JP2022548163A - イメージングベースのオーバレイ測定の品質指標として高調波検出率を適用するためのシステムと方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、米国特許法第119条(e)の下で、2019年9月17日に出願された、米国仮出願第62/901,652号の利益を主張するものであり、その開示の全体は参照により本明細書に組み込まれる。
Claims (22)
- 計測サブシステムに結合可能なコントローラであって、プログラム命令を実行するように構成された1つ以上のプロセッサを含み、前記1つ以上のプロセッサに、
サンプル上に配置された第1の計測ターゲットの複数の画像信号を前記計測サブシステムから受信させ、
複数の高調波検出率メトリック値を、前記複数の画像信号のそれぞれについて高調波検出率メトリック値を計算することによって決定させ、
前記計測サブシステムの1セットの光学測定条件を、前記複数の高調波検出率メトリック値に基づいて識別させ、ここで前記光学測定条件のセットは前記計測サブシステムの光学計測測定のレシピを定義し、
前記レシピを、1つ以上の追加の計測ターゲットの1つ以上の光学計測測定の実行のために前記計測サブシステムに提供させる、コントローラを備える、
計測システム。 - それぞれの画像信号のそれぞれの高調波検出率メトリック値は、前記それぞれの画像信号の高調波信号強度、前記それぞれの画像信号の非高調波ノイズ、及び前記第1の計測ターゲットの表面反射率の関数である、請求項1に記載の計測システム。
- 前記それぞれの画像信号のそれぞれの高調波検出率メトリック値は、前記それぞれの画像信号の高調波信号強度、前記それぞれの画像信号の非高調波ノイズ、及び前記第1の計測ターゲットの表面反射率に単調依存する、請求項2に記載の計測システム。
- 前記1つ以上のプロセッサは、異なるセットの光学測定条件で前記高調波検出率メトリック値のそれぞれを決定するように構成される、請求項1に記載の計測システム。
- 前記1つ以上のプロセッサは、異なるセットの焦点及び波長値で前記高調波検出率メトリック値のそれぞれを決定するように構成される、請求項1に記載の計測システム。
- 前記1つ以上のプロセッサは、前記高調波検出率メトリック値のセットを2つ以上の光学測定条件の関数として表示するように構成される、請求項1に記載の計測システム。
- 前記1つ以上のプロセッサは、前記高調波検出率メトリック値のセットを焦点及び波長の関数として表示するように構成される、請求項7に記載の計測システム。
- 前記計測サブシステムの光学計測測定のための前記レシピを定義する前記光学条件のセットは、
照明の波長、計測ターゲットに入射する前記照明の偏光、前記計測ターゲットに入射する前記照明の角度、又は前記検出器に対する前記計測ターゲットの焦点位置、のうちの2つ以上を含む、
請求項1に記載の計測システム。 - 計測サブシステムであって、
照明を生成するための照明源と、
前記照明源からの照明をサンプル上に配置された計測ターゲットに向ける1つ以上の照明光学系と、
前記計測ターゲットの画像を前記照明源からの前記照明に基づき生成する検出器であって、前記計測サブシステムの光学構成は構成可能であり、ここで前記光学構成は、前記照明の波長、前記計測ターゲットに入射する前記照明の偏光、前記計測ターゲットに入射する前記照明の角度、又は前記検出器に対する前記計測ターゲットの焦点位置を含む、検出器と、を含む、計測サブシステムと、
前記計測サブシステムに結合可能なコントローラであって、プログラム命令を実行するように構成された1つ以上のプロセッサを含み、前記1つ以上のプロセッサに、
前記サンプル上に配置された第1の計測ターゲットの複数の画像信号を前記計測サブシステムから受信させ、
複数の高調波検出率メトリック値を、前記複数の画像信号のそれぞれについて高調波検出率メトリック値を計算することによって決定させ、
前記計測サブシステムの1セットの光学測定条件を、前記複数の高調波検出率メトリック値に基づいて識別させ、ここで前記光学測定条件のセットは前記計測サブシステムの光学計測測定のレシピを定義し、
前記レシピを、1つ以上の追加の計測ターゲットの1つ以上の光学計測測定の実行のために前記計測サブシステムに提供させる、コントローラと、を備える、
計測システム。 - それぞれの画像信号のそれぞれの高調波検出率メトリック値は、前記それぞれの画像信号の高調波信号強度、前記それぞれの画像信号の非高調波ノイズ、及び前記第1の計測ターゲットの表面反射率の関数である、請求項10に記載の計測システム。
- 前記それぞれの画像信号の前記それぞれの高調波検出率メトリック値は、前記それぞれの画像信号の高調波信号強度、前記それぞれの画像信号の非高調波ノイズ、及び前記第1の計測ターゲットの表面反射率に単調依存する、請求項11に記載の計測システム。
- 前記1つ以上のプロセッサは、異なるセットの光学測定条件で前記高調波検出率メトリック値のそれぞれを決定するように構成される、請求項10に記載の計測システム。
- 前記1つ以上のプロセッサは、異なるセットの焦点及び波長値で前記高調波検出率メトリック値のそれぞれを決定するように構成される、請求項10に記載の計測システム。
- 前記1つ以上のプロセッサは、前記高調波検出率メトリック値のセットを2つ以上の光学測定条件の関数として表示するように構成される、請求項10に記載の計測システム。
- 前記1つ以上のプロセッサは、前記高調波検出率メトリック値のセットを焦点及び波長の関数として表示するように構成される、請求項16に記載の計測システム。
- 前記計測サブシステムの光学計測測定のための前記レシピを定義する前記光学条件のセットは、
照明の波長、計測ターゲットに入射する前記照明の偏光、前記計測ターゲットに入射する前記照明の角度、又は前記検出器に対する前記計測ターゲットの焦点位置、のうちの2つ以上を含む、
請求項10に記載の計測システム。 - 第1の計測サブシステム及び第2の計測サブシステムに結合可能なコントローラであって、プログラム命令を実行するように構成された1つ以上のプロセッサを含み、前記1つ以上のプロセッサに、
サンプル上に配置された1つ以上の計測ターゲットの第1のセットの画像信号を、前記第1の計測サブシステムから受信させ、
前記サンプル上に配置された1つ以上の計測ターゲットの第2のセットの画像信号を、前記第2の計測サブシステムから受信させ、
前記第1の計測サブシステムからの前記画像信号について第1のセットの高調波検出率メトリック値を決定させ、
前記第2の計測サブシステムからの前記画像信号について第2のセットの高調波検出率メトリック値を決定させ、
前記第1の計測サブシステムの前記第1のセットの高調波検出率メトリック値を、前記第2の計測サブシステムの前記第2のセットの高調波検出率メトリック値と比較させ、
前記第1の計測サブシステムの前記第1のセットの高調波検出率メトリック値と、前記第2の計測サブシステムの前記第2のセットの高調波検出率メトリック値との前記比較に基づいて、前記第2の計測サブシステムを較正させる、コントローラを備える、
計測システム。 - 前記1つ以上のプロセッサは、
前記第2の計測サブシステムで取得された画像ベースのオーバレイ計測データを、前記第1の計測サブシステムの前記1つ以上の第1の高調波検出率メトリック値と前記第2の計測サブシステムの前記1つ以上の第2の高調波検出率メトリック値との前記比較に基づいて調整する、ように更に構成される、
請求項19に記載のシステム。 - 前記1つ以上のプロセッサは、
前記第1の計測サブシステムからの画像ベースのオーバレイ計測データを、前記第2の計測サブシステムからの較正された画像ベースのオーバレイ計測データと組み合わせる、ように更に構成される、
請求項20に記載のシステム。 - サンプル上に配置された第1の計測ターゲットの複数の画像信号を受信し、
複数の高調波検出率メトリック値を、前記複数の画像信号のそれぞれについて高調波検出率メトリック値を計算することによって決定し、
計測ツールの1セットの光学測定条件を、前記複数の高調波検出率メトリック値に基づいて識別させ、ここで前記光学測定条件のセットは前記計測ツールの光学計測測定のレシピを定義し、
前記レシピを、1つ以上の追加の計測ターゲットの1つ以上の光学計測測定の実行のために前記計測ツールに提供する、ことを含む、
方法。
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Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11378451B2 (en) | 2017-08-07 | 2022-07-05 | Kla Corporation | Bandgap measurements of patterned film stacks using spectroscopic metrology |
US11604063B2 (en) | 2021-06-24 | 2023-03-14 | Kla Corporation | Self-calibrated overlay metrology using a skew training sample |
KR20230165064A (ko) | 2022-05-26 | 2023-12-05 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | 고내열성의 전지팩용 커넥터 및 이의 제조방법 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006518942A (ja) * | 2003-02-22 | 2006-08-17 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
JP2007149807A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nikon Corp | 位置検出装置及び露光装置 |
US7557921B1 (en) * | 2005-01-14 | 2009-07-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools |
US20140136137A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Kla-Tencor Corporation | Metrology target characterization |
JP2014512101A (ja) * | 2011-04-06 | 2014-05-19 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 向上したプロセス制御のための品質測定値を提供するための方法およびシステム |
JP2017508273A (ja) * | 2013-12-11 | 2017-03-23 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 要件に対するターゲット及びプロセス感度の分析 |
JP2017537317A (ja) * | 2014-11-25 | 2017-12-14 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ランドスケープの解析および利用 |
JP2019512166A (ja) * | 2016-02-24 | 2019-05-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 光学的計測における精度改良 |
US20190250504A1 (en) * | 2017-10-23 | 2019-08-15 | Kla-Tencor Corporation | Reduction or elimination of pattern placement error in metrology measurements |
US20190271542A1 (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-05 | Kla-Tencor Corporation | Metrology and Control of Overlay and Edge Placement Errors |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7068833B1 (en) | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
US20030002043A1 (en) | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
US6886153B1 (en) | 2001-12-21 | 2005-04-26 | Kla-Tencor Corporation | Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe |
US20030148391A1 (en) * | 2002-01-24 | 2003-08-07 | Salafsky Joshua S. | Method using a nonlinear optical technique for detection of interactions involving a conformational change |
US8440951B2 (en) * | 2008-07-09 | 2013-05-14 | Panasonic Corporation | Wavelength conversion laser light source having dual optical receiver and a temperature control unit, and projection display device, liquid crystal display device and laser light source provided with same |
US9214317B2 (en) | 2013-06-04 | 2015-12-15 | Kla-Tencor Corporation | System and method of SEM overlay metrology |
TWI648515B (zh) | 2013-11-15 | 2019-01-21 | 美商克萊譚克公司 | 計量目標及其計量量測、目標設計檔案、計量方法及以電腦為基礎之設備 |
KR102199324B1 (ko) | 2014-06-21 | 2021-01-07 | 케이엘에이 코포레이션 | 복합 이미징 계측 타겟들 |
IL280370B2 (en) * | 2014-08-29 | 2024-07-01 | Asml Netherlands Bv | Metrological method, purpose and substrate |
NL2017271A (en) * | 2015-08-20 | 2017-02-22 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, substrates for use in such methods, lithographic system and device manufacturing method |
EP3475972A4 (en) | 2016-06-27 | 2020-02-26 | KLA-Tencor Corporation | APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING PATTERN PLACEMENT AND PATTERN SIZE, AND CORRESPONDING COMPUTER PROGRAM |
US20190049861A1 (en) * | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Asml Netherlands B.V. | Methods and Apparatus for Determining the Position of a Spot of Radiation, Inspection Apparatus, Device Manufacturing Method |
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2020
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006518942A (ja) * | 2003-02-22 | 2006-08-17 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
US7557921B1 (en) * | 2005-01-14 | 2009-07-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools |
JP2007149807A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Nikon Corp | 位置検出装置及び露光装置 |
JP2014512101A (ja) * | 2011-04-06 | 2014-05-19 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 向上したプロセス制御のための品質測定値を提供するための方法およびシステム |
US20140136137A1 (en) * | 2012-11-09 | 2014-05-15 | Kla-Tencor Corporation | Metrology target characterization |
JP2017508273A (ja) * | 2013-12-11 | 2017-03-23 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 要件に対するターゲット及びプロセス感度の分析 |
JP2017537317A (ja) * | 2014-11-25 | 2017-12-14 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | ランドスケープの解析および利用 |
JP2019512166A (ja) * | 2016-02-24 | 2019-05-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 光学的計測における精度改良 |
US20190250504A1 (en) * | 2017-10-23 | 2019-08-15 | Kla-Tencor Corporation | Reduction or elimination of pattern placement error in metrology measurements |
US20190271542A1 (en) * | 2018-03-05 | 2019-09-05 | Kla-Tencor Corporation | Metrology and Control of Overlay and Edge Placement Errors |
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