JP2022542977A - センサユニット - Google Patents

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Abstract

【課題】センサユニットの提供。【解決手段】画像記録装置用センサユニットは、光電子イメージセンサと、上記光電子イメージセンサの前方に配置されたカバーユニットとを有する。上記カバーユニットは、第１の吸収ガラスおよび第２の吸収ガラスを有し、上記第１の吸収ガラスはＵＶ吸収ガラスとして構成され、上記第２の吸収ガラスはＩＲ吸収ガラスとして構成されている。【選択図】図５

Description

本発明は、画像記録装置用センサユニット、およびそのようなセンサユニットを有する画像記録装置に関する。
本発明は、特に、光電子半導体センサを有するカメラやビデオカメラ等の光電子画像記録装置に関する。このような半導体センサは、典型的には、可視スペクトルよりも大きいスペクトル域の電磁放射線を検出する。その結果、可視光スペクトルの境界に近い波長を有する電磁放射線は様々な収差を引き起こす可能性がある。
例えば、典型的な半導体センサは赤外光に対して特に感度が高く、半導体センサは赤色の再現で問題を生じることがある。例えば、光源周辺でブルーミングが発生したり、赤外域の反射率が高い合成材料では色が不正確に再現されたりする。
加えて、可視スペクトルの境界領域では、典型的な対物レンズのレンズ収差が完全には補正されなくなる。特に、典型的なレンズ材料は紫外スペクトル域に近くの屈折力曲線が急峻なため、対物レンズの縦色収差が大きくなり、可視スペクトル域の境界で色縞がぼやける。
さらに、カラーフィルタを有する半導体センサでは、可視スペクトルの境界領域にある光を誤認してしまうこともある。例えば、このようなカラーフィルタの赤色顔料は、紫外スペクトル域付近に二次透過率を持つことで、青色顔料と赤色顔料との同時透過に際してマゼンタ色の色収差が発生することがある。紫外スペクトル域のぼんやりした像と、そのぼんやりした像の放射を半導体センサがマゼンタ色に解釈することとが組み合わさって、特徴的なパープルフリンジが発生する。
このような収差を避けるため、光電子画像記録装置の場合、入射する電磁放射線は典型的には適切なスペクトル域に制限される。この目的のため、光電子センサを物体側で被覆し、１つ以上のフィルタ素子を有するカバーガラス構造等を使用できる。このようなカバーガラス構造は、入射光のスペクトル域を制限すること（スペクトルフィルタリング）に加え、半導体センサを汚染や環境的な影響から保護し、かつ半導体センサ自体にダメージを与えることなくセンサ構造の外側を洗浄可能とする役割も果たす。
光電子半導体センサのカバーガラス構造は、典型的には、各スペクトル域の放射線が吸収ガラスに吸収されるという点で、カバーガラス構造に入射する赤色スペクトル域の電磁放射線を制限する赤外吸収ガラス（ＩＲ吸収ガラス）を有する。しかしながら、純粋なＩＲ吸収ガラスでは、入射する電磁放射線のスペクトルを十分に制限することはできない。これは、特に紫外域に近いスペクトル域で当てはまる。
したがって、入射する放射線のスペクトルは、典型的には、薄膜技術においてキャリアガラス（カバーガラス構造のＩＲ吸収ガラス等）に適用されかつ典型的には干渉層として設計された別のＵＶバリア層によって制限される。このようなバリア層は、センサ構造体に入射した電磁放射線を、通過帯域として指定されたスペクトル域では透過させ、遮断帯域として指定されたスペクトル域では反射する。
反射型バリア層の欠点としては、電磁放射線がバリア層に入射する角度によってその反射率が大きく変化するのが一般的であり、バリア層へ平坦に入射する放射線は反射が不十分なことが多いため、センサに入射してしまう可能性がある点が挙げられる。平坦な入射角で入射する放射線は、ミラーレスカメラ等の小型画像記録装置で特に発生する。
本発明は、収差、特に短波長スペクトル域に発生する収差が回避されるような画像記録装置用センサユニットおよび画像記録装置を提供することを目的とする。
この目的は、独立請求項に記載のセンサ装置および画像記録装置によって達成される。各従属請求項にはさらなる改良点が記載されている。
画像記録装置用センサユニットは、光電子イメージセンサと、上記光電子イメージセンサの前方に配置されたカバーユニットとを有し、上記カバーユニットは、第１の吸収ガラスおよび第２の吸収ガラスを有し、上記第１の吸収ガラスはＵＶ吸収ガラスとして構成され、上記第２の吸収ガラスはＩＲ吸収ガラスとして構成されている。
従来から知られているセンサユニットとは異なり、ＵＶ吸収ガラスは紫外線を反射せず吸収するので、上記センサユニットにおいて紫外スペクトル域の入射電磁放射線をフィルタリングするために使用される。従来から使用されているＵＶバリア層と比較して、吸収ガラスで保持された放射線が画像記録装置の光学系から除去されるので、例えば、多重反射したりそれによってバリア層への入射角が平坦化したりしてカバーユニットを通過してしまうことがなくなるという利点がある。これにより、センサユニットで記録され、画像中において邪魔や不自然に感じられることが多い色付きのレンズ反射が低減される。
色付きのレンズ反射は、特にバリア層を備えたカバーユニットにおいて、センサユニットに入射した電磁放射線のうち青色の反射成分が、センサユニットの前方に配置された対物レンズで反射してセンサユニットの方向に戻ってきた場合に発生する。この点、カバーユニットの法線に対して測定される、対物レンズから反射して戻ってくる放射線の入射角が大きいほど、上記バリア層のフィルタ特性が角度依存的であることから、バリア層を透過する放射線の成分も大きくなる。特に、ミラーレスカメラ等の後方焦点距離が小さい画像記録装置では、イメージセンサとイメージセンサの前方に配置された対物レンズの最背面光学素子との距離が短いため、対物レンズにおいて大きな角度で反射した放射線もやはりセンサユニットへ再入射してしまうという問題がある。
第１の吸収ガラスおよび／または第２の吸収ガラスは、それぞれ、吸収ガラスを通過した電磁放射線を波長選択的に吸収する１つ以上の染料を含んでいてもよい。
ＵＶ吸収ガラスとして構成された第１の吸収ガラスは、可視スペクトル域（３８０ｎｍ～７４０ｎｍ）のロングパスフィルタを形成する。第１の吸収ガラスは、第１の吸収ガラスの外部透過率が５０％（ＵＶ５０％）となる第１の吸収ガラスのカットオフ波長が青色スペクトル域となるように構成してもよい。さらに、第１の吸収ガラスは、可視スペクトル域のうちＵＶ５０％カットオフ波長より大きい全ての波長においてその透過率が５０％より大きくなり、可視スペクトル域のうちＵＶ５０％カットオフ波長より小さい全ての波長においてその透過率が５０％より小さくなるように構成してもよい。
ＵＶ５０％カットオフ波長は、例えば、３８０ｎｍ～４５０ｎｍ、およそ４０５ｎｍ～４３０ｎｍ、好ましくは４１５ｎｍ～４２０ｎｍ、例えば４１７ｎｍであってもよい。第１の吸収ガラスとしては、例えば、Ｃｏｒｎｉｎｇ ＳＡＳ社（フランス）からＵＶ ＣＬＥＡＲ８０１０ＨＴの名称で販売されているガラスが挙げられる。また、第１の吸収ガラスとしては、Ｃｏｒｎｉｎｇ ＳＡＳ社（フランス）からＵＶ４１８の名称で販売されているガラスや、Ｓｃｈｏｔｔ ＡＧ社（ドイツ）からＧＧ４３５の名称で販売されているガラスも挙げられる。第１の吸収ガラスは、イメージセンサの検出面を形成する表面と垂直に配向した厚さ方向における厚さが０．１ｍｍ～０．７ｍｍ、例えば０．２ｍｍ～０．６ｍｍ、例えば０．３ｍｍまたは０．５ｍｍであってもよい。
ＩＲ吸収ガラスとして構成された第２の吸収ガラスは、可視スペクトル域のショートパスフィルタを形成する。第２の吸収ガラスは、第２の吸収ガラスの外部透過率が５０％（ＩＲ５０％）となる第２の吸収ガラスのカットオフ波長が赤色スペクトル域となるように構成してもよい。さらに、第２の吸収ガラスは、可視スペクトル域のうちＩＲ５０％カットオフ波長より小さい全ての波長においてその透過率が５０％より大きくなり、可視スペクトル域のうちＩＲ５０％カットオフ波長より大きい全ての波長においてその透過率が５０％より小さくなるように構成してもよい。ＩＲ５０％カットオフ波長は、例えば、５２０ｎｍ～７００ｎｍ、例えば５８０ｎｍ～６１０ｎｍ、好ましくは５８５ｎｍ～６００ｎｍ、例えば５８７ｎｍまたは５９２ｎｍにできる。第２の吸収ガラスは、一般に、厚さ方向の厚さが０．４ｍｍ～１．０ｍｍ、特に０．５ｍｍ～０．８ｍｍであってもよい。
第２の吸収ガラスとしては、例えば、松浪硝子工業社（日本）からＩＲ５８４－１８αの名称で販売されているガラスが挙げられる。この場合、第２の吸収ガラスは、特に厚さ方向の厚さが０．４ｍｍ～０．８ｍｍ、例えば０．５ｍｍ～０．７ｍｍ、例えば０．６０ｍｍであってもよい。また、松浪硝子工業社（日本）からＩＲ５８４－１６αの名称で販売されているガラスも挙げられる。この場合、第２の吸収ガラスは、特に厚さ方向の厚さが０．６ｍｍ～１．０ｍｍ、例えば０．７ｍｍ～０．８ｍｍ、例えば０．７６ｍｍであってもよい。加えて、第２の吸収ガラスとしては、ＨＯＹＡ ＣＡＮＤＥＯ ＯＰＴＲＯＮＩＣＳ社（日本）からＣＸＡ７００の名称で販売されているガラスが挙げられる。この場合、第２の吸収ガラスは、特に、厚さ方向の厚さが０．４ｍｍ～０．７ｍｍ、例えば０．５ｍｍ～０．６ｍｍ、例えば０．５７ｍｍであってもよい。
ガラスと空気との移行部を形成するカバーユニットの表面は、それぞれ反射防止塗膜で被覆してもよい。これが特に当てはまるのは、イメージセンサと離れた物体側前面およびイメージセンサと対向するカバーユニットの像側背面である。
存在し得る塗膜を含む全カバーユニットは、波長４２５ｎｍ付近におけるカットオフ帯域のＵＶ５０％カットオフ波長が、最大で±３０ｎｍ、特に最大で±２０ｎｍ、好ましくは最大で±１０ｎｍの範囲であってもよい。さらに、全カバーユニットは、ＩＲ５０％カットオフ波長が、（６２０±５０）ｎｍの範囲、特に（６００±２５）ｎｍの範囲、好ましくは（５９５±１０）ｎｍの範囲であってもよい。
第１の吸収ガラスおよび第２の吸収ガラスは板状であってもよく、半導体センサの検出面と平行に配列してもよい。第１の吸収ガラスおよび第２の吸収ガラスは、半導体センサの検出面と垂直に配向した光軸に沿って１列に配置してもよい。
第１の吸収ガラスおよび第２の吸収ガラスは、互いに接触していてもよく、互いに直接接続されていてもよく、例えば、接着剤で結合されていても、セメント結合されていても、光学接触によって結合されていてもよい。ただし、第１の吸収ガラスおよび第２の吸収ガラスは、互いに間隔を空けて配置してもよく、例えば、スペーサを介して互いに接続されていてもよい。この場合、例えば、第１の吸収ガラスと第２の吸収ガラスとの間に自由空間が存在してもよい。
第１の吸収ガラスおよび第２の吸収ガラスに加えて、カバーユニットは、さらに別の吸収ガラスやバリア層、特に１つ以上のＩＲバリア層および／または１つ以上のＵＶバリア層、反射防止塗膜、または別の光学素子を有していてもよい。カバーユニットは、例えば、イメージセンサのハウジングを介して光電子イメージセンサに接続されていてもよい。カバーユニットは、例えば、光電子イメージセンサ、特にそのハウジングに接着剤で結合されていてもよいし、クランプ素子によって接続されていてもよい。カバーユニットおよび光電子イメージセンサを有するセンサユニットは、画像記録装置のハウジングに配置され、かつそこに接続されていてもよく、例えばネジ止めされていてもよい。
光電子イメージセンサは、半導体センサとして、例えば、ＣＭＯＳセンサまたはＣＣＤセンサとして構成されていてもよい。半導体センサの検出面は、センサユニットを有する画像記録装置の後方焦点距離と少なくとも同じ大きさ、例えば１倍、または１．２倍、または１．５倍の大きさである対角線を有していてもよい。
上記センサユニットの別の改良点において、上記第１の吸収ガラスは、上記イメージセンサと離れた上記第２の吸収ガラスの前面に配置されている。これにより、上記前面と離れた第２の吸収ガラスの背面を、光電子イメージセンサを有するセンサユニットのキャビティの直上に配置できる。こうすることで、キャビティを第１の吸収ガラスでは被覆せず第２の吸収ガラスのみで被覆し、接着剤から発生する放出ガス、例えば、第１吸収ガラスと第２の吸収ガラスとの間に配置した接着剤から発生する放出ガスが光電子イメージセンサの操作性を損なわないようにできる。
上記センサユニットの別の実施形態において、上記第１の吸収ガラスは、上記イメージセンサと対向する上記第２の吸収ガラスの背面に配置されている。この点において、特に光電子イメージセンサを含むキャビティ内に第２の吸収ガラスを配置して、光軸に沿ったセンサユニットの全高をかなり低いものにできる。
上記センサユニットの別の改良点において、上記カバーユニットは、上記イメージセンサが配置された上記センサユニットのキャビティを被覆している。そして、キャビティは完全にカバーユニットの下に配置される。この点において、カバーユニットは、キャビティを長手方向前方に直接終端させられる。しかしながら、キャビティは、同様にキャビティを被覆しかつカバーユニットに接続される透明ガラス等の追加素子で閉じられていてもよく、キャビティを被覆するカバーユニットは、追加素子の前方に配置してもよい。追加素子は、特に、板状であってもよい。キャビティを被覆するカバーユニットは入射電磁放射線をフィルタリングするのに使用されるため、センサユニットは、光軸に沿って特にコンパクトなものとして設計できる。
上記センサユニットの別の改良点において、上記第１の吸収ガラスおよび／または上記第２の吸収ガラスは板状素子として構成されており、上記イメージセンサの表面と垂直に配向する厚さ方向の長さが、上記イメージセンサの該表面と平行に整列する横断方向の長さよりも小さい。この点において、厚さ方向は光軸に沿って配向していてもよい。板状の吸収ガラスは製造が特に容易であり、センサユニットを有する画像記録装置の光学系の画像化挙動に影響を与えない。
上記センサユニットの別の改良点において、上記第１の吸収ガラスおよび上記第２の吸収ガラスは互いに接触して配置されており、好ましくは互いに面的に接続されており、例えば、セメント結合されているか、接着剤で結合されているか、光学接触によって結合されている。第１吸収ガラスと第２吸収ガラスとを間隔を空けて配置した場合と比較して、吸収ガラス同士が接触している場合はガラスと空気との移行部がないため、カバーユニット内での反射を低減できる。互いに接触している吸収ガラスの間に、例えば接着剤またはパテを含む接続層を配置することで、これらを接続できる。
上記センサユニットの別の実施形態において、上記第１の吸収ガラスの第１の屈折率が、上記第２の吸収ガラスの第２の屈折率と最大で１０％、例えば最大で３％または最大で１％異なる。これにより、特に第１の吸収ガラスと第２の吸収ガラスとが相互に接触している場合、吸収ガラス間の反射を低減できる。
上記センサユニットの別の改良点において、上記第１の吸収ガラスおよび上記第２の吸収ガラスの間に配置された接続層の第３の屈折率が、上記第１の屈折率および／または上記第２の屈折率と最大で１０％、例えば最大で３％または最大で１％異なる。特に、第３の屈折率は、第１の屈折率と第２の屈折率との間に設定してもよい。このようにして選択された第３の屈折率により、第１の吸収ガラスと第２の吸収ガラスとの境界面における反射が特に小さくなる。
上記センサユニットの別の改良点において、上記２つの吸収ガラスのうち小さい方は、上記２つの吸収ガラスのうち大きい方よりも、上記イメージセンサの表面と平行に配向する横方向の長さが小さい。そのため、大きい方の吸収ガラスは、小さい方の吸収ガラスと対向する側で小さい方の吸収ガラスに完全には被覆されておらず、大きい方の吸収ガラスは露出端部を有する。露出端部は、大きい方の吸収ガラスの周囲に形成してもよいし、横方向において大きい方の吸収ガラスの１辺のみに存在してもよいし、横方向において大きい方の吸収ガラスの互いに対向する２辺に存在してもよい。小さい方の吸収ガラスを第１の吸収ガラスとし、大きい方の吸収ガラスを第２の吸収ガラスとしてもよく、その逆でもよい。
上記センサユニットの別の改良点において、上記カバーユニットは、上記光電子イメージセンサを囲む上記センサユニットのフレームの支持面に配置されており、上記支持面は、上記横方向において、上記小さい方の吸収ガラスに少なくとも部分的に被覆されていない。カバーユニットがセンサユニットのフレーム上に配置されているので、センサユニットを特にコンパクトに設計できる。例えば、カバーユニットをセンサユニットのフレームに固定する接着接続部やクランプ接続部を、小さい方の吸収ガラスに被覆されていない露出領域に配置してもよい。フレームは、例えば、光電子イメージセンサを囲むハウジングの一部としてもよく、ハウジング内に形成されてイメージセンサを含んでいるキャビティを囲んでもよい。
上記センサユニットの別の改良点において、上記小さい方の吸収ガラスは上記第１の吸収ガラスによって形成され、上記大きい方の吸収ガラスは上記第２の吸収ガラスによって形成されている。上記横方向において上記第１の吸収ガラスに被覆されていない上記センサユニットの辺縁領域において、上記小さい方の吸収ガラスと上記イメージセンサとの間に、ＵＶ光硬化型接着剤を含む接着剤接続部が配置されている。上記接着接続部は、例えば、上記光電子イメージセンサを囲む上記センサユニットのフレームに上記第２の吸収ガラスを接続する。接着接続部は、第１の吸収ガラスで被覆されていないセンサユニットの辺縁領域に配置されているため、接着接続部を硬化するのに使用される紫外線は、第１の吸収ガラスを通り過ぎて接着接続部に照射できる。
別の改良点において、上記センサユニットは、上記カバーユニットを上記光電子イメージセンサに固定するための固定素子を有する。この点において、上記固定素子は、上記小さい方の吸収ガラスと対向する上記大きい方の吸収ガラスの固定面に配置され、かつ上記横方向において上記小さい方の吸収ガラスと隣接するように配置されている。このような配置だと、センサユニットは、光軸に沿った長手方向の長さが特に小さい。
特に、光電子イメージセンサと離れた大きい方の吸収ガラスの前側に固定素子を配置してもよく、同様に、小さい方の吸収ガラスを大きい方の吸収ガラスの前側に配置してもよい。固定素子は、大きい方の吸収ガラスの側面または大きい方の吸収ガラスの周囲に配置されるクランプ素子を有していてもよい。
上記センサユニットの別の改良点において、上記大きい方の吸収ガラスは、上記小さい方の吸収ガラスと対向する側面に保護塗膜を有し、該保護塗膜は、上記横方向において上記小さい方の吸収ガラスに被覆されていない上記大きい方の吸収ガラスの少なくとも一つの露出領域を被覆している。これにより、露出領域において大きい方の吸収ガラスの腐食を防止できる。保護塗膜は、例えば、同時に反射防止塗膜としても設計できる。
上記センサユニットの別の改良点において、上記保護塗膜は、上記小さい方の吸収ガラスと対向する上記大きい方の吸収ガラスの側面における全面積にわたって配置されている。特に、保護塗膜は、小さい方の吸収ガラスと大きい方の吸収ガラスとの間に形成してもよい。このような保護塗膜は、製造が特に容易である。別の実施形態において、保護塗膜は、小さい方の吸収ガラスに被覆されていない露出領域のみに形成してもよい。露出領域は、小さい方の吸収ガラスに被覆されていない大きい方の吸収ガラスの辺縁領域によって形成されてもよい。
上記センサユニットの別の改良点において、上記カバーユニットはＩＲバリア層を有する。ＩＲバリア層により、光電子イメージセンサに入射する赤外波長域に近い電磁放射線を更に制限できる。これにより、第２の吸収ガラスが比較的平坦なフィルタエッジを有する場合にも、入射する電磁スペクトルを効果的に制限できる。ＩＲバリア層は、干渉層として形成してもよい。そのフィルタエッジは６５０ｎｍ～７００ｎｍであってもよく、例えば、６７０ｎｍ～６８０ｎｍであってもよい。ＩＲバリア層は、７００ｎｍでの透過率が最大で１０％、例えば最大で５％、最大で２％、または最大で１％であってもよい。
上記センサユニットの別の改良点において、上記カバーユニットは、ＩＲ吸収ガラスとして構成された第３の吸収ガラスを有する。この点において、上記ＩＲバリア層は上記第２および第３の吸収ガラスの間に配置されている。これにより、ＩＲバリア層から反射された電磁放射線は、ＩＲ吸収ガラスの１つにおいてＩＲバリア層の両面で吸収されて、反射された電磁放射線はセンサユニットを含む画像記録装置の光路から除去され、反射した赤色放射線によって引き起こされる収差を回避できる。相違点が記載されていない限り、第３の吸収ガラスは、第２の吸収ガラスで記載した通りに構成できる。
ＩＲバリア層は、２つのＩＲ吸収ガラスの間に直接配置してもよい。２つのＩＲ吸収ガラスの一方、ＩＲバリア層、他方のＩＲ吸収ガラス、およびＵＶ吸収ガラスは、特に、光軸に沿って順に配置してもよい。しかしながら、ＩＲバリア層は、２つのＩＲ吸収ガラスの一方と、ＵＶ吸収ガラスとして構成された第１の吸収ガラスとの間に配置してもよい。２つのＩＲ吸収ガラスの一方、ＵＶ吸収ガラス、ＩＲバリア層、および他方のＩＲ吸収ガラスは、特に、光軸に沿って順に配置してもよい。これらの設計のいずれにおいても、ＩＲ吸収ガラス、ＩＲバリア層、およびＵＶ吸収ガラスは、互いに直接接触するよう配置してもよく、いずれの場合も互いに接続されていてもよい。
ＩＲバリア層に加えて、カバーユニットはＵＶバリア層を有していてもよい。ＵＶバリア層は、ＩＲバリア層とは別に設計してもよく、ＩＲバリア層と接続してもよく、ＩＲバリア層と一体化してもよい。
上記センサユニットの別の改良点において、上記第３の吸収ガラスは、上記第１の吸収ガラスと離れた上記第２の吸収ガラスの面に配置されている。これにより、ＩＲバリア層を第２の吸収ガラスと第３の吸収ガラスとの間に配置できる。この点において、ＩＲバリア層は、特に、第２の吸収ガラスと第３の吸収ガラスとを接続する接続層と一体化してもよい。これにより、赤色スペクトル域において急峻なフィルタ曲線を有し、かつ、吸収ガラス構造に入射する放射線の方向によらず高い吸収率を有するカバーユニットを実現できる。
更に、上記センサユニットを有する画像記録装置が特定されている。この点において、センサユニットに関連して記載したすべての利点やさらなる改良点は、画像記録装置にも当てはまる。
画像記録装置は、特に、ミラーレス式カメラとして構成してもよい。画像記録装置は、センサユニットの光電子イメージセンサの対角線が画像記録装置の後方焦点距離と少なくとも同じ大きさ、例えば１倍、または１．２倍、または１．５倍となるように構成してもよい。
以下、図面を参照しながら本発明を説明する。この点において、各場合の模式を表す。
従来技術に係るセンサユニットと、該センサユニットの前方に配置された光学素子とを有する画像記録装置を表す。 第１の実施形態に係るセンサユニットのカバーユニットを表す。 第２の実施形態に係るセンサユニットのカバーユニットを表す。 第３の実施形態に係るセンサユニットのカバーユニットを表す。 第４の実施形態のカバーユニットを有するセンサユニットを表す。 第５の実施形態のカバーユニットを有するセンサユニットを表す。 第４の実施形態に係るカバーユニットの前面の平面図である。 第６の実施形態のカバーユニットを有するセンサユニットを表す。 第６の実施形態のカバーユニットを有するセンサユニットの詳細図である。 カバーユニットの透過率曲線である。 カバーユニットの別の透過率曲線である。
図１は、従来技術に係るセンサユニット１０を有する画像記録装置１の模式図である。センサユニット１０は、画像記録装置１の光軸２に沿って、画像記録装置１の対物レンズ（図示せず）の、レンズとして構成された光学素子８２の後方または像側に配置されている。
センサユニット１０は、光電子イメージセンサ２０と、光軸２に沿ってイメージセンサ２０の前方、すなわち物体側に配置されたカバーユニット９０とを有する。一方、カバーユニット９０は、板状の吸収ガラス９４と、吸収ガラス９４の物体側前面に配置されたバリア層９２とを有する。吸収ガラス９４はＩＲ吸収ガラスとして構成されており、バリア層９２はＵＶバリア層として構成されている。板状の吸収ガラス９４は、横断方向５における長さが、光軸２に沿って配向しかつ横断方向５と直交する長手方向３における長さよりも大きい。
光学素子８２は、対物レンズの最終または最後方の光学素子を形成している。イメージセンサ２０と光学素子８２とは、画像記録装置１の最小後方焦点距離８に相当する間隔を空けて配置されている。
図１から分かる通り、対物レンズの前方に配置された物体９から放出された電磁放射線２００は、バリア層９２で反射されて対物レンズの方向へ戻ってくる。その後、反射されて戻ってきた放射線２００の成分は、対物レンズの光学素子８２で再反射されて、カバーユニット９０へ再入射する。この点において、光学素子８２の形状に応じて、再反射された電磁放射線２００の反射後の第２の入射角２０２は、電磁放射線２００がその前にカバーユニット９０へ入射した際の第１の入射角２０３よりも大きくなる場合がある。バリア層９２の反射率は角度に依存し、入射角２０２および２０３が大きくなると低下するため、光学素子８２から反射して戻ってきた後、より大きい第２の入射角２０２で入射する電磁放射線２００は、バリア層９２を通過して最終的にイメージセンサ２０へ入射する。そして、イメージセンサ２０で記録された画像には、ＵＶバリア層９２での色選択的な反射によって青色の付いたレンズ反射が映し出されている。特に、横断方向５におけるイメージセンサ２０の長さに比べて後方焦点距離８が相対的に小さい画像記録装置では、対物レンズで反射した後、大きい方の第２の入射角２０２が最大で４０°にもなり得る。
上記の色付きレンズ反射を避けるため、本発明に係るセンサユニット１０ではカバーユニットを使用しており、該カバーユニットは、紫色および近紫外スペクトル域の入射電磁放射線を主に吸収して反射させないＵＶ吸収ガラスを有する。図２は、このようなカバーユニット１００の第１の実施形態を表す。
カバーユニット１００は、ＵＶ吸収ガラスとして構成された第１の吸収ガラス１１０と、ＩＲ吸収ガラスとして構成された第２の吸収ガラス１２０とを有する。第１および第２の吸収ガラス１１０および１２０は、入射した電磁放射線を検出するための検出面として機能するイメージセンサ２０の表面２２の前方で、互いに間隔を空けて配置されている。この点において、光軸２に沿った長手方向３には、イメージセンサ２０から始まって、第２の吸収ガラス１２０が最初に配置され、該第２の吸収ガラス１２０の前方に第１の吸収ガラス１１０が配置されている。この点において、第１の吸収ガラス１１０の前面１１１は入射する電磁放射線と対向して配置され、前面１１１の反対側に配置された第１の吸収ガラス１１０の背面１１２は第２の吸収ガラス１２０と対向して配置されている。第２の吸収ガラス１２０の前面１２１は第１の吸収ガラス１１０と対向して配置され、前面１２１と反対側に配置された第２の吸収ガラス１２０の背面１２２はイメージセンサ２０と対向して配置されている。
図３は、カバーユニット１００の第２の実施形態を表す。相違点が記載されていない限り、カバーユニット１００の第２の実施形態は、カバーユニット１００の第１の実施形態について記載した通りに構成される。第２の実施形態において、第１の吸収ガラス１１０と第２の吸収ガラス１２０とは、互いに間隔を空けて配置されるのではなく、互いに接触して配置されている。第１の吸収ガラス１１０と第２の吸収ガラス１２０との間には、接着層として構成され、かつ第１および第２の吸収ガラス１１０および１２０を全面積にわたって互いに接続する接続層７０が存在している。
図２に示す第１の実施形態および図３に示す第２の実施形態の各場合において、カバーユニット１００は、例えば、第１の吸収ガラス１１０の前面１１１に配置できるＩＲバリア層を有していてもよい。それに加えてまたはその代わりに、カバーユニット１００は、例えば、同様に第１の吸収ガラス１１０の前面１１１に配置できるＵＶバリア層を有していてもよい。
図４は、カバーユニット１００の第３の実施形態を表す。相違点が記載されていない限り、カバーユニット１００の第３の実施形態は、カバーユニット１００の第２の実施形態について記載した通りに構成される。カバーユニット１００の第３の実施形態は、第１および第２の吸収ガラス１１０および１２０に加えて、第３の吸収ガラス１３０を有する。第３の吸収ガラス１３０も同様にＩＲ吸収ガラスとして構成され、イメージセンサ２０と対向する第２の吸収ガラス１２０の背面１２２に配置されている。第２の吸収ガラス１２０と第３の吸収ガラス１３０とは互いに接触している。第２の吸収ガラス１２０と第３の吸収ガラス１３０との間にはＩＲバリア層１５０が配置されている。
図５は、第４の実施形態のカバーユニット１００を有するセンサユニット１０を表す。相違点が記載されていない限り、カバーユニット１００の第４の実施形態は、第２の実施形態について記載した通りに構成される。第４の実施形態では、横断方向５において、第１の吸収ガラス１１０の長さ１１３が第２の吸収ガラス１２０の長さ１２３より小さい。これにより、第２の吸収ガラス１２０は、横断方向５においてカバーユニット１００の辺縁領域１２の両側に露出領域１２５を有することになる。該露出領域１２５は、長手方向３において第１の吸収ガラス１１０に被覆されておらず、第２の吸収ガラス１２０が第１の吸収ガラス１１０の下方で露出している。
第２の吸収ガラス１２０は、その背面１２２が、センサユニット１０のハウジング３０が有するフレーム３３の支持面３４上に配置されている。フレーム３３は、光電子イメージセンサ２０が配置されたハウジング３０のキャビティ３２の周囲を画定している。キャビティ３２は、長手方向３において第２の吸収ガラス１２０で閉じられている。第２の吸収ガラス１２０は、露出領域１２５において、ＵＶ光硬化型接着剤を含む接着接続部６０でフレーム３３と接続されている。接着接続部６０は、露出領域１２５において、ＵＶ吸収ガラスとして構成された第１の吸収ガラス１１０で被覆されておらず、接着剤を硬化させるために前面からカバーユニット１００に照射されるＵＶ光が第１の吸収ガラス１１０を通り過ぎて、第２の吸収ガラス１２０を介して接着接続部６０へ入射できる。
図６は、第５の実施形態のカバーユニット１００を有するセンサユニット１０を表す。相違点が記載されていない限り、カバーユニット１００の第５の実施形態は、第４の実施形態について記載した通りに構成される。第５の実施形態において、第１の吸収ガラス１１０は、キャビティ３２内において第２の吸収ガラス１２０の背面１２２に配置されている。本実施形態では、第１の吸収ガラス１１０の前面１１１と第２の吸収ガラス１２０の背面１２２とが接続層７０により接続されている。カバーユニット１００の第５の実施形態では、第２の吸収ガラス１２０を介してＵＶ光を直接照射して、第２の吸収ガラス１２０とハウジング３０のフレーム３３との間に配置された接着接続部６０の接着剤を硬化させられる。
図７は、図５に表すカバーユニット１１０の第４の実施形態の前面を表す平面図である。第１の吸収ガラス１１０は、横断方向５と、該横断方向５および長手方向３に対して垂直に配向した別の横断方向７との両方における各長さが、第２の吸収ガラス１２０の対応する長さよりも小さい。これにより、第２の吸収ガラス１２０は、周囲の辺縁領域１２において第１の吸収ガラス１１０で被覆されておらず、辺縁領域１２で露出している第２の吸収ガラス１２０の領域１２５が同様に周囲で形成されている。
図８は、第６の実施形態のカバーユニット１００を有するセンサユニット１０を表す。相違点が記載されていない限り、カバーユニット１００の第６の実施形態は、第４の実施形態について記載した通りに構成される。第６の実施形態において、第２の吸収ガラス１２０は、ハウジング３０のフレーム３３上に直接は配置されていない。その代わり、ハウジング３０の前方にカバーガラス１４を配置して、長手方向においてキャビティ３２を閉じている。カバーガラス１４は、可視スペクトル域の入射電磁放射線を実質的に妨げることなく透過させる透明ガラスとして構成されていてもよい。カバーユニット１００はカバーガラス１４に接続されており、カバーユニット１００とカバーガラス１４との間にはスペーサ１６が配置されている。これにより、カバーユニット１００とカバーガラス１４とは長手方向３において互いに間隔を空けている。スペーサ１６は、辺縁領域１２においてカバーユニット１００の周囲に形成されている。
図９は、第６の実施形態のカバーユニット１００を有するセンサユニット１００の詳細図である。カバーユニット１００は、図８には示されていない固定素子４０によって、センサユニット１０のハウジング３０に固定されている。固定素子４０は、第１の吸収ガラス１１０で覆われていない辺縁領域１２において第２の吸収ガラス１２０の前面１２１に配置されており、第２の吸収ガラス１２０をフレーム３３の支持面３４にクランプ固定している。固定素子４０は、クランプ素子４２と、該クランプ素子４２および第２の吸収ガラス１２０の間に配置された封止素子４４とを有する。クランプ素子４２は、辺縁領域１２においてカバーユニット１００の周囲に配置され、保持板として構成されている。同様に、封止素子４４は、辺縁領域１２においてカバーユニット１００の周囲に配置され、弾性材料を含んでいる。横断方向５では、カバーユニット１００に加え、ハウジング３０のフレーム３３上にも封止素子４４が配置されている。
図８に表すセンサユニット１０の別の実施形態の各場合において、スペーサ１６は、接着接続部によって、例えばＵＶ光硬化プラスチックを含む接着接続部によって、カバーユニット１００およびカバーガラス１４に接続されていてもよい。これらの実施形態では固定素子４０を省略してもよい。
図１０は、カバーユニット１００の第２および第４～第６の実施形態に係る透過率曲線３００を表す。ここで、カバーユニット１００の透過率３１５（％）は、入射した電磁放射線の波長３１０（ｎｍ）に対してプロットされている。図１０から分かる通り、透過率曲線３００は、紫色スペクトル域の４１７ｎｍにカットオフ波長ＵＶ５０％、赤外スペクトル域の５９６ｎｍにカットオフ波長ＩＲ５０％を有している。透過率曲線３００は、第１の吸収ガラス１１０として長手方向厚さが０．３ｍｍであるＣｏｒｎｉｎｇ ＳＡＳ社製ガラスＵＶ８０１０ＨＴ、第２の吸収ガラスとして長手方向厚さが０．５６５ｍｍのＨＯＹＡ社製ガラスＣＸＡ７００を有するカバーユニット１００の実施形態を用いて得られたものである。
図１１は、カバーユニット１００の第２および第４～第６の実施形態に係る別の透過率曲線３０５を表す。図１１から分かる通り、透過率曲線３０５は、紫色スペクトル域の４１９ｎｍにカットオフ波長ＵＶ５０％、赤外スペクトル域の５９１ｎｍにカットオフ波長ＩＲ５０％を有している。透過率曲線３０５は、第１の吸収ガラスとして長手方向厚さが０．３ｍｍであるＣｏｒｎｉｎｇ ＳＡＳ社製ガラスＵＶ８０１０ＨＴを有し、第２の吸収ガラスとして長手方向厚さが０．７６２ｍｍである松浪硝子工業社製ガラスＩＲ５８４－１８αを有するカバーユニット１００の実施形態を用いて得られたものである。
１：画像記録装置
２：光軸
３：長手方向
５：横断方向
７：別の横断方向
８：後方焦点距離
９：物体
１０：センサユニット
１２：辺縁領域
１４：カバーガラス
１６：スペーサ
２０：イメージセンサ
２２：表面
３０：ハウジング
３２：キャビティ
３３：フレーム
３４：支持面
４０：固定素子
４２：クランプ素子
４４：封止素子
６０：接着接続部
７０：接続層
８２：光学素子
９０：カバーユニット
９２：バリア層
９４：吸収ガラス
１００：カバーユニット
１１０：第１の吸収ガラス
１１１：前面
１１２：背面
１１３：長さ
１２０：第２の吸収ガラス
１２１：前面
１２２：背面
１２３：長さ
１２５：露出領域
１３０：第３の吸収ガラス
１５０：ＩＲバリア層
２００：電磁放射線
２０２：反射後の第２の入射角
２０３：第１の入射角
３００：透過率曲線
３０５：別の透過率曲線
３１０：波長
３１５：透過率

Claims (18)

  1. 光電子イメージセンサ（２０）と、前記光電子イメージセンサ（２０）の前方に配置されたカバーユニット（１００）とを有する、画像記録装置（１）用センサユニット（１０）であって、
    前記カバーユニット（１００）は、第１の吸収ガラス（１１０）および第２の吸収ガラス（１２０）を有し、
    前記第１の吸収ガラス（１１０）はＵＶ吸収ガラスとして構成され、前記第２の吸収ガラス（１２０）はＩＲ吸収ガラスとして構成されている、
    センサユニット（１０）。
  2. 前記第１の吸収ガラス（１１０）は、前記イメージセンサ（２０）と離れた前記第２の吸収ガラス（１２０）の前面（１２１）に配置されている、請求項１に記載のセンサユニット（１０）。
  3. 前記第１の吸収ガラス（１１０）は、前記イメージセンサ（２０）と対向する前記第２の吸収ガラス（１２０）の背面（１２２）に配置されている、請求項１に記載のセンサユニット（１０）。
  4. 前記カバーユニット（１００）は、前記イメージセンサ（２０）が配置された前記センサユニット（１０）のキャビティ（３２）を被覆している、請求項１～３のいずれか１項に記載のセンサユニット（１０）。
  5. 前記第１の吸収ガラス（１１０）および／または前記第２の吸収ガラス（１２０）は板状素子として構成されており、前記イメージセンサ（２０）の表面（２２）と垂直に配向する厚さ方向（３）の長さが、前記イメージセンサ（２０）の該表面（２２）と平行に整列する横断方向（５、７）の長さよりも小さい、請求項１～４のいずれか１項に記載のセンサユニット（１０）。
  6. 前記第１の吸収ガラス（１１０）および前記第２の吸収ガラス（１２０）は互いに接触して配置されており、好ましくは互いに面的に接続されており、例えば、セメント結合されているか、接着剤で結合されているか、光学接触によって結合されている、請求項１～５のいずれか１項に記載のセンサユニット（１０）。
  7. 前記第１の吸収ガラス（１１０）の第１の屈折率が、前記第２の吸収ガラス（１２０）の第２の屈折率と最大で１０％、例えば最大で３％または最大で１％異なる、請求項１～６のいずれか１項に記載のセンサユニット（１０）。
  8. 前記第１の吸収ガラス（１１０）および前記第２の吸収ガラス（１２０）の間に配置された接続層（７０）の第３の屈折率が、前記第１の屈折率および／または前記第２の屈折率と最大で１０％、例えば最大で３％または最大で１％異なる、請求項７に記載のセンサユニット（１０）。
  9. 前記２つの吸収ガラス（１１０、１２０）のうち小さい方は、前記２つの吸収ガラス（１２０、１１０）のうち大きい方よりも、前記イメージセンサ（２０）の表面（２２）と平行に配向する横方向（５、７）の長さが小さい、請求項１～８のいずれか１項に記載のセンサユニット（１０）。
  10. 前記カバーユニット（１００）は、前記光電子イメージセンサ（２０）を囲む前記センサユニット（１０）のフレーム（３３）の支持面（３４）に配置されており、
    前記支持面（３４）は、前記横方向（５、７）において、前記小さい方の吸収ガラス（１１０、１２０）に少なくとも部分的に被覆されていない、請求項９に記載のセンサユニット（１０）。
  11. 前記小さい方の吸収ガラスは前記第１の吸収ガラス（１１０）によって形成され、前記大きい方の吸収ガラスは前記第２の吸収ガラス（１２０）によって形成され、
    前記横方向（５、７）において前記第１の吸収ガラス（１１０）に被覆されていない前記センサユニット（１０）の辺縁領域（１２）において、前記第２の吸収ガラス（１２０）と前記イメージセンサ（２０）との間に、ＵＶ光硬化型接着剤を含む接着剤接続部（６０）が配置されており、
    前記接着接続部（６０）は、例えば、前記光電子イメージセンサ（２０）を囲む前記センサユニット（１０）のフレーム（３３）に前記第２の吸収ガラス（１２０）を接続する、請求項１０に記載のセンサユニット（１０）。
  12. 前記センサユニット（１０）は、前記カバーユニット（１００）を前記光電子イメージセンサ（２０）に固定するための固定素子（４０）を有し、
    前記固定素子（４０）は、前記小さい方の吸収ガラス（１１０、１２０）と対向する前記大きい方の吸収ガラス（１１０、１２０）の固定面（１２１）に配置され、かつ前記横方向（５、７）において前記小さい方の吸収ガラス（１１０、１２０）と隣接するように配置されている、請求項９から１１のいずれか一項に記載のセンサユニット（１０）。
  13. 前記大きい方の吸収ガラス（１１０、１２０）は、前記小さい方の吸収ガラス（１１０、１２０）と対向する側面（１２１）に保護塗膜を有し、該保護塗膜は、前記横方向（５、７）において前記小さい方の吸収ガラス（１１０、１２０）に被覆されていない前記大きい方の吸収ガラス（１１０、１２０）の少なくとも一つの露出領域（１２５）を被覆している、請求項９～１２のいずれか１項に記載のセンサユニット（１０）。
  14. 前記保護塗膜は、前記小さい方の吸収ガラス（１１０、１２０）と対向する前記大きい方の吸収ガラス（１１０、１２０）の側面（１２１）における全面積にわたって配置されている、請求項１３に記載のセンサユニット（１０）。
  15. 前記カバーユニット（１００）はＩＲバリア層（１５０）を有する、請求項１～１４のいずれか１項に記載のセンサユニット（１０）。
  16. 前記カバーユニット（１００）は、ＩＲ吸収ガラスとして構成された第３の吸収ガラス（１３０）を有し、
    前記ＩＲバリア層（１５０）は、前記第２および第３の吸収ガラス（１２、１３０）の間に配置されている、請求項１５に記載のセンサユニット（１０）。
  17. 前記第３の吸収ガラス（１３０）は、前記第１の吸収ガラス（１１０）と離れた前記第２の吸収ガラス（１２０）の面（１２２）に配置されている、請求項１６に記載のセンサユニット（１０）。
  18. 請求項１～１７のいずれか１項に記載のセンサユニット（１０）を有する画像記録装置（１）。
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Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3438692A (en) * 1965-03-08 1969-04-15 Bell Telephone Labor Inc Birefringent device for forming multiple images
DE1946435A1 (de) * 1968-09-14 1970-04-02 Minolta Camera Kk Verfahren und optisches System zur Verbesserung des defocussierten Bildes
GB8926435D0 (en) * 1989-11-22 1990-01-10 Secr Defence Phase measuring scanning optical microscope
WO2007088965A1 (ja) * 2006-02-03 2007-08-09 Nikon Corporation 画像処理装置、画像処理方法、および画像処理プログラム
WO2012169447A1 (ja) * 2011-06-06 2012-12-13 旭硝子株式会社 光学フィルタ、固体撮像素子、撮像装置用レンズおよび撮像装置
JP6034785B2 (ja) * 2011-07-28 2016-11-30 旭硝子株式会社 光学部材
US8941886B2 (en) * 2012-06-19 2015-01-27 Eastman Kodak Company Spectral edge marking for steganography or watermarking
CN108761612B (zh) * 2012-08-23 2021-04-06 Ａｇｃ株式会社 近红外线截止滤波器和固体摄像装置
JP5947976B2 (ja) * 2013-04-01 2016-07-06 Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 近赤外線吸収ガラス、及びその製造方法
DE102013218100B4 (de) * 2013-09-10 2022-03-24 Arnold & Richter Cine Technik Gmbh & Co. Betriebs Kg Filtereinrichtung für eine Kamera
KR102322840B1 (ko) * 2014-11-18 2021-11-08 엘지이노텍 주식회사 렌즈 구동장치 및 이를 포함하는 카메라 모듈

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