JP2022537701A - コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール - Google Patents
コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022537701A JP2022537701A JP2021573846A JP2021573846A JP2022537701A JP 2022537701 A JP2022537701 A JP 2022537701A JP 2021573846 A JP2021573846 A JP 2021573846A JP 2021573846 A JP2021573846 A JP 2021573846A JP 2022537701 A JP2022537701 A JP 2022537701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- module
- controller
- substrate
- pixel
- assembly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 765
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 284
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 124
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 83
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 41
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 claims description 41
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 21
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 16
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 148
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 26
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003480 inorganic solid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
ピクセルモジュールの一例は、発光体表面上に配置された発光体を有するモジュール基板と、発光体表面の反対側にあるコントローラ表面上に配置されたコントローラとを備える。少なくとも１つのモジュール電極が、コントローラに電気的に接続され、少なくとも１つのモジュール電極が、各発光体に電気的に接続される。ピクセルモジュールウェハの一例は、犠牲部分及びモジュールアンカーを備えるモジュールソースウェハを含み、各犠牲部分は、モジュールアンカーによって隣接する犠牲部分から横方向に分離され、ピクセルモジュールは、各犠牲部分の上方に完全に配置されている。少なくとも１つのモジュールテザーは、ピクセルモジュールの各々を、モジュールアンカーのうちの少なくとも１つに物理的に接続している。ピクセルモジュールディスプレイの一例は、ディスプレイ基板と、ピクセルモジュールと、ディスプレイ電極とを備える。【選択図】図１
Description
優先出願
本出願は、Ｂｏｗｅｒらによって２０１９年６月１４日に出願された米国特許出願第１６／４４２，１４２号の利益を主張するものであり、本明細書ではその全体を参照することにより組み込まれる。
本出願は、Ｂｏｗｅｒらによって２０１９年６月１４日に出願された米国特許出願第１６／４４２，１４２号の利益を主張するものであり、本明細書ではその全体を参照することにより組み込まれる。
関連出願の相互参照
Ｃｏｋらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ」と題された２０１６年１２月９日出願の米国特許第１０，１５３，２５６号、Ｂｏｗｅｒらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｆｌｉｐ－Ｃｈｉｐ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ」と題された２０１７年１１月１４日出願の米国特許第１０，２２４，２３１号、Ｃｏｋらによる「Ｓｔａｃｋｅｄ Ｐｉｘｅｌ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」と題された２０１８年１月２２日出願の米国特許出願第１５／８７６，９４９号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｔｈｏｄ」と題された２０１５年７月２３日出願の米国特許第９，３６８，６８３号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｔｈｏｄ」と題された２０１６年６月１０日出願の米国特許第１０，０７４，７６８号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｆｌｉｐ－Ｃｈｉｐ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ」と題された２０１７年１１月１４日出願の米国特許第１０，２２４，２３１号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｆｌｉｐ－Ｃｈｉｐ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ」と題された２０１８年１１月１５日出願の米国特許出願第１６／１９２，７７９号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｆｌｉｐ－Ｃｈｉｐ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ」と題された２０１８年４月３日出願の米国特許出願第１５／９４４，２２３号を参照しており、これらの各々の開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
Ｃｏｋらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ」と題された２０１６年１２月９日出願の米国特許第１０，１５３，２５６号、Ｂｏｗｅｒらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｆｌｉｐ－Ｃｈｉｐ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ」と題された２０１７年１１月１４日出願の米国特許第１０，２２４，２３１号、Ｃｏｋらによる「Ｓｔａｃｋｅｄ Ｐｉｘｅｌ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ」と題された２０１８年１月２２日出願の米国特許出願第１５／８７６，９４９号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｔｈｏｄ」と題された２０１５年７月２３日出願の米国特許第９，３６８，６８３号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｔｈｏｄ」と題された２０１６年６月１０日出願の米国特許第１０，０７４，７６８号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｆｌｉｐ－Ｃｈｉｐ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ」と題された２０１７年１１月１４日出願の米国特許第１０，２２４，２３１号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｆｌｉｐ－Ｃｈｉｐ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ」と題された２０１８年１１月１５日出願の米国特許出願第１６／１９２，７７９号、Ｍｅｉｔｌらによる「Ｍｉｃｒｏ－Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔａｂｌｅ Ｆｌｉｐ－Ｃｈｉｐ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ」と題された２０１８年４月３日出願の米国特許出願第１５／９４４，２２３号を参照しており、これらの各々の開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本開示は、概して、ディスプレイで使用するための物理ピクセル構造、及びいくつかの実施形態では、積層型無機発光体及びピクセルコントローラを有する構造に関する。
フラットパネルディスプレイは、平面ディスプレイ基板上のディスプレイ視野領域に分布するピクセルのアレイを備える。ピクセルは、ピクセルの場所を画定する基板上の行及び列ワイヤの交点とのマトリックスアドレッシングを使用して電気的に制御される。アレイ内のピクセルの行は、制御信号が順次提供され、アレイ内のピクセルの列は、データ信号が提供される。パッシブマトリックス制御は、ディスプレイ視野領域の外部の行及び列コントローラに依存して、ピクセルの行が順次光を発することを可能にし、その結果、一度に１行のピクセルのみが光を発する。アクティブマトリックス制御は、例えば、米国特許第９，１１７，９４０号に開示されているように、ストレージコンデンサ及び駆動トランジスタを備えた、各ピクセルについてディスプレイ視野領域に提供されるローカルストレージ及び制御に依存する。データは、外部列コントローラから、選択されたピクセルの行の各ピクセルに提供され、行は、行コントローラで順次選択される。各選択行のピクセルは、列ワイヤ上のデータを受信し、データをピクセル内にローカルに記憶する。データを受信して記憶すると、ピクセル制御回路、例えば、液晶（液晶ディスプレイの場合）または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤディスプレイの場合）を制御する電極を駆動するトランジスタに電力を供給することにより、ピクセル内の制御回路によって各ピクセルに表示される。無機発光ダイオードは、フラットパネルディスプレイにも使用されている。
無機発光ダイオード（ｉＬＥＤ）ディスプレイには、効率、色の純度、寿命などの多くの利点があり、今日、例えばスポーツ会場などのデジタルサイネージや大型ディスプレイに見られる。これらのディスプレイのｉＬＥＤは、例えば１ｍｍ以上の寸法で比較的大きく、例えばタイルのアレイなどのディスプレイ枠に搭載され、ディスプレイ枠の外部の回路によって制御される。したがって、比較的小さいｉＬＥＤで高解像度のｉＬＥＤディスプレイを構築することは困難である。既存のｉＬＥＤディスプレイは、特にＯＬＥＤや液晶フラットパネルディスプレイと比較して、約２５ｐｐｉのピクセルピッチを有することが多く、比較的低解像度である。
基板上に分散した高性能電子デバイスを提供するためのアプローチは、「Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ－Ｂａｓｅｄ Ａｓｓｅｍｂｌｙ」と題する米国特許第８，７２２，４５８号に記載されている。この特許は、とりわけ、発光、感光、または集光半導体素子をウェハ基板からデスティネーション基板もしくはバックプレーンに移動することを教示する。「Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｂｙ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ Ｂａｓｅｄ Ａｓｓｅｍｂｌｙ」と題する米国特許第７，９７２，８７５号は、とりわけ、接触印刷によって、印刷可能な半導体素子を基板上に組み立てることを開示している。マイクロ移動印刷（ｍｉｃｒｏ－ｔｒａｎｓｆｅｒ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）を使用した無機発光ダイオードディスプレイ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ，２０１７，ＤＯＩ＃１０．１００２／ｊｓｉｄ．６１０，１０７１－０９２２／１７／２５１０－０６１０，ｐａｇｅｓ ５８９－６０９）は、大型ディスプレイ基板に分散した高性能電子制御回路及びマイクロＬＥＤについて説明している。この論文の一例では、小さな集積回路及びマイクロＬＥＤ（デバイス）は、対応する結晶半導体ウェハのプロセス側の犠牲層、例えば、集積回路のためのシリコンウェハ及びマイクロＬＥＤのためのＧａＮまたはＧａＡｓウェハの上方に形成される。小さな集積回路及びマイクロＬＥＤは、デバイスの下に形成された犠牲層をエッチングすることによって、様々なウェハから剥離される。ＰＤＭＳスタンプは、各ウェハのプロセス側に連続して押され、デバイスはスタンプに接着する。次いで、デバイスは、接着剤でコーティングされたディスプレイ基板に押し付けられ、それによってディスプレイ基板に接着される。接着剤は、その後硬化し、電極は、フォトリソグラフィ方法及び材料を使用して形成され、デバイスは、発光ピクセルのアレイを形成するように封入される。
「Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ－Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙｓ ｗｉｔｈ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｂｌａｃｋ Ｍａｔｒｉｘ」と題する米国特許第９，８１８，７２５号は、とりわけ、統合ブラックマトリックスを備えるフラットパネルディスプレイ基板上に、マイクロトランスファー印刷された発光ダイオード及びピクセルコントローラが分布された無機発光ディスプレイについて記載している。そのようなアプローチの特定の実施形態では、光学性能が向上したＬＥＤディスプレイが提供されるが、向上した製造可能性、上昇した解像度、低減されたコスト、及びそのような向上した製造可能性と上昇した解像度を促進するピクセル構造を備えた無機ＬＥＤディスプレイが依然として必要である。
本開示は、とりわけ、発光体表面及び発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板、モジュール基板の発光体表面に配置された１つ以上の発光体、モジュール基板のコントローラ表面に配置されたコントローラ、及びモジュール電極を含むピクセルモジュールを提供する。少なくとも１つのモジュール電極は、コントローラに電気的に接続され得、少なくとも１つのモジュール電極は、１つ以上の発光体の各発光体に電気的に接続され得る。モジュール電極は、コントローラが１つ以上の発光体を制御するように動作可能であるように（例えば、１つ以上の信号など、適切な入力が提供されるとき）、コントローラを１つ以上の発光体に電気的に接続する。１つ以上のモジュール電極は、モジュール基板を通過するか、またはモジュール基板の縁の周りに巻き付くことができる。
本開示のいくつかの実施形態では、１つ以上の発光体は、赤色光を発するように動作可能な赤色発光体と、緑色光を発するように動作可能な緑色発光体と、及び青色光を発するように動作可能な青色発光体とを含む。１つ以上の発光体は、モジュール基板の発光体表面から離れた方向に光を発するように配置された１つ以上の水平無機発光ダイオードであり得る。水平無機発光ダイオードは、下側と反対側の上側を含むことができる。モジュール電極などの導体は、上側に電気的に接続することができる。水平無機発光ダイオードは、上側を通して光を発することができるか、または下側を通して光を発することができる。１つ以上の発光体は、モジュール基板の発光体表面から離れた方向に光を発するように配置された１つ以上の垂直無機発光ダイオードであり得る。
１つ以上の発光体の各発光体は、各々がモジュール電極に電気的に接続された１つ以上の発光体接続ポストを備え得る。コントローラは、モジュール電極に各々電気的に接続された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストを備え得る。１つ以上のモジュール接続ポストは、モジュール基板のコントローラ表面上に配置され得、各モジュール接続ポストは、モジュール電極に電気的に接続され得る。１つ以上のモジュール接続ポストは、モジュール基板のコントローラ表面から、コントローラの厚さよりも大きい距離で、突出し得る。距離は、コントローラの厚さの少なくとも１．１倍、少なくとも１．２倍、または少なくとも１．５倍であり得る。
本開示のいくつかの実施形態では、１つ以上のモジュール接続ポストは、モジュール基板のコントローラ表面上に配置され、各モジュール接続ポストは、モジュール電極に電気的に接続され得る。１つ以上のモジュール接続ポストは、モジュール基板の発光体表面から、１つ以上の発光体の各々の厚さよりも大きい距離で、突出し得る。距離は、１つ以上の発光体の厚さの少なくとも１．１倍、少なくとも１．２倍、または少なくとも１．５倍であり得る。
１つ以上のモジュール接続ポストは、コントローラが、１つ以上のモジュール接続ポストとモジュール基板との間に配置されるように、コントローラ上に配置され得る。コントローラ上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストのモジュール接続ポストは、モジュール電極に電気的に接続され得る。
本開示のいくつかの実施形態では、（ｉ）１つ以上の発光体の各発光体は、破断または分離された発光体テザーを備え、（ｉｉ）コントローラは、破断または分離されたコントローラテザーを備え、（ｉｉｉ）モジュール基板は、モジュールテザー（例えば、破断もしくは分離されたテザー、またはモジュールテザーが、ソースウェハのアンカー部分に物理的に接続されている）、または（ｉｖ）（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｉｉ）の任意の組み合わせである。モジュール基板は、破断または分離されたモジュールテザーを備え得る。
１つ以上の発光体の各々は、モジュール基板に非固有であり得るか、コントローラは、モジュール基板に非固有であり得るか、またはその両方である。
いくつかの実施形態では、（ｉ）誘電体は、コントローラと、コントローラに直接電気的に接続されたモジュール電極のうちの少なくとも１つの各々の少なくとも一部分との間に配置されるか、（ｉｉ）誘電体は、少なくとも１つの発光体と、少なくとも１つの発光体に直接電気的に接続されたモジュール電極のうちの少なくとも１つの各々の少なくとも一部分との間に配置されるか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である。封入層は、コントローラの上方に配置することができ、封入層は、１つ以上の発光体の上方に配置することができるか、またはその両方である。任意の１つ以上の封入層は、破断または分離されたモジュールテザーを備え得る。１つ以上のモジュール接続ポストは、任意の１つ以上の封入層を通って突出し得る。ピクセルモジュールは、任意の１つ以上の封入層、及び任意選択でモジュール基板によって完全に封入され得る。
いくつかの実施形態によれば、ピクセルモジュールは、４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さのうちの少なくとも１つを有する。
本開示のいくつかの実施形態によれば、ピクセルモジュールウェハは、犠牲部分及びモジュールアンカーを含むモジュールソースウェハを備える。各犠牲部分は、モジュールアンカーによって隣接する犠牲部分から横方向に分離され、ピクセルモジュールは、各犠牲部分の上方に完全に配置される。各ピクセルモジュールは、発光体表面及び発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板、モジュール基板の発光体表面上に配置された１つ以上の発光体、モジュール基板のコントローラ表面上に配置されたコントローラ、及びモジュール電極を備え得、少なくとも１つのモジュール電極は、コントローラに電気的に接続され、少なくとも１つのモジュール電極は、１つ以上の発光体の少なくとも１つの発光体に電気的に接続され、少なくとも１つのモジュールテザーは、ピクセルモジュールの各々をモジュールアンカーの少なくとも１つに物理的に接続している。
本開示のいくつかの実施形態によれば、ピクセルモジュールディスプレイは、ディスプレイ基板と、ディスプレイ基板上に配置された１つ以上のピクセルモジュールとを備える。１つ以上のピクセルモジュールの各々は、発光体表面及び発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板、モジュール基板の発光体表面上に配置された１つ以上の発光体、モジュール基板のコントローラ表面上に配置されたコントローラ、及びモジュール電極を備え得、少なくとも１つのモジュール電極は、コントローラに電気的に接続され、少なくとも１つのモジュール電極は、１つ以上の発光体の少なくとも１つの発光体に電気的に接続される。ディスプレイ電極は、ディスプレイ基板上に配置され、各ディスプレイ電極は、１つ以上のピクセルモジュールのモジュール電極に電気的に接続される。１つ以上のピクセルモジュールは、ディスプレイ基板に非固有であり得る。ピクセルモジュールの各々は、破断または分離されたモジュールテザーを備え得る。
いくつかの実施形態では、各ピクセルモジュールは、１つ以上のモジュール接続ポストを備え、１つ以上のモジュール接続ポストの各モジュール接続ポストは、ディスプレイ電極に電気的に接続されている。１つ以上のピクセルモジュールは、例えば、ディスプレイ基板などのターゲット基板上の規則的なアレイ内に配置された複数のピクセルモジュールであり得る。規則的なアレイは、１つまたは２つの寸法で規則的であり得る。１つ以上の発光体は、ディスプレイ基板とモジュール基板との間に配置することができる。コントローラは、ディスプレイ基板とモジュール基板との間に配置することができる。
本開示のいくつかの実施形態によれば、ピクセルモジュールを作製する方法は、（ｉ）発光体を備える発光体ソースウェハ、（ｉｉ）コントローラを備えるコントローラソースウェハ、及び（ｉｉｉ）コントローラ表面及び発光体表面を有するモジュール基板、を提供することと、（ｉ）発光体ソースウェハからモジュール基板の発光体表面に発光体を、（ｉｉ）コントローラソースウェハからモジュール基板のコントローラ表面にコントローラを、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を、移動することと、モジュール基板を通して１つ以上のビアを形成し、かつ１つ以上のビアを通してコントローラを発光体に電気的に接続するモジュール電極を形成することと、を含む。
本開示の方法は、（ｉ）発光体ソースウェハをモジュールキャリア（例えば、ピクセルモジュールのためのハンドル基板）に接着させ、発光体ソースウェハを除去することか、（ｉｉ）コントローラソースウェハをモジュールキャリアに接着させ、コントローラソースウェハを除去することか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を含み得る。コントローラソースウェハを提供することは、モジュール基板及びモジュール基板のコントローラ表面上に配置されたコントローラを提供することを含み得、この方法は、１つ以上の発光体を、発光体ソースウェハからモジュール基板の発光側に移動することを含む。発光体ソースウェハを提供することは、モジュール基板を提供することであって、１つ以上の発光体が、モジュール基板の発光体表面上に配置される、提供することと、コントローラを、コントローラソースウェハからモジュール基板のコントローラ表面上に移動することと、を含み得る。発光体を移動することが、（ｉ）発光体を発光体ソースウェハからモジュール基板の発光体表面にマイクロ移動印刷することを含み得るか、（ｉｉ）コントローラを移動することが、コントローラをコントローラソースウェハからモジュール基板のコントローラ表面にマイクロ移動印刷することを含むか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である。
本開示の方法は、ディスプレイ基板を提供し、ピクセルモジュールをディスプレイ基板に移動することを含み得る。ピクセルモジュールをディスプレイ基板に移動することは、ピクセルモジュールをモジュールキャリアからディスプレイ基板にマイクロ移動印刷することを含み得る。
本開示のいくつかの実施形態によれば、発光体アセンブリは、第１の側及び第１の側と反対側の第２の側を有する誘電体発光体アセンブリ基板と、発光体アセンブリ基板上に配置された１つ以上の発光体であって、１つ以上の発光体が、発光体アセンブリ基板に非固有である、１つ以上の発光体と、発光体アセンブリ基板の第１の側に配置された１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストと、発光体アセンブリ基板の第２の側に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、１つ以上の発光体を、１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストに、及び１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続している発光体電極と、を備える。１つ以上の発光体は、発光体アセンブリ基板の第２の側に配置され得る。発光体アセンブリ基板は、破断または分離された発光体アセンブリテザー（例えば、破断、破砕、または分離された発光体テザー、またはソース基板のアンカー部分に物理的に接続された発光体テザー）を備え得る。１つ以上の発光体は、各々マイクロＬＥＤであり得、１つ以上の発光体は、水平発光ダイオードであり得、１つ以上の発光体は、垂直発光ダイオードであり得、１つ以上の発光体の各々は、破断または分離された発光テザーを備え得る。
いくつかの実施形態では、発光体電極の個々は、発光体アセンブリ基板を通過するか、または発光体電極の個々は、各々発光体アセンブリ基板の縁の周りに巻き付いている。１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々、または１つ以上のモジュール接続ポストの各々は、多層接続ポストまたは単層接続ポストであり得る。
いくつかの実施形態では、１つ以上のモジュール接続ポストの各々、または発光体アセンブリ接続ポストの各々は、１つ以上の発光体の最も厚い厚さよりも大きい距離で、発光体アセンブリ基板から突出し得る。距離は、最も厚い厚さの少なくとも１．１倍（例えば、少なくとも１．２倍）及び３倍以下であり得る。
いくつかの実施形態では、発光体アセンブリは、モジュール基板と、モジュール基板上、またはその中に配置された１つ以上の接触パッドとを備え、１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストは、１つ以上の接触パッドのうちの１つと電気的に接続されて配置される。モジュール基板は、モジュールテザー（例えば、破断または分離されたモジュールテザー、またはソース基板のアンカー部分に物理的に接続されたモジュールテザー）を備え得る。
いくつかの実施形態では、発光体アセンブリは、１つ以上の発光体と反対側のモジュール基板の側に配置されたコントローラを備え、１つ以上の発光体は、コントローラに電気的に接続される。発光体アセンブリは、４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さのうちの少なくとも１つを有し得る。
本開示のいくつかの実施形態によれば、コントローラアセンブリは、第１の側及び第１の側と反対側の第２の側を有するコントローラアセンブリ基板と、コントローラアセンブリ基板上、またはその中に配置されたコントローラと、コントローラアセンブリ基板の第１の側に配置された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストと、コントローラアセンブリ基板の第２の側に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、コントローラを１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストに、かつ１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続しているコントローラ電極と、を備える。コントローラは、コントローラアセンブリ基板の第２の側に配置され得る。コントローラアセンブリ基板は、破断または分離されたコントローラアセンブリテザーを備え得る。コントローラアセンブリ基板は、誘電体基板または半導体基板であり得る。コントローラは、コントローラアセンブリ基板上に配置され得、アセンブリ基板に非固有であり得る。コントローラは、破断または分離されたコントローラテザーを備え得る。コントローラ電極の個々は、コントローラアセンブリ基板を通過することができるか、またはコントローラアセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付くことができる。
いくつかの実施形態では、コントローラアセンブリは、モジュール基板を含み、１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストの各々は、モジュール基板上、またはその中に配置された接触パッドと電気的に接続されて配置される。モジュール基板は、モジュールテザー（例えば、破断または分離されたテザー、またはモジュールテザーがソース基板のアンカー部分に物理的に接続されている）を備え得る。コントローラアセンブリは、コントローラと反対側のモジュール基板の側に配置された１つ以上の発光体を備え得、１つ以上の発光体は、コントローラに電気的に接続されている。コントローラアセンブリは、４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さのうちの少なくとも１つを有し得る。
いくつかの実施形態では、１つ以上のモジュール接続ポストは、コントローラが１つ以上のモジュール接続ポストとコントローラアセンブリ基板との間に配置されるように、コントローラ上に配置される。１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストまたはモジュール接続ポストの各々は、多層接続ポストまたは単層接続ポストであり得る。１つ以上のモジュール接続ポストは、コントローラアセンブリ基板から、コントローラの厚さよりも大きい距離で、突出することができ、距離は、厚さの少なくとも１．１倍（例えば、少なくとも１．２倍）、３倍以下、またはその両方であり得る。
本開示のいくつかの実施形態では、コントローラアセンブリは、コントローラアセンブリ基板と、コントローラアセンブリ基板の第１の側に配置されたコントローラと、コントローラに配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、第１の側と反対側のコントローラアセンブリ基板の第２の側に配置された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストと、コントローラアセンブリ基板上に少なくとも部分的に配置されたコントローラ電極であって、コントローラ電極が、コントローラに電気的に接続されている、コントローラ電極と、１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストと、１つ以上のモジュール接続ポストと、を備える。コントローラアセンブリ基板は、誘電体基板または半導体基板であり得、コントローラは、コントローラアセンブリ基板に非固有であり得る。コントローラは、破断または分離されたコントローラテザーを備え得る。コントローラアセンブリ基板は、破断または分離されたコントローラアセンブリテザーを備え得る。誘電体は、コントローラとコントローラ電極の各々の少なくとも一部分との間に配置され得る。コントローラ電極の個々は、コントローラアセンブリ基板を通過するか、またはコントローラアセンブリ基板の縁の周りに巻き付くことができる。
本開示のいくつかの実施形態によれば、ピクセルモジュールは、発光体表面及び発光体表面と反対側のコントローラ表面を有する誘電体モジュール基板と、モジュール基板のコントローラ表面上に配置されたコントローラアセンブリと、モジュール基板上、またはその上方に配置された１つ以上の発光体と、１つ以上の発光体をコントローラに電気的に接続しているモジュール電極と、を備える。１つ以上の発光体は、発光体アセンブリであり得る。
いくつかの実施形態では、接着層は、モジュール基板のコントローラ表面上に配置される。コントローラアセンブリの１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストは、接着層を貫通することができ、各々モジュール基板上、またはその中に配置された接触パッドに物理的に接触することができる。接着層は、コントローラアセンブリと直接接触することができる。モジュール電極の個々は、モジュール基板を通過するか、またはモジュール基板の縁の周りに巻き付くことができる。いくつかの実施形態では、本開示によるピクセルモジュールは、モジュール基板の発光体表面上に配置された接着層を備える。１つ以上の発光体の各々の１つ以上の発光体接続ポストは、１つ以上の発光体がコントローラに電気的に接続されるように、接着層を貫通することができる。接着層は、モジュール電極の個々の上方に配置することができる。
本開示のいくつかの実施形態では、１つ以上の発光体は、各々破断または分離された発光体テザーを備え、１つ以上の発光体は、水平発光ダイオードであり、１つ以上の発光体は、垂直発光ダイオードであり、または、１つ以上の発光体の各々は、１つ以上の発光体接続ポストを含み、１つ以上の発光体は、１つ以上の発光体接続ポストを通してコントローラに部分的に電気的に接続されている。
いくつかの実施形態によれば、モジュール基板は、破断または分離されたモジュールテザーを備える。発光体封入層は、１つ以上の発光体の上方に配置することができ、発光体封入層は、破損または分離されたモジュールテザーを備え得る。コントローラ封入層は、コントローラアセンブリの上方に配置することができ、１つ以上のモジュール接続ポストは、コントローラ封入層を通って突出し得る。
本開示のいくつかの実施形態では、ピクセルモジュールは、ディスプレイ基板などのターゲット基板を備える。コントローラアセンブリの１つ以上のモジュール接続ポストは、ターゲット基板上、またはその中に配置された対応する１つ以上の接触パッドと電気的に接触して配置され得る。接着層は、ターゲット基板上に配置することができ、１つ以上のモジュール接続ポストは、コントローラ及び１つ以上の発光体が、ターゲット基板上、またはその中に配置された１つ以上のモジュール電極に電気的に接続されるように、接着層を貫通し得る。ターゲット基板は、ディスプレイ基板であり得、ピクセルモジュールは、視聴者に情報（例えば、画像及び／またはテキスト）を表示するように動作可能である、ディスプレイ基板上に配置されたピクセルのアレイ内のピクセルであり得る。
本開示の実施形態によれば、ピクセルモジュールを作製する方法は、モジュールソースウェハ上、またはその中に配置されたモジュール基板上に配置されたコントローラ、モジュール電極、及びモジュール接続ポストを提供することであって、モジュール電極が、コントローラと電気的に接触している、提供することと、コントローラが、キャリアとモジュール基板との間に配置されるように、コントローラ、モジュール電極、モジュール接続ポスト、及びモジュール基板をキャリアに移動することと、モジュール基板を除去することなく、モジュールソースウェハを除去することと、モジュール基板が、コントローラと発光体との間に配置されるように、モジュール基板上に発光体を配置することであって、発光体がモジュール基板に非固有である、配置することと、ピクセルモジュールを形成するために、発光体をコントローラに電気的に接続することと、を含む。提供するステップは、モジュール基板上にコントローラを配置することであって、コントローラがモジュール基板に非固有である、配置することと、パターン化された第１の誘電体層を、コントローラ上に配置することと、モジュール電極を、パターン化された第１の誘電体層上に、かつコントローラと電気的に接触させて配置することと、モジュール接続ポストを配置することと、を含み得る。提供するステップは、モジュール接続ポストが第２の誘電体層から突出するように、モジュール電極上に第２の誘電体層を配置することをさらに含み得る。第２の誘電体層及び誘電体基板は、モジュール電極及びコントローラをともに封入し得る。本開示の方法は、移動するステップの前に、第２の誘電体層上にパターン化された犠牲剥離層を形成することを含み得、パターン化された犠牲剥離層は、１つ以上のモジュール接続ポストを覆う。パターン化された犠牲剥離層は、例えば、発光体を配置した後に、エッチングによって少なくとも部分的に除去することができる。パターン化された犠牲剥離層が少なくとも部分的に除去された後、コントローラ及び発光体が、第２の誘電体層の一部分によってキャリアに接続されたままであるように、第２の誘電体層の一部分は、モジュール基板と共通の平面内に配置され得る。本開示の方法は、ピクセルモジュールを、キャリアからターゲット基板（例えば、ディスプレイ基板）に印刷すること（例えば、マイクロ移動印刷）を含み得る。
本開示の方法は、コントローラと反対側のモジュール基板の表面上に、追加のモジュール電極を形成することを含み得る。発光体に電気的に接続された発光体接続ポストが、追加のモジュール電極と電気的に接触する状態になるように、発光体を印刷することができる。パターン化されていない接着層は、発光体を配置する前に、追加のモジュール電極及びモジュール基板上に提供することができ、パターン化後の接着層が、モジュール基板を超えて延在しないように、発光体を配置した後に、接着層をパターン化することができる。
いくつかの実施形態によれば、発光体は、破断または分離されたテザーを備えるか、もしくはコントローラは、破断または分離されたテザーを含む。
本開示の方法は、モジュール基板及び第１の封入層が、ともにコントローラを封入するように、コントローラ上、またはその上方に配置された第１の封入層を提供することと、モジュール基板及び第２の封入層が、ともに発光体を封入するように、発光体上、またはその上方に第２の封入層を配置することと、を含み得る。
コントローラは、モジュール基板の縁を通過する、またはその周りを通る１つ以上のモジュール電極によって、少なくとも部分的に発光体に電気的に接続されている。本開示の方法は、ピクセルモジュールを、キャリアからターゲット基板（例えば、ディスプレイ基板）に印刷すること（例えば、マイクロ移動印刷）を含み得る。
本開示のいくつかの実施形態によれば、１つ以上の発光体、コントローラ、または１つ以上の発光体及びコントローラの両方は、裸で、パッケージされていないダイである。
本開示のいくつかの実施形態によれば、コントローラは、コントローラ上側及びコントローラ下側を備える。コントローラ上側は、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続され得る。コントローラ下側は、モジュール基板上に配置されたモジュール基板または層と接触し得る。
本開示の特定の実施形態は、高性能かつ高解像度のディスプレイを構築するために、ディスプレイ基板への印刷に適した移動印刷可能な構成で、高性能な結晶性半導体発光体及びコントローラを組み込む、高統合モジュールのための方法、デバイス、及び構造を提供する。
本開示の前述の及び他の目的、態様、特徴、及び利点は、添付の図面と併せて以下の説明を参照することによってより明らかになり、よりよく理解されるであろう。
本開示の特徴及び利点は、図面と併せて読むと、以下に記載される詳細な説明からより明らかとり、同様の参照符号は、全体を通して対応する要素を識別する。図面において、同様の参照番号は、概して、同一の、機能的に類似した、及び／または構造的に類似した要素を示す。図面内の様々な要素のサイズの変化が大きすぎて、描写を縮尺通りとすることができないため、図面は縮尺に合わせて描かれていない。
本開示の特定の実施形態は、１つ以上の無機マイクロ発光ダイオード（マイクロｉＬＥＤ）と、１つ以上のマイクロｉＬＥＤを制御する少なくとも１つの集積回路コントローラとを含む集積ピクセルモジュールを提供する。ピクセルモジュールは、（ｉ）単一のマイクロｉＬＥＤ発光体及び単一のコントローラを有する単一のピクセル、（ｉｉ）複数のマイクロｉＬＥＤ及び、例えば赤色、緑色、及び青色光を発する単一のコントローラを有する単一のピクセル、（ｉｉｉ）共通の単一のコントローラを備え、各ピクセルが同じコントローラによって制御される複数のピクセル、または（ｉｖ）例えば各ピクセル内に１つのコントローラを備える複数のピクセルコントローラを備える複数のピクセルを含み得る。したがって、ピクセルモジュールは、１つまたは複数のピクセルを含むことができ、各ピクセルは、１つまたは複数のマイクロｉＬＥＤを含む。ピクセルモジュールの特定の例が、単一のコントローラ及び単一の発光体または複数の発光体を参照して本明細書で以下に示され、説明される場合、要素の類似した相対配置を有する複数のコントローラ及び／または複数の発光体（例えば、複数のピクセルに対応する）を有するピクセルモジュールも企図される。いくつかの実施形態では、ピクセルは、画像のピクチャ要素に対応する光を発するために他のすべてのピクセルとは別個に制御されるディスプレイ内のピクチャ要素である。複数のピクセルモジュールをディスプレイ基板に搭載し、電気的に接続してディスプレイを形成することができる。各ピクセルモジュールは、他のピクセルモジュール基板とは別個で独立し、かつディスプレイ基板とは別個で独立し、非固有である、単一のモジュール基板を備える。ピクセルモジュールは、印刷技術、例えばマイクロ移動印刷を使用して構築することができ、同様の方法、材料、及びツールを使用して、ディスプレイ基板または表面実装デバイス基板などのターゲット基板上に組み立てることができる。
本開示の特定の実施形態によるフラットパネルディスプレイは、ディスプレイ基板上に配置された薄膜回路、例えば、低温ポリシリコンまたは非晶質シリコン薄膜回路を使用するフラットパネルディスプレイと比較して、改善された性能を有する。ＣＭＯＳなどの単結晶シリコンで作製されたマイクロ移動印刷ピクセル集積回路コントローラ（ピクセル制御回路）は、ディスプレイ基板にわたってより少ないスペースでより良い性能を提供することができ、マイクロ移動印刷マイクロｉＬＥＤは、フラットパネルディスプレイにおける改善された色彩度、寿命、及び効率を提供することができる。マイクロｉＬＥＤは、大型ディスプレイで使用される従来のＬＥＤよりもはるかに小さく、したがって、より高い解像度のディスプレイを提供することができる。本開示の特定の実施形態によれば、マイクロｉＬＥＤ及びピクセルコントローラ集積回路は、様々な材料を含む、異なる、別個の、独立した、特有の基板を有し、モジュール基板の同じ領域にわたって異なる層に提供され、それにより、ディスプレイ基板上のピクセル領域を減少させ、ディスプレイ解像度の向上と動作性能の改善を容易にする。
図１～３を参照し、かつ本開示のいくつかの実施形態によれば、ピクセルモジュール９９は、モジュール発光体表面１０Ｌと、モジュール発光体表面１０Ｌと反対側のモジュール基板１０の側にモジュールコントローラ表面１０Ｃとを有するモジュール基板１０を備える。モジュール発光体表面１０Ｌは、モジュール基板１０のモジュール発光体側１０Ｌであり得、モジュールコントローラ表面１０Ｃは、モジュール基板１０のモジュールコントローラ側１０Ｃであり得る。１つ以上の発光体２０は、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ上に配置される。図１～３に示すように、１つ以上の発光体２０は、赤色光６０Ｒ、緑色光６０Ｇ、及び青色光６０Ｂをそれぞれ発する赤色発光体、緑色発光体、及び青色発光体２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂを備える。赤色発光体、緑色発光体、及び青色発光体２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂを総称して発光体２０と呼び、赤色光、緑色光、及び青色光６０Ｒ、６０Ｇ、６０Ｂを総称して光６０と呼ぶ。（本明細書における発光体２０に本明細書で言及することは、必ずしも発光体２０が赤、緑、または青の発光体２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂを備えることを意味するものではなく、本明細書において光６０に言及することは、必ずしも光６０が明確な赤、緑、または青の周波数を含むことを意味するものではないことに留意されたい。）コントローラ３０は、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃ上に配置される。コントローラ３０は、モジュール電極１８を通して、例えば１つ以上の入力信号に応答して、１つ以上の発光体２０に対して動作可能であり、制御することができる。各モジュール電極１８は、例えば電源、接地、または制御信号などの電気信号を伝導する電気導体である。少なくとも１つのモジュール電極１８は、例えば、ビア１６を通してモジュール基板１０を通過する。いくつかの実施形態では、少なくとも１つのモジュール電極１８は、（例えば、図２に示すように）モジュール基板１０の縁の周囲に巻き付いている。少なくとも１つのモジュール電極１８は、コントローラ３０に電気的に接続されている。少なくとも１つのモジュール電極１８は、１つ以上の発光体２０のうちの少なくとも１つの発光体２０に電気的に接続されている。各ピクセルモジュール９９は、他の任意のピクセルモジュール９９のモジュール基板１０、または発光体アセンブリ８０の任意の発光体アセンブリ基板５２、またはコントローラアセンブリ８２のコントローラアセンブリ基板５４（存在する場合）、それらとは特有で異なっている、別個の、異なる、離散的な、個別のモジュール基板１０を有する個別の（例えば、別個の）、離散的な、独立したモジュールであり得る。各ピクセルモジュール９９は、例えばモジュールテザー１４の少なくとも一部分を備える印刷可能なピクセルモジュール９９であり得る。
任意の数、例えば４つのモジュール電極１８は、ピクセルモジュール９９、３つの発光体２０の各々についての接地及び電力制御信号に含まれ得る。いくつかのモジュール電極１８は、コントローラ３０のみに、１つ以上の発光体２０のみに、または外部電源、接地、もしくは信号源に接続することができる。発光体２０は、図１～３に示されるように、コントローラ３０及びモジュール基板１０から離れた方向に光６０を発することができる。モジュール基板１０は、環境光を吸収し、発光体２０のコントラストを改善するために、ブラックマトリックスで少なくとも部分的にコーティングすることができる（図示せず）。例えば、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌは、モジュールコントローラ表面１０Ｃと同様に、ブラックマトリックスで少なくとも部分的にコーティングすることができる。
モジュール基板１０は、例えば、ディスプレイまたは集積回路業界に見出されるように、任意の好適な基板であり得る。いくつかの実施形態では、モジュール基板１０は、ガラス、ポリマー、サファイア、石英、またはシリコンなどの半導体であり、（例えば、図６に示し、以下で論じられるように）接着層１９でコーティングされ得るか、またはそれを含むことができる。モジュール基板１０は、表面、例えば、ウェハまたは他の基板表面に適用されるか、またはその上に配置されるか、または表面、例えば、ウェハまたは他の基板表面上に構築または形成され得る（例えば、後でターゲット基板７０に移動印刷するための）自立基板であり得る。モジュール基板１０は、複数の層、例えば、酸化物または窒化物層、シード層、及び半導体層の任意の組み合わせの複数の層を含み得る。有用な半導体層は、シリコン、結晶シリコン、及び異方的にエッチング可能なシリコンの任意の１つまたは組み合わせであり得る。本開示のいくつかの実施形態では、モジュール基板１０は、例えば、モジュール基板１０と共在する他の層または構造がない場合に、発光体２０及びコントローラ３０を支持し、ピクセルモジュール９９を印刷（例えば、マイクロ移動印刷）することを可能にするのに十分な機械的剛性、強度、及び厚さを有する。例えば、モジュール基板１０は、発光体２０またはコントローラ３０の上にコーティングされた層ではなく、発光体２０及びコントローラ３０がその上に配置される。モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ及びモジュールコントローラ表面１０Ｃは、各々実質的にまたは効果的に平面であり得、互いに実質的にまたは効果的に平行であり得、または実質的にまたは効果的に平面、かつ互いに平行であり得る。モジュール基板１０は、比較的薄い、例えば、数ミクロン（例えば、１～１００ミクロン）または比較的厚く（例えば、１００ミクロン～１ｍｍ）てもよい。
発光体２０は、フォトリソグラフィ方法及び材料を使用して、インジウム、アルミニウム、またはリンなどの好適なドーパントを有する化合物半導体ＧａＮまたはＧａＡｓなどの結晶性半導体材料で作製されたマイクロｉＬＥＤであり得、赤、緑、青、黄、またはシアンなどの様々な色の光を発することができる。発光体２０は、裸の、パッケージされていないダイを電極（例えば、モジュール電極１８）から絶縁するパターン化された絶縁誘電体構造５０を有する裸の、パッケージされていないダイであり得る。発光体２０は、比較的小さく、例えば、長さ及び／または幅が数ミクロン（例えば、１～５０ミクロン）、または、長さ及び／または幅がやや大きく（例えば、５０～５００ミクロン、または１ｍｍ）あってよく、任意選択で、比較的薄く、例えば、数ミクロンの厚さ（例えば、１～１０ミクロン）、またはやや厚く（例えば、１０～１００ミクロン）あってもよい。
コントローラ３０は、フォトリソグラフィ方法及び材料、例えば、結晶シリコンなどの半導体を使用して作製されるＣＭＯＳ回路を使用して作製される集積回路であり得る。ＧａＡｓ回路または他の化合物半導体も使用することができる。コントローラ３０は、裸の、パッケージされていないダイを電極（例えば、モジュール電極１８）から絶縁するパターン化された絶縁誘電体構造５０を有する裸の、パッケージされていないダイであり得る。コントローラ３０は、例えば、長さ及び幅のうちの少なくとも１つが１ｍｍ以下（例えば、７５０ミクロン以下、５００ミクロン以下、２５０ミクロン以下、１００ミクロン以下、５０ミクロン以下、２５ミクロン以下、１０ミクロン以下、５ミクロン以下、または２ミクロン以下）で、比較的小さくあってもよく、集積回路技術において実施されるように、任意の適切な解像度で作製することができる。コントローラ３０は、コントローラ上側３０Ｔ及び反対側にあるコントローラ下側３０Ｓを有し得る。いくつかの実施形態では、コントローラ上側３０Ｔは、（例えば、図９に示すように）電気接触パッド４０を有するか、またはそうでなければ、電極（例えば、モジュール電極１８またはモジュール電極１８に電気的に接続された電気導体）に電気的に接続され、コントローラ下側３０Ｓは、モジュール基板１０またはモジュール基板１０上に配置された層と接触する。
モジュール電極１８は、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、チタン、タンタル、スズ、または他の金属もしくは金属合金などの金属、または酸化インジウムスズなどの透明導電性酸化物を含む、例えば、フォトリソグラフィプロセスを使用してパターン化された金属層内で構成される導電性トレースまたはワイヤであり得る。モジュール電極１８は、例えば、モジュール基板１０内に形成されたビア１６を通して、モジュール基板１０を通過するか、またはその周りに巻き付くことができる。モジュール電極１８は、モジュール基板１０の表面、例えば、モジュール発光体表面１０Ｌ及びモジュールコントローラ表面１０Ｃ、ならびにモジュール基板１０上に配置された発光体２０またはコントローラ３０（パターン化された誘電体５０を有する半導体材料または能動素子から適切に絶縁されたとき）または他の層（例えば、誘電体または硬化接着層１９）上に少なくとも部分的に配置され得る。したがって、モジュール電極１８は、コントローラ３０が、制御、電力、または接地信号で発光体２０を制御できるように、コントローラ３０を１つ以上の発光体２０に電気的に接続することができる。モジュール電極１８はまた、外部コントローラ、ならびに電力及び接地信号をピクセルモジュール９９内の１つ以上の要素に接続することができる。１つのモジュール電極１８は、複数の発光体２０を共通に電気的に接続して、例えば、電力または接地信号接続を提供することができ、または各発光体２０に個別に接続して、対応する発光体２０に個別の制御信号を提供することができる。
図１を参照すると、発光体アセンブリ８０は、発光体２０、任意の発光体電気接触パッド４０、発光体回路、または発光体電極２８（図１には図示せず、以下でさらに論じられる図８を参照）、及び発光体２０に電気的に接続されたモジュール電極１８の一部分を備える。コントローラアセンブリ８２は、コントローラ３０、任意のコントローラ電気接触パッド４０、コントローラ回路、またはコントローラ電極３８（図１には図示せず、以下で論じられる図１０Ａ～１０Ｃを参照）、及び発光体２０に電気的に接続されたモジュール電極１８の一部分を備える。ピクセルモジュール９９は、（例えば、破断または分離されていてもよい）モジュールテザー１４を備えることができ、またモジュール接続ポスト１２を備えることができ、図１、２、及び３に示される異なるモジュール接続ポスト１２の実施形態を参照して以下でさらに説明される。
図４Ａ～４Ｃを参照すると、発光体アセンブリ８０は、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ上の発光体領域２０Ａ内、例えば、赤色発光体、緑色発光体、及び青色発光体２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂなどのすべての発光体２０を含む領域または凸状のハル内に配置され得る。コントローラアセンブリ８２は、例えば、コントローラ３０を含む領域または凸状のハル内の、発光体表面１０Ｌと反対側のモジュールコントローラ表面１０Ｃ（示されていない）上のコントローラ領域３０Ａ内に配置され得る。発光部領域２０Ａは、モジュール基板１０の表面に直交する垂直方向から見るとき、モジュール基板１０上のコントローラ領域３０Ａと重なり得る（ただし、発光体２０がモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ上にあり、コントローラ３０がモジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃ上にあるため、発光体領域２０Ａは、モジュール発光体表面１０Ｌまたはモジュールコントローラ表面１０Ｃに直交する方向でコントローラ領域３０Ａに対して垂直に変位する）。いくつかの実施形態では、発光体領域２０Ａは、コントローラ領域３０Ａ以下であり、（図４Ａに図示するように）その中に完全に配置される。いくつかの実施形態では、コントローラ領域３０Ａは、発光体領域２０Ａ以下であり、その中に完全に配置される。いくつかの実施形態では、コントローラ領域３０Ａ及び発光体領域２０Ａは重複するが、どちらも完全に他方の領域内ではない。（本明細書で意図されるように、領域は、共通の縁を有する場合、別の領域内に存在し得る。例えば、発光体領域２０Ａがコントローラ領域３０Ａと同じサイズであり、それと整合している場合、発光体領域２０Ａはコントローラ領域３０Ａ内にあり、その逆もまた同様である。）したがって、本開示のいくつかの実施形態では、発光体２０は、コントローラ３０上に垂直に積み重ねられ、ディスプレイ基板７０上に配置可能なピクセルの数を増加させ、ピクセルモジュール９９で構築されたディスプレイの潜在的な解像度を改善するため、ピクセルは、ディスプレイ基板上のより小さい領域（例えば、以下で論じられる図１２Ａのディスプレイ基板７０）を有する。
図５～８は、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ上に配置された、本開示の特定の実施形態による発光体アセンブリ８０を示す。モジュール電極１８は、発光体２０に電気を伝導する。マイクロｉＬＥＤ発光体２０は、モジュール電極１８に電気的に接続された２つの伝導層２１（例えば、ｎ－ドープ電子伝導層及びｐ－ドープホール伝導層）と、モジュール電極１８を通して提供される電流に応答して光６０が発せられる２つの伝導層２１の間に配置された発光層２３とを含み得る。モジュール電極１８は、反射性で、例えば、金属または金属合金で作製されてもよく、または部分的または実質的に透明で、例えば、導電性酸化物で作製されてもよい。光６０は、発光体上側２０Ｔ、または発光体上側２０Ｔと反対側の発光体下側２０Ｓのいずれかから発することができ、それらが少なくとも部分的に透明である場合、モジュール電極１８を通して発することができる。
図５を参照すると、発光体２０は、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌに隣接する、またはそれと接触する、発光体下側２０Ｓと反対側の発光体２０の同じ発光体上側２０Ｔ上に、離間された電気接点（例えば、接触パッド４０）を有する水平発光体２０である。モジュール電極１８、またはモジュール電極１８（例えば、図８に示される発光体電極２８）に電気的に接続された導体は、発光体上側２０Ｔに電気的に接続され得る。一方の伝導層２１は、他方の伝導層２１を超えてカンチレバー構造内に延在し、発光体２０の発光体上側２０Ｔ上に電気接点を提供する。発光層２３上のモジュール電極１８が、濃淡をつけて図５に示されるように、効果的に透明である場合、発光体上側２０Ｔから光６０を発することができる。図６を参照すると、発光体上側２０Ｔは、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌと接触しているか、またはそれに隣接しており、発光体２０の発光体下側２０Ｓを通して光が発せられる。本開示では、図６に示されるようなモジュール基板１０に対する発光体２０の配向は倒置構成と呼ばれるが、図５はモジュール基板１０に対する発光体２０の非倒置構成を示す。いくつかの実施形態では、発光体２０は、倒置水平構成であり、少なくともいくつかのモジュール電極１８は、不透明で反射性である。いくつかの実施形態では、以下でさらに論じられるように、発光体２０は水平構成であり、１つ以上の発光体接続ポスト２６は、（例えば、図６に示すように）ピクセルモジュール９９の発光体アセンブリ８０内の発光体２０を電気的に接続するために使用される。
発光体２０の反対側に提供される電気接点を有する垂直マイクロｉＬＥＤ発光体２０を、図７に示す。典型的には、モジュール電極１８のうちの一方、例えば、発光体上側２０Ｔ上のモジュール電極１８は、効果的に透明であり、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌに隣接する発光体下側２０Ｓ上の他方は、不透明で反射性であり得るので、モジュール基板１０及びコントローラ３０から離れた方向に発光体２０から光６０が効率的に発せられる。
モジュール基板１０上に配置（例えば、構築または印刷）されるとき、発光体２０及びコントローラ３０などの構成要素は、フォトリソグラフィ法で配置されパターン化されたモジュール電極１８を使用して（例えば、外部制御デバイスまたは電源に）電気的に接続され得る。図１、２、３、及び５に示されるように、フォトリソグラフィ法で画定されたモジュール電極１８は、モジュール発光体表面１０Ｌから、パターン化された誘電体構造５０の上方で発光体２０上に延在する。モジュール電極１８は、引用図の異なるモジュール電極の濃淡で示されるように、金属または金属合金、透明な導電性酸化物、または組み合わせなどの不透明な材料を含むことができる。
いくつかの実施形態では、図６を参照すると、発光体２０への電気接続は、発光体２０から（例えば、図示されていない発光体接触パッドから）モジュール電極１８に延在する１つ以上の発光体接続ポスト２６を通して行われる。このような構成は、例えば、発光体上側２０Ｔがモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌに隣接しているときに有用である（倒置構成）。モジュール発光体表面１０Ｌに隣接する発光体上側２０Ａから延在する発光体接続ポスト２２は、発光体２０によって発せられる光６０がモジュール電極１８または発光体接触パッドを通過することを必要とせずに、発光体２０が発光体下側２０Ｓを通して光を発することを可能にし、それによって、発光効率が向上する可能性がある。共通の発光体２０上に配置された発光体接続ポスト２６は、（例えば、図６に示されるように）異なる長さまたはサイズを有することができる。例えば、異なる長さまたはサイズを有する発光体接続ポスト２６は、異なる層にある水平発光ダイオード上の電気接点を収容するために使用され得る。いくつかのそのような実施形態では、発光体接続ポスト２６は、発光体下側２０Ｓがモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌに対してほぼ平行で、発光の方向がモジュール発光体表面１０Ｌに対してより直交するように、発光体２０を配向することができ、それによって、そのような発光体２０のアレイに対する発光の均一性が改善される。発光体接続ポスト２６（または以下でさらに説明されるモジュール接続ポスト１２、コントローラアセンブリ接続ポスト３２、または発光体アセンブリ接続ポスト２２）は、フォトリソグラフィプロセスを使用して構築することができ、実施例は、上記で参照される米国特許出願第１５／８７６，９４９号、米国特許第１０，１５３，２５６号、及び米国特許第１０，２２４，２３１号に記載されており、これらの各々の開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本開示のいくつかの実施形態によれば、発光体アセンブリ接続ポスト２２は、発光体２０をモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ上に印刷する（例えば、スタンプ９０を用いたマイクロ移動印刷、例えば、以下で論じられる図１１Ｃを参照）ことによって、電気接続を形成することを可能にするという利点を有し、したがって、パターン化された誘電体構造５０の上方に延在するモジュール電極１８を発光体２０上にフォトリソグラフィ法で構築する必要性が排除される。図８を参照すると、本開示のいくつかの実施形態によれば、発光体アセンブリ８０は、（誘電体層５０を含む）発光体アセンブリ基板５２の一方の側から延在する発光体アセンブリ接続ポスト２２を含み、発光体２０は、誘電体層５０の反対側に配置される。発光体２０は、固有の発光源ウェハ２５（例えば、以下に論じられる図１１Ａを参照）から誘電体層５０に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）することによって、発光体アセンブリ基板５２（誘電体層５０）上に配置することができ、それによって、発光体テザー２４が破断（例えば、破砕）または分離される。発光体２０のための接触パッド４０に電気的に接続された発光体電極２８は、誘電体５０内のビア１６を介して、発光体アセンブリ接続ポスト２２に電気的に接続される。発光体アセンブリ接続ポスト２２は、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ上の接触パッド４０と、かつモジュール電極１８に対して直接接触するか、貫通するか、またはそうでなければ電気的接続を形成する。発光体アセンブリ８０は、ソースウェハの犠牲部分８４（例えば、図１１Ａ～１１Ｃを参照）内のピラミッド状のくぼみをフォトリソグラフィ法でエッチングし、くぼみを金属でパターン化して発光体アセンブリ接続ポスト２２を形成し、誘電体層５０内にビア１６を形成し、誘電体層５０（または誘電体層５０上の接着層、図示せず）上に発光体２０を移動印刷（例えば、マイクロ移動印刷）し、発光体アセンブリ接続ポスト２２を発光体２０の接触パッド４０と電気的に接続するように、発光体電極２８を形成することによって構築することができる。発光体アセンブリ８０は、モジュール基板１０に印刷、例えば、マイクロ移動印刷）され、それによって、発光体アセンブリテザー２４Ａを破断（例えば、破砕）または分離することができる。
したがって、本開示のいくつかの実施形態は、第１の側と、第１の側と反対側の第２の側とを有する誘電体発光体アセンブリ基板５２と、発光体アセンブリ基板５２上に配置された１つ以上の発光体２０とを含む発光体アセンブリ８０とを備える。１つ以上の発光体２０は、発光体アセンブリ基板５２に非固有であり得る。１つ以上の発光体アセンブリ接続ポスト２２は、発光体アセンブリ基板５２の第１の側上に配置され得、１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、発光体アセンブリ基板５２の第２の側上に配置され得る。発光体アセンブリ８０は、発光体アセンブリテザー２４Ａ（例えば、モジュール基板１０への移動印刷時に破断または分離される）を備え得、発光体２０は、発光体テザー２４を備え得る。発光体電極２８は、１つ以上の発光体２０を１つ以上の発光体アセンブリ接続ポスト２２及び１つ以上のモジュール接続ポスト１２に電気的に接続する。１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、その後、発光体アセンブリ８０が一部であるピクセルモジュール９９を、ターゲット基板２２に電気的に接続するために使用される。１つ以上の発光体電極２８は、例えば、ビア１６を通って、発光体アセンブリ基板５２を通過することができるか、または発光体アセンブリ基板５２の縁の周りに巻き付くことができる。発光体アセンブリ接続ポスト２２及びモジュール接続ポスト１２は、（例えば、導体材料を構築することによって形成される）単層接続ポスト、または（例えば、発光体アセンブリ基板５２と同じ材料で作製された誘電体内層上に配置された導電性外層を備える）多層接続ポストであり得る。発光体アセンブリ８０の１つ以上のモジュール接続ポスト１２の各々、または発光体アセンブリ接続ポスト２２の各々は、１つ以上の発光体２０の最も厚い厚さよりも大きい距離で、発光体アセンブリ基板５２から突出することができ、これにより、発光体アセンブリ８０をターゲット基板に印刷することができ、接続ポストはターゲット基板と電気的に接触することができる。距離は、最も厚い厚さの少なくとも１．１倍、及び任意選択で３倍以下であり得る。いくつかの実施形態では、発光体アセンブリ８０は、モジュール基板１０上、またはその中に配置された１つ以上の接触パッド４０を有するモジュール基板１０を備え、１つ以上の発光体アセンブリ接続ポスト２２の各々は、１つ以上の接触パッド４０の１つと電気的に接続して配置される。モジュール基板１０は、モジュールテザー１４（例えば、破断または分離されたモジュールテザー１４、またはソース基板のモジュールアンカー１７に物理的に接続されたモジュールテザー１４）を備え得る。いくつかの実施形態では、発光体アセンブリ８０は、１つ以上の発光体２０と反対側のモジュール基板１０の側に配置されたコントローラ３０を備え、１つ以上の発光体２０は、コントローラ３０に電気的に接続される。発光体アセンブリ８０は、４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さ、ならびに１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さのうちの少なくとも１つを有することができる。
図９及び１０Ａ～１０Ｂは、コントローラアセンブリ８２の特定の実施形態を示す。図９を参照すると、コントローラ３０は、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃ上に配置される（例えば、構築または印刷される）。モジュール電極１８は、誘電体構造５０を有するコントローラ３０から絶縁され、コントローラ３０の接触パッド４０に電気的に接続され、ビア１６内で、モジュール電極１８は、コントローラ３０がモジュール基板１０上に配置され、モジュール接続ポスト１２（以下でさらに論じられる）がコントローラ３０上、またはその上方に形成された後に、フォトリソグラフィ法でパターン化される。
図１０Ａ及び１０Ｂは、コントローラ３０がコントローラアセンブリ接続ポスト３２（図８の発光体アセンブリ接続ポスト２２と同様）と電気的に接続され、それにより、コントローラ３０がモジュール基板１０上に配置された後のさらなるフォトリソグラフィパターニングの必要性が排除される、特定の実施形態を示す。図１０Ａを参照すると、本開示のいくつかの実施形態によれば、コントローラアセンブリ８２は、コントローラ３０が配置される側と反対側の誘電体層５０の側から延在するコントローラアセンブリ接続ポスト３２を含む。コントローラ３０用の接触パッド４０に電気的に接続されたコントローラ電極３８は、誘電体５０内のビア１６を通して、コントローラアセンブリ接続ポスト３２に電気的に接続される。コントローラアセンブリ接続ポスト３２は、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃ上の接触パッド４０と、かつモジュール電極１８に対して直接接触するか、貫通するか、またはそうでなければ電気的接続を形成する。コントローラアセンブリ８２は、ソースウェハの犠牲部分８４内のピラミッド状のくぼみをフォトリソグラフィ法でエッチングし、くぼみを金属でパターン化してコントローラアセンブリ接続ポスト３２を形成し、誘電体層５０内にビア１６を形成し、誘電体層５０（または誘電体層５０上の接着層１９、図示せず）上に発光体２０を移動印刷（例えば、マイクロ移動印刷）し、コントローラアセンブリ接続ポスト３２をコントローラ３０の接触パッド４０と電気的に接続するように、コントローラ電極３８を形成することによって構築することができる。モジュール接続ポスト１２は、誘電体層５０上、またはその上方に配置され、誘電体層５０から離れて延在する。
したがって、本開示のいくつかの実施形態は、第１の側及び第１の側と反対側の第２の側を有するコントローラアセンブリ基板５４と、コントローラアセンブリ基板５４上に配置されたコントローラ３０とを含むコントローラアセンブリ８２を備える。コントローラアセンブリ基板５４は、誘電体基板または半導体基板であり得る。コントローラ３０は、例えば、コントローラアセンブリ基板５４上に構築、またはコントローラアセンブリ基板５４に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）され得る。したがって、いくつかの実施形態では、コントローラ３０は、コントローラアセンブリ基板５４に非固有であり得る。コントローラ３０は、例えば、コントローラアセンブリ基板５４が半導体基板である場合、または誘電体コントローラアセンブリ基板５４上に配置され得る場合、コントローラアセンブリ基板５４内に形成され得る。１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポスト３２は、コントローラアセンブリ基板５４の第１の側に配置され得、１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、コントローラアセンブリ基板５４の第２の側に配置され得る。コントローラ電極３８は、コントローラ３０を１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポスト３２に、かつ１つ以上のモジュール接続ポスト１２に電気的に接続する。コントローラ電極３８のうちの１つ以上は、例えば、ビア１６を通って、コントローラアセンブリ基板５４を通過することができ、またはコントローラアセンブリ基板５４の縁に巻き付くことができる。コントローラアセンブリ接続ポスト３２及びモジュール接続ポスト１２は、（例えば、導体材料を構築することによって形成される）単層接続ポスト、または（例えば、コントローラアセンブリ基板５４と同じ材料で作製された誘電体内層上に配置された導電性外層を備える）多層接続ポストであり得る。コントローラアセンブリ８２の１つ以上のモジュール接続ポスト１２の各々、またはコントローラアセンブリ接続ポスト３２の各々は、コントローラアセンブリ基板５４から、コントローラ３０の最も厚い厚さよりも大きい距離で、突出することができ、これにより、コントローラアセンブリ８２をターゲット基板に印刷することができ、接続ポストはターゲット基板に接触することができる。距離は、最も厚い厚さの少なくとも１．１倍、及び任意選択で３倍以下であり得る。いくつかの実施形態では、コントローラアセンブリ８２は、モジュール基板１０上、またはその中に配置された１つ以上の接触パッド４０を有するモジュール基板１０を備え、１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポスト３２の各々は、１つ以上の接触パッド４０の１つと電気的に接続して配置される。モジュール基板１０は、モジュールテザー１４（例えば、破断または分離されたモジュールテザー１４、またはソース基板のモジュールアンカー１７に物理的に接続されたモジュールテザー１４）を備え得る。いくつかの実施形態では、コントローラアセンブリ８２は、コントローラ３０と反対側のモジュール基板１０の側に配置された１つ以上の発光体２０を備え、１つ以上の発光体２０は、コントローラ３０に電気的に接続される。コントローラアセンブリ８２は、４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さ、ならびに１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さのうちの少なくとも１つを有することができる。
図９に示されるモジュール接続ポスト１２の構成は、図１０Ｂに示されるように、図１０Ａのコントローラアセンブリ８２に適用することもできる。したがって、本開示のいくつかの実施形態は、コントローラアセンブリ基板５４と、コントローラアセンブリ基板５４の第１の側に配置されたコントローラ３０とを含むコントローラアセンブリ８２を備える。１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、コントローラ３０が１つ以上のモジュール接続ポスト１２とコントローラアセンブリ基板５４との間にあるように、コントローラ３０上に配置される。１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポスト３２は、第１の側と反対側のコントローラアセンブリ基板５４の第２の側に配置される。コントローラ電極３８は、コントローラアセンブリ基板５４上に少なくとも部分的に配置され、コントローラ３０、１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポスト３２、及び１つ以上のモジュール接続ポスト１２に電気的に接続される。コントローラアセンブリ基板５４は、例えば、誘電体基板または半導体基板であり得る。コントローラ３０は、コントローラアセンブリ基板５４に非固有であり得る。コントローラ３０は、破断または分離されたコントローラテザー３４を備え得る。コントローラアセンブリ基板５４は、破断または分離されたコントローラアセンブリテザー３４Ａを備え得る。誘電体層または構造は、（例えば、短絡を防止するために）コントローラ３０とコントローラ電極３８の各々の少なくとも一部分との間に配置され得る。いくつかの実施形態では、コントローラ電極３８のうちの１つ以上は、コントローラアセンブリ基板５４を通過するか、またはコントローラ電極３８のうちの１つ以上は、各々コントローラアセンブリ基板５４の縁に巻き付く。
図８及び１０Ａまたは１０Ｂによるアセンブリは、例えば、図１０Ｃに示されるように、ピクセルモジュール９９に組み合わせることができ、発光体アセンブリ８０は、図８に示され、コントローラアセンブリ８２は、図１０Ａまたは１０Ｂのいずれかに示される。いくつかの実施形態では、図９によるコントローラアセンブリ８２は、図８による（図１２Ｋを参照して以下でさらに論じられるように）発光体アセンブリ８０と組み合わせて使用される。図１０Ｃに示されるように、本開示のいくつかの実施形態によれば、ピクセルモジュール９９は、モジュール発光体表面１０Ｌと、モジュール発光体表面１０Ｌと反対側のモジュールコントローラ表面１０Ｃとを有する誘電体モジュール基板１０を備える。コントローラアセンブリ８２は、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃ上に配置される。コントローラアセンブリ８２は、本明細書に記載されるコントローラアセンブリ８２のいずれであってもよい。１つ以上の発光体２０は、モジュール基板１０上、またはその上方、例えばモジュール発光体表面１０Ｌ上に配置され、モジュール電極１８は、１つ以上の発光体２０をコントローラ３０に電気的に接続する。本開示のいくつかの実施形態では、１つ以上の発光体２０は、本明細書に記載される発光体アセンブリ８０のいずれかであり得る発光体アセンブリ８０である。
モジュール接続ポスト１２は、図１０Ｃの実施形態では、コントローラ３０から突出しているように示されているが、同様の実施形態では、コントローラアセンブリ基板５４から、または反対方向に、発光体アセンブリ基板５２から突出し得る。これらの代替モジュール接続ポスト１２は、例示的に、破線輪郭を有する明るい陰影で示されている。これらの実施形態のうちの任意の１つは、本開示のピクセルモジュール９９に採用することができる。同様に、発光体２０は、（例えば、図５のように）非倒置水平発光体２０として示されているが、（例えば、図６のように）倒置発光体２０、または（例えば、図７のように）垂直発光体２０であってもよい。（例えば、モジュール電極１８、アセンブリ基板５２、５４、またはモジュール基板１０のための）材料の特定の選択、ならびに（例えば、コントローラ３０、発光体２０、またはモジュール接続ポスト１２の）要素の向き及び位置は、相互に依存し得、ピクセルモジュール９９が使用される特定の用途に応じて変化し得ることが企図される。例えば、モジュール接続ポスト１２及び材料の特定の配向位置は、ピクセルモジュール９９からどの方向に光が発せられるかに基づいて選択され得る。
いくつかの実施形態では、ピクセルモジュール９９は、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃ上に配置された接着層（例えば、明確にするために図１０Ｃに示されていない接着層１９）を備える。いくつかの実施形態では、コントローラアセンブリ８２の１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポスト３２は、接着層１９を貫通し、各々モジュール基板１０上、またはその中に配置された接触パッド４０に物理的に接触する。接着層１９は、コントローラアセンブリ８２と直接接触することができる。いくつかの実施形態では、発光体アセンブリ８０の１つ以上の発光体アセンブリ接続ポスト２２は、接着層１９を貫通し、各々モジュール基板１０上、またはその中に配置された接触パッド４０に物理的に接触する。接着層１９は、発光体アセンブリ８０と直接接触することができる。図１０Ｃから理解することができるように、接着層１９は、コントローラアセンブリ８２及び発光体アセンブリ８０の物理的接着性をそれぞれ改善するために、モジュール基板１０のコントローラ表面１０Ｃ及び発光体表面１０Ｌの両方に提供され得る。いくつかの実施形態では、ピクセルモジュール９９は、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ上に配置された接着層（例えば、明確にするために図１０Ｃに示されていない接着層１９）備え、１つ以上の発光体２０の各々の１つ以上の発光体アセンブリ接続ポスト２２は、１つ以上の発光体２０がコントローラ３０に電気的に接続されるように、接着層１９を貫通している。接着層１９は、少なくとも部分的に、１つ以上のモジュール電極１８上、またはその上方に配置することができる。
いくつかの実施形態では、モジュール電極１８の個々は、モジュール基板１０を通過するか、またはモジュール基板１０の縁の周りに巻き付く。本開示のいくつかの実施形態では、１つ以上の発光体２０は、各々破断または分離された発光体テザー２４を備え得、１つ以上の発光体２０は、水平発光ダイオードであるか、または１つ以上の発光体２０は、垂直発光ダイオードである。１つ以上の発光体２０の各々は、１つ以上の発光体接続ポスト２６を備え得、１つ以上の発光体２０は、１つ以上の発光体接続ポスト２６を通して部分的にコントローラ３０に電気的に接続することができる。
本開示のいくつかの実施形態では、モジュール基板１０は、破断または分離されたモジュールテザー１４を備える。（図１０Ｃには示されていないが、例えば、図１６Ｌ及び図１６Ｍに示されている）発光体封入層２９は、１つ以上の発光体２０の上方に配置され得、破断または分離されたモジュールテザー１４を備え得る。同様に、ピクセルモジュール９９は、コントローラアセンブリ８２の上方に配置されたコントローラ封入層３９を備え得、１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、（例えば、図１６Ｌ及び１６Ｍに示すように）コントローラ封入層３９を通って突出し得る。いくつかの実施形態では、１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、発光体封入層２９を通って突出している。ピクセルモジュール９９は、ターゲット基板７０（図１０Ｃには示されず、例えば、以下で論じられる図１２Ａ～１２Ｋを参照）を備え得、コントローラアセンブリ８２の１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、ターゲット基板７０上に、またはその中に配置された対応する１つ以上の接触パッド４０と電気的に接触して配置される。接着層１９（図１０Ｃには示されていない）は、ターゲット基板７０上に配置することができ、１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、コントローラ３０及び１つ以上の発光体２０がターゲット基板７０上、またはその中に配置された１つ以上のモジュール電極１８に電気的に接続されるように、接着層１９を貫通することができる。ターゲット基板７０は、ディスプレイ基板７０であり得、ピクセルモジュール９９は、視聴者に情報（例えば、画像及び／またはテキスト）を表示するように動作可能であるディスプレイ基板７０上に配置されたピクセルのアレイ内のピクセルであり得る。
発光体２０またはコントローラ（複数可）３０のいずれか、またはその両方は、モジュール基板１０上に形成または配置され得る。発光体２０は、ＧａＮまたはＧａＡｓなどの化合物半導体基板上で有利に作製されるマイクロｉＬＥＤを備え得る。対照的に、コントローラ３０は、典型的には（必ずしもそうではないが）結晶シリコンで形成される。したがって、ピクセルモジュール９９のいくつかの実施形態は、モジュール基板１０の反対側に配置された、異なる材料で作製された構成要素を含む、望ましくは不均一なモジュールである。本開示のいくつかの実施形態によれば、ピクセルモジュール９９は、したがって、異なる構成要素ソースウェハからモジュール基板１０に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）された構成要素を使用して構築される。
図１１Ａを参照すると、発光体２０、例えば、マイクロｉＬＥＤは、発光体ソースウェハ２５（例えば、化合物半導体ソースウェハ）上に形成され、発光体封入層２９とともに封入され得る。封入層２９は、誘電体層であり得る。発光体２０の下の発光体ソースウェハ２５の犠牲部分８４は、発光体２０が発光体テザー２４によって隙間８４の上方に懸架されるように、隙間８４を形成するようにエッチングされる。発光体テザー２４は、発光体アンカー２７に発光体２０を取り付け、発光体２０を発光体ソースウェハ２５上の所定の位置に保持する。印刷デバイス、例えば、１つ以上のスタンプポスト９２を有するスタンプ９０は、（発光体封入層２９を含む）発光体２０に接触し、発光体２０をスタンプポスト９２に接着し、発光体ソースウェハ２５から離れるので、破砕ライン１１で発光体テザー２４が破砕され、発光体ソースウェハ２５から発光体２０を除去し、破断（例えば、破砕）または分離された発光体テザー２４が作製される。次いで、スタンプ９０はモジュール基板１０に移動し、発光体２０は、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌに押し付けられ、発光体２０をモジュール基板１０に（またはモジュール基板１０上に配置された、またはその一部である接着層１９に）接着する。複数の発光体２０は、例えば、複数のスタンプポスト９２を有するスタンプ９０を使用して、１回の操作で、発光体ソースウェハ２５から印刷（例えば、マイクロ移動印刷）することができる。
同様に、図１１Ｂに関して、コントローラ３０、例えば、結晶シリコンで形成されたＣＭＯＳ回路は、コントローラソースウェハ３５上に形成され、コントローラ封入層３９とともに封入することができる。封入層３９は、誘電体層であり得る。コントローラ３０の下のコントローラソースウェハ３５の犠牲部分８４は、コントローラ３０がコントローラテザー３４によって隙間８４の上方に懸架されるように、隙間８４を形成するようにエッチングされる。コントローラテザー３４は、コントローラ３０をコントローラアンカー３７に取り付け、コントローラ３０をコントローラソースウェハ３５の上方の位置に保持する。印刷デバイス、例えば、スタンプポスト９２を有するスタンプ９０は、（コントローラ封入層３９を含む）コントローラ３０に接触し、コントローラ３０をスタンプポスト９２に接着し、発光体ソースウェハ２５から離れるので、破砕ライン１１でコントローラテザー３４が破砕され、コントローラソースウェハ３５からコントローラ３０を除去し、破断（例えば、破砕）または分離されたコントローラテザー３４が作製される。次いで、スタンプ９０はモジュール基板１０に移動し、コントローラ３０は、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃに押し付けられ、コントローラ３０をモジュール基板１０に（またはモジュール基板１０上に配置された、またはその一部である接着層１９に）接着する。複数のコントローラ３０は、例えば、複数のスタンプポスト９２を有するスタンプ９０を使用して、１回の操作で、コントローラソースウェハ３５から印刷（例えば、マイクロ移動印刷）することができる。
発光体２０またはコントローラ３０のいずれか、またはその両方がモジュール基板１０に印刷され得るように、ピクセルモジュール９９はまた、例えば、ターゲット基板７０、例えば、ディスプレイ基板７０に印刷され、例えば、マイクロ移動印刷され得る。図１１Ｃに示されるように、ピクセルモジュールウェハ９７は、複数のピクセルモジュール９９を備え得るモジュールソースウェハ１５を備え、各ピクセルモジュール９９は、モジュールソースウェハ１５内の犠牲部分８４または隙間８４の上方に配置され、各犠牲部分８４がモジュールアンカー１７によって隣接する犠牲部分から横方向に分離されるように、モジュールテザー１４とともにモジュールアンカー１７（モジュールソースウェハ１５のアンカー部分）に物理的に接続される。図１１Ａ及び１１Ｂのように、封入層（図示せず）を提供することができるが、必ずしも必要ではない。印刷デバイス、例えば、スタンプポスト９２を有するスタンプ９０は、ピクセルモジュール９９に接触し、ピクセルモジュール９９をスタンプポスト９２に接着し、モジュールソースウェハ１５から離れるので、破砕ライン１１でモジュールテザー１４が破砕され、モジュールソースウェハ１５からピクセルモジュール９９を除去し、破断（例えば、破砕）または分離されたモジュールテザー１４が作製される。いくつかの実施形態では、モジュールテザー１４は、印刷中に、破砕される代わりに分離される。次いで、スタンプ９０は、（以下でさらに論じられる）ディスプレイ基板７０または表面実装デバイス基板などのターゲット基板７０に移動し、ピクセルモジュール９９は、ターゲット基板（またはターゲット基板上に配置された、またはその一部である接着層１９）にピクセルモジュール９９を接着するためにターゲット基板に押し付けられる。
図８～１０及び１１Ａ～１１Ｃに示されるように、発光体２０、コントローラ３０、及びピクセルモジュール９９のうちの１つ以上は、すべて、印刷（例えば、マイクロ移動印刷）された構成要素であり得る。図１２Ａ～１２Ｋ、１３Ａ～１３Ｂ、及び１４Ａ～１４Ｄを参照すると、本開示のいくつかの実施形態では、ピクセルモジュール９９はピクセルモジュールディスプレイ９８を構築するために、ディスプレイ基板７０に印刷される。したがって、ピクセルモジュール９９は、ディスプレイ基板７０に非固有であり得、１つまたは２つの寸法のいずれかで規則的なアレイに配置されることができ（例えば、以下で論じられる図１４Ａ～１４Ｄ及び図２４に示すように）、ディスプレイ内にピクセルを形成することができる。さらに、各モジュール基板１０がディスプレイ基板７０と異なる基板であるように、各ピクセルモジュール９９のモジュール基板１０は、ディスプレイ基板７０とは異なり、特有で、別個である。ピクセルモジュール９９は、ターゲット基板７０上、またはその中に配置された接触パッド４０と電気的に接触しているモジュール接続ポスト１２を含むことができ、接触パッド４０は、ディスプレイ電極７４に電気的に接続されている。接触パッド４０は、ピクセルモジュール９９がターゲット基板７０上に配置されているとき（例えば、図１２Ｉ及び１２Ｊに示されているように）、モジュール接続ポスト１２に接触するようなサイズで位置決めされたディスプレイ電極７４の部分であり得る。
図１２Ａ～１２Ｋは、コントローラ３０がモジュール基板１０とターゲット基板７０との間に配置されるピクセルモジュール９９の例を示す。図１２Ａ及び１２Ｂに示されるピクセルモジュール９９は、モジュール接続ポスト１２を含まない。図１２Ｃ及び１２Ｄに示されるピクセルモジュール９９は、コントローラ３０上に配置されたモジュール接続ポスト１２を有する。図１２Ｅ及び１２Ｆに示されるピクセルモジュール９９は、コントローラ３０上ではなくモジュール基板１０上に配置されたモジュール接続ポスト１２を有する。図１２Ｇ及び１２Ｈに示されるピクセルモジュール９９は、コントローラアセンブリ基板５４上に配置されたモジュール接続ポスト１２を含むコントローラアセンブリ８２を含む。図１２Ｉ及び１２Ｊに示されるピクセルモジュール９９は、モジュール基板１０上に配置されたモジュール接続ポスト１２、及びモジュール接続ポスト１２を含まないコントローラアセンブリ８２を含む。図１２Ｋに示されるピクセルモジュール９９は、発光体アセンブリ８０、及びコントローラ３０上に配置されたモジュール接続ポストを含む。
図１３Ａ～１３Ｃは、発光体２０がモジュール基板１０とターゲット基板７０との間に配置されるピクセルモジュール９９の例を示す。図１３Ａ～１３Ｃに示されるピクセルモジュール９９は、発光体２０を超えて延在するモジュール接続ポスト１２を含む。図１３Ｂ及び１３Ｃに示されるピクセルモジュール９９は、コントローラアセンブリ８２を含む。図１３Ａ～１３Ｃに示されるピクセルモジュール９９は、ターゲット基板７０を通して光６０を発するように配置される。
ピクセルモジュール９９は、例えば、図１２Ａ及び１２Ｂに示すように、ディスプレイ基板７０上に、またはディスプレイ基板７０上に配置された接着剤１９の層上にマイクロ移動印刷することによって、ディスプレイ基板７０上に配置され得る。（明確にするために、接着剤１９は図１２Ｃ～１２Ｋから省略する。）ピクセルモジュール９９は、印刷可能である（例えば、マイクロ移動印刷可能である）ため、それらは、モジュールテザー１４、例えば、破断（例えば、破砕）または分離されたモジュールテザー１４を含むことができる。図１２Ａに示されるように、ピクセルモジュール９９を印刷した後、モジュール電極１８は、ディスプレイ基板７０上に配置されたフォトリソグラフィ法で画定されたディスプレイ電極７４などの電気導体（例えば、ワイヤ）に電気的に接続され得る。電気的接続は、接着剤１９の任意の層内に作製されたビア１６を通して作製することができる。図１２Ａにおいて、発光体２０（赤色発光体２０Ｒ、緑色発光体２０Ｇ、及び青色発光体２０Ｂ）は、図５にも示されるように、発光体下側２０Ｓが非倒置構成のモジュール基板１０のモジュール発光表面１０Ｌに隣接する状態で配置された水平マイクロｉＬＥＤである。いくつかの実施形態では、図１２Ｂ及び図６に示されるように、発光体２０は、発光体上側２０Ｔがモジュール基板１０のモジュール発光表面１０Ｌに隣接する状態で倒置し得る。いくつかの実施形態では、図７を参照すると、発光体２０は、垂直マイクロｉＬＥＤであり、印刷（例えば、マイクロ移動印刷）され得る。いくつかの実施形態では、かつ図１２Ａ及び１２Ｂに示されるように、発光体２０、コントローラ３０、またはその両方は、図１１Ａ及び１１Ｂに関して上述したように、かつ図８～１０に示されるように、対応するソースウェハからモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ及びモジュールコントローラ表面１０Ｃにそれぞれ印刷（例えば、マイクロ移動印刷）される。
発光体２０及びコントローラ３０と同様に、かつ図１２Ｃ～１２Ｋ及び１３Ａ～１３Ｂに示されるように、モジュール接続ポスト１２は、ピクセルモジュール９９をディスプレイ基板７０または表面実装型デバイス基板に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）することによって、モジュール電極１８をディスプレイ電極７４に電気的に接続することができる。モジュール接続ポスト１２は、様々な構成で、かつ本開示の対応する実施形態に従って提供され得る。
図１、９、１１Ｃ、及び１２Ｃを参照すると、モジュール接続ポスト１２は、コントローラ３０上に配置され、モジュール基板１０から離れた方向に延在する。発光体２０は、図５に示されるように、非倒置構成の水平エミッタとして示されるが、図１２Ｄに示されるように、倒置させることができる。図２及び１２Ｅを参照すると、モジュール接続ポスト１２は、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃ上のモジュール電極１８上に配置され、モジュール基板１０から離れた方向に延在する。モジュール接続ポスト１２は、コントローラ３０の厚さよりも大きい距離でモジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃから突出して、コントローラ３０を超えて延在し、コントローラ３０（またはコントローラ３０上に配置された層）をターゲット基板７０に接触させることなく、モジュール接続ポスト１２とターゲット基板７０上の接触パッド４０との間の電気的接触を可能にすることができる。例えば、距離は、（コントローラ３０上に配置された任意の層とともに）コントローラ３０の厚さの少なくとも１．１倍、少なくとも１．２倍、または少なくとも１．５倍であり得る。いくつかの実施形態では、距離は、ピクセルモジュール９９を過度に厚くすることを避けるために、コントローラ３０の厚さの３倍以下または２倍以下である。いくつかの実施形態では、ターゲット基板７０上の接触パッド４０は、モジュール接続ポスト１２がコントローラ３０または発光体２０を超えて延在しない（モジュール基板１０のどの側にモジュール接続ポスト１２が配置されているかに応じて）にもかかわらず、ピクセルモジュール９９がターゲット基板７０上に配置されているときにピクセルモジュール９９への電気的接触が行われることを許容にするのに十分な厚さを有する。
発光体２０は、図５に示されるように、非倒置構成の水平エミッタであり得るが、代替的に、図１２Ｆ及び図６に示されるように、倒置され得る。図３、１３Ａ～１３Ｂ、及び１７Ｃ～１７Ｌを参照すると、モジュール接続ポスト１２は、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ上のモジュール電極１８上に配置され、モジュール基板１０から離れた方向に延在する。モジュール接続ポスト１２は、モジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌから、発光体２０の厚さよりも大きい距離で、突出して、発光体２０を超えて延在し、発光体２０（または発光体２０上に配置された層）をターゲット基板７０に接触することなく、モジュール接続ポスト１２とターゲット基板７０上の接触パッド４０との間の電気的接触を可能にする。非限定的な例として、距離は、（発光体２０上に配置された任意の層とともに）発光体２０の厚さの少なくとも１．１倍、少なくとも１．２倍、または少なくとも１．５倍であり得る。いくつかの実施形態では、距離は、ピクセルモジュール９９を過度に厚くすることを避けるために、発光体２０の厚さの３倍以下または２倍以下である。
いくつかの実施形態では、図１０、１２Ｇ、１２Ｈ、及び１９Ｄに示されるように、コントローラ３０は、モジュール接続ポスト１２がそこから延在するコントローラアセンブリ基板５４（例えば、誘電体層５０）及びコントローラ電極３８を有する印刷可能なコントローラアセンブリ８２上に配置される。そのようないくつかの実施形態では、モジュール接続ポスト１２は、コントローラ３０から延在することが理解される。同様に、いくつかの実施形態では、発光体２０は、図８に示されるように、モジュール接続ポスト１２がそこから延びる発光体アセンブリ基板５２（例えば、誘電体層５０）及び発光体電極２８を有する印刷可能な発光体アセンブリ８０内に提供される。そのようないくつかの実施形態では、モジュール接続ポスト１２は、発光体アセンブリ基板５２または発光体アセンブリ８０から延在することが理解され得る。
図に示される電気接続（例えば、モジュール電極１８との接続）は例示的であり、必ずしも実際の回路接続を表すものではない。電気回路設計に精通している者は、コントローラ３０を発光体２０に接続する様々な回路が、発光体２０を制御するために適切な電気接続を提供するために採用され得ることを理解するであろう。
図１２Ｇ～１２Ｊを参照すると、コントローラ３０は、モジュール電極１８への電気接続を形成するコントローラアセンブリ接続ポスト３２を有するモジュール基板１０上にマイクロ移動印刷される。図１２Ｇ及び１２Ｈに示されるように、モジュール接続ポスト１２は、コントローラ３０上に配置され、モジュール基板１０から離れた方向に延在する。発光体２０は、（例えば、図５に従って）図１２Ｇの非倒置構成で水平エミッタとして示されるが、図１２Ｈ及び図６に示されるように、倒置させることができる。図１２Ｉ及び１２Ｊに示されるように、モジュール接続ポスト１２は、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃ上のモジュール電極１８上に配置され、モジュール基板１０から離れた方向に延在する。発光体２０は、図１２Ｉの、及び図５に示されるように、非倒置構成で水平エミッタとして示されるが、図１２Ｊ及び図６に示されるように、非倒置にすることができる。
図１２Ｋを参照すると、コントローラ３０は、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃ上に配置され、発光体アセンブリ８０は、発光体アセンブリ接続ポスト２２とともにモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ上に移動印刷される。発光体アセンブリ８０は、モジュール基板１０及びディスプレイ基板７０と反対の方向にそれぞれ光６０Ｒ、６０Ｇ、６０Ｂを発する共通の発光体アセンブリ基板５２上に、赤色、緑色、及び青色の倒置発光体２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂを備える。コントローラ３０は、例えば、図１０Ａ～１０Ｃに示されるように、モジュール接続ポスト１２を含むコントローラアセンブリ８２に含まれ得る。
図１２Ｃ～１２Ｋを参照すると、ピクセルモジュール９９は、モジュール接続ポスト１２がディスプレイ基板７０上の接触パッド４０と電気的に接触している（例えば、直接接触しており、貫通することができる）ように、ディスプレイ基板７０上に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）される。ディスプレイ基板７０上の接触パッド４０は、ディスプレイ及び集積回路分野において従来知られているような、フォトリソグラフィ方法及び材料を使用して、ディスプレイ基板７０上に形成されるディスプレイ電極７４に電気的に接続され得る。概して、図１２Ａ～１２Ｋに示すように、発光体２０のうちのいずれかは、倒置または非倒置構成の印刷（例えばマイクロ移動印刷）された垂直マイクロｉＬＥＤまたは水平マイクロｉＬＥＤであり得、適切な構成のために、発光体接続ポスト２６を有することができる。同様に、コントローラ３０は、印刷（例えば、マイクロ移動印刷）によって配置することができ、例えば、図１０に示すように、コントローラアセンブリ接続ポスト３２を有し得るか、あるいは、図１～３に示すように、有していなくてもよい。
図１２Ａ～１２Ｋは、光６０が意図的に通過せず、かつディスプレイ基板７０によって吸収されないように、光６０がディスプレイ基板７０と反対の方向（上部エミッタ構成）に発せられ得、これによって、効率が向上する実施形態を示す。これらの図示された実施形態では、コントローラ３０は、モジュール基板１０とディスプレイ基板７０との間に配置され、ピクセルモジュール９９は、ディスプレイ基板７０に非固有である。いくつかの実施形態では、例えば、図１３Ａ～１３Ｃに示されるように、光６０は、ディスプレイ基板７０が少なくとも部分的に透明であり、例えば、発光体２０によって発せられる光に対して少なくとも５０％透明（例えば、少なくとも７５％、８０％、９０％または９５％透明）である下部エミッタ構成で、ディスプレイ基板７０を通して発せられ得る。いくつかのそのような構成では、ピクセルモジュール９９は、視聴側と反対側のディスプレイ基板７０の側にあり、特にピクセルモジュールディスプレイ９８のユーザ、例えばタッチスクリーンユーザからの機械的または環境的損傷からより保護される。図１３Ａ及び１３Ｂを参照すると、ピクセルモジュール９９は、ピクセルモジュールディスプレイ９８を構築するためにディスプレイ基板７０に印刷される。ピクセルモジュール９９は、例えば、ディスプレイ基板７０またはディスプレイ基板７０上に配置された接着剤１９の層（明確にするために図１３Ａ～１３Ｂから省略されるが、図１２Ａ及び１２Ｂに示される）にマイクロ移動印刷することによって、ディスプレイ基板７０上に配置され得る。図１３Ａ及び１３Ｂにおいて、発光体２０（赤色発光体２０Ｒ、緑色発光体２０Ｇ、及び青色発光体２０Ｂ）は、例えば、図５に示されるように、発光体下側２０Ｓがモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌに隣接している状態で配置された水平マイクロｉＬＥＤである。いくつかの実施形態では、発光体２０は、図１３Ｃに示されるように、発光体上側２０Ｔがモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌに隣接している状態で倒置させることができ、いくつかの実施形態では、図７も参照すると、発光体２０は、垂直マイクロｉＬＥＤである。これらの実施形態のいずれにおいても、接着層１９及び封入層（図１３Ｃには図示せず）を使用することができる。
いくつかの実施形態では、例えば、図１３Ａ～１３Ｂに示されるように、発光体２０、コントローラ３０、またはその両方は、図１１Ａ及び１１Ｂに関して上述したように、かつ図８～１０に示されるように、対応するソースウェハからモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌ及びモジュールコントローラ表面１０Ｃにそれぞれ印刷（例えば、マイクロ移動印刷）される。図１３Ａ～１３Ｂに示すように、ピクセルモジュール９９は、モジュール接続ポスト１２及びモジュール電極１８が、ディスプレイ基板７０上の接触パッド４０と電気的に接触する（例えば、直接接触しており、貫通することができる）ように、ディスプレイ基板７０上に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）される。これらの図示された実施形態では、発光体２０は、モジュール基板１０とディスプレイ基板７０との間に配置され、ピクセルモジュール９９は、ディスプレイ基板７０に非固有である。ディスプレイ基板７０上の接触パッド４０は、ディスプレイ及び集積回路分野において従来知られているような、フォトリソグラフィ方法及び材料を使用して、ディスプレイ基板７０上に形成されるディスプレイ電極７４に電気的に接続され得る。図１２Ａ～１２Ｋに示す実施形態と同様に、発光体２０のうちのいずれかは、倒置または非倒置構成の印刷（例えばマイクロ移動印刷）された垂直マイクロｉＬＥＤまたは水平マイクロｉＬＥＤであり得、適切な構成のために、発光体接続ポスト２６を有することができる。同様に、コントローラ３０は、印刷（例えば、マイクロ移動印刷）によって配置することができ、例えば、図１０に示すように、コントローラアセンブリ接続ポスト３２を有し得るか、あるいは、例えば、図１～３に示すように、有していなくてもよい。
図１４Ａ～１４Ｄを参照すると、本開示のいくつかの実施形態によれば、複数のピクセルモジュール９９は、ディスプレイ基板７０上のアレイ内に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）されて、ディスプレイ基板７０接触パッド４０及びディスプレイ電極７４に電気的に接続されたモジュール接続ポスト１２を有するピクセルモジュールディスプレイ９８を構築することができる。図１４Ａに示される複数のピクセルモジュールディスプレイ９８の構成は、（モジュール基板１０、接着剤１９、またはディスプレイ基板７０とともに、ピクセルモジュール９９を完全に封入することができる封入誘電体層５０とともに）図１２Ａの構成に対応し、図１４Ｂに示される複数のピクセルモジュールディスプレイ９８の構成は、図１２Ｃの構成に対応し、図１４Ｃに示される複数のピクセルモジュールディスプレイ９８の構成は、図１２Ｅの構成に対応し、図１４Ｄに示される複数のピクセルモジュールディスプレイ９８の構成は、図１３Ａの構成に対応する。図１２Ｂ、１２Ｄ、１２Ｆ～１２Ｊ、及び図１３Ｂに示される実施形態は、複数のピクセルモジュール９９を有するピクセルモジュールディスプレイ９８でも使用され得るが、別個に示されていない。
上記の実施形態のいずれかのモジュール接続ポスト１２は、例えば、誘電体層５０を堆積させること、モジュール接続ポスト１２の場所において層内にビア１６を形成すること、金属または金属合金などの導体でビア１６を充填すること、任意の不要な過剰導体材料を除去すること、及び誘電体層をストリッピングすることなどのフォトリソグラフィ方法及び材料を使用して、構築することができる。
本開示のいくつかの実施形態では、構成要素は、構成要素ソースウェハ上に構築され、フリップチッププロセスを使用して、倒置構成でターゲット基板に印刷され得る。例えば、マイクロｉＬＥＤなどの発光体２０は、典型的には非倒置構成で構成されるが、図６に示すように、例えば、発せられた光６０が発光体電極２８またはモジュール電極１８を通過することを必要とせずに、発光体下側２０Ｓからの発光を可能にするために、倒置構成でモジュール基板１０上に配置され得る。さらに、いくつかの実施形態では、構成要素ソース基板は、印刷（例えば、マイクロ移動印刷）を可能にするためにフリップチップキャリア基板が必要であるように、印刷に不適切であり得る。図１５Ａ～１５Ｉの連続構造及び図２０のフロー図は、発光体２０、コントローラ３０、及びピクセルモジュール９９を含む任意の構成要素に適用可能なフリップチップ印刷のための包括的なプロセス方法を示す。
図１５Ａを参照すると、構成要素のソースウェハ１００は、ステップ３１０において提供される。図１５Ｂを参照すると、構成要素１１０は、ステップ３２０において、構成要素ソースウェハ１００上に形成される。図１５Ａ～１５Ｉを参照して説明されるように、ソースウェハ１００は、複数の発光体２０、コントローラ３０、またはピクセルモジュール９９のいずれかのためのソースウェハとして使用することができ、ソースウェハ１００上に構成要素１１０を形成するために、またはソースウェハ１００上に印刷することによって構成要素１１０を受容するために有用な基板材料（半導体など）及び任意の層（例えば、エッチングストップ層、誘電体層、接着層、酸化層、またはシード層）を含むことができる包括的なソースウェハ１００である。構成要素１１０は、発光体２０、コントローラ３０、またはピクセルモジュール９９のいずれか１つであり得る包括的な構成要素１１０である。構成要素１１０は、電気短絡を防止するために、構成要素１１０を動作させる電力及び信号を提供する構成要素電極１１８（例えば、モジュール電極１８、発光体電極２８、及びコントローラ電極３８のうちのいずれか）から構成要素１１０を絶縁するためのパターン化された誘電体層または構造５０を備え得る。任意選択の接着層１９（例えば、図１５Ｂに示されていない硬化性樹脂）は、例えば、コーティングによって構成要素ソースウェハ１００に塗布され、構成要素１１０が構成要素ソースウェハ１００上に配置された後、例えば、熱または放射線によって硬化され得る。
図１５Ｃを参照すると、ステップ３３０では、誘電体封入体（封入層）１１２は、構成要素１１０に適用され得、構成要素ソースウェハ１００上に延在し得る。ステップ３４０では、図１５Ｄに示されるように、例えば、誘電体封入体１１２から差動的にエッチング可能な材料を含む犠牲剥離層１２０は、誘電体封入体１１２の上方に配置される。誘電体封入体１１２及び犠牲剥離層１２０は、例えば、フォトリソグラフィ方法、例えばコーティング、蒸着、またはスパッタリング、及び光学マスクを用いたパターンごとのエッチングを用いて堆積及びパターニングすることができる。図１５Ｅに示されるように、接着剤１９の層は、例えばコーティングによって、犠牲剥離層１２０、ならびに誘電体封入体１１２の少なくとも一部分、及び任意選択で構成要素ソースウェハ１００の上方に配置される。接着剤１９の層は、ステップ３５０において、かつ図１５Ｆに示されるように、キャリア１０２に接着して、構成要素１１０及び構成要素ソース基板をキャリア１０２に接着する。いくつかの実施形態では、接着剤１９は、例えばコーティングによって最初にキャリア１０２上に配置され、次に犠牲剥離層１２０及び誘電体封入体１１２の少なくとも一部分及び任意選択で構成要素ソースウェハ１００に接着されて、ステップ３５０で構成要素１１０及び構成要素ソース基板をキャリア１０２に接着させ、図１５Ｆに示される構造をもたらす。キャリア１０２は、基板、例えば、ガラス、ポリマー、または半導体基板であり得る。
図１５Ｇを参照すると、ステップ３６０において、構成要素ソースウェハ１００は、例えば、バックグラインドまたはレーザリフトオフによって除去される。ステップ３７０において、かつ図１５Ｈに示されるように、犠牲剥離層１２０は、構成要素１１０が構成要素テザー１１４によってキャリア１０２の構成要素アンカー１１７（または接着剤１９）に物理的に接続されるように、構成要素１１０をキャリア１０２から剥離するようにエッチングされる。図１５Ｈのキャリア１０２を有する構成要素構造は、図１５Ｉに示されるように、構成要素１１０が構成要素ソースウェハ１００上に構築された構成から逆さまに倒置構成で印刷することができる印刷可能（例えば、マイクロ移動印刷可能）構成要素１１０を提供する。図１５Ｉを参照すると、スタンプ９０及びスタンプポスト９２は、構成要素ソースウェハ１００から構成要素１１０を除去するときに、構成要素アンカー１１７から破砕ライン１１において、構成要素テザー１１４を破砕する。図１５Ａ～１５Ｈに示され、図２０に示されるようなステップ３１０～３７０は、まとめてステップ３００であり、任意の所望の構成要素１１０、例えば、発光体２０、コントローラ３０、またはピクセルモジュール９９に適用され得る。
本開示のいくつかの実施形態によれば、ピクセルモジュール９９を作製する方法は、発光体２０を含む発光体ソースウェハ２５を提供することと、コントローラ３０を含むコントローラソースウェハ３５を提供することと、モジュールコントローラ表面１０Ｃ及び反対側のモジュール発光体表面１０Ｌを有するモジュール基板１０を提供することと、を含む。いくつかの実施形態では、（ｉ）発光体２０が、発光体ソースウェハ２５からモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌに転送されるか、（ｉｉ）コントローラ３０が、コントローラソースウェハ３５からモジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃに転送されるか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である。１つ以上のビア１６は、モジュール基板１０を通して形成され、モジュール電極１８は、コントローラ３０を１つ以上のビア１６を通して発光体２０に電気的に接続するように形成される。図１５Ａ～１５Ｈに関して上述したように、本開示の方法は、（ｉ）発光体ソースウェハ２５を発光体キャリア１０２に接着させ、発光体ソースウェハ２５を除去することか、（ｉｉ）コントローラソースウェハ３５をモジュールキャリア１０２に接着させ、コントローラソースウェハ３５を除去することか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を含み得る。
図１６Ａ～１６Ｍに示される連続構造及び図２１のフロー図を参照すると、本開示のいくつかの実施形態は、ステップ２１０において、かつ図１６Ａに示すように、コントローラ３０のためにソースウェハ１００を提供することを含む方法によって、構築することができる。モジュール基板１０は、ステップ２２０において、かつ図１６Ｂに示されるように、ソースウェハ１００上に配置される。したがって、いくつかの実施形態では、ソースウェハ１００はコントローラソースウェハ３５であり、またモジュールソースウェハ１５であり、ステップ２１０及び２２０は、モジュールソースウェハ１５にモジュール基板１０を提供する単一のステップであり得る。いくつかの実施形態では、モジュール基板１０はソースウェハ１００上に形成され、またはソースウェハ１００はモジュール基板１０を含んで提供されるか、あるいはソースウェハ１００上に配置されたモジュール基板１０を備えている。モジュール基板１０は、酸化物層、例えば、二酸化ケイ素などの埋め込まれた酸化物層であり得る。コントローラ３０は、図１６Ｃ及び１６Ｄに示すように、ステップ２４０において、モジュール接続ポスト１２、モジュール電極１８、パターン化された誘電体層５０、ビア１６、コントローラ封止層３９、及びモジュール基板１０構造のいずれか１つ以上とともに、ステップ２３０において、モジュール基板１０上に（例えば、フォトリソグラフィ方法及び材料を使用して）形成、または（例えば、マイクロ移動印刷などの印刷によって）配置される。図１６Ｄを参照すると、１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、コントローラ封入層３９を通って延在し、ピクセルモジュール９９（例えば、コントローラ３０及びその中の発光体２０）を、ターゲット基板７０上でディスプレイ電極７４に電気的に接続することを許容する。図１６Ｅに示されるように、犠牲剥離層１２０は、コントローラ封入層３９の上方に配置される。特に、犠牲剥離層１２０は、モジュール基板１０内のビア１６を通って延在して、ソースウェハ１００に接触し、また、コントローラ封入層３９に接触し、コントローラ封入層３９は、モジュールテザー１４の一部またはすべてを画定する。１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、犠牲剥離層１２０内に延在する。倒置した図１６Ｆを参照すると、図１５Ｅ～１５Ｇにさらに詳細に示されるように、接着剤の層１９は、犠牲剥離層１２０を有するコントローラ３０をキャリア１０２に接着し、ソースウェハ１００を除去し、それによって、モジュール基板１０及び犠牲剥離層１２０の少なくとも一部分を露出させる。パターン化されたモジュール電極１８は、ステップ２５０において、図１６Ｇに示されるように、モジュール基板１０の露出したモジュール発光体表面１０Ｌ上に形成される。ステップ２００において、倒置または非倒置構成で、または図５～８及び１１Ａのいずれかに示されるように、印刷可能な発光体２０、例えば、水平または垂直発光体２０が提供される。図１６Ａ～１６Ｍに示されるように、発光体２０は、ステップ３００を使用して倒置構成で提供される（図２０に包括的に示される）。ステップ２６０において、かつ図１６Ｈに示されるように、発光体２０は、（例えば、図１１Ａに示されるように）発光体ソースウェハ２５からモジュール基板１０のモジュール発光体表面１０Ｌに印刷（例えば、マイクロ移動印刷）される。図１６Ｈでは、発光体接続ポスト２６は、発光体２０とモジュール電極１８との間に電気接触を形成する。任意選択の接着剤の層１９は、発光体２０をモジュール基板１０に接着することができ、存在する場合、図１６Ｉに示すように、モジュール犠牲剥離層１２０の一部分を露出させるようにパターン化することができる。ステップ２７０において、かつ図１６Ｊに示すように、任意選択の発光体封入層２９は、例えば、スパッタリングまたは蒸着によって堆積され、任意選択で、例えば、フォトリソグラフィ法でパターン化され、犠牲剥離層１２０の少なくとも一部分を露出させる。図１６Ｋを参照すると、ステップ２８０では、モジュールテザー１４のみが、モジュールアンカー１７によってピクセルモジュール９９をキャリア１０２に物理的に接続するように、犠牲剥離層１２０がエッチングされる。本開示の様々な実施形態では、モジュールテザー１４は、封入層の一部分、例えば、発光体封入層２９、コントローラ封入層３９、接着剤１９の層の一部分、モジュール基板１０の一部分、またはいくつかの他のモジュール封入層、またはこれらの任意の組み合わせであり得る。図１６Ｋ～１６Ｍに示す実施形態では、モジュールテザー１４は、発光体封入層２９とコントローラ封入層３９との組み合わせを含む。
図１６Ｌを参照すると、ピクセルモジュール９９は、図１６Ｍに示されるように、ステップ２９０において、キャリア１０２からディスプレイ基板７０に（例えば、スタンプ９０及びスタンプポスト９２を用いて）マイクロ移動印刷され得るので、モジュール接続ポスト１２は、ディスプレイ基板７０上でパッド４０及びディスプレイ電極７４に電気的に接触する。本開示のいくつかの実施形態では、ディスプレイ基板７０は、表面実装基板（例えば、ディスプレイ電極７４に対応するポリイミド及びパターン化された表面実装電極の層を含む）であり、ピクセルモジュール９９は、表面実装デバイスの一部である。図１６Ａ～１６Ｍは、図１に示されるものに対応するモジュール接続ポスト１２を示すが、本開示のいくつかの実施形態によれば、図２、９、または１０に示されるものに対応するモジュール接続ポスト１２を使用することができる。
図１６Ａ～１６Ｍは、ピクセルモジュール９９がディスプレイ基板７０から離れた方向（上部エミッタ構成）に光を発するピクセルモジュールディスプレイ９８を構築するいくつかの方法を示す。図１７Ａ～１７Ｌは、ピクセルモジュール９９がディスプレイ基板７０（下部エミッタ構成）を通して光を発する、関連するステップ及び構造を示す。図１７Ａ～１７Ｍに示す連続構造及び図２２のフロー図（発光体２０及びコントローラ３０を伴うステップが、図２１に関して交換されている）を参照すると、本開示のいくつかの実施形態は、ステップ４１０において、かつ図１７Ａに示されるように、発光体２０のためのソースウェハ１００を提供することにより構築することができる。モジュール基板１０は、ステップ４２０において、かつ図１７Ｂに示されるように、ソースウェハ１００上に配置される。したがって、いくつかの実施形態では、ソースウェハ１００は発光体ソースウェハ２５であり、またモジュールソースウェハ１５であり、ステップ４１０及び４２０は、モジュールソースウェハ１５にモジュール基板１０を提供する単一のステップであり得る。いくつかの実施形態では、モジュール基板１０はソースウェハ１００上に形成され、またはソースウェハ１００はモジュール基板１０を含んで提供されるか、あるいはソースウェハ１００上に配置されたモジュール基板１０を備えている。発光体２０は、図１７Ｃ及び１７Ｄに示すように、ステップ４４０において、モジュール接続ポスト１２、モジュール電極１８、パターン化された誘電体層５０、ビア１６、コントローラ封止層２９、及びモジュール基板１０構造とともに、ステップ４３０において、モジュール基板１０上に（例えば、フォトリソグラフィ方法及び材料を使用して）形成、または（例えば、マイクロ移動印刷などの印刷によって）配置される。図１７Ｄを参照すると、１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、発光体封入層２９を通って延在し、ピクセルモジュール９９（例えば、コントローラ３０及びその中の発光体２０）を、ターゲット基板７０上でディスプレイ電極７４に電気的に接続することを許容する。図１７Ｅに示されるように、犠牲剥離層１２０は、発光体封入層２９の上方に配置される。特に、犠牲剥離層１２０は、モジュール基板１０内のビア１６を通って延在して、ソースウェハ１００に接触し、また、発光体封入層２９に接触し、発光体封入層２９は、モジュールテザー１４を画定する。１つ以上のモジュール接続ポスト１２は、犠牲剥離層１２０内に延在することができる。図１７Ｆを参照すると、接着剤の層１９は、犠牲剥離層１２０を有する発光体２０をキャリア１０２（図１７Ｇに示す）に接着し、図１７Ｈに示すように、ソースウェハ１００が除去され、それにより、ステップ４５０において、かつステップ３３０～３６０で説明されるように、モジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃが露出する。ステップ４００において、印刷可能コントローラ３０は、図９、１０、または１１Ｂの構成のうちのいずれかにおいて提供される。ステップ４６０において、かつ図１７Ｉに示されるように、コントローラ３０は、（例えば、図１１Ｂに示されるように）コントローラソースウェハ３５からモジュール基板１０のモジュールコントローラ表面１０Ｃに印刷（例えば、マイクロ移動印刷）される。図１７Ｉの実施形態では、コントローラ３０は、フォトリソグラフィ法で画定されたモジュール電極１８と電気的に接続される。いくつかの実施形態では、コントローラ３０は、コントローラアセンブリ接続ポスト３２と電気的に接続され、コントローラ３０とモジュール電極１８との間の電気的接触を形成する。任意選択の接着剤の層１９は、コントローラ３０をモジュール基板１０に接着することができ、存在する場合、図１７Ｉに示すように、モジュール犠牲剥離層１２０の一部分を露出させるようにパターン化することができる。ステップ４７０において、任意選択のモジュール封入層は、例えば、スパッタリングまたは蒸着によって堆積され、任意選択で、例えば、フォトリソグラフィ法でパターン化され、犠牲剥離層１２０を露出させる。図１７Ｊを参照すると、ステップ４８０では、モジュールテザー１４のみが、モジュールアンカー１７によってピクセルモジュール９９をキャリア１０２に物理的に接続するように、犠牲剥離層１２０がエッチングされる。本開示の様々な実施形態では、モジュールテザー１４は、封入層、例えば、発光体封入層２９、コントローラ封入層３９（図１７Ｊ～１７Ｌには含まれない）、接着剤１９の層の一部分、モジュール基板１０の一部分、またはいくつかの他のモジュール封入層、またはこれらの任意の組み合わせを含み得る。図１７Ｊ～１７Ｌに例示される実施形態では、モジュールテザー１４は、発光体封入層２９のみを含む。
図１７Ｋを参照すると、ピクセルモジュール９９は、図１７Ｌに示されるように、ステップ４９０において、キャリア１０２からディスプレイ基板７０に（例えば、スタンプ９０及びスタンプポスト９２を用いて）マイクロ移動印刷され得るので、モジュール接続ポスト１２及びモジュール電極１８は、ディスプレイ基板７０上でパッド４０及びディスプレイ電極７４に電気的に接触する。本開示のいくつかの実施形態では、ディスプレイ基板７０は、表面実装基板（例えば、ディスプレイ電極７４に対応するポリイミド及びパターン化された表面実装電極の層を含む）であり、ピクセルモジュール９９は、表面実装デバイスの一部である。図１７Ａ～１７Ｌは、図３に示されるものに対応するモジュール接続ポスト１２を示すが、本開示のいくつかの実施形態（図示せず）によれば、モジュール接続ポスト１２は、発光体２０上に直接配置することができる（コントローラ３０についての図１に対応する）。
図１６Ａ～１６Ｍ及び１７Ａ～１７Ｌに示される実施形態は、いずれも、モジュール基板１０上に配置された単一の発光体２０及びディスプレイ基板７０上に配置された単一のピクセルモジュール９９を示す。いくつかの実施形態では、複数の発光体２０は、例えば、図１～３及び１２Ａ～１３に示されるように、モジュール基板１０上に配置され（ピクセルモジュール９９は、複数の発光体２０を備える）、複数のピクセルモジュール９９は、図１４Ａ～１４Ｄに示されるように、ディスプレイ基板７０上に配置される。
図１６～１６Ｍ及び１７Ａ～１７Ｍに示される実施形態は、例示的であり、限定するものではない。集積回路及びディスプレイ技術の知識を有する者は、説明したプロセス、構造、及び材料の変形が本開示の文脈の中で適用可能であり、本開示の実施形態内に含まれることを理解するであろう。例えば、いくつかのステップは、他のステップの前、後、または同時に実行することができる。
本開示のいくつかの実施形態では、発光体２０またはコントローラ３０などの構成要素が構築され、モジュール基板１０に固有である。図１８Ａ～１８Ｄ及び１９Ａ～１９Ｄを参照すると、発光体２０またはコントローラ３０などの構成要素は、対応するソースウェハからモジュール基板１０に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）される。図１８Ａ～１８Ｄ及び図２３のフロー図を参照すると、ステップ２００において、印刷可能な発光体２０は、上述のようにステップ３００を使用して提供される。この図では、印刷可能な発光体２０は、（例えば、図６に示すように）倒置構成で提供される。いくつかの他の実施形態では、印刷可能な発光体２０は、（図５、７、及び８に示されるように）非倒置構成で提供される。ステップ２０２において、コントローラ３０は、例えば、図９及び図１０に示されるように、非倒置印刷可能構成で提供される。ステップ２０４及び図１８Ａを参照すると、ピクセルモジュール９９のためのソースウェハ１００が提供され、図１８Ｂに示されるように、モジュール基板１０は、ステップ２０６において形成または配置される。モジュール基板１０上の任意の必要なビア１６、誘電体構造５０、及びモジュール電極１８は、ステップ２４１において形成することができ、ステップ２４５において、かつ図１８Ｃに示されるように、コントローラ３０は、コントローラソースウェハ３５からモジュール基板１０（またはモジュール基板１０上に提供される任意の層またはモジュール電極１８）に配置される（例えば、マイクロ移動印刷される）。ステップ２４７において、図１８Ｄに示されるように、任意の追加の構造（モジュール接続ポスト１２または他のモジュール電極１８など）を形成することができる。次いで、モジュール構造は、ステップ２５０において、かつステップ３３０～３６０で包括的に説明されるように、キャリア１０２とともに倒置される。次に、（倒置構成または非倒置構成のいずれかにおける）印刷可能な発光体２０は、ステップ２６０でモジュール発光体表面１０Ｌまたはモジュール基板１０に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）され、例えばモジュール接続ポスト１２、他のモジュール電極１８、または発光体封入層２９など、２７０に関して説明したように、任意のさらなる処理が行われる。本開示のいくつかの実施形態では、ステップ２００において、印刷可能コントローラ３０が提供され、ステップ２０２において、発光体２０がステップ２４５において最初に印刷され、コントローラ３０がステップ２６０において印刷されるように、印刷可能な発光体２０が提供される。そのようないくつかの実施形態では、コントローラ２０は、ステップ４７０～４９０で説明されるように、封入され、ピクセルモジュール９９を印刷することができる。一般に、環境保護のため、あるいはテザーを画定できる層を提供するため、あるいはその両方のために、有用な場所に封入層を設けることができる。
図１９Ａ～１９Ｄは、コントローラ３０がコントローラアセンブリ接続ポスト３２を備えるピクセルモジュール９９を形成するステップを示す。そのようないくつかの実施形態では、図１９Ａ～１９Ｃは、図１８Ａ～１８Ｃのものと同様であるが、図１９Ｄにおいては、コントローラ３０及びコントローラアセンブリ接続ポスト３２を含むコントローラアセンブリ８２は、モジュール基板１０及びモジュール電極１８に印刷（例えば、マイクロ移動印刷）される。モジュール接続ポスト１２は、印刷前または印刷後のいずれかに、コントローラ３０上に形成され得る。
本開示のいくつかの実施形態では、ピクセルモジュール９９を作製する方法は、モジュールソースウェハ１５（例えば、モジュール基板１０を含むソースウェハ）上、またはその中に配置されたモジュール基板１０上に配置されたコントローラ３０、モジュール電極１８、及びモジュール接続ポスト１２を提供することを含み、モジュール電極１８は、コントローラ３０と電気的に接触する。コントローラ３０、モジュール電極１８、モジュール接続ポスト１２、及びモジュール基板１０（例えば、モジュールソースウェハ１５）は、コントローラ３０がキャリア１０２とモジュール基板１０との間に配置されるように、キャリア１０２（例えば、ハンドル基板）に移動される（例えば、樹脂などの接着剤１９で接着される）。モジュールソースウェハ１５は、例えば、研削またはレーザリフトオフによって除去することができる。モジュール基板１０がコントローラ３０と発光体２０との間に配置されるように、発光体２０がモジュール基板１０上に配置される。発光体２０はモジュール基板１０に非固有であり、発光体２０は、ピクセルモジュール９９を形成するために、（例えば、発光体２０または発光体アセンブリ８０をモジュール基板１０にマイクロ移動印刷することによって）コントローラ３０に電気的に接続されている。
提供するステップは、コントローラ３０がモジュール基板１０に非固有であるように、モジュール基板１０上にコントローラ３０を配置することと、パターン化された第１の誘電体層をコントローラ３０上に配置することと、パターン化された第１の誘電体層上にモジュール電極１８を配置し、コントローラ３０と電気的に接触させることと、モジュール接続ポスト１２を配置することとを含み得る。提供するステップは、モジュール接続ポスト１２が第２の誘電体層から突出するように、モジュール電極１８上に第２の誘電体層を配置することをさらに含み得る。第２の誘電体層及びモジュール基板１０は、モジュール電極１８及びコントローラ３０をともに封入することができる。
本開示のいくつかの方法は、移動することのステップの前に、第２の誘電体層上にパターン化された犠牲剥離層を形成することを含み得、パターン化された犠牲剥離層は、１つ以上のモジュール接続ポスト１２を覆う。パターン化された犠牲剥離層は、例えば、ウェットまたはドライエッチングによって犠牲にされて、ピクセルモジュール９９をキャリア１０２から剥離し、ピクセルモジュール９９がターゲット基板７０に印刷されることを可能にし得る。したがって、いくつかの実施形態によれば、パターン化された犠牲剥離層は、ソースウェハ１００が除去された後に少なくとも部分的に除去される。
パターン化された犠牲剥離層が少なくとも部分的に除去された後、コントローラ３０及び発光体２０が第２の誘電体層の一部分によってキャリア１０２に接続されたままとなるように、第２の誘電体層の少なくとも一部分は、モジュール基板１０と共通の平面内に配置され得る。したがって、第２の誘電体層の一部分は、モジュールテザー１４を形成するか、またはそれであり得る。次いで、ピクセルモジュール９９は、キャリア１０２からターゲット基板７０（例えば、ディスプレイ基板７０）に（例えば、スタンプ９０を用いたマイクロ移動印刷によって）移動され得る。追加のモジュール電極１８は、コントローラ３０と反対側のモジュール基板１０の表面上に形成され得、発光体２０は、発光体２０に電気的に接続された発光体接続ポスト２６が追加のモジュール電極１８と電気的に接触する状態になるように印刷され得る。本開示の方法は、発光体２０を配置する前に追加のモジュール電極１８及びモジュール基板１０上にパターン化されていない接着層１９を提供することと、パターン化後の接着層１９がモジュール基板１０を超えて延在しないように、発光体２０を配置した後に接着層１９をパターン化することと、を含み得る。発光体２０は、破断（例えば、破砕された）または分離された発光体テザー２４を備え得、コントローラ３０は、破断または分離されたコントローラテザー３４を備え得る。
本開示の方法は、モジュール基板１０及び第１の封入層がともにコントローラ３０を封入するように、コントローラ３０上、またはその上方に配置された第１の封入層（例えば、コントローラ封入層３９）を提供することと、モジュール基板１０及び第２の封入層がともに発光体２０を封入するように、発光体２０上、またはその上方に第２の封入層（例えば、発光体封入層２９）を配置することと、を含み得る。
コントローラ３０は、モジュール基板１０の縁を通過する、またはその周りを通過する１つ以上のモジュール電極１８によって、少なくとも部分的に発光体２０に電気的に接続され得る。
本開示のピクセルモジュール９９及び方法は、モジュール基板１０の反対側にコントローラ３０（またはコントローラアセンブリ８２）及び１つ以上の発光体２０（または発光体アセンブリ８０）を配置する。いくつかの実施形態では、コントローラ３０またはコントローラアセンブリ８２は露出している、すなわち、それは、別の基板または構造によって覆われていない、または支持されていない。同様に、いくつかの実施形態では、発光体２０または発光体アセンブリ８０は、露出している、すなわち、それらは、別の基板または構造によって覆われていない、または支持されていない。モジュール基板１０は、発光体２０、発光体アセンブリ８０、コントローラ３０、及びコントローラアセンブリ８２のうちのいずれか１つ以上を支持するために必要な機械的構造を提供し得る。
本開示のピクセルモジュール９９は、モジュール電極１８に電力及び信号を提供することにより動作可能であり、それにより、コントローラ３０に、例えば、存在する場合はビア１６を通して、発光体２０を動作及び制御させることができる。電力及び信号は、存在する場合はモジュール接続ポスト１２を通して、または、ピクセルモジュール９９が配置されているディスプレイ基板７０上の、例えばディスプレイ電極７４などの基板上に配置されたフォトリソグラフィ法で画定されたワイヤを通して、ピクセルモジュール９９に提供することができる。同様に、電力及び信号は、存在する場合、発光体接続ポスト２６を通して、または発光体２０が配置されたモジュール基板１０上に配置されたフォトリソグラフィ法で画定されたワイヤ（例えば、モジュール電極１８）を通して、発光体２０に提供され得る。同様に、電力及び信号は、存在する場合、コントローラアセンブリ接続ポスト３２を通して、またはコントローラ３０が配置されたモジュール基板１０上に配置されたフォトリソグラフィ法で画定されたワイヤ（例えば、モジュール電極１８）を通して、コントローラ３０に提供され得る。
本開示のいくつかの実施形態は、フォトリソグラフィ方法、及び例えば、図１、図６、図８、図９、図１１Ａ～図１１Ｃ、図１２Ｂ、及び図１４Ｂに示される構造をマイクロ移動印刷することを使用して構築されている。本開示の方法及び構造もまた、例えば、図１５Ａ～１５Ｉ、図１６Ａ～１６Ｍ、図１８Ａ～１８Ｄ、及び図２１に示されるように、実施されている。図２４を参照すると、モジュールソースウェハ１５は、図２５により詳細に示される複数のピクセルモジュール９９を備える。図２５の不完全なピクセルモジュール９９は、構造の犠牲剥離層１２０側から見た図１６Ｅに対応する。犠牲剥離層１２０はほぼ透明であり、図２５はモジュール電極１８層に焦点を当てている。コントローラ３０は、大部分がモジュール電極１８の下にあり、よく見えないが、コントローラ３０の周囲は、暗い長方形の輪郭として見ることができる。（誘電体構造５０は、ほぼ透明であり、示されないが、コントローラビア１６Ｃを除いてモジュール電極１８からベアダイコントローラ３０を絶縁する。コントローラ３０は、長さ及び幅が約４０×３５ミクロンのＣＭＯＳシリコン集積回路であり、コントローラ３０の下のモジュール基板１０として機能する酸化物層上に配置される。したがって、モジュール基板１０は、モジュールソースウェハ１５が除去されるまで（図１５Ｇ及び１６Ｆに示されるように）埋め込み酸化物層である。モジュールテザー１４及びモジュールアンカー１７は、図２５の左側に破線状の白い矩形で輪郭が描かれている。モジュール接続ポスト１２は、矩形コントローラ３０の４つの角部に位置している。コントローラビア１６Ｃは、モジュール接続ポスト１２とコントローラ３０との間、及びコントローラ３０と発光体２０（図１６Ｈのように配置されたマイクロｉＬＥＤ）との間に、モジュール電極１８を通して電気的接続を提供する。発光体ビア１６Ｌは、モジュール基板１０を通してモジュール電極１８を電気的に接続して、発光体２０を制御し、十分な電流を伝導するために比較的大きい。同様に、接地ビア１６Ｇは、発光体２０及びコントローラ３０への接地接続を提供する。接地及び発光体ビア１６Ｇ、１６Ｌは、追加の誘電体層５０（顕微鏡写真には示されていない）を通って接続し、したがって、コントローラ３０の上に１つ及びコントローラ３０に隣接する１つの、２つのビア１６を含む。電子技術の知識のある者なら理解するように、コントローラ３０は、接地ビア１６Ｇを通って戻る発光体２０を制御するために、発光体ビア１６Ｌを通して選択的な電圧を提供することができ、または、反転論理で、接地ビア１６Ｇは、発光体２０を制御するための接地接続として発光体ビア１６Ｇを通って選択的に戻される電圧を提供することができる。
本開示の様々な実施形態によれば、ピクセルモジュール９９が配置されるディスプレイ基板７０またはターゲット基板は、例えば、フラットパネルディスプレイ産業に見られるように、２つの反対側にある側面と、電気部品、導体、及び集積回路を支持するのに適した表面とを有する任意の材料であり得る。ディスプレイ基板７０または表面実装デバイス基板などのターゲット基板７０は、可撓性または剛性であり得、例えば、ガラス、プラスチック、金属、またはセラミック、ポリマー、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、及びサファイアのうちの１つ以上であるか、またはそれらを含み得る。
モジュール基板１０は、発光体２０またはコントローラ３０が形成される、またはその上に形成される半導体基板、またはモジュールウェハ上に画定される別個の基板であり得る。モジュール基板１０は、ガラス、ポリマー、または誘電体層、例えば二酸化ケイ素または窒化物であり得、シード層を含むことができ、後に除去される基板またはウェハ上に堆積された層であり得る。
コントローラ３０は、半導体構造または基板内に形成された発光体制御回路、例えば、集積回路及びフォトリソグラフィ材料及び方法を使用して単結晶シリコンで作製されたベアダイ半導体回路を含む集積回路であり得る。半導体は、例えば、シリコン、ＣＭＯＳ、またはＧａＡｓ等の化合物半導体であり得る。コントローラ３０は、例えば、１０００ミクロン未満（例えば、５００ミクロン未満、２５０ミクロン未満、１００ミクロン未満、５０ミクロン未満、２０ミクロン未満、または１０ミクロン未満）の長さ及び幅のうちの少なくとも１つ、ならびに任意選択で１００ミクロン未満（例えば、５０ミクロン未満、２０ミクロン未満、１０ミクロン未満、または５ミクロン未満）の厚さを有するマイクロサイズのデバイスであり得る。
同様に、発光体２０は、半導体構造または基板内に形成された集積回路、例えば、マイクロｉＬＥＤ、例えば、フォトリソグラフィ材料及び方法を使用して、化合物半導体などの単結晶材料で作製されたベアダイ半導体回路であり得る。半導体は、例えば、シリコン、ＣＭＯＳ、またはＧａＮもしくはＧａＡｓなどの化合物半導体であり得る。発光体２０は、例えば、１０００ミクロン未満（例えば、５００ミクロン未満、２５０ミクロン未満、１００ミクロン未満、５０ミクロン未満、２０ミクロン未満、または１０ミクロン未満）の長さ及び幅のうちの少なくとも１つ、ならびに任意選択で１００ミクロン未満（例えば、５０ミクロン未満、２０ミクロン未満、１０ミクロン未満、または５ミクロン未満）の厚さを有するマイクロサイズのデバイスであり得る。このような単結晶材料は、従来のフラットパネルディスプレイに見られる薄膜材料と比較して、より速い切り替え速度、より高い効率、及び低減されたサイズを提供することができる。したがって、本開示の様々な実施形態に従って構築されたデバイス及び構造を有するディスプレイは、改善された性能及び解像度を有することができる。
各発光体２０は、様々な実施形態によれば、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、マイクロＬＥＤ、レーザ、ダイオードレーザ、または垂直キャビティ表面発光レーザであり得、既知の発光ダイオード及び／またはレーザ材料及び構造を含むことができる。発光体２０は、無機固体単結晶直接バンドギャップ発光体を含むことができ、赤色、緑色、青色、黄色、またはシアン光、紫色、または紫外線などの可視光を発することができ、コヒーレントまたは非コヒーレント光のいずれかを発することができ、蛍光体、量子ドット、または他の色変換材料を含むことができる。本明細書で使用される発光体２０は、２～５０μｍ（例えば、２～５μｍ、５～１０μｍ、１０～２０μｍ、または２０～５０μｍ）の幅、２～５０μｍ（例えば、２～５μｍ、５～１０μｍ、１０～２０μｍ、または２０～５０μｍ）の長さ、及び２～５０μｍ（例えば、２～５μｍ、５～１０μｍ、１０～２０μｍ、または２０～５０μｍ）の高さのうちの少なくとも１つを有し得る。発光体２０または発光体アセンブリ８０は、例えば、米国特許第１０，１５３，７３５号に記載されている１つ以上の関連するカラーフィルタ、または例えば、２０１５年１１月２日に出願された米国特許出願第１４／９３０，３６３号に記載されている１つ以上の関連するカラー変換材料もしくは物品を含むことができる。
マイクロｉＬＥＤ及びマイクロＬＥＤディスプレイの論考は、２０１６年１２月１３日に発行された、「Ｍｉｃｒｏ Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｍｉｃｒｏ ＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙｓ ａｎｄ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ Ｅｌｅｍｅｎｔｓ」と題された米国特許第９，５２０，５３７号に見出すことができ、その開示は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。マイクロ移動方法は、米国特許第８，７２２，４５８号、同第７，６２２，３６７号及び同第８，５０６，８６７号に記載されており、それらの各々の開示は、参照により本明細書に組み込まれる。
本開示の特定の実施形態によるピクセルモジュール９９またはコントローラ３０は、化合物マイクロアセンブリ技術を使用して構築することができる（例えば、化合物マイクロシステムであり得る）。化合物マイクロアセンブリ構造及び方法の論考は、２０１４年９月２５日に出願された、「Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍｉｃｒｏ－Ａｓｓｅｍｂｌｙ Ｓｔｒａｔｅｇｉｅｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ」と題された米国特許出願第１４／８２２，８６８号に提供され、その開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
一般に、本開示の構造、特徴、及び要素は、集積回路分野及び発光ダイオード分野で見出されるフォトリソグラフィ方法及び材料を使用して作製することができ、例えば、ドープまたはアンドープの半導体材料、導体、パッシブ層、パターン化された誘電体層、電気接点、及びコントローラを含む。
当業者によって理解されるように、用語「上方に」及び「下に」は、相対的な用語であり、本開示に含まれる層、要素、及び基板の異なる配向を参照して置き換えることができる。例えば、いくつかの実施態様では、第２の層上の第１の層またはデバイスは、第２の層上に直接あり、かつそれと接触している第１の層またはデバイスを意味する。他の実施態様では、第２の層上の第１の層またはデバイスは、第１の層またはデバイス及びそれらの間に別の層を有する第２の層を含む。
これまで、実施形態の特定の実施態様を説明してきたが、本開示の概念を組み込んだ他の実施態様を使用できることが、当業者には明らかになるであろう。したがって、本開示は、記載される実施形態に限定されるべきではなく、むしろ、以下の特許請求の範囲の趣旨及び範囲によってのみ限定されるべきである。
本発明の様々な説明された実施形態は、技術的に互換性がない限り、１つ以上の他の実施形態と併せて使用され得る。
説明全体を通して、装置及びシステムが、特定の構成要素を有する、含む、または備えると記載される場合、またはプロセス及び方法が、特定のステップを有する、含む、または備えると記載される場合、さらに、記載された構成要素から本質的になる、またはそれらからなる、開示された技術の装置及びシステムが存在し、記載された処理ステップから本質的になる、またはそれらからなる、開示された技術によるプロセス及び方法が存在することが企図される。
開示された技術が動作可能なままである限り、ステップの順序または特定の動作を実行するための順序は重要ではないことを理解されたい。さらに、いくつかの状況（例えば、いくつかの実施形態では）における２つ以上のステップまたは動作を同時に実行することができる。本開示は、その特定の実施形態を特に参照して詳細に説明されてきたが、変形及び修正は、本開示の趣旨及び範囲内で行われ得ることが理解される。
部品一覧
１０ モジュール基板
１０Ｌ モジュール発光体表面／モジュール発光体側
１０Ｃ モジュールコントローラ表面／モジュールコントローラ側
１１ 破砕ライン
１２ モジュール接続ポスト
１４ モジュールテザー
１５ モジュールソースウェハ
１６ ビア
１６Ｌ 発光体ビア
１６Ｃ コントローラビア
１６Ｇ 接地ビア
１７ モジュールアンカー
１８ モジュール電極
１９ 接着剤／接着層
２０ 発光体
２０Ａ 発光体領域
２０Ｓ 発光体下側
２０Ｔ 発光体上側
２０Ｒ 赤色発光体
２０Ｇ 緑色発光体
２０Ｂ 青色発光体
２１ 伝導層
２２ 発光体アセンブリ接続ポスト
２３ 発光層
２４ 発光体テザー
２４Ａ 発光体アセンブリテザー
２５ 発光体ソースウェハ
２６ 発光体接続ポスト
２７ 発光体アンカー
２８ 発光体電極
２９ 発光体封入層
３０ コントローラ
３０Ａ コントローラ領域
３０Ｓ コントローラ下側
３０Ｔ コントローラ上側
３２ コントローラアセンブリ接続ポスト
３４ コントローラテザー
３４Ａ コントローラアセンブリテザー
３５ コントローラソースウェハ
３７ コントローラアンカー
３８ コントローラ電極
３９ コントローラ封入層
４０ 接触パッド
５０ 誘電体／誘電体構造／誘電体層／誘電体基板
５２ 発光体アセンブリ基板
５４ コントローラアセンブリ基板
６０ 光
６０Ｒ 赤色光
６０Ｇ 緑色光
６０Ｂ 青色光
７０ ディスプレイ基板／ターゲット基板
７４ ディスプレイ電極
８０ 発光体アセンブリ
８２ コントローラアセンブリ
８４ 犠牲部分／隙間
９０ スタンプ
９２ スタンプポスト
９７ ピクセルモジュールウェハ
９８ ピクセルモジュールディスプレイ
９９ ピクセルモジュール
１００ ソースウェハ
１０２ キャリア
１１０ 構成要素
１１２ 誘電体封入体
１１４ 構成要素テザー
１１７ 構成要素アンカー
１１８ 構成要素電極
１２０ 犠牲剥離層
２００ 印刷可能な発光体を提供するステップ
２０２ 印刷可能なコントローラを提供するステップ
２０４ モジュールソースウェハを提供するステップ
２０６ モジュール基板を提供するステップ
２１０ コントローラソースウェハを提供するステップ
２２０ コントローラソースウェハ上にモジュールを配置するステップ
２３０ モジュール基板上にコントローラを配置するステップ
２４０ モジュール基板上にビア及び電極を形成するステップ
２４１ モジュール基板上にビア及び電極を形成するステップ
２４５ モジュール基板上にコントローラをマイクロ移動印刷するステップ
２４７ モジュール基板上にビア及び電極を形成するステップ
２５０ モジュールキャリア及び電極を形成するステップ
２６０ モジュール基板上に発光体をマイクロ移動印刷するステップ
２７０ モジュール基板上の発光体を封入するステップ
２８０ 犠牲剥離層をエッチングしてモジュールを剥離するステップ
２９０ ターゲット基板上にモジュールをマイクロ移動印刷するステップ
３００ 印刷可能な発光体を提供するステップ
３１０ 構成要素ソースウェハを提供するステップ
３２０ 構成要素ソースウェハ上に構成要素を形成するステップ
３３０ 構成要素ソースウェハを提供するステップ
３４０ 構成要素ソースウェハ上の構成要素を封入するステップ
３５０ 構成要素キャリアに構成要素を接着するステップ
３６０ 構成要素ソースウェハを除去するステップ
３７０ 犠牲剥離層をエッチングして構成要素を剥離するステップ
４００ 印刷可能な発光体を提供するステップ
４１０ コントローラソースウェハを提供するステップ
４２０ コントローラソースウェハ上にモジュールを配置するステップ
４３０ モジュール基板上にコントローラを配置するステップ
４４０ モジュール基板上にビア及び電極を形成するステップ
４５０ モジュールキャリア及び電極を形成するステップ
４６０ モジュール基板上に発光体をマイクロ移動印刷するステップ
４７０ モジュール基板上の発光体を封入するステップ
４８０ 犠牲剥離層をエッチングしてモジュールを剥離するステップ
４９０ ターゲット基板上にモジュールをマイクロ移動印刷するステップ
（項目１）
ピクセルモジュールであって、
発光体表面及び前記発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板と、
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上の発光体と、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラと、
モジュール電極であって、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが、前記コントローラに電気的に接続され、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが、前記１つ以上の発光体の各発光体に電気的に接続されている、前記モジュール電極と、
を備える、前記ピクセルモジュール。
（項目２）
前記コントローラが、前記１つ以上の発光体を制御するように動作可能であるように（例えば、適切な入力が提供されるとき）、前記モジュール電極が、前記コントローラを前記１つ以上の発光体に電気的に接続している、項目１に記載のピクセルモジュール。
（項目３）
前記モジュール電極のうちの１つ以上が、前記モジュール基板を通過する、項目１または２に記載のピクセルモジュール。
（項目４）
前記モジュール電極のうちの１つ以上が、前記モジュール基板の縁の周りに巻き付いている、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目５）
前記１つ以上の発光体が、赤色光を発するように動作可能な赤色発光体と、緑色光を発するように動作可能な緑色発光体と、青色光を発するように動作可能な青色発光体とを含む、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目６）
前記１つ以上の発光体が、前記モジュール基板の前記発光体表面から離れた方向に光を発するように配置された１つ以上の水平無機発光ダイオードである、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目７）
前記水平無機発光ダイオードが、下側と反対側の上側を備え、前記上側を通して光を発し、発光体電極が、前記上側に電気的に接続されている、項目６に記載のピクセルモジュール。
（項目８）
前記水平無機発光ダイオードが、上側と反対側の下側を備え、前記下側を通して光を発し、発光体電極が、前記上側に電気的に接続されている、項目６または７に記載のピクセルモジュール。
（項目９）
前記１つ以上の発光体が、前記モジュール基板の前記発光体表面から離れた方向に光を発するように配置された１つ以上の垂直無機発光ダイオードである、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０）
前記１つ以上の発光体の各発光体が、各々が前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続された１つ以上の発光体接続ポストを備える、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１１）
前記コントローラが、各々が前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストを備える、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１２）
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続されている、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１３）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記モジュール基板の前記コントローラ表面から、前記コントローラの厚さよりも大きい距離で、突出している、項目１２に記載のピクセルモジュール。
（項目１４）
前記距離が、前記コントローラの前記厚さの少なくとも１．１倍（例えば、少なくとも１．２倍または少なくとも１．５倍）である、項目１３に記載のピクセルモジュール。
（項目１５）
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続されている、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１６）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記モジュール基板の前記発光体表面から、前記１つ以上の発光体の各々の厚さよりも大きい距離で、突出している、項目１５に記載のピクセルモジュール。
（項目１７）
前記距離が、前記１つ以上の発光体の前記厚さの少なくとも１．１倍（例えば、少なくとも１．２倍または少なくとも１．５倍）である、項目１６に記載のピクセルモジュール。
（項目１８）
１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストは、前記コントローラが前記１つ以上のモジュール接続ポストと前記モジュール基板との間に配置されるように、前記コントローラ上に配置されている、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１９）
前記コントローラ上に配置された前記１つ以上のモジュール接続ポストのモジュール接続ポストが、前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続されている、項目１８に記載のピクセルモジュール。
（項目２０）
（ｉ）前記１つ以上の発光体の各発光体が、破断または分離された発光体テザーを備え、（ｉｉ）前記コントローラが、破断または分離されたコントローラテザーを備え、（ｉｉｉ）前記モジュール基板が、モジュールテザー（例えば、破断もしくは分離されたテザー、または前記モジュールテザーが、ソースウェハのアンカー部分に物理的に接続されている）、または（ｉｖ）（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｉｉ）の任意の組み合わせである、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２１）
前記モジュール基板が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２２）
（ｉ）前記１つ以上の発光体の各々が、前記モジュール基板に非固有であるか、（ｉｉ）前記コントローラが、前記モジュール基板に非固有であるか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２３）
（ｉ）誘電体が、前記コントローラと前記モジュール電極のうちの前記少なくとも１つの各々の少なくとも一部分との間に配置されているか、（ｉｉ）誘電体が、前記少なくとも１つの発光体と前記モジュール電極のうちの前記少なくとも１つの各々の少なくとも一部分との間に配置されているか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２４）
（ｉ）前記コントローラの上方に配置された封入層か、（ｉｉ）前記１つ以上の発光体の上方に配置された封入層か、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を備える、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２５）
前記封入層のうちのいずれか１つ以上は、破断または分離されたモジュールテザーを備える、項目２４に記載のピクセルモジュール。
（項目２６）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラの上方に配置された前記封入層及び前記１つ以上の発光体の上方に配置された前記封入層のうちのいずれか１つ以上を通って突出している、項目２４または２５に記載のピクセルモジュール。
（項目２７）
前記ピクセルモジュールが、前記封入層のうちのいずれか１つ以上、及び任意選択で前記モジュール基板によって、完全に封入されている、項目２４～２６のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２８）
前記ピクセルモジュールが、
４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び
１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さ、
のうちの少なくとも１つを有する、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２９）
ピクセルモジュールウェハであって、
犠牲部分及びモジュールアンカーを備え、各犠牲部分が、モジュールアンカーによって隣接する犠牲部分から横方向に分離されている、モジュールソースウェハと、
各犠牲部分の上方に完全に配置されたピクセルモジュールであって、各ピクセルモジュールが、
発光体表面及び前記発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板、
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上の発光体、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラ、及び
モジュール電極であって、前記モジュール電極のうち少なくとも１つが前記コントローラに電気的に接続され、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが前記１つ以上の発光体のうちの少なくとも１つの発光体に電気的に接続されている、前記モジュール電極を備える、前記ピクセルモジュールと、
前記ピクセルモジュールの各々を前記モジュールアンカーのうちの少なくとも１つに物理的に接続する少なくとも１つのモジュールテザーと、
を備える、前記ピクセルモジュールウェハ。
（項目３０）
前記１つ以上の発光体、前記コントローラ、または前記１つ以上の発光体と前記コントローラの両方が、裸の、パッケージされていないダイである、項目２９に記載のピクセルモジュールウェハ。
（項目３１）
前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、項目２９または３０に記載のピクセルモジュールウェハ。
（項目３２）
ピクセルモジュールディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板上に配置された１つ以上のピクセルモジュールであって、前記１つ以上のピクセルモジュールの各々が、
発光体表面及び前記発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板、
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上の発光体、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラ、及び
モジュール電極であって、前記モジュール電極のうち少なくとも１つが前記コントローラに電気的に接続され、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが前記１つ以上の発光体のうちの少なくとも１つの発光体に電気的に接続されている、前記モジュール電極を備える、前記１つ以上のピクセルモジュールと、
前記ディスプレイ基板上に配置されたディスプレイ電極であって、各ディスプレイ電極が、前記１つ以上のピクセルモジュールのモジュール電極に電気的に接続された、前記ディスプレイ電極と、を備え、
前記１つ以上のピクセルモジュールが、前記ディスプレイ基板に非固有である、
前記ピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３３）
前記ピクセルモジュールの各々が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、項目３２に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３４）
前記ピクセルモジュールの各々が、１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストの各モジュール接続ポストが、ディスプレイ電極に電気的に接続されている、項目３２または３３に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３５）
前記１つ以上のピクセルモジュールが、規則的なアレイに配置されている複数のピクセルモジュールであり、前記規則的なアレイが、１つまたは２つの寸法において規則的である、項目３２～３４のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３６）
前記１つ以上の発光体が、前記ディスプレイ基板と前記モジュール基板との間に配置されている、項目３２～３５のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３７）
前記コントローラが、前記ディスプレイ基板と前記モジュール基板との間に配置されている、項目３２～３６のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３８）
前記１つ以上の発光体、前記コントローラ、または前記１つ以上の発光体と前記コントローラの両方が、裸の、パッケージされていないダイである、項目３２～３７のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３９）
前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、項目３２～３８のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目４０）
ピクセルモジュールを作製する方法であって、
（ｉ）発光体を備える発光体ソースウェハ、（ｉｉ）コントローラを備えるコントローラソースウェハ、及び（ｉｉｉ）コントローラ表面及び反対側にある発光体表面を有するモジュール基板を提供することと、
（ｉ）前記発光体ソースウェハから前記モジュール基板の前記発光体表面に前記発光体を、（ｉｉ）前記コントローラソースウェハから前記モジュール基板の前記コントローラ表面に前記コントローラを、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を、移動することと、
前記モジュール基板を通して１つ以上のビアを形成し、かつ前記１つ以上のビアを通して前記コントローラを前記発光体に電気的に接続するモジュール電極を形成することと、
を含む、前記方法。
（項目４１）
（ｉ）前記発光体ソースウェハをモジュールキャリアに接着させ、前記発光体ソースウェハを除去することか、（ｉｉ）前記コントローラソースウェハをモジュールキャリアに接着させ、前記コントローラソースウェハを除去することか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を含む、項目４０に記載の方法。
（項目４２）
前記コントローラソースウェハを提供することが、前記モジュール基板及び前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置された前記コントローラを提供することを含み、前記方法が、前記１つ以上の発光体を、発光体ソースウェハから前記モジュール基板の前記発光側に移動することを含む、項目４０または４１に記載の方法。
（項目４３）
前記発光体ソースウェハを提供することが、前記モジュール基板を提供することを含み、前記１つ以上の発光体が、前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置され、前記方法が、前記コントローラを、コントローラソースウェハから前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に移動することを含む、項目４０～４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目４４）
前記発光体を移動することが、前記発光体を前記発光体ソースウェハから前記モジュール基板の前記発光体表面にマイクロ移動印刷することを含むか、（ｉｉ）前記コントローラを移動することが、前記コントローラを前記コントローラソースウェハから前記モジュール基板の前記コントローラ表面にマイクロ移動印刷することを含むか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である、項目４０～４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目４５）
ディスプレイ基板を提供することと、前記ピクセルモジュールを前記ディスプレイ基板に移動することと、を含む、項目４０～４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目４６）
前記ピクセルモジュールを前記ディスプレイ基板に移動することが、前記ピクセルモジュールをモジュールキャリアから前記ディスプレイ基板にマイクロ移動印刷することを含む、項目４０～４５のいずれか１項に記載の方法。
（項目４７）
発光体アセンブリであって、
第１の側及び前記第１の側と反対側の第２の側を有する誘電体発光体アセンブリ基板と、
前記発光体アセンブリ基板上に配置された１つ以上の発光体であって、前記１つ以上の発光体が前記発光体アセンブリ基板に非固有である、前記１つ以上の発光体と、
前記発光体アセンブリ基板の前記第１の側に配置された１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストと、
前記発光体アセンブリ基板の前記第２の側に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、
前記１つ以上の発光体を、前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストに、かつ前記１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続する発光体電極と、
を備える、前記発光体アセンブリ。
（項目４８）
前記１つ以上の発光体が、前記発光体アセンブリ基板の前記第２の側に配置されている、項目４７に記載の発光体アセンブリ。
（項目４９）
前記発光体アセンブリ基板が、破断または分離された発光体アセンブリテザー（例えば、破断または分離された発光体テザーまたはソース基板のアンカー部分に物理的に接続された発光体テザー）を備える、項目４７または４８に記載の発光体アセンブリ。
（項目５０）
前記１つ以上の発光体が、各々マイクロＬＥＤである、項目４７～４９のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５１）
前記１つ以上の発光体が、水平発光ダイオードである、項目４７～５０のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５２）
前記１つ以上の発光体が、垂直発光ダイオードである、項目４７～５１のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５３）
前記１つ以上の発光体の各々が、破断または分離された発光体テザーを備える、項目４７～５２のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５４）
前記発光体電極のうちの個々が、前記発光体アセンブリ基板を通過する、項目４７～５３のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５５）
前記発光体電極の個々が、前記発光体アセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付いている、項目４７～５４のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５６）
前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々、または前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、多層接続ポストである、項目４７～５５のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５７）
前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々、または前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、単層接続ポストである、項目５６に記載の発光体アセンブリ。
（項目５８）
前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々、または前記発光体アセンブリ接続ポストの各々が、前記１つ以上の発光体の最も厚い厚さよりも大きい距離で、前記発光体アセンブリ基板から突出している、項目４７～５７のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５９）
前記距離が、前記最も厚い厚さの少なくとも１．１倍、かつ３倍以下である、項目５８に記載の発光体アセンブリ。
（項目６０）
モジュール基板と、前記モジュール基板上、またはその中に配置された１つ以上の接触パッドとを備え、前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々が、前記１つ以上の接触パッドのうちの１つと電気的に接続して配置されている、項目４７～５９のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６１）
前記モジュール基板が、モジュールテザー（例えば、破断または分離されたモジュールテザー、またはソース基板のアンカー部分に物理的に接続されているモジュールテザー）を備える、項目４７～６０のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６２）
前記１つ以上の発光体と反対側の前記モジュール基板の側に配置されたコントローラを備え、前記１つ以上の発光体が前記コントローラに電気的に接続される、項目４７～６１のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６３）
前記発光体アセンブリが、
４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び
１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さ、
のうちの少なくとも１つを有する、項目４７～６２のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６４）
前記１つ以上の発光体が、裸の、パッケージされていないダイである、項目４７～６３のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６５）
前記１つ以上の発光体の各々が、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続された発光体上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触する発光体下側を含む、項目４７～６４のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６６）
コントローラアセンブリであって、
第１の側及び前記第１の側と反対側の第２の側を有するコントローラアセンブリ基板と、
前記コントローラアセンブリ基板上に、またはその中に配置されたコントローラと、
前記コントローラアセンブリ基板の前記第１の側に配置された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストと、
前記コントローラアセンブリ基板の前記第２の側に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、
前記コントローラを前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストに、かつ前記１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続するコントローラ電極と、
を備える、前記コントローラアセンブリ。
（項目６７）
前記コントローラが、前記コントローラアセンブリ基板の前記第２の側に配置されている、項目６６に記載のコントローラアセンブリ。
（項目６８）
前記コントローラアセンブリ基板が、破断または分離されたコントローラアセンブリテザーを備える、項目６６または６７に記載のコントローラアセンブリ。
（項目６９）
前記コントローラアセンブリ基板が、誘電体基板または半導体基板である、項目６６～６８のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７０）
前記コントローラが、前記コントローラアセンブリ基板上に配置されており、前記アセンブリ基板に非固有である、項目６６～６９のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７１）
前記コントローラが、破断または分離されたコントローラテザーを備える、項目６６～７０のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７２）
前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板を通過する、項目６６～７１のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７３）
前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付いている、項目６６～７２のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７４）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラが前記１つ以上のモジュール接続ポストと前記コントローラアセンブリ基板との間に配置されるように、前記コントローラ上に配置されている、項目６６～７３のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７５）
前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストまたはモジュール接続ポストの各々が、多層接続ポストである、項目６６～７４のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７６）
前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストまたはモジュール接続ポストの各々が、単層接続ポストである、項目７４に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７７）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラアセンブリ基板から、前記コントローラの厚さよりも大きい距離で、突出している、項目６６～７６のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７８）
前記距離が、前記厚さの少なくとも１．１倍、かつ３倍以下である、項目７７に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７９）
モジュール基板を備え、前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストの各々が、前記モジュール基板上に、またはその中に配置された接触パッドと電気的に接続して配置されている、項目６６～７８のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８０）
前記モジュール基板が、モジュールテザー（例えば、破断または分離されたテザー、または前記モジュールテザーがソース基板のアンカー部分に物理的に接続されている）を備える、項目７９に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８１）
前記コントローラと反対側の前記モジュール基板の側に配置された１つ以上の発光体を備え、前記１つ以上の発光体が、前記コントローラに電気的に接続されている、項目７９または８０に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８２）
前記コントローラアセンブリが、
４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び
１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さ、
のうちの少なくとも１つを有する、項目６６～８１のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８３）
コントローラアセンブリであって、
コントローラアセンブリ基板と、
前記コントローラアセンブリ基板の第１の側に配置されたコントローラと、
前記コントローラ上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、
前記第１の側と反対側の前記コントローラアセンブリ基板の第２の側に配置された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストと、
前記コントローラアセンブリ基板上に少なくとも部分的に配置されたコントローラ電極であって、前記コントローラ電極が、前記コントローラ、前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポスト、及び前記１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続されている、前記コントローラ電極と、
を備える、前記コントローラアセンブリ。
（項目８４）
前記コントローラアセンブリ基板が、誘電体基板または半導体基板であり、前記コントローラが、前記コントローラアセンブリ基板に非固有である、項目８３に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８５）
前記コントローラが、破断または分離されたコントローラテザーを備える、項目８３または８４に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８６）
前記コントローラアセンブリ基板が、破断または分離されたコントローラアセンブリテザーを備える、項目８３～８５のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８７）
前記コントローラと、前記コントローラ電極の各々の少なくとも一部分との間に配置された誘電体を備える、項目８３～８６のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８８）
前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板を通過する、項目８３～８７のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８９）
前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付いている、項目８３～８８のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目９０）
前記コントローラが、裸の、パッケージされていないダイである、項目６６～８９のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目９１）
前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、項目６６～９０のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目９２）
ピクセルモジュールであって、
発光体表面及び前記発光体表面と反対側のコントローラ表面を有する誘電体モジュール基板と、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラアセンブリであって、前記コントローラアセンブリが、項目６６～８９のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリである、前記コントローラアセンブリと、
前記モジュール基板上、またはその上方に配置された１つ以上の発光体と、
前記１つ以上の発光体を前記コントローラに電気的に接続するモジュール電極と、
を備える、前記ピクセルモジュール。
（項目９３）
前記１つ以上の発光体が、項目４７～６５のいずれか１項に記載の１つ以上の発光体アセンブリに含まれる、項目９２に記載のピクセルモジュール。
（項目９４）
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置された接着層を備え、前記コントローラアセンブリの前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストが、前記接着層を貫通し、各々が前記モジュール基板上またはその中に配置された接触パッドに物理的に接触する、項目９２または９３に記載のピクセルモジュール。
（項目９５）
前記接着層が、前記コントローラアセンブリと直接接触している、項目９２～９４のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目９６）
前記モジュール電極の個々が、前記モジュール基板を通過する、項目９２～９５のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目９７）
前記モジュール電極の個々が、前記モジュール基板の縁の周りに各々巻き付いている、項目９２～９６のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目９８）
前記１つ以上の発光体が、各々破断または分離された発光体テザーを備える、項目９２～９７のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目９９）
前記１つ以上の発光体が、水平発光ダイオードである、項目９２～９８のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１００）
前記１つ以上の発光体が、垂直発光ダイオードである、項目９２～９９のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０１）
前記１つ以上の発光体の各々が、１つ以上の発光体接続ポストを備え、前記１つ以上の発光体が、前記１つ以上の発光体接続ポストを通して部分的に前記コントローラに電気的に接続されている、項目９２～１００のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０２）
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された接着層を備え、前記１つ以上の発光体の各々の前記１つ以上の発光体接続ポストが、前記１つ以上の発光体が前記コントローラに電気的に接続されるように、前記接着層を貫通している、項目９２～９９のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０３）
前記接着層が、前記モジュール電極の個々の上方に配置されている、項目１０２に記載のピクセルモジュール。
（項目１０４）
前記モジュール基板が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、項目９２～１０３のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０５）
前記１つ以上の発光体の上方に配置された発光体封入層を備える、項目９２～１０４のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０６）
前記発光体封入層が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、項目１０５に記載のピクセルモジュール。
（項目１０７）
前記コントローラアセンブリの上方に配置されたコントローラ封入層を備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラ封入層を通って突出している、項目９２～１０６のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０８）
ターゲット基板を備え、前記コントローラアセンブリの前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記ターゲット基板上に、またはその中に配置された対応する１つ以上の接触パッドと電気的に接触するように配置されている、項目９２～１０７のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０９）
前記ターゲット基板上に配置された接着層を備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラ及び前記１つ以上の発光体が前記ターゲット基板上またはその中に配置された１つ以上のモジュール電極に電気的に接続されるように、前記接着層を貫通している、項目１０８に記載のピクセルモジュール。
（項目１１０）
前記ターゲット基板が、ディスプレイ基板であり、前記ピクセルモジュールが、視聴者に情報（例えば、画像及び／またはテキスト）を表示するように動作可能である、前記ディスプレイ基板上に配置されたピクセルのアレイ内のピクセルである、項目１０９に記載のピクセルモジュール。
（項目１１１）
前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、項目１～２８または項目９２～１１０のいずれか１項に記載のコピクセルモジュール。
（項目１１２）
前記１つ以上の発光体、前記コントローラ、または前記１つ以上の発光体と前記コントローラの両方が、裸の、パッケージされていないダイである、項目１～２８または項目９２～１１１のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１１３）
ピクセルモジュールを作製する方法であって、
モジュールソースウェハ上、またはその中に配置されたモジュール基板上に配置されているコントローラ、モジュール電極、及びモジュール接続ポストを提供することであって、前記モジュール電極が、前記コントローラと電気的に接触している、前記提供することと、
前記コントローラが、キャリアと前記モジュール基板との間に配置されるように、前記コントローラ、前記モジュール電極、前記モジュール接続ポスト、及び前記モジュール基板を前記キャリアに移動することと、
前記モジュール基板を除去することなく、前記モジュールソースウェハを除去することと、
前記モジュール基板が、前記コントローラと前記発光体との間に配置されるように、前記モジュール基板上に発光体を配置することであって、前記発光体が前記モジュール基板に非固有である、前記配置することと、
前記ピクセルモジュールを形成するために、前記発光体を前記コントローラに電気的に接続することと、
を含む、前記方法。
（項目１１４）
前記提供することのステップが、
前記モジュール基板上に前記コントローラを配置することであって、前記コントローラが前記モジュール基板に非固有である、前記配置することと、
パターン化された第１の誘電体層を、前記コントローラ上に配置することと、
前記モジュール電極を、前記パターン化された第１の誘電体層上に、かつ前記コントローラと電気的に接触させて配置することと、
前記モジュール接続ポストを配置することと、を含む、項目１１３に記載の方法。
（項目１１５）
前記提供することのステップが、前記モジュール接続ポストが第２の誘電体層から突出するように、前記モジュール電極上に前記第２の誘電体層を配置することをさらに含む、項目１１３または１１４に記載の方法。
（項目１１６）
前記第２の誘電体層及び前記モジュール基板が、前記モジュール電極及び前記コントローラをともに封入する、項目１１５に記載の方法。
（項目１１７）
前記移動することのステップの前に、前記第２の誘電体層上にパターン化された犠牲剥離層を形成することを含み、前記パターン化された犠牲剥離層が前記１つ以上のモジュール接続ポストを覆う、項目１１５または１１６に記載の方法。
（項目１１８）
前記発光体を配置した後に、前記パターン化された犠牲剥離層を少なくとも部分的に除去する（例えば、エッチングする）ことを含む、項目１１７に記載の方法。
（項目１１９）
前記パターン化された犠牲剥離層が少なくとも部分的に除去された後、前記コントローラ及び前記発光体が、前記第２の誘電体層の一部分によって前記キャリアに接続されたままであるように、前記第２の誘電体層の前記一部分が、前記モジュール基板と共通の平面内に配置されている、項目１１８に記載の方法。
（項目１２０）
前記ピクセルモジュールを、前記キャリアからターゲット基板（例えば、ディスプレイ基板）に印刷すること（例えば、マイクロ移動印刷すること）を含む、項目１１８または１１９に記載の方法。
（項目１２１）
前記コントローラと反対側の前記モジュール基板の表面上に、追加のモジュール電極を形成することを含む、項目１１３～１２０のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２２）
前記発光体に電気的に接続された発光体接続ポストが、前記追加のモジュール電極と電気的に接触する状態になるように、前記発光体を印刷することを含む、項目１２１に記載の方法。
（項目１２３）
前記発光体を配置する前に、前記追加のモジュール電極及び前記モジュール基板上にパターン化されていない接着層を提供することと、
パターン化後の前記接着層が、前記モジュール基板を超えて延在しないように、前記発光体を配置した後に、前記接着層をパターン化することと、を含む、項目１２１または１２２に記載の方法。
（項目１２４）
前記発光体が、破断または分離されたテザーを備える、項目１１３～１２３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２５）
前記コントローラが、破断または分離されたテザーを備える、項目１１３～１２４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２６）
前記モジュール基板及び第１の封入層が、ともに前記コントローラを封入するように、前記コントローラ上、またはその上方に配置された前記第１の封入層を提供することと、
前記モジュール基板及び第２の封入層が、ともに前記発光体を封入するように、前記発光体上、またはその上方に前記第２の封入層を配置することと、
を含む、項目１１３～１２５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２７）
前記コントローラが、前記モジュール基板の縁を通過する、またはその周りを通る１つ以上のモジュール電極によって、少なくとも部分的に前記発光体に電気的に接続されている、項目１１３～１２６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２８）
前記ピクセルモジュールを、前記キャリアからターゲット基板（例えば、ディスプレイ基板）に印刷すること（例えば、マイクロ移動印刷すること）を含む、項目１１３～１２７のいずれか１項に記載の方法。
１０ モジュール基板
１０Ｌ モジュール発光体表面／モジュール発光体側
１０Ｃ モジュールコントローラ表面／モジュールコントローラ側
１１ 破砕ライン
１２ モジュール接続ポスト
１４ モジュールテザー
１５ モジュールソースウェハ
１６ ビア
１６Ｌ 発光体ビア
１６Ｃ コントローラビア
１６Ｇ 接地ビア
１７ モジュールアンカー
１８ モジュール電極
１９ 接着剤／接着層
２０ 発光体
２０Ａ 発光体領域
２０Ｓ 発光体下側
２０Ｔ 発光体上側
２０Ｒ 赤色発光体
２０Ｇ 緑色発光体
２０Ｂ 青色発光体
２１ 伝導層
２２ 発光体アセンブリ接続ポスト
２３ 発光層
２４ 発光体テザー
２４Ａ 発光体アセンブリテザー
２５ 発光体ソースウェハ
２６ 発光体接続ポスト
２７ 発光体アンカー
２８ 発光体電極
２９ 発光体封入層
３０ コントローラ
３０Ａ コントローラ領域
３０Ｓ コントローラ下側
３０Ｔ コントローラ上側
３２ コントローラアセンブリ接続ポスト
３４ コントローラテザー
３４Ａ コントローラアセンブリテザー
３５ コントローラソースウェハ
３７ コントローラアンカー
３８ コントローラ電極
３９ コントローラ封入層
４０ 接触パッド
５０ 誘電体／誘電体構造／誘電体層／誘電体基板
５２ 発光体アセンブリ基板
５４ コントローラアセンブリ基板
６０ 光
６０Ｒ 赤色光
６０Ｇ 緑色光
６０Ｂ 青色光
７０ ディスプレイ基板／ターゲット基板
７４ ディスプレイ電極
８０ 発光体アセンブリ
８２ コントローラアセンブリ
８４ 犠牲部分／隙間
９０ スタンプ
９２ スタンプポスト
９７ ピクセルモジュールウェハ
９８ ピクセルモジュールディスプレイ
９９ ピクセルモジュール
１００ ソースウェハ
１０２ キャリア
１１０ 構成要素
１１２ 誘電体封入体
１１４ 構成要素テザー
１１７ 構成要素アンカー
１１８ 構成要素電極
１２０ 犠牲剥離層
２００ 印刷可能な発光体を提供するステップ
２０２ 印刷可能なコントローラを提供するステップ
２０４ モジュールソースウェハを提供するステップ
２０６ モジュール基板を提供するステップ
２１０ コントローラソースウェハを提供するステップ
２２０ コントローラソースウェハ上にモジュールを配置するステップ
２３０ モジュール基板上にコントローラを配置するステップ
２４０ モジュール基板上にビア及び電極を形成するステップ
２４１ モジュール基板上にビア及び電極を形成するステップ
２４５ モジュール基板上にコントローラをマイクロ移動印刷するステップ
２４７ モジュール基板上にビア及び電極を形成するステップ
２５０ モジュールキャリア及び電極を形成するステップ
２６０ モジュール基板上に発光体をマイクロ移動印刷するステップ
２７０ モジュール基板上の発光体を封入するステップ
２８０ 犠牲剥離層をエッチングしてモジュールを剥離するステップ
２９０ ターゲット基板上にモジュールをマイクロ移動印刷するステップ
３００ 印刷可能な発光体を提供するステップ
３１０ 構成要素ソースウェハを提供するステップ
３２０ 構成要素ソースウェハ上に構成要素を形成するステップ
３３０ 構成要素ソースウェハを提供するステップ
３４０ 構成要素ソースウェハ上の構成要素を封入するステップ
３５０ 構成要素キャリアに構成要素を接着するステップ
３６０ 構成要素ソースウェハを除去するステップ
３７０ 犠牲剥離層をエッチングして構成要素を剥離するステップ
４００ 印刷可能な発光体を提供するステップ
４１０ コントローラソースウェハを提供するステップ
４２０ コントローラソースウェハ上にモジュールを配置するステップ
４３０ モジュール基板上にコントローラを配置するステップ
４４０ モジュール基板上にビア及び電極を形成するステップ
４５０ モジュールキャリア及び電極を形成するステップ
４６０ モジュール基板上に発光体をマイクロ移動印刷するステップ
４７０ モジュール基板上の発光体を封入するステップ
４８０ 犠牲剥離層をエッチングしてモジュールを剥離するステップ
４９０ ターゲット基板上にモジュールをマイクロ移動印刷するステップ
（項目１）
ピクセルモジュールであって、
発光体表面及び前記発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板と、
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上の発光体と、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラと、
モジュール電極であって、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが、前記コントローラに電気的に接続され、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが、前記１つ以上の発光体の各発光体に電気的に接続されている、前記モジュール電極と、
を備える、前記ピクセルモジュール。
（項目２）
前記コントローラが、前記１つ以上の発光体を制御するように動作可能であるように（例えば、適切な入力が提供されるとき）、前記モジュール電極が、前記コントローラを前記１つ以上の発光体に電気的に接続している、項目１に記載のピクセルモジュール。
（項目３）
前記モジュール電極のうちの１つ以上が、前記モジュール基板を通過する、項目１または２に記載のピクセルモジュール。
（項目４）
前記モジュール電極のうちの１つ以上が、前記モジュール基板の縁の周りに巻き付いている、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目５）
前記１つ以上の発光体が、赤色光を発するように動作可能な赤色発光体と、緑色光を発するように動作可能な緑色発光体と、青色光を発するように動作可能な青色発光体とを含む、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目６）
前記１つ以上の発光体が、前記モジュール基板の前記発光体表面から離れた方向に光を発するように配置された１つ以上の水平無機発光ダイオードである、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目７）
前記水平無機発光ダイオードが、下側と反対側の上側を備え、前記上側を通して光を発し、発光体電極が、前記上側に電気的に接続されている、項目６に記載のピクセルモジュール。
（項目８）
前記水平無機発光ダイオードが、上側と反対側の下側を備え、前記下側を通して光を発し、発光体電極が、前記上側に電気的に接続されている、項目６または７に記載のピクセルモジュール。
（項目９）
前記１つ以上の発光体が、前記モジュール基板の前記発光体表面から離れた方向に光を発するように配置された１つ以上の垂直無機発光ダイオードである、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０）
前記１つ以上の発光体の各発光体が、各々が前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続された１つ以上の発光体接続ポストを備える、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１１）
前記コントローラが、各々が前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストを備える、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１２）
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続されている、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１３）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記モジュール基板の前記コントローラ表面から、前記コントローラの厚さよりも大きい距離で、突出している、項目１２に記載のピクセルモジュール。
（項目１４）
前記距離が、前記コントローラの前記厚さの少なくとも１．１倍（例えば、少なくとも１．２倍または少なくとも１．５倍）である、項目１３に記載のピクセルモジュール。
（項目１５）
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続されている、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１６）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記モジュール基板の前記発光体表面から、前記１つ以上の発光体の各々の厚さよりも大きい距離で、突出している、項目１５に記載のピクセルモジュール。
（項目１７）
前記距離が、前記１つ以上の発光体の前記厚さの少なくとも１．１倍（例えば、少なくとも１．２倍または少なくとも１．５倍）である、項目１６に記載のピクセルモジュール。
（項目１８）
１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストは、前記コントローラが前記１つ以上のモジュール接続ポストと前記モジュール基板との間に配置されるように、前記コントローラ上に配置されている、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１９）
前記コントローラ上に配置された前記１つ以上のモジュール接続ポストのモジュール接続ポストが、前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続されている、項目１８に記載のピクセルモジュール。
（項目２０）
（ｉ）前記１つ以上の発光体の各発光体が、破断または分離された発光体テザーを備え、（ｉｉ）前記コントローラが、破断または分離されたコントローラテザーを備え、（ｉｉｉ）前記モジュール基板が、モジュールテザー（例えば、破断もしくは分離されたテザー、または前記モジュールテザーが、ソースウェハのアンカー部分に物理的に接続されている）、または（ｉｖ）（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｉｉ）の任意の組み合わせである、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２１）
前記モジュール基板が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２２）
（ｉ）前記１つ以上の発光体の各々が、前記モジュール基板に非固有であるか、（ｉｉ）前記コントローラが、前記モジュール基板に非固有であるか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２３）
（ｉ）誘電体が、前記コントローラと前記モジュール電極のうちの前記少なくとも１つの各々の少なくとも一部分との間に配置されているか、（ｉｉ）誘電体が、前記少なくとも１つの発光体と前記モジュール電極のうちの前記少なくとも１つの各々の少なくとも一部分との間に配置されているか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２４）
（ｉ）前記コントローラの上方に配置された封入層か、（ｉｉ）前記１つ以上の発光体の上方に配置された封入層か、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を備える、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２５）
前記封入層のうちのいずれか１つ以上は、破断または分離されたモジュールテザーを備える、項目２４に記載のピクセルモジュール。
（項目２６）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラの上方に配置された前記封入層及び前記１つ以上の発光体の上方に配置された前記封入層のうちのいずれか１つ以上を通って突出している、項目２４または２５に記載のピクセルモジュール。
（項目２７）
前記ピクセルモジュールが、前記封入層のうちのいずれか１つ以上、及び任意選択で前記モジュール基板によって、完全に封入されている、項目２４～２６のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２８）
前記ピクセルモジュールが、
４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び
１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さ、
のうちの少なくとも１つを有する、先行項目のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目２９）
ピクセルモジュールウェハであって、
犠牲部分及びモジュールアンカーを備え、各犠牲部分が、モジュールアンカーによって隣接する犠牲部分から横方向に分離されている、モジュールソースウェハと、
各犠牲部分の上方に完全に配置されたピクセルモジュールであって、各ピクセルモジュールが、
発光体表面及び前記発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板、
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上の発光体、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラ、及び
モジュール電極であって、前記モジュール電極のうち少なくとも１つが前記コントローラに電気的に接続され、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが前記１つ以上の発光体のうちの少なくとも１つの発光体に電気的に接続されている、前記モジュール電極を備える、前記ピクセルモジュールと、
前記ピクセルモジュールの各々を前記モジュールアンカーのうちの少なくとも１つに物理的に接続する少なくとも１つのモジュールテザーと、
を備える、前記ピクセルモジュールウェハ。
（項目３０）
前記１つ以上の発光体、前記コントローラ、または前記１つ以上の発光体と前記コントローラの両方が、裸の、パッケージされていないダイである、項目２９に記載のピクセルモジュールウェハ。
（項目３１）
前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、項目２９または３０に記載のピクセルモジュールウェハ。
（項目３２）
ピクセルモジュールディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板上に配置された１つ以上のピクセルモジュールであって、前記１つ以上のピクセルモジュールの各々が、
発光体表面及び前記発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板、
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上の発光体、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラ、及び
モジュール電極であって、前記モジュール電極のうち少なくとも１つが前記コントローラに電気的に接続され、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが前記１つ以上の発光体のうちの少なくとも１つの発光体に電気的に接続されている、前記モジュール電極を備える、前記１つ以上のピクセルモジュールと、
前記ディスプレイ基板上に配置されたディスプレイ電極であって、各ディスプレイ電極が、前記１つ以上のピクセルモジュールのモジュール電極に電気的に接続された、前記ディスプレイ電極と、を備え、
前記１つ以上のピクセルモジュールが、前記ディスプレイ基板に非固有である、
前記ピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３３）
前記ピクセルモジュールの各々が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、項目３２に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３４）
前記ピクセルモジュールの各々が、１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストの各モジュール接続ポストが、ディスプレイ電極に電気的に接続されている、項目３２または３３に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３５）
前記１つ以上のピクセルモジュールが、規則的なアレイに配置されている複数のピクセルモジュールであり、前記規則的なアレイが、１つまたは２つの寸法において規則的である、項目３２～３４のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３６）
前記１つ以上の発光体が、前記ディスプレイ基板と前記モジュール基板との間に配置されている、項目３２～３５のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３７）
前記コントローラが、前記ディスプレイ基板と前記モジュール基板との間に配置されている、項目３２～３６のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３８）
前記１つ以上の発光体、前記コントローラ、または前記１つ以上の発光体と前記コントローラの両方が、裸の、パッケージされていないダイである、項目３２～３７のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目３９）
前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、項目３２～３８のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
（項目４０）
ピクセルモジュールを作製する方法であって、
（ｉ）発光体を備える発光体ソースウェハ、（ｉｉ）コントローラを備えるコントローラソースウェハ、及び（ｉｉｉ）コントローラ表面及び反対側にある発光体表面を有するモジュール基板を提供することと、
（ｉ）前記発光体ソースウェハから前記モジュール基板の前記発光体表面に前記発光体を、（ｉｉ）前記コントローラソースウェハから前記モジュール基板の前記コントローラ表面に前記コントローラを、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を、移動することと、
前記モジュール基板を通して１つ以上のビアを形成し、かつ前記１つ以上のビアを通して前記コントローラを前記発光体に電気的に接続するモジュール電極を形成することと、
を含む、前記方法。
（項目４１）
（ｉ）前記発光体ソースウェハをモジュールキャリアに接着させ、前記発光体ソースウェハを除去することか、（ｉｉ）前記コントローラソースウェハをモジュールキャリアに接着させ、前記コントローラソースウェハを除去することか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を含む、項目４０に記載の方法。
（項目４２）
前記コントローラソースウェハを提供することが、前記モジュール基板及び前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置された前記コントローラを提供することを含み、前記方法が、前記１つ以上の発光体を、発光体ソースウェハから前記モジュール基板の前記発光側に移動することを含む、項目４０または４１に記載の方法。
（項目４３）
前記発光体ソースウェハを提供することが、前記モジュール基板を提供することを含み、前記１つ以上の発光体が、前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置され、前記方法が、前記コントローラを、コントローラソースウェハから前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に移動することを含む、項目４０～４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目４４）
前記発光体を移動することが、前記発光体を前記発光体ソースウェハから前記モジュール基板の前記発光体表面にマイクロ移動印刷することを含むか、（ｉｉ）前記コントローラを移動することが、前記コントローラを前記コントローラソースウェハから前記モジュール基板の前記コントローラ表面にマイクロ移動印刷することを含むか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である、項目４０～４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目４５）
ディスプレイ基板を提供することと、前記ピクセルモジュールを前記ディスプレイ基板に移動することと、を含む、項目４０～４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目４６）
前記ピクセルモジュールを前記ディスプレイ基板に移動することが、前記ピクセルモジュールをモジュールキャリアから前記ディスプレイ基板にマイクロ移動印刷することを含む、項目４０～４５のいずれか１項に記載の方法。
（項目４７）
発光体アセンブリであって、
第１の側及び前記第１の側と反対側の第２の側を有する誘電体発光体アセンブリ基板と、
前記発光体アセンブリ基板上に配置された１つ以上の発光体であって、前記１つ以上の発光体が前記発光体アセンブリ基板に非固有である、前記１つ以上の発光体と、
前記発光体アセンブリ基板の前記第１の側に配置された１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストと、
前記発光体アセンブリ基板の前記第２の側に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、
前記１つ以上の発光体を、前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストに、かつ前記１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続する発光体電極と、
を備える、前記発光体アセンブリ。
（項目４８）
前記１つ以上の発光体が、前記発光体アセンブリ基板の前記第２の側に配置されている、項目４７に記載の発光体アセンブリ。
（項目４９）
前記発光体アセンブリ基板が、破断または分離された発光体アセンブリテザー（例えば、破断または分離された発光体テザーまたはソース基板のアンカー部分に物理的に接続された発光体テザー）を備える、項目４７または４８に記載の発光体アセンブリ。
（項目５０）
前記１つ以上の発光体が、各々マイクロＬＥＤである、項目４７～４９のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５１）
前記１つ以上の発光体が、水平発光ダイオードである、項目４７～５０のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５２）
前記１つ以上の発光体が、垂直発光ダイオードである、項目４７～５１のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５３）
前記１つ以上の発光体の各々が、破断または分離された発光体テザーを備える、項目４７～５２のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５４）
前記発光体電極のうちの個々が、前記発光体アセンブリ基板を通過する、項目４７～５３のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５５）
前記発光体電極の個々が、前記発光体アセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付いている、項目４７～５４のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５６）
前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々、または前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、多層接続ポストである、項目４７～５５のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５７）
前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々、または前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、単層接続ポストである、項目５６に記載の発光体アセンブリ。
（項目５８）
前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々、または前記発光体アセンブリ接続ポストの各々が、前記１つ以上の発光体の最も厚い厚さよりも大きい距離で、前記発光体アセンブリ基板から突出している、項目４７～５７のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目５９）
前記距離が、前記最も厚い厚さの少なくとも１．１倍、かつ３倍以下である、項目５８に記載の発光体アセンブリ。
（項目６０）
モジュール基板と、前記モジュール基板上、またはその中に配置された１つ以上の接触パッドとを備え、前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々が、前記１つ以上の接触パッドのうちの１つと電気的に接続して配置されている、項目４７～５９のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６１）
前記モジュール基板が、モジュールテザー（例えば、破断または分離されたモジュールテザー、またはソース基板のアンカー部分に物理的に接続されているモジュールテザー）を備える、項目４７～６０のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６２）
前記１つ以上の発光体と反対側の前記モジュール基板の側に配置されたコントローラを備え、前記１つ以上の発光体が前記コントローラに電気的に接続される、項目４７～６１のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６３）
前記発光体アセンブリが、
４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び
１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さ、
のうちの少なくとも１つを有する、項目４７～６２のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６４）
前記１つ以上の発光体が、裸の、パッケージされていないダイである、項目４７～６３のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６５）
前記１つ以上の発光体の各々が、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続された発光体上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触する発光体下側を含む、項目４７～６４のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
（項目６６）
コントローラアセンブリであって、
第１の側及び前記第１の側と反対側の第２の側を有するコントローラアセンブリ基板と、
前記コントローラアセンブリ基板上に、またはその中に配置されたコントローラと、
前記コントローラアセンブリ基板の前記第１の側に配置された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストと、
前記コントローラアセンブリ基板の前記第２の側に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、
前記コントローラを前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストに、かつ前記１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続するコントローラ電極と、
を備える、前記コントローラアセンブリ。
（項目６７）
前記コントローラが、前記コントローラアセンブリ基板の前記第２の側に配置されている、項目６６に記載のコントローラアセンブリ。
（項目６８）
前記コントローラアセンブリ基板が、破断または分離されたコントローラアセンブリテザーを備える、項目６６または６７に記載のコントローラアセンブリ。
（項目６９）
前記コントローラアセンブリ基板が、誘電体基板または半導体基板である、項目６６～６８のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７０）
前記コントローラが、前記コントローラアセンブリ基板上に配置されており、前記アセンブリ基板に非固有である、項目６６～６９のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７１）
前記コントローラが、破断または分離されたコントローラテザーを備える、項目６６～７０のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７２）
前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板を通過する、項目６６～７１のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７３）
前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付いている、項目６６～７２のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７４）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラが前記１つ以上のモジュール接続ポストと前記コントローラアセンブリ基板との間に配置されるように、前記コントローラ上に配置されている、項目６６～７３のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７５）
前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストまたはモジュール接続ポストの各々が、多層接続ポストである、項目６６～７４のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７６）
前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストまたはモジュール接続ポストの各々が、単層接続ポストである、項目７４に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７７）
前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラアセンブリ基板から、前記コントローラの厚さよりも大きい距離で、突出している、項目６６～７６のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７８）
前記距離が、前記厚さの少なくとも１．１倍、かつ３倍以下である、項目７７に記載のコントローラアセンブリ。
（項目７９）
モジュール基板を備え、前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストの各々が、前記モジュール基板上に、またはその中に配置された接触パッドと電気的に接続して配置されている、項目６６～７８のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８０）
前記モジュール基板が、モジュールテザー（例えば、破断または分離されたテザー、または前記モジュールテザーがソース基板のアンカー部分に物理的に接続されている）を備える、項目７９に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８１）
前記コントローラと反対側の前記モジュール基板の側に配置された１つ以上の発光体を備え、前記１つ以上の発光体が、前記コントローラに電気的に接続されている、項目７９または８０に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８２）
前記コントローラアセンブリが、
４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び
１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さ、
のうちの少なくとも１つを有する、項目６６～８１のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８３）
コントローラアセンブリであって、
コントローラアセンブリ基板と、
前記コントローラアセンブリ基板の第１の側に配置されたコントローラと、
前記コントローラ上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、
前記第１の側と反対側の前記コントローラアセンブリ基板の第２の側に配置された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストと、
前記コントローラアセンブリ基板上に少なくとも部分的に配置されたコントローラ電極であって、前記コントローラ電極が、前記コントローラ、前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポスト、及び前記１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続されている、前記コントローラ電極と、
を備える、前記コントローラアセンブリ。
（項目８４）
前記コントローラアセンブリ基板が、誘電体基板または半導体基板であり、前記コントローラが、前記コントローラアセンブリ基板に非固有である、項目８３に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８５）
前記コントローラが、破断または分離されたコントローラテザーを備える、項目８３または８４に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８６）
前記コントローラアセンブリ基板が、破断または分離されたコントローラアセンブリテザーを備える、項目８３～８５のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８７）
前記コントローラと、前記コントローラ電極の各々の少なくとも一部分との間に配置された誘電体を備える、項目８３～８６のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８８）
前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板を通過する、項目８３～８７のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目８９）
前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付いている、項目８３～８８のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目９０）
前記コントローラが、裸の、パッケージされていないダイである、項目６６～８９のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目９１）
前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、項目６６～９０のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
（項目９２）
ピクセルモジュールであって、
発光体表面及び前記発光体表面と反対側のコントローラ表面を有する誘電体モジュール基板と、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラアセンブリであって、前記コントローラアセンブリが、項目６６～８９のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリである、前記コントローラアセンブリと、
前記モジュール基板上、またはその上方に配置された１つ以上の発光体と、
前記１つ以上の発光体を前記コントローラに電気的に接続するモジュール電極と、
を備える、前記ピクセルモジュール。
（項目９３）
前記１つ以上の発光体が、項目４７～６５のいずれか１項に記載の１つ以上の発光体アセンブリに含まれる、項目９２に記載のピクセルモジュール。
（項目９４）
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置された接着層を備え、前記コントローラアセンブリの前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストが、前記接着層を貫通し、各々が前記モジュール基板上またはその中に配置された接触パッドに物理的に接触する、項目９２または９３に記載のピクセルモジュール。
（項目９５）
前記接着層が、前記コントローラアセンブリと直接接触している、項目９２～９４のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目９６）
前記モジュール電極の個々が、前記モジュール基板を通過する、項目９２～９５のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目９７）
前記モジュール電極の個々が、前記モジュール基板の縁の周りに各々巻き付いている、項目９２～９６のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目９８）
前記１つ以上の発光体が、各々破断または分離された発光体テザーを備える、項目９２～９７のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目９９）
前記１つ以上の発光体が、水平発光ダイオードである、項目９２～９８のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１００）
前記１つ以上の発光体が、垂直発光ダイオードである、項目９２～９９のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０１）
前記１つ以上の発光体の各々が、１つ以上の発光体接続ポストを備え、前記１つ以上の発光体が、前記１つ以上の発光体接続ポストを通して部分的に前記コントローラに電気的に接続されている、項目９２～１００のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０２）
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された接着層を備え、前記１つ以上の発光体の各々の前記１つ以上の発光体接続ポストが、前記１つ以上の発光体が前記コントローラに電気的に接続されるように、前記接着層を貫通している、項目９２～９９のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０３）
前記接着層が、前記モジュール電極の個々の上方に配置されている、項目１０２に記載のピクセルモジュール。
（項目１０４）
前記モジュール基板が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、項目９２～１０３のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０５）
前記１つ以上の発光体の上方に配置された発光体封入層を備える、項目９２～１０４のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０６）
前記発光体封入層が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、項目１０５に記載のピクセルモジュール。
（項目１０７）
前記コントローラアセンブリの上方に配置されたコントローラ封入層を備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラ封入層を通って突出している、項目９２～１０６のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０８）
ターゲット基板を備え、前記コントローラアセンブリの前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記ターゲット基板上に、またはその中に配置された対応する１つ以上の接触パッドと電気的に接触するように配置されている、項目９２～１０７のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１０９）
前記ターゲット基板上に配置された接着層を備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラ及び前記１つ以上の発光体が前記ターゲット基板上またはその中に配置された１つ以上のモジュール電極に電気的に接続されるように、前記接着層を貫通している、項目１０８に記載のピクセルモジュール。
（項目１１０）
前記ターゲット基板が、ディスプレイ基板であり、前記ピクセルモジュールが、視聴者に情報（例えば、画像及び／またはテキスト）を表示するように動作可能である、前記ディスプレイ基板上に配置されたピクセルのアレイ内のピクセルである、項目１０９に記載のピクセルモジュール。
（項目１１１）
前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、項目１～２８または項目９２～１１０のいずれか１項に記載のコピクセルモジュール。
（項目１１２）
前記１つ以上の発光体、前記コントローラ、または前記１つ以上の発光体と前記コントローラの両方が、裸の、パッケージされていないダイである、項目１～２８または項目９２～１１１のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
（項目１１３）
ピクセルモジュールを作製する方法であって、
モジュールソースウェハ上、またはその中に配置されたモジュール基板上に配置されているコントローラ、モジュール電極、及びモジュール接続ポストを提供することであって、前記モジュール電極が、前記コントローラと電気的に接触している、前記提供することと、
前記コントローラが、キャリアと前記モジュール基板との間に配置されるように、前記コントローラ、前記モジュール電極、前記モジュール接続ポスト、及び前記モジュール基板を前記キャリアに移動することと、
前記モジュール基板を除去することなく、前記モジュールソースウェハを除去することと、
前記モジュール基板が、前記コントローラと前記発光体との間に配置されるように、前記モジュール基板上に発光体を配置することであって、前記発光体が前記モジュール基板に非固有である、前記配置することと、
前記ピクセルモジュールを形成するために、前記発光体を前記コントローラに電気的に接続することと、
を含む、前記方法。
（項目１１４）
前記提供することのステップが、
前記モジュール基板上に前記コントローラを配置することであって、前記コントローラが前記モジュール基板に非固有である、前記配置することと、
パターン化された第１の誘電体層を、前記コントローラ上に配置することと、
前記モジュール電極を、前記パターン化された第１の誘電体層上に、かつ前記コントローラと電気的に接触させて配置することと、
前記モジュール接続ポストを配置することと、を含む、項目１１３に記載の方法。
（項目１１５）
前記提供することのステップが、前記モジュール接続ポストが第２の誘電体層から突出するように、前記モジュール電極上に前記第２の誘電体層を配置することをさらに含む、項目１１３または１１４に記載の方法。
（項目１１６）
前記第２の誘電体層及び前記モジュール基板が、前記モジュール電極及び前記コントローラをともに封入する、項目１１５に記載の方法。
（項目１１７）
前記移動することのステップの前に、前記第２の誘電体層上にパターン化された犠牲剥離層を形成することを含み、前記パターン化された犠牲剥離層が前記１つ以上のモジュール接続ポストを覆う、項目１１５または１１６に記載の方法。
（項目１１８）
前記発光体を配置した後に、前記パターン化された犠牲剥離層を少なくとも部分的に除去する（例えば、エッチングする）ことを含む、項目１１７に記載の方法。
（項目１１９）
前記パターン化された犠牲剥離層が少なくとも部分的に除去された後、前記コントローラ及び前記発光体が、前記第２の誘電体層の一部分によって前記キャリアに接続されたままであるように、前記第２の誘電体層の前記一部分が、前記モジュール基板と共通の平面内に配置されている、項目１１８に記載の方法。
（項目１２０）
前記ピクセルモジュールを、前記キャリアからターゲット基板（例えば、ディスプレイ基板）に印刷すること（例えば、マイクロ移動印刷すること）を含む、項目１１８または１１９に記載の方法。
（項目１２１）
前記コントローラと反対側の前記モジュール基板の表面上に、追加のモジュール電極を形成することを含む、項目１１３～１２０のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２２）
前記発光体に電気的に接続された発光体接続ポストが、前記追加のモジュール電極と電気的に接触する状態になるように、前記発光体を印刷することを含む、項目１２１に記載の方法。
（項目１２３）
前記発光体を配置する前に、前記追加のモジュール電極及び前記モジュール基板上にパターン化されていない接着層を提供することと、
パターン化後の前記接着層が、前記モジュール基板を超えて延在しないように、前記発光体を配置した後に、前記接着層をパターン化することと、を含む、項目１２１または１２２に記載の方法。
（項目１２４）
前記発光体が、破断または分離されたテザーを備える、項目１１３～１２３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２５）
前記コントローラが、破断または分離されたテザーを備える、項目１１３～１２４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２６）
前記モジュール基板及び第１の封入層が、ともに前記コントローラを封入するように、前記コントローラ上、またはその上方に配置された前記第１の封入層を提供することと、
前記モジュール基板及び第２の封入層が、ともに前記発光体を封入するように、前記発光体上、またはその上方に前記第２の封入層を配置することと、
を含む、項目１１３～１２５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２７）
前記コントローラが、前記モジュール基板の縁を通過する、またはその周りを通る１つ以上のモジュール電極によって、少なくとも部分的に前記発光体に電気的に接続されている、項目１１３～１２６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１２８）
前記ピクセルモジュールを、前記キャリアからターゲット基板（例えば、ディスプレイ基板）に印刷すること（例えば、マイクロ移動印刷すること）を含む、項目１１３～１２７のいずれか１項に記載の方法。
Claims (132)
- ピクセルモジュールであって、
発光体表面及び前記発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板と、
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上の発光体と、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラと、
モジュール電極であって、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが、前記コントローラに電気的に接続され、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが、前記１つ以上の発光体の各発光体に電気的に接続されている、前記モジュール電極と、
を備える、前記ピクセルモジュール。 - 前記コントローラが、前記１つ以上の発光体を制御するように動作可能であるように（例えば、適切な入力が提供されるとき）、前記モジュール電極が、前記コントローラを前記１つ以上の発光体に電気的に接続している、請求項１に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール電極のうちの１つ以上が、前記モジュール基板を通過する、請求項１または２に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール電極のうちの１つ以上が、前記モジュール基板の縁の周りに巻き付いている、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体が、赤色光を発するように動作可能な赤色発光体と、緑色光を発するように動作可能な緑色発光体と、青色光を発するように動作可能な青色発光体とを含む、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体が、前記モジュール基板の前記発光体表面から離れた方向に光を発するように配置された１つ以上の水平無機発光ダイオードである、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記水平無機発光ダイオードが、下側と反対側の上側を備え、前記上側を通して光を発し、発光体電極が、前記上側に電気的に接続されている、請求項６に記載のピクセルモジュール。
- 前記水平無機発光ダイオードが、上側と反対側の下側を備え、前記下側を通して光を発し、発光体電極が、前記上側に電気的に接続されている、請求項６または７に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体が、前記モジュール基板の前記発光体表面から離れた方向に光を発するように配置された１つ以上の垂直無機発光ダイオードである、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体の各発光体が、各々が前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続された１つ以上の発光体接続ポストを備える、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記コントローラが、各々が前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストを備える、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続されている、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記モジュール基板の前記コントローラ表面から、前記コントローラの厚さよりも大きい距離で、突出している、請求項１２に記載のピクセルモジュール。
- 前記距離が、前記コントローラの前記厚さの少なくとも１．１倍（例えば、少なくとも１．２倍または少なくとも１．５倍）である、請求項１３に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続されている、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記モジュール基板の前記発光体表面から、前記１つ以上の発光体の各々の厚さよりも大きい距離で、突出している、請求項１５に記載のピクセルモジュール。
- 前記距離が、前記１つ以上の発光体の厚さの少なくとも１．１倍（例えば、少なくとも１．２倍または少なくとも１．５倍）である、請求項１６に記載のピクセルモジュール。
- １つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストは、前記コントローラが前記１つ以上のモジュール接続ポストと前記モジュール基板との間に配置されるように、前記コントローラ上に配置されている、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記コントローラ上に配置された前記１つ以上のモジュール接続ポストのモジュール接続ポストが、前記モジュール電極のうちの１つに電気的に接続されている、請求項１８に記載のピクセルモジュール。
- （ｉ）前記１つ以上の発光体の各発光体が、破断または分離された発光体テザーを備え、（ｉｉ）前記コントローラが、破断または分離されたコントローラテザーを備え、（ｉｉｉ）前記モジュール基板が、モジュールテザー（例えば、破断もしくは分離されたテザー、または前記モジュールテザーが、ソースウェハのアンカー部分に物理的に接続されている）、または（ｉｖ）（ｉ）、（ｉｉ）、及び（ｉｉｉ）の任意の組み合わせである、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール基板が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- （ｉ）前記１つ以上の発光体の各々が、前記モジュール基板に非固有であるか、（ｉｉ）前記コントローラが、前記モジュール基板に非固有であるか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- （ｉ）誘電体が、前記コントローラと前記モジュール電極のうちの前記少なくとも１つの各々の少なくとも一部分との間に配置されているか、（ｉｉ）誘電体が、前記少なくとも１つの発光体と前記モジュール電極のうちの前記少なくとも１つの各々の少なくとも一部分との間に配置されているか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- （ｉ）前記コントローラの上方に配置された封入層か、（ｉｉ）前記１つ以上の発光体の上方に配置された封入層か、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を備える、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記封入層のうちのいずれか１つ以上は、破断または分離されたモジュールテザーを備える、請求項２４に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラの上方に配置された前記封入層及び前記１つ以上の発光体の上方に配置された前記封入層のうちのいずれか１つ以上を通って突出している、請求項２４または２５に記載のピクセルモジュール。
- 前記ピクセルモジュールが、前記封入層のうちのいずれか１つ以上、及び任意選択で前記モジュール基板によって、完全に封入されている、請求項２４～２６のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記ピクセルモジュールが、
４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、並びに
１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さ、
のうちの少なくとも１つを有する、先行請求項のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。 - ピクセルモジュールウェハであって、
犠牲部分及びモジュールアンカーを備え、各犠牲部分が、モジュールアンカーによって隣接する犠牲部分から横方向に分離されている、モジュールソースウェハと、
各犠牲部分の上方に完全に配置されたピクセルモジュールであって、各ピクセルモジュールが、
発光体表面及び前記発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板、
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上の発光体、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラ、及び
モジュール電極であって、前記モジュール電極のうち少なくとも１つが前記コントローラに電気的に接続され、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが前記１つ以上の発光体のうちの少なくとも１つの発光体に電気的に接続されている、前記モジュール電極を備える、前記ピクセルモジュールと、
前記ピクセルモジュールの各々を前記モジュールアンカーのうちの少なくとも１つに物理的に接続する少なくとも１つのモジュールテザーと、
を備える、前記ピクセルモジュールウェハ。 - 前記１つ以上の発光体、前記コントローラ、または前記１つ以上の発光体と前記コントローラの両方が、裸の、パッケージされていないダイである、請求項２９に記載のピクセルモジュールウェハ。
- 前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、請求項２９または３０に記載のピクセルモジュールウェハ。
- ピクセルモジュールディスプレイであって、
ディスプレイ基板と、
前記ディスプレイ基板上に配置された１つ以上のピクセルモジュールであって、前記１つ以上のピクセルモジュールの各々が、
発光体表面及び前記発光体表面の反対側にあるコントローラ表面を有するモジュール基板、
前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された１つ以上の発光体、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラ、及び
モジュール電極であって、前記モジュール電極のうち少なくとも１つが前記コントローラに電気的に接続され、前記モジュール電極のうちの少なくとも１つが前記１つ以上の発光体のうちの少なくとも１つの発光体に電気的に接続されている、前記モジュール電極を備える、前記１つ以上のピクセルモジュールと、
前記ディスプレイ基板上に配置されたディスプレイ電極であって、各ディスプレイ電極が、前記１つ以上のピクセルモジュールのモジュール電極に電気的に接続された、前記ディスプレイ電極と、を備え、
前記１つ以上のピクセルモジュールが、前記ディスプレイ基板に非固有である、
前記ピクセルモジュールディスプレイ。 - 前記ピクセルモジュールの各々が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、請求項３２に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
- 前記ピクセルモジュールの各々が、１つ以上のモジュール接続ポストを備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストの各モジュール接続ポストが、ディスプレイ電極に電気的に接続されている、請求項３２または３３に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
- 前記１つ以上のピクセルモジュールが、規則的なアレイに配置されている複数のピクセルモジュールであり、前記規則的なアレイが、１つまたは２つの寸法において規則的である、請求項３２～３４のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
- 前記１つ以上の発光体が、前記ディスプレイ基板と前記モジュール基板との間に配置されている、請求項３２～３５のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
- 前記コントローラが、前記ディスプレイ基板と前記モジュール基板との間に配置されている、請求項３２～３６のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
- 前記１つ以上の発光体、前記コントローラ、または前記１つ以上の発光体と前記コントローラの両方が、裸の、パッケージされていないダイである、請求項３２～３７のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
- 前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、請求項３２～３８のいずれか１項に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
- ピクセルモジュールを作製する方法であって、
（ｉ）発光体を備える発光体ソースウェハ、（ｉｉ）コントローラを備えるコントローラソースウェハ、及び（ｉｉｉ）コントローラ表面及び反対側にある発光体表面を有するモジュール基板を提供することと、
（ｉ）前記発光体ソースウェハから前記モジュール基板の前記発光体表面に前記発光体を、（ｉｉ）前記コントローラソースウェハから前記モジュール基板の前記コントローラ表面に前記コントローラを、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を、移動することと、
前記モジュール基板を通して１つ以上のビアを形成し、かつ前記１つ以上のビアを通して前記コントローラを前記発光体に電気的に接続するモジュール電極を形成することと、
を含む、前記方法。 - （ｉ）前記発光体ソースウェハをモジュールキャリアに接着させ、前記発光体ソースウェハを除去することか、（ｉｉ）前記コントローラソースウェハをモジュールキャリアに接着させ、前記コントローラソースウェハを除去することか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を含む、請求項４０に記載の方法。
- 前記コントローラソースウェハを提供することが、前記モジュール基板及び前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置された前記コントローラを提供することを含み、前記方法が、前記１つ以上の発光体を、発光体ソースウェハから前記モジュール基板の前記発光側に移動することを含む、請求項４０または４１に記載の方法。
- 前記発光体ソースウェハを提供することが、前記モジュール基板を提供することを含み、前記１つ以上の発光体が、前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置され、前記方法が、前記コントローラを、コントローラソースウェハから前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に移動することを含む、請求項４０～４２のいずれか１項に記載の方法。
- 前記発光体を移動することが、前記発光体を前記発光体ソースウェハから前記モジュール基板の前記発光体表面にマイクロ移動印刷することを含むか、（ｉｉ）前記コントローラを移動することが、前記コントローラを前記コントローラソースウェハから前記モジュール基板の前記コントローラ表面にマイクロ移動印刷することを含むか、または（ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方である、請求項４０～４３のいずれか１項に記載の方法。
- ディスプレイ基板を提供することと、前記ピクセルモジュールを前記ディスプレイ基板に移動することと、を含む、請求項４０～４４のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ピクセルモジュールを前記ディスプレイ基板に移動することが、前記ピクセルモジュールをモジュールキャリアから前記ディスプレイ基板にマイクロ移動印刷することを含む、請求項４０～４５のいずれか１項に記載の方法。
- 発光体アセンブリであって、
第１の側及び前記第１の側と反対側の第２の側を有する誘電体発光体アセンブリ基板と、
前記発光体アセンブリ基板上に配置された１つ以上の発光体であって、前記１つ以上の発光体が前記発光体アセンブリ基板に非固有である、前記１つ以上の発光体と、
前記発光体アセンブリ基板の前記第１の側に配置された１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストと、
前記発光体アセンブリ基板の前記第２の側に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、
前記１つ以上の発光体を、前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストに、かつ前記１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続する発光体電極と、
を備える、前記発光体アセンブリ。 - 前記１つ以上の発光体が、前記発光体アセンブリ基板の前記第２の側に配置されている、請求項４７に記載の発光体アセンブリ。
- 前記発光体アセンブリ基板が、破断または分離された発光体アセンブリテザー（例えば、破断または分離された発光体テザーまたはソース基板のアンカー部分に物理的に接続された発光体テザー）を備える、請求項４７または４８に記載の発光体アセンブリ。
- 前記１つ以上の発光体が、各々マイクロＬＥＤである、請求項４７～４９のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記１つ以上の発光体が、水平発光ダイオードである、請求項４７～５０のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記１つ以上の発光体が、垂直発光ダイオードである、請求項４７～５１のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記１つ以上の発光体の各々が、破断または分離された発光体テザーを備える、請求項４７～５２のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記発光体電極のうちの個々が、前記発光体アセンブリ基板を通過する、請求項４７～５３のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記発光体電極の個々が、前記発光体アセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付いている、請求項４７～５４のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々、または前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、多層接続ポストである、請求項４７～５５のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々、または前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々が、単層接続ポストである、請求項５６に記載の発光体アセンブリ。
- 前記１つ以上のモジュール接続ポストの各々、または前記発光体アセンブリ接続ポストの各々が、前記１つ以上の発光体の最も厚い厚さよりも大きい距離で、前記発光体アセンブリ基板から突出している、請求項４７～５７のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記距離が、前記最も厚い厚さの少なくとも１．１倍、かつ３倍以下である、請求項５８に記載の発光体アセンブリ。
- モジュール基板と、前記モジュール基板上、またはその中に配置された１つ以上の接触パッドとを備え、前記１つ以上の発光体アセンブリ接続ポストの各々が、前記１つ以上の接触パッドのうちの１つと電気的に接続して配置されている、請求項４７～５９のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記モジュール基板が、モジュールテザー（例えば、破断または分離されたモジュールテザー、またはソース基板のアンカー部分に物理的に接続されているモジュールテザー）を備える、請求項４７～６０のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記１つ以上の発光体と反対側の前記モジュール基板の側に配置されたコントローラを備え、前記１つ以上の発光体が前記コントローラに電気的に接続される、請求項４７～６１のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記発光体アセンブリが、
４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び
１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さ、
のうちの少なくとも１つを有する、請求項４７～６２のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。 - 前記１つ以上の発光体が、裸の、パッケージされていないダイである、請求項４７～６３のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- 前記１つ以上の発光体の各々が、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続された発光体上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触する発光体下側を含む、請求項４７～６４のいずれか１項に記載の発光体アセンブリ。
- コントローラアセンブリであって、
第１の側及び前記第１の側と反対側の第２の側を有するコントローラアセンブリ基板と、
前記コントローラアセンブリ基板上に、またはその中に配置されたコントローラと、
前記コントローラアセンブリ基板の前記第１の側に配置された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストと、
前記コントローラアセンブリ基板の前記第２の側に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、
前記コントローラを前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストに、かつ前記１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続するコントローラ電極と、
を備える、前記コントローラアセンブリ。 - 前記コントローラが、前記コントローラアセンブリ基板の前記第２の側に配置されている、請求項６６に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラアセンブリ基板が、破断または分離されたコントローラアセンブリテザーを備える、請求項６６または６７に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラアセンブリ基板が、誘電体基板または半導体基板である、請求項６６～６８のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラが、前記コントローラアセンブリ基板上に配置されており、前記アセンブリ基板に非固有である、請求項６６～６９のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラが、破断または分離されたコントローラテザーを備える、請求項６６～７０のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板を通過する、請求項６６～７１のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付いている、請求項６６～７２のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラが前記１つ以上のモジュール接続ポストと前記コントローラアセンブリ基板との間に配置されるように、前記コントローラ上に配置されている、請求項６６～７３のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストまたはモジュール接続ポストの各々が、多層接続ポストである、請求項６６～７４のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストまたはモジュール接続ポストの各々が、単層接続ポストである、請求項７４に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラアセンブリ基板から、前記コントローラの厚さよりも大きい距離で、突出している、請求項６６～７６のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記距離が、前記厚さの少なくとも１．１倍、かつ３倍以下である、請求項７７に記載のコントローラアセンブリ。
- モジュール基板を備え、前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストの各々が、前記モジュール基板上に、またはその中に配置された接触パッドと電気的に接続して配置されている、請求項６６～７８のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記モジュール基板が、モジュールテザー（例えば、破断または分離されたテザー、または前記モジュールテザーがソース基板のアンカー部分に物理的に接続されている）を備える、請求項７９に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラと反対側の前記モジュール基板の側に配置された１つ以上の発光体を備え、前記１つ以上の発光体が、前記コントローラに電気的に接続されている、請求項７９または８０に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラアセンブリが、
４００ミクロン以下（例えば、３００ミクロン以下、２００ミクロン以下、または１００ミクロン以下）の幅及び長さのうちの少なくとも１つ、及び
１５０ミクロン以下（例えば、１００ミクロン以下、７５ミクロン以下、５０ミクロン以下、または２５ミクロン以下）の厚さ、
のうちの少なくとも１つを有する、請求項６６～８１のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。 - コントローラアセンブリであって、
コントローラアセンブリ基板と、
前記コントローラアセンブリ基板の第１の側に配置されたコントローラと、
前記コントローラ上に配置された１つ以上のモジュール接続ポストと、
前記第１の側と反対側の前記コントローラアセンブリ基板の第２の側に配置された１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストと、
前記コントローラアセンブリ基板上に少なくとも部分的に配置されたコントローラ電極であって、前記コントローラ電極が、前記コントローラ、前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポスト、及び前記１つ以上のモジュール接続ポストに電気的に接続されている、前記コントローラ電極と、
を備える、前記コントローラアセンブリ。 - 前記コントローラアセンブリ基板が、誘電体基板または半導体基板であり、前記コントローラが、前記コントローラアセンブリ基板に非固有である、請求項８３に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラが、破断または分離されたコントローラテザーを備える、請求項８３または８４に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラアセンブリ基板が、破断または分離されたコントローラアセンブリテザーを備える、請求項８３～８５のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラと、前記コントローラ電極の各々の少なくとも一部分との間に配置された誘電体を備える、請求項８３～８６のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板を通過する、請求項８３～８７のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラ電極の個々が、前記コントローラアセンブリ基板の縁の周りに各々巻き付いている、請求項８３～８８のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラが、裸の、パッケージされていないダイである、請求項６６～８９のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- 前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、請求項６６～９０のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリ。
- ピクセルモジュールであって、
発光体表面及び前記発光体表面と反対側のコントローラ表面を有する誘電体モジュール基板と、
前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置されたコントローラアセンブリであって、前記コントローラアセンブリが、請求項６６～８９のいずれか１項に記載のコントローラアセンブリである、前記コントローラアセンブリと、
前記モジュール基板上、またはその上方に配置された１つ以上の発光体と、
前記１つ以上の発光体を前記コントローラに電気的に接続するモジュール電極と、
を備える、前記ピクセルモジュール。 - 前記１つ以上の発光体が、請求項４７～６５のいずれか１項に記載の１つ以上の発光体アセンブリに含まれる、請求項９２に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール基板の前記コントローラ表面上に配置された接着層を備え、前記コントローラアセンブリの前記１つ以上のコントローラアセンブリ接続ポストが、前記接着層を貫通し、各々が前記モジュール基板上またはその中に配置された接触パッドに物理的に接触する、請求項９２または９３に記載のピクセルモジュール。
- 前記接着層が、前記コントローラアセンブリと直接接触している、請求項９２～９４のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール電極の個々が、前記モジュール基板を通過する、請求項９２～９５のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール電極の個々が、前記モジュール基板の縁の周りに各々巻き付いている、請求項９２～９６のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体が、各々破断または分離された発光体テザーを備える、請求項９２～９７のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体が、水平発光ダイオードである、請求項９２～９８のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体が、垂直発光ダイオードである、請求項９２～９９のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体の各々が、１つ以上の発光体接続ポストを備え、前記１つ以上の発光体が、前記１つ以上の発光体接続ポストを通して部分的に前記コントローラに電気的に接続されている、請求項９２～１００のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール基板の前記発光体表面上に配置された接着層を備え、前記１つ以上の発光体の各々の前記１つ以上の発光体接続ポストが、前記１つ以上の発光体が前記コントローラに電気的に接続されるように、前記接着層を貫通している、請求項９２～９９のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記接着層が、前記モジュール電極の個々の上方に配置されている、請求項１０２に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール基板が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、請求項９２～１０３のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体の上方に配置された発光体封入層を備える、請求項９２～１０４のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記発光体封入層が、破断または分離されたモジュールテザーを備える、請求項１０５に記載のピクセルモジュール。
- 前記コントローラアセンブリの上方に配置されたコントローラ封入層を備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラ封入層を通って突出している、請求項９２～１０６のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- ターゲット基板を備え、前記コントローラアセンブリの前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記ターゲット基板上に、またはその中に配置された対応する１つ以上の接触パッドと電気的に接触するように配置されている、請求項９２～１０７のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記ターゲット基板上に配置された接着層を備え、前記１つ以上のモジュール接続ポストが、前記コントローラ及び前記１つ以上の発光体が前記ターゲット基板上またはその中に配置された１つ以上のモジュール電極に電気的に接続されるように、前記接着層を貫通している、請求項１０８に記載のピクセルモジュール。
- 前記ターゲット基板が、ディスプレイ基板であり、前記ピクセルモジュールが、視聴者に情報（例えば、画像及び／またはテキスト）を表示するように動作可能である、前記ディスプレイ基板上に配置されたピクセルのアレイ内のピクセルである、請求項１０９に記載のピクセルモジュール。
- 前記コントローラが、モジュール電極またはモジュール電極に電気的に接続された電気導体に電気的に接続されたコントローラ上側、及び前記モジュール基板または前記モジュール基板上に配置された層と接触するコントローラ下側を含む、請求項１～２８または請求項９２～１１０のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- 前記１つ以上の発光体、前記コントローラ、または前記１つ以上の発光体と前記コントローラの両方が、裸の、パッケージされていないダイである、請求項１～２８または請求項９２～１１１のいずれか１項に記載のピクセルモジュール。
- ピクセルモジュールを作製する方法であって、
モジュールソースウェハ上、またはその中に配置されたモジュール基板上に配置されたコントローラ、モジュール電極、及びモジュール接続ポストを提供することであって、前記モジュール電極が、前記コントローラと電気的に接触している、前記提供することと、
前記コントローラが、キャリアと前記モジュール基板との間に配置されるように、前記コントローラ、前記モジュール電極、前記モジュール接続ポスト、及び前記モジュール基板を前記キャリアに移動することと、
前記モジュール基板を除去することなく、前記モジュールソースウェハを除去することと、
前記モジュール基板が、前記コントローラと前記発光体との間に配置されるように、前記モジュール基板上に発光体を配置することであって、前記発光体が前記モジュール基板に非固有である、前記配置することと、
前記ピクセルモジュールを形成するために、前記発光体を前記コントローラに電気的に接続することと、
を含む、前記方法。 - 前記提供することのステップが、
前記モジュール基板上に前記コントローラを配置することであって、前記コントローラが前記モジュール基板に非固有である、前記配置することと、
パターン化された第１の誘電体層を、前記コントローラ上に配置することと、
前記モジュール電極を、前記パターン化された第１の誘電体層上に、及び前記コントローラと電気的に接触させて配置することと、
前記モジュール接続ポストを配置することと、を含む、請求項１１３に記載の方法。 - 前記提供することのステップが、前記モジュール接続ポストが第２の誘電体層から突出するように、前記モジュール電極上に前記第２の誘電体層を配置することをさらに含む、請求項１１３または１１４に記載の方法。
- 前記第２の誘電体層及び前記モジュール基板が、前記モジュール電極及び前記コントローラをともに封入する、請求項１１５に記載の方法。
- 前記移動することのステップの前に、前記第２の誘電体層上にパターン化された犠牲剥離層を形成することを含み、前記パターン化された犠牲剥離層が前記１つ以上のモジュール接続ポストを覆う、請求項１１５または１１６に記載の方法。
- 前記発光体を配置した後に、前記パターン化された犠牲剥離層を少なくとも部分的に除去する（例えば、エッチングする）ことを含む、請求項１１７に記載の方法。
- 前記パターン化された犠牲剥離層が少なくとも部分的に除去された後、前記コントローラ及び前記発光体が、前記第２の誘電体層の一部分によって前記キャリアに接続されたままであるように、前記第２の誘電体層の前記一部分が、前記モジュール基板と共通の平面内に配置されている、請求項１１８に記載の方法。
- 前記ピクセルモジュールを、前記キャリアからターゲット基板（例えば、ディスプレイ基板）に印刷すること（例えば、マイクロ移動印刷すること）を含む、請求項１１８または１１９に記載の方法。
- 前記コントローラと反対側の前記モジュール基板の表面上に、追加のモジュール電極を形成することを含む、請求項１１３～１２０のいずれか１項に記載の方法。
- 前記発光体に電気的に接続された発光体接続ポストが、前記追加のモジュール電極と電気的に接触する状態になるように、前記発光体を印刷することを含む、請求項１２１に記載の方法。
- 前記発光体を配置する前に、前記追加のモジュール電極及び前記モジュール基板上にパターン化されていない接着層を提供することと、
パターン化後の前記接着層が、前記モジュール基板を超えて延在しないように、前記発光体を配置した後に、前記接着層をパターン化することと、を含む、請求項１２１または１２２に記載の方法。 - 前記発光体が、破断または分離されたテザーを備える、請求項１１３～１２３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記コントローラが、破断または分離されたテザーを備える、請求項１１３～１２４のいずれか１項に記載の方法。
- 前記モジュール基板及び第１の封入層が、ともに前記コントローラを封入するように、前記コントローラ上、またはその上方に配置された前記第１の封入層を提供することと、
前記モジュール基板及び第２の封入層が、ともに前記発光体を封入するように、前記発光体上、またはその上方に前記第２の封入層を配置することと、を含む、請求項１１３～１２５のいずれか１項に記載の方法。 - 前記コントローラが、前記モジュール基板の縁を通過する、またはその周りを通る１つ以上のモジュール電極によって、少なくとも部分的に前記発光体に電気的に接続されている、請求項１１３～１２６のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ピクセルモジュールを、前記キャリアからターゲット基板（例えば、ディスプレイ基板）に印刷すること（例えば、マイクロ移動印刷すること）を含む、請求項１１３～１２７のいずれか１項に記載の方法。
- 前記コントローラが、前記モジュール基板内、またはその上に形成されている、請求項１に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール基板が、半導体基板である、請求項１に記載のピクセルモジュール。
- 前記モジュール基板が、半導体基板である、請求項３２に記載のピクセルモジュールディスプレイ。
- 前記モジュール基板が、半導体基板である、請求項４０に記載の方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023093741A JP2023105138A (ja) | 2019-06-14 | 2023-06-07 | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール |
| JP2024037954A JP2024069399A (ja) | 2019-06-14 | 2024-03-12 | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16/442,142 US10944027B2 (en) | 2019-06-14 | 2019-06-14 | Pixel modules with controllers and light emitters |
| US16/442,142 | 2019-06-14 | ||
| PCT/EP2020/066401 WO2020249800A1 (en) | 2019-06-14 | 2020-06-12 | Pixel modules with controllers and light emitters |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023093741A Division JP2023105138A (ja) | 2019-06-14 | 2023-06-07 | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022537701A true JP2022537701A (ja) | 2022-08-29 |
| JPWO2020249800A5 JPWO2020249800A5 (ja) | 2023-06-15 |
| JP7432625B2 JP7432625B2 (ja) | 2024-02-16 |
Family
ID=71130951
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021573846A Active JP7432625B2 (ja) | 2019-06-14 | 2020-06-12 | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール |
| JP2023093741A Pending JP2023105138A (ja) | 2019-06-14 | 2023-06-07 | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール |
| JP2024037954A Pending JP2024069399A (ja) | 2019-06-14 | 2024-03-12 | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2023093741A Pending JP2023105138A (ja) | 2019-06-14 | 2023-06-07 | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール |
| JP2024037954A Pending JP2024069399A (ja) | 2019-06-14 | 2024-03-12 | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10944027B2 (ja) |
| EP (1) | EP3984065A1 (ja) |
| JP (3) | JP7432625B2 (ja) |
| KR (2) | KR20230145242A (ja) |
| CN (1) | CN114450789A (ja) |
| TW (1) | TWI823010B (ja) |
| WO (1) | WO2020249800A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102601950B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2023-11-14 | 삼성전자주식회사 | Led 소자, led 소자의 제조 방법 및 led 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
| US11488943B2 (en) | 2019-06-14 | 2022-11-01 | X Display Company Technology Limited | Modules with integrated circuits and devices |
| US11189771B2 (en) | 2019-12-11 | 2021-11-30 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Breathable micro light emitting diode display |
| US11387178B2 (en) * | 2020-03-06 | 2022-07-12 | X-Celeprint Limited | Printable 3D electronic components and structures |
| US11538849B2 (en) * | 2020-05-28 | 2022-12-27 | X Display Company Technology Limited | Multi-LED structures with reduced circuitry |
| US11088093B1 (en) * | 2020-05-28 | 2021-08-10 | X-Celeprint Limited | Micro-component anti-stiction structures |
| US11735569B2 (en) | 2020-06-03 | 2023-08-22 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device module and display apparatus having the same |
| US11476296B2 (en) * | 2020-08-31 | 2022-10-18 | Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited | Double color micro LED display panel |
| TWI821986B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示組件、包含其之顯示裝置及顯示裝置之製造方法 |
| DE102021125416A1 (de) * | 2021-09-30 | 2023-03-30 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauteil, optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung von optoelektronischen bauteilen oder optoelektronischen vorrichtungen |
| FR3129246B1 (fr) * | 2021-11-16 | 2024-02-23 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'affichage interactif et procédé de fabrication d'un tel dispositif |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08123337A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Nagoya Denki Kogyo Kk | 道路情報表示板用表示ユニット |
| US20120018745A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Epistar Corporation | Integrated lighting apparatus and method of manufacturing the same |
| US20120191978A1 (en) * | 2004-04-30 | 2012-07-26 | Little Herbert A | System and method for securing data for redirecting and transporting over a wireless network |
| WO2017094461A1 (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | 画像形成素子 |
| US20170256521A1 (en) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printable electronic component |
| WO2018074611A1 (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 株式会社オルガノサーキット | アクティブマトリクスｌｅｄディスプレイ |
| DE102016124983A1 (de) * | 2016-12-20 | 2018-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Videowandmodul |
| US20180211945A1 (en) * | 2017-01-26 | 2018-07-26 | X-Celeprint Limited | Stacked pixel structures |
Family Cites Families (70)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6142358A (en) | 1997-05-31 | 2000-11-07 | The Regents Of The University Of California | Wafer-to-wafer transfer of microstructures using break-away tethers |
| US6608370B1 (en) | 2002-01-28 | 2003-08-19 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same |
| CN1890603B (zh) | 2003-12-01 | 2011-07-13 | 伊利诺伊大学评议会 | 用于制造三维纳米级结构的方法和装置 |
| WO2005104756A2 (en) | 2004-04-27 | 2005-11-10 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Composite patterning devices for soft lithography |
| KR101429098B1 (ko) | 2004-06-04 | 2014-09-22 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치 |
| US7521292B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-04-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates |
| US7799699B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-09-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling |
| JP4801337B2 (ja) | 2004-09-21 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7662545B2 (en) | 2004-10-14 | 2010-02-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Decal transfer lithography |
| KR101588019B1 (ko) | 2006-09-20 | 2016-02-12 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 전사가능한 반도체 구조들, 디바이스들 및 디바이스 컴포넌트들을 만들기 위한 릴리스 방안들 |
| WO2008143635A1 (en) | 2007-01-17 | 2008-11-27 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Optical systems fabricated by printing-based assembly |
| US8354674B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
| WO2009067635A1 (en) | 2007-11-20 | 2009-05-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and apparatus for detethering mesoscale, microscale, and nanoscale components and devices |
| US8030674B2 (en) | 2008-04-28 | 2011-10-04 | Lextar Electronics Corp. | Light-emitting diode package with roughened surface portions of the lead-frame |
| US20100060553A1 (en) | 2008-08-21 | 2010-03-11 | Zimmerman Scott M | LED display utilizing freestanding epitaxial LEDs |
| US9123614B2 (en) | 2008-10-07 | 2015-09-01 | Mc10, Inc. | Methods and applications of non-planar imaging arrays |
| KR101736722B1 (ko) | 2008-11-19 | 2017-05-17 | 셈프리어스 아이엔씨. | 전단-보조 탄성 스탬프 전사에 의한 프린팅 반도체 소자 |
| ES2416254B1 (es) | 2009-02-09 | 2014-12-29 | Semprius, Inc. | Módulos fotovoltaicos de tipo concentrador (cpv), receptores y sub-receptores y métodos para formar los mismos |
| US8877648B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-11-04 | Semprius, Inc. | Methods of forming printable integrated circuit devices by selective etching to suspend the devices from a handling substrate and devices formed thereby |
| US8865489B2 (en) | 2009-05-12 | 2014-10-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays |
| US9165989B2 (en) | 2009-09-16 | 2015-10-20 | Semprius, Inc. | High-yield fabrication of large-format substrates with distributed, independent control elements |
| US8642363B2 (en) | 2009-12-09 | 2014-02-04 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology |
| WO2011123285A1 (en) | 2010-03-29 | 2011-10-06 | Semprius, Inc. | Selective transfer of active components |
| DE112011101135B4 (de) | 2010-03-29 | 2021-02-11 | X-Celeprint Limited | Elektrisch verbundene Felder von aktiven Bauteilen in Überführungsdrucktechnik |
| WO2012018997A2 (en) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | Semprius, Inc. | Materials and processes for releasing printable compound semiconductor devices |
| WO2012027458A1 (en) | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Semprius, Inc. | Structures and methods for testing printable integrated circuits |
| EP2649005B1 (en) | 2010-12-07 | 2020-02-05 | SPTS Technologies Limited | Process for manufacturing electro-mechanical systems |
| JP5966412B2 (ja) | 2011-04-08 | 2016-08-10 | ソニー株式会社 | 画素チップ、表示パネル、照明パネル、表示装置および照明装置 |
| US8889485B2 (en) | 2011-06-08 | 2014-11-18 | Semprius, Inc. | Methods for surface attachment of flipped active componenets |
| US9412727B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-09 | Semprius, Inc. | Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion |
| US8426227B1 (en) | 2011-11-18 | 2013-04-23 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro light emitting diode array |
| US9620478B2 (en) | 2011-11-18 | 2017-04-11 | Apple Inc. | Method of fabricating a micro device transfer head |
| KR101891257B1 (ko) | 2012-04-02 | 2018-08-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 및 그 제조방법 |
| US8933433B2 (en) | 2012-07-30 | 2015-01-13 | LuxVue Technology Corporation | Method and structure for receiving a micro device |
| US8941215B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-01-27 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US8835940B2 (en) | 2012-09-24 | 2014-09-16 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US9029880B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-05-12 | LuxVue Technology Corporation | Active matrix display panel with ground tie lines |
| US9166114B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity |
| US9153171B2 (en) | 2012-12-17 | 2015-10-06 | LuxVue Technology Corporation | Smart pixel lighting and display microcontroller |
| WO2014152617A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Semprius, Inc. | Engineered substrates for semiconductor epitaxy and methods of fabricating the same |
| US8791474B1 (en) | 2013-03-15 | 2014-07-29 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting diode display with redundancy scheme |
| US9252375B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-02-02 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
| US9217541B2 (en) | 2013-05-14 | 2015-12-22 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including shear release posts |
| US8987765B2 (en) | 2013-06-17 | 2015-03-24 | LuxVue Technology Corporation | Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device |
| US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
| US9087764B2 (en) | 2013-07-26 | 2015-07-21 | LuxVue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with controlled thickness variation |
| US9367094B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Display module and system applications |
| US9831387B2 (en) | 2014-06-14 | 2017-11-28 | Hiphoton Co., Ltd. | Light engine array |
| CN110010750B (zh) | 2014-06-18 | 2021-11-09 | 艾克斯展示公司技术有限公司 | 微组装led显示器 |
| US20160093600A1 (en) | 2014-09-25 | 2016-03-31 | X-Celeprint Limited | Compound micro-assembly strategies and devices |
| US9818725B2 (en) | 2015-06-01 | 2017-11-14 | X-Celeprint Limited | Inorganic-light-emitter display with integrated black matrix |
| US9640715B2 (en) | 2015-05-15 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Printable inorganic semiconductor structures |
| US10255834B2 (en) | 2015-07-23 | 2019-04-09 | X-Celeprint Limited | Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels |
| US10468363B2 (en) | 2015-08-10 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with connection posts |
| US9640108B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Bit-plane pulse width modulated digital display system |
| US10091446B2 (en) | 2015-12-23 | 2018-10-02 | X-Celeprint Limited | Active-matrix displays with common pixel control |
| US9930277B2 (en) | 2015-12-23 | 2018-03-27 | X-Celeprint Limited | Serial row-select matrix-addressed system |
| US10153257B2 (en) | 2016-03-03 | 2018-12-11 | X-Celeprint Limited | Micro-printed display |
| JP6668455B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2020-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 酸化物半導体膜の作製方法 |
| GB2551103B (en) | 2016-04-11 | 2022-03-23 | Filtronic Broadband Ltd | A method of optimising a mm wave power amplifier |
| US10224231B2 (en) | 2016-11-15 | 2019-03-05 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
| US10395966B2 (en) | 2016-11-15 | 2019-08-27 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
| US10468391B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels |
| US10224432B2 (en) * | 2017-03-10 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Surface treatment process performed on devices for TFT applications |
| CN117116946A (zh) * | 2017-05-19 | 2023-11-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置、显示装置以及半导体装置的制造方法 |
| KR102495930B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2023-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US10690920B2 (en) * | 2018-02-28 | 2020-06-23 | X Display Company Technology Limited | Displays with transparent bezels |
| US10505079B2 (en) * | 2018-05-09 | 2019-12-10 | X-Celeprint Limited | Flexible devices and methods using laser lift-off |
| US10607533B2 (en) * | 2018-08-03 | 2020-03-31 | Kyocera Corporation | Display apparatus with light emitting portions |
| KR102030323B1 (ko) * | 2018-11-23 | 2019-10-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-06-14 US US16/442,142 patent/US10944027B2/en active Active
-
2020
- 2020-06-12 WO PCT/EP2020/066401 patent/WO2020249800A1/en active Application Filing
- 2020-06-12 KR KR1020237033857A patent/KR20230145242A/ko active Application Filing
- 2020-06-12 EP EP20734330.2A patent/EP3984065A1/en active Pending
- 2020-06-12 CN CN202080051098.7A patent/CN114450789A/zh active Pending
- 2020-06-12 TW TW109119974A patent/TWI823010B/zh active
- 2020-06-12 JP JP2021573846A patent/JP7432625B2/ja active Active
- 2020-06-12 KR KR1020217043152A patent/KR102586903B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-01-29 US US17/163,306 patent/US20210151630A1/en active Pending
-
2023
- 2023-06-07 JP JP2023093741A patent/JP2023105138A/ja active Pending
-
2024
- 2024-03-12 JP JP2024037954A patent/JP2024069399A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08123337A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Nagoya Denki Kogyo Kk | 道路情報表示板用表示ユニット |
| US20120191978A1 (en) * | 2004-04-30 | 2012-07-26 | Little Herbert A | System and method for securing data for redirecting and transporting over a wireless network |
| US20120018745A1 (en) * | 2010-07-20 | 2012-01-26 | Epistar Corporation | Integrated lighting apparatus and method of manufacturing the same |
| WO2017094461A1 (ja) * | 2015-12-01 | 2017-06-08 | シャープ株式会社 | 画像形成素子 |
| US20170256521A1 (en) * | 2016-03-03 | 2017-09-07 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printable electronic component |
| WO2018074611A1 (ja) * | 2016-10-19 | 2018-04-26 | 株式会社オルガノサーキット | アクティブマトリクスｌｅｄディスプレイ |
| DE102016124983A1 (de) * | 2016-12-20 | 2018-06-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Videowandmodul |
| US20180211945A1 (en) * | 2017-01-26 | 2018-07-26 | X-Celeprint Limited | Stacked pixel structures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20220017947A (ko) | 2022-02-14 |
| WO2020249800A1 (en) | 2020-12-17 |
| TWI823010B (zh) | 2023-11-21 |
| CN114450789A (zh) | 2022-05-06 |
| KR20230145242A (ko) | 2023-10-17 |
| TW202115862A (zh) | 2021-04-16 |
| KR102586903B1 (ko) | 2023-10-06 |
| WO2020249800A4 (en) | 2021-02-18 |
| US20210151630A1 (en) | 2021-05-20 |
| EP3984065A1 (en) | 2022-04-20 |
| JP2024069399A (ja) | 2024-05-21 |
| US20200395510A1 (en) | 2020-12-17 |
| JP2023105138A (ja) | 2023-07-28 |
| JP7432625B2 (ja) | 2024-02-16 |
| US10944027B2 (en) | 2021-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7432625B2 (ja) | コントローラ及び発光体を備えるピクセルモジュール | |
| US10332868B2 (en) | Stacked pixel structures | |
| US11289652B2 (en) | OLEDs for micro transfer printing | |
| US10453826B2 (en) | Voltage-balanced serial iLED pixel and display | |
| US10690920B2 (en) | Displays with transparent bezels | |
| US9997501B2 (en) | Micro-transfer-printed light-emitting diode device | |
| US9899465B2 (en) | Redistribution layer for substrate contacts | |
| US11430774B2 (en) | Bezel-free displays | |
| CN108538877B (zh) | Micro LED显示面板的制作方法 | |
| US10396137B2 (en) | Testing transfer-print micro-devices on wafer | |
| TW201735320A (zh) | 微轉移可印刷電子元件 | |
| US20220320061A1 (en) | Modules with integrated circuits and devices | |
| KR102357645B1 (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| EP4131385A1 (en) | Stacked structure, display screen and display device | |
| TW200923871A (en) | Integrated display module | |
| EP4210103A1 (en) | Display device | |
| US11295972B2 (en) | Layout structure between substrate, micro-LED array and micro-vacuum module for micro-LED array transfer using micro-vacuum module, and method for manufacturing micro-LED display using the same | |
| KR20230004770A (ko) | 디스플레이 장치의 제조에 사용되는 전사 기판, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230607 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230607 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20230607 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230901 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231106 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240129 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7432625 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |