JP2022544979A - Igzoショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1、DECONは、デコン洗浄剤を指す。
2、IGZOは、インジウムガリウム亜鉛酸化物、酸化物半導体、英語名Indium Gallium Zinc Oxide、ショットキーダイオードの活性層である。
3、容量性メタマテリアルとは、回路モデルで等価容量を持つメタマテリアルを指し、これには、分割リングメタマテリアルや容量性誘導性共振メタマテリアル、およびそれらのさまざまなバリアントや複合メタマテリアルが含まれる。
4、表面プラズモン伝送線路とは、誘電体基板上に作製され、サブ波長のしわのある構造を持ち、深度サブ波長の電界局所性を有し、共振伝送できる新型の極細伝送線路を指し、サブ波長構造によって等価負誘電率を形成することにより、マイクロ波およびテラヘルツ周波数帯で表面プラズモンのような特性を実現する。
5、分割リングメタマテリアル、英語名split ring resonatorは、ギャップのある金属リング構造を指し、金属線はインダクタンスと見なすことができ、ギャップは容量を生成し、変化する磁場では、電荷がギャップの両端に蓄積し、共振を形成する。
6、容量性誘導共振メタマテリアル、英語名electric-LC metamaterials、等価回路モデルはLC共振回路、金属線はインダクタンスと見なすことができ、ギャップは容量と見なすことができ、共振を形成する。
7、準リング構造とは、分割共振リングのギャップを短絡する金属リング構造のことである。
8、バンドストップ応答とは、信号強度が特定のスペクトル範囲で大幅に減衰し、特定のスペクトル範囲外では信号の減衰がないという応答を指す。
(1)前記ショットキー電極としてメタマテリアルを使用し、前記アモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層に前記メタマテリアルの容量性構造を完全にカバーさせ、メタマテリアルの容量性構造は、前記アモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層と結合してショットキーバリアを形成し、
メタマテリアルの容量性構造の2つの金属板は電位を共有するため、2つの金属板の表面にショットキーバリアが形成され、メタマテリアルを通常の動作モードのようにする。
IGZO材料はメタマテリアルの容量性構造をカバーし、メタマテリアルの容量性構造の動作メカニズムは、RLC回路として理解できる。ここで、Lはリング構造のインダクタンス、Cはギャップでの容量、Rgはギャップでの自由キャリア吸収による可変減衰を表す。本発明の方法では、IGZO材料とメタマテリアルの容量性構造との間の接触は、メタマテリアルの容量性構造を埋めるギャップをカバーする必要がある。順方向バイアス電圧を印加した後、IGZOのキャリアは正電圧の方向、つまりオーミック電極からショットキー電極に移動し、メタマテリアルの容量性構造のギャップでのIGZO材料の自由キャリア濃度が増加し、ショットキー電極での導電率もそれにつれて増加する。このようにして、メタマテリアルの容量性構造のギャップが短絡され、材料の再構築と動的な調整が実現される。
(2)ステップ(1)で処理されたIGZOショットキーダイオードを介してメタマテリアルを動的に調整制御する。
A、ショットキー電極に正の電圧を印加し、オーミックに負の電圧を印加する。
B、ゼロバイアス状態で、メタマテリアルの容量性構造のギャップをカバーするアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層のIGZOが使い尽くされ、メタマテリアルの容量性構造は強力なLC共振を形成し、完全なバンドストップ応答をもたらし、49GHzの電磁波に対して-31dBまでの強力なバンドストップ応答を生成する。
C、ゼロ電圧から正の電圧を連続的に増加し、正電圧の増加に伴い、アモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層のIGZOのキャリアは正電圧の方向、つまりオーミック電極からショットキー電極に移動し、メタマテリアルの容量性構造のギャップにあるアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層のIGZOフリーキャリア濃度が徐々に増加し、導電率が増加するため、ギャップの容量は短絡するまで減少し、メタマテリアル構造は徐々に準リング構造になり、電磁信号に対する減衰応答が弱くなり、より高い透過率を生成する。
基板を洗浄するステップ(1)と、
フォトリソグラフィー、電子ビーム蒸着、リフトオフ技術を使用して、ステップ(1)でショットキー電極として基板上にメタマテリアルを蒸着するステップ(2)と、
ステップ(2)でのショットキー電極上でアモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層を製造するステップ(3)と、
フォトリソグラフィー、電子ビーム蒸着、リフトオフ技術により、ステップ(3)でアモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層上にオーミック電極を製造する。材料はTi/Au、厚みは10/300nmであるステップ(4)と、を含む。
IGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法であって、IGZOショットキーダイオードには、下から上に順次成長した基板、ショットキー電極、アモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層、およびオーミック電極が含まれ、そのステップは以下を含む。
(1)前記ショットキー電極としてメタマテリアルを使用し、前記アモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層に前記メタマテリアルの容量性構造を完全にカバーさせ、メタマテリアルの容量性構造は、前記アモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層と結合してショットキーバリアを形成し、
メタマテリアルの容量性構造の2つの金属板は電位を共有するため、2つの金属板の表面にショットキーバリアが形成され、メタマテリアルを通常の動作モードのようにした。
IGZO材料はメタマテリアルの容量性構造をカバーし、メタマテリアルの容量性構造の動作メカニズムは、図7に示すRLC回路として理解でき、ここで、Lはリング構造のインダクタンス、Cはギャップでの容量、Rgはギャップでの自由キャリア吸収による可変減衰を表す。本発明の方法では、IGZO材料とメタマテリアルの容量性構造との間の接触は、メタマテリアルの容量性構造を埋めるギャップをカバーする必要がある。順方向バイアス電圧を印加した後、IGZOのキャリアは正電圧の方向、つまりオーミック電極からショットキー電極に移動し、メタマテリアルの容量性構造のギャップでのIGZO材料の自由キャリア濃度が増加し、ショットキー電極での導電率もそれにつれて増加した。このようにして、メタマテリアルの容量性構造のギャップが短絡され、材料の再構築と動的な調整が実現された。
(2)ステップ(1)で処理されたIGZOショットキーダイオードを介してメタマテリアルを動的に調整制御した。
実施例1によるIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御方法であって、その区別は、メタマテリアルの容量性構造のギャップが5μmより小さいことである。
実施例1によるIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御方法であって、その区別は、以下のとおりである。
メタマテリアルの材質にはTi/Au/Pdが含まれる。Tiは接着層として機能し、金属と基板間の結合強度を向上させるために用いられる。金属Auは主な信号伝送層として導電性に優れており、Auの厚みが増すと、伝送信号の損失もそれにつれて周波数帯域全体で減少する。高仕事関数の金属Pdは、酸素プラズマによる衝撃を受けた後、酸素に富む環境を形成し、アモルファスのインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層と結合した後、ショットキーバリアを形成した。メタマテリアルはショットキー電極として高仕事関数の金属Pdに使用できるが限定されず、IGZOでショットキーバリアを形成できる他の金属はすべて使用できる。
実施例1によるIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御方法であって、その区別は以下のとおりである。
ステップ(1)で処理されたIGZOショットキーダイオードを介してメタマテリアルを動的に調整制御することは、以下のステップを含む。
A、ショットキー電極に正の電圧を印加し、オーミックに負の電圧を印加した。
B、ゼロバイアス状態で、メタマテリアルの容量性構造のギャップをカバーするアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層のIGZOが使い尽くされ、メタマテリアルの容量性構造は強力なLC共振を形成し、完全なバンドストップ応答をもたらし、図6~8に示すように、49GHzの電磁波に対して-31dBまでの強力なバンドストップ応答を生成した。
C、ゼロ電圧から正の電圧を連続的に増加し、正電圧の増加に伴い、アモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層のIGZOのキャリアは正電圧の方向、つまりオーミック電極からショットキー電極に移動し、メタマテリアルの容量性構造のギャップにあるアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層のIGZOフリーキャリア濃度が徐々に増加し、導電率が増加したため、ギャップの容量は短絡するまで減少し、メタマテリアル構造は徐々に準リング構造になり、電磁信号に対する減衰応答が弱くなり、より高い透過率を生成した。
ショットキー電極の材質はPdで、ショットキー電極の厚さは10nmより大きく、アモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層の厚さは10nmより大きく、前記オーミック電極はTiまたはAu、厚さは10nmより大きい。
(1)基板の洗浄であって、最初にDECONを入れて5分間洗浄し、次に脱イオン水で10分間洗浄し、次にアセトンで5分間洗浄し、すぐにエタノールを入れて5分間洗浄し、次に脱イオン水ですすぎ、最後に窒素でブロー乾燥した。
(2)フォトリソグラフィー、電子ビーム蒸着、リフトオフ技術を使用して、ステップ(1)でショットキー電極として基板上のメタマテリアルを蒸着した。
(3)ステップ(2)でのショットキー電極上でアモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層を製造した。アモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層のパターンを、フォトリソグラフィーによってステップ(2)のサンプルに転写し、サンプルをプラズ洗浄機に入れて、酸素プラズマで30分間洗浄し、表面に残っている接着剤を除去して表面に酸素が豊富な環境を作成し、フォトリソグラフィー、マグネトロンスパッタリング、およびリフトオフ技術によって750nmの厚さのアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層を製造した。
(4)フォトリソグラフィー、電子ビーム蒸着、リフトオフ技術により、ステップ(3)でアモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層上にオーミック電極を製造した。材料はTi/Au、厚さは10/300nmである。
Claims (8)
- IGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法であって、前記IGZOショットキーダイオードには、下から上に順次成長した基板、ショットキー電極、アモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層、およびオーミック電極が含まれ、
前記ショットキー電極としてメタマテリアルを使用し、かつ前記アモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層に前記メタマテリアルの容量性構造を完全にカバーさせ、メタマテリアルの容量性構造は、前記アモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層と結合してショットキーバリアを形成するステップ(1)と、
ステップ(1)で処理されたIGZOショットキーダイオードを介してメタマテリアルを動的に調整制御するステップ(2)と、
を含むことを特徴とするIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法。 - 前記メタマテリアルの容量性構造のギャップは5μmより小さいことを特徴とする請求項1に記載のIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法。
- 前記メタマテリアルの材質にはTi/Au/Pdが含まれることを特徴とする請求項1に記載のIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法。
- 前記メタマテリアルには、分割リングメタマテリアル、容量性誘導共振メタマテリアル、分割リングメタマテリアルアレイ、または容量性誘導共振メタマテリアルアレイが含まれることを特徴とする請求項1に記載のIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法。
- 前記ステップ(2)において、ステップ(1)で処理されたIGZOショットキーダイオードを介してメタマテリアルを動的に調整制御することは、
ショットキー電極に正の電圧を印加し、オーミックに負の電圧を印加するステップAと、
ゼロバイアス状態で、メタマテリアルの容量性構造のギャップをカバーするアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層のIGZOが使い尽くされ、メタマテリアルの容量性構造は強力なLC共振を形成し、完全なバンドストップ応答をもたらすステップBと、
ゼロ電圧から正の電圧を連続的に増加し、正電圧の増加に伴い、アモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層のIGZOのキャリアは正電圧の方向、つまりオーミック電極からショットキー電極に移動し、メタマテリアルの容量性構造のギャップにあるアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層のIGZOフリーキャリア濃度が徐々に増加し、導電率が増加するため、ギャップの容量は短絡するまで減少し、メタマテリアル構造は徐々に準リング構造になり、電磁信号に対する減衰応答が弱くなり、より高い透過率を生成するステップCと、
を含むことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載のIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法。 - ステップ(1)で生成されたメタマテリアルの動的調整制御のためのIGZOショットキーダイオードの製造方法は、
基板を洗浄するステップ(1)と、
フォトリソグラフィー、電子ビーム蒸着、リフトオフ技術を使用して、ステップ(1)の基板上にメタマテリアルを蒸着し、ショットキー電極とするステップ(2)と、
ステップ(2)でのショットキー電極上にアモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層を製造するステップ(3)と、
フォトリソグラフィー、電子ビーム蒸着、リフトオフ技術により、ステップ(3)でアモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層上にオーミック電極を製造し、材料はTi/Au、厚みは10/300nmであるステップ(4)と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載のIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法。 - 前記ステップ(1)は、最初にDECONを入れて5分間洗浄し、次に脱イオン水で10分間洗浄し、次にアセトンで5分間洗浄し、すぐにエタノールを入れて5分間洗浄し、次に脱イオン水ですすぎ、最後に窒素でブロー乾燥することを含むことを特徴とする請求項6に記載のIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法。
- 前記ステップ(3)は、アモルファスインジウムガリウム酸化亜鉛活性層のパターンを、フォトリソグラフィーによってステップ(2)のサンプルに転写し、サンプルをプラズ洗浄機に入れて、酸素プラズマで30分間洗浄し、表面に残っている接着剤を除去して表面に酸素が豊富な環境を作成し、フォトリソグラフィー、マグネトロンスパッタリング、およびリフトオフ技術によって750nmの厚さのアモルファスインジウムガリウム亜鉛酸化物活性層を製造することを含むことを特徴とする請求項6に記載のIGZOショットキーダイオードに基づくメタマテリアルの動的調整制御の方法。
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