JP2022542160A - 基板処理装置およびそのインターロック方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、プロセスチャンバ内において上部電極と下部電極の温度が使用者の設定範囲を超える場合、インターロック信号を生成させて、基板処理装置内にＲＦ電源が印加されることを遮断できるようにした基板処理装置およびそのインターロック方法に関し、本発明による基板処理装置およびそのインターロック方法によれば、上部電極の温度と下部電極の温度、その温度差、電極間距離および電極の抵抗値が使用者の設定範囲にない非常状況でインターロック信号およびアラームを発生させて、ＲＦ電源が基板処理装置内に印加されないように遮断することにより、ＲＦ電源によるダメージを防止して装備を保護し、基板に蒸着される薄膜の均一度を維持できる効果がある。

Description

本発明は、基板処理装置に関し、より詳しくは、プロセスチャンバ内において上部電極と下部電極の温度と、その温度差値、電極間距離または電極の抵抗値が使用者の設定範囲を超える場合、インターロック信号を生成させて、基板処理装置内にＲＦ電源が供給されることを遮断できるようにした基板処理装置およびそのインターロック方法に関する。
一般的に、半導体素子、平板ディスプレイおよび太陽電池（Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌ）などを製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学的パターンを形成しなければならない。そのために、基板に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などのような基板に対する処理工程が行われる。この時、プラズマを用いて基板を処理する基板処理装置が用いられている。
図１は、従来技術による基板処理装置を示す断面図である。
図１に示すように、従来技術による基板処理装置１００は、基板を処理する反応空間を提供するプロセスチャンバ１１０と、プロセスチャンバ１１０の上部を覆うチャンバリッド１２０と、上部電極である第１電極１３１および下部電極である第２電極１３２とを含む電極部１３０と、基板支持部１４０と、ＲＦ電源供給部１５０とを含む。従来技術による基板処理装置は、前記電極部１３０を通して基板にガスを供給し、ＲＦ電源供給部１５０を通してＲＦ電源を印加してプラズマを発生させることにより、前記基板に対する処理工程を行う。
従来技術による基板処理装置の電極部１３０は、基板側に突出した複数の突出電極１３１ａを含む第１電極１３１と、前記突出電極１３１ａが貫通する第２ガス噴射ホール１３２ａが形成された第２電極１３２とを備え、前記第１電極１３１と前記第２電極１３２とを絶縁させる絶縁手段１３３をさらに含むことができる。
前記第１電極１３１には、第１ガスが基板Ｓに噴射できるように複数の第１ガス噴射ホール１３１ｂが形成され、前記第２電極１３２には、第２ガスが基板Ｓに噴射できるように複数の第２ガス噴射ホール１３２ａが形成される。
前記基板支持部１４０は、プロセスチャンバ１１０の内部に設けられ、複数の基板Ｓまたは１つの大面積基板Ｓを支持する。
ＲＦ電源供給部１５０は、前記第１電極および第２電極の少なくとも１つに１つ以上の電源を印加して、反応空間内に噴射されたガスをプラズマ化させる。
このような基板処理装置１００において、基板処理工程の進行に伴ってプロセスチャンバ内の温度が上昇し、第１電極１３１と第２電極１３２は、温度の上昇によって熱膨張が起こる。一般的に、ヒータ１４１によって加熱される基板支持部１４０に近い第２電極１３２が第１電極１３１より温度が高く、このような温度の差によって第１電極１３１と第２電極１３２との間で熱膨張の差が発生し、熱膨張の差が激しい場合、第１電極１３１と第２電極１３２との間でショートが発生する。
これにより、工程の進行中に第１電極１３１と第２電極１３２の温度を一定範囲内に維持する必要がある。この時、第１電極１３１は、供給される工程ガスが熱分解されないようにするために、熱交換器によって１００℃～１２０℃の範囲を維持するようにしており、第２電極１３２は、２００℃～２２０℃の範囲を維持するようにしている。
しかし、工程の進行中に第１電極１３１の温度と第２電極１３２の温度が前記温度範囲内にない非常状況では、第１電極１３１と第２電極１３２との間でショートが発生する。このように第１電極１３１と第２電極１３２との間でショートが発生した非常状況で基板処理装置にＲＦ電源が印加される場合、基板処理装置１０内部の装備にＲＦによるダメージが発生する問題がある。
また、工程の進行中に第１電極１３１の温度と第２電極１３２の温度が前記範囲内になくて第１電極１３１と第２電極１３２との間で熱膨張の差が大きく発生する場合、第１ガスと第２ガスとが隣接して噴射されることにより、第１ガスと第２ガスとの間の不要な反応が進行し、これによって基板に蒸着される薄膜の均一度を維持できない問題がある。
本発明が解決しようとする課題は、プロセスチャンバ内において上部電極と下部電極の温度と、その温度差値、電極間距離または電極の抵抗値が使用者の設定範囲を超える場合、インターロック信号を生成させて、基板処理装置内にＲＦ電源が印加されることを遮断することにより、ＲＦ電源によるダメージを防止して装備を保護し、基板に蒸着される薄膜の均一度を維持できるようにした基板処理装置およびそのインターロック方法を提供することである。
上記の技術的課題を達成するための、本発明の一実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供するプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバの内部に設けられて前記基板に対向する第１電極と、前記第１電極の下部に位置する第２電極と、前記第１電極または前記第２電極に対向して設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、前記第１電極および第２電極の少なくとも１つに１つ以上のＲＦ電源を供給するＲＦ電源供給部と、を含み、前記第１電極の温度または前記第２電極の温度がそれぞれの設定範囲を外れるか、前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度がそれぞれの設定範囲を外れる場合、前記ＲＦ電源の供給を中止させることを特徴とする。
上記の技術的課題を達成するための、本発明の他の実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供するプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバの内部に設けられて前記基板に対向する第１電極と、前記第１電極の下部に位置する第２電極と、前記第１電極または前記第２電極に対向して設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、前記第１電極および第２電極の少なくとも１つに１つ以上のＲＦ電源を供給するＲＦ電源供給部と、を含み、前記第１電極の温度と前記第２電極の温度との温度差値が第１設定範囲を外れるか、前記第１電極の温度と前記基板支持部の温度との温度差値が第２設定範囲を外れる場合、前記ＲＦ電源の供給を中止させることを特徴とする。
上記の技術的課題を達成するための、本発明の他の実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供するプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバの内部に設けられて前記基板に対向する第１電極と、前記第１電極の下部に位置する第２電極と、前記第１電極または前記第２電極に対向して設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、前記第１電極および第２電極の少なくとも１つに１つ以上のＲＦ電源を供給するＲＦ電源供給部と、を含み、前記第１電極または第２電極の抵抗値が設定範囲を外れる場合、前記ＲＦ電源の供給を中止させることを特徴とする。
上記の技術的課題を達成するための、本発明の他の実施例による基板処理装置は、基板を処理するための反応空間を提供するプロセスチャンバと、前記プロセスチャンバの内部に設けられて前記基板に対向する第１電極と、前記第１電極の下部に位置する第２電極と、前記第１電極または前記第２電極に対向して設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、前記第１電極および第２電極の少なくとも１つに１つ以上のＲＦ電源を供給するＲＦ電源供給部と、を含み、前記第１電極と前記第２電極との間の電極間距離が設定範囲を外れる場合、前記ＲＦ電源の供給を中止させることを特徴とする。
上記の技術的課題を達成するための、本発明の一実施例による基板処理装置のインターロック方法は、第１電極の温度並びに第２電極および基板支持部の少なくとも１つの温度を測定する温度測定ステップと、前記第１電極の温度または前記第２電極の温度をそれぞれの設定範囲と比較するか、前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度をそれぞれの設定範囲と比較する温度比較ステップと、前記比較結果に応じてインターロック信号を生成するインターロック信号生成ステップと、前記インターロック信号に応じてＲＦ電源の供給を遮断するＲＦ電源供給遮断ステップと、を含むことを特徴とする。
上記の技術的課題を達成するための、本発明の他の実施例による基板処理装置のインターロック方法は、第１電極の温度並びに第２電極および基板支持部の少なくとも１つの温度を測定する温度測定ステップと、前記第１電極の温度と前記第２電極の温度との温度差値が第１設定範囲内にあるかを比較するか、前記第１電極の温度と前記基板支持部の温度との温度差値が第２設定範囲内にあるかを比較する温度差比較ステップと、前記比較結果に応じてインターロック信号を生成するインターロック信号生成ステップと、前記インターロック信号に応じてＲＦ電源の供給を遮断するＲＦ電源供給遮断ステップと、を含むことを特徴とする。
上記の技術的課題を達成するための、本発明の他の実施例による基板処理装置のインターロック方法は、第１電極および第２電極の間の電極間距離を測定する電極間距離測定ステップと、前記電極間距離が設定範囲内にあるかを判断する電極間距離判断ステップと、前記判断結果に応じてインターロック信号を生成するインターロック信号生成ステップと、前記インターロック信号に応じてＲＦ電源の供給を遮断するＲＦ電源供給遮断ステップと、を含むことを特徴とする。
上記の技術的課題を達成するための、本発明の他の実施例による基板処理装置のインターロック方法は、第１電極または第２電極の抵抗値を測定する抵抗値測定ステップと、前記第１電極または第２電極の抵抗値が設定範囲内にあるかを比較して判断する抵抗値比較ステップと、前記比較結果に応じてインターロック信号を生成するインターロック信号生成ステップと、前記インターロック信号に応じてＲＦ電源の供給を遮断するＲＦ電源供給遮断ステップと、を含むことを特徴とする。
本発明による基板処理装置およびそのインターロック方法によれば、上部電極と下部電極の温度と、その温度差値、電極間距離または電極の抵抗値が使用者の設定範囲を外れる場合、インターロック信号を生成させて、基板処理装置内にＲＦ電源が供給されることを遮断することにより、ＲＦ電源によるダメージを防止して装備を保護し、基板に蒸着される薄膜の均一度を維持できる効果がある。
従来技術による基板処理装置を示す断面図である。 本発明の一実施例による基板処理装置を示す断面図である。 本発明の他の実施例による基板処理装置を示す断面図である。 本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を示す断面図である。 本発明の一実施例による基板処理装置のインターロック方法の工程フロー図である。 本発明の他の実施例による基板処理装置のインターロック方法の工程フロー図である。 本発明のさらに他の実施例による基板処理装置のインターロック方法の工程フロー図である。 本発明のさらに他の実施例による基板処理装置のインターロック方法の工程フロー図である。
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
図２は、本発明による基板処理装置の一実施例を示す断面図である。
図２に示すように、本発明による基板処理装置２００は、基板を処理する反応空間を提供するプロセスチャンバ２１０と、プロセスチャンバ２１０の上部を覆うチャンバリッド２２０と、上部電極である第１電極２３１および下部電極である第２電極２３２を含む電極部２３０と、基板支持部２４０と、ＲＦ電源供給部２５０とを含むことができる。本発明による基板処理装置２００は、前記電極部２３０を通して基板に工程ガスを供給し、ＲＦ電源供給部２５０を通してＲＦ電源を印加してプラズマを発生させることにより、前記基板に対する処理工程を行うことができる。
本発明による基板処理装置２００の電極部２３０は、基板側に突出した複数の突出電極２３１ａを含む第１電極２３１と、前記突出電極２３１ａが貫通する第２電極２３２とを備え、前記第１電極２３１と前記第２電極２３２とを絶縁させる絶縁手段２３３をさらに含むことができる。
前記基板支持部２４０は、プロセスチャンバ２１０の内部に設けられ、複数の基板Ｓまたは１つの大面積基板Ｓを支持する。一方、ＲＦ電源供給部２５０は、前記第１電極２３１および前記第２電極２３２の少なくとも１つに１つ以上の電源を供給して、反応空間内に噴射されたガスをプラズマ化させる。
一般的に、基板処理装置内において基板に蒸着される薄膜の蒸着の均一度は、電極部と基板支持部の温度のような工程変数の変化に影響を受ける。工程初期に基板処理装置が作動を開始する時、電極部の温度が安定化するまで長い時間がかかることがある。電極部は、基板からの輻射によって加熱されることがあり、電極部を通して流れる工程ガスに一部の熱を奪われることもある。このような温度の変化は、基板に蒸着される薄膜の均一度を低下させる。
したがって、電極部２３０に熱交換器（図示せず）を連結して、工程の進行中にも電極部２３０の温度が一定に維持できるようにすることが好ましく、この時、電極部２３０の第１電極２３１の温度は、１００℃～１２０℃の範囲を維持させることが好ましい。
一方、第２電極２３２は、ヒータ２４１によって加熱される基板支持部２４０に近く位置しているので、第１電極２３１より温度が高く、第２電極２３２の温度は、２００℃～２２０℃の範囲を維持させることが好ましい。本発明において、第２電極２３２の温度は、基板支持部２４０の温度により間接的に測定するものと説明したが、場合によっては、温度測定手段により第２電極２３２の温度を直接測定してもよい。
前記基板支持部２４０は、プロセスチャンバ２１０内部の下部に前記電極部２３０に対向して配置され、前記基板Ｓが支持される。
基板上に形成される薄膜は、基板の温度によって大きく変化するので、基板の温度を均一に維持することが重要である。本発明では、基板支持部２４０の下部にヒータ２４１を備えて、ヒータ２４１により基板支持部２４０を加熱し、加熱された基板支持部２４０を用いて基板Ｓを加熱することができる。また、基板の温度を工程ごとに一定に維持するために、基板支持部２４０にサーモカプラのような温度測定手段２４２を備えて、基板支持部２４０の温度を測定して基板支持部２４０の温度が一定に維持できるようにする。
この時、基板支持部２４０の温度は、基板処理がうまく進行できるようにするために、３５０℃～３８０℃の範囲を維持するように設定することが好ましい。
ＲＦ電源供給部２５０は、前記第１電極２３１および前記第２電極２３２の少なくともいずれか１つにＲＦ電源を供給して、前記第１電極２３１および前記第２電極２３２の間にプラズマを形成することができる。
図２では、ＲＦ電源供給部２５０が前記第１電極２３１に連結されたことを例に挙げて説明したが、ＲＦ電源供給部２５０が第２電極２３２に連結されるか、前記第１電極２３１および前記第２電極２３２ともに連結された状態で、前記第１電極２３１と前記第２電極２３２に印加されるＲＦ電源の電圧を異ならせて構成してもよい。
一方、本発明による基板処理装置２００は、測定部２６０と、比較部２７０と、制御部２８０とをさらに含むことができる。
測定部２６０は、前記電極部２３０の第１電極２３１の温度と、第２電極２３２および前記基板支持部２４０の少なくとも１つの温度とを測定することができる。前記電極部２３０の第１電極２３１の温度は、前記第１電極２３１に連結された熱交換器（図示せず）の温度に基づいて測定され、前記基板支持部の温度は、前記基板支持部に連結されたサーモカプラ（ｔｈｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅｒ）の温度に基づいて測定される。一方、前記第２電極の温度は、基板支持部の温度により間接的に測定されてもよく、温度測定手段により直接的に測定されてもよい。
比較部２７０は、前記測定部２６０から伝達された前記第１電極２３１の温度と第２電極２３２の温度、または前記第１電極２３１と前記基板支持部２４０の温度に基づいて、前記第１電極２３１の温度と第２電極２３２の温度がそれぞれの設定範囲内にあるかを比較するか、前記第１電極２３１の温度と基板支持部２４０の温度がそれぞれの設定範囲内にあるかを比較して、設定範囲を外れる場合、ＲＦ電源の供給を中止させるインターロック信号Ｓｉを生成して制御部に伝達することができる。
この時、前記第１電極２３１の設定範囲は、１００℃～１２０℃の範囲に設定することが好ましく、第２電極２３１の設定範囲は、２００℃～２２０℃の範囲に設定することが好ましく、前記基板支持部２４０の設定範囲は、３５０℃～３８０℃の範囲に設定することが好ましい。
この時、前記比較部２７０は、前記測定部２６０から伝達された前記第１電極２３１の温度と第２電極２３２の温度、および前記第１電極２３１の温度と前記基板支持部２４０の温度がそれぞれの設定範囲にあるかについて、第１基準と第２基準乃至第３基準に基づいて判断して、インターロック信号Ｓｉの生成の可否を決定することができる。
第１基準は、前記第１電極２３１の温度または第２電極２３２および基板支持部２４０の少なくとも１つの温度がすべて５０℃以下の常温である場合を意味する。このように前記第１電極２３１の温度または第２電極２３２および基板支持部２４０の少なくとも１つの温度がすべて５０℃以下の常温である場合には、工程が開始される前の初期状態であると判断することができ、前記第１電極２３１にＲＦ電源を供給してもＲＦ電源によるダメージ発生の恐れはない。したがって、前記比較部２７０は、第１基準に相当する場合、インターロック信号Ｓｉを生成しない。
第２基準は、前記第１電極２３１の温度または前記第２電極２３２の温度がそれぞれの設定範囲にある場合を意味する。この時、前記第１電極２３１の設定範囲は、１００℃～１２０℃の範囲であり、前記第２電極２３２の設定範囲は、２００℃～２２０℃の範囲である。
また、第３基準は、前記第１電極２３１の温度または前記基板支持部２４０の温度がそれぞれの設定範囲にある場合を意味する。この時、前記第１電極２３１の設定範囲は、１００℃～１２０℃の範囲であり、前記基板支持部の設定範囲は、３５０℃～３８０℃の範囲である。
第２基準乃至第３基準は、工程が進行して正常な状態にある場合を意味するもので、前記第１電極２３１または第２電極２３２の温度が前記第２基準を満足し、前記第１電極２３１または前記基板支持部２４０の温度が前記第３基準を満足する場合には、前記第１電極２３１または前記第２電極２３２にＲＦ電源を供給してもＲＦ電源によるダメージ発生の恐れはない。したがって、前記比較部２７０は、第２基準乃至第３基準をすべて満足する場合、インターロック信号Ｓｉを生成しない。
すなわち、比較部２７０は、工程初期の第１基準に相当する場合と、工程が正常に進行する状態である第２基準および第３基準をすべて満足する場合には、インターロック信号Ｓｉを生成しない。
ただし、工程が正常に進行する途中に、前記第１電極２３１の温度または前記第２電極２３２の温度がそれぞれの設定範囲を外れて第２基準を満足しなかったり、前記第１電極２３１の温度または前記基板支持部２４０の温度がそれぞれの設定範囲を外れて第３基準を満足しない場合には、非常状況が発生したと判断して、前記インターロック信号Ｓｉを生成して前記制御部２８０に伝達する。
一方、比較部２７０は、第２基準を満足しなかったり、第３基準を満足しない非常状況が発生した場合、前記インターロック信号Ｓｉを生成して前記制御部２８０に伝達することとは別途に、警告音または非常灯点滅などのアラーム信号を発生させて、使用者にとって手動でＲＦ電源の供給を中止するようにしてもよい。
制御部２８０は、前記比較部２７０からインターロック信号Ｓｉが生成されて入力されると、前記ＲＦ電源供給部２５０から前記第１電極２３１または前記第２電極２３２に供給されるＲＦ電源を遮断させることができる。
以上、比較部２７０が測定部２６０から伝達された前記第１電極２３１の温度並びに前記第２電極２３２および前記基板支持部２４０の少なくとも１つの温度に基づいて、前記第１電極２３１の温度または前記第２電極２３２の温度がそれぞれの設定範囲内にあるかを比較するか、前記第１電極２３１の温度または前記基板支持部２４０の温度がそれぞれの設定範囲内にあるかを比較して、設定範囲を外れる場合、ＲＦ電源の供給を中止させるインターロック信号Ｓｉを生成して制御部に伝達する実施例を説明した。
以下では、比較部２７０が測定部２６０から伝達された前記第１電極２３１の温度と前記第２電極２３２の温度との温度差値が第１設定範囲内にあるかを比較して、第１設定範囲を外れるか、前記第１電極２３１の温度と前記基板支持部２４０の温度との温度差値が第２設定範囲内にあるかを比較して、第２設定範囲を外れる場合、ＲＦ電源の供給を中止させるインターロック信号Ｓｉを生成して制御部に伝達する実施例を説明する。
図２に示されるように、本発明の他の実施例による基板処理装置２００は、測定部２６０と、比較部２７０と、制御部２８０とをさらに含むことができる。
測定部２６０は、第１電極２３１の温度並びに第２電極２３２および基板支持部２４０の少なくとも１つの温度を測定することができる。前記第１電極２３１の温度は、前記第１電極２３１に連結された熱交換器（図示せず）の温度に基づいて測定される。前記基板支持部２４０の温度は、前記基板支持部２４０に連結されたサーモカプラ（ｔｈｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅｒ）のような温度測定手段２４２の温度に基づいて測定される。一方、前記第２電極２３２の温度は、基板支持部２４０の温度により間接的に測定してもよく、温度測定手段により直接測定してもよい。
比較部２７０は、前記測定部２６０から伝達された前記第１電極２３１の温度と前記第２電極２３２の温度との温度差値が第１設定範囲内にあるかを比較して、第１設定範囲を外れるか、前記第１電極２３１の温度と前記基板支持部２４０の温度との温度差値が第２設定範囲内にあるかを比較して、第２設定範囲を外れる場合、ＲＦ電源の供給を中止させるインターロック信号Ｓｉを生成して制御部に伝達することができる。
一般的に、工程進行中に、前記第１電極２３１の温度は、１００℃～１２０℃の範囲を維持し、前記第２電極２３２の温度は、２００℃～２２０℃の範囲を維持し、前記基板支持部２４０の温度は、３５０℃～３８０℃の範囲に維持する。したがって、前記第１電極２３１の温度と前記第２電極２３２の温度との間の温度差に対する第１設定範囲は、８０℃～１２０℃に設定することが好ましく、前記第１電極２３１の温度と前記基板支持部２４０の温度との間の温度差に対する第２設定範囲は、２３０℃～２８０℃に設定することが好ましい。
この時、前記比較部２７０は、前記測定部２６０から伝達された前記第１電極２３１の温度と前記第２電極２３２の温度との間の温度差値が第１設定範囲内にあり、前記第１電極２３１の温度と前記基板支持部２４０の温度との温度差値が第２設定範囲内にあるかについて、第４基準乃至第６基準に基づいて判断して、インターロック信号Ｓｉの生成の可否を決定することができる。
第４基準は、前記第１電極２３１の温度または第２電極２３２および基板支持部２４０の少なくとも１つの温度がすべて５０℃以下の常温である場合を意味する。このように前記第１電極２３１の温度または第２電極２３２および基板支持部２４０の少なくとも１つの温度がすべて５０℃以下の常温である場合には、工程が開始される前の初期状態であると判断することができ、前記第１電極２３１または前記第２電極２３２にＲＦ電源を供給してもＲＦ電源によるダメージ発生の恐れはない。したがって、前記比較部２７０は、第４基準に相当する場合、インターロック信号Ｓｉを生成しない。
第５基準は、前記第１電極２３１の温度と前記第２電極２３２の温度との温度差値が前記第１設定範囲、すなわち、８０℃～１２０℃の範囲にある場合を意味する。また、第６基準は、前記第１電極２３１の温度と前記基板支持部２４０の温度との温度差値が前記第２設定範囲、すなわち、２３０℃～２８０℃の範囲にある場合を意味する。
第５基準および第６基準は、工程が進行して正常な状態にある場合を意味するもので、前記第１電極２３１および前記第２電極２３２の温度差値が前記第５基準を満足し、前記第１電極２３１および前記基板支持部２４０の温度差値が前記第６基準を満足する場合には、前記第１電極２３１または前記第２電極２３２にＲＦ電源を供給してもＲＦ電源によるダメージ発生の恐れはない。したがって、前記比較部２７０は、第５基準および第６基準を満足する場合、インターロック信号Ｓｉを生成しない。
すなわち、比較部２７０は、工程初期の第４基準に相当する場合と、工程が正常に進行する状態である第５基準および第６基準を満足する場合には、インターロック信号Ｓｉを生成しない。
ただし、工程が正常に進行する途中に、前記第１電極２３１および前記第２電極２３２の温度差値が前記第１設定範囲である８０℃～１２０℃の範囲を外れて第５基準を満足しない場合と、前記第１電極２３１および前記基板支持部２４０の温度差値が前記第２設定範囲である２３０℃～２８０℃の範囲を外れて第６基準を満足しない場合には、非常状況が発生したと判断して、前記インターロック信号Ｓｉを生成して前記制御部２８０に伝達する。
一方、比較部２７０は、第５基準または第６基準を満足しない非常状況が発生した場合、前記インターロック信号Ｓｉを生成して前記制御部２８０に伝達することとは別途に、警告音または非常灯点滅などのアラーム信号を発生させて、使用者にとって手動でＲＦ電源の供給を中止するようにしてもよい。
制御部２８０は、前記比較部２７０からインターロック信号Ｓｉが生成されて入力されると、前記ＲＦ電源供給部２５０から前記第１電極２３１または前記第２電極２３２に供給されるＲＦ電源を遮断させることができる。
以下では、比較部２７０が測定部２６０から伝達された前記第１電極２３１または第２電極２３２の抵抗値が設定範囲内にあるかを比較して、設定範囲を外れる場合、ＲＦ電源の供給を中止させるインターロック信号Ｓｉを生成して制御部２８０に伝達する実施例を説明する。
図２に示されるように、本発明の他の実施例による基板処理装置２００は、測定部２６０と、比較部２７０と、制御部２８０とをさらに含むことができる。
測定部２６０は、オーム（Ｏｈｍ）の法則とキルヒホッフ（Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ）の法則により、スイッチのオン－オフ（ｏｎ－ｏｆｆ）によって前記第１電極または第２電極の抵抗値を測定することができる。この時、前記第１電極または第２電極の抵抗値は、プローブ（ｐｒｏｂｅ、探針）を備える抵抗測定器を用いて測定されてもよく、スイッチと電圧計および電流計を含む簡単な回路構成により測定されてもよい。一例として、測定部２６０は、ＲＦ電源が供給されない状態で抵抗測定器のプローブ（ｐｒｏｂｅ）を第１電極または第２電極に接触させて、前記第１電極または第２電極の抵抗値を測定することができる。この時測定される第１電極または第２電極の抵抗は、具体的には、絶縁抵抗であってもよい。
比較部２７０は、前記測定部２６０から伝達された前記第１電極２３１または第２電極２３２の抵抗値が設定範囲内にあるかを比較して、設定範囲を外れる場合、ＲＦ電源の供給を中止させるインターロック信号Ｓｉを生成して制御部に伝達することができる。
一般的に、隣接している２つの電極の短絡の有無は、抵抗測定器を用いて電極の抵抗値を測定することにより判断することができる。すなわち、いずれか１つの電極の抵抗値を測定して、数メガオーム（ＭΩ）以上の無限大に近い抵抗値が測定される場合、２つの電極は電流が流れない状態で短絡していないと判断することができる。一方、抵抗値が数～数百オーム（Ω）程度の値と測定されると、２つの電極は電流が流れる状態で短絡していると判断することができる。したがって、前記第１電極または第２電極の抵抗値に対する設定範囲は、１メガオーム（ＭΩ）～１０００メガオーム（ＭΩ）に設定することが好ましい。
この時、前記比較部２７０は、前記測定部２６０から測定されて伝達された前記第１電極２３１の抵抗値が設定範囲内にあるかを判断して、インターロック信号Ｓｉの生成の可否を決定することができる。すなわち、前記比較部２７０は、前記測定部２６０から測定されて伝達された前記第１電極２３１または第２電極２３２の抵抗値が１メガオーム（ＭΩ）～１０００メガオーム（ＭΩ）の設定範囲を外れる場合、ＲＦ電源の供給を中止させるインターロック信号Ｓｉを生成して制御部２８０に伝達することができる。
一方、比較部２７０は、第１電極２３１または第２電極２３２の抵抗値が設定範囲を外れる非常状況が発生した場合、前記インターロック信号Ｓｉを生成して前記制御部２８０に伝達することとは別途に、警告音または非常灯点滅などのアラーム信号を発生させて、使用者にとって手動でＲＦ電源の供給を中止するようにしてもよい。
制御部２８０は、前記比較部２７０からインターロック信号Ｓｉが生成されて入力されると、前記ＲＦ電源供給部２５０から前記第１電極２３１または前記第２電極２３２に供給されるＲＦ電源を遮断させることができる。
図３は、本発明の他の実施例による基板処理装置を示す断面図である。
図３に示された基板処理装置３００は、図２に示された基板処理装置２００と比較して、測定部２６０と、比較部２７０および制御部２８０の構成が、測定部３６０と、判断部３７０および制御部３８０に代替された点を除いて他の構成は同一である。
測定部３６０は、第１電極３３１と第２電極３３２との間の距離を測定することができる。測定部３６０は、基板処理装置の内部を観察できるビューポート（ｖｉｅｗ ｐｏｒｔ）とカメラで構成されてもよいし、第１電極３３１と第２電極３３２内に備えられた距離測定センサのようなセンシング手段で構成されてもよい。
判断部３７０は、前記測定部３６０で測定された前記電極間距離が設定範囲内にあるかを判断して、前記設定範囲を外れる場合、インターロック信号Ｓｉを生成することができる。この時、判断部３７０は、前記第１電極３３１と第２電極３３２とが接触した場合、前記電極間距離が前記設定範囲を外れていると判断して、前記インターロック信号Ｓｉを生成することができる。
制御部３８０は、前記判断部３７０からインターロック信号Ｓｉが生成されて入力されると、前記ＲＦ電源供給部３５０から前記第１電極３３１または前記第２電極２３２に供給されるＲＦ電源を遮断させることができる。
図４は、本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を示す断面図である。
図４に示すように、本発明による基板処理装置４００は、基板を処理する反応空間を提供するプロセスチャンバ４１０と、プロセスチャンバ４１０の上部を覆うチャンバリッド４２０と、前記基板支持部に対向する第１噴射プレート４３１および第２噴射プレート４３２を含むガス噴射部４３０と、基板支持部４４０と、ＲＦ電源供給部４５０とを含むことができる。本発明による基板処理装置４００は、前記ガス噴射部４３０を通して基板に工程ガスを供給し、ＲＦ電源供給部４５０を通してＲＦ電源を印加してプラズマを発生させることにより、前記基板に対する処理工程を行うことができる。
本発明による基板処理装置４００のガス噴射部４３０は、基板側に突出した複数の突出ノズル４３１ａを含む第１噴射プレート４３１と、前記突出ノズル４３１ａが貫通する第２ガス噴射ホール４３２ａが形成された第２噴射プレート４３２とを備え、前記第１噴射プレート４３１と前記第２噴射プレート４３２とを絶縁させる絶縁手段４３３をさらに含むことができる。
前記第１噴射プレート４３１には、第１ガスが基板Ｓに噴射できるように複数の第１ガス噴射ホール４３１ｂが形成され、前記第２噴射プレート４３２には、第２ガスが基板Ｓに噴射できるように複数の第２ガス噴射ホール４３２ａが形成される。
図４では、第１ガス噴射ホール４３１ｂが突出ノズル４３１ａに形成されたものとして示したが、場合によっては、突出ノズル４３１ａには第１ガス噴射ホール４３１ｂを形成せず、突出ノズル４３１ａ以外の第１噴射プレート４３１部分に第１ガス噴射ホール４３１ｂを形成してもよい。
前記基板支持部４４０は、プロセスチャンバ４１０内部の下部に前記ガス噴射部４３０に対向して配置され、前記基板Ｓが支持される。
ＲＦ電源供給部４５０は、ガス噴射部４３０の第１噴射プレート４３１および第２噴射プレート４３２の少なくともいずれか１つにＲＦ電源を供給してプラズマを形成することができる。
図４に示された測定部４６０と、比較部４７０および制御部４８０の構成および動作は、図２に示された測定部２６０と、比較部２７０および制御部２８０の構成および動作と同一である。
図５は、本発明の一実施例による基板処理装置のインターロック方法の工程フロー図である。
図５に示されるように、本発明の一実施例による基板処理装置のインターロック方法は、温度測定ステップＳ５１０と、温度比較ステップＳ５２０と、インターロック信号生成ステップＳ５３０と、ＲＦ電源供給遮断ステップＳ５４０とを含んでなる。
前記温度測定ステップＳ５１０では、プロセスチャンバと、上部電極である第１電極および下部電極である第２電極を含む電極部と、基板支持部と、ＲＦ電源供給部とを含む基板処理装置において、前記第１電極の温度並びに第２電極および前記基板支持部の少なくとも１つの温度を測定することができる。この時、前記第１電極の温度は、前記第１電極に連結された熱交換器の温度に基づいて測定され、前記基板支持部の温度は、前記基板支持部に連結されたサーモカプラ（ｔｈｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅｒ）の温度に基づいて測定される。一方、前記第２電極の温度は、基板支持部の温度により間接的に測定されてもよく、温度測定手段により直接的に測定されてもよい。
前記温度比較ステップＳ５２０では、前記第１電極の温度または前記第２電極の温度をそれぞれの設定範囲と比較するか、前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度をそれぞれの設定範囲と比較することができる。この時、前記第１電極の設定範囲は、１００℃～１２０℃の範囲に設定することが好ましく、前記第２電極の設定範囲は、２００℃～２２０℃の範囲に設定することが好ましく、前記基板支持部の設定範囲は、３５０℃～３８０℃の範囲に設定することが好ましい。
前記インターロック信号生成ステップＳ５３０では、前記比較結果に応じて、前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度がそれぞれの設定範囲を外れるか、前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度がそれぞれの設定範囲を外れる場合、非常状況と認識して、前記インターロック信号を生成することができる。
前記ＲＦ電源供給遮断ステップＳ５４０では、前記インターロック信号に応じて前記基板処理装置内にＲＦ電源が供給されることを遮断して、ＲＦによる装備の損傷を防止することができる。
図６は、本発明の他の実施例による基板処理装置のインターロック方法の工程フロー図である。
図６に示されるように、本発明の他の実施例による基板処理装置のインターロック方法は、温度測定ステップＳ６１０と、温度差比較ステップＳ６２０と、インターロック信号生成ステップＳ６３０と、ＲＦ電源供給遮断ステップＳ６４０とを含んでなる。
前記温度測定ステップＳ６１０では、プロセスチャンバと、上部電極である第１電極および下部電極である第２電極を含む電極部と、基板支持部と、ＲＦ電源供給部とを含む基板処理装置において、前記第１電極の温度並びに第２電極および前記基板支持部の少なくとも１つの温度を測定することができる。この時、前記第１電極の温度は、前記第１電極に連結された熱交換器の温度に基づいて測定され、前記基板支持部の温度は、前記基板支持部に連結されたサーモカプラ（ｔｈｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅｒ）の温度に基づいて測定される。一方、前記第２電極の温度は、基板支持部の温度により間接的に測定されてもよく、温度測定手段により直接的に測定されてもよい。
前記温度差比較ステップＳ６２０では、前記第１電極の温度と前記第２電極の温度との温度差値と温度差に対する第１設定範囲とを比較するか、前記第１電極の温度と前記基板支持部の温度との温度差値と温度差に対する第２設定範囲とを比較することができる。この時、前記第１設定範囲は、８０℃～１２０℃の範囲に設定し、第２設定範囲は、２３０℃～２８０℃の範囲に設定することが好ましい。
前記インターロック信号生成ステップＳ６３０では、前記比較結果に応じて、前記第１電極の温度と前記第２電極の温度との温度差値が第１設定範囲を外れるか、前記第１電極の温度と前記基板支持部の温度との温度差値が第２設定範囲を外れる場合、非常状況と認識して、前記インターロック信号を生成することができる。
前記ＲＦ電源供給遮断ステップＳ６４０では、前記インターロック信号に応じて前記基板処理装置内にＲＦ電源が供給されることを遮断して、ＲＦによる装備の損傷を防止することができる。
図７は、本発明のさらに他の実施例による基板処理装置のインターロック方法の工程フロー図である。
図７に示されるように、本発明のさらに他の実施例による基板処理装置のインターロック方法は、電極間距離測定ステップＳ７１０と、電極間距離比較ステップＳ７２０と、インターロック信号生成ステップＳ７３０と、ＲＦ電源供給遮断ステップＳ７４０とを含んでなる。
前記電極間距離測定ステップＳ７１０では、プロセスチャンバと、上部電極である第１電極および下部電極である第２電極を含む電極部と、基板支持部と、ＲＦ電源供給部とを含む基板処理装置において、前記第１電極２３１と第２電極２３２との間の電極間距離を測定することができる。この時、前記第１電極２３１と第２電極２３２との間の電極間距離は、初期状態または工程が進行して熱膨張が完了した後の、前記第１電極２３１の突出電極２３１ａと第２電極２３２との間の最短距離を意味する。
前記電極間距離判断ステップＳ７２０では、前記第１電極２３１と第２電極２３２との間の電極間距離が設定範囲内にあるかを判断することができる。この時、前記設定範囲は、前記第１電極２３１と第２電極２３２とが接触しない状態に設定することが好ましい。
前記インターロック信号生成ステップＳ７３０では、前記第１電極２３１と第２電極２３２とが接触する場合、前記電極間距離が設定範囲を外れていると判断し、非常状況と認識して、前記インターロック信号を生成することができる。
前記ＲＦ電源供給遮断ステップＳ７４０では、前記インターロック信号に応じて前記基板処理装置内にＲＦ電源が供給されることを遮断して、ＲＦによる装備の損傷を防止することができる。
図８は、本発明のさらに他の実施例による基板処理装置のインターロック方法の工程フロー図である。
図８に示されるように、本発明のさらに他の実施例による基板処理装置のインターロック方法は、抵抗値測定ステップＳ８１０と、抵抗値比較ステップＳ８２０と、インターロック信号生成ステップＳ８３０と、ＲＦ電源供給遮断ステップＳ８４０とを含んでなる。
前記抵抗値測定ステップＳ８１０では、プロセスチャンバと、第１電極および第２電極を含む電極部と、基板支持部と、ＲＦ電源供給部とを含む基板処理装置において、抵抗測定器を用いて前記第１電極または第２電極の抵抗値を測定することができる。すなわち、ＲＦ電源が供給されない状態で抵抗測定器のプローブ（ｐｒｏｂｅ）を第１電極または第２電極に接触させて、前記第１電極または第２電極の抵抗値を測定することができる。この時測定される第１電極または第２電極の抵抗は、具体的には、第１電極または第２電極の絶縁抵抗であってもよい。
抵抗値比較ステップＳ８２０では、前記測定された第１電極または第２電極の抵抗値が設定範囲内にあるかを比較して判断することができる。この時、前記設定範囲は、１メガオーム（ＭΩ）～１０００メガオーム（ＭΩ）の範囲に設定することが好ましい。
前記インターロック信号生成ステップＳ８３０では、前記第１電極または第２電極の抵抗値が前記設定範囲を外れる場合、非常状況と認識して、前記インターロック信号を生成することができる。
前記ＲＦ電源供給遮断ステップＳ８４０では、前記インターロック信号に応じて前記基板処理装置内にＲＦ電源が供給されることを遮断して、ＲＦによる装備の損傷を防止することができる。
上述のように、本発明による基板処理装置は、第１電極並びに第２電極および基板支持部それぞれの温度と、第１電極の温度と第２電極の温度との温度差値や、第１電極の温度と基板支持部の温度との温度差値や、第１電極と第２電極との間の電極間距離および第１電極または第２電極の抵抗値が使用者それぞれの設定範囲にない非常状況でインターロック信号およびアラームを発生させて、ＲＦ電源が供給されないようにすることを特徴とする。
すなわち、上部電極と下部電極がすべて初期状態にあるか、上部電極と下部電極がすべて使用者の設定範囲内にある場合には、ＲＦ電源が供給されるように許容し、そうでない非常状況では、インターロック信号を生成させて、ＲＦ電源が電極部または基板支持部に供給されないように遮断して、ＲＦ電源によるダメージを防止して装備を保護し、基板に蒸着される薄膜の均一度を向上させることができるというメリットがある。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲がこれに限定されるものではなく、以下の特許請求の範囲で定義する本発明の基本概念に基づいてより多様な実施例で実現可能であり、これらの実施例も本発明の権利範囲に属する。

Claims (22)

  1. 基板を処理するための反応空間を提供するプロセスチャンバと、
    前記プロセスチャンバの内部に設けられて前記基板に対向する第１電極と、
    前記第１電極の下部に位置する第２電極と、
    前記第１電極または前記第２電極に対向して設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、
    前記第１電極および第２電極の少なくとも１つに１つ以上のＲＦ電源を供給するＲＦ電源供給部と、を含み、
    前記第１電極の温度または前記第２電極の温度がそれぞれの設定範囲を外れるか、前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度がそれぞれの設定範囲を外れる場合、前記ＲＦ電源の供給を中止させることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記第１電極の温度並びに前記第２電極および前記基板支持部の少なくとも１つの温度を測定する測定部と、
    前記第１電極の温度または前記第２電極の温度がそれぞれの設定範囲内にあるかを比較するか、前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度がそれぞれの設定範囲内にあるかを比較して、前記設定範囲を外れる場合、インターロック信号を生成する比較部と、
    前記インターロック信号が入力されると、前記ＲＦ電源の供給を中止させる制御部と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記比較部は、
    前記第１電極の温度または前記第２電極および前記基板支持部の少なくとも１つの温度がすべて５０℃以下の常温であるか否かを判断する第１基準と、
    前記第１電極の温度または前記第２電極の温度がそれぞれの設定範囲にあるかを判断する第２基準と、
    前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度がそれぞれの設定範囲にあるかを判断する第３基準と、に基づいて前記インターロック信号の生成の可否を決定することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記比較部は、
    前記第１基準を満足せず、
    前記第２基準乃至第３基準の少なくともいずれか１つを満足しない場合、前記インターロック信号を生成することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 基板を処理するための反応空間を提供するプロセスチャンバと、
    前記プロセスチャンバの内部に設けられて前記基板に対向する第１電極と、
    前記第１電極の下部に位置する第２電極と、
    前記第１電極または前記第２電極に対向して設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、
    前記第１電極および第２電極の少なくとも１つに１つ以上のＲＦ電源を供給するＲＦ電源供給部と、を含み、
    前記第１電極の温度と前記第２電極の温度との温度差値が第１設定範囲を外れるか、前記第１電極の温度と前記基板支持部の温度との温度差値が第２設定範囲を外れる場合、前記ＲＦ電源の供給を中止させることを特徴とする基板処理装置。
  6. 前記第１電極の温度並びに前記第２電極および前記基板支持部の少なくとも１つの温度を測定する測定部と、
    前記第１電極の温度と前記第２電極の温度との温度差値が前記第１設定範囲内にあるかを比較して、前記第１設定範囲を外れるか、前記第１電極の温度と前記基板支持部の温度との温度差値が前記第２設定範囲内にあるかを比較して、前記第２設定範囲を外れる場合、インターロック信号を生成する比較部と、
    前記インターロック信号が入力されると、前記ＲＦ電源の供給を中止させる制御部と、をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記比較部は、
    前記第１電極の温度または前記第２電極および基板支持部の少なくとも１つの温度がすべて５０℃以下の常温であるか否かを判断する第４基準と、
    前記第１電極の温度と前記第２電極の温度との温度差値が前記第１設定範囲内にあるかを判断する第５基準と、
    前記第１電極の温度と前記基板支持部の温度との温度差値が前記第２設定範囲内にあるかを判断する第６基準と、に基づいて前記インターロック信号の生成の可否を決定することを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記比較部は、
    前記第４基準を満足せず、
    前記第５基準および第６基準の少なくともいずれか１つを満足しない場合、前記インターロック信号を生成することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 基板を処理するための反応空間を提供するプロセスチャンバと、
    前記プロセスチャンバの内部に設けられて前記基板に対向する第１電極と、
    前記第１電極の下部に位置する第２電極と、
    前記第１電極または前記第２電極に対向して設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、
    前記第１電極および第２電極の少なくとも１つに１つ以上のＲＦ電源を供給するＲＦ電源供給部と、を含み、
    前記第１電極または第２電極の抵抗値が設定範囲を外れる場合、前記ＲＦ電源の供給を中止させることを特徴とする基板処理装置。
  10. 前記第１電極または第２電極の抵抗値を測定する測定部と、
    前記第１電極または第２電極の抵抗値が前記設定範囲を外れる場合、前記第１電極と前記第２電極とが短絡していると判断して、インターロック信号を生成する判断部と、
    前記インターロック信号が入力されると、前記ＲＦ電源の供給を中止させる制御部と、をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記判断部は、
    前記第１電極または第２電極の抵抗値が１メガオーム（ＭΩ）～１０００メガオーム（ＭΩ）の範囲を外れる場合、前記第１電極と前記第２電極とが短絡していると判断して、インターロック信号を生成することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 基板を処理するための反応空間を提供するプロセスチャンバと、
    前記プロセスチャンバの内部に設けられて前記基板に対向する第１電極と、
    前記第１電極の下部に位置する第２電極と、
    前記第１電極または前記第２電極に対向して設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、
    前記第１電極および第２電極の少なくとも１つに１つ以上のＲＦ電源を供給するＲＦ電源供給部と、を含み、
    前記第１電極と前記第２電極との間の電極間距離が設定範囲を外れる場合、前記ＲＦ電源の供給を中止させることを特徴とする基板処理装置。
  13. 前記電極間距離を測定する測定部と、
    前記電極間距離が前記設定範囲内にあるかを判断して、前記設定範囲を外れる場合、インターロック信号を生成する判断部と、
    前記インターロック信号が入力されると、前記ＲＦ電源の供給を中止させる制御部と、をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記判断部は、
    前記第１電極と前記第２電極とが接触した場合、前記電極間距離が前記設定範囲を外れていると判断して、前記インターロック信号を生成することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 第１電極の温度並びに第２電極および基板支持部の少なくとも１つの温度を測定する温度測定ステップと、
    前記第１電極の温度または前記第２電極の温度をそれぞれの設定範囲と比較するか、前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度をそれぞれの設定範囲と比較する温度比較ステップと、
    前記比較結果に応じてインターロック信号を生成するインターロック信号生成ステップと、
    前記インターロック信号に応じてＲＦ電源の供給を遮断するＲＦ電源供給遮断ステップと、を含むことを特徴とする基板処理装置のインターロック方法。
  16. 前記インターロック信号生成ステップは、
    前記比較結果、前記第１電極の温度または前記第２電極の温度がそれぞれの設定範囲を外れるか、前記第１電極の温度または前記基板支持部の温度がそれぞれの設定範囲を外れる場合、前記インターロック信号を生成することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置のインターロック方法。
  17. 第１電極の温度並びに第２電極および基板支持部の少なくとも１つの温度を測定する温度測定ステップと、
    前記第１電極の温度と前記第２電極の温度との温度差値が第１設定範囲内にあるかを比較するか、前記第１電極の温度と前記基板支持部の温度との温度差値が第２設定範囲内にあるかを比較する温度差比較ステップと、
    前記比較結果に応じてインターロック信号を生成するインターロック信号生成ステップと、
    前記インターロック信号に応じてＲＦ電源の供給を遮断するＲＦ電源供給遮断ステップと、を含むことを特徴とする基板処理装置のインターロック方法。
  18. 前記インターロック信号生成ステップは、
    前記比較結果、前記第１電極の温度と前記第２電極の温度との温度差値が前記第１設定範囲を外れるか、前記第１電極の温度と前記基板支持部の温度との温度差値が前記第２設定範囲を外れる場合、前記インターロック信号を生成することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置のインターロック方法。
  19. 第１電極および第２電極の間の電極間距離を測定する電極間距離測定ステップと、
    前記電極間距離が設定範囲内にあるかを判断する電極間距離判断ステップと、
    前記判断結果に応じてインターロック信号を生成するインターロック信号生成ステップと、
    前記インターロック信号に応じてＲＦ電源の供給を遮断するＲＦ電源供給遮断ステップと、を含むことを特徴とする基板処理装置のインターロック方法。
  20. 前記インターロック信号生成ステップは、
    前記第１電極と前記第２電極とが接触した場合、前記電極間距離が前記設定範囲を外れていると判断して、前記インターロック信号を生成することを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置のインターロック方法。
  21. 第１電極または第２電極の抵抗値を測定する抵抗値測定ステップと、
    前記第１電極または第２電極の抵抗値が設定範囲内にあるかを比較して判断する抵抗値比較ステップと、
    前記比較結果に応じてインターロック信号を生成するインターロック信号生成ステップと、
    前記インターロック信号に応じてＲＦ電源の供給を遮断するＲＦ電源供給遮断ステップと、を含むことを特徴とする基板処理装置のインターロック方法。
  22. 前記インターロック信号生成ステップは、
    前記比較結果、前記第１電極または第２電極の抵抗値が設定範囲を外れる場合、前記インターロック信号を生成することを特徴とする請求項２１に記載の基板処理装置のインターロック方法。
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