JP2022534804A - シームレス電線用導管 - Google Patents

Abstract

本開示の実施形態は概して、中心導体と、中心導体の第１の端部に結合されたソケットと、中心導体の第２の端部に結合された雄型インサートと、中心導体を囲む誘電体シースと、誘電体シースを囲む外側導体とを含む一体型電線用導管に関し、その長さに沿って実質的に９０度の湾曲部が形成される。【選択図】図２Ａ

Description

［０００１］本開示の実施形態は概して、半導体デバイスの製造に用いられる装置及び方法に関する。より具体的には、本開示の実施形態は、半導体デバイスを形成するための基板処理チャンバの静電チャックに電力を供給するための電線用導管に関する。

［０００２］集積回路は、１つのチップに数百万個のトランジスタ、キャパシタ、抵抗器を含み得る複雑なデバイスに進化している。チップ設計の進化には、継続的な回路の高速化と回路の高密度化とが伴う。回路の高速化及び回路の高密度化の要求に準じて、上記集積回路を製造するために使用する材料に対する要求が生じている。

［０００３］集積回路の高密度化の要求により、集積回路部品の製造で利用するプロセスに対する要求も生じている。例えば、静電チャックを使用するプロセスでは、チャンバでプラズマを生成しやすくするために静電チャック内に埋め込まれた高周波（ＲＦ）電極が含まれ、ＲＦ電力を静電チャックの電極に供給する導電体は、低いＲＦ電力が印加された場合にのみ適切に機能する傾向がある。従来の導電体に高いＲＦ電力が供給されると、アーク放電が発生し得る。

［０００４］したがって、当技術分野において、チャックに電力を供給する電線用導管のための改良された方法及び装置が必要である。

［０００５］本開示の実施形態は、概して、半導体デバイスの製造に用いられる装置及び方法に関する。より具体的には、本開示の実施形態は、基板処理チャンバの静電チャックに電力を供給するための電線用導管に関する。

［０００６］一実施形態では、中心導体と、中心導体の第１の端部に結合されたソケットと、中心導体の第２の端部に結合された雄型インサートと、中心導体を囲む誘電体シースと、誘電体シースを囲む外側導体とを含み、その長さに沿って実質的に９０度の湾曲部が形成される、一体型電線用導管が提供される。

［０００７］別の実施形態では、処理領域を画定するチャンバ本体と、処理領域に移動可能に配置された基板支持体と、基板支持体に結合された一体型電線用導管とを含むチャンバが提供される。一体型電線用導管は、中心導体と、中心導体を囲む誘電体シースと、誘電体シースを囲む外側導体とを備え、その長さに沿って実質的に９０度の湾曲部が形成される。

［０００８］別の実施形態では、一体型電線用導管を形成する方法が提供される。本方法は、直線状の物品を形成することであって、導電性材料でできた第１のチューブを配設することと、第１のチューブの円周に誘電体シースを設置することと、誘電体シースの外面を囲むように、導電性材料でできた第２のチューブを配設することとを含む直線状の物品を形成することと、直線状の物品に湾曲部を形成することであって、湾曲部は実質的に９０度である、直線状の物品に湾曲部を形成することとを含む。

［０００９］上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記に要約した本開示をより具体的に説明する。しかし、添付の図面は本開示の典型的な実施形態を単に示すものであり、したがって、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。

例示的な処理チャンバの概略側面断面図である。 Ａ及びＢは、電線用導管の概略断面図である。 図２Ａの電線用導管の第１の端部の拡大断面図である。 図２Ａの電線用導管の第２の端部の断面図である。 図２Ａの静電チャックの一部の拡大断面図である。

［００１５］理解を容易にするために、可能な限り、図面に共通の同一要素を示すのに同一の参照番号を使用している。一実施形態の要素及び特徴は、さらなる詳述なしに他の実施形態に有益に組み込まれ得ると考えられる。

［００１６］本開示の実施形態は、電子デバイスの製造における基板処理に用いられる基板処理チャンバに関する。基板処理には、基板上に電子デバイスを製造するために使用される堆積プロセス、エッチングプロセス、ならびに他の低圧、プロセス、プラズマプロセス、熱プロセスが含まれる。本開示の例示的な態様から利益を得るように適合され得る処理チャンバ及び／又はシステムの例は、カリフォルニア州サンタクララに所在するアプライドマテリアルズ社から市販されているＰｒｏｄｕｃｅｒ（登録商標）ＡＰＦ（商標）ＰＥＣＶＤシステムである。他の製造業者からのものを含む他の処理チャンバ及び／又は処理プラットフォームが、本開示の態様から利益を得るように適合され得ると考えられる。

［００１７］本明細書に開示の堆積チャンバの実施形態は、メモリデバイスの製造、具体的には、メモリデバイスの製造中に用いられるハードマスクの堆積に用いられ得る。現在のメモリデバイスは、電圧を印加することなく、非常に長期間にわたって記憶データを保持することができ、そのようなメモリデバイスの読み出し速度は比較的高い。また、記憶データの消去やメモリデバイスへのデータの書き換えも比較的容易である。このため、メモリデバイスは、マイクロコンピュータ、及び自動制御システム等に広く用いられている。メモリデバイスのビット密度を高め、ビットあたりのコストを下げるために、３次元ＮＡＮＤ（ｔｈｒｅｅ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ ｎｏｔ ＡＮＤ）メモリデバイスが開発されている。また、ＤＲＡＭ（ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＭ（ｅｘｐａｎｄｅｄ ｍｅｍｏｒｙ）、及びＲｅＲＡＭ（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）等の他のメモリデバイス、ならびにそれらを形成するための高度なハードマスク材料も開発されており、半導体産業のさらなる発展を促している。

［００１８］３次元ＮＡＮＤ技術では、メモリセル層数の増加に伴うコストダウンのため、縦型ゲート３次元メモリセルが検討されている。酸化物／シリコン、及び酸化物／窒化層のスタックは、材料集積の利点から有用だが、メモリセル層数の増加に伴い、層の厚さが制限因子となる。そのため、メモリセル層の厚さを薄くすることが注目されているが、酸化物の品質（すなわち、破壊電圧）、シリコンの抵抗率、及び高アスペクト比エッチング等の問題は、層の厚さを薄くしても解決されることはない。

［００１９］図１は、堆積プロセスを実施するのに適した例示的な処理チャンバ１００の概略側面断面図である。一実施形態では、処理チャンバ１００は、ハードマスク膜、例えばアモルファスカーボンハードマスク膜等の基板上に高度なパターニング膜を堆積させるように構成され得る。

［００２０］処理チャンバ１００は、リッドアセンブリ１０５と、チャンバ本体１９２に配置されたスペーサ１１０と、基板支持体１１５と、可変圧力システム１２０とを含む。リッドアセンブリ１０５は、リッドプレート１２５と、熱交換器１３０とを含む。図示の実施形態では、リッドアセンブリ１０５は、シャワーヘッド１３５も含む。しかしながら、他の実施形態では、リッドアセンブリ１０５は、凹型又はドーム型のガス導入プレート（図７に示す）を含む。

［００２１］リッドアセンブリ１０５は、処理ガス源１４０に結合される。処理ガス源１４０は、基板支持体１１５に支持された基板１４５に膜を形成するための前駆体ガスを含む。一例として、処理ガス源１４０は、中でも、炭素含有ガス、水素含有ガス、ヘリウム等の前駆体ガスを含む。具体的な例では、炭素含有ガスは、アセチレン（Ｃ_２Ｈ_２）を含む。処理ガス源１４０は、リッドアセンブリ１０５に配置されたプレナム１９０に前駆体ガスを供給する。リッドアセンブリは、処理ガス源１４０からプレナム１９０に前駆体ガスを導くための１又は複数のチャネルを含む。プレナムから、前駆体ガスは、シャワーヘッド１３５を通って処理領域１６０に流れる。

［００２２］また、リッドアセンブリ１０５は、オプションの遠隔プラズマ源１５０に結合される。遠隔プラズマ源１５０は、リッドアセンブリ１０５と基板１４５との間のスペーサ１１０の内部に形成された処理領域１６０に洗浄ガスを供給するための洗浄ガス源１５５に結合される。一実施例では、洗浄ガスは、リッドアセンブリ１０５を軸方向に貫通して形成された中央導管１９１を通して供給される。別の実施例では、洗浄ガスは、前駆体ガスを導くのと同じチャネルを通して供給される。例示的な洗浄ガスは、酸素及び／又はオゾン等の酸素含有ガス、並びにＮＦ_３等のフッ素含有ガス、又はそれらの組合せを含む。

［００２３］遠隔プラズマ源１５０に加えて、又はその代替として、リッドアセンブリ１０５はまた、第１又は上部の無線周波数（ＲＦ）電源１６５に結合される。第１のＲＦ電源１６５は、洗浄ガスから生成されるプラズマ等のプラズマの維持又は生成を容易にする。一実施例では、遠隔プラズマ源１５０は省略され、洗浄ガスは、第１のＲＦ電源１６５を介してインシトゥでプラズマに電離される。基板支持体１１５は、第２又は下部のＲＦ電源１７０に結合される。第１のＲＦ電源１６５は、高周波ＲＦ電源（例えば、約１３．５６ＭＨｚ又は約４０ＭＨｚ）であってよく、第２のＲＦ電源１７０は、低周波ＲＦ電源（例えば、約２ＭＨｚ又は約１３．５６ＭＨｚ）であってよい。他の周波数も企図されることに留意されたい。幾つかの実装態様では、第２のＲＦ電源１７０は、混合周波数ＲＦ電源であり、高周波及び低周波電力の両方を提供する。二周波ＲＦ電源の利用、特に第２のＲＦ電源１７０への二周波ＲＦ電源の利用は、膜堆積を改善する。１３．５６ＭＨｚ及び４０ＭＨｚ等の二周波電力を提供する第２のＲＦ電源１７０を用いると、１３．５６ＭＨｚの周波数は堆積膜への種の注入を改善し、４０ＭＨｚの周波数は膜のイオン化及び堆積速度を増加させる。

［００２４］第１のＲＦ電源１６５及び第２のＲＦ電源１７０の一方又は両方は、処理領域１６０にプラズマを生成又は維持するのに用いられる。例えば、第２のＲＦ電源１７０は、堆積プロセス中に用いられ得、第１のＲＦ電源１６５は、（単独で又は遠隔プラズマ源１５０と連携して）洗浄プロセス中に用いられ得る。幾つかの堆積プロセスでは、第１のＲＦ電源１６５は、第２のＲＦ電源１７０と組み合わせて用いられる。堆積プロセス中、第１のＲＦ電源１６５及び第２のＲＦ電源１７０の一方又は両方は、前駆体ガスのイオン化を促進するために、約４キロワット（ｋＷ）から約９ｋＷ、例えば約４ｋＷから約６ｋＷの電力を処理領域１６０において供給する。

［００２５］基板支持体１１５は、そのＺ方向への移動を提供するアクチュエータ１７５に結合される。基板支持体１１５はまた、他の電力及び流体接続と同様に第２のＲＦ電源１７０との通信を維持しながら、基板支持体１１５の垂直移動を可能にする電線用導管１７８に結合される。スペーサ１１０は、チャンバ本体１９２に配置される。スペーサ１１０の高さにより、処理領域１６０内での基板支持体１１５の垂直方向の移動が可能になる。一例では、基板支持体１１５は、リッドアセンブリ１０５に対して（例えば、シャワーヘッド１３５の下面に対して）第１の距離１８０Ａから第２の距離１８０Ｂに移動可能である。幾つかの実施形態では、第１の距離１８０Ａは約１４インチであり、第２の距離は約１１．２インチである。従来のプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセスとは対照的に、スペーサ１１０は、基板支持体１１５とリッドアセンブリ１０５との間の距離（ひいては間の領域）を大きく増加させる。基板支持体１１５とリッドアセンブリ１０５との間の距離の増大は、処理領域１６０におけるイオン化種の衝突を低減し、その結果、引張応力の少ない膜の堆積をもたらす。より少ない引張応力で堆積された膜は、膜が形成される基板の平坦度の改善（例えば、反りが少ない）を促進する。基板の反りが減少すると、下流のパターニング工程の精度が改善される。

［００２６］可変圧力システム１２０は、第１のポンプ１８２と第２のポンプ１８４とを含む。第１のポンプ１８２は、洗浄プロセス及び／又は基板移送プロセス中に用いられ得る粗引きポンプである。粗引きポンプは、一般に、より高い体積流量を移動させる、及び／又は比較的高い（それでも大気圧以下ではあるが）圧力で動作するように構成される。一実施例では、第１のポンプは、洗浄プロセス中に、約３００ｍ－ｔｏｒｒから約８００ｍ－ｔｏｒｒ、例えば約４００ｔｏｒｒから約６ｍ－ｔｏｒｒの処理チャンバ内圧力を維持する。洗浄工程中に粗引きポンプを用いると、（堆積工程と比較して）圧力及び／又は洗浄ガスの体積流量が比較的高くなりやすい。洗浄工程中の比較的高い圧力及び／又は体積流量により、チャンバ表面の洗浄が改善される。

［００２７］第２のポンプ１８４は、堆積プロセス中に用いられるターボポンプであってよい。ターボポンプは、一般に、比較的低い体積流量及び／又は圧力で動作するように構成される。例えば、管状分子ポンプは、堆積プロセス中に、プロセスチャンバの処理領域１６０を約１０ｍｔｏｒｒ以下、例えば約５ｍｔｏｒｒ以下の圧力に維持するように構成される。堆積中に維持される処理領域１６０の圧力減少により、炭素系ハードマスクを堆積させる際に、減少した引張応力及び／又は増加したｓｐ^２－ｓｐ^３変換を有する膜の堆積が促進される。このように、プロセスチャンバ１００は、堆積を改善するための比較的低い圧力と、洗浄を改善するための比較的高い圧力の両方を用いるように構成される。

［００２８］幾つかの実施形態では、第１のポンプ１８２及び第２のポンプ１８４の両方が、堆積プロセス中に用いられる。第１のポンプ１８２及び第２のポンプ１８４の一方又は両方へのコンダクタンス経路を制御するために、バルブ１８６が用いられる。バルブ１８６はまた、処理領域１６０からの対称的なポンピングを提供する。

［００２９］図２Ａ及び図２Ｂは、電線用導管１７８の概略断面図である。電線用導管１７８は、第１の端部２００及び第２の端部２０５を含む。第１の端部２００は、基板支持体１１５とインターフェースし、第２の端部２０５は、設備インターフェース２１５とインターフェースする。設備インターフェース２１５は、第２のＲＦ電源１７０（図１に示す）だけでなく、ＲＦマッチ（図示せず）を含む。

［００３０］電線用導管１７８は、そこに形成された湾曲部２１０を有する単一（一体型）複合導体である。用語「単一」及び／又は「一体型」は、単位の不可分な性質（すなわち全体）を有すると定義することができる。電線用導管１７８は、それぞれが長手方向に一体型又は単一ユニットとして形成されている少なくとも３つの部分を含む。用語「単一」及び／又は「一体型」は、溶接、ろう付け、又は他の方法で共に接合されるモジュール式又は個別の構成要素を含む従来の導電性部材とは区別され得る。

［００３１］単一ユニットは、直線配向で製造され、その後、湾曲部２１０を含むように曲げられる。したがって、電線用導管１７８の３つの部分は、その長さに沿ったろう付け接合部又は継ぎ目がなく、その効率及び／又は動作が向上し得る。湾曲部２１０は、実質的に９０度であり、実質的とは±５度として定義される。３つの部分は、中心導体２２０、誘電体シース２２５及び外側導体２３０を含む。中心導体２２０は、典型的には、銅（Ｃｕ）等の、良好な導電性だけでなく熱伝導性も有する金属である。誘電体シース２２５は、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）又はポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のポリマー材料等の電気絶縁材料である。外側導体２３０は、アルミニウム等の金属材料である。

［００３２］基板支持体１１５は、誘電体層２４５によって分離された静電チャック２３５及び設備プレート２４０を含む。中心導体２２０は、設備プレート２４０にＲＦ電力を供給し、外側導体２３０は、接地接続として機能する（例えば、電気的に浮遊している）。

［００３３］電線用導管１７８は、第１の端部２００に第１のフランジ２４６を含み、第２の端部２０５に第２のフランジ２４８を含む。第１のフランジ２４６は、基板支持体１１５に結合し、第２のフランジ２４８は、設備インターフェース２１５に結合する。

［００３４］図２Ａの電線用導管１７８は、設備インターフェース２１５から基板支持体１１５に電力又は流体を伝送するために用いられ得る中央導管２４７を含む。例えば、中央導管２４７は、静電チャック２３５にチャッキング力を供給するために用いられ得る。別の実施例では、中央導管２４７は、基板支持体１１５に冷却剤及び／又は裏側ガスを供給するために用いられ得る。

［００３５］図２Ｂは、図１Ａに示す電線用導管１７８の拡大部分断面図である。電線用導管１７８は、中心導体２２０の内径によって形成されたボイド又は中央開口部２５０を含む。図２Ａに示す中央導管２４７は、図２Ｂの中央開口部２５０には示していない。管状部材であり得る中心導体２２０は、第１の誘電体層２５５及び第２の誘電体層２６０の間に図示されている。第１の誘電体層２５５及び第２の誘電体層２６０は、誘電体シース２２５を構成する。管状部材であり得る外側導体２３０は、第２の誘電体層２６０の外側に図示されている。

［００３６］本実施形態に係る電線用導管１７８は、従来の電気ケーブル又は導体よりも改善されたものである。例えば、電線用導管１７８は、従来の導体であれば２つの個別の導体の鋭いＬ字型又は９０度の接続を有するであろう湾曲部２１０（例えば、曲線又は弧状部）を含む。湾曲部２１０により、従来の９０度の接続部におけるアーク放電が排除される。更に、従来の導体は、継ぎ目でろう付けされる複数の部分を含む。ろう付けされた継ぎ目は、中心導体２２０の電気抵抗よりも高い電気抵抗を有する。したがって、電線用導管１７８を単体で設けると、中心導体２２０に沿った電流の流れが改善される。また、単体設計は、従来の導体と比較してより小さな外径を有しながら、より堅牢な絶縁が得られる。

［００３７］更に、中心導体２２０は電力を運ぶのに用いられる一方で、中心導体２２０は、基板支持体１１５から熱を伝導するためにも用いられる。例えば、電線用導管１７８が結合された基板支持体１１５のテストが行われ、従来の導体と比較して静電チャック２３５の温度が大幅に低下することが示された。

［００３８］中央開口部２５０及び中央導管２４７の一方又は両方が、静電チャック２３５への電力伝送、熱電対等の温度プローブの配線、及び他の電気接続に用いられ得る。中央開口部２５０及び／又は中央導管２４７は、ＲＦノイズから効果的に遮蔽され、そこに配置された部品とのノイズのない（又は最小ノイズの）結合が得られる。

［００３９］電線用導管１７８は、様々な導体及び誘電体層を直線（例えば、１８０度）の配向で製造し、次に、製造された物品を直線配向から曲げて湾曲部２１０を含ませることによって形成され得る。中央導管２４７及び外側導体２３０は、初期製造中に真空アニール処理される。次いで、誘電体シース２２５が中心導体２２０の上に配設される。その後、外側導体２３０が、誘電体シース２２５の上に配設され、非湾曲アセンブリを形成する。次いで、第１のフランジ２４６及び第２のフランジ２４８が、非湾曲アセンブリ上に溶接される。溶接の後、非湾曲アセンブリが、湾曲部２１０を形成するために治具に取り付けられる。電線用導管１７８は、曲げる前の外径２７０を含み、曲げた後の外径は、湾曲部２１０において±０．０６インチであり得る。

［００４０］図３Ａは、電線用導管１７８の第１の端部２００の拡大断面図である。第１の端部２００は、外側誘電体シース３２５から延在するコネクタ３２０を含む。図３Ｂは、電線用導管１７８の第２の端部２０５の断面図である。第２の端部２０５はまた、外側誘電体シース３２５から延在するコネクタ３３０を含む。

［００４１］コネクタ３２０及びコネクタ３３０は、外側誘電体シース３２５内の中央に位置する第１の導体３３５を含む。外側誘電体シース３２５は、基板支持体１１５との結合を可能にするために、電線用導管１７８の端部の終端まで延在しない。コネクタ３２０及びコネクタ３３０はまた、第１の導体３３５を実質的に囲む第２の導体３４０を含む。

［００４２］コネクタ３２０を参照すると、第１の導体３３５は、導電性ハウジング３５０によって第１の導体３３５に結合されるソケット３４５に接続される。ソケット３４５及び導電性ハウジング３５０は、ネジ式接続部３５５を含む。コネクタ３３０を参照すると、第１の導体３３５は、雄型インサート３６０に結合されている。ソケット３４５は、静電チャック２３５のチャッキング電極に結合するように適合されている。

［００４３］第１の導体３３５及び第２の導体３４０は、誘電体材料３６５及び空間又は間隙３７０の一方又は両方によって（中央開口部２５０内で）電気的に分離されている。誘電体材料３６５は、ＰＥＥＫ、ＰＴＦＥ等の高分子材料、又は他の高分子材料及び／又は絶縁材料であり得る。第１の導体３３５、第２の導体３４０、ソケット３４５、導電性ハウジング３５０及び雄型インサート３６０の両方は、銅等の導電性金属でできている。

［００４４］本明細書に記載の電線用導管１７８の構造は、従来の導体の長さよりも長い長さ３８０を含む第２の導体３４０の露出したインターフェース面３７５を提供する。更に、本明細書に記載の電線用導管１７８の構造は、雄型インサート３６０の肩領域又は停止部３８５を提供する。

［００４５］図４は、静電チャック２３５及びコネクタ３２０の一部の拡大断面図である。静電チャック２３５は、パック４００を含む。パック４００は、その中に形成された互いに流体連結している複数の径方向流体路４０５と、複数の軸方向流体路４１０とを含む。流体チャネル４０５の各々は、入口導管４１２と流体連結している。入口導管４１２は、冷却剤源４１４に結合されている。流体チャネル４０５の各々は、キャッププレート４１５によって密閉されている。キャッププレート４１５は、パック４００と同じ材料、又はアルミニウムでできていてよく、流体チャネル４０５を密閉するためにパック４００に溶接又は他の方法で結合され得る。

［００４６］冷却剤源４１４は、基板支持体１１５を冷やす冷却剤を含んでいる。例えば、冷却剤源４１４からの冷却剤が、静電チャック２３５（及び／又はその上に配置された基板）の温度を維持するために、流体チャネル４０５及び／又は流体チャネル４１０に流される。基板支持体１１５の温度は、冷却流体を介して、約０℃から約－１０℃に維持され得る。冷却剤は、例えばＧＡＬＤＥＮ（登録商標）という商品名で販売されている熱伝達流体を含む。

［００４７］流体チャネル４１０は、中央チャネル４２５によって円形チャネル４２０に流体的に結合される。円形チャネル４２０は、実質的にコネクタ３２０を囲んでいる。流体は、流体チャネル４１０から中央チャネル４２５を通って円形チャネル４２０に流される。エラストマーＯリング等のシール４３０は、流体が円形チャネル４２０から漏れることを防止する。

［００４８］前述の内容は本開示の実施形態を対象としているが、以下の特許請求の範囲によって決定されるその基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することが可能である。

Claims (20)

1. 一体型電線用導管であって、
   中心導体と、
   前記中心導体の第１の端部に結合されたソケットと、
   前記中心導体の第２の端部に結合された雄型インサートと、
   前記中心導体を囲む誘電体シースと、
   前記誘電体シースを囲む外側導体と
   を備え、その長さに沿って実質的に９０度の湾曲部が形成される、一体型電線用導管。
2. 前記誘電体シースは、第２の誘電体層によって囲まれた第１の誘電体層を含む、請求項１に記載の一体型電線用導管。
3. 前記中心導体は銅（Ｃｕ）材料を含む、請求項１に記載の一体型電線用導管。
4. 前記外側導体はアルミニウム（Ａｌ）材料を含む、請求項３に記載の一体型電線用導管。
5. 前記中心導体はチューブを含む、請求項３に記載の一体型電線用導管。
6. 前記外側導体に結合された第１のフランジ及び第２のフランジを更に備える、請求項１に記載の一体型電線用導管。
7. 前記第１のフランジは前記外側導体の第１の端部に結合され、前記第２のフランジは前記外側導体の第２の端部に結合される、請求項６に記載の一体型電線用導管。
8. 熱及び電気を伝導するために前記外側導体が用いられる、請求項１に記載の一体型電線用導管。
9. チャンバであって、
   処理領域を画定するチャンバ本体と、
   前記処理領域に移動可能に配置された基板支持体と、
   前記基板支持体に結合された一体型電線用導管であって、
   中心導体と、
   前記中心導体を囲む誘電体シースと、
   前記誘電体シースを囲む外側導体と
   を含み、その長さに沿って実質的に９０度の湾曲部が形成される、一体型電線用導管と
   を備える、チャンバ。
10. 前記誘電体シースは、第２の誘電体層によって囲まれた第１の誘電体層を含む、請求項９に記載のチャンバ。
11. 前記中心導体は銅（Ｃｕ）材料を含む、請求項９に記載のチャンバ。
12. 前記外側導体はアルミニウム（Ａｌ）材料を含む、請求項１１に記載のチャンバ。
13. 前記中心導体はチューブを含む、請求項１１に記載のチャンバ。
14. 前記外側導体に結合された第１のフランジ及び第２のフランジを更に備える、請求項９に記載のチャンバ。
15. 前記第１のフランジは前記外側導体の第１の端部に結合され、前記第２のフランジは前記外側導体の第２の端部に結合される、請求項１４に記載のチャンバ。
16. 一体型電線用導管を形成する方法であって、
    直線状の物品を形成することであって、
    導電性材料でできた第１のチューブを配設することと、
    前記第１のチューブの円周に誘電体シースを設置することと、
    前記誘電体シースの外面を囲むように、導電性材料でできた第２のチューブを配設することと
    を含む、直線状の物品を形成することと、
    前記直線状の物品に湾曲部を形成することであって、前記湾曲部は実質的に９０度である、前記直線状の物品に湾曲部を形成することと
    を含む方法。
17. 前記誘電体シースを設置する前に、前記第１のチューブ及び前記第２のチューブをアニール処理する、請求項１６に記載の方法。
18. 前記誘電体シースは、第１の誘電体層及び第２の誘電体層を含む、請求項１６に記載の方法。
19. フランジは、その対向する端部で前記第２のチューブに結合される、請求項１６に記載の方法。
20. 前記フランジは、前記湾曲部を形成する前に前記第２のチューブに結合される、請求項１９に記載の方法。

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