JP2022178487A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の性能を向上させる。【解決手段】表示装置ＤＳＰ１は、表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周囲にある周辺領域ＰＦＡと、周辺領域ＰＦＡに設けられ、液晶層をシールするシール部ＳＬＭと、シール部ＳＬＭの一部に設けられ、シール部ＳＬＭの外部から表示領域ＤＡまでを連通する液晶供給部と、を有する。周辺領域ＰＦＡは、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間にあり、かつ、絶縁膜ＩＦ１が取り除かれた周辺領域ＰＦ１と、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間にあり、かつ、回路ＧＬＣを覆う絶縁膜ＩＦ１が形成された周辺領域ＰＦ２と、を含む。基板には、周辺領域ＰＦ１および周辺領域ＰＦ２を跨ぐように配置され、かつ、周辺領域ＰＦ１および周辺領域ＰＦ２の境界線の延在方向に沿って線状に延びる遮光膜ＢＭ１が形成されている。【選択図】図１０

Description

本発明は、液晶層を用いた表示装置に関する。

液晶層を用いた表示装置を製造する方法として、互いに対向する基板の間に液晶を供給することにより液晶が封入された表示装置を製造する技術がある（特開２０１９－２１９５６５号公報（特許文献１）参照）。

特開２０１９－２１９５６５号公報

互いに対向する基板の間に液晶を供給することにより、基板の間に液晶を封入する方式の場合、基板の間に供給された液晶が外部に漏れ出ることを防止するシール部の一部に液晶の供給口として利用される開口部が設けられる。真空雰囲気中において、この開口部に液晶を接触させた後、基板周辺の圧力を常圧に戻すと、シール部で囲まれた空間内の圧力と雰囲気との差圧により液晶がシール部で囲まれた空間内に封入される。

ところが、本願発明者の検討によれば、上記した方法により液晶を封入する場合、表示装置の性能に影響する課題があることが判った。例えば、上記した開口部から液晶が供給される際に、シール部で囲まれた空間内において液晶の流れを阻害する部材があると、液晶内に微細な気泡が多数発生する場合がある。この微細な気泡が残留すれば、表示装置の表示性能に影響を及ぼす。

本願発明者は、上記した気泡の発生を抑制する観点から、液晶供給口近傍において液晶の注入経路の断面積を広くする構造について検討した。この結果、気泡の発生を抑制できることが確認できたが、液晶の注入経路の断面積を部分的に広くした場合、広くした領域と、他の領域との境界が視認可能な程目立つという課題が見出された。

本発明の目的は、表示装置の性能を向上させる技術を提供することにある。

本発明の一態様である表示装置は、表示領域と、前記表示領域の周囲にある周辺領域と、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、液晶を含む液晶層と、前記第１基板に形成され、前記液晶を駆動する駆動信号を伝送する複数の信号配線と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記複数の信号配線を覆う第１絶縁膜と、前記表示領域において前記第１絶縁膜と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板とのギャップを維持する複数の第１スペーサ部材と、前記第１基板と前記第２基板との間で前記周辺領域に設けられ、前記液晶層をシールするシール部と、前記シール部の一部に設けられ、前記シール部の外部から前記表示領域までを連通する液晶供給部と、を有する。前記第２基板側から視た平面視において、前記周辺領域は、第１辺、前記第１辺の反対側の第２辺、前記第１辺に交差する第３辺、および前記第３辺の反対側の第４辺を備える。前記液晶供給部は、前記周辺領域の第１辺に沿って設けられる。前記周辺領域は、前記表示領域と前記シール部との間にあり、かつ、前記第１絶縁膜が取り除かれた第１周辺領域と、前記複数の信号配線に接続される第１回路が配置され、かつ、前記第１回路を覆う前記第１絶縁膜が形成された第２周辺領域と、を含む。前記第２基板には、前記第１周辺領域および前記第２周辺領域を跨ぐように配置され、かつ、前記第１周辺領域および前記第２周辺領域の境界線の延在方向に沿って線状に延びる第１遮光膜が形成されている。

一実施の形態である表示装置の一例を示す斜視図である。 図１のＡ－Ａ線に沿った断面図である。 透明表示装置の一方の面側にいる視認者が、反対面側にある背景を、透明表示装置を介して視認する場合の位置関係を示す説明図である。 透明表示装置を介して視認される背景の一例を示す説明図である。 図１の表示装置が備える回路の一例を示す回路ブロック図である。 図２に示すシール部ＳＬＭと、図１に示す表示領域との平面的な位置関係を示す平面図である。 図６のＢ部の拡大平面図である。 図７のＣ－Ｃ線に沿った拡大断面図である。 図７のＤ－Ｄ線に沿った拡大断面図である。 図６のＥ部の拡大平面図である。 図１０のＦ－Ｆ線に沿った拡大断面図である。 図１０に示す表示領域の遮光膜および周辺領域の遮光膜を説明するための平面図である。 図１２のＧ－Ｇ線に沿った断面図である。 図６のＨ部の拡大平面図である。 図１４のＫ－Ｋ線に沿った拡大断面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一または関連する符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

以下の実施の形態では、液晶層を備えた表示装置の例として、表示領域に種々の画像を表示させる液晶表示装置を取り上げて説明する。

また、液晶表示装置は、液晶層に含まれる分子の配向を変化させることにより、表示画像を形成する装置であるが、光源を必要とする。本実施の形態では、液晶層を含む表示パネルのサイドに光源を備えた表示装置を取り上げて説明する。ただし、以下で説明する実施形態には種々の変形例があり、例えば、以下で説明する技術を、表示パネルの背面側に光源が配置された液晶表示装置に適用することができる。

＜表示装置の構成＞
まず、表示装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態の表示装置の一例を示す斜視図である。図１では、表示領域ＤＡと周辺領域ＰＦＡの境界を二点鎖線で示している。また、図１では、表示装置ＤＳＰ１が備える回路のうち、液晶を駆動するための信号を伝送する信号配線の一部（詳しくは、ゲート線ＧＬおよびソース線ＳＬ）を一点鎖線で模式的に示している。図１を含む以下の図面において、表示装置ＤＳＰ１の厚さ方向に沿った方向をＺ方向、Ｚ方向に直交するＸ－Ｙ平面において、表示パネルＰ１の一辺の延在方向をＸ方向、Ｘ方向に交差する方向をＹ方向として説明する。図２は、図１のＡ－Ａ線に沿った断面図である。

図１に示すように、本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、基板（アレイ基板）１０、基板（対向基板）２０、サイド光源装置３０、および駆動回路４０を備える表示パネルＰ１を有する。表示装置ＤＳＰ１は、図１に示す表示パネルＰ１が備える各部分の他、例えば制御回路、あるいは表示パネルＰ１に接続されるフレキシブル基板、あるいは筐体などが含まれる場合がある。図１では、表示パネルＰ１以外の部分は図示を省略している。表示装置ＤＳＰ１は、外部から供給される入力信号に応じて画像が形成される表示領域ＤＡと、表示領域ＤＡの周囲にある周辺領域（額縁領域）ＰＦＡを有する。なお、図１に示す表示装置ＤＳＰ１の表示領域ＤＡは四角形であるが、表示領域が多角形や円形など、四角形以外の形状であってもよい。表示領域ＤＡは、表示面を視た平面視において、表示装置ＤＳＰ１が画像を表示する有効領域である。基板１０および２０のそれぞれは、平面視において表示領域ＤＡと重なる位置にある。サイド光源装置３０、および駆動回路４０のそれぞれは、基板１０上に搭載されている。

図２に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、液晶層ＬＱＬを介して対向するように貼り合せられた基板１０および基板２０を有している。基板１０と基板２０とは、表示装置ＤＳＰ１の厚さ方向であるＺ方向に配列される。言い換えれば、基板１０と基板２０とは、表示装置ＤＳＰ１の厚さ方向（Ｚ方向）において互いに対向する。基板１０は、液晶層ＬＱＬ（および基板２０）と対向する前面（主面、面）１０ｆを有する。また基板２０は、基板１０の前面１０ｆ（および液晶層ＬＱＬ）と対向する背面（主面、面）２０ｂを有する。基板１０は、スイッチング素子（能動素子）Ｔｒ（図５参照）としての複数のトランジスタ（トランジスタ素子）がアレイ状に配置されたアレイ基板である。また、基板２０は、表示面側に設けられた基板である。基板２０は、アレイ基板に対向配置された基板という意味で、対向基板と言い換えることができる。

液晶ＬＱを含む液晶層ＬＱＬは、基板１０の前面１０ｆと基板２０の背面２０ｂとの間にある。液晶層ＬＱＬは、光学変調素子である。表示装置ＤＳＰ１は、上記したスイッチング素子を介して液晶層ＬＱＬの周辺に形成される電界の状態を制御することにより、そこを通過する光を変調する機能を備えている。基板１０および基板２０にある表示領域ＤＡは、図２に示すように液晶層ＬＱＬと重畳する。

また、基板１０と基板２０とは、シール部（シール材）ＳＬＭを介して接着される。図１および図２に示すように、シール部ＳＬＭ（図２参照）は、表示領域ＤＡの周囲を囲むように、周辺領域ＰＦＡに配置される。シール部ＳＬＭの内側には、図２に示すように液晶層ＬＱＬがある。シール部ＳＬＭは、基板１０と基板２０との間に液晶を封入するシールとしての役割を果たす。また、シール部ＳＬＭは、基板１０と基板２０とを接着する、接着材としての役割を果たす。

サイド光源装置３０は、光源部３１を有する。光源部３１は、基板２０の側面２０ｓ１と対向する位置に配置される。図２に二点鎖線で模式的に示すように、光源部３１から出射された光源光Ｌ１は、基板１０の背面１０ｂおよび基板２０の前面２０ｆで反射しながら、側面２０ｓ１から遠ざかる方向に伝搬する。光源光Ｌ１の伝搬経路において、基板１０の背面１０ｂおよび基板２０の前面２０ｆは、屈折率の大きな媒質と、屈折率の小さな媒質との界面である。このため、光源光Ｌ１が前面２０ｆおよび背面１０ｂに入射する入射角が臨界角よりも大きい場合、光源光Ｌ１は、前面２０ｆおよび背面１０ｂにおいて全反射する。

液晶ＬＱは高分子分散型液晶ＬＣであり、液晶性ポリマーと液晶分子を含んでいる。液晶性ポリマーは、筋状に形成され、液晶分子は、液晶性ポリマーの隙間に分散される。液晶性ポリマー及び液晶分子の各々は、光学異方性あるいは屈折率異方性を有している。液晶性ポリマーの電界に対する応答性は、液晶分子の電界に対する応答性より低い。液晶性ポリマーの配向方向は、電界の有無にかかわらずほとんど変化しない。一方、液晶分子の配向方向は、液晶ＬＱにしきい値以上の高い電圧が印加された状態では、電界に応じて変化する。液晶ＬＱに電圧が印加されていない状態では、液晶性ポリマー及び液晶分子のそれぞれの光軸は互いに平行であり、液晶層ＬＱに入射した光源光Ｌ１は、液晶層ＬＱＬ内でほとんど散乱されることなく透過する（透明状態）。液晶ＬＱに電圧が印加された状態では、液晶性ポリマー及び液晶分子のそれぞれの光軸は互いに交差し、液晶ＬＱに入射した光源光Ｌ１は、液晶層ＬＱＬ内で散乱される（散乱状態）。表示装置ＤＳＰ１は、光源光Ｌ１の伝搬経路における液晶ＬＱの配向を制御することにより、透明状態と散乱状態とを制御する。散乱状態において光源光Ｌ１は液晶ＬＱにより放出光Ｌ２として前面２０ｆ側から表示装置ＤＳＰ１の外部に出射される。また、背面１０ｂ側から入射した背景光Ｌ３は、基板１０、液晶層ＬＱＬ、および基板２０を透過して、前面２０ｆから外部に出射される。放出光Ｌ２および背景光Ｌ３は、前面２０ｆ側にいる観者に視認される。観者は、放出光Ｌ２と、背景光Ｌ３とを組み合わせて認識することができる。このように観者が、表示画像と背景とを重ね合わせて認識することが可能な表示装置を透明表示装置と呼ぶ。

＜透明表示装置＞
次に、透明表示装置の特徴について説明する。図３は、透明表示装置の一方の面側にいる視認者が、反対面側にある背景を、透明表示装置を介して視認する場合の位置関係を示す説明図である。図４は、透明表示装置を介して視認される背景の一例を示す説明図である。

図３に示すように、観察者１００が、表示装置ＤＳＰ１の一方から他方をみる場合、背景１０１が表示装置ＤＳＰ１を透過して視認される。図４に示すように、表示領域ＤＡおよび表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＰＦＡが共に光を透過させる場合、背景１０１の全体を違和感なく視認することができる。一方、周辺領域ＰＦＡが光を透過させない遮光性を有している場合、表示装置ＤＳＰ１を介して視認される背景１０１の一部分が周辺領域ＰＦＡにより遮られるため、観察者１００（図３参照）に違和感を与える場合がある。このように、透明表示装置の場合、表示領域ＤＡおよび周辺領域ＰＦＡのそれぞれが可視光透過性を備えていることが好ましい。また、背景１０１を違和感なく視認する観点からは、表示領域ＤＡおよび周辺領域ＰＦＡのそれぞれの可視光透過特性が同程度であることが特に好ましい。

＜回路の構成例＞
次に、図１に示す表示装置が備える回路の構成例について説明する。図５は、図１の表示装置が備える回路の一例を示す回路ブロック図である。図５に示すコモン電極ＣＥに接続される配線経路は、例えば図２に示す基板２０に形成されている。図５では、基板２０に形成された配線を点線で図示している。図５に示す例では、光源制御部３２が、駆動回路４０に含まれる。変形例としては、駆動回路４０とは別に光源制御部３２を設ける場合もある。光源制御部３２は、例えば図１に示すサイド光源装置３０に接続される配線基板（図示は省略）に形成され、当該配線基板を介して光源部３１に電気的に接続されている。

図５に示す例では、駆動回路４０は、信号処理回路４１、画素制御回路４２、ゲート駆動回路４３、ソース駆動回路４４、およびコモン電位駆動回路４５を備える。また、光源部３１は、例えば赤色光源部３１ｒ、緑色光源部３１ｇ、および青色光源部３１ｂを備える。図１に示すように、基板１０は、基板２０よりも面積が大きいので、駆動回路４０およびサイド光源装置３０のそれぞれは、基板１０上に設けられている。

信号処理回路４１は、入力信号解析部（入力信号解析回路）４１１、記憶部（記憶回路）４１２、および信号調整部４１３を備える。表示装置ＤＳＰ１は、画像の表示を制御する制御回路を備える制御部９０を有し、信号処理回路４１の入力信号解析部４１１には、制御部９０から図示しないフレキシブル配線板などの配線経路を介して入力信号ＶＳが入力される。入力信号解析部４１１は、外部から入力された入力信号ＶＳに基づいて解析処理を行い、入力信号ＶＣＳを生成する。入力信号ＶＣＳは、例えば、入力信号ＶＳに基づいて、表示パネルＰ１（図１参照）の各画素ＰＩＸ（図１参照）にどのような階調値を与えるかを定める信号である。

信号調整部４１３は、入力信号解析部４１１から入力された入力信号ＶＣＳから入力信号ＶＣＳＡを生成する。信号調整部４１３は、入力信号ＶＣＳＡを画素制御回路４２へ送出し、光源制御信号ＬＣＳＡを光源制御部３２へ送出する。光源制御信号ＬＣＳＡは、例えば、画素ＰＩＸへの入力階調値に応じて設定される光源部３１の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、光源部３１の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、光源部３１の光量は大きく設定される。

画素制御回路４２は、入力信号ＶＣＳＡに基づいて水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとを生成する。例えば、本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとが光源部３１が発光可能な色毎に生成される。ゲート駆動回路４３は水平駆動信号ＨＤＳに基づいて１垂直走査期間内に表示パネルＰ１（図１参照）のゲート線ＧＬを順次選択する。ゲート線ＧＬの選択の順番は任意である。図１に示すように複数のゲート線（信号配線）ＧＬは、Ｘ方向に延び、かつ、Ｙ方向に沿って配列されている。

ソース駆動回路４４は垂直駆動信号ＶＤＳに基づいて１水平走査期間内に表示パネルＰ１（図１参照）の各ソース線ＳＬに各画素ＰＩＸ（図１参照）の出力階調値に応じた階調信号を供給する。図１に示すように複数のソース線（信号配線）ＳＬは、Ｙ方向に延び、かつ、Ｘ方向に沿って配列されている。ゲート線ＧＬとソース線ＳＬとの交差毎に、一つの画素ＰＩＸが形成される。ゲート線ＧＬとソース線ＳＬとが交差する部分のそれぞれには、スイッチング素子Ｔｒ（図５参照）が形成されている。図１および図５に示す複数のゲート線ＧＬおよび複数のソース線ＳＬは、図２に示す液晶ＬＱを駆動する駆動信号を伝送する複数の信号配線に相当する。

図５に示すスイッチング素子Ｔｒとして例えば、薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの種類は特に限定されず、例えば、以下のようなものを例示できる。ゲートの位置で分類すると、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを挙げることができる。また、ゲートの数で分類すると、シングルゲート薄膜トランジスタと、ダブルゲート薄膜トランジスタとを挙げられる。スイッチング素子Ｔｒのソース電極及びドレイン電極のうち一方はソース線ＳＬに接続され、ゲート電極はゲート線ＧＬに接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は、高分子分散型液晶ＬＣ（図２に示す液晶ＬＱ）の容量の一端に接続されている。高分子分散型液晶ＬＣの容量は、一端がスイッチング素子Ｔｒに画素電極ＰＥを介して接続され、他端がコモン電極ＣＥを介してコモン電位配線ＣＭＬに接続されている。また、画素電極ＰＥと、コモン電位配線ＣＭＬに電気的に接続されている保持容量電極との間には、保持容量ＨＣが生じる。なお、コモン電位配線ＣＭＬは、コモン電位駆動回路４５より供給される。

＜液晶供給部周辺の構造＞
次に、図２に示すシール部ＳＬＭ内に液晶層ＬＱＬを封入する構造および封入方法について説明する。図６は、図２に示すシール部ＳＬＭと、図１に示す表示領域との平面的な位置関係を示す平面図である。図７は、図６のＢ部の拡大平面図である。図８は、図７のＣ－Ｃ線に沿った拡大断面図である。図９は、図７のＤ－Ｄ線に沿った拡大断面図である。図６および図７は、図１に示す表示装置を基板２０側から視た平面図であって、基板２０は図示を省略されている。図６では、シール材ＳＬＭ１およびシール材ＳＬＭ２の形状を明確にするため、平面図であるが、シール材ＳＬＭ１およびシール材ＳＬＭ２にハッチングを付している。図６において、表示装置ＤＳＰ１は、液晶供給部ＬＱＰがシール材ＳＬＭ２により封止されているが、図７では、図６に示すシール材ＳＬＭ２が取り除かれている。液晶ＬＱ（図２参照）を封入する前の製造工程では、図７に示すようにシール材ＳＬＭ２が未だ形成されず、液晶供給部ＬＱＰは、シール部ＳＬＭで囲まれた空間と、外部とを連通する開口部になっている。

図６に示すように、平面視において、周辺領域ＰＦＡは、辺ＰＦｓ１、辺ＰＦｓ１の反対側の辺ＰＦｓ２、辺ＰＦｓ１に交差する辺ＰＦｓ３、および辺ＰＦｓ３の反対側の辺ＰＦｓ４を備える。シール部ＳＬＭは、基板１０と基板２０（図２参照）との間で、周辺領域ＰＦＡに設けられている。シール部ＳＬＭと表示領域ＤＡとの間には、周辺領域ＰＦＡの各辺に沿って以下の周辺領域ＰＦ１（図７参照）－ＰＦ３が設けられている。周辺領域ＰＦ１は、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間の領域を含み、かつ、辺ＰＦｓ１に沿って延びるように配置されている。周辺領域ＰＦ４は、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間を含み、かつ、辺ＰＦｓ２に沿って延びるように配置されている。周辺領域ＰＦ２は、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間を含み、かつ、辺ＰＦｓ３に沿って延びるように配置されている。周辺領域ＰＦ３は、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間を含み、かつ、辺ＰＦｓ４に沿って延びるように配置されている。

液晶供給部ＬＱＰは、周辺領域ＰＦＡの辺ＰＦｓ１、ＰＦｓ２、ＰＦｓ３、およびＰＦｓ４の少なくともいずれか一辺に形成されている。液晶供給部ＬＱＰは、シール部ＳＬＭの一部に設けられ、シール部ＳＬＭの外部から表示領域ＤＡまでを連通するように形成された開口部である。ただし、上記したように完成品の表示装置ＤＳＰ１においては、液晶供給部ＬＱＰは、シール材ＳＬＭ２により封止されている。図６に示す例では、液晶供給部ＬＱＰは、周辺領域ＰＦＡの辺ＰＦｓ１に形成されている。表示装置ＤＳＰ１の製造工程において、図２に示す液晶ＬＱをシール材ＳＬＭ２の内部に供給する工程は、例えば以下のように実施される。

まず、図１に示す基板１０と基板２０とを図６に示すシール部ＳＬＭのシール材ＳＬＭ１を介して接着固定する。この時、液晶供給部ＬＱＰには、シール材ＳＬＭ２が配置されず、開口部になっている。次に、基板１０および基板２０が接着された構造物を、真空雰囲気（大気圧よりも低い減圧雰囲気）の環境下に配置した状態で、液晶供給部ＬＱＰに液晶ＬＱ（図２参照）を接触させる。次に、液晶供給部ＬＱＰに液晶ＬＱが接触した状態で環境圧力を大気圧に復圧させると、シール部ＳＬＭに囲まれた空間と外部との差圧、および毛細管現象により液晶ＬＱがシール部ＳＬＭに囲まれた空間内に注入される。その後、液晶供給部ＬＱＰの開口部を図６に示すシール材ＳＬＭ２により封止すれば、図２に示すように、基板１０と基板２０との間に液晶ＬＱが封入された表示パネルＰ１が得られる。

本願発明者の検討によれば、上記した液晶ＬＱの封入方法の場合、表示装置の性能に影響する課題があることが判った。例えば、図６で示す液晶供給部ＬＱＰから液晶ＬＱ（図２参照）が供給される際に、シール部ＳＬＭで囲まれた空間内において液晶の流れを阻害する部材があると、液晶層ＬＱＬ（図２参）内に微細な気泡が多数発生する場合がある。この微細な気泡が残留すれば、表示装置の表示性能に影響を及ぼす。

表示装置ＤＳＰ１は、図８に示すように、基板１０と基板２０との間に、ソース線ＳＬ（および図７に示すゲート線ＧＬ）を覆う絶縁膜ＩＦ１を有する。絶縁膜ＩＦ１は、例えばアクリル樹脂などの有機系絶縁材料から成る有機絶縁膜である。有機絶縁膜であるＩＦ１は、無機系材料から成る他の絶縁膜（例えば図８に示すゲート線ＧＬ上に形成される絶縁膜ＩＦ２やソース線ＳＬ上に形成される絶縁膜ＩＦ３など）と比較して、膜厚を厚く形成することができる。図７に示す表示領域ＤＡにおいて、ゲート線ＧＬおよびソース線ＳＬは、膜厚の厚い絶縁膜ＩＦ１に覆われている。これにより、ゲート線ＧＬおよびソース線ＳＬを保護することができる。また、絶縁膜ＩＦ１上にコモン電位配線ＣＭＬ（図５参照）に電気的に接続されている保持容量電極が形成されている場合、保持容量電極とゲート線ＧＬおよびソース線ＳＬとの間に厚い絶縁膜ＩＦ１を配置することにより、ゲート線ＧＬやソース線ＳＬに対するコモン電位の影響を低減することができる。

本実施の形態の場合図７に示すように、絶縁膜ＩＦ１は、ゲート線ＧＬおよびソース線ＳＬの延在方向に沿って、格子状に形成されている。この場合、画素ＰＩＸの絶縁膜ＩＦ１からの露出面積を大きくすることができるので、表示装置の光透過特性を向上させることができる。変形例としては、画素ＰＩＸが絶縁膜ＩＦ１に覆われている場合もある。

また、図７および図８に示すように、表示装置ＤＳＰ１は、表示領域ＤＡにおいて絶縁膜ＩＦ１と基板２０との間に配置され、基板１０と基板２０とのギャップを維持する複数のスペーサ部材ＳＰ１を有する。スペーサ部材ＳＰ１が絶縁膜ＩＦ１と重なる位置に配置されていることにより、基板１０と基板２０とのギャップを高精度で維持することができる。

図７および図８に示す周辺領域ＰＦＡにおいても、基板１０と基板２０とのギャップを維持する必要がある。本実施の形態の透明表示装置は、周辺領域ＰＦＡも光を透過させる必要があるので、表示領域ＤＡと周辺領域ＰＦＡとの光透過特性を同様にする観点からは、周辺領域ＰＦＡにおいても、表示領域ＤＡと同様に絶縁膜ＩＦ１を配置する構造が考えられる。ところが、本願発明者の検討によれば、周辺領域ＰＦＡの特に液晶供給部ＬＱＰの近傍に絶縁膜ＩＦ１を配置すると、絶縁膜ＩＦ１が液晶ＬＱ（図２参照）の流れを阻害する障害物となり、上記した微細な気泡が発生することが判った。

そこで、本実施の形態では、気泡の発生を抑制し、かつ、周辺領域ＰＦＡにおける基板１０と基板２０とのギャップを維持できる構造として、図７および図８に示す構造を見出した。すなわち、周辺領域ＰＦＡは、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭ（図７参照）との間にある周辺領域ＰＦ１を含み、周辺領域ＰＦ１では、絶縁膜ＩＦ１が取り除かれている。周辺領域ＰＦ１には、複数のスペーサ部材ＳＰ１と同じ材料から成る複数のスペーサ部材ＳＰ２と、複数のスペーサ部材ＳＰ２と基板１０との間に形成され、複数のスペーサ部材ＳＰ２を支持する複数のスペーサ部材ＳＰ３と、を備える。複数のスペーサ部材ＳＰ３は互いに分離されている。

周辺領域ＰＦ１は、液晶供給部ＬＱＰと表示領域ＤＡとの間のみではなく、辺ＰＦｓ１（図６参照）に沿ったＸ方向において、シール材ＳＬＭ１と表示領域ＤＡとの間まで広がっている。さらに詳しくは、絶縁膜ＩＦ１が取り除かれた周辺領域ＰＦ１は、図６に示す辺ＰＦｓ３に沿ったシール部ＳＬＭとの境界から辺ＰＦｓ３に沿ったシール部ＳＬＭとの境界までＸ方向に沿って連続的に広がっている。

表示装置ＤＳＰ１の場合、周辺領域ＰＦ１において、表示領域ＤＡと同様に絶縁膜ＩＦ１が配置されている場合と比較して、液晶の注入経路の断面積を広く確保できるので、液晶の流入が阻害され難い。この結果、上記した気泡の発生を抑制することができる。また、図８に示すように、周辺領域ＰＦ１において、絶縁膜ＩＦ１が形成されていない場合でも、基板１０と基板２０との間にスペーサ部材ＳＰ２およびスペーサ部材ＳＰ３が重なって配置されているので、基板１０と基板２０とのギャップを維持することができる。

本実施の形態の場合、複数のスペーサ部材ＳＰ１および複数のスペーサ部材ＳＰ２は基板２０側に形成され、複数のスペーサ部材ＳＰ３は、基板１０側に形成されている。複数のスペーサ部材ＳＰ２と複数のスペーサ部材ＳＰ３とは、基板１０および基板２０を重ね合わせる時に互いに対向する位置に形成されている。この場合、複数のスペーサ部材ＳＰ２および複数のスペーサ部材ＳＰ３の厚さ（Ｚ方向の高さ）を極端に厚くする必要がないので、複数のスペーサ部材ＳＰ２および複数のスペーサ部材ＳＰ３のそれぞれを容易に形成することができる。

スペーサ部材ＳＰ１、ＳＰ２、およびＳＰ３のそれぞれは、互いに異なる材料、互いに異なる厚さで形成されていてもよい。ただし、スペーサ部材ＳＰ２およびＳＰ３を要請する工程の作業効率を向上させる観点からは、以下が好ましい。すなわち、複数のスペーサ部材ＳＰ２は、複数のスペーサ部材ＳＰ１と同じ材料から成り、かつ、同じ厚さ（Ｚ方向の高さ）であることが好ましい。これにより、スペーサ部材ＳＰ１を形成する工程において、スペーサ部材ＳＰ１およびＳＰ２を一括して形成することができるので、スペーサ部材ＳＰ２を形成するための製造工程が追加されることを防止できる。

図８および図９に示すように、基板２０の表示領域ＤＡには、コモン電極ＣＥと、表示領域ＤＡにおいてソース線ＳＬ（図８参照）およびゲート線ＧＬと重なる位置に格子状に設けられる遮光膜ＢＭ２と、コモン電極ＣＥおよび遮光膜ＢＭ２を覆うオーバーコート膜である絶縁膜ＩＦ４が形成されている。後述する図１２に示すように、遮光膜ＢＭ２は、図７に示す格子状の絶縁膜ＩＦ１と重なる位置に格子状に形成されている。なお、図示は省略したが、絶縁膜ＩＦ４とスペーサ部材ＳＰ１およびＳＰ２との間に配向膜が形成されている場合もある。図８に示すように、複数のスペーサ部材ＳＰ１および複数のスペーサ部材ＳＰ２のそれぞれは、絶縁膜ＩＦ４上（または図示しない配向膜上）に形成されている。図８に示す例のように、周辺領域ＰＦ１には、コモン電極ＣＥおよび遮光膜ＢＭ２が形成されていない場合もある。ただし、絶縁膜ＩＦ４は、平坦化膜としての機能も備えるので、スペーサ部材ＳＰ１が形成される高さと、スペーサ部材ＳＰ２が形成される高さとは、ほぼ同じになる。

また、複数のスペーサ部材ＳＰ３のそれぞれは、表示領域ＤＡにおける絶縁膜ＩＦ１と同じ厚さであり、かつ、絶縁膜ＩＦ１と同じ材料から成ることが好ましい。絶縁膜ＩＦ１とスペーサ部材ＳＰ３とが同じ材料からなる場合、例えば、表示領域ＤＡから周辺領域ＰＦＡまで連続的に広がる平坦化膜として絶縁膜ＩＦ１を形成した後、エッチング処理により、絶縁膜ＩＦ１の一部分を選択的に取り除くことにより、図７に示すような形状の絶縁膜ＩＦ１および複数のスペーサ部材ＳＰ３が一括して形成される。

スペーサ部材ＳＰ２の厚さをスペーサ部材ＳＰ１の厚さと同じにし、かつ、スペーサ部材ＳＰ３の厚さを絶縁膜ＩＦ１の厚さと同じにすることで、表示領域ＤＡにおける基板１０と基板２０との間のギャップと、周辺領域ＰＦ１における基板１０と基板２０との間のギャップと、を同じにすることができる。このように周辺領域ＰＦ１における基板１０と基板２０との間のギャップを維持することにより、液晶ＬＱ（図２参照）を注入する際の流路が狭くなることを防止できる。

ところで、図７～図９に示す例では、表示装置ＤＳＰ１は、複数のソース線（信号配線）ＳＬに接続される回路ＳＬＣが配置され、かつ、回路ＳＬＣを覆う絶縁膜ＩＦ１が形成された周辺領域ＰＦ５を有している。回路ＳＬＣは、例えば、画素電極選択回路もしくはテスト回路や保護回路などである。このように、周辺領域ＰＦＡに複数のソース線ＳＬに接続される回路ＳＬＣが配置される場合、この回路ＳＬＣを保護する観点から、回路ＳＬＣを覆う絶縁膜ＩＦ１が設けられていることが好ましい。なお、図８および図９では例示的にソース線ＳＬに接続される回路ＳＬＣを示しているが、例えば図６に示す辺ＰＦｓ３および辺ＰＦｓ４のいずれかまたは両方に、図５に示すゲート線ＧＬに接続されるゲート駆動回路４３もしくはテスト回路や保護回路から成る回路ＧＬＣ（後述する図１０参照）が配置されている。詳細は後述するが、図８および図９に示す構造と同様に、図１０に示す回路ＧＬＣは、絶縁膜ＩＦ１（図８参照）に覆われている。

また、周辺領域ＰＦ５には絶縁膜ＩＦ１が形成されているので、周辺領域ＰＦ５では液晶の流路が狭くなる。このため、液晶の流路を少しでも広くする観点からは、図７～図９に示す例のように、周辺領域ＰＦ５には複数のスペーサ部材ＳＰ１および複数のスペーサ部材ＳＰ２が形成されていないことが好ましい。Ｙ方向における絶縁膜ＩＦ１の幅は、回路ＳＬＣが露出しない範囲で極力狭くすることが好ましい。このため、仮に、周辺領域ＰＦ５に複数のスペーサ部材ＳＰ１および複数のスペーサ部材ＳＰ２が形成されていない状態であっても、周辺領域ＰＦ１に複数のスペーサ部材ＳＰ２およびＳＰ３が形成されていれば、基板１０と基板２０とのギャップを維持することができる。ただし、変形例としては、周辺領域ＰＦ５にも周辺領域ＰＦ１と同様にスペーサ部材ＳＰ２が形成される場合もある。

また、周辺領域ＰＦ１における液晶の流路を広くする観点から以下の構造が好ましい。図７および図８に示すように、複数のスペーサ部材ＳＰ３のうち、互いに隣り合うスペーサ部材ＳＰ３の配列ピッチＳＰｐ３は、複数のスペーサ部材ＳＰ１のうち、互いに隣り合うスペーサ部材ＳＰ１の配列ピッチＳＰｐ１よりも広い。配列ピッチＳＰｐ３は、平面視において、互いに隣り合うスペーサ部材ＳＰ３の中心間距離として定義され、配列ピッチＳＰｐ１は、平面視において、互いに隣り合うスペーサ部材ＳＰ１の中心間距離として定義される。スペーサ部材ＳＰ１、ＳＰ２、およびＳＰ３のそれぞれは、規則的に配列されている。このため、図７に示す配列ピッチＳＰｐ１と、図８に示す配列ピッチＳＰｐ１は同じ値である。同様に、図７に示す配列ピッチＳＰｐ３と、図８に示す配列ピッチＳＰｐ３は同じ値である。

図７および図８に示す例の場合、配列ピッチＳＰｐ１は０．２ｍｍであり、配列ピッチＳＰｐ３は、０．５ｍｍである。ただし、配列ピッチＳＰｐ１および配列ピッチＳＰｐ３の値は、表示装置の仕様に応じて変更可能であり、上記した数値に限定されるものではない。特に、図７に示すように、スペーサ部材ＳＰ１は、格子状に形成された絶縁膜ＩＦ１が交差する位置に配置されているので、画素ＰＩＸのサイズに応じて配列ピッチＳＰｐ１の値は変更される。

＜周辺領域角部の構造＞
次に、図６に示す表示装置ＤＳＰ１の周辺領域角部の構造について説明する。図１０は、図６のＥ部の拡大平面図である。図１０では、基板２０（図２参照）に形成された遮光膜ＢＭ１、遮光膜ＢＭ１にコモン電位を供給する給電部ＣＭＦ１、および表示領域ＤＡに格子状に配置される遮光膜ＢＭ２を一点鎖線で示している。また、図１０では、回路ＳＬＣおよび回路ＧＬＣを二点鎖線で示している。図１１は、図１０のＦ－Ｆ線に沿った拡大断面図である。

図１０に示すように、表示装置ＤＳＰ１の周辺領域ＰＦＡは、辺ＰＦｓ１に沿って延びる周辺領域ＰＦ１と、辺ＰＦｓ３に沿って延びる周辺領域ＰＦ２と、を含む。周辺領域ＰＦ１は、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間の部分、および周辺領域ＰＦ２とシール部ＳＬＭとの間の部分を含む、絶縁膜ＩＦ１が取り除かれた領域である。周辺領域ＰＦ２は、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間に配置されている領域である。周辺領域ＰＦ２には、複数の複数のゲート線（信号配線）ＧＬ（図１参照）に接続される回路ＧＬＣが配置され、かつ、回路ＧＬＣを覆う絶縁膜ＩＦ１が形成されている。回路ＧＬＣは、例えば、ゲート駆動回路４３（図５参照）もしくはテスト回路や保護回路画素電極選択回路などである。このように、周辺領域ＰＦＡに複数のゲート線ＧＬに接続される回路ＧＬＣが配置される場合、この回路ＧＬＣを保護する観点から、回路ＧＬＣを覆う絶縁膜ＩＦ１が設けられていることが好ましい。図１０および図１１に示すように、周辺領域ＰＦ２では、絶縁膜ＩＦ１と基板２０との間に複数のスペーサ部材ＳＰ４が配置されている。複数のスペーサ部材ＳＰ４は、例えば、スペーサ部材ＳＰ２と同じ材料から成り、複数のスペーサ部材２と同じ配置ピッチで配列されている。

本実施の形態の表示装置ＤＳＰ１は、透明表示装置である。このため、図３および図４を用いて説明したように、背景１０１を違和感なく視認する観点からは、表示領域ＤＡおよび周辺領域ＰＦＡのそれぞれの可視光透過特性が同程度であることが特に好ましい。既に説明したように、周辺領域ＰＦ１では、液晶の供給経路の断面積を広くする観点から、絶縁膜ＩＦ１が取り除かれている。一方、周辺領域ＰＦ２では、回路ＧＬＣを保護するため、絶縁膜ＩＦ１が形成されている。本願発明者の検討によれば、絶縁膜ＩＦ１に覆われた領域と絶縁膜ＩＦが取り除かれた領域とが存在する場合、その境界線が視認可能な程目立つことが判った。これは、絶縁膜ＩＦ１の有無によって、光の透過率の差が大きくなることが原因と考えられる。

図７に示すように、周辺領域ＰＦ５は、絶縁膜ＩＦ１に覆われ、かつ、絶縁膜ＩＦ１が取り除かれた周辺領域ＰＦ１と隣り合っている。しかし、周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ５との境界線は、図１０に示す周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界線程目立たない。これは、Ｙ方向における周辺領域ＰＦ５の幅Ｗｐｆ５が、Ｙ方向における周辺領域ＰＦ２の幅Ｗｐｆ２（図６参照）と比較して十分に狭いことが理由と考えられる。以上より、図１０に示す周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界線を目立ちにくくすることで、透明表示装置である表示装置ＤＳＰ１の背景認識性能を向上させることができる。

図１１に示すように、表示装置ＤＳＰ１の基板２０には、遮光膜ＢＭ１が形成されている。遮光膜ＢＭ１は、周辺領域ＰＦ１および周辺領域ＰＦ２を跨ぐように配置されている。また、図１０に示すように、遮光膜ＢＭ１は、周辺領域PF１および周辺領域PF２の境界線の延在方向（図１０ではＸ方向）に沿って線状に延びている。言い換えれば、基板２０側から視た透視平面視（すなわち、図１０に相当する平面視）において、周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界線は、遮光膜ＢＭ１と重なっている。

周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界線に沿って遮光膜ＢＭ１を配置することにより、境界線周辺の光は、遮光膜ＢＭ１により遮光される。この結果、周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界線を目立ちにくくすることができる。遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属から成る金属膜である。

図１２は、図１０に示す表示領域の遮光膜および周辺領域の遮光膜を説明するための平面図である。図１３は、図１２のＧ－Ｇ線に沿った断面図である。表示領域ＤＡにおいて、図５に示すソース線ＳＬ、ゲート線ＧＬ及びスイッチング素子Ｔｒに重なる領域には、遮光膜ＢＭ２が設けられ、格子状に形成された遮光膜ＢＭ２により囲まれる領域が、画素ＰＩＸである。遮光膜ＢＭ２は、図７に示す格子状の絶縁膜ＩＦ１と重なる位置に配置されている。遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２は、以下の金属材料及び導電層を組み合わせた黒色化膜、黒色有機膜又は黒色導電有機膜を含んでいる。すなわち、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属から成る金属膜を含む。又は、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２は、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金を含む。または、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２は、これらの金属材料又はこれらの材料の１種以上を含む合金の導電層が複数積層された積層体である。

遮光膜ＢＭ２は、複数の画素の境界を区画するように配置される。遮光膜ＢＭ２は、隣り合う画素ＰＩＸの間に配置されるので、表示領域ＤＡの光の透過率を向上させる観点からは遮光膜ＢＭ２の線幅Ｗｂｍ２は細い方が好ましい。一方、遮光膜ＢＭ１は、周辺領域ＰＦＡに配置され、周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界が目立たないようにさせるために設けられる。このため、遮光膜ＢＭ１の線幅Ｗｂｍ１は、線幅Ｗｂｍ２よりも太いことが好ましい。これにより、周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界を確実に目立たなくさせることができる。ただし、線幅Ｗｂｍ１が極端に太くなると、遮光膜ＢＭ１自身が視認される場合がある。これらを考慮すると、遮光膜ＢＭ１の線幅Ｗｂｍ１は、例えば０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。一方、遮光膜ＢＭ２の線幅Ｗｂｍ２は、画素ＰＩＸのサイズにもよるが、０．１ｍｍよりは小さい。

また、遮光膜ＢＭ１は、一本の帯状のパターンで構成される場合の他、複数本のパターンが互いに隣り合って配置される場合もある。一例として、遮光膜ＢＭ１の線幅Ｗｂｍ１が、０．３ｍｍであるとすると、この０．３ｍｍの遮光膜ＢＭ１は、０．３ｍｍ幅の帯状のパターンである場合の他、例えば０．１ｍｍ幅のパターンが３本並べて配置されることにより形成されたパターンである場合もある。

図示は省略するが、本実施の形態に対する変形例としては、遮光膜ＢＭ１と遮光膜ＢＭ２とが、互いに分離されている場合もある。図１０および図１２に示す例では、遮光膜ＢＭ１および遮光膜ＢＭ２は、液晶ＬＱ（図２参照）を駆動するためのコモン電位を供給する給電部ＣＭＦ１に接続されている。詳しくは、遮光膜ＢＭ２は、遮光膜ＢＭ１およびコモン電位配線ＣＭＬを介して給電部ＣＭＦ１に電気的に接続されている。給電部ＣＭＦ１は、図６に示す表示領域ＤＡの外側の周辺領域ＰＦＡにおいて、表示領域ＤＡの４つの角部近傍の少なくとも１つに配置されている。給電部ＣＭＦ１は、図５に示すコモン電位駆動回路４５に接続されている。

図１２に示すように、遮光膜ＢＭ２および遮光膜ＢＭ１がコモン電位を供給する給電部ＣＭＦ１に接続されている場合、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２は、図５に示すコモン電極ＣＥにコモン電位を供給する経路として活用することができる。コモン電極ＣＥは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電性材料から成るが、透明導電性材料よりも電気伝導度が高い金属などの材料を含む遮光膜ＢＭ２を介してコモン電極ＣＥに電位を供給することによりコモン電位の供給経路の抵抗を低減させることができる。

また、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２が給電部ＣＭＦ１と電気的に接続されている構造は以下の点で好ましい。すなわち、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２が導電性材料から成る場合、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２が電気的にフローティングの導体パターンとなっている場合と、電磁的に周辺の回路に影響を及ぼす場合がある。遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２が給電部ＣＭＦ１と電気的に接続されている場合、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２の電位が安定するので、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２に起因する電磁気的な悪影響を防止することができる。

コモン電位配線ＣＭＬは、給電部ＣＭＦ１と、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２と、を接続する。図１０に示すように、給電部ＣＭＦ１は、環状体である。コモン電位配線ＣＭＬ及び給電部ＣＭＦ１は、黒色でなくてもよいが、遮光膜ＢＭ１およびＢＭ２と同じ材料から成ることが好ましい。コモン電位配線ＣＭＬ及び給電部ＣＭＦ１が黒色である場合、コモン電位配線ＣＭＬが目立ちにくくなる。コモン電位配線ＣＭＬ及び給電部ＣＭＦ１は、遮光膜ＢＭ２と同層に同じ材料で形成されていることが好ましい。

図１３に示すように、給電部ＣＭＦ２と、給電部ＣＭＦ１との間には、基板間導電体ＣＰがある。基板間導電体ＣＰは、導電柱（ピラー）又は、またＡｕ粒子などの導電粒子が含有された樹脂材の柱である。

給電部ＣＭＦ２は、基板間導電体ＣＰが接するアレイ基板（基板１０および基板１０に形成された部材を含む基板）の一部である。基板１０側の周辺領域ＰＦＡには、コモン電位配線ＣＭＬが網目状（格子状）に形成されている。給電部ＣＭＦ１の環状体の開口と重なる位置には、コモン電位配線ＣＭＬの網目を埋める金属層ＣＭＭを有する給電部ＣＭＦ２がある。金属層ＣＭＭは、ソース線ＳＬ（図５参照）の材料と同じ材料で形成されている。金属層ＣＭＭ及び、コモン電位配線ＣＭＬは、保持容量電極ＨＣＥに覆われている。保持容量電極ＨＣＥの上には、透光性導電材料層ＣＭＸが設けられている。透光性導電材料層ＣＭＸは、給電部ＣＭＦ１とほぼ同じ直径の円形である。透光性導電材料層ＣＭＸは、画素電極ＰＥ（図５参照）と同じ材料で形成されている。保持容量電極ＨＣＥと、透光性導電材料層ＣＭＸとが同じ透光性導電材料（例えば、ＩＴＯ）であれば、給電部ＣＭＦ２は、周囲の領域よりも透光性導電材料（例えば、ＩＴＯ）が厚い。そして、金属層ＣＭＭは、透光性導電材料（例えば、ＩＴＯ）で覆われている。これにより、給電部ＣＭＦ２と、基板間導電体ＣＰとの接触抵抗が低減される。

図１０および図１１では、周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界の構造例について説明した。図１０～図１３を用いて説明した構造を適用することにより、図６に示す周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ３との境界の構造に関らず、周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界線を目立たなくさせることができる。ただし、図６に示す周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ３との境界についても、同様の構造とすることが好ましい。以下では図６のＨ部周辺の構造について簡単に説明する。

図１４は、図６のＨ部の拡大平面図である。図１４では、基板２０（図２参照）に形成された遮光膜ＢＭ３、遮光膜ＢＭ１にコモン電位を供給する給電部ＣＭＦ３、および表示領域ＤＡに格子状に配置される遮光膜ＢＭ２を一点鎖線で示している。また、図１４では、回路ＳＬＣおよび回路ＧＬＣを二点鎖線で示している。図１５は、図１４のＫ－Ｋ線に沿った拡大断面図である。

図１４に示すように、表示装置ＤＳＰ１の周辺領域ＰＦＡは、辺ＰＦｓ１に沿って延びる周辺領域ＰＦ１と、辺ＰＦｓ４に沿って延びる周辺領域ＰＦ３と、を含む。周辺領域ＰＦ１は、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間の部分、および周辺領域ＰＦ２とシール部ＳＬＭとの間の部分を含む、絶縁膜ＩＦ１が取り除かれた領域である。周辺領域ＰＦ３は、表示領域ＤＡとシール部ＳＬＭとの間に配置されている領域である。周辺領域ＰＦ３には、複数の複数のゲート線（信号配線）ＧＬ（図１参照）に接続される回路ＧＬＣが配置され、かつ、回路ＧＬＣを覆う絶縁膜ＩＦ１が形成されている。回路ＧＬＣは、例えば、ゲート駆動回路４３（図５参照）もしくはテスト回路や保護回路画素電極選択回路などである。このように、周辺領域ＰＦＡに複数のゲート線ＧＬに接続される回路ＧＬＣが配置される場合、この回路ＧＬＣを保護する観点から、回路ＧＬＣを覆う絶縁膜ＩＦ１が設けられていることが好ましい。

このような構造の場合、図１０を用いて説明した周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界線と同様に、図１４に示す周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ２との境界線を目立ちにくくすることで、透明表示装置である表示装置ＤＳＰ１の背景認識性能を向上させることができる。

図１５に示すように、表示装置ＤＳＰ１の基板２０には、遮光膜ＢＭ３が形成されている。遮光膜ＢＭ３は、周辺領域ＰＦ１および周辺領域ＰＦ３を跨ぐように配置されている。また、図１４に示すように、遮光膜ＢＭ３は、周辺領域ＰＦ１および周辺領域ＰＦ３の境界線の延在方向（図１４ではＸ方向）に沿って線状に延びている。言い換えれば、基板２０側から視た透視平面視（すなわち、図１４に相当する平面視）において、周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ３との境界線は、遮光膜ＢＭ３と重なっている。

周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ３との境界線に沿って遮光膜ＢＭ３を配置することにより、境界線周辺の光は、遮光膜ＢＭ３により遮光される。この結果、周辺領域ＰＦ１と周辺領域ＰＦ３との境界線を目立ちにくくすることができる。遮光膜ＢＭ３を構成する材料、線幅、および給電部ＣＭＦ１との電気的な接続構造については、図１０～図１３を用いて説明した遮光膜ＢＭ１と同様なので、重複する説明は省略する。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本発明は、表示装置や表示装置が組み込まれた電子機器に利用可能である。

１０，２０ 基板
１０ｂ，２０ｂ，２０ｂ 背面（主面、面）
１０ｆ，２０ｆ 前面（主面、面）
２０ｓ１ 側面
３０ サイド光源装置
３１ 光源部
３１ｂ 青色光源部
３１ｇ 緑色光源部
３１ｒ 赤色光源部
３２ 光源制御部
４０ 駆動回路
４１ 信号処理回路
４２ 画素制御回路
４２ 画素制御回路
４３ ゲート駆動回路
４４ ソース駆動回路
４５ コモン電位駆動回路
９０ 制御部
４１１ 入力信号解析部（入力信号解析回路）
４１２ 記憶部（記憶回路）
４１３ 信号調整部
ＣＥ コモン電極
ＣＭＦ１，ＣＭＦ２ 給電部
ＣＭＬ コモン電位配線
ＣＭＭ 金属層
ＣＭＸ 透光性導電材料層
ＤＡ 表示領域
ＤＳＰ１ 表示装置
ＧＬ ゲート線（信号配線）
ＧＬＣ，ＳＬＣ 回路
ＨＣ 保持容量
ＨＣＥ 保持容量電極
ＨＤＳ 水平駆動信号
ＩＦ１ 絶縁膜（有機絶縁膜）
ＩＦ２，ＩＦ３ 絶縁膜（無機絶縁膜）
Ｌ１ 光源光
Ｌ２ 放出光
Ｌ３ 背景光
ＬＣ 高分子分散型液晶
ＬＣＳＡ 光源制御信号
ＬＱ 液晶
ＬＱＬ 液晶層
ＬＱＰ 液晶供給部
Ｐ１ 表示パネル
ＰＥ 画素電極
ＰＦ１，ＰＦ２，ＰＦ３,ＰＦ４，ＰＦ５ 周辺領域
ＰＦＡ 周辺領域（額縁領域）
ＰＦｓ１，ＰＦｓ２，ＰＦｓ３，ＰＦｓ４ 辺
ＰＩＸ 画素
ＳＬ ソース線（信号配線）
ＳＬＭ シール部
ＳＬＭ１，ＳＬＭ２ シール材
ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＳＰ４ スペーサ部材
ＳＰｐ１，ＳＰｐ３ 配列ピッチ
Ｔｒ スイッチング素子
ＶＣＳ，ＶＣＳＡ，ＶＳ 入力信号
ＶＤＳ 垂直駆動信号
Ｗｂｍ１，Ｗｂｍ２ 線幅
Ｗｐｆ２，Ｗｐｆ５ 幅

Claims (5)

1. 表示領域と、
   前記表示領域の周囲にある周辺領域と、
   第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、液晶を含む液晶層と、
   前記第１基板に形成され、前記液晶を駆動する駆動信号を伝送する複数の信号配線と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記複数の信号配線を覆う第１絶縁膜と、
   前記表示領域において前記第１絶縁膜と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板とのギャップを維持する複数の第１スペーサ部材と、
   前記第１基板と前記第２基板との間で前記周辺領域に設けられ、前記液晶層をシールするシール部と、
   前記シール部の一部に設けられ、前記シール部の外部から前記表示領域までを連通する液晶供給部と、
   を有し、
   前記第２基板側から視た平面視において、前記周辺領域は、第１辺、前記第１辺の反対側の第２辺、前記第１辺に交差する第３辺、および前記第３辺の反対側の第４辺を備え、
   前記液晶供給部は、前記周辺領域の第１辺に沿って設けられ、
   前記周辺領域は、
   前記表示領域と前記シール部との間を含み、かつ、前記第１辺に沿って延びるように配置され、かつ、前記第１絶縁膜が取り除かれた第１周辺領域と、
   前記表示領域と前記シール部との間を含み、かつ、前記第３辺に沿って延びるように配置され、かつ、前記複数の信号配線に接続される第１回路が配置され、かつ、前記第１回路を覆う前記第１絶縁膜が形成された第２周辺領域と、
   を含み、
   前記第２基板には、前記第１周辺領域および前記第２周辺領域を跨ぐように配置され、かつ、前記第１周辺領域および前記第２周辺領域の境界線の延在方向に沿って線状に延びる第１遮光膜が形成されている、表示装置。
2. 請求項１において、
   前記表示領域では、前記第１絶縁膜が格子状に形成され、
   前記第２基板には、前記表示領域の前記第１絶縁膜と重なる位置に格子状の第２遮光膜が形成されている、表示装置。
3. 請求項２において、
   前記第１遮光膜の線幅は、前記第２遮光膜の線幅よりも広い、表示装置。
4. 請求項３において、
   前記第１遮光膜および前記第２遮光膜は、前記液晶を駆動するためのコモン電位を供給する給電部に接続されている、表示装置。
5. 請求項１において、
   前記周辺領域は、前記表示領域と前記シール部との間を含み、かつ、前記第４辺に沿って延びるように配置され、かつ、前記複数の信号配線に接続される第２回路が配置され、かつ、前記第２回路を覆う前記第１絶縁膜が形成された第３周辺領域をさらに含み、
   前記第２基板には、前記第１周辺領域および前記第３周辺領域を跨ぐように配置され、かつ、前記第１周辺領域および前記第３周辺領域の境界線の延在方向に沿って線状に延びる第３遮光膜が形成されている、表示装置。

Images