JP2022528379A - 量子論理ゲートの設計および最適化 - Google Patents
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Abstract
Description
ゲート持続時間値と、トラップされたイオンの鎖内の第一のイオンと第二のイオンに対してゲートもつれ操作を実行するために使用されるパルスシーケンスの離調値とを選択するステップであって、トラップされたイオンのそれぞれが2つの周波数分離電子状態を有し、パルスシーケンスが複数のパルスセグメントを含む、ステップと、トラップされたイオンの鎖が整列する方向に垂直な方向で、トラップされたイオンの鎖の集合運動モードの周波数を測定するステップと、ゲート持続時間値、選択された離調値、及び測定された集合運動モードの周波数に基づいて、第一のイオンと第二のイオンの間のもつれ相互作用の値を計算し、第一のイオンと第二のイオンの集合運動モードの位相空間軌道の値を計算するステップと、計算されたもつれ相互作用の値及び計算された位相空間軌道の値に基づいて、複数のパルスセグメントのそれぞれの強度を決定するステップと、複数のパルスセグメントを接続することによってパルスシーケンスを生成するステップであって、複数のパルスセグメントのそれぞれが、決定された強度と、各パルスセグメントの開始点及び終了点にスプラインを使用して形成されたランプ(ramps)を備えたパルス形状を有する、ステップと、生成されたパルスシーケンスを第一のイオンと第二のイオンに適用するステップと、を含む。
図1は、一実施形態に係るイオントラップ型量子コンピュータ又はシステム100の部分図である。システム100は、Z軸に沿って延びる、トラップされたイオン(例えば、5つが示される)の鎖102を含む。例えば、開口数(NA)が0.37の対物レンズなどのイメージング対物レンズ104は、イオンからY軸に沿って蛍光を収集し、個々のイオンを測定するために、各イオンをマルチチャネル光電子増倍管(PMT)106にマッピングする。X軸に沿って提供される、レーザ108からの逆伝播ラマンレーザビームは、イオンに対して操作を実行する。回折ビームスプリッタ110は、マルチチャネル音響光学変調器(AOM)114を使用して個別に切り替えられる静的ラマンビーム112のアレイを作成し、かつ個々のイオンに選択的に作用するように構成される。グローバルラマンレーザビーム116は、すべてのイオンを一度に照射する。AOM114は、中央処理装置(CPU)120、読み取り専用メモリ(ROM)122、ランダムアクセスメモリ(RAM)124、記憶部126などを含むRFコントローラ118(「情報処理システム」と呼ばれる)によって制御される。CPU120は、RFコントローラ118のプロセッサである。ROM122は、様々なプログラムを記憶し、RAM124は、様々なプログラム及びデータの作業メモリである。記憶部126は、ハードディスクドライブ(HDD)又はフラッシュメモリなどの不揮発性メモリを含み、電源が切られても様々なプログラムを記憶する。CPU120、ROM122、RAM124、及び記憶部126は、バス128を介して相互接続されている。RFコントローラ118は、ROM122又は記憶部126に記憶され、RAM124を作業領域として使用する制御プログラムを実行する。制御プログラムは、データの受信、分析、及び本明細書で説明されたイオントラップ型量子コンピュータシステム100を作成するために使用される方法及びハードウェアの全ての態様の制御に関連する様々な機能を実行するためにプロセッサによって実行することができるプログラムコードを含むソフトウェアアプリケーションを含む。
図3A、図3B、及び図3Cは、例えば、トラップされた5つのイオンの鎖102のいくつかの概略的な集合横運動モード構造(単に「運動モード構造」とも呼ばれる)を示す。本明細書では、エンドキャップ電極210及び212に印加された静的電圧Vsによる閉じ込め電位は、半径方向の閉じ込め電位と比較して弱い。トラップされたイオンの鎖102の横方向の集合運動モードは、イオントラップ200によって生成された閉じ込め電位とトラップされたイオン間のクーロン相互作用との組み合わせによって決定される。トラップされたイオンは、集合横方向運動(「集合横運動モード」、「集合運動モード」、又は単に「運動モード」と呼ばれる)を起こし、各モードには、それに関連する異なるエネルギーがある。以下では、エネルギーがm番目に低い運動モードを│n>mと呼び、ここで、nは、運動モードの運動量子の数(エネルギー励起の単位で、フォノンと呼ばれる)を表し、所定の横方向の運動モードの数は、鎖102内のトラップされたイオンの数Nに等しい。図3A~図3Cは、鎖102内に配置された5つのトラップされたイオンによって経験され得る異なるタイプの集合横運動モードの例を概略的に説明する。図3Aは、最も高いエネルギーを有する一般的な運動モード│n>Nの概略図であり、ここで、Nは、鎖102内のトラップされたイオンの数である。一般的な運動モード│n>Nでは、すべてのイオンは、横方向に同位相で振動する。図3Bは、2番目に高いエネルギーを有する傾斜運動モード│n>N-1の概略図である。傾斜運動モードでは、両端のイオンは、横方向に位相がずれて(すなわち、反対方向に)移動する。図3Cは、傾斜運動モード│n>N-1よりもエネルギーが低く、イオンがより複雑なモードパターンで移動する高次運動モード│n>N-3の概略図である。
上記2つのキュービット間のもつれ相互作用がゼロでないことは、XXゲート操作を実行するために使用することができる。XXゲート操作(ゲートXX)と単一キュービット操作(ゲートR)は、所望の計算プロセスを実行するように構成された量子コンピュータを構築するために使用できるユニバーサルゲートセット{R、XX}を形成する。図7Aは、トラップされた7つのイオンの鎖102の第二及び第四のイオンに対してXXゲート操作を引き起こすために最初に使用されるゲート持続時間τ(例えば、~145μs)のセグメント化パルスシーケンスΩ(t)を示す。図7Aに示される例では、鎖102内のトラップされたすべての7つのイオンのパルスシーケンスΩ(t)は同じであり、それぞれが異なる強度Ωs(s=1,2,…,9)を有する9つの段階的なパルスセグメントに分割される。この例では、パルスセグメントの強度Ωs(t)(s=1,2,…,9)は、すべての条件0<χi,j(τ)≦π/4及びαl,m(τ)=0(l=i,j)を満たすように決定される。セグメント化パルスシーケンスΩ(t)は、決定された強度Ωs(t)(s=1,2,…,9)を有するパルスセグメントを組み合わせることによって生成することができる。
図10は、イオントラップ200で生成された四重極電位によって半径方向に閉じ込められた7つのイオンの例示的な鎖102を示す。イオントラップ200で生成され、鎖102内のイオンに印加される四重極電位は、RF成分及びDC成分を有する。図10の実線の矢印で示されるように、i番目のイオン(i=1,2,…,7)について、四重極電位のRF成分と四重極電位のDC成分による横方向の復元力は、それぞれRFばね定数kRFとDCばね定数kiによってモデル化される。
単一キュービット及び2キュービットゲートの操作は、図4に示すように、ラマン構成の逆伝播レーザビームによって駆動され、この場合、レーザビームの二光子遷移離調δは、キャリア遷移(δ=0)との共鳴に調整されるか、又は運動モード周波数ωm(δ=±μ、μがωmに近い)に近くなる。いずれの場合も、レーザビームの位相は、ゲート操作中にレーザビームによって駆動されるキュービットにインプリントされる。しかしながら、レーザビームの光学的特性の違いや、ラマン構成で使用される内部原子構造の違いなどの、単一キュービットと2キュービットのゲート操作に対して選択されたレーザビームパラメータの違いにより、インプリントされた位相は、異なるイオン及び/又は異なるゲート操作によって異なる場合がある。これは、量子計算の誤差の原因であり、各キュービットへの単一キュービット及び2キュービットのゲート操作によってもたらされるインプリントされた位相のオフセットを特徴づけることによって取り除くことができる。いくつかの実施形態では、最初にi番目とj番目のイオンに対して単一キュービットのゲート操作を実行し、i番目とj番目のイオンに対してそれぞれ単一キュービットゲート位相ΦiとΦjをインプリントし、その後、2キュービットのゲート位相が単一キュービットのゲート位相と一致するように2キュービットのゲート位相を調整することによって、インプリントされた位相の違いを取り除く。単一キュービットの位相ΦiとΦjは、それぞれi番目とj番目のイオンの単一キュービットと2キュービットのゲート操作間の位相オフセットと見なすこともできる。
図15は、一実施形態に係る、ゲート持続時間τ及び離調μを最適化するために使用される、実行された様々なステップを含む方法1500を説明するフローチャートを示す。
Claims (23)
- 量子コンピュータにおいて2つのトラップされたイオン間のもつれ操作を実行する方法において、
ゲート持続時間値と、トラップされたイオンの鎖内の第一のイオンと第二のイオンに対してゲートもつれ操作を実行するために使用されるパルスシーケンスの離調値とを選択するステップであって、前記トラップされたイオンのそれぞれがキュービットを定義する2つの周波数分離状態を有し、
前記パルスシーケンスが複数のパルスセグメントを含み、
ランプが、前記複数のパルスセグメントのそれぞれの開始点及び終了点でスプラインを使用して形成される、ステップと、
前記トラップされたイオンの鎖が整列する方向に垂直な方向で、前記トラップされたイオンの鎖の集合運動モードの周波数を測定するステップと、
選択された前記ゲート持続時間値、選択された前記離調値、及び測定された前記集合運動モードの周波数に基づいて、前記第一のイオンと前記第二のイオンの間のもつれ相互作用の値を計算し、前記第一のイオンと前記第二のイオンの前記集合運動モードの位相空間軌道の値を計算するステップと、
選択された前記離調値、計算された前記もつれ相互作用の値及び計算された前記位相空間軌道の値に基づいて、前記複数のパルスセグメントのそれぞれの強度を決定するステップと、
前記複数のパルスセグメントを接続することによって前記パルスシーケンスを生成するステップであって、前記複数のパルスセグメントのそれぞれが、決定された前記強度を有する、ステップと、
生成された前記パルスシーケンスを前記第一のイオンと前記第二のイオンに適用するステップと、
を含む、方法。 - 前記第一のイオンと前記第二のイオンの間の前記もつれ相互作用の値を計算するステップと、前記第一のイオンと前記第二のイオンの前記集合運動モードの位相空間軌道の値を計算するステップとは、選択されたランプ持続時間に基づいてさらに実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記複数のパルスセグメントのそれぞれの強度を決定するステップは、計算された前記もつれ相互作用の値が所定の値であること、および計算された前記位相空間軌道の値がゼロであることを要求するステップを含み、
前記所定の値は、ゼロ~π/4である、請求項2に記載の方法。 - 前記複数のパルスセグメントの数は、1より大きい整数値となるように選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記トラップされたイオンの鎖に沿った方向にトラップされたイオンの位置を測定するステップと、
測定された前記トラップされたイオンの位置に基づいて、前記トラップされたイオンの鎖に垂直な方向にトラップされたイオンの運動を近似する調和振動のばね定数のセットを決定するステップと、
測定された前記トラップされたイオンの位置に基づいて、前記トラップされたイオン間のクーロン相互作用の強度を決定するステップと、
決定された前記ばね定数のセット及び決定された前記クーロン相互作用の強度に基づいて、前記トラップされたイオンの鎖の前記集合運動モードの集合運動モード構造を生成するステップと、
生成された前記集合運動モード構造に基づいて、前記トラップされたイオンの鎖の前記集合運動モードのラムディッケパラメータを計算するステップと、をさらに含み、
前記第一のイオンと前記第二のイオンの間の前記もつれ相互作用の値、及び前記第一のイオンと前記第二のイオンの前記集合運動モードの前記位相空間軌道の値を計算するステップは、生成された前記集合運動モード構造と前記ラムディッケパラメータにさらに基づいて実行される、請求項2に記載の方法。 - 前記第一のイオンの第一の位相オフセット及び前記第二のイオンの第二の位相オフセットを校正するステップと、
校正された前記第一の位相オフセット及び第二の位相オフセットに基づいて、前記ゲートもつれ操作を校正するステップと、をさらに含み、
前記第一の位相オフセット及び前記第二の位相オフセットを校正するステップは、
前記2つの周波数分離状態のうちの低い周波数状態にある前記第一のイオンと前記第二のイオンを準備するステップと、
第一の位相を有する第一のπ/2パルスを前記第一のイオン及び前記第二のイオンに適用するステップと、
生成された前記パルスシーケンスを前記第一のイオンと前記第二のイオンに適用するステップと、
前記第一の位相の負の位相である第二の位相を有する第二のπ/2パルスを前記第一のイオン及び前記第二のイオンに適用するステップと、
前記第一の位相を変化させながら、前記2つの周波数分離状態のうちの高い周波数状態にある前記第一のイオン及び前記第二のイオンの集団を測定するステップと、
前記第一のイオンの前記集団が低い周波数状態にある前記第一の位相の値を前記第一のイオンの前記第一の位相オフセットとして、前記第二のイオンの前記集団が高い周波数状態にある前記第一の位相の値を前記第二のイオンの前記第二の位相オフセットとして決定するステップと、
をさらに含み、
前記ゲートもつれ操作を校正するステップは、
前記2つの周波数分離状態のうちの前記低い周波数状態にある前記第一のイオンと前記第二のイオンを準備するステップと、
校正された前記第一の位相オフセット及び前記第二の位相オフセットを有する前記パルスシーケンスを前記第一のイオン及び前記第二のイオンに適用するステップと、
解析位相を有するπ/2パルスを前記第一のイオン及び前記第二のイオンに適用するステップと、
前記解析位相を変化させながら、前記第一のイオンと前記第二のイオンが両方とも低い周波数状態にある集団と、両方とも高い周波数状態にある集団とを測定するステップと、
幾何学的位相が負であると測定された場合、校正された前記第二の位相オフセットを変更するステップと、
を含む、請求項2に記載の方法。 - 前記パルスシーケンスの離調値を選択するステップは、
前記離調値を変化させながら、離調値に基づいて生成された前記パルスシーケンスによって実行されるゲートもつれ操作の平均不忠実度を計算するステップと、
計算された前記ゲートもつれ操作の平均不忠実度が最小であり、決定された前記複数のパルスセグメントの強度が最小である離調値を選択するステップと、
を含む、請求項2に記載の方法。 - 前記パルスシーケンスの生成に使用される集合運動モードを選択するステップをさらに含み、前記集合運動モードを選択するステップは、
前記トラップされたイオンの鎖に沿った方向に印加された電界による前記集合運動モードの周波数シフトを計算するステップと、
他の集合運動モードよりも周波数シフトが大きい集合運動モードを決定するステップと、
ゲートもつれ操作中に無視できるほど励起されるように、周波数シフトが比較的大きい前記集合運動モードの周波数から遠く離れた第一の離調値を選択するステップと、
を含み、
前記離調値を選択するステップは、選択された前記第一の離調値に基づいて実行される、請求項2に記載の方法。 - 前記パルスシーケンスの生成に使用される集合運動モードを選択するステップをさらに含み、前記集合運動モードを選択するステップは、
前記パルスシーケンスの適用中に前記集合運動モードの加熱速度を測定するステップと、
他の集合運動モードよりも加熱速度が大きい集合運動モードを決定するステップと、
ゲートもつれ操作中に無視できるほど励起されるように、加熱速度が大きい前記集合運動モードの周波数から遠く離れた第一の離調値を選択するステップと、
を含み、
前記離調値を選択するステップは、選択された前記第一の離調値に基づいて実行される、請求項2に記載の方法。 - 情報処理システムによって実行されると、前記情報処理システムに、
ゲート持続時間値と、トラップされたイオンの鎖内の第一のイオンと第二のイオンに対してゲートもつれ操作を実行するために使用されるパルスシーケンスの離調値とを選択するステップであって、前記トラップされたイオンのそれぞれがキュービットを定義する2つの周波数分離状態を有し、
前記パルスシーケンスが複数のパルスセグメントを含み、
ランプが、前記複数のパルスセグメントのそれぞれの開始点及び終了点でスプラインを使用して形成される、ステップと、
前記トラップされたイオンの鎖が整列する方向に垂直な方向で、前記トラップされたイオンの鎖の集合運動モードの周波数を測定するステップと、
選択された前記ゲート持続時間値、選択された前記離調値、及び測定された前記集合運動モードの周波数に基づいて、前記第一のイオンと前記第二のイオンの間のもつれ相互作用の値を計算し、前記第一のイオンと前記第二のイオンの前記集合運動モードの位相空間軌道の値を計算するステップと、
選択された前記離調値、計算された前記もつれ相互作用の値及び計算された前記位相空間軌道の値に基づいて、前記複数のパルスセグメントのそれぞれの強度を決定するステップと、
前記複数のパルスセグメントを接続することによって前記パルスシーケンスを生成するステップであって、前記複数のパルスセグメントのそれぞれが、決定された前記強度を有するステップと、
生成された前記パルスシーケンスを前記第一のイオンと前記第二のイオンに適用するステップと、
を実行させるコンピュータプログラム命令を含む、非一時的なコンピュータ可読媒体。 - 前記第一のイオンと前記第二のイオンの間の前記もつれ相互作用の値を計算するステップと、前記第一のイオンと前記第二のイオンの前記集合運動モードの位相空間軌道の値を計算するステップとは、選択されたランプ持続時間に基づいてさらに実行される、請求項10に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
- 前記コンピュータプログラム命令は、さらに、前記情報処理システムに、
計算された前記もつれ相互作用の値がゼロ~π/4の非ゼロ値であり、かつ計算された前記位相空間軌道の値がゼロであることを要求するステップを実行させる、請求項10に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。 - 前記複数のパルスセグメントの数は、1より大きい任意の整数である、請求項10に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
- 前記コンピュータプログラム命令は、さらに、前記情報処理システムに、
前記トラップされたイオンの鎖に沿った方向に前記トラップされたイオンの位置を測定するステップと、
測定された前記トラップされたイオンの位置に基づいて、前記トラップされたイオンの鎖に垂直な方向にトラップされたイオンの運動を近似する調和振動のばね定数のセットを決定するステップと、
測定された前記トラップされたイオンの位置に基づいて、前記トラップされたイオン間のクーロン相互作用の強度を決定するステップと、
決定された前記ばね定数のセット及び決定された前記クーロン相互作用の強度に基づいて、前記トラップされたイオンの鎖の前記集合運動モードの集合運動モード構造を生成するステップと、
生成された前記集合運動モード構造に基づいて、前記トラップされたイオンの鎖の前記集合運動モードのラムディッケパラメータを決定するステップと、を実行させ、
前記第一のイオンと前記第二のイオンの間の前記もつれ相互作用の値、及び前記第一のイオンと前記第二のイオンの前記集合運動モードの前記位相空間軌道の値は、生成された前記集合運動モード構造と前記ラムディッケパラメータにさらに基づいて計算される、請求項10に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。 - 前記コンピュータプログラム命令は、さらに、前記情報処理システムに、
前記2つの周波数分離状態のうちの低い周波数状態にある前記第一のイオンと前記第二のイオンを準備するステップと、
第一の位相を有する第一のπ/2パルスを前記第一のイオン及び前記第二のイオンに適用するステップと、
生成された前記パルスシーケンスを前記第一のイオンと前記第二のイオンに適用するステップと、
前記第一の位相の負の位相である第二の位相を有する第二のπ/2パルスを前記第一のイオン及び前記第二のイオンに適用するステップと、
前記第一の位相を変化させながら、前記2つの周波数分離状態のうちの低い周波数状態にある前記第一のイオン及び前記第二のイオンの集団を測定するステップと、
前記第一のイオンの前記集団が低い周波数状態にある前記第一の位相の値を前記第一のイオンの第一の校正された位相オフセットとして、前記第二のイオンの前記集団が低い周波数状態にある前記第一の位相の値を前記第二のイオンの第二の校正された位相オフセットとして決定するステップと、
前記2つの周波数分離状態のうちの前記低い周波数状態にある前記第一のイオンと前記第二のイオンを準備するステップと、
校正された位相オフセットを有する前記パルスシーケンスを前記第一のイオン及び前記第二のイオンに適用するステップと、
解析位相を有するπ/2パルスを前記第一のイオン及び前記第二のイオンに適用するステップと、
前記解析位相を変化させながら、前記第一のイオンと前記第二のイオンが両方とも低い周波数状態にある集団と、両方とも高い周波数状態にある集団とを測定するステップと、
幾何学的位相が負であると測定された場合、前記第二のイオンの校正された前記位相オフセットを変更するステップと、
を実行させる、請求項10に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。 - 前記コンピュータプログラム命令は、さらに、前記情報処理システムに、
離調値に基づいて生成された前記パルスシーケンスによって実行されるゲートもつれ操作の平均不忠実度を、前記離調値を変化させながら、計算するステップと、
計算された前記ゲートもつれ操作の不忠実度が最小であり、決定された前記複数のセグメントの強度が最小である前記離調値を選択するステップと、
を実行させる、請求項10に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。 - 前記コンピュータプログラム命令はさらに、前記情報処理システムに、
前記トラップされたイオンの鎖に沿った方向に印加された電界による前記集合運動モードの周波数シフトを計算するステップと、
他の集合運動モードよりも周波数シフトが大きい集合運動モードを決定するステップと、
ゲートもつれ操作中に無視できるほど励起されるように、周波数シフトが比較的大きい前記集合運動モードの周波数から遠く離れた第一の離調値を選択するステップと、
を実行させ、
前記離調値は、選択された前記第一の離調値に基づいて選択される、請求項10に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。 - 前記コンピュータプログラム命令はさらに、前記情報処理システムに、
前記パルスシーケンスの適用中に前記集合運動モードの加熱速度を測定するステップと、
他の集合運動モードよりも加熱速度が大きい集合運動モードを決定するステップと、
ゲートもつれ操作中に無視できるほど励起されるように、加熱速度が大きい前記集合運動モードの周波数から遠く離れた第一の離調値を選択するステップと、
を実行させ、
前記離調値は、選択された前記第一の離調値に基づいて選択される、請求項10に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。 - トラップされたイオンの鎖であって、前記トラップされたイオンのそれぞれがキュービットを定義する2つの超微細状態と励起状態を有する、トラップされたイオンの鎖と、
前記トラップされたイオンの鎖内の第一のイオン及び第二のイオンに提供される、第一の周波数及び第二の周波数を有する一対の非共伝搬レーザビームに分割されるレーザビームを放出するように構成された1つ以上のレーザであって、前記一対の非共伝搬レーザビームが、前記2つの超微細状態のそれぞれと前記励起状態との間で前記第一のイオン及び前記第二のイオンのラビフロップを引き起こすように構成された1つ以上のレーザと、
コントローラと、
を備える、量子コンピュータシステムであって、
前記コントローラは、
ゲート持続時間値と、トラップされたイオンの鎖内の第一のイオンと第二のイオンに対してゲートもつれ操作を実行するために使用されるパルスシーケンスの離調値とを選択するステップであって、前記トラップされたイオンのそれぞれがキュービットを定義する2つの周波数分離状態を有し、
前記パルスシーケンスが複数のパルスセグメントを含み、
ランプが、前記複数のパルスセグメントのそれぞれの開始点及び終了点でスプラインを使用して形成される、ステップと、
前記トラップされたイオンの鎖が整列する方向に垂直な方向で、前記トラップされたイオンの鎖の集合運動モードの周波数を測定するステップと、
選択された前記ゲート持続時間値、選択された前記離調値、及び測定された前記集合運動モードの周波数に基づいて、前記第一のイオンと前記第二のイオンの間のもつれ相互作用の値を計算し、前記第一のイオンと前記第二のイオンの前記集合運動モードの位相空間軌道の値を計算するステップと、
選択された離調値、計算された前記もつれ相互作用の値及び計算された前記位相空間軌道の値に基づいて、前記複数のパルスセグメントのそれぞれの強度を決定するステップと、
前記複数のパルスセグメントを接続することによって前記パルスシーケンスを生成するステップであって、前記複数のパルスセグメントのそれぞれが、決定された前記強度を有する、ステップと、
生成された前記パルスシーケンスを前記第一のイオンと前記第二のイオンに適用するステップと、
を実行するように構成される、量子コンピューティングシステム。 - 前記トラップされたイオンの鎖内の各イオンは、2S1/2超微細状態を有する171Yb+であり、
前記レーザは、355nmのモードロックレーザである、請求項19に記載の量子コンピューティングシステム。 - 前記第一のイオンと前記第二のイオンの間のもつれ相互作用の値を計算し、前記第一のイオンと前記第二のイオンの前記集合運動モードの位相空間軌道の値を計算するステップは、選択されたランプ持続時間に基づいてさらに実行される、請求項19に記載の量子コンピューティングシステム。
- 前記コントローラは、さらに、
前記もつれ相互作用の値がゼロ~π/4の間で選択された任意の値であり、前記位相空間軌道の値がゼロであることを要求するように構成される、請求項19に記載の量子コンピューティングシステム。 - 前記複数のパルスセグメントの数は1より大きい、請求項19に記載の量子コンピューティングシステム。
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