JP2022153170A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクを交換せずに複数の層を形成でき、かつ、ＯＬＥＤが本来意図した性能を発揮できる表示装置等を提供する。【解決手段】表示装置１００は、基板１２０と、基板１２０に積層された有機層と、有機層に積層されたカソード１３８と、を備える。有機層は、少なくとも、第１層と、第１層に積層される第２層と、を含む。第１層は、第１方向Ｄｘの一端側で当該第２層に覆われ、他端側で前記第２層に覆われない。当該有機層は、当該一端側でカソード１３８に覆われ、当該他端側でカソード１３８に覆われない。【選択図】図１

Description

本開示は、表示装置及び表示装置の製造方法に関する。

薄膜の積層構造を含む表示装置の製造において、マスクを交換せずに複数の層を形成し続ける方法が知られている（例えば特許文献１）。

特開２００３－３１７９５８号公報

マスクを交換せずに複数の層を形成する場合、より先に形成される層の形成時点で放射された薄膜材料がマスクに付着してマスクの開口部を狭くする。このため、より後に形成される層の蒸着範囲がより先に形成される層の蒸着範囲よりも狭くなり、積層構造の端部で段差を形成する。この段差は、積層構造が積層方向に沿って先細りするテーパー構造を生じさせる。

マスクを交換せずに、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）で画素として機能するＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）の発光層に含まれる複数の有機層の積層構造を形成しようとすると、上述のテーパー構造によって複数の有機層の各々の端部が露出した形態が生じる。このような発光層に、当該発光層に電流を流すための電極層をさらに積層した場合、テーパー構造の箇所で電極層と複数の有機層の各々の端部とが当接する。従って、電極層と、複数の有機層のうち相対的に下側の層との通電経路が成立する。このような通電経路の成立は、意図された発光層の通電経路、すなわち、電極層と全ての有機層とを通る通電経路とは異なるものである。このため、従来の方法でマスクを交換せずに表示装置を製造すると、ＯＬＥＤが本来意図した性能を発揮することが困難になる。

本開示は、上記の課題に鑑みてなされたもので、マスクを交換せずに複数の層を形成でき、かつ、ＯＬＥＤが本来意図した性能を発揮できる表示装置及び表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一態様による表示装置は、基板と、前記基板に積層された有機層と、前記有機層に積層された電極層と、を備える表示装置であって、前記有機層は、少なくとも、第１層と、前記第１層に積層される第２層と、を含み、前記基板に沿う一方向の一端側で前記第２層に覆われ、前記一方向の他端側で前記第２層に覆われず、前記有機層は、前記一端側で前記電極層に覆われ、前記他端側で前記電極層に覆われない。

本開示の一態様による表示装置の製造方法は、複数の層を含む有機層と、前記有機層に積層される電極層と、を、前記有機層のうち最初に形成される層の大きさ及び形状に対応した開口部が設けられたマスクを用いて基板上に蒸着形成する表示装置の製造方法であって、前記有機層のうち前記最初に形成される層を蒸着形成する工程と、前記有機層のうち前記最初に形成される層以外の層の形成前に、前記マスクを前記基板に沿う一方側に移動させる工程と、前記有機層のうち前記最初に形成される層以外の層を蒸着形成する工程と、前記電極層の形成前に、前記マスク前記一方側に移動させる工程と、前記電極層を蒸着形成する工程と、を含む。

図１は、表示装置の積層構造の一例を示す断面図である。 図２は、工程１での基板の上側の構成及びマスクの状態を示す模式図である。 図３は、工程２での基板の上側の構成及びマスクの状態を示す模式図である。 図４は、工程３での基板の上側の構成及びマスクの状態を示す模式図である。 図５は、工程４での基板の上側の構成及びマスクの状態を示す模式図である。 図６は、工程４後の基板の上側の構成及びマスクの状態を示す模式図である。 図７は、工程１から工程４までのマスクの開口部の位置及び状態ならびに工程１よりも前の工程が完了した基板上に形成される積層構造を示す平面図である。 図８は、カソードコンタクト配線に与えられる電位の伝達経路の一例を示す模式的な平面図である。 図９は、カソードコンタクト配線に与えられる電位の伝達経路の他の一例を示す模式的な平面図である。 図１０は、図９のＡ－Ａ断面図である。 図１１は、図９のＢ－Ｂ断面図である。 図１２は、マスクの位置変更を行わずに形成された積層構造を示す模式図である。

以下に、本開示の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

（実施形態１）
図１は、表示装置１００の積層構造の一例を示す断面図である。表示装置１００は、基板１２０と、対向基板１５０と、基板１２０と対向基板１５０との間で積層構造を形成する複数の構成とを含む。以下、基板１２０から見て対向基板１５０側を上側とする。実施形態の説明では、基板１２０と対向基板１５０との積層方向を第３方向Ｄｚとする。また、後述する第１副画素Ｇｐｉｘと、第２副画素Ｂｐｉｘと、第３副画素Ｒｐｉｘと、が並ぶ方向を第１方向Ｄｘとする。また、第３方向Ｄｚと第１方向Ｄｘの両方に直交する方向を第２方向Ｄｙとする。単に副画素と記載した場合、第１副画素Ｇｐｉｘと、第２副画素Ｂｐｉｘと、第３副画素Ｒｐｉｘと、を包括する。

基板１２０の上には、下地層１２１、半導体膜１２２を含む半導体層、層間絶縁層１２３、ゲート電極１２４を含む第１電極層、層間絶縁層１２５、ドレイン電極１２６、ソース電極１２７を含む第２電極層、層間絶縁層１２８、平坦化層１２９の順でこれらの構成が積層されている。

下地層１２１、層間絶縁層１２３，１２５，１２８は、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを含む絶縁層である。また第１電極層及び第２電極層は、特に低抵抗性が求められ、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等から選ばれた金属層、又はそれらの積層により構成されている。

基板１２０上には、複数の副画素の各々に対応し、マトリクス状に配置された複数の画素回路Ｓｗが設けられる。下地層１２１から画素電極１７４までの層には、画素回路Ｓｗのうち有機ＥＬ素子を除く部分が形成されている。また、半導体膜１２２、ゲート電極１２４、ドレイン電極１２６、ソース電極１２７は、有機ＥＬ素子に直接的に接続される薄膜トランジスタを構成する。この薄膜トランジスタは、この薄膜トランジスタを含む画素回路Ｓｗに対応する副画素の発光を制御する。平面的にみると、半導体膜１２２とゲート電極１２４とは重なっている。半導体膜１２２のゲート電極１２４と重なる領域が、薄膜トランジスタのチャネル領域となり、半導体膜１２２の突出する部分の上面は、層間絶縁層１２３，１２５を貫くドレイン電極１２６及びソース電極１２７にそれぞれ接している。平坦化層１２９は例えばアクリル樹脂の膜であり、薄膜トランジスタを含む画素回路Ｓｗのうち主に有機ＥＬ素子を除く部分を覆うように設けられている。

さらに、平坦化層１２９の上には、順に、画素電極１７４を含む第３電極層、バンク１９３、第１有機層１３１Ｇ，１３１Ｂ，１３１Ｒを含む第１有機層、第２有機層１３２Ｇ，１３２Ｂ，１３２Ｒを含む第２有機層、第３有機層１３３Ｇ，１３３Ｂ，１３３Ｒを含む第３有機層、カソード１３８、封止膜１３９が積層されている。以下、単に有機層と記載した場合、第１有機層、第２有機層及び第３有機層を包括する。

第３電極層は、有機層を発光させるための仕事関数等を鑑みて決定され、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）等から選ばれた酸化物導電材料等により構成されている。また、第３電極層は、トップエミッション型の場合は反射性が求められ、反射層として銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の層を有していても良い。

層間絶縁層１２８及び平坦化層１２９のうちドレイン電極１２６の上方にはコンタクトホール１７４１が形成されており、このコンタクトホール１７４１の底でドレイン電極１２６と画素電極１７４とが接している。なお、コンタクトホール１７４１を介して画素電極１７４と接続されるのはドレイン電極１２６でなくソース電極１２７であってもよい。

画素電極１７４の上には有機層が設けられ、有機層の上には例えば透明電極からなるカソード１３８を含む第４電極層が設けられ、カソード１３８はさらに封止膜１３９により覆われている。画素電極１７４、有機層及びカソード１３８は、画素電極１７４を陽極、カソード１３８を陰極とするＯＬＥＤを構成している。カソード１３８が透明電極である場合、第４電極層は、例えばＩＴＯ等の酸化物導電材料等により構成されている。また、カソード１３８は、酸化物導電材料の単層で形成されていても、その他の金属材料の層を含む複数の層で形成されていてもよい。なお、実施形態では第４電極層に含まれる構成がカソード１３８であるので、有機層を挟んで第３電極層に含まれる画素電極１７４がアノードである。

有機層は、画素電極１７４とカソード１３８とにより電圧が印加され、電流が流れることで発光する発光層である。第１副画素Ｇｐｉｘの有機層と、第２副画素Ｂｐｉｘの有機層と、第３副画素Ｒｐｉｘの有機層とは、発光時にピークとなる光の波長がそれぞれ異なる有機材料を用いて形成される。具体的には、第１副画素Ｇｐｉｘの有機層は、緑色（Ｇ）として視認される光の波長がピークとなる有機材料を用いて形成される。また、第２副画素Ｂｐｉｘの有機層は、青色（Ｂ）として視認される光の波長がピークとなる有機材料を用いて形成される。また、第３副画素Ｒｐｉｘの有機層は、赤色（Ｒ）として視認される光の波長がピークとなる有機材料を用いて形成される。このような有機材料として、燐光材料や蛍光材料が挙げられる。

画素電極１７４と有機層とが接する領域は薄膜トランジスタの直上、より厳密にはドレイン電極１２６（又はソース電極１２７）と画素電極１７４とを接続させるコンタクトホール１７４１の上方に配置されている。また、画素電極１７４と有機層とが接する領域に対応する発光領域において有機層は発光する。

図１に示すように、バンク１９３の断面は、上方の幅が小さくなる、いわゆる台形である。バンク１９３は、アクリル樹脂で形成されている。バンク１９３の下面は、平坦化層１２９と、画素電極１７４とに接している。画素電極１７４は、バンク１９３の間で露出しており、画素電極１７４の上に有機層が形成されている。

なお、有機層は画素電極１７４の両端に積層されたバンク１９３の上側にも延出する。バンク１９３は、第１方向Ｄｘに並ぶ複数の画素電極１７４の間に介在し、バンク１９３を挟んで隣り合う画素電極１７４同士を絶縁する。

また、バンク１９３の上側にはカソードコンタクト配線１９５が設けられている。カソードコンタクト配線１９５は、第１電極層や第２電極層と同様、低抵抗性を考慮した材料により構成されている。カソードコンタクト配線１９５は、その上側に積層されたカソード１３８と接続されている。具体的には、例えば図１に示すように、カソード１３８は、第１方向Ｄｘの一端側がカソードコンタクト配線１９５と接続されている。なお、カソード１３８は、第１方向Ｄｘの他端側に位置するカソードコンタクト配線１９５とは接続されない。また、カソード１３８が複数の層から形成されている場合、いずれか一層がカソードコンタクト配線１９５と接続していればよい。

カソード１３８は、カソードコンタクト配線１９５と接続されている第１方向Ｄｘの一端側がその下側の有機層を覆う。また、第１方向Ｄｘの一端側では、画素電極１７４の上側に積層される有機層に含まれる複数の層のうちより上側に積層される層がその直下の層を覆う。具体的には、第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ、第３副画素Ｒｐｉｘの各々に形成されている第３有機層は、第１方向Ｄｘの一端側で、その下側の第２有機層を覆う。また、第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ、第３副画素Ｒｐｉｘの各々に形成されている第２有機層は、第１方向Ｄｘの一端側で、その下側の第１有機層を覆う。すなわち、有機層に含まれる複数の層のうち互いに当接する２つの層のうち下側を第１層とし、上側を第２層とすると、第２層は、基板１２０に沿う一方向（例えば、第１方向Ｄｘ）の一端側で第１層を覆う。

対向基板１５０の基板１２０側の面には、ブラックマトリクス１４１が設けられたフィルタ層１４５が形成されている。ブラックマトリクス１４１は、各副画素の境界から漏れ出る光を遮断するための遮光膜である。フィルタ層１４５と、基板１２０上に積層された封止膜１３９との間には、充填材１４０が設けられている。上述の下地層１２１から封止膜１３９までが積層された基板１２０と、フィルタ層１４５が形成された対向基板１５０とが、封止膜１３９とフィルタ層１４５とに挟まれる充填材１４０を接着材として貼り合わせられている。なお、ブラックマトリクス１４１やフィルタ層１４５は形成されていなくてもよい。

図１では、有機層は、フィルタ層１４５に設けられたカラーフィルタによって各色を表現する構成となっていてもよい。その場合、第１副画素Ｇｐｉｘの有機層と、第２副画素Ｂｐｉｘの有機層と、第３副画素Ｒｐｉｘの有機層と、は個別に形成されず、共通の色（例えば、白色光）を発する発光層が共通して設けられる。また、ブラックマトリクス１４１を挟んで第１方向Ｄｘに隣接する位置関係の有機層の上側には、フィルタ層１４５にそれぞれ異なる色のカラーフィルタが設けられる。カラーフィルタの色は、例えば緑（Ｇ）、青（Ｂ）、赤（Ｒ）等であるが、これに限られるものでなく、適宜変更可能である。

各１つずつの第１副画素Ｇｐｉｘと、第２副画素Ｂｐｉｘと、第３副画素Ｒｐｉｘと、の組み合わせによって１つの画素が形成される。第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ、第３副画素Ｒｐｉｘ、はそれぞれ副画素として機能する。図示しないが、第１方向Ｄｘには、第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ、第３副画素Ｒｐｉｘ、の順で複数の副画素が周期的に並ぶ。また、後述する図８及び図９に示すように、第２方向Ｄｙには、同色の副画素が複数並ぶ。このような副画素及び画素のレイアウトはあくまで一例であってこれに限られるものでなく、適宜変更可能である。

また、有機層は、テーパー構造ＴＰを有する。テーパー構造ＴＰは、有機層が含む複数の層構造によって形成される。具体的には、第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ、第３副画素Ｒｐｉｘの各々に形成されている第１有機層は、第１方向Ｄｘの他端側が、その上側に形成されている第２有機層に覆われない状態でバンク１９３上に延出している。また、第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ、第３副画素Ｒｐｉｘの各々に形成されている第２有機層は、第１方向Ｄｘの他端側が、その上側に形成されている第３有機層に覆われない状態で第１有機層上に延出している。このように、より上側の層に比して他端側がより延出している下側の層と、上側の層と、の積層構造によってテーパー構造ＴＰが形成されている。すなわち、有機層に含まれる複数の層のうち互いに当接する２つの層のうち下側を第１層とし、上側を第２層とすると、第１層は、基板１２０に沿う一方向（例えば、第１方向Ｄｘ）の他端側が第２層に覆われない。また、カソード１３８の第１方向Ｄｘの他端側は、テーパー構造ＴＰを覆わない。すなわち、有機層に含まれる複数の層は、最も上に積層される層（例えば、第３有機層）を含めた全ての層の他端側がカソード１３８に覆われない。

なお、有機層のうち、画素電極１７４と当接するのは有機層に含まれる複数の層のうち最下層である。有機層に含まれる複数の層のうち最下層以外の層は、画素電極１７４と当接しない。

基板１２０と充填材１４０との間の積層構造に含まれる各層の形成は、例えばメタルマスク等のマスク２００（図２参照）を利用した蒸着によって行われる。なお、当該積層構造の全てが蒸着によって行われる必要はなく、例えば当該積層構造の一部について、フォトリソグラフィ等、他の形成方法が採用されてもよい。ただし、実施形態では、表示装置１００の製造工程のうち少なくとも有機層の形成工程とカソード１３８の形成工程においてマスクを利用した蒸着が採用される。

有機層とカソード１３８は、同一のマスク２００を用いて形成される。以下では、図２から図７を参照して、有機層とカソード１３８の形成工程について説明する。以下、第１有機層１３１を形成する工程を工程１とする。第１有機層１３１は、第１有機層１３１Ｇ、第１有機層１３１Ｂ又は第１有機層１３１Ｒのいずれかである。また、第１有機層１３１の上側に第２有機層１３２を形成する工程を工程２とする。第２有機層１３２は、第２有機層１３２Ｇ、第２有機層１３２Ｂ又は第２有機層１３２Ｒのいずれかである。また、第２有機層１３２の上側に第３有機層１３３を形成する工程を工程３とする。第３有機層１３３は、第３有機層１３３Ｇ、第３有機層１３３Ｂ又は第３有機層１３３Ｒのいずれかである。また、工程３までに形成された第１有機層１３１、第２有機層１３２、第３有機層１３３の上側にカソード１３８を形成する工程を工程４とする。

図２は、工程１での基板１２０の上側の構成及びマスク２００の状態を示す模式図である。なお、図２から図６を参照した説明では、基板１２０に形成される積層構造の形成工程のうち、第１有機層１３１の形成工程よりも前に実施される形成工程について説明を省略する。当該説明では、第１有機層１３１の形成工程よりも前に実施される形成工程によって、基板１２０が、平坦化層１２９以下の積層構造が形成され、さらに、平坦化層１２９の上側に画素電極１７４、バンク１９３、カソードコンタクト配線１９５が既に形成されている状態であるものとする。以下、「工程１よりも前の工程が完了した基板１２０」と記載した場合、当該状態の基板１２０をさす。また、図２から図６では、平坦化層１２９以下の構成について詳細な図示を省略している。

図２に示すように、第１有機層１３１の形成工程では、画素電極１７４の上側に開口部２１１が位置するようマスク２００が位置している。図２に示すように、開口部２１１は、第１方向Ｄｘの開口幅が幅Ｄ１であるマスク２００の開口部である。幅Ｄ１は、マスク２００の縁部２０１と縁部２０２との間の間隔である。縁部２０１と縁部２０２は、開口部２１１を挟んで第１方向Ｄｘに対向する。マスク２００の位置が変わると、縁部２０１及び縁部２０２の位置が変わるので、開口部２１１の位置が変わる。図２から図７では、工程１における縁部２０１の第１方向Ｄｘの位置を位置Ｐ１１として示している。また、図２から図６では、工程１における縁部２０２の第１方向Ｄｘの位置を位置Ｐ２１として示している。

マスク２００を用いた蒸着が行われることで、工程１では、第１有機層１３１を構成する有機材料が図２に示す放射角度範囲Ｒａ内で上側から下側に向かって放射されて画素電極１７４上及びバンク１９３上に付着し、第１有機層１３１が形成される。図２に示すように、第１有機層１３１は、第１方向Ｄｘに並ぶ２つのカソードコンタクト配線１９５の間に形成される。第１有機層１３１の形成範囲は、開口部２１１の幅Ｄ１の位置及び大きさと、工程１よりも前の工程が完了した基板１２０との位置関係に対応する。

工程１から工程４の説明では、それよりも前の工程が完了した基板１２０の位置は固定であるものとする。従って、工程１から工程４では、マスク２００の位置によって各工程で形成される層の形成範囲が決定される。なお、工程１から工程４の説明では、各工程間におけるマスク２００の位置変更は第１方向Ｄｘについて行われ、第２方向Ｄｙ及び第３方向Ｄｚについては行われないものとする。

図３は、工程２での基板１２０の上側の構成及びマスク２００の状態を示す模式図である。工程２の前に、図２を参照して説明した工程１が行われたことで、マスク２００には第１有機層２３１が積層されている。第１有機層２３１は、第１有機層１３１の有機材料によって形成された層である。第１有機層２３１を構成する有機材料は、大部分がマスク２００の上側に付着するが、一部が縁部２０１及び縁部２０２にも付着する。これによって、工程１で縁部２０１と縁部２０２が内側に露出していた開口部２１１は、工程２では縁部２０１と縁部２０２が第１有機層２３１に覆われた状態の開口部２１２になっている。開口部２１２の第１方向Ｄｘの開口幅は、第１有機層２３１に覆われた状態の縁部２０１と第１有機層２３１に覆われた状態の縁部２０２との間の幅Ｄ２である。幅Ｄ２は、幅Ｄ１よりも小さい。

工程１の実施後、工程２の実施前に、縁部２０１の位置が位置Ｐ１１から位置Ｐ１２に移動するよう、マスク２００の第１位置変更が行われる。第１位置変更によって、縁部２０２の位置が位置Ｐ２１から位置Ｐ２２に移動する。図３では、第１位置変更によるマスク２００の移動を矢印Ｖ１で示している。工程１及び第１位置変更後のマスク２００を用いた蒸着が行われることで、工程２では、第２有機層１３２を構成する有機材料が図３に示す放射角度範囲Ｒｂ内で上側から下側に向かって放射されて第１有機層１３１上及びバンク１９３上に付着し、第２有機層１３２が形成される。

マスク２００が第１位置変更をしていることで、第２有機層１３２は、図３に示すように、第１方向Ｄｘに並ぶ２つのカソードコンタクト配線１９５のうち一方側により近い範囲に形成される。このため、他方側では、第１有機層１３１の上側に第２有機層１３２が積層されずに第１有機層１３１が露出している範囲が生じる。

図４は、工程３での基板１２０の上側の構成及びマスク２００の状態を示す模式図である。工程３の前に、図３を参照して説明した工程２が行われたことで、マスク２００には第２有機層２３２がさらに積層されている。第２有機層２３２は、第２有機層１３２の有機材料によって形成された層である。第２有機層２３２を構成する有機材料は、大部分が第１有機層２３１の上側に付着するが、一部が、第１有機層２３１を構成する有機材料が付着済みの縁部２０１及び縁部２０２にも付着する。これによって、工程３では縁部２０１と縁部２０２が第１有機層２３１及び第２有機層２３２に覆われた状態になっている。従って、工程３では、マスク２００の開口部が開口部２１３になっている。開口部２１３の第１方向Ｄｘの開口幅は、第１有機層２３１及び第２有機層２３２に覆われた状態の縁部２０１と第１有機層２３１及び第２有機層２３２に覆われた状態の縁部２０２との間の幅Ｄ３である。幅Ｄ３は、幅Ｄ２よりも小さい。

工程２の実施後、工程３の実施前に、縁部２０１の位置が位置Ｐ１２から位置Ｐ１３に移動するようマスク２００の第２位置変更が行われる。第２位置変更によって、縁部２０２の位置が位置Ｐ２２から位置Ｐ２３に移動する。図４では、第２位置変更によるマスク２００の移動を矢印Ｖ２で示している。工程２及び第２位置変更後のマスク２００を用いた蒸着が行われることで、工程３では、第３有機層１３３を構成する有機材料が図４に示す放射角度範囲Ｒｃ内で上側から下側に向かって放射されて第２有機層１３２上及びバンク１９３上に付着し、第３有機層１３３が形成される。

マスク２００が第２位置変更をしていることで、第３有機層１３３は、図４に示すように、第１方向Ｄｘに並ぶ２つのカソードコンタクト配線１９５のうち一方側により近い範囲に形成される。このため、他方側では、第２有機層１３２の上側に第３有機層１３３が積層されずに第２有機層１３２が露出している範囲が生じる。

図５は、工程４での基板１２０の上側の構成及びマスク２００の状態を示す模式図である。工程４の前に、図４を参照して説明した工程３が行われたことで、マスク２００には第３有機層２３３がさらに積層されている。第３有機層２３３は、第３有機層１３３の有機材料によって形成された層である。第３有機層２３３を構成する有機材料は、大部分が第２有機層２３２の上側に付着するが、一部が、第１有機層２３１及び第２有機層２３２を構成する有機材料が付着済みの縁部２０１及び縁部２０２にも付着する。これによって、工程４では縁部２０１と縁部２０２が第１有機層２３１、第２有機層２３２及び第３有機層２３３に覆われた状態になっている。従って、工程４では、マスク２００の開口部が開口部２１４になっている。開口部２１４の第１方向Ｄｘの開口幅は、第１有機層２３１、第２有機層２３２及び第３有機層２３３に覆われた状態の縁部２０１と第１有機層２３１、第２有機層２３２及び第３有機層２３３に覆われた状態の縁部２０２との間の幅Ｄ４である。幅Ｄ４は、幅Ｄ４よりも小さい。

工程３の実施後、工程４の実施前に、縁部２０１の位置が位置Ｐ１３から位置Ｐ１４に移動するようマスク２００の第３位置変更が行われる。第３位置変更によって、縁部２０２の位置が位置Ｐ２３から位置Ｐ２４に移動する。図５では、第３位置変更によるマスク２００の移動を矢印Ｖ３で示している。工程３及び第３位置変更後のマスク２００を用いた蒸着が行われることで、工程４では、カソード１３８を構成する薄膜電極材料が図４に示す放射角度範囲Ｒｃ内で上側から下側に向かって放射されて第３有機層１３３上、バンク１９３上及びカソードコンタクト配線１９５上に付着し、カソード１３８が形成される。薄膜電極材料は例えばアルミニウム等の金属であるが、合金又は導電性を有する化合物であってもよい。

マスク２００が第３位置変更をしていることで、カソード１３８は、図４に示すように、第１方向Ｄｘに並ぶ２つのカソードコンタクト配線１９５のうち一方側に一部が重複する範囲に形成され、カソードコンタクト配線１９５と接続される。このため、他方側では、第３有機層１３３の上側にカソード１３８が積層されずに第３有機層１３３が露出している範囲が生じる。工程１で形成された第１有機層１３１の他方側と、工程２で形成された第２有機層１３２の他端側と、工程３で形成された第３有機層１３３の他端側と、がテーパー構造ＴＰを形成する。

なお、図１、図５及び図６に示す例では、カソード１３８の第１方向Ｄｘの他端側が、当該他端側に設けられたバンク１９３の台形に乗り上げるように有機層が形成されたことで生じた有機層の斜面及び当該台形の上底に沿う有機層を覆っていないが、カソード１３８の具体的形状は図１、図５及び図６に示す例に限られるものでない。例えば、開口部２１４を介してマスク２００側から基板１２０側に向かって末広がり状になる放射角度範囲Ｒｄの放射角θ１，θ２がより大きくなるようにすることで、カソード１３８の第１方向Ｄｘの延出長をより拡大してカソード１３８の他端側が有機層の斜面や当該台形の上底に沿う有機層を覆うようにしてもよい。その場合、放射角θ１，θ２に応じて、工程４における縁部２０１の位置を位置Ｐ１３と位置Ｐ１４との間の位置にする等、マスク２００の第１方向Ｄｘの位置を調整することで、カソード１３８の一端側の位置を図１、図５及び図６に示す例と同様にしつつ、他端側でカソード１３８が有機層の斜面や当該台形の上底に沿う有機層を覆うようにする。より具体的には、例えばマスク２００を介して蒸着材料をマスク２００側に放射する基材とマスク２００との第３方向Ｄｚの位置関係の調整等によって放射角θ１，θ２の調整を図ることが挙げられる。また、マスク２００と基板１２０との第３方向Ｄｚの位置関係を調整する（長大化する）ことで、放射角θ１，θ２を変ずることなく放射角度範囲Ｒｄの末広がりをより大きくしてカソード１３８の形成範囲をより大きくすることでも、同様に他端側でカソード１３８が有機層の斜面や当該台形の上底に沿う有機層を覆うように図れる。ただし、これら場合であっても、カソード１３８の第１方向Ｄｘの他端側は、テーパー構造ＴＰを覆わない。

図６は、工程４後の基板１２０の上側の構成及びマスク２００の状態を示す模式図である。図５を参照して説明した工程３が行われたことで、マスク２００には電極層２３８がさらに積層されている。電極層２３８は、カソード１３８の薄膜電極材料によって形成された層である。電極層２３８を構成する薄膜電極材料は、大部分が第３有機層２３３の上側に付着するが、一部が、第１有機層２３１、第２有機層２３２及び第３有機層２３３を構成する有機材料が付着済みの縁部２０１及び縁部２０２にも付着する。これによって、工程４後には縁部２０１と縁部２０２が第１有機層２３１、第２有機層２３２、第３有機層２３３及び電極層２３８に覆われた状態になっている。従って、工程４後には、マスク２００の開口部が開口部２１４よりもさらに小さい開口部２１５になっている。

図７は、工程１から工程４までのマスク２００の開口部の位置及び状態ならびに工程１よりも前の工程が完了した基板１２０上に形成される積層構造を示す平面図である。平面図は、第１方向Ｄｘ－第２方向Ｄｙ平面を正面視した図である。なお、図７では、当該積層構造に含まれるカソード１３８と接続されるカソードコンタクト配線１９５を図示することで、各工程でのマスク２００の開口部及び当該積層構造の平面視点での位置を示している。図７の「工程１」の「マスク開口部の位置」欄で示すように、開口部２１１は、例えば矩形状の開口部である。

図２を参照して説明したように、工程１でのマスク２００の開口部は開口部２１１である。開口部２１１の第２方向Ｄｙの開口幅は幅Ｔ１である。工程１の実施によって、図７の「工程１」の「積層構造」欄で示すように、第１有機層１３１が形成される。第１有機層１３１は、平面視点で開口部２１１よりも第１方向Ｄｘの幅及び第２方向Ｄｙの幅が大きい。

図３を参照して説明したように、工程２で第２有機層１３２の形成に用いられる開口部は開口部２１２である。開口部２１２の第２方向Ｄｙの開口幅は幅Ｔ２である。幅Ｔ２は、幅Ｔ１よりも小さい。工程２の実施によって、図７の「工程２」の「積層構造」欄で示すように、第２有機層１３２が形成される。第２有機層１３２は、平面視点で開口部２１２よりも第１方向Ｄｘの幅及び第２方向Ｄｙの幅が大きい。図３及び図７の「工程２」の「マスク開口部の位置」欄で示すように、開口部２１１の第１方向Ｄｘの一方側（図２の縁部２０１）の端部の位置が位置Ｐ１１から位置Ｐ１２へ移動するため、第２有機層１３２の形成位置は、第１有機層１３１よりもカソードコンタクト配線１９５に近い。

図４を参照して説明したように、工程３で第３有機層１３３の形成に用いられる開口部は開口部２１３である。開口部２１３の第２方向Ｄｙの開口幅は幅Ｔ３である。幅Ｔ３は、幅Ｔ２よりも小さい。工程３の実施によって、図７の「工程３」の「積層構造」欄で示すように、第３有機層１３３が形成される。第３有機層１３３は、平面視点で開口部２１３よりも第１方向Ｄｘの幅及び第２方向Ｄｙの幅が大きい。図４及び図７の「工程３」の「マスク開口部の位置」欄で示すように、開口部２１１の第１方向Ｄｘの一方側（図２の縁部２０１）の端部の位置が位置Ｐ１２から位置Ｐ１３へ移動するため、第３有機層１３３の形成位置は、第２有機層１３２よりもカソードコンタクト配線１９５に近い。なお、第３有機層１３３に限らず、複数の有機層はいずれもカソードコンタクト配線と当接しないことが望ましい。

図５を参照して説明したように、工程４でカソード１３８の形成に用いられる開口部は開口部２１４である。開口部２１４の第２方向Ｄｙの開口幅は幅Ｔ４である。幅Ｔ４は、幅Ｔ３よりも小さい。工程４の実施によって、図７の「工程４」の「積層構造」欄で示すように、カソード１３８が形成される。カソード１３８は、平面視点で開口部２１４よりも第１方向Ｄｘの幅及び第２方向Ｄｙの幅が大きい。図５及び図７の「工程２」の「マスク開口部の位置」欄で示すように、開口部２１１の第１方向Ｄｘの一方側（図２の縁部２０１）の端部の位置が位置Ｐ１３から位置Ｐ１４へ移動するため、カソード１３８は、一部がカソードコンタクト配線１９５と重複するよう形成される。

図５及び図６で図示する副画素Ｐｉｘは、第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ又は第３副画素Ｒｐｉｘのいずれかである。第１副画素Ｇｐｉｘの形成時には、工程１によって第１有機層１３１Ｇが形成され、工程２によって第２有機層１３２Ｇが形成され、工程３によって第３有機層１３３Ｇが形成され、工程４によってカソード１３８が形成される。第２副画素Ｂｐｉｘの形成時には、工程１によって第１有機層１３１Ｂが形成され、工程２によって第２有機層１３２Ｂが形成され、工程３によって第３有機層１３３Ｂが形成され、工程４によってカソード１３８が形成される。第３副画素Ｒｐｉｘの形成時には、工程１によって第１有機層１３１Ｒが形成され、工程２によって第２有機層１３２Ｒが形成され、工程３によって第３有機層１３３Ｒが形成され、工程４によってカソード１３８が形成される。第１副画素Ｇｐｉｘの形成と、第２副画素Ｂｐｉｘの形成と、第３副画素Ｒｐｉｘの形成と、は個別の工程で行われる。

図８は、カソードコンタクト配線１９５に与えられる電位の伝達経路の一例を示す模式的な平面図である。図１及び図８に示すように、副画素（第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ、第３副画素Ｒｐｉｘ）の各々と接続されるカソードコンタクト配線１９５は、副画素に対して第１方向Ｄｘの一方側に配置される。また、図８に示すように、カソードコンタクト配線１９５は、例えば第２方向Ｄｙに延出する配線として設けられる。第２方向Ｄｙに並ぶ副画素は、カソードコンタクト配線１９５を共有する。

また、表示装置１００は、表示領域ＡＡと周辺領域ＦＡとを有する。表示領域ＡＡには、各々が第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ及び第３副画素Ｒｐｉｘを１つずつ含む画素が複数配置されている。表示領域ＡＡでは、複数の画素による画像の表示が行われる。周辺領域ＦＡは、平面視点で表示領域ＡＡの外側に位置する。周辺領域ＦＡには、例えば第１方向Ｄｘに沿って給電線１９９が設けられている。給電線１９９は、例えば、図１を参照して説明した基板１２０と充填材１４０との間の積層構造に含まれるよう設けられた電極である。具体的には、カソードコンタクト配線１９５は、表示領域ＡＡ内で副画素に沿って設けられ、かつ、端部が周辺領域ＦＡに延出する。カソードコンタクト配線１９５は、周辺領域ＦＡで給電線１９９と接続されている。カソードコンタクト配線１９５と給電線１９９とが同層である場合、カソードコンタクト配線１９５と給電線１９９とは一体的に設けられる。カソードコンタクト配線１９５と給電線１９９とが異層である場合、コンタクトホールを介してカソードコンタクト配線１９５と給電線１９９とが接続される。給電線１９９及びカソードコンタクト配線１９５を介して、カソード１３８の電位が外部から与えられる。

図示しないが、表示装置１００には、カソード１３８の電位を含めて、表示装置１００の画素が動作するための各種の電位及び電気的信号を与えるドライバ回路を備える。当該ドライバ回路の詳細については、既知の有機ＥＬディスプレイで採用されているものと同様であってよいし、専用のものであってもよい。

図８では、表示領域ＡＡのうち、第１方向Ｄｘに１つ、第２方向Ｄｙに３つの画素が並ぶ範囲を例示しているが、表示領域ＡＡにはより多くの画素が配置されていてよい。また、図示されていない副画素とカソードコンタクト配線１９５との位置関係は、図８に示す副画素とカソードコンタクト配線１９５との位置関係と同様である。

なお、各副画素の平面視点での形状、配置及び１つの画素が備える副画素の数は、図８や後述する図９に示す例に限定されるものでなく、適宜変更可能である。一例を挙げると、４つの副画素が第１方向Ｄｘ×第２方向Ｄｙ＝２×２となるよう配置された画素が表示領域ＡＡに複数設けられていてもよい。

また、図８では、第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ及び第３副画素Ｒｐｉｘの各々の近傍に延出して各々のカソード１３８と接続されるカソードコンタクト配線１９５が共通のコンタクトホール２９９に接続されているが、副画素の色毎に異なる電位を供給できるようにしてもよい。すなわち、第１副画素Ｇｐｉｘの近傍に延出して各々のカソード１３８と接続されるカソードコンタクト配線１９５と、第２副画素Ｂｐｉｘの近傍に延出して各々のカソード１３８と接続されるカソードコンタクト配線１９５と、第３副画素Ｒｐｉｘの近傍に延出して各々のカソード１３８と接続されるカソードコンタクト配線１９５と、をそれぞれ異なる電極と周辺領域ＦＡで接続するようにしてもよい。そして、異なる電極に異なる電位が供給されるようにすることで、副画素の色毎にカソード１３８の電位を個別に決定できるようになる。

なお、カソードコンタクト配線１９５と外部との接続形態は図８を参照して説明した例に限られるものでない。

図９は、カソードコンタクト配線１９５に与えられる電位の伝達経路の他の一例を示す模式的な平面図である。図９に示すように、副画素（第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ、第３副画素Ｒｐｉｘ）の各々の近傍にコンタクトホール２９９を設けてもよい。この場合、カソードコンタクト配線１９５は、コンタクトホール２９９を利用して形成された接続経路を介して、カソード１３８の電位が外部から与えられる。

図１０は、図９のＡ－Ａ断面図である。カソードコンタクト配線１９５は、図１、図５、図６及び図１０に示すように、カソードコンタクト配線１９５は、カソード１３８と接続される。当該カソード１３８は、図２から図５を参照して説明した第１有機層１３１、第２有機層１３２、第３有機層１３３、カソード１３８の積層構造の形成の工程のうち工程４で形成される。図１０で例示する第１有機層１３１Ｇ、第２有機層１３２Ｇ、第３有機層１３３Ｇは、第１副画素Ｇｐｉｘを形成する工程としての工程１、工程２、工程３で形成される。

カソードコンタクト配線１９５の下側には、バンク１９３を貫通するコンタクトホール２９９が設けられる。カソードコンタクト配線１９５は、コンタクトホール２９９を介して、カソードコンタクト配線１９５の下側に設けられた給電線２９５と接続される。なお、図１０及び後述する図１１に示す給電線２９５は、平坦化層１２９内にあるが、給電線２９５は平坦化層１２９以下の積層構造内に設けられればよく、その配置は平坦化層１２９内に限られない。

図１１は、図９のＢ－Ｂ断面図である。図１１で例示するように、給電線２９５は例えば第２方向Ｄｙに延出する電極又は配線であるが、給電線２９５の形態はこれに限られるものでない。給電線２９５は、コンタクトホール２９９が接続された層でいずれかの経路を経てカソード１３８の電位が外部から与えられるように延出していればよい。

なお、図１０及び図１１ではカソードコンタクト配線１９５の形成時にカソードコンタクト配線１９５と同様の構成でコンタクトホール２９９が埋められることによってカソードコンタクト配線１９５と給電線２９５とが接続される例を図示しているが、コンタクトホール２９９内を埋める構成はこれに限られるものでない。例えば、カソードコンタクト配線１９５の形成を省略してもよい。その場合、カソード１３８の形成時にカソード１３８と同様の構成でコンタクトホール２９９が埋められることによってカソード１３８と給電線２９５とが接続される。

図９から図１１を参照した例では、周辺領域ＦＡが不要になるので、平面視点で表示領域ＡＡを囲う縁（例えば、額縁状の縁）をより狭くできる。なお、コンタクトホール２９９の位置は図９に示す例に限定されるものでなく、カソード１３８が一端側でコンタクトホール２９９の位置に重複できる範囲内で適宜変更可能である。

図１から図１１を参照して説明した実施形態によれば、カソード１３８と画素電極１７４との間に第１有機層１３１、第２有機層１３２、第３有機層１３３が挟まれている。また、カソード１３８は、第３有機層１３３と当接する。すなわち、カソード１３８と第１有機層１３１とが当接する箇所及びカソード１３８と第２有機層１３２とが当接する箇所がない。これによって、カソード１３８から第１有機層１３１又は第２有機層１３２に通じる導通経路が形成されることのない積層構造を形成でき、当該導通経路が形成された場合に生じるリーク電流による発光効率の低下を抑制できる。

図１２は、マスク２００の位置変更を行わずに形成された積層構造を示す模式図である。ここで、図２から図６を参照して説明したようなマスク２００の位置変更を行わない場合の表示装置３００を想定する。この場合、図１２に示すように、副画素（第１副画素Ｇｐｉｘ、第２副画素Ｂｐｉｘ、第３副画素Ｒｐｉｘ）の各々の第１方向Ｄｘの両端にテーパーが生じる。このようなテーパーが形成されるのは、図２から図７を参照して説明したように、同一のマスク２００を用いて第１有機層１３１からカソード１３８を形成した場合、より上側に形成される層の平面視点での大きさがその下側に形成される層の平面視点での大きさよりも小さくなるからである。そして、第１方向Ｄｘに隣り合う副画素同士の間で、テーパーを上側から覆うように形成されたカソード１３８が隣り合う副画素同士を接続するように形成されてしまう。すなわち、副画素同士のショートが生じる。

図１２では、テーパー構造ＴＰ１とテーパー構造ＴＰ２との間にショート箇所ＳＣ１が生じ、テーパー構造ＴＰ３とテーパー構造ＴＰ４との間にショート箇所ＳＣ２が生じ、テーパー構造ＴＰ５とテーパー構造ＴＰ６との間にショート箇所ＳＣ３が生じている表示装置３００を例示している。テーパー構造ＴＰ１は、第１副画素Ｇｐｉｘにおいて第１方向Ｄｘの一方側で、第１有機層１３１Ｇ、第２有機層１３２Ｇ、第３有機層１３３Ｇの段差が形成するテーパーである。テーパー構造ＴＰ２は、第２副画素Ｂｐｉｘにおいて第１方向Ｄｘの他方側で、第１有機層１３１Ｂ、第２有機層１３２Ｂ、第３有機層１３３Ｂの段差が形成するテーパーである。ショート箇所ＳＣ１は、テーパー構造ＴＰ１を上側から覆うよう形成されたカソード１３８の一方側と、テーパー構造ＴＰ２を上側から覆うよう形成されたカソード１３８の他方側と、が当接することで生じるショート箇所である。テーパー構造ＴＰ３は、第２副画素Ｂｐｉｘにおいて第１方向Ｄｘの一方側で、第１有機層１３１Ｂ、第２有機層１３２Ｂ、第３有機層１３３Ｂの段差が形成するテーパーである。テーパー構造ＴＰ４は、第３副画素Ｒｐｉｘにおいて第１方向Ｄｘの他方側で、第１有機層１３１Ｒ、第２有機層１３２Ｒ、第３有機層１３３Ｒの段差が形成するテーパーである。ショート箇所ＳＣ２は、テーパー構造ＴＰ３を上側から覆うよう形成されたカソード１３８の一方側と、テーパー構造ＴＰ４を上側から覆うよう形成されたカソード１３８の他方側と、が当接することで生じるショート箇所である。テーパー構造ＴＰ５は、第３副画素Ｒｐｉｘにおいて第１方向Ｄｘの一方側で、第１有機層１３１Ｒ、第２有機層１３２Ｒ、第３有機層１３３Ｒの段差が形成するテーパーである。テーパー構造ＴＰ６は、第１副画素Ｇｐｉｘにおいて第１方向Ｄｘの他方側で、第１有機層１３１Ｇ、第２有機層１３２Ｇ、第３有機層１３３Ｇの段差が形成するテーパーである。ショート箇所ＳＣ３は、テーパー構造ＴＰ５を上側から覆うよう形成されたカソード１３８の一方側と、テーパー構造ＴＰ６を上側から覆うよう形成されたカソード１３８の他方側と、が当接することで生じるショート箇所である。

図１２を参照して説明した表示装置３００に対し、実施形態によれば、図２から図６を参照して説明したように、隣接する副画素間でのショートは生じない。従って、同一のマスク２００を用いて画素電極１７４上に有機層及びカソード１３８を形成する工程を実施できる。

以上説明したように、実施形態によれば、表示装置１００は、基板１２０と、基板１２０に積層された有機層と、当該有機層に積層された電極層（カソード１３８）と、を備える。当該有機層は、少なくとも、第１層と、当該第１層に積層される第２層と、を含む。当該第１層は、当該基板に沿う一方向（例えば、第１方向Ｄｘ）の一端側で当該第２層に覆われ、当該一方向の他端側で前記第２層に覆われない。当該有機層は、当該一端側で当該電極層に覆われ、当該他端側で当該電極層に覆われない。これによって、電極層と有機層に含まれる複数の層の全てとを含む通電経路が成立する。一方、電極層と有機層に含まれる複数の層の一部を含む通電経路は成立しない。従って、ＯＬＥＤが本来意図した性能を発揮できる。また、このようなＯＬＥＤの製造において、マスク（マスク２００）を交換せずに当該第１層と、当該第２層とを含む当該有機層と、当該電極層と、を形成できる。

また、電極層（カソード１３８）は、基板１２０に沿う一方向（例えば、第１方向Ｄｘ）の一端側で配線（例えば、カソードコンタクト配線１９５）に接続される。これによって、当該配線を用いた当該電極層への通電経路を形成できる。

また、配線（例えば、カソードコンタクト配線１９５）又は当該配線に通じるコンタクトホール（例えば、コンタクトホール２９９）は、有機層の下側に形成された画素電極１７４の一部を覆うように延出する絶縁部（バンク１９３）に設けられる。当該有機層及び当該電極層の一端側は、当該絶縁部に積層される。これによって、画素電極１７４と当該配線との絶縁及び画素電極１７４と当該電極層との絶縁をより確実に行える。

また、複数の画素電極１７４は、一方向（例えば、第１方向Ｄｘ）に並ぶ。絶縁部（バンク１９３）は、当該一方向の一端が当該一方向に隣り合う２つの画素電極１７４のうち一方の一部を覆うように延出し、当該一方向の他端が当該一方向に隣り合う２つの画素電極１７４のうち他方の一部を覆うように延出する。有機層は、複数の画素電極１７４の各々に積層される。当該有機層の他端側は、絶縁部に積層される。これによって、平面視点で画素電極１７４のうち絶縁部に覆われていない範囲よりもより広い範囲に有機層を形成できる。

また、実施形態で採用される表示装置１００の製造方法は、複数の層を含む有機層（例えば、第１有機層１３１、第２有機層１３２、第３有機層１３３）と、有機層に積層される電極層（カソード１３８）と、を、有機層のうち最初に形成される層の大きさ及び形状に対応した開口部（開口部２１１）が設けられたマスク２００を用いて基板１２０上に蒸着形成する製造方法である。当該製造方法は、当該有機層のうち最初に形成される層を蒸着形成する工程と、有機層のうち最初に形成される層以外の層の形成前に、当マスク２００を基板１２０に沿う一方側に移動させる工程と、当該有機層のうち最初に形成される層以外の層を蒸着形成する工程と、当該電極層の形成前に、マスク２００を当該一方側に移動させる工程と、当該電極層を蒸着形成する工程と、を含む。これによって、マスク２００を交換せずに複数の層を含む当該有機層と、当該電極層と、を形成できる。また、当該製造方法によって製造された表示装置のＯＬＥＤが本来意図した性能を発揮できる。

また、当該有機層のうち最初に形成される層以外の１つの層の形成時の基板１２０とマスク２００との相対位置関係は、当該１つの層の直前に形成された層を形成する工程における基板１２０とマスク２００との相対位置関係を基準とすると、マスク２００が基板１２０に対して基板１２０に沿う一方側にずれて位置している相対位置関係である。これによって、３以上の層を含む有機層であっても、マスク２００を交換せずに当該有機層と、当該電極層と、を形成できる。また、当該製造方法によって製造された表示装置のＯＬＥＤが本来意図した性能を発揮できる。

なお、図２から図７を参照した説明では、基板１２０の位置を固定してマスク２００を移動させる場合を例としていたが、マスク２００と基板１２０との相対位置関係の変更方法はこれに限られるものでない。図２から図７を参照して説明したマスク２００と基板１２０との相対位置関係の変更は、マスク２００又は基板１２０のいずれか一方を移動させることによるものであってもよいし、マスク２００及び基板１２０の両方を移動させることによるものであってもよい。

また、マスク２００の移動方向は第１方向Ｄｘに限定されない。有機層のうち最上の層（例えば、第３有機層１３３）とカソード１３８とが当接し、当該最上の層以外の有機層とカソード１３８とが当接しないようにマスク２００と基板１２０との相対移動が行われればよい。例えば、マスク２００と基板１２０との相対移動方向は、第３方向Ｄｚに直交する方向であって第１方向Ｄｘ及び第２方向Ｄｙに交差する方向又は第２方向Ｄｙであってもよい。

また、図２から図７を参照した説明では、工程１と工程２との間のマスク２００と基板１２０との相対位置関係の変更量と、工程２と工程３との間のマスク２００と基板１２０との相対位置関係の変更量と、工程３と工程４との間のマスク２００と基板１２０との相対位置関係の変更量と、がそれぞれ異なっているが、これらのうち一部又は全部の変更量が統一されていてもよい。

また、有機層に含まれる層の数は３に限られるものでなく、２以上であればよい。

また、本実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本開示によりもたらされるものと解される。

１００ 表示装置
１２０ 基板
１３１，１３１Ｇ，１３１Ｂ，１３１Ｒ 第１有機層
１３２，１３２Ｇ，１３２Ｂ，１３２Ｒ 第２有機層
１３３，１３３Ｇ，１３３Ｂ，１３３Ｒ 第３有機層
１７４ 画素電極
１９３ バンク
１９５ 配線
２９９ コンタクト
２００ マスク
２１１ 開口部

Claims (6)

1. 基板と、
   前記基板に積層された有機層と、
   前記有機層に積層された電極層と、を備える表示装置であって、
   前記有機層は、少なくとも、第１層と、前記第１層に積層される第２層と、を含み、
   前記第１層は、前記基板に沿う一方向の一端側で前記第２層に覆われ、前記一方向の他端側で前記第２層に覆われず、
   前記有機層は、前記一端側で前記電極層に覆われ、前記他端側で前記電極層に覆われない、
   表示装置。
2. 前記電極層は、前記一端側で配線に接続される、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記配線又は前記配線に通じるコンタクトホールは、前記有機層の下側に形成された画素電極の一部を覆うように延出する絶縁部に設けられ、
   前記有機層及び前記電極層の一端側は、前記絶縁部に積層される、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 複数の前記画素電極は、前記一方向に並び、
   前記絶縁部は、前記一方向の一端が前記一方向に隣り合う２つの画素電極のうち一方の一部を覆うように延出し、前記一方向の他端が前記一方向に隣り合う２つの画素電極のうち他方の一部を覆うように延出し、
   前記有機層は、複数の前記画素電極の各々に積層され、
   前記有機層の他端側は、前記絶縁部に積層される、
   請求項３に記載の表示装置。
5. 複数の層を含む有機層と、前記有機層に積層される電極層と、を、前記有機層のうち最初に形成される層の大きさ及び形状に対応した開口部が設けられたマスクを用いて基板上に蒸着形成する表示装置の製造方法であって、
   前記有機層のうち前記最初に形成される層を蒸着形成する工程と、
   前記有機層のうち前記最初に形成される層以外の層の形成前に、前記マスクを前記基板に沿う一方側に移動させる工程と、
   前記有機層のうち前記最初に形成される層以外の層を蒸着形成する工程と、
   前記電極層の形成前に、前記マスクを前記一方側に移動させる工程と、
   前記電極層を蒸着形成する工程と、を含む、
   表示装置の製造方法。
6. 前記有機層のうち前記最初に形成される層以外の１つの層の形成時の前記基板と前記マスクとの相対位置関係は、当該１つの層の直前に形成された層を形成する工程における前記基板と前記マスクとの相対位置関係を基準とすると、前記マスクが前記基板に対して前記一方側にずれて位置している相対位置関係である、
   請求項５に記載の表示装置の製造方法。

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