JP2022521802A - マルチレベルインバータの交流出力に過渡電圧変動が発生した場合の電流制限のための方法及びマルチレベルインバータ - Google Patents

マルチレベルインバータの交流出力に過渡電圧変動が発生した場合の電流制限のための方法及びマルチレベルインバータ Download PDF

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Abstract

マルチレベルインバータ(1)の直流出力(17、18、19)に過渡電圧変動が発生した場合の電流制限のための方法が開示され、マルチレベルインバータ(1)は、第1直流入力(3)、第2直流入力(4)、中性端子(5)及びブリッジ出力(6、7、8)を有するブリッジ回路(2、31)と、ブリッジ出力(6、7、8)及び直流出力(17、18、19)の間にチョーク(13、14、15)が接続されたラインフィルタ(16)と、直流出力(17、18、19)及び中性端子(5)の間に接続されたコンデンサ(25、26、27)と、を備える。この方法では、コンデンサ(25、26、27)の電圧(VC1_ac)に応じて、チョーク電流(IL1_ac)が第1電流閾値(I_FRT_1)を超える時、通常動作モードが中断され、電流制限のための対策が開始される。こうした方法を実行するように構成された制御ユニット(29)を備えるマルチレベルインバータ(1)がさらに開示されている。【選択図】図1

Description

本発明は、マルチレベルインバータの交流出力に過渡電圧変動が発生した場合の電流制限のための方法に関する。本発明はさらに、そうした方法を実行するように構成された制御ユニットを有するマルチレベルインバータに関する。
規範的要件に起因して、分散型エネルギー生成システムのインバータは、特定のグリッド障害が発生した時にグリッドから切断されてはならないが、そうしたグリッド障害を乗り越えることができなければならず、又は、無効電力の供給によってグリッドの安定化に寄与することができなければならない(FRT-フォルトライドスルー)。乗り越えられなければならない可能性のあるグリッド障害の1つは、数百マイクロ秒から1~2ミリ秒以内にゼロパーセントまでグリッド電圧が突然一時的に降下すること、又は、インバータの出力の負荷が突然一時的に変化することである。
インバータの交流出力に過渡電圧降下が突然発生した場合、インバータのブリッジ回路のブリッジ出力にはインバータの通常動作時における時と同様の電位が存在し続ける。これにより、ブリッジ出力と交流出力との間に配置されたラインフィルタのチョークが高い電圧差によって磁化され、このことが高い電流勾配を引き起こす。インバータのレギュレータは、インバータの交流出力におけるこうした急速な変化に即座に追従することができず、その結果、インバータの構成要素の破壊を防止するためにさらなる電流制限が必要とされる。
インバータがオフにされてグリッドから又は負荷から切断される絶対電流制限を下回る第1電流閾値を超える時、グリッドから又は負荷からインバータを切断することなくインバータのブリッジ回路のすべてのパワー半導体スイッチの駆動信号を即座に同時に遮断すること、及びその後に、次の通常の駆動クロック信号によって、若しくは、第1電流閾値又は第1電流閾値よりも小さい第2電流閾値を下回った後、インバータの通常動作を継続することが、インバータの交流出力に過渡電圧変動が発生した場合の電流制限において従来技術では公知であり一般的である。第1電流閾値を再び超えると、駆動信号を遮断することによってブリッジ回路のパワー半導体スイッチのすべてがその後再びオフにされ、その結果、2レベルコントローラの原理に従って電流制限が達成される。
マルチレベルインバータ、特にNPCトポロジ(中性点クランプトポロジ)として知られているマルチレベルインバータの場合、原理は、ブリッジ回路の入力端子で異なる電位にリンクされている電圧レベルがブリッジ回路の出力端子に印加されることを必要とする。その結果、ブリッジ回路のすべてのパワー半導体スイッチが、スイッチオフ状態への移行のために同時に駆動される時、スイッチオフ状態への異なるパワー半導体スイッチの移行の異なる速度に起因して、ブリッジ回路に追加で存在するフリーホイーリングダイオードを通じて生じる電流と組み合わせて、インバータの通常動作中よりも高い電圧がブリッジ回路の個々のパワー半導体スイッチに一時的に存在することが起こり得る。これらのより高い電圧は、特定の状況では、ブリッジ回路の個々のパワー半導体スイッチに損傷を与える可能性がある。
さらに、ブリッジ回路のすべてのパワー半導体スイッチを単に同時にオフにすることによって、マルチレベルインバータの複数の電圧レベルのうち2つの異なる電圧レベルのみが実際に使用され、その結果、最適化された電流制限の既存の可能性は使用されないままである。
したがって、本発明の目的は、マルチレベルインバータ及び対応のインバータの交流出力にそれぞれ過渡電圧変動が発生した場合の電流制限のための方法を提供することであり、電流制限は、可能な最小電流及び可能な最低クロック周波数によってインバータのブリッジ回路のパワー半導体スイッチのローディングが有効になっていることに関して最適化され、かつ、ブリッジ回路の通常動作時に比べてパワー半導体スイッチにおいてより高電圧が発生することが阻止される。
この目的は、本発明によれば、独立請求項1に記載の方法及び独立請求項7に記載のマルチレベルインバータによって達成される。本発明の有利な実施形態は従属請求項に記載されている。
マルチレベルインバータの交流出力に過渡電圧変動が発生した場合の電流制限のための本発明に係る方法では、2つの場合が区別され、マルチレベルインバータは、第1直流入力、第2直流入力、中性端子及びブリッジ出力を有するブリッジ回路と、ブリッジ出力と交流出力との間にチョークが接続されたラインフィルタと、交流出力及び中性端子の間に接続されたコンデンサであって、第1直流入力に存在する電位、又は、第2直流入力に存在する電位、又は、ブリッジ出力への中性端子に存在する電位を選択的に印加するように構成されたコンデンサと、を備えている。
通常動作モードでのインバータの動作中、コンデンサの電圧の大きさが電圧閾値を上回る場合、チョークを流れる電流の大きさが第1電流閾値を超えた時、通常動作モードが中断され、かつ、チョークを流れる電流の大きさが、第1電流閾値以下である第2電流閾値を下回るまで、中性端子に存在する電位がブリッジ出力に印加される。
通常動作モードでのインバータの動作中、コンデンサの電圧の大きさが電圧閾値以下である場合、チョークを流れる電流の大きさが第1電流閾値を超えた時、通常動作モードが同様に中断され、かつ、直流入力以外のそれぞれ他の直流入力の電位であって、そこに存在する電位は、第1電流閾値を超える前にブリッジ出力に最後に印加された電位である、電位が、チョークを流れる電流の大きさが第1電流閾値以下の第2電流閾値を下回るまでブリッジ出力に印加される。このことは、第1電流閾値を超える前に、第1直流入力に存在する電位がブリッジ出力に印加され、その後に第1電流閾値を超えた後、第2直流入力に存在する電位がブリッジ出力に印加されることを意味する。したがって、第1電流閾値を超えた後、第1電流閾値を超える前に第2直流入力に存在する電位がブリッジ出力に印加された場合、第1直流入力に存在する電位がブリッジ出力に印加される。
第1電流閾値を超えた時のコンデンサの電圧の値に応じてブリッジ出力に異なる電位を印加することは、本発明に係る電流制限のための方法が適用される場合、電流の大きさの減衰を生じさせる電流勾配の最適な設定を保証する。コンデンサの電圧の大きさが電圧閾値を上回る場合は、交流出力での穏やかな過渡電圧降下の場合に対応し、及びしたがって、結果として生じる電流の大きさの上昇に対する穏やかな電流勾配にも対応する。したがって、チョークを流れる電流の大きさが第1電流閾値を超えた後、結果として生じる電流の大きさの減衰のための穏やかな電流勾配が、中性端子に存在する電位を印加することによってもたらされる一方で、第1電流閾値を超える前の電位以外のそれぞれ他の直流入力の電位が印加される場合、又は、先行技術による方法に沿って、すべてのパワー半導体スイッチがオフにされる時、電流の減衰の大きさについて著しく大きな電流勾配が生じる。電流の大きさを減衰させるために可能な最低電流勾配に設定することによって、電流制限のための方法の過程で様々な電位がブリッジ出力に印加される可能な最低クロック周波数を保証する。
コンデンサの電圧の大きさが電圧閾値以下の場合は、過渡電圧降下が大きくなる場合と、電流の大きさの上昇で生じる電流勾配が大きくなる場合とに対応する。この場合、中性端子に存在する電位が第1電流閾値を超えた後に印加された時、チョークを流れる電流の大きさが上昇し続け、これはその後、直流入力以外のそれぞれ異なる直流入力の電位を印加することにより防止され、そこに存在する電位は、第1電流閾値を超える前にブリッジ出力に最後に印加された。
したがって、このことは、過渡電圧降下の場合に、電圧閾値を上回るコンデンサの電圧について、チョークを流れる電流の大きさが、中性端子に存在する電位がブリッジ出力に印加された時に第1電流閾値を超えた後は上昇しないというように、本発明に係る方法において電圧閾値の大きさを決定するために当業者に対する指令を生じさせる。
電流閾値を超える前の直流入力以外のそれぞれの他の直流入力への電位の印加は、好ましくは、対応の直流入力とブリッジ出力との間のパワー半導体スイッチのすべてが適切な駆動によってスイッチオン状態に移行される本発明に係る方法で発生する。マルチレベルインバータで使用されるブリッジ回路では、これは、トポロジに応じて、必要に応じて、複数のパワー半導体スイッチを必要とする場合がある。
第1電流閾値の大きさの決定は、インバータの通常動作モードで発生する電流リップルの最大値を上回り、かつ、絶対電流制限を下回るように行われ、絶対電流制限に達すると、インバータはオフにされてグリッドから又は負荷から切断される。
電流制限の方法中にブリッジ出力に様々な電位が印加されるクロック周波数と、電流制限中に結果として生じる電流リップルの振幅との間で良好な妥協点が達成されるように第2電流閾値が特定される必要がある。第1電流閾値に等しい第2電流閾値が選択された場合、実際には1つのみの電流閾値が存在する。この場合、特に、過度に高いクロック周波数を回避するために、チョークを流れる電流の測定値を平滑化するための追加の手段を提供することが有利である。
ここでは、インバータの通常動作モードは、乗り越えられるべき障害が存在しない場合にグリッドに又は負荷に供給するための動作モードを示す。この動作モードでは、供給される交流電流の第1半波中に、第1直流入力に存在する電位を有するパルス幅変調パルスが、中性端子に存在する電位と交互に交流出力に印加され、及び、供給される交流電流の第2半波中に、第2直流入力に存在する電位を有するパルス幅変調パルスが、中性端子に存在する電位と交互に交流出力に印加される。
本発明に係る方法の一実施形態では、チョークを流れる電流の大きさが第2電流閾値を下回った後に通常動作モードが継続される。
通常動作モードを継続する場合、その後にブリッジ出力に印加される電位と、パルス幅とは、通常動作モードを中断せずにこの時点で存在しているように設定され、このことはまた、一方で、第2半波に供給される交流電流の第1半波から、逆もまた同様に、生じる変化によって、第1電流閾値を超える前の以外の異なるそれぞれ他の直流入力での電位がブリッジ出力に印加される。
過渡電圧降下が未だ終了していない場合、通常動作モードの継続後に第1電流閾値が再び超えられ、及び、電流制限のための方法が再び実行され、その結果、2レベルコントローラの原理に従って継続的な電流制限が達成される。
本発明に係る方法のさらなる実施形態において、インバータが通常動作モードで動作する状態で、コンデンサの電圧の大きさが電圧閾値以下である場合、チョークを流れる電流の大きさが第1電流閾値を超えた時、通常動作モードが中断され、及び、中性端子に存在する電位が最初にブリッジ出力に印加される。その後、直流入力以外のそれぞれ他の直流入力の電位であって、そこに存在する電位は、第1電流閾値を超える前にブリッジ出力に最後に印加された電位である、電位が、チョークを流れる電流の大きさが第1電流閾値以下の第2電流閾値を下回るまで、ブリッジ出力に印加され、及びその後、中性端子に存在する電位が、通常動作モードが継続される前に最初にブリッジ出力に再び印加される。
本発明に係る方法のこの実施形態では、ブリッジ出力への第1直流入力に存在する電位の印加とブリッジ出力への第2直流入力に存在する電位の印加との間で、同様に、ブリッジ出力への第2直流入力に存在する電位の印加とブリッジ出力への第1直流入力に存在する電位の印加との間で、中性端子に存在する電位が各々の場合にブリッジ出力に印加されるという事実に起因して、異なる速度でのパワー半導体スイッチの切り替えが回避される結果としてパワー半導体スイッチへのブリッジ回路の通常動作中に、より高い電圧の一時的な印加が発生し得る。さらに、ブリッジ出力への中性端子の電位の中間の印加によって、ブリッジ出力の電位が第1直流入力に存在する電位の印加と第2直流電位に存在する電位の印加との間で変化する周波数が低減され、その結果として、すべてのパワー半導体スイッチのクロック周波数が低減され、さらに結果として、パワー半導体スイッチにかかる応力を低減する。
本発明に係る方法のさらなる実施形態では、インバータが通常動作モードで動作する状態で、コンデンサの電圧の大きさが電圧閾値以下である場合、チョークを流れる電流の大きさが第1電流閾値を超えた時、通常動作モードが中断され、かつ、前述した実施形態と同様に、中性端子に存在する電位が最初にブリッジ出力に印加される。その後、直流入力以外のそれぞれ他の直流入力の電位であって、そこに存在する電位は、第1電流閾値を超える前にブリッジ出力に最後に印加された電位である、電位が、チョークを流れる電流の大きさが第2電流閾値を下回るまで、ブリッジ出力に印加され、かつその後、中性端子に存在する電位が、チョークを流れる電流の大きさが第1電流閾値を超えるまで、ブリッジ出力に再び印加される。これに続いて、第1電流閾値を最初に超える前と異なるそれぞれ他の直流入力の電位が再び印加される。
第1電流閾値を超える前以外のそれぞれ他の直流入力の電位の印加と、第1及び第2電流閾値を超えたり下回ったりすることに依存するブリッジ出力への中性端子に存在する電位の印加との間の変化は、その後、コンデンサの電圧の大きさが再び電圧閾値を上回るまで繰り返される。その後にのみ通常動作モードが継続される。
本発明に係る方法の実施形態では、さらに低減されたクロック周波数の可能性、かつしたがって、パワー半導体スイッチにおけるより低い応力の可能性が生じる。この実施形態は、さらにまた、コンデンサの電圧の大きさが電圧閾値以下にある限り、すなわち、過渡電圧降下が依然として存在する限り、通常動作モードの不必要な再開を回避する。
前述した本発明に係る方法の実施形態では、通常動作モードが中断されてから予め規定可能な時間が経過した場合、代替的に、通常動作モードが継続されることもできる。
ブリッジ出力への電位の印加は、チョークを流れる電流に応じて、かつ、閾値を超える又は下回るコンデンサの電圧に応じて、本発明に係る方法において生じる。この電流及びこの電圧は、この目的のため、チョークで又はコンデンサで直接測定されることが好ましい。しかしながら、この電流及びこの電圧が、インバータ内の他の測定された及び/又は既知の量から決定されること、又は、本方法の適用において即座に同等の測定値を使用することも可能である。コンデンサの電圧は、例えば、グリッドの測定された相電圧から決定されることができる。特に、電圧測定値から電流が決定されることもでき、かつ、電流測定値から電圧が決定されることもできる。
本発明に係る方法の一実施形態では、ブリッジ出力への電位の印加の持続時間が、閾値を超える又は下回ることによって特定されない場合、少なくとも、ブリッジ回路内の電流及び電位の過渡プロセスが完了されるのに十分な長さでブリッジ出力に電位を印加することが有利である。このことは特に、異なる速度で切り替わるパワー半導体スイッチの結果としてブリッジ回路の通常動作時よりも高いパワー半導体スイッチで一時的に発生する電圧を回避するために、中性端子に存在する電位がブリッジ出力に印加される場合に当てはまる。
本発明に係るマルチレベルインバータは、第1直流入力、第2直流入力、中性端子及びブリッジ出力を有するブリッジ回路と、ブリッジ出力と交流出力との間にチョークが接続されたラインフィルタと、交流出力及び中性端子の間に接続されたコンデンサと、を備えている。本発明に係るマルチレベルインバータは、本発明に係る方法を実行するように構成された制御ユニットをさらに備える。
本発明に係るマルチレベルインバータのブリッジ回路は、ダイオードクランプNPC(中性点クランプ)ブリッジ回路であってもよい。こうしたブリッジ回路は、標準的なNPC、NPCタイプI又はINPCの別名でも知られている。
本発明に係るマルチレベルインバータのさらなる実施形態では、ブリッジ回路は、BSNPCブリッジ回路(双方向スイッチ中性点クランプブリッジ回路)であってもよい。こうしたブリッジ回路は、NPCタイプII又はTNPCの別名でも知られている。
本発明に係るマルチレベルインバータのさらなる実施形態では、ブリッジ回路は、ANPC(アクティブ中性点クランプ)ブリッジ回路であってもよい。
本発明に係るマルチレベルインバータのブリッジ回路のパワー半導体スイッチは、電界効果トランジスタとして、例えばSiC MOSFETとして、又は、バイポーラトランジスタとして、例えばシリコン技術におけるIGBTとして実装されることができる。特に、ブリッジ回路の一部のみ個々のパワー半導体スイッチが電界効果トランジスタとして実装されることが可能であり、かつ、ブリッジ回路のそれぞれ他のパワー半導体スイッチがバイポーラトランジスタであってもよい。これにより、スイッチング時間、スイッチング損失及び導通損失の観点から、パワー半導体スイッチの最適な選択を可能にする。
本発明に係るインバータマルチレベルは、例えば、2つのブリッジ回路がオフセットでクロックされることができる、単相インバータであってもよく、又は、しかしながら、例えば、三相ブリッジ回路が、オフセットクロックを有する少なくとも3つのブリッジ回路を備える三相インバータであってもよい。
複数のブリッジ回路を備える本発明に係るマルチレベルインバータでは、本発明に係る方法に係る電流制限が、他のブリッジ回路とは独立して、各ブリッジ回路に対して個別に実行されることができる。代替的に、それぞれのチョークを流れるそれぞれの最大電流、及び、それぞれのブリッジ出力とそれぞれの交流出力との間に配置されたすべてのラインフィルタのそれぞれのコンデンサでのそれぞれの最低電圧に応じて、すべてのブリッジ回路で同一の電流制限が実行されることができる。
本発明は、図面を参照して以下でより詳細に説明される。ここでの図面は、本発明の実施形態を説明することを目的としており、かつ、示されている特徴に本発明を限定するものではない。
本発明に係るインバータを示している。 本発明に係るインバータの相分岐を示している。 第1の場合の本発明に係る方法における時系列を示している。 第2の場合の本発明に係る方法における時系列を示している。 第3の場合の本発明に係る方法における時系列を示している。 第4の場合の本発明に係る方法における時系列を示している。 本発明に係る方法のさらなる実施形態における時系列を示している。 ダイオードクランプNPCブリッジ回路としての一実施形態における本発明に係るインバータのブリッジ回路を示している。 BSNPCブリッジ回路としての一実施形態における本発明に係るインバータのブリッジ回路を示している。 ANPCブリッジ回路としての一実施形態における本発明に係るインバータのブリッジ回路を示している。
本発明に係るインバータ1は、図1の一実施形態において三相インバータとして例示されている。インバータは、第1直流入力3、第2直流入力4、中性端子5及び3つのブリッジ出力6、7、8を有する三相ブリッジ回路2を備えている。その中心点10が中性端子5に接続されるスプリット直流リンク回路9が第1直流入力3と第2直流入力4との間に接続される。第1直流入力3はインバータ1の第1直流端子11にさらに接続され、第2直流入力4がインバータ1の第2直流端子12に接続される。
ブリッジ出力6、7、8は各々、ラインフィルタ16のチョーク13、14、15を通じてインバータ1の交流出力17、18、19に接続される。グリッド23の三相コンダクタ20、21、22のうちの1つが交流出力17、18、19の各々に接続される。ラインフィルタ16のコンデンサ25、26、27が交流出力17、18、19の各々にさらに接続される一方で、コンデンサ25、26、27の他端が同様に、ブリッジ回路2の中性端子5に接続される共通の中性点28に接続される。本発明に係るインバータの別の実施形態では、グリッド23のスターポイント24が、中性点28に接続されてもよく、及びしたがって、ブリッジ回路2の中性端子5にも接続されてもよい。
本発明に係るインバータ1は、ブリッジ回路2を駆動するように構成された制御ユニット29をさらに備え、第1直流入力3に存在する電位、この場合は例えば陽電位DC+、又は、第2直流入力4に存在する電位、この場合は例えば陰電位DC-、又は、中性端子5に存在する電位、この場合は例えば中性電位Nが、選択的にブリッジ出力6、7、8に印加され、制御ユニット29は、駆動信号を使用して、ブリッジ回路2内に包含されたパワー半導体スイッチを駆動してスイッチオン状態又はスイッチオフ状態に移行させる。制御ユニット29は、特に、交流出力17、18、19で過渡電圧変動が存在する場合に電流制限を有効にするために本発明に係る方法を実行するように構成されている。
図2は、単相ブリッジ回路31を有する本発明に係るインバータの相分岐30を示している。図1に係る三相インバータ1では、少なくとも3つのそうした単相ブリッジ回路31が三相ブリッジ回路2内に配置されており、第1直流入力3はすべての単相ブリッジ回路31に接続され、第2直流入力4がすべての単相ブリッジ回路31に接続され、すべての単相ブリッジ回路31の中性端子5がともに接続されている。単相インバータは、単相ブリッジ回路31を有する少なくとも1つの相分岐30を備えている。
制御ユニット29は、3つの値に応じて、本発明に係る方法による電流制限を有効にするために、チョーク13を通じて電流IL1_ac及びコンデンサ26で電圧VC1_acを取り込む。
グリッドの過渡電圧降下が存在し、かつ、電圧VC1_acが電圧閾値V_FRTを上回る場合の、本発明に係る方法の時系列の一例が図3に示されている。ステップS1では、インバータは通常動作モードで動作させられ、電位DC+がブリッジ出力に存在する。発生するグリッドの過渡電圧降下は、電流IL1_acの大きさを上昇させる。時間t1で、電流IL1_acの大きさは、絶対電流制限I_HWを下回る第1電流閾値I_FRT_1を超え、絶対電流制限I_HWに達すると、インバータは、オフにされ、かつ、グリッドから又は負荷から切断される。時間t1で電流IL1_acの大きさが第1電流閾値I_FRT_1を超える結果、通常動作モードが中断され、かつ、ステップS2でブリッジ出力に電位Nが印加され、それによって、電流IL1_acの大きさがさらに減少する。電流IL1_acの大きさが時間t2で第2電流閾値I_FRT_2を下回るまでブリッジ出力に電位Nが印加される。その後、通常動作モードがステップS3で継続され、時間t2で通常動作モードを中断させることなく存在していた電位、この場合では電位DC+がブリッジ出力に印加される。
過渡電圧降下が依然として存在することに起因して、電流IL1_acの大きさがその後再び上昇し、時間t3で、第1電流閾値I_FRT_1を再び超え、そこで、ステップS4において、電流の大きさが再び第2電流閾値I_FRT_2を下回るまでブリッジ出力に電位Nが再び印加される。このようにして、過渡電圧降下が残存して電流IL1_acの大きさが通常動作モードの継続後、結果として再び常に上昇する限り、2レベルコントローラの原理に従った電流制限が本発明に係る方法によって有効にされる。
グリッドの過渡電圧降下が存在し、かつ、電圧VC1_acの大きさが電圧閾値V_FRT以下である場合の、本発明に係る方法の時系列の一例が図4に示されている。ステップS5では、インバータは通常動作モードで動作させられ、電位DC+がブリッジ出力に存在している。グリッドの過渡電圧降下は電流IL1_acの大きさを上昇させる。時間t4で、電流IL1_acの大きさが第1電流閾値I_FRT_1を超える。その結果、通常動作モードが中断され、ステップS6でブリッジ出力に最初に電位Nが印加され、そうすると、電流IL1_acの大きさがさらに上昇し続ける。ステップS7において、時間t5で、電位DC-がブリッジ出力に印加され、それによって、電流IL1_acの大きさが再び降下する。時間t6で電流IL1_acの大きさが第2電流閾値I_FRT_2を下回るまで電位DC-がブリッジ出力に印加される。ステップS8で、電位Nは、その後、最初にブリッジ出力に再び印加され、時間t7で、その後、通常動作モードがステップS9において継続され、時間t7で通常動作モードを中断することなくさらに存在していた電位、この場合は電位DC+がブリッジ出力に印加される。
過渡電圧降下が依然として存在することに起因して、電流IL1_acの大きさは再び上昇し、その結果、過渡電圧降下が継続する限り、図4に示すステップの反復によって、2レベルコントローラの原理に従った電流制限が本発明に係る方法によって有効にされる。
図5は、グリッドの過渡電圧降下が存在し、かつ、電圧VC1_acの大きさが電圧閾値V_FRTを上回る場合の、本発明に係る方法の時系列のさらなる例を示している。図3とは対照的に、ここには、その大きさが電圧閾値V_FRTを上回る陰電圧VC1_acが存在している。ステップS10で、インバータは通常動作モードで動作させられ、図3とは対称的に、陰電位DC-がブリッジ出力に存在している。電流IL1_acも陰である。電流IL1_acの大きさが検討される場合、本方法の順番は図3のものと原理的に異ならない。時間t8で電流IL1_acの大きさが第1電流閾値I_FRT_1を超える時、通常動作モードは中断され、かつ、電位NがステップS11でブリッジ出力に印加され、それによって、電流IL1_acの大きさが再び降下する。時間t9で電流IL1_acの大きさが第2電流閾値I_FRT_2を下回るまで電位Nがブリッジ出力に印加される。その後、通常動作モードがステップS12で継続され、かつ、時間t10で電流IL1_acの大きさが第1電流閾値I_FRT_1を再び超えると、ステップS13で電位Nが再びブリッジ出力に印加される。これらのステップを反復して実行することによって、過渡電圧効果が継続する限り、2レベルコントローラの原理に従って電流制限が有効にされる。
図6の本発明に係る方法における時系列の例はまた、グリッドの過渡電圧効果が存在し、かつ、電圧VC1_acの大きさが電圧閾値V_FRT以下である場合に関連する。図4の例とは対照的に、ここでのインバータは、通常動作モードでステップS14において動作させられ、図4とは対照的に、ブリッジ出力に陰電位DC-を有する。さらに、ここでは電流IL1_acは陰である。電流IL1_acの大きさが検討される場合、本方法の順番は図4のものと原理的に異ならない。時間t11で電流IL1_acの大きさが第1電流閾値I_FRT_1を超える。そこで通常動作モードは中断され、かつ、電位NがステップS15でブリッジ出力に最初に印加され、その後、時間t13で電流IL1_acの大きさが第2電流閾値I_FRT_2を下回るまで、ステップS16において時間t12で、電位DC+がブリッジ出力に印加される。ステップS17において、電位Nが再び最初にブリッジ出力に印加され、かつ、時間t14でステップS18において通常動作モードが継続される。本発明に係る方法を使用して図6に示すステップを繰り返すことによって、過渡電圧効果が継続する限り、2レベルコントローラの原理に従って電流制限が有効にされる。
グリッドの過渡電圧降下が存在し、かつ、電圧VC1_acの大きさが電圧閾値V_FRT以下である場合に関連する、本発明に係る方法のさらなる実施形態における時系列の一例が図7に示されている。時間t15及びt16におけるステップS19、S20及びS21による順序は、図4に示される例示的な実施形態における時間t4及びt5におけるステップS5、S6及びS7による順序と同じである。時間t17で電流IL1_acの大きさが第2電流閾値I_FRT_2を下回る時、その後、電位NがステップS22においてブリッジ出力に印加され、かつ、これは、電流IL1_acが時間t18において第1電流値I_FRT_1を再び超えるまで行われる。次のステップS23で、電位DC-がその後、ステップS21と同様に、ブリッジ出力に印加され、そうすると電流IL1_acの大きさが再び降下する。
電流が電流閾値I_FRT_2を下回るか又は第1電流閾値I_FRT_1が超えられる限り、電位DC-及びNの反復した交互の印加によって、2レベルコントローラの原理に従った電流制限が本発明に係る方法のこの実施形態によって有効にされる。電圧VC1_acの大きさが再び電圧閾値V_FRTを上回る場合のみが、継続される通常動作モードであり、その後、電流は、過渡電圧降下が依然として継続する場合に図4の例に示されるように本発明に係る方法によって例えばさらに限定され、又は、電流制限が終了される。
図7の例示的な実施形態は、第1電流閾値I_FRT_1が最初に超えられる前にブリッジ出力に電位DC+が存在する場合であって、陽電流IL1_acが存在する場合に関する。第1電流閾値I_FRT_1が最初に超えられる前にブリッジ出力に電位DC-が存在する場合であって、陰電流IL1_acが存在する場合、原則として同じ順序を有する本発明に係る方法のさらなる例示的な実施形態は、電流IL1_acの大きさが検討される場合に生じる。
ダイオードクランプNPCブリッジ回路としての本発明に係るインバータのブリッジ回路31の一実施形態が図8に示されている。このブリッジ回路31では、第1直流入力3が、第1パワー半導体スイッチT1、第2半導体スイッチT2、第3パワー半導体スイッチT3及び第4パワー半導体スイッチT4の直列回路を介してブリッジ回路31の第2直流入力4に接続される。逆平行ダイオードD1~D4がパワー半導体スイッチT1~T4の各々とともに配列され、その各々が、それぞれのパワー半導体スイッチT1~T4がスイッチオン状態にある時に可能である電流流れ方向とは反対の電流の流れを可能にする。
中性端子5は第5ダイオードD5を介して第1パワー半導体スイッチT1と第2パワー半導体スイッチT2との間の接続点に接続されている。第3パワー半導体スイッチT3と第4パワー半導体スイッチT4との間の接続点はダイオードD6を介して中性端子5に接続されている。第2パワー半導体スイッチT2と第3パワー半導体スイッチT3との間の接続点はブリッジ出力6を形成する。
パワー半導体スイッチT1~T4は、駆動信号G1~G4によってスイッチオン状態又はスイッチオフ状態に移行するように制御されることができる。適切な制御によって、第1直流入力3に存在する電位DC+、又は、第2直流入力4に存在する電位DC-、又は、中性端子5に存在する電位Nがその後にブリッジ出力6に選択的に印加されることができる。
図8のブリッジ回路31の例示的な実施形態では、例えば、パワー半導体スイッチT1及びT4は、電解効果トランジスタ、例えばSiC MOSFETとして具現化され、かつ、パワー半導体スイッチT2及びT3は、バイポーラトランジスタ、例えばシリコン技術のIGBTとして具現化される。パワー半導体技術の他の組み合わせも可能である。
BSNPCブリッジ回路としての本発明に係るインバータのブリッジ回路31の一実施形態が図9に示されている。ここでは、第1直流入力3が、第1パワー半導体スイッチT1及び第4パワー半導体スイッチT4の直列回路を介してブリッジ回路1の第2直流入力4に接続されている一方で、第1パワー半導体スイッチT1及び第4パワー半導体スイッチT4の間の接続点はブリッジ出力6を形成する。逆並行ダイオードD1又はD4は、パワー半導体スイッチT1及びT4の各々とともに配置され、その各々が、パワー半導体スイッチT1又はT4がスイッチオン状態にある時に可能である電流流れ方向とは反対の電流の流れを可能にする。反対の電流流れ方向を有し、かつ、各々の場合にダイオードD2及びD3がそれぞれパワー半導体スイッチの各々と逆平行に接続される、2つのパワー半導体スイッチT2及びT3の直列回路は、第1パワー半導体スイッチT1と第4パワー半導体スイッチT4との間の接続点と中性端子5との間に配置される。ダイオードD2及びD3に関連してパワー半導体スイッチT2及びT3の配置は双方向スイッチを形成する。
パワー半導体スイッチT1~T4が、駆動信号G1~G4によってスイッチオン状態又はスイッチオフ状態に移行するために制御されることができる。適切な制御によって、第1直流入力3に存在する電位DC+、又は、第2直流入力4に存在する電位DC-、又は、中性端子5に存在する電位Nが、その後、ブリッジ出力6に選択的に印加されることができる。
図9のブリッジ回路31の例示的な実施形態では、すべてのパワー半導体スイッチが、例えば、バイポーラトランジスタとして、例えばシリコン技術のIGBTとして具現化される。他のパワー半導体技術又は異なるパワー半導体技術の組み合わせも可能である。
ANPCブリッジ回路としての本発明に係るインバータのブリッジ回路31のさらなる実施形態が図10に示されている。図8のNPCブリッジ回路とは対照的に、第5及び第6パワー半導体スイッチT5及びT6がそれぞれ、第5及び第6ダイオードD5及びD6に逆並列にさらに接続される。
パワー半導体スイッチT1~T6は、駆動信号G1~G6によってスイッチオン状態又はスイッチオフ状態に移行するために制御されることができる。適切な制御によって、第1直流入力3に存在する電位DC+、又は、第2直流入力4に存在する電位DC-、又は、中性端子5に存在する電位Nが、その後、ブリッジ出力6に選択的に印加されることができる。
図10におけるブリッジ回路31の例示的な実施形態では、パワー半導体スイッチT2及びT3が、例えば、電解効果トランジスタとして具現化され、例えば、SiC MOSFETとして具現化され、かつ、パワー半導体スイッチT1、T4、T5及びT6が、バイポーラトランジスタとして、例えば、シリコン技術のIGBTとして具現化される。パワー半導体技術の他の組み合わせも可能である。
本発明は、明示的に示される実施形態に制限されないが、多用途に修正されることがき、特に、当業者に示される又は知られた他の実施形態と組み合わせられることができる。
1 インバータ
2 ブリッジ回路
3 直流入力
4 直流入力
5 中性端子
6 ブリッジ出力
7 ブリッジ出力
8 ブリッジ出力
9 直流リンク回路
10 中心点
11 直流端子
12 直流端子
13 チョーク
14 チョーク
15 チョーク
16 ラインフィルタ
17 交流出力
18 交流出力
19 交流出力
20 相導体
21 相導体
22 相導体
23 グリッド
24 スターポイント
25 コンデンサ
26 コンデンサ
27 コンデンサ
28 中性点
29 制御ユニット
30 相分岐
31 ブリッジ回路
DC+ 電位
DC- 電位
N 電位
C1_ac 電圧
L1_ac 電流
V_FRT 電圧閾値
I_FRT_1 電流閾値
I_FRT_2 電流閾値
I_HW 絶対電流制限
S1、S2、…、S23 ステップ
t1、t2、…、t18 時点
T1 パワー半導体スイッチ
T2 パワー半導体スイッチ
T3 パワー半導体スイッチ
T4 パワー半導体スイッチ
T5 パワー半導体スイッチ
T6 パワー半導体スイッチ
D1 ダイオード
D2 ダイオード
D3 ダイオード
D4 ダイオード
D5 ダイオード
D6 ダイオード
G1 駆動信号
G2 駆動信号
G3 駆動信号
G4 駆動信号
G5 駆動信号
G6 駆動信号

Claims (12)

  1. マルチレベルインバータ(1)の直流出力(17、18、19)に過渡電圧変動が発生した場合の電流制限のための方法であって、前記マルチレベルインバータ(1)は、第1直流入力(3)、第2直流入力(4)、中性端子(5)及びブリッジ出力(6、7、8)を有するブリッジ回路(2、31)と、前記ブリッジ出力(6、7、8)及び前記直流出力(17、18、19)の間にチョーク(13、14、15)が接続されたラインフィルタ(16)と、前記直流出力(17、18、19)及び前記中性端子(5)との間に接続されたコンデンサ(25、26、27)と、を備え、前記マルチレベルインバータ(1)は、前記第1直流入力(3)に存在する電位(DC+)又は前記第2直流入力(4)に存在する電位(DC-)又は前記中性端子(5)に存在する電位(N)を選択的に前記ブリッジ出力(6、7、8)に印加するように構成され、
    通常動作モードでの前記インバータ(1)の動作中、前記コンデンサ(25、26、27)の電圧(VC1_ac)の大きさが電圧閾値(V_FRT)を上回る場合、前記チョーク(13、14、15)を流れる電流(IL1_ac)の大きさが第1電流閾値(I_FRT_1)を超える時、前記通常動作モードが中断され、かつ、前記チョーク(13、14、15)を流れる前記電流(IL1_ac)の大きさが前記第1電流閾値(I_FRT_1)以下である第2電流閾値(I_FRT_2)を下回るまで、前記中性端子(5)に存在する前記電位(N)が前記ブリッジ出力(6、7、8)に印加され、
    通常動作モードでの前記インバータ(1)の動作中、前記コンデンサ(25、26、27)の電圧(VC1_ac)の大きさが前記電圧閾値(V_FRT)以下である場合、前記チョーク(13、14、15)を流れる電流(IL1_ac)の大きさが第1電流閾値(I_FRT_1)を超える時、前記通常動作モードが中断され、かつ、前記直流入力(3、4)以外のそれぞれ他の前記直流入力(3、4)の前記電位(DC+、DC-)であって、そこに存在する前記電位は、前記第1電流閾値(I_FRT_1)が超えられる前に前記ブリッジ出力に最後に印加されたものである、前記電位が、前記チョーク(13、14、15)を流れる前記電流(IL1_ac)の大きさが、前記第1電流閾値(I_FRT_1)以下である前記第2電流閾値(I_FRT_2)を下回るまで、前記ブリッジ出力(6、7、8)に印加される、方法。
  2. 前記通常動作モードは、前記チョーク(13、14、15)を流れる前記電流(IL1_ac)の大きさが、前記第1電流閾値(I_FRT_1)以下である前記第2電流閾値(I_FRT_2)を下回った後に継続される、請求項1に記載の方法。
  3. 通常動作モードでの前記インバータ(1)の動作中、前記コンデンサ(25、26、27)の前記電圧(VC1_ac)の大きさが前記電圧閾値(V_FRT)以下である場合、前記通常動作モードは、前記チョーク(13、14、15)を流れる前記電流(IL1_ac)の大きさが前記第1電流閾値(I_FRT_1)を超える時に中断され、
    前記通常動作モードが継続される前に、
    最初に、前記中性端子(5)に存在する前記電位(N)が前記ブリッジ出力(6、7、8)に印加され、
    その後、前記直流入力(3、4)以外のそれぞれ他の前記直流入力(3、4)に存在する前記電位(DC+、DC-)であって、そこに存在する前記電位は、前記第1電流閾値(I_FRT_1)が超えられる前に前記ブリッジ出力(6、7、8)に最後に印加されたものである、前記電位が、前記チョーク(13、14、15)を流れる前記電流(IL1_ac)の大きさが、前記第1電流閾値(I_FRT_1)以下である第2電流閾値(I_FRT_2)を下回るまで、前記ブリッジ出力(6、7、8)に印加され、
    その後再び、前記中性端子(5)に存在する前記電位(N)が前記ブリッジ出力(6、7、8)に最初に印加される、請求項2に記載の方法。
  4. 通常動作モードでの前記インバータ(1)の動作中、前記コンデンサ(25、26、27)の前記電圧(VC1_ac)の大きさが前記電圧閾値(V_FRT)以下である場合、前記チョーク(13、14、15)を流れる前記電流(IL1_ac)の大きさが初めて前記第1電流閾値(I_FRT_1)を超える時、前記通常動作モードが中断され、
    最初に、前記中性端子(5)に存在する前記電位(N)が前記ブリッジ出力(6、7、8)に印加され、
    その後、反復的に、
    前記直流入力(3、4)以外のそれぞれ他の前記直流入力(3、4)に存在する前記電位(DC+、DC-)であって、そこに存在する前記電位は、前記第1電流閾値(I_FRT_1)が初めて超えられる前に前記ブリッジ出力に最後に印加されたものである、前記電位が、前記チョーク(13、14、15)を流れる前記電流(IL1_ac)の大きさが、前記第1電流閾値(I_FRT_1)以下である前記第2電流閾値(I_FRT_2)を下回るまで、前記ブリッジ出力(6、7、8)に印加され、かつ、その後、前記中性端子(5)の前記電位(N)が、前記チョークを流れる前記電流(IL1_ac)の大きさが前記第1電流閾値(I_FRT_1)を再び超えるまで前記ブリッジ出力(6、7、8)に印加される、請求項1に記載の方法。
  5. 前記通常動作モードは、前記コンデンサ(25、26、27)の前記電圧(VC1_ac)の大きさが前記電圧閾値(V_FRT)を上回る時に継続される、請求項4に記載の方法。
  6. 前記通常動作モードは、前記通常動作モードの中断から予め規定可能な時間が経過した場合に継続される、請求項4に記載の方法。
  7. 第1直流入力(3)、第2直流入力(4)、中性端子(5)及びブリッジ出力(6、7、8)を有するブリッジ回路(2、31)と、前記ブリッジ出力(6、7、8)及び直流出力(17、18、19)の間にチョーク(13、14、15)が接続されたラインフィルタ(16)と、前記直流出力(17、18、19)及び前記中性端子(5)の間に接続されたコンデンサ(25、26、27)と、制御ユニット(29)と、を備えるマルチレベルインバータ(1)であって、前記制御ユニット(29)は、請求項1~6のいずれか1項に記載の方法を実行するように構成される、マルチレベルインバータ(1)。
  8. 前記ブリッジ回路(31)はダイオードクランプNPCブリッジ回路である、請求項7に記載のマルチレベルインバータ(1)。
  9. 前記ブリッジ回路(31)はBSNPCブリッジ回路である、請求項7に記載のマルチレベルインバータ(1)。
  10. 前記ブリッジ回路(31)はANPCブリッジ回路である、請求項7に記載のマルチレベルインバータ(1)。
  11. 前記インバータ(1)は、少なくとも1つのブリッジ回路(31)を備える単相インバータとして実装される、請求項7~10のいずれか1項に記載のマルチレベルインバータ(1)。
  12. 前記インバータ(1)は、少なくとも3つのブリッジ回路(31)を備える三相インバータとして実装される、請求項7~10のいずれか1項に記載のマルチレベルインバータ(1)。
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