JP2022529719A

JP2022529719A - 事前接続された分析物センサ

Info

Publication number: JP2022529719A
Application number: JP2021562876A
Authority: JP
Inventors: ジョン・チャールズ・バリー; パトリック・ジョン・カスターニャ; デヴィッド・エー・ケラー; カイル・トーマス・スチュワート; スコット・アレクサンダー・フォール; マーク・ダグラス・ケンプキー; ニコル・マリー・ワイケルト; クレイグ・トーマス・ガッド
Original assignee: デックスコム・インコーポレーテッド
Priority date: 2019-04-22
Filing date: 2020-04-21
Publication date: 2022-06-23
Also published as: US11457841B2; CN114007533A; US20200330005A1; EP3958755A1; CN218852699U; US20220409107A1; EP3958755A4; AU2020263282A1; US20200330009A1; US11510596B2; US20200330010A1; US20220378341A1; KR20220022052A; US20200330036A1; US11484228B2; MX2021012602A; WO2020219461A1; CN214128553U; CA3137586A1

Abstract

様々な分析物検知装置および関連するハウジングが、提供されている。いくつかの装置は、１つ以上のキャップを備える。いくつかの装置は、２部分接着パッチを備える。いくつかの装置は、取り付け中にセンサを所定の位置に配置および／または保持するように構成された１つ以上のセンサ屈曲部を含む。いくつかの装置は、センサを固定するためにエポキシを保持するために１つ以上のダム部および／または井戸部を利用する。いくつかの装置は、エポキシが装置の望ましくない領域に吸い上げられることから防ぐために、ポケットならびに１つ以上の隣接領域および様々な遷移を利用する。いくつかの装置は、装置にキャップを溶接するための熱封止可能な熱可塑性エラストマーを含む。そのような装置および／またはハウジングを製造するための関連する方法も、提供される。

Description

関連出願への参照による組み込み
本出願は、２０１９年４月２２日に出願された米国仮出願第６２／８３７，０９１号に対する優先権の利益を主張し、これは、あらゆる目的のためにその全体が参照により本明細書に組み込まれる。

本開示は、概して、センサに関し、より具体的には、連続分析物センサなどの分析物センサに関する。

糖尿病は、膵臓が十分なインスリンを作ることができない（Ｉ型もしくはインスリン依存性）、および／またはインスリンが有効ではない（２型もしくは非インスリン依存性）疾患である。糖尿病の状態において、被害者は高血糖に悩まされ、それは、小血管の悪化と関連した多くの生理学的な障害、例えば、腎不全、皮膚潰瘍、または眼球の硝子への出血を引き起こす可能性がある。低血糖反応（Ｈｙｐｏｇｌｙｃｅｍｉｃｒｅａｃｔｉｏｎ）（低血糖（ｌｏｗｂｌｏｏｄｓｕｇａｒ））は、インスリンの不注意の過剰投与によって、または異常な運動もしくは不十分な食物摂取を伴うインスリンもしくはグルコース降下薬の正常な投与後に誘発され得る。

従来、糖尿病を患う人は、自己監視血糖（ＳＭＢＧ）モニタを持ち運び、それは典型的には、不快な指穿刺法を必要とする。快適さおよび便利さに欠けるため、糖尿病を患う人は通常、１日当たり２～４回グルコースレベルを測定するのみである。残念ながら、そのような時間間隔はあまりに離れて分散されるため、糖尿病を患う人は、高血糖または低血糖状態を知るのが手遅れになる可能性があり、時に危険な副作用を招く。グルコースレベルは、あるいは、皮膚上センサアセンブリを含むセンサシステムによって連続的に監視され得る。センサシステムは、測定データを受信機に送信する無線送信機を有してもよく、受信機は、測定値に基づき情報を処理および表示することができる。

この背景技術は、以下の発明の概要および発明を実施するための形態のための簡潔な文脈を導入するために提供される。この背景技術は、特許請求の範囲に記載される主題の範囲を決定するのを補助するよう意図されることも、特許請求の範囲に記載される主題を上記の不利点または問題のうちのいずれかまたはすべてを解決する実装に限定するものとみなされることもない。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置が、提供される。装置は、ハウジング内に空洞を含むハウジングを含み、空洞が、第１の部分および第２の部分を有する。装置は、空洞の第１の部分内に配置された第１の導電性接点および第２の導電性接点を含む。装置は、細長い本体、第１の導電性接点と電気的に連絡している第１の電極、および第２の導電性接点と電気的に連絡している第２の電極、を含む、分析物センサを含む。装置は、空洞上に、または空洞内にはめ込むように構成されたキャップを含む。キャップは、空洞の第１の部分の上に配置されるように構成された第１の部分、第２の部分、空洞に面するように構成されたキャップの側面に配置されたダム部であって、空洞の第１の部分を空洞の第２の部分から分割する、ダム部、ダム部に隣接して配置された棚部、および空洞の第２の部分から空洞の第１の部分を封止するように構成された適合構成要素、を含む。

いくつかの実施形態では、装置は、ハウジング内に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板を含み、第１の導電性接点および第２の導電性接点が、エレクトロニクスアセンブリ基板から空洞の第１の部分の中に延在する。いくつかの実施形態では、適合構成要素は、棚部上に配置されており、分析物センサの部分に対して、かつ空洞内のハウジングの表面に対して押し付けるように構成され、それによって、空洞の第１の部分を空洞の第２の部分から封止している。いくつかの実施形態では、キャップの第１の部分は、湿気の侵入から分析物センサの少なくとも一部を封止する密封封止剤を空洞の第１の部分の中に受け取るように構成された第１の穴を含む。いくつかの実施形態では、キャップの第１の部分は、過剰の密封封止剤が空洞の第１の部分から流出することを可能にするように構成された第２の穴を含む。いくつかの実施形態では、適合構成要素は、密封封止剤が空洞の第２の部分の中に流入することから防ぐ。いくつかの実施形態では、キャップの第２の部分は、空洞の第２の部分の上に配置されるように構成されている。いくつかの実施形態では、キャップの第２の部分は、分析物センサの少なくとも一部がキャップを通過することを可能にするように構成されたスロットを含む。いくつかの実施形態では、キャップの外向き表面は、ハウジングの外向き表面と面一ではめ込むように構成されている。いくつかの実施形態では、キャップの外向き表面は、ハウジングの外向き表面と比較して凹んだ位置にはめ込むように構成されている。いくつかの実施形態では、キャップは、ハウジングの外向き表面上に配置されている。いくつかの実施形態では、キャップは、つま先特徴、スナップ特徴、摩擦ばめ特徴、および感圧接着剤のうちの少なくとも１つを利用して空洞に固定されている。いくつかの実施形態では、キャップの第１の部分およびキャップの第２の部分は、同一平面上にあり、単一の部品から形成されている。いくつかの実施形態では、密封封止剤は、紫外線照射への曝露に基づいて硬化するように構成された硬化性封止剤であり、キャップが、紫外線照射に対して実質的に透明な材料を含む。いくつかの実施形態では、ダム部は、空洞内のハウジングの部分に接触するように構成されている。いくつかの実施形態では、適合材料は、発泡体またはゴム材料を含む。

いくつかの実施形態では、装置は、キャップをハウジングに固定し、同時にハウジングに接着するように構成された第１の接着部分と、第１の接着部分およびウェアラブルアセンブリをホストの皮膚に接着するように構成された第２の接着部分と、を含む接着パッチを含む。いくつかの実施形態では、キャップは、ハウジングの空洞上に、または空洞内にはめ込まれる前に、キャップが接着パッチの第１の接着部分に固定されている。いくつかの実施形態では、第１の接着部分は、キャップが接着パッチの第１の接着部分に固定されているときに、キャップ内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも１つの穴を含む。いくつかの実施形態では、接着パッチの第２の接着部分は、接着パッチの第１の接着部分とは別のライナー上に最初に配置されている。いくつかの実施形態では、第２の接着部分は、キャップが接着パッチの第２の接着部分に固定されているときに、キャップ内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも１つの穴を含む。

いくつかの実施形態では、キャップの第２の部分は、空洞の第２の部分に隣接して配置されるように構成されている。いくつかの実施形態では、キャップの第１の部分は、第１の平面に沿って延在し、キャップの第２の部分は、第１の平面とは異なる第２の平面に沿って延在し、ダム部は、第１の平面と第２の平面との間に延在し、キャップの第１の部分をキャップの第２の部分と接続するキャップの少なくとも一部を含み、キャップの第２の部分の少なくともいくつかは、棚部を含む。

いくつかの実施形態では、装置は、空洞の第１の部分の少なくとも一部の上に、およびセンサの少なくとも一部の上に堆積された少なくとも１つの不動態化層を含み、少なくとも１つの不動態化層が、センサの部分への湿気の侵入を防ぐ。いくつかの実施形態では、装置は、少なくとも１つの不動態化層上に堆積され、第１の導電性接点および第２の導電性接点のうちの１つに電気的に結合された１つ以上の導電性トレースを含む。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置は、ハウジングと、ハウジング内に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板と、少なくとも第１の屈曲部を有する細長い本体を含む分析物センサと、を含む。

いくつかの実施形態では、第１の屈曲部は、第１の屈曲部の遠位にある細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行に延在し、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に垂直であり少なくとも部分的にエレクトロニクスアセンブリ基板の中に延在するように配向されている。いくつかの実施形態では、ハウジングは、凹部を含み、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分の少なくともいくつかが、エレクトロニクスアセンブリ基板を通って凹部の中に延在する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分は、エレクトロニクスアセンブリ基板の部分に対してバイアス力を及ぼし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。

いくつかの実施形態では、第１の屈曲部は、第１の屈曲部の遠位にある細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行に延在し、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に垂直でありエレクトロニクスアセンブリ基板から離れて延在するように配向されている。いくつかの実施形態では、ハウジングは、ハウジングの側壁に凹部をさらに含み、細長い本体の部分の少なくともいくつかが凹部内に延在する第１の屈曲部に近位し、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを拘束する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分は、ハウジングの部分に対してバイアス力を及ぼし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。いくつかの実施形態では、分析物センサの細長い本体は、第１の屈曲部に近位する少なくとも１つの追加の屈曲部を含む。少なくとも１つの追加の屈曲部は、第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも１つの追加の屈曲部に遠位する細長い本体の部分の少なくとも第１の一部が、凹部内の第１の方向に延在し、凹部に沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼすことと、第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも１つの追加の屈曲部に近位する細長い本体の部分の少なくとも第２の一部が、凹部内の第２の方向に延在し、凹部に沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼすことと、を引き起こし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。

いくつかの実施形態では、第１の屈曲部は、第１の屈曲部の遠位にある細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第１の方向に延在し、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分が第１の方向とは異なるがエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行でもある第２の方向に延在するように配向されている。いくつかの実施形態では、分析物センサの細長い本体は、第１の屈曲部に近位する少なくとも１つの追加の屈曲部を含む。少なくとも１つの追加の屈曲部は、第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも１つの追加の屈曲部に遠位する細長い本体の部分の少なくとも第１の一部が、第２の方向に延在し、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼすことと、第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも１つの追加の屈曲部に近位する細長い本体の部分の少なくとも第２の一部が、エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第３の方向に延在し、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼすことと、を引き起こし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。いくつかの実施形態では、エレクトロニクスアセンブリ基板は、支柱を含み、第１の屈曲部が、第１の屈曲部の遠位の細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第１の方向に延在し、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分が実質的に支柱の周囲に沿って延在するように配向されており、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部の遠位の細長い本体の部分は、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部は、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼし、それによって、所望の配向に分析物センサをさらに固定する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部の近位の細長い本体の部分は、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第３の場所で第３のバイアス力を及ぼし、それによって、所望の配向に分析物センサをさらに固定する。いくつかの実施形態では、第２のバイアス力は、第３のバイアス力とは実質的に反対の方向に及ぼされる。いくつかの実施形態では、第１のバイアス力は、第２のバイアス力および第３のバイアス力の各々に対して実質的に垂直な方向に及ぼされる。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部は、第１の屈曲部の遠位の細長い本体の部分を第１の場所に対して押す第１の屈曲部の周りに第１のトルクを提供する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部は、第１の屈曲部の近位の細長い本体の部分を第３の場所に対して押す第１の屈曲部の周りに第２のトルクを提供する。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置は、第１の部分および第２の部分を有する空洞、空洞の第１の部分に配置された第１の導電性接点、空洞の第１の部分に配置された第２の導電性接点、ならびに第１の導電性接点を包囲する第１の井戸部、を有するハウジングを含む。第１の井戸部は、第１の導電性接点の第１の側に隣接して配置された第１のダム部、および第１の側の反対側の第１の導電性接点の第２の側に隣接して配置された第２のダム部、によって画定される。装置は、細長い本体、第１の導電性接点と電気的に連絡している第１の電極、ならびに第２の導電性接点と電気的に連絡している、分析物センサが第１のダムおよび第２のダム上に置かれる第２の電極を有する分析物センサを含む。

いくつかの実施形態では、装置は、ハウジング内に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板を含み、第１の導電性接点および第２の導電性接点が、エレクトロニクスアセンブリ基板から空洞の第１の部分の中に延在する。いくつかの実施形態では、第１のダム部および第２のダム部の各々は、傾斜断面を含み、分析物センサが、第１のダム部の傾斜断面の最下点上に、および第２のダム部の傾斜断面の最下点上に置かれる。いくつかの実施形態では、第１および第２のダム部の傾斜断面は、三角形に凹んだ、放物線状に凹んだ、半円形に凹んだ、または双曲線的に凹んだ断面のうちの１つである。いくつかの実施形態では、装置は、第１の井戸部内の第１の導電性接点の少なくとも一部の上に配置された導電性エポキシをさらに含む。いくつかの実施形態では、分析物センサの第１の電極が導電性エポキシと直接物理的および電気的に接触しているように、導電性エポキシは、少なくとも第１のダム部の傾斜断面の最下点の、または第２のダム部の傾斜断面の最下点の高さに配置されている。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置のハウジングは、第１のポケットベースを有する第１のポケットと、第１のポケットの第１の側に当接する第１の隣接領域であって、第１の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、第１の隣接領域と、第１のポケットの第２の側に当接する第２の隣接領域であって、第２の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、第２の隣接領域と、を含む。第１および第２の隣接領域は、第１のポケットと連続している。

いくつかの実施形態では、ハウジングは、ハウジング内に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板を含む。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁が実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、実質的に矩形形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁の部分が実質的に平面である一方、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分が湾曲しているように、実質的に丸みを帯びた矩形形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁が実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、実質的にダイヤモンド形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁の部分が実質的に平面である一方、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分が湾曲しているように、実質的に丸みを帯びたダイヤモンド形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁が実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、実質的に多角形形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁の部分が実質的に平面である一方、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分が湾曲しているように、実質的に丸みを帯びた多角形形状を有する。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースにうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の遷移および第２の遷移のうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースからステップアップする。いくつかの実施形態では、高い高さは、およそ０．５ミリメートルである。いくつかの実施形態では、ハウジングは、ポケットベース上に配置されたエポキシを含み、エポキシが、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで上向きに屈折するメニスカスを形成し、高い高さが、上向きに屈折するメニスカスの高さを超える。いくつかの実施形態では、高い高さは、第１の所定の量と、エポキシの粘度、表面エネルギーおよび表面張力特性のうちの少なくとも１つとの関数である。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと同じ高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の遷移および第２の遷移のうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと面一にある。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の遷移および第２の遷移のうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースからステップダウンする。いくつかの実施形態では、低い方の高さは、およそ０．５ミリメートルである。いくつかの実施形態では、ハウジングは、ポケットベース上に配置されたエポキシを含み、エポキシが、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで下向きに屈折するメニスカスを形成する。いくつかの実施形態では、エポキシは、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つに付着し、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの中に忍び寄ることからエポキシを抑制する。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースの一方は、第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されており、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースの他方が、第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの両方は、第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域は、実質的に矩形形状、実質的に丸みを帯びた矩形形状、実質的にダイヤモンド状形状、実質的に丸みを帯びたダイヤモンド状形状、実質的に多角形形状、実質的に丸みを帯びた多角形形状、および実質的に不規則状形状のいずれかを有する。いくつかの実施形態では、第２の隣接領域は、実質的に矩形形状、実質的に丸みを帯びた矩形形状、実質的にダイヤモンド状形状、実質的に丸みを帯びたダイヤモンド状形状、実質的に多角形形状、実質的に丸みを帯びた多角形形状、および実質的に不規則状形状のいずれかを有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットの側壁は、第１のポケットベースに対して実質的に垂直に配置されている。いくつかの実施形態では、第１のポケットの側壁は、第１のポケットベースに対して実質的に垂直からある角度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの側壁は、それぞれの第１および第２の隣接領域ベースに実質的に垂直に配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの側壁は、それぞれの第１および第２の隣接領域ベースに実質的に垂直からある角度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの側壁は、第１のポケットベースに対して実質的に垂直に配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの側壁は、第１のポケットベースに実質的に垂直な角度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの側壁は、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで角度の付いた角が形成されないように丸みを帯びている。いくつかの実施形態では、第１の遷移の第１の幅および第２の遷移の第２の幅は、実質的に０．５ｍｍ～２．０ｍｍの範囲内にある。いくつかの実施形態では、第１の遷移の第１の幅は、第２の遷移の第２の幅よりも大きい。いくつかの実施形態では、第１の遷移の第１の幅は、第２の遷移の第２の幅よりも小さい。いくつかの実施形態では、ハウジングは、第１の隣接領域に、または第２の隣接領域に配置された導電性接点を含む。いくつかの実施形態では、ハウジングは、細長い本体、第１の電極、および第２の電極を有する分析物センサを含む。第１の電極および第２の電極のうちの１つは、導電性接点と電気的に連絡している。

いくつかの実施形態では、ハウジングは、第１の隣接領域に、または第２の隣接領域に配置された支柱と、支柱上に配置されたエポキシとを含む。分析物センサの部分は、支柱上に配置されたエポキシに配置されている。いくつかの実施形態では、支柱上に配置されたエポキシは、分析物センサが支柱の中心線に実質的に沿って位置合わせされるように、その中に配置された分析物センサの部分上にセンタリング力を及ぼす。いくつかの実施形態では、支柱は、支柱の中心線に関して実質的に対称的形状を有する。

いくつかの実施形態では、第１のポケットベースは第１の表面エネルギーを有し、第１の隣接領域ベースは、第１の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーを有する。いくつかの実施形態では、第２の隣接領域ベースは、第２の表面エネルギー、ならびに第１および第２の表面エネルギーとは異なる第３の表面エネルギーのうちの１つを有する。

いくつかの実施形態では、ハウジングは、第１のポケットに当接する第３の隣接領域であって、第１のポケットの側壁の上面よりも低い高さで配置された第３の隣接領域ベースと、第１のポケットの側壁の上面と第３の隣接領域ベースとの間の第３の遷移と、を有する第３の隣接領域を含む。いくつかの実施形態では、第１のポケット内に配置されたエポキシは、第３の遷移に付着し、第３の隣接領域の中に忍び寄ることからエポキシを抑制する。いくつかの実施形態では、第３の隣接領域は、第１のポケット内に配置されたエポキシの少なくとも過剰部分を受容するように構成され、それによって、エポキシが第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの中に忍び寄ることからエポキシを抑制する。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置は、ハウジングを含む。ハウジングは、第１のポケットベースを有する第１のポケット、第１のポケットの第１の側に当接する第１の隣接領域であって、第１の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、第１の隣接領域、第１のポケットの第２の側に当接する第２の隣接領域であって、第２の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、第２の隣接領域、および第１の隣接領域または第２の隣接領域に配置された導電性接点、を含む。装置は、ハウジング内に配置されており、導電性接点に電気的に結合されたエレクトロニクスアセンブリ基板を含む。装置は、導電性接点と電気的に連絡している少なくとも１つの電極を含む分析物センサと、第１のポケットベース上に配置されたエポキシであって、分析物センサの少なくとも一部を第１のポケットベースに固定する、エポキシと、を含む。

いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている。いくつかの実施形態では、エポキシは、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで上向きに屈折するメニスカスを形成し、高い高さは、上向きに屈折するメニスカスの高さを超える。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと同じ高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと比較して低い高さに配置されている。いくつかの実施形態では、エポキシは、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで下向きに屈折するメニスカスを形成する。いくつかの実施形態では、エポキシは、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つに付着し、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの中に忍び寄ることからエポキシを抑制する。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置は、ハウジング内に空洞を画定する開口部を含み、空洞が、第１の部分および第２の部分を有する、ハウジングを含む。装置は、空洞の第１の部分の周囲に沿って配置された第１の熱封止可能な熱可塑性エラストマーを含む。装置は、空洞の第１の部分内に配置された少なくとも一部を有する分析物センサを含む。装置は、開口部上に、または開口部内に、および空洞の第１の部分の上にはめ込むように構成されたキャップを含む。キャップは、空洞の第１の部分と第２の部分との間の境界の上に配置されたキャップの少なくとも一部に沿った第２の熱封止可能な熱可塑性エラストマーを含む。第１および第２の熱封止可能な熱可塑性エラストマーは、溶融時に湿気の侵入から空洞の第１の部分を封止するように構成されている。いくつかの実施形態では、空洞の第１の部分と第２の部分との間の境界は、第１の熱封止可能な熱可塑性エラストマーの部分を含む。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置は、ハウジング内の空洞を含むハウジングと、第１の導電性接点と、第２の導電性接点と、開口部上に、または開口部内にはめ込むように構成されたキャップとを含む。分析物センサは、細長い本体、第１の導電性接点と物理的に接触している第１の電極、および第２の導電性接点と物理的に接触している第２の電極を含む。キャップは、ベースを含み、封止材料が空洞を少なくとも部分的に充填するように構成される。封止部材は、第１の電極および第１の導電性接点の上に位置合わせするように構成された第１の空洞、ならびに第２の電極および第２の導電性接点の上に位置合わせするように構成された第２の空洞を含む。

いくつかの実施形態では、第１の空洞は、第１の導電性エラストマーパックを含有し、第２の空洞は、第２の導電性エラストマーパックを含有する。いくつかの実施形態では、第１の導電性エラストマーパックは、第１の電極および第１の導電性接点に対して押し付けるように構成され、第２の導電性エラストマーパックは、第２の電極および第２の導電性接点を押し付けるように構成されている。いくつかの実施形態では、第１の導電性エラストマーパックは、第１の電極を第１の導電性接点に固定し、第２の導電性エラストマーパックは、第２の電極を第２の導電性接点に固定する。いくつかの実施形態では、第１の導電性エラストマーパックは、第１の電極およびキャップに対して押し付けるように構成され、第２の導電性エラストマーパックは、第２の電極および第２の導電性接点を押し付けるように構成されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の導電性エラストマーパックは、実質的に円筒形形状を有する。いくつかの実施形態では、第１の導電性接点は、内部に形成されたギャップを有する。いくつかの実施形態では、第１の導電性エラストマーパックは、第１の導電性接点のギャップ内に配置されている。いくつかの実施形態では、第１の導電性エラストマーパックは、圧力ばめによって第１の導電性接点のギャップ内に配置されている。いくつかの実施形態では、第１の空洞は、第１の電極および第１の導電性接点を電気的に結合するように構成された導電性エポキシの第１の注入を保持するように構成されている。いくつかの実施形態では、第２の空洞は、第２の電極および第２の導電性接点を電気的に結合するように構成された導電性エポキシの第２の注入を保持するように構成されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の空洞は、実質的に円錐形を有する。いくつかの実施形態では、キャップのベースは、第１の空洞と横方向に位置合わせする少なくとも第１の穴と、第２の空洞と横方向に位置合わせする第２の穴と、をさらに含み、封止材料の少なくとも一部が、第１の穴を第１の空洞から物理的に隔離し、第２の穴を第２の空洞から物理的に隔離する。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置を製造するための方法は、ハウジング内に第１の部分および第２の部分を有する空洞を画定する開口部を含むハウジングを形成することを含む。方法は、空洞の第１の部分に第１の導電性接点および第２の導電性接点を配置することを含む。方法は、分析物センサの第１の電極を第１の導電性接点に電気的に結合することを含む。方法は、分析物センサの第２の電極を第２の導電性接点に電気的に結合することを含む。方法は、第１の部分および第２の部分、開口部に面するように構成されたキャップの側面に配置されたダム部、ダム部に隣接する棚部、および棚部に配置された適合構成要素、を有するキャップを形成することを含む。方法は、キャップの第１の部分が、空洞の第１の部分の上に配置され、ダム部が、空洞の第１の部分を空洞の第２の部分から物理的に分割し、適合構成要素が、分析物センサの部分に対して、かつ空洞内のハウジングの表面に対して押し付け、それによって、空洞の第１の部分を空洞の第２の部分から封止しているように、開口部上に、または開口部内にキャップをはめ込むことを含む。

いくつかの実施形態では、方法は、第１の導電性接点および第２の導電性接点が、エレクトロニクスアセンブリ基板から空洞の第１の部分の中に延在する、ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置することを含む。いくつかの実施形態では、キャップの第１の部分は、第１の穴を含み、方法は、密封封止剤を第１の穴を通して空洞の第１の部分の中に堆積させ、それによって、湿気の侵入から分析物センサの少なくとも一部を封止することをさらに含む。いくつかの実施形態では、キャップの第１の部分は、第２の穴を含み、方法は、過剰の密封封止剤が第２の穴を通って空洞の第１の部分から流出することを可能にすることをさらに含む。いくつかの実施形態では、適合構成要素は、密封封止剤が空洞の第２の部分の中に流入することから防ぐ。いくつかの実施形態では、キャップは、空洞の第２の部分の上に配置された第２の部分を含む。いくつかの実施形態では、キャップの第２の部分は、スロットを含み、方法は、分析物センサの少なくとも一部をスロットに通過させることをさらに含む。いくつかの実施形態では、キャップの外向き表面は、ハウジングの外向き表面と面一ではめ込む。いくつかの実施形態では、キャップの外向き表面は、ハウジングの外向き表面と比較して凹んだ位置にはめ込む。いくつかの実施形態では、キャップは、ハウジングの外向き表面上に配置されている。いくつかの実施形態では、方法は、つま先特徴、スナップ特徴、摩擦ばめ特徴、および感圧接着剤のうちの少なくとも１つを利用してキャップをハウジングに固定することを含む。いくつかの実施形態では、キャップの第１の部分およびキャップの第２の部分は、同一平面上にあり、単一の部品から形成されている。いくつかの実施形態では、キャップは、紫外線照射に対して実質的に透明な材料を含み、方法は、キャップを通して紫外線照射に密封封止剤を曝露することによって密封封止剤を硬化することをさらに含む。いくつかの実施形態では、ダム部は、空洞内のハウジングの一部に接触する。いくつかの実施形態では、適合材料は、発泡体またはゴム材料を含む。

いくつかの実施形態では、方法は、接着パッチの第１の接着部分を利用してキャップをハウジングに固定することを含み、接着パッチが、第１の接着部分およびウェアラブルアセンブリをホストの皮膚に接着するように構成された第２の接着部分をさらに含む。いくつかの実施形態では、この方法は、キャップがハウジングの開口部上に、または開口部内にはめ込まれる前に、接着パッチの第１の接着部分をキャップに固定することを含む。いくつかの実施形態では、第１の接着部分は、キャップが接着パッチの第１の接着部分に固定されているときに、キャップ内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも１つの穴を含む。いくつかの実施形態では、第２の接着部分は、キャップが接着パッチの第２の接着部分に固定されているときに、キャップ内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも１つの穴を含む。

いくつかの実施形態では、キャップの第２の部分は、空洞の第２の部分に隣接して配置される。いくつかの実施形態では、キャップの第１の部分は、第１の平面に沿って延在し、キャップの第２の部分は、第１の平面とは異なる第２の平面に沿って延在し、ダム部は、第１の平面と第２の平面との間に延在し、キャップの第１の部分をキャップの第２の部分と接続するキャップの少なくとも一部を含み、キャップの第２の部分の少なくともいくつかは、棚部を含む。

いくつかの実施形態では、方法は、空洞の第１の部分の少なくとも一部の上に、かつ分析物センサの少なくとも一部の上に、少なくとも１つの不動態化層を堆積することを含み、それによって、センサの部分への湿気の侵入を防ぐ。いくつかの実施形態では、方法は、少なくとも１つの不動態化層上に１つ以上の導電性トレースを堆積することと、１つ以上の導電性トレースを第１の導電性接点および第２の導電性接点のうちの１つ以上に電気的に結合することと、を含む。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置を製造する方法は、ハウジングの製造することと、ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置することと、少なくとも第１の屈曲部を有する細長い本体を含む分析物センサを、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの少なくとも１つに結合することと、を含む。

いくつかの実施形態では、方法は、第１の屈曲部の遠位にある細長い本体の部分が、エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行に延在し、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に垂直であり少なくとも部分的にエレクトロニクスアセンブリ基板の中に延在するように、分析物センサに第１の屈曲部を形成することを含む。いくつかの実施形態では、ハウジングは、凹部を含み、方法は、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分の少なくともいくつかを、エレクトロニクスアセンブリ基板を通って凹部の中に延在することをさらに含む。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分は、エレクトロニクスアセンブリ基板の部分に対してバイアス力を及ぼし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。

いくつかの実施形態では、方法は、第１の屈曲部の遠位にある細長い本体の部分が、エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行に延在し、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に垂直でありエレクトロニクスアセンブリ基板から離れて延在するように、分析物センサに第１の屈曲部を形成することを含む。いくつかの実施形態では、ハウジングは、ハウジングの側壁に凹部をさらに含み、方法は、凹部内の第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分の少なくともいくつかを延在することをさらに含み、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを拘束する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分は、ハウジングの部分に対してバイアス力を及ぼし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。いくつかの実施形態では、方法は、少なくとも１つの追加の屈曲部が、第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも１つの追加の屈曲部に遠位する細長い本体の少なくとも第１の一部が、凹部内の第１の方向に延在し、凹部に沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼすことと、第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも１つの追加の屈曲部に近位する細長い本体の部分の少なくとも第２の一部が、凹部内の第２の方向に延在し、凹部に沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼすことと、を引き起こすように、第１の屈曲部に近位する分析物センサに少なくとも１つの追加の屈曲部を形成することを含み、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。

いくつかの実施形態では、方法は、第１の屈曲部の遠位にある細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第１の方向に延在し、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分が第１の方向とは異なるがエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行でもある第２の方向に延在するように、分析物センサに第１の屈曲部を形成することを含む。いくつかの実施形態では、方法は、少なくとも１つの追加の屈曲部が、第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも１つの追加の屈曲部に遠位する細長い本体の少なくとも第１の一部が第２の方向に延在し、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼすことと、第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも１つの追加の屈曲部に近位する細長い本体の少なくとも第２の一部がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第３の方向に延在し、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼすことと、を引き起こすように、第１の屈曲部に近位する分析物センサに少なくとも１つの追加の屈曲部を形成することをさらに含み、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。

いくつかの実施形態では、エレクトロニクスアセンブリ基板は、支柱を含み、方法は、第１の屈曲部の遠位の細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第１の方向に延在し、第１の屈曲部に近位する細長い本体の部分が実質的に支柱の周囲に沿って延在するように、分析物センサに第１の屈曲部を形成することをさらに含み、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部の遠位の細長い本体の部分は、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に分析物センサを固定する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部は、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼし、それによって、所望の配向に分析物センサをさらに固定する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部の近位の細長い本体の部分は、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第３の場所で第３のバイアス力を及ぼし、それによって、所望の配向に分析物センサをさらに固定する。いくつかの実施形態では、第２のバイアス力は、第３のバイアス力とは実質的に反対の方向に及ぼされる。いくつかの実施形態では、第１のバイアス力は、第２のバイアス力および第３のバイアス力の各々に対して実質的に垂直な方向に及ぼされる。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部は、第１の屈曲部の遠位の細長い本体の部分を第１の場所に対して押す第１の屈曲部の周りに第１のトルクを提供する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部は、第１の屈曲部の近位の細長い本体の部分を第３の場所に対して押す第１の屈曲部の周りに第２のトルクを提供する。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置を製造する方法が、提供される。方法は、第１の部分および第２の部分を有する空洞を含むハウジングを形成することを含む。方法は、第１の導電性接点の第１の側に隣接する空洞の第１の部分に第１のダム部を形成することを含む。方法は、第１の側の反対側の第１の導電性接点の第２の側面に隣接する空洞の第１の部分に第２のダム部を形成することであって、第１のダム部および第２のダム部が、第１の導電性接点を包含する第１の井戸部を画定する、形成することを含む。方法は、第１のダム部および第２のダム部に分析物センサを配置することを含む。方法は、分析物センサの第１の電極を第１の導電性接点に結合することを含む。方法は、分析物センサの第２の電極を第２の導電性接点に結合することを含む。

いくつかの実施形態では、方法は、第１および第２の導電性接点が、エレクトロニクスアセンブリ基板から空洞の第１の部分の中に延在する、ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置することを含む。いくつかの実施形態では、第１のダム部および第２のダム部の各々は、傾斜断面を含み、分析物センサが、第１のダム部の傾斜断面の最下点上に、および第２のダム部の傾斜断面の最下点上に置かれる。いくつかの実施形態では、第１および第２のダム部の傾斜断面は、三角形に凹んだ、放物線状に凹んだ、半円形に凹んだ、または双曲線的に凹んだ断面のうちの１つである。いくつかの実施形態では、方法は、第１の井戸部内の第１の導電性接点の少なくとも一部の上に導電性エポキシを配置することを含む。いくつかの実施形態では、分析物センサの第１の電極が、第１のダム部および第２のダム部に配置されたときに導電性エポキシと直接物理的および電気的に接触しているように、導電性エポキシは、少なくとも第１のダム部の傾斜断面の最下点の、または第２のダム部の傾斜断面の最下点の高さに配置されている。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置のハウジングを製造する方法が、提供される。方法は、ハウジング内に第１のポケットベースを有する第１のポケットを形成することを含む。方法は、第１のポケットの第１の側に当接するハウジング内に第１の隣接領域を形成することであって、第１の隣接領域が、第１の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、形成することを含む。方法は、第１のポケットの第２の側に当接するハウジング内に第２の隣接領域を形成することであって、第２の隣接領域が、第２の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、形成することと、を含む。

いくつかの実施形態では、方法は、ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置することを含む。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁が実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、実質的に矩形形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁の部分が実質的に平面である一方、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分が湾曲しているように、実質的に丸みを帯びた矩形形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁が実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、実質的にダイヤモンド形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁の部分が実質的に平面である一方、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分が湾曲しているように、実質的に丸みを帯びたダイヤモンド形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁が実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、実質的に多角形形状を有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットは、第１のポケットの側壁の部分が実質的に平面である一方、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分が湾曲しているように、実質的に丸みを帯びた多角形形状を有する。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１の遷移および第２の遷移のうちの少なくとも１つが第１のポケットベースからステップアップするように、第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている。いくつかの実施形態では、高い高さは、およそ０．５ミリメートルである。いくつかの実施形態では、方法は、エポキシをポケットベース上に配置することを含み、エポキシが、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで上向きに屈折するメニスカスを形成し、高い高さが、上向きに屈折するメニスカスの高さを超える。いくつかの実施形態では、高い高さは、第１の所定の量と、エポキシの粘度、表面エネルギーおよび表面張力特性のうちの少なくとも１つとの関数である。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと同じ高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の遷移および第２の遷移のうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと面一にある。いくつかの実施形態では、方法は、ポケットベース上にエポキシを堆積することを含み、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されている。いくつかの実施形態では、高い高さは、第１の所定の量と、エポキシの粘度、表面エネルギーおよび表面張力特性のうちの少なくとも１つとの関数である。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと同じ高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の遷移および第２の遷移のうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと面一にある。いくつかの実施形態では、方法は、ポケットベース上にエポキシを堆積することを含み、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の遷移および第２の遷移のうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースからステップダウンする。いくつかの実施形態では、低い方の高さは、およそ０．５ミリメートルである。いくつかの実施形態では、エポキシは、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで下向きに屈折するメニスカスを形成する。いくつかの実施形態では、エポキシは、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つに付着し、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの中に忍び寄ることからエポキシを抑制する。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースの一方は、第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されており、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースの他方が、第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの両方は、第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域は、実質的に矩形形状、実質的に丸みを帯びた矩形形状、実質的にダイヤモンド状形状、実質的に丸みを帯びたダイヤモンド状形状、実質的に多角形形状、実質的に丸みを帯びた多角形形状、および実質的に不規則状形状のいずれかを有する。いくつかの実施形態では、第２の隣接領域は、実質的に矩形形状、実質的に丸みを帯びた矩形形状、実質的にダイヤモンド状形状、実質的に丸みを帯びたダイヤモンド状形状、実質的に多角形形状、実質的に丸みを帯びた多角形形状、および実質的に不規則状形状のいずれかを有する。いくつかの実施形態では、第１のポケットの側壁は、第１のポケットベースに対して実質的に垂直に配置されている。いくつかの実施形態では、第１のポケットの側壁は、第１のポケットベースに対して実質的に垂直からある角度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの側壁は、それぞれの第１および第２の隣接領域ベースに実質的に垂直に配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの側壁は、それぞれの第１および第２の隣接領域ベースに実質的に垂直からある角度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの側壁は、第１のポケットベースに対して実質的に垂直に配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの側壁は、第１のポケットベースに実質的に垂直な角度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの側壁は、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで角度の付いた角が形成されないように丸みを帯びている。いくつかの実施形態では、第１の遷移の第１の幅および第２の遷移の第２の幅は、実質的に０．５ｍｍ～２．０ｍｍの範囲内にある。いくつかの実施形態では、第１の遷移の第１の幅は、第２の遷移の第２の幅よりも大きい。いくつかの実施形態では、第１の遷移の第１の幅は、第２の遷移の第２の幅よりも小さい。いくつかの実施形態では、方法は、第１の隣接領域に、または第２の隣接領域に導電性接点を配置することを含む。いくつかの実施形態では、方法は、ハウジング上に第１の電極および第２の電極を有する分析物センサを配置することと、第１の電極および第２の電極のうちの１つを導電性接点と電気的に接続することと、を含む。

いくつかの実施形態では、方法は、第１の隣接領域に、または第２の隣接領域に支柱を配置することと、支柱にエポキシを配置することと、支柱上に配置されたエポキシに分析物センサの部分を配置することと、を含む。いくつかの実施形態では、エポキシは、分析物センサが支柱の中心線に実質的に沿って位置合わせされるように、その中に配置された分析物センサの部分上にセンタリング力を及ぼす。いくつかの実施形態では、支柱は、支柱の中心線に関して実質的に対称的形状を有する。

いくつかの実施形態では、方法は、第１の表面エネルギーでポケットベースを形成することと、第１の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーで第１の隣接領域ベースを形成することと、を含む。いくつかの実施形態では、方法は、第２の表面エネルギー、ならびに第１および第２の表面エネルギーとは異なる第３の表面エネルギーのうちの１つを有する、第２の隣接領域ベースを形成することを含む。

いくつかの実施形態では、方法は、第１のポケットに当接する第３の隣接領域であって、第１のポケットの側壁の上面よりも低い高さで配置された第３の隣接領域ベースと、第１のポケットの側壁の上面と第３の隣接領域ベースとの間の第３の遷移と、を有する第３の隣接領域を形成すること、を含む。いくつかの実施形態では、第１のポケット内に配置されたエポキシは、第３の遷移に付着し、第３の隣接領域の中に忍び寄ることからエポキシを抑制する。いくつかの実施形態では、第３の隣接領域は、第１のポケット内に配置されたエポキシの少なくとも過剰部分を受容するように構成され、それによって、エポキシが第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの中に忍び寄ることからエポキシを抑制する。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置を製造する方法が、提供される。方法は、ハウジングを形成することを含む。ハウジングは、第１のポケットベースを有する第１のポケット、第１のポケットの第１の側に当接する第１の隣接領域であって、第１の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、第１の隣接領域、第１のポケットの第２の側に当接する第２の隣接領域であって、第２の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、第２の隣接領域、および第１の隣接領域または第２の隣接領域に配置された導電性接点、を含む。方法は、ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置し、エレクトロニクスアセンブリ基板を導電性接点に電気的に結合することを含む。方法は、導電性接点と電気的に連絡している少なくとも１つの電極を含む分析物センサを配置することを含む。方法は、第１のポケットベース上に配置されたエポキシを配置することであって、分析物センサの少なくとも一部を第１のポケットベースに固定する、エポキシを配置することを含む。

いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースにうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている。いくつかの実施形態では、エポキシは、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで上向きに屈折するメニスカスを形成し、高い高さは、上向きに屈折するメニスカスの高さを超える。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと同じ高さに配置されている。いくつかの実施形態では、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１のポケットベースと比較して低い高さに配置されている。いくつかの実施形態では、エポキシは、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで下向きに屈折するメニスカスを形成する。いくつかの実施形態では、エポキシは、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つに付着し、第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの中に忍び寄ることからエポキシを抑制する。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置を製造する方法が、提供される。方法は、ハウジングを形成することであって、ハウジング内に第１の部分および第２の部分を有する空洞を画定する開口部を含む、ハウジングを形成することを含む。方法は、空洞の第１の部分の周囲に沿って第１の熱封止可能な熱可塑性エラストマーを配置することを含む。方法は、空洞の第１の部分内に分析物センサの少なくとも一部を配置することを含む。方法は、開口部上に、または開口部内に、および空洞の第１の部分の上にキャップをはめ込むことを含み、キャップが、空洞の第１の部分と第２の部分との間の境界の上に配置されたキャップの少なくとも一部に沿って第２の熱封止可能な熱可塑性エラストマーを含む。方法は、第１および第２の熱封止可能な熱可塑性エラストマーを溶融することを含み、それによって、湿気の侵入から空洞の第１の部分を封止する。

いくつかの実施形態では、空洞の第１の部分と第２の部分との間の境界は、第１の熱封止可能な熱可塑性エラストマーの部分を含む。

いくつかの実施形態によれば、分析物検知装置を製造する方法が、提供される。方法は、ハウジング内のハウジング空洞を画定する開口部を含むハウジングを形成することを含む。方法は、第１の導電性接点および第２の導電性接点をハウジング空洞内に配置することを含む。方法は、分析物センサの第１の電極を第１の導電性接点上に配置することを含む。方法は、分析物センサの第２の電極を第２の導電性接点上に配置することを含む。方法は、キャップを提供することを含む。キャップは、ベースと、第１の空洞および第２の空洞を含む封止材料とを含む。方法は、封止材料が、ハウジング空洞内の空隙を少なくとも部分的に充填し、ハウジングに対して押し付け、第１の空洞が、第１の電極および第１の導電性接点の上で位置合わせし、第２の空洞が、第２の電極および第２の導電性接点の上で位置合わせするように、開口部上に、または開口部内にキャップをはめ込むことを含む。

いくつかの実施形態では、方法は、キャップを開口部上に、または開口部内にはめ込む前に、第１の導電性エラストマーパックを第１の空洞に配置することと、第２の導電性エラストマーパックを第２の空洞に配置することと、を含む。第１の導電性エラストマーパックは、キャップが開口部上に、または開口部内にはめ込まれたときに、第１の電極および第１の導電性接点に対して押し付けるように構成され、それによって、第１の電極を第１の導電性接点に固定する。第２の導電性エラストマーパックは、キャップが開口部上に、または開口部内にはめ込まれたときに、第２の電極および第２の導電性接点に対して押し付けるように構成され、それによって、第２の電極を第２の導電性接点に固定する。

いくつかの実施形態では、第１および第２の導電性エラストマーパックは、実質的に円筒形形状を有する。いくつかの実施形態では、キャップのベースは、第１の空洞と横方向に位置合わせする少なくとも第１の穴と、第２の空洞と横方向に位置合わせする第２の穴と、をさらに含み、封止材料の少なくとも一部が、第１の穴を第１の空洞から物理的に隔離し、第２の穴を第２の空洞から物理的に隔離する。いくつかの実施形態では、方法は、第１の穴を通して、かつ封止材料の部分を通して第１の空洞の中に導電性エポキシを注入することであって、それによって、第１の電極を第１の導電性接点に電気的に接続する、注入することと、第２の穴を通して、かつ封止材料の部分を通して第２の空洞の中に導電性接着剤を注入することであって、それによって、第２の電極を第２の導電性接点に電気的に接続する、注入することと、を含む。いくつかの実施形態では、第１および第２の空洞は、実質的に円錐形を有する。

主題の技術の様々な構成は、本開示から当業者に容易に明らかになり、主題の技術の様々な構成が例示として示され説明されることが理解される。理解されるように、主題の技術は他の異なる構成が可能であり、そのいくつかの詳細は、主題の技術の範囲からすべて逸脱することなく、様々な他の点で修正することができる。したがって、概要、図面、および詳細な説明は、本質的に例示的なものとみなされるべきであり、限定的なものとみなされるべきではない。

ここで、有利な特徴を強調することに重点を置いて、本実施形態を詳細に説明する。これらの実施形態は、例示のみを目的としており、縮尺通りではなく、代わりに本開示の原理を強調している。これらの図面は、以下の図を含み、これらの図では、同じ数字は同じ部品を示している。

いくつかの実施形態による、ホストに取り付けられ、複数の例示的なデバイスと通信する分析物センサシステムの概略図である。いくつかの実施形態による、図１のセンサシステムに関連するエレクトロニクスを図示するブロック図である。いくつかの実施形態による、分析物センサを有するウェアラブルデバイスを図示する。いくつかの実施形態による、分析物センサを有するウェアラブルデバイスを図示する。いくつかの実施形態による、分析物センサを有するウェアラブルデバイスを図示する。ポテンシオスタットに接続された細長いセンサの実装例を図示する。いくつかの実施形態による、事前接続された分析物センサシステムの概略図を図示する。いくつかの実施形態による、事前接続された分析物センサシステムの別の概略図を図示する。いくつかの実施形態による、事前接続された分析物センサシステムの階層図を図示する。いくつかの実施形態による、事前接続された分析物センサシステムのアレイの概略図を図示する。いくつかの実施形態による、ウェアラブルセンサアセンブリの斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、ウェアラブルセンサアセンブリの斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、ウェアラブルセンサアセンブリの構成要素の分解図を図示する。いくつかの実施形態による、センサエレクトロニクスが配置されているエレクトロニクスアセンブリ基板に直接接続されたセンサを有するウェアラブルアセンブリの実施形態の斜視図を示す。いくつかの実施形態による、図６Ａのウェアラブルアセンブリの底部の平面図を示す。いくつかの実施形態による、図６Ａのウェアラブルアセンブリの側面断面図を示す。いくつかの実施形態による、ウェアラブルアセンブリのハウジング内の開口部を封止するためのキャップの斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、図７Ａのキャップの別の斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、ウェアラブルアセンブリのハウジング内の開口部の上に配置された図７Ａおよび７Ｂのキャップの斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、ハウジングの開口部内に面一に配置された、またはわずかに凹んだ図７Ａ～７Ｃのキャップの斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、ホストの皮膚にウェアラブルアセンブリを固定するための２部分パッチの平面図を図示する。いくつかの実施形態による、ホストの皮膚にウェアラブルアセンブリを固定するためのパッチに結合された、図７Ａ～７Ｄ、９および／または１０に関連して記載されたキャップなどのキャップの平面図を図示する。いくつかの実施形態による、図７Ａ～７Ｄ、９および／または１０に関連して記載されたキャップと同様に、ウェアラブルアセンブリをホストの皮膚に固定するためのキャップとして機能するように構成されたパッチの平面図を図示する。いくつかの実施形態による、図７Ａ～７Ｄ、９および／または１０に関連して記載されたキャップなどのキャップ、ならびにウェアラブルアセンブリをホストの皮膚に接着するように構成された図８Ａのパッチの部分の平面図を図示する。いくつかの実施形態による、ウェアラブルアセンブリのハウジング内の開口部を封止するためのキャップの側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、事前接続されたセンサを含み、ウェアラブルアセンブリのハウジング内の開口部を封止するように構成されたキャップの斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、第１のタイプのセンサ屈曲部の側面図および上面図を図示する。いくつかの実施形態による、第２のタイプのセンサ屈曲部の側面図および上面図を図示する。いくつかの実施形態による、第３のタイプのセンサ屈曲部の側面図および上面図を図示する。いくつかの実施形態による、図１１Ａの第１のタイプのセンサ屈曲部の例の側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、図１１Ａの第１のタイプのセンサ屈曲部の別の例の側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、図１１Ｂの第２のタイプのセンサ屈曲部の例の平面図を図示する。図１４Ａの例の側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、図１１Ｂの第２のタイプのセンサ屈曲部の別の例の側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、図１１Ｂの第２のタイプのセンサ屈曲部のさらに別の例の第１の側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、切断線Ｂ－Ｂ’に沿って見た図１６Ａの第２の側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、図１１Ｃの第３のタイプのセンサ屈曲部の例の平面図を図示する。いくつかの実施形態による、図１１Ｃの第３のタイプのセンサ屈曲部の別の例の平面図を図示する。いくつかの実施形態による、図１１Ｃの第３のタイプのセンサ屈曲部のさらに別の例の平面図を図示する。いくつかの実施形態による、図１１Ｃの第３のタイプのセンサ屈曲部のさらに別の例の平面図を図示する。いくつかの実施形態による、エポキシの望ましくないにじみ（ｂｌｅｅｄｉｎｇ）または移動を含有および防ぐための複数の井戸部を形成する、複数のダム部を備えるウェアラブルアセンブリの部分の上面図を図示する。いくつかの実施形態による、切断線Ａ－Ａ’に沿って見た図２１Ａのウェアラブルアセンブリの部分の側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、切断線Ｂ－Ｂ’に沿って見た図２１Ａのウェアラブルアセンブリの部分の別の側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、切断線Ｃ－Ｃ’に沿って見た図２１Ａのウェアラブルアセンブリの部分の別の側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、エポキシが隣接領域ににじむことから防ぐための様々な幅のステップアップ、ステップダウン、または面一遷移と組み合わせて、エポキシを利用するセンサを固定するための様々な形状を有する複数のポケットの斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、図２２のポケットについて様々な例示的な形状の平面図を図示する。いくつかの実施形態による、図２２の切断線Ａ－Ａ’に沿って見られるような例示的なステップアップ遷移、図２２の切断線Ｂ－Ｂ’に沿って見られるような例示的な面一遷移、および図２２の切断線Ｃ－Ｃ’に沿って見られるような例示的なステップダウン遷移のセットの側面図を図示する。いくつかの実施形態による、図２４の切断線Ａ－Ａ’、Ｂ－Ｂ’およびＣ－Ｃ’に沿って見られるような図２４の遷移の別のセットの側面図を図示する。いくつかの実施形態による、隣接領域へのステップアップおよびステップダウン遷移と組み合わせたエポキシ化ポケットの例示的な第１および第２の配列の上面図の写真を図示する。いくつかの実施形態による、センサをエレクトロニクス基板アセンブリに直接固定するために図２２～２６に関連して記載したものと同様のポケットおよび隣接領域を利用し、さらにセンサをセンタリングするための支柱を利用する配列の平面図および側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、エレクトロニクスアセンブリ基板に直接接続されたセンサを有するウェアラブルアセンブリの斜視図を図示する。エレクトロニクスアセンブリ基板およびセンサの少なくとも一部の上に堆積された不動態化層をさらに含む、図２８Ａのウェアラブルアセンブリの分解斜視図を図示する。不動態化層の上に配置された密封封止剤をさらに含む、図２８Ｂのウェアラブルアセンブリの分解斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、複数の不動態化層およびその上に直列に堆積された導電性トレース層を有するエレクトロニクスアセンブリ基板を備えるウェアラブルアセンブリの側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、熱封止可能な熱可塑性エラストマーを有するウェアラブルアセンブリ、および熱封止可能な熱可塑性エラストマーを有する嵌合キャップの平面図を図示する。いくつかの実施形態による、切断線Ａ－Ａ’に沿って見た、ウェアラブルアセンブリに固定するために配置された嵌合キャップ図３０Ａのウェアラブルアセンブリの側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、ウェアラブルアセンブリおよびオーバーモールドキャップの側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、ウェアラブルアセンブリおよび別のオーバーモールドキャップの側面断面図を図示する。いくつかの実施形態による、送信機の回路基板に直接接続された分析物センサを製造および使用するために実行され得る例示的な動作のフローチャートを図示する。いくつかの実施形態による、送信機の回路基板に直接接続された分析物センサを製造および使用するために実行され得る例示的な動作の別のフローチャートを図示する。いくつかの実施形態による、送信機の回路基板に直接接続された分析物センサを製造および使用するために実行され得る例示的な動作の別のフローチャートを図示する。いくつかの実施形態による、送信機の回路基板に直接接続された分析物センサを製造および使用するために実行され得る例示的な動作の別のフローチャートを図示する。いくつかの実施形態による、送信機の回路基板に直接接続された分析物センサを製造および使用するために実行され得る例示的な動作の別のフローチャートを図示する。いくつかの実施形態による、送信機の回路基板に直接接続された分析物センサを製造および使用するために実行され得る例示的な動作の別のフローチャートを図示する。いくつかの実施形態による、送信機の回路基板に直接接続された分析物センサを製造および使用するために実行され得る例示的な動作の別のフローチャートを図示する。いくつかの実施形態による、エポキシが隣接領域ににじむことから防ぐための、ポケットとは異なる表面エネルギーを有する隣接領域へのポケットおよびステップダウン遷移の斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、エポキシが隣接領域ににじむことから防ぐための、ポケットとは異なる表面エネルギーを有する隣接領域へのポケットおよび面一遷移の斜視図を図示する。いくつかの実施形態による、隣接領域へのステップダウン遷移を有し、エポキシが隣接領域ににじむことから防ぐための追加の隣接領域への追加のステップダウン遷移をさらに含むポケットの側面断面図を図示する。

全体を通して同じ参照番号は同じ要素を指す。特に明記しない限り、要素は縮尺どおりではない。

以下の記載および実施例は、開示された発明のいくつかの例示的な実装、実施形態、ならびに配置を詳細に例示する。当業者は、本発明の範囲によって包含される本発明の多くの変化形および修正形があることを認識するであろう。したがって、ある特定の例示的な実施形態の記載は、本発明の範囲を制限するとみなされるべきではない。

定義
本明細書で説明される様々な実施形態の理解を容易にするために、いくつかの用語が以下で定義される。

本明細書で使用される「分析物」という用語は、広義の用語であり、当業者にその通常の慣習的な意味を与えられるものであり（特別な意味またはカスタマイズされた意味に限定されるものではない）、分析され得る体液（例えば、血液、間質液、脳脊髄液、リンパ液、または尿）中の物質または化学成分をさらに指すが、これらに限定されない。分析物は、自然発生物質、人工物質、代謝産物、または反応生成物を含み得る。いくつかの実施形態では、センサヘッド、デバイス、および方法による測定のための分析物は、分析物である。しかしながら、他の分析物も同様に考えられ、アカルボキシプロトロンビン、アシルカルニチン、アデニンホスホリボシルトランスフェラーゼ、アデノシンデアミナーゼ、アルブミン、α－フェトプロテイン、アミノ酸プロファイル（アルギニン（クレブス回路）、ヒスチジン／ウロカニン酸、ホモシステイン、フェニルアラニン／チロシン、トリプトファン）、アンドレノステンジオン、アンチピリン、アラビニトールエナンチオマー、アルギナーゼ、ベンゾイルエクゴニン（コカイン）、ビオチニダーゼ、ビオプテリン、ｃ反応性タンパク質、カルニチン、カルノシナーゼ、ＣＤ４、セルロプラスミン、ケノデオキシコール酸、クロロキン、コレステロール、コリンエステラーゼ、共役１－β－ヒドロキシコール酸、コルチゾール、クレアチンキナーゼ、クレアチンキナーゼＭＭアイソザイム、シクロスポリンＡ、Ｄ－ペニシラミン、デ－エチルクロロキン、デヒドロエピアンドロステロンサルフェート、ＤＮＡ（アセチル化多型、アルコール脱水素酵素、α１－抗トリプシン、嚢胞性線維症、デュシェンヌ型／ベッカー型筋ジストロフィー、分析物－６－リン酸デヒドロゲナーゼ、ヘモグロビンＡ、ヘモグロビンＳ、ヘモグロビンＣ、ヘモグロビンＤ、ヘモグロビンＥ、ヘモグロビンＦ、Ｄ－パンジャブ、β－サラセミア、Ｂ型肝炎ウイルス、ＨＣＭＶ、ＨＩＶ－１、ＨＴＬＶ－１、レーベル遺伝性視神経症、ＭＣＡＤ、ＲＮＡ、ＰＫＵ、三日熱マラリア原虫、性分化、２１－デオキシコルチゾール）、デスブチルハロファントリン、ジヒドロプテリジン還元酵素、ジフテリア／破傷風抗毒素、赤血球アルギナーゼ、赤血球プロトポルフィリン、エステラーゼＤ、脂肪酸／アシルグリシン、遊離β－ヒト絨毛性ゴナドトロピン、遊離赤血球ポルフィリン、遊離チロキシン（ＦＴ４）、遊離トリ－ヨードチロニン（ＦＴ３）、フマリルアセトアセターゼ、ガラクトース／ｇａｌ－１－リン酸塩、ガラクトース－１－リン酸ウリジルトランスフェラーゼ、ゲンタマイシン、分析物－６－リン酸デヒドロゲナーゼ、グルタチオン、グルタチオンペリオキシダーゼ、グリココール酸、グリコシル化ヘモグロビン、ハロファントリン、ヘモグロビン変異体、ヘキソサミニダーゼＡ、ヒト赤血球炭酸脱水酵素Ｉ、１７－α－ヒドロキシプロゲステロン、ヒポキサンチンホスホリボシルトランスフェラーゼ、免疫反応性トリプシン、乳酸塩、鉛、リポタンパク質（（ａ）、Ｂ／Ａ－１、β）、リゾチーム、メフロキン、ネチルマイシン、フェノバルビトン、フェニトイン、フィタン酸／プリスタン酸、プロゲステロン、プロラクチン、プロリダーゼ、プリンヌクレオシドホスホリラーゼ、キニン、逆位トリ－ヨードチロニン（ｒＴ３）、セレン、血清膵臓リパーゼ、シソマイシン、ソマトメジンＣ、特異的抗体（アデノウイルス、抗核抗体、抗ゼータ抗体、アルボウイルス、オーエスキー病ウイルス、デング熱ウイルス、メジナ虫、単包条虫、赤痢アメーバ、エンテロウイルス、ランブル鞭毛虫（Ｇｉａｒｄｉａｄｕｏｄｅｎａｌｉｓａ）、ヘリコバクターピロリ、Ｂ型肝炎ウイルス、ヘルペスウイルス、ＨＩＶ－１、ＩｇＥ（アトピー性疾患）、インフルエンザウイルス、ドノバンリーシュマニア、レプトスピラ、麻疹／流行性耳下腺炎／風疹、らい菌、肺炎マイコプラズマ、ミオグロビン、回旋糸状虫、パラインフルエンザウイルス、熱帯熱マラリア原虫、ポリオウイルス、緑膿菌、呼吸系発疹ウイルス、リケッチア（ツツガムシ病）、マンソン住血吸虫、トキソプラズマ原虫、梅毒トレポネーマ（Ｔｒｅｐｅｎｏｍａｐａｌｌｉｄｉｕｍ）、クルーズ／ランゲルトリパノソーマ、水疱性口炎ウイルス（ｖｅｓｉｃｕｌａｒｓｔｏｍａｔｉｓｖｉｒｕｓ）、バンクロフト糸状虫、黄熱病ウイルス）、特異的抗原（Ｂ型肝炎ウイルス、ＨＩＶ－１）、アセト酢酸、スルファドキシン、テオフィリン、チロトロピン（ＴＳＨ）、チロキシン（Ｔ４）、チロキシン結合グロブリン、微量元素、トランスフェリン、ＵＤＰ－ガラクトース－４－エピメラーゼ、尿素、ウロポルフィリノーゲンＩシンターゼ、ビタミンＡ、白血球、および亜鉛プロトポルフィリンが挙げられるが、これらに限定されない。血液または間質液中で自然に発生する塩、糖、タンパク質、脂肪、ビタミン、およびホルモンもまた、ある特定の実施形態における分析物を構成し得る。分析物、例えば、代謝産物、ホルモン、抗原、抗体などは、体液中に自然に存在し得る。代替的に、分析物、例えば、画像診断のための造影剤、放射性同位体、化学薬剤、フッ化炭素ベースの人工血液、または薬剤もしくは医薬組成物が体内に導入され得、インスリン、グルカゴン、エタノール、大麻（マリファナ、テトラヒドロカンナビノール、ハシシ）、吸入剤（亜酸化窒素、亜硝酸アミル、亜硝酸ブチル、クロロ炭化水素、炭化水素）、コカイン（クラックコカイン）、刺激剤（アンフェタミン、メタンフェタミン、Ｒｉｔａｌｉｎ、Ｃｙｌｅｒｔ、Ｐｒｅｌｕｄｉｎ、Ｄｉｄｒｅｘ、ＰｒｅＳｔａｔｅ、Ｖｏｒａｎｉｌ、Ｓａｎｄｒｅｘ、Ｐｌｅｇｉｎｅ）、抑制剤（バルビツール酸塩、メタカロン、精神安定剤、例えば、Ｖａｌｉｕｍ、Ｌｉｂｒｉｕｍ、Ｍｉｌｔｏｗｎ、Ｓｅｒａｘ、Ｅｑｕａｎｉｌ、Ｔｒａｎｘｅｎｅ）、幻覚剤（フェンシクリジン、リゼルギン酸、メスカリン、ペヨーテ、サイロシビン）、麻薬（ヘロイン、コデイン、モルヒネ、アヘン、メペリジン、Ｐｅｒｃｏｃｅｔ、Ｐｅｒｃｏｄａｎ、Ｔｕｓｓｉｏｎｅｘ、Ｆｅｎｔａｎｙｌ、Ｄａｒｖｏｎ、Ｔａｌｗｉｎ、Ｌｏｍｏｔｉｌ）、デザイナードラッグ（フェンタニル、メペリジン、アンフェタミン、メタンフェタミン、およびフェンシクリジンの類似体、例えば、Ｅｃｓｔａｓｙ）、アナボリックステロイド、ならびにニコチンが挙げられるが、これらに限定されない。薬物および薬学的組成物の代謝産物もまた、分析物として考えられる。例えば、アスコルビン酸、尿酸、ドーパミン、ノルアドレナリン、３－メトキシチラミン（３ＭＴ）、３，４－ジヒドロキシフェニル酢酸（ＤＯＰＡＣ）、ホモバニリン酸（ＨＶＡ）、５－ヒドロキシトリプタミン（５ＨＴ）、および５－ヒドロキシインドール酢酸（ＦＨＩＡＡ）など、体内で生成される神経化学物質および他の化学物質などの分析物が分析され得る。

本明細書で使用される場合、「マイクロプロセッサ」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、コンピュータを駆動する基本命令に応答して処理する論理回路を用いて算術および論理演算を実行するコンピュータシステムやステートマシンなどを指すが、これらに限定されない。

本明細書で使用される場合、「較正」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、実時間で参照データを利用してもしなくても、センサデータを参照データと実質的に等しい意味のある値に変換するのに使用され得る、センサデータとそれに対応する参照データとの間の関係を決定するプロセスを指すが、これに限定されない。いくつかの実施形態、すなわち分析物センサでは、センサデータと参照データとの間の関係の変化が、例えば、感度、ベースライン、輸送、代謝などの変化に起因して生じた際に、経時的に（工場で、実時間においておよび／または過去に照らして）較正を更新したり、または再較正したりすることができる。

本明細書で使用される場合、「較正済みデータ」および「較正済みデータストリーム」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、感度の使用によることを含む、関数、例えば、変換関数を用いて、その生の状態から別の状態へと変換されてユーザに意味のある値を提供するデータを指すが、これに限定されない。

本明細書で使用される場合、「アルゴリズム」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、例えばコンピュータ処理を用いて、ある状態から別の状態へと情報を変換するのに関与する計算プロセス（例えば、プログラム）を指すが、これに限定されない。

本明細書で使用される場合、「センサ」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、分析物を定量化するデバイスの構成要素または領域を指すが、これらに限定されない。センサの「ロット」とは概して、同じ日にまたはその前後に製造され、同じプロセスとツール／材料を使用するセンサのグループを指す。追加的に、温度、圧力などを測定するセンサは、「センサ」と称され得る。

本明細書で使用される場合、「グルコースセンサ」および「生体サンプルのグルコースの量を決定するための部材」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、グルコースを定量化する任意のメカニズム（例えば、酵素化または非酵素化）を指すが、これに限定されない。例えば、いくつかの実施形態は、以下の化学反応によって示されるように、酸素およびグルコースを過酸化水素およびグルコン酸塩に変換することを触媒するグルコースオキシダーゼを含有する膜を利用する：
グルコース＋Ｏ_２→グルコン酸＋Ｈ_２Ｏ_２

代謝される各グルコース分子について、共反応物Ｏ_２および生成物Ｈ_２Ｏ_２に比例変化があるため、電極を使用して共反応物または生成物の電流変化を監視してグルコース濃度を決定することができる。

本明細書で使用される場合、「動作可能に接続される」および「動作可能に結合される」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、構成要素間の信号の伝送を可能にする方法で、１つ以上の構成要素が別の構成要素に結合されることを指すが、これに限定されない。例えば、１つ以上の電極を使用して、サンプル内のグルコースの量を検出し、その情報を信号、例えば電気信号または電磁信号に変換でき、その後、その信号を電子回路に送信することができる。この場合、電極は、電子回路に「動作可能に結合」されている。これらの用語は、ワイヤレス接続を含めるのに十分に広義である。

「決定すること」という用語は、様々なアクションを包含する。例えば、「決定すること」は、計算、コンピューティング、処理、導出、調査、検索（例えば、表、データベースまたは他のデータ構造内での検索）、確認などが含んでもよい。また、「決定すること」は、受信（例えば、情報の受信）、アクセス（例えば、メモリ内のデータへのアクセス）などを含んでもよい。また、「決定すること」は、解決、選択、選択、計算、導出、確立などを含んでもよい。決定することは、閾値を満たした、通過した、超過したことなどを含む、パラメータが所定の基準に一致することを確認することを含んでもよい。

本明細書で使用される場合、「実質的に」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、指定されたものの大部分ではあるが完全ではないことを指すが、これに限定されない。

本明細書で使用される場合、「ホスト」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、哺乳類、特に人間を指すが、これらに限定されない。

本明細書で使用される場合、「連続分析物（またはグルコース）センサ」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、例えば、数分の１秒から例えば、１、２、もしくは５分またはそれ以上までの範囲の時間間隔において、分析物の濃度、を連続的にまたは絶え間なく測定するデバイスを指すが、これらに限定されない。例示的な一実施形態では、連続分析物センサは、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許６，００１，０６７号に記載されているようなグルコースセンサである。

本明細書で使用される場合、「検知膜」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、２つ以上のドメインから構成することができ、典型的には数ミクロン以上の厚さの、酸素を透過することかできグルコースを透過し得るまたは透過しない材料で構築される透過性または非透過性の膜を指すが、これに限定されない。一例では、検知膜は、固定化グルコースオキシダーゼ酵素を含み、これにより電気化学反応を生じさせてグルコース濃度を測定することができる。

本明細書で使用される場合、「センサデータ」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、連続分析物センサのようなセンサに関連する任意のデータを指すが、これに限定されない。センサデータには、分析物センサからの測定対象分析物（または別のセンサから受信したその他の信号）に直接関連するアナログまたはデジタル信号の生データストリーム、または単にデータストリーム、ならびに較正および／またはフィルタ処理された生データが含まれる。一例では、センサデータは、アナログ信号（例えば、電圧またはアンペア）からＡ／Ｄコンバータによって変換された「カウント」のデジタルデータを含み、グルコース濃度を表す１つ以上のデータポイントを含む。したがって、「センサデータポイント」および「データポイント」という用語は、概して、特定の時間におけるセンサデータのデジタル表現を指す。用語は、数分の１秒から、例えば１、２、もしくは５分またはそれ以上までの範囲の時間間隔において行われた個々の測定を含む、実質的に連続グルコースセンサなどのセンサからの複数の時間間隔のデータポイントを広く包含する。別の例では、センサデータは、ある期間にわたって平均化された１つ以上のデータポイントを表す統合デジタル値を含む。センサデータは、較正データ、平滑化データ、フィルタ処理データ、変換データ、および／またはセンサに関連するその他のデータを含んでもよい。

本明細書で使用される場合、「センサエレクトロニクス」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、データを処理するように構成されたデバイスの構成要素（例えば、ハードウェアおよび／またはソフトウェア）を指すが、これらに限定されない。以下でさらに詳細に説明するように（例えば、図２を参照）、「センサエレクトロニクス」は、分析物センサに関連するセンサデータを測定、変換、保存、送信、通信、および／または取り出すように配置および構成してもよい。

本明細書で使用される場合、「感度」または「センサ感度」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、測定対象分析物または測定対象分析物（例えば、グルコース）に関連する測定対象試料（例えば、Ｈ２Ｏ２）のある濃度によって生成される信号の量を指すが、これに限定されない。例えば、一実施形態では、センサは、１ｍｇ／ｄＬのグルコース分析物ごとに約１～約３００ピコアンペアの電流の感度を有する。

本明細書で使用される場合、「サンプル」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、ホスト体のサンプル、例えば、血液、血清、血漿、間質液、脳脊髄液、リンパ液、眼液、唾液、口腔液、尿、排泄物、または滲出液を含む、体液を指すが、これらに限定されない。

本明細書で使用される場合、「～に遠位の」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、特定の基準点と比較して様々な要素の間の空間的な関係を指すが、これらに限定されない。概して、この用語は、ある要素が別の要素よりも基準点から比較的遠くにあることを示す。

本明細書で使用される場合、「に近位の」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、特定の基準点と比較して様々な要素の間の空間的な関係を指すが、これらに限定されない。概して、この用語は、要素が別の要素よりも基準点に比較的近くにあることを示す。

本明細書で使用される場合、「電気接続」および「電気接触」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、当業者において知られている２つの電気導体の間の任意の接続を指すが、これに限定されない。一実施形態では、電極は、デバイスの電子回路と電気接続した状態にある（例えば、電気的に接続されている）。別の実施形態では、２つの金属などであるがこれに限定されない２つの材料は、電流が２つの材料の１つから他の材料に流れることができるように、および／または電位が付与されるように互いに電気的に接触することができる。

本明細書で使用される場合、「細長い導体」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、少なくとも導電材料の一部に形成され、そこに形成され得る任意の数のコーティングを含む細長い本体を指すが、これに限定されない。例として、「細長い導電性本体」は、裸の細長い導電性コア（例えば、金属ワイヤ）、材料の１、２、３、４、５、もしくはそれ以上の層（それらのうちの各々は導電性であってもまたはなくてもよい）で被覆された細長い導電性芯、トレース、および／または材料の１、２、３、４、５、もしくはそれ以上の層（それらのうちの各々は導電性であってもまたはなくてもよい）でその上が被覆された電極を意味してもよい。

本明細書で使用される場合、「エクスビボ部分」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、ホストの生体の外部に留まるようにおよび／または存在するように適合されたデバイス（例えば、センサ）の一部を指すが、これらに限定されない。

本明細書で使用される場合、「インビボ部分」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、ホストの生体の内部に挿入するためにおよび／または存在するために適合されたデバイス（例えば、センサ）の一部を指すが、これらに限定されない。

本明細書で使用される場合、「ポテンシオスタット」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、１つ以上のプリセット値で作用電極と参照電極との間の電位を制御する電気機器を指すが、これに限定されない。

本明細書で使用される場合、「プロセッサモジュール」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、コンピュータを駆動する基本命令に応答して処理する論理回路を用いて算術または論理演算を実行するように設計された、コンピュータシステム、ステートマシン、プロセッサ、それらの構成要素などを指すが、これらに限定されない。

本明細書で使用される場合、「センサセッション」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、センサを（例えば、ホストによって）埋め込んでからそのセンサを取り外す（例えば、ホストの体からセンサを取り外すおよび／またはシステムエレクトロニクスを取り外す（例えば、それとの接続を切る））までの期間を指すが、これらに限定されない。

本明細書で使用される場合、「実質的な」および「実質的に」という用語は、広義語であり、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり（かつ特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではなく）、所望の機能を提供する十分な量を指すが、これに限定されない。

「同軸２導線ベースのセンサ」：導電性の中心コアと、絶縁性の中間層と、電気接点用に導電層が一端で露出した導電性の外層とで構成される丸線センサ。

「事前接続されたセンサ」：「センサ相互接続／インターポーザ／センサキャリア」が接続されているセンサ。したがって、この「事前接続されたセンサ」は、センサ自体と、相互接続／インターポーザ／センサキャリアとの、結合されている２つの部位を備える。「事前接続されたセンサ」ユニットという用語は、これらの２つの異なる部分の恒久的な結合によって形成されるユニットを指す。

他の定義は、以下の説明内で提供され、場合によっては用語の使用のコンテキストから提供される。

本明細書で使用される場合、以下の略語が適用される：ＥｑおよびＥｑ（同等）、ｍＥｑ（ミリ当量）、Ｍ（モル）、ｍＭ（ミリモル）μＭ（マイクロモル）、Ｎ（通常）、ｍｏｌ（モル）、ｍｍｏｌ（ミリモル）、μｍｏｌ（マイクロモル）、ｎｍｏｌ（ナノモル）、ｇ（グラム）、ｍｇ（ミリグラム）、μｇ（マイクログラム）、Ｋｇ（キログラム）、（リットル）、ｍＬ（ミリリットル）、ｄＬ（デシリットル）、μＬ（マイクロリットル）、ｃｍ（センチメートル）、ｍｍ（ミリメートル）、μｍ（マイクロメートル）、ｎｍ（ナノメートル）、ｈおよびｈｒ（時間）、ｍｉｎ．（分）、ｓおよびｓｅｃ（秒）、℃（摂氏）°Ｆ（華氏）、Ｐａ（パスカル）、ｋＰａ（キロパスカル）、ＭＰａ（メガパスカル）、ＧＰａ（ギガパスカル）、Ｐｓｉ（平方インチ当たりのポンド）、ｋＰｓｉ（平方インチ当たりのポンド）。

システムの概要／概説
インビボ分析物検知技術は、インビボセンサに依存し得る。インビボセンサは、作用電極および参照電極などの１つ以上の電極を有する細長い導電性本体を含んでもよい。

例えば、白金金属で覆われたタンタル線は、分析物センサ用の１つ以上の参照電極または対向電極を有する裸のコア検知要素として使用される場合がある。この検知要素は、最終センサを得るために膜で被覆されている。

いくつかの実施形態によれば、本明細書では、センサキャリアに取り付けられた分析物センサ（本明細書では「センサインターポーザ」とも称する）を含む事前接続されたセンサについて記載する。分析物センサは、細長い導電性本体の遠位端に作用電極と参照電極を含んでもよい。センサキャリアは、基板、センサの１つ以上の電気接点に結合された１つ以上の電気接点、およびセンサ接点に結合された１つ以上の電気接点を、膜浸漬コーティングステーション、試験ステーション、較正ステーション、またはウェアラブルデバイスのセンサエレクトロニクスなどの外部機器に結合するための１つ以上の追加のまたは外部の電気接点などの回路を含んでもよい。いくつかの実施形態では、基板は、中間本体と称することができる。

本明細書でさらに記載するのは、他のいくつかの実施形態によれば、細長い導電体の遠位端に作用電極および参照電極を含み、そのような上記のセンサキャリアを使用せずに、送信機の回路基板または基板に直接取り付けられるセンサである。そのような上記のセンサキャリアを使用せずに、送信機の回路基板または基板に直接取り付けおよび／または電気的に接続されたセンサの利用は、センサキャリアに事前接続されたセンサを利用する実施形態と比較して、より少ないステップを含み、および／または製造コストを減らすことができる、より合理化された製造プロセスを可能にすることができる。

以下の説明および実施例は、図面を参照して本実施形態を説明した。図面において、参照番号は、本実施形態の要素にラベルを付ける。これらの参照番号は、対応する図面の特徴の考察に関連して以下に再現される。

センサシステム
図１は、いくつかの例示的な実装態様による例示的なシステム１００を示している。システム１００は、センサエレクトロニクス１１２および分析物センサ１３８を含む分析物センサシステム１０１を含む。システム１００は、送薬ポンプ１０２およびグルコース計１０４などの他のデバイスおよび／またはセンサを含んでもよい。分析物センサ１３８は、センサエレクトロニクス１１２に物理的に接続されてもよく、センサエレクトロニクスと一体（例えば、取り外し不可能に取り付けられる）であっても、取り外し可能に取り付けられてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、連続分析物センサ１３８は、分析物センサ１３８をセンサエレクトロニクスと機械的および電気的にインターフェースするセンサキャリアを通じてセンサエレクトロニクス１１２に接続され得る。いくつかの他の実施形態では、連続分析物センサ１３８は、分析物センサ１３８をセンサエレクトロニクスと機械的および電気的にインターフェースするセンサキャリアを利用することなく、センサエレクトロニクス１１２に直接接続され得る。センサエレクトロニクス１１２、送薬ポンプ１０２、および／またはグルコース計１０４は、表示デバイス１１４、１１６、１１８、および／または１２０などの１つ以上のデバイスと結合してもよい。

いくつかの例示的な実装態様では、システム１００は、ホスト（患者とも呼ぶ）に関連付けられたセンサシステム１０１および表示デバイス１１４、１１６、１１８、および／または１２０などの他のデバイスから、ネットワーク４０９を通じて（例えば、有線、無線、またはそれらの組み合わせを通じて）提供される分析物データ（および／または他の患者関連データ）を分析して、特定の時間枠で測定された分析物に関して統計などの高レベル情報を提供するレポートを生成するように構成されたクラウド型分析物プロセッサ４９０を含み得る。クラウド型分析物処理システムの使用に関する詳細な説明は、２０１３年３月７日に提出され、米国特許出願公開２０１３／０３２５３５２号として公開され、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、「Ｃｌｏｕｄ－ＢａｓｅｄＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇｏｆＡｎａｌｙｔｅＤａｔａ（分析物データのクラウド型処理）」と題された米国特許出願第１３／７８８，３７５号において見出し得る。いくつかの実装では、工場較正アルゴリズムの１つ以上のステップは、クラウドで実行されることができる。

いくつかの例示的な実装態様では、センサエレクトロニクス１１２は、分析物センサ１３８によって生成されたデータの測定および処理に関連する電子回路を含んでもよい。この生成された分析物センサデータは、分析物センサデータの処理と較正に使用できるアルゴリズムを含んでもよいが、これらのアルゴリズムは他の方法で提供されてもよい。センサエレクトロニクス１１２は、グルコースセンサなどの分析物センサを介して分析物のレベルの測定を提供するハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの組み合わせを含んでもよい。センサエレクトロニクス１１２の例示的な実装態様については、図２に関して以下にさらに説明する。一実装では、本明細書で記載される工場較正アルゴリズムは、センサエレクトロニクスによって実行され得る。

上述のように、センサエレクトロニクス１１２は、表示デバイス１１４、１１６、１１８、および／または１２０などの１つ以上のデバイスと（例えば、ワイヤレスなどで）結合されてもよい。表示デバイス１１４、１１６、１１８、および／または１２０は、表示デバイス１１４、１１６、１１８、および／または１２０での表示のためにセンサエレクトロニクス１１２によって送信されたセンサ情報などの情報を提示（および／または警報）するように構成されてもよい。一実装では、本明細書で説明される工場較正アルゴリズムは、少なくとも部分的にディスプレイ装置によって行われてもよい。

いくつかの例示的な実装態様では、比較的小さいキーフォブのような表示デバイス１１４は、腕時計、ベルト、ネックレス、ペンダント、宝石、接着パッチ、ポケットベル、キーフォブ、プラスチックカード（例えば、クレジットカード）、識別（ＩＤ）カード、および／または同様なものを備えてもよい。この小さな表示デバイス１１４は、比較的小さなディスプレイ（例えば、大きな表示デバイス１１６よりも小さい）を含んでもよく、数値、矢印、またはカラーコードなどの特定のタイプの表示可能なセンサ情報を表示するように構成されてもよい。

いくつかの例示的な実装態様では、比較的大型のハンドヘルドディスプレイデバイス１１６は、ハンドヘルド受信機デバイス、パームトップコンピュータなどを含んでもよい。この大型表示デバイスは、比較的大型のディスプレイ（例えば、小型表示デバイス１１４よりも大きい）を含んでもよく、センサシステム１００によって出力される現在および過去のセンサデータを含むセンサデータのグラフィック表現などの情報を表示するように構成されてもよい。

いくつかの例示的な実装態様では、分析物センサ１３８は、酵素、化学、物理、電気化学、分光測光、偏光、測色、イオン導入、放射測定、免疫化学などの１つ以上の測定技術を使用して血液または間質液中のグルコースを測定するように構成されたグルコースセンサを備えてもよい。分析物センサ１３８がグルコースセンサを含む実装態様では、グルコースセンサは、グルコースの濃度を測定することができる任意のデバイスを備えてもよく、侵襲的、最小侵襲的、および非侵襲的検知技術を含む、様々な技術を使用してグルコースを測定して（例えば、蛍光モニタリング）、ホスト内のグルコース濃度を示すデータストリームなどのデータを提供してもよい。データストリームは、ユーザ、患者、または世話人（例えば、親、親戚、保護者、教師、医師、看護師、またはホストの健康に関心のある任意の他の個人）などのホストにグルコースの値を提供するために使用される較正済みデータストリームに変換され得るセンサデータ（生のおよび／またはフィルタリングされた）であってもよい。さらに、分析物センサ１３８は、次のタイプの分析物センサの少なくとも１つとして埋め込んでもよい：埋め込み型グルコースセンサ、ホストの血管内にまたは体外に埋め込まれる経皮グルコースセンサ、皮下センサ、詰め替え可能な皮下センサ、血管内センサ。

本明細書の開示は、グルコースセンサを備える分析物センサ１３８を含むいくつかの実装態様に言及しているが、分析物センサ１３８は、他の種類の分析物センサも同様に含んでもよい。また、いくつかの実装態様は、グルコースセンサを埋め込み型グルコースセンサと呼ぶが、グルコースの濃度を検出し、グルコース濃度を表す出力信号を提供することができる他のタイプのデバイスも同様に使用されてもよい。さらに、本明細書の説明は、測定される、処理されるなどの分析物としてグルコースに言及しているが、例えば、ケトン体（例えば、アセトン、アセト酢酸およびベータヒドロキシ酪酸、乳酸塩など）、グルカゴン、アセチル－ＣｏＡ、トリグリセリド、脂肪酸、クエン酸サイクルの中間体、コリン、インスリン、コルチゾール、試験ステロンなどを含む他の分析物も同様に使用してもよい。

いくつかの製造システムでは、センサ１３８は、手動で分類され、固定具に配置され、保持される。これらの固定具は、試験および較正動作用の電気測定機器とのインターフェースを含む様々なプロセスステップの製造中に、ステーションからステーションへ手動で移動される。ただし、センサの手動操作は非効率的となる可能性があり、理想的ではない機械的および電気的接続による遅延を引き起こす可能性があり、センサおよび／または試験および較正機器への損傷のリスクがあり、製造中に収集される不正確な検証データの原因となるセンサの変動を引き起こす可能性がある。加えて、センサ１３８をセンサエレクトロニクス１１２とともにウェアラブルデバイスにパッケージングするプロセスは、センサ１３８を損傷する可能性があるセンサのさらなる手動操作に関与する。

各センサに関連する識別およびその他のデータは、利用される場合、製造、試験、較正、およびインビボ動作中に各センサのロギングおよび追跡のために、センサキャリアに格納され得る。試験および較正動作の後、センサキャリアを使用して、センサを皮膚上センサアセンブリなどのウェアラブルデバイスのセンサエレクトロニクスに接続し、封止された電気的に堅牢な配置にしてもよい。そのようなセンサキャリアを組み込まない実施形態では、センサは、ウェアラブルデバイスのセンサエレクトロニクス（例えば、センサエレクトロニクスのプリント回路基板に）に直接接続され得る。

図２は、いくつかの例示的な実装態様に従って、センサエレクトロニクス１１２で使用され得る、または試験ステーション、較正ステーション、スマートキャリア、またはデバイス１０１の製造中に使用される他の機器などの製造ステーションで実装され得る、エレクトロニクス１１２の例を示す。センサエレクトロニクス１１２は、センサデータなどのセンサ情報を処理し、例えばプロセッサモジュールを介して、変換されたセンサデータおよび表示可能なセンサ情報を生成するように構成された電子部品を含んでもよい。例えば、プロセッサモジュールは、センサデータを以下の１つ以上に変換してもよい：フィルタリングされたセンサデータ（例えば、１つ以上のフィルタリングされた分析物濃度値）、生センサデータ、較正済みセンサデータ（例えば、１つ以上の較正済み分析物濃度値）、変化率情報、トレンド情報、加速／減速情報、センサ診断情報、位置情報、アラーム／アラート情報、本明細書に開示されている工場較正アルゴリズム、平滑化および／またはフィルタリングアルゴリズム、および／または同様なものにより決定され得るような較正情報。

いくつかの実施形態では、プロセッサモジュール２１４は、工場較正に関係するデータ処理を含むデータ処理のすべてではないにしてもかなりの部分を達成するように構成されている。プロセッサモジュール２１４は、センサエレクトロニクス１１２と一体であってもよく、および／またはデバイス１１４、１１６、１１８、および／または１２０および／またはクラウド４９０のうちの１つ以上など、遠隔に配置されてもよい。例えば、いくつかの実施形態では、プロセッサモジュール２１４は、少なくとも部分的にクラウド型分析物プロセッサ４９０内またはネットワーク４０９の他の場所に配置されてもよい。

いくつかの例示的な実装態様では、プロセッサモジュール２１４は、センサデータを較正するように構成されてもよく、データ格納メモリ２２０は、較正済みセンサデータポイントを変換済みセンサデータとして格納してもよい。また、プロセッサモジュール２１４は、いくつかの例示的な実装態様においては、デバイス１１４、１１６、１１８、および／または１２０などの表示デバイスから較正情報を無線で受信して、センサ１３８からのセンサデータの較正を可能にするように構成されてもよい。さらに、プロセッサモジュール２１４は、センサデータ（例えば、較正済みのおよび／またはフィルタリング済みのデータおよび／または他のセンサ情報）に対して追加のアルゴリズム処理を実行するように構成されてもよく、データ格納メモリ２２０は、変換済みセンサデータおよび／またはアルゴリズムに関連するセンサ診断情報を格納するように構成されてもよい。プロセッサモジュール２１４は、以下で説明するように、工場較正から決定された較正情報を格納および使用するようにさらに構成されてもよい。

いくつかの例示的な実装態様では、センサエレクトロニクス１１２は、ユーザインターフェース２２２に結合された特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）２０５を備えてもよい。ＡＳＩＣ２０５は、ポテンシオスタット２１０、センサエレクトロニクス１１２からデバイス１１４、１１６、１１８、および／または１２０などの１つ以上のデバイスにデータを送信するための遠隔測定モジュール２３２、および／または信号処理およびデータ格納のための他の構成要素（例えば、プロセッサモジュール２１４およびデータ格納メモリ２２０）をさらに含んでもよい。図２はＡＳＩＣ２０５を示しているが、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、センサエレクトロニクス１２によって行われる処理の一部（すべてではないにしても）を提供するように構成された１つ以上のマイクロプロセッサ、アナログ回路、デジタル回路、またはそれらの組み合わせを含む他のタイプの回路も同様に使用してもよい。

図２に示す例では、センサデータ用の第１の入力ポート２１１を通じて、ポテンシオスタット２１０は、グルコースセンサなどの分析物センサ１３８に結合されて分析物からセンサデータを生成する。ポテンシオスタット２１０は、センサ１３８の一部を形成する作用電極２１１および参照電極２１２に結合され得る。ポテンシオスタットは、ホスト内の分析物濃度（アナログ部分とも呼ばれる）の値（例えば、電流）の測定のためにセンサをバイアスするために、分析物センサ１３８の電極２１１、２１２の１つに電圧を提供し得る。ポテンシオスタット２１０は、分析物センサ１３８に組み込まれた電極（第３の電極としての対向電極など）の数に応じて、センサ１３８への１つ以上の接続を有し得る。

いくつかの例示的な実装態様では、ポテンシオスタット２１０は、センサ１３８からの電流値を電圧値に変換する抵抗器を含み得、いくつかの例示的な実装態様では、電流－周波数変換器（図示せず）は、例えば、電荷カウントデバイスを使用してセンサ１３８からの測定電流値を連続的に統合するように構成され得る。いくつかの例示的な実装態様では、アナログ－デジタル変換器（図示せず）は、プロセッサモジュール２１４による処理を可能にするために、センサ１３８からのアナログ信号をいわゆる「カウント」にデジタル化し得る。結果として得られるカウントは、ポテンシオスタット２１０によって測定された電流に直接関係してもよく、これは、ホスト内のグルコースレベルなどの分析物レベルに直接関係し得る。

遠隔測定モジュール２３２は、プロセッサモジュール２１４に動作可能に接続されてもよく、センサエレクトロニクス１１２と表示デバイス、プロセッサ、ネットワークアクセスデバイスなどの１つ以上の他のデバイスとの間の無線通信を可能にするハードウェア、ファームウェア、および／またはソフトウェアを提供してもよい。遠隔測定モジュール２３２で実装できる様々な無線技術としては、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ、ＢｌｕｅｔｏｏｔｈＬｏｗ－Ｅｎｅｒｇｙ、ＡＮＴ、ＡＮＴ＋、ＺｉｇＢｅｅ、ＩＥＥＥ８０２．１１、ＩＥＥＥ８０２．１６、セルラー無線アクセス技術、無線周波数（ＲＦ）、赤外線（ＩＲ）、ページングネットワーク通信、磁気誘導、衛星データ通信、スペクトル拡散通信、周波数ホッピング通信、近距離無線通信、および／または同様なものが挙げられる。いくつかの例示的な実装態様では、遠隔測定モジュール２３２は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈチップを備えるが、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ技術は、遠隔測定モジュール２３２とプロセッサモジュール２１４との組み合わせで実装されてもよい。

プロセッサモジュール２１４は、センサエレクトロニクス１１２によって行われる処理を制御してもよい。例えば、プロセッサモジュール２１４は、センサからのデータ（例えば、カウント）を処理し、データをフィルタリングし、データを較正し、フェイルセーフチェックを実行し、および／またはそのようなことをするように構成されてもよい。

ポテンシオスタット２１０は、例えば電流－電圧変換器または電流－周波数変換器を使用して、離散時間間隔でまたは連続的に分析物（例えば、グルコースなど）を測定してもよい。

プロセッサモジュール２１４は、表示デバイス１１４、１１６、１１８、および／または１２０などのデバイスに送信するためのデータパッケージを生成するように構成されたデータジェネレータ（図示せず）をさらに含んでもよい。さらに、プロセッサモジュール２１４は、遠隔測定モジュール２３２を介してこれらの外部ソースに送信するためのデータパケットを生成してもよい。いくつかの例示的な実装態様では、データパッケージは、センサおよび／またはセンサエレクトロニクス１１２の識別子コード、生データ、フィルタリング済みデータ、較正済みデータ、変化率情報、トレンド情報、エラー検出または訂正、および／または同様なものを含んでもよい。

プロセッサモジュール２１４はまた、プログラムメモリ２１６および他のメモリ２１８を含んでもよい。プロセッサモジュール２１４は、通信ポート２３８などの通信インターフェース、およびバッテリ２３４などの電源に結合されてもよい。さらに、バッテリ２３４は、バッテリ充電器および／またはレギュレータ２３６にさらに結合されて、センサエレクトロニクス１１２に電力を提供し、および／またはバッテリ２３４を充電してもよい。

プログラムメモリ２１６は、結合センサ１３８の識別子（例えば、センサ識別子（ＩＤ））などのデータを格納するための、およびＡＳＩＣ２０５を構成して本明細書で説明される１つ以上の動作／機能を実行するためのコード（プログラムコードとも呼ばれる）を格納するための、準静的メモリとして実装されてもよい。例えば、プログラムコードは、データストリームまたはカウントを処理し、フィルタリングし、以下で説明する較正方法を実行し、フェイルセーフチェックを実行するなどのようにプロセッサモジュール２１４を構成してもよい。

メモリ２１８は、情報を格納するためにも使用されてもよい。例えば、メモリ２１８を含むプロセッサモジュール２１４は、システムのキャッシュメモリとして使用されてもよく、そこでは、センサから受信された最近のセンサデータのために一時的な記憶が提供される。いくつかの例示的な実装態様では、メモリは、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、ダイナミックＲＡＭ、スタティックＲＡＭ、非スタティックＲＡＭ、電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）、書き換え可能なＲＯＭ、フラッシュメモリなどのメモリストレージ構成要素を備えてもよい。

データ格納メモリ２２０は、プロセッサモジュール２１４に連結されてもよく、様々なセンサ情報を格納するように構成されてもよい。いくつかの例示的な実装態様では、データ格納メモリ２２０は、１日分以上の分析物センサデータを格納する。格納されたセンサ情報には、以下のうちの１つ以上を含んでもよい：タイムスタンプ、生センサデータ（１つ以上の生分析物濃度値）、較正済みデータ、フィルタリング済みデータ、変換済みセンサデータ、および／またはその他の表示可能なセンサ情報、校正情報（例えば、基準ＢＧ値および／または工場較正からのような以前の較正情報）、センサ診断情報など。

ユーザインターフェース２２２は、１つ以上のボタン２２４、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）２２６、バイブレータ２２８、オーディオトランスデューサ（例えば、スピーカ）２３０、バックライト（図示せず）、および／または同様なものを含んでもよい。ユーザインターフェース２２２を構成する構成要素は、ユーザ（例えば、ホスト）と対話するための制御を提供してもよい。

バッテリ２３４は、プロセッサモジュール２１４（および場合によってはセンサエレクトロニクス１２の他の構成要素）に動作可能に接続され、センサエレクトロニクス１１２に必要な電力を提供してもよい。他の実装態様では、例えば、誘導結合を介して受信機に経皮的に電力を供給することができる。

バッテリ充電器および／またはレギュレータ２３６は、内部および／または外部充電器からエネルギーを受け取るように構成されてもよい。いくつかの例示的な実装態様では、バッテリ２３４（または複数のバッテリ）は、誘導および／または無線充電パッドを介して充電されるように構成されるが、他の充電および／または電力機構も使用されてもよい。

外部コネクタとも呼ばれる１つ以上の通信ポート２３８を提供して、他のデバイスとの通信を可能にしてもよい。例えば、ＰＣ通信（ｃｏｍ）ポートを提供して、センサエレクトロニクス１１２とは別のまたは一体化したシステムとの通信を可能することができる。通信ポートは、例えば、シリアル（例えば、ユニバーサルシリアルバスまたは「ＵＳＢ」）通信ポートを備え、別のコンピュータシステム（例えば、ＰＣ、携帯情報端末または「ＰＤＡ」、サーバなど）との通信を可能にしてもよい。いくつか例示的な実装態様では、センサまたはクラウドデータソースからアルゴリズムに工場情報を送信してもよい。

１つ以上の通信ポート２３８は、較正データを受信できる入力ポート２３７と、較正データまたは較正データを受信機またはモバイル機器に送信するのに使用できる出力ポート２３９と、をさらに含んでもよい。図２は、これらの態様を概略的に示す。ポートは、物理的に分離されてもよいが、代替の実装態様では、単一の通信ポートが第２の入力ポートおよび出力ポートの両方の機能を提供し得ることが理解されるだろう。

いくつかの分析物センサシステムでは、センサエレクトロニクスの皮膚上の部分を簡素化して、皮膚上エレクトロニクスの複雑さやサイズを最小限に抑えて、例えば、センサデータの表示に必要な較正およびその他のアルゴリズムを実行するように構成された表示デバイスに生の、較正済みの、および／またはフィルタリング済みのデータを提供してもよい。しかしながら、センサエレクトロニクス１１２は（例えば、プロセッサモジュール２１４を介して）、変換済みセンサデータおよび／または表示可能なセンサ情報を生成するために使用される予測アルゴリズムを実行するように実装されてもよい。予測アルゴリズムは、例えば、基準の臨床的受容性および／またはセンサデータを評価し、包含基準に基づいて最適な較正のための較正データを評価し、その較正の品質を評価し、測定分析物値に対応する推定分析物値を経時的に比較し、推定分析物値の変動を分析し、センサおよび／またはセンサデータの安定性を評価し、信号アーチファクト（ａｒｔｉｆａｃｔ）（ノイズ）を検出し、信号アーチファクトを置換し、センサデータの変化率および／またはトレンドを決定し、動的かつインテリジェントな分析物値推定を実行し、センサおよび／またはセンサデータに対する診断を実行し、動作モードを設定し、データの異常について評価し、および／または同様なことを実行する。

図３Ａ、３Ｂ、および３Ｃは、皮膚上センサアセンブリ５００、６００などのウェアラブルデバイスとして実装される分析物センサシステム１０１の例示的な実装態様を図示する。図３に示すように、皮膚上センサアセンブリは、ハウジング１２８を備える。接着パッチ１２６は、ハウジング１２８をホストの皮膚に結合することができる。接着部１２６は、皮膚に取り付けるためのキャリア基板（例えば、スパンレースポリエステル、ポリウレタンフィルム、または他の好適なタイプ）に接合された感圧接着剤（例えば、アクリル系、ゴム系、または他の好適なタイプ）とすることができる。ハウジング１２８は、被検体の皮膚の下にセンサ１３８を埋め込むために使用されるセンサ挿入デバイス（例えば、センサ挿入針、図示せず）と協働する貫通孔１８０を含み得る。

ウェアラブルセンサアセンブリ５００、６００は、グルコースセンサ１３８によって検知されたグルコースインジケータを測定および／または分析するように動作可能なセンサエレクトロニクス１１２（例えば、エレクトロニクスモジュール１３５の少なくとも一部として）を含むことができる。電子ユニット５００、６００内のセンサエレクトロニクス１１２は、情報（例えば、測定値、分析物データ、およびグルコースデータ）を遠隔に配置されたデバイス（例えば、図１に示す１１４、１１６、１１８、１２０）に送信することができる。図３Ｃに示されるように、この実装態様では、センサ１３８は、その遠位端から貫通孔１８０内へと延在し、筐体１２８内の電子モジュール１３５にルーティングされている。作用電極２１１および参照電極２１２は、ポテンシオスタットを含む電子モジュール１３５内の回路に接続されている。

図３Ｄは、細長い本体部分を含む分析物センサ１３８の例示的な一実施形態を示す。細長い本体部分は、長くかつ薄いが、それでもなお可撓性がありかつ強力であってもよい。例えば、いくつかの実施形態では、細長い導電性本体の最小寸法は、約０．１インチ未満、約０．０７５インチ未満、約０．０５インチ未満、約０．０２５インチ未満、約０．０１インチ未満、約０．００４インチ未満、または約０．００２インチ未満である。細長い導電性本体は、ここでは円形の断面を有するものとして示されているが、他の実施形態では、細長い導電性本体の断面は、卵形、矩形、三角形、多面体、星形、Ｃ字形、Ｔ字形、Ｘ字形、Ｙ字形、不規則などであってもよい。

図３Ｄの実装態様では、分析物センサ１３８は、ワイヤコア１３９を備える。センサ１３８の遠位のインビボ部分において、ワイやコア１３９は、電極２１１ａを形成する。センサ１３８の近位のエクスビボ部分において、ワイヤコア１３９は、接点２１１ｂを形成する。電極２１１ａおよび接点２１１ｂは、ワイヤコア１３９がセンサ１３８の細長い本体部分に沿って延在しているので、ワイヤコア１３９の長さにわたって電気的に連絡している。ワイヤコアは、プラチナやタンタルなどの単一の材料から作成することができるが、異なる導電性材料の外側コーティングを有する導電性または非導電性材料などの複数の層として形成してもよい。

層１０４は、ワイヤコア１３９の少なくとも一部を取り囲む。層１０４は、ポリイミド、ポリウレタン、パリレン、または他の既知の絶縁材料などの絶縁材料で形成されてもよい。例えば、一実施形態において、層１０４は、ワイヤコア１３９上に配置され、電極２１１ａが窓１０６を介して露出されるように構成される。

いくつかの実施形態では、センサ１３８は、導電性材料で構成されるスリーブのように、絶縁層１０４を取り囲む層１４１をさらに備える。Ｉセンサ１３８の遠位のインビボ部分において、スリーブ層１４１は、電極２１２ａを形成する。センサ１３８の近位のエクスビボ部分において、スリーブ層１４１は、接点２１２ｂを形成する。電極２１２ａおよび接点２１２ｂは、スリーブ層１４１がセンサ１３８の細長い本体部分に沿って延在しているので、スリーブ層１４１の長さにわたって電気的に連絡している。このスリーブ層１４１は、絶縁層１０４上に塗布される銀含有材料から形成されてもよい。銀含有材料は、例えば、Ａｇ／ＡｇＣｌ－ポリマーペースト、塗料、ポリマー系導電性混合物、および／または市販されているインクなど、様々な材料のいずれかを含んでもよく、様々な形態であってもよい。この層１４１は、例えばダイ計量式浸漬コーティングプロセスを使用して、ペースト化／浸漬／コーティングステップを使用して処理することができる。例示的な一実施形態では、Ａｇ／ＡｇＣｌポリマーペーストは、本体を浸漬コーティングする（例えば、メニスカスコーティング技術を使用する）ことによって細長い本体に塗布され、次いで、ダイを通して本体を引き、コーティングを正確な厚さまで計量する。いくつかの実施形態では、複数のコーティングステップは、コーティングを所定の厚さに構築するように使用される。

図３Ｄに示されるセンサ１３８はまた、センサ１３８の遠位のインビボ部分の少なくとも一部を覆う膜１０８を含む。この膜は、典型的には、干渉ドメイン、酵素ドメイン、拡散抵抗ドメイン、および生体防御ドメインのうちの１つ以上を含み得る複数の層で形成される。この膜は、分析物の検出を可能にする電気化学プロセスをサポートするために重要であり、通常、浸漬コーティング、スプレー、またはその他の製造ステップによって細心の注意を払って製造される。センサ１３８の遠位にあるインビボ部分は、膜１０８が形成されてからセンサ１３８の遠位のインビボ部分が被検体に埋め込まれる時まで可能な限り少ないまたは実用的な取り扱いを受けることが好ましい。いくつかの実施形態では、電極２１１ａは、電気化学測定システムの作用電極を形成し、電極２１２ａは、そのシステムの参照電極を形成する。使用中、両方の電極は、分析物モニタリングのためにホスト内に埋め込まれてもよい。

上記の説明は、特に同軸ワイヤタイプの構造に適用可能であるが、本明細書の実施形態は、電極の他の物理的構成にも適用可能である。例えば、２つの電極２１１ａおよび２１２ａは、薄くて平坦なポリマーフレックス回路などの平面基板の細長い可撓性ストリップの遠位のインビボ部分に固定することができる。２つの接点２１１ｂおよび２１２ｂは、この可撓性平面基板の近位のエクスビボ部分に固定することができる。電極２１１ａ、２１２ａは、平面基板上の回路トレースを通じて、それぞれの接点２１１ｂ、２１２ｂに電気的に接続されることができる。この場合、電極２１１ａおよび２１２ａならびに接点２１１ｂおよび２１２ｂは、図３Ｄに示すように同軸ではなく、平坦な表面上で互いに隣接していてもよい。

いくつかの他の実施形態では、２つの接点２１１ｂおよび２１２ｂは、以下の記載でより詳細に記載されるように、そのような上記の平面基板の可撓性ストリップを利用することなく、１つ以上の接点および／またはセンサエレクトロニクス１１２のトレース（図１および２を参照）に直接結合合され得る。

また、図３Ｄに示されているものは、単純な電流－電圧変換器型のポテンシオスタット２１０に電気的に結合された接点２１１ｂおよび接点２１２ｂの図示である。ポテンシオスタットは、演算増幅器３２２の入力に結合された出力を有するバッテリ３２０を含む。演算増幅器３２２の出力は、抵抗器３２８を通じて作用電極接点２１１ｂに電気的に結合されている接点３２４に結合されている。増幅器３２２は、接点３２４をバッテリ電圧Ｖ_ｂにバイアスし、そのバイアスを維持するのに必要な電流ｉ_ｍを駆動する。この電流は、作用電極２１１ａからセンサ１３８を取り巻く間質液を通って、参照電極２１２ａに流れる。参照電極接点２１２ｂは、バッテリ３２０の他方の側に接続されている別の接点３３４に電気的に結合されている。この回路では、電流ｉ_ｍは、（Ｖ_ｂ－Ｖ_ｍ）／Ｒに等しく、ここで、Ｖ_ｍは、増幅器３２２の出力で測定された電圧である。作用電極２１１ａ上の所与のバイアスについてのこの電流の大きさは、窓１０６の近くの分析物濃度の尺度である。

接点３２４および３３４は、典型的には、回路基板上の導電性パッド／トレースである。試験中、このボードの表面には常に一定レベルの寄生リーク電流ｉ_ｐがある。可能であれば、この漏れ電流は、分析物による電流の測定の一部を形成すべきではない。この漏れ電流が測定電流に与える影響を減らすために、オプションの追加パッド／トレース３３６をバイアス接点３２４とバッテリ出力に直接接続されたリターン接点３３４との間に設けてもよい。このオプションの追加パッド／トレースは、「ガードトレース」と呼ばれる場合がある。それらは同じ電位に保たれているため、バイアス接点３２４とガードトレース３３６とからの漏れ電流は特に重要ではない。さらに、ガードトレース３３６からリターン接点３３４への漏れ電流は、増幅器出力抵抗器３２８を通過しないため、測定に含まれない。ガードトレースの追加の態様および実装は、参照により本明細書に組み込まれる米国特許公開２０１７／０２８１０９２号の段落［０１２８］および［０１２９］に見出され得る。

製造中に、様々なコーティング、試験、較正、および組み立て動作は、センサ１３８上で実行される。ただし、個々のセンサを移送し、センサを複数の試験および較正機器の設置との間で電気的にインターフェースすることは困難である。これらのプロセスはまた、センサを取り扱いによって損傷する可能性がある。これらの問題への対処を支援するために、センサ１３８は、少なくとも図４Ａ～４Ｄおよび５Ａ～５Ｃに関連して以下により詳細に記載するセンサキャリアを含む事前接続されたセンサの一部として提供され得る。

しかしながら、そのような事前接続されたセンサの実施形態は、望ましくないほど製造コストを増加させる可能性がある、追加の製造ステップを必要とし得る。したがって、いくつかの他の実施形態では、センサ１３８の少なくとも一部、例えば、接点２１１ｂおよび２１２ｂは、少なくとも図６Ａ～６Ｃに関連して以下でより詳細に記載するように、センサキャリアを利用することなく、センサエレクトロニクス１１２の１つ以上の接点および／またはトレース（例えば、エレクトロニクスモジュール１３５の少なくとも一部、図１および２を参照）に直接結合され得、それによって、製造ステップの数を減らし、製造の複雑さおよび／またはコストを減らす。

センサキャリアに事前接続されたセンサ
図４Ａは、事前接続されたセンサ４００の概略図を示す。図４Ａに示すように、事前接続されたセンサ４００は、センサ１３８に恒久的に取り付けられたセンサキャリア４０２を含む。図４Ａの例では、センサキャリア４０２は、基板４０４などの中間本体を含み、第１の内部接点４０６および第２の内部接点４０８などの１つ以上の接点も含む。第１の内部接点４０６は、センサ１３８の近位端の第１の接点に電気的に結合され、接点内部接点４０８は、センサ１３８の近位端の第２の接点に電気的に結合される。センサ１３８の遠位端は、ホストの皮膚への挿入のために構成された自由端である。接点４０６および４０８は、例えば、いくつかの実装態様において、図３Ｄの接点３２４および３３４に対応してもよい。

図４Ａに示すように、第１の内部接点４０６は、第１の外部接点４１０に電気的に結合され、第２の内部接点４０８は、第２の外部接点４１２に電気的に結合され得る。以下でさらに詳細に記載するように、外部接点４１０および４１２は、ウェアラブルデバイス５００内のセンサエレクトロニクス１１２と電気的にインターフェースするように構成され得る（図５Ａ～５Ｃを参照）。さらに、外部接点４１０および４１２は、１つ以上の試験ステーションおよび／または１つ以上の較正ステーションなどの製造機器の処理回路と電気的にインターフェースするように構成され得る。本明細書では、センサキャリア上の２つの外部接点４１０および４１２がセンサ１３８上の２つの対応する接点に結合される様々な例が説明されているが、これは単なる例示である。他の実装態様では、センサキャリア４０２およびセンサ１３８は各々、単一の接点で提供され得、または３つ以上の接点、例えば、センサキャリアの任意の数Ｎの外部接点（例えば、３つ以上の外部接点４１０および４１２）と、結合可能なセンサ１３８の任意の数Ｍの接点（例えば、３つ以上の接点４０６および４０８）とで提供され得る。いくつかの実装態様では、センサキャリア４０２およびセンサ１３８は、同じ数の接点を有してもよい（すなわち、Ｎ＝Ｍ）。いくつかの実装態様では、センサキャリア４０２およびセンサ１３８は、異なる数の接点を有してもよい（すなわち、Ｎ≠Ｍ）。例えば、いくつかの実装態様では、センサキャリア４０２は、製造ステーションの様々な構成要素に、またはそれらの間で結合するための追加の接点を有してもよい。

以下でさらに詳細に記載するように、基板４０４は、ウェアラブルデバイス５００のセンサエレクトロニクス１１２と結合するように構成され得る。いくつかの実施形態では、基板４０４は、ハウジング１２８と機械的にインターフェースし、ハウジング１２８内のセンサエレクトロニクス１１２と電気的にインターフェースするようなサイズおよび形状とし得る。さらに、基板４０４は、製造機器、組立機器、試験ステーション、および／または１つ以上の較正ステーションと機械的にインターフェースするようなサイズおよび形状としてもよい。以下でさらに詳細に説明するように、センサキャリア４０２は、センサ１３８に取り付けられ、および／または電気的に結合されてもよい。センサ１３８は、例えば、導電性接着剤（例えば、カーボン充填、カーボンナノチューブ充填、銀充填、導電性添加剤など）を含む接着剤（例えば、ＵＶ硬化、湿気硬化、マルチパート活性化、熱硬化、ホットメルトなど）、導電性インク、ばね接点、クリップ、ラップされた可撓性回路、導電性ポリマー（例えば、導電性エラストマー、導電性プラスチック、カーボン充填ＰＬＡ、導電性グラフェンＰＬＡ）、導電性発泡体、導電性ファブリック、バレルコネクタ、成形相互接続デバイス構造、縫製、ワイヤラッピング、ワイヤボンディング、ワイヤスレッディング、スポット溶接、スエージング、圧着、ステープリング、クリッピング、はんだ付けまたはろう付け、プラスチック溶接、またはオーバーモールドを使用することにより、センサキャリア４０２の構成要素（例えば、基板４０４）に恒久的に結合され得る。いくつかの実施形態では、センサ１３８は、組み立て、製造、試験、および／または較正動作の前または間にセンサキャリア４０２をセンサ１３８に機械的および電気的に取り付けるためのリベット、磁石、異方性導電フィルム、金属箔、またはその他の適切な構造または材料によって基板４０４に恒久的に結合されてもよい。センサ１３８の上で記載の取り付け技術は、センサキャリア４０２の使用に関連して記載されるが、本開示はまた、以下の図６Ａ～６Ｃに関連してより詳細に記載されるように、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板、例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に直接取り付けるための上で記載の技術のいずれかの使用が考えられる。

いくつかの実施形態では、センサキャリア４０２は、センサ１３８の周囲に３Ｄ印刷されて、事前接続されたセンサ４００を形成してもよい。加えて、センサキャリア４０２は、センサキャリア４０２に対してセンサ１３８を位置合わせし、位置決めし、および配向するための凹部、開口部、表面または突起などのデータム機構４３０（データム構造と呼ばれることもある）を含んでもよい。センサキャリア４０２はまた、製造中に（例えば、製造ステーションに対して）分析物センサを固定および位置合わせするための１つ以上の固定機構を含むか、またはそれ自体を形成してもよい。加えて、センサキャリア４０２は、センサを識別するように構成された識別子４５０を含んでもよい。いくつかの実施形態では、識別子４５０は、基板４０４上に形成される。識別子４５０については以下でさらに説明する。

図４Ｂは、事前接続された分析物センサ４００の別の概略図を示す。図４Ｂに示される事前接続された分析物センサ４００は、図４Ａに示される事前接続された分析物センサ４００の同様の構成要素を含み得る。図４Ｂは、明確にするためにオプションのカバー４６０なしで示されている。図４Ｃは、図４Ｂに示されている事前接続された分析物センサ４００の分解図を示している。

図４Ｂの例では、センサキャリア４０２は、基板４０４などの中間本体を含み、第１のトレース４１４および第２のトレース４１６などの１つ以上のトレースも含む。第１のトレース４１４は、第１の内部接点４０６および第１の外部接点４１０を含んでもよい。第２のトレース４１６は、第２の内部接点４０８および第２の外部接点４１２を含んでもよい。いくつかの実施形態では、第１の内部接点４０６は、センサ１３８の近位端の第１の接点に電気的に結合され、第２の内部接点４０８は、センサ１３８の近位端の第２の接点に電気的に結合される。センサ１３８の遠位端は、ホストの皮膚への挿入のために構成された自由端である。電気的結合は、クリップ、導電性接着剤、導電性ポリマー、導電性インク、金属箔、導電性発泡体、導電性布、ワイヤラッピング、ワイヤスレッディングまたは他の任意の適切な方法を含み得る。いくつかの実施形態では、非導電性接着剤４２６（例えば、エポキシ、シアノアクリレート、アクリル、ゴム、ウレタン、ホットメルトなど）は、センサ１３８を基板４０４に取り付けように、しようされることができる。非導電性接着剤４２６は、センサ１３８に張力緩和を固定、封止、絶縁、または提供するように構成され得る。センサ１３８は、上記の図４Ａで記載された方法など、他の方法によって基板４０４に取り付けられ得る。

図４Ｃに示されるように、感圧接着剤４２８は、トレース４１４および４１６の露出端を隔離するように構成され得る。例えば、感圧接着剤４２８は、基板４０４とカバー４６０との間にセンサ１３８を積層してもよい。そのような場合、センサ１３８、基板４０４、感圧接着剤４２８、およびカバー４６０は、積層構成を形成し得る。積層構成では、センサ１３８および１つ以上の接点（例えば、第１の内部接点４０６および第２の内部接点４０８）への接続は、１つ以上の露出接点（例えば、第１の外部接点４１０および第２の外部接点４１２）から隔離される。さらに、積層構成は、センサ１３８を取り囲む湿気封止領域を作成し得る。湿気封止は、感圧接着剤４２８と非導電性接着剤４２６の組み合わせによって具現化されるように作成されてもよい。他の実施形態では、積層構造は、以下の材料および方法：非導電性接着剤、感圧接着剤テープ、エラストマー、熱接着、ホットプレート溶接、レーザー溶接、超音波溶接、ＲＦ溶接、または任意の適切なタイプの積層方法、のうちの１つまたは組み合わせによって作成されることができる。カバー４６０は、基板４０４を少なくとも部分的に覆うポリマーシート、構造、またはフィルムから構成されてもよい。カバー４６０は、センサ１３８を識別することができる識別子４５０を任意選択で含有し得る。いくつかの実施形態では、識別子４５０は、ＮＦＣ、ＲＦＩＤ、ＱＲコード（登録商標）、バーコード、Ｗｉ－Ｆｉ、トリミング抵抗器、容量値、インピーダンス値、ＲＯＭ、メモリ、ＩＣ、フラッシュメモリなどの様々な識別プロトコルまたは技術を組み込み得るが、これらに限定されない。

オプションの構成要素であるガイド固定具４２０は、試験ステーション、較正ステーション、組立ステーション、コーティングステーション、製造ステーションなどの作業ステーション、またはウェアラブルアセンブリの一部としてのインターフェースの例示的な実施形態である。ガイド固定具４２０は、センサキャリア４０２に対してセンサ１３８を位置合わせし、位置決めし、および配向するための凹部、開口部、表面または突起などのデータム機構（またはデータム構造）４３０を含む。データム機構４３０は、製造におよびウェアラブル電子部品への組み立てのために使用されてもよい。いくつかの実施形態では、データム機構４３０は、基板４０４の対応するデータム機構４３２と位置合わせするように構成された隆起した突起である。基板４０４の対応するデータム機構４３２は、切り欠き、スロット、穴、または凹部を特徴としてもよい。センサキャリア内の対応するデータム機構４３２は、試験ステーション、較正ステーション、組立ステーション、コーティングステーション、または他の製造ステーションなどの作業ステーション内のデータム機構４３０とインターフェースすることができる配置機構としてもよい。ガイド固定具４２０は、試験ステーション、較正ステーション、組立ステーション、コーティングステーション、または他の製造ステーションなどの作業ステーションに接続するために、露出した外部接点４１０および４１２を位置合わせするために、センサキャリア４０２の適切な配置を確実にするように構成されてもよい。他の実施形態では、データム機構４３０は、雌型の機構からなり、雄型の対応するデータム機構４３２と嵌合してもよい。

図４Ｄは、オプションの識別子４５０を有する複数の事前接続されたセンサ４００を有する事前接続された分析物センサ４００のアレイ４８０の概略図を示す。図４Ｄでは、事前接続された分析物センサ４００の一次元ストリップとして形成されたアレイが示されているが、二次元アレイを埋め込むこともできる。いくつかの実施形態では、事前接続された分析物センサのアレイ４８０は、カートリッジに配置されてもよい。複数の事前接続されたセンサ４００の各々は、個片化することができる。いくつかの実施形態では、個々の事前接続されたセンサ４００への個片化を容易にするために、スコアリング４０２０が提供されてもよい。いくつかの実施形態において、アレイ４８０は、複数のセンサ１３８の製造、試験、および／または較正を促進するのに、個別に連続的またはランダムに使用することができる。いくつかの実施形態では、アレイ４８０は、複数のセンサ１３８の製造、試験、および／または較正を促進するのに、同時に使用することができる。

図５Ａおよび５Ｂは、事前接続されたセンサ４００を含むウェアラブルアセンブリ５００の実施形態の斜視図を示す。ウェアラブルアセンブリ５００は、センサエレクトロニクスおよび接着パッチ（図示せず）を含み得る。事前接続されたセンサ４００は、図４Ａ～図４Ｄに記載のセンサキャリア４０２などのセンサキャリアを含んでもよい。センサキャリア４０２は、ハウジング１２８の中または上に配置されてもよい。ハウジング１２８は、上部ハウジング５２０と下部ハウジング５２２の２つのハウジング構成要素から構成されてもよい。上部ハウジング５２０および下部ハウジング５２２は、一緒に組み立てられてハウジング１２８を形成することができる。上部ハウジング５２０および下部ハウジング５２２は、ハウジング１２８の内部空洞への湿気の侵入を防ぐために封止することができる。封止されたハウジングは、封止材料（例えば、エポキシ、シリコーン、ウレタン、または他の適切な材料）を含み得る。他の実施形態では、ハウジング１２８は、センサキャリア４０２およびセンサエレクトロニクスを含有するように構成された単一構成要素封止材（例えば、エポキシ）として形成される。図５Ａは、挿入構成要素（例えば、皮下注射針、Ｃ針、Ｖ針、オープンサイド針など）が挿入および／または引き込みのためにウェアラブルアセンブリ５００を通過できるように構成された上部ハウジング５２０内の開口部５２４を図示する。開口部５２４は、下部ハウジング５２２の対応する開口部と位置合わせされてもよい。他の実施形態では、開口部５２４は、ハウジング１２８の中心から外れた位置を通って延在してもよい。他の実施形態では、開口部５２４は、ハウジング１２８の縁部を通って延在し、Ｃ字形チャネルを形成してもよい。いくつかの実施形態では、開口部５２４は、開口部５２４内に配置されたゲル、接着剤、エラストマー、または他の適切な材料などの封止材料を含む。

図５Ｂは、ウェアラブルアセンブリ５００の底部の斜視図を示す。図示のように、事前接続されたセンサ４００は、ハウジング１２８内に配置されてもよい。事前接続されたセンサ４００は、底部ハウジング５２２の開口部５２６（開口部、空洞、空隙、空間またはポケットと呼ばれることもある）内に設置され得る。図に示されるように、センサ１３８は、開口部５２６から外に延在してもよい。開口部５２６は、事前接続されたセンサ４００を保持するようなサイズおよび形状としてもよい。さらに、開口部５２６は、センサ１３８が皮膚表面にほぼ平行に延在し、皮膚への挿入のための９０度の屈曲を形成する事前接続されたセンサ４００を保持するサイズおよび形状とし得る。下部ハウジング５２２の底面は、ウェアラブルアセンブリをユーザの皮膚表面に接着するための取り付け部材（例えば、接着パッチ）を含有することができることを理解されたい。

図５Ｃは、ウェアラブルアセンブリ５００の分解図を示す。ポテンシオスタット２１０などの様々な電子部品および図２に示される他の部品は、エレクトロニクスアセンブリ基板５３０、典型的には何らかの形のプリント回路基板の上、またはプリント回路基板へと取り付けてもよい。センサキャリア４０２は、エレクトロニクスアセンブリ基板５３０との電気的結合を有すると考えられる。様々な方法は、外部接点４１０および４１２とエレクトロニクスアセンブリ基板５３０など、事前接続されたセンサ４００の１つ以上の接点間に電気接続（例えば、ピン、はんだ、導電性エラストマー、導電性接着剤など）を確立するために、使用され得る。センサキャリア４０２は、下部ハウジング５２２を介してエレクトロニクスアセンブリ基板５３０とインターフェースするように構成されてもよい。他の実装態様では、センサキャリア４０２は、上部ハウジング５２０を通じてエレクトロニクスアセンブリ基板５３０とインターフェースするように構成されてもよい。いくつかの他の実装態様では、センサキャリア４０２は、ウェアラブルアセンブリ５００の側面を通してエレクトロニクスアセンブリ基板５３０とインターフェースするように構成される。また、図に示されるように、オプションの封止部材５２８は、潜在的な湿気の侵入からセンサキャリア４０２の少なくとも一部を絶縁するように構成されてもよい。いくつかの例では、封止部材５２８は、分注された液体（例えば、接着剤、ゲル）または固体材料（例えば、エラストマー、ポリマー）であってもよい。封止部材５２８は、溶接されて（例えば、レーザーまたは超音波、ホットプレート）、または恒久的に取り付けられて（例えば、異方性接着フィルム、感圧接着剤、シアノアクリレート、エポキシ、または他の適切な接着剤）封止領域を生成する組立部品であってもよい。封止部材５２８は、センサキャリア４０２の封止領域をウェアラブルアセンブリ５００に物理的に結合および／または提供するために使用され得る。

上述の分析物センサ接続技術の１つの利点は、事前接続されたセンサ４００の製作を、ハウジング内に封入されたエレクトロニクス（例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板５３０）の製作から分離し得ることである。事前接続されたセンサ構造とその後のコーティング、試験、および較正プロセスを参照して上述したように、内部に含まれるエレクトロニクスを備えたハウジングは、事前接続されたセンサ４００をセンサ電気インターフェースに取り付ける施設とは別の施設で製造することができる。これは、ハウジングの外部からアクセス可能な分析物センサ電子インターフェースを提供することにより可能になる。センサを取り付けるためにハウジングを開く必要はない。

いくつかの有利な方法では、事前接続されたセンサの電極が製作され、基板の第１の場所に取り付けられ、コーティングの試験および較正のために第２の場所に発送される。エレクトロニクスを内蔵したハウジングは、第３の場所で製造される。エレクトロニクスを備えたハウジングは、第３の場所から、完成した分析物センサが外部電気インターフェースに取り付けられる第２の場所に発送される。３つの場所はすべて、互いに遠隔の場所にある。これにより、敏感な膜被覆センサの取り扱いが最小限に抑えられるが、完全なデバイスの他の構成要素を個別に製造できる。

ウェアラブルアセンブリのエレクトロニクスアセンブリ基板に直接接続されたセンサ
図６Ａは、いくつかの実施形態による、エレクトロニクス１１２が配置されることができる、第１の導電性接点３２４および第２の導電性接点３３４（図６Ｂおよび６Ｃを参照）を介してエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に直接接続されたセンサ１３８を有するウェアラブルアセンブリ６００の実施形態の斜視図を示す。図６Ａには示されていないが、ウェアラブルアセンブリ６００は、接着パッチ１２６を含み得る。ハウジング１２８は、上部ハウジング６２０および下部ハウジング６２２の２つのハウジング構成要素を備え得る。上部ハウジング６２０および下部ハウジング６２２は、一緒に組み立てられてハウジング１２８を形成することができる。上部ハウジング６２０および下部ハウジング６２２は、ハウジング１２８の少なくとも１つの内部空洞への湿気の侵入を防ぐために封止されることができる。封止されたハウジングは、封止材料６２８（例えば、エポキシ、シリコーン、ウレタン、または他の適切な材料）を含み得る。他の実施形態では、ハウジング１２８は、センサ１３８およびセンサエレクトロニクス１１２の少なくとも近位部分を含有するように構成された単一構成要素カプセル材（例えば、エポキシ）として形成される。図６Ａは、挿入構成要素（例えば、皮下注射針、Ｃ針、Ｖ針、オープンサイド針など）が挿入および／または引き込みのためにウェアラブルアセンブリ６００を通過できるように構成された上部ハウジング６２０内の開口部６２４を図示する。開口部６２４は、下部ハウジング６２２の対応する開口部（図示せず）と位置合わせされ得る。他の実施形態では、開口部６２４は、ハウジング１２８の中心から外れた場所を通って延在し得る。他の実施形態では、開口部６２４は、ハウジング１２８の縁部を通って延在し得、Ｃ字形チャネルを形成する。いくつかの実施形態では、開口部６２４は、開口部６２４内に配置されたゲル、接着剤、エラストマー、または他の適切な材料などの封止材料を含む。

図６Ｂは、いくつかの実施形態による、ウェアラブルアセンブリ６００の底部の平面図を示す。図示のように、センサ１３８は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０から下部ハウジング６２２の一部を通って、センサ１３８の電極が配置されているハウジング６２２の空洞内に延在し得る、導電性接点３２４、３３４を介して、ハウジング１２８内のエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に直接接続され得る。センサ１３８は、下部ハウジング６２２の開口部６２６内に設置され得る。図６Ａおよび６Ｃに示されるように、センサ１３８は、開口部６２６から外に延在し得る。開口部６２６は、少なくともセンサ１３８の近位部分を保持するような、サイズおよび形状にされ得る。センサ１３８は、皮膚表面にほぼ平行に延在し、皮膚に挿入するために９０度の屈曲を形成し得る。下部ハウジング６２２の底面は、ウェアラブルアセンブリをユーザの皮膚表面に接着するための取り付け部材（例えば、接着パッチ１２６、図示せず）を含有することができることを理解されたい。

図６Ｃは、いくつかの実施形態による、図６Ｂの切断線６Ｃ－６Ｃに沿ったウェアラブルアセンブリ６００の側面断面図を示す。ポテンシオスタット２１０などの様々な電子構成要素および図２に図示される他の構成要素は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０、典型的には何らかの形のプリント回路基板の上、またはプリント回路基板へと取り付けられ得る。センサ１３８は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０との直接電気結合を有することが考えられる。様々な方法は、接点２１１ｂおよび２１２ｂなどのセンサ１３８の１つ以上の接点または電極と、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に電気的および／または物理的に結合された接点３２４、３３４などの１つ以上の導電性接点との間の電気接続（例えば、ピン、はんだ、導電性エラストマー、導電性接着剤など）を確立するために、使用され得る。センサ１３８は、下部ハウジング６２２を通じてエレクトロニクスアセンブリ基板６３０とインターフェースするように構成され得る。他の実装態様では、センサ１３８は、上部ハウジング６２０を通じてエレクトロニクスアセンブリ基板６３０とインターフェースするように構成され得る。いくつかの他の実装態様では、センサキャリア１３８は、ウェアラブルアセンブリ６００の側面を通してエレクトロニクスアセンブリ基板６３０とインターフェースするように構成されている。また、図に示されるように、オプションの封止部材６２８は、潜在的な湿気の侵入からセンサ１３８の少なくとも一部を絶縁するように構成され得る。いくつかの例では、封止部材６２８は、分注された液体（例えば、接着剤、ゲル）または固体材料（例えば、エラストマー、ポリマー）であり得る。封止部材６２８は、溶接されて（例えば、レーザーまたは超音波、ホットプレート）、または恒久的に取り付けられて（例えば、異方性接着フィルム、感圧接着剤、シアノアクリレート、エポキシ、または他の適切な接着剤）封止領域もしくは空洞を生成する組立部品であり得る。いくつかの実施形態では、封止部材６２８は、センサ１３８の少なくとも一部をウェアラブルアセンブリ６００に物理的に固定または結合し、および／またはセンサ１３８の少なくとも近位部分に密閉領域を提供するために、使用され得る。

上記の分析物センサ接続技術の１つの利点は、ウェアラブルアセンブリ６００の製造および／または製造が、図４Ａ～５Ｃの事前接続されたセンサ４００を利用する実施形態と比較して、より少ないステップを必要とすることができ、それによって、製造の複雑さおよびコストを低減する。

湿気の侵入およびセンサの固定から、同時に封止するためのキャップ
いくつかの実施形態では、そのような湿気が短絡、酸化、またはその他の損傷を引き起こす可能性があるため、湿気がそのような構成要素に浸透または凝縮するのを防ぐために、センサ１３８および／またはセンサエレクトロニクス１１２（図１および、例えば、図３Ｃの電子モジュール１３５を参照）を外部環境から封止することが望ましい。そのような解決策の１つは、密封封止剤を、センサ１３８の少なくとも一部が配置されている空洞の少なくとも一部に充填することであり得る。しかしながら、そのような密封封止剤が空洞の他の特定の部分に不適切に流れないように注意しなければならない、またはそのような密封封止剤がウェアラブルアセンブリ６００の他の特徴、例えば、ウェアラブルアセンブリ６００の展開中に通過する針または他のセンサ挿入部材のための貫通孔１８０を望ましくなく閉塞する可能性がある。加えて、センサ１３８は、センサ１３８の永久的な誤配置を回避するために、そのような密封封止剤が展開および／または硬化されている間、所定の位置に保持される必要があり得る。例えば、センサ１３８と接触している感圧接着剤に圧力を加えると、センサ１３８が移動する傾向があり、位置ずれを引き起こす可能性がある。別の例として、硬化性エポキシを使用してセンサ１３８を所定の位置に設定するとき、追加の固定具は、位置ずれを回避するために、エポキシ硬化中にセンサ１３８を所定の位置にデータムするために必要と思われ得る。

密封封止剤がハウジング１２８の空洞の望ましくない部分に不適切に流れないことを保証しながら、センサ１３８を所定の位置に同時に保持するためのいくつかの例示的な解決策は、以下の図のいくつかに関連してより詳細に記載される。

図７Ａおよび７Ｂは、いくつかの実施形態による、ハウジング１２８内の開口部６２４を封止するためのキャップ７００の斜視図を図示する。図７Ｃは、いくつかの実施形態による、ハウジング１２８内の開口部６２６の上に配置されたキャップ７００の斜視図を図示する。

図７Ｃに図示されるように、下部ハウジング６２２内の開口部６２６は、センサエレクトロニクス１１２が（例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０上に）配置される空洞７５０を形成、提供、または画定する。空洞７５０の第１の部分７５２は、センサ１３８の少なくとも一部を保持し得る。空洞７５０の第２の部分７５４は、少なくとも貫通孔１８０を含み得る。適切に配置されるとき、センサ１３８は、例えば、導電性接点３２４、３３４を介して、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０上のセンサエレクトロニクス１１２に直接電気的に接触され得、空洞７５０の第１の部分７５２および第２の部分７５４内に配置される部分を有し得る。図７Ｃにさらに示されるように、センサ１３８の少なくとも一部は、以下の様々な図に関連してより詳細に記載されるように、任意の適切な接着剤７２４、例えば、ＵＶ硬化接着剤、エポキシ、または同様のものを利用して、ハウジング６２２に接着され得る。

図７Ａに示されるように、キャップ７００は、下部ハウジング６２２の開口部６２６を覆う、はめ入れる、またははめ込むように構成され、それによって、空洞７５０の第１の部分７５２内に制御された充填体積を提供し、同時にセンサ１３８を空洞７５０および／または下部ハウジング６２２の内面に押し付け、それによって、センサ１３８のデータム機能としても機能する。いくつかの実施形態では、キャップ７００は、成形部品、材料のダイカットシート、または任意の他の適切な形態を備え得る。いくつかの実施形態では、キャップ７００は、キャップ７００を開口部６２６の中または上に固定するために、片側（図示せず）に接着剤、例えば、感圧接着剤を有し得る。

キャップ７００は、空洞７５０の第１の部分７５２の上に配置されるように構成された第１の部分７１０と、空洞７５０の第２の部分７５４の上に配置されるように構成された第２の部分７２０とを備える。いくつかの実施形態では、キャップ７００の第１および第２の部分７１０、７２０は、同一平面上にあり得、単一の部品から形成され得る。キャップ７００の第１の部分７１０は、センサ１３８の少なくとも一部を湿気から封止するために、密封封止剤（例えば、硬化性エポキシ）を空洞７５０の第１の部分７５２に受け取るための入口ポートとして構成された第１の穴７０２をさらに含み得る。キャップ７００の第１の部分７１０は、第１の穴７０２を通して空洞７５０の第１の部分７５２に注入される過剰な密封封止剤のための出口ポートとして構成された第２の穴７０４をさらに含み得る。いくつかの実施形態では、第１の穴７０２および第２の穴７０４は、キャップ７００の第１の部分７１０の両端近くに配置され得、それによって、空洞７５０の第１の部分７５２の密封封止剤による完全またはほぼ完全な充填を提供する。

キャップ７００は、開口部６２６に面するように構成されたキャップ７００の側面に配置された封止ダム部７３０をさらに含み得る。いくつかの実施形態では、封止ダム部７３０は、キャップ７００が開口部６２６内、または開口部６２６上に適切に配置されたときに、封止ダム部７３０が空洞７５０内の下部ハウジング６２２の表面に接触するのに十分な高さを有し得る。いくつかの他の実施形態では、封止ダム部７３０は、キャップ７００が開口部６２６内、または開口部６２６上に適切に配置されたときに、封止ダム部７３０が空洞７５０内の下部ハウジング６２２の表面にほぼ接触することを可能にするために、今記載したよりもわずかに低い方の高さを有し得る。

キャップ７００は、ダム部７３０に隣接して配置され、適合構成要素７４０（例えば、軟質、発泡体またはゴム材料、図７Ｂを参照）を受け取るように構成されたオプションの棚部７３２をさらに含み得る。いくつかの実施形態では、棚部７３２は、開口部６２６に面するように構成された適合構成要素７４０の表面が、ダム部７３０の同様に面する表面よりもキャップ７００からわずかに遠くに延在するような高さを有し得る。キャップ７００が開口部６２６内、または開口部６２６上に適切に配置されるとき、適合構成要素７４０は、センサ１３８の少なくとも一部に対して、および空洞７５０内の下部ハウジング６２２の表面に対して押し付けるように構成されている。したがって、適合構成要素７４０は、センサ１３８を空洞７５０内の下部ハウジング６２２の表面に適合手法でデータムし、空洞７５０の第２の部分７５４から空洞７５０の第１の部分７５２を封止する。いくつかの実施形態では、ダム部７３０は、空洞７５０の第２の部分７５４から空洞７５０の第１の部分７５２を封止するのをさらに支援することができる。したがって、密封封止剤が空洞７５０の第１の部分７５２に注入されて、センサ１３８の少なくともいくつかを湿気の侵入から封止するとき、ダム部７３０および／または適合構成要素７４０は、密封封止剤が空洞７５０の第２の部分７５４に流入するのを防き、それによって、貫通孔１８０の望ましくない閉塞を防ぐと同時に、キャップ７００、開口部６２６、および／または下部ハウジング６２２の間のアセンブリ公差を提供する。

キャップ７００の第２の部分７２０は、センサ１３８の少なくとも遠位部分がキャップ７００を通過することを可能にするように構成されたスロット７２２をさらに備え得る。円形の穴の代わりにキャップ７００のスロット７２２を利用することは、ウェアラブルアセンブリ６００においてより小さな貫通孔１８０を可能にし得る。

いくつかの実施形態では、キャップ７００の外向き表面は、適切に配置されたときに、下部ハウジング６２２の外向き表面と名目上面一にはめ込むように構成され得る。あるいは、キャップ７００の外向き表面は、適切に配置されたときに、下部ハウジング６２２の外向き表面と比較してわずかに凹んではめ込むように構成され得る。そのような名目上面一またはわずかに凹んだ実施形態では、キャップ７００の外周は、開口部６２６の内周に実質的に対応し得る。

図７Ｄは、いくつかの実施形態による、ハウジング１２８の開口部６２６内に面一に配置された、またはわずかに凹んだキャップ７００の斜視図を図示する。キャップ７００は、つま先特徴、スナップ特徴、摩擦ばめ特徴、感圧接着剤、または他の任意の適切な固定方法を使用して、封止剤堆積を密封する間、所定の位置に保持され得る。いくつかの実施形態では、キャップ７００は、空洞７５０の第１の部分７５２に配置されたＵＶ硬化エポキシ密封封止剤の硬化を可能にするために、紫外線照射に対して透明または十分に半透明の材料を含み得る。

さらに別の代替案では、キャップ７００は、下部ハウジング６２２の外向き表面上に面一に配置されている間、開口部６２６を覆うように構成され得る。そのような他の代替案では、キャップ７００の外周は、開口部６２６の内周よりも大きくなり得、下部ハウジング６２２（図示せず）の外周までの任意のサイズおよび形状を有し得る。そのような実施形態では、キャップ７００は、最終的にウェアラブルアセンブリ６００を皮膚の平坦な表面に接着するのを助け得る、開口部６２６の内周の外側の下部ハウジング６２２の部分で下部ハウジング６２２の外向き表面に接着され得る。

キャップ７００は、事前接続されたセンサ４００またはセンサキャリア４０２を含まないウェアラブルアセンブリ６００に関連して利用されるものとして上で記載されているが、本開示は、そのように限定されず、キャップ７００はまた、事前接続されたセンサ４００を備えるウェアラブルアセンブリ５００とともに利用され得る。

いくつかの実施形態では、キャップ７００を下部ハウジング６２２に接着するために別個の接着剤を利用するのではなく、ウェアラブルアセンブリ６００の下部ハウジング６２２にパッチ１２６を接着するために通常利用される接着部分は、下部ハウジング６２２の中、上、または上に適切に配置されると、キャップ７００を下部ハウジング６２２に追加的に接着または他の方法で固定するために、再利用され得る。例えば、図８Ａに示されるように、パッチ１２６は、２つの部分、キャップ７００を下部ハウジング６２２に固定し、同時にウェアラブルアセンブリ６００の下部ハウジング６２２をパッチ１２６に接着するように構成された第１の接着部分８０２と、第１の接着部分８０２、したがってウェアラブルアセンブリ６００をユーザの皮膚に接着するように構成された第２の接着部分８０４とを備え得る。

図８Ｂは、第１の接着部分８０２に固定されたキャップ７００の外向き表面を図示する。第１の接着部分８０２は、キャップ７００が下部ハウジング６２２の開口部６２６上に適切に配置、面一で、または凹んでいる場合に、キャップ７００の第１および第２の穴７０２、７０４およびウェアラブルアセンブリ６００の貫通孔１８０と一致するように構成された開口部または穴を含み得る。

代替の実施形態では、図８Ｃに示されるように、キャップ７００は、省略され得、第１の接着部分８０２は、第１および第２の穴７０２、７０４、ならびに、第１の接着部分８０２が下部ハウジング６２２上に適切に配置されたときにウェアラブルアセンブリ６００の貫通孔１８０と一致するように構成された開口部または穴を含み得る。そのような代替の実施形態では、第１の接着部分８０２は、図７Ａ～７Ｄに関連して前述したものと実質的に同じ機能を有する適合構成要素７４０をさらに備え得る。したがって、第１の接着部分８０２を下部ハウジング６２２に適切に配置および適用することは、適合構成要素７４０が、センサ１３８の少なくとも一部に対して、および空洞７５０内の下部ハウジング６２２の表面に対して押し付けることを引き起こす。したがって、適合構成要素７４０は、センサ１３８を空洞７５０内の下部ハウジング６２２の表面に適合手法でデータムし、また、空洞７５０の第２の部分７５４から空洞７５０の第１の部分７５２を封止する。したがって、密封封止剤が空洞７５０の第１の部分７５２に注入されてセンサエレクトロニクス１１２およびセンサ１３８の少なくとも一部を湿気の侵入から封止するとき、適合構成要素７４０は、密封封止剤が空洞７５０の第２の部分７５４に流入するのを防ぎ、それによって、貫通孔１８０の望ましくない閉塞を防ぐ。

図８Ｂまたは８Ｃに示される実施形態が使用されるかどうかに関係なく、第２の接着部分８０４は、最初にライナー８０６上に配置され得、ライナー８０６は、除去され得、第２の接着部分８０４は、別個に、ウェアラブルアセンブリ６００をユーザの皮膚に後で固定するために、パッチ１２６の第１の接着部分８０２の外向き表面上に配置され得る。図８Ｄに示されるように、第２の接着部分８０４は、第２の接着部分８０４がパッチ１２６の第１の接着部分８０２の外向き表面に適切に配置されたときに、ウェアラブルアセンブリ６００の貫通孔１８０と一致するように構成された開口部または穴８８０ｂをさらに含み得る。

図９は、いくつかの実施形態による、代替のキャップ９００からキャップ７００の断面側面図を図示する。キャップ９００とキャップ７００の間の同様の数字は、同様の機能に対応する。キャップ９００は、下部ハウジング６２２内の空洞７５０の第１の部分７５２の上に配置されるように構成された第１の部分９１０と、第２の部分９２０とを備える。いくつかの実施形態では、第２の部分９２０は、下部ハウジング６２２に貫通孔１８０を含み得る、空洞７５０の第２の部分７５４上に配置されるように構成される。他の実施形態では、第２の部分９２０は、空洞７５０の第２の部分７５４に隣接して配置されるように構成される。第１の部分９１０は、センサ１３８の少なくとも一部を湿気侵入から封止するために、密封封止剤（例えば、エポキシ）を空洞７５０の第１の部分７５２に受け取るための入口ポートとして構成された第１の穴９０２を含む。キャップ９００の第１の部分９１０は、第１の穴９０２を通して空洞７５０の第１の部分７５２に注入される過剰な密封封止剤のための出口ポートとして構成された第２の穴９０４をさらに含み得る。いくつかの実施形態では、第１の穴９０２および第２のホールド９０４は、キャップ９００の第１の部分９１０の両端近くに配置され得、それによって、空洞７５０の第１の部分７５２の密封封止剤による完全またはほぼ完全な充填を提供し得る。

キャップ９００は、封止ダム部９３０をさらに備え得る。しかしながら、キャップ７００とは異なり、キャップ９００の第１および第２の部分９１０、９２０は、同一平面上になく、封止ダム部９３０は、代わりに、第１および第２の部分９１０、９２０の平面間に延在し、それらを接続するキャップ９００の少なくとも一部を含み得る。したがって、ダム部９３０に隣接して配置された第２の部分９２０の少なくとも一部は、適合構成要素９４０（例えば、軟質、発泡体またはゴム材料）を受け取るように構成された棚部９３２としても機能し得る。キャップ９００が開口部６２６内、または開口部６２６上に適切に配置されるとき、適合構成要素９４０は、センサ１３８の少なくとも一部に対して、および空洞７５０内の下部ハウジング６２２の表面に対して押し付けるように構成されている。したがって、適合構成要素９４０は、センサ１３８を空洞７５０内の下部ハウジング６２２の表面に適合手法でデータムし、また、ダム部９３０の助けの有無にかかわらず、空洞７５０の第２の部分７５４から空洞７５０の第１の部分７５２を封止する。したがって、密封封止剤が空洞７５０の第１の部分７５２に注入されて、センサ１３８の少なくとも一部分を湿気の侵入から封止するとき、ダム部９３０および／または適合構成要素９４０は、密封封止剤が空洞７５０の第２の部分７５４に流入するのを防き、それによって、貫通孔１８０の望ましくない閉塞を防ぐと同時に、キャップ９００、開口部６２６、および／または下部ハウジング６２２の間のアセンブリ公差を提供する。

図９には示されていないが、キャップ９００の第２の部分９２０は、キャップ９００が適切に配置されたときに、センサ１３８の少なくとも遠位部分がキャップ９００を通過することを可能にするように構成された、キャップ７００のスロット７２２と同様のスロットをさらに備え得る。代替的に、キャップ９００の第２の部分９２０が貫通孔１８０に対して横方向に延在しないいくつかの実施形態では、そのようなスロットは、省略され得る。

キャップ９００は、事前接続されたセンサ４００を含まないウェアラブルアセンブリ６００に関連して利用されるものとして上で記載されているが、本開示は、そのように限定されず、キャップ９００はまた、事前接続されたセンサ４００およびセンサキャリア４０２を備えるウェアラブルアセンブリ５００とともに利用され得る。

いくつかの実施形態では、ウェアラブルアセンブリ６００の組み立て前にセンサ１３８をキャップに取り付けまたは結合し、キャップがウェアラブルアセンブリ６００の下部ハウジング６２２に適切に配置されているとき、ウェアラブルアセンブリ６００（例えば、センサエレクトロニクス１１２）のエレクトロニクスにセンサを接続するために、キャップおよびウェアラブルアセンブリ６００上に１対以上の嵌合接点を提供することが有利であり得る。

図１０は、いくつかの実施形態による、事前取り付けられたセンサ１３８を有するキャップ１０００の斜視図を図示する。図１０は、図８Ｂに関連する前述の記載と同様に、パッチ１２６に接着された外向きの側面を有するキャップ１０００を図示する。キャップ１０００は、キャップ１０００が下部ハウジング６２２に適切に配置されたときに、ウェアラブルアセンブリ６００の貫通孔１８０と整列するように構成された貫通孔１０８０を備える。センサ１３８は、センサ１３８の遠位部分が貫通孔１０８０を通ってキャップ１０００から離れるように、キャップ１０００の上面に接着または他の方法で固定され得る。キャップ１０００は、第１のトレース１０２２および第２のトレース１０３２をさらに備える。第１のトレース１０２２は、センサ１３８の接点２１１ｂをキャップ１０００上の第１の接点１０２４に電気的に接続するように構成される。第２のトレース１０３２は、センサ１３８の接点２１２ｂをキャップ１０００上の第２の接点１０３４に電気的に接続するように構成される。図に示されるように、下部ハウジング６２２は、その外向き表面上に配置された複数の接点、例えば、接点３２４および３３４を有するものとして図示されている。第１および第２の接点１０２２および１０２４は、キャップ１０００が下部ハウジング６２２に適切に配置されたときに、それぞれの接点３２４および３３４と直接電気的および物理的接触を行うように構成され、それによって、センサ１３８をセンサエレクトロニクス１１２に電気的に結合する。キャップ１０００は、任意の適切な手段を利用して、下部ハウジング６２２に接着、接着、またはその他の方法で取り付けられ得る。

ＰＣＢ上のセンサを配置して保持するためにセンサ屈曲部形状を利用すること
センサ１３８のサイズが小さく、その長さに沿った受容可能な取り扱い位置に制約があるため、ウェアラブルアセンブリ６００上でセンサ１３８の適切な位置合わせを確立することは、特に、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０と統合する前にセンサ１３８に取り付けられたキャリアまたはハンドルがない、特に、センサ１３８が実質的に円筒形またはそうでなければ少なくとも部分的に丸みを帯びた形状を有するときに、困難である可能性がある。加えて、真っ直ぐにするのが難しい可能性があるセンサ１３８の自然な湾曲は、取り扱われるときに、センサ１３８が望ましくない動きをする原因となり得る。センサ１３８の遠位領域における単一の事前屈曲部の利用は、単一の事前屈曲部が針貫通孔１８０および膜１０８に近接しているため、ウェアラブルアセンブリ６００内にセンサ１３８を配置するときにそのような望ましくない動きを防ぐ上での有用性が限られている。したがって、センサ屈曲形状を利用して、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０（例えば、送信機ＰＣＢ）に対するセンサ１３８の横方向および回転位置を支援するいくつかの解決策は、少なくとも図１１Ａ～２０に関連して以下に記載される。

１つ以上の予備成形ステップによって確立された、センサ１３８におけるそのような屈曲、ねじれ、ループ、および／または曲線の利用は、ウェアラブルアセンブリ６００および／またはエレクトロニクスアセンブリ基板６３０上の特徴に対して、支持、拘束、バイアス力、および／またはセンサ１３８の位置を提供するのに十分に離れた点でセンサ１３８に保持機能を提供する。これらの形状はまた、より長い絶縁領域を活用することによって、および／または電極パッド間の結果として生じる距離が真っ直ぐな、屈曲していない、または単一屈曲センサ１３８と比較して増加するようにセンサ１３８を屈曲することによって、センサ１３８上の電極間の漏れ電流経路を増加させるために望ましく利用され得る。さらに、センサ１３８をその長さに沿った複数の点で意図的に屈曲することは、センサ１３８が置かれることができる平らな表面を模倣することができる、より扱いやすい形状を生成することができる。さらに、以下でより詳細に記載するように、センサ１３８の弾性特性は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／またはハウジング６２２の１つ以上の特徴に対してバイアス力または保持力を生成するために、活用されることができ、それによって、後続の機械的機能および／または接着剤を適用する前に、センサ１３８を所定の位置に留留まらせる。

図１１Ａ～１１Ｃは、いくつかの実施形態による、センサ１３８における３つの主要なタイプの屈曲を別個に図示する。エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に関連してセンサ１３８について実施形態が記載されているが、本開示はまた、下部ハウジング６２２に関連してセンサ１３８について同様の実施形態が考えられる。例えば、下部ハウジング６２２の少なくとも一部は、センサ１３８がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の表面に接触する、特定の方向に延在する、または力またはトルクを加えると記載されている、センサ１３８の少なくとも一部が延在する下部ハウジング６２２の部分からエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を物理的に分離し得（例えば、少なくとも図６Ａ～７Ｄおよび９を参照）、本開示は、追加的に、および／または代替的に、そのような接触、延在の方向、および／または下部ハウジング６２２の表面への力またはトルクを加えることが考えられる。

図１１Ａは、センサ１３８が、例えば、センサ１３８の近位部分がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を通って延在するように、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に近位のセンサ１３８の部分がウェアラブルアセンブリ６００に向かう方向に延在するように屈曲されている、第１のタイプのセンサ屈曲部１１０２ａの側面図および上面図を図示する。図１１Ｂは、センサ１３８が、例えば、センサ１３８の近位部分がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０から離れて延在するように、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に近位のセンサ１３８の部分がウェアラブルアセンブリ６００から離れる方向に延在するように屈曲されている、第２のタイプのセンサ屈曲部１１０２ｂの側面図および上面図を図示する。図１１Ｃは、センサ１３８が、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に近位のセンサ１３８の分分がウェアラブルアセンブリ６００に向かっても離れる方向にも延在しないが、実質的に伸びるように屈曲されている、それが取り付けられ、および／または電気的に接続されているエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に平行である、第３のタイプのセンサ屈曲部１１０２ｃの側面図および上面図を図示する。

各タイプのセンサ屈曲部のいくつかの例は、以下に記載されるが、本開示は、追加の屈曲部および／またはセンサ１３８の特徴を伴うまたは伴わない、そのような例のありとあらゆる組み合わせが考えられる。さらに、実施形態は、概して、事前接続されたセンサ４００を含まないウェアラブルアセンブリ６００に関連するものとして記載されているが、本開示は、そのように限定されず、そのような実施形態は、事前接続されたセンサ４００およびセンサキャリア４０２を備えるウェアラブルアセンブリ５００とともに利用され得る。図１１Ａに図示されるような第１のタイプのセンサ屈曲部のいくつかの例示的な実施形態は、ここで、以下の図１２および１３に関連して記載される。

図１２は、いくつかの実施形態による、センサ１３８の近位部分をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を通って延在させるセンサ屈曲部１２０２を含む例示的な構成の側面断面図を示す。図１２は、ウェアラブルアセンブリ６００の下部ハウジング６２２、下部ハウジング６２２上に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板６３０、およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０上に配置され、機械的および電気的に結合された複数の屈曲部１２０２、１２０４を含むセンサ１３８を図示する。

エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、ＦＲ４などのＰＣＢ材料を含むものとして図示されているが、本開示は、そのように限定されず、任意の適切なＰＣＢ材料も考えられる。エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、少なくとも図３Ｄに関連して前述したように、複数の電気接点、例えば、接点３２４、３３４をさらに備える。図１２では、接点３２４は、導電性のめっきされた貫通孔として図示されているが、本開示は、そのように限定されず、他の任意の適切な接点も考えられる。

センサ１３８は、第１の屈曲部１２０２に遠位するセンサ１３８の細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行に延在し、第１の屈曲部１２０２に近位の細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に垂直に、およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を通って延在するように、センサ１３８の近位部分に第１の屈曲部１２０２を有し、センサ１３８の内側または遠位部分に第２の屈曲部１２０４を有するものとして図示されている。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部１２０２は、約９０°の屈曲であり得る。しかしながら、本開示は、そのように限定されておらず、第１の屈曲部１２０２は、任意の適切な屈曲角度を有し得る。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部１２０２は、接点２１１ｂの少なくとも一部が貫通孔接点３２４を通過するように、作用電極接点２１１ｂに沿って発生し、それによって、導電性接続（例えば、エポキシ、はんだ、または同様のもの）が、例えば、接点２１１ｂおよび３２４を電気的に接続するため、および接点２１２ｂおよび３３４を電気的に接続するために適用される前に、センサ１３８の機械的位置決めを確立する。

追加的に、いくつかの実施形態では、下部ハウジング６２２は、第２の屈曲部１２０４またはその近くでエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／またはセンサ１３８を支持するように構成された１つ以上の特徴を含む成形形状をさらに備え得る。例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、下部ハウジング６２２の一部上に置かれるように構成されることができる。下部ハウジング６２２は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の１つ以上のそれぞれの縁部（例えば、横方向縁部）に当接するように構成された１つ以上の隆起、凹部、または表面１２１２、１２１４をさらに備えることができる。他の利点の中でも、１つ以上の隆起、凹部、または表面１２１２、１２１４は、下部ハウジング６２２に関して、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０のより正確な配置を提供する。

加えて、および／または代替として、下部ハウジング６２２は、センサ１３８の近位部分がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を通って延在し、場合によっては、少なくとも部分的に凹部１２１６内に延在することを可能にする、めっきされた貫通孔接点３２４のすぐ下に凹部１２１６を備えることができる。他の利点の中でも、凹部１２１６は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０上にセンサ１３８を配置するための追加のアセンブリ公差を提供する。

加えて、および／または代替として、下部ハウジング６２２は、第２の屈曲部１２０４に、その近くに、または隣接して、センサ１３８の内側および／または遠位部分を位置合わせするように構成されたノッチ１２１８を備えることができる。他の利点の中でも、ノッチ１２１８は、追加の位置合わせを提供し、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／または下部ハウジング６２２に固定する前後のセンサ１３８の望ましくない動きを制限する。

いくつかの実施形態では、第１のタイプ（例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行から実質的垂直であり、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面を通る）の屈曲部は、センサ１３８の弾性特性を意図的に利用して、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／またはウェアラブルアセンブリ６００のうちの１つ以上の特徴に対するバイアスまたは保持力を生成するために、利用され得る。

例えば、図１３は、いくつかの実施形態による、センサ１３８の近位部分をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を通して延在させ、同時にエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対してバイアス力を提示する、第１のセンサ屈曲部１３０２を含む例示的な配置の側面断面図を示す。エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、図１２に関連して前述したように、導電性のめっきされた貫通孔であり得る、もしくは代替的に、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の図示された貫通孔を少なくとも部分的に取り囲む平面メッキ接点であり得る接点３２４、または、少なくとも図６Ａ～９に関連して前述したように、下部ハウジング６２２を通って延在してセンサ１３８の接続部分に到達するように構成された導電性ピンまたは支柱、を備えるものとして示されている。接点３３４は、同様に、そのような導電性ピンまたは支柱を備え得る。

センサ１３８は、図１２に関連して前述したように、センサ１３８の内側部分または遠位部分に、センサ１３８の近位部分に第１の屈曲部１３０２を有し、第２の屈曲部１２０４を有するものとして図示されている。第１の屈曲部１３０２は、センサ１３８の近位部分の少なくともいくつかがエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の一部（例えば、貫通孔の側壁）に接触し、それに対してバイアス力を及ぼすように、センサ１３８の近位部分の延在の方向を、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に関して実質的に面内から、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０対して実質的に角度のある貫通面に所望の角度（例えば、１～１７９°）によって、遷移させ得る。これは、貫通孔の側壁がセンサ１３８の近位部分に等しいが反対のバイアス力を及ぼし、それによって、導電性接続（例えば、エポキシ、はんだ、または同様のもの）がセンサ１３８の近位部分と接点３２４との間、およびセンサ１３８の適切な部分と接点３３４との間またはそれらに適用される前に、センサ１３８を所望の配向および位置に固定する。

図１１Ｂに図示されるような第２のタイプのセンサ屈曲部のいくつかの例示的な実施形態は、ここで、以下の図１４Ａ～１６に関連して記載される。図１４Ａは、いくつかの実施形態による、センサ１３８の近位部分をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０から離れるように（例えば、面外に）延在させるセンサ屈曲部１４０２を含む例示的な構成の上面図を示す。図１４Ｂは、図１４Ａの配置の側面断面図を図示する。以下の説明は、両方の図を参照する。図は、ウェアラブルアセンブリ６００の下部ハウジング６２２、下部ハウジング６２２上に、代替的にその中に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板６３０、およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０上に配置され、電気的に結合された複数の屈曲部１４０２、１２０４を含むセンサ１３８を図示する。

エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、ＦＲ４などのＰＣＢ材料を含み得るが、本開示は、そのように限定されず、任意の適切なＰＣＢ材料も考えられる。エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、少なくとも図３Ｄに関連して前述したように、複数の電気接点、例えば、接点３２４、３３４をさらに備える。

センサ１３８は、図１２に関連して前述したように、センサ１３８の内側部分または遠位部分に、センサ１３８の近位部分に第１の屈曲部１４０２を有し、第２の屈曲部１２０４を有するものとして図示されている。第１の屈曲部１３０２に遠位するセンサ１３８の細長い本体の部分は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行に延在し、第１の屈曲部１３０２に近位する細長い本体の部分は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に垂直に延在し、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０から離れて延在する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部１４０２は、作用電極接点２１１ｂに沿って発生する。

下部ハウジング６２２は、第１の屈曲部１４０２および第２の屈曲部１２０４のそれぞれまたはその近くでエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／またはセンサ１３８を支持するように構成された１つ以上の特徴を含む成形形状をさらに備え得る。例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、下部ハウジング６２２の一部上に置かれるように構成されることができる。下部ハウジング６２２は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の１つ以上のそれぞれの縁部（例えば、横方向縁部）に当接するように構成された１つ以上の隆起、凹部、または表面１４１２、１４１４をさらに備えることができる。他の利点の中でも、１つ以上の隆起、凹部、または表面１４１２、１４１４は、下部ハウジング６２２に関して、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０のより正確な配置を提供する。

加えて、および／または代替として、下部ハウジング６２２は、センサ１３８の近位部分が、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０から離れて、およびそれに対して、少なくとも部分的には凹部１４１６内に実質的に垂直に延在することを可能にする、接点３２４に直接隣接する下部ハウジング６２２の側壁に凹部１４１６を備えることができる。他の利点の中でも、凹部１４１６は、例えば、導電性接続（例えば、エポキシ、はんだ、または同様のもの）が接点２１１ｂおよび３２４を電気的に接続し、接点２１２ｂおよび３３４を電気的に接続するために適用される前に、センサ１３８の機械的位置決めを確立する。

加えて、および／または代替として、下部ハウジング６２２は、第２の屈曲部１２０４に、その近くに、または隣接して、センサ１３８の内側および／または遠位部分を位置合わせするように構成されたノッチ１４１８を備えることができる。他の利点の中でも、ノッチ１４１８は、追加の位置合わせを提供し、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／または下部ハウジング６２２に固定する前後のセンサ１３８の望ましくない動きを制限する。

いくつかの実施形態では、第２のタイプ（例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行から実質的垂直であり、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０から離れている）の屈曲部は、センサ１３８の弾性特性を意図的に利用して、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／または下部ハウジング６２２のうちの１つ以上の特徴に対するバイアスまたは保持力を生成するために、利用され得る。例は、図１５および１６に関連して以下に記載されている。

図１５は、いくつかの実施形態による、センサ１３８の近位部分をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０から離れて延在させ、同時に下部ハウジング６２２に対してバイアス力を提示する、センサ屈曲部１５０２を含む例示的な配置の側面断面図を示す。図示および説明を容易にするために、センサ１３８上、およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０上の接点は、示されていない。

センサ１３８は、図１２に関連して前述したように、センサ１３８の内側部分または遠位部分に、センサ１３８の近位部分に第１の屈曲部１５０２を有し、第２の屈曲部１２０４を有するものとして図示されている。第１の屈曲部１５０２は、センサ１３８の近位部分の少なくともいくつかが、下部ハウジング６２２の側壁に対して、例えば、図１４に関連して前述したように、凹部１４１６内の側壁に対して接触し、バイアス力を及ぼすように、センサ１３８の近位部分の延在の方向を、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に関して実質的に面内から、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して実質的に角度のない平面に所望の角度（例えば、９０～１８０°）によって、遷移させ得る。これは、下部ハウジング６２２の側壁がセンサ１３８の近位部分に等しいが反対のバイアス力を及ぼし、それによって、導電性接続（例えば、エポキシ、はんだ、または同様のもの）がセンサ１３８の近位部分と接点３２４との間、およびセンサ１３８の適切な部分と接点３３４との間またはそれらに適用される前に、センサ１３８を所望の配向および位置に固定する。

図１６Ａは、いくつかの実施形態による、複数のセンサ屈曲部１６０２、１２０４、１６０６、１６０８、１６１０を含む例示的な構成の第１の側面図を示し、それらの少なくともいくつかは、下部ハウジング６２２の部分に対してバイアス力を引き起こす。図１６Ｂは、図１６Ａの断面線Ｂ－Ｂ’に沿って取られた図１６Ａの例示的な配置の第２の側面図を示す。

センサ１３８は、図１２に関連して前述したように、センサ１３８の近位部分に第１の屈曲部１６０２、第１の屈曲部１６０２に近位する１つ以上の追加の屈曲部１６０６、１６０８、１６１０、および屈曲部１６０２、１６０６、１６０８、１６１０に対して遠位であるセンサ１３８の内側または遠位部分で屈曲部１２０４を有するものとして図示されている。第１の屈曲部１６０２は、センサ１３８の近位部分の延在の方向を、所望の角度（例えば、およそ９０°）で、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行から、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に垂直に、およびそこから離れて、遷移させ得る。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部１６０２に近位するセンサ１３８の少なくともいくつかの部分は、下部ハウジング６２２の側壁の凹部、例えば、図１４に関連して前述したように凹部１４０６内に配置され得る。

図１６Ｂに示されるように、１つ以上の追加の屈曲部１６０６、１６０８、１６１０は、第１の屈曲部１６０２の近位のセンサ１３８の部分を、凹部１４０６の対向する側壁１６２２、１６２４に対してある角度で延在させる。したがって、センサ１３８は、少なくとも屈曲部１６０６、１６０８、１６１０の位置で、凹部１４０６の側壁１６２２、１６２４に接触し、それにバイアス力を加える。センサ１３８によるそのようなバイアス力の行使は、側壁１６２２、１６２４に、センサ１３８の近位部分に等しいが反対のバイアス力を及ぼすようにする。これらのバイアス力の結果は、導電性接続（例えば、エポキシ、はんだ、または同様のもの）がセンサ１３８の適切な部分と接点３２４との間またはそれらに適用される前に、およびセンサ１３８の他の部分と接点３３４（図１６Ａ～１６Ｂには示されていない）との間またはそれらに適用される前に、センサ１３８を所望の配向および位置に固定することができる。示されるように、センサ１３８と側壁１６２２、１６２４との間の接点に垂直に加えられるバイアス力Ｆ_ｂｉａｓは、センサ１３８と側壁１６２２、１６２４との間の接点において側壁１６２２に平行な方向に摩擦力Ｆ_{ｆｒｉｃｔｉｏｎ}を引き起こし、下部ハウジング６２２およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対するセンサ１３８の動きに抵抗する。他の利点の中でも、１つ以上の追加の屈曲部１６０６、１６０８、１６１０は、追加の位置合わせを提供し、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／または下部ハウジング６２２に固定する前後のセンサ１３８の望ましくない動きまたは回転、および中心線の制約を制限する。

図１１Ｃに図示されるような第３のタイプのセンサ屈曲部のいくつかの例示的な実施形態は、ここで、以下の図１７～２０に関連して記載される。図１７は、いくつかの実施形態による、センサ１３８の近位部分がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して実質的に面内に延在を維持させるセンサ屈曲部１７０２を含む例示的な構成の上面図を示す。図１７は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０上に配置され、電気的に結合された、少なくとも屈曲部１７０２を含むエレクトロニクスアセンブリ基板６３０およびセンサ１３８を図示する。

エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、ＦＲ４などのＰＣＢ材料を含み得るが、本開示は、そのように限定されず、任意の適切なＰＣＢ材料も考えられる。エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、少なくとも図３Ｄに関連して前述したように、複数の電気接点、例えば、接点３２４、３３４、３３６をさらに備える。前述のように、接点３３６は、ガードトレースを含み得る。

センサ１３８は、センサ１３８の近位部分に少なくとも第１の屈曲部１７０２を有するものとして図示されている。第１の屈曲部１７０２は、第１の屈曲部１７０２に近位するセンサ１３８の少なくとも一部が、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０と実質的に面内に留まるように、任意の所望の面内角度（図１７に約９０°として示される）によって、センサ１３８の近位部分の延在の方向を、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０と実質的に面内から遷移させ得る。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部１７０２は、絶縁層１０４に沿って発生し、これは、いくつかの実施形態では、ポリウレタンまたは任意の他の適切な電気絶縁体を含み得る。図１７には示されていないが、センサ１３８は、センサ１３８の内側または遠位部分に、図１２に関連して前述したように、任意の数の追加の屈曲部、例えば、第２の屈曲部１２０４を含み得る。

センサ１３８の接点２１２ｂは、接点３３４と機械的および電気的に接触され得る。絶縁層１０４は、接点３３６と機械的および電気的に接触され得る。センサ１３８の接点２１１ｂは、接点３２４と機械的および電気的に接触され得る。他の利点の中でも、センサ１３８の少なくとも第１の部分を接点２１１ｂと接点２１２ｂとの間でリダイレクトして、異なる面内方向に延在させることによって、接点２１１ｂと接点２１２ｂとの間のセンサ１３８の第２の部分と比較した第１の屈曲部１７０２の曲面方向は、接点２１１ｂ、２１２ｂがセンサ１３８に沿ってより大きな直線距離によって分離され、したがって、絶縁層１０４のより大きな直線長によって分離されることを可能にする。これは、少なくとも部分的に、任意の一方向におけるエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の限定された寸法の関数であり得る。センサ１３８の一部を、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して少なくとも２つの異なる面内方向に延在することによって、接点２１１ｂ、２１２ｂは、センサ１３８に沿ってより大きな直線距離だけ分離され得る。加えて、第１の屈曲部１７０２は、センサ１３８の一部を、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して少なくとも２つの異なる面内方向に延在させることによって、より扱いやすい形状を作成し、センサ１３８が置かれることができる平らな表面を模倣することができる、少なくとも３つの面内接点（例えば、接点３２４、３３４、３３６）を提供する。

いくつかの実施形態では、第３のタイプ（例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０と実質的に面内に留まりながら、センサ１３８の少なくとも一部の延在の方向を変更する）の屈曲部は、センサ１３８の弾性特性を意図的に利用して、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／またはウェアラブルアセンブリ６００の１つ以上の特徴に対してバイアス力または保持力を生成するために、利用され得る。例は、図１８～２０に関連して以下に記載されている。

図１８は、いくつかの実施形態による、複数のセンサ屈曲部１８０２、１８０４、１８０６を含む例示的な構成の上面図を示し、それらの少なくともいくつかは、下部ハウジング６２２またはエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の部分１８２２、１８２４に対してバイアス力を引き起こす。

センサ１３８は、センサ１３８の近位部分に第１の屈曲部１８０２を有し、第１の屈曲部１８０２に近位する１つ以上の追加の屈曲部１８０４、１８０６を有するものとして図示されている。図１８には示されていないが、センサ１３８は、図１２に関連して前述したように、屈曲部１８０２、１８０４、１８０６に対して遠位であるセンサ１３８の内側または遠位部分に屈曲部１２０４をさらに含み得る。

１つ以上の追加の屈曲部１８０４、１８０６は、センサ１３８が少なくとも屈曲部１８０４、１８０６の位置で側壁１８２２、１８２４に対して接触してバイアス力Ｆ_ｂｉａｓを作用し、これにより、側壁１８２２、１８２４がセンサ１３８の近位部分に等しいが反対のバイアス力を及ぼすように、第１の屈曲部１８０２に近位するセンサ１３８の部分を、下部ハウジング６２２および／またはエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の対向する側壁１８２２、１８２４に対してある角度で延在させ、それによって、導電性接続（例えば、エポキシ、はんだ、または同様のもの）が接点２１１ｂと３２４との間または接点２１１ｂと３３４との間および接点２１２ｂと３３４との間またはそこに適用される前に、センサ１３８を所望の配向および位置に固定する。

図１６に関連して前述したものと同様に、センサ１３８と側壁１８２２、１８２４との間の接点に垂直に加えられるバイアス力Ｆ_ｂｉａｓは、センサ１３８と側壁１８２２、１８２４との間の接点に側壁１８２２、１８２４に平行な方向に摩擦力Ｆ_{ｆｒｉｃｔｉｏｎ}を引き起こし、下部ハウジング６２２およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対するセンサ１３８の動きに抵抗する。他の利点の中でも、１つ以上の追加の屈曲部１８０４、１８０６は、追加の位置合わせを提供し、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／または下部ハウジング６２２に固定する前後のセンサ１３８の望ましくない動きまたは回転、および中心線拘束を制限する。

図１９は、いくつかの実施形態による、センサ１３８をハウジング１２８の一部、例えば、下部ハウジング６２２またはエレクトロニクスアセンブリ基板６３０のピンまたは支柱１９１２に、またはその作製された一部に実質的に固定（ｉｍｍｏｂｉｌｉｚｅ）もしくは固定（ａｎｃｈｏｒ）される、少なくとも１つのセンサ屈曲部１９０２を含む例示的な構成の上面図を示す。

センサ１３８は、センサ１３８の近位部分に第１の屈曲部１９０２を有するものとして図示されている。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部１９０２は、センサの近位部分をピンまたは支柱１９１２の周りに少なくとも部分的に巻き付けるように構成された少なくとも部分的に円周方向の屈曲部であり、これは、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の一部であり得る接点３２４の一部を含み得る。第１の屈曲部１９０２は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０と実質的に面内に留まりながら、センサ１３８の少なくとも一部の延在の方向を変えることができる。

他の利点の中でも、ピンまたは支柱１９１２の円周または周囲の周りに少なくとも部分的に延在する第１の屈曲部１９０２は、導電性接続（例えば、エポキシ、はんだ、または同様のもの）が接点２１１ｂと３２４との間もしくはそこに、または接点２１２ｂと３３４との間もしくはそこに適用される前に、センサ１３８を所望の配向および位置に固定する。したがって、図１９の配置はまた、位置合わせを提供し、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／または下部ハウジング６２２に固定する前後のセンサ１３８の望ましくない動きまたは回転、および中心線拘束を制限する。

図１９には示されていないが、センサ１３８は、図１２に関連して前述したように、屈曲部１９０２、１９０４、１９０６に対して遠位であるセンサ１３８の内側または遠位部分に屈曲部１２０４をさらに含み得る。

図２０は、いくつかの実施形態による、下部ハウジング６２２またはエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の１つ以上の部分２０１２、２０１４、２０１６に対して少なくとも１つのバイアス力Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３を引き起こす、少なくとも１つのセンサ屈曲部２００２を含む例示的な配置の上面図を示す。

センサ１３８は、センサ１３８の近位部分に第１の屈曲部２００２を有するものとして図示されている。第１の屈曲部２００２は、第１の屈曲部２００２に近位するセンサ１３８の部分に、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行のままでありながら、センサ１３８の少なくとも一部の延在の方向を変更させる。例えば、第１の屈曲部２００２は、絶縁層１０４が存在し、露出しているセンサ１３８の部分に沿って発生するものとして図示されている。しかしながら、本開示は、そのように限定されておらず、第１の屈曲部２００２は、センサ１３８の任意の適切な部分に沿って発生することができる。第１の屈曲部２００２は、９０°未満の角度を有するものとして図示されている。しかしながら、本開示は、そのように限定されず、状況の特定の状況およびウェアラブルアセンブリ６００の特定の特徴のレイアウトに応じて、任意の適切な屈曲角度を利用され得る。

センサ１３８の第１の部分は、下部ハウジング６２２またはエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の第１の側壁または他の特徴２０１２に接触するように構成され得る。図２０では、センサ１３８のこの第１の部分は、参照電極または接点２１２ｂの一部として図示されている。しかしながら、本開示は、そのように限定されるものではなく、センサ１３８の他の部分もまた考えられる。

センサ１３８は、第１の屈曲部２００２の位置で、下部ハウジング６２２またはエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の第２の側壁または他の特徴２０１４に接触するように構成され得る。

センサ１３８の第２の部分は、下部ハウジング６２２またはエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の第３の側壁または他の特徴２０１６に接触するように構成され得る。図２０では、センサ１３８のこの第３の部分は、第１の屈曲部２００２の近位の作用電極または接点２１１ｂの一部として図示されている。しかしながら、本開示は、そのように限定されるものではなく、センサ１３８の他の部分もまた考えられる。

図２０では、第１の側壁２０１２の接触面およびバイアス力Ｆ１は、センサ１３８の第１の部分（例えば、参照電極）の延在の方向に実質的に垂直であり、第２および第３の側壁２０１４、２０１６の各々のそれぞれの接触面に実質的に垂直であるとして図示されている。しかしながら、本開示は、そのように限定されず、第１の側壁２０１２の接触面は、センサ１３８の第１の部分のいずれか、および／または第２および第３の側壁２０１４、２０１６の各々のそれぞれの接触面に関して任意の適切な配向を有することができる。

図２０では、第２および第３の側壁２０１４、２０１６のそれぞれの接触面、ならびにバイアス力Ｆ２およびＦ３は、反対方向を向いているように図示されている。しかしながら、本開示は、そのように限定されるものではなく、第２および第３の側壁２０１４、２０１６のそれぞれの接触面、ならびにバイアス力Ｆ２およびＦ３は、互いに対して、および／またはウェアラブルアセンブリ６００の他の機能に関して、任意の適切な配向を有することができる。

センサ１３８は、最初に第１の屈曲部２００２で図２０に図示されるまたは実際の実施において望ましい角度よりも小さい角度に屈曲され、次いで、図示のまたは所望の配向に配置され、それによって、第１の屈曲部２００２の角度を最初の屈曲角度よりわずかに大きくすることができる。図２０に図示されるように、センサ１３８の弾性および／または弾力性特性のために、センサ１３８は、第１の屈曲部２００２の角度を図示の角度から初期屈曲角度に向かって減少させようとする傾向を示す。この傾向は、センサ１３８が、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／または下部ハウジング６２２の１つ以上のそれぞれの側壁２０１２、２０１４、２０１６との接点に実質的に垂直および反対の方向に、少なくとも１つのバイアス力または保持力Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３を発生させる。

例えば、図示のように、センサ１３８が第１の屈曲部２００２の屈曲角度を減少させる傾向は、第１の屈曲部２００２でトルクを引き起こし、センサ１３８の第２の部分を力Ｆ３で第３の側壁２０１６の接触面に押し付け、センサ１３８の第２の部分に等しいが反対のバイアス力を生成する。この反対のバイアス力は、力Ｆ２で第１の屈曲部２００２で第２の側壁２０１４の接触面に対してセンサ１３８を押し付け、第１の屈曲部２００２でセンサ１３８に等しいが反対のバイアス力を生成する。

センサ１３８が第１の屈曲部２００２の屈曲角度を減少させる傾向によって引き起こされる第１の屈曲部２００２でのトルクはまた、力Ｆ１でセンサ１３８の第１の部分を第１の側壁２０１２の接触面に押し付け、センサ１３８の第１の部分に等しいが反対のバイアスを生成する。

バイアス力または保持力Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３はまた、接点で側壁２０１２、２０１４、２０１６に平行なそれぞれの方向に直交摩擦力（図示せず）を引き起こし、それは、下部ハウジング６２２およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対するセンサ１３８の動きにさらに抵抗する。単独でまたは組み合わせて、これらのバイアス力、保持力、および／または摩擦力は、導電性接続（例えば、エポキシ、はんだ、または同様のもの）が接点２１２ｂと３２４の間もしくはそこに、または接点２１１ｂおよび３３４の間もしくはそこに適用される前に、センサ１３８を所望の配向および位置に固定するように作用する。

他の利点の中でも、第１の屈曲部２００２は、追加の位置合わせを提供し、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／または下部ハウジング６２２に固定する前後のセンサ１３８の望ましくない動きまたは回転、および中心線の制約を制限する。

直接ボードセンサ接続用の井戸部を形成するために基板ダム部を利用すること
一部のセンサワイヤの直接基板設計の場合、センサ１３８をＰＣＢに結合するために異なる場所で使用される導電性エポキシまたは他の接着性エポキシ（例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０）は、にじみまたは一緒に走り、望ましくない電気的短絡を引き起こすか、そうでなければ望ましくない、センサに沿って隣接領域ににじみまたは走る可能性がある。いくつかの解決策は、少なくとも図２１Ａ～２７に関連して以下に記載されている。

図２１Ａは、いくつかの実施形態による、エポキシ２１２２、２１２４の望ましくないにじみまたは移動を含有および防ぐための複数の井戸部２１０２、２１０４を形成する、複数のダム部２１１２、２１１４、２１１６を備えるウェアラブルアセンブリ６００の部分の上面図を示す。図２１Ｂ、２１Ｃおよび２１Ｄの各々は、それぞれ切断線Ａ－Ａ’、Ｂ－Ｂ’およびＣ－Ｃ’に沿って取られた、図２１Ａに図示されるウェアラブルアセンブリ６００の部分の側面断面図を示す。図２１Ａ～２１Ｄに示されるウェアラブルアセンブリ６００の部分は、任意の適切なプロセス、例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／または下部ハウジング６２２の低圧オーバーモールドによって製造され得る。さらなる議論は、図２１Ａ～２１Ｄの各々を参照して続く。

図２１Ｂは、少なくとも図３Ｄに関連して前述したように、接点３２４、３３４を含むエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を図示する。オーバーモールド構造２１５０は、例えば、低圧オーバーモールドプロセスを利用して、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０上、上方、周囲、または一体部分として形成され得る。そのような低圧オーバーモールディングプロセスは、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の周囲を完全に遮断することを可能にし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の一部を湿気の侵入から封止し、その後のポッティングプロセスのために露出されるエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を少なくする。

オーバーモールド構造２１５０は、接点３２４、３３４に隣接して間隔を置いて配置された複数のダム部２１１２、２１１４、２１１６を備える。接点３２４および３３４は各々、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０上に配置された接点パッドまたはプレートであり得る。いくつかの実施形態では、接点３２４および３３４は、金メッキによって形成され得る。示されるように、接点３２４および３３４は、矩形形状である。他の実施形態では、接点３２４および３３４は、円形形状、楕円形形状、ダイヤモンド形形状、丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びたダイヤモンド形状、多角形形状、または丸みを帯びた多角形形状であり得る。図示のように、第１のダム部２１１２は、接点３３４の第１の側に隣接して配置されている。第２のダム部２１１４は、第１の側の反対側の接点３３４の第２の側に隣接して、接点３２４、３３４の間に、および接点３２４の第１の側に隣接して配置されている。第３のダム部２１１６は、第１の側の反対側の接点３２４の第２の側に隣接して配置されている。したがって、第１および第２のダム部２１１２、２１１４は、接点３３４が配置されている第１の井戸部２１０２を画定し、第２および第３のダム部２１１４、２１１６は、接点３２４が配置されている第２の井戸部２１０４を画定する。図２１Ｄに示されるように、接点３２４の反対側に配置された側壁２１３２および２１３４は、第２の井戸部２１０４の残りの壁を形成する。図２１Ａ～２１Ｄには、明示的に示されていないが、同様の一対の側壁が接点３３４の反対側に配置され、それによって、第１の井戸部２１０２の残りの壁を形成している。

井戸部２１０２、２１０４が形成されると、導電性エポキシ２１２２、２１２４は、センサ１３８の配置の準備として、井戸部２１０２、２１０４内の接点３２４、３３４上に堆積されることができる。

図２１Ｃおよび２１Ｄに示されるように、ダム部２１１２、２１１４、２１１６のうちの少なくとも１つは、切断線Ｂ－Ｂ’またはＣ－Ｃ’に垂直に見られるように、傾斜断面を有することができる。例えば、ダム部２１１２、２１１４、２１１６は、断面に沿って、または断面に沿った他の任意の所望の位置で、それぞれの井戸部（例えば、第２の井戸部２１０４の側壁２１３２、２１３４）の対応する側壁から実質的に等距離にある最下点を有する、三角、放物線、半円形、双曲線、またはその他の凹んだ断面を有することができる。センサ１３８のそれぞれの部分は、それらの傾斜または切り欠きの特徴のために、ダム部２１１２、２１１４、２１１６のそれぞれの凹部または断面のこの最下点に実質的に置かれるように構成されている。したがって、ダム部２１１２、２１１４、２１１６は、井戸部２１０２、２１０４を画定するだけでなく、それらが所定の位置に固定される前に、センサ１３８のそれぞれの部分を所望の位置に案内する。

いくつかの実施形態では、１つ以上のダム部（例えば、図２１Ａ～２１Ｂに示されるような第３のダム部２１１６）は、上記の傾斜断面ではなく、実質的に平坦な断面を有し得る。例えば、第１および第２のダム部２１１２、２１１４が上記の傾斜断面を有し、センサ１３８の少なくとも横方向の位置決めを適切に拘束する場合、第３のダム部２１１６は、傾斜断面を有する必要はなく、平坦断面は、単にセンサ１３８の近位端が置かれるプラットフォームとして機能する。

少なくとも図２１Ｂおよび２１Ｄに示されるように、エポキシ２１２２、２１２４は、少なくとも最小の高さまで、井戸部２１０２、２１０４のそれぞれに堆積されることができる。いくつかの実施形態では、そのような最小の高さは、図２１Ａに示されるように、センサ１３８がダム部２１１２、２１１４、２１１６を横切って横方向に配置されたときに、センサ１３８のそれぞれの部分が少なくともエポキシ２１２２、２１２４の上面に物理的および電気的に接触するのに十分大きい。例えば、（参照電極の）接点２１２ｂは、第１の井戸部２１０２の接点３３４上に配置された導電性エポキシ２１２２に接触することができ、一方、（作用電極の）接点２１１ｂは、第２の井戸部２１０４の接点３２４に配置された導電性エポキシ２１２４に接触することができる。導電性エポキシ２１２２に接触する接点２１２ｂの部分に遠位するセンサ１３８の部分は、第１のダム部２１１２に置かれることができ、センサ１３８の絶縁層１０４は、第２のダム部２１１４に置かれることができ、導電性エポキシ２１２４に接触する接点２１１ｂの部分に近位するセンサ１３８の一部は、第３のダム部２１１６上に置かれることができる。

図２１Ｂに示されるように、導電性エポキシ２１２２は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の接点３３４とセンサ１３８の接点２１２ｂとの間の第１の井戸部２１０２内の空隙を充填し得る（例えば、参照電極）。したがって、導電性エポキシ２１２２は、接点３３４と接点２１２ｂを物理的に分離し得る。この分離の１つの利点は、接点３３４および接点２１２ｂが物理的に接触しているときに起こり得る信号ノイズまたはセンサ１３８の信号シフトの低減であり得る。場合によっては、参照電極の接点２１２ｂの材料は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の接点３３４の材料と電気的に反応することができると考えられる。例えば、接点２１２ｂは、銀および塩化銀を含み得、接点３３４は、金、ニッケル、および銅を含み得る。金と銀／塩化銀または銅と銀／塩化銀との間の電気的相互作用は、接点３３４の腐食をもたらす可能性があると考えられる。したがって、接点３３４と接点２１２ｂとの間の空間を導電性エポキシ２１２２で充填することは、接点３３４の腐食を低減し得る。いくつかの実施形態では、接点３３４は、導電性エポキシの堆積を可能にするために、接点の中央を通って延在するチャネル（図示せず）を有し得る。他の実施形態では、接点３３４は、接点３３４と接点２１２ｂを分離する接点３３４上に配置された中間層（図示せず）を有し得る。そのような実施形態では、中間層は、プラスチック、エポキシ、またはＦＲ４などの複合材料を含み得る。接点３３４が接点２１２ｂと物理的に接触している実施形態（例えば、図１５）では、炭素導電性インクを、下にある接点３３４の銅層の上に配置することができることも考えられる。炭素導電性インクは、炭素導電性インク中の炭素がより低いガルバニック電位を有し、それが耐食性を高めると考えられる、より一般的な金層に取って代わるであろう。いくつかの実施形態では、腐食に対する耐性を高めるために、接点３３４上に腐食防止層が形成され得る。上記の特徴および技術のいずれかを、接点３２４にも適用することができることも考えられる。

センサ１３８が別個のセンサキャリアを利用せずにエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に直接取り付けられるいくつかの実施形態では、センサ１３８は、製造中に配置グリッパーからウェアラブルアセンブリ６００にハンドオフされ得る。そのような「ハンドオフ」方法は、そのような配置グリッパーによって配置されたセンサ１３８の位置を維持するべきであり、エポキシ、例えば、紫外線硬化エポキシは、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に封止または接着するために、使用されることができる。しかしながら、このエポキシは、センサ１３８に沿って隣接領域、例えば、皮膚上のセンサアセンブリ５００、６００の貫通孔１８０が存在する領域に流れ込むのが防がれなければならない。加えて、ワイヤのひずみを低減し、取り付け面に対するセンサ１３８の位置を維持するために、封止材の外側でひずみ緩和が望ましい場合がある。

エポキシが硬化している間、そのような配置グリッパーによって配置されたセンサ１３８を保持するだけでなく、センサ１３８に沿ったエポキシの吸い上げを防ぎ、同時にセンサ１３８にひずみ緩和を提供する追加または代替の解決策は、以下の図２２～２７および４０Ａ～４１に関連して記載されている。センサ１３８を固定するために所定量のエポキシを保持するように構成された様々な形状のポケットは、ポケットから隣接領域へのステップアップ、ステップダウン、または面一遷移と組み合わせて利用され、ポケットに堆積したエポキシが、ポケットの境界を越えて隣接領域またはセンサににじみ、吸い上げ、またはその他の方法で流れるのを防ぐことが、記載されている。いくつかの実施形態では、ポケット、トランジション、および隣接領域は、低圧成形プロセスまたは任意の他の適切なプロセスを利用して形成され得る。いくつかの実施形態では、ポケットおよびそれらの隣接領域は、互いに連続しており、例えば、隣接領域は、それらの間の遷移以外の特徴なしに、それぞれのポケットに直接隣接して配置されている。いくつかの実施形態では、エポキシは、非導電性材料から構成されている。いくつかの実施形態では、エポキシは、導電性材料から構成されている。

図２２は、いくつかの実施形態による、隣接領域への様々な幅のステップアップ、ステップダウン、または面一遷移と組み合わせた様々な形状を有する複数のポケットの斜視図を示す。図２３は、図２２のポケットのためのいくつかの例示的な形状の平面図を図示する。図２４は、図２２の切断線Ａ－Ａ’に沿って見られるような例示的なステップアップ遷移、図２２の切断線Ｂ－Ｂ’に沿って見られるような例示的な面一遷移、図２２の切断線Ｃ－Ｃ’に沿って見られるような例示的なステップダウン遷移のセットの側面図を図示する。図２５は、図２４の切断線Ａ－Ａ’、Ｂ－Ｂ’、およびＣ－Ｃ’に沿って見た一組の側面図を示し、遷移の例示的な幅「ｗ」およびポケットおよび／または隣接領域の側壁の例示的な配向をさらに図示している。ここで、ポケット、トランジション、および隣接領域は、図２２～２５と組み合わせて記載される。

図２２は、複数のポケット２２００ａ～２２００ｐを図示しており、各ポケットが、いずれかの側に対応する隣接領域を有する。ポケット２２００ａ～２２００ｐの各々は、ポケット形状、ポケットと隣接領域との間の遷移のタイプ、および遷移幅「ｗ」の異なる組み合わせを有するものとして図示されている。図２２のコールアウト（ｃａｌｌｏｕｔ）「Ｅ」、「Ｆ」および「Ｐ」は、図２３～２５に関連してより詳細に記載される、これらの異なる組み合わせのいくつかの態様を図示する。少なくとも図２２～２５に関連して記載される、ポケット、隣接領域、および／またはそれらの間の遷移のいずれかは、少なくとも図５Ａ～６Ｃに関連して前述したように、ウェアラブルアセンブリ５００、６００のいずれかのハウジングに実装できることを理解されたい。

コールアウト「Ｅ」に示されるように、第１の隣接領域２２１０ｅは、ポケット２２００ｅの第１の側に配置され、第２の隣接領域２２２０ｅは、第１の側の反対側のポケット２２００ｅの第２の側に配置されている。コールアウト「Ｅ」はさらに、ポケット２２００ｅと第１の隣接領域２２１０ｅとの間の第１の遷移２２０４ｅと、ポケット２２００ｅと第２の隣接領域２２２０ｅとの間の第２の遷移２２０６ｅとを図示する。第１および第２の遷移２２０４ｅ、２２０６ｅは、ポケット２２００ｅのベース２２０５ｅから第１および第２の隣接領域２２１０ｅ、２２２０ｅのそれぞれのベース２２１５ｅ、２２２５ｅを分離する構造および／または形状を含み得る。コールアウト「Ｅ」では、第１および第２の遷移２２０４ｅ、２２０６ｅは、いわゆる、隣接する領域２２１０ｅ、２２２０ｅの各々の、それぞれのベース２２１５ｅ、２２２５ｅが、ポケット２２００ｅのベース２２０５ｅよりも量「ｈ」だけより引く高さに配置されているため、「ステップダウン」遷移として示されている。「ｈ」の例示的な値は、０．５ｍｍであるが、本開示は、そのように限定されず、「ｈ」の任意の適切な値も考えられる。遷移２２０４ｅ、２２０６ｅの各々は、幅「ｗ」を有するものとしても示されている。いくつかの実施形態では、幅「ｗ」は、特定の遷移２２０４ｅ、２２０６ｅの２２０８ｅの側壁間の分離距離として画定され得る。「ｗ」の値の例の範囲は、０．５～２．０ｍｍであるが、本開示は、そのように限定されず、「ｗ」の任意の適切な値または範囲も考えられる。第１の隣接領域２２１０ｅは、側壁２２１２ｅを有する。第２の隣接領域２２２０ｅは、側壁２２２２ｅを有し、ポケットは、側壁２２０２ｅを有し、第１および第２の遷移２２０４ｅ、２２０６ｅの側壁は、２２０８ｅとして図示されている。コールアウト「Ｅ」は、図２４に図示される「ステップダウン」図が対応され得る切断線Ａ－Ａ’をさらに図示する。

コールアウト「Ｐ」は、第１の隣接領域２２１０ｐへの第１の遷移２２０４ｐと、第２の隣接領域２２２０ｐへの第２の遷移２２０６ｐとを有するポケット２２００ｐを図示する。コールアウト「Ｐ」の配置は、いわゆる、隣接する領域２２１０ｐ、２２２０ｐの各々の、それぞれのベース２２１５ｐ、２２２５ｐが、ポケット２２００ｐのベース２２０５ｐと同じ高さに配置されているため、第１および第２の遷移２２０４ｐ、２２０６ｐが「面一」遷移として図示されていることを除いて、コールアウト「Ｅ」の配置と実質的に同様である。コールアウト「Ｐ」は、図２４に図示される「面一」図が対応され得る切断線Ｂ－Ｂ’をさらに図示する。

コールアウト「Ｆ」は、第１の隣接領域２２１０ｆへの第１の遷移２２０４ｆと、第２の隣接領域２２２０ｆへの第２の遷移２２０６ｆとを有するポケット２２００ｆを図示する。コールアウト「Ｆ」の配置は、いわゆる、隣接する領域２２１０ｆ、２２２０ｆの各々の、それぞれのベース２２１５ｆ、２２２５ｆが、ポケット２２００ｆのベース２２０５ｆと比較して、量「ｈ」だけ高い高さに配置されているため、第１および第２の遷移２２０４ｆ、２２０６ｆが「ステップアップ」遷移として図示されていることを除いて、コールアウト「Ｅ」の配置と実質的に類似している。「ｈ」の例示的な値は、０．５ｍｍであるが、本開示は、そのように限定されず、「ｈ」の任意の適切な値も考えられる。コールアウト「Ｆ」は、図２４に図示される「ステップアップ」図が対応され得る切断線Ｃ－Ｃ’をさらに図示する。

図２３に図示されるように、そのようなポケットは、いくつかの形状のうちの任意の１つを有し得る。いくつかの実施形態では、実質的に矩形のポケット２３００ａは、利用され得る。矩形のポケット２３００ａの側壁は、それらが互いに出会って鋭い角度の付いた角を形成するように、実質的に平面として示されている。

いくつかの他の実施形態では、実質的に丸みを帯びた矩形のポケット２３００ｂは、利用され得る。丸みを帯びた矩形のポケット２３００ｂの側壁の部分は、実質的に平面として示され、一方、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分は、鋭い角度の付いた角が形成されないように湾曲している。図２２のポケット２２００ａ、２２００ｂ、２２００ｅ、２２００ｆ、２２００ｊ、２２００ｋおよび２２００ｐは、そのような丸みを帯びた矩形形状を有するものとして図示されている。

さらに他の実施形態では、実質的に三角形またはダイヤモンド形状のポケット２３００ｃは、利用され得る。三角形またはダイヤモンド形状のポケット２３００ｂの側壁は、それらが互いに出会って鋭い角度の付いた角を形成するように、実質的に平面として示されている。図２２のポケット２２００ｃ、２２００ｄ、２２００ｇ、および２２００ｈは、そのような三角形またはダイヤモンド形状を有するものとして図示されている。

さらに他の実施形態では、実質的に丸みを帯びた三角形またはダイヤモンド形状のポケット（図示せず）は、利用され得る。丸みを帯びた矩形のポケット２３００ｂと同様に、丸みを帯びた三角形またはダイヤモンド形状のポケットの側壁の部分は、実質的に平面であり得、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分は、鋭い角度の付いた角が形成されないように湾曲している。

さらに他の実施形態では、実質的に多角形のポケット２３００ｄは、利用され得る。多角形ポケット２３００ｄの側壁は、それらが互いに出会って鋭い角を形成するように、実質的に平面として示されている。図２２のポケット２２００ｍおよび２２００ｎは、そのような多角形形状を有するものとして図示されている。

さらに他の実施形態では、実質的に丸みを帯びた多角形ポケット（図示せず）は、利用され得る。丸みを帯びた矩形のポケット２３００ｂと同様に、丸みを帯びた多角形ポケットの側壁の部分は、実質的に平面であり得、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分は、鋭い角度の付いた角が形成されないように湾曲している。

加えて、上記の形状は、ポケット自体に関連して記載されてきたが、本開示はまた、そのような形状が隣接領域のいずれにも適用され得ることが考えられる。例えば、図２２に図示される隣接領域は、丸みを帯びた正方形または矩形形状を有するものとして示されているが、上記または本開示の他の場所で記載されるような他の適切な形状も、特定の状況が必要または望み得るので、任意の適切な可変形状を含む隣接領域に適用され得る。

図２４に図示されるように、ポケットはまた、隣接領域へのいくつかのタイプの遷移のうちのいずれか１つ、例えば、流体ストップを有し得る。例えば、「ステップダウン」の実施形態は、第１の隣接領域２４１０ａの側壁２４１２ａ、ポケット２４００ａの側壁２４０２ａ、第２の隣接領域２４２０ａの側壁２４２２ａ、および第１および第２の遷移領域２４０４ａ、２４０６ａの側壁２４０８ａを示す。第１および第２の隣接領域２４１０ａ、２４２０ａのそれぞれのベース２４１５ａ、２４２５ａは、ポケット２４００ａのベース２４０５ａよりも量「ｈ」だけ低い方の高さに配置されているように図示されている。「ｈ」の例示的な値は、０．５ｍｍであるが、本開示は、そのように限定されず、「ｈ」の任意の適切な値も考えられる。図示のように、エポキシ２４３０ａがポケット２４００ａのベース２４０５ａ上に配置されるとき、第１および第２のステップダウン遷移２４０４ａおよび２４０６ａは、エポキシ２４３０ａの表面張力および表面エネルギーにより、エポキシ２４３０ａが第１および第２の隣接領域２４１０ａ、２４２０ａに衝突するのを抑制または防ぐことができ、これにより、下向きに屈折するメニスカス２４３２ａが、第１および第２の遷移２４０４ａ、２４０６ａの縁部に付着する、第１および第２の遷移２４０４ａ、２４０６ａで形成される。いくつかの実施形態では、ステップダウン高さ「ｈ」、ならびに場合によっては、遷移２４０４ａ、２４０６ａの幅「ｗ」、および／またはポケット２４００ａの面積または体積は、適用されたエポキシ２４３０ａの所定の量だけに依存するのではなく、エポキシ２４３０ａ、周囲の環境、およびポケット、センサ、ディスペンシングチップ、またはその他の接触面または流体の表面との間の特定の粘度、表面エネルギー、および／または表面張力特性についても提供される。他の要因は、ポケットの周囲の形状および周囲の環境（例えば、材料、温度、湿度）を含む。そのような「ステップダウン」遷移のこの付着効果、およびエポキシ２４３０ａの実行の抑制または防止は、そのような「ステップダウン」遷移が、エポキシ２４３０ａが第１および第２の隣接領域２４１０ａ、２４２０ａに流れ込むのを適切に抑制または防がないことを期待することができる、従来の知識に反して実行され得る。図６Ｂおよび図３０Ａの両方は、ステップダウン遷移の例を図示する。

図２４の面一」実施形態は、第１の隣接領域２４１０ａｂの側壁２４１２ｂ、ポケット２４００ｂの側壁２４０２ｂ、第２の隣接領域２４２０ｂの側壁２４２２ｂ、および第１および第２の遷移領域２４０４ａ、２４０６ｂの側壁２４０８ｂを示す。第１および第２の隣接領域２４１０ｂ、２４２０ｂのそれぞれのベース２４１５ｂ、２４２５ｂは、ポケット２４００ｂのベース２４０５ｂと同じ高さに配置されているように図示されている。図示のように、エポキシ２４３０ｂがポケット２４００ｂのベース２４０５ｂ上に配置されるとき、第１および第２の面一遷移２４０４ｂおよび２４０６ｂは、エポキシ２４３０ｂの表面張力および表面エネルギーに部分的に起因して、エポキシ２４３０ｂが第１および第２の隣接領域２４１０ｂ、２４２０ｂに流れ込み、第１および第２の遷移２４０４ａ、２４０６ｂでメニスカス２４３２ｂを形成させることを防ぐことができる。加えて、エポキシ２４３０ｂと遷移側壁２４０８ｂとの間の相互作用、および遷移の幅「ｗ」（図２５の直交側面図に関連してより詳細に記載されるように）はまた、遷移２４０４ｂ、２４０６ｂによってポケット２４００ｂ内に保持されるエポキシ２４３０ｂの傾向に影響を及ぼし得、比較的狭い幅「ｗ」により、ポケット２４００ｂ内のエポキシ２４３０ｂのより良好な保持を潜在的に提供する。そのような「面一」遷移のこの付着効果、およびエポキシ２４３０ｂの実行の抑制または防止は、そのような「面一」遷移が、エポキシ２４３０ｂの第１および第２の隣接領域２４１０ｂ、２４２０ｂへの実行を適切に抑制または防がないことを予想することができる、従来の知識に反して実行され得る。

図２４の「ステップアップ」実施形態は、第１の隣接領域２４１０ｃの側壁２４１２ｃ、ポケット２４００ｃの側壁２４０２ｃ、第２の隣接領域２４２０ｃの側壁２４２２ｃ、および第１および第２の遷移領域２４０４ａ、２４０６ｃの側壁２４０８ｃを示す。第１および第２の隣接領域２４１０ｃ、２４２０ｃのそれぞれのベース２４１５ｂ、２４２５ｂは、ポケット２４００ｃのベース２４０５ｃと比較して、量「ｈ」だけ高い高さ「ｈ」に配置されているように図示されている。「ｈ」の例示的な値は０．５ｍｍであるが、本開示は、そのように限定されず、「ｈ」の任意の適切な値も考えられる。図示のように、エポキシ２４３０ｃがポケット２４００ｃのベース２４０５ｃ上に配置されるとき、第１および第２のステップアップ遷移２４０４ｃおよび２４０６ｃは、エポキシ２４３０ｃが第１および第２の隣接領域２４１０ｃ、２４２０ｃに流れ込むのを防ぐことができる。しかしながら、エポキシ２４３０ｃの表面張力および表面エネルギーは、上向きに屈折するメニスカス２４３２ｃを、第１および第２の遷移２４０４ａ、２４０６ｃ、ならびにステップアップで形成させることができる。上向きに屈折するメニスカス２４３２ｃが、隣接領域２４１０ｃ、２４２０ｃのいずれかのベース２４１５ｃ、２４２５ｃのレベルに達する場合、ポケット２４００ｃ内のエポキシ２４３０ｃの保持は、エポキシ２４３０ｃの表面張力および表面エネルギーが、エポキシ２４３０ｃをメニスカス２４３２ｃの上部に沿って隣接領域２４１０ｃ、２４２０ｃに忍び寄らせることができるため、ステップアップの高さ「ｈ」が上向きに屈折するメニスカス２４３２ｃの高さを超える場合に最も効果的であり得る。したがって、ステップアップ高さ「ｈ」、ならびに場合によっては、遷移２４０４ｃ、２４０６ｃの幅「ｗ」、ポケット２４００ｃの面積または体積は、適用されたエポキシ２４３０ｃの所定の量だけに依存するのではなく、エポキシ２４３０ｃ、周囲の環境、およびポケット、センサ、ディスペンシングチップ、またはその他の接触面または流体の表面との間の特定の粘度、表面エネルギー、および／または表面張力特性についても提供される。他の要因は、ポケットの周囲の形状および周囲の環境（例えば、材料、温度、湿度）を含む。高さ「ｈ」が不十分なこのような「ステップアップ」遷移で使用した場合のエポキシ２４３０ｂのこの忍び寄ることの効果、これは、そのような「ステップアップ」遷移が、エポキシ２４３０ｃが第１および第２の隣接領域２４１０ｃ、２４２０ｃに流れ込むのを適切に抑制または防ぐことを期待することができ、およびエポキシ２４３０ｃが隣接領域にぶつかるのを抑制または防ぐその限られた能力は、上向きに屈折するメニスカス２４３２ｃの高さが遷移高さ「ｈ」に達したとしても、従来の知識に反して実行され得る。

図２２および２５に図示されるように、ポケット２４００ａ～ｃと隣接領域２４１０ａ～ｃ、２４２０ａ～ｃとの間の遷移はまた、遷移の側壁の間で様々な幅「ｗ」を有し得る。「ｗ」の値の例の範囲は、０．５～２．０ｍｍであるが、本開示は、そのように限定されず、「ｗ」の任意の適切な値も考えられる。例えば、図２２のポケット２２００ａ、２２００ｂ、２２００ｃおよび２２００ｄの第１の列は、約０．５ｍｍの比較的狭い遷移幅「ｗ」を有するものとして示されており、図２２のポケット２２００ｅ、２２００ｆ、２２００ｇおよび２２００ｈおよび２２００ｐの第２の列は、約１．０ｍｍの比較的中程度の遷移幅「ｗ」を有し、上記の比較的狭い遷移幅よりも大きいものとして示されており、図２２のポケット２２００ｊ、２２００ｋ、２２００ｍおよび２２００ｎの第３の列は、約２．０ｍｍの比較的広い遷移幅「ｗ」を有し、上記の比較的狭いまたは比較的中程度の遷移幅のいずれよりも大きいものとして示されている。図２５は、エポキシをポケットに保持することが可能である任意の所望のおよび／または適切な幅に対応し得る遷移幅「ｗ」を示す。さらに、ポケットの両側の遷移は、互いに異なる幅を有し得る。例えば、ポケットと第１の隣接領域との間の第１の遷移の第１の幅は、ポケットと第２の隣接領域との間の第２の遷移の第２の幅より大きくても小さくてもよい。

図２５にさらに図示されるように、いくつかの実施形態では、隣接領域側壁２４２２ａ～ｃ、ポケット側壁（図２５には示されていない）および／または遷移側壁２４０８ａ～ｃは、側壁での実垂直線によって図示されるように、それらのそれぞれのベース２４１５ａ～ｃ、２４２５ａ～ｃ、２４０５ａ～ｃに対して実質的に垂直であり得る。さらに他の実施形態では、隣接領域側壁２４２２ａ～ｃ、ポケット側壁（図２５には示されていない）および／または遷移側壁２４０８ａ～ｃは、側壁の破線で図示されているように、それらのそれぞれのベース２４１５ａ～ｃ、２４２５ａ～ｃ、２４０５ａ～ｃに対してそのような実質的に垂直な配向からわずかに傾斜または角度を付けられ得る。

図２２～２５に図示される実施形態は、特定のポケットのいずれかの側で同じタイプの遷移を示すが、本開示は、そのように限定されず、ステップアップ、ステップダウン、および面一遷移の任意の組み合わせを任意のポケットで使用され得る。例えば、第１の側への第１の遷移は、ステップアップ、面一またはステップダウン遷移のいずれかであり得るが、ポケットの別の側の第２の遷移は、ステップアップ、面一またはステップダウン遷移のいずれかであり得る。

加えて、任意の数のポケットおよび／または隣接領域を、同じウェアラブルアセンブリ６００内で、そのようなウェアラブルアセンブリ６００のための同じハウジング６２２上で、同じエレクトロニクスアセンブリ基板６３０上で、または同じセンサ１３８の異なる部分を固定するためにさえ利用され得る。例えば、いくつかの実施形態では、２つ以上のポケットは、互いに近接して形成され得、各々は、それ自体のそれぞれの隣接領域を有し得るか、代替的に、隣接ポケットは、異なる側から介在する隣接領域を共有し得る。いくつかの実施形態は、記載されたポケットごとの２つの隣接領域よりも多いまたは少ないことがさらに考えられる。

図２６は、ポケット２６００ａ、第１の隣接領域２６１０ａへの第１のステップダウン遷移２６０４ａ、および第２の隣接領域２６２０ａへの第２のステップダウン遷移２６０６ａを含む、第１の構成の写真を図示する。写真のように、センサ１３８付着しているエポキシ２６３０ａは、実質的にポケット２６００ａ内に含有されていた。図２４に関連して前述されたように、第１および第２のステップダウン遷移２６０４ａ、２６０６ａは、エポキシ２６３０ａの表面張力および表面エネルギーにより、エポキシ２６３０ａが第１および第２の隣接領域２６１０ａ、２６２０ａに衝突するのを抑制または防ぐことができ、これにより、下向きに屈折するメニスカスが、第１および第２の遷移２６０４ａ、２６０６ａの縁部に付着する、第１および第２の遷移２６０４ａ、２６０６ａで形成される。図２６はさらに、ポケット２６００ｂ、第１の隣接領域２６１０ｂへの第１のステップアップ遷移２６０４ｂ、および第２の隣接領域２６２０ｂへの第２のステップアップ遷移２６０６ｂを含む、第１の下の第２の配置を図示する。写真のように、センサ１３８に付着しているエポキシ２６３０ｂは、遷移２６０４ｂ、２６０６ｂを超えて、隣接領域２６１０ｂ、２６２０ｂに忍び込んだ。

ポケット２６００ｂ内にエポキシ２６３０ｂを保持するための第２の配置の失敗は、ステップアップ遷移２６０４ｂ、２６０６ｂでエポキシ２６３０ｂの上向きに屈折するメニスカスが第１および第２の隣接領域２６１０ｂ、２６１０ｂのベース到達し、エポキシ２６３０ｂがメニスカスの上部に沿って忍び寄らせ、隣接領域２６１０ｂ、２６２０ｂにオーバーフローさせるように、遷移２６０４ｂ、２６０６ｂの高さが不十分であることが原因であった可能性があると考えられる。エポキシ２６３０ｂが作動し始めると、センサ１３８は、エポキシ２６３０ｂがオーバーフローする可能性があるさらなる表面を提供した可能性がある。

いくつかの実施形態では、図２２～２６に関連して前述したように、不十分な高さ「ｈ」を有する面一またはステップアップ遷移は、例えば、センサ１３８の特定の部分（例えば、参照電極２１２）へのエポキシを意図的にオーバーフローさせるために、１つ以上のポケットと１つ以上の隣接領域との間に意図的に実装されることができる。それらの実施形態のいくつかでは、例えば、センサ１３８の他の部分（例えば、作用電極２１１）へのエポキシのオーバーフローを意図的に抑制または防ぐために、１つ以上のポケットと他の隣接領域との間でステップダウン遷移が利用され得る。

図２７は、いくつかの実施形態による、センサ１３８をエレクトロニクス基板アセンブリ６３０に直接固定し、さらに、センサ１３８をセンタリングするためのオプションの支柱２７１２を利用するために、図２２～２６に関連して上記と同様のポケット２７００ａ、２７００ｂおよび隣接領域２７１０ａ、２７１０ｂ、２７２０を利用する配置の面図（上）および切断線Ａ－Ａ’に沿った平側面断面図（下）を示す。この図では、第１のポケット２７００ａおよび第２のポケット２７００ｂは、隣接領域２７１０ａ、２７１０ｂ、２７２０へのいずれかの側にステップダウン遷移を有するものとして各々図示されている。隣接領域２７１０ａは、第１のポケット２７００ａの第１の隣接領域として示され、隣接領域２７１０ｂは、第２のポケット２７００ｂの第１の隣接領域として示され、隣接領域２７２０は、第１および第２のポケット２７００ａ、２７００ｂの各々の第２の隣接領域として示されている。接点３２４は、隣接領域２７１０ａに示され、接点３３４は、隣接領域２７２０に示され、貫通孔１８０は、隣接領域２７１０ｂに示されている。隣接領域２７１０ｂは、その中に支柱２７１２が配置されていることがさらに示されている。上記のポケット、隣接領域、接点、および支柱の特定の配向および配置が示されているが、それらは例として解釈されるべきであり、本開示を限定するものではなく、上記の特徴のすべてまたはサブセットの任意の配置を単独で、または本開示もしくはその他に記載されている他の機能と組み合わせて考えられる。

導電性エポキシまたは他の適切な導電性材料は、センサ１３８のそれぞれの部分をそれに電気的に結合するために接点３２４、３３４上に配置される（例えば、少なくとも図３Ｄに関連して前述したように、それぞれ接点２１１ｂおよび２１２ｂ）。

図２７にさらに図示され、図２２～２６に関連して前述したように、エポキシは、ポケット２７００ａ、２７００ｂ内に配置され、ポケット２７００ａ、２７００ｂと隣接領域２７１０ａ、２７１０ｂ、２７２０との間のステップダウン遷移、例えば、流体停止によってその中に保持される。同様に、エポキシは、支柱２７１２の上面に配置することができ、支柱２７１２の上面にエポキシを保持する支柱２７１２が配置されている隣接領域２７１０ｂの円周方向の縁部およびベースからの遷移部にステップダウン機能も有する。したがって、センサ１３８が図２７の配置上に配置されるとき、センサ１３８のそれぞれの部分は、接点３２４、３３４上に配置された導電性エポキシだけでなく、ポケット２７００ａ、２７００ｂ内および支柱２７１２上に配置されたＵＶ硬化性エポキシによっても接触し、固定されることができる。加えて、支柱２７１２の実質的に対称的形状および比較的小さい上面のために、支柱２７１２の上面に配置されたエポキシの表面エネルギーおよび表面張力は、その上に配置されたセンサ１３８の部分に小さなセンタリング力を及ぼす傾向があり、センサ１３８の位置合わせを維持または自己修正する。

支柱２７１２は、実質的に円形形状を有するものとして示されているが、本開示は、そのように限定されず、支柱２７１２は、任意の適切な形状を有し得、支柱２７１２の上面を横切るセンサ１３８の延在の方向によって画定される中心線を通して見た対称的形状は、支柱２７１２上に置かれるセンサ１３８の部分を中心とする対称的な力を提供するために、その上に配置されたエポキシの表面エネルギーおよび／または表面張力が最もよく可能にし得る。

図２２～２７に関連して前述したようなステップアップ、ステップダウン、および／または面一遷移の使用に加えて、または代替として、本開示はまた、隣接領域のベースを形成して、ポケットと比較して異なる表面エネルギーを有し、それによって、エポキシが隣接領域ににじむことから防ぐことが考えられる。図４０Ａは、第１の表面エネルギーを有するベース４００５ａを備えたポケット４０００ａの斜視図を示し、隣接領域４０１０ａ、４０２０ａは、ポケットベース４００５ａの第１の表面エネルギーとは異なる表面エネルギーを有するそれぞれのベース４０１５ａ、４０２５ａを有する。いくつかの実施形態では、ベース４０１５ａ、４０２５ａは、ポケットベース４００５ａの第１の表面エネルギーとは異なる、同じ第２の表面エネルギーを有することができる。いくつかの他の実施形態では、ベース４０１５ａは、第２の表面エネルギーを有することができ、一方、ベース４０２５ａは、第１および第２の表面エネルギーとは異なる第３の表面エネルギーを有することができる。いくつかの実施形態では、ポケットベース４００５ａおよび隣接領域ベース４０１５ａ、４０２５ａの第１、第２および／または第３の表面エネルギーは、例えば、プラズマエッチング、テフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ）テープ、比較的低表面エネルギーのテープ、異なる表面テクスチャ、溝、または任意の他の適切な材料もしくは特徴のうちの１つ以上を、ポケットベース４００５ａおよび隣接領域ベース４０１５ａ、４０２５ａのうちの１つ以上に対して適用することによって決定、設定および／または修正されることができる。図４０Ａは、それぞれの隣接領域４０１０ａ、４０２０ａへのステップダウン遷移４００４ａおよび４００６ａをさらに図示する。

図４０Ｂは、第１の表面エネルギーを有するベース４００５ｂを備えたポケット４０００ｂを図示し、隣接領域４０１０ａ、４０２０ｂは、ポケットベース４００５ｂの第１の表面エネルギーとは異なる表面エネルギーを有するそれぞれのベース４０１５ａ、４０２５ｂを有する。いくつかの実施形態では、ベース４０１５ａ、４０２５ｂは、ポケットベース４００５ｂの第１の表面エネルギーとは異なる、同じ第２の表面エネルギーを有することができる。いくつかの他の実施形態では、ベース４０１５ｂは、第２の表面エネルギーを有することができ、一方、ベース４０２５ｂは、第１および第２の表面エネルギーとは異なる第３の表面エネルギーを有することができる。いくつかの実施形態では、ポケットベース４００５ｂおよび隣接領域ベース４０１５ａ、４０２５ｂの第１、第２および／または第３の表面エネルギーは、例えば、プラズマエッチング、テフロン（登録商標）（Ｔｅｆｌｏｎ）テープ、比較的低表面エネルギーのテープ、異なる表面テクスチャ、溝、または任意の他の適切な材料もしくは特徴のうちの１つ以上を、ポケットベース４００５ｂおよび隣接領域ベース４０１５ａ、４０２５ｂのうちの１つ以上に対して適用することによって決定、設定および／または修正されることができる。図４０Ａとは対照的に、図４０Ｂは、それぞれの隣接領域４０１０ａ、４０２０ｂへの面一遷移４００４ｂおよび４００６ｂをさらに図示する。

遷移４００４ａ～ｂ、４００６ａ～ｂでの異なる表面エネルギーは、ポケット４０００ａ～ｂ内に配置されたエポキシに、少なくとも図２４および２５に関連して前述したものと同様に、遷移４００４ａ～ｂ、４００６ａ～ｂで、れぞれ、下向きに屈折するメニスカスを形成させることができ、それによって、エポキシがポケットベース４００５ａ～ｂから隣接領域４０１０ａ～ｂ、４０２０ａ～ｂに望ましくないほど忍び寄るのを防ぐ。

図４１は、いくつかの実施形態による、それぞれの隣接領域４１１０、４１２０へのステップダウン遷移４１０４、４１０６を有し、エポキシが隣接領域４１１０、４１２０ににじむことから防ぐための追加の隣接領域４１５０への追加のステップダウン遷移４１５２をさらに含むポケット４１００の側面断面図を図示する。

いくつかの実施形態では、少なくとも図２２～２７に関連して前述したように、１つ以上の隣接領域を利用することに加えて、またはその代替として、１つ以上の隣接領域４１５０は、ポケット４１００の側壁４１０８に直接隣接および／または当接して配置され、ポケット４１００内に配置されたエポキシ４１３０の少なくとも過剰部分を受容するように構成され得、それによって、エポキシ４１３０が隣接領域４１１０、４１２０のうちの少なくとも１つに忍び寄るのを防ぐ。

例えば、図４１は、ベース４１０５を有するポケット４１００および上面４１０９を有する側壁４１０８、ベース４１１５を有する隣接領域４１１０、ベース４１１５とベース４１０５との間の遷移４１０４、ベース４１２５を有する隣接領域４１２０、およびベース４１２５とベース４１０５との間の遷移４１０６、を示す。遷移４１０４、４１０６は、図２２～２７に関連して従前に記載されたように、「ステップダウン」遷移として示されている。しかしながら、本開示は、そのように限定されず、遷移４１０４、４１０６の一方または両方は、代替的に、前述のように「面一」または「ステップアップ」遷移であり得る。

遷移４１０４、４１０６は、ポケット４１００がエポキシ４１３０で十分に過剰に満たされている場合、ベース４１０５上のポケット４１００内に配置されたエポキシ４１３０が隣接領域４１１０、４１２０に吸い上げおよび／または忍び寄るのを防ぐように構成され得る一方、エポキシ４１３０に関する遷移４１０４、４１０６の一方または両方は、単独では、エポキシ４１３０が隣接領域４１１０、４１２０に吸い上げおよび／または忍び寄るのを防ぐには不十分であり得る。したがって、隣接領域４１５０に、ポケット４１００の側壁４１０８の上面４１０９よりも低い高さに配置されたベース４１５５と、ポケット４１００の側壁４１０８の上面４１０９とベース４１５５との間の遷移４１５２とを設けることによって、隣接領域４１５０は、ポケット４１００内に配置されたエポキシ４１３０の少なくとも過剰部分を受容するように構成されることができ、それによって、エポキシ４１３０が隣接領域４１１０、４１２０のうちの少なくとも１つに忍び寄るのを防ぐ。そのような実施形態では、ステップダウン遷移４１５２は、エポキシ４１３０の過剰部分が隣接領域４１１０、４１２０ではなく隣接領域４１５０に流れ、忍び寄るおよび／または吸い上げることを可能にするように特に構成され得る。いくつかの実施形態では、遷移４１５２は、代替的に、ポケット４１００内に配置されたエポキシ４１３０を遷移４１５２に接着させるように構成され得、それによって、エポキシ４１３０が隣接領域４１５０に忍び寄るのを抑制する。

ポケットおよび隣接領域を特徴とする任意の上記の実施形態では、導電性エポキシなどの追加の導電性接着材料は、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の接点に機械的および電気的に接続するために、実装され得る。例えば、センサ１３８は、上記のようにポケットに取り付けられ、図２１Ａ～２１Ｄに記載されるように、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に取り付けられ、電気的に接続され得る。いくつかの実施形態では、センサ１３８は、最初にポケットに取り付けられ、次いでエレクトロニクスアセンブリ基板に取り付けられる。他の実施形態では、センサ１３８は、最初にエレクトロニクスアセンブリ基板に取り付けられ、次いでポケットに取り付けられる。

ウェアラブル送信機のポケット内の接続されたセンサ上の不動態化層を利用すること
前述のウェアラブル分析物センサ送信機アセンブリ５００、６００は、望ましくない湿気の侵入の結果として、その中に配置された回路内の漏れ電流に対して脆弱であり得る。そのような漏れ電流は、そのような送信機のアナログフロントエンド（ＡＦＥ）の長期の熱および湿度テスト中に検出され得る。したがって、湿気がＡＦＥによって受信される信号に干渉するのを防ぐことが望ましくあり得る。例示的な解決策は、以下の図２８Ａ～２８Ｃに関連して記載されている。

図２８Ａは、例えば、図６Ａ～６Ｃに前述したように、開口部６２６を有する下部ハウジング６２２と、開口部６２６内に配置され、少なくとも一部が開口部内に配置され、１つ以上の導電性接点（例えば、導電性接点３２４、３３４）によってエレクトロニクスアセンブリ基板６３０（図２８Ａ～２８Ｃには示されていない）に直接接続されているセンサ１３８と、を備えるウェアラブルアセンブリ６００の斜視図を示す。図２８Ａはさらに、開口部６２６によって形成され、その中に配置されたセンサ１３８の少なくとも近位部分を有する、貫通孔１８０およびセンサ１３８の内側および／または遠位部分を有する空洞の第２の部分から、空洞の第１の部分を分離するダム部２８０６を図示する。ダム部２８０６は、センサ１３８が通過するように構成される狭いギャップ２８０８を有することが示されている。

図２８Ｂに示されるように、電気的および湿気不動態化層２８０２は、任意の適切な方法、例えば、真空堆積、インクジェット印刷、３Ｄ印刷、スパッタリング、化学蒸着、または他の任意の適切な堆積技術を利用して、センサ１３８の少なくとも近位部分および空洞の第１の部分内に配置されたハウジング６２２の少なくとも一部の上面に適用されることができる。

不動態化層２８０２が適用されると、開口部６２６によって形成され、センサ１３８の少なくとも近位部分を含有する空洞の第１の部分は、少なくともセンサ１３８の近位部分の機械的固定および保護のためのエポキシまたは他の適切な材料で充填されることができる。加えて、または代替として、空洞の第１の部分をエポキシで充填するために、例えば、図７Ａ～１０に関連して前述したように、キャップは、開口部６２６の上に配置されることができる。図２８Ａ～２８Ｃは、ダム部２８０６が下部ハウジング６２２の一部であることを示しているが、本開示は、そのように限定されず、そのようなダム部は、少なくとも図７Ａ～１０に関連して前述されたように、開口部６２６内、上、または上に配置されるキャップの一部であり得る。

ウェアラブル５００、６００の回路への湿気の侵入を防ぐまたは実質的に低減するために利用され得る別の不動態化技術が図２９に示されている。図に示されるように、下部ハウジング６２２は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０を受け取るように構成された成形形状を有し得る。１つ以上の電気接続をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に直接接続するのではなく、複数の接点、導電性トレース層、および不動態化層は、それらの電気接続が下にあるエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／またはセンサ１３８を湿気の侵入から封止および保護しながら、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０のレベルよりも高いレベルで行われることができるように、連続的に堆積され得る。

例えば、１つ以上の電気接点、導電性パック、または他の導電性構造２９０２ａは、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０上の適切な位置に堆積されることができる。１つ以上の導電性トレース層２９０４は、接点２９０２ａおよび下部ハウジング６２２の一部に堆積されることができる。いくつかの実施形態では、導電性トレース層２９０４は、接点２９０２ａおよびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０のいずれかまたは両方よりも横方向に大きく延在する。次いで、複数の不動態化層２９０６、２９０８は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の少なくとも残りの露出部分および導電性トレース層２９０４の一部の上に堆積されることができ、それによって、外部環境からの湿気の侵入からエレクトロニクスアセンブリ基板６３０および／またはセンサ１３８をから封止および不動態化する。いくつかの実施形態では、不動態化層２９０６、２９０８は、互いに異なる不動態化材料、例えば、コンフォーマルコーティング、ＵＶ硬化性接着剤、スパッタ金属（例えば、アルミニウム）、薄い金属コーティング、ポリマー（例えば、ポリエチレン）、エラストマー、セラミックまたはその他の任意の適切な材料を含み得る。１つ以上の電気接点、導電性パックまたは他の導電性構造２９０２ｂは、導電性トレース層２９０４上の適切な露出位置に堆積されることができ、１つ以上の追加の導電性トレース層２９１２は、接点２９０２ｂおよび不動態化層２９０６、２９０８の上に堆積されることができる。いくつかの実施形態では、導電性トレース層２９１２は、接点２９０２ｂから横方向に延在し、その結果、１つ以上の電気接続は、接点２９０２ｂから横方向に除去された導電性トレース層２９１２上の位置で行われることができる。次いで、１つ以上の追加の不動態化層２９１４、２９１６は、下にある不動態化および導電層だけでなく、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０も機械的および湿気関連の損傷から封止および保護するために、下にある層の上に堆積されることができる。

ＵＶエポキシ充填および封止なしでハウジング空洞を密閉すること
いくつかの実施形態では、ハウジング６２２の空洞を封止することができ、その中に配置された電子回路は、空洞を硬化性エポキシで充填する必要なしに湿気の侵入を形成することが望まれ得る。したがって、いくつかの解決策は、図３０Ａ～３３に関連して以下に記載されている。

図３０Ａは、いくつかの実施形態による、熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２を含むウェアラブルアセンブリ６００と、熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００６を含む嵌合キャップ３００４との平面図を図示する。図３０Ｂは、図３０Ａの切断線Ａ－Ａ’に沿って見た、ウェアラブルアセンブリ６００の側面断面図、およびウェアラブルアセンブリ６００に固定するために配置された嵌合キャップ３００４を図示する。

ウェアラブルアセンブリ６００は、下部ハウジング６２２内に空洞を形成する開口部６２６を含む下部ハウジング６２２を備える。この空洞の第１の部分は、センサ１３８の少なくとも近位部分を収容するように構成され、一方、この空洞の第２の部分は、センサアプリケータ針が通過するように構成される貫通孔１８０を備える。熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２は、開口部６２６によって形成された空洞の第１の部分の周りに部分的または完全に配置されている。図３０Ｂに示されるように、熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２は、空洞の第１の部分に配置されたセンサ１３８の少なくとも近位部分を取り囲んでいる。センサ１３８は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に電気的に接続され、熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２のスリット（図示せず）を通過ものとしてさらに示され、それによって、貫通孔１８０を有する空洞の第２の部分に延在する。図３０Ｂは、電子センサアセンブリ６３０がセンサ１３８の近位部分と同じ空洞内にあることを図示するが、本開示は、そのように限定されない。代替的に、電子センサアセンブリ６３０は、センサ１３８の近位部分とは異なるハウジング６２２内の空洞内に配置されることができ、ハウジング６２２の少なくとも一部によってセンサ１３８から分離され得、それを通して、１つ以上の導電性接点（例えば、図３Ｄの接点３２４、３３４）は、センサ１３８とエレクトロニクスアセンブリ基板６３０との間の直接電気接続を提供することができる（例えば、図６Ａ～６Ｃを参照）。

図３０Ｂにさらに示されるように、キャップ３００４上に配置された熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００６は、キャップ３００４が適切に配置されているときにセンサ１３８が通過するように構成されている空洞の第２の部分に隣接または当接する熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２の一部に当接するように構成されている。ウェアラブルアセンブリ６００の下部ハウジング６２２上にキャップ３００４を適切に配置すると、熱は、キャップ３００４および下部ハウジング６２２のそれぞれの部分に対して熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２、３００６を溶融するために、例えばレーザーによって、熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２、３００６に加えられ得、それによって、少なくともセンサ１３８の近位部分を湿気の侵入から収容する開口部６２６によって形成された空洞の少なくとも第１の部分を溶接および封止する。他の利点の中でも、熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２、３００６を溶融することによって提供される封止は耐湿性であるため、空洞内の硬化性エポキシ封止（少なくとも図６Ａ～１０に関連して前述したように）は、必要ではなく、排除され、製造の複雑さが軽減される。

ここで、別の解決策は、以下の図３１に関連して記載される。図３１は、いくつかの実施形態による、ウェアラブルアセンブリ６００の下部ハウジング６２２の一部およびオーバーモールドキャップ３１００の側面断面図を図示する。示されるように、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、下部ハウジング６２２の形状内に置かれるように構成されている。接点３２４、３３４は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０上に配置されている。センサ１３８は、センサのそれぞれの部分が接点３２４、３３４（例えば、少なくとも図３Ｄに関連して前述したように、それぞれの接点２１１ｂおよび２１２ｂ）と物理的および電気的に接触するように、接点３２４、３３４の上に配置されている。エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、センサ１３８の少なくとも近位部分と同じ空洞内に配置されるように示されているが、本開示は、そのように限定されず、ハウジング６２２の少なくとも一部は、センサ１３８の近位部分が配置されている（例えば、図６Ａ～６Ｃを参照のこと）空洞からエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を物理的に分離することができる。そのような実施形態では、接点３２４、３３４は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０を物理的に分離してセンサ１３８と電気的に接触させるハウジング６２２の部分を通って延在することができる。

図３１はさらに、ベース材料３１０２、例えば、ポリカーボネート、プラスチック、金属、または封止を維持するのに適切な強度を有する任意の他の材料を含むキャップまたはオーバーモールドキャップ３１００を示す。オーバーモールドキャップ３１００は、導電性エラストマーパック３１０６および３１０８がその中に存在するかまたははめ込まれる複数の空洞を有する絶縁および封止材料３１０４をさらに含む。いくつかの実施形態では、空洞および導電性エラストマーパック３１０６、３１０８は、実質的に円筒形形状を有し得る。しかしながら、本開示は、そのように限定されるものではなく、任意の形状も考えられる。いくつかの実施形態では、絶縁および封止材料３１０４の一部は、ベース材料３１０２の対向する表面と導電性エラストマーパック３１０６および３１０８との間に直接配置されている。オーバーモールドキャップ３１００がハウジング６２２の空洞の上および／または内部に配置されると、導電性エラストマーパック３１０６および３１０８は、センサ１３８の部分に対して、および接点３２４、３３４を押し付け、それによって、センサ１３８の部分をそれぞれの接点３２４、３３４に固定する。示されていないが、いくつかの実施形態では、導電性エラストマーパック３１０６および３１０８は、それぞれ、接点３２４および３３４に隣接して配置され得、センサ１３８は、接点３２４および３３４の反対側の導電性エラストマーパック３１０６および３１０８に隣接して配置され得ることが考えられる。そのような実施形態では、導電性エラストマーパック３１０６は、一方の側でセンサ１３８の第１の電極に対して押し付け得、他方の側でキャップ３１００に対して押し付け得る。導電性エラストマーパック３１０８は、一方の側でセンサ１３８の第２の電極に対して押し付け得、他方の側でキャップ３１００に対して押し付け得る。さらに、他の実施形態では、導電性エラストマーパック３１０６および３１０８は、それぞれ２つの半分から構成され得、センサ１３８の一部は、パック３１０６または３１０８の２つの半分、またはパック３１０６および３１０８の半分の両方の対の間に存在し得る。さらに、他の実施形態では、接点３２４および３３４のうちの１つ以上は、接点内に形成されたギャップを有し得ることが考えられる。そのような実施形態では、導電性エラストマーパック３１０６および３１０８のうちの少なくとも１つは、接点３２４または３３４のいずれかのギャップ内に（例えば、押し付けばめ、または摩擦ばめを介して）存在し得る。

図３１に示すように、絶縁および封止材料３１０４は、空洞接点３２４、３３４およびセンサワイヤ１３８の接触部分を充填するか、または少なくとも部分的に充填し、湿気の侵入からそれらを封止するように構成されている。他の利点の中でも、図３１による実施形態は、硬化性エポキシ分配および硬化ステップ、導電性エポキシ分配および硬化ステップ、および潜在的に、センサ１３８に関連する余分なひずみ緩和ステップを除去することができ、それによって、製造の複雑さを軽減する。

ここで、さらに別の解決策は、以下の図３２に関連して記載される。図３２は、いくつかの実施形態による、ウェアラブルアセンブリ６００の下部ハウジング６２２の一部およびオーバーモールドキャップ３２００の側面断面図を図示する。示されるように、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、下部ハウジング６２２の形状内に置かれるように構成されている。接点３２４、３３４は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０上に配置されている。センサ１３８は、センサのそれぞれの部分が接点３２４、３３４（例えば、少なくとも図３Ｄに関連して前述したように、それぞれの接点２１１ｂおよび２１２ｂ）と物理的および電気的に接触するように、接点３２４、３３４の上に配置されている。エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、センサ１３８の少なくとも近位部分と同じ空洞内に配置されるように示されているが、本開示は、そのように限定されず、ハウジング６２２の少なくとも一部は、センサ１３８の近位部分が配置されている（例えば、図６Ａ～６Ｃを参照のこと）空洞からエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を物理的に分離することができる。そのような実施形態では、接点３２４、３３４は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０を物理的に分離してセンサ１３８と電気的に接触させるハウジング６２２の部分を通って延在することができる。

図３２はさらに、ベース材料３２０２、例えば、ポリカーボネート、プラスチック、金属、または封止を維持するのに適切な強度を有する任意の他の材料を含むオーバーモールドキャップ３２００を示す。ベース材料３２０２は、オーバーモールドキャップ３２００が適切に配置されたときに、接点３２４、３３４の上に横方向に位置合わせされるように構成された位置に複数の開口部または穴３２１６、３２１８を有するものとして示されている。オーバーモールドキャップ３２００は、オーバーモールドキャップ３２００が適切に配置されたときに接点３２４、３３４の真上に配置されるように構成された複数の空洞３２１０、３２１２を有する絶縁および封止材料３２０４をさらに含む。空洞３２１０、３２１２は、オーバーモールドキャップ３２００が適切に配置された後、注入針を介して穴３２１６、３２１８を通じて、および針貫通線３２１４の線に沿って絶縁および封止材料３２０４を介して導電性エポキシ３２０６、３２０８のそれぞれの注入を受け取るように構成されている。したがって、穴３２１６、３２１８はまた、第１および第２の空洞３２０６、３２０８と横方向に位置合わせされている。さらに、図に示されるように、封止材料３２０４の少なくとも一部は、第１の穴３２１６を第１の空洞３２１０から、第２の穴３２１８を第２の空洞３２１２から物理的に隔離する。いくつかの実施形態では、空洞３２１０、３２１２および導電性エポキシ注入３２０６、３２０８は、実質的に円錐形状を有し得る。しかしながら、本開示は、そのように限定されるものではなく、任意の形状も考えられる。

オーバーモールドキャップ３２００がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０上に配置されると、空洞３２１０、３２１２は、接点３２４、３３４の上に直接位置合わせする。絶縁および封止材料３２０４は、センサ１３８の部分および接点３２４、３３４を押し付け、それによって、センサ１３８の部分をそれらのそれぞれの接点３２４、３３４に保持し、空洞３２１０、３２１２を実質的に封止する。したがって、針の先端が空洞３２０６、３２０８に突き刺さるまで、針が針貫通線３２１４に沿って開口部３２１６、３２１８で絶縁および封止材料３２０４を通して押し付けられ、導電性エポキシ３２０６および３２０８が続いて空洞３２０６、３２０８に注入されるとき、導電性エポキシ３２０６および３２０８は、導電性エポキシ３２０６および３２０８がそうでなければ、接点３２４、３３４を実質的に超えて横方向にオーバーフローすることが許された場合、空洞３２０６、３２０８内に含有され、望ましくない短絡の可能性を排除する。加えて、いくつかの実施形態では、硬化するために加熱を必要としない導電性エポキシは、センサ１３８への熱曝露および関連する損傷が低減されるように、利用されることができる。絶縁および封止材料３２０４は、接点３２４、３３４およびセンサ１３８の接触部分を湿気の侵入からさらに封止する。

他の利点の中でも、図３２による実施形態は、硬化性エポキシ分配および硬化ステップ、および潜在的に、センサ１３８に関連する余分なひずみ緩和ステップを除去することができ、それによって、製造の複雑さを軽減する。

上記の実施形態に関する製造方法
センサキャリアを利用せずにウェアラブル送信機アセンブリのプリント回路基板に直接接続された分析物センサを有する分析物検知装置および／またはハウジングを製造するいくつかの例示的な方法は、図３３～３７に関連して以下に提供されている。

本明細書で開示される方法は、説明された方法を達成するための１つ以上のステップまたはアクションを含む。本方法のステップおよび／またはアクションは、特許請求の範囲から逸脱することなく互いに交換されてもよい。言い換えれば、ステップまたはアクションの特定の順序が指定されない限り、特定のステップおよび／またはアクションの順序および／または使用は、特許請求の範囲から逸脱することなく修正されてもよい。

ここで、分析物検知装置および／またはシステムを製作するための例示的な方法３３００は、図３３に関連して以下で記載されることになる。方法３３００は、図７Ａ～１０および２８Ａ～２９に関連する上記の記載に少なくとも対応し得る。

ブロック３３０２は、ハウジング内に第１の部分および第２の部分を有する空洞を画定する開口部を備えるハウジングを形成することを含む。例えば、図６Ａ～１０に関連して前述したように、下部ハウジング６２２は、下部ハウジング６２２に第１の部分７５２および第２の部分７５４を有する空洞７５０を画定する開口部６２６を含むように形成されることができる。

ブロック３３０４は、空洞の第１の部分に第１の導電性接点および第２の導電性接点を配置することを含む。例えば、第１の導電性接点３２４および第２の導電性接点３３４は、空洞７５２の第１の部分７５２に配置されることができる。

ブロック３３０６は、分析物センサの第１の電極を第１の導電性接点に電気的に結合することを含む。例えば、分析物センサ１３８の第１の電極２１１ｂは、第１の導電性接点３２４に直接電気的に結合されることができる。

ブロック３３０８は、分析物センサの第２の電極を第２の導電性接点に電気的に結合することを含む。例えば、分析物センサ１３８の第２の電極２１２ｂは、第２の導電性接点３３４に直接電気的に結合されることができる。

ブロック３３１０は、第１の部分および第２の部分、開口部に面するように構成されたキャップの側面に配置されたダム部、ダム部に隣接する棚部、および棚部に配置された適合構成要素、を備えるキャップを形成することを含む。例えば、図７Ａ～７Ｃおよび９に関連して前述したように、キャップ７００、９００は、第１の部分７１０、９１０および第２の部分７２０、９２０と、開口部６２６に面するように構成されたキャップ７００、９００の側面に配置されたダム部７３０、９３０と、ダム部７３０に隣接する棚部７３２と、棚部７３２上に配置された適合構成要素７４０、９４０と、を含むように形成されることができる。

図７Ａ～７Ｃに関連して前述したように、キャップ７００の第１の部分７１０およびキャップ７００の第２の部分７２０は、同一平面上にあり、単一の部品から形成されることができる。図９に関連して前述したように、キャップ９００の第１の部分９１０は、第１の平面に沿って延在することができ、キャップ９００の第２の部分９２０は、第１の平面とは異なる第２の平面に沿って延在することができ、ダム部９３０は、第１の平面と第２の平面との間に延在し、キャップ９００の第１の部分９１０をキャップ９００の第２の部分９２０と接続するキャップ９００の少なくともいくつかを備えることができ、キャップ９００の第２の部分９２０の少なくとも一部は、適合構成要素９４０が置かれる棚部を備えることができる。

ブロック３３１２は、キャップの第１の部分が、空洞の第１の部分の上に配置され、ダム部が、空洞の第１の部分を空洞の第２の部分から物理的に分割し、適合構成要素が、分析物センサの部分に対して、かつ空洞内のハウジングの表面に対して押し付け、それによって、空洞の第１の部分を空洞の第２の部分から封止しているように、開口部上に、または開口部内にキャップをはめ込むことを含む。例えば、キャップ７００、９００は、キャップ７００、９００の第１の部分７１０、９１０が空洞７５０の第１の部分７５２の上に配置され、ダム部７３０、９３０が空洞７５０の第１の部分７５２を空洞７５０の第２の部分７５４から物理的に分割し、適合構成要素７４０、９４０が分析物センサ１３８の一部に対して、および空洞７５０内の下部ハウジング６２２の表面に対して押し付けるように、開口部６２６上に、または開口部内にはめ込むことができ、それによって、空洞７５０の第２の部分７５４から空洞７５０の第１の部分７５２を封止する。

いくつかの実施形態では、方法３３００は、ハウジング６２２内にエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を配置することをさらに含み得、第１の導電性接点３２４および第２の導電性接点３３４は、エレクトロニクスアセンブリ基板から空洞７５０の第１の部分７５２に延在する。

いくつかの実施形態では、キャップ７００、９００の第１の部分７１０、９１０は、第１の穴７０２、９０２を含むことができ、方法３３００は、例えば、密封封止剤６２８、９２８を、第１の穴７０２、９０２を通して空洞７５０の第１の部分７５２に堆積させることをさらに含むことができ、それによって、分析物センサ１３８の少なくとも一部を湿気の侵入から封止する。

いくつかの実施形態では、キャップ７００、９００の第１の部分７１０、９１０は、第２の穴７０４、９０４を含むことができ、方法３３００は、例えば、過剰の密封封止剤６２８、９２８を空洞７５０の第１の部分７５２から第２の穴７０４、９０４を通じて流出させることをさらに含むことができる。

いくつかの実施形態では、ダム部７３０、９３０は、空洞７５０内の下部ハウジング６２２の一部に接触することができる。いくつかの実施形態では、適合構成要素７４０、９４０は、発泡体またはゴム材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、適合構成要素７４０、９４０は、密封封止剤６２８、９２８が空洞７５０の第２の部分７５４に流入するのを防ぐことができる。

いくつかの実施形態では、キャップ７００は、空洞７５０の第２の部分７５４上に配置された第２の部分７２０、９２０を備えることができる。いくつかの他の実施形態では、キャップ９００は、空洞７５０の第２の部分７５４に隣接して配置された第２の部分９２０を備えることができる。いくつかの実施形態では、キャップ７００の第２の部分７１０は、スロット７２２を備えることができ、方法３３００は、例えば、分析物センサ１３８の少なくとも一部をスロット７２２を通過させることをさらに含むことができる。

いくつかの実施形態では、キャップ７００、９００の外向き表面は、下部ハウジング６２２の外向き表面と面一ではめ込むことができる。いくつかの他の実施形態では、キャップ７００、９００の外向き表面は、下部ハウジング６２２の外向き表面と比較して凹んだ位置にはめ込むことができる。さらに他の実施形態では、キャップ７００、９００は、下部ハウジング６２２の外向き表面に配置されることができる。

いくつかの実施形態では、方法３３００は、例えば、つま先特徴、スナップ特徴、摩擦ばめ特徴、および感圧接着剤のうちの少なくとも１つを利用して、キャップ７００、９００を下部ハウジング６２２に固定することをさらに含むことができる。

いくつかの実施形態では、キャップ７００、９００は、紫外線照射に対して実質的に透明な材料を含み、方法３３００は、例えば、密封封止剤６２８、９２８をキャップ７００、９００を通して紫外線照射に曝露することによって、密封封止剤６２８、９２８を硬化させることをさらに含むことができる。

いくつかの実施形態では、方法３３００は、図８Ａ～８Ｃに関連して前述したように、接着パッチの製造および／または適用をさらに関与することができる。方法３３００は、例えば、接着パッチ１２６の第１の接着部分９０２を利用してキャップ７００、９００を下部ハウジング６２２に固定することをさらに含み得、接着パッチ１２６は、第１の接着部分８０２およびウェアラブルアセンブリ６００をホストの皮膚に接着するように構成された第２の接着部分８０４をさらに備える。方法３３００は、例えば、キャップ７００、９００が下部ハウジング６２２の開口部６２６上に、または開口部内にはめ込まれる前に、接着パッチ１２６の第１の接着部分８０２をキャップ７００、９００に固定することをさらに含むことができる。第１の接着部分８０２は、キャップ７００、９００が接着パッチ１２６の第１の接着部分８０２に固定されているとき、キャップ７００、９００内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも穴８８０ａを含むことができる。第２の接着部分８０４は、キャップ７００、９００が接着パッチ１２６の第２の接着部分８０４に固定されているとき、キャップ７００、９００内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも穴８８０ｂを含むことができる。

いくつかの実施形態では、図２８Ａ～２９に関連して記載するように、方法３３００は、例えば、分析物センサ１３８の少なくとも一部の上に少なくとも１つの不動態化層２８０２、２９０６、２９０８を堆積することをさらに含むことができ、それによって、センサ１３８の部分への湿気の侵入を防ぐ。方法３３００は、不動態化層２９０６、２９０８上に１つ以上の導電性トレース２９０４、２９１２を堆積することと、導電性トレース２９０４、２９１２を第１の導電性接点３２４および第２の導電性接点３３４、例えば、図２９の接点２９０２ａとして潜在的に図示されている一方または両方のうちの１つ以上に電気的に結合することと、をさらに含むことができる。

ここで、分析物検知装置および／またはシステムを製作するための例示的な方法３４００は、図３４に関連して以下で記載されることになる。方法３４００は、図１１Ａ～２０に関連する上記の記載に少なくとも対応し得る。

ブロック３４０２は、ハウジングを製造することを含む。例えば、下部ハウジング６２２は、図１１Ａ～２０に関連して前述したように形成されることができる。

ブロック３４０４は、ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置することを含む。例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、ハウジング６２２内に配置されることができる。

ブロック３４０６は、少なくとも第１の屈曲部を有する細長い本体を備える分析物センサを、ハウジングおよびエレクトロニクスアセンブリ基板のうちの少なくとも１つに結合することを含む。例えば、分析物センサ１３８は、ハウジング６２２およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０のうちの少なくとも１つに結合することができ、図１１Ａ～２０に関連して前述したように、少なくとも第１の屈曲部１１０２ａ～ｃ、１２０２、１３０２、１４０２、１５０２、１６０２、１７０２、１８０２、１９０２または２００２を有する細長い本体を備える。

いくつかの実施形態では、方法３４００は、図１１Ａ～２０に関連して前述したように、センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して所望の配向に配置および／または保持するためにセンサ１３８に１つ以上の屈曲部を提供することをさらに関与することができる。

方法３４００は、例えば、第１の屈曲部１２０２、１３０２の遠位にある細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行に延在するように、分析物センサ１３８に第１の屈曲部１２０２、１３０２を形成することをさらに含むことができ、第１の屈曲部１２０２、１３０２に近位する細長い本体の部分は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に垂直に、および少なくとも部分的にエレクトロニクスアセンブリ基板６３０内に延在する。いくつかの実施形態では、下部ハウジング６２２は、凹部１２１６を含むことができ、方法３４００は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０を通って凹部１２０６内に第１の屈曲部１２０２に近位する細長い本体の部分の少なくともいくつかをさらに延長することを含むことができる。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部１３０２に近位する細長い本体の部分は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の部分に対してバイアス力Ｆ_ｂｉａｓを及ぼし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に関して所望の配向に分析物センサ１３８を固定する。

いくつかの実施形態では、方法３４００は、例えば、第１の屈曲部１４０２、１５０２、１６０２の遠位にある細長い本体の部分がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行に延在するように、分析物センサ１３８に第１の屈曲部１４０２、１５０２、１６０２を形成することをさらに含むことができ、第１の屈曲部１４０２、１５０２、１６０２に近位する細長い本体の部分は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に垂直に、およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０から離れて延在する。下部ハウジング６２２は、下部ハウジング６２２の側壁に凹部１４１６をさらに含むことができ、方法３４００は、凹部１４１６内の第１の屈曲部１４０２、１５０２、１６０２に近位する細長い本体の部分の少なくともいくつかをさらに延在することを含むことができ、それによって、分析物センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して所望の配向に拘束する。いくつかの実施形態では、第１の屈曲部１５０２に近位する細長い本体の部分は、下部ハウジング６２２の部分に対してバイアス力を及ぼし、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して所望の配向に分析物センサ１３８を固定する。

いくつかの実施形態では、方法３４００は、追加の屈曲部１６０６、１６０８、１６１０が、第１の屈曲部１６０２の近位および追加の屈曲部１６０６、１６０８、１６１０の遠位にある細長い本体の少なくとも第１の部分が凹部１４１６内の第１の方向に延在し、凹部１４１６に沿った第１の場所で第１のバイアス力Ｆ_ｂｉａｓを及ぼし、細長い本体の少なくとも第２の部分は、第１の屈曲部１６０２に近位し、追加の屈曲部１６０６、１６０８、１６１０に近位する凹部１４１６内で第２の方向に延在し、凹部１４１６に沿った第２の場所に第２のバイアス力Ｆ_ｂｉａｓを及ぼすように、第１の屈曲部１６０２の近位する分析物センサ１３８に少なくとも１つの追加の屈曲部１６０６、１６０８、１６１０を形成することをさらに含むことができ、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して所望の配向に分析物センサ１３８を固定する。

いくつかの実施形態では、方法３４００は、第１の屈曲部１７０２、１８０２、１９０２、２００２に遠位する細長い本体の部分が、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行な第１の方向に延在するように、分析物センサ１３８において第１の屈曲部１７０２、１８０２、１９０２、２００２を形成することをさらに含むことができ、第１の屈曲部１７０２、１８０２、１９０２、２００２に近位する細長い本体の部分は、第１の方向とは異なるが、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面にも実質的に平行である第２の方向に延在する。

いくつかの実施形態では、方法３４００は、追加の屈曲部１８０４、１８０６が、細長い本体の少なくとも第１の部分が第１の屈曲部１８０２に近位し追加の屈曲部１８０４、１８０６に遠位する第２の方向に延在し、下部ハウジング６２２およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０のうちの１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力Ｆ_ｂｉａｓを及ぼし、第１の屈曲部１８０２に近位し追加の屈曲部１８０４、１８０６に近位する細長い本体の少なくとも第２の部分が、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行な第３方向に延在し、下部ハウジング６２２およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０のうちの１つに沿って第２の位置で第２のバイアス力Ｆ_ｂｉａｓを及ぼすように、第１の屈曲部１８０２に近位の分析物センサ１３８に少なくとも１つの追加の屈曲部１８０４１８０６を形成することをさらに含むことができ、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して所望の配向に分析物センサ１３８を固定する。

いくつかの実施形態では、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、支柱１９１２を含むことができ、方法３４００は、第１の屈曲部１９０２の遠位にある細長い本体の部分が、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の平面に実質的に平行な第１の方向に延在し、第１の屈曲部１９０２に近位の細長い本体の部分は、実質的に支柱１９１２の周囲に沿って延在するように、分析物センサにおいて第１の屈曲部１９０２を形成することをさらに含むことができ、それによって、分析物センサ１３８をエレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して所望の配向に固定する。

いくつかの実施形態では、第１の屈曲部２００２の遠位にある細長い本体の部分は、下部ハウジング６２２およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力Ｆ１を発揮し、それによって、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に関して所望の配向に分析物センサ１３８を固定する。第１の屈曲部２００２は、下部ハウジング６２２およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０のうちの１つに沿った第２の場所に第２のバイアス力Ｆ２を及ぼすことができ、それによって、分析物センサ１３８を所望の配向にさらに固定する。第１の屈曲部２００２の近位の細長い本体の部分は、下部ハウジング６２２およびエレクトロニクスアセンブリ基板６３０のうちの１つに沿った第３の場所で第３のバイアス力Ｆ３を発揮することができ、それによって、分析物センサ１３８を所望の配向にさらに固定する。いくつかの実施形態では、第２のバイアス力Ｆ２は、第３のバイアス力Ｆ３とは実質的に反対方向に加えられ、第１のバイアス力Ｆ１は、第２のバイアス力Ｆ２および第３のバイアス力Ｆ３のそれぞれに対して実質的に垂直な方向に加えられ、第１の屈曲部２００２は、第１の屈曲部２００２の遠位にある細長い本体の部分を第１の場所に対して押す第１の屈曲部２００２についての第１のトルクを提供し、および／または第１の屈曲部２００２は、第１の屈曲部２００２の近位の細長い本体の部分を第３の場所に対し押す第１の屈曲部２００２についての第２のトルクを提供する。

ここで、分析物検知装置および／またはシステムを製作するための例示的な方法３５００は、図３５に関連して以下で記載されることになる。

ブロック３５０２は、第１の部分および第２の部分を有する空洞を含むハウジングを形成することを含む。例えば、図６Ａ～１０に関連して前述したように、下部ハウジング６２２は、第１の部分７５２および第２の部分７５４を有する空洞７５０を含んで形成されることができる。

ブロック３５０４は、第１の導電性接点の第１の側に隣接する空洞の第１の部分に第１のダム部を形成することを含む。例えば、第１のダム部２１１２は、第１の導電性接点３３４の第１の側に隣接する空洞の第１の部分に形成されることができる。

ブロック３５０６は、第１の側の反対側の第１の導電性接点の第２の側面に隣接する空洞の第１の部分に第２のダム部を形成することであって、第１のダム部および第２のダム部が、第１の導電性接点を包含する第１の井戸部を画定する、形成することを含む。例えば、第２のダム部２１１４は、第１の側の反対側の第１の導電性接点３３４の第２の側に隣接する空洞の第１の部分に形成されることができる。第１のダム部２１１２および第２のダム部２１１４は、第１の導電性接点３３４を包含する第１の井戸部２１０２を画定する。

ブロック３５０８は、第１のダム部および第２のダム部に分析物センサを配置することを含む。例えば、分析物センサ１３８は、第１のダム部２１１２および第２のダム部２１１４に配置されることができる。

ブロック３５１０は、分析物センサの第１の電極を第１の導電性接点に結合することを含む。例えば、分析物センサ１３８の第１の電極２１２ｂは、第１の導電性接点３３４に結合されることができる。

ブロック３５１２は、分析物センサの第２の電極を第２の導電性接点に結合することを含む。例えば、分析物センサ１３８の第２の電極２１１ｂは、第２の導電性接点３２４に結合されることができる。

いくつかの実施形態では、方法３５００は、第１および第２の導電性接点が、エレクトロニクスアセンブリ基板から空洞の第１の部分の中に延在する、ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置することをさらに含むことができる。例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、ハウジング６２２内に配置されることができ、第１および第２の導電性接点３２４、３３４は、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０から空洞の第１の部分に延在する（例えば、図６Ａ～６Ｃおよび２１Ａ～２１Ｄを参照）。

いくつかの実施形態では、第１のダム部２１１２および第２のダム部２１１４の各々は、傾斜断面を含み、分析物センサ１３８が、第１のダム部２１１２の傾斜断面の最下点上に、および第２のダム部２１１４の傾斜断面の最下点上に置かれることができる。傾斜断面は、三角形に凹んだ、放物線状に凹んだ、半円形に凹んだ、または双曲線的に凹んだ断面のうちの１つであることができる。

いくつかの実施形態では、方法３５００は、第１の井戸部２１０２内の第１の導電性接点３３４の少なくとも一部の上に導電性エポキシ２１２２を配置することをさらに含むことができる。分析物センサ１３８の第１の電極２１２ｂが、第１のダム部２１１２および第２のダム部２１１４に配置されたときに導電性エポキシ２１２２との直接物理的および電気的に接触しているように、導電性エポキシ２１２２は、少なくとも第１のダム部２１１２の傾斜断面の最下点の、または第２のダム部２１１４の傾斜断面の最下点の高さまで配置されている。

ここで、分析物検知装置のハウジングを製作するための例示的な方法３６００は、図３６に関連して以下で記載されることになる。方法３６００は、図２２～２７に関連する上記の記載に少なくとも対応し得る。

ブロック３６０２は、第１のポケットベースを有するハウジング内に第１のポケットを形成することを含む。例えば、下部ハウジング６２２は、少なくとも図６Ａ～１０に関連して前述したように形成されることができ、図２２～２７に関連して前述したように、第１のポケットベース２４０５ａ～ｃを有する第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａがハウジング６２２内に形成されることができる。

ブロック３６０４は、第１のポケットの第１の側に当接するハウジング内に第１の隣接領域を形成することであって、第１の隣接領域が、第１の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、形成することを含む。例えば、第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａの第１の側に当接する第１の隣接領域２４１０ａ～ｃ、２７１０ａは、ハウジング６２２内に形成されることができる。第１の隣接領域２４１０ａ～ｃ、２７１０ａは、第１の隣接領域ベース２４１５ａ～ｃと、第１のポケットベース２４０５ａ～ｃと第１の隣接領域ベース２４１５ａ～ｃとの間の第１の遷移２４０４ａ～ｃとを有することができる。

ブロック３６０８は、第１のポケットの第２の側に当接するハウジング内に第２の隣接領域を形成することであって、第２の隣接領域が、第２の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、形成することと、を含む。例えば、第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａ～ｂの第２の側に当接する第２の隣接領域２４２０ａ～ｃ、２７２０は、ハウジング６２２内に形成されることができる。第２の隣接領域２４２０ａ～ｃ、２７２０は、第２の隣接領域ベース２４２５ａ～ｃと、第１のポケットベース２４０５ａ～ｃと第２の隣接領域ベース２４２０ａ～ｃとの間の第２の遷移２４０６ａ～ｃとを有することができる。

いくつかの実施形態では、方法３６００は、ハウジング６２２内にエレクトロニクスアセンブリ基板６３０を配置することをさらに含むことができる。

いくつかの実施形態では、第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａが実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａは、実質的に矩形形状（例えば、２３００ａ）、ダイヤモンド形状（例えば、２３００ｃ）、または多角形形状（例えば、２３００ｃ）のいずれかの形状を有することができる。代替的に、第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａの側壁の部分が実質的に平面であるが、実質的に平面部分を接続する側壁の他の部分は湾曲しているように、第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａは、実質的に丸みを帯びた矩形形状、丸みを帯びたダイヤモンド形状、または丸みを帯びた多角形形状の（例えば、２３００ｂ）のいずれかの形状を有することができる。

いくつかの実施形態では、図２２の少なくともコールアウト「Ｆ」および図２４および２５の「ステップアップ」図に関連して記載されるように、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１の遷移２２０４ｆ、２４０４ｃおよび第２の遷移２２０６ｆ、２４０６ｃのうちの少なくとも１つが第１のポケットベースからステップアップするように、第１のポケットベースと比較して高い高さ「ｈ」で配置されている。いくつかの実施形態では、高い高さ「ｈ」は、およそ０．５ミリメートルである。いくつかの実施形態では、第１の所定量のエポキシ２４３０ｃは、第１および第２の遷移２４０４ｃ、２４０６ｃで上向きに屈折するメニスカス２４３２ｃを形成し、高い高さ「ｈ」は、上向きに屈折するメニスカス２４３２ｃの高さを超える。いくつかの実施形態では、高い高さ「ｈ」は、第１の所定の量と、エポキシ２４３０ｃの粘度、表面エネルギーおよび表面張力特性のうちの少なくとも１つとの関数である。

いくつかの実施形態では、図２２の少なくともコールアウト「Ｐ」および図２４および２５の「面一」図に関連して記載されるように、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１の遷移２２０４ｐ、２４０４ｂおよび第２の遷移２２０６ｐ、２４０６ｂのうちの少なくとも１つが第１のポケットベースと面一になるように、第１のポケットベースと同じ高さで配置されている。

いくつかの実施形態では、図２２の少なくともコールアウト「Ｅ」、図２４および２５、ならびに図２７の「ステップダウン」図に関連して記載されるように、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１の遷移２２０４ｅ、２４０４ａおよび第２の遷移２２０６ｅ、２４０６ａのうちの少なくとも１つが第１のポケットベースからステップダウンするように、第１のポケットベースと比較して低い方の高さ「ｈ」で配置されている。いくつかの実施形態では、低い方の高さ「ｈ」は、およそ０．５ミリメートルである。いくつかの実施形態では、第１の所定量のエポキシ２４３０ａは、第１および第２の遷移２４０４ａ、２４０６ａで下向きに屈折するメニスカス２４３２ａを形成し、それによって、エポキシ２４３０ａを第１および第２の遷移２４０４ａ、２４０６ａのうちの少なくとも１つに接着させ、エポキシ２４３０ｃが第１の２２１０ｅ、２４１０ａ、２７１０ａおよび第２の２２２０ｅ、２４２０ａ、２７２０の隣接領域に忍び寄ることから防ぐ。

いくつかの実施形態では、第１の隣接領域２４１０ａ～ｃ、２７１０ａおよび第２の隣接領域２４２０ａ～ｃ、２７２０は、ポケットについて上記の任意の形状を有することができる。いくつかの実施形態では、第１のポケット２４００ａ～ｃの１つ以上の側壁２４０２ａ～ｃは、第１のポケットベースに実質的に垂直に、代替的に第１のポケットベースに実質的に垂直からある角度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の隣接領域２４１０ａ～ｃ、２４２０ａ～ｃの１つ以上の側壁２４１２ａ～ｃ、２４２２ａ～ｃは、それぞれの第１および第２の隣接領域ベースに実質的に垂直に、代替的に、第１および第２の隣接領域ベースに実質的に垂直からある角度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の遷移２４０４ａ～ｃ、２４０６ａ～ｃの１つ以上の側壁２４０８ｃは、第１のポケットベースに実質的に垂直に、代替的に第１のポケットベースに実質的に垂直からある角度で配置されている。いくつかの実施形態では、第１および第２の遷移２４０４ａ～ｃ、２４０６ａ～ｃのうちの少なくとも１つの側壁２４０８ｃは、第１および第２の遷移２４０４ａ～ｃ、２４０６ａ～ｃで角度の付いた角が形成されないように丸みを帯びている。

いくつかの実施形態では、第１の遷移２４０４ａ～ｃの第１の幅および第２の遷移２４０６ａ～ｃの第２の幅は、実質的に０．５ｍｍおよび２．０ｍｍの範囲内にある。いくつかの実施形態では、第１の遷移２４０４ａ～ｃの第１の幅は、第２の遷移２４０６ａ～ｃの第２の幅よりも大きい。他のいくつかの実施形態では、第１の遷移２４０４ａ～ｃの第１の幅は、第２の遷移２４０６ａ～ｃの第２の幅よりも小さい。

いくつかの実施形態では、方法３６００は、例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０の第１の隣接領域２７１０ａまたは第２の隣接領域２７２０に導電性接点３２４、３３４を配置することをさらに含むことができる。いくつかの実施形態では、分析物センサ１３８は、第１の電極２１１ｂおよび第２の電極２１２ｂを備え、方法３６００は、例えば、分析物センサ１３８をハウジング６２２上に配置し、第１の電極２１１ｂおよび第２の電極２１２ｂの少なくとも１つを導電性接点３２４、３３４で電気的に接続することをさらに含むことができる。

いくつかの実施形態では、少なくとも図２７に関連して前述したように、方法３６００は、例えば、支柱２７１２を第１の隣接領域２７１０ｂまたは第２の隣接領域２７２０に配置し、第２の所定量のエポキシを支柱２７１２に配置し、支柱２７１２上の第２の所定量のエポキシに分析物センサ１３８の一部を配置することをさらに含むことができる。第２の所定量のエポキシは、分析物センサ１３８が支柱２７１２の中心線に実質的に沿って位置合わせされるように、その中に配置された分析物センサ１３８の部分上にセンタリング力を及ぼす。支柱２７１２は、支柱２７１２の中心線に関して実質的に対称的形状を有することができる。

いくつかの実施形態では、方法３６００は、ポケットベースに第１の表面エネルギーを提供し、第１の隣接領域ベースに第１の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーを提供することをさらに含むことができる。例えば、図４０Ａ～４０Ｂに関連して前述したように、ポケットベース４００５ａ～ｂは、第１の表面エネルギーを有することができ、第１の隣接領域ベース４０１５ａ～ｂは、第１の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーを有することができる。

いくつかの実施形態では、方法３６００は、第２の隣接領域ベースに、第１および第２の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーと、第３の表面エネルギーとのうちの１つを提供することをさらに含むことができる。例えば、図４０Ａ～４０Ｂに関連して前述したように、第２の隣接領域ベース４０２５ａ～ｂは、第１および第２の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーおよび第３の表面エネルギーのうちの１つを有することができる。

ここで、分析物検知装置および／またはシステムを製作するための例示的な方法３７００は、図３７に関連して以下で記載されることになる。方法３７００は、図２２～２７に関連する上記の記載に少なくとも対応し得る。

ブロック３７０２は、第１のポケットベースを有する第１のポケット、第１のポケットの第１の側に当接する第１の隣接領域であって、第１の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、第１の隣接領域、第１のポケットの第２の側に当接する第２の隣接領域であって、第２の隣接領域ベースと、第１のポケットベースと第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、第２の隣接領域、および第１の隣接領域または第２の隣接領域に配置された導電性接点、を備えるハウジングを形成することを含む。例えば、下部ハウジング６２２は、少なくとも図６Ａ～１０に関連して前述したように形成されることができ、図２２～２７に関連して前述したように、第１のポケットベース２４０５ａ～ｃを有する第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａがハウジング６２２内に形成されることができる。第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａの第１の側に当接する第１の隣接領域２４１０ａ～ｃ、２７１０ａは、ハウジング６２２内に形成されることができる。第１の隣接領域２４１０ａ～ｃ、２７１０ａは、第１の隣接領域ベース２４１５ａ～ｃと、第１のポケットベース２４０５ａ～ｃと第１の隣接領域ベース２４１５ａ～ｃとの間の第１の遷移２４０４ａ～ｃとを有することができる。第１のポケット２４００ａ～ｃ、２７００ａ～ｂの第２の側に当接する第２の隣接領域２４２０ａ～ｃ、２７２０は、ハウジング６２２内に形成されることができる。第２の隣接領域２４２０ａ～ｃ、２７２０は、第２の隣接領域ベース２４２５ａ～ｃと、第１のポケットベース２４０５ａ～ｃと第２の隣接領域ベース２４２０ａ～ｃとの間の第２の遷移２４０６ａ～ｃとを有することができる。導電性接点３２４、３３４は、第１の隣接領域２４１０ａ～ｃまたは第２の隣接領域２４２０ａ～ｃに配置されることができる。

ブロック３７０４は、ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置し、エレクトロニクスアセンブリ基板を導電性接点に電気的に結合することを含む。例えば、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、ハウジング６２２内に配置されることができ、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０は、導電性接点３２４、３３４に電気的に結合されることができる。

ブロック３７０６は、導電性接点と電気的に連絡している少なくとも１つの電極を備える分析物センサを配置することを含む。例えば、分析物センサ１３８は、導電性接点３２４、３４４と電気的に通信して配置されることができる少なくとも１つの電極２１１ｂ、２１２ｂを備える。

ブロック３７０８は、第１のポケットベース上に配置されたエポキシを配置することであって、分析物センサの少なくとも一部を第１のポケットベースに固定する、エポキシを配置することを含む。例えば、エポキシは、エポキシが分析物センサ１３８の少なくとも一部を第１のポケットベース２４０５ａ～ｃに固定するように、第１のポケットベース２４０５ａ～ｃに配置されることができる。

いくつかの実施形態では、図２２の少なくともコールアウト「Ｆ」および図２４および２５の「ステップアップ」図に関連して記載されるように、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１の遷移２２０４ｆ、２４０４ｃおよび第２の遷移２２０６ｆ、２４０６ｃのうちの少なくとも１つが第１のポケットベースからステップアップするように、第１のポケットベースと比較して高い高さ「ｈ」で配置されている。いくつかの実施形態では、第１の所定量のエポキシ２４３０ｃは、第１および第２の遷移２４０４ｃ、２４０６ｃで上向きに屈折するメニスカス２４３２ｃを形成し、高い高さ「ｈ」は、上向きに屈折するメニスカス２４３２ｃの高さを超える。

いくつかの実施形態では、図２２の少なくともコールアウト「Ｅ」、図２４および２５、ならびに図２７の「ステップダウン」図に関連して記載されるように、第１の隣接領域ベースおよび第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つは、第１の遷移２２０４ｅ、２４０４ａおよび第２の遷移２２０６ｅ、２４０６ａのうちの少なくとも１つが第１のポケットベースからステップダウンするように、第１のポケットベースと比較して低い方の高さ「ｈ」で配置されている。いくつかの実施形態では、第１の所定量のエポキシ２４３０ａは、第１および第２の遷移２４０４ａ、２４０６ａで下向きに屈折するメニスカス２４３２ａを形成し、それによって、エポキシ２４３０ａを第１および第２の遷移２４０４ａ、２４０６ａのうちの少なくとも１つに接着させ、エポキシ２４３０ｃが第１の２２１０ｅ、２４１０ａ、２７１０ａおよび第２の２２２０ｅ、２４２０ａ、２７２０の隣接領域に忍び寄ることから防ぐ。

ここで、分析物検知装置および／またはシステムを製作するための例示的な方法３８００は、図３８に関連して以下で記載されることになる。方法３８００は、少なくとも図３０Ａ～３０Ｂに関連して前述した実施形態に対応し得る。

ブロック３８０２は、ハウジング内に第１の部分および第２の部分を有する空洞を画定する開口部を備えるハウジングを形成することを含む。例えば、図６Ａ～１０に関連して前述したように、下部ハウジング６２２は、下部ハウジング６２２に第１の部分７５２および第２の部分７５４を有する空洞７５０を画定する開口部６２６を含むように形成されることができる。

ブロック３８０４は、空洞の第１の部分の周囲に沿って第１の熱封止可能な熱可塑性エラストマーを配置することを含む。例えば、第１の熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２は、空洞７５０の第１の部分７５２の周囲に沿って配置されることができる。

ブロック３８０６は、空洞の第１の部分内に分析物センサの少なくとも一部を配置することを含む。例えば、分析物センサ１３８の少なくとも近位部分は、空洞７５０の第１の部分７５２内に配置されることができる。

ブロック３８１０は、開口部上に、または開口部内で、および空洞の第１の部分の上にキャップをはめ込むことを含み、キャップが、空洞の第１の部分と第２の部分との間の境界の上に配置されたキャップの少なくとも一部に沿って第２の熱封止可能な熱可塑性エラストマーを含む。例えば、キャップ３００４は、空洞７５０の第１の７５２部分と第２の７５４部分との間の境界上に配置されたキャップ３００４の少なくとも一部に沿った第２の熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００６を含むことができる。キャップ３００４は、開口部６２６上に、または開口部６２６内、ならびに空洞７５０の第１の部分７５２の上にはめ込まれることができる。

ブロック３８１２は、第１および第２の熱封止可能な熱可塑性エラストマーを溶融することを含み、それによって、湿気の侵入から空洞の第１の部分を封止する。例えば、第１の３００２および第２の３００６熱封止可能な熱可塑性エラストマーは、例えば、レーザーまたは同様の熱源への曝露によって溶融されることができ、それによって、空洞７５０の第１の部分７５２を湿気の侵入から防ぐ。いくつかの実施形態では、空洞７５０の第１の７５２部分と第２の７５４部分との間の境界は、第１の熱封止可能な熱可塑性エラストマー３００２の一部を含む。

ここで、分析物検知装置および／またはシステムを製作するための例示的な方法は、図３９に関連して以下で記載されることになる。方法３９００は、少なくとも図３１および３２に関連して以前に論じられた実施形態に対応し得る。

ブロック３９０２は、ハウジング内のハウジング空洞を画定する開口部を含むハウジングを形成することを含む。例えば、下部ハウジング６２２は、下部ハウジング６２２内の空洞７５０を画定する開口部６２６を含むように形成されることができる。

ブロック３９０４は、第１の導電性接点および第２の導電性接点をハウジング空洞内に配置することを含む。例えば、第１の導電性接点３２４および第２の導電性接点３３４は、空洞７５０内に配置されることができる。

ブロック３９０６は、分析物センサの第１の電極を第１の導電性接点上に配置することを含む。例えば、分析物センサ１３８の第１の電極２１１ｂは、第１の導電性接点３２４上に配置されることができる。

ブロック３９０８は、分析物センサの第２の電極を第２の導電性接点上に配置することを含む。例えば、分析物センサ１３８の第２の電極２１２ｂは、第２の導電性接点３３４上に配置されることができる。

ブロック３９１０は、第１の空洞および第２の空洞を含むベースおよび封止材料を含むキャップを提供することを含む。例えば、キャップ３１００、３２００は、第１の空洞および第２の空洞を含むベース３１０２、３２０２および封止材料２１０４、３２０４を含むことができる。

ブロック３９１２は、封止材料が、ハウジング空洞を少なくとも部分的に充填し、ハウジングに対して押し付け、第１の空洞が、第１の電極および第１の導電性接点の上で位置合わせし、第２の空洞が、第２の電極および第２の導電性接点の上で位置合わせするように、開口部上に、または開口部内にキャップをはめ込むことを含む。例えば、キャップ３１００、３２００は、封止材料３１０４、３２０４がエレクトロニクスアセンブリ基板６３０の上の空洞７５０を充填または部分的に充填し、エレクトロニクスアセンブリ基板６３０に対して押し付けるように、開口部６２６上に、または開口部６２６内にはめ込むことができ、第１の空洞は第１の電極２１１ｂ上に位置合わせし、第１の導電性接点３２４、および第２の空洞は、第２の電極２１２ｂおよび第２の導電性接点３３４上に位置合わせする。

いくつかの実施形態では、方法３９００は、キャップ３１００を開口部６２６上に、または開口部６２６内にはめ込む前に、第１の導電性エラストマーパック３１０６を第１の空洞に配置し、第２の導電性エラストマーパック３１０８を第２の空洞に配置することをさらに含み得る。第１の導電性エラストマーパック３１０６は、キャップ３１００が開口部６２６上、または開口部６２６内にはめ込まれたときに第１の電極２１１ｂおよび第１の導電性接点３２４に対して押し付けるように構成され、それによって、第１の電極２１１ｂを第１の導電性接点３２４に固定する。第２の導電性エラストマーパック３１０８は、キャップ３１００が開口部６２６上、または開口部６２６内にはめ込まれたときに第２の電極２１２ｂおよび第２の導電性接点３３４に対して押し付けるように構成され、それによって、第２の電極２１２ｂを第２の導電性接点３３４に固定する。いくつかの実施形態では、第１および第２の導電性エラストマーパック３１０６、３１０８は、実質的に円筒形形状を有する。

いくつかの実施形態では、キャップ３２００のベース３２０２は、第１の空洞３２１０と横方向に位置合わせする少なくとも第１の穴３２１６と、第２の空洞３２１２と横方向に位置合わせする第２の穴３２１８とをさらに含む。封止材料３２０４の少なくとも一部は、第１の穴３２１６を第１の空洞３２１０から、第２の穴３２１８を第２の空洞３２１２から物理的に隔離する。いくつかの実施形態では、方法３９００は、導電性エポキシ３２０６を第１の穴３２１６および封止材料３２０４の部分を通して第１の空洞３２１０に注入することであって、それによって、第１の電極２１１ｂを第１の導電性接点３２４に電気的に接続する、注入することと、導電性エポキシ３２０８を第２の穴３２１８および封止材料３２０４の部分を通して第２の空洞３２１２に注入することであって、それによって、第２の電極２１２ｂを第２の導電性接点３３４に電気的に接続する、注入することと、をさらに含み得る。いくつかの実施形態では、第１および第２の空洞３２１０、３２１２は、実質的に円錐形形状を有する。

いくつかの図に示されている要素間の接続は、例示的な通信経路を示している。要素間での情報交換をさらに容易にするために、直接または仲介物を介した追加の通信経路を含めてもよい。通信経路は、要素が情報を交換できるようにする双方向通信経路であってもよい。

上述の方法の様々な動作は、様々なハードウェアおよび／またはソフトウェア構成要素、回路、および／またはモジュールなど、動作を実行できる任意の適切な手段によって行われてもよい。概して、図に示されているいずれの動作も、動作を実行できる対応する機能的手段によって実行されてもよい。

本開示に関連して記載される様々な例示的な論理ブロック、モジュール、および回路（図２のブロックなど）は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ信号（ＦＰＧＡ）もしくは他のプログラマブルロジックデバイス（ＰＬＤ）、ディスクリートゲートもしくはトランジスタロジック、ディスクリートハードウェア構成要素、またはここで記載する機能を実行するように設計されたそれらの任意の組み合わせで、実装されるか実行され得る。プロセッサは、マイクロプロセッサでもよいが、代わりに、プロセッサは、任意の市販のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、またはステートマシンでもよい。プロセッサはまた、コンピューティングデバイスの組み合わせ、例えば、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連携する１つ以上のマイクロプロセッサ、または任意の他のそのような構成として実装されてもよい。

１つ以上の態様では、記載される様々な機能は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、またはそれらの任意の組み合わせで実装され得る。ソフトウェアで実装される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の１つ以上の命令またはコードとして格納または送信されてもよい。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体と、ある場所から別の場所へのコンピュータプログラムの転送を容易にする任意の媒体を含む通信媒体との両方を含む。記憶媒体は、コンピュータからアクセスできる任意の利用可能な媒体である。限定ではなく例として、そのようなコンピュータ可読媒体は、様々な種類のＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＤ－ＲＯＭまたは他の光ディスクストレージ、磁気ディスクストレージもしくは他の磁気ストレージ、または命令またはデータ構造の形式で所望のプログラムコードを実行または格納するのに使用できかつコンピュータからアクセスできる任意の他の媒体を含むことができる。また、いずれの接続も、コンピュータ可読媒体と適切に呼ばれる。例えば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、または赤外線、ラジオ、およびマイクロ波などの無線技術を使用して、ウェブサイト、サーバ、またはその他のリモートソースから送信される場合、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、ＤＳＬ、または赤外線、ラジオ、ＷｉＦｉ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＲＦＩＤ、ＮＦＣ、マイクロ波などのワイヤレステクノロジーが媒体の定義に含まれる。本明細書で使用される場合、ディスク（ｄｉｓｋ）とディスク（ｄｉｓｃ）は、コンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）、光ディスク、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）、フロッピーディスク、およびブルーレイ（登録商標）ディスクを含み、ここで、ディスク（ｄｉｓｋ）は、通常磁気的にデータを再生するが、ディスク（ｄｉｓｃ）は、レーザーで光学的にデータを再生する。したがって、いくつかの態様では、コンピュータ可読媒体は、非一時的コンピュータ可読媒体（例えば、有形媒体）を含んでもよい。加えて、いくつかの態様では、コンピュータ可読媒体は、一時的なコンピュータ可読媒体（例えば、信号）を含んでもよい。上記の組み合わせも、コンピュータ可読媒体の範囲内に含まれるべきである。

特定の態様は、本明細書に提示される動作を実行するためのコンピュータプログラム製品を含んでもよい。例えば、そのようなコンピュータプログラム製品は、命令が格納（および／または符号化）されるコンピュータ可読媒体を含んでもよく、命令は、本明細書に記載の動作を実行するために１つ以上のプロセッサにより実行可能である。特定の態様では、コンピュータプログラム製品は包装材料を含んでもよい。

ソフトウェアまたは命令は、伝送媒体を介して送信してもよい。例えば、ソフトウェアが、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、デジタル加入者線（ＤＳＬ）、または赤外線、無線、およびマイクロ波などの無線技術を使用して、ウェブサイト、サーバ、またはその他のリモートソースから送信される場合、同軸ケーブル、光ファイバケーブル、ツイストペア、ＤＳＬ、または赤外線、無線、マイクロ波などの無線技術が伝送媒体の定義に含まれる。

さらに、本明細書に記載の方法および技術を実行するためのモジュールおよび／または他の適切な手段は、ユーザ端末および／または基地局によって適宜ダウンロードおよび／または別の方法で取得できることを理解されたい。例えば、そのようなデバイスは、本明細書で説明される方法を実行するための手段の転送を容易にするためにサーバに結合され得る。あるいは、本明細書で説明する様々な方法は、記憶手段（例えば、ＲＡＭ、ＲＯＭ、コンパクトディスク（ＣＤ）またはフロッピーディスクなどの物理記憶媒体など）を介して提供することができ、ユーザ端末および／または基地局は記憶手段をデバイスに結合または提供すると、様々な方法を取得することができる。さらに、本明細書に記載の方法および技術をデバイスに提供するための任意の他の適切な技術を利用することができる。

特許請求の範囲は、上に示した正確な構成および構成要素に限定されないことを理解されたい。特許請求の範囲から逸脱することなく、上記の方法および装置の配置、動作、および詳細において、様々な修正、変更、および変形を行うことができる。

特に定義しない限り、すべての用語（専門用語および科学用語を含む）は、その通常の、かつ慣例的な意味が当業者に示されるものであり、本明細書でそのように明示的に定義されない限り、特別な、またはカスタマイズされた意味に限定されるものではない。本開示のある特定の特徴または態様を記載するときの特定の用語の使用が、その用語が本明細書で再定義されて、その用語が関連する本開示の特徴または態様の任意の特定の特性を含むように制限されていることを暗示すると解釈されるべきではないことに留意されたい。特に添付の特許請求の範囲において、本出願で使用される用語および句ならびにその変化形は、特に明示されない限り、限定的とは対照的に非限定的と解釈されるべきである。上記の例として、「含むこと」という用語は、「制限なく含むこと」、「挙げられるが、これらに限定されないこと」などを意味すると解釈されるべきであり、「備えること」という用語は、本明細書で使用される場合、「含むこと」、「含有すること」、または「特徴とすること」と同義的であり、包括的または非限定的であり、追加の列挙されていない要素または方法ステップを除外せず、「有すること」という用語は、「少なくとも有すること」と解釈されるべきであり、「含む」という用語は、「挙げられるが、これらに限定されない」と解釈されるべきであり、「実施例」という用語は、考察における事項の包括的または限定的なリストではなく、その例示的な例を提供するために使用され、「既知の」、「通常の」、「標準的な」、および同様の意味の用語などの形容詞は、記載される事項を所与の期間に、または所与の時点において利用可能な事項に制限すると解釈されるべきではなく、むしろ、現在または今後いかなるときでも利用可能であり得るか、または既知であり得る既知の、通常の、または標準的な技術を包含すると解釈されるべきであり、「好ましくは」、「好ましい」、「所望の」、または「望ましい」、および同様の意味の用語などの用語の使用は、ある特定の特徴が本発明の構造または機能にとって重大、本質的、または重要でさえあることを暗示すると理解されるべきではなく、むしろ、本発明の特定の実施形態で利用されても、またはされなくてもよい代替または追加の特徴を強調することを単に意図するべきである。同様に、「および」という接続詞で連結された事項の群は、それらの事項の１つ１つがその群内に存在することを必要とすると解釈されるべきではなく、むしろ、特に明記しない限り、「および／または」と解釈されるべきである。同様に、「または」という接続詞で連結された事項の群は、その群間の相互排他性を必要とすると解釈されるべきではなく、むしろ、特に明記しない限り、「および／または」と解釈されるべきである。

値の範囲が提供される場合、上限および下限ならびにその範囲の上限および下限の間の各介在値が実施形態内に包含されることが理解される。

本明細書の実質的に任意の複数形および／または単数形の用語の使用に関して、当業者は、文脈および／または用途に適切であるように、複数形から単数形に、および／または単数形から複数形に変換することができる。様々な単数形／複数形の置換は、明確にするために本明細書において明示的に記載され得る。不定冠詞「ａ」または「ａｎ」は、複数形を除外しない。単一のプロセッサまたは他のユニットが、特許請求の範囲に記述されるいくつかの事項の機能を達成し得る。ある特定の手段が相互に異なる従属請求項に列挙されるという単なる事実は、これらの手段の組み合わせが利益を得るために使用できないことを示すわけではない。特許請求の範囲の引用符号は、範囲を制限すると解釈されるべきではない。

導入された請求項の記述において特定の数が意図される場合、そのような意図が、その請求項中に明確に記述され、かつそのような記述がない場合は、そのような意図が存在しないことが、当業者によってさらに理解されるであろう。例えば、理解を補助するために、以下の添付の特許請求の範囲は、特許請求項の記述を導入するために、導入句「少なくとも１つの」および「１つ以上の」の使用を含み得る。しかしながら、そのような句の使用は、同一の特許請求項が、導入句「１つ以上の」または「少なくとも１つの」および「ａ」または「ａｎ」などの不定冠詞を含むときでさえ、不定冠詞「ａ」または「ａｎ」による特許請求項の記述の導入が、そのような導入された特許請求項の記述を包含する特定の特許請求項を、そのような記述を１つのみ含む実施形態に制限することを暗示すると解釈されるべきではなく（例えば、「ａ」および／または「ａｎ」は、典型的には、「少なくとも１つの」または「１つ以上の」を意味すると解釈されるべきであり）、それは、特許請求項の記述を導入するために使用される定冠詞の使用にも当てはまる。加えて、導入された特許請求項の記述の特定の数が明示的に記述される場合でさえ、当業者は、そのような記述が、典型的には、少なくともその記述された数を意味すると解釈されるべきであることを認識するであろう（例えば、他の修飾語句なしの「２つの記述」の単なる記述は、典型的には、少なくとも２つの記述、または２つ以上の記述を意味する）。さらに、「Ａ、Ｂ、およびＣなどのうちの少なくとも１つ」に類似の慣習的表現が使用される場合、概して、そのような構造は、例えば、単独の要素を含んだ列挙した事項の任意の組み合わせを含むものとして、当業者がその慣習的表現を理解するであろうという意味で意図される（例えば、「Ａ、Ｂ、およびＣのうちの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａ単独、Ｂ単独、Ｃ単独、ＡおよびＢ、ＡおよびＣ、ＢおよびＣ、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣなどを有するシステムを含むがこれらに限定されない）。「Ａ、Ｂ、またはＣなどのうちの少なくとも１つ」に類似の慣習的表現が使用される場合、概して、そのような構造は、当業者がその慣習的表現を理解するであろうという意味で意図される（例えば、「Ａ、Ｂ、またはＣのうちの少なくとも１つを有するシステム」は、Ａ単独、Ｂ単独、Ｃ単独、ＡおよびＢ、ＡおよびＣ、ＢおよびＣ、ならびに／またはＡ、Ｂ、およびＣなどを有するシステムを含むがこれらに限定されない）。２つ以上の代替用語を示す実質的にいかなる離接語および／または句も、本明細書、特許請求の範囲、または図面におけるかどうかにかかわらず、用語のうちの１つ、用語のうちのいずれか、または両方の用語を含む可能性が考えられると理解されるべきであることが、当業者によってさらに理解されるであろう。例えば、「ＡまたはＢ」という句は、「Ａ」または「Ｂ」または「ＡおよびＢ」の可能性を含むと理解される。

本明細書で使用される成分の量、反応条件などを表すすべての数字は、「約」という用語によってすべての場合に修正されるものとして理解されるべきである。したがって、そうでないことが示されない限り、本明細書に記載される数値パラメータは、得ようとする所望の特性に応じて変化し得る近似値である。最低限でも、かつ本出願に対する優先権を主張する任意の出願における任意の請求項の範囲への同等物の原則の適用を制限する試みとしてではなく、各数値パラメータは、有意な桁数および通常の四捨五入法を考慮して解釈されるべきである。

本明細書に列挙されるすべての参考文献は、参照によりそれらの全体が本明細書に組み込まれる。参照により組み込まれる刊行物および特許または特許出願が、本明細書に含まれる開示と矛盾する程度まで、本明細書は、任意のそのような矛盾する資料に取って代わり、かつ／または優先することが意図される。

本明細書には、参照および様々なセクションの場所の特定を助けるために見出しが含まれている。これらの見出しは、それに関して説明される概念の範囲を制限することを意図するものではない。そのような概念は、明細書全体を通して適用可能あり得る。

さらに、上記が明確さおよび理解の目的で例示および実施例としてある程度詳細に記載されてきたが、ある特定の変更および修正が実施され得ることが、当業者には明らかである。したがって、説明および実施例は、本発明の範囲を本明細書に記載される特定の実施形態および実施例に制限すると解釈されるべきではなく、むしろ、本発明の真の範囲および趣旨に入るすべての修正物および代替物も包含すると解釈されるべきである。

記載される様々なシステムおよび方法は、任意の数のコンピューティングデバイスで完全に実施および／または制御され得る。典型的には、命令は、一般的に非一時的なコンピュータ可読媒体上に配置され、これらの命令は、コンピューティングデバイス内のプロセッサが本発明の方法を実施できるようにするのに十分である。コンピュータ可読媒体は、実行時にランダムアクセスメモリに展開される命令を有するハードドライブまたはソリッドステートストレージであってもよい。例えば、複数のユーザまたは任意の一人のユーザからのアプリケーションへの入力は、任意の数の適切なコンピュータ入力デバイスによるものであってもよい。例えば、ユーザはキーボード、マウス、タッチスクリーン、ジョイスティック、トラックパッド、その他のポインティングデバイス、またはその他のコンピュータ入力デバイスを使用して、計算に関連するデータを入力してもよい。データは、挿入されたメモリチップ、ハードドライブ、フラッシュドライブ、フラッシュメモリ、光メディア、磁気メディア、またはその他の種類のファイル－記憶媒体を介して入力され得る。出力は、ユーザが見る可能性のあるディスプレイに接続されたビデオグラフィックカードまたは統合グラフィックチップセットによってユーザに配信されてもよい。あるいは、プリンタを使用して結果のハードコピーを出力してもよい。この教示が与えられると、任意の他の有形の出力も本発明によって考えられることが理解されるであろう。例えば、出力は、メモリチップ、ハードドライブ、フラッシュドライブ、フラッシュメモリ、光学メディア、磁気メディア、またはその他の出力に格納されてもよい。本発明は、例えば、パーソナルコンピュータ、ラップトップコンピュータ、ノートブックコンピュータ、ネットブックコンピュータ、ハンドヘルドコンピュータ、携帯情報端末、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、およびこれらの目的のために特に設計されたデバイスなど、任意の数の異なるタイプのコンピューティングデバイスで実施し得ることに留意されたい。一実装態様では、スマートフォンまたはｗｉ－ｆｉ接続デバイスのユーザは、ワイヤレスインターネット接続を使用して、サーバからアプリケーションのコピーをデバイスにダウンロードする。適切な認証手順および安全な取引プロセスにより、売り手への支払いを提供してもよい。アプリケーションは、モバイル接続、またはＷｉＦｉもしくは他のワイヤレスネットワーク接続を介してダウンロードしてもよい。その後、ユーザがアプリケーションを実行してもよい。そのようなネットワーク化されたシステムは、複数のユーザがシステムおよび方法に別々の入力を提供する実装態様に適したコンピューティング環境を提供してもよい。工場での較正スキームが考えられている以下のシステムでは、複数の入力は、複数のユーザが関連データを同時に入力できるようにし得る。

Claims

分析物検知装置であって、
空洞を含むハウジングであって、前記空洞が、第１の部分および第２の部分を含む、ハウジングと、
前記空洞の前記第１の部分内に配置された第１の導電性接点および第２の導電性接点と、
分析物センサであって、
細長い本体、
前記第１の導電性接点と電気的に連絡している第１の電極、および
前記第２の導電性接点と電気的に連絡している第２の電極、を備える、分析物センサと、
前記空洞上に、または前記空洞内にはめ込むように構成されたキャップであって、前記キャップが、
前記空洞の前記第１の部分の上に配置されるように構成された第１の部分、
第２の部分、
前記空洞に面するように構成された前記キャップの側面に配置されたダム部であって、前記空洞の前記第１の部分を前記空洞の前記第２の部分から分割する、ダム部、
前記ダム部に隣接して配置された棚部、および
前記空洞の前記第２の部分から前記空洞の前記第１の部分を封止するように構成された適合構成要素、を備える、キャップと、を備える、装置。
前記ハウジング内に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板をさらに備え、前記第１の導電性接点および前記第２の導電性接点が、前記エレクトロニクスアセンブリ基板から前記空洞の前記第１の部分の中に延在する、請求項１に記載の装置。
前記適合構成要素が、前記棚部上に配置されており、前記分析物センサの部分に対して、かつ前記空洞内の前記ハウジングの表面に対して押し付けるように構成され、それによって、前記空洞の前記第１の部分を前記空洞の前記第２の部分から封止している、請求項１に記載の装置。
前記キャップの前記第１の部分が、湿気の侵入から前記分析物センサの少なくとも一部を封止する密封封止剤を前記空洞の前記第１の部分の中に受け取るように構成された第１の穴を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
前記キャップの前記第１の部分が、過剰の密封封止剤が前記空洞の前記第１の部分から流出することを可能にするように構成された第２の穴を含む、請求項４に記載の装置。
前記適合構成要素が、前記密封封止剤が前記空洞の前記第２の部分の中に流入することから防ぐ、請求項４または５に記載の装置。
前記キャップの前記第２の部分が、前記空洞の前記第２の部分の上に配置されるように構成されている、請求項１に記載の装置。
前記キャップの前記第２の部分が、前記分析物センサの少なくとも一部が前記キャップを通過することを可能にするように構成されたスロットを備える、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
前記キャップの外向き表面が、前記ハウジングの外向き表面と面一ではめ込むように構成されている、請求項１に記載の装置。
前記キャップの外向き表面が、前記ハウジングの外向き表面と比較して凹んだ位置にはめ込むように構成されている、請求項１に記載の装置。
前記キャップが、前記ハウジングの外向き表面上に配置されている、請求項１に記載の装置。
前記キャップが、つま先特徴、スナップ特徴、摩擦ばめ特徴、および感圧接着剤のうちの少なくとも１つを利用して前記空洞に固定されている、請求項１に記載の装置。
前記キャップの前記第１の部分および前記キャップの前記第２の部分が、同一平面上にあり、単一の部品から形成されている、請求項１に記載の装置。
前記密封封止剤が、紫外線照射への曝露に基づいて硬化するように構成された硬化性封止剤であり、前記キャップが、前記紫外線照射に対して実質的に透明な材料を含む、請求項４に記載の装置。
前記ダム部が、前記空洞内の前記ハウジングの部分に接触するように構成されている、請求項１に記載の装置。
前記適合材料が、発泡体またはゴム材料を含む、請求項１に記載の装置。
前記キャップを前記ハウジングに固定し、同時に前記ハウジングに接着するように構成された第１の接着部分と、
前記第１の接着部分およびウェアラブルアセンブリをホストの皮膚に接着するように構成された第２の接着部分と、を含む接着パッチをさらに備える、請求項１から１６のいずれか一項に記載の装置。
前記キャップが、前記ハウジングの前記空洞上に、または前記空洞内にはめ込まれる前に、前記キャップが前記接着パッチの前記第１の接着部分に固定されている、請求項１７に記載の装置。
前記第１の接着部分が、前記キャップが前記接着パッチの前記第１の接着部分に固定されているときに、前記キャップ内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも１つの穴を含む、請求項１７に記載の装置。
前記接着パッチの前記第２の接着部分が、前記接着パッチの前記第１の接着部分とは別のライナー上に最初に配置されている、請求項１７～１９のいずれか一項に記載の装置。
前記第２の接着部分が、前記キャップが前記接着パッチの前記第２の接着部分に固定されているときに、前記キャップ内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも１つの穴を含む、請求項１７～１９のいずれか一項に記載の装置。
前記キャップの前記第２の部分が、前記空洞の前記第２の部分に隣接して配置されるように構成されている、請求項１から２１のいずれか一項に記載の装置。
前記キャップの前記第１の部分が、第１の平面に沿って延在し、
前記キャップの前記第２の部分が、前記第１の平面とは異なる第２の平面に沿って延在し、
前記ダム部が、前記第１の平面と前記第２の平面との間に延在し、前記キャップの前記第１の部分を前記キャップの前記第２の部分と接続する前記キャップの少なくとも一部を含み、
前記キャップの前記第２の部分の少なくともいくつかが、前記棚部を備える、請求項１から２２のいずれか一項に記載の装置。
分析物検知装置であって、
ハウジングと、
前記ハウジング内に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板と、
少なくとも第１の屈曲部を有する細長い本体を備える分析物センサと、を備える、装置。
前記第１の屈曲部が、前記第１の屈曲部の遠位にある前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行に延在し、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の前記平面に実質的に垂直であり少なくとも部分的に前記エレクトロニクスアセンブリ基板の中に延在するように配向されている、請求項２４に記載の装置。
前記ハウジングが、凹部を含み、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の前記部分の少なくともいくつかが、前記エレクトロニクスアセンブリ基板を通って前記凹部の中に延在する、請求項２５に記載の装置。
前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の前記部分が、前記エレクトロニクスアセンブリ基板の部分に対してバイアス力を及ぼし、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項２５または２６に記載の装置。
前記第１の屈曲部が、前記第１の屈曲部の遠位にある前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行に延在し、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の前記平面に実質的に垂直であり前記エレクトロニクスアセンブリ基板から離れて延在するように配向されている、請求項２４に記載の装置。
前記ハウジングが、前記ハウジングの側壁に凹部をさらに含み、前記細長い本体の前記部分の少なくともいくつかが前記凹部内に延在する前記第１の屈曲部に近位し、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを拘束する、請求項２８に記載の装置。
前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の前記部分が、前記ハウジングの部分に対してバイアス力を及ぼし、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項２８に記載の装置。
前記分析物センサの前記細長い本体が、前記第１の屈曲部に近位する少なくとも１つの追加の屈曲部を含み、前記少なくとも１つの追加の屈曲部が、
前記第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも前記１つの追加の屈曲部に遠位する前記細長い本体の前記部分の少なくとも第１の一部が、前記凹部内の第１の方向に延在し、前記凹部に沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼすことと、
前記第１の屈曲部に近位し、かつ前記少なくとも１つの追加の屈曲部に近位する前記細長い本体の前記部分の少なくとも第２の一部が、前記凹部内の第２の方向に延在し、前記凹部に沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼすことと、を引き起こし、
それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項２９に記載の装置。
前記第１の屈曲部が、前記第１の屈曲部の遠位にある前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第１の方向に延在し、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の部分が前記第１の方向とは異なるが前記エレクトロニクスアセンブリ基板の前記平面に実質的に平行でもある第２の方向に延在するように配向されている、請求項２４～３１のいずれか一項に記載の装置。
前記分析物センサの前記細長い本体が、前記第１の屈曲部に近位する少なくとも１つの追加の屈曲部を含み、前記少なくとも１つの追加の屈曲部が、
前記第１の屈曲部に近位し、かつ前記少なくとも１つの追加の屈曲部に遠位する前記細長い本体の前記部分の少なくとも第１の一部が、前記第２の方向に延在し、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼすことと、
前記第１の屈曲部に近位し、かつ前記少なくとも１つの追加の屈曲部に近位する前記細長い本体の前記部分の少なくとも第２の一部が、前記エレクトロニクスアセンブリ基板の前記平面に実質的に平行な第３の方向に延在し、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼすことと、を引き起こし、
それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項３２に記載の装置。
前記エレクトロニクスアセンブリ基板が、支柱を備え、前記第１の屈曲部が、前記第１の屈曲部の遠位の前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第１の方向に延在し、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の部分が実質的に前記支柱の周囲に沿って延在するように配向されており、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項２４～３３のいずれか一項に記載の装置。
前記第１の屈曲部の遠位の前記細長い本体の前記部分が、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼし、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項３２に記載の装置。
前記第１の屈曲部が、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼし、それによって、前記所望の配向に前記分析物センサをさらに固定する、請求項３５に記載の装置。
前記第１の屈曲部の近位の前記細長い本体の前記部分が、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第３の場所で第３のバイアス力を及ぼし、それによって、前記所望の配向に前記分析物センサをさらに固定する、請求項３６に記載の装置。
前記第２のバイアス力が、前記第３のバイアス力とは実質的に反対の方向に及ぼされる、請求項３７に記載の装置。
前記第１のバイアス力が、前記第２のバイアス力および前記第３のバイアス力の各々に対して実質的に垂直な方向に及ぼされる、請求項３７に記載の装置。
前記第１の屈曲部が、前記第１の屈曲部の遠位の前記細長い本体の前記部分を前記第１の場所に対して押す前記第１の屈曲部の周りに第１のトルクを提供する、請求項３７に記載の装置。
前記第１の屈曲部が、前記第１の屈曲部の近位の前記細長い本体の前記部分を前記第３の場所に対して押す前記第１の屈曲部の周りに第２のトルクを提供する、請求項３７に記載の装置。
前記空洞の前記第１の部分の少なくとも一部の上に、および前記センサの少なくとも一部の上に堆積された少なくとも１つの不動態化層をさらに含み、前記少なくとも１つの不動態化層が、前記センサの前記部分への湿気の侵入を防ぐ、請求項２４～４１のいずれか一項に記載の装置。
前記少なくとも１つの不動態化層上に堆積され、前記第１の導電性接点および前記第２の導電性接点のうちの１つに電気的に結合された１つ以上の導電性トレースをさらに備える、請求項４２に記載の装置。
分析物検知装置であって、
ハウジングであって、
第１の部分および第２の部分を有する空洞、
前記空洞の前記第１の部分に配置された第１の導電性接点、
前記空洞の前記第１の部分に配置された第２の導電性接点、ならびに
前記第１の導電性接点を包囲する第１の井戸部であって、前記第１の井戸部が、
前記第１の導電性接点の第１の側に隣接して配置された第１のダム部、および
前記第１の側の反対側の前記第１の導電性接点の第２の側に隣接して配置された第２のダム部、によって画定される、第１の井戸部、を備える、ハウジングと、
分析物センサであって、
細長い本体、
前記第１の導電性接点と電気的に連絡している第１の電極、および
前記第２の導電性接点と電気的に連絡している第２の電極であって、前記分析物センサが前記第１のダム部および前記第２のダム部上に置かれる、第２の電極、を備える、分析物センサと、を備える、装置。
前記ハウジング内に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板をさらに備え、前記第１の導電性接点および前記第２の導電性接点が、前記エレクトロニクスアセンブリ基板から前記空洞の前記第１の部分の中に延在する、請求項４４に記載の装置。
前記第１のダム部および前記第２のダム部の各々が、傾斜断面を含み、前記分析物センサが、前記第１のダム部の前記傾斜断面の最下点上に、および前記第２のダム部の前記傾斜断面の最下点上に置かれる、請求項４４または４５に記載の装置。
前記第１および第２のダム部の前記傾斜断面が、三角形に凹んだ、放物線状に凹んだ、半円形に凹んだ、または双曲線的に凹んだ断面のうちの１つである、請求項４４に記載の装置。
前記第１の井戸部内の前記第１の導電性接点の少なくとも一部の上に配置された導電性エポキシをさらに含む、請求項４４～４７のいずれか一項に記載の装置。
前記分析物センサの前記第１の電極が前記導電性エポキシと直接物理的および電気的に接触しているように、前記導電性エポキシが、少なくとも前記第１のダム部の前記傾斜断面の前記最下点の、または前記第２のダム部の前記傾斜断面の前記最下点の高さに配置されている、請求項４８に記載の装置。
分析物検知装置のハウジングであって、
第１のポケットベースを有する第１のポケットと、
前記第１のポケットの第１の側に当接する第１の隣接領域であって、第１の隣接領域ベースと、前記第１のポケットベースと前記第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、第１の隣接領域と、
前記第１のポケットの第２の側に当接する第２の隣接領域であって、第２の隣接領域ベースと、前記第１のポケットベースと前記第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、第２の隣接領域と、を含み、
前記第１および第２の隣接領域が、前記第１のポケットと連続している、ハウジング。
前記ハウジング内に配置されたエレクトロニクスアセンブリ基板をさらに備える、請求項５０に記載のハウジング。
前記第１のポケットが、前記第１のポケットの側壁が実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、実質的に矩形形状を有する、請求項５０または５１に記載のハウジング。
前記第１のポケットが、前記第１のポケットの側壁の部分が実質的に平面である一方、実質的に平面部分を接続する前記側壁の他の部分が湾曲しているように、実質的に丸みを帯びた矩形形状を有する、請求項５０または５１に記載のハウジング。
前記第１のポケットが、前記第１のポケットの側壁が実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、実質的にダイヤモンド形状を有する、請求項５０または５１に記載のハウジング。
前記第１のポケットが、前記第１のポケットの側壁の部分が実質的に平面である一方、実質的に平面部分を接続する前記側壁の他の部分が湾曲しているように、実質的に丸みを帯びたダイヤモンド形状を有する、請求項５０または５１に記載のハウジング。
前記第１のポケットが、前記第１のポケットの側壁が実質的に平面であり、互いに出会って角度の付いた角を形成するように、実質的に多角形形状を有する、請求項５０または５１に記載のハウジング。
前記第１のポケットが、前記第１のポケットの側壁の部分が実質的に平面である一方、実質的に平面部分を接続する前記側壁の他の部分が湾曲しているように、実質的に丸みを帯びた多角形形状を有する、請求項５０または５１に記載のハウジング。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている、請求項５０～５７のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の遷移および前記第２の遷移のうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースからステップアップする、請求項５８に記載のハウジング。
前記高い高さが、およそ０．５ミリメートルである、請求項５８に記載のハウジング。
前記ポケットベース上に配置されたエポキシをさらに含み、前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つで上向きに屈折するメニスカスを形成し、前記高い高さが、前記上向きに屈折するメニスカスの高さを超える、請求項５８～６０のいずれか一項に記載のハウジング。
前記高い高さが、第１の所定の量と、前記エポキシの粘度、表面エネルギーおよび表面張力特性のうちの少なくとも１つとの関数である、請求項５８～６０のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと同じ高さに配置されている、請求項５０～５７のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の遷移および前記第２の遷移のうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと面一にある、請求項５０～５７のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されている、請求項５０～５７のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の遷移および前記第２の遷移のうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースからステップダウンする、請求項６５に記載のハウジング。
前記低い方の高さが、およそ０．５ミリメートルである、請求項６５に記載のハウジング。
前記ポケットベース上に配置されたエポキシをさらに含み、前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つで下向きに屈折するメニスカスを形成する、請求項６５～６７のいずれか一項に記載のハウジング。
前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つに付着し、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つの中に忍び寄ることから前記エポキシを抑制する、請求項６８に記載のハウジング。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースの一方が、前記第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されており、前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースの他方が、前記第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている、請求項５０～５７のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースの両方が、前記第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されている、請求項５０～５７のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の隣接領域が、実質的に矩形形状、実質的に丸みを帯びた矩形形状、実質的にダイヤモンド状形状、実質的に丸みを帯びたダイヤモンド状形状、実質的に多角形形状、実質的に丸みを帯びた多角形形状、および実質的に不規則状形状のいずれかを有する、請求項５０～５７のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第２の隣接領域が、実質的に矩形形状、実質的に丸みを帯びた矩形形状、実質的にダイヤモンド状形状、実質的に丸みを帯びたダイヤモンド状形状、実質的に多角形形状、実質的に丸みを帯びた多角形形状、および実質的に不規則状形状のいずれかを有する、請求項５０～５７のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１のポケットの側壁が、前記第１のポケットベースに対して実質的に垂直に配置されている、請求項５０～７３のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１のポケットの側壁が、前記第１のポケットベースに対して実質的に垂直からある角度で配置されている、請求項５０～７３のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの側壁が、それぞれの前記第１および第２の隣接領域ベースに実質的に垂直に配置されている、請求項５０～７３のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの側壁が、それぞれの前記第１および第２の隣接領域ベースに実質的に垂直からある角度で配置されている、請求項５０～７３のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの側壁が、前記第１のポケットベースに対して実質的に垂直に配置されている、請求項５０～７３のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの側壁が、前記第１のポケットベースに実質的に垂直な角度で配置されている、請求項５０～７３のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つの側壁が、前記第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで角度の付いた角が形成されないように丸みを帯びている、請求項５０～７３のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の遷移の第１の幅および前記第２の遷移の第２の幅が、実質的に０．５ｍｍ～２．０ｍｍの範囲内にある、請求項５０～８１のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の遷移の第１の幅が、前記第２の遷移の第２の幅よりも大きい、請求項５０～８１のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の遷移の第１の幅が、前記第２の遷移の第２の幅よりも小さい、請求項５０～８１のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の隣接領域に、または前記第２の隣接領域に配置された導電性接点をさらに含む、請求項５０～８３のいずれか一項に記載のハウジング。
分析物センサをさらに備え、前記分析物センサが、
細長い本体と、
第１の電極と
第２の電極と、を備え、
前記第１の電極および前記第２の電極のうちの１つが、前記導電性接点と電気的に連絡している、請求項５０～８４のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１の隣接領域に、または前記第２の隣接領域に配置された支柱と、
前記支柱上に配置されたエポキシと、をさらに含み、
前記分析物センサの部分が、前記支柱上に配置された前記エポキシに配置されている、請求項８５のいずれか一項に記載のハウジング。
前記支柱上に配置された前記エポキシが、前記分析物センサが前記支柱の中心線に実質的に沿って位置合わせされるように、その中に配置された前記分析物センサの前記部分上にセンタリング力を及ぼす、請求項８５に記載のハウジング。
前記支柱が、前記支柱の中心線に関して実質的に対称的形状を有する、請求項８５に記載のハウジング。
前記第１のポケットベースが、第１の表面エネルギーを有し、前記第１の隣接領域ベースが、前記第１の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーを有する、請求項５０に記載のハウジング。
前記第２の隣接領域ベースが、前記第２の表面エネルギー、ならびに前記第１および第２の表面エネルギーとは異なる第３の表面エネルギーのうちの１つを有する、請求項８９に記載のハウジング。
前記第１のポケットに当接する第３の隣接領域であって、前記第１のポケットの側壁の上面よりも低い高さで配置された第３の隣接領域ベースと、前記第１のポケットの前記側壁の前記上面と前記第３の隣接領域ベースとの間の第３の遷移と、を有する第３の隣接領域、をさらに含む、請求項５０～９０のいずれか一項に記載のハウジング。
前記第１のポケット内に配置されたエポキシが、前記第３の遷移に付着し、前記第３の隣接領域の中に忍び寄ることから前記エポキシを抑制する、請求項９１に記載のハウジング。
前記第３の隣接領域が、前記第１のポケット内に配置されたエポキシの少なくとも過剰部分を受容するように構成され、それによって、前記第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの中に忍び寄ることから前記エポキシを抑制する、請求項９１に記載のハウジング。
分析物検知装置であって、
ハウジングであって、
第１のポケットベースを有する第１のポケット、
前記第１のポケットの第１の側に当接する第１の隣接領域であって、第１の隣接領域ベースと、前記第１のポケットベースと前記第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、第１の隣接領域、
前記第１のポケットの第２の側に当接する第２の隣接領域であって、第２の隣接領域ベースと、前記第１のポケットベースと前記第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、第２の隣接領域、および
前記第１の隣接領域または前記第２の隣接領域に配置された導電性接点、を含む、ハウジングと、
前記ハウジング内に配置されており、前記導電性接点に電気的に結合されたエレクトロニクスアセンブリ基板と、
前記導電性接点と電気的に連絡している少なくとも１つの電極を備える分析物センサと、
前記第１のポケットベース上に配置されたエポキシであって、前記分析物センサの少なくとも一部を前記第１のポケットベースに固定する、エポキシと、を備える、装置。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている、請求項９４に記載の装置。
前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つで上向きに屈折するメニスカスを形成し、前記高い高さが、前記上向きに屈折するメニスカスの高さを超える、請求項９５に記載の装置。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと同じ高さに配置されている、請求項９４に記載の装置。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと比較して低い高さに配置されている、請求項９４に記載の装置。
前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの少なくとも１つで下向きに屈折するメニスカスを形成する、請求項９８に記載の装置。
前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つに付着し、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つの中に忍び寄ることから前記エポキシを抑制する、請求項９４に記載の装置。
分析物検知装置であって、
ハウジングであって、前記ハウジング内に空洞を画定する開口部を含み、前記空洞が、第１の部分および第２の部分を有する、ハウジングと、
前記空洞の前記第１の部分の周囲に沿って配置された第１の熱封止可能な熱可塑性エラストマーと、
前記空洞の前記第１の部分内に配置された少なくとも一部を有する分析物センサと、
前記開口部上に、または前記開口部内に、および前記空洞の前記第１の部分の上にはめ込むように構成されたキャップであって、前記キャップが、前記空洞の前記第１と第２の部分との間の境界の上に配置された前記キャップの少なくとも一部に沿った第２の熱封止可能な熱可塑性エラストマーを含み、前記第１および第２の熱封止可能な熱可塑性エラストマーが、溶融時に湿気の侵入から前記空洞の前記第１の部分を封止するように構成された、キャップと、を備える、装置。
前記空洞の前記第１と第２の部分との間の前記境界が、前記第１の熱封止可能な熱可塑性エラストマーの部分を含む、請求項１０１に記載の装置。
分析物検知装置であって、
ハウジングであって、前記ハウジング内に空洞を含む、ハウジングと、
第１の導電性接点と、
第２の導電性接点と、
分析物センサであって、
細長い本体、
前記第１の導電性接点と物理的に接触している第１の電極、および
前記第２の導電性接点と物理的に接触している第２の電極、を備える、分析物センサと、
前記空洞を覆うように構成されたキャップであって、ベースを有する、キャップと、
前記空洞を少なくとも部分的に充填するように構成された封止材料であって、
前記第１の電極および前記第１の導電性接点の上に位置合わせするように構成された第１の空洞、ならびに
前記第２の電極および前記第２の導電性接点の上に位置合わせするように構成された第２の空洞、を含む、封止材料と、を備える、装置。
前記第１の空洞が、前記第１の電極および前記第１の導電性接点に対して押し付けるように構成された第１の導電性エラストマーパックを保持し、それによって、前記第１の電極を前記第１の導電性接点に固定し、
前記第２の空洞が、前記第２の電極および前記第２の導電性接点に対して押し付けるように構成された第２の導電性エラストマーパックを保持し、それによって、前記第２の電極を前記第２の導電性接点に固定する、請求項１０３に記載の装置。
前記第１および第２の導電性エラストマーパックが、実質的に円筒形形状を有する、請求項１０４に記載の装置。
前記第１の空洞が、前記第１の電極および前記第１の導電性接点を電気的に結合するように構成された導電性エポキシの第１の注入を保持するように構成されており、
前記第２の空洞が、前記第２の電極および前記第２の導電性接点を電気的に結合するように構成された導電性エポキシの第２の注入を保持するように構成されている、請求項１０３～１０５のいずれか一項に記載の装置。
前記第１および第２の空洞が、実質的に円錐形を有する、請求項１０３～１０６のいずれか一項に記載の装置。
前記キャップの前記ベースが、前記第１の空洞と横方向に位置合わせする少なくとも第１の穴と、前記第２の空洞と横方向に位置合わせする第２の穴と、をさらに含み、前記封止材料の少なくとも一部が、前記第１の穴を前記第１の空洞から物理的に隔離し、前記第２の穴を前記第２の空洞から物理的に隔離する、請求項１０３～１０７のいずれか一項に記載の装置。
分析物検知装置を製造するための方法であって、前記方法は、
ハウジングを形成することであって、前記ハウジング内に第１の部分および第２の部分を有する空洞を画定する開口部を含む、形成することと、
前記空洞の前記第１の部分に第１の導電性接点および第２の導電性接点を配置することと、
分析物センサの第１の電極を前記第１の導電性接点に電気的に結合することと、
前記分析物センサの第２の電極を前記第２の導電性接点に電気的に結合することと、
キャップを形成することであって、
第１の部分および第２の部分、
前記開口部に面するように構成された前記キャップの側面に配置されたダム部、
前記ダム部に隣接する棚部、ならびに
前記棚部に配置された適合構成要素、を備える、形成することと、
前記開口部上に、または開口部内に前記キャップをはめ込むことであって、
前記キャップの前記第１の部分が、前記空洞の前記第１の部分の上に配置され、
前記ダム部が、前記空洞の前記第１の部分を前記空洞の前記第２の部分から物理的に分割し、
前記適合構成要素が、前記分析物センサの部分に対して、かつ前記空洞内の前記ハウジングの表面に対して押し付け、それによって、前記空洞の前記第１の部分を前記空洞の前記第２の部分から封止しているように、はめ込むことと、を含む、方法。
前記第１の導電性接点および前記第２の導電性接点が、エレクトロニクスアセンブリ基板から前記空洞の前記第１の部分の中に延在する、前記ハウジング内に前記エレクトロニクスアセンブリ基板を配置すること、をさらに含む、請求項１０９に記載の方法。
前記キャップの前記第１の部分が、第１の穴を含み、前記方法が、密封封止剤を前記第１の穴を通して前記空洞の前記第１の部分の中に堆積させ、それによって、湿気の侵入から前記分析物センサの少なくとも一部を封止することをさらに含む、請求項１０９または１１０に記載の方法。
前記キャップの前記第１の部分が、第２の穴を含み、前記方法が、過剰の密封封止剤が前記第２の穴を通って前記空洞の前記第１の部分から流出することを可能にすることをさらに含む、請求項１１１に記載の方法。
前記適合構成要素が、前記密封封止剤が前記空洞の前記第２の部分の中に流入することから防ぐ、請求項１１１に記載の方法。
前記キャップが、前記空洞の前記第２の部分の上に配置された第２の部分を含む、請求項１０９～１１３のいずれか一項に記載の方法。
前記キャップの前記第２の部分が、スロットを備え、前記方法が、前記分析物センサの少なくとも一部を前記スロットに通過させることをさらに含む、請求項１１４に記載の方法。
前記キャップの外向き表面が、前記ハウジングの外向き表面と面一ではめ込む、請求項１０９～１１５のいずれか一項に記載の方法。
前記キャップの前記外向き表面が、前記ハウジングの外向き表面と比較して凹んだ位置にはめ込む、請求項１０９～１１６のいずれか一項に記載の方法。
前記キャップが、前記ハウジングの外向き表面上に配置されている、請求項１０９に記載の方法。
つま先特徴、スナップ特徴、摩擦ばめ特徴、および感圧接着剤のうちの少なくとも１つを利用して前記キャップを前記ハウジングに固定することをさらに含む、請求項１０９～１１８のいずれか一項に記載の方法。
前記キャップの前記第１の部分および前記キャップの前記第２の部分が、同一平面上にあり、単一の部品から形成されている、請求項１１４に記載の方法。
前記キャップが、紫外線照射に対して実質的に透明な材料を含み、前記方法が、前記キャップを通して前記紫外線照射に前記密封封止剤を曝露することによって前記密封封止剤を硬化することをさらに含む、請求項１１１に記載の方法。
前記ダム部が、前記空洞内の前記ハウジングの部分に接触する、請求項１０９～１２１のいずれか一項に記載の方法。
前記適合材料が、発泡体またはゴム材料を含む、請求項１０９～１２２のいずれか一項に記載の方法。
接着パッチの第１の接着部分を利用して前記キャップを前記ハウジングに固定することをさらに含み、前記接着パッチが、前記第１の接着部分およびウェアラブルアセンブリをホストの皮膚に接着するように構成された第２の接着部分をさらに含む、請求項１０９～１２３のいずれか一項に記載の方法。
前記キャップが前記ハウジングの前記開口部上に、または前記開口部内にはめ込まれる前に、前記接着パッチの前記第１の接着部分を前記キャップに固定することをさらに含む、請求項１２４に記載の方法。
前記第１の接着部分が、前記キャップが前記接着パッチの前記第１の接着部分に固定されているときに、前記キャップ内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも１つの穴を含む、請求項１２４に記載の方法。
前記第２の接着部分が、前記キャップが前記接着パッチの前記第２の接着部分に固定されているときに、前記キャップ内の少なくとも１つの穴と実質的に一致するように構成された少なくとも１つの穴を含む、請求項１２４に記載の方法。
前記キャップの第２の部分が、前記空洞の前記第２の部分に隣接して配置されている、請求項１０９に記載の方法。
前記キャップの前記第１の部分が、第１の平面に沿って延在し、
前記キャップの前記第２の部分が、前記第１の平面とは異なる第２の平面に沿って延在し、
前記ダム部が、前記第１の平面と前記第２の平面との間に延在し、前記キャップの前記第１の部分を前記キャップの前記第２の部分と接続する前記キャップの少なくとも一部を含み、
前記キャップの前記第２の部分の少なくともいくつかが、前記棚部を備える、請求項１０９に記載の方法。
分析物検知装置を製造する方法であって、前記方法は、
ハウジングの製造することと、
前記ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置することと、
少なくとも第１の屈曲部を有する細長い本体を備える分析物センサを、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの少なくとも１つに結合することと、を含む、方法。
前記第１の屈曲部の遠位にある前記細長い本体の部分が、前記エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行に延在し、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の前記平面に実質的に垂直であり少なくとも部分的に前記エレクトロニクスアセンブリ基板の中に延在するように、前記分析物センサに第１の屈曲部を形成することをさらに含む、請求項１３０に記載の方法。
前記ハウジングが、凹部を含み、前記方法が、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の前記部分の少なくともいくつかを、前記エレクトロニクスアセンブリ基板を通って前記凹部の中に延在することをさらに含む、請求項１３１に記載の方法。
前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の前記部分が、前記エレクトロニクスアセンブリ基板の部分に対してバイアス力を及ぼし、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項１３１に記載の方法。
前記第１の屈曲部の遠位にある前記細長い本体の部分が、前記エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行に延在し、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の前記平面に実質的に垂直であり前記エレクトロニクスアセンブリ基板から離れて延在するように、前記分析物センサに第１の屈曲部を形成することをさらに含む、請求項１３０～１３３のいずれか一項に記載の方法。
前記ハウジングが、前記ハウジングの側壁に凹部をさらに含み、前記方法が、前記凹部内の前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の部分の少なくともいくつかを延在することをさらに含み、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを拘束する、請求項１３４に記載の方法。
前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の前記部分が、前記ハウジングの部分に対してバイアス力を及ぼし、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項１３４に記載の方法。
前記少なくとも１つの追加の屈曲部が、
前記第１の屈曲部に近位し、かつ少なくとも前記１つの追加の屈曲部に遠位する前記細長い本体の少なくとも第１の一部が、前記凹部内の第１の方向に延在し、前記凹部に沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼすことと、
前記第１の屈曲部に近位し、かつ前記少なくとも１つの追加の屈曲部に近位する前記細長い本体の前記部分の少なくとも第２の一部が、前記凹部内の第２の方向に延在し、前記凹部に沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼすことと、を引き起こすように、前記第１の屈曲部に近位する前記分析物センサに少なくとも１つの追加の屈曲部を形成することをさらに含み、
それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項１３４に記載の方法。
前記第１の屈曲部が、前記第１の屈曲部の遠位にある前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第１の方向に延在し、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の部分が前記第１の方向とは異なるが前記エレクトロニクスアセンブリ基板の前記平面に実質的に平行でもある第２の方向に延在するように、配向されている、前記分析物センサに前記第１の屈曲部を形成することをさらに含む、請求項１３４に記載の方法。
前記少なくとも１つの追加の屈曲部が、
前記第１の屈曲部に近位し、かつ前記少なくとも１つの追加の屈曲部に遠位する前記細長い本体の少なくとも第１の一部が前記第２の方向に延在し、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼすことと、
前記第１の屈曲部に近位し、かつ前記少なくとも１つの追加の屈曲部に近位する前記細長い本体の少なくとも第２の一部が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の前記平面に実質的に平行な第３の方向に延在し、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼすことと、を引き起こすように、前記第１の屈曲部に近位する前記分析物センサに少なくとも１つの追加の屈曲部を形成することをさらに含み、
それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項１３８に記載の方法。
前記エレクトロニクスアセンブリ基板が、支柱を備え、前記方法が、前記第１の屈曲部の遠位の前記細長い本体の部分が前記エレクトロニクスアセンブリ基板の平面に実質的に平行な第１の方向に延在し、前記第１の屈曲部に近位する前記細長い本体の部分が実質的に前記支柱の周囲に沿って延在するように、前記分析物センサに前記第１の屈曲部を形成することをさらに含み、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項１３０～１３９のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の屈曲部の遠位の前記細長い本体の前記部分が、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第１の場所で第１のバイアス力を及ぼし、それによって、前記エレクトロニクスアセンブリ基板に関して所望の配向に前記分析物センサを固定する、請求項１３８に記載の方法。
前記第１の屈曲部が、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第２の場所で第２のバイアス力を及ぼし、それによって、前記所望の配向に前記分析物センサをさらに固定する、請求項１４１に記載の方法。
前記第１の屈曲部の近位の前記細長い本体の前記部分が、前記ハウジングおよび前記エレクトロニクスアセンブリ基板のうちの１つに沿った第３の場所で第３のバイアス力を及ぼし、それによって、前記所望の配向に前記分析物センサをさらに固定する、請求項１４２に記載の方法。
前記第２のバイアス力が、前記第３のバイアス力とは実質的に反対の方向に及ぼされる、請求項１４３に記載の方法。
前記第１のバイアス力が、前記第２のバイアス力および前記第３のバイアス力の各々に対して実質的に垂直な方向に及ぼされる、請求項１４３に記載の方法。
前記第１の屈曲部が、前記第１の屈曲部の遠位の前記細長い本体の前記部分を前記第１の場所に対して押す前記第１の屈曲部の周りに第１のトルクを提供する、請求項１４３に記載の方法。
前記第１の屈曲部が、前記第１の屈曲部の近位の前記細長い本体の前記部分を前記第３の場所に対して押す前記第１の屈曲部の周りに第２のトルクを提供する、請求項１４３に記載の方法。
前記凹部の少なくとも一部および前記分析物センサの少なくとも一部の上に前記少なくとも１つの不動態化層を堆積させることをさらに含み、それによって、前記センサの前記部分への湿気の侵入を防ぐ、請求項１３０～１４７のいずれか一項に記載の方法。
前記少なくとも１つの不動態化層上に１つ以上の導電性トレースを堆積することと、前記１つ以上の導電性トレースを前記第１の導電性接点および前記第２の導電性接点のうちの１つ以上に電気的に結合することと、をさらに含む、請求項１４８に記載の方法。
分析物検知装置を製造する方法であって、前記方法は、
第１の部分および第２の部分を有する空洞を含むハウジングを形成することと、
第１の導電性接点の第１の側に隣接する前記空洞の前記第１の部分に第１のダム部を形成することと、
前記第１の側の反対側の前記第１の導電性接点の第２の側面に隣接する前記空洞の前記第１の部分に第２のダム部を形成することであって、前記第１のダム部および前記第２のダム部が、前記第１の導電性接点を包含する第１の井戸部を画定する、形成することと、
前記第１のダム部および前記第２のダム部に分析物センサを配置することと、
前記分析物センサの第１の電極を前記第１の導電性接点に結合することと、
前記分析物センサの第２の電極を前記第２の導電性接点に結合することと、を含む、方法。
前記第１および第２の導電性接点が、前記エレクトロニクスアセンブリ基板から前記空洞の前記第１の部分の中に延在する、前記ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置すること、をさらに含む、請求項１５０に記載の方法。
前記第１のダム部および前記第２のダム部の各々が、傾斜断面を含み、前記分析物センサが、前記第１のダム部の前記傾斜断面の最下点上に、および前記第２のダム部の前記傾斜断面の最下点上に置かれる、請求項１５０に記載の方法。
前記第１および第２のダム部の前記傾斜断面が、三角形に凹んだ、放物線状に凹んだ、半円形に凹んだ、または双曲線的に凹んだ断面のうちの１つである、請求項１５２に記載の方法。
前記第１の井戸部内の前記第１の導電性接点の少なくとも一部の上に導電性エポキシを配置することをさらに含む、請求項１５０～１５３のいずれか一項に記載の方法。
前記分析物センサの前記第１の電極が、前記第１のダム部および前記第２のダム部に配置されたときに前記導電性エポキシと直接物理的および電気的に接触しているように、前記導電性エポキシが、少なくとも前記第１のダム部の前記傾斜断面の前記最下点の、または前記第２のダム部の前記傾斜断面の前記最下点の高さに配置されている、請求項１５４に記載の方法。
分析物検知装置のハウジングを製造する方法であって、前記方法は、
前記ハウジング内に第１のポケットベースを有する第１のポケットを形成することと、
前記第１のポケットの第１の側に当接する前記ハウジング内に第１の隣接領域を形成することであって、前記第１の隣接領域が、第１の隣接領域ベースと、前記第１のポケットベースと前記第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、形成することと、
前記第１のポケットの第２の側に当接する前記ハウジング内に第２の隣接領域を形成することであって、前記第２の隣接領域が、第２の隣接領域ベースと、前記第１のポケットベースと前記第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、形成することと、を含む、方法。
前記ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置することをさらに含む、請求項１５６に記載の方法。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１の遷移および前記第２の遷移のうちの少なくとも１つが前記第１のポケットベースからステップアップするように、第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている、請求項１５６に記載の方法。
前記高い高さが、およそ０．５ミリメートルである、請求項１５８に記載の方法。
エポキシを前記ポケットベース上に配置することをさらに含み、前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つで上向きに屈折するメニスカスを形成し、前記高い高さが、前記上向きに屈折するメニスカスの高さを超える、請求項１５８に記載の方法。
前記高い高さが、第１の所定の量と、エポキシの粘度、表面エネルギーおよび表面張力特性のうちの少なくとも１つとの関数である、請求項１５８に記載の方法。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと同じ高さに配置されている、請求項１５６～１６１のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の遷移および前記第２の遷移のうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと面一にある、請求項１６８に記載の方法。
前記ポケットベース上にエポキシを堆積することをさらに含み、前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されている、請求項１５６～１６３のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の遷移および前記第２の遷移のうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースからステップダウンする、請求項１６４に記載の方法。
前記低い方の高さが、およそ０．５ミリメートルである、請求項１６４に記載の方法。
前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つで下向きに屈折するメニスカスを形成する、請求項１６４に記載の方法。
前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つに付着し、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つの中に忍び寄ることから前記エポキシを抑制する、請求項１６７に記載の方法。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースの一方が、前記第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されており、前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースの他方が、前記第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている、請求項１５６～１６８のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースの両方が、前記第１のポケットベースと比較して低い方の高さに配置されている、請求項１５６～１６９のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の遷移の第１の幅が、前記第２の遷移の第２の幅よりも大きい、請求項１５６～１７０のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の遷移の第１の幅が、前記第２の遷移の第２の幅よりも小さい、請求項１５６～１７０のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の隣接領域に、または前記第２の隣接領域に導電性接点を配置することをさらに含む、請求項１５６～１７２のいずれか一項に記載の方法。
前記ハウジング上に第１の電極および第２の電極を有する分析物センサを配置することと、
前記第１の電極および前記第２の電極のうちの１つを前記導電性接点と電気的に接続することと、をさらに含む、請求項１５６～１７３のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の隣接領域に、または前記第２の隣接領域に支柱を配置することと、
前記支柱にエポキシを配置することと、
前記支柱上に配置された前記エポキシに前記分析物センサの部分を配置することと、をさらに含む、請求項１７４に記載の方法。
前記エポキシが、前記分析物センサが前記支柱の中心線に実質的に沿って位置合わせされるように、その中に配置された前記分析物センサの前記部分上にセンタリング力を及ぼす、請求項１７４に記載の方法。
第１の表面エネルギーで前記ポケットベースを形成することと、前記第１の表面エネルギーとは異なる第２の表面エネルギーで前記第１の隣接領域ベースを形成することと、をさらに含む、請求項１５６～１７６のいずれか一項に記載の方法。
前記第２の表面エネルギー、ならびに前記第１および第２の表面エネルギーとは異なる第３の表面エネルギーのうちの１つを有する、前記第２の隣接領域ベースを形成することをさらに含む、請求項１７７に記載の方法。
前記第１のポケットに当接する第３の隣接領域であって、前記第１のポケットの側壁の上面よりも低い高さで配置された第３の隣接領域ベースと、前記第１のポケットの前記側壁の前記上面と前記第３の隣接領域ベースとの間の第３の遷移と、を有する第３の隣接領域を形成すること、をさらに含む、請求項１５６～７８のいずれか一項に記載の方法。
前記第１のポケット内に配置されたエポキシが、前記第３の遷移に付着し、前記第３の隣接領域の中に忍び寄ることから前記エポキシを抑制する、請求項１７９に記載の方法。
前記第３の隣接領域が、前記第１のポケット内に配置されたエポキシの少なくとも過剰部分を受容するように構成され、それによって、エポキシが前記第１および第２の隣接領域のうちの少なくとも１つの中に忍び寄ることから前記エポキシを抑制する、請求項１７９に記載の方法。
分析物検知装置を製造する方法であって、前記方法は、
ハウジングを形成することであって、
第１のポケットベースを有する第１のポケット、
前記第１のポケットの第１の側に当接する第１の隣接領域であって、第１の隣接領域ベースと、前記第１のポケットベースと前記第１の隣接領域ベースとの間の第１の遷移と、を有する、第１の隣接領域、
前記第１のポケットの第２の側に当接する第２の隣接領域であって、第２の隣接領域ベースと、前記第１のポケットベースと前記第２の隣接領域ベースとの間の第２の遷移と、を有する、第２の隣接領域、および
前記第１の隣接領域に、または前記第２の隣接領域に配置された導電性接点、を含む、ハウジングを形成することと、
前記ハウジング内にエレクトロニクスアセンブリ基板を配置し、前記エレクトロニクスアセンブリ基板を前記導電性接点に電気的に結合することと、
前記導電性接点と電気的に連絡している少なくとも１つの電極を備える分析物センサを配置することと、
前記第１のポケットベース上に配置されたエポキシを配置することであって、前記分析物センサの少なくとも一部を前記第１のポケットベースに固定する、エポキシを配置することと、を含む、方法。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと比較して高い高さに配置されている、請求項１８２に記載の方法。
前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つで上向きに屈折するメニスカスを形成し、前記高い高さが、前記上向きに屈折するメニスカスの高さを超える、請求項１８２または１８３に記載の方法。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと同じ高さに配置されている、請求項１８２～１８４のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の隣接領域ベースおよび前記第２の隣接領域ベースのうちの少なくとも１つが、前記第１のポケットベースと比較して低い高さに配置されている、請求項１８２～１８５のいずれか一項に記載の方法。
前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つで下向きに屈折するメニスカスを形成する、請求項１８６に記載の方法。
前記エポキシが、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つに付着し、前記第１および第２の遷移のうちの前記少なくとも１つの中に忍び寄ることから前記エポキシを抑制する、請求項１８６に記載の方法。
分析物検知装置を製造する方法であって、前記方法は、
前記ハウジング内のハウジング空洞を画定する開口部を含むハウジングを形成することと、
第１の導電性接点および第２の導電性接点を前記ハウジング空洞内に配置することと、
分析物センサの第１の電極を前記第１の導電性接点上に配置することと、
前記分析物センサの第２の電極を前記第２の導電性接点上に配置することと、
キャップを提供することであって、
ベース、および
第１の空洞および第２の空洞を含む封止材料、を含む、提供することと、
前記開口部上に、または開口部内に前記キャップをはめ込むことであって、
前記封止材料が、前記ハウジング空洞内の空隙を少なくとも部分的に充填し、前記ハウジングに対して押し付け、
前記第１の空洞が、前記第１の電極および前記第１の導電性接点の上で位置合わせし、
前記第２の空洞が、前記第２の電極および前記第２の導電性接点の上で位置合わせするように、はめ込むことと、を含む、方法。
前記キャップを前記開口部上に、または前記開口部内にはめ込む前に、
第１の導電性エラストマーパックを前記第１の空洞に配置することと、
第２の導電性エラストマーパックを前記第２の空洞に配置することと、をさらに含み、
前記第１の導電性エラストマーパックが、前記キャップが前記開口部上に、または開口部内にはめ込まれたときに、前記第１の電極および前記第１の導電性接点に対して押し付けるように構成され、それによって、前記第１の電極を前記第１の導電性接点に固定し、
前記第２の導電性エラストマーパックが、前記キャップが前記開口部上に、または開口部内にはめ込まれたときに、前記第２の電極および前記第２の導電性接点に対して押し付けるように構成され、それによって、前記第２の電極を前記第２の導電性接点に固定する、請求項１８９に記載の方法。
前記第１および第２の導電性エラストマーパックが、実質的に円筒形形状を有する、請求項１９０に記載の方法。
前記キャップの前記ベースが、前記第１の空洞と横方向に位置合わせする少なくとも第１の穴と、前記第２の空洞と横方向に位置合わせする第２の穴と、をさらに含み、前記封止材料の少なくとも一部が、前記第１の穴を前記第１の空洞から物理的に隔離し、前記第２の穴を前記第２の空洞から物理的に隔離する、請求項１８９～１９１のいずれか一項に記載の方法。
前記第１の穴を通して、かつ前記封止材料の前記部分を通して前記第１の空洞の中に導電性エポキシを注入することであって、それによって、前記第１の電極を前記第１の導電性接点に電気的に接続する、注入することと、
前記第２の穴を通して、かつ前記封止材料の前記部分を通して前記第２の空洞の中に導電性接着剤を注入することであって、それによって、前記第２の電極を前記第２の導電性接点に電気的に接続する、注入することと、をさらに含む、請求項１８９～１９２のいずれか一項に記載の方法。
前記第１および第２の空洞が、実質的に円錐形を有する、請求項１８９～１９３のいずれか一項に記載の方法。