JP2022165924A - 熱源装置、基板支持装置及び基板処理設備 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板を一様に加熱することのできる熱源装置、基板支持装置及び基板処理設備を提供する。基板を安定的に支持することのできる熱源装置、基板支持装置及び基板処理設備を提供する。【解決手段】本発明は、熱源装置、基板支持装置及びこれを備える基板処理設備に係り、基板が処理される内部空間が形成されるチャンバーと、基板を安定的に支持するようにチャンバーに配設される基板支持装置及び基板を一様に加熱するように前記チャンバーに配設される熱源装置を備えて、基板を一様に加熱することができ、基板の安定的に支持することができる。【選択図】図７
Description
本発明は、熱源装置、基板支持装置及び基板処理設備に係り、さらに詳しくは、基板を一様に加熱することができ、基板を安定的に支持することのできる熱源装置、基板支持装置及び基板処理設備に関する。
急速熱処理（ｒａｐｉｄ ｔｈｅｒｍａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ；ＲＴＰ）方法は、タングステンランプなどの熱源からの放射光を基板に照射して基板を加熱処理する方法である。このような急速熱処理方法は、炉（ｆｕｒｎａｃｅ）を用いた既存の基板熱処理方法に比べて、基板を速やかに加熱したり冷却させたりすることができ、圧力条件や温度帯域の調節・制御を行い易いことから、基板の熱処理品質を向上させることができるというメリットがある。
しかしながら、基板の大面積化が進むことに伴い、熱源を用いて基板の全体を一様に加熱するのに問題が生じていた。このため、基板の全体を一様に加熱できるように熱源と基板との距離を縮めたり、熱源の配列方法を変えたりするなど様々な取り組みが試みられている。
一方、急速熱処理方法においては、基板を一様に加熱するために基板を回転させる方法を採用している。このため、基板の処理空間には、基板を回転可能なように支持できる基板支持装置が配設されている。基板支持装置は、基板の処理に際して基板に温度バラツキが生じることを抑えるために、基板との接触面積を最小化させ、かつ、基板を水平に支持できるリング状の基板支持部材と、基板支持部材の下部に回転可能なように配設されるリング状の回転部材と、を備える。このとき、回転部材は、基板支持体の外径よりも大きな外径を有しているが故に、基板の処理に際して、熱源から放出される放射光に直接的に晒されてしまう。基板の処理に際して、基板支持部材もまた放射光にそのまま晒されるものの、基板と同じ材質から形成されることから、過熱される場合であっても歪み難く、大きさが比較的に小さなことから、歪む場合であっても、その歪み量が少ないので基板を比較的に安定的に支持することができる。しかしながら、回転部材は、基板支持部材とは異なる材質から形成され、基板支持部材に比べて大きなため、放射光により過熱されて歪めば、基板支持部材に比べて歪みの度合いが大きいが故に基板を安定的に支持することができないという不都合がある。
本発明は、基板を一様に加熱することのできる熱源装置、基板支持装置及び基板処理設備を提供する。
本発明は、基板を安定的に支持することのできる熱源装置、基板支持装置及び基板処理設備を提供する。
本発明の実施形態に係る熱源装置は、基板を処理するための熱源装置であって、複数の熱源と、前記熱源を嵌入するために一方向に延びるように形成される嵌入口及び前記熱源から発せられる放射光を集光して反射するように前記嵌入口の片側に形成される凹溝が形成される支持体と、を備え、前記凹溝は、前記嵌入口が延びる方向と交わる第１の方向に延びる第１のグループを形成するように前記支持体に形成される複数の第１の凹溝と、前記嵌入口が延びる方向に交わり、前記第１の方向と直交する第２の方向に延びる第２のグループを形成するように前記支持体に形成される複数の第２の凹溝と、を備えていてもよい。
前記第１のグループと前記第２のグループは、前記第１の方向及び前記第２の方向に交互に配置され、前記第１のグループは、前記第１の方向にラインを形成するように離れて配置され、前記第２のグループは、前記第２の方向にラインを形成するように前記第１のグループの少なくとも片側に配置されてもよい。
前記第１のグループは、前記第２のグループにより取り囲まれ、前記第２のグループは、前記第１のグループにより取り囲まれるように配置されてもよい。
前記第１の凹溝と前記第２の凹溝は、互いに同じ直径を有するように形成され、前記第１のグループの前記第１の方向への長さと第２のグループの第２の方向への長さが同じであり、前記第１のグループの前記第２の方向への長さと前記第２のグループの第１の方向への長さが同じであってもよい。
前記第１のグループは、３列２行に配置される複数の第１の凹溝を備え、前記第２のグループは、２列３行に配置される複数の第２の凹溝を備えていてもよい。
隣り合う第１の凹溝の中心間の距離、隣り合う第２の凹溝の中心間の距離及び隣り合う第１の凹溝の中心と第２の凹溝の中心との距離が互いに同じであってもよい。
前記第１のグループは、前記支持体の中央に配置され、前記第１のグループの１列１行、１列２行、３列１行及び３列２行のうちのいずれか一つに配置される第１の凹溝の中心が前記支持体の中心に配置されてもよい。
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、リング状に形成される回転部材と、リング状に形成され、前記回転部材の上部に配設される連結部材と、一部が基板の下部面に接触可能であり、リング状に形成され、前記連結部材の外側に延びるように前記連結部材の上部に配設される基板支持部材と、を備えていてもよい。
前記基板支持部材は、全体が前記基板の下部面よりも低い位置に配置されるように形成されてもよい。
前記基板支持部材は、基板が延びる方向と交わる方向に延びる本体部と、基板と接触可能であり、前記本体部が延びる方向と交わる方向に延びるように前記本体部の上部に連結される支持部と、前記連結部材に接触可能であり、前記本体部が延びる方向と交わる方向に延びるように前記本体部の下部に連結される載置部と、を備え、前記本体部及び前記載置部は、リング状に形成され、前記本体部の外径は、前記連結部材の外径よりも大きく、 前記載置部の外径は、前記本体部の外径よりも小さくてもよい。
前記本体部の上部面は、平面状に形成されてもよい。
前記本体部の上部面は、外側に下向きに傾くように形成されてもよい。
前記支持部と前記本体部とがなす角度は、９０°以上、かつ、１８０°未満であってもよい。
前記基板支持部材は、少なくとも前記本体部の下部面に形成される熱遮断層を備えていてもよい。
本発明の実施形態に係る基板処理設備は、基板が処理される内部空間が形成されるチャンバーと、基板を支持するように前記チャンバーに配設され、前述した特徴のうちの少なくとも一つを有する熱源装置と、を備えていてもよい。
本発明の実施形態に係る基板処理設備は、基板が処理される内部空間が形成されるチャンバーと、基板を支持するように前記チャンバーに配設され、前述した特徴のうちの少なくとも一つを有する基板支持装置と、を備えていてもよい。
前記基板処理設備は、前記基板支持装置の少なくとも一部を取り囲むように前記チャンバーに配設される保護部材をさらに備え、前記保護部材は、水平方向に前記連結部材から離れ、上下方向に前記基板支持部材の一部と重なり合うように配置されてもよい。
前記基板支持部材は、全体が前記基板よりも低い位置に配置され、少なくとも前記連結部材を覆うように形成されてもよい。
本発明の実施形態によれば、熱源装置の支持体に一定のパターンを有する凹溝（ｇｒｏｏｖｅ）を形成して、熱源装置の全体に亘って放射光が一様に放出されるようにすることができる。なお、熱源装置の半径方向又は基板の半径方向に沿って凹溝をほとんど連続的に配置することができる。したがって、基板の処理に際して、基板に温度バラツキが生じることを抑え、基板を一様に加熱することができる。
また、支持体に予め定められたパターンに凹溝を形成することができて、様々な大きさの熱源装置を手軽に作製することができる。特に、大面積の基板を処理できる熱源装置を手軽に作製することができる。
さらに、基板処理空間に配設される様々な構造物が熱源から放出される放射光により過熱されてしまうことを抑制もしくは防止することができる。すなわち、基板支持装置の構造を変更して、基板を支持する構造物が放射光に直接的に晒されてしまうことを防ぐことができる。したがって、基板支持装置が放射光により過熱されて歪む現象を抑えて、基板の処理に際して基板の姿勢を安定的に保つことができる。
以下、添付図面に基づいて、本発明の実施形態をより詳しく説明する。しかしながら、本発明は以下に開示される実施形態に何ら限定されるものではなく、異なる様々な形態に具体化され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。図中、同じ符号は、同じ構成要素を指し示す。
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理設備の断面図であり、図２は、本発明の実施形態に係る基板支持装置の一部の構造を詳しく示す断面図であり、図３は、基板の処理に際しての基板支持部材の上部における工程ガスの流れを示す図であり、図４は、本発明の実施形態に係る基板支持装置の概念図であり、図５は、本発明の実施形態に係る熱源装置に適用される熱源を示す図であり、図６は、本発明の実施形態に係る熱源装置の底面図であり、図７は、本発明の実施形態に係る熱源装置を構成する凹溝の配置構造を示す図であり、図８は、図７に示す凹溝の配置構造を説明するための概念図である。
図１を参照すると、本発明の実施形態に係る基板処理設備は、基板Ｓが処理される内部空間が形成されるチャンバー１１０と、基板Ｓを支持するようにチャンバー１１０に配設される基板支持装置１２０及び基板Ｓを加熱するようにチャンバー１１０に配設される熱源装置１４０を備えていてもよい。
チャンバー１１０は、内部に収められる基板Ｓを処理するための処理空間が設けられた構成要素であって、大まかな形状は、中空のボックス状又はブロック状を呈していてもよい。チャンバー１１０は、チャンバー胴体１１０ａと、チャンバー胴体１１０ａに結合される透過窓１１０ｂと、を備えていてもよい。
チャンバー胴体１１０ａは、上部が開かれた中空状に形成されてもよく、透過窓１１０ｂは、開かれたチャンバー胴体１１０ａの上部に結合されてもよい。このとき、チャンバー胴体１１０ａは、単一の構造体として形成されてもよいが、複数の部品が連結又は結合された組立体として形成されてもよい。この場合、各部品間の連結部位には、密閉手段（図示せず）が付設されてもよい。なお、チャンバー胴体１１０ａと透過窓１１０ｂとの連結部位にも密閉手段（図示せず）が設けられてもよい。これにより、基板Ｓの処理に際して、チャンバー１１０の内部に投入されるエネルギーを節減することができる。
チャンバー胴体１１０ａには、基板Ｓをチャンバー１１０の内部に搬入したりチャンバー１１０の外部に搬出したりするための開閉手段１１２が設けられてもよい。また、チャンバー胴体１１０ａには、チャンバー１１０の内部空間に工程ガスを供給するためのガス注入口１１４と、チャンバー１１０の内部に供給された工程ガスやその他のガスを排気するためのガス排気口１１６と、が形成されてもよい。このとき、ガス排気口１１６には、チャンバー１１０の内部の圧力を制御するための真空ライン１３０が連結されて、チャンバー１１０の内部を吸い込むことにより、チャンバー１１０の内部のガスを排気し、チャンバー１１０の内部の圧力を制御することができる。真空ライン１３０は、ガス排気口１１６に連結される排気管１３２と、排気管１３４に配設されるポンプ１３４と、を備えていてもよい。これらの他にも、チャンバー胴体１１０ａには、チャンバー胴体１１０ａを冷却させるための冷却ライン（図示せず）が設けられてもよい。
基板支持装置１２０は、上部に基板Ｓを支持するようにチャンバー１１０の内部に配設されてもよい。基板支持装置１２０は、基板の処理に際して、基板Ｓを一様に処理できるように基板Ｓを回転させてもよい。
基板支持装置１２０は、リング状に形成される回転部材１２４と、上下方向に延びるリング状に形成され、回転部材１２４の上部に配設される連結部材１２６と、リング状に形成され、少なくとも一部が基板Ｓの下部面に接触可能であり、連結部材１２６の外側に延びるように連結部材１２６の上部に配設される基板支持部材１２８とを備えていてもよい。
回転部材１２４は、チャンバー１１０の内部の底面に回転可能なように配設されてもよい。このとき、回転部材１２４の配設位置を設定し、回転部材１２４の離脱を抑えるように、回転部材１２４の下部には回転部材ハウジング１２２が配設されてもよい。回転部材ハウジング１２２は、少なくとも回転部材１２４の下部と内側を支持するようにチャンバー１１０の内部、例えば、チャンバー１１０の内部の底面に配設されてもよい。
回転部材１２４は、リング状を呈するように形成されてもよい。より具体的には、回転部材１２４は、上部及び下部が開かれた中空の円筒状に形成されてもよい。また、回転部材１２４は、単一の構造体として形成されてもよく、少なくとも二つ以上の構造体が連結された組立体として形成されてもよい。例えば、回転部材１２４は、回転部材胴体１２４ａと、回転部材胴体１２４ａの下部に連結される摩擦防止体１２４ｂと、を備えていてもよい。このとき、摩擦防止体１２４ｂは、回転部材１２４において回転部材ハウジング１２２に触れる個所に形成されて、回転部材１２４と回転部材ハウジング１２２との摩擦を抑えることができる。摩擦防止体１２４ｂは、軸受けなどにより作製されてもよく、回転部材ハウジング１２２に触れる内側が固定側となり、外側は自由側となってもよい。このような回転部材１２４は、チャンバー１１０の内部又はチャンバー１１０の外部に配設される駆動手段（図示せず）に連結されて、駆動手段により与えられる動力を用いて回転することができる。
連結部材１２６は、回転部材１２４の上部に配設されてもよい。連結部材１２６は、上下方向に延び、上部及び下部が開かれた中空の円筒状に形成されてもよい。連結部材１２６は、回転部材１２４又は回転部材胴体１２４ａの内径よりも小さいかあるいはそれに等しい外径を有するように形成されてもよい。また、連結部材１２６は、下部の一部が回転部材１２４又は回転部材胴体１２４ａの内部に嵌入される方式により回転部材１２４に配設されてもよい。このとき、回転部材１２４の内壁には段差が形成されて、段差の上部に連結部材１２６が載置又は支持されてもよい。回転部材１２４と連結部材１２６は、別途の固定部材（図示せず）を用いて互いに連結されてもよい。これは、基板の処理に際して、回転部材１２４の回転により連結部材１２６が回転部材１２４の上部において遊動したり離脱したりする虞があるからである。連結部材１２６は、これらの他にも、種々の方式により回転部材１２４に配設されることが可能である。
基板支持部材１２８は、上部に基板Ｓを支持するように連結部材１２６の上部に配設されてもよい。基板支持部材１２８は、基板Ｓと同一もしくは類似の熱的特性を有する材質から形成され、基板の処理に際して、基板Ｓが全体的に一様に加熱できるように基板Ｓの底面の一部に接触可能なように形成されてもよい。すなわち、基板Ｓを一様に加熱するためには、基板Ｓとは異なる構造物との接触面積を最小化させることが好ましい。換言すれば、基板Ｓにおいて他の構造物と接触する領域と他の構造物と接触しない領域との間に温度バラツキが生じるため、基板Ｓを全体的に一様に加熱するためには、基板Ｓとは異なる構造物間の接触面積を最小化させなければならない。
このような基板支持部材１２８は、連結部材１２６が延びる方向と交わる方向に延びる本体部１２８ａ、基板Ｓを支持するために連結部材１２６に配設するために、本体部１２８ａが延びる方向と交わる方向に延びるように本体部１２８ａの内側に連結される支持部１２８ｂ及び連結部材１２６に配設するために、本体部１２８ａが延びる方向と交わる方向に延びるように本体部１２８ａの下部に連結される載置部１２８ｃを備えていてもよい。
本体部１２８ａはリング状に形成されてもよく、本体部１２８ａの上部面は平面状に形成されてもよい。このとき、本体部１２８ａの上部面は、基板Ｓが延びる方向、例えば、水平方向に延びるように形成され、上部面が水平をなすように形成されてもよく、本体部１２８ａの内側から外側に向かって下向きに傾く斜面を有するように形成されてもよい。
支持部１２８ｂは、本体部１２８ａの内側に本体部１２８ａが延びる方向と交わる方向に延びるように形成されてもよい。このとき、支持部１２８ｂは、本体部１２８ａの上部面よりも高い位置に基板Ｓを支持できるように本体部１２８ａの上部面よりも上部に突き出るように形成されてもよい。支持部１２８ｂは、本体部１２８ａの上部面と直交するように形成されてもよく、上向きに傾くように形成されてもよい。このとき、本体部１２８ａの上部面と支持部１２８ｂの外面とがなす角度θは、９０°以上、かつ、１８０°未満であってもよい。ここで、支持部１２８ｂの外面とは、本体部１２８ａの上部面から延びる面のことを意味する。本体部１２８ａの上部面と支持部１２８ｂの外面とがなす角度が９０°未満である場合、工程ガスが本体部１２８ａと支持部１２８ｂとの間に滞ることがある。これに対し、本体部１２８ａの上部面と支持部１２８ｂの外面とがなす角度θが１８０°以上であれば、基板Ｓを本体部１２８ａよりも高く支持することができない。このような支持部１２８ｂは、基板Ｓの下部面に線接触又は点接触するように形成されてもよい。前者の場合、基板Ｓと接触する支持部１２８ｂの上端は、支持部１２８ｂの周り方向に沿って同一の高さを有するように形成されてもよい。後者の場合、基板Ｓと接触する支持部１２８ｂの上端は、支持部１２８ｂの周り方向に沿って互いに異なる高さを有するように形成されてもよく、あるいは、突起状を呈するように形成されてもよい。
図３の（ａ）を参照すると、従来の技術による基板支持部材１２は、基板Ｓを支持する支持部１２ｂが本体部１２ａよりも低い位置に配置される。これにより、チャンバーの内部に供給される工程ガスが本体部１２ａにより円滑に移動できず、支持部１２ｂの上部において滞ったり渦流を形成したりする現象が生じていた。この場合、支持部１２ｂに載置される基板Ｓの周縁領域は、基板Ｓの中心領域に比べて工程ガスと接触する時間が長引いてしまう結果、基板Ｓが全体的に一様に処理されないという不都合が生じてしまう。例えば、基板Ｓに薄膜を形成する場合、基板Ｓの中心領域に形成される薄膜の膜厚よりも基板Ｓの周縁領域に形成される薄膜の膜厚の方が厚くなる。
これに対し、図３の（ｂ）に示すように、基板Ｓを支持する支持部１２８ｂを本体部１２８ａよりも高い位置に配置し、本体部１２８ａの上部面を平面状に形成すれば、チャンバー１１０の内部に供給される工程ガスが基板Ｓの表面と基板支持部材１２８の本体部１２８ａを自然に移動することになる。また、基板支持部材１２８の全体を基板Ｓよりも下、すなわち、下部に配置されるように形成してもよい。このため、基板支持部材１２８の本体部１２８ａと支持部１２８ｂとの間において工程ガスが滞ったり渦流を形成したりする現象を抑えることができる。したがって、工程ガスが基板Ｓの全体に亘って一定の時間の間に一様に接触することから、基板Ｓの全体を一様に処理することができる。
このような基板支持部材１２８は、基板Ｓを支持するとともに、熱源装置１４０から放出される放射光が基板支持部材１２８の下部に配設される連結部材１２６及び回転部材１２４に届くことを遮断する役割を果たしてもよい。
図４を参照すると、本体部１２８ａは、リング状に形成され、本体部１２８ａの内径ｒＥＩは、連結部材１２６の内径ｒＳＩ及び外径ｒＳＯよりも小さく、本体部１２８ａの外径ｒＥＯは、連結部材１２６の外径ｒＳＯよりも大きく設けられてもよい（ｒＥＩ＜ｒＳＯ＜ｒＥＯ）。本体部１２８ａの外径ｒＥＯは、連結部材１２６の外径ｒＳＯよりも大きく、回転部材１２４の外径ｒＲＯよりも大きいかあるいはそれに等しくてもよい（ｒＳＯ＜ｒＥＯ 、ｒＲＯ≦ｒＥＯ）。また、載置部１２８ｃの外径ｒＥＳは、本体部１２８ａの内径ｒＥＩよりも大きく、本体部１２８ａの外径ｒＥＯよりも小さくてもよい（ｒＥＩ＜ｒＥＳ＜ｒＥＯ）。このような構成を通して、本体部１２８ａの一部で連結部材１２６と回転部材１２４を覆うことにより、熱源装置１４０から放出される放射光が連結部材１２６と回転部材１２４に届いて連結部材１２６と回転部材１２４が過熱されることを防ぐことができる。
また、基板支持部材１２８は、図３の（ｂ）に示すように、本体部１２８ａの少なくとも一部、例えば、本体部１２８ａの底面に形成される熱遮断層１２９を備えていてもよい。熱遮断層１２９は、熱を吸収する物質、熱伝導度の低い物質などを用いて形成されてもよい。熱遮断層１２９は、アルミナ（Ａｌｕｍｉｎａ，Ａｌ２Ｏ３）、イットリア（Ｙｔｔｒｉａ，Ｙ２Ｏ３）、ジルコニア（Ｘｉｒｃｏｎｉａ，ＺｒＯ２）などのように耐熱性に優れており、高温において他の物質との反応性が低い物質から形成されてもよい。このような熱遮断層１２９は、放射光により加熱された本体部１２８ａの熱が本体部１２８ａの下部に届くことを抑えることができる。
一方、図１及び図２を参照すると、チャンバー１１０には、基板の処理に際して、基板支持装置１２０を放射光から保護するための保護部材１１８が配設されてもよい。熱源装置１４０は、基板Ｓの面積とほとんど同じ面積に、あるいは、基板Ｓの面積よりも広い面積に放射光を照射するようにチャンバー１１０に配設される。このため、基板支持装置１２０において基板Ｓの外側に配置される連結部材１２６と回転部材１２４が放射光にそのまま晒されてしまうことが懸念される。このように、連結部材１２６と回転部材１２４が放射光に晒されてしまうことを防ぐために、基板支持装置１２０の一部を覆うようにチャンバー１１０の内面に保護部材１１８を配設してもよい。このとき、基板の処理に際して、基板Ｓは、基板支持装置１２０により回転するため、保護部材１１８は、基板支持部材１２８及び連結部材１２６から離れるように配設されなければならない。このため、保護部材１１８と基板支持部材１２８との間、保護部材１１８と連結部材１２６との間には、空間が形成可能である。これにより、基板の処理のために熱源装置１４０を動作させれば、熱源装置１４０の熱源１４６から放出される放射光が保護部材１１８と基板支持部材１２８との間及び保護部材１１８と連結部材１２６との間に流れ込むことが可能になる。したがって、基板支持部材１２８の外径、例えば、本体部１２８ａの外径を保護部材１１８の内径よりも大きく形成して、本体部１２８ａの一部が保護部材１１８と上下方向に所定の長さＬに見合う分だけ重なり合うように形成することができる。このため、熱源１４６から放出される放射光が基板支持部材１２８と保護部材１１８との間に流れ込んでしまうことを防ぐことができる。このとき、保護部材１１８の上部面の少なくとも一部は、基板支持部材１２８に向かって下向きに傾くように形成されてもよい。このような構成を通して、放射光により基板支持部材１２８の下部に配設される連結部材１２６と回転部材１２４が過熱されることをさらに効率よく抑制もしくは防止することができる。
熱源装置１４０は、基板支持装置１２０に支持される基板Ｓを加熱するようにチャンバー１１０に配設されてもよい。熱源装置１４０は、チャンバー１１０の上部に配設される支持体１４２と、基板Ｓを加熱するように支持体１４２に配設される複数の熱源１４６と、を備えていてもよい。
図５を参照すると、熱源１４６は、放射光を放出するバルブ（電球）状ランプであってもよい。熱源１４６は、少なくとも一部に開口部が形成され、内部に空間が形成される透光体１４６ａと、透光体１４６ａの内部に配設されるフィラメント１４６ｂと、を備えていてもよい。透光体１４６ａの開口部には、フィラメント１４６ｂを固定し、フィラメント１４６ｂに電力を印加するための端子などを有する連結部材１４６ｃが配備されてもよい。このため、ランプに電力が印加されれば、フィラメント１４６ｂから放射光が放出される。透光体１４６ａは、中空の円筒状に形成される。このとき、透光体１４６ａの横方向の断面の形状は円形状であってもよい。フィラメント１４６ｂは、透光体１４６ａの内部に水平方向に延びる「一」字状に形成されてもよい。このため、熱源１４６を前面から眺めると、図５の（ａ）に示すように、フィラメント１４６ｂがまるで「一」字状に配置されるかのように見え、熱源１４６を側面から眺めると、図５の（ｂ）に示すように、フィラメント１４６ｂがまるで「句点（。）」状に配置されるかのように見える。
フィラメント１４６ｂから放出される放射光が基板Ｓを支持する基板支持装置１２０に向かってすべて照射されることが理想的である。しかしながら、放射光が放射状に放出されるため、透光体１４６ａの一部に反射体１４６ｄを形成して、基板支持装置１２０の反対側、例えば、支持体１４２に向かって放出される放射光を集光して、基板支持装置１２０に向かって反射させてもよい。このような反射体１４６ｄとしては、反射率に優れたタングステン、モリブデン、ニッケル、金などの金属物質が用いられてもよく、透光体１４６ａの表面に薄膜状にコーティングされてもよい。なお、反射体１４６ｄとしては、耐熱性に優れており、高温において他の物質との反応性が低いセラミック類などの非金属物質が用いられてもよく、フィラメント１４６ｂの上部に放射される放射光を遮へいして、支持体１４２や熱源１４６を構成する連結部材１４６ｃが過熱されることを防ぐことができる。
支持体１４２は、基板支持装置１２０に載置される基板Ｓを加熱できるようにチャンバー１１０の上部に配設されてもよい（図１参照）。図６を参照すると、支持体１４２には、複数の熱源１４６を嵌入するための嵌入口１４４が設けられてもよい。嵌入口１４４は、支持体１４２を一方向、例えば、上下方向に貫通して形成されてもよい。また、支持体１４２には、複数の熱源１４６に電力を印加するためのソケット１４３が結合されてもよい。支持体１４２は、円形の平面状を呈し、所定の膜厚を有する円筒状に形成されてもよい。支持体１４２は、チャンバー１１０の形状や基板Ｓの形状に応じて、多面体など様々な形状に形成されてもよいということはいうまでもない。以下では、支持体１４２が円形の断面形状を呈する円形状に形成された例について説明する。
支持体１４２の表面には、耐化学性、耐熱性に優れたポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ：Ｐｏｌｙｔｅｔｒａ Ｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ）、パーフルオロアルコキシ（ＰＦＡ：ｐｅｒｆｌｕｏｒｏａｌｋｏｘｙ）、フルオロ化エチレンプロピレン共重合体（ＦＥＰ：Ｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ Ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、ポリエチレンテトラフルオロエチレン（ＦＴＦＥ：Ｐｏｌｙｅｔｈｌｅｎｅ Ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ポリ塩化ジベンゾフラン（ＰＣＤＦ）、ポリビニリデンフルオライド（ＰＶＤＦ：Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ポリビニルフルオライド（ＰＶＦ：Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｆｌｕｏｒｉｄｅ）、ポリ塩化三フッ化エチレン（ＰＣＴＦＥ：Ｐｏｌｙｃｈｌｏｒｏｔｒｉｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）などのフッ素系共重合体がコーティングされてもよい。また、嵌入口１４４の下部には、熱源１４６から放出される放射光を集光するための凹溝１４５が形成されてもよい。このとき、凹溝１４５は、嵌入口１４４と連通されるように形成されてもよい。嵌入口１４４は、互いに離れ合うように形成されてもよく、凹溝１４５は、嵌入口１４４の直径よりも大きく形成されて凹溝１４５の一部は、隣り合う凹溝１４５と接触し合うように形成されてもよい。ここで、「隣り合う」とは、すぐ隣、又は最も近くに位置することを意味する。凹溝１４５には、集光された放射光を基板支持装置１２０、すなわち、例えば、基板Ｓに反射するための反射体（図示せず）が形成されてもよい。このとき、反射体としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）など熱に強く、しかも、反射率の高い金属物質が用いられてもよい。図６を参照すると、支持体１４２の底面から見たとき、凹溝１４５は円形状に形成されるものの、凹溝１４５の壁面は斜面として形成されるか、あるいは、曲面をもってアーク状に形成されてもよい。
凹溝１４５は、一定のパターンを有するように支持体１４２に形成されてもよい。凹溝１４５は、支持体１４２に配設されるべき熱源１４６の数を増やし、基板Ｓの処理に際して、基板Ｓの全体を一様に加熱できる形状に配置されてもよい。図７を参照すると、凹溝１４５は、列と行を有し、第１の方向に延びるように配置される第１のグループＡと、第１のグループＡが延びる方向と交わる第２の方向に延びるように配置される第２のグループＢと、に分けられてもよい。以下では、第１のグループＡを形成する凹溝１４５を第１の凹溝１４５ａと称し、第２のグループＢを形成する凹溝１４５は第２の凹溝１４５ｂと称する。ここで、第１の方向とは、嵌入口１４４が延びる方向と交わる方向のことを意味し、第２の方向とは、嵌入口１４４が延びる方向と交わり、第１の方向と直交する方向のことを意味する。例えば、嵌入口１４４は、上下方向に延びるように形成され、第１の方向は水平方向に延び、第２の方向は水平方向に第１の方向と直交する方向に延びてもよい。また、第１のグループＡは、横方向に延びるように形成され、第２のグループＢは、縦方向に延びるように形成されてもよい。このような第１のグループＡと第２のグループＢは、互いに交互に配置されて、互いに異なる方向にラインを形成してもよい。すなわち、第１のグループＡは、第１の方向にラインを形成するように離れて配置され、第２のグループＢは、第２の方向にラインを形成するように第１のグループＡの少なくとも片側に配置されてもよい。ここで、ラインとは、第１のグループＡや第２のグループＢが一つの方向に配置されて形成される仮想の線のことを意味し、連続して延びる線のことを意味するわけではない。このように、第１のグループＡと第２のグループＢを配置すれば、第１のグループＡと第２のグループＢは、まるで横糸と縦糸（経と緯）とが交差して形成される平織（ｐｌａｉｎ ｗｅａｖｅ）構造のパターンを有するかのように見える。すなわち、平織構造を有する織物の表面は、まるで横糸と縦糸とが交互に配置されるかのように見え、横糸と縦糸のそれぞれが一方向に延びるラインを形成しながら配置される。本発明の実施形態に係る熱源装置は、複数の第１の凹溝１４５ａからなる第１のグループＡと、複数の第２の凹溝１４５ｂからなる第２のグループＢとが交互に配置されて、平織構造を有する織物の表面においてまるで横糸と縦糸とがラインをなすかのような形状にそれぞれラインをなしてもよい。図８の（ａ）を参照すると、第１のグループＡは、三つの列と二つの行を有するように配置される六本の第１の凹溝１４５ａを備えていてもよい。六本の第１の凹溝１４５ａは、いずれも同一の大きさ、例えば、いずれも同一の直径ｒ１１を有するように形成されてもよい。まず、第１の行をなす三本の第１の凹溝１４５ａは、それぞれの中心が水平線の上に位置し、それぞれの第１の凹溝１４５ａが接触し合うように配置されてもよい。また、第２の行をなす三本の第１の凹溝１４５ａは、それぞれの中心が一直線の上に位置し、それぞれの第１の凹溝１４５ａが接触し合うように配置されてもよい。さらに、第１の行をなす第１の凹溝１４５ａと第２の行をなす第１の凹溝１４５ａの中心は、互いに一直線の上に位置するように配置されてもよい。
このような構成を通して、隣り合う第１の凹溝１４５ａの中心間の距離ｒ１２，ｒ１３は、第１の凹溝１４５ａの直径ｒ１１と同じ（ｒ１１＝ｒ１２＝ｒ１３）であってもよい。このため、第１のグループＡは、第１の方向への長さＷ１が第１の方向と交わる方向、例えば、第２の方向への長さＴ１の１．５倍（Ｗ１：Ｔ１＝１．５：１）になることができ、概ね長方形を呈することができる。
第２のグループＡは、二つの列と三つの行を有するように配置される六本の第２の凹溝１４５ｂを備えていてもよい。六本の第２の凹溝１４５ｂは、いずれも同一の大きさ、例えば、いずれも同一の直径ｒ２１を有するように形成され、第１の凹溝１４５ａと同じ直径を有するように形成されてもよい。まず、第１の行をなす二本の第２の凹溝１４５ｂは、それぞれの中心が水平線の上に位置し、それぞれの第２の凹溝１４５ｂが接触し合うように配置されてもよい。第２の行をなす二本の第２の凹溝１４５ｂは、それぞれの中心が一直線の上に位置し、それぞれの第２の凹溝１４５ｂが接触し合うように配置されてもよい。また、第３の行をなす二本の第２の凹溝１４５ｂは、それぞれの中心が一直線の上に位置し、それぞれの第２の凹溝１４５ｂが接触し合うように配置されてもよい。さらに、第１の行をなす第２の凹溝１４５ｂと第２の行をなす第２の凹溝１４５ｂ及び第３の行をなす第２の凹溝１４５ｂの中心は、互いに一直線の上に位置するように配置されてもよい。
換言すれば、第１のグループＡは、３列２行に配置される複数の第１の凹溝１４５ａを備え、第２のグループＢは、２列３行に配置される複数の第２の凹溝１４５ｂを備える。また、各行をなす第１の凹溝１４５ａと第２の凹溝１４５ｂは、それぞれの中心が水平線の上に位置し、隣り合う第１の凹溝１４５ａの中心間の距離、隣り合う第２の凹溝１４５ｂの中心間の距離及び隣り合う第１の凹溝１４５ａの中心と第２の凹溝１４５ｂの中心との距離が互いに同じである。なお、第１のグループＡは、支持体１４２の中央に配置され、第１のグループＡの１列１行、１列２行、３列１行及び３列２行のうちのいずれか一つに配置される第１の凹溝１４５ａの中心が支持体１４２の中心に配置される。
このような構成を通して、隣り合う第２の凹溝１４５ｂの中心間の距離ｒ２２，ｒ２３は、第２の凹溝１４５ｂの直径ｒ２１と同じ（ｒ２１＝ｒ２２＝ｒ２３）であってもよいこのため、第２のグループＢは、第２の方向への長さＴ２が第２の方向と交わる方向、例えば、第１の方向への長さＷ１の１．５倍（Ｗ２：Ｔ２＝１：１．５）になることができ、概ね長方形を呈することができる。
これらに加えて、支持体１４２に複数の凹溝１４５を平織構造を有するように配置できるのであれば、第１のグループＡと第２のグループＢは、第１の凹溝１４５ａと第２の凹溝１４５ｂの列と行を広げてもよい。
ここでは、第１のグループＡを形成する第１の凹溝１４５ａと第２のグループＢを形成する第２の凹溝１４５ｂ、及び第１のグループＡを形成する第１の凹溝１４５ａと第２のグループＢを形成する第２の凹溝１４５ｂが接触し合うように形成されると説明したが、これらは互いに離れ合うように形成されてもよい。この場合、隣り合う第１の凹溝１４５ａの中心間の距離、隣り合う第２の凹溝１４５ｂの中心間の距離及び隣り合う第１の凹溝１４５ａと第２の凹溝１４５ｂとの中心間の距離は互いに同じであってもよく、これらの距離は、第１の凹溝１４５ａ又は第２の凹溝１４５ｂの直径よりも大きくてもよい（ｒ１１＜ｒ１２＝ｒ１３，ｒ２１＜ｒ２２＝ｒ２３）。ここでも、「隣り合う」とは、すぐ隣又は最も近い距離のことを意味する。このように、第１の凹溝１４５ａと第２の凹溝１４５ｂとが互いに離れ合うように形成される場合、凹溝間の離間距離に応じて、第１のグループＡは、第１の方向への長さＷ１と第２の方向への長さＴ１が約１．３～１．７：１又は約１．４～１．６：１の比率を有するように形成されることが可能になる。また、第２のグループＢは、第１の方向への長さＷ２と第２の方向への長さＴ２が約１：１．３～１．７又は約１：１．４～１．６の比率を有するように形成されてもよい。すなわち、第１のグループＡの第１の方向への長さＷ１は、第２のグループＢの第２の方向への長さＷ２と同じであり、第１のグループＡの第２の方向への長さＴ１は、第２のグループＢの第１の方向への長さＴ２と同じである。さらに、第１のグループＡの面積と第２のグループＢの面積は同じである。
このように、複数の凹溝１４５は、一定のパターンを有する第１のグループＡと第２のグループＢに分けられて、支持体１４２の全体に亘って交互に形成されてもよい。このとき、第１のグループＡの第１の凹溝１４５ａのうち、１列１行、１列２行、３列１行及び３列２行のうちのいずれか一つに位置する第１の凹溝１４５ａの中心が支持体１４２の中心Ｃに位置するように支持体１４２に複数の凹溝１４５を形成してもよい。例えば、支持体１４２の中心に第１のグループＡの１列１行に位置する第１の凹溝１４５ａを位置させ、第１のグループＡが延びる第１の方向に第２のグループＢと第１のグループＡを交互に位置させてもよい。そして、第１のグループＡが延びる第１の方向と交わる方向、例えば、第２の方向に第２のグループＢと第１のグループＡを交互に位置させてもよい。このとき、第１のグループＡの第１の行と第２の行との間、又は第１のグループＡの第２の方向への長さＴ１の途中に第２のグループＢの第２の行に配置される第２の凹溝１４５ｂの中心を配置してもよい。これにより、第１のグループＡは、四つの第２のグループＢにより取り囲まれ、第２のグループＢは、四つの第１のグループＡにより取り囲まれることが可能になる。
このような熱源装置１４０は、支持体１４２の半径方向、又は基板Ｓの半径方向に凹溝１４５の中心をほとんど連続して配置することができる。このように、凹溝１４５の中心が支持体１４２の半径方向に連続して配置され、基板の処理に際して基板Ｓを回転させれば、基板Ｓの全体が放射光に一様に晒されて一様に加熱されることが可能になる。
以上においては、基板処理装置が、少なくとも一部が基板Ｓの下部面に接触可能であり、連結部材１２６の外側に延びるように連結部材１２６の上部に配設される基板支持部材１２８を備える基板支持装置１２０と、嵌入口１４４が延びる方向と交わる第１の方向に延びる第１のグループＡを形成するように支持体１４２に形成される複数の第１の凹溝１４５ａと、嵌入口１４４が延びる方向と交わり、第１の方向と直交する第２の方向に延びる第２のグループＢを形成するように支持体１４２に形成される複数の第２の凹溝１４５ｂとを備える熱源装置１４０と、を備えると説明した。しかしながら、基板処理装置は、前述した基板支持装置１２０と、様々なパターンに形成される熱源装置と、を備えていてもよく、前述した熱源装置と、様々な形状形成される基板支持装置と、を備えていてもよい。すなわち、基板処理装置は、基板Ｓを安定的に支持しながら、基板を一様に加熱できれば、基板支持装置１２０と熱源装置１４０のうちのどちらか一方は種々に変更可能である。
以下では、本発明の実施形態に係る熱源装置の性能を検証するために、本発明の実施形態に係る熱源装置と従来の技術による熱源装置に形成される凹溝の配置状態を比較した結果について説明する。
図９は、従来の技術による熱源装置における熱源装置の中心から各凹溝の中心までの距離を示すグラフであり、図１０は、本発明の実施形態に係る熱源装置における熱源装置の中心から各凹溝の中心までの距離を示すグラフである。ここで、熱源装置の中心とは、支持体の中心のことを意味してもよく、支持体の中心は、基板支持装置に載置される基板の中心と同じであってもよい。
図９の（ａ）は、従来の技術による熱源装置の一例を示す図であり、熱源装置は、熱源装置の中心Ｃを基準として放射状に配置される複数の熱源を備える。このような熱源装置の中心から支持体に形成される凹溝の中心までの距離をそれぞれ測定し、測定された距離を図９の（ｂ）のように示した。図９の（ｂ）において、ｙ軸は、支持体の中心から支持体の半径方向への距離を示し、ｘ軸は、支持体に形成される凹溝の番号を示す。ここでは、支持体の中心Ｃに形成される凹溝を１番とし、残りの凹溝の番号は任意に定められてもよい。例えば、支持体に４００本の凹溝が形成される場合、それぞれの凹溝には１番から４００番までの番号が付されてもよい。このとき、凹溝のうち、支持体の中心から同一の距離を有する複数の凹溝があり得るが、凹溝の番号は、支持体の中心Ｃに形成される１番の凹溝から遠ざかる順番に凹溝に番号を付してもよい。あるいは、凹溝の番号は、支持体の中心Ｃに形成される１番の凹溝を基準として、１番の凹溝から遠ざかる方向に螺旋状に回転しながら凹溝に番号を付してもよい。これらに加えて、様々な方式にて凹溝に番号を付することができる。
図９の（ｂ）を参照すると、凹溝の中心は、熱源装置１４０の中心Ｃから支持体の半径方向に沿って断続的に配置されるということが分かる。特に、熱源装置、例えば、支持体の中心から約１５０ｍｍの範囲においては、凹溝の中心が断続的に配置されて、凹溝の中心と凹溝の中心との間に離間距離が形成されるということが分かる。また、熱源装置の中心から約１７５～１８０ｍｍの範囲においては、凹溝の中心がほとんど配置されないということが分かる。この場合、基板を回転させながら基板を処理すれば、熱源装置の半径方向に凹溝の中心の間に離間距離が生じた領域において基板が熱源から放出される放射光に十分に晒されなくなる。これにより、凹溝の中心が配置される領域と凹溝の中心が離れる領域における放射光の光量又は光の強さの違いにより基板が一様に加熱されないという不都合がある。
図１０の（ａ）は、本発明の実施形態に係る熱源装置１４０を示す図であり、熱源装置は、支持体１４２に平織構造のパターンを有するように配置される複数の凹溝１４５を備える。このような熱源装置１４０の中心Ｃから支持体１４２に形成される凹溝１４５の中心までの距離をそれぞれ測定し、測定された距離を図１０の（ｂ）のように示した。図１０の（ｂ）において、ｙ軸は、支持体の中心から支持体の半径方向への距離を示し、ｘ軸は、支持体に形成される凹溝の番号を示す。凹溝の番号は、前述した方式と同じ方式により定められてもよい。図１０の（ｂ）を参照すると、凹溝１４５の中心は、熱源装置１４０の中心Ｃから支持体１４２の半径方向に沿ってほとんど連続して配置されるということが分かる。但し、熱源装置１４０の中心から約７５ｍｍの範囲においては、凹溝１４５の中心が断続的に配置されるものの、凹溝１４５の中心と中心との距離が比較的に短く、凹溝１４５は面積を有するように形成されることから、凹溝１４５の中心の間において基板が十分に加熱されることが可能になる。特に、基板Ｓを回転させながら基板を処理することから、基板Ｓの半径方向に沿って放射光が一様に届くので、基板Ｓの全体を一様に加熱することができる。
以上、本発明について、添付図面と前述した好適な実施形態を参照して説明したが、本発明はこれに何ら限定されるものではなく、特許請求の範囲により限定される。よって、この技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲の技術的思想から逸脱しない範囲内において本発明を種々に変形しかつ修正することができる。
Ｓ：基板
１１０：チャンバー
１２０：基板支持装置
１２２：回転部材ハウジング
１２４：回転部材
１２６：連結部材
１２８：基板支持部材
１２８ａ：本体部
１２８ｂ：支持部
１３０：真空ライン
１４０：熱源装置
１４２：支持体
１４４：嵌入口
１４５：凹溝
１４５ａ：第１の凹溝
１４５ｂ：第２の凹溝
１４６：熱源
Ａ：第１のグループ
Ｂ：第２のグループ
１１０：チャンバー
１２０：基板支持装置
１２２：回転部材ハウジング
１２４：回転部材
１２６：連結部材
１２８：基板支持部材
１２８ａ：本体部
１２８ｂ：支持部
１３０：真空ライン
１４０：熱源装置
１４２：支持体
１４４：嵌入口
１４５：凹溝
１４５ａ：第１の凹溝
１４５ｂ：第２の凹溝
１４６：熱源
Ａ：第１のグループ
Ｂ：第２のグループ
Claims (18)
- 基板を処理するための熱源装置であって、
複数の熱源と、
前記熱源を嵌入するために一方向に延びるように形成される嵌入口及び前記熱源から発せられる放射光を集光して反射するように前記嵌入口の片側に形成される凹溝が形成される支持体と、
を備え、
前記凹溝が、
前記嵌入口が延びる方向と交わる第１の方向に延びる第１のグループを形成するように前記支持体に形成される複数の第１の凹溝と、
前記嵌入口が延びる方向に交わり、前記第１の方向と直交する第２の方向に延びる第２のグループを形成するように前記支持体に形成される複数の第２の凹溝と、
を備える熱源装置。 - 前記第１のグループと前記第２のグループが、前記第１の方向及び前記第２の方向に交互に配置され、
前記第１のグループが、前記第１の方向にラインを形成するように離れて配置され、
前記第２のグループが、前記第２の方向にラインを形成するように前記第１のグループの少なくとも片側に配置される
請求項１に記載の熱源装置。 - 前記第１のグループが、前記第２のグループにより取り囲まれ、
前記第２のグループが、前記第１のグループにより取り囲まれるように配置される
請求項１に記載の熱源装置。 - 前記第１の凹溝と前記第２の凹溝が、互いに同じ直径を有するように形成され、
前記第１のグループの前記第１の方向への長さと第２のグループの第２の方向への長さが同じであり、
前記第１のグループの前記第２の方向への長さと前記第２のグループの第１の方向への長さが同じである
請求項１に記載の熱源装置。 - 前記第１のグループが、３列２行に配置される複数の第１の凹溝を備え、
前記第２のグループが、２列３行に配置される複数の第２の凹溝を備える
請求項４に記載の熱源装置。 - 隣り合う第１の凹溝の中心間の距離、隣り合う第２の凹溝の中心間の距離及び隣り合う第１の凹溝の中心と第２の凹溝の中心との距離が互いに同じである
請求項５に記載の熱源装置。 - 前記第１のグループが、前記支持体の中央に配置され、
前記第１のグループの１列１行、１列２行、３列１行及び３列２行のうちのいずれか一つに配置される第１の凹溝の中心が前記支持体の中心に配置される
請求項６に記載の熱源装置。 - リング状に形成される回転部材と、
リング状に形成され、前記回転部材の上部に配設される連結部材と、
一部が基板の下部面に接触可能であり、リング状に形成され、前記連結部材の外側に延びるように前記連結部材の上部に配設される基板支持部材と、
を備える基板支持装置。 - 前記基板支持部材が、全体が前記基板の下部面よりも低い位置に配置されるように形成される
請求項８に記載の基板支持装置。 - 前記基板支持部材が、
基板が延びる方向と交わる方向に延びる本体部と、
基板と接触可能であり、前記本体部が延びる方向と交わる方向に延びるように前記本体部の上部に連結される支持部と、
前記連結部材に接触可能であり、前記本体部が延びる方向と交わる方向に延びるように前記本体部の下部に連結される載置部と、
を備え、
前記本体部及び前記載置部が、リング状に形成され、
前記本体部の外径が、前記連結部材の外径よりも大きく、
前記載置部の外径が、前記本体部の外径よりも小さな、
請求項８に記載の基板支持装置。 - 前記本体部の上部面が、平面状に形成される
請求項１０に記載の基板支持装置。 - 前記本体部の上部面が、外側に下向きに傾くように形成される
請求項１１に記載の基板支持装置。 - 前記支持部と前記本体部とがなす角度が、９０°以上、かつ、１８０°未満である
請求項１１又は請求項１２に記載の基板支持装置。 - 前記基板支持部材が、少なくとも前記本体部の下部面に形成される熱遮断層を備える
請求項１０に記載の基板支持装置。 - 基板が処理される内部空間が形成されるチャンバーと、
基板を加熱するように前記チャンバーに配設され、請求項１から請求項７のうちのいずれか一項に記載の熱源装置と、
を備える基板処理設備。 - 基板を支持するように前記チャンバーに配設され、請求項８に記載の基板支持装置を備える
請求項１５に記載の基板処理設備。 - 前記基板支持装置の少なくとも一部を取り囲むように前記チャンバーに配設される保護部材をさらに備え、
前記保護部材が、水平方向に連結部材から離れ、上下方向に基板支持部材の一部と重なり合うように配置される
請求項１６に記載の基板処理設備。 - 基板支持部材が、全体が前記基板よりも低い位置に配置され、少なくとも連結部材を覆うように形成される
請求項１６に記載の基板処理設備。
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|---|---|---|---|
| KR1020210051162A KR102335630B1 (ko) | 2021-04-20 | 2021-04-20 | 열원 장치, 기판 지지 장치 및 기판 처리 설비 |
| KR10-2021-0051162 | 2021-04-20 |
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-
2021
- 2021-04-20 KR KR1020210051162A patent/KR102335630B1/ko active IP Right Grant
-
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