後に圧延ロール(A)と加熱圧延ロール(B)との間のロールギャップを通過し、次にリチウムストリップ(S)を延伸基材(P)に貼り付け、リチウムストリップを緊張状態にした。
ここで、延伸基材(P)は10μmのステンレス鋼箔であり、ストリップ通しが完成した後、圧延ロール(A)と圧延ロール(B)との間の相対距離を22μmに調整し、加熱ボックスの温度を80℃に調整し、圧延ロールBを加熱した。圧延ロール(A)の速度を2m/分に調整し、圧延ロール(B)の速度を3m/分に調整し、圧延ロール間の圧力を4Tに調整した。巻き取りユニット(G)を連続的に巻き取ることにより、厚さ30μm、幅100cmの複合ストリップ(Z)を得た。リチウムストリップの有効厚さは20μmであった。
Claims (9)
- 大幅の極薄金属リチウム箔を短いプロセスで調製するための非同期加熱圧延装置であって、
延伸基材を巻き戻すための延伸基材巻き戻しユニットと、
リチウムストリップを巻き戻すためのリチウムストリップ巻き戻しユニットと、
リチウムストリッププレシェーピングユニットと、
第1の圧延ロール、第2の圧延ロール、及び加熱ボックスを含む非同期加熱圧延ユニットと、
複合ストリップを巻き取るための巻取りユニットとを含み、
前記加熱ボックスは、前記第1の圧延ロールを加熱するために使用され、前記第1の圧延ロールは、前記延伸基材を加熱し、前記第1の圧延ロールと前記第2の圧延ロールは、前記延伸基材とリチウムストリップが複合して前記複合ストリップとなるように、軸平行に対向して配置されている、非同期加熱圧延装置。 - 前記第2の圧延ロールの表面は、セラミック層またはポリマー層で被覆され、前記セラミック層は、アルミナ、ジルコニア、酸化クロム、及び複合物セラミックコーティングのうちの1つまたは複数を含み、前記ポリマー層は、ポリシロキサン、長鎖アルカン、及びパラフィンのうちの1つまたは複数を含むことを特徴とする、請求項1に記載の非同期加熱圧延装置。
- 前記リチウムストリップ巻き戻しユニットは、順次に配置されているリチウムストリップ巻き戻しロール、第1の補助ガイドロール、第1の張力検出ロール、及び速度測定ロールを含み、
前記延伸基材巻き戻しユニットは、順次に配置されている基材巻き戻しロール、第2の補助ガイドロール、第1の自差修正センサー、第3の補助ガイドロール、及び第4の補助ガイドロールを含み、
前記リチウムストリッププレシェーピングユニットは、順次に配置されている、第2の自差修正センサー及び互いに対向して配置されたシェーピングロールを含み、
前記巻取りユニットは、順次に配置されている第2の張力検出ロール、第3の自差修正センサー、及び複合ストリップ巻取りロールを含むことを特徴とする、請求項1に記載の非同期加熱圧延装置。 - 前記延伸基材は、ステンレス鋼箔、銅箔、鋼箔または鉄箔から選択されることを特徴とする、請求項1に記載の非同期加熱圧延装置。
- 請求項1~4のいずれか1項に記載の非同期加熱圧延装置を使用して大幅の極薄金属リチウム箔を調製する方法であって、次のステップ:
リチウムストリップを巻き戻し及びプレシェーピングした後、巻き戻した延伸基材と一緒に第1の圧延ロールと第2の圧延ロールとの間のロールギャップ内で非同期加熱圧延処理してから巻き取り、複合ストリップを得るステップを含み、
前記非同期加熱圧延処理の温度は50~250℃であり、前記第2の圧延ロールと前記第1の圧延ロールの回転速度比は1:1.1~8である、方法。 - リチウムストリップの巻き戻し速度は0.1~3m/分であり、延伸基材の巻き戻し速度は0.1~20m/分であることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記リチウムストリップの巻き戻し時の張力は5~100Nであり、延伸基材及びリチウムストリップの巻き戻し時の自差修正精度はいずれも±0.2mmであることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 請求項5~7のいずれか1項に記載の方法によって調製された、大幅の極薄リチウム箔であって、
前記リチウム箔の幅は1~600mmであり、前記リチウム箔の厚みは1~20μmである、大幅の極薄リチウム箔。 - 請求項8に記載の大幅の極薄リチウム箔を含む電池。
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