JP2022546223A - マルチビームsemツール用の自己参照型健全度監視システム - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] 本出願は、2019年8月28日に出願された米国特許出願第62/893,139号の優先権を主張するものであり、該出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
1.マルチビームシステムの性能を監視するための方法であって、
撮像プロセス中に動作するマルチビームシステムの複数のビームの性能測定基準の記録を受け取ることであって、各記録はあるビームに関連付けられていることと、
ビームの異常が発生しているかどうかを、記録の一部分を使用して決定されるベースライン値に基づいて決定することと、
異常が発生しているという決定に応答して、異常の指摘を提供することと、を含む方法。
2.ビームの異常が発生しているかどうかを決定することは、
撮像プロセスの複数の時点で受け取られたビームの記録の少なくとも1つの値を使用して、ビームのテスト値を決定することと、
ビームのテスト値とベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定することと、
差が所定の範囲内にはないとの決定に基づいて、異常が発生していると決定することと、を含む、条項1に記載の方法。
3.ベースライン値又は記録のうちの少なくとも1つをデータベースに格納することを更に含む、条項1~2のいずれか一項に記載の方法。
4.差が所定の範囲内にあるかどうかを決定する前に、データベースから記録又はベースライン値のうちの少なくとも1つを読み出すこと、を更に含む、条項3に記載の方法。
5.所定のイベントの後でベースライン値を決定することを更に含む、条項1~4のいずれか一項に記載の方法。
6.所定のイベントの後でベースライン値を決定することは、
所定のイベントの後で受け取られた性能測定基準の初期記録に基づいて、ベースライン値を決定することを含む、条項5に記載の方法。
7.所定のイベントは、マルチビームシステムの維持保守又はマルチビームシステムの較正のうちの1つの完了を含む、条項5~6のいずれか一項に記載の方法。
8.所定のイベントは、記録の各値がシフト値だけ変化することを含み、シフト値は所定の範囲を超えて記録の値の平均値から外れることはない、条項5~7のいずれか一項に記載の方法。
9.記録の一部分の値の統計値として、ベースライン値を決定することを更に含む、条項1~4のいずれか一項に記載の方法。
10.ビームのテスト値は、ビームの記録の少なくとも1つの値の統計値を含む、条項2~9のいずれか一項に記載の方法。
11.統計値は、平均値、中央値、分散値、標準偏差値、又は二乗平均平方根値のうちの1つを含む、条項9~10のいずれか一項に記載の方法。
12.ビームのテスト値は、複数の時点のうちの1つで受け取られたビームの記録の値を含む、条項2~9のいずれか一項に記載の方法。
13.ビームの異常が発生しているかどうかを決定することは、
複数の時点で受け取られた記録の値に対して実施される回帰から、第1の回帰パラメータを決定し、且つ、それらの複数の時点で受け取られた記録の一部分のそれぞれの値に対して実施される回帰から、第2の回帰パラメータを決定することであって、第2の回帰パラメータのそれぞれは、記録の一部分の1つに対応することと、
第2の回帰パラメータを使用してベースライン値を決定することと、
第1の回帰パラメータとベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定することと、
差が所定の範囲内にはないとの決定に基づいて、異常が発生していると決定することと、を含む、条項1~12のいずれか一項に記載の方法。
14.第1の回帰パラメータ及び第2の回帰パラメータのそれぞれは、傾き又は切片のうちの1つを含む、条項13に記載の方法。
15.記録の一部分は、上記記録を含まない、条項13~14のいずれか一項に記載の方法。
16.記録の一部分は、上記記録を除く記録の全てを含む、条項13~15のいずれか一項に記載の方法。
17.性能測定基準は、複数のビームのうちのあるビームの視野(FOV)から撮像プロセスにおいて生成された画像の画質又は幾何学的歪みのうちの少なくとも1つを示す、条項1~16のいずれか一項に記載の方法。
18.性能測定基準は、画像の幾何学的歪みを示し、収差、構造上の歪み、又は幾何学的形状の変化のうちの少なくとも1つを含む、条項17に記載の方法。
19.性能測定基準は画質を示し、且つ、画像のノイズレベル、画像の明るさ、画像のコントラスト、画像の鮮明度、又は画像の分解能のうちの少なくとも1つを表す変数を含む、条項17~18のいずれか一項に記載の方法。
20.FOVの領域に対応する画像の一部分を使用して、ノイズレベルを表すデータを決定することを更に含み、この領域はパターンを持たない、条項19に記載の方法。
21.FOVの領域のレイアウトデータ又は画像の画像データのうちの少なくとも1つに基づいて、領域を決定することを更に含む、条項20に記載の方法。
22.画像のグレーレベルに基づいて、明るさ又はコントラストのうちの少なくとも1つを決定することを更に含む、条項19~21のいずれか一項に記載の方法。
23.画像のパターンエッジからステッププロファイルを抽出することと、
ステッププロファイルから鮮明度又は分解能のうちの少なくとも1つを決定することと、を更に含む、条項19~22のいずれか一項に記載の方法。
24.異常が発生しているという決定に応答して、異常の原因を決定すること、を更に含む、条項1~23のいずれか一項に記載の方法。
25.マルチビームシステムの性能を監視するためのシステムであって、
コントローラであって、一組の命令を実行して、システムに
撮像プロセスにおいてマルチビームシステムの複数のビームの性能測定基準の記録を受け取らせ、なお各記録はあるビームに関連付けられており、
ビームの異常が発生しているかどうかを、記録の一部分を使用して決定されるベースライン値に基づいて決定させ、
異常が発生しているという決定に応答して、異常の指摘を提供させる、ための回路を有するコントローラ、を含むシステム。
26.ビームの異常が発生しているかどうかをシステムに決定させる一組の命令は、更に、システムに、
撮像プロセスの複数の時点で受け取られたビームの記録の少なくとも1つの値を使用して、ビームのテスト値を決定させ、
ビームのテスト値とベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定させ、
差が所定の範囲内にはないとの決定に基づいて、異常が発生していると決定させる、条項25に記載のシステム。
27.ベースライン値又は記録のうちの少なくとも1つを格納するように構成されたデータベースを更に含む、条項25~26のいずれか一項に記載のシステム。
28.一組の命令は更に、システムに、
差が所定の範囲内にあるかどうかを決定する前に、データベースから記録又はベースライン値のうちの少なくとも1つを読み出させる、条項27に記載のシステム。
29.一組の命令は更に、システムに、
所定のイベントの後でベースライン値を決定させる、条項25~28のいずれか一項に記載のシステム。
30.所定のイベントの後でシステムにベースライン値を決定させる一組の命令は、更に、システムに、
所定のイベントの後で受け取られた性能測定基準の初期記録に基づいて、ベースライン値を決定させる、条項29に記載のシステム。
31.所定のイベントは、マルチビームシステムの維持保守又はマルチビームシステムの較正のうちの1つの完了を含む、条項29~30のいずれか一項に記載のシステム。
32.所定のイベントは、記録の各値がシフト値だけ変化することを含み、シフト値は所定の範囲を超えて記録の値の平均値から外れることはない、条項29~31のいずれか一項に記載のシステム。
33.一組の命令は更に、システムに、
記録の一部分の値の統計値として、ベースライン値を決定させる、条項25~28のいずれか一項に記載のシステム。
34.ビームのテスト値は、ビームの記録の少なくとも1つの値の統計値を含む、条項26~33のいずれか一項に記載のシステム。
35.統計値は、平均値、中央値、分散値、標準偏差値、又は二乗平均平方根値のうちの1つを含む、条項33~34のいずれか一項に記載のシステム。
36.ビームのテスト値は、複数の時点のうちの1つで受け取られたビームの記録の値を含む、条項26~33のいずれか一項に記載のシステム。
37.ビームの異常が発生しているかどうかをシステムに決定させる一組の命令は、更に、システムに、
複数の時点で受け取られた記録の値に対して実施される回帰から、第1の回帰パラメータを決定させ、且つそれらの複数の時点で受け取られた記録の一部分のそれぞれの値に対して実施される回帰から、第2の回帰パラメータを決定させ、第2の回帰パラメータのそれぞれは、記録の一部分の1つに対応し、
第2の回帰パラメータを使用してベースライン値を決定させ、
第1の回帰パラメータとベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定させ、
差が所定の範囲内にはないとの決定に基づいて、異常が発生していると決定させる、条項25~36のいずれか一項に記載のシステム。
38.第1の回帰パラメータ及び第2の回帰パラメータのそれぞれは、傾き又は切片のうちの1つを含む、条項37に記載のシステム。
39.性能測定基準は、複数のビームのうちのあるビームの視野(FOV)から撮像プロセスにおいて生成された画像の画質又は幾何学的歪みのうちの少なくとも示す、条項25~38のいずれか一項に記載のシステム。
40.性能測定基準は、画像の幾何学的歪みを示し、収差、構造上の歪み、又は幾何学的形状の変化のうちの少なくとも1つを含む、条項39に記載のシステム。
41.性能測定基準は画質を示し、且つ、画像のノイズレベル、画像の明るさ、画像のコントラスト、画像の鮮明度、又は画像の分解能のうちの少なくとも1つを表す変数を含む、条項39~40のいずれか一項に記載のシステム。
42.一組の命令は更に、システムに、
FOVの領域に対応する画像の一部分を使用して、ノイズレベルを表すデータを決定させ、この領域はパターンを持たない、条項41に記載のシステム。
43.一組の命令は更に、システムに、
FOVの領域のレイアウトデータ又は画像の画像データのうちの少なくとも1つに基づいて、領域を決定させる、条項42に記載のシステム。
44.一組の命令は更に、システムに、
画像のグレーレベルに基づいて、明るさ又はコントラストのうちの少なくとも1つを決定させる、条項41~43のいずれか一項に記載のシステム。
45.一組の命令は更に、システムに、
画像のパターンエッジからステッププロファイルを抽出させ、
ステッププロファイルから鮮明度又は分解能のうちの少なくとも1つを決定させる、条項41~44のいずれか一項に記載のシステム。
46.一組の命令は更に、システムに、
異常が発生しているという決定に応答して、異常の原因を決定させる、条項25~45のいずれか一項に記載のシステム。
47.非一時的なコンピュータ可読媒体であって、マルチビームシステムの性能を監視するための方法を装置に実施させるように、装置の少なくとも1つのプロセッサによって実行可能な、一組の命令を記憶し、この方法は、
撮像プロセスにおいてマルチビームシステムの複数のビームの性能測定基準の記録を受け取ることであって、各記録はあるビームに関連付けられていることと、
ビームの異常が発生しているかどうかを、記録の一部分を使用して決定されるベースライン値に基づいて決定することと、
異常が発生しているという決定に応答して、異常の指摘を提供することと、を含む、非一時的なコンピュータ可読媒体。
48.マルチビーム装置の健全度を監視する方法であって、
撮像プロセスにおいてマルチビーム装置の複数のビームの性能測定基準の記録を受け取ることと、
記録を比較して、複数のビームのうちのあるビームが異常を示しているかどうかを決定することと、
そのビームが異常を示す場合に通知をトリガーすることと、を含む、方法。
49.前記複数のビームは、3本以上のビームを含む、条項48に記載の方法。
50.異常が発生しているという決定に応答して、異常の原因を決定すること、を更に含む、条項48~49のいずれか一項に記載の方法。
51.記録のそれぞれは、複数のビームのうちの1つに関連づけられ、記録のそれぞれは、撮像プロセスの複数の時点で受け取られた性能測定基準の複数の値を含む、条項48~50のいずれか一項に記載の方法。
52.記録を比較して複数のビームのうちのあるビームが異常を示すかどうかを決定することは、
ビームの性能測定基準のベースライン値を決定することと、
撮像プロセスの複数の時点で受け取られたビームの記録の少なくとも1つの値を使用して、そのビームのテスト値を決定することと、
ビームのテスト値とベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定することと、
差が所定の範囲内にはないとの決定に基づいて、異常が発生していると決定することと、を含む、条項48~51のいずれか一項に記載の方法。
53.ベースライン値又は記録のうちの少なくとも1つをデータベースに格納することを更に含む、条項52に記載の方法。
54.差が所定の範囲内にあるかどうかを決定する前に、データベースから記録又はベースライン値のうちの少なくとも1つを読み出すこと、を更に含む、条項53に記載の方法。
55.記録の一部分の値の統計値として、ベースライン値を決定することを更に含む、条項52~54のいずれか一項に記載の方法。
56.ビームのテスト値は、そのビームの記録の少なくとも1つの値の統計値を含む、条項52~55のいずれか一項に記載の方法。
57.統計値は、平均値、中央値、分散値、標準偏差値、又は二乗平均平方根値のうちの1つを含む、条項55~56のいずれか一項に記載の方法。
58.ビームのテスト値は、複数の時点のうちの1つで受け取られたそのビームの記録の値を含む、条項42~56のいずれか一項に記載の方法。
59.記録を比較して複数のビームのうちのあるビームが異常を示すかどうかを決定することは、
複数の時点で受け取られた記録の値に対して実施される回帰から、第1の回帰パラメータを決定し、それらの複数の時点で受け取られた記録の一部分のそれぞれの値に対して実施される回帰から、第2の回帰パラメータを決定することであって、第2の回帰パラメータのそれぞれは、記録の一部分の1つに対応することと、
第2の回帰パラメータを使用してベースライン値を決定することと、
第1の回帰パラメータとベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定することと、
差が所定の範囲内にはないとの決定に基づいて、異常が発生していると決定することと、を含む、条項48~58のいずれか一項に記載の方法。
60.第1の回帰パラメータ及び第2の回帰パラメータのそれぞれは、傾き又は切片のうちの1つを含む、条項59に記載の方法。
61.記録の一部分は、上記記録を含まない、条項59~60のいずれか一項に記載の方法。
62.記録の一部分は、上記記録を除く記録の全てを含む、条項59~61のいずれか一項に記載の方法。
63.性能測定基準は、複数のビームのうちのあるビームの視野(FOV)から撮像プロセスにおいて生成された画像の画質又は幾何学的歪みのうちの少なくとも1つを示す、条項48~62のいずれか一項に記載の方法。
64.性能測定基準は、画像の幾何学的歪みを示し、収差、構造上の歪み、又は幾何学的形状の変化のうちの少なくとも1つを含む、条項63に記載の方法。
65.性能測定基準は画質を示し、且つ、画像のノイズレベル、画像の明るさ、画像のコントラスト、画像の鮮明度、又は画像の分解能のうちの少なくとも1つを表す変数を含む、条項63~64のいずれか一項に記載の方法。
66.FOVの領域に対応する画像の一部分を使用して、ノイズレベルを表すデータを決定することを更に含み、この領域はパターンを持たない、条項65に記載の方法。
67.FOVの領域のレイアウトデータ又は画像の画像データのうちの少なくとも1つに基づいて、領域を決定することを更に含む、条項66に記載の方法。
68.画像のグレーレベルに基づいて、明るさ又はコントラストのうちの少なくとも1つを決定することを更に含む、条項65~67のいずれか一項に記載の方法。
69.画像のパターンエッジからステッププロファイルを抽出することと、
ステッププロファイルから鮮明度又は分解能のうちの少なくとも1つを決定することと、を更に含む、条項65~68のいずれか一項に記載の方法。
70.マルチビームシステムの健全度を監視する装置であって、
コントローラであって、一組の命令を実行して、装置に
撮像プロセスにおいてマルチビームシステムの複数のビームの性能測定基準の記録を受け取らせ、
記録を比較して、複数のビームのうちのあるビームが異常を示しているかどうかを決定させ、
そのビームが異常を示す場合に通知をトリガーさせる、ための回路を有するコントローラ、を含む装置。
71.前記複数のビームは、3本以上のビームを含む、条項70に記載の装置。
72.一組の命令は更に、装置に、
異常が発生しているという決定に応答して、異常の原因を決定させる、条項70~71のいずれか一項に記載の装置。
73.記録のそれぞれは、複数のビームのうちの1つに関連づけられ、記録のそれぞれは、撮像プロセスの複数の時点で受け取られた性能測定基準の複数の値を含む、条項70~72のいずれか一項に記載の装置。
74.装置に記録を比較させて、複数のビームのうちのあるビームが異常を示しているかどうかを決定させるための一組の命令は、更に、システムに、
そのビームの性能測定基準のベースライン値を決定させ、
撮像プロセスの複数の時点で受け取られたそのビームの記録の少なくとも1つの値を使用して、そのビームのテスト値を決定させ、
ビームのテスト値とベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定させ、
差が所定の範囲内にはないとの決定に基づいて、異常が発生していると決定させる、条項70~73のいずれか一項に記載の装置。
75.一組の命令は更に、装置に、
ベースライン値又は記録のうちの少なくとも1つをデータベースに格納させる、条項74に記載の装置。
76.一組の命令は更に、装置に、
差が所定の範囲内にあるかどうかを決定する前に、データベースから記録又はベースライン値のうちの少なくとも1つを読み出させる、条項75に記載の装置。
77.一組の命令は更に、装置に、
記録の一部分の値の統計値として、ベースライン値を決定させる、条項74~76のいずれか一項に記載の装置。
78.ビームのテスト値は、そのビームの記録の少なくとも1つの値の統計値を含む、条項74~77のいずれか一項に記載の装置。
79.統計値は、平均値、中央値、分散値、標準偏差値、又は二乗平均平方根値のうちの1つを含む、条項77~78のいずれか一項に記載の装置。
80.ビームのテスト値は、複数の時点のうちの1つで受け取られたそのビームの記録の値を含む、条項74~78のいずれか一項に記載の装置。
81.装置に記録を比較させて、複数のビームのうちのあるビームが異常を示しているかどうかを決定させるための一組の命令は、更に、システムに、
複数の時点で受け取られた記録の値に対して実施される回帰から、第1の回帰パラメータを決定させ、且つそれらの複数の時点で受け取られた記録の一部分のそれぞれの値に対して実施される回帰から、第2の回帰パラメータを決定させ、第2の回帰パラメータのそれぞれは、記録の一部分の1つに対応し、
第2の回帰パラメータを使用してベースライン値を決定させ、
第1の回帰パラメータとベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定させ、
差が所定の範囲内にはないとの決定に基づいて、異常が発生していると決定させる、条項70~80のいずれか一項に記載の装置。
82.第1の回帰パラメータ及び第2の回帰パラメータのそれぞれは、傾き又は切片のうちの1つを含む、条項81に記載の装置。
83.記録の一部分は、上記記録を含まない、条項81~82のいずれか一項に記載の装置。
84.記録の一部分は、上記記録を除く記録の全てを含む、条項81~83のいずれか一項に記載の装置。
85.性能測定基準は、複数のビームのうちのあるビームの視野(FOV)から撮像プロセスにおいて生成された画像の画質又は幾何学的歪みのうちの少なくとも示す、条項70~84のいずれか一項に記載の装置。
86.性能測定基準は、画像の幾何学的歪みを示し、収差、構造上の歪み、又は幾何学的形状の変化のうちの少なくとも1つを含む、条項85に記載の装置。
87.性能測定基準は画質を示し、且つ、画像のノイズレベル、画像の明るさ、画像のコントラスト、画像の鮮明度、又は画像の分解能のうちの少なくとも1つを表す変数を含む、条項85~86のいずれか一項に記載の装置。
88.一組の命令は更に、装置に、
FOVの領域に対応する画像の一部分を使用して、ノイズレベルを表すデータを決定させ、この領域はパターンを持たない、条項87に記載の装置。
89.一組の命令は更に、装置に、
FOVの領域のレイアウトデータ又は画像の画像データのうちの少なくとも1つに基づいて、領域を決定させる、条項88に記載の装置。
90.一組の命令は更に、装置に、
画像のグレーレベルに基づいて、明るさ又はコントラストのうちの少なくとも1つを決定させる、条項87~89のいずれか一項に記載の装置。
91.一組の命令は更に、装置に、
画像のパターンエッジからステッププロファイルを抽出させ、
ステッププロファイルから鮮明度又は分解能のうちの少なくとも1つを決定させる、条項87~90のいずれか一項に記載の装置。
92.非一時的なコンピュータ可読媒体であって、マルチビームシステムの健全度を監視するための方法を装置に実施させるように、装置の少なくとも1つのプロセッサによって実行可能な、一組の命令を記憶し、この方法は、
撮像プロセスにおいてマルチビームシステムの複数のビームの性能測定基準の記録を受け取ることと、
記録を比較して、複数のビームのうちのあるビームが異常を示しているかどうかを決定することと、
ビームが異常を示す場合に通知をトリガーすることと、を含む、非一時的なコンピュータ可読媒体。
93.マルチビーム走査型電子顕微鏡(SEM)の健全度を監視する方法であって、
マルチビームシステムの複数のビームの性能測定基準の記録を受け取ることであって、複数のビームは、第1のビーム及び他のビームを含むことと、
記録から導出されたデータを比較して、第1のビームが他のビームと比較して異常な性能を示しているかどうかを決定することと、
比較に基づいて、第1のビームが異常な性能を示していると決定された場合に、通知をトリガーすることと、を含む方法。
94.データを比較することは更に、
他のビームの性能測定基準の統計値を決定することと、
第1のビームの性能測定基準と統計値との差が所定の閾値以上であることを決定することと、を含む、条項93に記載の方法。
95.統計値は、他のビームの性能測定基準の平均値、中央値、分散値、標準偏差値、又は二乗平均平方根値のうちの1つを含む、条項93に記載の方法。
Claims (15)
- マルチビームシステムの性能を監視するための方法であって、
撮像プロセス中に動作する前記マルチビームシステムの複数のビームの性能測定基準の記録を受け取ることであって、各記録はあるビームに関連付けられていることと、
ビームの異常が発生しているかどうかを、前記記録の一部分を使用して決定されるベースライン値に基づいて決定することと、
前記異常が発生しているという前記決定に応答して、異常の指摘を提供することと、を含む、方法。 - マルチビームシステムの性能を監視するためのシステムであって、
コントローラであって、一組の命令を実行して、前記システムに
撮像プロセスにおいて前記マルチビームシステムの複数のビームの性能測定基準の記録を受け取らせ、各記録はあるビームに関連付けられており、
ビームの異常が発生しているかどうかを、前記記録の一部分を使用して決定されるベースライン値に基づいて決定させ、
前記異常が発生しているという前記決定に応答して、異常の指摘を提供させる
ための回路を有する、コントローラを含む、システム。 - 前記ビームの前記異常が発生しているかどうかを前記システムに決定させるための前記一組の命令は、更に、前記システムに、
前記撮像プロセスの複数の時点で受け取られた前記ビームの記録の少なくとも1つの値を使用して、前記ビームのテスト値を決定させ、
前記ビームの前記テスト値と前記ベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定させ、
前記差が前記所定の範囲内にはないとの前記決定に基づいて、前記異常が発生していると決定させる、請求項2に記載のシステム。 - 前記ベースライン値又は前記記録のうちの少なくとも1つを格納するように構成されたデータベースを更に含む、請求項2に記載のシステム。
- 前記一組の命令は更に、前記システムに、
前記差が前記所定の範囲内にあるかどうかを決定する前に、前記データベースから前記記録又は前記ベースライン値のうちの少なくとも1つを読み出させる、請求項4に記載のシステム。 - 前記一組の命令は更に、前記システムに、
所定のイベントの後で前記ベースライン値を決定させる、請求項2に記載のシステム。 - 前記所定のイベントの後で前記システムに前記ベースライン値を決定させるための前記一組の命令は、更に、前記システムに、
前記所定のイベントの後で受け取られた前記性能測定基準の初期記録に基づいて、前記ベースライン値を決定させる、請求項6に記載のシステム。 - 前記所定のイベントは、前記マルチビームシステムの維持保守又は前記マルチビームシステムの較正のうちの1つの完了を含む、請求項6に記載のシステム。
- 前記所定のイベントは、前記記録の各値がシフト値だけ変化することを含み、前記シフト値は所定の範囲を超えて前記記録の前記値の平均値から外れることはない、請求項6に記載のシステム。
- 前記一組の命令は更に、前記システムに、
前記記録の前記一部分の値の統計値として、前記ベースライン値を決定させる、請求項2に記載のシステム。 - 前記ビームの前記テスト値は、前記ビームの前記記録の前記少なくとも1つの値の統計値を含む、請求項3に記載のシステム。
- 前記統計値は、平均値、中央値、分散値、標準偏差値、又は二乗平均平方根値のうちの1つを含む、請求項10に記載のシステム。
- 前記ビームの前記テスト値は、前記複数の時点のうちの1つで受け取られた前記ビームの前記記録の値を含む、請求項3に記載のシステム。
- 前記ビームの前記異常が発生しているかどうかを前記システムに決定させるための前記一組の命令は、更に、前記システムに、
複数の時点で受け取られた前記記録の値に対して実施される回帰から、第1の回帰パラメータを決定させ、及び前記複数の時点で受け取られた前記記録の前記一部分のそれぞれの値に対して実施される回帰から、第2の回帰パラメータを決定させ、前記第2の回帰パラメータのそれぞれは、前記記録の前記一部分の1つに対応し、
前記第2の回帰パラメータを使用して前記ベースライン値を決定させ、
前記第1の回帰パラメータと前記ベースライン値との差が所定の範囲内にあるかどうかを決定させ、
前記差が前記所定の範囲内にはないとの決定に基づいて、前記異常が発生していると決定させる、
請求項2に記載のシステム。 - 非一時的なコンピュータ可読媒体であって、マルチビームシステムの性能を監視するための方法を装置に実施させるように前記装置の少なくとも1つのプロセッサによって実行可能な、一組の命令を記憶し、前記方法は、
撮像プロセスにおいて前記マルチビームシステムの複数のビームの性能測定基準の記録を受け取ることであって、各記録はあるビームに関連付けられていることと、
ビームの異常が発生しているかどうかを、前記記録の一部分を使用して決定されるベースライン値に基づいて決定することと、
前記異常が発生しているという前記決定に応答して、異常の指摘を提供することと、
を含む、非一時的なコンピュータ可読媒体。
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Citations (4)
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US20040256556A1 (en) * | 2001-10-05 | 2004-12-23 | Dieter Winkler | Multiple electron beam device |
JP2012022904A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、および欠陥観察装置、および管理サーバ |
JP2018195514A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 東芝メモリ株式会社 | 荷電粒子線を用いたパターン検査方法 |
JP2019125416A (ja) * | 2018-01-11 | 2019-07-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム検査装置及びマルチ検出器の感度修繕方法 |
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