JP2022162488A - Multilayer wiring board and method for manufacturing multilayer wiring board - Google Patents

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Abstract

To provide a multilayer wiring board and a method for manufacturing the same that can suppress the generation of metal burrs.SOLUTION: A multilayer wiring board 10 having a cavity 20 in which a portion of a first surface 10F side, which is one of the front and back surfaces, is removed from a first conductive layer 13A located in the middle of the thickness direction of the multilayer wiring board, and the cavity is opened on the first side and the first conductive layer is exposed at the bottom, has a side opening 20K that opens the cavity to a first side 10M of the multilayer wiring board, and a step 34 that is machined from the edge of the side opening side of the bottom surface 20M of the cavity. Of the conductive layers disposed on a second surface 10S side, which is the other surface of the front and back surfaces of the multilayer wiring board, with respect to the first conductive layer, the conductive layer 13B located closest to the bottom surface of the cavity is away from the first side surface with respect to the step surface 38 of the step.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本開示は、キャビティを有する多層配線基板及びその製造方法に関する。 The present disclosure relates to a multilayer wiring board having cavities and a manufacturing method thereof.

従来、この種の多層配線基板として、多層配線基板の一部を除去してキャビティを形成するために切削加工が行われるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, as this type of multilayer wiring board, there is known a multilayer wiring board in which a part is removed to form a cavity by cutting (see, for example, Patent Document 1).

特開2012-146983号公報(図1、図2等)Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-146983 (Fig. 1, Fig. 2, etc.)

ところで、上記した多層配線基板に対し、キャビティを多層配線基板の一側面に開口した構造にしたいという要請がある。しかしながら、そのような構造では、キャビティの側面開口における導電層の一部が金属バリとなって多層配線基板に残り、その金属バリが後工程で離脱して不具合が発生することが懸念される。そこで、本開示では、金属バリの発生を抑えることが可能な技術を提供する。 By the way, there is a demand for a multilayer wiring board having a structure in which a cavity is opened on one side surface of the multilayer wiring board. However, in such a structure, there is a concern that part of the conductive layer at the side opening of the cavity may become a metal burr and remain on the multilayer wiring board, and the metal burr may come off in a post-process and cause a problem. Therefore, the present disclosure provides a technique capable of suppressing the generation of metal burrs.

本開示の一態様に係る多層配線基板は、多層配線基板のうち厚さ方向の途中に位置する第1の導電層よりも多層配線基板の表裏の一方の面である第1面側の一部が除去されて、前記第1面に開口しかつ前記第1の導電層が底面に露出するキャビティを有する多層配線基板であって、前記キャビティを前記多層配線基板の第1の側面に開放する側面開口と、前記キャビティの底面のうち前記側面開口側の縁部が切削加工されてなる段差部と、を備え、前記第1の導電層よりも前記多層配線基板の表裏の他方の面である第2面側に配置される導電層のうち前記キャビティの底面に対して最も近くに位置する導電層は、前記段差部の段差面よりも前記第1の側面から離れている。 A multilayer wiring board according to an aspect of the present disclosure is a part of the first surface side, which is one of the front and back surfaces of the multilayer wiring board, from the first conductive layer located midway in the thickness direction of the multilayer wiring board. is removed to form a cavity which opens to the first surface and exposes the first conductive layer to the bottom surface, the side surface opening the cavity to the first side surface of the multilayer wiring board An opening and a stepped portion formed by cutting an edge portion of the bottom surface of the cavity on the side of the side opening, the first conductive layer being the other surface of the front and back surfaces of the multilayer wiring board rather than the first conductive layer. Of the conductive layers arranged on the second surface side, the conductive layer located closest to the bottom surface of the cavity is farther from the first side surface than the stepped surface of the stepped portion.

本開示の一態様に係る多層配線基板の製造方法は、多層配線基板の表裏の一方の面である第1面から前記多層配線基板の厚さ方向の途中の第1の導電層を通過する位置までルータを突入しかつ閉ループの軌跡を描くようにルータを走らせてから、前記閉ループの内側部分における前記第1の導電層より前記第1面側の部分を除去し、前記第1面に開口しかつ前記第1の導電層を底面に露出させかつ前記底面の縁部に切削加工溝を有するキャビティを形成することを含む多層配線基板の製造方法であって、前記第1の導電層よりも前記表裏の他方の面である第2面側に配置される導電層のうち前記第1の導電層に対して最も近くに位置する第2の導電層を、多層配線基板の第1の側面から第1距離以上離れた配置にすることと、前記閉ループの一部に多層配線基板の前記第1の側面側の外縁部が含まれかつ、その外縁部では前記第1の側面から前記第1距離未満の距離に収まる範囲が切削されるようにルータを走らせて、前記キャビティに、前記第1の側面に前記キャビティを開放する側面開口と、前記切削開口溝が前記側面開口側に開放されてなる段差部とを形成することと、を含む。 In a method for manufacturing a multilayer wiring board according to an aspect of the present disclosure, a position passing through a first conductive layer in the middle of the thickness direction of the multilayer wiring board from a first surface, which is one of the front and back surfaces of the multilayer wiring board, is provided. and run the router so as to draw a closed loop trajectory, then remove the portion closer to the first surface than the first conductive layer in the inner portion of the closed loop, and open to the first surface and exposing the first conductive layer to the bottom surface and forming a cavity having a cut groove at the edge of the bottom surface, wherein the The second conductive layer positioned closest to the first conductive layer among the conductive layers arranged on the second surface side, which is the other surface of the front and back surfaces, is moved from the first side surface of the multilayer wiring board to the second surface. The closed loop includes an outer edge of the multilayer wiring board on the side of the first side surface as part of the closed loop, and the outer edge of the multilayer wiring board is less than the first distance from the first side surface. The router is run so that the range within the distance of is cut, and the cavity is provided with a side opening that opens the cavity to the first side surface and a step formed by the cutting opening groove opening to the side opening side. and forming a part.

本開示の一実施形態の多層配線基板の側断面図1 is a side cross-sectional view of a multilayer wiring board according to an embodiment of the present disclosure; FIG. 多層配線基板の平面図Plan view of multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す拡大側断面図Enlarged side cross-sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す平面図A plan view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す側断面図Side sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board 多層配線基板の製造工程を示す拡大側断面図Enlarged side cross-sectional view showing a manufacturing process of a multilayer wiring board

図1に示されるように、本開示の一実施形態の多層配線基板10は、絶縁層と導電層が交互に積層される積層構造を有する。具体的には、多層配線基板10の積層構造では、コア基板11の表裏の一方の面である第1面11F上に第1ビルドアップ部12Aが積層され、コア基板11の表裏の他方の面である第2面11S上に第2ビルドアップ部12Bが積層されている。 As shown in FIG. 1, a multilayer wiring board 10 according to an embodiment of the present disclosure has a laminated structure in which insulating layers and conductive layers are alternately laminated. Specifically, in the laminated structure of the multilayer wiring board 10, the first buildup portion 12A is laminated on the first surface 11F, which is one surface of the front and back surfaces of the core substrate 11, and the other surface of the front and back surfaces of the core substrate 11. The second buildup portion 12B is laminated on the second surface 11S which is

コア基板11は、絶縁層としての絶縁性基材11Kに表裏の両側(第1面11F側と第2面11S)から導電層13A,13Bが積層されてなる。第1面11Fの導電層13Aと、第2面11Sの導電層13Bとは、それぞれ所定パターンに形成され、絶縁性基材11Kを貫通するスルーホール導体14によって接続されている。なお、以下では、第1面11Fの導電層13Aを「第1の導電層13A」、第2面11Sの導電層13Bを「第2の導電層13B」と適宜いうこととする。 The core substrate 11 is formed by laminating conductive layers 13A and 13B from both front and back sides (first surface 11F side and second surface 11S) on an insulating base material 11K as an insulating layer. The conductive layer 13A on the first surface 11F and the conductive layer 13B on the second surface 11S are each formed in a predetermined pattern and connected by through-hole conductors 14 passing through the insulating base material 11K. In the following description, the conductive layer 13A on the first surface 11F will be referred to as "first conductive layer 13A", and the conductive layer 13B on the second surface 11S will be referred to as "second conductive layer 13B".

第1ビルドアップ部12Aと第2ビルドアップ部12Bは、それぞれコア基板11側から層間絶縁層15と導電層16とが交互に積層されている構造を有する。隣り合う導電層16同士は、層間絶縁層15を貫通する複数のビア導体15Dによって接続されている。ビア導体15Dは、コア基板11に近づくにつれて縮径されるテーパー状になっている。層間絶縁層15は、例えば、プリプレグ(ガラスクロス等の繊維からなる心材を樹脂含侵してなるBステージの樹脂シート)又はビルドアップ基板用の絶縁フィルム(心材を有さず、例えば、無機フィラーを含む熱硬化性樹脂からなるフィルム)で構成されている。 The first buildup portion 12A and the second buildup portion 12B each have a structure in which interlayer insulating layers 15 and conductive layers 16 are alternately laminated from the core substrate 11 side. Adjacent conductive layers 16 are connected by a plurality of via conductors 15</b>D penetrating through interlayer insulating layer 15 . Via conductor 15</b>D has a tapered shape that decreases in diameter as it approaches core substrate 11 . The interlayer insulating layer 15 is, for example, a prepreg (a B-stage resin sheet obtained by impregnating a core material made of fibers such as glass cloth with a resin) or an insulating film for a build-up board (having no core material and containing, for example, an inorganic filler). It is composed of a film made of a thermosetting resin containing

第1ビルドアップ部12A及び第2ビルドアップ部12Bの導電層16のうち最も外側(最もコア基板11から離れた側)に配置される最外の導電層16上には、ソルダーレジスト層17が形成されている。各ソルダーレジスト層17は、多層配線基板10の最外層を構成する。ソルダーレジスト層17には、開口部17Aが形成され、上記最外の導電層16のうち開口部17Aによってソルダーレジスト層17から露出する部分によりパッド18が形成されている。 A solder resist layer 17 is provided on the outermost conductive layer 16 arranged on the outermost side (the side farthest from the core substrate 11) of the conductive layers 16 of the first buildup portion 12A and the second buildup portion 12B. formed. Each solder resist layer 17 constitutes the outermost layer of the multilayer wiring board 10 . An opening 17A is formed in the solder resist layer 17, and a pad 18 is formed by a portion of the outermost conductive layer 16 exposed from the solder resist layer 17 through the opening 17A.

多層配線基板10の表裏の一方の面である第1面10Fには、キャビティ20が開口している。キャビティ20は、多層配線基板10のうち厚さ方向の途中に位置する導電層(本実施形態では、コア基板11の第1の導電層13A)より第1面10F側の一部が除去されてなる。本実施形態では、キャビティ20は、第1ビルドアップ部12Aを貫通し、キャビティ20の底面20Mに、コア基板11の第1面11Fを露出させている。具体的には、キャビティ20の底面20Mには、コア基板11の第1の導電層13Aが露出し、その露出部分により、部品搭載用のパッド21が形成されている。本実施形態の例では、第1の導電層13Aの上記露出部分は、ベタパターンになっている。なお、パッド21には、キャビティ20に収容される電子部品100が搭載される。 A cavity 20 is opened in a first surface 10</b>F, which is one of the front and back surfaces of the multilayer wiring board 10 . The cavity 20 is formed by removing a portion of the first surface 10F side of the conductive layer (in this embodiment, the first conductive layer 13A of the core substrate 11) positioned midway in the thickness direction of the multilayer wiring board 10. Become. In this embodiment, the cavity 20 penetrates through the first buildup portion 12A and exposes the first surface 11F of the core substrate 11 to the bottom surface 20M of the cavity 20 . Specifically, the first conductive layer 13A of the core substrate 11 is exposed on the bottom surface 20M of the cavity 20, and the exposed portion forms a pad 21 for component mounting. In the example of this embodiment, the exposed portion of the first conductive layer 13A is a solid pattern. Electronic component 100 accommodated in cavity 20 is mounted on pad 21 .

キャビティ20には、多層配線基板10の第1の側面10Mに開口する側面開口20Kが形成されている。図2に示されるように、本実施形態では、キャビティ20は、平面視四角形状をなし、キャビティ20の1辺のみに、側面開口20Kが設けられている。キャビティ20は、キャビティ20の残りの3辺側からは、第1ビルドアップ部12Aに囲まれている。 The cavity 20 is formed with a side opening 20K that opens to the first side surface 10M of the multilayer wiring board 10 . As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the cavity 20 has a square shape in plan view, and a side opening 20K is provided on only one side of the cavity 20 . The cavity 20 is surrounded by the first buildup portion 12A from the remaining three sides of the cavity 20 .

図1及び図2に示されるように、キャビティ20の底面20Mのうち側面開口20K側の縁部には、段差部34が形成されている。本実施形態の例では、段差部34は、キャビティ20の底面20Mの上記開放されている1辺の縁部が、段付き状に陥没するように切削加工されてなり、上記1辺に直線状に延びている。詳細には、段差部34の段差面38が、ルータの側面により切削され、段差部34において段差面38により一段下げられた下段面34Mが、ルータの先端面により切削されている。下段面34Mは、多層配線基板10の第1の側面10Mと連絡されている。本実施形態の例では、段差部34の下段面34Mは、コア基板11の絶縁性基材11Kの厚さ方向の途中に位置している。 As shown in FIGS. 1 and 2, a stepped portion 34 is formed at the edge of the bottom surface 20M of the cavity 20 on the side opening 20K side. In the example of the present embodiment, the stepped portion 34 is formed by cutting the edge of the open one side of the bottom surface 20M of the cavity 20 so as to be recessed in a stepped manner. extends to Specifically, the stepped surface 38 of the stepped portion 34 is cut by the side surface of the router, and the lower stepped surface 34M, which is lowered by one step by the stepped surface 38 at the stepped portion 34, is cut by the tip surface of the router. The lower surface 34M communicates with the first side surface 10M of the multilayer wiring board 10. As shown in FIG. In the example of the present embodiment, the lower surface 34M of the stepped portion 34 is positioned midway in the thickness direction of the insulating base 11K of the core substrate 11 .

なお、本実施形態の例では、キャビティ20の内壁面40が、切削加工により形成される切削加工面になっている。例えば、この切削加工面は、ルータの側面加工で形成される。キャビティ20の内壁面40は、キャビティ20のうち側面開口20Kが設けられていない3辺に設けられている。 In addition, in the example of this embodiment, the inner wall surface 40 of the cavity 20 is a machined surface formed by cutting. For example, this machined surface is formed by side machining of a router. The inner wall surface 40 of the cavity 20 is provided on three sides of the cavity 20 where the side opening 20K is not provided.

なお、本実施形態の例では、キャビティ20の底面20Mの外縁部には、溝30が形成されている。溝30は、ルータの先端部により形成された切削加工溝になっている。溝30(詳細には、溝30の内面)は、キャビティ20の内壁面40に連続して形成されている。溝30の内面は、溝底面30Mと、溝30の溝幅方向で対向する溝外周面30G及び溝内周面30Nと、からなる。溝外周面30Gは、キャビティ20の内壁面40の延長上に配置されていて、内壁面40と連続している。本実施形態の例では、溝30は、キャビティ20のうち側面開口20Kが設けられていない3辺に設けられている。溝30は、段差部34と連絡されて、段差部34と共にキャビティ20の底面20Mの中央部分を包囲している。 In addition, in the example of the present embodiment, a groove 30 is formed in the outer edge portion of the bottom surface 20M of the cavity 20. As shown in FIG. Groove 30 is a machined groove formed by the tip of the router. The groove 30 (more specifically, the inner surface of the groove 30 ) is formed continuously with the inner wall surface 40 of the cavity 20 . The inner surface of the groove 30 is composed of a groove bottom surface 30M, and a groove outer circumferential surface 30G and a groove inner circumferential surface 30N that face each other in the groove width direction of the groove 30 . The groove outer peripheral surface 30</b>G is arranged on the extension of the inner wall surface 40 of the cavity 20 and is continuous with the inner wall surface 40 . In the example of this embodiment, the grooves 30 are provided on three sides of the cavity 20 where the side openings 20K are not provided. The groove 30 communicates with the stepped portion 34 and surrounds the central portion of the bottom surface 20M of the cavity 20 together with the stepped portion 34 .

なお、本実施形態の例では、キャビティ20の底面20Mのうち段差部34と溝30とに囲まれた四角形状の部分全体が、上述の部品搭載用のパッド21になっている。なお、段差部34と溝30とに囲まれた部分の一部のみにパッド21が設けられていてもよい。 In the example of the present embodiment, the entire rectangular portion of the bottom surface 20M of the cavity 20 surrounded by the stepped portion 34 and the groove 30 serves as the component mounting pad 21 described above. Note that the pad 21 may be provided only in a portion of the portion surrounded by the stepped portion 34 and the groove 30 .

本実施形態の例では、段差部34の下段面34Mと、溝30の溝底面30Mとは、コア基板11の第1面11Fから同じ深さに配置されて(図1参照)、連続している。段差部34と溝30は、コア基板11の第1の導電層13Aを貫通する深さに形成されている。本実施形態の例では、段差部34の下段面34と溝30の溝底面30Mは、コア基板11の絶縁性基材11Kの厚さ方向の途中に位置している。従って、段差部34の下段面34Mと溝30の溝底面30Mとには、絶縁性基材11Kが露出していて、導電層は露出していない。 In the example of the present embodiment, the lower surface 34M of the stepped portion 34 and the groove bottom surface 30M of the groove 30 are arranged at the same depth from the first surface 11F of the core substrate 11 (see FIG. 1) and are continuous. there is The stepped portion 34 and the groove 30 are formed to a depth that penetrates the first conductive layer 13A of the core substrate 11 . In the example of the present embodiment, the lower surface 34 of the stepped portion 34 and the groove bottom surface 30M of the groove 30 are positioned midway in the thickness direction of the insulating base material 11K of the core substrate 11 . Therefore, the insulating substrate 11K is exposed on the lower surface 34M of the stepped portion 34 and the groove bottom surface 30M of the groove 30, and the conductive layer is not exposed.

図1に示されるように、コア基板11の第1の導電層13Aよりも、多層配線基板10の表裏の他方の面(第1面10Fと反対側の面)である第2面10S側には、複数の導電層が設けられている。図3に示されるように、これら複数の導電層のうち、キャビティ20の底面20Mに最も近くに位置する導電層、即ち、コア基板11の第2の導電層13Bは、多層配線基板10の厚さ方向に段差部34が投影された領域から離れて配置されている。具体的には、第2の導電層13Bは、段差部34の段差面38よりも第1の側面10Mから離れていて、第2の導電層13Bと第1の側面10Mとの間の距離L1が、段差部34の段差面38と第1の側面10Mとの間の距離L2よりも長くなっている。例えば、第2の導電層13Bは、段差部34の段差面38よりも、第1の側面10Mから300μm以上離れていることが好ましい(即ち、距離L1と距離L2の差が、300μm以上であることが好ましい)。 As shown in FIG. 1, from the first conductive layer 13A of the core substrate 11, the second surface 10S, which is the other surface (the surface opposite to the first surface 10F) of the multilayer wiring board 10, is provided. is provided with a plurality of conductive layers. As shown in FIG. 3, among these multiple conductive layers, the conductive layer closest to the bottom surface 20M of the cavity 20, that is, the second conductive layer 13B of the core substrate 11 is the thickness of the multilayer wiring board 10. The stepped portion 34 is arranged away from the projected area in the vertical direction. Specifically, the second conductive layer 13B is further away from the first side surface 10M than the stepped surface 38 of the stepped portion 34, and the distance L1 between the second conductive layer 13B and the first side surface 10M is longer than the distance L2 between the stepped surface 38 of the stepped portion 34 and the first side surface 10M. For example, the second conductive layer 13B is preferably separated from the first side surface 10M by 300 μm or more than the stepped surface 38 of the stepped portion 34 (that is, the difference between the distance L1 and the distance L2 is 300 μm or more. preferably).

本実施形態の例では、第1の導電層13Aよりも多層配線基板10の第2面10S側に位置する全ての導電層(即ち、第2の導電層13Bと、導電層16)は、多層配線基板10の厚さ方向に段差部34が投影された領域に対して離れて配置されている。具体的には、これら全ての導電層は、段差部34の段差面38よりも第1の側面10Mから離れている。つまり、これら全ての導電層と第1の側面10Mとの距離のうち最小の距離(本実施形態では、距離L1)が、段差部34の段差面38と第1の側面10Mとの間の距離L2よりも長くなっている。従って、段差部34の段差面38には、絶縁層(本実施形態の例では、絶縁性基材11K)が露出していて、第2の導電層13B等の導電層は露出していない。なお、例えば、第1の導電層13Aよりも第2面10S側に位置する全ての導電層は、段差部34の段差面38よりも、第1の側面10Mから300μm以上離れていることが好ましい。 In the example of the present embodiment, all the conductive layers located closer to the second surface 10S of the multilayer wiring board 10 than the first conductive layer 13A (that is, the second conductive layer 13B and the conductive layer 16) are multilayer The stepped portion 34 is arranged apart from the projected area in the thickness direction of the wiring board 10 . Specifically, all of these conductive layers are farther from the first side surface 10M than the stepped surface 38 of the stepped portion 34 . That is, the shortest distance (distance L1 in this embodiment) among the distances between all these conductive layers and the first side surface 10M is the distance between the stepped surface 38 of the stepped portion 34 and the first side surface 10M. It is longer than L2. Therefore, the insulating layer (the insulating base material 11K in the example of the present embodiment) is exposed on the stepped surface 38 of the stepped portion 34, and the conductive layers such as the second conductive layer 13B are not exposed. Note that, for example, all the conductive layers located closer to the second surface 10S than the first conductive layer 13A are preferably separated from the first side surface 10M by 300 μm or more than the stepped surface 38 of the stepped portion 34. .

なお、本実施形態の例では、第1の導電層13Aよりも第2面10S側に位置する導電層(第2の導電層13B及び導電層16)は、多層配線基板10の厚さ方向で溝30と重ならないように配置されている。これら導電層は、多層配線基板10の厚さ方向に溝30が投影された領域に対して、間隔Xを開けて配置されている(例えば、間隔Xは、300μm以上であることが好ましい)。従って、溝30の内面のうち溝外周面30G及び溝内周面30N面には、絶縁層(本実施形態の例では、絶縁性基材11K)が露出していて、導電層は露出していない。 In the example of the present embodiment, the conductive layers (the second conductive layer 13B and the conductive layer 16) positioned closer to the second surface 10S than the first conductive layer 13A are It is arranged so as not to overlap with the groove 30 . These conductive layers are arranged with an interval X (for example, the interval X is preferably 300 μm or more) with respect to the region where the groove 30 is projected in the thickness direction of the multilayer wiring board 10 . Therefore, the insulating layer (insulating base material 11K in the example of the present embodiment) is exposed on the groove outer peripheral surface 30G and the groove inner peripheral surface 30N among the inner surfaces of the groove 30, and the conductive layer is not exposed. do not have.

本実施形態の多層配線基板10は、例えば、以下のようにして製造される。
(1)図4(A)に示されるように、絶縁性基材11Kの表裏の両面に銅箔11Cがラミネートされている銅張積層板11Zが用意される。なお、絶縁性基材11Kは、例えば、エポキシ樹脂又はBT(ビスマレイミドトリアジン)樹脂と、ガラスクロスとを含んでいる。
The multilayer wiring board 10 of this embodiment is manufactured, for example, as follows.
(1) As shown in FIG. 4A, a copper-clad laminate 11Z is prepared in which copper foils 11C are laminated on both sides of an insulating substrate 11K. The insulating base material 11K contains, for example, epoxy resin or BT (bismaleimide triazine) resin and glass cloth.

(2)図4(B)に示されるように、銅張積層板11Zの両面にレーザが照射され貫通孔14Hが形成される。 (2) As shown in FIG. 4B, both surfaces of the copper clad laminate 11Z are irradiated with a laser to form through holes 14H.

(3)無電解めっき処理が行われ、銅箔11C上と貫通孔14Hの内面に無電解めっき膜(図示せず)が形成される。 (3) Electroless plating is performed to form an electroless plated film (not shown) on the copper foil 11C and the inner surface of the through hole 14H.

(4)図4(C)に示されるように、表裏の銅箔11C上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト50が形成される。なお、めっきレジスト50は、後述するように、絶縁性基材11が切断される面でありかつ多層配線基板10の第1の側面10Mが形成される切断予定面Mから、第2の導電層13Bが第1距離D1以上離れて形成されるように配置される。 (4) As shown in FIG. 4C, a plating resist 50 having a predetermined pattern is formed on the electroless plating film on the front and back copper foils 11C. In addition, as will be described later, the plating resist 50 is a surface where the insulating base material 11 is cut, and the second conductive layer is formed from the planned cutting surface M on which the first side surface 10M of the multilayer wiring board 10 is formed. 13B are spaced apart by a first distance D1 or more.

(5)電解めっき処理が行われ、図4(D)に示されるように、電解めっきが貫通孔14H内に充填されてスルーホール導体14が形成されると共に、銅箔11C上の無電解めっき膜(図示せず)のうちめっきレジスト50から露出している部分に電解めっき膜13Dが積層される。 (5) Electroplating is performed, and as shown in FIG. 4(D), the through-holes 14H are filled with the electroplating to form the through-hole conductors 14, and the electroless plating on the copper foil 11C is performed. An electrolytic plated film 13D is laminated on a portion of the film (not shown) exposed from the plating resist 50 .

(6)めっきレジスト50が除去されると共に、めっきレジスト50の下方の無電解めっき膜(図示せず)及び銅箔11Cが除去される。すると、図5(A)に示されるように、残された電解めっき膜13D、無電解めっき膜及び銅箔11Cにより、絶縁性基材11Kの表裏の一方の面と他方の面とに、それぞれに第1の導電層13Aと第2の導電層13Bが形成される。このとき、第2の導電層13Bは、切断予定面Mから第1距離D1よりも離れた位置に形成される。また、第1の導電層13Aと第2の導電層13Bとがスルーホール導体14によって接続される。このようにして、コア基板11が形成される。 (6) The plating resist 50 is removed, and the electroless plated film (not shown) below the plating resist 50 and the copper foil 11C are also removed. Then, as shown in FIG. 5(A), the remaining electrolytic plated film 13D, electroless plated film and copper foil 11C are applied to one surface and the other surface of the insulating substrate 11K, respectively. A first conductive layer 13A and a second conductive layer 13B are formed on the substrate. At this time, the second conductive layer 13B is formed at a position separated from the planned cutting plane M by the first distance D1. Through-hole conductors 14 connect the first conductive layer 13A and the second conductive layer 13B. Thus, the core substrate 11 is formed.

(7)図5(B)に示されるように、コア基板11の第1面11F上の一部に剥離層51が敷設される。剥離層51は、例えば、剥離フィルムで構成され、四角形状になっている。剥離層51は、剥離層51の1辺の外縁部が上記切断予定面Mに沿うように配置される。なお、例えば、コア基板11の第1の導電層13Aは、剥離層51全体の下に配置されるように形成しておく。 (7) As shown in FIG. 5B, a release layer 51 is laid on a portion of the first surface 11F of the core substrate 11 . The release layer 51 is made of, for example, a release film and has a rectangular shape. The peeling layer 51 is arranged such that the outer edge of one side of the peeling layer 51 is aligned with the cutting plane M described above. In addition, for example, the first conductive layer 13A of the core substrate 11 is formed so as to be arranged under the entire peeling layer 51 .

(8)図5(C)に示されるように、コア基板11の両面に層間絶縁層15としてのプリプレグと銅箔52が積層されてから、加熱プレスされる。すると、コア基板11の両面上に層間絶縁層15が形成される。なお、上記加熱プレスの際、コア基板11の表裏の両面において、導電層13A,13Bのパターンの非形成部分がプリプレグの樹脂により埋められる。なお、層間絶縁層15として、プリプレグの代わりにビルドアップ基板用の絶縁フィルムを用いてもよい。この場合、ビルドアップ基板用の絶縁フィルムの上に、銅箔52を積層することなく、直接、後述の(11)における無電解めっき処理により無電解めっき膜を形成することができる。 (8) As shown in FIG. 5C, the prepreg as the interlayer insulating layer 15 and the copper foil 52 are laminated on both sides of the core substrate 11, and then hot pressed. Then, interlayer insulating layers 15 are formed on both surfaces of core substrate 11 . During the hot press, the non-patterned portions of the conductive layers 13A and 13B on both the front and back surfaces of the core substrate 11 are filled with the resin of the prepreg. As the interlayer insulating layer 15, an insulating film for a buildup board may be used instead of the prepreg. In this case, an electroless plated film can be directly formed on the insulating film for the buildup board by the electroless plating treatment in (11) described below without laminating the copper foil 52 .

(9)図6(A)に示すように、コア基板11の両面の層間絶縁層15に、レーザが照射されて、層間絶縁層15を貫通する複数のビアホール15Hが形成される。例えば、これら複数のビアホール15Hは、剥離層51に対してコア基板11の板面方向(厚さ方向と直交する方向)にずれた位置に形成される。 (9) As shown in FIG. 6A, the interlayer insulation layers 15 on both sides of the core substrate 11 are irradiated with a laser to form a plurality of via holes 15H penetrating the interlayer insulation layers 15 . For example, the plurality of via holes 15H are formed at positions shifted from the release layer 51 in the surface direction of the core substrate 11 (direction perpendicular to the thickness direction).

(10)無電解めっき処理が行われ、各層間絶縁層15上に積層されている銅箔52上と、ビアホール15Hの内面とに無電解めっき膜(図示せず)が形成される。 (10) An electroless plating process is performed to form electroless plating films (not shown) on the copper foils 52 laminated on the respective interlayer insulating layers 15 and on the inner surfaces of the via holes 15H.

(11)図6(B)に示すように、各層間絶縁層15に積層されている銅箔52上の無電解めっき膜上に、所定パターンのめっきレジスト53が形成される。めっきレジスト53は、コア基板11の第2面11S側の導電層16が、切断予定面Mから第1距離D1よりも離れて形成されるように配置される。また、例えば、めっきレジスト53は、下記(13)で、導電層16が、剥離層51の真上に形成されないように、層間絶縁層15のうち剥離層51の真上に配置される部分全体を覆うように形成される。 (11) As shown in FIG. 6B, a plating resist 53 having a predetermined pattern is formed on the electroless plating film on the copper foil 52 laminated on each interlayer insulating layer 15 . The plating resist 53 is arranged so that the conductive layer 16 on the second surface 11S side of the core substrate 11 is formed apart from the planned cutting surface M by a first distance D1. Further, for example, the plating resist 53 is applied to the entire portion of the interlayer insulating layer 15 that is located directly above the peeling layer 51 so that the conductive layer 16 is not formed directly above the peeling layer 51 in (13) below. formed to cover the

(12)電解めっき処理が行われ、電解めっきがビアホール15H内に充填されてビア導体15Dが形成される(図7(A)参照)。次いで、めっきレジスト53が剥離されると共に、めっきレジスト53の下側の無電解めっき膜及び銅箔52が除去される。すると、図7(B)に示すように、層間絶縁層15上に残された電解めっき膜16D、無電解めっき膜及び銅箔52により、導電層16が形成される。このとき、コア基板11の第2面11S側の導電層16は、切断予定面Mから第1距離D1以上(例えば、300μm以上)離れた位置に形成される。 (12) Electroplating is performed to fill the via holes 15H with the electroplating to form the via conductors 15D (see FIG. 7A). Next, the plating resist 53 is peeled off, and the electroless plated film and the copper foil 52 under the plating resist 53 are removed. Then, as shown in FIG. 7B, the electroplated film 16D, the electroless plated film and the copper foil 52 left on the interlayer insulating layer 15 form the conductive layer 16. Next, as shown in FIG. At this time, the conductive layer 16 on the second surface 11S side of the core substrate 11 is formed at a position separated from the planned cutting plane M by a first distance D1 or more (for example, 300 μm or more).

(13)上述した(9)~(12)と同様の工程が繰り返され、図8に示すように、コア基板11の導電層13上に層間絶縁層15と導電層16とが交互に所定の層数ずつ積層される。また、積層方向で隣り合う導電層16同士が、層間絶縁層15を貫通するビア導体15Dによって接続される。これにより、コア基板11の第1面11F上に第1ビルドアップ部12Aが形成されると共に、コア基板11の第2面11S上に第2ビルドアップ部12Bが形成される。 (13) Steps similar to (9) to (12) described above are repeated, and as shown in FIG. Layers are laminated one by one. Conductive layers 16 adjacent to each other in the stacking direction are connected by via conductors 15</b>D penetrating interlayer insulating layer 15 . Thereby, the first buildup portion 12A is formed on the first surface 11F of the core substrate 11, and the second buildup portion 12B is formed on the second surface 11S of the core substrate 11. FIG.

(14)図9に示されるように、コア基板11から表裏の両側で最も離れている最外の導電層16上にそれぞれソルダーレジスト層17が積層される。 (14) As shown in FIG. 9, solder resist layers 17 are laminated on the outermost conductive layers 16 that are farthest from the core substrate 11 on both the front and back sides.

(15)図10に示されるように、コア基板11の表裏の両面のソルダーレジスト層17の所定箇所に、例えば、レーザ加工やフォトリソグラフィー処理により、開口部17Aが形成される。そして、最外の導電層16のうち開口部17Aによりソルダーレジスト層17から露出した部分でパッド18が形成される。 (15) As shown in FIG. 10, openings 17A are formed at predetermined locations of the solder resist layer 17 on both the front and back sides of the core substrate 11 by laser processing or photolithography, for example. Pads 18 are formed in portions of the outermost conductive layer 16 exposed from the solder resist layer 17 through the openings 17A.

(16)図11に示されるように、第1ビルドアップ部12A上のソルダーレジスト層17の上から剥離層51を通過して第1の導電層13Aを通過する位置まで(例えば、コア基板11の途中まで)ルータ60が突入する。そして、閉ループの軌跡を描くようにルータ60が走らされる。具体的には、ルータ60は、剥離層51の外縁部に沿って四角形の枠状に走らされ、環状の凹部54が形成される。この環状の凹部54の1辺部は、上記切断予定面Mと重なる。言い換えれば、上記閉ループに、多層配線基板10の第1の側面10M側の外縁部となる部分が含まれるように、ルータ60が走らされる。そして、環状の凹部54の上記1辺部は、切断予定面Mから第1距離D1未満の距離に収まる範囲が切削されることで形成される。また、第2の導電層13Bと第2のビルドアップ部12Bの全ての導電層16とは、コア基板11の厚さ方向から見たときに、環状の凹部54と重ならないように形成され、環状の凹部54から離れて(例えば、300μm以上離れて)配置される。なお、ルータ60は、その回転軸方向が、コア基板11の厚さ方向となるように配置される。 (16) As shown in FIG. 11, from above the solder resist layer 17 on the first buildup portion 12A to a position passing through the peeling layer 51 and passing through the first conductive layer 13A (for example, core substrate 11 ), the router 60 rushes in. Then, the router 60 is run so as to draw a closed loop trajectory. Specifically, the router 60 is run along the outer edge of the release layer 51 in the shape of a square frame to form the annular recess 54 . One side of the annular concave portion 54 overlaps the cutting plane M described above. In other words, the router 60 is run so that the closed loop includes the outer edge portion of the multilayer wiring board 10 on the side of the first side surface 10M. Then, the one side portion of the annular recessed portion 54 is formed by cutting a range within a distance less than the first distance D1 from the plane to be cut M. As shown in FIG. In addition, the second conductive layer 13B and all the conductive layers 16 of the second buildup portion 12B are formed so as not to overlap the annular concave portion 54 when viewed from the thickness direction of the core substrate 11. It is arranged away from the annular recess 54 (for example, 300 μm or more away). In addition, the router 60 is arranged so that its rotation axis direction is the thickness direction of the core substrate 11 .

(17)層間絶縁層15、導電層16、ソルダーレジスト層17、及び剥離層51のうち、環状の凹部54の内側に配置される部分が除去されて、キャビティ20が形成される(図12及び図13参照)。すると、コア基板11の第1面11Fの導電層13のうち環状の凹部54の内側に配置されていた部分が露出して、その露出部分によりパッド21が形成される。また、凹部54のうち導電層13(パッド21)より深い部分がパッド21を取り囲む環状の切削加工溝30Aとなって残される。このようにして、親基板90が得られる。 (17) Among the interlayer insulating layer 15, the conductive layer 16, the solder resist layer 17, and the peeling layer 51, the portions arranged inside the annular recess 54 are removed to form the cavity 20 (FIGS. 12 and 12). See Figure 13). Then, the portion of the conductive layer 13 on the first surface 11</b>F of the core substrate 11 that was disposed inside the annular recess 54 is exposed, and the exposed portion forms the pad 21 . A portion of the recess 54 that is deeper than the conductive layer 13 (pad 21 ) is left as an annular machined groove 30</b>A surrounding the pad 21 . Thus, the parent substrate 90 is obtained.

(18)次に、親基板90をルータ60により切断予定面Mで切断して多層配線基板10を形成する。図12及び図13に示されるように、切断予定面Mは、親基板90のうち、切削加工溝30Aの1辺部において溝幅方向の途中位置に設定される。切断予定面Mで親基板90が切断されると、この切断面から、多層配線基板10の第1の側面10Mが形成されると共に(図1及び図2参照)、キャビティ20を第1の側面10Mに開放する側面開口20Kが形成される。また、ルータ60により切断された切削加工溝30Aの1辺部の残った部分が多層配線基板10の第1の側面10Mに開放されて段差部34が形成されると共に、切削加工溝30Aの残りの3辺部が上述の溝30として残される。このとき、第2の導電層13Bは、段差部34の段差面38よりも第1の側面10Mから離れた状態に形成される。なお、親基板90を切断するルータは、上記(16)においてキャビティ20の内壁面40及び溝30を形成するためのルータ60とは異なるものであってもよい。 (18) Next, the mother board 90 is cut along the planned cutting plane M by the router 60 to form the multilayer wiring board 10 . As shown in FIGS. 12 and 13, the planned cutting surface M is set in the mother substrate 90 at an intermediate position in the groove width direction on one side of the machined groove 30A. When the mother substrate 90 is cut along the cutting plane M, the first side surface 10M of the multilayer wiring board 10 is formed from this cut surface (see FIGS. 1 and 2), and the cavity 20 is formed on the first side surface. A side opening 20K is formed that opens to 10M. In addition, the remaining portion of one side of the cut groove 30A cut by the router 60 is opened to the first side surface 10M of the multilayer wiring board 10 to form the stepped portion 34, and the rest of the cut groove 30A is formed. are left as the grooves 30 described above. At this time, the second conductive layer 13B is formed in a state further from the first side surface 10M than the stepped surface 38 of the stepped portion 34 . Note that the router for cutting the mother substrate 90 may be different from the router 60 for forming the inner wall surface 40 of the cavity 20 and the groove 30 in (16) above.

(19)パッド21に、例えば、Ni/Pd/Auめっきや有機保護膜(OSP)の形成等の表面処理がなされる。以上により、多層配線基板10が完成する。 (19) The pad 21 is subjected to surface treatment such as Ni/Pd/Au plating and formation of an organic protective film (OSP). As described above, the multilayer wiring board 10 is completed.

本実施形態の多層配線基板10の構造及びその製造方法に関する説明は以上である。次に多層配線基板10の作用効果について説明する。本実施形態の多層配線基板10では、キャビティ20の底面20Mのうち側面開口20K側の縁部が切削加工されてなる段差部34を有するので、この多層配線基板10を製造する際には、キャビティ20の底面20Mに露出する第1の導電層13Aを通過する位置まで、切削加工を行うルータ60が突入することになる。これにより、キャビティ20の底面20Mの第1の導電層13Aの一部が金属バリとなって多層配線基板10に残ることを防ぐことが可能となる。また、多層配線基板10のうち、第1の金属層13Aよりも第2面10S側で、キャビティ20の底面20Mに対して最も近くに位置する第2の導電層13Bは、キャビティ20の側面開口20Kが開口する第1の側面10Mから段差部34の段差面38よりも離れている。従って、ルータ60の多層配線基板10に対する突入深さのばらつきにより、ルータ60の先端が第2の導電層13Bの深さとなっても、第2の導電層13Bがルータ60で切削されることを防ぐことが可能となり、第2の導電層13Bが金属バリとして多層配線基板10に残ることを防ぐことが可能となる。これらにより、本実施形態の多層配線基板10では、金属バリの発生を抑えることができる。なお、第2の導電層13Bが、段差部34の段差面38よりも第1の側面10Mから300μm以上離れている構成とすれば、金属バリの発生をより抑制可能となる。 The structure of the multilayer wiring board 10 of this embodiment and the method for manufacturing the same have been described above. Next, functions and effects of the multilayer wiring board 10 will be described. In the multilayer wiring board 10 of the present embodiment, the edge of the bottom surface 20M of the cavity 20 on the side of the side opening 20K has the stepped portion 34 formed by cutting. The router 60 for cutting is inserted to a position where it passes through the first conductive layer 13A exposed on the bottom surface 20M of 20. As shown in FIG. This makes it possible to prevent a portion of the first conductive layer 13A on the bottom surface 20M of the cavity 20 from remaining on the multilayer wiring board 10 as a metal burr. Further, in the multilayer wiring board 10, the second conductive layer 13B, which is positioned closer to the second surface 10S than the first metal layer 13A and closest to the bottom surface 20M of the cavity 20, is the side opening of the cavity 20. 20K is farther than the stepped surface 38 of the stepped portion 34 from the first side surface 10M where 20K is open. Therefore, even if the tip of the router 60 reaches the depth of the second conductive layer 13B due to variations in the penetration depth of the router 60 into the multilayer wiring board 10, the second conductive layer 13B is not cut by the router 60. Therefore, it is possible to prevent the second conductive layer 13B from remaining on the multilayer wiring board 10 as a metal burr. As a result, the occurrence of metal burrs can be suppressed in the multilayer wiring board 10 of the present embodiment. In addition, if the second conductive layer 13B is configured to be separated from the first side surface 10M by 300 μm or more from the stepped surface 38 of the stepped portion 34, the occurrence of metal burrs can be further suppressed.

本実施形態の多層配線基板10では、段差部34の下段面34Mに絶縁層(絶縁性基材11K)が露出し、導電層(第2導電層13B)が露出しない。従って、キャビティ20の底面20Mの部品搭載用のパッド21にめっき処理が行われる場合に、段差部34の下段面34Mにめっきが析出することを抑制可能となる。また、溝30の溝底面30Mにも、導電層(第2の導電層13B)が露出しないので、パッド21にめっき処理が行われる場合に、溝30の溝底面30Mにめっきが析出することを抑制可能となる。 In the multilayer wiring board 10 of the present embodiment, the insulating layer (insulating base material 11K) is exposed on the lower surface 34M of the stepped portion 34, and the conductive layer (second conductive layer 13B) is not exposed. Therefore, when the component mounting pads 21 on the bottom surface 20M of the cavity 20 are plated, the deposition of plating on the lower surface 34M of the stepped portion 34 can be suppressed. Also, since the conductive layer (second conductive layer 13B) is not exposed on the groove bottom surface 30M of the groove 30, plating is not deposited on the groove bottom surface 30M of the groove 30 when the pad 21 is plated. can be suppressed.

[他の実施形態]
(1)キャビティ20が、四角形状の多層配線基板10の角部に設けられてもよい。この場合、平面視四角形状のキャビティ20の2辺が開放され、この2辺に側面開口20Kが形成される。キャビティ20の残りの2辺には、内壁面40が形成される。なお、キャビティ20の3辺が開放されてもよい。
[Other embodiments]
(1) The cavity 20 may be provided at the corner of the quadrangular multilayer wiring board 10 . In this case, two sides of the cavity 20, which is rectangular in plan view, are open, and side openings 20K are formed in these two sides. Inner wall surfaces 40 are formed on the remaining two sides of the cavity 20 . Note that three sides of the cavity 20 may be open.

(2)上記実施形態では、キャビティ20が、平面視四角形状であるが、これに限定されず、例えば、四角形以外の多角形状であってもよい。この場合でも、キャビティ20を多層配線基板10の第1の側面10Mに開放する側面開口20Kが設けられていればよい。 (2) In the above embodiment, the cavity 20 has a quadrangular shape in a plan view, but is not limited to this, and may have, for example, a polygonal shape other than a quadrilateral. Even in this case, a side opening 20K that opens the cavity 20 to the first side surface 10M of the multilayer wiring board 10 may be provided.

(3)上記実施形態において、多層配線基板10を形成するための親基板90の切断を、ルータの代わりにカッターで行ってもよい。 (3) In the above embodiment, the cutting of the parent substrate 90 for forming the multilayer wiring board 10 may be performed with a cutter instead of the router.

(4)上記実施形態において、キャビティ20の底面20Mに、溝30が設けられていなくてもよい。 (4) In the above embodiment, the bottom surface 20M of the cavity 20 may not have the groove 30 .

(5)上記実施形態の多層配線基板の製造方法では、ルータ60が、コア基板11まで突入しているが、ルータ60がコア基板11とは別の層間絶縁層15まで突入して、段差部34の下段面34Mが、その層間絶縁層15に形成されていてもよい。また、キャビティ20の底面20Mにコア基板11が配置されていなくてもよく、キャビティ20の底面20Mが、第1ビルドアップ部12Aに設けられていてもよいし、第2ビルドアップ部12Bに設けられていてもよい。また、コア基板11が設けられていなくてもよい。 (5) In the manufacturing method of the multilayer wiring board of the above-described embodiment, the router 60 penetrates to the core substrate 11, but the router 60 penetrates to the interlayer insulation layer 15 different from the core substrate 11, and the step portion A lower step surface 34M of 34 may be formed on the interlayer insulating layer 15 . Further, the core substrate 11 may not be arranged on the bottom surface 20M of the cavity 20, and the bottom surface 20M of the cavity 20 may be provided on the first buildup section 12A or the second buildup section 12B. may have been Also, the core substrate 11 may not be provided.

(6)上記実施形態では、第1の導電層13Aよりも第2面10S側の導電層(導電層13B及び導電層16)の全てが、段差部34の下段面34Mに重ならない位置に配置されていたが、それら導電層のうち少なくとも1つの導電層が、下段面34Mに多層配線基板10の板面方向(厚さ方向と直交する方向)で重なっていてもよい。 (6) In the above embodiment, all of the conductive layers (conductive layers 13B and 16) closer to the second surface 10S than the first conductive layer 13A are arranged at positions that do not overlap the lower surface 34M of the stepped portion 34. However, at least one of the conductive layers may overlap the lower surface 34M in the surface direction of the multilayer wiring board 10 (the direction perpendicular to the thickness direction).

(7)上記実施形態では、パッド21が、キャビティ20の底面20Mのうち外縁部を除く全体に設けられていたが、キャビティ20の底面20Mのうち外縁部を除く一部にのみ設けられていてもよい。 (7) In the above embodiment, the pad 21 is provided on the entire bottom surface 20M of the cavity 20 except for the outer edge. good too.

(8)上記実施形態では、キャビティ20の4辺部を、ルータ60で形成しているが、例えば、キャビティ20の4辺部のうち第1の側面10Mに開放される1辺部のみをルータ60で形成し、キャビティ20の残りの3辺部をレーザ加工により形成してもよい。即ち、環状の凹部54のうち第1の側面10Mに開放される1辺部を少なくともルータ60により形成し、環状の凹部54の残りの部分を、レーザ照射により形成してもよい。 (8) In the above embodiment, the four sides of the cavity 20 are formed by the router 60, but for example, only one side of the four sides of the cavity 20 that is open to the first side surface 10M is formed by the router. 60 and the remaining three sides of cavity 20 may be formed by laser machining. That is, at least one side of the annular recess 54 that is open to the first side surface 10M may be formed by the router 60, and the rest of the annular recess 54 may be formed by laser irradiation.

(9)上記実施形態では、環状の凹部54に囲まれる部分の除去を、剥離により行っているが、例えば、レーザ照射により行ってもよい。 (9) In the above embodiment, the portion surrounded by the annular recess 54 is removed by peeling, but it may be removed by laser irradiation, for example.

(10)上記実施形態では、多層配線基板10が、親基板90が切断されて形成されていたが、親基板90が切断されずに親基板90の縁部にキャビティ20が形成されることで、キャビティ20が第1の側面10Mに開放された多層配線基板10が形成されてもよい。 (10) In the above embodiment, the multilayer wiring board 10 is formed by cutting the parent substrate 90. , the multilayer wiring board 10 may be formed in which the cavity 20 is open to the first side surface 10M.

なお、本明細書及び図面には、特許請求の範囲に含まれる技術の具体例が開示されているが、特許請求の範囲に記載の技術は、これら具体例に限定されるものではなく、具体例を様々に変形、変更したものも含み、また、具体例から一部を単独で取り出したものも含む。 Although specific examples of the technology included in the claims are disclosed in the specification and drawings, the technology described in the claims is not limited to these specific examples. Various modifications and changes of the examples are included, and a part of specific examples is also included.

10 多層配線基板
10F 第1面
10S 第2面
13A 第1の導電層
13B 第2の導電層
20 キャビティ
20M 底面
20K 側面開口
21 パッド
30 溝
34 段差部
34M 下段面
38 段差面
60 ルータ
REFERENCE SIGNS LIST 10 multilayer wiring board 10F first surface 10S second surface 13A first conductive layer 13B second conductive layer 20 cavity 20M bottom surface 20K side opening 21 pad 30 groove 34 step portion 34M lower step surface 38 step surface 60 router

Claims (10)

多層配線基板のうち厚さ方向の途中に位置する第1の導電層よりも多層配線基板の表裏の一方の面である第1面側の一部が除去されて、前記第1面に開口しかつ前記第1の導電層が底面に露出するキャビティを有する多層配線基板であって、
前記キャビティを前記多層配線基板の第1の側面に開放する側面開口と、
前記キャビティの底面のうち前記側面開口側の縁部が切削加工されてなる段差部と、を備え、
前記第1の導電層よりも前記多層配線基板の表裏の他方の面である第2面側に配置される導電層のうち前記キャビティの底面に対して最も近くに位置する導電層は、前記段差部の段差面よりも前記第1の側面から離れている。
A part of the multilayer wiring board on the side of the first surface, which is one of the front and back surfaces, is removed from the first conductive layer positioned midway in the thickness direction of the multilayer wiring board, and an opening is formed in the first surface. and a multilayer wiring board having a cavity in which the first conductive layer is exposed on the bottom surface,
a side opening that opens the cavity to the first side surface of the multilayer wiring board;
a stepped portion formed by cutting an edge of the bottom surface of the cavity on the side of the side opening,
The conductive layer positioned closest to the bottom surface of the cavity among the conductive layers arranged on the second surface side, which is the other surface of the front and back surfaces of the multilayer wiring board, than the first conductive layer is the stepped portion. It is further away from the first side surface than the stepped surface of the portion.
請求項1に記載の多層配線基板であって、
前記第1の導電層よりも前記第2面側に配置される導電層のうち前記キャビティの底面に対して最も近くに位置する導電層は、前記段差部の段差面よりも、前記第1の側面から300μm以上離れている。
The multilayer wiring board according to claim 1,
Among the conductive layers arranged closer to the second surface than the first conductive layer, the conductive layer closest to the bottom surface of the cavity is closer to the first conductive layer than the stepped surface of the stepped portion. It is separated from the side by 300 μm or more.
請求項1又は2に記載の多層配線基板であって、
前記第1の導電層よりも前記第2面側に配置される全ての導電層は、前記段差部の段差面よりも前記第1の側面から離れている。
The multilayer wiring board according to claim 1 or 2,
All the conductive layers arranged closer to the second surface than the first conductive layer are further from the first side surface than the stepped surface of the stepped portion.
請求項3に記載の多層配線基板であって、
前記第1の導電層よりも前記第2面側に配置される全ての導電層は、前記段差部の段差面よりも、前記第1の側面から300μm以上離れている。
The multilayer wiring board according to claim 3,
All of the conductive layers arranged closer to the second surface than the first conductive layer are separated from the first side surface by 300 μm or more from the stepped surface of the stepped portion.
請求項1から4の何れか1の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記段差部の下段面は、多層配線基板に含まれる絶縁層の厚さ方向の途中に位置している。
A multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 4,
The lower surface of the stepped portion is located midway in the thickness direction of the insulating layer included in the multilayer wiring board.
請求項1から5の何れか1の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記キャビティの底面の外縁部に形成され、前記段差部と共に前記キャビティの底面の前記第1の導電層を囲み、前記段差部の前記下段面に連続する溝底面を有する切削加工溝を備える。
A multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 5,
A machined groove is formed in the outer edge of the bottom surface of the cavity, surrounds the first conductive layer on the bottom surface of the cavity together with the stepped portion, and has a groove bottom surface continuous to the lower surface of the stepped portion.
請求項1から6の何れか1の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記第1の導電層のうち前記キャビティの底面に露出する部分は、部品搭載用のパッドを形成している。
A multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 6,
A portion of the first conductive layer exposed on the bottom surface of the cavity forms a component mounting pad.
請求項1から7の何れか1の請求項に記載の多層配線基板であって、
前記キャビティは、平面視四角形状をなし、前記キャビティの一辺のみに前記側面開口を備える。
A multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 7,
The cavity has a rectangular shape in a plan view, and has the side opening only on one side of the cavity.
多層配線基板の表裏の一方の面である第1面から前記多層配線基板の厚さ方向の途中の第1の導電層を通過する位置までルータを突入しかつ閉ループの軌跡を描くようにルータを走らせてから、前記閉ループの内側部分における前記第1の導電層より前記第1面側の部分を除去し、前記第1面に開口しかつ前記第1の導電層を底面に露出させかつ前記底面の縁部に切削加工溝を有するキャビティを形成することを含む多層配線基板の製造方法であって、
前記第1の導電層よりも前記表裏の他方の面である第2面側に配置される導電層のうち前記第1の導電層に対して最も近くに位置する第2の導電層を、多層配線基板の第1の側面から第1距離以上離れた配置にすることと、
前記閉ループの一部に多層配線基板の前記第1の側面側の外縁部が含まれかつ、その外縁部では前記第1の側面から前記第1距離未満の距離に収まる範囲が切削されるようにルータを走らせて、前記キャビティに、前記第1の側面に前記キャビティを開放する側面開口と、前記切削開口溝が前記側面開口側に開放されてなる段差部とを形成することと、を含む。
The router penetrates from the first surface, which is one of the front and back surfaces of the multilayer wiring board, to a position passing through the first conductive layer in the middle of the thickness direction of the multilayer wiring board, and the router draws a closed loop trajectory. After running, a portion closer to the first surface than the first conductive layer in the inner portion of the closed loop is removed to open to the first surface and expose the first conductive layer to the bottom surface and to the bottom surface. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising forming a cavity having a cut groove in the edge of the multilayer wiring board,
A second conductive layer located closest to the first conductive layer among the conductive layers arranged on the second surface side, which is the other surface of the front and back, than the first conductive layer is a multi-layered structure. arranging at least a first distance from the first side surface of the wiring board;
A portion of the closed loop includes an outer edge of the multilayer wiring board on the side of the first side, and the outer edge is cut to a range within a distance less than the first distance from the first side. running a router to form, in the cavity, a side opening that opens the cavity to the first side;
請求項9に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記第1の導電層よりも前記第2面側に配置される全ての導電層を、前記第1の側面から前記第1距離より離れた配置にすることを含む。
A method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 9,
All the conductive layers arranged closer to the second surface than the first conductive layer are arranged apart from the first side surface by the first distance.
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