CN108886004B - 用于自动多区带检测及建模的系统及方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体工具包含：照射源，其用以产生照射光束；一或多个照射光学元件，其用以将所述照射光束的一部分引导到样本；检测器；一或多个收集光学元件，其用以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器；及控制器，其以通信方式耦合到所述检测器。所述控制器经配置以：在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据、选择用于对准区带确定的分析区域、将所述分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带；使用第一对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第一对准区带的所述对准数据建模，且使用不同于所述第一对准模型的第二对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第二对准区带的所述对准数据建模。

Description

用于自动多区带检测及建模的系统及方法
相关申请案的交叉参考
本申请案依据35U.S.C.§119(e)主张2016年3月29日提出申请的标题为自动多区带检测及建模(AUTOMATED MULTI ZONE DETECTION AND MODELING)的发明人为杰瑞米西蒙纳贝特(Jeremy Simon Nabeth)、奥努尔尼哈特德米雷尔(Onur Nihat Demirer)、拉姆库玛卡鲁尔山姆加姆(Ramkumar Karur-Shanmugam)、胡乔治(George Hoo)、克里斯蒂安斯巴克(Christian Sparka)、许浩英(Hoyoung Heo)、斯图尔特舍温(Stuart Sherwin)、法蒂玛阿尼斯(Fatima Anis)、马克D.史密斯(Mark D.Smith)及威廉福瑞德皮尔森(William FredPierson)的序列号为62/314,854的美国临时申请案的权益，所述临时申请案以全文引用方式并入本文中。
技术领域
本发明大体来说涉及多区带计量，且更特定来说涉及自动多区带计量。
背景技术
必须在制作过程的各个步骤处将半导体晶片准确地定位于制作工具内以适当地产生印刷特征。因此，可在制作过程全程利用计量工具以监测晶片在制作工具内的对准及/或印刷层在晶片上的重叠。举例来说，计量工具可在暴露步骤之前测量晶片在光刻工具中的对准以确保待暴露图案与样本上的现有特征适当地对准。举另一实例，计量工具可测量晶片上的两个或多于两个印刷层的重叠以表征制作过程的精确性。
计量工具可通常在跨越晶片的多个位置处测量对准且使用数学模型来表征对准数据。对准数据可包含但不限于与样本在制作工具中的对准相关联的样本对准数据或与晶片的两个或多于两个印刷层的对准相关联的重叠数据。情形可为：晶片的不同区或区带可展现不同对准标志，使得与对整个晶片应用单个对准模型相比，利用单独模型来对每一区带建模可提供经提高准确性。然而，确定晶片上具有不同对准标志的多个区带可需要来自用户的输入且可对生产量产生负面影响。因此，将期望提供用于消除例如上文所识别的那些缺陷等缺陷的系统及方法。
发明内容
根据本发明的一或多个说明性实施例揭示一种半导体工具。在一个说明性实施例中，所述半导体工具包含用以产生照射光束的照射源。在另一说明性实施例中，所述半导体工具包含用以将所述照射光束的一部分引导到样本的一或多个照射光学元件。在另一说明性实施例中，所述半导体工具包含检测器。在另一说明性实施例中，所述半导体工具包含用以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器的一或多个收集光学元件。在另一说明性实施例中，所述半导体工具包含以通信方式耦合到所述检测器的控制器。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以基于由所述检测器响应于来自所述照射光束的照射而进行的对从所述样本发出的辐射的收集而在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以选择用于对准区带确定的分析区域，所述分析区域表示所述样本的至少一部分。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以将所述分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置使用第一对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第一对准区带的所述对准数据建模。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以使用不同于所述第一对准模型的第二对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第二对准区带的所述对准数据建模。
根据本发明的一或多个说明性实施例揭示一种半导体工具。在一个说明性实施例中，所述半导体工具包含经配置以产生照射光束的照射源。在另一说明性实施例中，所述半导体工具包含经配置以将所述照射光束的一部分引导到样本的一或多个照射光学元件。在另一说明性实施例中，所述半导体工具包含检测器。在另一说明性实施例中，所述半导体工具包含经配置以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器的一或多个收集光学元件。在另一说明性实施例中，所述半导体工具包含以通信方式耦合到所述检测器的控制器。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以基于由所述检测器响应于来自所述照射光束的照射而进行的对从所述样本发出的辐射的收集而在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以选择用于对准区带确定的分析区域，所述分析区域表示所述样本的至少一部分。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以定义扫掠参数，使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以选择所述扫掠参数的值作为区带边界以在规定容限内使应用于所述第一区的对准信号度量与应用于所述第二区的所述对准信号度量之间的差最小化，其中所述区带边界将所述分析区域划分成第一对准区带及第二对准区带。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以使用第一对准模型来对所述第一对准区带的所述对准数据建模。在另一说明性实施例中，所述控制器经配置以使用不同于所述第一对准模型的第二对准模型来对所述第二对准区带的所述对准数据建模。
根据本发明的一或多个说明性实施例揭示一种方法。在一个说明性实施例中，所述方法包含基于由半导体工具的检测器响应于来自照射光束的照射而收集的从样本发出的辐射而利用所述半导体工具在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据。在一个说明性实施例中，所述方法包含选择用于对准区带确定的分析区域，所述分析区域表示所述样本的至少一部分。在一个说明性实施例中，所述方法包含将所述分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带。在一个说明性实施例中，所述方法包含使用第一对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第一对准区带的所述对准数据建模。在一个说明性实施例中，所述方法包含使用不同于所述第一对准模型的第二对准模型来对所述两个或多于两个对准区带中的至少第二对准区带的所述对准数据建模。
应理解，前述大体描述及以下详细描述两者均是示范性及阐释性的且未必限制所请求的本发明。并入本说明书中并构成本说明书的一部分的所附图式图解说明本发明的实施例，并与所述大体描述一起用以阐释本发明的原理。
附图说明
所属领域的技术人员可通过参考附图更好地理解本发明的众多优点，在附图中：
图1A是图解说明根据本发明的一或多个实施例的计量系统的概念图。
图1B是图解说明根据本发明的一或多个实施例的计量系统的概念图，在所述计量系统中照射通路及收集通路包含单独元件。
图2是图解说明根据本发明的一或多个实施例在方法中执行的步骤的流程图，所述方法用于自动确定晶片的具有不同对准标志的区带。
图3A是图解说明根据本发明的一或多个实施例的分析区域的圆形样本的经简化图，所述分析区域被选择为由内半径及外半径定界的环形区。
图3B是图解说明根据本发明的一或多个实施例的分析区域的圆形样本的经简化图，所述分析区域被选择为所述样本的由成第一极角的第一径向分段及成第二极角的第二径向分段界定的区。
图4是图解说明根据本发明的一或多个实施例与选择分析区域相关联的子步骤的流程图。
图5是图解说明根据本发明的一或多个实施例与两个样本相关联的对准数据的曲线图。
图6是图解说明根据本发明的一或多个实施例的图5的第一样本及第二样本的归一化扫掠平均值的曲线图。
图7是图解说明根据本发明的一或多个实施例包含图5的第一样本的扫掠标准偏差的对准信号度量的曲线图。
具体实施方式
现在将详细参考在所附图式中所图解说明的所揭示标的物。已特定来说关于特定实施例及所述特定实施例的特定特征展示及描述了本发明。本文中所陈述的实施例被视为说明性的而非限制性的。所属领域的技术人员应易于明了，可在不背离本发明的精神及范围的情况下在形式及细节上做出各种改变及修改。
本发明的实施例是针对用于样本(例如，晶片)上具有不同对准标志(例如，平均对准值等等)的区带的自动检测的系统及方法。举例来说，计量工具可在跨越样本的多个位置处测量对准数据。对准数据可包含但不限于与样本在制作工具或生产工具中的对准相关联的样本对准数据或者与样本的两个或多于两个印刷层的对准相关联的重叠数据。此外，样本的不同区带可展现不同对准标志。本发明的实施例是针对自动确定样本的具有不同对准标志的两个或多于两个区带。本发明的额外实施例是针对对两个或多于两个区带内的对准单独建模。就此来说，与跨越整个样本应用单个对准模型相比，可减少跨越整个样本的对准残余。
如本发明通篇所使用，术语“样本”通常是指由半导体或非半导体材料(例如，晶片等等)形成的衬底。举例来说，半导体或非半导体材料可包含但不限于单晶硅、砷化镓及磷化铟。出于本发明的目的，术语样本及晶片应被解释为可互换的。
半导体装置可形成为多层印刷元件。举例来说，此些层可包含但不限于抗蚀剂、介电材料、导电材料及半导电材料。此项技术中已知许多不同类型的此些层，且如本文中所使用的术语样本打算囊括上面可形成所有类型的此些层的样本。形成于样本上的一或多个层可为经图案化的或未经图案化的。举例来说，样本可包含多个裸片，每一裸片均具有可重复的经图案化特征。此些材料层的形成及处理可最终产生经完成装置。许多不同类型的装置可形成于样本上，且如本文中所使用的术语样本打算囊括在上面制作此项技术中已知的任何类型的装置的样本。
样本上与过程层相关联的印刷特征可通过一系列加性过程步骤或减性过程步骤而制作，所述过程步骤例如但不限于一或多个材料沉积步骤、一或多个光刻步骤、一或多个蚀刻步骤或者一或多个剥离步骤。举例来说，用于印刷特征的光刻蚀刻(LE)过程可包含但不限于：将光敏材料的一层沉积到样本上(例如，抗蚀剂层)，将具有用以修改光敏材料的抗蚀性的图案掩模的图像的样本暴露于蚀刻剂，及蚀刻掉光敏层的经暴露部分或未经暴露部分以留下对应于图案掩模的图像的印刷特征。此外，光敏材料可充当硬掩模，使得蚀刻步骤可包含蚀刻穿过光敏材料且蚀刻到样本的在光敏材料下方的一或多个层中。任选地可通过后续过程步骤移除光敏材料。
必须在特定容限内制作每一过程层以适当地构造最终装置。通常期望给定过程层相对于样本上的现有特征准确地对准。因此，可利用计量工具以在制作过程的各个阶段处监测对准。
本发明的额外实施例是针对测量样本在生产工具(例如，光刻工具等等)内的对准。就此来说，计量工具可产生样本上的一或多个位置处的对准数据。对准数据可包含但不限于样本在生产工具内的一阶或高阶平移、旋转或者放大。举例来说，计量工具可产生与跨越样本分布的一或多个对准标记相关联的对准数据。对准标记可指示单向对准信息(例如，笛卡尔(Cartesian)坐标中的仅X或仅Y对准信息)或双向对准信息(例如，X信息及Y信息两者)。此外，计量工具可以但不需要相对于光罩上用于对准确定的标称位置或图案而确定对准标记的相对位置。本发明的其它实施例是针对以反馈方式及/或以前馈方式利用样本对准数据。举例来说，可利用样本对准数据以在规定容限内将样本即时地对准或定向于生产工具中。
本发明的额外实施例是针对测量样本上的两个或多于两个印刷层的重叠。就此来说，可分析一或多个生产过程的准确性。举例来说，计量工具可产生与一或多个重叠目标相关联的重叠数据。重叠目标可为此项技术中已知的任何类型的重叠目标，例如但不限于先进成像计量(AIM)目标、盒中盒目标或散射测量目标。本发明的其它实施例是针对以反馈方式及/或以前馈方式利用重叠数据。举例来说，可将重叠数据反馈到生产工具以补偿未来生产运行上的重叠误差。举另一实例，可将重叠数据提供到额外生产工具以在涉及样本的未来制作步骤中补偿所述样本的任何所测量重叠不准确性。
图1A是图解说明根据本发明的一或多个实施例的计量系统100的概念图。计量系统100可使用此项技术中已知的任何方法来测量对准。在一个实施例中，计量系统100包含用以基于样本的一或多个图像的产生而测量对准数据的基于图像的计量工具。在另一实施例中，计量系统100包含用以基于来自样本的光的散射(反射、衍射、漫散射等等)而测量计量数据的基于散射测量的计量工具。
在一个实施例中，计量系统100包含用以产生计量照射光束104的计量照射源102。计量照射光束104可包含光的一或多个选定波长，所述选定波长包含但不限于紫外线(UV)辐射、可见光辐射或红外线(IR)辐射。
在另一实施例中，计量照射源102经由照射通路108将计量照射光束104引导到样本106。照射通路108可包含适合于修改及/或调节计量照射光束104的一或多个透镜110或额外光学组件112。举例来说，一或多个光学组件112可包含但不限于一或多个偏光器、一或多个滤光器、一或多个分束器、一或多个漫射器、一或多个均质器、一或多个变迹器或者一或多个光束整形器。在另一实施例中，计量系统100包含用以将计量照射光束104聚焦到样本106上的物镜114。
在另一实施例中，样本106安置于样本载台116上。样本载台116可包含适合于将样本106定位于计量系统100内的任何装置。举例来说，样本载台116可包含线性平移载台、旋转载台、翻转/倾斜载台等等的任何组合。
在另一实施例中，计量系统100包含经配置以通过收集通路120捕获从样本106发出的辐射的检测器118。举例来说，检测器118可接收由收集通路120中的元件(例如，物镜114、多个透镜122等等)提供的样本106的图像。举另一实例，检测器118可接收从样本106反射或散射(例如，经由镜面反射、扩散反射等等)的辐射。举另一实例，检测器118可接收由样本106产生的辐射(例如，与计量照射光束104的吸收相关联的发光等等)。举另一实例，检测器118可从样本106接收一或多个衍射级辐射(例如0级衍射、±1级衍射、±2级衍射等等)。
检测器118可包含此项技术中已知的适合于测量从样本106接收的照射的任何类型的光学检测器。举例来说，检测器118可包含但不限于CCD检测器、TDI检测器、光电倍增管(PMT)、雪崩光电二极管(APD)等等。在另一实施例中，检测器118可包含适合于识别从样本106发出的辐射的波长的光谱检测器。
收集通路120可进一步包含用以引导及/或修改由物镜114收集的照射的任何数目个光学元件，所述光学元件包含但不限于一或多个透镜122、一或多个滤光器、一或多个偏光器或者一或多个光束阻挡器。
在一个实施例中，如图1A中所图解说明，计量系统100包含分束器124，分束器124经定向使得物镜114可同时将计量照射光束104引导到样本106且收集从样本106发出的辐射。就此来说，计量系统100可以外延(epi)模式来配置。
在另一实施例中，计量系统100包含控制器126。在另一实施例中，控制器126包含经配置以执行保存在存储器媒体130上的程序指令的一或多个处理器128。就此来说，控制器126的一或多个处理器128可执行本发明通篇所描述的各种过程步骤中的任一者。此外，控制器126可经配置以接收数据，所接收数据包含但不限于计量数据(例如，对准测量结果、目标的图像、光瞳图像等等)或计量度量(例如，精确性、工具引发的移位、敏感性、衍射效率等等)。
控制器126的一或多个处理器128可包含此项技术中已知的任何处理元件。在此意义上，一或多个处理器128可包含经配置以执行算法及/或指令的任何微处理器类型的装置。在一个实施例，一或多个处理器128可由以下各项组成：桌上型计算机、主机计算机系统、工作站、图像计算机、并行处理器或经配置以执行经配置以操作如本发明通篇所描述的计量系统100的程序的任何其它计算机系统(例如，联网计算机)。应进一步认识到，术语“处理器”可被广泛定义为囊括具有执行来自非暂时性存储器媒体130的程序指令的一或多个处理元件的任何装置。此外，本发明通篇所描述的步骤可由单个控制器126或替代地由多个控制器来实施。另外，控制器126可包含装纳于共同壳体中或装纳于多个壳体内的一或多个控制器。以此方式，可将任何控制器或控制器组合单独封装为适合于集成到计量系统100中的模块。此外，控制器126可分析从检测器118接收的数据并将数据馈送到计量系统100内或计量系统100外部的额外组件。
存储器媒体130可包含此项技术中已知的适用于存储可由相关联一或多个处理器128执行的程序指令的任何存储媒体。举例来说，存储器媒体130可包含非暂时性存储器媒体。举另一实例，存储器媒体130可包含但不限于只读存储器、随机存取存储器、磁性或光学存储器装置(例如，磁盘)、磁带、固态驱动器等等。应进一步注意，存储器媒体130可与一或多个处理器128一起装纳于共同控制器壳体中。在一个实施例中，存储器媒体130可相对于一或多个处理器128及控制器126的物理位置而远程地定位。例如，控制器126的一或多个处理器128可存取可通过网络(例如，因特网、内联网等等)存取的远程存储器(例如，服务器)。因此，不应将以上描述解释为对本发明的限制而是仅是图解说明。
图1B是图解说明根据本发明的一或多个实施例的计量系统100的概念图，在计量系统100中照射通路108及收集通路120包含单独元件。举例来说，照射通路108可利用第一聚焦元件132以将计量照射光束104聚焦到样本106上，且收集通路120可利用第二聚焦元件134以收集来自样本106的辐射。就此来说，第一聚焦元件132及第二聚焦元件134的数值孔径可为不同的。此外，注意，在本文中图1B中所描绘的计量系统100可促进对样本106的多角度照射，及/或多于一个计量照射源102(例如，耦合到一或多个额外检测器118)。就此来说，图1B中所描绘的计量系统100可执行多个计量测量。在另一实施例中，一或多个光学组件可安装到围绕样本106枢转的可旋转臂(未展示)，使得计量照射光束104在样本106上的入射角度可由可旋转臂的位置控制。
在另一实施例中，计量系统100可包含多个检测器118(例如，与由一或多个分束器产生的多个光束路径相关联)以促进由计量系统100进行的多个计量测量(例如，多个计量工具)。
在另一实施例中，计量照射光束104在样本106上的入射角度是可调整的。举例来说，计量照射光束104到分束器124及物镜114的路径可经调整以控制计量照射光束104在样本106上的入射角度。就此来说，计量照射光束104可具有到分束器124及物镜114的标称路径，使得计量照射光束104在样本106上具有法向入射角度。此外，计量照射光束104在样本106上的入射角度可通过修改计量照射光束104在分束器124上的位置及/或角度(例如，通过可旋转镜、空间光调制器、自由形式照射源等等)来控制。在另一实施例中，计量照射源102将一或多个计量照射光束104以一角度(例如掠射角、45°角等等)引导到样本106。
在另一实施例中，控制器126以通信方式耦合到计量照射源102及/或照射通路108的元件以引导计量照射光束104与样本106之间的入射角度的调整。在另一实施例中，控制器126引导计量照射源102以提供照射的一或多个选定波长(例如，响应于反馈)。在一般意义上来说，控制器126可与计量系统100内的任何元件以通信方式耦合。
图2是图解说明根据本发明的一或多个实施例在方法200中执行的步骤的流程图，方法200用于自动确定晶片的具有不同对准标志的区带。申请人注意到，本文中先前在计量系统100的上下文中所描述的实施例及实现技术应解释为扩展到方法200。然而，进一步注意，方法200并不限于计量系统100的架构。
在一个实施例中，方法200包含在跨越样本的多个位置处测量对准以产生对准数据的步骤202。对准数据可为此项技术中已知的任何类型的对准数据，例如但不限于样本对准数据或重叠数据。此外，对准数据可包含原始数据或残余数据。举例来说，对准数据可包含跨越样本分布的对准目标的计量测量以提供样本在生产工具内的位置及/或定向的指示。举另一实例，对准数据可包含跨越样本分布的重叠目标的计量测量以提供样本上的两个或多于两个印刷层的相对位置及/或定向。
在步骤202中，可在跨越样本的任何分布位置处测量对准。举例来说，步骤202可包含在跨越样本的随机分布位置处测量对准。举另一实例，步骤202可包含在跨越样本的周期性分布或有序布位置处测量对准。
举又一实例，步骤202可包含在根据所预期的对准数据的可变性而分布的位置处测量对准。情形可为：可预期基于在样本的一个区中执行的对准测量的对准数据展现出不同于基于在样本的额外区中执行的对准测量的对准数据的统计特性(例如平均值、中位值、标准偏差、方差等等)。举例来说，可预期基于接近样本的边缘执行的对准测量的对准数据展现出不同于基于在样本的中心区中执行的对准测量的对准数据的统计特性。对对准数据的可变性的此些预期可基于任何指标，例如但不限于相同或类似样本的先前测量或者一或多个生产工具的性能特性。
在步骤202中，对准测量可以但不需要使用计量系统100来实施。举例来说，再次参考图1A及1B，可通过以下步骤实施对准测量：利用计量照射光束104来照射样本106的至少一部分且利用一或多个检测器118来收集从样本106反射、衍射或散射的辐射。从样本106发出的辐射可首先利用物镜114收集且通过收集通路120被引导到检测器118。可由控制器126产生与对准测量相关联的对准数据且基于由检测器118产生的指示从样本106发出的辐射的数据而任选地将所述数据存储于存储器媒体130中。此外，可在成像配置或非成像配置中将从样本106发出的辐射引导到检测器118。举例来说，在成像配置中，检测器118可位于计量系统100的成像平面中，使得可由检测器118捕获样本106的至少一部分的图像。在另一例子中，在非成像配置中，检测器118可放置于光瞳平面(例如，衍射平面)中，使得可由检测器118捕获来自样本的辐射的角分布。
在另一实施例中，方法200包含选择(例如，利用控制器126)用于对准区带确定的表示待分析样本的至少一部分的分析区域的步骤204。就此来说，可对分析区域进行分析以确定所述分析区域内的对准数据是否展现多个对准标志。此外，可分析与样本的若干部分相关联的多个重叠或非重叠分析区域。
在步骤204中，分析区域可以但不需要经选择以基于特定区内的对准测量的数目而进行对准区带确定。可期望分析区域含有充足数目个对准测量，使得所述分析区域内的对准数据的统计在规定容限内具统计显著性。规定容限可包含此项技术中已知的统计显著性的任何测量。
分析区域可经选择以具有任何形状且覆盖待分析样本的任何部分。图3A是图解说明根据本发明的一或多个实施例的分析区域302的圆形样本106的经简化图，所述分析区域被选择为由内半径304及外半径306定界的环形区。图3B是图解说明根据本发明的一或多个实施例的分析区域302的圆形样本106的经简化图，所述分析区域被选择为样本106的由成第一极角的第一径向分段308及成第二极角的第二径向分段310界定的区。在一般意义上来说，分析区域302可表示样本106的任何任意区。在一个例子中，分析区域302可包含整个样本106。
在步骤204中，分析区域可以但不需要经选择以基于规定条件而进行对准区带确定。图4是图解说明根据本发明的一或多个实施例与选择分析区域的步骤204相关联的子步骤的流程图。在一个实施例中，步骤204包含选择表示样本的至少一部分的候选分析区域(例如，图3A或3B中所图解说明的分析区域302)的步骤402。
在另一实施例中，步骤204包含定义扫掠参数，使得由分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将分析区域划分成第一区及第二区的步骤404。举例来说，参考图3A，扫掠参数312可包含由内半径304及外半径306定界的扫掠半径。就此来说，扫掠参数312将分析区域302划分成第一区314及第二区316。举另一实例，参考图3B，扫掠参数312可包含由第一径向分段308及第二径向分段310定界的极角。就此来说，扫掠参数312将分析区域302划分成第一区314及第二区316。
在另一实施例中，步骤204包含针对由分析区域定界的扫掠参数(例如，图3A或3B中图解说明的扫掠参数312)的多个值评估是否满足规定触发条件的步骤406。在另一实施例中，步骤204包含如果针对扫掠参数312的至少一个值满足规定触发条件，那么将候选分析区域定义为分析区域(例如，用于对准区带确定的分析区域)的步骤408。
步骤406及步骤408的触发条件可包含此项技术中已知的任何类型的触发条件。在一个实施例中，规定触发条件包含以下条件：第一区314内的对准数据的平均值与第二区316内的对准数据的平均值之间的绝对值差大于规定百分比，所述绝对值差经归一化为候选分析区域内的对准数据的平均值(例如，归一化扫掠平均值)。规定百分比可具有任何值。举例来说，规定百分比可以但不需要是5％、15％、50％或90％中的任一者。举另一实例，规定百分比可在例如但不限于10％到20％的值范围内。
图5是图解说明根据本发明的一或多个实施例与两个样本相关联的对准数据的曲线图500。举例来说，图5可提供随第一样本(参见曲线502)及第二样本(参见曲线504)的径向位置而变化的平均对准数据。就此来说，图5中的数据点可表示样本上具有共同径向位置的所有所测量位置的对准数据的平均值。
图6是图解说明根据本发明的一或多个实施例的图5的第一样本及第二样本的归一化扫掠平均值的曲线图600。就此来说，图6的曲线图602对应于图5的曲线图502的数据。类似地，图6的曲线图604对应于图5的曲线图504的数据。在一个实施例中，图5及6的候选分析区域包含具有大于75的半径值的样本的部分。举例来说，情形可为，以低于75的半径值进行了不充足数目的对准测量(例如，由计量系统100)以在规定容限内提供统计显著数据。此外，图5及6的扫掠参数可包含径向位置(例如，如图3A中所图解说明)。就此来说，图6中的数据点可表示第一区(例如，第一区314)内的对准数据的平均值与第二区(例如，第二区316)内的对准数据的平均值之间的绝对值差，所述绝对值差经归一化为候选分析区域(例如，候选分析区域302)内的对准数据的平均值、随半径(例如，扫掠参数312)而变化。
如图6中所图解说明，在120的半径处与第一样本相关联的归一化扫掠平均值(例如，曲线602)高于规定阈值606。此外，在此特定实施例中，但不需要针对所有实施例，归一化扫掠平均值对于低于120的半径值来说低于阈值606且对于高于120的半径值来说高于阈值606。因此，与第一样本相关联(例如，与图5的曲线502及图6的曲线602相关联)的候选分析区域可被选择为用于步骤204中的对准区带检测的分析区域。相比来说，对于候选分析区域中的任何半径来说，与第二样本相关联的归一化扫掠平均值(例如，曲线604)不高于规定阈值606。因此，与第二样本相关联(例如，与图5的曲线504及图6的曲线604相关联)的候选分析区域不可被选择为用于步骤204中的对准区带检测的分析区域。
在另一实施例中，规定触发条件包含以下条件：其中第一区314内的对准数据的中位值与第二区316内的对准数据的中位值之间的绝对值差大于候选分析区域(例如，分析区域302)内的对准数据的平均值的规定百分比。在一般意义上来说，任何条件可用作触发条件来确定候选分析区域是否将被定义为用于对准区带确定的分析区域。
在另一实施例中，方法200包含将分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带的步骤206。在步骤206中，可根据任何对准信号度量将分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带。举例来说，步骤206可包含定义扫掠参数，使得由分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将分析区域划分成第一区及第二区。步骤206的扫掠参数可包含但不需要包含步骤204中所利用的相同扫掠参数(例如，半径、径向分段的极角等等)。另外，步骤206可包含选择扫掠参数的值作为区带边界以在规定容限内使应用于第一区的对准信号度量与应用于第二区的对准信号度量之间的差最小化。就此来说，所述区带边界与分析区域的边界相结合而可定义第一对准区带及第二对准区带。
举例来说，对准信号度量可包含对准数据的值的测量(例如，平均值、中位值等等)。就此来说，继续上文图5及6中所图解说明的实例，可将区带边界定义在75及155的半径值处。因此，可将第一样本(例如，与曲线502及曲线602相关联)划分成：第一对准标志区带，其由75与130之间的半径值界定；第二对准标志区带，其由130与155之间的半径值界定；及第三对准标志区带，其由大于155的半径值界定。因此，可根据规定容限内的平均对准将每一对准标志区带内的对准数据分组(参见图5)。
举另一实例，对准信号度量可包含对准数据的变化的测量(例如，标准偏差、方差等等)。就此来说，可界定两个或多于两个对准标志区带，使得可在规定容限内使与对准标志区带中的每一者内的对准测量相关联的对准数据的变化最小化。
图7是图解说明根据本发明的一或多个实施例包含图5的第一样本的扫掠标准偏差(例如，曲线702与曲线502及曲线602相关联)的对准信号度量的曲线图700。举例来说，扫掠参数可包含半径值(例如，如步骤204中所利用的扫掠参数312)。就此来说，图7的每一数据点可表示第一区(例如，第一区314)内的对准数据的标准偏差与第二区(例如，第二区316)内的对准数据的标准偏差之间的差。在一个实施例中，步骤206包含选择区带边界以作为使扫掠标准偏差最小化的半径值(例如，扫掠参数)。举例来说，如图7中所指示，132的半径值(例如，通过线704所图解说明)可被选择为使扫掠标准偏差最小化的区带边界。
在另一实施例中，可利用此项技术中已知的任何数据处理技术来促进对准数据及/或表示对准信号度量的数据的分析。数据处理技术可包含但不限于数据平滑、数据内插、数据过滤、非连续性分析或导数分析(例如，二阶导数分析等等)。就此来说，数据处理技术可减少噪声假影及/或提高方法200的稳健性。举例来说，数据处理技术可用于对准数据(例如，如图5中所图解说明)或可用于基于对准数据的计算(例如，图6中所图解说明)以促进在步骤204中选择分析区域。举另一实例，数据处理技术可用于对准信号度量(例如，图7中所图解说明)以促进在步骤206中将分析区域划分成具有不同对准标志的两个或多于两个对准区带。
在另一实施例中，方法200包含使用第一对准模型来对两个或多于两个对准区带中的至少第一对准区带的对准数据建模的步骤208。在另一实施例中，方法200包含使用不同于第一对准模型的第二对准模型来对两个或多于两个对准区带中的至少第二对准区带的对准数据建模的步骤210。
应认识到，在本文中可将样本划分成多个场。举例来说，可基于样本(例如，芯片)上的所制作特征的群组将样本划分成若干场。举另一实例，可将样本划分成对应于一或多个生产工具(例如，光刻工具、计量工具等等)的视场的若干场。举例来说，光刻步进器工具可依序暴露样本上的一系列场，其中每一场的大小对应于光刻步进器工具的视场。因此，可针对样本的每一场测量并潜在地校正对准(例如，样本对准、重叠对准等等)。此外，样本的每一场可具有可测量对准的多个位置。
可在方法200的步骤208或步骤210中利用此项技术中已知的任何对准模型及分解法。举例来说，可通过合成场模型对对准区带建模，其中将来自所述对准区带内的所有场的所有对准数据汇总在一起且可针对所述对准区带内的所有场产生共同对准校正(例如，所期望对准与所测量对准之间的差)。举另一实例，可通过逐场模型对对准区带建模，其中可针对所述对准区带内的每一场产生单独对准校正。举另一实例，可通过逐裸片模型对对准区带建模，其中可针对所述对准区带内的若干场中的每一裸片产生单独对准校正。举又一实例，可通过外插逐场模型对对准区带建模，其中可针对所述对准区带内的每一场产生单独对准校正，但针对给定场的对准校正可至少部分地基于来自邻近场或附近场的对准数据。另外，对准模型可基于任何坐标分解法，例如基于多项式模型(例如，X-Y分解法)或径向/切向模型(例如，极分解法)。
在一般意义上来说，通过单独模型对步骤206中所确定的两个或多于两个对准区带建模(例如，步骤208及步骤210)可促进比利用单个模型对整个样本建模更准确的跨越整个样本的对准确定。举例来说，与利用单个模型对整个样本建模相比，可减少跨越样本的对准残余。
在另一实施例中，对准信号度量包含基于对准模型的直接应用而在规定容限内使对准残余值最小化。举例来说，步骤206可包含定义扫掠参数，使得由分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将分析区域划分成第一区及第二区。步骤206的扫掠参数可包含但不需要包含步骤204中所利用的相同扫掠参数(例如，半径、径向分段的位置等等)。另外，步骤206可包含针对由分析区域定界的扫掠参数的多个值，将第一对准模型应用于第一区内的对准数据且将第二对准模型应用于第二区内的对准数据。此外，步骤206可包含选择扫掠参数的值作为区带边界以在规定容限内使与第一对准模型及第二对准模型相关联的残余值最小化。
再次参考图1A及1B，本发明的实施例可并入此项技术中已知的任何类型的计量系统，所述计量系统包含但不限于具有一或多个照射角度的光谱椭圆偏光计、用于测量穆勒(Mueller)矩阵元素(例如，使用旋转补偿器)的光谱椭圆偏光计、单波长椭圆偏光计、角分辨椭圆偏光计(例如，光束轮廓椭圆偏光计)、光谱反射计、单波长反射计、角分辨反射计(例如，光束轮廓反射计)、成像系统、光瞳成像系统、光谱成像系统或散射计。此外，计量系统可包含单个计量工具或多个计量工具。第7,478,019号美国专利中大体描述了并入多个计量工具的计量系统。第6,429,943号美国专利大体描述了同时具有多个入射角度照射的高数值孔径工具的使用，所述专利以其全文引用方式并入本文中。李(Lee)等人的“以高NA光学光刻量化极偶极照射的成像性能边界Quantifying imaging performance bounds ofextreme dipole illumination in high NA optical lithography”(SPIE学报(Proc.ofSPIE)，第9985卷，99850X-1(2016))中大体描述了以高NA光学光刻量化成像性能，所述文件以全文引用方式并入本文中。
应进一步认识到，在本文中计量工具可测量样本上的一或多个目标的特性，例如但不限于对准位置或重叠。所述目标可包含具有周期性性质的特定关注区，例如存储器裸片中的光栅。计量目标可进一步拥有各种空间特性且通常由一或多个单元构造，所述一或多个单元可包含一或多个层中的特征，所述一或多个层可在一或多次光刻性相异暴露中被印刷。所述目标或单元可拥有各种对称，例如双重旋转对称或四重旋转对称、反射对称。第6,985,618号美国专利中描述了此些计量结构的实例，所述专利以全文引用方式包含于本文中。不同单元或单元组合可属于相异层或暴露步骤。个别单元可包括隔离式非周期性特征，或替代地其可由一维、二维或三维周期性结构或者非周期性结构与周期性结构的组合构造。周期性结构可为非分段式的，或其可由经精细分段的特征构造，所述经精细分段的特征可处于或接近用于印刷所述特征的光刻过程的最小设计规则。2016年3月22日颁布的第9,291,554号美国专利中大体描述了表征非周期性目标的计量工具的使用，所述专利以全文引用方式并入本文中。
计量目标与计量结构的同一层中或上、下层中或层之间的虚设结构(dummification structure)可为并置的或者紧密接近的。目标可包含多个层(例如膜)，所述层的厚度可由计量工具来测量。
目标可包含放置于半导体晶片上以供使用(例如，利用对准、重叠配准操作等等)的目标设计。此外，目标可位于半导体晶片上的多个位点处。举例来说，目标可位于刻划线(例如，裸片之间)内及/或位于裸片自身中。可由如第7,478,019号美国专利中所描述的相同计量工具或多个计量工具同时地或连续地测量多个目标，所述专利以全文引用方式并入本文中。
另外，对关注参数的测量可涉及若干个算法。举例来说，可以但不限于使用电磁(EM)解算器来对计量照射光束104与样本106上的计量目标的光学相互作用建模。此外，EM解算器可利用此项技术中已知的任何方法，所述方法包含但不限于精密耦合波分析(RCWA)、有限元素方法分析、动差分析方法、表面积分技术、体积分技术或有限差分时域分析。另外，可使用数据拟合及优化技术分析所收集数据，所述技术包含但不限于库、快速降阶模型、回归、例如神经网络等机器学习算法、支持向量机器(SVM)、降维算法(例如，主分量分析(PCA)、独立分量分析(ICA)、局部线性嵌入(LLE)等等)、分散数据表示(例如，傅立叶(Fourier)或小波变换、卡尔曼(Kalman)滤光器、促进相同或不同工具类型的匹配的算法等等)。举例来说，数据收集及/或拟合可以但不需要由KLA-TENCOR提供的信号响应计量(SRM)软件产品执行。
在另一实施例中，由计量工具产生的原始数据是由不包含建模、优化及/或拟合(例如，相位表征等等)的算法分析。2015年7月23日公开的第2015/0204664号美国专利公开案中大体描述了散射测量重叠计量中对称目标设计的使用，所述公开案以全文引用方式并入本文中。注意，在本文中由控制器执行的计算算法可以但不需要通过使用并行化、分散式计算、负载平衡、多重服务支持、计算硬件的设计及实施或动态负载优化来修整以用于计量应用。此外，算法的各种实施方案可以但不需要由控制器(例如，通过硬件、软件或场可编程门阵列(FPGA)等等)或者与计量工具相关联的一或多个可编程光学元件来执行。2014年6月19日公开的第2014/0172394号美国专利公开案中大体描述了过程建模的使用，所述公开案以全文引用方式并入本文中。
本文中所描述的标的物有时图解说明含于其它组件内或与其它组件连接的不同组件。应理解，此些所描绘架构仅是示范性的，且事实上可实施实现相同功能性的许多其它架构。在概念意义上，实现相同功能性的任一组件布置是有效地“相关联”使得实现所期望的功能性。因此，可将本文中经组合以实现特定功能性的任何两个组件视为彼此“相关联”使得实现所期望的功能性，而无论架构或中间组件如何。同样地，也可将如此相关联的任何两个组件视为彼此“连接”或“耦合”以实现所期望功能性，且也可将能够如此相关联的任何两个组件视为彼此“可耦合”以实现所期望功能性。可耦合的特定实例包含但不限于可物理上交互及/或物理上交互的组件及/或可以无线方式交互及/或以无线方式交互的组件及/或可逻辑上交互及/或逻辑上交互的组件。
据信，通过前述描述将理解本发明及其许多伴随优点，且将明了，可在不背离所揭示标的物或不牺牲所有其实质优点的情况下在组件的形式、构造及布置方面作出各种改变。所描述形式仅是阐释性的，且所附权利要求书打算囊括并包含此些改变。此外，应理解，本发明是由所附权利要求书界定。

Claims (34)

1.一种半导体工具，其包括：
照射源，其经配置以产生照射光束；
一或多个照射光学元件，其经配置以将所述照射光束的一部分引导到样本；
检测器；
一或多个收集光学元件，其经配置以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器；及
控制器，其以通信方式耦合到所述检测器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令经配置以致使所述一或多个处理器：
基于由所述检测器响应于来自所述照射光束的照射而进行的对从所述样本发出的辐射的收集而在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据；
选择用于对准区带确定的分析区域，所述分析区域包括跨越所述样本的所述多个位置中的至少一些；
通过在提供选定触发条件的选定容限内最小化与两个或更多个对准区带内的不同位置相关联的所述对准数据的部分的区间变化来确定将所述分析区域划分成具有不同对准标志的所述两个或更多个对准区带的一或多个区带边界；
当满足规定触发条件时，使用两个或更多个对准模型对与所述两个或更多个对准区带相关联的所述对准数据的所述部分进行建模；及
提供重叠数据以校正所述样本或一个或多个附加样本中的至少一个中的重叠误差，其中所述重叠数据基于当满足所述规定触发条件时施加到所述两个或更多个对准区带的所述两个或更多个对准模型。
2.根据权利要求1所述的半导体工具，其中选择用于对准区带确定的所述分析区域包括：
选择候选分析区域，所述候选分析区域包括跨越所述样本的所述多个位置中的至少一些；
定义扫掠参数，使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区；
针对由所述分析区域定界的所述扫掠参数的多个值评估是否满足所述规定触发条件；及
如果针对所述扫掠参数的至少一个值满足所述规定触发条件，那么将所述候选分析区域定义为所述分析区域。
3.根据权利要求2所述的半导体工具，其中所述规定触发条件包括：
与所述第一区相关联的所述对准数据的一部分的平均值和与所述第二区相关联的所述对准数据的一部分的平均值之间的绝对值差大于与所述候选分析区域相关联的所述对准数据的一部分的平均值的规定百分比。
4.根据权利要求3所述的半导体工具，其中所述规定百分比在10％到20％的范围内。
5.根据权利要求3所述的半导体工具，其中所述规定百分比是大约15％。
6.根据权利要求1所述的半导体工具，其中选择用于对准区带确定的所述分析区域包括：
包含所述样本的具有统计显著对准数据的区。
7.根据权利要求1所述的半导体工具，其中确定将所述分析区域划分成所述两个或更多个对准区带的所述一或多个区带边界包括：
定义扫掠参数，使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区；及
选择所述扫掠参数的值作为区带边界以在规定容限内使应用于所述第一区的对准信号度量与应用于所述第二区的所述对准信号度量之间的差最小化，其中所述区带边界将所述分析区域划分成第一对准区带及第二对准区带。
8.根据权利要求7所述的半导体工具，其中选择所述扫掠参数的所述值作为所述区带边界包括：
选择所述扫掠参数的所述值作为所述区带边界以在所述规定容限内使与所述第一区相关联的所述对准数据的所述部分的标准偏差和与所述第二区相关联的所述对准数据的所述部分的标准偏差之间的差最小化。
9.根据权利要求1所述的半导体工具，其中确定将所述分析区域划分成所述两个或更多个对准区带的所述一或多个区带边界包括：
定义扫掠参数，使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区；
针对由所述分析区域定界的所述扫掠参数的多个值而将第一对准模型应用于与所述第一区相关联的所述对准数据的一部分且将第二对准模型应用于与所述第二区相关联的所述对准数据的一部分；及
选择所述扫掠参数的所述值作为区带边界以在规定容限内使与所述第一对准模型及所述第二对准模型相关联的残余值最小化。
10.根据权利要求1所述的半导体工具，其中所述对准数据包括：
以下各项中的至少一者：与在制作半导体层之前对光刻系统的对准测量相关联的对准数据，或者与两个或多于两个所制作半导体层的对准相关联的重叠数据。
11.根据权利要求1所述的半导体工具，其中所述对准数据包括：
原始数据或残余数据中的至少一者。
12.根据权利要求2所述的半导体工具，其中扫掠参数包括：
所述样本上的径向位置。
13.根据权利要求2所述的半导体工具，其中扫掠参数包括：
所述样本上的极角。
14.根据权利要求1所述的半导体工具，其中所述一或多个处理器进一步经配置以执行经配置以致使所述一或多个处理器对所述对准数据应用数据处理操作的程序指令。
15.根据权利要求14所述的半导体工具，其中所述数据处理操作包括：
数据平滑操作、数据内插操作、数据过滤操作、非连续性分析或导数分析中的至少一者。
16.根据权利要求1所述的半导体工具，其中确定将所述分析区域划分成所述两个或更多个对准区带的所述一或多个区带边界包括：
定义扫掠参数，使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区；
针对由所述分析区域定界的所述扫掠参数的多个值评估是否满足规定触发条件；及
如果针对所述扫掠参数的至少一个值满足所述规定触发条件，那么将所述一或多个区带边界的一个区带边界确定为所述扫掠参数。
17.根据权利要求16所述的半导体工具，其中所述规定触发条件包括：
与所述第一区相关联的所述对准数据的一部分的平均值和与所述第二区相关联的所述对准数据的一部分的平均值之间的绝对值差大于与候选分析区域相关联的所述对准数据的一部分的平均值的规定百分比。
18.根据权利要求17所述的半导体工具，其中所述规定百分比在10％到20％的范围内。
19.根据权利要求16所述的半导体工具，其中选择用于对准区带确定的所述分析区域包括：
包含所述样本的具有统计显著对准数据的区。
20.根据权利要求16所述的半导体工具，其中所述对准数据包括：
以下各项中的至少一者：与在制作半导体层之前对光刻系统的对准测量相关联的对准数据，或者与两个或多于两个所制作半导体层的对准相关联的重叠数据。
21.根据权利要求16所述的半导体工具，其中所述对准数据包括：
原始数据或残余数据中的至少一者。
22.根据权利要求16所述的半导体工具，其中所述扫掠参数包括：
所述样本上的径向位置。
23.根据权利要求16所述的半导体工具，其中所述扫掠参数包括：
所述样本上的极角。
24.根据权利要求16所述的半导体工具，其中所述一或多个处理器进一步经配置以执行经配置以致使所述一或多个处理器对所述对准数据应用数据处理操作的程序指令。
25.根据权利要求24所述的半导体工具，其中所述数据处理操作包括：
数据平滑操作、数据内插操作、数据过滤操作、非连续性分析或导数分析中的至少一者。
26.一种半导体工具，其包括：
照射源，其经配置以产生照射光束；
一或多个照射光学元件，其经配置以将所述照射光束的一部分引导到样本；
检测器；
一或多个收集光学元件，其经配置以将从所述样本发出的辐射引导到所述检测器；及
控制器，其以通信方式耦合到所述检测器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令经配置以致使所述一或多个处理器：
基于由所述检测器响应于来自所述照射光束的照射而进行的对从所述样本发出的辐射的收集而在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据；
选择用于对准区带确定的分析区域，所述分析区域表示所述样本的至少一部分；
定义扫掠参数，使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区；
选择所述扫掠参数的值作为区带边界以在规定容限内使应用于与所述第一区相关联的所述对准数据的部分的对准信号度量与应用于与所述第二区相关联的对准数据的部分的对准信号度量之间的差最小化，其中所述区带边界将所述分析区域划分成第一对准区带及第二对准区带；
使用第一对准模型来对所述第一对准区带的所述对准数据建模；
使用不同于所述第一对准模型的至少第二对准模型来对所述第二对准区带的所述对准数据建模；以及
提供重叠数据以校正所述样本或一个或多个附加样本中的至少一个中的重叠误差，其中所述重叠数据基于用于所述第一对准区带中的位置的所述第一对准模型并且基于用于所述至少第二对准区带中的位置的所述至少第二对准模型。
27.根据权利要求26所述的半导体工具，其中选择用于对准区带确定的所述分析区域包括：
选择候选分析区域，所述候选分析区域包括跨越所述样本的所述多个位置中的至少一些；
针对由所述分析区域定界的所述扫掠参数的多个值评估是否满足规定触发条件；及
如果针对所述扫掠参数的至少一个值满足所述规定触发条件，那么将所述候选分析区域定义为所述分析区域。
28.根据权利要求26所述的半导体工具，其中选择所述扫掠参数的所述值作为所述区带边界包括：
选择所述扫掠参数的所述值作为所述区带边界以在所述规定容限内使与所述第一区相关联的所述对准数据的所述部分的标准偏差和与所述第二区相关联的所述对准数据的所述部分的标准偏差之间的差最小化。
29.一种用于自动多区带检测及建模的方法，其包括：
基于由半导体工具的检测器响应于来自照射光束的照射而收集的从样本发出的辐射而利用所述半导体工具在跨越所述样本的多个位置处测量对准以产生对准数据；
选择用于对准区带确定的分析区域，所述分析区域表示所述样本的至少一部分；
通过在提供选定触发条件的选定容限内最小化与两个或更多个对准区带内的不同位置相关联的所述对准数据的部分的区间变化来确定将所述分析区域划分成具有不同对准标志的两个或更多个对准区带的一或多个区带边界；
当满足规定触发条件时，使用第一对准模型来对所述两个或更多个对准区带中的至少第一对准区带的所述对准数据建模；
当满足所述规定触发条件时，使用不同于所述第一对准模型的至少第二对准模型来对所述两个或更多个对准区带中的至少第二对准区带的所述对准数据建模；以及
提供重叠数据以校正所述样本或一个或多个附加样本中的至少一个中的重叠误差，其中当满足所述规定触发条件时，所述重叠数据基于用于所述第一对准区带中的位置的所述第一对准模型并且基于用于所述至少第二对准区带中的位置的所述至少第二对准模型。
30.根据权利要求29所述的方法，其中选择用于对准区带确定的所述分析区域包括：
选择候选分析区域，所述候选分析区域包括跨越所述样本的所述多个位置中的至少一些；
定义扫掠参数，使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区；
针对由所述分析区域定界的所述扫掠参数的多个值评估是否满足规定触发条件；及
如果针对所述扫掠参数的至少一个值满足所述规定触发条件，那么将所述候选分析区域定义为所述分析区域。
31.根据权利要求29所述的方法，其中选择用于对准区带确定的所述分析区域包括：
包含所述样本的具有统计显著对准数据的区。
32.根据权利要求29所述的方法，其中确定将所述分析区域划分成所述两个或更多个对准区带的所述一或多个区带边界包括：
定义扫掠参数，使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区；及
选择所述扫掠参数的值作为区带边界以在规定容限内使应用于所述第一区的对准信号度量与应用于所述第二区的所述对准信号度量之间的差最小化，其中所述区带边界将所述分析区域划分成所述第一对准区带及所述第二对准区带。
33.根据权利要求32所述的方法，其中选择所述扫掠参数的所述值作为所述区带边界包括：
选择所述扫掠参数的所述值作为所述区带边界以在所述规定容限内使与所述第一区相关联的所述对准数据的所述部分的标准偏差和与所述第二区相关联的所述对准数据的所述部分的标准偏差之间的差最小化。
34.根据权利要求29所述的方法，其中确定将所述分析区域划分成所述两个或更多个对准区带的所述一或多个区带边界包括：
定义扫掠参数，使得由所述分析区域定界的所述扫掠参数的每一值将所述分析区域划分成第一区及第二区；
针对由所述分析区域定界的所述扫掠参数的多个值而将第一对准模型应用于与所述第一区相关联的所述对准数据的一部分且将第二对准模型应用于与所述第二区相关联的所述对准数据的一部分；及
选择所述扫掠参数的所述值作为区带边界以在规定容限内使与所述第一对准模型及所述第二对准模型相关联的残余值最小化。
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