JP2022549071A - ガス制御方法及びそれに関連した使用 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 141
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 121
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 58
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 44
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 35
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 9
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 20
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 607
- 230000008569 process Effects 0.000 description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 8
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 6
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 6
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 2
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 2
- MARDFMMXBWIRTK-UHFFFAOYSA-N [F].[Ar] Chemical compound [F].[Ar] MARDFMMXBWIRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000003679 aging effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000013450 outlier detection Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/102—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
- H01S3/104—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/2235—Dye vapour
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Plasma & Fusion (AREA)
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Abstract
Description
[0001] この出願は、2019年9月19日に出願されたGAS CONTROL METHOD AND RELATED USESと題する米国出願第62/902,946号の優先権を主張するものであり、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
Vに影響を及ぼし、測定され得る1つ以上のパラメータを含むことがある。有益には、これらの平均(又は測定パラメータの任意の他の関数)71、73及びパラメータXをモニタすることによって、電圧に影響を及ぼし得るが直接測定することができない他の要因(例えば経時効果)が考慮されることがある。
1.放射源のガスコンパートメントのガス制御システムを制御する方法であって、方法が、
エキシマレーザのパラメータであって、レーザに与えられた電気刺激及び/又はレーザが発生させた放射の特性及び/又はガスコンパートメント内の消耗品の量を記述するパラメータを測定すること、
パラメータ、又はパラメータの関数を閾値と比較すること、
パラメータ又はパラメータの関数が閾値を超過していると判定されたことに応答して、パラメータに基づいて供給又は除去されるべきガス量を算出すること、
ガスコンパートメントにガス量を供給せよ、又はガスコンパートメントからガス量を除去せよとの指示をガス制御システムに与えること、を含む方法。
2.放射源が、ガスコンパートメントへのガスの供給中又はガスコンパートメントからのガスの除去中に放射を発生させ続ける、条項1の方法。
3.ガス量を算出することが、パラメータに基づいてガス特性を算出することを更に含む、条項1又は2の方法。
4.ガス特性に基づいてガス量を算出することを更に含む、条項3の方法。
5.ガス特性がガス圧及び/又はガス濃度を含む、条項3又は4の方法。
6.ガス量が第1のガスの量及び第2のガスの量を含む、条項1から5のいずれかの方法。
7.パラメータを測定することが、第1及び第2のパラメータを測定することを含む、条項1から6のいずれかの方法。
8.ガス量が第1及び第2のパラメータに基づいて算出される、条項7の方法。
9.第1のパラメータがガスコンパートメント内の消耗品の量である、条項7又は8の方法。
10.ガスコンパートメント内の消耗品の量を測定するセンサを使用することを更に含む、条項1から9のいずれかの方法。
11.センサが反応性ガスセンサを含む、条項10の方法。
12.センサがフッ素センサを含む、条項11の方法。
13.閾値が所定のパラメータの関数を含む、条項1から12のいずれかの方法。
14.方法が、パラメータの関数が閾値を上回っていると判定されたことに応答してカウンタを更新することを更に含む、条項1から13のいずれかの方法。
15.ガス量の算出が更にカウンタに基づく、条項14の方法。
16.方法が、
パラメータの第1の測定値のセットを記録すること、
第1の測定値のセットの第1の関数を算出すること、
パラメータの第2の測定値のセットを記録すること、
第2の測定値のセットの第2の関数を算出すること、
第1及び第2の関数に基づいてガス量を算出することを含む、条項1から15のいずれかの方法。
17.ガスコンパートメントと、ガスコンパートメントにガス量を供給する又はガスコンパートメントからガス量を除去するように構成されたガス制御システムと、条項1から16のいずれかの方法を実行するように構成されたプロセッサとを含む放射源。
18.ガス制御システムが、第1の端で第1のガス源に、第2の端でガスコンパートメントに接続された第1のパイプラインを含む、条項17の放射源。
19.ガス制御システムが、第1の端で第2のガス源に、第2の端でガスコンパートメントに接続された第2のパイプラインを更に含む、条項18の放射源。
20.ガスコンパートメントと第1及び/又は第2のガス源との間のガス流を制御するように構成されたガス制御装置を更に含む、条項18又は19の放射源。
21.コンパートメント内の消耗品の量を測定するように構成されたセンサを更に含む、条項17から20のいずれかの放射源。
22.センサがガスコンパートメント内に位置する、条項21の放射源。
23.センサが反応性ガスセンサを含む、条項21又は22の放射源。
24.センサがフッ素センサを含む、条項21から23のいずれかの放射源。
25.ガスコンパートメントと、ガスコンパートメント内の消耗品の量を測定するためのセンサとを含む放射源。
26.センサが反応性ガスセンサを含む、条項25の放射源。
27.センサがフッ素センサを含む、条項26の放射源。
28.ある量のガスをガスコンパートメントに供給する、又はある量のガスをガスコンパートメントから除去するように構成されたガス制御システムを更に含む、条項25から27のいずれかの放射源。
29.ある量のガスを放射源のガスコンパートメントに供給する、又はある量のガスを放射源のガスコンパートメントから除去するように構成され、条項1から16のいずれかの方法を実行するように更に構成されたガス制御システム。
30.ガス制御システムが、第1の端で第1のガス源に、第2の端でガスコンパートメントに接続されるように構成された第1のパイプラインを含む、条項29のガス制御システム。
31.第1の端で第2のガス源に、第2の端でガスコンパートメントに接続されるように構成された第2のパイプラインを更に含む、条項30のガス制御システム。
32.ガスコンパートメントと第1及び/又は第2のガス源との間のガス流を制御するように構成されたガス制御装置を更に含む、条項29から31のいずれかのガス制御システム。
33.条項1から16のいずれかの方法を実行するように構成されたプロセッサを更に含む、条項17から28のいずれかの放射源。
34.条項17から28又は条項33のいずれかの放射源を含むリソグラフィ装置。
35.条項17から34のいずれかのデバイスに条項1から16の方法のステップを実行させる命令を含むコンピュータプログラム。
36.条項35のコンピュータプログラムを記憶させたコンピュータ可読媒体。
Claims (31)
- 放射源のガスコンパートメントのガス制御システムを制御する方法であって、前記方法が、
エキシマレーザのパラメータであって、前記エキシマレーザに与えられた電気刺激及び/又は前記エキシマレーザが発生させた放射の特性及び/又は前記ガスコンパートメント内の消耗品の量を記述するパラメータを測定すること、
前記パラメータ、又は前記パラメータの関数を閾値と比較すること、
前記パラメータ又は前記パラメータの関数が前記閾値を超過していると判定されたことに応答して、前記パラメータに基づいて供給又は除去されるべきガス量を算出すること、 前記ガスコンパートメントに前記ガス量を供給せよ、又は前記ガスコンパートメントから前記ガス量を除去せよとの指示を前記ガス制御システムに与えること、を含む方法。 - 前記放射源が、前記ガスコンパートメントへのガスの供給中又は前記ガスコンパートメントからのガスの除去中に放射を発生させ続ける、請求項1の方法。
- 前記ガス量を算出することが、前記パラメータに基づいてガス特性を算出することを更に含む、請求項1の方法。
- 前記ガス量を算出することが更に前記ガス特性に基づく、請求項3の方法。
- 前記ガス特性がガス圧及び/又はガス濃度を含む、請求項3の方法。
- 前記ガス量が第1のガスの量及び第2のガスの量を含む、請求項1の方法。
- パラメータを測定することが、第1のパラメータ及び第2のパラメータを測定することを含む、請求項1の方法。
- 前記ガス量が前記第1及び第2のパラメータに基づいて算出される、請求項7の方法。
- 前記第1のパラメータが前記ガスコンパートメント内の消耗品の量である、請求項7の方法。
- 前記ガスコンパートメント内の前記消耗品の量を測定するセンサを使用することを更に含む、請求項1の方法。
- 前記センサが反応性ガスセンサを含む、請求項10の方法。
- 前記センサがフッ素センサを含む、請求項10の方法。
- 前記閾値が所定のパラメータの関数を含む、請求項1の方法。
- 前記パラメータの前記関数が前記閾値を上回っていると判定されたことに応答して、カウンタを更新することを更に含む、請求項1の方法。
- 前記ガス量の算出が更に前記カウンタに基づく、請求項14の方法。
- 前記パラメータの第1の測定値のセットを記録すること、
前記第1の測定値のセットの第1の関数を算出すること、
前記パラメータの第2の測定値のセットを記録すること、
前記第2の測定値のセットの第2の関数を算出すること、 前記第1及び第2の関数に基づいて前記ガス量を算出することを更に含む、請求項1の方法。 - ガスコンパートメントと、前記ガスコンパートメントにある量のガスを供給する、又は前記ガスコンパートメントからある量のガスを除去し、
エキシマレーザのパラメータであって、前記エキシマレーザに与えられた電気刺激及び/又は前記エキシマレーザが発生させた放射の特性及び/又は前記ガスコンパートメント内の消耗品の量を記述するパラメータを測定すること、
前記パラメータ、又は前記パラメータの関数を閾値と比較すること、
前記パラメータ又は前記パラメータの関数が前記閾値を超過していると判定されたことに応答して、前記パラメータに基づいて供給又は除去されるべきガス量を算出すること、 前記ガスコンパートメントに前記ガス量を供給せよ、又は前記ガスコンパートメントから前記ガス量を除去せよとの指示を前記ガス制御システムに与えること、を含む方法を実行するガス制御システムとを含む放射源。 - 前記ガス制御システムが、第1の端で第1のガス源に、第2の端で前記ガスコンパートメントに接続された第1のパイプラインを含む、請求項17の放射源。
- 前記ガス制御システムが、第1の端で第2のガス源に、第2の端で前記ガスコンパートメントに接続された第2のパイプラインを更に含む、請求項18の放射源。
- 前記ガスコンパートメントと前記第1及び/又は第2のガス源との間のガス流を制御するガス制御装置を更に含む、請求項19の放射源。
- 前記コンパートメント内の前記消耗品の量を測定するセンサを更に含む、請求項17の放射源。
- 前記センサが前記ガスコンパートメント内に位置する、請求項21の放射源。
- 前記センサが反応性ガスセンサを含む、請求項21の放射源。
- 前記センサがフッ素センサを含む、請求項21の放射源。
- 前記方法を実行するプロセッサを更に含む、請求項17の放射源。
- 前記プロセッサに前記方法を実行させる命令を含むコンピュータプログラムを記憶させたコンピュータ可読媒体を更に含む、請求項25の放射源。
- 請求項17の放射源を含むリソグラフィ装置。
- ガスコンパートメントと、前記ガスコンパートメント内の消耗品の量を測定するためのセンサとを含む放射源。
- 前記センサが反応性ガスセンサを含む、請求項28の放射源。
- 前記センサがフッ素センサを含む、請求項29の放射源。
- ある量のガスを前記ガスコンパートメントに供給する、又はある量のガスを前記ガスコンパートメントから除去するガス制御システムを更に含む、請求項30の放射源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023186204A JP2023181382A (ja) | 2019-09-19 | 2023-10-31 | ガス制御方法及びそれに関連した使用 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962902946P | 2019-09-19 | 2019-09-19 | |
US62/902,946 | 2019-09-19 | ||
PCT/US2020/050235 WO2021055236A1 (en) | 2019-09-19 | 2020-09-10 | Gas control method and related uses |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023186204A Division JP2023181382A (ja) | 2019-09-19 | 2023-10-31 | ガス制御方法及びそれに関連した使用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022549071A true JP2022549071A (ja) | 2022-11-24 |
JP7378589B2 JP7378589B2 (ja) | 2023-11-13 |
Family
ID=72644967
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022514179A Active JP7378589B2 (ja) | 2019-09-19 | 2020-09-10 | ガス制御方法及びそれに関連した使用 |
JP2023186204A Pending JP2023181382A (ja) | 2019-09-19 | 2023-10-31 | ガス制御方法及びそれに関連した使用 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023186204A Pending JP2023181382A (ja) | 2019-09-19 | 2023-10-31 | ガス制御方法及びそれに関連した使用 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220285902A1 (ja) |
JP (2) | JP7378589B2 (ja) |
KR (1) | KR102628797B1 (ja) |
CN (1) | CN114616729A (ja) |
TW (1) | TWI779353B (ja) |
WO (1) | WO2021055236A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2020
- 2020-09-10 JP JP2022514179A patent/JP7378589B2/ja active Active
- 2020-09-10 US US17/641,142 patent/US20220285902A1/en active Pending
- 2020-09-10 CN CN202080065941.7A patent/CN114616729A/zh active Pending
- 2020-09-10 KR KR1020227008790A patent/KR102628797B1/ko active IP Right Grant
- 2020-09-10 WO PCT/US2020/050235 patent/WO2021055236A1/en active Application Filing
- 2020-09-11 TW TW109131230A patent/TWI779353B/zh active
-
2023
- 2023-10-31 JP JP2023186204A patent/JP2023181382A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202301041A (zh) | 2023-01-01 |
WO2021055236A1 (en) | 2021-03-25 |
TWI779353B (zh) | 2022-10-01 |
KR102628797B1 (ko) | 2024-01-23 |
JP7378589B2 (ja) | 2023-11-13 |
JP2023181382A (ja) | 2023-12-21 |
KR20220046667A (ko) | 2022-04-14 |
CN114616729A (zh) | 2022-06-10 |
US20220285902A1 (en) | 2022-09-08 |
TW202117462A (zh) | 2021-05-01 |
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