JP2022508341A - 複数のステーションシステムにおいてプラズマを平準化するために使用されるモジュール式レシピ制御較正(mrcc)装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1.
無線周波数(RF)電力を調整する回路であって、
低周波数(LF)/中周波数(MF)インダクタと直列に結合された可変LF/MFコンデンサを含む低周波数から中周波数の(LF/HF)調整回路であって、接地と、RF入力を受け取るように構成された共通ノードとの間に結合される、LF/HF調整回路と、
接地と前記共通ノードとの間に、前記LF/MF調整回路と並列に結合された高周波数(HF)調整回路であって、HFインダクタと直列に結合された可変HFコンデンサを含む、HF調整回路と、を備え、
前記可変LF/MFコンデンサまたは可変HFコンデンサを調節する場合、前記LF/MF調整回路の前記LF/MFインダクタと、前記HF調整回路の前記HFインダクタとの間で交差並列絶縁が発生する、回路。
適用例2.
適用例1の回路であって、前記RF電力は、前記低周波数から中周波数におけるLF/HF電力と、前記高周波数におけるHF電力とのうちの少なくとも一方を提供するRFデュアルソース電力生成器によって提供される、回路。
適用例3.
適用例1の回路であって、前記RF電力が、低周波数から中周波数の成分を有する場合、前記HFインダクタは、前記可変LF/MFコンデンサを調節する場合、前記HF調整回路を前記LF/MF調整回路から効果的に絶縁する前記RF入力に対して高いインピーダンスを示す、回路。
適用例4.
適用例1の回路であって、前記RF電力が、高周波数成分を有する場合、前記LF/MFインダクタは、前記可変HFコンデンサを調節する場合、前記LF/MF調整回路を前記HF調整回路から効果的に絶縁する前記RF入力に対して高いインピーダンスを示す、回路。
適用例5.
適用例1の回路であって、前記共通ノードは、調整後に、対応する処理ステーションに、対応するRF出力を提供するように構成される、回路。
適用例6.
適用例1の回路であって、
前記可変LF/MFコンデンサに結合され、前記可変LF/MFコンデンサを調節するように構成されたLF/MFアクチュエータと、
前記可変LF/MFコンデンサの値を決定するように構成されたLF/MFアブソリュートエンコーダと、
前記可変HFコンデンサに結合され、前記可変HFコンデンサを調節するように構成されたHFアクチュエータと、
前記可変HFコンデンサの値を決定するように構成されたHFアブソリュートエンコーダと、をさらに備える、回路。
適用例7.
適用例1の回路であって、前記LF/MFインダクタは、前記HFインダクタよりも高い値を有し、低周波数から中周波数で、または高周波数で動作する場合、前記LF/MF調整回路と前記HF調整回路との間の絶縁を提供する、回路。
適用例8.
無線周波数(RF)電力を調整するための装置であって、
低周波数(LF)から中周波数(MF)でLF/MF電力を提供する低周波数から中周波数の(LF/HF)電力生成器と、高周波数でHF電力を提供する高周波数(HF)電力生成器と、を含む無線周波数(RF)デュアルソース電力生成器と、
前記LF/MF電力を受け取り、前記HF電力を受け取るように構成された分割入力RF(SIRF)分配ボックスであって、前記LF/MF電力およびHF電力のうちの少なくとも一方を、1つまたは複数の分割RF入力として組み合わせて、対応するMRCC回路へ分配するようにさらに構成された、SIRF分配ボックスと、
1つまたは複数の処理ステーション用の1つまたは複数のMRCC回路であって、接地と、対応する分割RF入力を提供するように構成された対応する共通ノードとの間に、HF調整回路に並列に結合されたLF/MF調整回路を含む、1つまたは複数のMRCC回路と、を備え、
前記LF/MF調整回路は、LF/MFインダクタと直列に結合された可変LF/MFコンデンサを含み、前記LF/MF調整回路は、接地と、前記対応する共通ノードとの間に結合され、
前記HF調整回路は、HFインダクタと直列に結合された可変HFコンデンサを含み、前記HF調整回路は、接地と、前記対応する共通ノードとの間に結合され、
前記対応する共通ノードは、調整後に、対応するステーションに、対応するRF出力を提供するように構成され、
前記可変LF/MFコンデンサまたは可変HFコンデンサを調節する場合、前記LF/MF調整回路の前記LF/MFインダクタと、前記HF調整回路の前記HFインダクタとの間で交差並列絶縁が発生する、装置。
適用例9.
適用例8の装置であって、対応する分割RF入力が、低周波数から中周波数の成分を有する場合、前記HFインダクタは、前記可変LF/MFコンデンサを調節する場合に前記HF調整回路を前記LF/MF調整回路から効果的に絶縁する前記対応する分割RF入力に対して、高いインピーダンスを示す、装置。
適用例10.
適用例8の装置であって、対応する分割RF入力が、高周波数成分を有する場合、前記LF/MFインダクタは、前記可変HFコンデンサを調節する場合に前記LF/MF調整回路を前記HF調整回路から効果的に絶縁する前記対応する分割RF入力に対して、高いインピーダンスを示す、装置。
適用例11.
適用例8の装置であって、前記対応するRF出力が、前記対応する処理ステーションの、対応するペデスタルに提供される、装置。
適用例12.
適用例8の装置であって、前記対応するRF出力が、前記対応する処理ステーションの、対応するシャワーヘッドに提供される、装置。
適用例13.
適用例8の装置であって、
対応するLF/MF調整回路の、前記対応する可変LF/MFコンデンサに結合され、前記可変LF/MFコンデンサを調節するように構成された、対応するLF/MFアクチュエータと、
前記対応する可変LF/MFコンデンサの値を決定するために構成された対応するLF/MFアブソリュートエンコーダと、
対応するHF調整回路の、前記対応する可変HFコンデンサに結合され、前記対応する可変HFコンデンサを調節するように構成された、対応するHFアクチュエータと、
前記対応する可変HFコンデンサの値を決定するために構成された、対応するHFアブソリュートエンコーダと、をさらに備える、装置。
適用例14.
適用例8の装置であって、前記各処理ステーションに供給されるRF電力は、同様の値である、装置。
適用例15.
ウェーハ上に膜を堆積するためのプロセスチャンバで使用するためのアセンブリであって、
低周波数(LF)から中周波数(MF)でLF/MF電力を提供する低周波数から中周波数の(LF/HF)電力生成器と、高周波数でHF電力を提供する高周波数(HF)電力生成器と、を含む無線周波数(RF)デュアルソース電力生成器と、
前記LF/MF電力を受け取り、前記HF電力を受け取るように構成された分割入力RF(SIRF)分配ボックスであって、前記LF/MF電力およびHF電力のうちの少なくとも一方を、第1の分割RF入力、第2の分割RF入力、第3の分割RF入力、および第4の分割入力として組み合わせて、対応するMRCC回路へ分配するようにさらに構成された、SIRF分配ボックスと、
第1の処理ステーション用の第1のMRCC回路と、
第2の処理ステーション用の第2のMRCC回路と、
第3の処理ステーション用の第3のMRCC回路と、
第4の処理ステーション用の第4のMRCC回路と、を備え、
各MRCC回路は、接地と、対応する分割RF入力を受け取るように構成された対応する共通ノードとの間に、HF調整回路に並列に結合されたLF/MF調整回路を含み、
前記LF/MF調整回路は、LF/MFインダクタと直列に結合された可変LF/MFコンデンサを含み、前記LF/MF調整回路は、接地と、前記対応する共通ノードとの間に結合され、
前記HF調整回路は、HFインダクタと直列に結合された可変HFコンデンサを含み、前記HF調整回路は、接地と、前記対応する共通ノードとの間に結合され、
前記対応する共通ノードは、調整後、対応するステーションに、対応するRF出力を提供するように構成され、
前記可変LF/MFコンデンサまたは可変HFコンデンサを調節する場合、前記LF/MF調整回路の前記LF/MFインダクタと、前記HF調整回路の前記HFインダクタとの間で交差並列絶縁が発生する、アセンブリ。
適用例16.
適用例15のアセンブリであって、対応する分割RF入力が、低周波数から中周波数の成分を有する場合、前記HFインダクタは、前記可変LF/MFコンデンサを調節する場合に前記HF調整回路を前記LF/MF調整回路から効果的に絶縁する前記対応する分割RF入力に対して、高いインピーダンスを示す、アセンブリ。
適用例17.
適用例15のアセンブリであって、対応する分割RF入力が、高周波数成分を有する場合、前記LF/MFインダクタは、前記可変HFコンデンサを調節する場合に前記LF/MF調整回路を前記HF調整回路から効果的に絶縁する前記対応する分割RF入力に対して、高いインピーダンスを示す、アセンブリ。
適用例18.
適用例15のアセンブリであって、前記対応するRF出力が、前記対応する処理ステーションの、対応するペデスタルに提供される、アセンブリ。
適用例19.
適用例15のアセンブリであって、前記対応するRF出力が、前記対応する処理ステーションの、対応するシャワーヘッドに提供される、アセンブリ。
適用例20.
適用例15のアセンブリであって、
各MRCC回路において、対応するLF/MF調整回路の、前記対応する可変LF/MFコンデンサに結合され、前記可変LF/MFコンデンサを調節するように構成された、対応するLF/MFアクチュエータと、
各MRCC回路において、前記対応する可変LF/MFコンデンサの値を決定するために構成された、対応するLF/MFアブソリュートエンコーダと、
各MRCC回路において、対応するHF調整回路の、前記対応する可変HFコンデンサに結合され、前記対応する可変HFコンデンサを調節するように構成された、対応するHFアクチュエータと、
各MRCC回路において、前記対応する可変HFコンデンサの値を決定するために構成された、対応するHFアブソリュートエンコーダと、をさらに備える、アセンブリ。
Claims (20)
- 無線周波数(RF)電力を調整する回路であって、
低周波数(LF)/中周波数(MF)インダクタと直列に結合された可変LF/MFコンデンサを含む低周波数から中周波数の(LF/HF)調整回路であって、接地と、RF入力を受け取るように構成された共通ノードとの間に結合される、LF/HF調整回路と、
接地と前記共通ノードとの間に、前記LF/MF調整回路と並列に結合された高周波数(HF)調整回路であって、HFインダクタと直列に結合された可変HFコンデンサを含む、HF調整回路と、を備え、
前記可変LF/MFコンデンサまたは可変HFコンデンサを調節する場合、前記LF/MF調整回路の前記LF/MFインダクタと、前記HF調整回路の前記HFインダクタとの間で交差並列絶縁が発生する、回路。 - 請求項1に記載の回路であって、前記RF電力は、前記低周波数から中周波数におけるLF/HF電力と、前記高周波数におけるHF電力とのうちの少なくとも一方を提供するRFデュアルソース電力生成器によって提供される、回路。
- 請求項1に記載の回路であって、前記RF電力が、低周波数から中周波数の成分を有する場合、前記HFインダクタは、前記可変LF/MFコンデンサを調節する場合、前記HF調整回路を前記LF/MF調整回路から効果的に絶縁する前記RF入力に対して高いインピーダンスを示す、回路。
- 請求項1に記載の回路であって、前記RF電力が、高周波数成分を有する場合、前記LF/MFインダクタは、前記可変HFコンデンサを調節する場合、前記LF/MF調整回路を前記HF調整回路から効果的に絶縁する前記RF入力に対して高いインピーダンスを示す、回路。
- 請求項1に記載の回路であって、前記共通ノードは、調整後に、対応する処理ステーションに、対応するRF出力を提供するように構成される、回路。
- 請求項1に記載の回路であって、
前記可変LF/MFコンデンサに結合され、前記可変LF/MFコンデンサを調節するように構成されたLF/MFアクチュエータと、
前記可変LF/MFコンデンサの値を決定するように構成されたLF/MFアブソリュートエンコーダと、
前記可変HFコンデンサに結合され、前記可変HFコンデンサを調節するように構成されたHFアクチュエータと、
前記可変HFコンデンサの値を決定するように構成されたHFアブソリュートエンコーダと、をさらに備える、回路。 - 請求項1に記載の回路であって、前記LF/MFインダクタは、前記HFインダクタよりも高い値を有し、低周波数から中周波数で、または高周波数で動作する場合、前記LF/MF調整回路と前記HF調整回路との間の絶縁を提供する、回路。
- 無線周波数(RF)電力を調整するための装置であって、
低周波数(LF)から中周波数(MF)でLF/MF電力を提供する低周波数から中周波数の(LF/HF)電力生成器と、高周波数でHF電力を提供する高周波数(HF)電力生成器と、を含む無線周波数(RF)デュアルソース電力生成器と、
前記LF/MF電力を受け取り、前記HF電力を受け取るように構成された分割入力RF(SIRF)分配ボックスであって、前記LF/MF電力およびHF電力のうちの少なくとも一方を、1つまたは複数の分割RF入力として組み合わせて、対応するMRCC回路へ分配するようにさらに構成された、SIRF分配ボックスと、
1つまたは複数の処理ステーション用の1つまたは複数のMRCC回路であって、接地と、対応する分割RF入力を提供するように構成された対応する共通ノードとの間に、HF調整回路に並列に結合されたLF/MF調整回路を含む、1つまたは複数のMRCC回路と、を備え、
前記LF/MF調整回路は、LF/MFインダクタと直列に結合された可変LF/MFコンデンサを含み、前記LF/MF調整回路は、接地と、前記対応する共通ノードとの間に結合され、
前記HF調整回路は、HFインダクタと直列に結合された可変HFコンデンサを含み、前記HF調整回路は、接地と、前記対応する共通ノードとの間に結合され、
前記対応する共通ノードは、調整後に、対応するステーションに、対応するRF出力を提供するように構成され、
前記可変LF/MFコンデンサまたは可変HFコンデンサを調節する場合、前記LF/MF調整回路の前記LF/MFインダクタと、前記HF調整回路の前記HFインダクタとの間で交差並列絶縁が発生する、装置。 - 請求項8に記載の装置であって、対応する分割RF入力が、低周波数から中周波数の成分を有する場合、前記HFインダクタは、前記可変LF/MFコンデンサを調節する場合に前記HF調整回路を前記LF/MF調整回路から効果的に絶縁する前記対応する分割RF入力に対して、高いインピーダンスを示す、装置。
- 請求項8に記載の装置であって、対応する分割RF入力が、高周波数成分を有する場合、前記LF/MFインダクタは、前記可変HFコンデンサを調節する場合に前記LF/MF調整回路を前記HF調整回路から効果的に絶縁する前記対応する分割RF入力に対して、高いインピーダンスを示す、装置。
- 請求項8に記載の装置であって、前記対応するRF出力が、前記対応する処理ステーションの、対応するペデスタルに提供される、装置。
- 請求項8に記載の装置であって、前記対応するRF出力が、前記対応する処理ステーションの、対応するシャワーヘッドに提供される、装置。
- 請求項8に記載の装置であって、
対応するLF/MF調整回路の、前記対応する可変LF/MFコンデンサに結合され、前記可変LF/MFコンデンサを調節するように構成された、対応するLF/MFアクチュエータと、
前記対応する可変LF/MFコンデンサの値を決定するために構成された対応するLF/MFアブソリュートエンコーダと、
対応するHF調整回路の、前記対応する可変HFコンデンサに結合され、前記対応する可変HFコンデンサを調節するように構成された、対応するHFアクチュエータと、
前記対応する可変HFコンデンサの値を決定するために構成された、対応するHFアブソリュートエンコーダと、をさらに備える、装置。 - 請求項8に記載の装置であって、前記各処理ステーションに供給されるRF電力は、同様の値である、装置。
- ウェーハ上に膜を堆積するためのプロセスチャンバで使用するためのアセンブリであって、
低周波数(LF)から中周波数(MF)でLF/MF電力を提供する低周波数から中周波数の(LF/HF)電力生成器と、高周波数でHF電力を提供する高周波数(HF)電力生成器と、を含む無線周波数(RF)デュアルソース電力生成器と、
前記LF/MF電力を受け取り、前記HF電力を受け取るように構成された分割入力RF(SIRF)分配ボックスであって、前記LF/MF電力およびHF電力のうちの少なくとも一方を、第1の分割RF入力、第2の分割RF入力、第3の分割RF入力、および第4の分割入力として組み合わせて、対応するMRCC回路へ分配するようにさらに構成された、SIRF分配ボックスと、
第1の処理ステーション用の第1のMRCC回路と、
第2の処理ステーション用の第2のMRCC回路と、
第3の処理ステーション用の第3のMRCC回路と、
第4の処理ステーション用の第4のMRCC回路と、を備え、
各MRCC回路は、接地と、対応する分割RF入力を受け取るように構成された対応する共通ノードとの間に、HF調整回路に並列に結合されたLF/MF調整回路を含み、
前記LF/MF調整回路は、LF/MFインダクタと直列に結合された可変LF/MFコンデンサを含み、前記LF/MF調整回路は、接地と、前記対応する共通ノードとの間に結合され、
前記HF調整回路は、HFインダクタと直列に結合された可変HFコンデンサを含み、前記HF調整回路は、接地と、前記対応する共通ノードとの間に結合され、
前記対応する共通ノードは、調整後、対応するステーションに、対応するRF出力を提供するように構成され、
前記可変LF/MFコンデンサまたは可変HFコンデンサを調節する場合、前記LF/MF調整回路の前記LF/MFインダクタと、前記HF調整回路の前記HFインダクタとの間で交差並列絶縁が発生する、アセンブリ。 - 請求項15に記載のアセンブリであって、対応する分割RF入力が、低周波数から中周波数の成分を有する場合、前記HFインダクタは、前記可変LF/MFコンデンサを調節する場合に前記HF調整回路を前記LF/MF調整回路から効果的に絶縁する前記対応する分割RF入力に対して、高いインピーダンスを示す、アセンブリ。
- 請求項15に記載のアセンブリであって、対応する分割RF入力が、高周波数成分を有する場合、前記LF/MFインダクタは、前記可変HFコンデンサを調節する場合に前記LF/MF調整回路を前記HF調整回路から効果的に絶縁する前記対応する分割RF入力に対して、高いインピーダンスを示す、アセンブリ。
- 請求項15に記載のアセンブリであって、前記対応するRF出力が、前記対応する処理ステーションの、対応するペデスタルに提供される、アセンブリ。
- 請求項15に記載のアセンブリであって、前記対応するRF出力が、前記対応する処理ステーションの、対応するシャワーヘッドに提供される、アセンブリ。
- 請求項15に記載のアセンブリであって、
各MRCC回路において、対応するLF/MF調整回路の、前記対応する可変LF/MFコンデンサに結合され、前記可変LF/MFコンデンサを調節するように構成された、対応するLF/MFアクチュエータと、
各MRCC回路において、前記対応する可変LF/MFコンデンサの値を決定するために構成された、対応するLF/MFアブソリュートエンコーダと、
各MRCC回路において、対応するHF調整回路の、前記対応する可変HFコンデンサに結合され、前記対応する可変HFコンデンサを調節するように構成された、対応するHFアクチュエータと、
各MRCC回路において、前記対応する可変HFコンデンサの値を決定するために構成された、対応するHFアブソリュートエンコーダと、をさらに備える、アセンブリ。
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