JP2022547997A - グラファイトの膨張のための方法及び装置 - Google Patents

Abstract

第１の実装形態では、グラファイト試料からグラフェンフレークを剥離させるための方法は：電気化学反応器内でグラファイト試料を圧縮するステップ；及び上記グラファイト試料と上記電気化学セル内の電極との間に電圧を印加するステップを含む。
【選択図】図１

Description

本開示はグラフェンの製造に関し、グラファイトをグラフェンへと膨張させるための装置及び方法を含む。

グラファイトは、元素炭素の結晶形態であり、この結晶形態では、ｓｐ^２混成炭素原子が、１つの平面内で各炭素原子が３個の他の炭素原子に取り囲まれるように、１２０°の角度で配置されることにより、平坦なシート内に六角形の格子を形成する。天然のグラファイトでは、これらのシートは、規則正しいシーケンス、即ちいわゆる「ＡＢ積層」で、上下に積層される。このＡＢ積層では、各層の原子のうちの半分が、すぐ隣の層の六角形の環の中心の真上又は真下にある。グラファイトはこれらの層を数十～数千個有することができる。

理想的なグラフェンは、無限に大きくかつ不純物を含まない、１層分の厚さのグラファイトのシートである。しかしながら現実のグラフェンは、複数層分の厚さを有する小さなフレークとして生じる傾向がある。これらのフレークは多くの場合、酸素原子、水素原子、又はｓｐ^２混成炭素原子といった不純物を含有する。これらの欠陥にもかかわらず、現実のグラフェンは、極めて高い弾性率‐重量比、高い熱及び電気伝導率、並びに大きく非線形の反磁性を含む、多数の並外れた物理的特性を有する。これらの並外れた物理的特性により、グラフェンは、透明伝導性フィルム、エネルギ貯蔵デバイス用の電極、又は伝導性インクを含む様々な用途に使用できる。

理想的なグラフェンは原子１個分の厚さを有するが、複数層（例えば最大１０層）を有するグラフェンのシートは、類似の物理的特性を提供でき、また上述の用途のうちの多くに効果的に使用できる。従って、本出願に記載の「グラフェン」は、複数の層を内包する場合がある。

グラフェンの有用な特性を理由として、グラフェンの製造は、重要な産業上の努力対象となっている。グラフェンを製造する１つの方法は、グラファイトの電気化学的膨張によるものである。

一部の電気化学的なグラフェン製造方法は、アノード剥離を利用する。アノード剥離はグラフェンを酸化させる傾向を有し、これによって欠陥を導入する。対照的にカソード剥離では、酸化による欠陥のないグラフェンフレークが得られる。しかしながらカソード剥離は典型的には超音波処理を必要とし、これは小さなフレークサイズをもたらす。カソード剥離には、好適なグラファイト開始材料も必要である。例えば高配向性熱分解グラファイト（ｈｉｇｈｌｙ ｏｒｉｅｎｔｅｄ ｐｙｒｏｌｙｔｉｃ ｇｒａｐｈｉｔｅ：ＨＯＰＧ）はカソード剥離に好適であるものの、ＨＯＰＧは高価である場合がある。

更にカソード剥離は、表面から１層ずつ発生するのではなく、グラファイトの異なる複数の部分全体にわたって分布する異なる層において発生する可能性がある。カソード剥離中、グラファイトの大きな片がカソードから離れることがある。片がカソードから離れるとカソードとの電気的接触が失われ、その片の中での剥離は停止する。

本開示はグラフェンの製造に関し、グラファイトをグラフェンへと膨張させるための装置及び方法を含む。

本明細書では、グラファイトをグラフェンへと膨張させるための装置及び方法を説明する。

第１の態様では、グラファイト試料からグラフェンフレークを剥離させるための方法は：電気化学反応器内でグラファイト試料を圧縮するステップ；及び上記グラファイト試料と上記電気化学セル内の電極との間に電圧を印加するステップを含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第２の態様では、上記方法は、可動式のセラミック膜を用いて、上記グラファイトを電極部材に押し付けるステップを含み、上記セラミック膜は電解質に対して透過性である。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第３の態様では、上記方法は、水素化グラフェンフレークを５００～８００℃でアニーリングして、グラフェンフレークを得るステップを含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第４の態様では、上記電極部材はカソードである。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第５の態様では、上記グラファイト試料は、ホウ素ドープダイヤモンドカソード部材と電気的に接触する。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第６の態様では、上記電解質は、炭酸プロピレンと、０．１Ｍのヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウムとを含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第７の態様では、印加される上記電圧は、－５Ｖ～－１００Ｖである。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第８の態様では、上記方法は、上記グラファイト試料を圧縮する力を変化させるステップを含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第９の態様では、上記力を変化させる上記ステップは、－６０Ｖの電圧を印加して２～３時間後に、上記グラファイト試料を上記カソード部材に押し付ける圧力を低減するステップを含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１０の態様では、上記方法は、上記グラファイト試料をペレット化するステップを更に含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１１の態様では、上記方法は、合計２４時間にわたって上記電圧を印加するステップを更に含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１２の態様では、グラファイトを剥離させるための装置は：電気化学反応器；アノード及びカソード部材を含む電極；グラファイト試料；並びに剥離反応中に上記グラファイト試料を圧縮するよう構成された圧縮装置を含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１３の態様では、上記圧縮装置は、上記グラファイト試料を電極に押し付けるよう構成される。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１４の態様では、上記電極は上記カソード部材である。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１５の態様では、上記グラファイト試料は結合剤を含まない。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１６の態様では、上記装置は更に、少なくとも２つのアノードを含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１７の態様では、上記カソード部材は更にホウ素ドープダイヤモンドを含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１８の態様では、上記カソード部材は更に金属箔を含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第１９の態様では、上記装置は更に電解質溶液を含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第２０の態様では、上記電解質溶液は無水炭酸プロピレンを含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第２１の態様では、上記電解質溶液は更に０．１Ｍのヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウムを含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第２２の態様では、上記圧縮装置はセラミック膜を含む。

他のいずれの態様と組み合わせることができる第２３の態様では、上記セラミック膜は膜プレス内に配置され、上記膜プレスは、１つ以上のロッドと、上記ロッドに力を印加するよう構成された１つ以上の力印加機構とを含む。

添付の図面及び以下の記述において、１つ以上の実装形態の詳細を説明する。他の特徴、目的、及び利点は、この記述及び図面から、並びに特許請求の範囲から、明らかになるだろう。

図１は、グラファイトの膨張のための装置の概略図である。 図２は、グラファイトを膨張させるための例示的方法を示すフローチャートである。 図３は、グラファイト及び剥離済みグラファイトの例示的なＸ線回折スペクトルである。 図４Ａは、１４００～２８００ｃｍ^－１の範囲内における、剥離の前後のグラファイトの例示的なラマンスペクトルである。図４Ｂは、２２００～３２００ｃｍ^－１の範囲内における、剥離の前後のグラファイトの例示的なラマンスペクトルである。 図５は、４０００～５００ｃｍ^－１の範囲内における、剥離済みグラファイトの例示的な赤外線（ＩＲ）スペクトルである。 図６は、アニーリングの前後の水素化グラフェンの例示的なラマンスペクトルである。 図７は、水素化グラフェンフレークの例示的な原子間力顕微鏡写真である。 図８は、光学顕微鏡写真を用いた、６００個以上のグラフェンフレークの例示的なサイズ評価である。 図９は、Ｖａｎ ｄｅｒ Ｐａｕｗ法を用いて決定された、透明度の関数としてのグラフェンフレークの電気抵抗の例である。

図１は、本明細書に記載の方法を用いてグラフェンを製造するために使用できる、装置１を示す。装置１は、電気化学チャンバ１００及び電極を含む。上記電極は、少なくとも１つのカソード４、及び少なくとも１つのアノード２を含む。上記装置は更に、電解質１０及び電圧又は電流源１２を含む。上記装置は、グラファイトペレット６を含む。このグラファイトペレットは、カソード４と電気的に接触している。上記装置はまた、透過性セラミック膜８を含む。いくつかの実装形態では、セラミック膜８は膜プレス２２内に保持される。いくつかの実装形態では、１つ以上のロッド２４が膜プレスに取り付けられ、カウンタウェイト２６をロッド２４上に配置できる。上記装置は、ヒートシンク１０４を含んでよい。

電気化学チャンバ１００は、チャンバ壁１０２によってその境界を画定される。電気化学チャンバ１００は、少なくとも上記電極、電解質、及びグラファイトペレットを格納するために十分な大きさを有する。電気化学チャンバ１００は円形の底部、及び全体として円筒状の形状を有することができる。チャンバ壁１０２はポリテトラフルオロエチレンで構成できる。

カソード４を電気化学チャンバ１００内に配置してよい。いくつかの実装形態では、カソード４は、チャンバ１００の底面を形成するか、又は上記底面の略全体を埋める。いくつかの実装形態では、カソードは例えば、金属、合金、又は多孔質ケイ素を含有する。いくつかの実装形態では、カソードは、シリコンウェハ、例えば最良グレードのシリコンウェハとすることができる。上記ウェハは、電気化学チャンバ１００の内部に格納するのに好適ないずれのサイズとすることができる。例えば上記ウェハは、直径４インチ（１０．１６ｃｍ）、厚さ３００～４００μｍとすることができ、０．０１～０．０２オーム×ｃｍの抵抗率を有することができる。いくつかの実装形態では、カソード４はダイヤモンドを含む、又はダイヤモンドで形成されたものであってもよい。例えばカソードは、電解質に面する表面上にダイヤモンド層を含むことができる。例えば、シリコンウェハに４ｎｍの水素終端ナノダイヤモンドを播種した後、マイクロ波プラズマ化学蒸着反応器中でダイヤモンドを成長させることによって、上記ウェハ上にホウ素ドープダイヤモンド（ｂｏｒｏｎ‐ｄｏｐｅｄ ｄｉａｍｏｎｄ：ＢＤＤ）を広げ、ダイヤモンド箔を備えたカソードを得ることができる。ダイヤモンド箔の厚さは、約３００ｎｍ～約２０μｍ、又は約２μｍ～約５μｍであってよい。カソード４のダイヤモンド層は任意に、ｎ型又はｐ型ドーパントを用いてドーピングされていてもよい。このようなドーピングは、カソードの電気抵抗を低減できる。いくつかの実装形態では、ホウ素をドーパントとして使用してよい。ホウ素の濃度は、原子約１０^２１個／ｃｍ^３であってよい。いくつかの実装形態では、カソード４の下側、即ちカソードの、チャンバ１００の底部に面した側部は、例えばチタン‐金箔である金属箔４４でコーティングできる。カソード４の下側を金属箔４４でコーティングすることにより、上記装置の動作中に、より均一な電流分布を生成できる。

アノード２を電気化学チャンバ１００内に配置できる。アノードは例えば、金属、合金、又は多孔質ケイ素を含有できる。いくつかの実装形態では、アノードは、シリコンウェハ、例えば最良グレードのシリコンウェハとすることができる。上記ウェハは、電気化学チャンバ１００の内部に格納するのに好適ないずれのサイズとすることができる。例えば上記ウェハは、直径４インチ（１０．１６ｃｍ）、厚さ３００～４００μｍとすることができ、０．０１～０．０２オーム×ｃｍの抵抗率を有することができる。いくつかの実装形態では、アノード２はダイヤモンドを含む、又はダイヤモンドで形成されたものであってもよい。例えばアノードは、電解質に面する表面上にダイヤモンド層を含むことができる。例えば、シリコンウェハに４ｎｍの水素終端ナノダイヤモンドを播種した後、マイクロ波プラズマ化学蒸着反応器中でダイヤモンドを成長させることによって、上記ウェハ上にホウ素ドープダイヤモンド（ＢＤＤ）を広げ、ダイヤモンド箔を備えたアノードを得ることができる。ダイヤモンド箔の厚さは、約０．５μｍ～約２０μｍ、又は約２μｍ～約５μｍであってよい。アノード２のダイヤモンド層は任意に、ｎ型又はｐ型ドーパントを用いてドーピングされていてもよい。このようなドーピングは、アノードの電気抵抗を低減できる。いくつかの実装形態では、ホウ素をドーパントとして使用してよい。ホウ素の濃度は、原子約１０^２１個／ｃｍ^３であってよい。

アノードは、カソードに対していずれの角度で配置されていてよい。いくつかの実装形態では、アノードは、例えばアノードの表面が、これもまた水平に配置された概ね平面状のカソードの表面に対して平行となるように、上記チャンバ内で水平に配置されていてよい。あるいはアノードは、アノードの表面がカソードの表面に対して垂直となるように、上記チャンバ内で垂直に配置されていてよい。アノードをカソードに対してある角度で配置することの１つの利点は、これによって、アノード上に反応副産物が均一に蓄積することが防止されることである。特に、上記装置の動作時、電解質の分解によって、アノードにおいてポリマー又は副産物の蓄積が生じ得る。アノードをカソードに対してある角度、例えば９０°で配置すると、アノード上での副産物ポリマーの凝集が、カソードに最も近接した位置に集中する。これは、アノードに沿った電流分布によるものと考えられる。アノードをある角度で配置することによって、上記装置の動作中に気泡が生成され得る場合に、アノードに沿った気泡の蓄積も防止される。

いくつかの実装形態では、２つ以上のアノードを上記チャンバ内に配置してよい。例えば２つのアノードを上記チャンバ内に配置してよく、これらはいずれもカソードに対して角度が付けられている。

上記装置は、チャンバ１００内のアノード２とカソード４との間に配置された、少なくとも１つの電解質を含む。いくつかの実装形態では、電解質は水性電解質であってよく、また任意に、例えば希酸又は塩といった、その電気伝導率を上昇させる物質を含有してよい。他の実装形態では、電解質は少なくとも１つの有機溶媒を含んでよく、又は少なくとも１つの有機溶媒で形成されていてよい。更に他の実装形態では、電解質は、無水炭酸プロピレン及び／又はジメチルホルムアミド及び／又は有機塩を含むことができ、これらのイオンは、電荷の非局在化及び立体効果によって、安定した結晶格子の形成を阻害するため、これらは１００℃未満の温度において液体である。いくつかの実装形態では、電解質は、０．１Ｍのヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡ ＰＦ_６）及び無水炭酸プロピレン（ＰＣ）を含むことができる。

上記装置はまた、電極間に電圧を印加できる電圧源１２を含む。いくつかの実装形態では、およそ５Ｖ～およそ１００Ｖ、又はおよそ３０Ｖ～およそ６０Ｖの電圧が、電圧源１２によって電極間に印加される。いくつかの実装形態では、電解質は無水炭酸プロピレンを含有し、これは電場によって分解されて、プロペン及び炭酸ガスをもたらすことができる。炭酸プロピレンはグラファイト層の間に挿入でき、この挿入は電圧によって促進される。炭酸プロピレンはそこでプロペン及び炭酸ガスに分解され得る。これらのガスは、グラファイトペレットの層の間のファンデルワールス力に打ち勝って、グラファイトを剥離してグラフェンシートとすることができる。更に電解質は、ヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡ ＰＦ_６）、例えば０．１ＭのＴＢＡ ＰＦ_６を含むことができる。ＴＢＡ陽イオンはグラファイト層の間に挿入できる。ＴＢＡ陽イオンの大きな立体サイズは、グラファイトの剥離に寄与する。炭酸プロピレンとＴＢＡとを同時に挿入することもできる。上記装置の動作中に、更なる剥離を促進するために新しい電解質を追加できる。

例えば炭酸プロピレン及びＴＢＡ陽イオンの挿入に加えて、印加された電圧によってカソードで水素が生成される。カソードで生成された水素もまた、例えば化学吸着によって、グラファイトの複数の平面と反応できる。従って、カソードにあるグラファイトを水素化できる。

いくつかの実装形態では、膨張させられることになるグラファイトは、プレスされたパレット６である。例えばこのプレスされたペレットは、粉末化されたグラファイトを、固体ペレットの形成に十分な圧力でプレスすることによって形成できる。ペレットの形成には結合剤は不要である。例えば１３０００～１９０００ニュートン／ｃｍ^２の圧力によって、結合剤を必要とすることなく、固体のグラファイトペレットを得ることができる。グラファイトペレット６は、カソードと電気的に接触するように上記装置内に配置される。

上記装置はまた、可動式のセラミック膜８を含む。セラミック膜８は、電解質に対して透過性である。この透過性セラミック膜を配置することによって、グラファイトペレット６をカソード４に押し付けて、グラファイトペレットをカソードに接触したまま維持できる。これにより、グラファイトペレット６をカソード４と電気的に接触したまま維持しながら、電解質は膜を通って自由に流動できる。

いくつかの実装形態では、上記セラミック膜はグラファイトペレットより大きなものとすることができる。例えばセラミック膜は、ペレットより６０～８０％大きなものとすることができる。セラミック膜は、カソード及び／又はチャンバ１００の底部に対して、平行又は略平行とすることができる。セラミック膜は、カソード及び／又はチャンバ１００の底部に対して平行な断面領域を埋める、又は略埋めることができる。

いくつかの実装形態では、セラミック膜を膜プレス内に配置できる。例えば、透過性セラミック膜をリングの中央に配置して、膜プレスを形成できる。上記リングはポリテトラフルオロエチレンで構成できる。いくつかの実装形態では、セラミック膜がグラファイトペレットを押して、グラファイトペレットをカソードと電気的に接触したまま維持するように、膜プレスに荷重を印加する。いくつかの実装形態では、上記重量は、リングに取り付けられたロッド２４によって提供され、ロッド２４の上部には１つ以上のカウンタウェイト２６が設けられる。ロッド２４は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）で構成されていてよい。上記カウンタウェイトは、セラミック膜をグラファイトペレットに押し付けて、グラファイトペレットカソードと電気的に接触したまま維持するために十分な、総重量を有することができる。例えば、１つ以上のカウンタウェイトの総重量は、０．００３～０．３ニュートン／ｃｍ^２の下向きの圧力を提供できる。

いくつかの実装形態では、上記装置はヒートシンク１０４を含む。図示されているヒートシンクは熱伝導性ロッドを含み、これは一方の端部においてカソード４と、他方の端部において冷却剤１０６と接触する。いくつかの実装形態では、冷却剤１０６は水浴である。ヒートシンクは、上記装置を加熱又は冷却できる。高温によって電解質を沸騰させることができ、これによってカソード剥離が妨げられる。反対に、低温によって電解質の伝導率が低減される。従って、ヒートシンクを用いて電解質を理想的な温度に維持できる。例えば好適な温度範囲は２０～８０℃であってよい。

図２は、グラファイトを膨張させるための例示的な方法のフローチャートである。２０２では、グラファイト粉末を、グラファイトペレット６の形成に十分な圧力、例えば１３０００～１９０００ニュートン／ｃｍ^２でプレスする。ペレットの形成に結合剤は不要である。２０４では、グラファイトペレットを、カソード４と電気的に接触するように装置１内に配置する。２０６では、透過性セラミック膜をグラファイトペレット６に押し付ける。セラミック膜の圧力を用いて、ペレット６を、カソード４と電気的に接触した状態に維持する。２０８では、１つ以上のカウンタウェイトをロッド２４に適用して、膜プレスに対する下向きの圧力を維持する。カウンタウェイトによって、グラファイトペレットをカソード４と接触した状態に維持するために十分な圧力が得られるだけでなく、グラファイトの膨張による膜プレスの上向きの変位も可能となる。セラミック膜は装置の動作中に静止していてよく、又は動作中にカソードに対して移動してもよい。例えば、グラファイトペレットを剥離させて膨張させる際、セラミック膜をカソードから離れるように上向きに移動させることによって、上記膨張に対応できる。しかしながら、セラミック膜は、グラファイトが膨張しても、グラファイトペレットをカソードと接触した状態に維持するために十分な下向きの圧力を維持する。２１０では、電極に電圧を印加して剥離を開始させる。上記電圧は－５Ｖ～－１００Ｖ、例えば－６０Ｖとすることができる。電圧が高いほど、グラフェンの収率を向上させることができる。

いくつかの実装形態では、動作中に新しい電解質を反応チャンバに追加することによって、剥離を更に促進する。

いくつかの実装形態では、電圧印加期間後、２１２において、グラファイトの更なる膨張を可能にするためにカウンタウェイトを減らす。あるいは、グラファイト膨張プロセス全体を通して、同じカウンタウェイトを使用できる。カウンタウェイトの量を調整した後、印加された電圧によって剥離が促進され続ける。

２１４では、得られた水素化グラフェンフレークを、装置１から回収する。２１６では、水素化グラフェンフレークをアニーリングする。いくつかの実装形態では、水素化グラフェンフレークを、１００～８００℃、例えば１００～３００℃、５００～８００℃、又は７００℃の温度でアニーリングして、グラフェンを得る。アニーリングの温度が低いほど、熱への曝露を長くする必要がある。例えば７００℃でのアニーリングには、熱への２０～３０分の曝露が必要である。５００℃でのアニーリングには、熱への４０分の曝露が必要である。３５０℃でのアニーリングには、熱への１時間の曝露が必要である。

図３は、グラファイト及び剥離済みグラファイトのＸ線回折分析の例であり、Ｘ線回折の強度は、入射ビームに対する回折角度（２θ）の関数として示されている。グラファイト（黒色）は、２θ＝２６．３°及び２θ＝５４．４°の２つの顕著な反射を示す。２θ＝２６．３°でのピークは、層間距離３．３５オングストロームのグラファイトの結晶面に対応する。剥離済みグラファイト（赤色）は、電気化学的剥離後に、２６．３°及び５４．４°でのピークが大幅に消失することを示している。これは、グラファイトの大半が良好に膨張したことを示している。更に、剥離済みグラファイトは２θ＝１９．２^ｏにおいて広いピークを示し、これは、水素化グラフェンに関して計算される層間距離と一致する、層間距離４．６オングストロームに対応する。

図４Ａ及び図４Ｂは、電気化学的処理の前後のグラファイトのラマン分光分析の例である。ラマン分光法は、グラファイトのグラフェンへの膨張の定性的評価として使用できる。特に１５９０ｃｍ^－１の「グラファイト（ｇｒａｐｈｉｔｅ）」Ｇ帯域と、１３５０ｃｍ^－１の「欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）」Ｄ帯域とを、グラフェンの欠陥密度の定性的指標として使用できる。Ｇ帯域は、ｓｐ^２結合炭素原子の平面内振動の結果である。Ｄ帯域は、平面外振動に起因し、その活性化には欠陥が必要となる。従って、Ｄ／Ｇ帯域比は、材料の欠陥密度の定性的指標であり、その値が小さいほど欠陥が少ないことを示す。図４Ａでは、膨張前のグラファイト（青色）は１５９０ｃｍ^－１において顕著なピークを示す。電気化学処理後（赤色）、この材料１３５０ｃｍ^－１において増大したピークを示し、また１５９０ｃｍ^－１において顕著なピークを示し、これは、グラファイトが膨張して、欠陥のないグラフェン、即ち水素化グラフェンとなったことを示唆している。同様に、２６８０ｃｍ^－１の２Ｄ帯域を、グラファイトのグラフェンへの膨張の定性的評価として使用できる。この帯域は、１０層を超える層を有するグラフェンに関しては非対称となる。図４Ｂは、電気化学的処理の前（青色）及び後（赤色）のグラファイトの例示的なラマンスペクトルである。処理後、２６８０ｃｍ^－１の２Ｄ帯域はより幅広く平坦に見え、またおよそ２９００ｃｍ^－１に新たなピークが存在し、これはＤ＋Ｄ’ピークであり、欠陥のないグラフェンの存在を更に示唆するものである。

図５は、電気化学的処理後のグラファイトの例示的な赤外線分光分析である。２８００～２９００ｃｍ^－１の範囲内のピークは、Ｃ‐Ｈ結合の形成の指標であり、これはグラファイトが水素化グラフェンへと膨張したことを示唆する。１７００～１７５０ｃｍ^－１の範囲内でＣ＝Ｏ振動帯域は観察されず、これは、欠陥が酸化の結果ではないことを示唆している。

図６は、アニーリングの前（青色）及び後（赤色）の、電気化学的に処理されたグラファイト、即ち水素化グラフェンの例示的なラマン分光分析である。１３９０ｃｍ^－１のＤピークは、アニーリング後に低下する。水素化はアニーリングによって可逆的であることが知られているため、Ｄピークの低下は、観察された欠陥が水素化の結果であったことを示唆している。

図７は、剥離したフレークの例示的な原子間力顕微鏡分析である。評価されたフレークは、約２μｍ～１５μｍの直径、及び約０．８～２．５ｎｍの厚さを有していた。この分析はＳｉＯ_２基材上で実施され、基材とグラフェンとの間には水和層を設けた。これを考慮すると、厚さが約０．８ｎｍのフレークを単層のグラフェンとして同定できる。更に、水素化グラフェンの層間距離が０．４６ｎｍであることを考慮すると、２．５ｎｍの高さは４層グラフェンに一致する。

図８は、グラフェンフレークの６００を超える光学顕微鏡画像の分析である。これらのフレークのサイズ分布は非対称であり、平均フレーク面積は５５μｍ^２である。直径５０μｍの、２０００μｍ^２もの大きさのフレークが観察された。

図９は、アニーリングされたグラフェンフレークの導電率分析の例である。グラフェンフレークを２×２ｃｍ^２の石英ガラス基材上にフィルムとして配置し、７００℃でアニーリングして水素を除去した。電気抵抗をＶａｎ ｄｅ Ｐａｕｗ法で測定した。シート抵抗を、５５０ｎｍにおける透明度の関数としてプロットした。５５０ｎｍにおいておよそ７０％の透過率を有するフィルムは、約１．６～３．２ｋΩ／ｃｍ^２の範囲内のシート抵抗を示した。透明度がより低いフィルムは、抵抗の低下を示す。

Claims (23)

1. グラファイト試料からグラフェンフレークを剥離させるための方法であって、前記方法は：
   電気化学反応器内でグラファイト試料を圧縮するステップ；及び
   前記グラファイト試料と前記電気化学セル内の電極との間に電圧を印加するステップ
   を含む、方法。
2. 前記グラファイト試料を圧縮する前記ステップは：
   可動式のセラミック膜を用いて、前記グラファイトを電極部材に押し付けるステップであって、前記セラミック膜は電解質に対して透過性である、ステップ
   を含む、請求項１に記載の方法。
3. 水素化グラフェンフレークを５００～８００℃でアニーリングして、グラフェンフレークを得るステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記電極部材はカソードである、請求項１に記載の方法。
5. 前記グラファイト試料は、ホウ素ドープダイヤモンドカソード部材と電気的に接触する、請求項４に記載の方法。
6. 前記電解質は、炭酸プロピレンと、０．１Ｍのヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウムとを含む、請求項１に記載の方法。
7. 印加される前記電圧は、－５Ｖ～－１００Ｖである、請求項１に記載の方法。
8. 前記グラファイト試料を圧縮する力を変化させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
9. 前記力を変化させる前記ステップは、－６０Ｖの電圧を印加して２～３時間後に、前記グラファイト試料を前記カソード部材に押し付ける圧力を低減するステップを含む、請求項８に記載の方法。
10. 前記グラファイト試料をペレット化するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
11. 前記電圧は合計２４時間にわたって印加される、請求項１に記載の方法。
12. グラファイトを剥離させるための装置であって、前記装置は：
    電気化学反応器；
    電極であって、
    アノード；
    カソード部材
    を含む、電極；
    グラファイト試料；並びに
    剥離反応中に前記グラファイト試料を圧縮するよう構成された圧縮装置
    を備える、装置。
13. 前記圧縮装置は、前記グラファイト試料を電極に押し付けるよう構成される、請求項１２に記載の装置。
14. 前記電極は前記カソード部材である、請求項１３に記載の装置。
15. 前記グラファイト試料は結合剤を含まない、請求項１２に記載の装置。
16. 少なくとも２つのアノードを更に備える、請求項１２に記載の装置。
17. 前記カソード部材はホウ素ドープダイヤモンドを含む、請求項１４に記載の装置。
18. 前記カソード部材は金属箔を含む、請求項１４に記載の装置。
19. 前記装置は更に電解質溶液を含む、請求項１２に記載の装置。
20. 前記電解質溶液は無水炭酸プロピレンを含む、請求項１９に記載の装置。
21. 前記電解質溶液は更に０．１Ｍのヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウムを含む、請求項１９に記載の装置。
22. 前記圧縮装置は：
    セラミック膜
    を備える、請求項１２に記載の装置。
23. 前記セラミック膜は膜プレス内に配置され；
    前記膜プレスは：
    １つ以上のロッド；及び
    前記ロッドに力を印加するよう構成された１つ以上の力印加機構
    を備える、請求項２２に記載の装置。
    
    

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